JP2003203395A

JP2003203395A - 光ディスク基板用スタンパーの製造方法、および、光磁気記録媒体の製造方法

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Publication number: JP2003203395A
Application number: JP2002000474A
Authority: JP
Inventors: Masato Konishi; 正人小西
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2002-01-07
Filing date: 2002-01-07
Publication date: 2003-07-18

Abstract

(57)【要約】【課題】表面粗さの劣化を防止し、信号品位の良好な
スタンパーを大量に複製できる方法を提供する。【解決手段】フォトレジストが塗布された原盤ガラス
をパターン状に露光する工程と、前記フォトレジストの
露光パターンを現像し、ガラスマスターを作製する工程
と、前記ガラスマスターの表面に形成されたパターン形
状を、２Ｐ樹脂を用いて２Ｐマスター原盤へ転写させる
工程と、前記２Ｐマスター原盤の表面に転写されたパタ
ーン形状を、２Ｐ樹脂を用いて２Ｐマザー原盤に反転さ
せる工程とを有する光ディスク基板用スタンパーの製造
方法；及び、そのスタンパ−により製造した基板を用い
た光磁気記録媒体の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク基板、
特に高密度記録用光ディスク基板の複製スタンパーの製
造方法に関する。より詳しくは、従来からの酸化膜によ
るスタンパー複製技術に代えて、スタンパーを容易に大
量に複製することを可能とする方法に関する。本発明に
より製造したスタンパーは、光ディスクの中でも特に、
磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体を作製する上で有効
なものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、光ディスクの記録の高密度化
のために様々な試みが成されている。例えば特開平６−
２９０４９６号公報には、磁壁移動検出方式による光磁
気記録の高密度化が提案されている。この磁壁移動検出
方式は、読み出し光スポットの温度勾配による磁壁の移
動現象を利用するものであり、線（トラック）方向に光
スポット径で制約される限界を超えた再生分解能を得る
ことが出来る。

【０００３】以下、図面を用いて、磁壁移動検出方式に
ついて簡単に説明する。図４は、磁壁移動検出方式の光
磁気記録媒体及びその再生方法における作用を説明する
ため模式図である。

【０００４】図４（ａ）は、光磁気記録媒体の模式的断
面図である。この媒体の磁性層は、第１の磁性層１１
１、第２の磁性層１１２、第３の磁性層１１３が順次積
層されてなる。各層中の矢印１１４は原子スピンの向き
を表している。スピンの向きが相互に逆向きの領域の境
界部には磁壁１１５が形成されている。１１６は読み出
し用の光スポット、矢印１１８は記録媒体の光スポット
に対する移動方向である。

【０００５】図４（ｂ）は、光磁気記録媒体上に形成さ
れる温度分布を示すグラフである。この温度分布は、再
生用に照射されている光スポットによって媒体上に形成
され、光スポットの手前側から温度が上昇し、光スポッ
トの後方に温度のピークが来る。ここで位置Ｘｓにおい
ては、媒体温度が第２の磁性層のキュリー温度近傍の温
度Ｔｓになっている。

【０００６】図４（ｃ）は、（ｂ）の温度分布に対応す
る第１の磁性層の磁壁エネルギー密度σ１の分布を示す
グラフである。この様にＸ方向に磁壁エネルギー密度σ
１の勾配があると、位置Ｘに存在する各層の磁壁に対し
て力Ｆ１＝∂σ／∂Ｘが作用する。この力Ｆ１は、磁壁
エネルギーの低い方に磁壁を移動させるように作用す
る。第１の磁性層は、磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が
大きいので、単独では、この力Ｆ１によって容易に磁壁
が移動する。しかし、位置Ｘｓより手前（図では右側）
の領域では、まだ媒体温度がＴｓより低く、磁壁抗磁力
の大きな第３の磁性層と交換結合しているために、第３
の磁性層中の磁壁の位置に対応した位置に第１の磁性層
中の磁壁も固定されている。

【０００７】磁壁移動検出方式においては、図４（ａ）
に示す様に、磁壁１１５が媒体の位置Ｘｓにあると、媒
体温度が第２の磁性層のキュリー温度近傍の温度Ｔｓま
で上昇し、第１の磁性層と第３の磁性層との間の交換結
合が切断される。この結果、第１の磁性層中の磁壁１１
５は、破線矢印１１７で示した様に、より温度が高く磁
壁エネルギー密度の小さな領域へと「瞬間的」に移動す
る。

【０００８】再生用の光スポット１１６の下を磁壁１１
５が通過すると、光スポット内の第１の磁性層の原子ス
ピンは全て一方向に揃う。そして、媒体の移動に伴って
磁壁１１５が位置Ｘｓに来る度に、光スポットの下を磁
壁１１５が瞬間的に移動し光スポット内の原子スピンの
向きが反転して全て一方向に揃う。この結果、図４
（ａ）に示す様に、再生信号振幅は記録されている磁壁
の間隔（即ち記録マーク長）によらず、常に一定かつ最
大の振幅になり、光学的な回折限界に起因した波形干渉
等の問題から解放される。磁壁移動の発生は、磁壁移動
領域の磁化反転に伴う再生用レーザビームの偏光面の回
転として、従来の光磁気ヘッドで検出することが出来
る。

【０００９】図５は、光磁気記録媒体の層構成を例示す
る模式的断面図である。この図においては、透明基板１
２４上に、誘電体層１２３、第１の磁性層１２２、第２
の磁性層１２１、第３の磁性層１２０、誘電体層１１９
が順次積層されている。矢印１２５は記録再生のための
光ビームの入射する方向である。例えば、透明基板１２
４としてはポリカーボネート、誘電体層１２３として
は、Ｓｉ₃Ｎ₄等を使用できる。

【００１０】図６は、図５にて説明した構成の光磁気記
録媒体をランド部グルーブ部基板に成膜した様子を示す
模式図である。光ビーム１２５の入射方向から遠い記録
トラック８をランド部、入射方向に近い記録トラック９
をグルーブ部と呼ぶ。ランド部グルーブ部記録において
は、ランドトラックを記録再生する際には、グルーブ部
がトラッキング用のガイド溝となり、グルーブトラック
を記録再生する際には、ランド部がトラッキング用のガ
イド溝となって、隣接するランド部とグルーブ部に同時
に記録ができるので、トラック方向の記録密度の向上に
有効である。

【００１１】前述したように、磁壁移動検出方式を用い
ることにより、線方向記録密度を向上させることが出来
るので、これとランド部グルーブ部記録を組み合わせる
ことにより、面記録密度を従来の光磁気記録との比較で
飛躍的に向上させることが可能である。

【００１２】さらに、ランド部グルーブ部記録におい
て、磁壁移動を容易にするための工夫としては、図６に
示すような急峻なテーパ部を有する所謂深溝基板（特開
平９−１６１３２１号公報参照）を用いることが効果的
である。この基板に指向性の高い成膜方法で磁性膜を成
膜すれば、テーパ部（即ち、ランドとグルーブ間の側壁
部）には実質的に磁性膜が堆積しないようにすることが
出来る。これより、ランド部とグルーブ部夫々に対し
て、側壁部に磁壁が実質的に存在しない磁区を形成する
ことが可能になり、磁気的にトラックが分断され磁壁移
動が起こり易くなる。ランドトラック８とグルーブトラ
ック９の機械的距離は、少なくとも磁性膜の合計膜厚を
超えた８０〜３００ｎｍ程度に選ぶと良い。

【００１３】加えて、側壁部に磁性膜が堆積しないよう
にすることは、隣接トラックへの熱干渉を抑制し、クロ
スイレーズ耐性を向上する上でも有効である。また同時
に、磁壁移動検出方式にとっては、再生時に隣接トラッ
クからのクロストークを抑制する効果が期待できる。な
ぜなら、再生時に隣接トラックを磁壁移動開始温度Ｔｓ
以上に加熱しないように出来るからである。このため、
隣接トラックに記録された磁区では、磁壁移動が起こら
ず、通常の光磁気再生が行われるが、記録マーク長を光
スポットの分解能以下に選択しておけば、大きなクロス
トークが発生することはない。

【００１４】前述した磁気的なトラックの分断効果、ク
ロスイレーズ耐性向上及びクロストーク抑制効果の相乗
効果により、深溝基板と磁壁移動検出方式の組み合わせ
は、面記録密度を飛躍的に向上させることが可能である
（日本応用磁気学会誌 Vol.23, No.2, 1999, p764-76
9、白鳥「磁壁移動検出方式による光磁気ディスクの高
密度化」を参照）。

【００１５】次に、従来の光ディスク基板用スタンパー
の製造方法について、図７を用いて説明する。

【００１６】まず、図７（１）に示すように、研磨され
た原盤ガラス１に、シランカップリング材などのプライ
マーをスピンコートした後、ポジ型フォトレジスト２を
スピンコートし、クリーンオーブン内でプリベークす
る。次いで図７（２）に示すように、Ａｒイオンレーザ
ー等を光源とする露光装置により、原盤ガラス１の所定
の領域を露光する。３はカッティングマシンの光ビー
ム、４は露光部、５は未露光部である。なお、フォトレ
ジストとしては、露光部分を使用するネガ型フォトレジ
スト、未露光部分を使用するポジ型フォトレジストを、
必要に応じて使い分けることができる。次いで図７
（３）に示すように、現像液で洗浄して、露光部を除去
する。この後、純水洗浄、スピン乾燥を行い、クリーン
オーブンでポストベークする。フォトレジスト除去部が
グルーブ９、残留部がランド８となる。次いで図７
（４）に示すように、原盤ガラス表面にＮｉ膜等の導電
膜６をスパッタリングにより成膜する。次いで図７
（５）に示すように、このＮｉ導電膜６上にＮｉ電鋳を
行う。１５はＮｉ電鋳層である。次いで図７（６）に示
すように、Ｎｉ電鋳面を裏面研磨後、原盤ガラスより金
属スタンパーを剥離し、図７（７）に示すようなスタン
パー７が得られる。

【００１７】さらに、他の従来技術として、矩形に近い
断面形状が要求される深溝基板用基板の作製の為に、異
方性エッチングを用いて光ディスク基板用スタンパーを
製造する方法が提案されている。例えば特開平７−１６
１０８０号公報には、反応性イオンエッチング（以下
「ＲＩＥ」と称す）を用いたランド部グルーブ部記録基
板用のスタンパーの製造方法が記載されている。以下、
このようなＲＩＥ方式の製造方法について、図８を用い
て説明する。

【００１８】まず、図８（１）に示すように、研磨され
た合成石英原盤１０を十分洗浄し、合成石英原盤１０の
表面にプライマーをスピンコートした後、ポジ型フォト
レジスト２をスピンコートする。その後、原盤をクリー
ンオーブン内でプリベークする。次いで図８（２）に示
すように、Ａｒイオンレーザー等を光源とする露光装置
により、合成石英原盤１０の所定の領域を露光する。次
いで図８（３）に示すように、現像液でスピン現像し、
露光部４を除去する。この後、純水洗浄、スピン乾燥を
行い、クリーンオーブンでポストベークする。次いで図
８（４）に示すように、反応性イオンエッチング（ＲＩ
Ｅ１４）を行う。ＲＩＥ時間を調整することにより、所
定のグルーブ深さに達するまでエッチングすることがで
きる。次いで、図８（５）に示すように、剥離液中に浸
して残留レジストを剥離することにより、ガラスマスタ
ー１３が得られる。８はランド部、９はグルーブ部であ
る。次いで図８（６）に示すように、ガラスマスター１
３の表面にＮｉ膜等の導電膜６をスパッタリングにより
成膜する。次いで図８（７）に示すように、この導電膜
６上に更にＮｉ電鋳を行う。１５はＮｉ電鋳層である。
次いで図８（８）に示すように、Ｎｉ電鋳面を研磨して
から、ガラスマスター１３よりＮｉ電鋳層１５を剥離
し、図８（９）に示すようなスタンパー７が得られる。

【００１９】さらに、他の従来技術として、同様にＲＩ
Ｅ方式の方法であるが、原盤ガラスとして高価な石英ガ
ラスではなく、従来から使用されているソーダライム等
を主原料とした原盤ガラス上に、ＳｉＯ₂膜等の薄膜を
成膜する工程を有する、ランド部グルーブ部記録用基板
のスタンパーの製造方法も提案されている。例えば特開
平１３-２４３６６５号公報では、原盤ガラス上に複数
の薄膜を積層し、フォトレジストを塗布し、露光、現像
し、反応性イオンエッチングを用いて光ディスク基板用
スタンパーを製造する方法が記載されている。以下、こ
のような製造方法について、図９を用いて説明する。

【００２０】まず、図９（１）に示すように、研磨され
た原盤ガラス１を十分洗浄し、この原盤ガラス１上に第
一の薄膜層（Ａｌ₂Ｏ₃膜２１等）を形成する。次いで図
９（２）に示すように、第二の薄膜層（ＳｉＯ₂膜２２
等）を形成する。次いで図９（３）に示すように、原盤
ガラス１の表面にプライマーをスピンコートした後、ポ
ジ型フォトレジスト２をスピンコートする。次いで図９
（４）に示すように、プリベークした後、Ａｒイオンレ
ーザー等を光源とする露光装置により、所定の領域を露
光する。次いで図９（５）に示すように、現像液でスピ
ン現像し、露光部４を除去する。この後、純水洗浄、ス
ピン乾燥を行い、クリーンオーブン内でポストベークす
る。次いで図９（６）に示すように、反応性イオンエッ
チング（ＲＩＥ１４）を行う。ＲＩＥ時間を調整するこ
とにより、所定のグルーブ深さに達するまでエッチング
することができる。次いで図９（７）に示すように、酸
素プラズマアッシングを行い、残留レジストを剥離す
る。次いで図９（８）に示すように、現像液原液にガラ
スマスター１３を浸漬し、第一の薄膜層（Ａｌ₂Ｏ₃膜２
１等）をウェットエッチングする。図中８はランド部、
９はグルーブ部である。次いで図９（９）に示すよう
に、ガラスマスター１３の表面にＮｉ膜等の導電膜６を
スパッタリングにより成膜する。次いで図９（１０）に
示すように、この導電膜６上に更にＮｉ電鋳を行う。１
５はＮｉ電鋳層である。次いで図９（１１）に示すよう
に、ガラスマスター１３よりＮｉ電鋳層１５を剥離し、
次いで図９（１２）に示すようなスタンパー７が得られ
る。

【００２１】なお、上記のようなスタンパー作製は長い
工程を必要とし、原盤ガラス１枚からスタンパーは１枚
しか取れず、コスト的にも高いものとなる。そこで、ス
タンパー１枚当たりのコストを低減するために、剥離し
た金属スタンパーをマスタースタンパーとし、表面に酸
化処理を行いマザースタンパー／サンスタンパーと言っ
たスタンパーファミリーを作製することにより、１枚当
たりのコスト低減が行われている。

【００２２】以下、このようなファミリースタンパーを
作製する為の酸化処理について、図１０を用いて説明す
る。この方法においては、マスタースタンパー７１より
マザースタンパー７２を作製する際、マスタースタンパ
ー７１の表面へ直にＮｉ電鋳を行ってしまうと、同じ金
属同士のため剥離が不可能となってしまう。そこで、マ
スタースタンパー７１とマザースタンパー７２、マザー
スタンパー７２とサンスタンパー７３の剥離が可能とな
るように、マスタースタンパー７１／マザースタンパー
７２の表面に酸化処理を行う。

【００２３】まず図１０（１）に示すように、マスター
スタンパー７１を重クロム酸溶液７０内に所定時間浸漬
し、表面に酸化膜７４を形成する。次いで図１０（２）
に示すように、マスタースタンパー７１の酸化膜７４上
に、Ｎｉ膜等の導電膜６を成膜する。次いで図１０
（３）に示すように、Ｎｉ電鋳を行い、所望の膜厚のＮ
ｉ電鋳層１５を得る。次いで図１０（４）に示すよう
に、マスタースタンパー７１とＮｉ電鋳層１５を剥離
し、マザースタンパー７２を得る。更に、同様の工程
（１）〜（４）をマザースタンパー７２に対して行うこ
とによって、サンスタンパー７３を得ることが可能とな
る。また、一度ファミリー作製に使用されたマスタース
タンパー７１及びマザースタンパー７２に表面処理を行
い、再びファミリースタンパー作製に使用し、複数回同
様の工程を行うことによって、大量のサンスタンパー７
３を得ることが可能となる。

【００２４】スタンパー表面に酸化膜７４を形成する方
法としては、上述の重クロム酸溶液７０を用いる方法以
外に、例えば特開昭５４−４０２３９号公報に記載され
るような、導電膜６のＮｉ膜に相当する表面を次亜ハロ
ゲン酸で酸化する方法、また特開昭５９−１７３２８８
号公報に記載されるような、導電膜６のＮｉ膜に相当す
る表面に酸素プラズマ処理する方法、などが提案されて
いる。このように、Ｎｉ導電膜上あるいはＮｉ膜に相当
する導電膜６への酸化処理を行うことで、ファミリース
タンパー作製が可能である。

【００２５】以上説明した各方法において得られたスタ
ンパーに対して、さらにプレス打ち抜きや裏面研磨を行
って所望の形状にし、スタンパーが完成する。このスタ
ンパーを使用して、射出成形法や２Ｐ法によってランド
／グルーブ形状等の記録信号を有する光ディスク基板を
複製する。この後光ディスク基板上にアルミニウム等の
金属反射膜や磁性膜等を形成して光ディスク（光記録媒
体）を得ることができる。

【００２６】

【発明が解決しようとする課題】上記したように金属ス
タンパーを用いたレプリカディスク、すなわち光ディス
ク基板を作製しているため、ディスクの品質はこの金属
スタンパーに依存し、いかに品質の高い金属スタンパー
を低コストで大量に作製できるかが、光ディスク基板の
単価を抑える上で重要なこととなって来る。

【００２７】先に述べたファミリースタンパーの作製に
おいては、マスタースタンパー表面及びマザースタンパ
ー表面への酸化処理によって、大量のサンスタンパーの
作製が可能となり、表面への酸化処理を行わなければＮ
ｉ電鋳膜を剥離することが不可能である。しかし、酸化
処理を数回重ねると、スタンパーの表面粗さが悪化し
て、最初に作製されたサンスタンパーと複数回酸化処理
を行ったマスタースタンパーあるいはマザースタンパー
より得られたサンスタンパーとでは、表面荒さに大きな
差が有り、スタンパーとしての品質に差が発生してしま
う。この場合、磁壁移動検出方式では表面粗さの悪化に
伴い磁壁の移動が阻害されていまい、信号品位に問題が
生じる。また、成形を行う上でもスタンパーごとに条件
が異なり、生産する上で最適条件抽出に時間がかかって
しまう。さらに、酸化処理を行うと、マスタースタンパ
ー及びマザースタンパーの表面に酸化皮膜が付着し、磁
壁移動検出方式の光磁気記録媒体の成形用スタンパーと
しては使用不可能な状態となってしまう。

【００２８】本発明は、上述の各課題を解決すべくなさ
れたものであり、その目的とするところは、スタンパー
表面への酸化処理を必要とせず、表面粗さの劣化を防止
したスタンパーファミリーを作製でき、表面粗さが変化
しないので信号品位の良好なスタンパーを大量に複製で
きる光ディスク基板用スタンパーの製造方法、及び、そ
のスタンパーを用いて製造した光磁気記録媒体を提供す
ることにある。

【００２９】

【課題を解決するための手段】本発明は、フォトレジス
トが塗布された原盤ガラスをパターン状に露光する工程
と、前記フォトレジストの露光パターンを現像し、ガラ
スマスターを作製する工程と、前記ガラスマスターの表
面に形成されたパターン形状を、２Ｐ樹脂を用いて２Ｐ
マスター原盤へ転写させる工程と、前記２Ｐマスター原
盤の表面に転写されたパターン形状を、２Ｐ樹脂を用い
て２Ｐマザー原盤に反転させる工程とを有する光ディス
ク基板用スタンパーの製造方法である。

【００３０】また、本発明は、上記方法により製造した
スタンパ−を用いて、ランド部グルーブ部記録光ディス
ク基板を成形し、該ランド部グルーブ部記録光ディスク
基板の上に、少なくとも、第１、第２、第３の磁性層を
順次積層する工程を有し、第１の磁性層は周囲温度近傍
の温度において前記第３の磁性層に比べて相対的に磁壁
抗磁力が小さく磁壁移動度大きな垂直磁化膜からなり、
第２の磁性層は第１の磁性層及び第３の磁性層よりもキ
ュリー温度の低い磁性層からなり、第３の磁性層は垂直
磁化膜である光磁気記録媒体の製造方法である。

【００３１】

【発明の実施の形態】本発明において、フォトレジスト
が塗布された原盤ガラスを、光ビーム等により、パター
ン状（微細なスパイラルパターン、凹凸パターン等）に
露光する工程と、フォトレジストの露光パターンを現像
しガラスマスターを作製する工程は、（１）原盤ガラス
として石英ガラスを使用し、フォトレジストが塗布され
たその原盤ガラスをパターン状に露光する工程と、フォ
トレジストの露光パターンを現像し、さらに残留したフ
ォトレジストをマスクとして、ＣＦ等ガスにより石英ガ
ラス原盤ガラスに反応性イオンエッチングを行うこと
で、ガラスマスターを作製する工程により実施すること
が好ましい。

【００３２】また、（２）原盤ガラスとして表面にＳｉ
Ｏ₂膜等の薄膜を形成したものを使用し、該薄膜上にさ
らにフォトレジストが塗布された原盤ガラスをパターン
状に露光する工程と、このフォトレジストの露光パター
ンを現像し、さらに残留したフォトレジストをマスクと
して、ＣＦ等ガスによりＳｉＯ₂膜等の薄膜に反応性イ
オンエッチングを行うことで、ガラスマスターを作製す
る工程とにより実施することも好ましい。この薄膜は、
原盤ガラスと材質が異なる１層又は２層以上の膜とする
のが適当である。

【００３３】本発明において、２Ｐマスター原盤の表面
に転写されたパターン形状（凹凸によるランド／グルー
ブ形状等）を、２Ｐ樹脂を用いて２Ｐマザー原盤（別の
ガラス原盤）に反転させる工程においては、パターン形
状が転写された２Ｐマスター原盤に少なくとも１層以上
の薄膜（剥離層等）を形成し、その後２Ｐマスター原盤
のパターン形状を２Ｐマザー原盤に反転させることが好
ましい。この薄膜（剥離層等）の厚さは、５ｎｍ〜１５
ｎｍ程度が適当である。

【００３４】さらに、２Ｐマスター原盤の表面に転写さ
れたパターン形状（凹凸によるランド／グルーブ形状
等）を、２Ｐ樹脂を用いて２Ｐマザー原盤（さらに別の
ガラス原盤）に反転させ、この２Ｐマザー原盤から各種
のスタンパーを良好に製造することができる。

【００３５】また、本発明により製造するスタンパーの
パターンの深さは、８０ｎｍ〜３００ｎｍであることが
好ましい。このスタンパーを用いれば、良好に光ディス
ク基板を成形できる。また、本発明のスタンパーは、ラ
ンド部とグルーブ部に記録可能な光ディスク基板の成形
の為に用いることが好ましい。

【００３６】また、本発明のスタンパーを用いて得た光
ディスク基板は、特に、先に述べたした特定構成の光磁
気記録媒体の製造に用いることが好ましい。この場合、
光ディスク基板のガイド溝の深さは、８０ｎｍ〜３００
ｎｍであることが好ましく、また、再生用ビームの波長
をλ、基板屈折率をｎとして、λ／３ｎ、２λ／３ｎ、
５λ／６の何れかであることも好ましく、また、第１、
第２、第３の磁性層の合計膜厚よりも深いものであるこ
とも好ましい。さらに、光ディスク基板のガイド溝の側
壁により、ランドトラックとグルーブトラックが磁気的
に分断されていることが好ましい。

【００３７】図１は、本発明の光ディスク基板用スタン
パーの製造方法の一実施形態を示す模式図である。

【００３８】まず、図１（１）に示すように、原盤ガラ
ス１に下地処理を行なった後、フォトレジスト２をスピ
ンコートし、プリベークする。次いで図１（２）に示す
ように、所望領域を光ビーム３により露光する。図中、
４は露光部分である。次いで図１（３）に示すように、
現像により露光部分４を除去し、未露光部分５によるラ
ンド８／グルーブ９形状を得る。次いで図１（４）に示
すように、２Ｐ樹脂８０をガラスマスター上に適量滴下
し、２Ｐマスター原盤の原盤としての別のガラス原盤を
乗せて、２Ｐ樹脂８０を硬化させる。次いで、次いで図
１（５）に示すように、２Ｐマスター原盤８１を剥離
し、表面の残留レジストを除去し、洗浄し、ベークし
て、２Ｐマスター原盤８１を作製する。

【００３９】次いで図１（６）に示すように、２Ｐマス
ター原盤８１の表面に、Ｎｉ膜等の剥離層８３を成膜す
る。次いで図１（７）及び図１（８）に示すように、２
Ｐマスター原盤８１の作製［図１（４）及び図１
（５）］と同様の工程、すなわち２Ｐ樹脂８０を用いて
転写、剥離を行い、２Ｐマザー原盤８２を作製する。次
いで図１（９）に示すように、２Ｐマザー原盤８２上
に、Ｎｉ導電膜処理を施し、図１（１０）に示すよう
に、Ｎｉ電鋳を行う。そして、２Ｐマザー原盤８２から
Ｎｉ電鋳層１５を剥離し、図１（１１）に示すように、
所望の形状に打ち抜き金属スタンパー７を得る。この金
属スタンパー７を用いて、２Ｐ法により、所望のランド
部グルーブ部記録用基板等の光ディスク基板を良好に作
製できる。

【００４０】図２は、本発明の光ディスク基板用スタン
パーの製造方法の一実施形態を示す模式図である。

【００４１】図２に示す本発明の実施形態に従い、光デ
ィスク基板（ランド部グルーブ部記録基板）の成形用の
スタンパーを以下の方法で作製した。

【００４２】まず、図２（１）に示すように、原盤ガラ
ス１の表面にＡｌ₂Ｏ₃膜２１等の第一の薄膜層を成膜す
る。次いで図２（２）に示すように、その上にＳｉＯ₂
膜２２等の第二の薄膜層を成膜する。次いで図２（３）
に示すように、フォトレジスト２をスピンコートし、プ
リベークする。次いで図２（４）に示すように、所望領
域を光ビーム３により露光する。次いで図２（５）に示
すように、現像によって露光部分４を除去し、未露光部
分５によるランド／グルーブ形状を得る。次いで図２
（６）に示すように、現像によって露出したＳｉＯ₂膜
２２等の第二の薄膜層の表面を反応性イオンエッチング
１４によってエッチングし、ガラスマスター１３を得
る。次いで図２（７）に示すように、ガラスマスター１
３上の残留フォトレジスト５を除去する。次いで図２
（８）に示すように、Ａｌ₂Ｏ₃膜２１等の第一の薄膜層
を除去する。

【００４３】その後、図２（９）〜（１３）に示すよう
に、前述の図１の場合と同様にして、２Ｐマスター原盤
８１及び２Ｐマザー原盤８２を作製し、図２（１４）〜
（１６）に示すように、金属スタンパー７を作製する。
この金属スタンパー７を用いて、２Ｐ法により、所望の
ランド部グルーブ部記録用基板等の光ディスク基板を良
好に作製できる。

【００４４】

【実施例】次に実施例を用いて本発明を更に詳細に説明
するが、実施例の有用性を従来技術との比較において実
証する為に、まず比較例１を先に説明する。

【００４５】＜比較例１＞図７及び図１０に示した従来
法に従い、光デスク基板（ランド／グルーブ記録基板）
の成形用のスタンパーを以下の方法で作製した。なお、
表面観察には、走査型プローブ顕微鏡（米国デジタルイ
ンスツルメント社製、NanoScope III）のタッピングモ
ードＡＦＭを用い、探針は通常より先端の角度が鋭角な
スパイクチップを用いた。

【００４６】まず、外形２００ｍｍ、厚さ６ｍｍで、表
面粗度Ｒａ＝５ｎｍ以下に研磨された原盤ガラス１を用
意し、十分洗浄した。この原盤ガラス１に、シランカッ
プリング材としてのヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤ
Ｓ）をスピンコートして、下地処理を行なった。この
後、ポジ型フォトレジスト２（東京応化製、ＴＳＭＲ−
８９００）を同じくスピンコートし、フォトレジスト膜
厚を１８０ｎｍとなるようにした。なお、ここではシラ
ンカップリング材としてＨＭＤＳを使用したが、これに
限定されるものでは無い。この原盤ガラス１をプリベー
クした後、光源としてＡｒイオンレーザーを搭載した露
光装置により、原盤ガラスの半径２４ｍｍから４０ｍｍ
までの領域を光ビーム３により露光した。この露光にお
いて、トラックピッチは１.２μｍであり、現像後に幅
が０.６μｍのランド幅グルーブ幅となるようなゾーン
が出来るよう、半径位置によりレーザーパワーを変更し
ながら断続的に露光を行った。露光時の原盤ガラスの回
転数は９００ｒｐｍ、レーザー光のスポット径は約０.
４５μｍとした。ここでは光源としてＡｒイオンレーザ
ーを使用したが、特に限定されず、その他にもＨｅ−Ｃ
ｄイオンレーザーや電子線、紫外線等、他の光源による
露光装置を用いることもできる。

【００４７】その後、無機アルカリ液（日本応化社製、
ＮＭＤ−Ｗ）と超純水とを、重量比１：２の割合で混合
し希釈した現像液でスピン洗浄した。この時の現像条件
は、前純水洗浄時間６００秒、現像時間３０秒、後純水
洗浄時間９００秒、スピン乾燥時間６０秒であり、その
後、９０℃のクリーンオーブンで３０分間ポストベーク
した。次いで、原盤ガラス１表面にスパッタリングによ
り１００ｎｍのＮｉ導電膜６を形成した。なお、ここで
は、スパッタリング法を用いたが、無電解めっき法や真
空蒸着法等を用いることも可能であり、特に限定されな
い。

【００４８】このＮｉ導電膜６上にＮｉ電鋳を行い、
０.３ｍｍ厚の金属スタンパー１５を作製した。次い
で、原盤ガラス１より金属スタンパー１５を剥離した。
この金属スタンパー１５を、酸素プラズマアッシング装
置（日電アネルバ製、ＲＨ−２０）に入れ、真空度４×
１０^-3まで排気し、酸素ガスを導入してプラズマアッシ
ングを行い、残留フォトレジスト除去した。この時のガ
ス流量は８０ｓｃｃｍ、ガス圧は８.０Ｐａ、ＲＦ電力
は１００Ｗ、電極間距離は６０ｍｍ、エッチング時間は
３０秒とした。

【００４９】このようにして得た金属スタンパー１５を
マスタースタンパー７１として、重クロム酸溶液７０に
よる表面の酸化処理を行った。その後、Ｎｉ導電膜処
理、Ｎｉ電鋳を行い、マザースタンパー７２を作製し
た。さらに、このマザースタンパー７２に同様の酸化処
理を行い、サンスタンパー７３の作製を行った。

【００５０】このサンスタンパー７３を所望の形状に打
ち抜き、金属スタンパー７とした。その後、金属スタン
パー７より２Ｐ法により直径８６.０ｍｍのランド部グ
ルーブ部記録用の光ディスク基板を作製した。

【００５１】これらマスタースタンパー７１、マザース
タンパー７２、サンスタンパー７３、基板単体の表面粗
さを、ランド部及びグルーブ部の各々で測定した。この
測定は、ランド部グルーブ部の溝幅が寸法的に等しくな
るゾーンを選んだ。その結果、ランド部の表面粗さＲａ
は、マスタースタンパー＝１.９１５ｎｍ、マザースタ
ンパー＝１.２５８ｎｍ、サンスタンパー＝１.１１５ｎ
ｍ、基板単体＝０.９８５ｎｍであった。また、グルー
ブ部の表面粗さＲａは、マスタースタンパー＝１.６３
９ｎｍ、マザースタンパー＝１.２３５ｎｍ、サンスタ
ンパー＝１.１２３ｎｍ、基板単体＝０.９５７ｎｍであ
った。

【００５２】この基板上に、磁壁移動検出方式の光磁気
媒体構成の干渉層であるＳｉＮ層を厚さ８０ｎｍ形成
し、次に第１の磁性層（磁壁移動層）としてＧｄＦｅＣ
ｏ層を厚さ３０ｎｍ、第２の磁性層（スイッチング層）
としてＤｙＦｅ層を厚さ１０ｎｍ、第３の磁性層（メモ
リ層）としてＴｂＦｅＣｏ層を８０ｎｍ、順次スパッタ
リングにより形成した。最後に、保護層としてＳｉＮ層
を厚さ８０ｎｍ形成した。この積層膜を成膜した後、紫
外線硬化型樹脂（日本化薬製、ＯＶＤ−３２７Ｚ）によ
り膜面にハードコートを形成した。なお、ここでは紫外
線硬化型樹脂として上記市販品を用いたが、特に限定さ
れない。

【００５３】このようにして作製した光ディスク（光磁
気記録媒体）の性能を、波長６８０ｎｍ、対物レンズＮ
Ａ０.６のドライブ装置によって測定した。この測定
は、積層膜からの反射光量信号をオシロスコープへ取り
込み、ランド部グルーブ部各々のノイズレベルを測定す
ることにより実施し、ランド部グルーブ部の溝幅の pus
h-pull 信号振幅が等しくなるゾーンを選んだ。その結
果は、ランドで０.４ｖ（反射光量信号ＡＣ成分）／２.
２ｖ（反射光量信号ＤＣ成分）＝１８％となり、グルー
ブでは０.６ｖ／２.７ｖ＝２２％となった。

【００５４】さらに、成形後の基板を走査型電子顕微鏡
で観察したところ、数十ｎｍ程度の皺上の荒れがランド
部及びグルーブ部に発生していた。また、磁壁移動検出
方式としては、磁壁の移動が阻害されており、信号品位
としては実使用に問題のあるノイズレベルであった。

【００５５】＜実施例１＞図１に示した本発明の実施形
態に従い、光ディスク基板（ランド部グルーブ部記録基
板）を成形する為のスタンパーを以下の方法で作製し
た。

【００５６】まず、比較例１と同様にして、原盤ガラス
１上のフォトレジスト２の露光、現像工程を実施した。
次いで、図１（４）に示すように、２Ｐマスター原盤８
１を作製した。２Ｐマスター原盤８１には、ガラスマス
ターと同じ原盤ガラス１を用いたが、表面荒さ、材質、
大きさ等は、特に規定されるものでは無い。２Ｐマスタ
ー原盤８１となる原盤ガラス１の表面には、ガラスマス
ターと同様にシランカップリング剤などによりプライマ
ー処理を施した。その後２Ｐ樹脂８０をガラスマスター
上に適量滴下し、泡やごみの混入に細心の注意を払いな
がら２Ｐマスター原盤８１となる原盤ガラス１を乗せ
た。次いで、原盤ガラスが位置ずれを起こさぬ様、ＵＶ
照射装置内へ入れ、２Ｐ樹脂８０を硬化させた。次い
で、図１（５）に示すように、２Ｐマスター原盤８１を
剥離し、表面の残留レジストをアルカリ溶液によって除
去し、純水で洗浄した。その後、クリーンオーブンで９
０℃で３０分間ベークし、表面を充分乾燥させた。

【００５７】次いで図１（６）に示すように、２Ｐマス
ター原盤８１の表面に、剥離層８３としてＮｉ膜を成膜
した。この時の膜厚は１０ｎｍとした。なお、ここでは
Ｎｉ膜を成膜したが、剥離層８３はこれに限定されず、
例えばＳｉＮ膜でも同様の効果は得られる。すなわち、
剥離層８３は緻密な薄膜であればよく、その材質は問わ
ない。薄膜の層構成としては１層に限定されるものでは
ない。また、成膜方法は、実施例ではスパッタリング法
によって行ったが、特に限定されない。

【００５８】次いで図１（７）及び図１（８）に示すよ
うに、２Ｐマスター原盤８１の作製［図１（４）及び図
１（５）］と同様の工程、すなわち２Ｐ樹脂８０を用い
て転写、剥離を行い、２Ｐマザー原盤８２を作製した。

【００５９】次いで図１（９）に示すように、２Ｐマザ
ー原盤８２上に、Ｎｉ導電膜処理を１００ｎｍ施し、図
１（１０）に示すように、Ｎｉ電鋳を３００μｍ行っ
た。そして、２Ｐマザー原盤８２からＮｉ電鋳層１５を
剥離し、図１（１１）に示すように、所望の形状に打ち
抜き金属スタンパー７を得た。

【００６０】この金属スタンパー７を用いて、２Ｐ法に
より比較例と同様にして、直径８６.０ｍｍのランド部
グルーブ部記録用基板を作製した。

【００６１】これら２Ｐマスター原盤８１、２Ｐマザー
原盤８２、スタンパー７、基板単体の表面粗さを、比較
例１と同様にして測定した。本実施例において、ランド
部の表面粗さＲａは、２Ｐマスター原盤＝０.５０６ｎ
ｍ、２Ｐマザー原盤＝０.４１０ｎｍ、スタンパー＝０.
５１９ｎｍ、基板単体＝０.６７４ｎｍであった。ま
た、グルーブ部での表面粗さＲａは、２Ｐマスター原盤
＝０.３８４ｎｍ、２Ｐマザー原盤＝０.４１４ｎｍ、ス
タンパー＝０.５８０ｎｍ、基板単体＝０.５９９ｎｍで
あった。

【００６２】さらに、その基板を用いて、比較例１と同
様にして光ディスク（光磁気記録媒体）を作製し、性能
を測定した。その結果、最も良い部分で、ランドでは
０.１ｖ／２.３ｖ＝４.３％となり、グルーブでは０.１
５ｖ／２.５ｖ＝６％となった。このように、磁壁移動
検出方式の光磁気媒体と本発明による溝深さ１８０ｎｍ
の深溝基板を組み合わせた場合では、信号のＳ／Ｎ改善
に加えて、磁壁の円滑な移動が可能になり、信号再生時
の信号ジッタを大幅に改善することができた。

【００６３】さらに、２Ｐマザー原盤８２よりスタンパ
ーを１０枚作製し、その後の２Ｐマザー原盤８２及びス
タンパー上の表面粗さを測定したところ、上記数値と変
わりなかった。また、２Ｐマスター原盤８１よりスタン
パーを直に１０枚作製し、その後、２Ｐマザー原盤８
２、スタンパーを作製したが、各々の原盤、スタンパー
の表面粗さに変化は無かった。

【００６４】＜実施例２＞実施例１と同様にしてスタン
パーの作製を行った。但し、２Ｐマスター原盤８１への
剥離層８３（Ｎｉ膜）の膜厚は５ｎｍとした。このよう
にして作製したスタンパー７から、２Ｐ法により直径８
６.０ｍｍのランド部グルーブ部記録用基板（光ディス
ク基板）を作製した。これらの表面粗さを、比較例１と
同様にして測定した。本実施例において、ランド部の表
面粗さＲａは、２Ｐマスター原盤＝０.５２６ｎｍ、２
Ｐマザー原盤＝０.５１０ｎｍ、スタンパー＝０.５５９
ｎｍ、基板単体＝０.６５４ｎｍであった。また、グル
ーブ部での表面粗さＲａは、２Ｐマスター原盤＝０.４
８４ｎｍ、２Ｐマザー原盤＝０.５１７ｎｍ、スタンパ
ー＝０.５８２ｎｍ、基板単体＝０.６１２ｎｍであっ
た。

【００６５】さらに、その基板を用いて、比較例１と同
様にして光ディスク（光磁気記録媒体）を作製し、性能
を測定した。その結果、最も良い部分で、ランドでは
０.１ｖ／２.３ｖ＝４.３％となり、グルーブでは０.１
５ｖ／２.５ｖ＝６％となった。すなわち、実施例１と
同様に、信号再生時の信号ジッタを大幅に改善すること
ができ、磁壁の移動もスムーズに移動できた。

【００６６】さらに、２Ｐマザー原盤８２よりスタンパ
ーを１０枚作製し、その後の２Ｐマザー原盤８２及びス
タンパー上の表面粗さを測定したところ、上記数値と変
わりなかった。また、２Ｐマスター原盤８１よりスタン
パーを直に１０枚作製し、その後、２Ｐマザー原盤８
２、スタンパーを作製したが、各々の原盤、スタンパー
の表面粗さに変化は無かった。

【００６７】＜実施例３＞実施例１と同様にしてスタン
パーの作製を行った。但し、２Ｐマスター原盤８１への
剥離層８３（Ｎｉ膜）の膜厚は１５ｎｍとした。このよ
うにして作製したスタンパー７から、２Ｐ法により直径
８６.０ｍｍのランド部グルーブ部記録用基板（光ディ
スク基板）を作製した。これらの表面粗さを、比較例１
と同様にして測定した。本実施例において、ランド部の
表面粗さＲａは、２Ｐマスター原盤＝０.４９６ｎｍ、
２Ｐマザー原盤＝０.４３７ｎｍ、スタンパー＝０.５０
９ｎｍ、基板単体＝０.５９４ｎｍであった。また、グ
ルーブ部での表面粗さＲａは、２Ｐマスター原盤＝０.
４５４ｎｍ、２Ｐマザー原盤＝０.５３４ｎｍ、スタン
パー＝０.５７６ｎｍ、基板単体＝０.５９７ｎｍであっ
た。

【００６８】さらに、その基板を用いて、比較例１と同
様にして光ディスク（光磁気記録媒体）を作製し、性能
を測定した。その結果、最も良い部分で、ランドでは
０.１ｖ／２.３ｖ＝４.３％となり、グルーブでは０.１
５ｖ／２.５ｖ＝６％となった。すなわち、実施例１と
同様に、信号再生時の信号ジッタを大幅に改善すること
ができ、磁壁の移動もスムーズに移動できた。

【００６９】さらに、２Ｐマザー原盤８２よりスタンパ
ーを１０枚作製し、その後の２Ｐマザー原盤８２及びス
タンパー上の表面粗さを測定したところ、上記数値と変
わりなかった。また、２Ｐマスター原盤８１よりスタン
パーを直に１０枚作製し、その後、２Ｐマザー原盤８
２、スタンパーを作製したが、各々の原盤、スタンパー
の表面粗さに変化は無かった。

【００７０】＜実施例４＞図２に示す本発明の実施形態
に従い、光ディスク基板（ランド部グルーブ部記録基
板）の成形用のスタンパーを以下の方法で作製した。

【００７１】まず、図２（１）に示すように、外形２０
０ｍｍ、厚さ６ｍｍで、表面粗度５ｎｍ以下に裏面研磨
された原盤ガラス１を用意し、その表面に第一の薄膜層
としてＡｌ₂Ｏ₃膜２１を２０ｎｍ成膜した。次いで図２
（２）に示すように、その上に第二の薄膜層としてＳｉ
Ｏ₂膜２２を１６０ｎｍ成膜した。次いで図２（３）に
示すように、その上にシランカップリング材をスピンコ
ートして下地処理を行なった後、ポジ型フォトレジスト
２を同じくスピンコートし、フォトレジスト２膜厚を１
００ｎｍとなるようにした。次いで図２（４）に示すよ
うに、原盤ガラス１上のフォトレジスト２へ光ビーム３
による露光を行った。次いで図２（５）に示すように、
現像によって露光部分４を除去した。

【００７２】次いで図２（６）に示すように、現像によ
って露出したＳｉＯ₂膜２２の表面を反応性イオンエッ
チング１４によってエッチングし、溝深さ１６０ｎｍの
ガラスマスター１３を作製した。具体的には、反応性イ
オンエッチング装置のチャンバー内に原盤ガラス１を入
れ、真空度１×１０^-4Ｐａまで排気し、ＣＨＦ₃ガスを
導入しＳｉＯ₂層２２に反応性イオンエッチング１４を
行った。このとき、ガス流量６ｓｃｃｍ、ガス圧力０.
３Ｐａ、ＲＦ電力１００Ｗの条件で、エッチングレート
は２００Å／ｍｉｎ程度であった。ＣＨＦ₃ガスは、Ｓ
ｉＯ₂層２２はエッチングするが、Ａｌ₂Ｏ₃層２１に対
しては反応性が極めて低くほとんどエッチングしない
（エッチング選択比はＡｌ₂Ｏ₃ＳｉＯ₂＝１：２０〜３
０程度）。したがって、エッチング時間を厳密に調整し
なくても、Ａｌ₂Ｏ₃層２１が露出した段階でエッチング
が自動的に停止する。つまり、Ａｌ₂Ｏ₃層２１はストッ
パ層として機能するので、エッチングする深さとエッチ
ングレートより算出される時間より、幾分過剰にエッチ
ングを行えば、エッチングチャンバー内の雰囲気の変動
や不均一などが多少発生しても、常に所定のグルーブ深
さに場所むらなくエッチングが達成される。

【００７３】なお、本実施例では、エッチングガスにＣ
ＨＦ₃を用いたが、これにＣＦ₄ガスを加えても良いし、
ＣＦ₄ガスにＨ₂ガスを加えて使用しても良好な結果が得
られる。また、本実施例では反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）を用いたが、本発明はこれに限定されず、ド
ライエッチングのうち異方性エッチングが可能な方法で
あればよく、例えばスパッタエッチング（ＳＥ）、反応
性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）、スパッタイオ
ンビームエッチング（ＳＩＢＥ）なども用いることがで
きる。

【００７４】次いで図２（７）に示すように、ガラスマ
スター１３上の残留フォトレジスト５をアセトンにより
溶解洗浄し、さらに酸素プラズマアッシングを行い残留
フォトレジスト５を除去した。次いで図２（８）に示す
ように、Ａｌ₂Ｏ₃膜２１を除去するために、無機アルカ
リ液（日本応化社製：ＮＭＤ−Ｗ）に９分３０秒間浸漬
することによって、ウェットエッチングを行った。その
後、図２（９）〜（１３）に示すように、実施例１と同
様にして、２Ｐマスター原盤８１及び２Ｐマザー原盤８
２を作製し、図２（１４）〜（１６）に示すように、金
属スタンパー７を作製した。

【００７５】この金属スタンパー７を用いて、２Ｐ法に
より比較例と同様にして、ランド部グルーブ部記録用基
板を作製した。これらの表面粗さを、比較例１と同様に
して測定した。本実施例において、ランド部の表面粗さ
Ｒａは、２Ｐマスター原盤＝０.４５６ｎｍ、２Ｐマザ
ー原盤＝０.４１２ｎｍ、スタンパー＝０.４９９ｎｍ、
基板単体＝０.５７４ｎｍであった。また、グルーブ部
での表面粗さＲａはｍ、２Ｐマスター原盤＝０.３９４
ｎｍ、２Ｐマザー原盤＝０.３９４ｎｍ、スタンパー＝
０.５２３ｎｍ、基板単体＝０.５６９ｎｍであった。

【００７６】さらに、その基板を用いて、比較例１と同
様にして光ディスク（光磁気記録媒体）を作製し、性能
を測定した。その結果、最も良い部分で、ランドでは
０.１ｖ／２.４ｖ＝４.２％となり、グルーブでは０.１
３ｖ／２.５ｖ＝５.２％となった。すなわち、実施例１
と同様に、信号再生時の信号ジッタを大幅に改善するこ
とができ、磁壁の移動もスムーズに移動できた。

【００７７】さらに、２Ｐマザー原盤８２よりスタンパ
ーを１０枚作製し、その後の２Ｐマザー原盤８１及びス
タンパー上の表面粗さを測定したところ、上記数値と変
わりなかった。また、２Ｐマスター原盤８１よりスタン
パーを直に１０枚作製し、その後、２Ｐマザー原盤８
２、スタンパーを作製したが、各々の原盤、スタンパー
の表面粗さに変化は無かった。

【００７８】＜実施例５＞実施例４と同様にしてスタン
パーの作製を行った。但し、２Ｐマスター原盤８１への
剥離層８３（Ｎｉ膜）の膜厚は１５ｎｍとした。このよ
うにして作製したスタンパー７から、２Ｐ法により直径
８６.０ｍｍのランド部グルーブ部記録用基板を作製し
た。これらの表面粗さを、比較例１と同様にして測定し
た。本実施例において、ランド部の表面粗さＲａは、２
Ｐマスター原盤＝０.４２６ｎｍ、２Ｐマザー原盤＝０.
４５０ｎｍ、スタンパー＝０.５０９ｎｍ、基板単体＝
０.５７４ｎｍであった。また、グルーブ部での表面粗
さＲａは、２Ｐマスター原盤＝０.４０８ｎｍ、２Ｐマ
ザー原盤＝０.５０４ｎｍ、スタンパー＝０.４５０ｎ
ｍ、基板単体＝０.４９９ｎｍであった。

【００７９】さらに、その基板を用いて、比較例１と同
様にして光ディスク（光磁気記録媒体）を作製し、性能
を測定した。その結果、最も良い部分で、ランドでは
０.１ｖ／２.４ｖ＝４.２％となり、グルーブでは０.１
３ｖ／２.５ｖ＝５.２％となった。すなわち、実施例１
と同様に、信号再生時の信号ジッタを大幅に改善するこ
とができ、磁壁の移動もスムーズに移動できた。

【００８０】さらに、２Ｐマザー原盤８２よりスタンパ
ーを１０枚作製し、その後の２Ｐマザー原盤８１及びス
タンパー上の表面粗さを測定したところ、上記数値と変
わりなかった。また、２Ｐマスター原盤８１よりスタン
パーを直に１０枚作製し、その後、２Ｐマザー原盤８
２、スタンパーを作製したが、各々の原盤、スタンパー
の表面粗さに変化は無かった。

【００８１】＜実施例６＞実施例４と同様にしてスタン
パーの作製を行った。但し、２Ｐマスター原盤８１への
剥離層８３（Ｎｉ膜）の膜厚は５ｎｍとした。このよう
にして作製したスタンパー７から、２Ｐ法により直径８
６.０ｍｍのランド部グルーブ部記録用基板を作製し
た。これらの表面粗さを、比較例１と同様にして測定し
た。本実施例において、ランド部の表面粗さＲａは、２
Ｐマスター原盤＝０.４９８ｎｍ、２Ｐマザー原盤＝０.
４９６ｎｍ、スタンパー＝０.５１９ｎｍ、基板単体＝
０.５３４ｎｍであった。また、グルーブ部での表面粗
さＲａは、２Ｐマスター原盤＝０.３８４ｎｍ、２Ｐマ
ザー原盤＝０.４５６ｎｍ、スタンパー＝０.５４５ｎ
ｍ、基板単体＝０.５７８ｎｍであった。

【００８２】さらに、その基板を用いて、比較例１と同
様にして光ディスク（光磁気記録媒体）を作製し、性能
を測定した。その結果、最も良い部分で、ランドでは
０.１ｖ／２.４ｖ＝４.２％となり、グルーブでは０.１
３ｖ／２.５ｖ＝５.２％となった。すなわち、実施例１
と同様に、信号再生時の信号ジッタを大幅に改善するこ
とができ、磁壁の移動もスムーズに移動できた。

【００８３】さらに、２Ｐマザー原盤８２よりスタンパ
ーを１０枚作製し、その後の２Ｐマザー原盤８１及びス
タンパー上の表面粗さを測定したところ、上記数値と変
わりなかった。また、２Ｐマスター原盤８１よりスタン
パーを直に１０枚作製し、その後、２Ｐマザー原盤８
２、スタンパーを作製したが、各々の原盤、スタンパー
の表面粗さに変化は無かった。

【００８４】以上の各実施例及び比較例の各スタンパ−
の表面粗さの評価結果を下記表１にまとめて示し、光デ
ィスクの信号品位の評価結果を図３にまとめて示す。

【００８５】

【表１】

【００８６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
スタンパー表面への酸化処理を必要とせず、表面粗さの
劣化を防止したスタンパーファミリーを作製でき、表面
粗さが変化（劣化）しないので信号品位の良好なスタン
パー（ファミリースタンパーを含む）を大量に複製でき
る光ディスク基板用スタンパーの製造方法、及び、その
スタンパーを用いて製造した光磁気記録媒体を提供でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光ディスク基板用スタンパーの製造方
法の一実施形態（及び実施例１〜３）を示す模式図であ
る。

【図２】本発明の光ディスク基板用スタンパーの製造方
法の一実施形態（及び実施例１〜３）を示す模式図であ
る。

【図３】実施例及び比較例の光ディスクの信号品位の評
価結果示す図である。

【図４】磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体及びその再
生方法における作用を説明するための模式図である。

【図５】光磁気記録媒体の層構成を例示する模式的断面
図である。

【図６】図５にて説明した構成の光磁気記録媒体をラン
ド部グルーブ部基板に成膜した様子を示す模式図であ
る。

【図７】従来の光ディスク基板用スタンパーの製造方法
を示す模式図である。

【図８】従来の光ディスク基板用スタンパーの製造方法
を示す模式図である。

【図９】従来の光ディスク基板用スタンパーの製造方法
を示す模式図である。

【図１０】従来のファミリースタンパーの製造方法にお
ける酸化処理法を示す模式図である。

【符号の説明】

１原盤ガラス２フォトレジスト３光ビーム４露光部分５未露光部分６Ｎｉ導電膜７スタンパー８ランド９グルーブ１０石英ガラス１３ガラスマスター１４反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）１５Ｎｉ電鋳層２１Ａｌ₂Ｏ₃膜２２ＳｉＯ₂膜７０重クロム酸溶液７１マスタースタンパー７２マザースタンパー７３サンスタンパー７４酸化膜８０２Ｐ樹脂８１２Ｐマスター原盤８２２Ｐマザー原盤８３剥離層１１１第１の磁性層１１２第２の磁性層１１３第３の磁性層１１４原子スピン１１５磁壁１１６読み出し用光スポット１１７磁壁の移動方向１１８基板の移動方向１１９誘電体層１２０第３の磁性層１２１第２の磁性層１２２第１の磁性層１２３誘電体層１２４透明基板１２５光ビーム入射方向

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 11/105 Ｇ１１Ｂ 11/105 ５１１Ｈ５１６５１６Ｋ５２１５２１Ｆ５４６５４６Ｄ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】フォトレジストが塗布された原盤ガラス
をパターン状に露光する工程と、前記フォトレジストの露光パターンを現像し、ガラスマ
スターを作製する工程と、前記ガラスマスターの表面に形成されたパターン形状
を、２Ｐ樹脂を用いて２Ｐマスター原盤へ転写させる工
程と、前記２Ｐマスター原盤の表面に転写されたパターン形状
を、２Ｐ樹脂を用いて２Ｐマザー原盤に反転させる工程
とを有する光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【請求項２】原盤ガラスとして石英ガラスを使用し、
フォトレジストが塗布された該原盤ガラスをパターン状
に露光する工程と、前記フォトレジストの露光パターンを現像し、さらに残
留したフォトレジストをマスクとして前記原盤ガラスに
反応性イオンエッチングを行うことで、ガラスマスター
を作製する工程とを有する請求項１記載の光ディスク基
板用スタンパーの製造方法。
【請求項３】原盤ガラスとして表面に薄膜を形成した
ものを使用し、該薄膜上にさらにフォトレジストが塗布
された原盤ガラスをパターン状に露光する工程と、前記フォトレジストの露光パターンを現像し、さらに残
留したフォトレジストをマスクとして前記薄膜に反応性
イオンエッチングを行うことで、ガラスマスターを作製
する工程とを有する請求項１記載の光ディスク基板用ス
タンパーの製造方法。
【請求項４】パターン形状が転写された２Ｐマスター
原盤に少なくとも１層以上の薄膜を形成し、その後前記
２Ｐマスター原盤のパターン形状を２Ｐマザー原盤に反
転させる請求項１〜３の何れか一項記載の光ディスク基
板用スタンパーの製造方法。
【請求項５】２Ｐマスター原盤に形成する薄膜の厚さ
が５ｎｍ〜１５ｎｍである請求項４記載の光ディスク基
板用スタンパーの製造方法。
【請求項６】光ディスク基板は、ランド部とグルーブ
部に記録可能な基板である請求項１〜５の何れか一項記
載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【請求項７】スタンパーのパターンの深さは８０ｎｍ
〜３００ｎｍである請求項１〜６の何れか一項記載の光
ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【請求項８】原盤ガラスに形成する薄膜は、該原盤ガ
ラスと材質が異なる１層又は２層以上の膜である請求項
３記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【請求項９】請求項１〜８の何れか一項記載の方法に
より製造されたスタンパーを用いて、ランド部グルーブ
部記録光ディスク基板を成形し、該ランド部グルーブ部
記録光ディスク基板の上に、少なくとも、第１、第２、
第３の磁性層を順次積層する工程を有し、第１の磁性層
は周囲温度近傍の温度において前記第３の磁性層に比べ
て相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度大きな垂直磁
化膜からなり、第２の磁性層は第１の磁性層及び第３の
磁性層よりもキュリー温度の低い磁性層からなり、第３
の磁性層は垂直磁化膜である光磁気記録媒体の製造方
法。
【請求項１０】光ディスク基板のガイド溝の深さは、
８０ｎｍ〜３００ｎｍである請求項９記載の光磁気記録
媒体の製造方法。
【請求項１１】光ディスク基板のガイド溝の深さは、
再生用ビームの波長をλ、基板屈折率をｎとして、λ／
３ｎ、２λ／３ｎ、５λ／６の何れかである請求項９記
載の光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】光ディスク基板のガイド溝の深さは、
第１、第２、第３の磁性層の合計膜厚よりも深い請求項
９記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】光ディスク基板のガイド溝の側壁によ
り、ランドトラックとグルーブトラックが磁気的に分断
されている請求項９記載の光磁気記録媒体の製造方法。