JP3136759B2 - スタンパ、その製造方法、及び光記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光を用いて情報の記
録、再生または消去を行う光記録媒体の製造するために
用いるスタンパの製造方法、当該方法で得られたスタン
パ、更にそれを用いて得られる光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクのような光記録媒体のマスタ
リングにおいて溝やピットを形成するには、ガラス製の
原盤上に塗布されたポジ型のレジストを、ＨｅＣｄレー
ザーやＡｒレーザーを用いて露光し、アルカリ性の現像
液によって現像し、露光された部分のレジストを除去す
る方式がとられる。

【０００３】この手法によると、形成される溝幅やピッ
トの形状は、レジスト表面に照射されるレーザーのスポ
ット径、レーザーの強度分布、レジスト材料の感度特性
によってきまる。一般に、レジストの低面部が狭く、表
面部が広くなった逆台形状の断面を有するようになる。
これはレジストの露光に用いるレーザー光の強度分布が
ガウス分布をなしていることによるもので、強度分布の
すその広がりが表面部のピット幅を広げる要因となって
いる。

【０００４】また、上記の溝やピットの幅はレーザー光
の直径に略等しく対物レンズの開口数ＮＡ及びレーザー
光の波長λによって決まる。これは０．８２×λ／ＮＡ
なる式で与えられ、マスタリングに用いられるレーザー
の中で波長が短いＨｅＣｄレーザー（λ＝４４２ｎｍ）
を用い、最も高いＮＡ（０．９）を用いてもスポット径
は０．４μｍまでにしかならない。例えば現在の光学式
ディスクの場合、波長が８３０ｎｍまたは７８０ｎｍ程
度のレーザーを用い、ＮＡが０．５程度のものを用いて
いるので、再生レーザーの光のスポット径はそれほど小
さくなく、およそ１．２μｍ程度になる。従って、記録
ピットは磁区の収縮を伴うので０．５〜０．６μｍ程度
の大きさになり、これで記録再生を行なっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが近年において
は、小型軽量で、比較的高パワーの短波長レーザーや、
ＳＨＧ素子を用いた短波長レーザーが開発されてきてい
る。それらの短波長レーザーを用いた光学系が実用化さ
れると記録には０．２〜０．３μｍオーダーの記録技術
が必要になり、現在の光記録媒体の製造プロセスでは対
応できない。

【０００６】また、より細い溝や小さいピットを形成す
るため光学系に３００ｎｍ未満の波長の光を用いること
は難かしく、従って光を用いた系におけるレジストの解
像度には限界があった。従来のプロセスで形成される
０．４μｍより細い線を描くために、半導体プロセスに
おいては電子線やＸ線を用いることが考えられている
が、これを光記録媒体に応用するためには真空系が必要
であったり、反射光学系により収差を生じやすく、さら
に装置が大がかりになってしまうという課題があった。
従って、上記の結果として、０．４μｍより細い線の解
像ができず、光記録媒体の記録密度を高めることに限界
があった。

【０００７】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、その課題とするところは、光学系の回折限界以下の
幅の溝やピットを形成し、従来作成が非常に困難とされ
た幅が０．４μｍより細い溝やピットを得ることを可能
とするスタンパを提供することである。更に、かかるス
タンパを用いて、従来より細いグルーブおよび小さいピ
ットを有し、現在主に用いられている半導体レーザーよ
り波長の短い短波長レーザーを用いた高密度記録に用い
ことの可能な記憶容量の増大した光記録媒体を作製する
ことを課題とする。

【０００８】本発明の請求項１に係る発明は、原盤
（９）の上に第一のポジ型のレジスト層（１０）を塗布
し、該第一のレジスト層（１０）の上に有機シリカ層
（１１）を形成し、該有機シリカ層（１１）の上にさら
に第二のポジ型のレジスト層（１２）を塗布し、レーザ
ー光を集光して前記原盤（９）を回転させながら前記第
二のレジスト層（１２）の特定領域を露光し、前記第二
のレジスト層（１２）の露光部分を現像した後、前記第
二のレジスト層（１２）の現像部分に開いた前記有機シ
リカ層（１１）をエッチングし、現像されなかった前記
第二のレジスト層（１２）および前記有機シリカ層（１
１）の前記エッチング部分に開いた前記第一のレジスト
層（１０）をエッチングし、１回目のエッチングでエッ
チングされなかった前記有機シリカ層（１１）をエッチ
ングし、第一の金属膜（１９）を成膜し、さらに第二の
金属膜（２０）を成膜し、該第一の金属膜（１９）およ
び第二の金属膜（２０）を電極にして該第二の金属膜
（２０）と同種または異種の第三の金属膜（２１）を電
鋳し、前記原盤（９）から剥離し、前記第一の金属膜
（１９）を除去することを特徴とするスタンパの製造方
法である。本発明の請求項２に係る発明は、原盤（３
０）の上に第一のポジ型のレジスト層（３１）を塗布
し、該第一のレジスト層（３１）の上に有機シリカ層
（３２）を形成し、該有機シリカ層（３２）の上にさら
に第二のポジ型のレジスト層（３３）を塗布し、 レー
ザー光を集光して前記原盤（３０）を回転させながら前
記第二のレジスト層（３３）の特定領域を露光し、前記
第二のレジスト層（３３）の露光部分を現像した後、前
記第二のレジスト層（３３）の現像部分に開いた前記有
機シリカ層（３２）をエッチングし、前記有機シリカ層
（３２）の前記エッチング部分に開いた前記第一のレジ
スト層（３１）をエッチングし、第一の金属膜（３９）
を成膜し、前記原盤（３０）の上に残っている前記第一
のレジスト３１層、前記有機シリカ層（３２）および前
記第二のレジスト層（３３）を除去し、さらに第二の金
属膜（４０）を成膜し、該第二の金属膜（４０）を電極
にして該第二の金属膜（４０）と同種または異種の第三
の金属膜（４１）を電鋳し、前記原盤（３０）から剥離
して金属板とし、該金属板に残っている前記第一の金属
膜（３９）を除去して前記第四の金属膜（４２）を成膜
し、前記第二の金属膜（４０）と同種または異種の第五
の金属膜（４３）を電鋳した後、前記金属板から剥離す
ることを特徴とするスタンパの製造方法である。

【０００９】本発明の請求項３に係る発明は、原盤（５
３）の上に第一の金属膜（５４）を成膜し、該第一の金
属膜（５４）を電極にして該第一の金属膜（５４）と同
種または異種の第二の金属膜（５５）を電鋳し、該第二
の金属膜（５５）の上に第一のポジ型のレジスト層（５
６）を塗布し、該第一のレジスト層（５６）の上に有機
シリカ層（５７）を形成し、該有機シリカ層（５７）の
上にさらに第二のポジ型のレジスト層（５８）を塗布
し、レーザー光を集光して前記原盤（５３）を回転させ
ながら前記第二のレジスト層（５８）の特定領域を露光
し、前記第二のレジスト層（５８）の露光部分を現像し
た後、前記第二のレジスト層（５８）の現像部分に開い
た前記有機シリカ層（５７）をエッチングし、前記有機
シリカ層（５７）の前記エッチング部分に開いた前記第
一のレジスト層（５６）をエッチングし、前記第二の金
属膜（５５）と同種の第三の金属膜（６４）を成膜し、
前記原盤（５３）上に残っている前記第一のレジスト層
（５６）、前記有機シリカ層（５７）および前記第二の
レジスト層（５８）を除去することを特徴とするスタン
パの製造方法である。

【００１０】本発明の請求項４に係る発明は、原盤（７
６）の上にポジ型のレジスト層（７７）を塗布し、レー
ザー光を集光して前記原盤（７６）を回転させながら前
記レジスト層（７７）の特定領域を露光し、前記レジス
ト層（７７）の前記露光部分を現像し、該現像部分およ
び非現像部分に第一の金属膜（８３）を成膜し、該第一
の金属膜（８３）と同種または異種の第二の金属膜（８
４）を電鋳するスタンパの製造方法において、前記レジ
スト層（７７）を露光する前に、該レジスト層（７７）
全面に紫外光照射またはＤｅｅｐＵＶ照射あるいはオゾ
ン処理または加熱処理をすることを特徴とするスタンパ
の製造方法である。

【００１１】本発明の請求項５に係る発明は、原盤（９
０）の上にポジ型のレジスト層（９１）を塗布し、レー
ザー光を集光して前記原盤（９０）を回転させながら前
記レジスト層（９１）の特定領域を露光し、前記レジス
ト層（９１）の露光部分を現像した後、該現像部分およ
び非現像部分に第一の金属膜（９６）を成膜し、該第一
の金属膜（９６）を電極にして該第一の金属膜（９６）
と同種または異種の第二の金属膜（９７）を電鋳するス
タンパの製造方法において、前記レジスト層（９１）の
上に水溶性樹脂層（９２）を形成した後前記レジスト層
（９１）の特定領域の露光を行なう工程を含み、前記水
溶性樹脂層（９２）として熱により透過率が増加する性
質を有するもの、または光によりカチオンを発生し、該
カチオンにより前記露光に用いる光の透過率が上昇する
性質を有するものを用いることを特徴とするスタンパの
製造方法である。

【００１２】本発明の請求項６に係る発明は、原盤（１
０４）の上にネガ型のレジスト層（１０５）を塗布し、
レーザー光を集光して前記原盤（１０４）を回転させな
がら前記レジスト層（１０５）の特定領域を露光し、非
露光部分を現像した後、該現像部分および非現像部分に
第一の金属膜（１０８）を成膜し、該非現像部分および
該非現像部分に成膜された前記第一の金属膜（１０８）
を除去し、第二の金属膜（１０９）を成膜し、該第二の
金属膜（１０９）を電極にして第三の金属膜（１１０）
を電鋳して前記原盤（１０４）から剥離してマザースタ
ンパとし、該マザースタンパを型としてさらに第三の金
属膜（１１１）を電鋳し、前記マザースタンパから剥離
することを特徴とするスタンパの製造方法である。

【００１３】本発明の請求項７に係る発明は、原盤（１
１８）の上に第一の金属膜（１１９）を成膜し、該第一
の金属膜（１１９）と同種または異種の第二の金属膜
（１２０）を電鋳し、該第二の金属膜（１２０）上にネ
ガ型のレジスト層（１２１）を塗布し、レーザー光を集
光して該レジスト層（１２１）の特定領域を露光し、該
露光した部分を現像した後、第二の金属層（１２０）と
同種の第三の金属膜（１２４）を成膜し、 前記原盤
（１１８）上に残っている前記レジスト層（１２１）及
び該レジストの上に成膜された第三の金属膜（１２４）
を除去することを特徴とするスタンパの製造方法であ
る。

【００１４】本発明の請求項８に係る発明は、原盤（１
３３）上に第一のポジ型のレジスト層（１３４）を塗布
し、該第一のレジスト層（１３４）の上に非晶性珪素
膜、非晶性金属膜または微結晶性金属膜（１３５）を成
膜し、該非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶性金
属膜（１３５）の上にさらに第二のポジ型のレジスト層
（１３６）を塗布し、レーザー光を集光して該第一のレ
ジスト層（１３６）の特定領域を露光し、該露光部分を
現像し、該現像部分に開いた前記非晶性珪素膜、非晶性
金属膜または微結晶性金属膜（１３５）の途中までエッ
チングし、全面に光を照射して前記非晶性珪素膜、非晶
性金属膜または微結晶性金属膜の途中までエッチングさ
れた部分の前記第一のレジスト層（１３４）を露光し、
現像されずに残った前記第一のレジスト層（１３４）お
よび前記非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶性金
属膜（１３５）を除去したのち第二の金属膜（１４２）
を成膜し、該第二の金属膜（１４２）と同種または異種
の第三の金属膜（１４３）を電鋳し、前記原盤（１３
３）から剥離し、前記非晶性珪素膜、非晶性金属膜また
は微結晶性金属膜（１３５）および前記第二の金属膜
（１４２）を除去することを特徴とするスタンパの製造
方法である。

【００１５】本発明の請求項９に係る発明は、原盤（１
５３）の上に非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶
性金属膜（１５４）を成膜し、該非晶性珪素膜、非晶性
金属膜または微結晶性金属膜（１５４）の上にポジ型の
レジスト層（１５５）を塗布し、光記録媒体の溝やピッ
トに応じたマスクを用いて露光した後、該露光部分を現
像し、該現像部分に開いた非晶性珪素膜、非晶性金属膜
または微結晶性金属膜（１５４）をエッチングし、現像
されなかった前記レジスト層（１５５）を除去し、第二
の金属膜（１６０）を成膜し、該第二の金属膜（１６
０）と同種または異種の第三の金属膜（１６１）膜を電
鋳し、前記原盤（１５３）から剥離することを特徴とす
るスタンパの製造方法である。

【００１６】本発明の請求項１０に係る発明は、原盤
（１６９）の上にポジ型のレジスト層（１７０）を塗布
し、該レジスト層（１７０）の上に第一の金属膜（１７
１）を極薄く成膜し、レーザー光を集光して該第一の金
属膜（１７１）上から前記レジスト層（１７０）の特定
領域を露光し、前記第一の金属膜（１７１）および前記
露光部分を現像し、 該現像部分および非現像部分に第
二の金属膜（１７４）を成膜し、該第二の金属膜（１７
４）と同種または異種の金属膜（１７５）を電鋳するこ
とを特徴とするスタンパの製造方法である。

【００１７】本発明の請求項１１に係る発明は、原盤
（１８２）の上にポジ型のレジスト層（１８３）を塗布
し、該レジスト層（１８３）の上に第一の金属膜（１８
４）を成膜し、該第一の金属膜（１８４）を所定のパタ
ーンのマスクを用いてエッチングを行ない、前記レジス
ト層（１８３）の感光波長の光を前記エッチング部全面
に照射し、前記エッチング部分に開いた前記レジスト層
（１８３）を感光させ、該感光部分を現像し、エッチン
グされなかった前記第一の金属膜（１８４）を除去し、
第二の金属膜１８９を成膜し、該第二の金属膜（１８
９）を電極にして第三の金属膜（１９０）を電鋳するこ
とを特徴とするスタンパの製造方法である。

【００１８】本発明の請求項１２に係る発明は、原盤
（１９７）の上に第一のポジ型のレジスト層（１９８）
を塗布し、該第一のレジスト層（１９８）の上に第一の
金属膜（１９９）を形成し、該第一の金属膜（１９９）
膜の上にさらに第二のポジ型のレジスト層（２００）を
塗布し、レーザー光を集光して該第二のレジスト層（２
００）の特定領域を露光し、該露光部分を現像し、該現
像部分に開いた前記第一の金属膜（１９９）をエッチン
グし、前記第一のレジスト層（１９８）の感光波長の光
を該エッチング部分全面に照射し、該エッチング部分に
開いた前記第一のレジスト層（１９８）を露光し、現像
液を用いて該第一のレジスト層（１９８）の露光部分お
よび前記第二のレジスト層（２００）を現像し、エッチ
ングされなかった前記第一の金属膜（１９９）膜を除去
し、第二の金属膜（２０４）を成膜し、該第二の金属膜
（２０４）を電極にして第三の金属膜（２０５）を電鋳
することを特徴とするスタンパの製造方法である。

【００１９】本発明の請求項１３に係る発明は、原盤
（２１４）の上にポジ型のレジスト層（２１５）を塗布
し、レーザー光を集光して前記原盤（２１４）を回転さ
せながら前記レジスト層（２１５）の特定領域を露光
し、前記レジスト層（２１５）の前記露光部分を現像
し、該現像部分および非現像部分に第一の金属膜（２１
９）を成膜し、該第一の金属膜（２１９）と同種または
異種の第二の金属膜（２２０）を電鋳するスタンパの製
造方法において、前記第一の金属膜２１９を成膜する前
に、前記レジスト層２１５を現像した後ＬＢ膜を形成し
て、前記現像部分の溝を細く浅くする工程を含むことを
特徴とするスタンパの製造方法である。

【００２０】本発明の請求項１４に係る発明は、原盤
（２２７）の上に第一の金属膜（２２８）を成膜し、該
第一の金属膜（２２８）を電極にして第二の金属膜（２
２９）を電鋳し、該第一の金属膜（２２９）の上にポジ
型のレジスト層（２３０）を塗布し、レーザー光を集光
して該レジスト層（２３０）の特定領域を露光し、該露
光部分を現像し、該現像部分に露出した前記第二の金属
膜（２２９）膜をエッチングし、現像されなかった前記
レジスト層（２３０）を除去し、第三の金属膜（２３
４）を成膜し、 該第三の金属膜（２３４）の上に第四
の金属膜（２３５）を電鋳し、前記原盤（２２７）から
剥離し、前記第三の金属膜（２３４）を除去することを
特徴とするスタンパの製造方法である。

【００２１】本発明の請求項１５に係る発明は、原盤
（２４２）の上に第一の金属膜（２４３）を成膜し、該
第一の金属膜（２４３）の上にレジスト層（２４４）を
塗布し、レーザー光を用いて該レジスト層（２４４）の
特定領域を露光し、該露光部分を現像した後酸化珪素層
を形成し、前記レジスト層（２４４）の非現像部分をエ
ッチングで除去し、該除去部分に現れた前記第一の金属
膜（２４３）をエッチングし、前記酸化珪素層を除去し
た後、第二の金属膜（２５０）を成膜し、該第二の金属
膜（２５０）の上に第三の金属層（２５１）を電鋳して
前記原盤（２４２）から剥離し、前記第一の金属膜（２
４３）を除去することを特徴とするスタンパの製造方法
である。本発明では、上記のいずれかの方法によって製
造されたスタンパが提供される。また、本発明では、上
記スタンパを用いて作製された光記録媒体が提供され
る。

【００２２】

【作用】

（作用１）本発明の請求項１において、レジスト層１２
を露光および現像することによって有機シリカの面が露
出する。この場合レジスト層１２の上面が広く、下面が
狭くなるようにパワーを調節することによって次のエッ
チングによる幅がレジスト層１２の上面の幅より狭くす
ることができる。その後１回目の乾式エッチングにより
前述のレジスト層１２の現像部分に開いた有機シリカ層
１１をエッチングする。この場合も有機シリカ層の上面
より下面が狭くなるようにパワーを調節することによっ
て、次のエッチングによる幅が有機シリカ層の上面に開
いた幅より狭くすることができる。そして、たとえば酸
素を用いた乾式エッチング法によって、現像されなかっ
たレジスト層１２の部分および有機シリカ層１１のエッ
チング部分に開いたレジスト層１０をエッチングする。
その後ベークすることによってレジスト層１０の反応性
をなくす。そこで、さらに２回目の乾式エッチングによ
り、１回目のエッチングでエッチングされなかった有機
シリカ層１１をエッチングする。そして、その上に金属
膜１９を成膜し、さらに金属膜２０を成膜し、それら金
属膜１９および金属膜２０を電極にしてその金属膜２０
と同種または異種の金属層２１を電鋳し、前述の原盤９
から剥離して前述の金属膜１９を除去することによって
スタンパを作成する。そのスタンパを用いることによっ
て従来より細い溝や小さいピット形成できるので、光記
録媒体の記録容量を増大させることができる。

【００２３】（作用２）本発明の請求項２において、レ
ジスト層３３の特定領域を露光および現像すると有機シ
リカ層３２が露出する。その場合レジスト層３３の表面
に回折限界で露光すると有機シリカ層３２上ではその回
折限界の幅より狭くなる。そしてさらに有機シリカ層３
２をドライエッチングしていくと、レジスト層３１が露
出してくる。その場合も２の有機ソリカ層の底部の方が
上部より狭くなる傾向になる。そしてさらに光を照射し
てレジスト層３１を露光および現像すると、その幅は光
学系の回折限界より細い線となって原盤３０面が露出す
る。そして後で溶解可能な４の金属を成膜することによ
って光学系の回折限界より細い線の型が形成される。そ
の後３およびレジスト層３３や有機シリカ層３２を溶剤
によって除去し、５の金属を成膜してそれを電極にし、
金属層４１を電鋳し、原盤３０から剥離する。それから
４の金属を溶解することによってマスタリングに用いた
光学系の回折限界より溝幅は細くすることができ、ピッ
トは小さいものを形成することが可能になる。そしてこ
のスタンパを用いることによって光記録媒体の容量を増
大させることができる。

【００２４】（作用３）本発明の請求項３において、レ
ジスト層５８の特定領域を露光および現像すると有機シ
リカ層５７が露出する。その場合レジスト層５８の表面
に回折限界で露光すると有機シリカ層５７上ではその回
折限界の幅より狭くなる。そしてさらに有機シリカ層５
７をドライエッチングしていくと、レジスト層５６が露
出してくる。その場合も有機シリカ層５７の底部の方が
上部より狭くなる傾向になる。そしてさらに光を照射し
てレジスト層５６を露光および現像すると、その幅は光
学系の回折限界より細い線となり、金属層５５の面が露
出する。そしてその金属層５５と同種の金属膜６４を成
膜することによって光学系の回折限界より細い線が形成
される。その後レジスト層５６およびレジスト層５８や
有機シリカ層５７を溶剤によって除去することによって
マスタリングに用いた光学系の回折限界より溝幅は細く
することができ、ピットは小さいものを形成することが
可能になる。そしてこのスタンパを用いることによって
光記録媒体の容量を増大させることができる。

【００２５】（作用４）本発明の請求項４において、ポ
ジ型のレジスト７７層を塗布しレーザーカッティングす
る前に、レジスト７７全面に紫外光照射またはＤｅｅｐ
ＵＶ照射あるいはオゾン処理または加熱処理をすること
によって、レジスト７７の表面性が変化する。紫外線照
射場合、紫外線がレジスト７７の表面のみに作用する程
度にとどめることによって、表面のみがアルカリ可溶と
なり、現像のとき除かれることによって、溝幅が狭くす
ることが可能になる。ＤｅｅｐＵＶ処理の場合、レジス
トの表面のみに作用する程度に処理することによって、
レジスト表面の反応性が低下し、これによって溝幅を狭
くすることが可能になる。オゾン処理の場合、レジスト
の表面のみに作用する程度に処理することによって、レ
ジスト表面の反応性が低下し、これによって溝幅を狭く
することが可能になる。加熱処理の場合、たとえば赤外
線ランプ等を用いてレジストの表面のみに作用する程度
に処理することによって、レジスト表面の反応性を低下
させ、これによって溝幅を狭くすることが可能になる。
レジストの表面の反応性を低下させると、露光に用いる
集光したレーザービームの強度分布がガウス分布をして
いるので、端の部分にあたるレジストの反応性が低下し
やすくなり、見かけ上従来より細く現像される。このよ
うにして作成することによってマスタリングに用いた光
学系の回折限界より溝幅は細くすることができ、ピット
は小さいものを形成することが可能になる。そしてこの
スタンパを用いることによって光記録媒体の容量を増大
させることができる。

【００２６】（作用５）本発明の請求項５において、レ
ジスト層９１の上に水溶性樹脂層９２を形成して特定領
域の露光を行ない、その水溶性樹脂層９２が熱により透
過率が増加する性質を有するものまたは光によりカチオ
ンを発生し、そのカチオンにより前述の露光に用いる光
の透過率が上昇する性質を有するものを用いる。この場
合アルカリ可溶性樹脂層９２は現像時に溶解するので、
Ｖ形状に現像される上部が現像時に溶解することにな
る。また、露光による熱またはカチオン発生によって露
光に用いる光の透過率が上昇するが、その透過率の上昇
領域は光のスポットとずれ、領域も狭くなる傾向にある
ので、この領域は露光に用いる光のスポット系より細く
小さくなる。従って、この方式を用いることによってマ
スタリングに用いた光学系の回折限界より溝幅は細くす
ることができ、ピットは小さいものを形成することが可
能になる。そしてこのスタンパを用いることによって光
記録媒体の容量を増大させることができる。

【００２７】（作用６）本発明の請求項６において、原
盤１０４の上に塗布されたネガ型のレジスト層１０５は
非露光部分を露光部分より狭くとることが可能になる。
その非露光部分は現像されるが、その現像部分と非現像
部分に金属膜１０８を成膜し、その非現像部分およびそ
の非現像部分に成膜された金属膜１０８を除去し、金属
膜１０９を成膜し、その１７の金属膜を電極にして金属
層１１０を電鋳して前述の原盤１０４から剥離してマス
タースタンパとし、その金属板を型としてさらに金属層
１１１を電鋳し前述のマスタースタンパから剥離するこ
とによってマスタリングに用いた光学系の回折限界より
溝幅は細くすることができ、ピットは小さいものを形成
することが可能になる。そしてこのスタンパを用いるこ
とによって光記録媒体の容量を増大させることができ
る。

【００２８】（作用７）本発明の請求項７において、あ
らかじめスタンパの土台となる金属層１２０を金属膜１
１９を電極にして形成しておく。そして、その金属膜１
１９の上にネガ型のレジスト層１２１を塗布し、レーザ
ー光を集光してそのレジスト層１２１の特定領域を露光
することによって、非露光部分は露光部分より狭くとる
ことが可能になる。その後、金属層１２０と同種の金属
膜１２４を成膜し、原盤１１８上に残っているレジスト
層１２１及びそのレジストの上に成膜された金属膜１２
４を溶剤を用いて除去することによって作成されたスタ
ンパを用いることによってマスタリングに用いた光学系
の回折限界より溝幅は細くすることができ、ピットは小
さいものを形成することが可能になる。そしてこのスタ
ンパを用いることによって光記録媒体の容量を増大させ
ることができる。

【００２９】（作用８）本発明の請求項８において、原
盤１３３上にポジ型のレジスト層１３４を塗布し、その
レジスト層１３４の上に非晶性珪素膜、非晶性金属膜ま
たは微結晶性金属膜１３５を成膜し、その非晶性珪素
膜、非晶性金属膜または微結晶性金属膜１３５の上にさ
らにポジ型のレジスト層１３６を塗布し、レーザー光を
集光してそのレジスト層１３６の特定領域を露光し、現
像液を用いてその露光部分を現像し、その現像部分に開
いた前述の非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶性
金属膜１３５の途中までドライエッチングする。これは
光の透過率の分布をもたせ、ドライエッチングによりレ
ーザー光分布の中心部の透過率を端部より強め、解像度
を向上させるためである。そして、全面に光を照射して
非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶性金属膜の途
中までドライエッチングされた部分のレジスト層１３４
を露光し、現像されずに残ったレジスト層１３４および
非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶性金属膜１３
５を除去したのち金属膜１４２を成膜し、その金属膜１
４２と同種または異種の金属層１４３膜を電鋳し、原盤
１３３から剥離し、非晶性珪素膜、非晶性金属膜または
微結晶性金属膜１３５および金属膜１４２を除去するこ
とによってマスタリングに用いた光学系の回折限界より
溝幅は細くすることができ、ピットは小さいものを形成
することが可能になる。そしてこのスタンパを用いるこ
とによって光記録媒体の容量を増大させることができ
る。

【００３０】（作用９）本発明の請求項９において、原
盤１５３の上に非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結
晶性金属膜１５４を成膜し、その非晶性珪素膜、非晶性
金属膜または微結晶性金属膜１５４の上にポジ型のレジ
スト層１５５を塗布し、光記録媒体の溝やピットに応じ
たマスクを用いて露光した後、その露光部分を現像液を
用いて現像する。その現像部分は上部が広く、下部が狭
い台形状になる傾向があるので、そこに開いた非晶性珪
素膜、非晶性金属膜または微結晶性金属膜１５４はその
部分をドライエッチングすることによって、従来より細
い線を解像することが可能になる。その後、現像されな
かった前述のレジスト層１５５を溶剤を用いて除去し、
金属膜１６０を成膜し、その金属膜１６０と同種または
異種の金属層１６１膜を電鋳し、前述の原盤１５３から
剥離することによってマスタリングに用いた光学系の回
折限界より溝幅は細くすることができ、ピットは小さい
ものを形成することが可能になる。そしてこのスタンパ
を用いることによって光記録媒体の容量を増大させるこ
とができる。

【００３１】（作用１０）本発明の請求項１０におい
て、原盤１６９の上にポジ型のレジスト層１７０を塗布
し、そのレジスト層１７０の上に金属膜１７１を極薄く
成膜し、レーザー光を集光してその金属膜１７１上から
レジスト層１７０の特定領域を露光する。ここで、金属
膜１７１が極薄く成膜されているのでレジストの感光波
長の光が透過することができるので、下のレジスト層１
７０を感光させることができる。このレジスト層１７０
を感光させる光はガウス分布をなしているので、中心部
の光強度が端部より強いことや、この極薄い金属膜は除
去される、すなわち光の端部が影響するは除去されるの
で解像度を向上させることが可能になる。その後、現像
液を用いて金属膜１７１および前述の露光部分を現像
し、その現像部分および非現像部分に金属膜１７４を成
膜し、その金属膜１７４と同種または異種の金属層１７
５を電鋳することによってマスタリングに用いた光学系
の回折限界より溝幅は細くすることができ、ピットは小
さいものを形成することが可能になる。そしてこのスタ
ンパを用いることによって光記録媒体の容量を増大させ
ることができる。

【００３２】（作用１１）本発明の請求項１１におい
て、原盤１８２の上にポジ型のレジスト層１８３を塗布
し、そのレジストの上に金属膜１８４を成膜し、その金
属膜１８４を光記録媒体のパターンに応じたマスクを用
いて反応性イオンエッチングを行なう。この場合、エッ
チング部の上部は下部より広い逆台形状をなす傾向にあ
り、これにより解像度を向上させることが可能になる。
その後レジスト層１８３の感光波長の光を前述のイオン
エッチング部全面に照射し、イオンエッチング部分に開
いた前述のレジスト層１８３を感光させ、その感光させ
た部分を現像し、エッチングされなかった前述の金属膜
１８４を除去し、金属膜１８９を成膜し、その金属膜１
８９を電極にして金属層１９０を電鋳することによって
マスタリングに用いた光学系の回折限界より溝幅は細く
することができ、ピットは小さいものを形成することが
可能になる。そしてこのスタンパを用いることによって
光記録媒体の容量を増大させることができる。

【００３３】（作用１２）本発明の請求項１２におい
て、原盤１９７の上にポジ型のレジスト層１９８を塗布
し、そのレジスト層１９８の上に金属膜１９９膜を形成
し、その金属膜１９９膜の上にさらにポジ型のレジスト
層２００を塗布し、レーザー光を集光してそのレジスト
層２００の特定領域を露光し、現像液を用いてその露光
部分を現像する。この場合、その現像部分は上部が下部
より幅が広い逆台形状になる傾向がある。そして、その
現像部分に開いた金属膜１９９膜をエッチングする。こ
の場合もエッチングされた上部が下部より幅が広い逆台
形状になる傾向があるので解像度を向上させることが可
能になる。その後、レジスト層１９８の感光波長の光を
そのエッチング部分全面に照射してそのエッチング部分
に開いたレジスト層１９８を露光し、現像液を用いてそ
のレジスト層１９８の露光部分およびレジスト層２００
を現像する。その後、エッチングされなかった金属膜１
９９膜を除去し、金属膜２０４を成膜し、その金属膜２
０４を電極にして金属層２０５を電鋳することによって
マスタリングに用いた光学系の回折限界より溝幅は細く
することができ、ピットは小さいものを形成することが
可能になる。そしてこのスタンパを用いることによって
光記録媒体の容量を増大させることができる。

【００３４】（作用１３）本発明の請求項１３におい
て、原盤２１４の上にポジ型のレジスト層２１５を塗布
し、レーザー光を集光して原盤２１４を回転させながら
レジスト層２１５の特定領域を露光し、現像液によって
レジスト層２１５の前述の露光部分を現像し、その現像
部分および非現像部分に金属膜２１９を成膜し、その金
属膜２１９と同種または異種の金属層２２０を電鋳する
ことによって作成する光記録媒体用スタンパにおいて、
金属膜２１９を成膜する前に、前述のレジスト層２１５
を現像した後ＬＢ膜を形成する。この場合、ＬＢ膜が現
像されたレジスト層２１５の溝を均一の膜厚に埋めるの
で、その溝は細くすることができ、解像度を向上させる
ことができる。そしてこれによってマスタリングに用い
た光学系の回折限界より溝幅は細くすることができ、ピ
ットは小さいものを形成することが可能になる。そして
このスタンパを用いることによって光記録媒体の容量を
増大させることができる。

【００３５】（作用１４）本発明の請求項１４におい
て、原盤２２７の上に金属膜２２８を成膜し、その金属
膜２２８を電極にして金属層２２９を電鋳し、その金属
層２２９の上にポジ型のレジスト層２３０を塗布し、レ
ーザー光を集光してそのレジスト層２３０の特定領域を
露光し、現像液を用いてその露光部分を現像し、ドライ
エッチングでその現像部分に露出した金属膜２２８をエ
ッチングする。この場合、レジストの現像は上部が下部
より幅の広い逆台形状になる傾向があり、これによって
従来より解像度を向上させることが可能になる。その
後、溶剤を用いて現像されなかったレジスト層２３０を
除去し、金属層２２９膜を成膜し、その金属層２２９膜
の上に金属層２３５膜を電鋳し、原盤２２７から剥離
し、金属膜２３４を除去することによってマスタリング
に用いた光学系の回折限界より溝幅は細くすることがで
き、ピットは小さいものを形成することが可能になる。
そしてこのスタンパを用いることによって光記録媒体の
容量を増大させることができる。

【００３６】（作用１５）本発明の請求項１５におい
て、原盤２４２の上に金属膜２４３を成膜し、その金属
層２２９膜の上にレジスト層２４４を塗布し、レーザー
光を用いてそのレジスト層２４４の特定領域を露光し、
現像液を用いてその露光部分を現像した後酸化珪素層２
４７を形成し、前述のレジスト層２４４の非現像部分を
ドライエッチングで除去する。この場合、レジストの非
露光部分を狭くとることによって、その部分を後からエ
ッチングするので解像度を自由にとることができ、それ
によって高解像度のものが実現できる。そして、その除
去部分に現れた金属膜２４３をエッチングし、酸化珪素
層２４７を除去した後、金属膜２５０を成膜し、その金
属膜２５０の上に金属層２５１を電鋳して原盤２４２か
ら剥離し、金属膜２４３を除去することによってマスタ
リングに用いた光学系の回折限界より溝幅は細くするこ
とができ、ピットは小さいものを形成することが可能に
なる。そしてこのスタンパを用いることによって光記録
媒体の容量を増大させることができる。

【００３７】

【実施例】 （実施例１）以下本発明の請求項１について図面に基づ
いて説明する。図２（ａ）から図２（ｃ）および図３
（ａ）から図３（ｃ）は本発明になる請求項１に示す光
記録媒体を作成するために用いるスタンパの製造方法の
概念図である。

【００３８】９はガラス製の原盤、１０はポジ型のレジ
スト層、１１は有機シリカ層、１２はポジ型のレジスト
層、１３はレジストの露光部分、１４はレジストの現像
部分、１５は有機シリカ層のエッチング予定部分、１６
は有機シリカ層のエッチング部分、１７はレジストの現
像予定部分、１８はレジストの現像部分、１９は金属
膜、２０は金属膜、２１は金属膜２０を電極にして電鋳
される金属層、２２は光記録媒体用スタンパである。

【００３９】図２（ａ）から図２（ｃ）および図３
（ａ）から図３（ｃ）に示す光記録媒体を作成するため
に用いるスタンパの製造方法は以下のようになる。

【００４０】・ガラス製の原盤９の表面をヘキサメチル
ジシラザン（ＨＭＤＳ）のベーパー処理をしてレジスト
との密着性を向上させる処理を施す。

【００４１】・ガラス製の原盤９の上にポジ型のレジス
ト１０をスピンコート法によって塗布する。

【００４２】・そのレジスト１０の上に有機シリカ層１
１を形成する。

【００４３】・その有機シリカ層１１の上にさらにポジ
型のレジスト層１２をスピンコート法によって塗布す
る。

【００４４】・原盤９を加熱し、レジスト層１０、有機
シリカ層１１およびレジスト層１２をプリベークする。

【００４５】・ＨｅＣｄレーザー（４４２ｎｍ）を用い
た対物レンズの開口数ＮＡが０．９の光学系を用いてほ
ぼ回折限界に集光して原盤９を回転させながらレジスト
層１２の特定領域を光記録媒体のパターンに応じて露光
する。そうすると、レジストの露光部分１３が形成さ
れ、図２（ａ）に示すようになる。

【００４６】・無機アルカリ系の現像液によってレジス
ト層１３の露光部分を現像するとレジスト１２の現像部
分１４が形成される。そうすると、有機シリカ層１１の
エッチング予定部分１５が現れ、図２（ｂ）に示すよう
になる。

【００４７】・１回目の乾式エッチング法によりレジス
ト１２の現像部分に開いた有機シリカ層１１をエッチン
グし、有機シリカ層１１のエッチング部分１６が形成さ
れ、レジスト１０の現像予定部分１７が現れ、図２
（ｃ）に示すようになる。

【００４８】・酸素を用いた乾式エッチング法によっ
て、レジスト１２の現像されなかった部分および有機シ
リカ層１１のエッチング部分１６に開いたレジスト層１
０をエッチングする。そうすることによってレジストの
現像部分１８が形成され、図３（ａ）に示すようにな
る。

【００４９】・次に、アフターベークしてレジスト１０
の反応性を低下させ、さらに２回目の乾式エッチングを
すると１回目のエッチングでエッチングされなかった有
機シリカ層１１がエッチングされる。

【００５０】・金属膜１９を成膜する。この金属膜１９
として銀銅を用い、スパッタリング法による真空成膜に
よって形成した。

【００５１】・さらに金属膜２０を成膜する。この金属
膜２０としてニッケルを用い、金属膜１９と同様にスパ
ッタリング法による真空成膜によって形成した。

【００５２】・金属膜１９および２０を電極にして金属
膜２０と同種または異種の金属層２１を電鋳すると図３
（ｂ）に示すようになる。この金属層２１としてニッケ
ル電鋳した。

【００５３】・原盤９から剥離する。

【００５４】・金属膜１９を過酸化水素−アンモニア系
の剥離液を用いて除去する。

【００５５】・内外径を加工することによって光記録媒
体用スタンパを作成すると図３（ｃ）に示すように光記
録媒体用スタンパ２２が形成される。

【００５６】図４は図２（ａ）から図２（ｃ）および図
３（ａ）から図３（ｃ）に示す光記録媒体用スタンパの
作成原理を説明するための図である。

【００５７】２３はレーザーカッティングに用いる光学
系の回折限界によって決まる幅である。２４は現像する
ことによって形成されるレジスト層１２の下部の幅であ
り、２３より狭くなる。２５は有機シリカ層１１をエッ
チングすることによって形成される下部の幅であり、２
４より狭くなる。２６はガラス製の原盤であり原盤９に
同じ、２７はレジスト層１０の非現像部、２８は有機シ
リカ層１１の非エッチング部、２９はレジスト層１２の
非現像部である。

【００５８】ガラス製の原盤２６にレジスト層１０を塗
布し、その上に有機シリカ層１１を形成し、さらにその
上にレジスト層１２層を形成し、レーザー光を集光して
特定領域の露光および現像すると、レジスト層１０が現
像された部分の上部が広く下部が狭い逆台形状になり、
２９の非現像部が残る。この逆台形の上部である２３は
露光に用いる光学系によってきまり、２４はそれより細
くなる。そしてこの２３と２４の差は用いるレジスト層
１２の性質や露光条件によって変わる。その後２４の幅
で開いた有機シリカ層１１を乾式エッチングすると、そ
の下部の幅である２５は２４より狭くなる性質があり、
２８の非エッチング部が残る。その後２５の幅で開いた
レジスト層１０を更にエッチングすると２７の非現像部
が残り、２５の幅の溝が形成され、用いる光学系の回折
限界より細い線を形成することが可能になる。

【００５９】そして、この部分に後で溶解可能な金属層
１９膜であるＡｇＣｕを成膜し、さらに金属層２０とし
てＮｉを真空成膜し、金属層２１としてＮｉを電鋳し原
盤９から剥離し、金属層１９であるＡｇＣｕを過酸化水
素アンモニア系の銀剥離液で除去および洗浄して、内外
型を加工することによって、従来より細い溝や小さいピ
ットを有する光記録媒体用スタンパを形成することが可
能になる。そして、こうしてできた光記録媒体用スタン
パを用いることによって光記録媒体の記憶容量を増大さ
せることができる。

【００６０】（実施例２）以下本発明の請求項２につい
て図面に基づいて説明する。図５（ａ）から図５（ｃ）
および図６（ａ）から図６（ｄ）は本発明になる請求項
２に示す光記録媒体を作成するために用いるスタンパの
製造方法の概念図である。

【００６１】３０はガラス製の原盤、３１はポジ型のレ
ジスト層、３２は有機シリカ層、３３はポジ型のレジス
ト層、３４はレジスト層３３の露光部分、３５はレジス
ト層３３の現像部分、３６は有機シリカ層３２のエッチ
ング予定部分、３７はレジスト層３３の現像部分、３８
はレジスト層３１の現像予定部分、３９は金属膜、４０
は金属膜、４１は金属層、４２は金属膜、４３は金属
層、４４は光記録媒体用スタンパである。

【００６２】図５（ａ）から図５（ｃ）および図６
（ａ）から図６（ｄ）に示す光記録媒体用スタンパの作
成方法は以下のようになる。

【００６３】・原盤３０の表面をＨＭＤＳのベーパー処
理をしてレジストとの密着性を向上させる処理を施す。

【００６４】・その上にポジ型のレジスト層３１をスピ
ンコート法によって塗布する。

【００６５】・レジスト層３１の上に有機シリカ層３２
を形成する。

【００６６】・有機シリカ層３２の上にさらにポジ型の
レジスト層３３を塗布する。

【００６７】・ガラス製の原盤３０を加熱し、レジスト
層３１層、有機シリカ層３２およびレジスト層３３をプ
リベークする。

【００６８】・ＨｅＣｄレーザー（４４２ｎｍ）を用い
たＮＡが０．９の光学系を用いてほぼ回折限界に集光し
て、原盤３０を回転させながらレジスト層３３の特定領
域を光記録媒体のパターンに応じて露光する。そうする
と、レジスト層３３の露光部分３４が形成され、図５
（ａ）に示すようになる。

【００６９】・無機アルカリ系の現像液によってレジス
ト層３３の露光部分３４を現像するとレジスト層３３の
現像部分３５が現れ、図５（ｂ）に示すようになる。

【００７０】・原盤３０を加熱してアフターベークす
る。

【００７１】・図５（ｂ）の有機シリカ層３２のエッチ
ング予定部分３６の有機シリカ層３２を乾式エッチング
法によりエッチングすると図５（ｃ）に示すようにな
り、レジスト層３３の現像部分３７が現れる。

【００７２】・酸素を用いた乾式エッチング法によって
レジスト層３３および有機シリカ層３２のエッチング部
分に開いたレジスト層３１の現像予定部分３８をエッチ
ングする。

【００７３】・金属膜３９を成膜すると図６（ａ）に示
すようになる。ここで金属膜３９として、銀銅合金をス
パッタリング法によって真空成膜した。

【００７４】・原盤３０上に残っているレジスト層３１
および有機シリカ層３２を溶剤を用いて除去する。

【００７５】・金属膜４０を成膜する。ここで金属膜４
０として銀銅合金をスパッタリング法によって真空成膜
した。

【００７６】・その金属膜４０を電極にしてその金属膜
４０と同種または異種の金属層４１を電鋳すると図６
（ｂ）に示すようになる。ここで金属層４１としてニッ
ケルを電鋳した。金属膜４０をニッケル膜とし、金属膜
４１もニッケルとして同種の金属を用いることもでき
る。

【００７７】・原盤３０から剥離してマザースタンパと
する。

【００７８】・そのザースタンパに残っている金属膜３
９を除去する。

【００７９】・金属膜４２を成膜する。ここで、金属膜
４２として、銀銅合金を用いた。

【００８０】・その金属膜４２と同種または異種の金属
層４３を電鋳する。ここで、金属層４３としてニッケル
を用いた。金属膜４２をニッケルとし、金属層４３もニ
ッケルとして同種の金属を用いることも可能である ・マザースタンパから剥離して内外型を加工するするこ
とによって図６（ｄ）に示すように光記録媒体用スタン
パ４４が形成される。

【００８１】図７は図５（ａ）から図４（ｃ）および図
６（ａ）から図６（ｄ）に示す光記録媒体用スタンパの
作成原理を説明するための図である。

【００８２】４５はレーザーカッティングに用いる光学
系の回折限界によって決まる幅である。４６は現像する
ことによって形成されるレジスト層３３の下部の幅であ
り、４５より狭くなる。４７は有機シリカ層３２をエッ
チングすることによって形成される溝の下部の幅であ
り、４６より狭くなる。４８はレジスト層３１を露光お
よび現像することによってガラス製の原盤３０上に開く
現像部、４９はガラス製の原盤であり原盤３０に同じ、
５０はレジスト層３１の非現像部、５１は有機シリカ層
３２の非エッチング部、５２はレジスト層３３の非現像
部である。

【００８３】ガラス製の原盤４９にレジスト層３１、有
機シリカ層３２、レジスト層３３と順次形成し、光学系
の回折限界で露光および現像すると、５２の部分が現像
されずに残る。そして現像部分は逆台形状になる性質が
ある。この逆台形になる具合いは用いるレジスト層３３
の性質や露光条件によって変わる。そうするとレジスト
層３３の表面部が回折限界の４５の幅であると、エッチ
ングされた有機シリカ層３２の低面部である４６はそれ
以下になり、有機シリカ層３２の非エッチング部５１が
できる。この部分をさらに露光および現像するとさらに
レジスト層３１部では４７のように狭い幅とすることが
でき、原盤４９上では４８の幅ができる。そして、レジ
スト層３１の非現像部５０ができる。

【００８４】そこで、後で溶解可能な金属膜を真空成膜
するとその幅は４８の幅となり、露光に用いる光学系の
回折限界より狭くなる。その後原盤４９上に残ったレジ
スト層３１、有機シリカ層３２、およびレジスト層３３
層は溶剤によって剥離する。そして、光記録媒体用スタ
ンパの土台になるニッケル等の金属を真空成膜し、その
真空成膜部を電極にしてさらに電鋳して厚さをかせい
で、原盤４９から剥離することによって、従来より細い
溝や小さいピットを有する光記録媒体用スタンパを形成
することが可能になる。そしてこの光記録媒体用スタン
パを用いることによって光記録媒体の容量を増大させる
ことができる。

【００８５】（実施例３）以下本発明の請求項３につい
て図面に基づいて説明する。図８（ａ）から図８（ｃ）
および図９（ａ）から図９（ｃ）は本発明になる請求項
３に示す光記録媒体を作成するために用いるスタンパの
製造方法の概念図である。

【００８６】５３はガラス製の原盤、５４は金属膜、５
５は金属層、５６はポジ型のレジスト層、５７は有機シ
リカ層、５８はポジ型のレジスト層、５９はレジスト層
５６の露光部分、６０はレジスト層５６の現像部分、６
１は有機シリカ層５７のエッチング予定部分、６２は有
機シリカ層５７のエッチング部分、６３はレジスト層５
６の現像予定部分、６４は金属膜、６５は完成した光記
録媒体用スタンパである。

【００８７】図８（ａ）から図８（ｃ）および図９
（ａ）から図９（ｃ）に示す光記録媒体用スタンパの製
造方法は以下のようになる。

【００８８】・ガラス製の原盤５３にＨＭＤＳのベーパ
ー処理を施した後、金属膜５４を成膜する。この場合、
後で原盤５３から剥離が容易なように、金属膜５４を成
膜する前に５４’の金属膜またはセラミックス膜を成膜
してもかまわない。ここでは金属膜５４としてニッケル
を用い、５４’の金属膜として銀銅合金を用いた。

【００８９】・金属膜５４を電極にしてその金属膜５４
と同種または異種の金属層５５を電鋳して金属層５５層
を形成する。ここでは金属層５５層として金属膜５４と
同種のニッケルを用いたが、この金属膜５４と金属層５
５とは異なっていてもかまわない。

【００９０】・さらに金属層５５と同種の金属５５’と
してニッケルを成膜して表面性の改善を行なう。この場
合、酸化セリウムを用いて鏡面研磨することによる表面
性の改善でもよい。

【００９１】・その金属層５５または金属層５５’の上
にポジ型のレジスト層５６をスピンコート法によって塗
布する。

【００９２】・ポジ型のレジスト層５６の上に有機シリ
カ層５７を形成する。

【００９３】・有機シリカ層５７の上にポジ型のレジス
ト層５８をスピンコート法によって塗布する。

【００９４】・原盤５３を回転させながらレジスト層５
６の特定領域を光記録媒体のパターンに応じて、集光し
たレーザー光により露光すると図８（ａ）に示すように
なりレジスト層５６の露光部分５９ができる。

【００９５】・無機アルカリ系の現像液によってレジス
ト層５６の露光部分５９を現像する。そうすると現像部
分の上部が下部より広い形状になり、レジスト層５６の
現像部分６０および有機シリカ層５７のエッチング予定
部分６１ができて図８（ｂ） に示すようになる。

【００９６】・図８（ｂ）の有機シリカ層３２のエッチ
ング予定部分６１の有機シリカ層３２を乾式エッチング
法によりエッチングすると図８（ｃ）に示すようにな
り、有機シリカ層５７のエッチング部分６２およびレジ
スト層５６の現像予定部分６３が現れる。

【００９７】・酸素を用いた乾式エッチング法によって
レジスト層５８および有機シリカ層５７のエッチング部
分６２に開いたレジスト層５６の現像予定部分６３をエ
ッチングすると金属層５５が露出する。

【００９８】・この金属層５５の露出部分および有機シ
リカ層５７の非エッチング部分に金属層５５と同種の金
属膜６４を真空成膜すると図９（ａ）に示すようにな
る。ここでは金属膜６４として金属層５５と同種のニッ
ケルを用いた。

【００９９】・エッチングされなかった有機シリカ層５
７、その有機シリカ層５７の上に成膜された金属膜６４
およびレジスト層５６の非現像部分を除去すると図９
（ｂ）に示すようになる。

【０１００】・その後原盤５３から剥離して、内外型を
加工することによって図９（ｄ）に示すように光記録媒
体用スタンパ６５が形成される。

【０１０１】図１０は図８（ａ）から図８（ｃ）および
図９（ａ）から図９（ｂ）に示す光記録媒体用スタンパ
の作成原理を説明するための図である。

【０１０２】６６はレーザーカッティングに用いる光学
系の回折限界によって決まる幅である。６７は現像する
ことによって形成されるレジスト層５８の下部の幅であ
り、６６より狭くなる。６８は有機シリカ層５７をエッ
チングすることによって形成される溝の下部の幅であ
り、６７より狭くなる。６９はレジスト層５６を露光お
よび現像することによってガラス製の原盤７１上に開く
現像部、７０はレジスト層５６をエッチングすることに
よって露出した金属層５５に成膜された金属膜６４、７
１はガラス製の原盤であり原盤５３に同じ、７２は電鋳
によって形成された金属層であり金属層５５に同じ、７
３はレジスト層５６の非現像部、７４は有機シリカ層５
７の非エッチング部、７５はレジスト層５８の非現像部
である。

【０１０３】ガラス製の原盤７１にレジスト層５６、有
機シリカ層５７、レジスト層５８と順次形成し、光学系
の回折限界で露光および現像すると、７５の部分が現像
されずに残る。そして現像部分は逆台形状になる性質が
ある。この逆台形になる具合いは用いるレジスト層５８
の性質や露光条件によって変わる。そうするとレジスト
層５８の表面部が回折限界の６６の幅であると、現像さ
れたレジスト層５８の下部の幅である６７はそれ以下に
なる。そしてその部分をエッチングすると、有機シリカ
層５７の非エッチング部７４ができ、そのエッチングさ
れた有機シリカ層５７の低面部である６８はそれ以下に
なる。そして、この部分をさらに露光および現像すると
レジスト層５６の非現像部７３ができ、その現像部分の
低面部では６７の幅が達成できる。

【０１０４】そこで、金属層５５と同種の金属膜６４を
真空成膜するとその幅は７０の幅となり、露光に用いる
光学系の回折限界より狭くなる。その後原盤７１上に残
ったレジスト層５６、有機シリカ層５７、およびレジス
ト層５８層は溶剤によって剥離すると金属膜６４は直接
金属層７２上に形成される。そして、原盤７１から剥離
することによって、従来より細い溝や小さいピットを有
する光記録媒体用スタンパを形成することが可能にな
る。これによって、従来より細い溝や小さいピットを有
する光記録媒体用スタンパを形成することが可能にな
り、これを用いることによって光記録媒体の容量を増大
させることができる。

【０１０５】（実施例４）以下本発明の請求項４につい
て図面に基づいて説明する。図１１（ａ）から図１１
（ｃ）および図１２（ａ）から図１２（ｃ）は本発明に
なる請求項４に示す光記録媒体を作成するために用いる
スタンパの製造方法の概念図である。

【０１０６】７６はガラス製の原盤、７７はポジ型のレ
ジスト層、７８はレジスト層７７の表面処理部分、７９
はレジスト層７７の露光部分、８０は表面処理をしない
場合の現像部分、８１はＤｅｅｐＵＶ処理または加熱処
理による表面処理をする場合の現像部分、８２は紫外線
照射またはオゾン処理により現像とともに表面処理部が
除去されたときのレジスト層７７の現像部分、８３は金
属膜、８４は金属層、８５は光記録媒体用スタンパであ
る。

【０１０７】図１１（ａ）から図１１（ｃ）および図１
２（ａ）から図１２（ｃ）に示す光記録媒体用スタンパ
の作成方法は以下のようになる。

【０１０８】・ガラス製の原盤７６の表面をＨＭＤＳの
ベーパー処理をしてレジストとの密着性を向上させる処
理を施す。

【０１０９】・その上にポジ型のレジスト７７をスピン
コート法によって塗布する。

【０１１０】・ガラス製の原盤７６を加熱してレジスト
層７７をプリベークする。

【０１１１】・レジスト層７７の表面に紫外線照射、Ｄ
ｅｅｐＵＶ処理、オゾン処理ま たは加熱処理を施し、
レジスト７７層の表面処理部分７８を形成する。

【０１１２】これらの紫外線照射、ＤｅｅｐＵＶ処理、
オゾン処理または加熱処理はレジスト層７７の極表面の
みに作用する程度に行なう。紫外線照射およびオゾン処
理の場合はレジスト層７７の表面部を反応させてアルカ
リ可溶とする。ＤｅｅｐＵＶ処理または加熱処理の場合
はレジスト層７７の表面の反応性を低下させる。

【０１１３】・ＨｅＣｄレーザー（４４２ｎｍ）を用い
た対物レンズのＮＡが０．９の光学系を用いてほぼ回折
限界に集光して、原盤７６を回転させながらレジスト層
７７の特定領域を光記録媒体のパターンに応じて露光す
る。そうすると、レジスト層７７の露光部分７９が形成
され、図１１（ａ）に示すようになる。

【０１１４】・アルカリ性の現像液によってレジスト層
７７の露光部分を現像すると、ＤｅｅｐＵＶ処理または
加熱処理による表面処理をする場合の本発明になる現像
部分８１ができ、図１１（ｂ）に示すように、表面処理
をしない場合の現像部分８０より狭くなる。また、紫外
線照射またはオゾン処理により現像とともに表面処理部
が除去されたときのレジスト層７７の現像部分８２が形
成され、図１１（ｃ）に示すようになる。以後図１１
（ｃ）を用いた例について説明する。

【０１１５】・原盤７６を加熱してアフターベークす
る。

【０１１６】・レジスト層７７の現像された部分８２の
ところに金属膜８３を成膜すると図１２（ａ）に示すよ
うになる。ここでは金属膜８３として銀銅合金をスパッ
タリング法によって真空成膜した。

【０１１７】・そして、この金属膜８３を電極にして金
属層８４を電鋳すると図１２（ｂ）に示すようになる。
ここでは金属層８４としてニッケル層を電鋳した。

【０１１８】・原盤７６から剥離して、内外型を加工す
ることによって図１２（ｃ）に示すように光記録媒体用
スタンパ８５が形成される。

【０１１９】図１３は図１１（ａ）から図１１（ｃ）お
よび図１２（ａ）から図１２（ｃ）に示す光記録媒体用
スタンパの作成原理を説明するための図である。

【０１２０】８６はレーザーカッティングに用いる光学
系の回折限界によって決まる幅である。８７は現像する
ことによって形成されるレジスト層７７の幅であり、８
６より狭くなる。８８はガラス製の原盤であり原盤７６
に同じ、８９はレジスト層７７の非現像部である。

【０１２１】ガラス製の原盤８８にレジスト層７７を塗
布し、そのレジスト層７７の表面に紫外線照射、Ｄｅｅ
ｐＵＶ処理、オゾン処理または加熱処理を施す。これら
の処理はレジストの極表面のみに作用する程度にするた
め、原盤７６を冷却しながら行なう。そうするとレジス
ト層７７の表面の反応性が低下し、用いる集光されたレ
ーザーが示すガウス分布の中心部の寄与が大きくなり、
端部の影響がでにくくなるため、レーザーカッティング
に用いる光学系の回折限界によって決まる幅８６より細
い線を現像することができる。その後現像することによ
って、８７の幅で現像されて、レジスト層７７の非現像
部８９が形成される。そして、金属膜８３を成膜し、そ
の金属膜８３を電極にして金属膜８４を電鋳し、原盤７
６から剥離する。そうすると、従来より細い溝や小さい
ピットを有する光記録媒体用スタンパを形成することが
可能になり、これを用いることによって光記録媒体の容
量を増大させることができる。

【０１２２】（実施例５）以下本発明の請求項５につい
て図面に基づいて説明する。図１４（ａ）から図１４
（ｃ）および図１５（ａ）から図１５（ｃ）は本発明に
なる光記録媒体を作成するために用いるスタンパの製造
方法の概念図である。

【０１２３】９０はガラス製の原盤、９１はポジ型のレ
ジスト層、９２はレーザー光照射によってカッティング
に用いるレーザー光の透過率が上昇する性質を有する水
溶性樹脂層、９３は水溶性樹脂層９２およびレジスト層
９１の露光部分、９４は水溶性樹脂層の現像部分、９５
はレジスト層９１の現像部分、９６は金属膜、９７は９
６の金属膜を電極にして電鋳される金属層、９８は光記
録媒体用スタンパである。

【０１２４】図１４（ａ）から図１４（ｃ）および図１
５（ａ）から図１５（ｃ）に示す光記録媒体用スタンパ
の作成方法は以下のようになる。

【０１２５】・ガラス製の原盤９０の表面をＨＭＤＳの
ベーパー処理をしてレジストとの密着性を向上させる処
理を施す。

【０１２６】・その上にポジ型のレジスト層９１をスピ
ンコート法によって塗布する。

【０１２７】・ガラス製の原盤９０を加熱して、レジス
ト層９１をプリベークする。

【０１２８】・レーザー光照射によってカッティングに
用いるレーザー光の透過率が上昇する性質を有する水溶
性樹脂層９２をスピンコート法によって２００Å形成す
る。これは、ポリビニルピロリドンに光カチオン発生剤
とカチオンにより退色する性質を有する物質を分散させ
たものを用いた。

【０１２９】・レジスト層９１の特定領域を、ＨｅＣｄ
レーザー（４４２ｎｍ）を用いたＮＡが０．９の光学系
を用いてほぼ回折限界で、光記録媒体のパターンに応じ
て露光する。そうすると、水溶性樹脂層９３およびレジ
スト層９１の露光部分ができ、図１４（ａ）に示すよう
になる。

【０１３０】・アニオン系の界面活性剤を溶解した水溶
液で、原盤９０を回転させながらリンスする。

【０１３１】・アルカリ性の現像液を用いて現像する
と、水溶性樹脂層９３の現像部分、レジスト層９１の現
像部分９４ができ、図１４（ｂ）を経て図１４（ｃ）に
示すようになる。もっとも、水溶性樹脂層９３の現像部
分はリンスしたときに除去されてしまうので、実在しな
いが説明にために挙げてある。

【０１３２】・アフターベークをしてレジスト層９１の
反応性を低下させる。

【０１３３】・露光および現像が終わったレジスト層９
１の現像部分の上に金属膜９６を成膜すると図１５
（ａ）に示すようになる。ここでは金属膜９６としてニ
ッケル膜をスパッタリング法を用いて真空成膜した。

【０１３４】・この金属膜９６を電極にして、金属層９
７を電鋳すると図１５（ｂ）に示すようになる。ここで
は金属層９７としてニッケル層を電鋳し た。

【０１３５】・原盤９０から剥離して内外型を加工する
ことによって図１５（ｃ）に示すように光記録媒体用ス
タンパ９８ができる。

【０１３６】図１６は図１４（ａ）から図１４（ｃ）お
よび図１５（ａ）から図１５（ｃ）に示す光記録媒体用
スタンパの作成原理を説明するための図である。

【０１３７】９９はレーザーカッティングに用いる光学
系の回折限界によって決まる幅である。１００は現像に
よって形成される幅であり、９９より狭くなる。１０１
はガラス製の原盤であり原盤９０に同じ、１０２はレジ
スト層９１部分、１０３は除去される水溶性樹脂層であ
る。

【０１３８】ガラス製の原盤１０１に、レジスト層９１
を塗布し１０２のレジスト層９１部分を形成する。その
上にさらに水溶性樹脂層を形成し、それを水でリンスま
たは現像すると、除去された水溶性樹脂層１０３となる
ので、その分だけ溝幅は浅くしかも細くなる。この場
合、水溶性樹脂層がカッティングに用いるレーザー光に
よりカチオンを発生し、ｐＨが変わりそれによって透過
率が上昇する性質を有すると、レーザー光によって透過
率が上昇する領域と、光スポットの領域がずれ、それら
の重なった部分だけ、レジストが露光されることにな
り、レーザーカッティングに用いる光学系の回折限界に
よって決まる幅９９より狭い、現像によって形成される
幅１００が達成される。これによって、従来より細い溝
や小さいピットを有する光記録媒体用スタンパを形成す
ることが可能になり、これを用いることによって光記録
媒体の容量を増大させることができる。

【０１３９】本実施例５において、水溶性樹脂の中には
光カチオン発生剤およびｐＨによって少なくともＨｅＣ
ｄレーザーの４４２ｎｍの波長の光の透過率が向上する
物質を含有した。水溶性樹脂の母剤としてＮ−ビニルピ
ロリドンを用いた。また、本実施例５においては、レジ
スト層の上に形成される水溶性樹脂の中に水溶性変成ナ
フトキノンジアジドを用いることもできたが、従来のレ
ジストとの反応性を合致させるためである。また、レジ
スト層は表面が疎水性であり、その上に水溶性樹脂を薄
く塗布することは非常に困難であるので、レジスト層表
面を活性化した後に行なうことが必要になる。その活性
化の方法としては、界面活性剤を塗布したり、プラズマ
処理したりすることなどが考えられる。また、レジスト
層の上に形成する水溶性樹脂層は非常に薄く形成しなけ
ればならないので、光に対する光学特性をレジストと合
わせたＬＢ膜により形成してもよい。この場合、ＬＢ膜
は１から数分子層形成できるように、分子中に親水基と
疎水基を導入しなければならない。

【０１４０】また、本実施例５において、レジスト層９
１の現像部分９５に直接金属膜９６であるニッケル膜を
成膜したが、後で溶解可能なＡｇＳｉのような金属膜を
形成した後に、金属膜９６を成膜してもよい。この場
合、この後で溶解可能な金属膜を溶解する工程が増える
ことになる。これは、金属層９７を電鋳するとき、原盤
９０から剥離することを防ぐため、あるいは原盤９０か
ら完成したスタンパを剥離するときにレジスト残りを除
去するために用いられる場合である。また、アルカリ可
溶性樹脂として、レジストの露光したものを用いること
もできる。すなわち、レジスト中のナフトキノンジアジ
ドを露光することによってすべてインデンカルボン酸に
して、レジスト層９１の上に塗布するようにすることも
可能である。

【０１４１】（実施例６）以下本発明の請求項６につい
て図面に基づいて説明する。図１７（ａ）から図１７
（ｃ）および図１８（ａ）から図１８（ｃ）は本発明に
なる光記録媒体を作成するために用いるスタンパの製造
方法の概念図である。

【０１４２】１０４はガラス製の原盤、１０５はネガ型
のレジスト層、１０６はレジスト層１０５の露光部分、
１０７はレジスト層１０５の現像部分、１０８は金属
膜、１０９は金属膜、１１０は１０金属膜５４を電極に
して電鋳される金属層、１１１はマザースタンパを型と
して電鋳した金属層、１１２は光記録媒体用スタンパで
ある。

【０１４３】図１７（ａ）から図１７（ｃ）および図１
８（ａ）から図１８（ｃ）に示す光記録媒体用スタンパ
の作成方法は以下のようになる。

【０１４４】・１０４のガラス製の原盤１０４の表面を
ＨＭＤＳのベーパー処理をしてレジストとの密着性を向
上させる処理を施す。

【０１４５】・原盤１０４の上に１０５のネガ型のレジ
スト層１０５をスピンコート法によって塗布する。

【０１４６】・原盤１０４を回転させながら、ＮＡが
０．９の対物レンズを用いたＨｅＣｄレーザーの光をほ
ぼ回折限界まで集光して、レジスト層１０５の特定領域
を光記録媒体のパターンに応じて露光すると、レジスト
層１０５の露光部分１０６が形成され図１７（ａ）に示
すようになる。

【０１４７】・その露光されなかった部分を溶剤系の現
像液で現像するとレジストの現像部１０７が形成され、
その現像部分１０７および非現像部分に金属膜１０８を
成膜すると図１７（ｂ）に示すようになる。ここでは、
この金属膜１０８としてスパッタリング法によって銀銅
合金を真空成膜した。

【０１４８】・そのレジスト層１０５の非現像部分とそ
のレジスト層１０５の非現像部分に成膜された金属膜１
０８を溶剤を用いて除去する。

【０１４９】・溶剤を用いて除去した後に金属膜１０９
を成膜すると図１７（ｃ）に示すようになる。ここで
は、この金属膜１０９としてニッケルをスパッタリング
法によって真空成膜した。

【０１５０】・その金属膜１０９を電極にして金属層１
１０を電鋳すると図１８（ａ）に示すようになる。ここ
ではこの金属層１１０として金属膜１０９と同種のニッ
ケルを電鋳した。この金属膜１０９と金属膜１１０は異
なっていても構わない。

【０１５１】・そして、原盤１０４から剥離してマザー
スタンパとする。

【０１５２】・過酸化水素−アンモニア系の銀剥離液を
用いてマザースタンパに残っている金属膜１０８を除去
する。

【０１５３】・そのマザースタンパを型としてさらに金
属層１１１を電鋳すると図１８（ｂ）に示すようにな
る。ここではニッケルを電鋳したが、このニッケルＮｉ
を電鋳する前にさらにＡｇＣｕ合金を真空成膜したり、
アッシング処理等を施して、金属板との剥離を容易にす
る方法をとることも可能である。

【０１５４】・マザースタンパから剥離して、内外型を
加工することによって図１８（ｃ）に示すように光記録
媒体用スタンパ１１２が形成される。

【０１５５】図１９は図１７（ａ）から図１７（ｃ）お
よび図１８（ａ）から図１８（ｃ）に示す光記録媒体用
スタンパの作成原理を説明するための図である。

【０１５６】１１３はレーザーカッティングに用いる光
学系の回折限界によって決まる幅である。１１４は現像
部分の下部の幅であり、１１３より狭くなる。１１５は
レジスト層１０５の非現像部、１１６はレジスト層１０
５の現像部に成膜された金属膜で金属膜１０８に同じ、
１１７はガラス製の原盤であり原盤１０４に同じであ
る。

【０１５７】ガラス製の原盤１１７にネガ型のレジスト
１０５形成し、光学系の回折限界で露光および現像する
と、１１４の部分が現像されずに残る。そして現像部分
は逆台形状になる性質がある。この台形になる具合いは
用いるレジスト層１０５の性質や露光条件によって変わ
る。そうするとレジスト層１０５の表面部が回折限界の
１１３の幅であっても、レジスト層１０５がネガ型であ
るので１１５の非現像部はいくらでも狭くとることがで
きる。すなわち、現像部は光学系の回折限界以下の１１
４の幅が達成できる。

【０１５８】そこで、後で溶解可能な金属膜１１６を真
空成膜するとその幅は１１４の幅となり、露光に用いる
光学系の回折限界より狭くなる。その後原盤１１７上に
残ったレジスト層１０５を溶剤によって除去する。そし
て、光記録媒体用スタンパの土台になるニッケル等の金
属を真空成膜し、その真空成膜部を電極にしてさらに電
鋳して厚さをかせいで、原盤１１７から剥離してマスタ
ースタンパとし、さらにそのマスタースタンパを型とし
て電鋳することによって、従来より細い溝や小さいピッ
トを有する光記録媒体用スタンパを形成することが可能
になる。そしてこの光記録媒体用スタンパを用いること
によって光記録媒体の容量を増大させることが可能にな
る。

【０１５９】（実施例７）以下本発明の請求項７につい
て図面に基づいて説明する。図２０（ａ）から図２０
（ｃ）および図２１（ａ）から図２１（ｃ）は本発明に
なる光記録媒体を作成するために用いるスタンパの製造
方法の概念図である。

【０１６０】１１８はガラス製の原盤、１１９は金属
膜、１２０は金属層、１２１はネガ型のレジスト層、１
２２はレジスト層１２１の露光部分、１２３はレジスト
層１２１の現像部分、１２４は１２３の上に成膜された
金属膜、１２５はレジスト層１２１の現像されなかった
部分に成膜された金属膜１２４、１２６は光記録媒体用
スタンパである。

【０１６１】図２０（ａ）から図２０（ｃ）および図２
１（ａ）から図２１（ｃ）に示す光記録媒体用スタンパ
の作成方法は以下のようになる。

【０１６２】・ガラス製の原盤１１８の上に金属膜１１
９を成膜する。ここではガラス原盤１１８との剥離を容
易にするため、銀珪素合金をスパッタリング法によって
真空成膜した。

【０１６３】・その金属膜１１９を電極にして、金属層
１２０を電鋳した。この金属層１２０としてニッケルを
電鋳した。

【０１６４】・その金属層１２０の上にネガ型のレジス
ト層１２１をスピンコート法によって塗布すると図２０
（ａ）に示すようになる。

【０１６５】・原盤１１８を回転させながら、ＮＡが
０．９の対物レンズを用いたＨｅＣｄレーザーの光をほ
ぼ回折限界まで集光してレジスト層１２１の特定領域を
光記録媒体のパターンに応じて露光すると、１２２のレ
ジスト層１２１の露光部分が１２２形成され、図２０
（ｂ）に示すようになる。

【０１６６】・レジスト層１２１の露光されなかった部
分を溶剤系の現像液で現像すると、レジスト層１２１の
現像部分１２３ができ、図２０（ｃ）に示すようにな
る。

【０１６７】・その現像後に金属膜１１９と同種の金属
膜１２４を成膜すると図２１（ａ）に示すようになる。
ここでは金属層１２０と同種のニッケルをスパッタリン
グ法によって真空成膜した。

【０１６８】・原盤１１８上に残っているレジスト層１
２１及びそのレジストの上に成膜された金属膜１２４お
よび金属膜１２５を溶剤または乾式エッチング法を用い
て除去すると図２０（ｂ）に示すようになる。

【０１６９】・その後、内外型を加工することによっ
て、光記録媒体用スタンパ１２６ができ、 図２１
（ｃ）に示すようになる。

【０１７０】図２２は図２０（ａ）から図２０（ｃ）お
よび図２１（ａ）から図２１（ｃ）に示す光記録媒体用
スタンパの作成原理を説明するための図である。

【０１７１】１２７はレーザーカッティングに用いる光
学系の回折限界によって決まる幅である。１２８は現像
部分の下部の幅であり、１２７より狭くなる。１２９は
レジスト層１２１の非現像部、１３０はレジスト層１２
１の現像部に成膜された金属膜１２４、１３１はガラス
製の原盤１３２上に形成された金属層１２０、１３２は
ガラス製の原盤であり１１８に同じである。

【０１７２】ガラス製の原盤１３２に金属膜１１９を形
成し、その金属膜１１９を電極にして金属層１２０を電
鋳し、その電鋳した上にネガ型のレジスト層１２１層形
成し、光学系の回折限界で露光し現像すると、１２９の
部分が現像されずに残る。そして現像部分は逆台形状に
なる性質がある。この逆台形になる具合いは用いるレジ
スト層１２１の性質や露光条件によって変わる。そうす
るとレジスト層１２１の表面部が回折限界の１２７の幅
であっても、レジスト層１２１がネガ型であるので１２
９の非現像部はいくらでも狭くとることができる。すな
わち、現像部は光学系の回折限界以下の１２８の幅が達
成でき、ガラス製の原盤１３２上に形成された金属層１
２０が露出する。そしてその１２８の幅で金属膜１２４
をガラス製の原盤１３２上に形成された金属層１２０の
上に成膜すると、この幅は１２８の幅となり光学系の回
折限界より狭い幅が達成できる。その後原盤１３２から
剥離して内外型を加工することによって、従来より細い
溝や小さいピットを有する光記録媒体用スタンパを形成
することが可能になり、これを用いることによって光記
録媒体の容量を増大させることができる。

【０１７３】（実施例８）以下本発明の請求項８につい
て図面に基づいて説明する。図２３（ａ）から図２３
（ｃ）および図２４（ａ）から図２４（ｃ）は本発明に
なる光記録媒体を作成するために用いるスタンパの製造
方法の概念図である。

【０１７４】１３３はガラス製の原盤、１３４はポジ型
のレジスト層、１３５は非晶性珪素膜、非晶性金属膜ま
たは微結晶性金属膜、１３６はポジ型のレジスト層、１
３７はレジスト層１３６の露光部分、１３８はレジスト
層１３６の現像部分、１３９は非晶性珪素膜、非晶性金
属膜または微結晶性金属膜のエッチング部分、１４０は
レジスト層１３４の露光部分、１４１はレジスト層１３
４の現像部分、１４２は金属膜、１４３は金属膜１４２
を電極にして電鋳される金属層、１４４は光記録媒体用
スタンパである。

【０１７５】図２３（ａ）から図２３（ｃ）および図２
４（ａ）から図２４（ｃ）に示す光記録媒体用スタンパ
の作成方法は以下のようになる。

【０１７６】・ガラス製の原盤１３３の表面をＨＭＤＳ
のベーパー処理をしてレジストとの密着性を向上させる
処理を施す。

【０１７７】・原盤１３３上にポジ型のレジスト層１３
４をスピンコート法によって塗布する。

【０１７８】・そのレジスト層１３４の上に非晶性珪素
膜、非晶性金属膜または微結晶性金属膜１３５を成膜す
る。ここではスパッタリング法を用いて真空成膜した。

【０１７９】・その非晶性珪素膜、非晶性金属膜または
微結晶性金属膜１３５の上にさらにポジ型のレジスト層
１３６をスピンコート法によって塗布する。

【０１８０】・原盤１３３を回転させながら、ＮＡが
０．９の対物レンズを用いたＨｅＣｄレーザーの光をほ
ぼ回折限界まで集光してレジスト層１３６の特定領域を
光記録媒体のパターンに応じて露光すると、レジスト層
１３６の露光部分１３７が形成され、図２３（ａ）に示
すようになる。

【０１８１】・無機アルカリ系の現像液を用いてその露
光部分を現像するとレジスト層１３６の現像部分１３８
が形成され図２３（ｂ）に示すようになる。

【０１８２】・その現像部分に開いた非晶性珪素膜、非
晶性金属膜または 微結晶性金属膜１３５の途中までド
ライエッチングすると非晶性珪素膜、非晶性金属膜また
は微結晶性金属膜のエッチング部分１３９ができる。

【０１８３】・全面に光を照射して非晶性珪素膜、非晶
性金属膜または微結晶性金属膜１３５の途中までドライ
エッチングされた部分の下部のレジスト層１３６を露光
するとレジスト層１３４の露光部分１４０ができ、図１
２（ｃ）に示すようになる。

【０１８４】・その後、無機アルカリ系の現像液で現像
することによって、レジスト層１３６の現像部分が１４
１形成される。

【０１８５】・現像されずに残ったレジスト層１３６お
よび非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶性金属膜
１３５を除去すると図１３（ａ）に示すようになる。

【０１８６】・レジスト層１３６および非晶性珪素膜、
非晶性金属膜または微結晶性金属膜１３５を除去した後
に金属膜１４２を成膜する。ここでは金属膜１４２とし
て、銀銅合金をスパッタリング法によって真空成膜し
た。

【０１８７】・その金属膜１４２を電極にして金属層１
４３膜を電鋳すると図１３（ｂ）に示すようになる。こ
こで金属層１４３としてニッケルを電鋳した。

【０１８８】・原盤１３３から剥離して非晶性珪素膜、
非晶性金属膜または微結晶性金属膜１３５および金属膜
１４２を除去する。

【０１８９】・その後、内外型を加工することによっ
て、光記録媒体用スタンパ１４４ができ、 図２４
（ｃ）に示すようになる。

【０１９０】図２５は図２３（ａ）から図２３（ｃ）お
よび図２４（ａ）から図２４（ｃ）に示す光記録媒体用
スタンパの作成原理を説明するための図である。

【０１９１】１４５はレーザーカッティングに用いる光
学系の回折限界によって決まる幅である。１４６は現像
することによって形成されるレジスト層３３の下部の幅
であり、１４５より狭くなる。１４７は非晶性珪素膜、
非晶性金属膜または微結晶性金属膜１３５をエッチング
することによって形成される溝の下部の幅であり、１４
６より狭くなる。１４８はレジスト層１３６を露光およ
び現像することによって形成される現像部、１４９はガ
ラス製の原盤であり原盤１３３に同じ、１５０はレジス
ト層１３４の非現像部、１５１は非晶性珪素膜、非晶性
金属膜または微結晶性金属膜１３５の非エッチング部、
１５２はレジスト層１３６の非現像部である。

【０１９２】ガラス製の原盤１４９に、ポジ型のレジス
ト層１３４、非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶
性金属膜１３５、ポジ型のレジスト層１３６の順に順次
形成する。そして、レーザー光を集光してレジスト層１
３６の特定領域を光記録媒体のパターンに応じて露光し
現像するとレジスト層１３６を露光および現像すること
によって形成される現像部１４８およびレジスト層１３
６の非現像部１５２が形成される。この場合レジスト層
１３６の現像部１４８は上部がレーザーカッティングに
用いる光学系の回折限界１４５によって決まる幅である
と、下部が１４６の幅となり、光学系の回折限界以下に
なる。そして、１４６の幅で開いたところの非晶性珪素
膜、非晶性金属膜または微結晶性金属膜１３５をドライ
エッチングによって途中までエッチングすると１４７の
幅が達成され、非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結
晶性金属膜の非エッチング部１５１ができる。そしてそ
のエッチング部では中心部が透過率が上昇し、端部の透
過率はそれほど上昇しない構造となる。すなわち透過率
の分布をもたせることが可能になる。そこで、この透過
率の分布を利用して、その下に形成してあるレジスト層
１３４を露光および現像するとレジスト層１３４の非現
像部１５０が形成され、現像部ではレーザーカッティン
グに用いる光学系の回折限界によって決まる幅１４５よ
り狭い１４６の幅が達成される。これによって、従来よ
り細い溝や小さいピットを有する光記録媒体用スタンパ
を形成することが可能になり、これを用いることによっ
て光記録媒体の容量を増大させることができる。

【０１９３】（実施例９）以下本発明の請求項９につい
て図面に基づいて説明する。図２６（ａ）から図２６
（ｃ）および図２７（ａ）から図２７（ｃ）は本発明に
なる光記録媒体を作成するために用いるスタンパの製造
方法の概念図である。

【０１９４】１５３はガラス製の原盤、１５４は非晶性
珪素膜、非晶性金属膜または微結晶性金属膜、１５５は
ポジ型のレジスト層、１５６はマスク、１５７はレジス
ト層１５５の露光部分、１５８はレジスト層１５５の現
像部分、１５９は非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微
結晶性金属膜のエッチング部分、１６０は金属膜、１６
１は金属層、１６２は光記録媒体用スタンパである。

【０１９５】図２６（ａ）から図２６（ｃ）および図２
７（ａ）から図２７（ｃ）に示す光記録媒体用スタンパ
の作成方法は以下のようになる。

【０１９６】・ガラス製の原盤１５３の上に非晶性珪素
膜、非晶性金属膜または微結晶性金属膜１５４を成膜す
る。ここではスパッタリング法により真空成膜した。

【０１９７】・その非晶性珪素膜、非晶性金属膜または
微結晶性金属膜１５４の上に１５５のポジ型のレジスト
層１５５をスピンコート法によって塗布する。

【０１９８】・原盤１５３を加熱してレジスト層１５５
をプリベークする。

【０１９９】・レジスト層１５５を光記録媒体の溝やピ
ットに応じたマスク１５６を用いて露光するとレジスト
層１５５の露光部分１５７が形成され図２６（ａ）に示
すようになる。

【０２００】・その露光部分をアルカリ性の現像液を用
いて現像するとレジスト層１５５の現像部分１５８が形
成され、図２６（ｂ）に示すようになる。

【０２０１】・原盤１５３を加熱して、現像されなかっ
たレジスト層１５５をアフターベークする。

【０２０２】・その現像部分に現れた非晶性珪素膜、非
晶性金属膜または微結晶性金属膜１５４をドライエッチ
ングするとそのエッチング部分１５９が形成され、図２
６（ｃ）に示すようになる。

【０２０３】・現像されなかったレジスト層１５５を溶
剤を用いて除去すると図２７（ａ）に示すようになる。

【０２０４】・金属膜１６０を成膜する。ここでは金属
膜１６０として銀銅合金を真空成膜した。

【０２０５】・その金属膜１６０と同種または異種の金
属層１６１を電鋳すると図２７（ｂ）に示すようにな
る。ここでは金属層１６１としてニッケルを電鋳したの
で、金属膜１６０と異なる金属を用いたことになる。し
かし、金属膜１６０をニッケルとし、金属層１６１もニ
ッケルとする同種の金属をもちいることも可能である。

【０２０６】・原盤１５３から剥離して、内外型を加工
することによって図２７（ｃ）に示すように光記録媒体
用スタンパ１６２が形成される。

【０２０７】図２８は図２６（ａ）から図２６（ｃ）お
よび図２７（ａ）から図２７（ｃ）に示す光記録媒体用
スタンパの作成原理を説明するための図である。

【０２０８】１６３はレーザーカッティングに用いる光
学系の回折限界によって決まる幅である。１６４は現像
することによって形成されるレジスト層１５５の下部の
幅であり、１６３より狭くなる。１６５はレジスト層１
５５を露光および現像することによって現れる下の非晶
性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶性金属膜、１６６
はガラス製の原盤であり原盤１５３に同じ、１６７は非
晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶性金属膜の非エ
ッチング部、１６８はレジスト層１５５の非現像部であ
る。

【０２０９】ガラス製の原盤１６６に、非晶性珪素膜、
非晶性金属膜または微結晶性金属膜１５４、ポジ型のレ
ジスト層１５５の順に順次形成する。そして、マスク１
５６を用いてレジスト層１５５の特定領域を光記録媒体
のパターンに応じて露光し現像するとレジスト層１５５
の非現像部１６８が形成される。この場合レジスト層１
５５の現像部は上部がレーザーカッティングに用いる光
学系の回折限界によって決まる幅１６３であると、下部
が１６４の幅となり、光学系の回折限界以下になる。そ
して、１６４の幅で開いた非晶性珪素膜、非晶性金属膜
または微結晶性金属膜１６５をドライエッチングによっ
てエッチングする。そうすると非晶性珪素膜、非晶性金
属膜または微結晶性金属膜の非エッチング部１６７がで
きる。そしてそのエッチング部を利用して、金属膜１６
０を成膜し、その金属膜１６０を電極にして金属層１６
１を電鋳し、ガラス製の原盤１６６から剥離することに
よって、従来より細い溝や小さいピットを有する光記録
媒体用スタンパを形成することが可能になり、これを用
いることによって光記録媒体の容量を増大させることが
できる。

【０２１０】（実施例１０）以下本発明の請求項１０に
ついて図面に基づいて説明する。図２９（ａ）から図２
９（ｃ）および図３０（ａ）から図３０（ｃ）は本発明
になる光記録媒体を作成するために用いるスタンパの製
造方法の概念図である。

【０２１１】１６９はガラス製の原盤、１７０はポジ型
のレジスト層、１７１は金属膜、１７２はレジスト層１
７０の露光部分、１７３はレジスト層１７０の現像部
分、１７４は金属膜、１７５は１７４を電極にして電鋳
される金属層、１７６は光記録媒体用スタンパである。

【０２１２】図２９（ａ）から図２９（ｃ）および図３
０（ａ）から図３０（ｃ）に示す光記録媒体用スタンパ
の作成方法は以下のようになる。

【０２１３】・ガラス製の原盤１６９の表面をＨＭＤＳ
のベーパー処理をしてレジストとの密着性を向上させる
処理を施す。

【０２１４】・原盤１６９の上にポジ型のレジスト層１
７０をスピンコート法によって塗布する。

【０２１５】・そのレジスト層１７０の上に金属膜１７
１を極薄く成膜すると図２９（ａ）に示すようになる。
ここではアルミニウム亜鉛合金を１５ｎｍの厚さに成膜
したが、これに限定されるものではなく無機系のアルカ
リ現像液に溶解し、極薄い場合透過率がある程度確保で
きるものであれば何ら問題ない。

【０２１６】・原盤１６９を回転させながら、ＮＡが
０．９の対物レンズを用いたＨｅＣｄレーザーの光をほ
ぼ回折限界まで集光してレジスト層１７０の特定領域を
光記録媒体のパターンに応じて露光すると、レジスト層
１７０の露光部分１７２が形成され、図２９（ｂ）に示
すようになる。

【０２１７】・無機アルカリ系の現像液を用いて金属膜
１７１および露光部分を現像するとレジスト層１７０の
現像部分１７３が形成され、図２９（ｃ）に示すように
なる。

【０２１８】・その現像部分および非現像部分に金属膜
１７４を成膜すると図３０（ａ）に示すようになる。こ
こでは金属膜１７４として銀銅合金をスパッタリング法
によって真空成膜した。

【０２１９】・その金属膜１７４と同種または異種の金
属層１７５を電鋳すると図３０（ｂ）に示すようにな
る。ここでは金属層１７５としてニッケルを電鋳した
が、金属膜１７４もニッケル膜として同種のものを用い
ることができる。

【０２２０】・原盤１６９から剥離して内外型を加工す
ることによって図３０（ｃ）に示すように光記録媒体用
スタンパ１６７が形成される。

【０２２１】図３１は図２９（ａ）から図２９（ｃ）お
よび図３０（ａ）から図３０（ｃ）に示す光記録媒体用
スタンパの作成原理を説明するための図である。

【０２２２】１７７はレーザーカッティングに用いる光
学系の回折限界によって決まる幅である。１７８は現像
することによって形成されるレジスト層１７０の幅であ
り、１７７より狭くなる。１７９はレジスト層１７０を
露光および現像することによって形成される現像部、１
８０はガラス製の原盤であり１６９に同じ、１８１はレ
ジスト層１７０の非現像部である。

【０２２３】原盤１８０の上にポジ型のレジスト層１７
０を塗布し、そのレジスト層１７０の上に金属膜１７１
を極薄く成膜し、レーザー光を集光してその金属膜１７
１上からレジスト層１７０の特定領域を露光し、現像液
を用いて金属膜１７１および露光部分を現像することに
よって、レジスト層１７０を露光および現像することに
よって形成される現像部１７９とレジスト層１７０の非
現像部１８１が形成されるが、レーザー光の強度分布の
端の部分は金属膜１７１に吸収されてレジスト層１７０
まで達しない。したがって、レーザー光の強度が強い中
心部の影響だけがレジスト層１７０上に現れ、現像する
ことによって形成されるレジスト層１７０の幅１７８が
達成され、これは１７７のレーザーカッティングに用い
る光学系の回折限界によって決まる幅より狭くなる。そ
の現像部分および非現像部分に金属膜１７４を成膜し、
その金属膜１７４と同種または異種層１７５を電鋳する
ことによって、従来より細い溝や小さいピットを有する
光記録媒体用スタンパを形成することが可能になり、こ
れを用いることによって光記録媒体の容量を増大させる
ことができる。

【０２２４】（実施例１１）以下本発明の請求項１１に
ついて図面に基づいて説明する。図３２（ａ）から図３
２（ｃ）および図３３（ａ）から図３３（ｃ）は本発明
になる光記録媒体を作成するために用いるスタンパの製
造方法の概念図である。

【０２２５】１８２はガラス製の原盤、１８３はポジ型
のレジスト層、１８４は金属膜、１８５はマスク、１８
６は金属膜１８４のエッチング部分、１８７はレジスト
層１８３の露光部分、１８８はレジスト層１８３の現像
部分、１８９は金属膜、１９０は金属層、１９１は光記
録媒体用スタンパである。

【０２２６】図３２（ａ）から図３２（ｃ）および図３
３（ａ）から図３３（ｃ）に示す光記録媒体用スタンパ
の作成方法は以下のようになる。

【０２２７】・ガラス製の原盤１８２の表面をＨＭＤＳ
のベーパー処理をしてレジストとの密着性を向上させる
処理を施す。

【０２２８】・原盤１８２の上にポジ型のレジスト層１
８３をスピンコート法によって塗布する。

【０２２９】・そのレジストの上に金属膜１８４を成膜
する。ここではアルミニウム−マグネシウム合金をスパ
ッタリング法によって真空成膜した。

【０２３０】・その金属膜１８４を光記録媒体のパター
ンに応じたマスク１８５を用いて反応性イオンエッチン
グを行なうと金属膜１８４のエッチング部分１８６が形
成され、図３２（ａ）に示すようになる。

【０２３１】・レジスト層１８３の感光波長の光をイオ
ンエッチング部全面に照射してイオンエッチング部分に
開いたレジスト層１８３を感光させるとレジスト層１８
３の露光部分１８７が形成され、図３２（ｂ）に示すよ
うになる。

【０２３２】・レジスト層１８３の露光部分１８７を現
像ずるとレジスト層１８３の現像部分１８８が形成され
る。

【０２３３】・エッチングされなかった金属膜１８４を
除去すると図３２（ｃ）に示すようになる。

【０２３４】・金属膜１８９を成膜すると図３３（ａ）
に示すようになる。

【０２３５】・その金属膜１８９を電極にして金属層１
９０を電鋳すると図３３（ｂ）に示すようになる。ここ
では金属層１９０としてニッケルを電鋳した。

【０２３６】・原盤１８２から剥離して内外型を加工す
ることによって図３３（ｃ）に示すように光記録媒体用
スタンパ１９１が形成される。

【０２３７】図３４は図３２（ａ）から図３２（ｃ）お
よび図３３（ａ）から図３３（ｃ）に示す光記録媒体用
スタンパの作成原理を説明するための図である。

【０２３８】１９２は光学系の回折限界によって決まる
幅である。１９３は現像することによって形成されるレ
ジスト層１８３の幅であり、１９２より狭くなる。１９
４はガラス製の原盤であり１８２に同じ、１９５は金属
膜１８４の非エッチング部、１９６はレジスト層１８３
の非現像部である。

【０２３９】原盤１９４の上にポジ型のレジスト層１８
３を塗布し、そのレジストの上に金属膜１８４を成膜
し、その金属膜を光記録媒体のパターンに応じたマスク
を用いて反応性イオンエッチングを行なう。このときマ
スクが光学系の回折限界の１９２の幅で形成されている
と、それによって形成されるエッチング部分は１９２の
幅になるが、そのエッチングすることによってその部分
は台形状となる性質があるため、その部分の下部は１９
３の幅となる。そして、金属膜１８４の非エッチング部
１９５が形成される。次に、レジスト層１８３の感光波
長の光をイオンエッチング部全面に照射し、イオンエッ
チング部分に開いたレジスト層１８３を感光させ、金属
膜１８４の非エッチング部１９５に残った金属膜１８４
を除去し、現像するとレジスト層１８３の非現像部１９
６が形成される。その後、金属膜１８９を成膜し、その
金属膜１８９を電極にして金属層１９０を電鋳すること
によって、従来より細い溝や小さいピットを有する光記
録媒体用スタンパを形成することが可能になり、これを
用いることによって光記録媒体の容量を増大させること
ができる。

【０２４０】（実施例１２）以下本発明の請求項１２に
ついて図面に基づいて説明する。図３５（ａ）から図３
５（ｃ）および図３６（ａ）から図３６（ｃ）は本発明
になる光記録媒体を作成するために用いるスタンパの製
造方法の概念図である。

【０２４１】１９７はガラス製の原盤、１９８はレジス
ト層、１９９は金属膜、２００はポジ型のレジスト層、
２０１はレジスト層２００の露光部分、２０２は金属膜
１９９のエッチング部分、２０３はレジスト層１９８の
現像部分、２０４は金属膜、２０５は金属膜２０４を電
極にして電鋳される金属層、２０６は光記録媒体用スタ
ンパである。

【０２４２】図３５（ａ）から図３５（ｃ）および図３
６（ａ）から図３６（ｃ）に示す光記録媒体用スタンパ
の作成方法は以下のようになる。

【０２４３】・ガラス製の原盤１９７の表面をＨＭＤＳ
のベーパー処理をしてレジストとの密着性を向上させる
処理を施す。

【０２４４】・原盤１９７の上にポジ型のレジスト層１
９８をスピンコート法によって塗布する。

【０２４５】・そのレジスト層１９８の上に金属膜１９
９膜を形成する。ここでは銀銅合金をスパッタリング法
による真空成膜によって形成した。

【０２４６】・その金属膜１９９膜の上にさらにポジ型
のレジスト層２００をスピンコート法によって塗布す
る。

【０２４７】・原盤１９７を回転させながら、ＮＡが
０．９の対物レンズを用いたＨｅＣｄレーザーの光をほ
ぼ回折限界まで集光してレジスト層２００の特定領域を
光記録媒体のパターンに応じて露光すると、レジスト層
２００の露光部分２０１が形成され、図３５（ａ）に示
すようになる。

【０２４８】・現像液を用いてその露光部分を現像す
る。

【０２４９】・その現像部分に開いた金属膜１９９膜を
エッチングすると金属膜１９９のエッチング部２０２が
形成され、図３５（ｂ）に示すようになる。

【０２５０】・レジスト層１９８の感光波長の光をその
エッチング部２０２全面に照射して、そのエッチング部
分に開いたレジスト層１９８を露光する。

【０２５１】・現像液を用いてそのレジスト層１９８の
露光部分およびレジスト層２００を現像すると、図３５
（ｃ）に示すようにレジスト層１９８の現像部分２０３
が形成される。

【０２５２】・エッチングされなかった金属膜１９９膜
を除去する。

【０２５３】・金属膜２０４を成膜すると図３６（ａ）
に示すようになる。

【０２５４】・その金属膜２０４を電極にして金属層２
０５を電鋳すると図３６（ｂ）に示すようになる。ここ
では金属層２０５としてニッケルを電鋳した。

【０２５５】・原盤１９７から剥離して内外型を加工す
ることによって図３６（ｃ）に示すように光記録媒体用
スタンパ２０６が形成される。

【０２５６】図３７は図３５（ａ）から図３５（ｃ）お
よび図３６（ａ）から図３６（ｃ）に示す光記録媒体用
スタンパの作成原理を説明するための図である。

【０２５７】２０７はレーザーカッティングに用いる光
学系の回折限界によって決まる幅である。２０８は現像
することによって形成されるレジスト層２００の下部の
幅であり、２０７より狭くなる。２０９は金属膜１９９
膜をエッチングすることによって形成される溝の下部の
幅であり、２０８より狭くなる。２１０はガラス製の原
盤であり原盤１９７に同じ、２１１はレジスト層１９８
の非現像部、２１２は金属膜１９９の非エッチング部、
２１３はレジスト層２００の非現像部である。原盤２１
０の上にポジ型のレジスト層１９８を塗布し、そのレジ
スト層１９８の上に金属膜１９９膜を形成し、その金属
膜１９９膜の上にさらにポジ型のレジスト層２００を塗
布し、レーザー光を集光してそのレジスト層２００の特
定領域を露光し、現像液を用いてその露光部分を現像す
ることによって、レジスト層１９８の非現像部２１１が
形成されるが、この場合現像部分の上部はレーザーカッ
ティングに用いる光学系の回折限界によって決まる幅２
０７であるが、下部は２０７の幅となる。また、その現
像部分に開いた金属膜１９９膜をエッチングすると、金
属膜１９９膜の非エッチング部２１２が形成されるが、
そのときエッチング形状は台形状となるため上部は２０
８の幅であるが、下部は２０９の幅となる。その後レジ
スト層１９８の感光波長の光をそのエッチング部分全面
に照射し、そのエッチング部分に開いたレジスト層１９
８を露光し、現像液を用いてそのレジスト層１９８の露
光部分およびレジスト層２００の非現像部２１３を除去
し、金属膜１９９の非エッチング部を除去し、金属膜２
０４を成膜し、その金属膜２０４を電極にして金属層２
０５を電鋳することによって、従来より細い溝や小さい
ピットを有する光記録媒体用スタンパを形成することが
可能になり、これを用いることによって光記録媒体の容
量を増大させることができる。

【０２５８】（実施例１３）以下本発明の請求項１３に
ついて図面に基づいて説明する。図３８（ａ）から図３
８（ｃ）および図３９（ａ）から図３９（ｃ）は本発明
になる光記録媒体を作成するために用いるスタンパの製
造方法の概念図である。

【０２５９】２１４はガラス製の原盤、２１５はポジ型
のレジスト層、２１６はレジスト層２１５の露光部分、
２１７はレジスト層２１５の現像部分、２１８はＬＢ
（ラングミュアーブロジェット）膜、２１９は金属膜、
２２０は金属膜２１９を電極にして電鋳される金属層、
２２１は光記録媒体用スタンパである。

【０２６０】図３８（ａ）から図３８（ｃ）および図３
９（ａ）から図３９（ｃ）に示す光記録媒体用スタンパ
の作成方法は以下のようになる。

【０２６１】・ガラス製の原盤２１４の表面をＨＭＤＳ
のベーパー処理をしてレジストとの密着性を向上させる
処理を施す。

【０２６２】・原盤２１４の上にポジ型のレジスト層２
１５を塗布する。

【０２６３】・レーザー光を集光して原盤２１４を回転
させながらレジスト層２１５の特定領域を、光記録媒体
のパターンに応じて露光するとレジスト層２１５の露光
部２１６が形成され、図３８（ａ）に示すようになる。

【０２６４】・現像液によってレジスト層２１５の露光
部分を現像するとレジストの現像部分２１７が形成され
図３８（ｂ）に示すようになる。

【０２６５】・レジスト層２１５を現像した後ＬＢ膜２
１８を形成して現像部分の溝を細く浅くすると図３８
（ｃ）に示すようになる。

【０２６６】・そのＬＢ膜２１８の上に金属膜２１９を
成膜すると図３９（ａ）に示すようになる。ここでは金
属膜２１９として銀銅合金をスパッタリング法によって
真空成膜した。

【０２６７】・その金属膜２１９と同種または異種の金
属層２２０を電鋳すると図３９（ｂ）に示すようにな
る。ここでは金属層２２０としてニッケルを電鋳した。

【０２６８】・原盤２１４から剥離して内外型を加工す
ることによって図３９（ｃ）に示すように光記録媒体用
スタンパ２２１が形成される。

【０２６９】図４０は図３８（ａ）から図３８（ｃ）お
よび図３９（ａ）から図３９（ｃ）に示す光記録媒体用
スタンパの作成原理を説明するための図である。

【０２７０】２２２はレーザーカッティングに用いる光
学系の回折限界によって決まる幅である。２２３はＬＢ
膜によって狭められた幅であり、２２２より狭くなる。
２２４はガラス製の原盤であり原盤２１４に同じ、２２
５はレジスト層２１５の非現像部、２２６はＬＢ膜があ
った部分である。

【０２７１】原盤２２４の上にポジ型のレジスト層２１
５を塗布し、レーザー光を集光して原盤２２４を回転さ
せながらレジスト層２１５の特定領域を露光し、現像液
によってレジスト層２１５の露光部分を現像すると、レ
ジスト層２１５の非現像部２２５が形成される。その後
ＬＢ膜を形成して、前述の現像部分の溝を細く浅くす
る。そうすると、レーザーカッティングに用いる光学系
の回折限界によって決まる幅２２２より狭い２２３の幅
が達成される。その後、金属膜２１９を成膜し、その金
属膜２１９と同種または異種の金属層２２０を電鋳し、
原盤２２４から剥離することによって、２２６のＬＢ膜
にあった分だけ溝は細く浅くなる。そして、これによっ
て、従来より細い溝や小さいピットを有する光記録媒体
用スタンパを形成することが可能になり、これを用いる
ことによって光記録媒体の容量を増大させることができ
る。

【０２７２】本実施例ではＬＢ膜を用いた系について説
明したが、これに限定されるものではない。ＬＢ膜のよ
うに厚さが均一に形成できるものであればよいので、有
機膜をスパッタリング、ＣＶＤ等の方法によって形成す
る場合でも同様の結果が得られる。

【０２７３】（実施例１４）以下本発明の請求項１４に
ついて図面に基づいて説明する。図４１（ａ）から図４
１（ｃ）および図４２（ａ）から図４２（ｃ）は本発明
になる光記録媒体を作成するために用いるスタンパの製
造方法の概念図である。

【０２７４】２２７はガラス製の原盤、２２８は金属
膜、２２９は金属膜２２８を電極にして電鋳される金属
層、２３０はポジ型のレジスト層、２３１はレジスト層
２３０の露光部分、２３２はレジスト層２３０の現像部
分、２３３は金属層２２９のエッチング部分、２３４は
金属膜、２３５は金属膜２３４を電極にして電鋳される
金属層、２３６は光記録媒体用スタンパである。

【０２７５】図４１（ａ）から図４１（ｃ）および図４
２（ａ）から図４２（ｃ）に示す光記録媒体用スタンパ
の作成方法は以下のようになる。

【０２７６】・ガラス製の原盤２２７の表面をＨＭＤＳ
のベーパー処理をしてレジストとの密着性を向上させる
処理を施す。

【０２７７】・原盤２２７の上に金属膜２２８を成膜す
る。ここでは金属膜２２８として銀銅合金をスパッタリ
ング法によって真空成膜した。

【０２７８】・その金属膜２２８を電極にして金属層２
２９を電鋳する。ここでは金属層２２９としてニッケル
層を電鋳した。

【０２７９】・その金属層２２９の上にポジ型のレジス
ト層２３０を塗布する。

【０２８０】・レーザー光を集光してそのレジスト層２
３０の特定領域を、光記録媒体のパターンに応じて露光
すると、図４１（ａ）に示すように、レジスト層２３０
の露光部分２３１が形成される。

【０２８１】・現像液を用いてその露光部分を現像する
と、図４１（ｂ）に示すようにのレジスト層２３０の現
像部分２３２が形成される。この場合、レジストの現像
は上部が下部より幅の広い台形状になる傾向があり、こ
れによって従来より細い線を描くことが可能になる。

【０２８２】・ドライエッチングでその現像部分に露出
した金属膜２２８をエッチングすると図４１（ｃ）に示
すように、金属層２２９のエッチング部分２３３が形成
される。

【０２８３】・溶剤を用いて現像されなかったレジスト
層２３０を除去する。

【０２８４】・金属膜２３４を成膜すると図４２（ａ）
に示すようになる。ここでは金属膜２３４として銀銅合
金をスパッタリング法によって真空成膜した。

【０２８５】・その金属膜２３４の上に金属層２３５を
電鋳すると図４２（ｂ）のようになる。 ここでは金属
層２３５としてニッケルを電鋳した。

【０２８６】・原盤２２７から剥離して、金属膜２３４
を除去し、内外型を加工することによって図４２（ｃ）
に示すように２３６の光記録媒体用スタンパが形成され
る。図４３は図４１（ａ）から図４１（ｃ）および図４
２（ａ）から図４２（ｃ）に示す光記録媒体用スタンパ
の作成原理を説明するための図である。

【０２８７】２３７はレーザーカッティングに用いる光
学系の回折限界によって決まる幅である。２３８は現像
することによって形成されるレジスト層２３０の下部の
幅であり、２３７より狭くなる。２３９はガラス製の原
盤であり原盤２２７に同じ、２４０はレジスト層２３０
の非現像部、２４１は金属層２２９の非エッチング部で
ある。

【０２８８】原盤２３９の上に金属膜２２８を成膜し、
その金属膜２２８を電極にして金属層２２９を電鋳し、
その金属層２２９の上にポジ型のレジスト層２３０を塗
布し、レーザー光を集光してそのレジスト層２３０の特
定領域を露光し、現像液を用いてその露光部分を現像す
ると、レジスト層２３０の非現像部２４０が形成され、
その現像部分は上部が広い台形状になる性質があるた
め、その現像部分の上部はレーザーカッティングに用い
る光学系の回折限界によって決まる幅２３７となり、下
部は２３８の幅となる。そして、ドライエッチングでそ
の現像部分に露出した金属膜２２８をエッチングする
と、レジスト層２３０の非現像部２４０が形成される。
その後レジスト層２３０の非現像部２４０を溶剤を用い
て除去し、金属膜２３４を成膜し、その金属膜２３４の
上に金属層２３５を電鋳し、原盤２３９から剥離し、金
属膜２３４を除去することによって、従来より細い溝や
小さいピットを有する光記録媒体用スタンパを形成する
ことが可能になり、これを用いることによって光記録媒
体の容量を増大させることができる。

【０２８９】（実施例１５）以下本発明の請求項１５に
ついて図面に基づいて説明する。図４４（ａ）から図４
４（ｃ）および図４５（ａ）から図４５（ｃ）は本発明
になる光記録媒体を作成するために用いるスタンパの製
造方法の概念図である。

【０２９０】２４２はガラス製の原盤、２４３は金属
膜、２４４はポジ型のレジスト層、２４５はレジスト層
２４４の露光部分、２４６はレジスト層２４４の現像部
分、２４７は酸化珪素層、２４８はレジスト層２４４の
非現像部分、２４９は金属膜２４３のエッチング部分、
２５０は金属膜、２５１は２５０の金属膜を電極にして
電鋳される金属層、２５２は光記録媒体用スタンパであ
る。

【０２９１】図４４（ａ）から図４４（ｃ）および図４
５（ａ）から図４５（ｃ）に示す光記録媒体用スタンパ
の作成方法は以下のようになる。

【０２９２】・ガラス製の原盤２４２の上に金属膜２４
３を成膜する。

【０２９３】ここでは金属膜２４３として銀銅合金をス
パッタリング法によって真空成膜した。

【０２９４】・その金属膜２４３の上にレジスト層２４
４をスピンコート法によって塗布する。

【０２９５】・ＮＡが０．９の光学系を用いてほぼ回折
限界まで集光したＨｅＣｄレーザーを用いて、そのレジ
スト層２４４の特定領域を露光すると２４５の２０のレ
ジストの露光部分が形成され、図４４（ａ）に示すよう
になる。

【０２９６】・無機アルカリ系の現像液を用いてその露
光部分を現像するとレジスト層２４４の現像部分２４６
が形成される。

【０２９７】・そして、酸化珪素層２４７を形成すると
図４４（ｂ）に示すようになる。

【０２９８】・レジスト層２４４の非現像部分をドライ
エッチングで除去すると、図４４（ｃ） に示すように
なる。この場合、レジスト層２４４の非露光部分を狭く
とること によって、その部分を後からエッチングする
ので解像度を自由にとることがで き、それによって高
解像度のものが実現できる。

【０２９９】・そのレジスト層２４４の除去部分に現れ
た金属膜２４３をエッチングすると金属膜２４３のエッ
チング部分２４９が形成される。

【０３００】・そして酸化珪素層２４７もエッチングし
て除去すると図４５（ａ）に示すようになる。

【０３０１】・金属膜２５０を成膜する。ここでは金属
膜２５０としてニッケルをスパッタリング法によって真
空成膜した。

【０３０２】・その金属膜２５０の上に金属層２５１を
電鋳すると図４５（ｂ）に示すようになる。ここでは金
属膜２５０としてニッケルを電鋳した。

【０３０３】・原盤２４２から剥離して、金属膜２４３
を除去し、内外型を加工することによって図４５（ｃ）
に示すように２５２の光記録媒体用スタンパが形成され
る。図４６は図４４（ａ）から図４４（ｃ）および図４
５（ａ）から図４５（ｃ）に示す光記録媒体用スタンパ
の作成原理を説明するための図である。

【０３０４】２５３はレーザーカッティングに用いる光
学系の回折限界によって決まる幅である。２５４はエッ
チングすることによって形成される金属膜２４３の溝の
幅である。２５５はガラス製の原盤であり原盤２４２に
同じ、２５６は酸化珪素層、２５７は酸化珪素層の非エ
ッチング部である。

【０３０５】ガラス製の原盤２５５の上に金属膜２４３
を成膜し、その金属膜２４３の上にレジスト層２４４を
塗布し、レーザー光を用いてそのレジスト層２４４の特
定領域を露光し、現像液を用いてその露光部分を現像す
ると２５４の幅が形成され、レジスト層２４４の非現像
部が形成される。そして、酸化珪素層を形成し、レジス
ト層２４４の非現像部分をドライエッチングで除去す
る。このときレジスト層２４４の非現像部分は現像部分
に挟まれた格好になるので狭くとることが可能である。
そして、その除去部分に現れた金属膜２４３をエッチン
グすると、そのエッチング部分は光学系の回折限界であ
る２５３より狭くとりことができる。それから金属膜２
４３の上に残っている酸化珪素層２４７を除去すると酸
化珪素層２４７の非エッチング部２５７ができる。そし
て、金属膜２５０を成膜し、その金属膜２５０の上に金
属層２５１を電鋳して原盤２５５から剥離し、金属膜２
４３を除去することによって、従来より細い溝や小さい
ピットを有する光記録媒体用スタンパを形成することが
可能になり、これを用いることによって光記録媒体の容
量を増大させることができる。

【０３０６】（従来例との比較）本実施例の各項に述べ
た方法により作製した光記録媒体用スタンパを用いた光
記録媒体の概念図を図１に示す。１はポリカーボネート
の基板、２および４はＳｉＡｌＮのセラミックス層、３
は記録層、５は反射層、６は保護コート層、７はハード
コート層、８はハブである。本実施例の各項に示した方
法で作製した光記録媒体用スタンパを用い、ポリカーボ
ネートの基板を成形し、４１５ｎｍの短波長レーザーを
用いて記録および再生を行なったところ、記録密度が従
来より３から４倍増加させることが可能であった。

【０３０７】ポリカーボネートの基板１は本実施例の各
項に述べた方法によって作成したスタンパを用いた射出
圧縮成形によって作成した。この基板作成方法は射出圧
縮成形に限らす、紫外線硬化樹脂を用いたフォトポリマ
ー法を用いてもよい。ＳｉＡｌＮのセラミック層２およ
び４はＳｉＡｌの焼結ターゲットを用いて窒素とアルゴ
ンの混合ガスを導入することによるＲＦ反応マグネトロ
ンスパッタ法によって成膜した。このセラミックス層は
光記録媒体の記録再生に用いる光に対して透明なもので
あればほとんどのものを用いることができるので、Ｓｉ
Ｎ、ＡｌＮ等を用いても構わない。これらの実施例の各
項に示した光記録媒体用のスタンパは溝幅を０．２５μ
ｍとし、トラック溝ピッチを０．９μｍとした。記録膜
３には４００ｎｍ付近でカー回転角の大きくとれるよう
にＰｔ／Ｃｏ系の周期多層膜を用いた。このＰｔ／Ｃｏ
系の周期多層膜はＣｏとＰｔを多層交互に成膜したもの
である。この記録膜にはＴｂＦｅＣｏＣｒ／ＮｄＣｏ／
ＴｂＦｅＣｏの多層膜やＮｄＤｙＦｅＣｏ／ＮｄＣｏ／
ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＴｂＦｅＣｏ／ＮｄＣｏ／
ＮｄＤｙＴｂＦｅＣｏを用いても同様な結果が得られ
た。反射層５にはアルミニウムとチタンの合金ターゲッ
トを用いてアルゴンガスを導入することによるＤＣマグ
ネトロンスパッタ法によって成膜した。保護コート層６
には紫外線硬化樹脂をスピンコート法によって塗布し硬
化させたものを用いた。ハードコート層７にも紫外線硬
化樹脂を用いたが、保護コート層６より薄くて硬化後の
表面硬度が高くなるものを用いた。

【０３０８】次に、従来の方法によって作成した場合と
の比較について説明する。従来の方法はまず、ガラス製
の原盤にＨＭＤＳのベーパー処理をしてポジ型のレジス
トを塗布してレジスト層を約１５００Å形成する。４４
２ｎｍ波長のＨｅＣｄガスレーザーを焦光し、塗布しプ
リベークしたレジスト層の特定領域を光記録媒体のパタ
ーンに応じて露光する。その後水でリンスして露光した
部分のレジスト中のナフトキノンジアジドをインデンカ
ルボン酸にする反応を促す。そして、無機または有機ア
ルカリ系の現像液を用いてその露光部分のレジスト層を
現像する。現像が終わったレジストはアフターベークし
た後、表面にニッケル層をスパッタ法によって約１００
０Å成膜する。そしてこの形成したニッケル層を電極に
してさらにニッケルを電鋳する。その後、電鋳したニッ
ケル層をガラス製の原盤から剥離し、外周部及び内周部
を加工して光記録媒体用スタンパを形成する。この場合
ＨｅＣｄレーザーを用いて、対物レンズのＮＡをほぼ最
大の０．９にしても、レーザー光のスポットの直径が
０．４μｍより小さくならないため得られる溝の幅やピ
ット径は略０．４μｍであった。

【０３０９】以上のように、従来の場合はスポット径が
略０．４μｍであり、形成された溝やピットの幅は０．
４μｍより大きくなったのに対し、本実施例１から１２
に示す本発明による方法を用いると０．３μｍから０．
２μｍの幅の溝やピットを形成することが可能であっ
た。

【０３１０】本実施例の各項に示すプリベークおよびア
フターベークの方法として、ホットプレート上に原盤を
乗せて加熱する方法、温風循環乾燥機を用いる方法、赤
外線加熱、オーブンベーク法などを用いることができ
る。また、本実施例の各項で用いたポジ型のレジストは
ナフトキノンジアジド−ノボラックノ樹脂系を用いた。
尚、本発明はこれらの実施例に限定されると考えるべき
ではなく、本発明の主旨を逸脱しない限り種々の変更は
可能である。

【０３１１】例えば、本実施例１から１５において、ガ
ラス製の原盤を用いたが、ガラスに限らずアルミナ、シ
リカ、マグネシア、サイアロン、シリコンカーバイト、
シリコンウエハー、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの
セラミックスや半金属物質を用いてもよい。

【０３１２】また、本実施例の各項において示された後
で溶解される金属膜には２つの条件が必要になる。一つ
は真空成膜したときにグレインサイズが小さいこと、も
う一つは光記録媒体用スタンパの材質となる金属と異な
る条件で分離できるものでなければならない。すなわ
ち、特殊な溶液によって溶解できることが必要になる。
従って、本実施例のように真空成膜したときにグレイン
サイズが小さくなるように銀に珪素、銅、ゲルマニウ
ム、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛などの金属を含
むものを過酸化水素−アンモニア系の銀剥離液で剥離す
ること、あるいはアルミニウム、マグネシウム、亜鉛な
どの両性金属に種々の不純物を添加してグレインサイズ
を小さくして、後でアルカリ溶液によって溶解させるこ
となど、反応性の違いを利用することもできる。

【０３１３】そして、本実施例では単板構造の光記録媒
体について説明したが、単板構造のものをホットメルト
型の接着剤、エポキシ樹脂あるいはウレタン樹脂等から
なる接着剤で接着した構造についてもなんら問題なく応
用できる。

【０３１４】さらに、本実施例の各項において用いた光
学系の回折限界以下の解像方法は、半導体をはじめとす
るレジストを用いた多くの解像方法に応用できる。

【０３１５】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば光記録
媒体に用いるスタンパのトラック溝の幅を従来のものよ
り細く、ピットを従来のものより小さくできるので、光
記録媒体の記録密度を増加させる短波長記録のための記
録膜を用いた系に必要な基板を提供することができるよ
うになり、それによって光記録媒体の記録密度を増加さ
せることが可能になるという効果を有する。また、従来
の光学系を用いて、従来より細い溝や小さいピットを形
成できるので、半導体をはじめとするレジストを用いた
解像において高解像度化が可能になるという効果も有す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の基本構成図である。

【図２】図２（ａ）から図２（ｃ）は本発明になる請求
項１に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の概念図で
ある。

【図３】図３（ａ）から図３（ｃ）も本発明になる請求
項１に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の概念図で
あり、図２のつづきである。

【図４】図４は請求項１に示す本発明になる記録媒体を
作成するために用いるスタンパの作成原理を説明するた
めの図である。

【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）は本発明になる請求
項２に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の概念図で
ある。

【図６】図６（ａ）から図６（ｃ）も本発明になる請求
項２に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の概念図で
あり、図５のつづきである。

【図７】図７は請求項２に示す本発明になる光記録媒体
を作成するために用いるスタンパの作成原理を説明する
ための図である。

【図８】図８（ａ）から図８（ｃ）は本発明になる請求
項３に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の概念図で
ある。

【図９】図９（ａ）から図９（ｃ）は本発明になる請求
項３に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の概念図で
あり、図８のつづきである。

【図１０】図１０は請求項３に示す本発明になる光記録
媒体を作成するために用いるスタンパの作成原理を説明
するための図である。

【図１１】図１１（ａ）から図１１（ｃ）は本発明にな
る請求項４に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の概
念図である。

【図１２】図１２（ａ）から図１２（ｃ）は本発明にな
る請求項４に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の概
念図であり、図１１のつづきである。

【図１３】図１３は請求項４に示す本発明になる光記録
媒体を作成するために用いるスタンパの作成原理を説明
するための図である。

【図１４】図１４（ａ）から図１４（ｃ）は本発明にな
る請求項５に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の概
念図である。

【図１５】図１５（ａ）から図１５（ｃ）は本発明にな
る請求項５に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の概
念図であり、図１４のつづきである。

【図１６】図１６は請求項５に示す本発明になる光記録
媒体を作成するために用いるスタンパの作成原理を説明
するための図である。

【図１７】図１７（ａ）から図１７（ｃ）は本発明にな
る請求項６に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の概
念図である。

【図１８】図１８（ａ）から図１８（ｃ）は本発明にな
る請求項６に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の概
念図であり、図１７のつづきである。

【図１９】図１９は請求項６に示す本発明になる光記録
媒体を作成するために用いるスタンパの作成原理を説明
するための図である。

【図２０】図２０（ａ）から図２０（ｃ）は本発明にな
る請求項７に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の概
念図である。

【図２１】図２１（ａ）から図２１（ｃ）は本発明にな
る請求項７に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の概
念図であり、図２０のつづきである。

【図２２】図２２は請求項７に示す本発明になる光記録
媒体を作成するために用いるスタンパの作成原理を説明
するための図である。

【図２３】図２３（ａ）から図２３（ｃ）は本発明にな
る請求項８に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の概
念図である。

【図２４】図２４（ａ）から図２４（ｃ）は本発明にな
る請求項８に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の概
念図であり、図２３のつづきである。

【図２５】図２５は請求項８に示す本発明になる光記録
媒体を作成するために用いるスタンパの作成原理を説明
するための図である。

【図２６】図２６（ａ）から図２６（ｃ）は本発明にな
る請求項９に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の概
念図である。

【図２７】図２７（ａ）から図２７（ｃ）は本発明にな
る請求項９に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の概
念図であり、図２６のつづきである。

【図２８】図２８は請求項９に示す本発明になる光記録
媒体を作成するために用いるスタンパの作成原理を説明
するための図である。

【図２９】図２９（ａ）から図２９（ｃ）は本発明にな
る請求項１０に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の
概念図である。

【図３０】図３０（ａ）から図３０（ｃ）は本発明にな
る請求項１０に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の
概念図であり、図２９のつづきである。

【図３１】図３１は請求項１０に示す本発明になる光記
録媒体を作成するために用いるスタンパの作成原理を説
明するための図である。

【図３２】図３２（ａ）から図３２（ｃ）は本発明にな
る請求項１１に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の
概念図である。

【図３３】図３３（ａ）から図３３（ｃ）は本発明にな
る請求項１１に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の
概念図であり、図３２のつづきである。

【図３４】図３４は請求項１１に示す本発明になる光記
録媒体を作成するために用いるスタンパの作成原理を説
明するための図である。

【図３５】図３５（ａ）から図３５（ｃ）は本発明にな
る請求項１２に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の
概念図である。

【図３６】図３６（ａ）から図３６（ｃ）は本発明にな
る請求項１２に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の
概念図であり、図３５のつづきである。

【図３７】図３７は請求項１２に示す本発明になる光記
録媒体を作成するために用いるスタンパの作成原理を説
明するための図である。

【図３８】図３８（ａ）から図３８（ｃ）は本発明にな
る請求項１３に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の
概念図である。

【図３９】図３９（ａ）から図３９（ｃ）は本発明にな
る請求項１３に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の
概念図であり、図３８のつづきである。

【図４０】図４０は請求項１３に示す本発明になる光記
録媒体を作成するために用いるスタンパの作成原理を説
明するための図である。

【図４１】図４１（ａ）から図４１（ｃ）は本発明にな
る請求項１４に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の
概念図である。

【図４２】図４２（ａ）から図４２（ｃ）は本発明にな
る請求項１４に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の
概念図であり、図４１のつづきである。

【図４３】図４３は請求項１４に示す本発明になる光記
録媒体を作成するために用いるスタンパの作成原理を説
明するための図である。

【図４４】図４４（ａ）から図４４（ｃ）は本発明にな
る請求項１５に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の
概念図である。

【図４５】図４５（ａ）から図４５（ｃ）は本発明にな
る請求項１５に示す光記録媒体用スタンパの製造方法の
概念図であり、図４４のつづきである。

【図４６】図４６は請求項１５に示す本発明になる光記
録媒体を作成するために用いるスタンパの作成原理を説
明するための図である。

【符号の説明】

１・・・ポリカーボネートの基板 ２・・・ＳｉＡｌＮ層 ３・・・記録層 ４・・・ＳｉＡｌＮ層 ５・・・反射層 ６・・・保護コート層 ７・・・ハードコート層 ８・・・ハブ ９・・・ガラス製の原盤 １０・・ポジ型のレジスト層 １１・・有機シリカ層 １２・・ポジ型のレジスト層 １３・・レジストの露光部分 １４・・レジストの現像部分 １５・・有機シリカ層のエッチング予定部分 １６・・有機シリカ層のエッチング部分 １７・・レジストの現像予定部分 １８・・レジストの現像部分 １９・・金属膜 ２０・・金属膜 ２１・・金属膜２０を電極にして電鋳される金属層 ２２・・光記録媒体用スタンパ ２３・・レーザーカッティングに用いる光学系の回折限
界によって決まる幅 ２４・・現像することによって形成されるレジスト層１
２の下部の幅 ２５・・有機シリカ層１１をエッチングすることによっ
て形成される下部の幅 ２６・・ガラス製の原盤であり原盤９に同じ ２７・・レジスト層１０の非現像部 ２８・・有機シリカ層１１の非エッチング部 ２９・・レジスト層１２の非現像部 ３０・・ガラス製の原盤 ３１・・ポジ型のレジスト層 ３２・・有機シリカ層 ３３・・ポジ型のレジスト層 ３４・・レジスト層３３の露光部分 ３５・・レジスト層３３の現像部分 ３６・・有機シリカ層３２のエッチング予定部分 ３７・・レジスト層３３の現像部分 ３８・・レジスト層３１の現像予定部分 ３９・・金属膜 ４０・・金属膜 ４１・・金属層 ４２・・金属膜 ４３・・金属層 ４４・・光記録媒体用スタンパ ４５・・レーザーカッティングに用いる光学系の回折限
界によって決まる幅 ４６・・現像することによって形成されるレジスト層３
３の下部の幅 ４７・・有機シリカ層３２をエッチングすることによっ
て形成される溝の下部の幅 ４８・・レジスト層３１を露光および現像することによ
ってガラス製の原盤３０上に開く現像部 ４９・・ガラス製の原盤であり原盤３０に同じ ５０・・レジスト層３１の非現像部 ５１・・有機シリカ層３２の非エッチング部 ５２・・レジスト層３３の非現像部 ５３・・ガラス製の原盤 ５４・・金属膜 ５５・・金属層 ５６・・ポジ型のレジスト層 ５７・・有機シリカ層 ５８・・ポジ型のレジスト層 ５９・・レジスト層５６の露光部分 ６０・・レジスト層５６の現像部分 ６１・・有機シリカ層５７のエッチング予定部分 ６２・・有機シリカ層５７のエッチング部分 ６３・・レジスト層５６の現像予定部分 ６４・・金属膜 ６５・・完成した光記録媒体用スタンパ ６６・・レーザーカッティングに用いる光学系の回折限
界によって決まる幅 ６７・・現像することによって形成されるレジスト層５
８の下部の幅 ６８・・有機シリカ層５７をエッチングすることによっ
て形成される溝の下部の幅 ６９・・レジスト層５６を露光および現像することによ
ってガラス製の原盤７１上に開く現像部 ７０・・レジスト層５６をエッチングすることによって
露出した金属層５５に成膜された金属膜６４ ７１・・ガラス製の原盤であり原盤５３に同じ ７２・・電鋳によって形成された金属層であり金属層５
５に同じ ７３・・レジスト層５６の非現像部 ７４・・有機シリカ層５７の非エッチング部 ７５・・レジスト層５８の非現像部 ７６・・ガラス製の原盤 ７７・・ポジ型のレジスト層 ７８・・レジスト層７７の表面処理部分 ７９・・レジスト層７７の露光部分 ８０・・表面処理をしない場合の現像部分 ８１・・ＤｅｅｐＵＶ処理または加熱処理による表面処
理をする場合の現像部分 ８２・・紫外線照射またはオゾン処理により現像ととも
に表面処理部が除去されたときのレジスト層７７の現像
部分 ８３・・金属膜 ８４・・金属層 ８５・・光記録媒体用スタンパ ８６・・レーザーカッティングに用いる光学系の回折限
界によって決まる幅 ８７・・現像することによって形成されるレジスト層７
７の幅 ８８・・ガラス製の原盤であり原盤７６に同じ ８９・・レジスト層７７の非現像部レーザーカッティン
グに用いる光学系の回折限界によって決まる幅 ９０・・ガラス製の原盤 ９１・・ポジ型のレジスト層 ９２・・レーザー光照射によってカッティングに用いる
レーザー光の透過率が上昇する性質を有する水溶性樹脂
層 ９３・・水溶性樹脂層９２およびレジスト層９１の露光
部分 ９４・・水溶性樹脂層の現像部分 ９５・・レジスト層９１の現像部分 ９６・・金属膜 ９７・・９６の金属膜を電極にして電鋳される金属層 ９８・・光記録媒体用スタンパ ９９・・レーザーカッティングに用いる光学系の回折限
界によって決まる幅 １００・現像によって形成される幅 １０１・ガラス製の原盤であり原盤９０に同じ １０２・レジスト層９１部分 １０３・除去される水溶性樹脂層レーザーカッティング
に用いる光学系の回折限界によって決まる幅 １０４・ガラス製の原盤 １０５・ネガ型のレジスト層 １０６・レジスト層１０５の露光部分 １０７・レジスト層１０５の現像部分 １０８・金属膜 １０９・金属膜 １１０・金属膜１０９を電極にして電鋳される金属層 １１１・マザースタンパを型として電鋳した金属層 １１２・光記録媒体用スタンパ １１３・レーザーカッティングに用いる光学系の回折限
界によって決まる幅 １１４・現像部分の下部の幅 １１５・レジスト層１０５の非現像部 １１６・レジスト層１０５の現像部に成膜された金属膜
で金属膜１０８に同じ １１７・ガラス製の原盤であり原盤１０４に同じ １１８・ガラス製の原盤 １１９・金属膜 １２０・金属層 １２１・ネガ型のレジスト層 １２２・レジスト層１２１の露光部分 １２３・レジスト層１２１の現像部分 １２４・１２３の上に成膜された金属膜 １２５・レジスト層１２１の現像されなかった部分に成
膜された金属膜１２４ １２６・光記録媒体用スタンパ １２７・レーザーカッティングに用いる光学系の回折限
界によって決まる幅 １２８・現像部分の下部の幅 １２９・レジスト層１２１の非現像部 １３０・レジスト層１２１の現像部に成膜された金属膜
１２４ １３１・ガラス製の原盤１３２上に形成された金属層１
２０ １３２・ガラス製の原盤であり１１８に同じ １３３・ガラス製の原盤 １３４・ポジ型のレジスト層 １３５・非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶性金
属膜 １３６・ポジ型のレジスト層 １３７・レジスト層１３６の露光部分 １３８・レジスト層１３６の現像部分 １３９・非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶性金
属膜のエッチング部分 １４０・レジスト層１３４の露光部分 １４１・レジスト層１３４の現像部分 １４２・金属膜 １４３・金属膜１４２を電極にして電鋳される金属層 １４４・光記録媒体用スタンパ １４５・レーザーカッティングに用いる光学系の回折限
界によって決まる幅 １４６・現像することによって形成されるレジスト層３
３の下部の幅 １４７・非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶性金
属膜１３５をエッチングすることによって形成される溝
の下部の幅 １４８・レジスト層１３６を露光および現像することに
よって形成される現像部 １４９・ガラス製の原盤であり原盤１３３に同じ １５０・レジスト層１３４の非現像部 １５１・非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶性金
属膜１３５の非エッチング部 １５２・レジスト層１３６の非現像部 １５３・ガラス製の原盤 １５４・非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶性金
属膜 １５５・ポジ型のレジスト層 １５６・マスク １５７・レジスト層１５５の露光部分 １５８・レジスト層１５５の現像部分 １５９・非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶性金
属膜のエッチング部分 １６０・金属膜 １６１・金属層 １６２・光記録媒体用スタンパ １６３・レーザーカッティングに用いる光学系の回折限
界によって決まる幅 １６４・現像することによって形成されるレジスト層１
５５の下部の幅 １６５・レジスト層１５５を露光および現像することに
よって現れる下の非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微
結晶性金属膜 １６６・ガラス製の原盤であり原盤１５３に同じ １６７・非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶性金
属膜の非エッチング部 １６８・レジスト層１５５の非現像部 １６９・１６９はガラス製の原盤 １７０・ポジ型のレジスト層 １７１・金属膜 １７２・レジスト層１７０の露光部分 １７３・レジスト層１７０の現像部分 １７４・金属膜 １７５・１７４を電極にして電鋳される金属層 １７６・光記録媒体用スタンパ １７７・レーザーカッティングに用いる光学系の回折限
界によって決まる幅 １７８・現像することによって形成されるレジスト層１
７０の幅 １７９・レジスト層１７０を露光および現像することに
よって形成される現像部 １８０・ガラス製の原盤であり１６９に同じ １８１・レジスト層１７０の非現像部 １８２・ガラス製の原盤 １８３・ポジ型のレジスト層 １８４・金属膜 １８５・マスク １８６・金属膜１８４のエッチング部分 １８７・レジスト層１８３の露光部分 １８８・レジスト層１８３の現像部分 １８９・金属膜 １９０・金属層 １９１・光記録媒体用スタンパ １９２・光学系の回折限界によって決まる幅 １９３・現像することによって形成されるレジスト層１
８３の幅 １９４・ガラス製の原盤であり１８２に同じ １９５・金属膜１８４の非エッチング部 １９６・レジスト層１８３の非現像部 １９７・ガラス製の原盤 １９８・レジスト層 １９９・金属膜 ２００・ポジ型のレジスト層 ２０１・レジスト層２００の露光部分 ２０２・金属膜１９９のエッチング部分 ２０３・レジスト層１９８の現像部分 ２０４・金属膜 ２０５・金属膜２０４を電極にして電鋳される金属層 ２０６・光記録媒体用スタンパ ２０７・レーザーカッティングに用いる光学系の回折限
界によって決まる幅 ２０８・現像することによって形成されるレジスト層２
００の下部の幅 ２０９・金属膜１９９膜をエッチングすることによって
形成される溝の下部の幅 ２１０・ガラス製の原盤であり原盤１９７に同じ ２１１・レジスト層１９８の非現像部 ２１２・金属膜１９９の非エッチング部 ２１３・レジスト層２００の非現像部 ２１４・ガラス製の原盤 ２１５・ポジ型のレジスト層 ２１６・レジスト層２１５の露光部分 ２１７・レジスト層２１５の現像部分 ２１８・ＬＢ（ラングミュアーブロジェット）膜 ２１９・金属膜 ２２０・金属膜２１９を電極にして電鋳される金属層 ２２１・光記録媒体用スタンパ ２２２・レーザーカッティングに用いる光学系の回折限
界によって決まる幅 ２２３・ＬＢ膜によって狭められた幅 ２２４・ガラス製の原盤であり原盤２１４に同じ ２２５・レジスト層２１５の非現像部 ２２６・ＬＢ膜があった部分 ２２７・ガラス製の原盤 ２２８・金属膜 ２２９・金属膜２２８を電極にして電鋳される金属層 ２３０・ポジ型のレジスト層 ２３１・レジスト層２３０の露光部分 ２３２・レジスト層２３０の現像部分 ２３３・金属層２２９のエッチング部分 ２３４・金属膜 ２３５・金属膜２３４を電極にして電鋳される金属層 ２３６・光記録媒体用スタンパ ２３７・レーザーカッティングに用いる光学系の回折限
界によって決まる幅 ２３８・現像することによって形成されるレジスト層２
３０の下部の幅 ２３９・ガラス製の原盤であり原盤２２７に同じ ２４０・レジスト層２３０の非現像部 ２４１・金属層２２９の非エッチング部 ２４２・ガラス製の原盤 ２４３・金属膜 ２４４・ポジ型のレジスト層 ２４５・レジスト層２４４の露光部分 ２４６・レジスト層２４４の現像部分 ２４７・酸化珪素層 ２４８・レジスト層２４４の非現像部分 ２４９・金属膜２４３のエッチング部分 ２５０・金属膜 ２５１・２５０の金属膜を電極にして電鋳される金属層 ２５２・光記録媒体用スタンパ ２５３・レーザーカッティングに用いる光学系の回折限
界によって決まる幅 ２５４・エッチングすることによって形成される金属膜
２４３の溝の幅 ２５５・ガラス製の原盤であり原盤２４２に同じ ２５６・酸化珪素層 ２５７・酸化珪素層の非エッチング部

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 7/26 B29C 33/38 B29L 17:00

Claims (17)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 原盤（９）の上に第一のポジ型のレジス
   ト層（１０）を塗布し、 該第一のレジスト層（１０）の上に有機シリカ層（１
   １）を形成し、 該有機シリカ層（１１）の上にさらに第二のポジ型のレ
   ジスト層（１２）を塗布し、 レーザー光を集光して前記原盤（９）を回転させながら
   前記第二のレジスト層（１２）の特定領域を露光し、 前記第二のレジスト層（１２）の露光部分を現像した
   後、 前記第二のレジスト層（１２）の現像部分に開いた前記
   有機シリカ層（１１）をエッチングし、 現像されなかった前記第二のレジスト層（１２）および
   前記有機シリカ層（１１）の前記エッチング部分に開い
   た前記第一のレジスト層（１０）をエッチングし、 １回目のエッチングでエッチングされなかった前記有機
   シリカ層（１１）をエッチングし、 第一の金属膜（１９）を成膜し、 さらに第二の金属膜（２０）を成膜し、該第一の金属膜
   （１９）および第二の金属膜（２０）を電極にして該第
   二の金属膜（２０）と同種または異種の第三の金属膜
   （２１）を電鋳し、 前記原盤（９）から剥離し、 前記第一の金属膜（１９）を除去することを特徴とする
   スタンパの製造方法。
2. 【請求項２】 原盤（３０）の上に第一のポジ型のレジ
   スト層（３１）を塗布し、 該第一のレジスト層（３１）の上に有機シリカ層（３
   ２）を形成し、 該有機シリカ層（３２）の上にさらに第二のポジ型のレ
   ジスト層（３３）を塗布し、 レーザー光を集光して前記原盤（３０）を回転させなが
   ら前記第二のレジスト層（３３）の特定領域を露光し、 前記第二のレジスト層（３３）の露光部分を現像した
   後、 前記第二のレジスト層（３３）の現像部分に開いた前記
   有機シリカ層（３２）をエッチングし、 前記有機シリカ層（３２）の前記エッチング部分に開い
   た前記第一のレジスト層（３１）をエッチングし、 第一の金属膜（３９）を成膜し、前記原盤（３０）の上
   に残っている前記第一のレジスト３１層、前記有機シリ
   カ層（３２）および前記第二のレジスト層（３３）を除
   去し、 さらに第二の金属膜（４０）を成膜し、該第二の金属膜
   （４０）を電極にして該第二の金属膜（４０）と同種ま
   たは異種の第三の金属膜（４１）を電鋳し、前記原盤
   （３０）から剥離して金属板とし、 該金属板に残っている前記第一の金属膜（３９）を除去
   して前記第四の金属膜（４２）を成膜し、 前記第二の金属膜（４０）と同種または異種の第五の金
   属膜（４３）を電鋳した後、 前記金属板から剥離することを特徴とするスタンパの製
   造方法。
3. 【請求項３】 原盤（５３）の上に第一の金属膜（５
   ４）を成膜し、 該第一の金属膜（５４）を電極にして該第一の金属膜
   （５４）と同種または異種の第二の金属膜（５５）を電
   鋳し、 該第二の金属膜（５５）の上に第一のポジ型のレジスト
   層（５６）を塗布し、 該第一のレジスト層（５６）の上に有機シリカ層（５
   ７）を形成し、 該有機シリカ層（５７）の上にさらに第二のポジ型のレ
   ジスト層（５８）を塗布し、 レーザー光を集光して前記原盤（５３）を回転させなが
   ら前記第二のレジスト層（５８）の特定領域を露光し、 前記第二のレジスト層（５８）の露光部分を現像した
   後、 前記第二のレジスト層（５８）の現像部分に開いた前記
   有機シリカ層（５７）をエッチングし、 前記有機シリカ層（５７）の前記エッチング部分に開い
   た前記第一のレジスト層（５６）をエッチングし、 前記第二の金属膜（５５）と同種の第三の金属膜（６
   ４）を成膜し、前記原盤（５３）上に残っている前記第
   一のレジスト層（５６）、前記有機シリカ層（５７）お
   よび前記第二のレジスト層（５８）を除去することを特
   徴とするスタンパの製造方法。
4. 【請求項４】 原盤（７６）の上にポジ型のレジスト層
   （７７）を塗布し、 レーザー光を集光して前記原盤（７６）を回転させなが
   ら前記レジスト層（７７）の特定領域を露光し、 前記レジスト層（７７）の前記露光部分を現像し、 該現像部分および非現像部分に第一の金属膜（８３）を
   成膜し、 該第一の金属膜（８３）と同種または異種の第二の金属
   膜（８４）を電鋳するスタンパの製造方法において、 前記レジスト層（７７）を露光する前に、該レジスト層
   （７７）全面に紫外光照射またはＤｅｅｐＵＶ照射ある
   いはオゾン処理または加熱処理をすることを特徴とする
   スタンパの製造方法。
5. 【請求項５】 原盤（９０）の上にポジ型のレジスト層
   （９１）を塗布し、 レーザー光を集光して前記原盤（９０）を回転させなが
   ら前記レジスト層（９１）の特定領域を露光し、 前記レジスト層（９１）の露光部分を現像した後、 該現像部分および非現像部分に第一の金属膜（９６）を
   成膜し、 該第一の金属膜（９６）を電極にして該第一の金属膜
   （９６）と同種または異種の第二の金属膜（９７）を電
   鋳するスタンパの製造方法において、 前記レジスト層（９１）の上に水溶性樹脂層（９２）を
   形成した後前記レジスト層（９１）の特定領域の露光を
   行なう工程を含み、 前記水溶性樹脂層（９２）として熱により透過率が増加
   する性質を有するもの、または光によりカチオンを発生
   し、該カチオンにより前記露光に用いる光の透過率が上
   昇する性質を有するものを用いることを特徴とするスタ
   ンパの製造方法。
6. 【請求項６】 原盤（１０４）の上にネガ型のレジスト
   層（１０５）を塗布し、 レーザー光を集光して前記原盤（１０４）を回転させな
   がら前記レジスト層（１０５）の特定領域を露光し、 非露光部分を現像した後、該現像部分および非現像部分
   に第一の金属膜（１０８）を成膜し、 該非現像部分および該非現像部分に成膜された前記第一
   の金属膜（１０８）を除去し、 第二の金属膜（１０９）を成膜し、該第二の金属膜（１
   ０９）を電極にして第三の金属膜（１１０）を電鋳して
   前記原盤（１０４）から剥離してマザースタンパとし、 該マザースタンパを型としてさらに第三の金属膜（１１
   １）を電鋳し、前記マザースタンパから剥離することを
   特徴とするスタンパの製造方法。
7. 【請求項７】 原盤（１１８）の上に第一の金属膜（１
   １９）を成膜し、 該第一の金属膜（１１９）と同種または異種の第二の金
   属膜（１２０）を電鋳し、 該第二の金属膜（１２０）上にネガ型のレジスト層（１
   ２１）を塗布し、 レーザー光を集光して該レジスト層（１２１）の特定領
   域を露光し、 該露光した部分を現像した後、 第二の金属層（１２０）と同種の第三の金属膜（１２
   ４）を成膜し、 前記原盤（１１８）上に残っている前記レジスト層（１
   ２１）及び該レジストの上に成膜された第三の金属膜
   （１２４）を除去することを特徴とするスタンパの製造
   方法。
8. 【請求項８】 原盤（１３３）上に第一のポジ型のレジ
   スト層（１３４）を塗布し、 該第一のレジスト層（１３４）の上に非晶性珪素膜、非
   晶性金属膜または微結晶性金属膜（１３５）を成膜し、 該非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶性金属膜
   （１３５）の上にさらに第二のポジ型のレジスト層（１
   ３６）を塗布し、 レーザー光を集光して該第一のレジスト層（１３６）の
   特定領域を露光し、 該露光部分を現像し、 該現像部分に開いた前記非晶性珪素膜、非晶性金属膜ま
   たは微結晶性金属膜（１３５）の途中までエッチング
   し、 全面に光を照射して前記非晶性珪素膜、非晶性金属膜ま
   たは微結晶性金属膜の途中までエッチングされた部分の
   前記第一のレジスト層（１３４）を露光し、 現像されずに残った前記第一のレジスト層（１３４）お
   よび前記非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶性金
   属膜（１３５）を除去したのち第二の金属膜（１４２）
   を成膜し、 該第二の金属膜（１４２）と同種または異種の第三の金
   属膜（１４３）を電鋳し、 前記原盤（１３３）から剥離し、 前記非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶性金属膜
   （１３５）および前記第二の金属膜（１４２）を除去す
   ることを特徴とするスタンパの製造方法。
9. 【請求項９】 原盤（１５３）の上に非晶性珪素膜、非
   晶性金属膜または微結晶性金属膜（１５４）を成膜し、 該非晶性珪素膜、非晶性金属膜または微結晶性金属膜
   （１５４）の上にポジ型のレジスト層（１５５）を塗布
   し、 光記録媒体の溝やピットに応じたマスクを用いて露光し
   た後、 該露光部分を現像し、 該現像部分に開いた非晶性珪素膜、非晶性金属膜または
   微結晶性金属膜（１５４）をエッチングし、 現像されなかった前記レジスト層（１５５）を除去し、 第二の金属膜（１６０）を成膜し、 該第二の金属膜（１６０）と同種または異種の第三の金
   属膜（１６１）膜を電鋳し、 前記原盤（１５３）から剥離することを特徴とするスタ
   ンパの製造方法。
10. 【請求項１０】 原盤（１６９）の上にポジ型のレジス
    ト層（１７０）を塗布し、 該レジスト層（１７０）の上に第一の金属膜（１７１）
    を極薄く成膜し、 レーザー光を集光して該第一の金属膜（１７１）上から
    前記レジスト層（１７０）の特定領域を露光し、 前記第一の金属膜（１７１）および前記露光部分を現像
    し、 該現像部分および非現像部分に第二の金属膜（１７４）
    を成膜し、 該第二の金属膜（１７４）と同種または異種の金属膜
    （１７５）を電鋳することを特徴とするスタンパの製造
    方法。
11. 【請求項１１】 原盤（１８２）の上にポジ型のレジス
    ト層（１８３）を塗布し、 該レジスト層（１８３）の上に第一の金属膜（１８４）
    を成膜し、 該第一の金属膜（１８４）を所定のパターンのマスクを
    用いてエッチングを行ない、 前記レジスト層（１８３）の感光波長の光を前記エッチ
    ング部全面に照射し、 前記エッチング部分に開いた前記レジスト層（１８３）
    を感光させ、 該感光部分を現像し、 エッチングされなかった前記第一の金属膜（１８４）を
    除去し、 第二の金属膜１８９を成膜し、 該第二の金属膜（１８９）を電極にして第三の金属膜
    （１９０）を電鋳することを特徴とするスタンパの製造
    方法。
12. 【請求項１２】 原盤（１９７）の上に第一のポジ型の
    レジスト層（１９８）を塗布し、 該第一のレジスト層（１９８）の上に第一の金属膜（１
    ９９）を形成し、 該第一の金属膜（１９９）膜の上にさらに第二のポジ型
    のレジスト層（２００）を塗布し、 レーザー光を集光して該第二のレジスト層（２００）の
    特定領域を露光し、 該露光部分を現像し、 該現像部分に開いた前記第一の金属膜（１９９）をエッ
    チングし、 前記第一のレジスト層（１９８）の感光波長の光を該エ
    ッチング部分全面に照射し、 該エッチング部分に開いた前記第一のレジスト層（１９
    ８）を露光し、 現像液を用いて該第一のレジスト層（１９８）の露光部
    分および前記第二のレジスト層（２００）を現像し、 エッチングされなかった前記第一の金属膜（１９９）膜
    を除去し、 第二の金属膜（２０４）を成膜し、 該第二の金属膜（２０４）を電極にして第三の金属膜
    （２０５）を電鋳することを特徴とするスタンパの製造
    方法。
13. 【請求項１３】 原盤（２１４）の上にポジ型のレジス
    ト層（２１５）を塗布し、 レーザー光を集光して前記原盤（２１４）を回転させな
    がら前記レジスト層（２１５）の特定領域を露光し、 前記レジスト層（２１５）の前記露光部分を現像し、 該現像部分および非現像部分に第一の金属膜（２１９）
    を成膜し、 該第一の金属膜（２１９）と同種または異種の第二の金
    属膜（２２０）を電鋳するスタンパの製造方法におい
    て、 前記第一の金属膜２１９を成膜する前に、前記レジスト
    層２１５を現像した後ＬＢ膜を形成して、前記現像部分
    の溝を細く浅くする工程を含むことを特徴とするスタン
    パの製造方法。
14. 【請求項１４】 原盤（２２７）の上に第一の金属膜
    （２２８）を成膜し、 該第一の金属膜（２２８）を電極にして第二の金属膜
    （２２９）を電鋳し、 該第一の金属膜（２２９）の上にポジ型のレジスト層
    （２３０）を塗布し、 レーザー光を集光して該レジスト層（２３０）の特定領
    域を露光し、 該露光部分を現像し、 該現像部分に露出した前記第二の金属膜（２２９）膜を
    エッチングし、 現像されなかった前記レジスト層（２３０）を除去し、 第三の金属膜（２３４）を成膜し、 該第三の金属膜（２３４）の上に第四の金属膜（２３
    ５）を電鋳し、 前記原盤（２２７）から剥離し、 前記第三の金属膜（２３４）を除去することを特徴とす
    るスタンパの製造方法。
15. 【請求項１５】 原盤（２４２）の上に第一の金属膜
    （２４３）を成膜し、 該第一の金属膜（２４３）の上にレジスト層（２４４）
    を塗布し、 レーザー光を用いて該レジスト層（２４４）の特定領域
    を露光し、 該露光部分を現像した後酸化珪素層を形成し、 前記レジスト層（２４４）の非現像部分をエッチングで
    除去し、 該除去部分に現れた前記第一の金属膜（２４３）をエッ
    チングし、 前記酸化珪素層を除去した後、第二の金属膜（２５０）
    を成膜し、 該第二の金属膜（２５０）の上に第三の金属層（２５
    １）を電鋳して前記原盤（２４２）から剥離し、 前記第一の金属膜（２４３）を除去することを特徴とす
    るスタンパの製造方法。
16. 【請求項１６】 請求項１乃至１５のいずれかに記載の
    方法によって製造されたスタンパ。
17. 【請求項１７】 請求項１６記載のスタンパを用いて作
    製された光記録媒体。