JP2002245687A - 光ディスク原盤の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電鋳時にパタンの剥離を起こさない安定した
高分子材料層の形成を可能にする熱処理の方法を採用し
た光ディスク原盤の製造方法を提供する。 【構成】 ガラス基板１上にフォトレジストと混合しな
い親水性の高分子材料層２を形成する工程、１００〜１
２０℃で熱処理を行い、その後１６０〜２４０℃で熱処
理を行う工程、フォトレジスト層３を形成する工程、フ
ォトレジスト層３をレーザビーム４で露光しパタンを形
成する工程、該パタンをマスクとして紫外線（ＵＶ光）
７を照射し高分子材料層２にパタンを形成する工程、マ
スクとしたフォトレジスト層３を剥離する工程、パタン
表面に電鋳し、ガラス基板１を剥離しスタンパ９を得る
工程からなる光ディスク原盤の製造方法である。フォト
レジスト層を剥離後の高温の熱処理を省略することが可
能で、フォトレジスト層３上のピットや案内溝のパタン
形状を損なうことがない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクなどの
製造に用いられる光ディスク原盤の製造方法に関し、さ
らに詳しくは、基板上に高分子材料層を形成した後、熱
処理を行うことによって、後続する工程時に高分子材料
層の剥離を起こすことのない光ディスク原盤の製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光ディスク原盤の製造工程では、
まず精密に研磨、洗浄されたガラス基板にフォトレジス
トを均一に塗布し、フォトレジストが塗布されたガラス
基板を所定のフォーマットに従って光変調されたレーザ
集光ビームで露光し、プリピットや案内溝などの潜像を
フォトレジスト上に形成する。この露光され潜像が形成
された原盤を現像処理、洗浄処理することによりガラス
基板表面にフォトレジストの凸凹を形成する。それをも
とに、表面に導電性金属をスパッタ処理し、メッキ作業
を行ってスタンパを作成する。このスタンパがディスク
基板のレプリカ用の型となる。

【０００３】ところが近年の情報記録媒体の大容量化と
いう要求に対応するため、露光によって形成される案内
溝やプリピットのスケールを小さくしていく必要が生じ
てくる。記録容量の増加のためには、トラックピッチを
狭める必要があり、それに対応した細い案内溝、小さな
プリピットが要求される。そこで細い案内溝、小さなプ
リピットを作製するには露光集光ビーム径を細くする
か、又は露光集光ビーム径以下のパタンを作製する技術
が必要になる。

【０００４】このような要求に対するものとして、露光
ビームスポット径以下の案内溝やプリピットを形成する
方法の１つとして、フォトレジスト層の上に光退色性層
を形成し、フォトクロミック効果によりフォトレジスト
層を露光する集光ビームのスポット径を小さくする方法
が提案されている（特開平７−２８７８７４号公報）。

【０００５】また、他の方法として、現像によって形成
されるフォトレジストのパタンをマスクとして、その下
にある材質などをエッチングする方法が提案されている
（特開平９−１０６５８４号公報）。この方法による
と、上層フォトレジストパタンの底幅部分をエッチング
することになるため、フォトレジストに形成されたパタ
ン以下のサイズの案内溝やプリピットを形成することが
できる。具体的には、基板上に下層／中間層／上層フォ
トレジストの３層構成にして、上層フォトレジストを現
像、中間層をエッチングしたものをマスクとして、下層
をドライエッチングし、上層、中間層を剥離することに
より下層にパタンを形成する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】光退色性層をフォトレ
ジスト層上に形成させる従来例によると、フォトレジス
ト層面でのビームスポット径を約半分にすることができ
る。しかし、フォトレジスト層に到達する光量が大幅に
減少してしまうという問題がある。このため、光量不足
の問題が生じ、それを補うためには高出力パワーのレー
ザが必要になってしまう。また、下層／中間層／上層フ
ォトレジストの構成として中間層、下層をドライエッチ
ングすることによってパタンを得る従来例によると、中
間層を形成する工程、プラズマエッチングする工程が加
わるため、工程内で発生する欠陥などの数が増加し、歩
留まりを下げることになる。また、装置としても大掛か
りなものが必要となる。

【０００７】その点、下層に水溶性高分子材料を用いた
薄膜を、上層のフォトレジスト層をマスクとしてＵＶ照
射によりエッチングする方法は簡易であり、実施が容易
である。ただし、電鋳工程時にパタンが剥離しないよう
にするため、パタン形成後に密着性、耐水性を付与させ
る工程が必要になり、この密着性、耐水性を付与する方
法として高温での熱処理が行われる。しかし、この熱処
理の工程は、形成されたパタンの形状を損なう原因とな
る。すなわち、図３は、従来の光ディスク原盤の製造方
法における、高温での熱処理の影響を説明するための図
であるが、この熱処理の工程は、図３（Ａ）に示すよう
な熱処理前のパタン形状２３に対して、図３（Ｂ）に示
す熱処理後のパタン形状２４のようにパタン形状にだれ
が生じてしまう。（なお、２１はガラス基板、２２は高
分子材料層である。）そのため、このような製造方法に
おいては、高分子材料層２２を塗布した後に高分子材料
層２２の密着性、耐水性を大きくするような熱処理をす
る必要があるが、この高温での熱処理の方法によって
は、フォトレジストの現像時や電鋳時に高分子材料層の
剥離、溶解が起こる可能性があるという問題がある。

【０００８】本発明は、前記従来技術が有する問題点に
鑑みてなされたもので、その目的は次の通りである。請
求項１、２、３の発明は、電鋳時にパタンの剥離を起こ
さない安定した高分子材料層の形成を可能にする熱処理
の方法を採用した光ディスク原盤の製造方法を提供する
ことを目的とする。請求項４、５の発明は、電鋳時にパ
タンの剥離を起こさない安定した高分子材料層の形成を
可能にする基板の構成を採用した光ディスク原盤の製造
方法を提供することでを目的とする。請求項６の発明
は、電鋳時にパタンの溶解を起こさない安定した高分子
材料層の形成を可能にする光ディスク原盤の製造方法を
提供することを目的とする。請求項７の発明は、水溶性
高分子材料に混合させて高分子材料層の耐水性を上げる
のに適切な材料を採用した光ディスク原盤の製造方法を
提供することを目的とする。請求項８の発明は、高分子
材料層の形成に適切な水溶性高分子材料を採用した光デ
ィスク原盤の製造方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するためのもので、その第１の技術手段は、基板上に
フォトレジストと混合しない親水性高分子材料からなる
高分子材料層を形成する工程と、該高分子材料層上に前
記フォトレジストからなるフォトレジスト層を形成する
工程と、該フォトレジスト層をレーザビームを集光した
第１の光で露光し、潜像を形成する工程と、前記露光し
たフォトレジスト層を現像、純水洗浄し、前記露光によ
るパタンを形成する工程と、該パタンをマスクとして前
記レジストマスク層側より波長３２０ｎｍ以下の第２の
光を照射し、前記高分子材料層にパタンを形成する工程
と、前記マスクとしたフォトレジスト層を剥離する工程
と、前記高分子材料層に形成したパタン表面に導電皮膜
を形成し、電鋳する工程と、前記基板を剥離しスタンパ
を得る工程とを備えた光ディスク原盤の製造方法におい
て、前記高分子材料層を形成する工程の後に、１００〜
１２０℃で熱処理を行う工程と、その後１６０〜２４０
℃で熱処理を行う工程を備え、前記フォトレジスト層を
剥離後の熱処理を省略することを特徴とする。高分子材
料層の上層となるフォトレジスト層が通常のフォトレジ
スト層である場合は、フォトレジストの感光剤の作用を
保持するために、露光前には高温での熱処理をすること
ができず、パタン形成後に密着性を高めるために高温で
の熱処理を行う。しかし、第１の技術手段の光ディスク
原盤の製造方法では、高分子材料層に前記の感光作用を
持たせる必要がないため、高分子材料層塗布後にあらか
じめ高温での熱処理を施すことができる。それによりパ
タン形成後の熱処理の工程ををなくすことができるた
め、パタン形状のエッジだれを防止することができる。
その熱処理を行う際に、高分子材料層に多くの水分を含
んだ状態で温度上昇を行うと、急激な熱収縮により電鋳
工程での高分子材料層の剥離が起こりやすくなる。その
ため、高分子材料層が急激な熱収縮を起こさない温度域
の１００〜１２０℃で熱処理して水分を十分に蒸発させ
た後に、高分子材料層に耐水性を持たせる１６０〜２４
０℃での熱処理を行うことにより、後の工程での高分子
材料層の剥離を防止することができる。

【００１０】第２の技術手段は、基板上にフォトレジス
トと混合しない親水性高分子材料からなる高分子材料層
を形成する工程と、該高分子材料層上に前記フォトレジ
ストからなるフォトレジスト層を形成する工程と、該フ
ォトレジスト層をレーザビームを集光した第１の光で露
光し、潜像を形成する工程と、前記露光したフォトレジ
スト層を現像、純水洗浄し、前記露光によるパタンを形
成する工程と、該パタンをマスクとして前記フォトレジ
スト層側より波長３２０ｎｍ以下の第２の光を照射し、
前記高分子材料層にパタンを形成する工程と、前記マス
クとしたフォトレジスト層を剥離する工程と、前記高分
子材料層に形成したパタン表面に導電皮膜を形成し、電
鋳する工程と、前記基板を剥離しスタンパを得る工程と
を備えた光ディスク原盤の製造方法において、前記高分
子材料層を形成する工程の後に、１時間以上常温で放置
する工程と、その後１６０〜２４０℃で熱処理を行う工
程を備え、前記フォトレジスト層を剥離後の熱処理を省
略することを特徴とする。第２の技術手段では、第１の
技術手段が高分子材料層形成後に１００〜１２０℃で熱
処理を行う代わりに、下層である高分子材料層形成後に
１時間以上常温で放置し、その後１６０〜２４０℃での
熱処理を行い、上層であるフォトレジスト層剥離後の熱
処理を省くことを特徴としている。常温で放置すること
によって塗布後に高分子材料層に含まれる水分を蒸発さ
せ、その時間を１時間以上とすることにより後の工程で
の高分子材料層の剥離という不具合を防止することがで
きる。

【００１１】第３の技術手段は、基板上にフォトレジス
トと混合しない親水性高分子材料からなる高分子材料層
を形成する工程と、該高分子材料層上に前記フォトレジ
ストからなるフォトレジスト層を形成する工程と、該フ
ォトレジスト層をレーザビームを集光した第１の光で露
光し、潜像を形成する工程と、前記露光したフォトレジ
スト層を現像、純水洗浄し、前記露光によるパタンを形
成する工程と、該パタンをマスクとして前記フォトレジ
スト層側より波長３２０ｎｍ以下の第２の光を照射し、
前記高分子材料層にパタンを形成する工程と、前記マス
クとしたフォトレジスト層を剥離する工程と、前記高分
子材料層に形成されたパタン表面に導電皮膜を形成し、
電鋳する工程と、前記基板を剥離しスタンパを得る工程
とを備えた光ディスク原盤の製造方法において、前記高
分子材料層を形成する工程の後に、最終的に１６０〜２
４０℃になるように常温より温度上昇させて熱処理を行
い、各温度域における温度上昇の勾配を１０℃／ｍｉｎ
以下とする工程を備え、前記フォトレジスト層剥離後の
熱処理を省略することを特徴とする。第３の技術手段
は、第１の技術手段において高分子材料層形成後に１０
０〜１２０℃で熱処理を行い、その後１６０〜２４０℃
で熱処理を行う代わりに、高分子材料層形成後に最終的
に１６０〜２４０℃になるように常温より温度上昇させ
て熱処理を行い、各温度域における温度上昇の勾配を１
０℃／ｍｉｎ以下とし、フォトレジスト層剥離後の熱処
理を省くことを特徴としている。これにより、高分子材
料層に含まれる水分を徐々に蒸発させることが可能にな
るため、高分子材料層に多くの水分を含んだ状態で高温
での熱処理を行うことにより、後の工程で熱収縮により
高分子材料層の剥離が起こりやすくなるという不具合を
防止することができる。

【００１２】第４の技術手段は、第３の技術手段の光デ
ィスク原盤の製造方法において、前記基板と前記高分子
材料層の間に熱伝導率がガラスの１０倍以上である材質
からなる薄膜を形成することを特徴とする。第４の技術
手段は、第３の技術手段において、ガラス基板と高分子
材料層の間に熱伝導率がガラスの１０倍以上である材質
で構成される薄膜を形成させることを特徴としている。
これにより、徐々に温度を上げて熱処理を行うという条
件下においては、熱伝導率が高い材質との界面側から先
に高分子材料層の熱処理が行えるため、基板との密着力
をより高めることができ、後の工程で高分子材料層の剥
離が起こりやすくなるという不具合を防止することがで
きる。

【００１３】第５の技術手段は、第３の技術手段の光デ
ィスク原盤の製造方法において、前記基板は熱伝導率が
ガラスの１０倍以上である材質からなることを特徴とす
る。第５の技術手段は、第３の技術手段において、ガラ
ス基板の代わりに、熱伝導率がガラスの１０倍以上であ
る材質の基板を用いることを特徴としている。これによ
り第４の技術手段と同様、徐々に温度を上げて熱処理を
行うという条件下においては、熱伝導率の高い材質との
界面側から先に高分子材料層の熱処理が行えるため、基
板との密着力をより高めることができ、後の工程で高分
子材料層の剥離が起こりやすくなるという不具合を防止
することができる。

【００１４】第６の技術手段は、第１〜５の技術手段の
光ディスク原盤の製造方法において、前記高分子材料層
は親水性高分子材料に耐水化剤を混合して形成すること
を特徴とする。第６の技術手段は、第１〜５の技術手段
において、熱処理することによって得られる耐水性をよ
り効果的に行いたい場合に有効である。

【００１５】第７の技術手段は、第６の技術手段の光デ
ィスク原盤の製造方法おいて、前記耐水化剤は、グリオ
キザール、Ｎ−メチロール尿素、Ｎ−メチロールメラミ
ン、Ｎ−メチロールアクリルアミド、ベンズアルデヒ
ド、アセトアルデヒド、ホルマリン、水溶性エポキシ樹
脂、水溶性イソシアネート、ほう酸、ほう砂、チタン化
合物、銅化合物、ジルコニア化合物、アルミニウム化合
物から選ばれたものを用いることを特徴とする。第７の
技術手段は、高分子材料層に適切な耐水性を付与するこ
とが可能になる。

【００１６】第８の技術手段は、第１〜７の技術手段の
光ディスク原盤の製造方法において、前記水溶性高分子
材料は、ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコ
ール、ポリビニルピロリドン、メチルセルロース、カル
ボキシメチルセルロース、ヒドロキシメチルセルロー
ス、ヒドロキシエチルセルロース、ポリエチレンオキサ
イド、ゼラチンから選ばれたものを用いることを特徴と
する。第８の技術手段は、工程内での溶解、剥離などの
不具合を起こすことのない高分子材料層を形成すること
が可能になる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
に示す本発明の実施例に基づいて説明する。図１は、本
発明の実施例による光ディスク原盤の製造方法の一連の
工程を示す流れ図である。光ディスク原盤の製造は、ま
ず表面が精密に研磨されたガラス基板１を用意し、ガラ
ス基板表面の洗浄を行う。洗浄されたガラス基板１をス
ピンコータにのせ、スピンコート法により下層となる高
分子材料層２の塗布を行う（図１（Ａ））。ここでは高
分子材料層２の膜厚は約５０ｎｍとした。高分子材料層
２の材料としては、その上面に塗布するフォトレジスト
層３をスピンコートによって成膜した時、上下層で混合
しない水溶性高分子材料を用いる。その材料としては、
ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコール、ポ
リビニルピロリドン、メチルセルロース、カルボキシメ
チルセルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロ
キシエチルセルロース、ポリエチレンオキサイド、ゼラ
チンなどを用いることが好ましい。本実施例では、ポリ
ビニルアルコールを用いた。

【００１８】また、下層の高分子材料層２に耐水化剤を
水溶性高分子材料に混合して、高分子材料層２の耐水性
をさらに上げることもできる。ここでは、耐水化剤を混
合することによって後の工程で所望の効果を害しないこ
とが必要であり、この点から耐水化剤として、グリオキ
ザール、Ｎ−メチロール尿素、Ｎ−メチロールメラミ
ン、Ｎ−メチロールアクリルアミド、ベンズアルデヒ
ド、アセトアルデヒド、ホルマリン、水溶性エポキシ樹
脂、水溶性イソシアネート、ほう酸、ほう砂、チタン化
合物、銅化合物、ジルコニア化合物、アルミニウム化合
物などを用いることが望ましい。

【００１９】高分子材料層２を塗布後、オーブンで熱処
理を行う。ここでの熱処理は、高分子材料層２に使用し
た水溶性高分子の材料、後続するガラス基板１に施され
る工程を考慮して決定される。つまり、ここで後述する
レジストマスク剥離やＮｉ電鋳の工程で、高分子材料層
２に形成されるパタンの溶解や剥離などの不具合を起こ
さないように、熱処理の条件の設定を行う。一般的に、
パタンを形成するフォトレジスト層では、感光材の感度
を保てる範囲で熱処理を行う必要があるが、本発明にお
けるパタン形成層は後続するＵＶ照射によって、エッチ
ングすることができる条件を満たすように熱処理を行う
ことができる。

【００２０】ここで、熱処理を行う方法であるが、高分
子材料層２を所定の温度で熱処理をする前に、１００〜
１２０℃であらかじめ熱処理を行っておく。１００〜１
２０℃というのは、高分子材料層が急激な熱収縮を起こ
さない温度域であるため後工程での剥離が起こりにく
く、かつ高分子材料層中の水分の蒸発が効果的に行われ
るため設定された温度である。ここでの熱処理は約１５
分間行った。

【００２１】また、この熱処理の代わりに常温で放置さ
せておくことも可能である。この場合、１時間以上の放
置を行うことによって、後続する工程での高分子材料層
の剥離が起こりにくいことが実験で確かめられた。

【００２２】また、熱処理の温度を徐々に上げていき、
最終的に所望の熱処理温度にする方法も同様の理由から
効果的である。ただし、この時の温度上昇の勾配は１０
℃／ｍｉｎ以下とすることにより徐々に高分子材料層の
水分蒸発を行うことができ、電鋳工程などの後工程での
剥離が起きにくくなることが確かめられた。

【００２３】また、熱処理温度を徐々に上げていくとい
う条件下では、ガラス基板１と高分子材料層２の間に熱
伝導性のよい材質からなる薄膜を形成すること、または
ガラス基板１を熱伝導性のよい材質にすることも有効で
ある。これは、熱伝導性のよい材質は設定温度に早く近
づき、ガラス基板１との界面から高分子材料層２の熱処
理を行うことができるため、ガラス基板１との密着力を
より高めることができる。ソーダガラスの熱伝導率は
０.５５〜０.７５Ｗ／（ｍ・Ｋ）であるが、ここに用い
る材質としてはガラスの１０倍以上の熱伝導率をもつ材
質であれば十分効果的であることが確かめられた。ここ
で熱伝導率の高い材質の例としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ
などが３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であり特に熱伝導率が
高いが、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎなど一般的な金属であ
れば十分に所望の特性は得ることができる。

【００２４】下層の高分子材料層２に多くの水分を残し
たまま急激な加熱を行うと、熱収縮などによる電鋳工程
での高分子材料層２の剥離が発生することがあるが、こ
のような処理によってそのような不具合を防止すること
が可能になる。

【００２５】次に、熱処理を行ったガラス基板１を室温
まで冷却し、フォトレジストを下層の高分子材料層２の
上にスピンコートし、フォトレジスト層３を形成する
（図１（Ｂ））。フォトレジスト材料はｉ線系フォトレ
ジストを用い、膜厚は約２００ｎｍとした。その後、オ
ーブンで約３０分１００℃で熱処理を行い、その後室温
まで冷却する。

【００２６】このようにして作製された光ディスク原盤
を原盤露光機のターンテーブルにのせ、波長４００〜４
２０ｎｍのガスレーザビーム４を原盤上に対物レンズ５
で集光させて原盤露光を行う（図１（Ｃ））。露光は約
７ｍ／ｓで線速度一定となるよう、ターンテーブルの回
転数が制御され、スパイラル状に所定フォーマットに従
って露光を行う。そのようにしてフォトレジスト層３上
に潜像６を作った後、スピナーによって低速回転で現
像、純水リンスを行い、高速回転で乾燥させる（図１
（Ｄ））。

【００２７】図２は、フォトレジストを露光し、現像す
ることによって通常得られるピットまたは案内溝を示す
断面図である。通常フォトレジスト１２を露光し、現像
を行うと、図２に示すように、基板１１上に形成したフ
ォトレジスト層１２の底面の幅１４に対して、フォトレ
ジスト層１２の表面部の幅１３が広がった形状となる。
これは、レーザ集光ビームの強度がガウス分布をしてい
るためであり、光の強度分布の裾部分の露光による影響
がフォトレジスト上のピットもしくは案内溝の開口幅１
３を広げることになる。本発明では、図２のように形成
されたフォトレジスト層の形状をマスクとして下層のエ
ッチングを行うため、下層には、上層フォトレジスト層
１２の底幅１４を開口としたプリピットまたは案内溝を
形成することができる。つまり、照射する露光パワーを
調整することにより上層フォトレジスト層１２の底幅１
４を変えることができ、それによって下層に形成される
プリピットまたは案内溝の形状を決定することができ
る。さらに、第２の光は上層のマスクによって遮断され
ているため、断面が急峻なピット、案内溝の形成が可能
である。

【００２８】このようにして、図１においてフォトレジ
スト層３に所定のパタンを形成した後、フォトレジスト
側から第２の光７の照射を行う（図１（Ｅ））。ここで
第２の光の波長を３２０ｎｍ以下とした。これによっ
て、第２の光７により下層の高分子材料層２の有機物を
形成している結合を切断することが可能である。例え
ば、Ｃ−Ｃ結合は結合エネルギーが３４７.７ｋＪ／ｍ
ｏｌであるため、３２０ｎｍ以下の波長であれば３７０
ｋＪ／ｍｏｌ以上の光子のエネルギーとなるため、この
結合解離には十分である。本実施例では、第２の光７と
しては低圧水銀ランプを光源としてガラス基板１表面全
体を照射する方法をとった。ここでの光源としては重水
素ランプ、ハロゲンキセノン高圧ランプなどの３００ｎ
ｍ以下に光源を持つものであれば可能であり、またエキ
シマレーザなどを用いることもパワーの面からも効果的
である。照射後には純水により基板表面の洗浄を行っ
た。

【００２９】このようにして、高分子材料層２のエッチ
ングを行った後、フォトレジスト層３の剥離を行う（図
１（Ｆ））。これは、ガラス基板１全体を上層のフォト
レジスト層３を溶解可能な有機溶媒で満たされた槽に入
れて行った。剥離に使用する溶液は、乳酸エチル、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ブチルなど
を用いるとよい。フォトレジスト層３を剥離する溶剤に
対して求められる性質は、上層のフォトレジストを剥離
することが可能であり、かつ高分子材料層２に影響を与
えず、エッチングによって形成されたパタンをそのまま
残すことである。フォトレジストの剥離は一般的な有機
溶媒、レジスト剥離液によって可能であるが、高分子材
料層２のパタンのサイドエッチなどが少ないという点で
は、上記の溶剤がフォトレジスト層除去溶剤として適し
ている。

【００３０】通常はレジストマスク層３を剥離した後
に、この後の工程の電鋳時に高分子材料層２が剥離又は
溶解を起こさないようにするための熱処理を行うが、本
発明ではこの処理をはじめの工程の高分子材料層２塗布
後に既に行ってしまっているため、省略することができ
る。そのため、パタン形成後に行われる熱処理では、図
３に示すようにパタン形状のエッジのだれが生じやすい
という問題点があるが、本発明によれば、それをなくす
ことが可能になる。

【００３１】このようにしてガラス基板１上に形成され
たパタンに対して、表面にＮｉ膜を約５０ｎｍスパッタ
リングにより成膜し、図示しない導電膜を形成する。そ
の後、このＮｉ薄膜を電極としてさらにＮｉによって厚
さ約３００μｍになるまでＮｉ電鋳を行い（図１
（Ｇ））、Ｎｉ板８を形成する。その後、Ｎｉ板８から
ガラス基板１を剥離する。剥離後、Ｎｉ板８に残留した
ポリビニルアルコールは純水によって洗浄除去する。こ
の時、純水の温度を常温以上にすると残留したポリビニ
ルアルコールの溶解度が上がり、除去しやすくなる。そ
の後、裏面研磨、内外径加工を行って、光ディスク基盤
を作成する型となるスタンパ９のマスターが完成する
（図１（Ｈ））。

【００３２】

【発明の効果】本発明によれば、次のような効果が得ら
れる。請求項１、２、３の発明によると、下層の高分子
材料層に多くの水分を含んだ状態での熱処理を行わない
ようにしているため、熱収縮による後続する工程におけ
る高分子材料層の剥離を防止することができる。請求項
４、５の発明によると、高分子材料層の熱処理を基板側
から行うことができるため、基板との密着力をより高め
る効果があり、後続する工程における高分子材料層の剥
離を防止することができる。請求項６の発明によると、
親水性高分子材料に耐水化剤を混合したものを高分子材
料層の材料として用いるため、高分子材料層の耐水性を
効率的に上げることができる。請求項７の発明による
と、高分子材料層の所望の効果を害すことなく耐水性を
効率的に上げることができる。請求項８の発明による
と、一連の工程内での剥離、溶解などの不具合を生じる
ことなく、適切な高分子材料層の形成が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の光ディスク原盤の製造方法における
一連の工程を示す流れ図である。

【図２】 フォトレジストを露光し、現像することによ
って得られる通常のピットまたは案内溝を示す断面図で
ある。

【図３】 パタン形成後に熱処理を行った時、ピットま
たは案内溝に起こる形状変化を示す断面図である。

【符号の説明】

１…ガラス基板、２…高分子材料層、３…フォトレジス
ト層、４…ガスレーザビーム、５…対物レンズ、６…ガ
スレーザビームによるパタンの潜像、７…ＵＶ光（紫外
線）、８…Ｎｉ板、９…スタンパ、１１…ガラス基板、
１２…フォトレジスト層、１３…フォトレジスト開口
幅、１４…フォトレジスト底幅、２１…ガラス基板、２
２…高分子材料層（パタン形成後）、２３…パタン形成
後に熱処理なしの場合の形状、２４…パタン形成後に熱
処理をした場合の形状。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上にフォトレジストと混合しない親
   水性高分子材料からなる高分子材料層を形成する工程
   と、該高分子材料層上に前記フォトレジストからなるフ
   ォトレジスト層を形成する工程と、該フォトレジスト層
   をレーザビームを集光した第１の光で露光し、潜像を形
   成する工程と、前記露光したフォトレジスト層を現像、
   純水洗浄し、前記露光によるパタンを形成する工程と、
   該パタンをマスクとして前記フォトレジスト層側より波
   長３２０ｎｍ以下の第２の光を照射し、前記高分子材料
   層にパタンを形成する工程と、前記マスクとしたフォト
   レジスト層を剥離する工程と、前記高分子材料層に形成
   したパタン表面に導電皮膜を形成し、電鋳する工程と、
   前記基板を剥離しスタンパを得る工程とを備えた光ディ
   スク原盤の製造方法において、 前記高分子材料層を形成する工程の後に、１００〜１２
   ０℃で熱処理を行う工程と、その後１６０〜２４０℃で
   熱処理を行う工程を備え、前記フォトレジスト層を剥離
   後の熱処理を省略することを特徴とする光ディスク原盤
   の製造方法。
2. 【請求項２】 基板上にフォトレジストと混合しない親
   水性高分子材料からなる高分子材料層を形成する工程
   と、該高分子材料層上に前記フォトレジストからなるフ
   ォトレジスト層を形成する工程と、該フォトレジスト層
   をレーザビームを集光した第１の光で露光し、潜像を形
   成する工程と、前記露光したフォトレジスト層を現像、
   純水洗浄し、前記露光によるパタンを形成する工程と、
   該パタンをマスクとして前記フォトレジスト層側より波
   長３２０ｎｍ以下の第２の光を照射し、前記高分子材料
   層にパタンを形成する工程と、前記マスクとしたフォト
   レジスト層を剥離する工程と、前記高分子材料層に形成
   したパタン表面に導電皮膜を形成し、電鋳する工程と、
   前記基板を剥離しスタンパを得る工程とを備えた光ディ
   スク原盤の製造方法において、 前記高分子材料層を形成する工程の後に、１時間以上常
   温で放置する工程と、その後１６０〜２４０℃で熱処理
   を行う工程を備え、前記フォトレジスト層を剥離後の熱
   処理を省略することを特徴とする光ディスク原盤の製造
   方法。
3. 【請求項３】 基板上にフォトレジストと混合しない親
   水性高分子材料からなる高分子材料層を形成する工程
   と、該高分子材料層上に前記フォトレジストからなるフ
   ォトレジスト層を形成する工程と、該フォトレジスト層
   をレーザビームを集光した第１の光で露光し、潜像を形
   成する工程と、前記露光したフォトレジスト層を現像、
   純水洗浄し、前記露光によるパタンを形成する工程と、
   該パタンをマスクとして前記フォトレジスト層側より波
   長３２０ｎｍ以下の第２の光を照射し、前記高分子材料
   層にパタンを形成する工程と、前記マスクとしたフォト
   レジスト層を剥離する工程と、前記高分子材料層に形成
   したパタン表面に導電皮膜を形成し、電鋳する工程と、
   前記基板を剥離しスタンパを得る工程とを備えた光ディ
   スク原盤の製造方法において、 前記高分子材料層を形成する工程の後に、最終的に１６
   ０〜２４０℃になるように常温より温度上昇させて熱処
   理を行い、各温度域における温度上昇の勾配を１０℃／
   ｍｉｎ以下とする工程を備え、前記フォトレジスト層剥
   離後の熱処理を省略することを特徴とする光ディスク原
   盤の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の光ディスク原盤の製造
   方法において、 前記基板と前記高分子材料層の間に熱伝導率がガラスの
   １０倍以上である材質からなる薄膜を形成することを特
   徴とする光ディスク原盤の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項３に記載の光ディスク原盤の製造
   方法において、 前記基板は熱伝導率がガラスの１０倍以上である材質か
   らなることを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１〜５いずれかに記載の光ディス
   ク原盤の製造方法において、 前記高分子材料層は親水性高分子材料に耐水化剤を混合
   して形成することを特徴とする光ディスク原盤の製造方
   法。
7. 【請求項７】 請求項６に記載の光ディスク原盤の製造
   方法おいて、 前記耐水化剤は、グリオキザール、Ｎ−メチロール尿
   素、Ｎ−メチロールメラミン、Ｎ−メチロールアクリル
   アミド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、ホルマ
   リン、水溶性エポキシ樹脂、水溶性イソシアネート、ほ
   う酸、ほう砂、チタン化合物、銅化合物、ジルコニア化
   合物、アルミニウム化合物から選ばれたものを用いるこ
   とを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項１〜７いずれかに記載の光ディス
   ク原盤の製造方法において、 前記親水性高分子材料は、ポリビニルアルコール、変性
   ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、メチル
   セルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシ
   メチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ポリ
   エチレンオキサイド、ゼラチンから選ばれたものを用い
   ることを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。