JP2007504591A - 情報記録媒体の製作用の記録マスター及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、情報記録媒体の製作用の記録マスター及び製造方法を提供する。
原板、原板上にコーティングされ、ビームが照射される部分で熱を吸収する熱吸収層、及び熱吸収層上にコーティングされた分離層を備え、ビームが照射される部分の温度分布によって、熱吸収層及び分離層のうち少なくとも一層に体積変形が発生することを特徴とする情報記録媒体の製作用の記録マスターである。これにより、変形層からスタンパーを容易に分離でき、表面粗度の低い記録マスターを提供でき、高密度の情報記録媒体を製造できる。

Description

本発明は、情報記録媒体の製作用の記録マスター及びその製造方法に係り、特に、薄膜間の化学的及び物理的反応により非常に小さいピットまたはグルーブを形成でき、分離層によりスタンパーを簡単に分離可能になった情報記録媒体の製作用の記録マスター及びその製造方法に関する。

一般的に、情報記録媒体は、非接触式で情報を記録／再生する光ピックアップ装置の情報記録媒体として広く採用され、情報記録媒体の一つである光ディスクは、情報記録容量によってＣＤ、ＤＶＤに区分される。そして、記録、消去及び再生が可能な光ディスクとしては、６５０ＭＢ ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、４．７ＧＢ ＤＶＤ＋ＲＷなどがある。さらに、記録容量が２０ＧＢ以上であるＨＤ−ＤＶＤも開発されている。

このように、情報記録媒体は、次第に記録容量が増加する方向に開発されている。記録容量を増加させる方法としては、代表的に記録光源の波長を短波長化し、対物レンズの開口数を高開口数化する方法がある。その他に、記録層を複数層で構成する方法がある。

一方、いかなる種類の情報記録媒体であっても、基板にピットまたはグルーブが形成される。記録容量を増加させる他の方法としては、ピットサイズを小さくするか、またはグルーブのトラックピッチを小さくする方法があり得る。

情報記録媒体の世代別容量、ピットサイズ及びトラックピッチを示せば、次の通りである。

表１に示したように、記録容量が増加するほど、記録ピットサイズ及びトラックピッチが小さくなり、ピットサイズ及びトラックピッチをさらに小さくするための技術が開発されている。ここで、ＢＤはブルーレイディスクを表す。

一方、図１は、従来の情報記録媒体の製造工程のブロック図である。情報記録媒体の製造工程は、マスタリングプロセスとディスク製作プロセスとに大別できる。マスタリングプロセスは、基板を射出するためのスタンパーを形成するためのプロセスであって、ガラス原板にフォトレジストをコーティングし（Ｓ１０）、レーザビームを記録せねばならないマークに対応する信号によってフォトレジスト上に照射して露光する（Ｓ１２）。次いで、フォトレジストがコーティングされた原板を現像して記録マスターを製作し（Ｓ１４）、ガラス原板上にＮｉスパッタリングにより電極層を形成した後（Ｓ１６）、メッキ処理する（Ｓ１８）。前記記録マスターには、ピット形態及びグルーブ形態が形成される。

次いで、前記メッキ層を記録マスターから分離してスタンパーを形成する（Ｓ２０）。このスタンパーには、前記記録マスターに形成されたピット形態及びグルーブ形態が反転されて表れる。

前記スタンパーを利用して基板を射出成形する（Ｓ２２）。そして、射出成形された基板上にスパッタリングにより記録膜を積層し（Ｓ２４）、記録膜上にカバー層を積層する（Ｓ２６）。このような過程を経てディスクが製作される（Ｓ２８）。

以上の製造工程のうち、ピットサイズ及びトラックピッチを決定する最も重要な因子のうち一つが、レーザビームの照射による記録過程（Ｓ１２）といえる。記録容量を増加させるために、ピットサイズやトラックピッチを減少させようとするとき、レーザビームのスポットサイズを小さくしなければならない。レーザ波長を減らし、開口数（ＮＡ）を増加させることによって、レーザビームのスポットサイズを小さくすることができる。

しかし、ＢＤ以後世代のディスクでは、記録容量の高密度化及び大容量化の達成のために、レーザとしては限界がある。したがって、レーザビームの代わりに短波長の電子ビームを使用する方式が新たに研究及び開発されている。このように記録容量の高密度化及び大容量化を満足させるための新たな試みが要請されている。

本発明の目的は、前記問題点を解決するためのものであって、レーザビームを短波長化する必要なしに簡単にピットサイズ及びグルーブのトラックピッチサイズを縮小させ、マスターからスタンパーのためのメッキ層を容易に分離できる分離層を備えて製造工程を単純化し、記録容量の高密度化及び大容量化が具現可能になった情報記録媒体の製作用の記録マスター及びその製造方法を提供することである。

前記目的を達成するために、本発明による情報記録媒体の製作用の記録マスターは、原板、前記原板上にコーティングされ、ビームが照射される部分で熱を吸収する熱吸収層、及び前記熱吸収層上にコーティングされた分離層を備え、前記ビームが照射される部分の温度分布によって、前記熱吸収層及び分離層のうち少なくとも一層に体積変形が発生することを特徴とする。

前記分離層は、フォトレジストで形成されることが望ましい。

前記熱吸収層は、合金層で形成されたことが望ましい。

前記合金層は、希土類金属及び転移金属を含んで構成されることを特徴とする。前記合金層は、ＴｂＦｅＣｏで形成されることが望ましい。

前記熱吸収層の上部及び下部のうち少なくとも一つに誘電体層を備えることが望ましい。前記熱吸収層は、誘電体及び合金からなる合金誘電体層で形成されることが望ましい。

前記熱吸収層の融点がＴ１であり、前記ビームが照射された部分が０．５Ｔ１以上の温度であるとき、前記熱吸収層及び分離層部分で体積変形が起きることを特徴とする。前記熱吸収層の融点がＴ１であり、前記分離層の融点がＴ２であり、前記ビームが照射された部分がＴ２以上であり、０．５Ｔ１以下の温度分布を有するとき、前記分離層部分で体積変形が起きてピットが形成されることを特徴とする。

前記分離層の融点がＴ２であり、分離層のガラス転移温度がＴ３であるとき、前記ビームが照射された部分がＴ３以上であり、Ｔ２以下の温度分布を有するとき、前記分離層部分で体積変形が起きてバンプが形成されることを特徴とする。

前記の目的を達成するために、本発明による方法は、情報記録媒体の製作用の記録マスターを製造する方法であって、原板上にビームが照射された部分で熱を吸収する熱吸収層をコーティングするステップ、前記熱吸収層上に分離層をコーティングするステップ、及び前記熱吸収層にレーザビームを照射してビームが照射される部分の温度分布によって、前記熱吸収層及び分離層のうち少なくとも一層に体積変形を起こすステップを含むことを特徴とする。

本発明による情報記録媒体の製作用の記録マスターによれば、所定の温度以上に加熱するときに体積が変形される熱吸収層及び分離層を備えてピットまたはバンプを形成することによって、ピット（または、バンプ）サイズやトラックピッチを縮小させることができる。これにより、対物レンズの高開口数化及びレーザビームの短波長化なしに情報記録媒体の高密度化及び大容量化を実現できる。

さらに、マスターからスタンパーの分離を容易にし、本発明による記録マスターを利用して表面粗度の低いスタンパーを提供できる。また、ビームが照射される部分の温度分布によって、熱吸収層または分離層での体積変形によりピットまたはバンプを選択的に形成できる。特に、分離層での体積変形によりピットまたはバンプを形成する場合には、ピットまたはバンプの深さを分離層の厚さに限定できるので、ピットやバンプの形状を制御しやすいという利点がある。

また、本発明による情報記録媒体の製作用の記録マスターの製造方法は、既存のマスタリング設備をそのまま利用して行われて低コストであり、同じ波長のレーザビームを利用してピットサイズまたはトラックピッチを非常に縮小させうる。また、熱吸収層からスタンパーを簡単に分離できて製造工程を単純化させうる。

以下、添付された図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。

図２に示すように、本発明による情報記録媒体の製作用の記録マスター５は、原板１０上にコーティングされた熱吸収層１５、及び熱吸収層１５上にコーティングされた分離層２０を備える。

熱吸収層１５は、ビームが照射されれば、熱を吸収してビームが照射された部分に体積変形を起こすか、または分離層２０に体積変形を起こす。すなわち、熱吸収層１５は、温度分布によって化学的及び物理的反応を起こして熱吸収層自体に体積変形を起こすか、または分離層２０のみを体積変形させる。

熱吸収層１５は、誘電体及び合金からなる合金誘電体層または合金層で形成できる。ここで、前記合金（または、合金層）は、希土類金属及び転移金属を含んで構成され、前記希土類金属はＴｂを含み、転移金属はＦｅ及びＣｏを含むことができる。

そして、熱吸収層１５の上部及び下部のうち少なくとも一つに誘電体層が備えられる。図２では、熱吸収層１５の上部及び下部に第１及び第２誘電体層１１，１３が備えられた場合を例示した。

第１及び第２誘電体層１１，１３は、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物を含んで構成されうる。望ましくは、熱吸収層１５は、ＴｂＦｅＣｏで形成され、第１及び第２誘電体層１１，１３は、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２で形成されうる。

分離層２０は、熱吸収層１５上に積層されるものであって、熱吸収層１５から後述するスタンパー（図８Ａの３０）を容易に分離可能にする。分離層２０は、例えばフォトレジストで形成されうる。また、分離層２０は、熱吸収層１５の体積変形により熱吸収層と共に体積変形されるか、分離層２０単独で体積変形されることもある。

図３に示すように、レーザビームＬは、ガウス分布を有するため、レーザビームの周辺部に比べて中心部の光度が相対的に強い。したがって、熱吸収層１５にレーザビームを照射すれば、レーザビームの中心部により照射される領域が周辺部により照射される領域に比べて温度が上昇する。レーザビームＬは、対物レンズＯＬを経由して熱吸収層１５に集束される。

記録マスター５が回転され、レーザビームＬが記録マスター５に対してオン−オフになりつつ照射される。このとき、記録マスターの線速度及びレーザビームのパワーによって、熱吸収層１５での被照射部分の温度分布Ｔが変わる。そして、この温度分布によって、熱吸収層１５及び分離層２０のうち少なくとも一つで体積変形が発生する。

熱吸収層１５の融点をＴ１とし、分離層２０の融点をＴ２とし、分離層２０のガラス転移温度をＴ３とするとき、Ｔ１付近の温度で加熱されれば、熱吸収層１５と誘電体層との反応により熱吸収層１５で体積変形が起き、これにより、第１及び第２誘電体層１１，１３と分離層２０まで変形が起きる。

変形が起きる記録条件を熱解析シミュレーションにより推定すれば、変形層による突出部の形成が可能な温度範囲は、０．５Ｔ１以上の温度分布を有するときである。

すなわち、所定の温度Ｔ１に近く加熱された熱吸収層１５部分Ｂで体積変形が起きて、図４に示したように突出部２５が形成される。この突出部２５がバンプまたはグルーブとなる。以下では、２５をバンプと指称する。

次いで、ビームが照射される部分の温度がＴ１より顕著に小さいときには、薄膜間の反応が発生できないため、図５に示したように、熱吸収層１５では体積変形が起きず、分離層２０でのみ体積変形が起きてピット２６が形成される。ここで、ビームが照射される部分の温度がＴ２以上であり、０．５Ｔ１以下の温度で加熱されたときには、ピット２６が形成される。

一方、ビームが照射される部分の温度がＴ３以上、Ｔ２以下であるときには、図６に示したように、分離層２０で体積変形が起きてバンプ２５’が形成される。このときにも、熱吸収層１５では体積変形が起きず、分離層２０でのみ体積変形が起き、図５ではピット２６が形成されるに対して、図６ではバンプ２５’が形成されるという点で区別される。このように分離層２０での体積変形によりピット２６またはバンプ２５’が形成される場合には、ピット２６またはバンプ２５’の高さまたは深さが分離層２０の厚さまで限定するため、ピットまたはバンプの高さまたは深さを別途に制御する必要がないという利点がある。

前述したように、ビームが照射される部分の温度によって、体積変形される層が変わり、体積変形される形態も変わる。

具体的に、原板上に１５ｎｍの厚さのＴｂＦｅＣｏで形成された熱吸収層、１５ｎｍの厚さの誘電体層、５０ｎｍの厚さのフォトレジストからなる分離層を順次に積層し、レーザビームを照射して情報を記録する。ここで、フォトレジストのガラス転移温度は１１０ないし１３０℃であり、フォトレジストの融点は２００ないし２２０℃であり、ＴｂＦｅＣｏ層の融点は約１４００℃である。

このとき、４０５ｎｍの波長、１０ＭＨｚのパルス、１３ｍＷの記録パワーを有するレーザビームを使用し、線速度６ｍ／ｓｅｃの記録条件を利用してデータを記録し、その結果として得た写真を図７Ａに示した。この写真によれば、分離層にピット２６が形成され、その深さはフォトレジストの厚さである３０ｎｍであった。また、このときに形成されたピットのサイズは、約１５０ｎｍである。このようなサイズは、既存のマスタリング方式としては製造が不可能なサイズである。前記のような条件でビームが照射された部分の温度は実際に測定し難いが、シミュレーションによる温度計算時に約４００℃に計算される。

次いで、線速度を６ｍ／ｓｅｃとし、記録パワーを１０ｍＷとしたとき、被照射部分の温度が約２００℃であり、このような温度分布では、図７Ｂに示したようにバンプ２５’型のグルーブが形成される。

図８Ａに示したように、分離層２０上に電極層２７を積層し、それを利用してメッキ層２８を形成する。次いで、図８Ｂに示したように、マスター５から電極層２７とメッキ層２８とを分離する。このように分離された電極層２７及びメッキ層２８がスタンパー３０となる。

このとき、メッキ層２８には影響を与えずに分離層２０のみを溶かすことができる溶液を利用して、スタンパー３０を容易に分離できる。例えば、分離層２０がフォトレジストで形成されているとき、このフォトレジストを溶かすことによって容易に分離可能である。

分離層２０からスタンパー３０を分離するとき、分離層が完全に除去されず、分離層の一部がマスター５の第２誘電体層１３側に残存してもよく、電極層２７側に残存してもよい。しかし、分離層２０がどちらに残存しても、フォトレジストは容易に除去可能であるため、製造工程上の大きい難しさはない。また、分離層２０が、例えば液状のフォトレジストで形成される場合、分離層２０の表面が非常に滑らかであり、この分離層２０の表面形状がそのままスタンパー３０に転写されるので、スタンパー３０の表面粗度が非常に低減するという利点がある。

図８Ａ及び図８Ｂでは、熱吸収層１５から体積変形が起きて形成されたピット２６を示したが、ピット２６やバンプ２５’が形成される場合にもスタンパーの製造方法は同一である。

以上のようにして、情報記録媒体の基板を射出成形するために必要なスタンパー３０が完成される。このスタンパーを利用して基板を射出成形すれば、スタンパーに形成されたピット、グルーブまたはバンプの形状が基板に転写される。この基板に記録膜及びカバー層を順次に積層して、情報記録媒体を形成する。

次いで、図２及び図９に示すように、本発明の望ましい情報記録媒体の製作用の記録マスターの製造方法は、原板１０上に熱吸収層１５をコーティングし（Ｓ２０）、熱吸収層１５上に分離層２０をコーティングする（Ｓ２２）。

熱吸収層１５は、所定の温度以上に加熱されれば、物理的及び化学的変化を起こす特性を有する。ビームが照射される部分の温度分布によって、熱吸収層１５及び分離層２０のうち少なくとも一層に体積変形が起きてピットまたはバンプが形成される。

ビームが照射される部分の温度は、レーザビームのパワーやマスターの線速度に依存する。

熱吸収層１５は、前述したように第１誘電体層１１、合金層１２及び第２誘電体層１３を備えて構成されるか、または合金誘電体層で構成されうる。

合金層１２は、希土類金属及び転移金属を含んで構成されることが望ましく、希土類金属はＴｂを含み、転移金属はＦｅ及びＣｏを含むことが望ましい。

熱吸収層１５にレーザビームを照射すれば（Ｓ２４）、レーザビームにより照射される部分のうち、所定の温度以上に加熱される部分が膨張してピット（または、グルーブ）またはバンプが形成される。ここで、レーザビームは、ガウス分布を有するため、所定の温度以上に加熱されて膨張する部分のサイズが最小化されうる。すなわち、同じ波長のレーザビーム及び同じ開口数の対物レンズを使用するとき、既存の製造方法に比べてレーザビームの有効スポットサイズを減らすことができる。ここで、有効スポットサイズとは、ピットを形成するために実質的に使われるスポットサイズを表す。

前記説明では、熱吸収層１５上に分離層２０をコーティングした後にレーザビームを照射したが、熱吸収層１５上に分離層２０を積層する前に、熱吸収層１５にレーザビームを照射してピットまたはグルーブを形成した後、その上に分離層２０をコーティングしてもよい。このような方法は、熱吸収層１５で体積変形が起きる場合に適用される。

次いで、分離層２０上にメッキのための電極層２７を形成し（Ｓ２６）、電極層２７を利用してメッキ層２８を形成する（Ｓ２８）。これにより、メッキ層２８に、熱吸収層１５及び分離層２０のうち少なくとも一層が体積変形されて形成されたバンプ（または、グルーブ）２５，２５’またはピット２６が転写される。

次いで、分離層２０を除去して、電極層２７及びメッキ層２８をマスター５から分離する。分離層２０をフォトレジストで形成する場合、マスター５から容易に除去可能である。これにより、基板を射出成形するためのスタンパー３０が得られる（Ｓ３０）。

分離層２０を除去したとき、第２誘電体層１３上にピット形態が残っているか否かによって、体積変形が熱吸収層１５から発生するか、または分離層２０から発生するかを確認できる。

一方、熱吸収層と分離層の厚さを変化させつつ、熱吸収層及び分離層の効果を実験した。ここで、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２からなる第１及び第２誘電体層１１，１３、ＴｂＦｅＣｏからなる合金層１２をガラス原板１０上にスパッタリングによりコーティングし、分離層２０は、ポジティブ型のフォトレジストをスピンコーティングにより形成する。そして、第１及び第２誘電体層１１，１３、合金層１２及び分離層２０の厚さを次のように変形させた。

前記のように準備された原板に青色レーザを照射し、線速度３ｍ／ｓｅｃで１５ＭＨｚのパルスを記録信号として入力した。レーザの照射による記録後、電極層をスパッタリングにより１００ｎｍほどの厚さに塗布し、メッキによりスタンパーを形成した。

メッキ後、スタンパーの分離如何（異形性）を確認し、スタンパーの製造後にピット深さを測定した。スタンパーの分離は、主に分離層と電極層との間で行われた。少量の分離層がスタンパー上に残存する場合には、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液で容易に除去できた。

表２のように、熱吸収層と分離層の厚さを変化させつつ形成されたピット深さ及び異形性についての実験結果を表３に示した。

表３の結果によれば、分離層がない場合（試片１）には、熱吸収層からスタンパーを分離することが不可能であり、したがって、分離層なしにはスタンパーを正常に製作できないということが分かる。一方、分離層がある場合には、分離層の厚さに関係なくスタンパーの分離が可能であるということが分かる。

このように熱吸収層上に簡単に分離層をコーティングすることによって、情報記録媒体の製作用のスタンパーを容易に製作できる。

従来の情報記録媒体の製造方法を説明するためのブロック図である。 本発明による情報記録媒体の製作用の記録マスターの層構造を示す図である。 本発明による情報記録媒体の製作用の記録マスターにレーザビームを照射する状態を示す図である。 本発明による情報記録媒体の製作用の記録マスターに採用された熱吸収層で体積変形が起きる状態を示す図である。 本発明による情報記録媒体の製作用の記録マスターに採用された分離層で体積変形が起きてピットが形成される状態を示す図である。 本発明による情報記録媒体の製作用の記録マスターに採用された分離層で体積変形が起きてバンプが形成される状態を示す図である。 本発明による情報記録媒体の製作用の記録マスターに採用された分離層で体積変形が起きてピットが形成された例を示す写真である。 本発明による情報記録媒体の製作用の記録マスターに採用された分離層で体積変形が起きてバンプ型のグルーブが形成された例を示す写真である。 本発明による情報記録媒体の製作用の記録マスター上にメッキ層が形成された状態を示す図である。 本発明による情報記録媒体の製作用の記録マスターからメッキ層が分離される状態を示す図である。 本発明による情報記録媒体の製作用の記録マスターのマスタリングプロセスを示すブロック図である。

Claims (23)

1. 原板と、
   前記原板上にコーティングされ、ビームが照射される部分で熱を吸収する熱吸収層と、
   前記熱吸収層上にコーティングされた分離層と、を備え、
   前記ビームが照射される部分の温度分布によって、前記熱吸収層及び分離層のうち少なくとも一層に体積変形が発生することを特徴とする情報記録媒体の製作用の記録マスター。
2. 前記分離層は、フォトレジストで形成されることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体の製作用の記録マスター。
3. 前記熱吸収層は、合金層で形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の情報記録媒体の製作用の記録マスター。
4. 前記合金層は、希土類金属及び転移金属を含んで構成されることを特徴とする請求項３に記載の情報記録媒体の製作用の記録マスター。
5. 前記合金層は、ＴｂＦｅＣｏで形成されることを特徴とする請求項４に記載の情報記録媒体の製作用の記録マスター。
6. 前記熱吸収層の上部及び下部のうち少なくとも一つに誘電体層を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の情報記録媒体の製作用の記録マスター。
7. 前記誘電体層は、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物を含んで構成されることを特徴とする請求項６に記載の情報記録媒体の製作用の記録マスター。
8. 前記熱吸収層は、誘電体及び合金からなる合金誘電体層で形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の情報記録媒体の製作用の記録マスター。
9. 前記熱吸収層の融点がＴ１であり、前記ビームが照射された部分が０．５Ｔ１以上の温度であるとき、前記熱吸収層及び分離層の部分で体積変形が起きることを特徴とする請求項１または２に記載の情報記録媒体の製作用の記録マスター。
10. 前記熱吸収層の融点がＴ１であり、前記分離層の融点がＴ２であり、前記ビームが照射された部分がＴ２以上であり、０．５Ｔ１以下の温度分布を有するとき、前記分離層部分で体積変形が起きてピットが形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の情報記録媒体の製作用の記録マスター。
11. 前記分離層の融点がＴ２であり、分離層のガラス転移温度がＴ３であるとき、前記ビームが照射された部分がＴ３以上であり、Ｔ２以下の温度分布を有するとき、前記分離層部分で体積変形が起きてバンプが形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の情報記録媒体の製作用の記録マスター。
12. 情報記録媒体の製作用の記録マスターを製造する方法であって、
    原板上にビームが照射された部分で熱を吸収する熱吸収層をコーティングするステップと、
    前記熱吸収層上に分離層をコーティングするステップと、
    前記熱吸収層にレーザビームを照射してビームが照射される部分の温度分布によって、前記熱吸収層及び分離層のうち少なくとも一層に体積変形を起こすステップとを含むことを特徴とする方法。
13. 前記分離層は、フォトレジストで形成されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
14. 前記熱吸収層は、合金層で形成されることを特徴とする請求項１２または１３に記載の方法。
15. 前記合金層は、希土類金属及び転移金属を含んで構成されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
16. 前記合金層は、ＴｂＦｅＣｏで形成されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
17. 前記熱吸収層の上部及び下部のうち少なくとも一つに誘電体層を備えることを特徴とする請求項１２または１３に記載の方法。
18. 前記誘電体層は、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物を含んで構成されることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
19. 前記熱吸収層は、誘電体及び合金からなる合金誘電体層で形成されることを特徴とする請求項１２または１３に記載の方法。
20. 前記熱吸収層の融点がＴ１であり、前記ビームが照射された部分が０．５Ｔ１以上の温度であるとき、前記熱吸収層及び分離層部分で体積変形が起きることを特徴とする請求項１２または１３に記載の方法。
21. 前記熱吸収層の融点がＴ１であり、前記分離層の融点がＴ２であり、前記ビームが照射された部分がＴ２以上であり、０．５Ｔ１以下の温度分布を有するとき、前記分離層部分で体積変形が起きてピットが形成されることを特徴とする請求項１２または１３に記載の方法。
22. 前記分離層の融点がＴ２であり、分離層のガラス転移温度がＴ３であるとき、前記ビームが照射された部分がＴ３以上であり、Ｔ２以下の温度分布を有するとき、前記分離層部分で体積変形が起きてバンプが形成されることを特徴とする請求項１２または１３に記載の方法。
23. ビームが照射される部分の温度は、ビームのパワー及びマスターの線速度に依存することを特徴とする請求項１２または１３に記載の方法。

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