JP2739841B2 - 情報記録媒体の製造方法 - Google Patents
情報記録媒体の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ビデオディスク，コン
パクトディスク等の光ディスクに関し、特に、この光デ
ィスクとして使用する高密度記録の情報記録媒体の製造
方法に関する。
パクトディスク等の光ディスクに関し、特に、この光デ
ィスクとして使用する高密度記録の情報記録媒体の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク用の基板に凹凸の情報（記録
ピット）を形成する方法としては、インジェクション成
形法を使用してプラスチックの基板に凹凸の情報を形成
する方法と、紫外線硬化樹脂を使用して基板上に凹凸の
情報を形成するフォトポリマ法（２Ｐ法）とが知られて
いる。
ピット）を形成する方法としては、インジェクション成
形法を使用してプラスチックの基板に凹凸の情報を形成
する方法と、紫外線硬化樹脂を使用して基板上に凹凸の
情報を形成するフォトポリマ法（２Ｐ法）とが知られて
いる。
【０００３】この光ディスクを形成する従来のスタンパ
の製造方法を以下に示す。 ａ．レジスト原盤工程 射出成形用スタンパを製作するための土台となる原盤を
作る工程である。まず、基板洗浄を充分行った後、次工
程レジスト層の剥離防止のため、シランカップリング剤
を蒸気状にしてガラス基板に吸着させ、密着剤処理を施
す。乾燥後、フォトレジストをスピンコート法により均
一に塗布した後、レーザカッティング法により記録ピッ
トを露光する。次にレジスト盤を回転させながら現像液
を滴下し、潜像部分を除去し現像を行って原盤を得る。 ｂ．露光工程 原盤からスタンパを作製する工程である。まず、レジス
ト原盤に伝導性を付加するために、Ｎｉのスパッタリン
グにより厚さ100nm 前後のＮｉ薄膜を形成して電鋳用の
電極となる導電膜を形成する。レジスト原盤のＮｉ薄膜
を陰極、溶解効率の高いデポラライズドニッケルを陽極
として低応力のスルファミン酸ニッケル浴中で電鋳めっ
きを行う。
の製造方法を以下に示す。 ａ．レジスト原盤工程 射出成形用スタンパを製作するための土台となる原盤を
作る工程である。まず、基板洗浄を充分行った後、次工
程レジスト層の剥離防止のため、シランカップリング剤
を蒸気状にしてガラス基板に吸着させ、密着剤処理を施
す。乾燥後、フォトレジストをスピンコート法により均
一に塗布した後、レーザカッティング法により記録ピッ
トを露光する。次にレジスト盤を回転させながら現像液
を滴下し、潜像部分を除去し現像を行って原盤を得る。 ｂ．露光工程 原盤からスタンパを作製する工程である。まず、レジス
ト原盤に伝導性を付加するために、Ｎｉのスパッタリン
グにより厚さ100nm 前後のＮｉ薄膜を形成して電鋳用の
電極となる導電膜を形成する。レジスト原盤のＮｉ薄膜
を陰極、溶解効率の高いデポラライズドニッケルを陽極
として低応力のスルファミン酸ニッケル浴中で電鋳めっ
きを行う。
【０００４】レジスト原盤からＮｉ薄膜と共にＮｉ板を
剥し、表面のレジストを除去したＮｉ板がマスタ盤で、
そのまま裏面研磨を施し、射出成形に用いればマスタス
タンパとなるが、通常は表面層の酸化処理と電鋳を繰り
返して、マスタ盤からマザー盤を、マザー盤からスタン
パと、１枚のマスタ盤から２５枚程度のスタンパを作製
する。 ｃ．レプリケーション工程 スタンパから記録ピット付きディスク基板の製作工程で
ある。まず、樹脂の原材料であるペレットを充分乾燥さ
せた後、射出成形機の可動金型にスタンパを取り付け、
鏡面に仕上げた固定金型との中空部に加熱溶融状態の樹
脂を噴出し、圧縮、保圧の後に強制冷却させて、形成さ
れたディスク基板を金型から取り出す。
剥し、表面のレジストを除去したＮｉ板がマスタ盤で、
そのまま裏面研磨を施し、射出成形に用いればマスタス
タンパとなるが、通常は表面層の酸化処理と電鋳を繰り
返して、マスタ盤からマザー盤を、マザー盤からスタン
パと、１枚のマスタ盤から２５枚程度のスタンパを作製
する。 ｃ．レプリケーション工程 スタンパから記録ピット付きディスク基板の製作工程で
ある。まず、樹脂の原材料であるペレットを充分乾燥さ
せた後、射出成形機の可動金型にスタンパを取り付け、
鏡面に仕上げた固定金型との中空部に加熱溶融状態の樹
脂を噴出し、圧縮、保圧の後に強制冷却させて、形成さ
れたディスク基板を金型から取り出す。
【０００５】ところが、このようにして得た光ディスク
の記録ピットは、記録ピットの側面がフォトレジスト層
の開口の形状を踏襲して側面が傾斜面となるダレやボケ
となり、再生信号特性に劣化が生じる。
の記録ピットは、記録ピットの側面がフォトレジスト層
の開口の形状を踏襲して側面が傾斜面となるダレやボケ
となり、再生信号特性に劣化が生じる。
【０００６】このダレやボケは、次のようにして発生す
る。図１１を参照してフォトレジストに対するレーザ光
によるパターン露光に付いて説明する。
る。図１１を参照してフォトレジストに対するレーザ光
によるパターン露光に付いて説明する。
【０００７】露光ビームの強度分布は、ガウス分布をし
ているため、フォトレジスト膜上に、露光によって形成
された潜像も略ガウス分布となる。現像によって形成さ
れるピット断面は、潜像が中間調部を含む略ガウス分布
であるため、例えば図１１に示すように、現像の進行と
ともに記号ａの形状から記号ｅの形状に変化する。この
ため、図１２に示すように、基板１に積層された金属反
射膜７，樹脂膜８のガウス分布の裾の広がりに等しい部
分にピットの傾斜部のダレやボケとして現れる。
ているため、フォトレジスト膜上に、露光によって形成
された潜像も略ガウス分布となる。現像によって形成さ
れるピット断面は、潜像が中間調部を含む略ガウス分布
であるため、例えば図１１に示すように、現像の進行と
ともに記号ａの形状から記号ｅの形状に変化する。この
ため、図１２に示すように、基板１に積層された金属反
射膜７，樹脂膜８のガウス分布の裾の広がりに等しい部
分にピットの傾斜部のダレやボケとして現れる。
【０００８】かかる問題を解決するために、例えば特開
平３−１０８１４１号公報と特開平４−２４８１４５号
公報では、高密度光ディスクの製造工程において、記録
ピットまたはこの記録ピットを形成するための凹部の形
成を、フォトレジスト層４ｂの開口を通じてエッチング
する方法が提案されている。
平３−１０８１４１号公報と特開平４−２４８１４５号
公報では、高密度光ディスクの製造工程において、記録
ピットまたはこの記録ピットを形成するための凹部の形
成を、フォトレジスト層４ｂの開口を通じてエッチング
する方法が提案されている。
【０００９】これを更に詳述すると、図１３（ａ），
（ｂ），（ｃ）に示すように、基板１上にフォトレジス
ト層４ｂを形成し、このフォトレジスト層４ｂに記録情
報に応じた選抜的露光および現像を行って、フォトレジ
スト層４ｂに露光入射側の面で開口幅ＲT に比例して反
対の基板側の開口幅ＲB が小さい開口を形成してこの開
口を通じて基板に対してエッチングを行って凹部を形成
する。この結果、フォトレジスト層４ｂの開口部４ａに
対応する位置には、図１３（ｂ）図に示すように、この
開口部４ａの下層２との境界部における開口幅ＲB に応
じた幅、すなわち先のフォトレジスト層４ｂの開口部４
ａの下層２との境界部における開口幅ＲB以下となされ
た開口幅ＦT を有した開口部２ａがピットとして形成さ
れる。
（ｂ），（ｃ）に示すように、基板１上にフォトレジス
ト層４ｂを形成し、このフォトレジスト層４ｂに記録情
報に応じた選抜的露光および現像を行って、フォトレジ
スト層４ｂに露光入射側の面で開口幅ＲT に比例して反
対の基板側の開口幅ＲB が小さい開口を形成してこの開
口を通じて基板に対してエッチングを行って凹部を形成
する。この結果、フォトレジスト層４ｂの開口部４ａに
対応する位置には、図１３（ｂ）図に示すように、この
開口部４ａの下層２との境界部における開口幅ＲB に応
じた幅、すなわち先のフォトレジスト層４ｂの開口部４
ａの下層２との境界部における開口幅ＲB以下となされ
た開口幅ＦT を有した開口部２ａがピットとして形成さ
れる。
【００１０】次いで、フォトレジスト層４ｂを排除して
この凹部を情報ピットとする光ディスクを得るか、また
は、この上にＮｉ等の金属反射層を例えば無電界メッキ
および電気メッキを行って、この金属層を基板から剥離
してスタンパを作成し、これより光ディスクを作成する
か、更にある場合は、同様のメッキによってスタンパ形
成のマスタを形成し、これに基づいて複数のスタンパを
形成して目的とする光ディスクを成形する。
この凹部を情報ピットとする光ディスクを得るか、また
は、この上にＮｉ等の金属反射層を例えば無電界メッキ
および電気メッキを行って、この金属層を基板から剥離
してスタンパを作成し、これより光ディスクを作成する
か、更にある場合は、同様のメッキによってスタンパ形
成のマスタを形成し、これに基づいて複数のスタンパを
形成して目的とする光ディスクを成形する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の特開平
４−２４８１４５と特開平３−１０８１４１号に開示さ
れた高密度光ディスクの製造方法においては以下に示す
問題点を有する。
４−２４８１４５と特開平３−１０８１４１号に開示さ
れた高密度光ディスクの製造方法においては以下に示す
問題点を有する。
【００１２】上記の特開平４−２４８１４５と特開平３
−１０８１４１号に示されている開口幅ＲT ，ＲB ，Ｆ
T ，ＦB の関係を不等式で表すとＲT ＞ＲB ＞ＦT ＞Ｆ
B ・・・・(A) となる。しかしながら実際の開口幅
ＲT ，ＲB ，ＦT ，ＦB の関係はＲT ≧ＦT ≧ＲB ＝Ｆ
B ・・・・(B) となり、ＲB ＞ＦT の関係が成立するこ
とは原理的に不可能である。
−１０８１４１号に示されている開口幅ＲT ，ＲB ，Ｆ
T ，ＦB の関係を不等式で表すとＲT ＞ＲB ＞ＦT ＞Ｆ
B ・・・・(A) となる。しかしながら実際の開口幅
ＲT ，ＲB ，ＦT ，ＦB の関係はＲT ≧ＦT ≧ＲB ＝Ｆ
B ・・・・(B) となり、ＲB ＞ＦT の関係が成立するこ
とは原理的に不可能である。
【００１３】開口幅ＲT ，ＲB ，ＦT ，ＦB の大小関係
はマスクとして用いられる上層のフォトレジストと下層
の被エッチング材の選択比とエッチングの異方性によっ
て決定される。図１４に理想的な異方性エッチングによ
り形成された開口幅ＲT ，ＲB ，ＦT ，ＦB の選択比依
存性を示す。図１４（ａ）はエッチング前のフォトレジ
ストの開口幅ＲT ，ＲB の関係（ＲT ＞ＲB ）を示す。
図１４（ｂ）は選択比が１のフォトレジストと被エッチ
ング材の組み合わせによりエッチングしたときの開口幅
ＲT ，ＲB ，ＦT ，ＦB の関係（ＲT ＝ＦT ＞ＲB ＝Ｆ
B ）を示す。図１４（ｃ）は選択比が２のフォトレジス
トと被エッチング材の組み合わせによりエッチングした
ときの開口幅ＲT ，ＲB ，ＦT ，ＦB の関係（ＲT ＞Ｆ
T ＞ＲB＝ＦB ）を示す。図１４（ｄ）は選択比が１０
のフォトレジストと被エッチング材の組み合わせにより
エッチングしたときの開口幅ＲT ，ＲB ，ＦT ，ＦB の
関係（ＲT ＞ＦT ＞ＲB ＝ＦB ）を示す。図１４（ｅ）
は選択比が無限大のフォトレジストと被エッチング材の
組み合わせによりエッチングしたときの開口幅ＲT，Ｒ
B ，ＦT ，ＦB の関係（ＲT ＞ＦT ＝ＲB ＝ＦB ）を示
す。不等式(B)に示した開口幅ＲT ，ＲB ，ＦT ，ＦB
の大小関係はフォトレジストの膜厚と被エッチング材の
膜厚に係わり無く、選択比とエッチングの異方性により
定まる。
はマスクとして用いられる上層のフォトレジストと下層
の被エッチング材の選択比とエッチングの異方性によっ
て決定される。図１４に理想的な異方性エッチングによ
り形成された開口幅ＲT ，ＲB ，ＦT ，ＦB の選択比依
存性を示す。図１４（ａ）はエッチング前のフォトレジ
ストの開口幅ＲT ，ＲB の関係（ＲT ＞ＲB ）を示す。
図１４（ｂ）は選択比が１のフォトレジストと被エッチ
ング材の組み合わせによりエッチングしたときの開口幅
ＲT ，ＲB ，ＦT ，ＦB の関係（ＲT ＝ＦT ＞ＲB ＝Ｆ
B ）を示す。図１４（ｃ）は選択比が２のフォトレジス
トと被エッチング材の組み合わせによりエッチングした
ときの開口幅ＲT ，ＲB ，ＦT ，ＦB の関係（ＲT ＞Ｆ
T ＞ＲB＝ＦB ）を示す。図１４（ｄ）は選択比が１０
のフォトレジストと被エッチング材の組み合わせにより
エッチングしたときの開口幅ＲT ，ＲB ，ＦT ，ＦB の
関係（ＲT ＞ＦT ＞ＲB ＝ＦB ）を示す。図１４（ｅ）
は選択比が無限大のフォトレジストと被エッチング材の
組み合わせによりエッチングしたときの開口幅ＲT，Ｒ
B ，ＦT ，ＦB の関係（ＲT ＞ＦT ＝ＲB ＝ＦB ）を示
す。不等式(B)に示した開口幅ＲT ，ＲB ，ＦT ，ＦB
の大小関係はフォトレジストの膜厚と被エッチング材の
膜厚に係わり無く、選択比とエッチングの異方性により
定まる。
【００１４】従って、良好な再生信号特性を有する高密
度光ディスクの製造においては、記録ピットの側壁が平
準な高度の垂直異方性エッチングが重要である。しかし
ながらフォトレジストをエッチングマスクとして用いた
場合、高度な垂直異方性と高い選択性を同時に満足する
ことは以下に示す要因が発生し困難となる。
度光ディスクの製造においては、記録ピットの側壁が平
準な高度の垂直異方性エッチングが重要である。しかし
ながらフォトレジストをエッチングマスクとして用いた
場合、高度な垂直異方性と高い選択性を同時に満足する
ことは以下に示す要因が発生し困難となる。
【００１５】ドライエッチングの断面形状の垂直化を妨
げる要因は、図１５にモデル的に示すように、マスク端
部がイオン衝撃によって後退する図１５（ａ）の場合
（異方性が中ぐらいで、選択比が小さい）と、マスク端
部の後退が無視できる場合でもイオンの指向性に分散
（広がり）がある図１５（ｂ）の場合（等方性エッチン
グで選択比が大）とに大別される。前者ではマスク端部
および試料のマスク直下に物理的スパッタ特有のファセ
ットまたは荒れが現れるとともに開口幅が拡大し、高密
度化の妨げとなる。一方、後者の場合は入射イオンの断
面側壁入射のため、側壁には低部付近に湾曲すなわちオ
ーバーハングが現れる。つまり、異方性を高くすると選
択性が損なわれ、選択性を高くすると異方性が損なわれ
る。
げる要因は、図１５にモデル的に示すように、マスク端
部がイオン衝撃によって後退する図１５（ａ）の場合
（異方性が中ぐらいで、選択比が小さい）と、マスク端
部の後退が無視できる場合でもイオンの指向性に分散
（広がり）がある図１５（ｂ）の場合（等方性エッチン
グで選択比が大）とに大別される。前者ではマスク端部
および試料のマスク直下に物理的スパッタ特有のファセ
ットまたは荒れが現れるとともに開口幅が拡大し、高密
度化の妨げとなる。一方、後者の場合は入射イオンの断
面側壁入射のため、側壁には低部付近に湾曲すなわちオ
ーバーハングが現れる。つまり、異方性を高くすると選
択性が損なわれ、選択性を高くすると異方性が損なわれ
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、上記従
来例の有する不都合を改善し、とくにマスク端部および
試料のマスク直下に現れる物理的スパッタ特有のファセ
ットまたは荒れを防止し、且つ、入射イオンの断面側壁
入射のため、側壁には低部付近に湾曲すなわちオーバー
ハングを防止することで、高密度で且つ信号特性の良好
な情報記録媒体のスタンパおよび情報記録媒体の製造方
法を提供することにある。
来例の有する不都合を改善し、とくにマスク端部および
試料のマスク直下に現れる物理的スパッタ特有のファセ
ットまたは荒れを防止し、且つ、入射イオンの断面側壁
入射のため、側壁には低部付近に湾曲すなわちオーバー
ハングを防止することで、高密度で且つ信号特性の良好
な情報記録媒体のスタンパおよび情報記録媒体の製造方
法を提供することにある。
【００１７】そのため、 （１）本発明の情報記録媒体の製造方法は、円盤よりな
る基板１の表面に、非感光性の下層２，中間層３の順で
積層し、次いで感光性の上層４を積層し、書き込み情報
に対応するレーザ光を照射して、そのレーザ光照射領域
の上層４を露光し、その露光された上層４を現像し、レ
ーザ光照射領域の上層４を除去して中間層３を露出し、
中間層３のエッチングが可能で、且つ下層２のエッチン
グができないエッチングガスを用い、第１回目のエッチ
ングをなして、下層２が現れるまでエッチングを行
い、上層４の除去された領域の中間層３を除去すること
で上層のパターンを転写し、酸素プラズマにより残留上
層４を取り除き、上層４を中間層３のエッチングマスク
とし第２回目のエッチングをなして、中間層３の除去
された領域の下層２に凹部を形成し、メッキ膜１０を成
膜し、中間層３とメッキ膜１０を電極としてメッキ層１
１を電鋳し、基板１から剥離し、中間層３をメタルマス
タの―部とすることを特徴としている。 （２）本発明の情報記録媒体の製造方法は、円盤よりな
る基板１の表面に、非感光性の中間層３，感光性の上層
４の順で積層し、書き込み情報に対応するレーザ光を照
射して、そのレーザ光照射領域の上層４を露光し、その
露光された上層４を現像し、レーザ光照射領域の上層４
を除去して中間層３を露出し、中間層３のエッチングが
可能で、且つ基板１のエッチングができないエッチング
ガスを用い、第１回目のエッチングをなして基板１が
現れるまでエッチングを行い、上層４の除去された領域
の中間層３を除去することで上層のパターンを転写し、
酸素プラズマにより残留上層４を取り除き、上層４を中
間層３のエッチングマスクとし第２回目のエッチング
をなして、中間層３の除去された領域の基板１に凹部を
形成し、メッキ膜１０を成膜し、中間層３とメッキ膜１
０を電極としてメッキ層１１を電鋳し、基板１から剥離
し、中間層３をメタルマスタの―部とすることを特徴と
している。 （３）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法は、
上記（２）の円盤よりなる基板１が、エッチングを均質
に行える素材である、石英ガラス，合成石英ガラス，Ｓ
ｉ，Ｓｉ3 Ｎ4 の内のいずれか―つからなることを特徴
としている。 （４）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法は、
上記（１），（２）のエッチング方法は、Ａｒ，Ｋ
ｒ，Ｘｅ，Ｈｅの不活性ガスを使用してなすイオンミリ
ング法であることを特徴としている。 （５）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法は、
上記（１），（２）のエッチング方法が、ＣＦ4 ，Ｃ
Ｆ4 ＋Ｏ2 ，ＣＣ１4 ＋Ｈｅ，ＣＣ１2 Ｆ2 ＋Ｎ2 ，Ｃ
Ｃ１4 十ＳＦ6 ，ＣＢｒＦ3 十Ｃ１2 ，Ｃ１2 十Ａｒ，
ＣＢｒＦ3 ，ＳｉＣ１4 ，ＣＣ１2 Ｆ4 十Ｏ2 ，ＳｉＣ
１4 十Ｃ１2 ，ＣＦ4 十Ｈ2 ，ＣＨＦ3 ，ＣＨＦ3 十Ｏ
2 ，ＣＨＦ3 十ＣＯ2 ，ＣＨＦ3 十Ｃ2 Ｆ6 ，ＣＣ１4
十Ｈｅ，ＣＣ１4 十ＢＣ１3 十Ｏ2 ，ＢＣ１3 十Ｃ
１2 ，ＢＣ１3 十ＣＣ１3 Ｆ十Ｈｅ，ＣＣ１4 十Ｏ2 ，
ＣＦ4 十Ｏ2 ，ＳＦ6 十Ｃ１2 ，Ｃ１2 十Ｈ2 の内の少
なくとも―種類以上のエッチングガスを使用してなすリ
アクティブイオンエッチング法であることを特徴として
いる。 （６）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法は、
上記（１），（２）のエッチング方法が、ＣＦ4 ，Ｃ
Ｆ4 ＋Ｏ2 ，ＣＣ１4 ＋Ｈｅ，ＣＣ１2 Ｆ2 ＋Ｎ2 ，Ｃ
Ｃ１4 十ＳＦ6 ，ＣＢｒＦ3 十Ｃ１2 ，Ｃ１2 十Ａｒ，
ＣＢｒＦ3 ，ＳｉＣ１4 ，ＣＣ１2 Ｆ4 十Ｏ2 ，ＳｉＣ
１4 十Ｃ１2 ，ＣＦ4 十Ｈ2 ，ＣＨＦ3 ，ＣＨＦ3 十Ｏ
2 ，ＣＨＦ3 十ＣＯ2 ，ＣＨＦ3 十Ｃ2 Ｆ6 ，ＣＣ１4
十Ｈｅ，ＣＣ１4 十ＢＣ１3 十Ｏ2 ，ＢＣ１3 十Ｃ
１2 ，ＢＣ１3 十ＣＣ１3 Ｆ十Ｈｅ，ＣＣ１4 十Ｏ2 ，
ＣＦ4 十Ｏ2 ，ＳＦ6 十Ｃ１2 ，Ｃ１2 十Ｈ2 の内の少
なくとも―種類以上のエッチングガスを使用してなすリ
アクティブイオンエッチング法であることを特徴として
いる。 （７）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法は、
上記（１），（２）の中間層３として、Ａｕ，Ａｇ，Ａ
１，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｏ，
Ｒｕ，Ｆｅ，Ｇｅ，Ｉｒ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｈｆ，Ｖ，Ｓ
ｉ，Ｕ，Ｔｈ，Ｂｅ，Ｃの内のいずれか―つの導電性膜
を用いることを特徴としている。 （８）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法は、
上記（１），（２）の下層２として、ポリケイ皮酸ビニ
ル，ポリビニルフェノールと芳香族ビスアジドの混合
物，アルカリ可溶性フェノール樹脂とナフトキノンジア
ジドの混合物，ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ），
ジアゾメチルドラム酸とノボラックとの混合物，クレゾ
ールノボラックとナフトキノンジアジゾの化合物の内の
いずれか―つの有機膜を用いることを特徴としている。 （９）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法は、
上記（１），（２）の下層２として、Ｓｉ，ＳｉＯ2 ，
Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−ｏｎ−Ｇ１ａｓｓ）の
内のいずれか―つを用いることを特徴としている。 （１０）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法
は、上記（１）の基板１として、Ｓｉ，ＳｉＯ2 ，Ａ
１，Ｃｒ，Ｎｉ，化学強化ガラス，石英ガラス，合成石
英ガラス，アルミニウム合金，ステンレスの内のいずれ
か―つの無機材料を用いることを特徴としている。 （１１）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法
は、上記（１），（２）の基板１として、ポリメチルメ
タアクリレート（ＰＭＭＡ），ポリカーボネイト（Ｐ
Ｃ），非晶質ポリオレフィン（ＡＰＯ），エポキシの内
のいずれか―つの有機材料を用いることを特徴としてい
る。 （１２）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法
は、上記（１），（２）の上層４のパターン形成後、遠
紫外光照射または遠紫外光照射後高熱処理を施すことを
特徴としている。 （１３）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法
は、上記（１），（２）の情報記録媒体のスタンパの製
造方法を使用して製造されたスタンパとディスク基板と
の間に樹脂を介在し、その樹脂を硬化する工程を含むこ
とを特徴としている。
る基板１の表面に、非感光性の下層２，中間層３の順で
積層し、次いで感光性の上層４を積層し、書き込み情報
に対応するレーザ光を照射して、そのレーザ光照射領域
の上層４を露光し、その露光された上層４を現像し、レ
ーザ光照射領域の上層４を除去して中間層３を露出し、
中間層３のエッチングが可能で、且つ下層２のエッチン
グができないエッチングガスを用い、第１回目のエッチ
ングをなして、下層２が現れるまでエッチングを行
い、上層４の除去された領域の中間層３を除去すること
で上層のパターンを転写し、酸素プラズマにより残留上
層４を取り除き、上層４を中間層３のエッチングマスク
とし第２回目のエッチングをなして、中間層３の除去
された領域の下層２に凹部を形成し、メッキ膜１０を成
膜し、中間層３とメッキ膜１０を電極としてメッキ層１
１を電鋳し、基板１から剥離し、中間層３をメタルマス
タの―部とすることを特徴としている。 （２）本発明の情報記録媒体の製造方法は、円盤よりな
る基板１の表面に、非感光性の中間層３，感光性の上層
４の順で積層し、書き込み情報に対応するレーザ光を照
射して、そのレーザ光照射領域の上層４を露光し、その
露光された上層４を現像し、レーザ光照射領域の上層４
を除去して中間層３を露出し、中間層３のエッチングが
可能で、且つ基板１のエッチングができないエッチング
ガスを用い、第１回目のエッチングをなして基板１が
現れるまでエッチングを行い、上層４の除去された領域
の中間層３を除去することで上層のパターンを転写し、
酸素プラズマにより残留上層４を取り除き、上層４を中
間層３のエッチングマスクとし第２回目のエッチング
をなして、中間層３の除去された領域の基板１に凹部を
形成し、メッキ膜１０を成膜し、中間層３とメッキ膜１
０を電極としてメッキ層１１を電鋳し、基板１から剥離
し、中間層３をメタルマスタの―部とすることを特徴と
している。 （３）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法は、
上記（２）の円盤よりなる基板１が、エッチングを均質
に行える素材である、石英ガラス，合成石英ガラス，Ｓ
ｉ，Ｓｉ3 Ｎ4 の内のいずれか―つからなることを特徴
としている。 （４）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法は、
上記（１），（２）のエッチング方法は、Ａｒ，Ｋ
ｒ，Ｘｅ，Ｈｅの不活性ガスを使用してなすイオンミリ
ング法であることを特徴としている。 （５）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法は、
上記（１），（２）のエッチング方法が、ＣＦ4 ，Ｃ
Ｆ4 ＋Ｏ2 ，ＣＣ１4 ＋Ｈｅ，ＣＣ１2 Ｆ2 ＋Ｎ2 ，Ｃ
Ｃ１4 十ＳＦ6 ，ＣＢｒＦ3 十Ｃ１2 ，Ｃ１2 十Ａｒ，
ＣＢｒＦ3 ，ＳｉＣ１4 ，ＣＣ１2 Ｆ4 十Ｏ2 ，ＳｉＣ
１4 十Ｃ１2 ，ＣＦ4 十Ｈ2 ，ＣＨＦ3 ，ＣＨＦ3 十Ｏ
2 ，ＣＨＦ3 十ＣＯ2 ，ＣＨＦ3 十Ｃ2 Ｆ6 ，ＣＣ１4
十Ｈｅ，ＣＣ１4 十ＢＣ１3 十Ｏ2 ，ＢＣ１3 十Ｃ
１2 ，ＢＣ１3 十ＣＣ１3 Ｆ十Ｈｅ，ＣＣ１4 十Ｏ2 ，
ＣＦ4 十Ｏ2 ，ＳＦ6 十Ｃ１2 ，Ｃ１2 十Ｈ2 の内の少
なくとも―種類以上のエッチングガスを使用してなすリ
アクティブイオンエッチング法であることを特徴として
いる。 （６）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法は、
上記（１），（２）のエッチング方法が、ＣＦ4 ，Ｃ
Ｆ4 ＋Ｏ2 ，ＣＣ１4 ＋Ｈｅ，ＣＣ１2 Ｆ2 ＋Ｎ2 ，Ｃ
Ｃ１4 十ＳＦ6 ，ＣＢｒＦ3 十Ｃ１2 ，Ｃ１2 十Ａｒ，
ＣＢｒＦ3 ，ＳｉＣ１4 ，ＣＣ１2 Ｆ4 十Ｏ2 ，ＳｉＣ
１4 十Ｃ１2 ，ＣＦ4 十Ｈ2 ，ＣＨＦ3 ，ＣＨＦ3 十Ｏ
2 ，ＣＨＦ3 十ＣＯ2 ，ＣＨＦ3 十Ｃ2 Ｆ6 ，ＣＣ１4
十Ｈｅ，ＣＣ１4 十ＢＣ１3 十Ｏ2 ，ＢＣ１3 十Ｃ
１2 ，ＢＣ１3 十ＣＣ１3 Ｆ十Ｈｅ，ＣＣ１4 十Ｏ2 ，
ＣＦ4 十Ｏ2 ，ＳＦ6 十Ｃ１2 ，Ｃ１2 十Ｈ2 の内の少
なくとも―種類以上のエッチングガスを使用してなすリ
アクティブイオンエッチング法であることを特徴として
いる。 （７）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法は、
上記（１），（２）の中間層３として、Ａｕ，Ａｇ，Ａ
１，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｏ，
Ｒｕ，Ｆｅ，Ｇｅ，Ｉｒ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｈｆ，Ｖ，Ｓ
ｉ，Ｕ，Ｔｈ，Ｂｅ，Ｃの内のいずれか―つの導電性膜
を用いることを特徴としている。 （８）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法は、
上記（１），（２）の下層２として、ポリケイ皮酸ビニ
ル，ポリビニルフェノールと芳香族ビスアジドの混合
物，アルカリ可溶性フェノール樹脂とナフトキノンジア
ジドの混合物，ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ），
ジアゾメチルドラム酸とノボラックとの混合物，クレゾ
ールノボラックとナフトキノンジアジゾの化合物の内の
いずれか―つの有機膜を用いることを特徴としている。 （９）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法は、
上記（１），（２）の下層２として、Ｓｉ，ＳｉＯ2 ，
Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−ｏｎ−Ｇ１ａｓｓ）の
内のいずれか―つを用いることを特徴としている。 （１０）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法
は、上記（１）の基板１として、Ｓｉ，ＳｉＯ2 ，Ａ
１，Ｃｒ，Ｎｉ，化学強化ガラス，石英ガラス，合成石
英ガラス，アルミニウム合金，ステンレスの内のいずれ
か―つの無機材料を用いることを特徴としている。 （１１）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法
は、上記（１），（２）の基板１として、ポリメチルメ
タアクリレート（ＰＭＭＡ），ポリカーボネイト（Ｐ
Ｃ），非晶質ポリオレフィン（ＡＰＯ），エポキシの内
のいずれか―つの有機材料を用いることを特徴としてい
る。 （１２）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法
は、上記（１），（２）の上層４のパターン形成後、遠
紫外光照射または遠紫外光照射後高熱処理を施すことを
特徴としている。 （１３）本発明の情報記録媒体のスタンパの製造方法
は、上記（１），（２）の情報記録媒体のスタンパの製
造方法を使用して製造されたスタンパとディスク基板と
の間に樹脂を介在し、その樹脂を硬化する工程を含むこ
とを特徴としている。
【００１８】
【作用】本発明の情報記録媒体のスタンパ製造方法によ
れば、上層４，中間層３および下層２の３層、または、
上層４，中間層３の２層よりなる多層を用い、イオンミ
リングとリアクティブイオンエッチングの少なくとも２
回のドライエッチングを行うことで、高度な垂直異方性
と高い選択比を同時に満足させることを可能とし、開口
幅ＲT ，ＲB ，ＦT ，ＦB の関係ＲT ＞ＦT ＝ＲB ＝Ｆ
B をほぼ満足することで高密度化が可能となる。上層４
は、露光、現像により上層のパターンを形成する通常の
レジストである。中間層は上層４と下層２を分離すると
共に、下層２のマスクとして働く、下層２にエッチング
を行うプラズマに対して耐性の強い材料からなる。
れば、上層４，中間層３および下層２の３層、または、
上層４，中間層３の２層よりなる多層を用い、イオンミ
リングとリアクティブイオンエッチングの少なくとも２
回のドライエッチングを行うことで、高度な垂直異方性
と高い選択比を同時に満足させることを可能とし、開口
幅ＲT ，ＲB ，ＦT ，ＦB の関係ＲT ＞ＦT ＝ＲB ＝Ｆ
B をほぼ満足することで高密度化が可能となる。上層４
は、露光、現像により上層のパターンを形成する通常の
レジストである。中間層は上層４と下層２を分離すると
共に、下層２のマスクとして働く、下層２にエッチング
を行うプラズマに対して耐性の強い材料からなる。
【００１９】露光ビームの強度分布は、ガウス分布をし
ているため、フォトレジスト膜上に、露光によって形成
された潜像も略ガウス分布となる。現像によって形成さ
れるピット断面は、潜像が中間調部を含む略ガウス分布
であるため、図１３（ｂ）に示すように上部開口幅ＲT
と下部開口幅ＲB がＲT ＞ＲB なる関係を有する開口部
４ａを形成する。
ているため、フォトレジスト膜上に、露光によって形成
された潜像も略ガウス分布となる。現像によって形成さ
れるピット断面は、潜像が中間調部を含む略ガウス分布
であるため、図１３（ｂ）に示すように上部開口幅ＲT
と下部開口幅ＲB がＲT ＞ＲB なる関係を有する開口部
４ａを形成する。
【００２０】次に、フォトレジストの耐熱性とドライエ
ッチ耐性を向上させるために、遠紫外光照射技術を用い
る。この方法は、フォトレジストにピットまたはグルー
ブのパターン形成後、波長250 nm〜300 nmの遠紫外光を
ディスク全面に照射し、光吸収に伴うフォトレジスト分
子の架橋により耐熱性を向上させるものである。さら
に、その後で、高温で熱処理を行いレジストを熱架橋さ
せることにより、よりいっそう、フォトレジストの耐熱
性とドライエッチング耐性を増大させる。
ッチ耐性を向上させるために、遠紫外光照射技術を用い
る。この方法は、フォトレジストにピットまたはグルー
ブのパターン形成後、波長250 nm〜300 nmの遠紫外光を
ディスク全面に照射し、光吸収に伴うフォトレジスト分
子の架橋により耐熱性を向上させるものである。さら
に、その後で、高温で熱処理を行いレジストを熱架橋さ
せることにより、よりいっそう、フォトレジストの耐熱
性とドライエッチング耐性を増大させる。
【００２１】開口部４ａを通して、中間層３に異方性を
有するイオンミリング等の物理的な効果の高いエッチン
グを行うことで、開口幅がＲT ≧ＦT ≧ＲB ＝ＦB なる
関係を有する開口部３ａを形成する。また、フォトレジ
ストと中間層の選択比が１以下の場合（１／ｎ，ｎ＝
１，２，３，・・・）、開口幅がＲT ≧ＦT ≧ＲB ＝Ｆ
B なる関係を有するためには、フォトレジストの膜厚を
ｄとすると中間層の膜厚ＤはＤ＝ｄ／ｎの関係を満たせ
ばよい。次に上記のエッチングにおいて、下層２が露出
した時点でエッチングを停止する。
有するイオンミリング等の物理的な効果の高いエッチン
グを行うことで、開口幅がＲT ≧ＦT ≧ＲB ＝ＦB なる
関係を有する開口部３ａを形成する。また、フォトレジ
ストと中間層の選択比が１以下の場合（１／ｎ，ｎ＝
１，２，３，・・・）、開口幅がＲT ≧ＦT ≧ＲB ＝Ｆ
B なる関係を有するためには、フォトレジストの膜厚を
ｄとすると中間層の膜厚ＤはＤ＝ｄ／ｎの関係を満たせ
ばよい。次に上記のエッチングにおいて、下層２が露出
した時点でエッチングを停止する。
【００２２】中間層３をエッチングマスクとし使用でき
るため、下層２とエッチングガスの組み合わせにより、
高度な異方性と高い選択比を満足し、開口部３ａを通し
て下層２に開口幅がＦT ＝ＲB ＝ＦB なる関係をほぼ満
足するピットを形成することが可能となる。
るため、下層２とエッチングガスの組み合わせにより、
高度な異方性と高い選択比を満足し、開口部３ａを通し
て下層２に開口幅がＦT ＝ＲB ＝ＦB なる関係をほぼ満
足するピットを形成することが可能となる。
【００２３】また、前述した中間層はメタルマスタ製作
時にメッキ層の一部として作用し電解メッキを施す助け
となりメタルマスタの一部分として取り込まれるため微
小ピットの形成が可能となる。
時にメッキ層の一部として作用し電解メッキを施す助け
となりメタルマスタの一部分として取り込まれるため微
小ピットの形成が可能となる。
【００２４】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００２５】まず、本発明を適用した情報記録媒体の製
造方法の具体的な実施例を図１〜図５を参照しながら説
明する。
造方法の具体的な実施例を図１〜図５を参照しながら説
明する。
【００２６】高密度光ディスクを製作するには、先ず、
図１（ａ）に示すように、表面を研磨した化学強化ガラ
スよりなる基板１上に膜厚60 nm 〜100 nm（再生波長の
λ/4n によって決まる厚み；n は再生基板の屈折率）程
度のＳｉＯ2 （Ｓｉ，Ｓｉ3Ｎ4 でもよい）層を下層２
として成膜する。
図１（ａ）に示すように、表面を研磨した化学強化ガラ
スよりなる基板１上に膜厚60 nm 〜100 nm（再生波長の
λ/4n によって決まる厚み；n は再生基板の屈折率）程
度のＳｉＯ2 （Ｓｉ，Ｓｉ3Ｎ4 でもよい）層を下層２
として成膜する。
【００２７】この下層２は、ピットまたはグルーブを形
成するための層であるので、後工程で中間層３をエッチ
ングマスクとしてエッチングを行ったとき、高度な異方
性と高い選択比を満足することが必要である。かかる要
求を満足する材料は、上記したＳｉＯ2 層が好適であ
る。尚、これは特に限定されるものではなく上記条件を
満足する材料であれば何でもよい。
成するための層であるので、後工程で中間層３をエッチ
ングマスクとしてエッチングを行ったとき、高度な異方
性と高い選択比を満足することが必要である。かかる要
求を満足する材料は、上記したＳｉＯ2 層が好適であ
る。尚、これは特に限定されるものではなく上記条件を
満足する材料であれば何でもよい。
【００２８】次に、この下層２上に膜厚20 nm 〜150nm
程度のＮｉ（Ａｌ，Ｃｒでもよい）層を中間層３として
成膜する。
程度のＮｉ（Ａｌ，Ｃｒでもよい）層を中間層３として
成膜する。
【００２９】この中間層３は下層２をエッチングすると
きのエッチングマスクを形成するための層であるので、
後工程で上層４を露光したときにこの中間層３が露光ビ
ームによって感光されないことが必要であり、さらに、
上層４を現像したときにアルカリ水溶液等の上層４を除
去する溶液に溶かされないことが必要となる。かかる要
求を満足する材料は、前述したＮｉ層が好適である。
尚、これは特に限定されるものではなく上記条件を満足
する材料であれば何でもよい。
きのエッチングマスクを形成するための層であるので、
後工程で上層４を露光したときにこの中間層３が露光ビ
ームによって感光されないことが必要であり、さらに、
上層４を現像したときにアルカリ水溶液等の上層４を除
去する溶液に溶かされないことが必要となる。かかる要
求を満足する材料は、前述したＮｉ層が好適である。
尚、これは特に限定されるものではなく上記条件を満足
する材料であれば何でもよい。
【００３０】次に、図１（ｂ）に示すように、上記中間
層３上に膜厚50 nm 〜150 nm程度のポジ型の上層４をス
ピンコート法により塗布する。
層３上に膜厚50 nm 〜150 nm程度のポジ型の上層４をス
ピンコート法により塗布する。
【００３１】この上層４は、前述した中間層３をエッチ
ングにより成形する際にマスクとしての作用を果たすも
のであるから、露光ビームに対して感光する材料が使用
される。かかる材料としては、例えば感光性レジストが
好適である。
ングにより成形する際にマスクとしての作用を果たすも
のであるから、露光ビームに対して感光する材料が使用
される。かかる材料としては、例えば感光性レジストが
好適である。
【００３２】次に、図１（ｃ）および図１（ｄ）に示す
ように、露光ビーム hνの強度分布は、ガウス分布をし
ているため、フォトレジスト膜上に、露光によって形成
された潜像も略ガウス分布となり、現像によって形成さ
れるピット断面は、潜像が中間調部を含む略ガウス分布
であるため、感光された潜像を現像すると、図１３
（ｂ）に示すように上部開口幅ＲT と下部開口幅ＲB が
ＲT ＞ＲB なる関係を有する開口部４ａを形成する。な
お、形成された開口部４ａは上部開口幅ＲT ＝0.4μm
，下部開口幅ＲB ＝0.2 μm であった。
ように、露光ビーム hνの強度分布は、ガウス分布をし
ているため、フォトレジスト膜上に、露光によって形成
された潜像も略ガウス分布となり、現像によって形成さ
れるピット断面は、潜像が中間調部を含む略ガウス分布
であるため、感光された潜像を現像すると、図１３
（ｂ）に示すように上部開口幅ＲT と下部開口幅ＲB が
ＲT ＞ＲB なる関係を有する開口部４ａを形成する。な
お、形成された開口部４ａは上部開口幅ＲT ＝0.4μm
，下部開口幅ＲB ＝0.2 μm であった。
【００３３】次に、図２（ｅ）に示すように、現像され
て残った上層４の耐熱性とドライエッチ耐性を向上させ
るため、ディスク全面に、500 W のＸｅ−Ｈｇランプ，
250nmコールドミラーを用い、遠紫外光を３分照射後、2
70 ℃の高温熱処理を施した。
て残った上層４の耐熱性とドライエッチ耐性を向上させ
るため、ディスク全面に、500 W のＸｅ−Ｈｇランプ，
250nmコールドミラーを用い、遠紫外光を３分照射後、2
70 ℃の高温熱処理を施した。
【００３４】次に、耐熱性とドライエッチング耐性を向
上させた上層４をマスクとして前述した中間層３をイオ
ンミーリングによりArイオンでエッチングする。
上させた上層４をマスクとして前述した中間層３をイオ
ンミーリングによりArイオンでエッチングする。
【００３５】この結果、図２（ｆ）に示すように、開口
部４ａを通して、下層のＮｉの中間層３に、開口幅がＲ
T ≧ＦT ≧ＲB ＝ＦB なる関係を有する開口部４ａを形
成する。
部４ａを通して、下層のＮｉの中間層３に、開口幅がＲ
T ≧ＦT ≧ＲB ＝ＦB なる関係を有する開口部４ａを形
成する。
【００３６】次に、図２（ｇ）に示すように、Ｏ2 プラ
ズマにより残留上層４に灰化処理を施し取り除く。
ズマにより残留上層４に灰化処理を施し取り除く。
【００３７】次に、図３（ｈ）に示すように、前述した
エッチングにより残った中間層３をマスクとして下層２
をＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）により
ＣＦ4 でエッチングする。
エッチングにより残った中間層３をマスクとして下層２
をＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）により
ＣＦ4 でエッチングする。
【００３８】この結果、開口部３ａを通して、下層のＳ
ｉＯ2 の下成層２に、開口幅がＲB＝ＦB ＝ＷB なる関
係を有する開口部２ａを形成する。
ｉＯ2 の下成層２に、開口幅がＲB＝ＦB ＝ＷB なる関
係を有する開口部２ａを形成する。
【００３９】以下、通常の光ディスクの製造技術に準じ
てマスタ，スタンパ等を作成し光ディスクを作成する。
てマスタ，スタンパ等を作成し光ディスクを作成する。
【００４０】例えば、図３（ｈ）にて下層２にピットパ
ターン転写後の基板１に対して、図３（ｉ）および図３
（ｊ）に示すように、前述した中間層３および後述する
メッキ層１１を剥離容易ならしめるためにＮｉメッキを
施しメッキ膜１０を形成し、さらに、この上に電解メッ
キまたは無電解メッキを施してメッキ層１１を形成す
る。
ターン転写後の基板１に対して、図３（ｉ）および図３
（ｊ）に示すように、前述した中間層３および後述する
メッキ層１１を剥離容易ならしめるためにＮｉメッキを
施しメッキ膜１０を形成し、さらに、この上に電解メッ
キまたは無電解メッキを施してメッキ層１１を形成す
る。
【００４１】次に、図４（ｋ）に示すように、メッキ層
１１を基板１より剥離してメタルマスタ１２を作成す
る。なお、このとき上記中間層３とメッキ膜１０も同時
に剥離する。
１１を基板１より剥離してメタルマスタ１２を作成す
る。なお、このとき上記中間層３とメッキ膜１０も同時
に剥離する。
【００４２】この結果、このメタルマスタ１２には、前
述の下層２に形成されたピットまたはグルーブが写し取
られ、このピットまたはグルーブに対応した位置にそれ
ぞれ凸部１２ａが形成される。
述の下層２に形成されたピットまたはグルーブが写し取
られ、このピットまたはグルーブに対応した位置にそれ
ぞれ凸部１２ａが形成される。
【００４３】次いで、図４（ｌ）に示すように、メタル
マスタ１２によってマザー１３を作成する。
マスタ１２によってマザー１３を作成する。
【００４４】この結果、マザー１３には、メタルマスタ
１２に形成された凸部１２ａが写し取られ、凸部１２ａ
に応じた位置にそれぞれ凹状の溝１３ａが形成される。
１２に形成された凸部１２ａが写し取られ、凸部１２ａ
に応じた位置にそれぞれ凹状の溝１３ａが形成される。
【００４５】次に、図４（ｍ）に示すように、マザー１
３によってスタンパ１４を製作する。
３によってスタンパ１４を製作する。
【００４６】この結果、スタンパ１４には、マザー１３
に形成された凹状の溝１３ａが写し取られ、この凹状の
溝１３ａに対応する位置にそれぞれ凸部１４ａが形成さ
れる。
に形成された凹状の溝１３ａが写し取られ、この凹状の
溝１３ａに対応する位置にそれぞれ凸部１４ａが形成さ
れる。
【００４７】次いで、図５（ｎ）に示すように、スタン
パ１４を例えばアクリル樹脂やポリカーボネイト樹脂に
押しつけてディスク基板１５を作成するか、または、デ
ィスク基板１５上に紫外線硬化樹脂を塗布後、スタンパ
１５に密着させ紫外線硬化後、スタンパ１４より剥離
後、ディスク基板１５を作成する。
パ１４を例えばアクリル樹脂やポリカーボネイト樹脂に
押しつけてディスク基板１５を作成するか、または、デ
ィスク基板１５上に紫外線硬化樹脂を塗布後、スタンパ
１５に密着させ紫外線硬化後、スタンパ１４より剥離
後、ディスク基板１５を作成する。
【００４８】この結果、ディスク基板１５には、スタン
パ１４に形成された凸部１４ａのに応じた凹状の溝１３
ａがピットまたはグルーブとして形成される。
パ１４に形成された凸部１４ａのに応じた凹状の溝１３
ａがピットまたはグルーブとして形成される。
【００４９】次に、図５（ｏ）に示すように、ディスク
基板１５のピット内を含め例えばアルミニウム等の金属
膜１６を反射膜として成膜する。
基板１５のピット内を含め例えばアルミニウム等の金属
膜１６を反射膜として成膜する。
【００５０】最後に、図５（ｐ）に示すように、金属膜
１６上に樹脂等による保護膜１７を形成し、情報記録媒
体を完成する。
１６上に樹脂等による保護膜１７を形成し、情報記録媒
体を完成する。
【００５１】また、基板１に下層２と同一の材料（Ｓｉ
Ｏ2 ，Ｓｉ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＰＭＭＡ，ＰＣ(ホ゜リカーホ゛ネイ
ト)）を用いれば、基板１自体にピットまたはグルーブの
形成が可能となり、下層２が省略できる。
Ｏ2 ，Ｓｉ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＰＭＭＡ，ＰＣ(ホ゜リカーホ゛ネイ
ト)）を用いれば、基板１自体にピットまたはグルーブの
形成が可能となり、下層２が省略できる。
【００５２】以下、本発明に適用できる基板１，下層
２，中間層３のディスク原盤の素材とエッチングガスお
よびエッチング法のエッチングプロセスとの組み合わせ
を表１〜表６に示す。
２，中間層３のディスク原盤の素材とエッチングガスお
よびエッチング法のエッチングプロセスとの組み合わせ
を表１〜表６に示す。
【００５３】表１は、基板上に無機物の下層２，導電性
膜の中間層３，上層４を積層した３層構成において、エ
ッチングにイオンミーリング法、エッチングにRIE
法を使用するときのディスク原盤の素材とエッチングプ
ロセスの組み合わせを示したものである。ＲＩＥ法で使
用しているエッチングガスより中間層３の導電成膜はエ
ッチングされないので、中間層３と下層２の選択比を無
限に大きく取ることが可能となり、形成されたピット開
口部の上部開口幅と下部開口幅がほぼ等しいピットを形
成することが可能となる。
膜の中間層３，上層４を積層した３層構成において、エ
ッチングにイオンミーリング法、エッチングにRIE
法を使用するときのディスク原盤の素材とエッチングプ
ロセスの組み合わせを示したものである。ＲＩＥ法で使
用しているエッチングガスより中間層３の導電成膜はエ
ッチングされないので、中間層３と下層２の選択比を無
限に大きく取ることが可能となり、形成されたピット開
口部の上部開口幅と下部開口幅がほぼ等しいピットを形
成することが可能となる。
【００５４】
【表１】
【００５５】表２は、基板上に無機物の下１２層，導電
性膜の中間層３，上層４を積層した３層構成において、
エッチングとエッチングにＲＩＥ法を使用するとき
のディスク原盤の素材とエッチングプロセスの組み合わ
せを示したものである。ＲＩＥ法で使用しているエッチ
ングガスより中間層３の導電性膜はエッチングされない
ので、中間層３と下層２の選択比を無限に大きく取るこ
とが可能となり、形成されたピット開口部の上部開口幅
と下部開口幅がほぼ等しいピットを形成することが可能
となる。
性膜の中間層３，上層４を積層した３層構成において、
エッチングとエッチングにＲＩＥ法を使用するとき
のディスク原盤の素材とエッチングプロセスの組み合わ
せを示したものである。ＲＩＥ法で使用しているエッチ
ングガスより中間層３の導電性膜はエッチングされない
ので、中間層３と下層２の選択比を無限に大きく取るこ
とが可能となり、形成されたピット開口部の上部開口幅
と下部開口幅がほぼ等しいピットを形成することが可能
となる。
【００５６】
【表２】
【００５７】表３は、基板上に有機物の下層２，導電性
膜の中間層３，上層４を積層した３層構成において、エ
ッチングにイオンミーリング法およびRIE 法、エッチ
ングにＲＩＥ法を使用するときのディスク原盤の素材
とエッチングプロセスの組み合わせを示したものであ
る。ＲＩＥ法で使用しているエッチングガスより中間層
３の導電性膜はエッチングされず、下層２のみエッチン
グされるので、中間層３と下層２の選択比を無限に大き
く取ることが可能となり、形成されたピット開口部の上
部開口幅と下部開口幅がほぼ等しいピットを形成するこ
とが可能となる。
膜の中間層３，上層４を積層した３層構成において、エ
ッチングにイオンミーリング法およびRIE 法、エッチ
ングにＲＩＥ法を使用するときのディスク原盤の素材
とエッチングプロセスの組み合わせを示したものであ
る。ＲＩＥ法で使用しているエッチングガスより中間層
３の導電性膜はエッチングされず、下層２のみエッチン
グされるので、中間層３と下層２の選択比を無限に大き
く取ることが可能となり、形成されたピット開口部の上
部開口幅と下部開口幅がほぼ等しいピットを形成するこ
とが可能となる。
【００５８】
【００５９】
【表３】
【００６０】表４は、無機物の基板上に導電性膜の中間
層３，上層２を積層した２層構成において、エッチング
にイオンミーリング法、エッチングにＲＩＥ法を使
用するときのディスク原盤の素材とエッチングプロセス
の組み合わせを示したものである。ＲＩＥ法で使用して
いるエッチングガスより中間層３の導電性膜はエッチン
グされないので、中間層３と基板１の選択比を無限に大
きく取ることが可能となり、形成されたピット開口部の
上部開口幅と下部開口幅がほぼ等しいピットを形成する
ことが可能となる。
層３，上層２を積層した２層構成において、エッチング
にイオンミーリング法、エッチングにＲＩＥ法を使
用するときのディスク原盤の素材とエッチングプロセス
の組み合わせを示したものである。ＲＩＥ法で使用して
いるエッチングガスより中間層３の導電性膜はエッチン
グされないので、中間層３と基板１の選択比を無限に大
きく取ることが可能となり、形成されたピット開口部の
上部開口幅と下部開口幅がほぼ等しいピットを形成する
ことが可能となる。
【００６１】
【表４】
【００６２】第５は、無機物の基板上に導電性膜の中間
層３，上層４を積層した２層構成において、エッチング
，エッチングにＲＩＥ法を使用するときのディスク
原盤の素材とエッチングプロセスの組み合わせを示した
ものである。ＲＩＥ法で使用しているエッチングガスよ
り中間層３の導電性膜はエッチングされないので、中間
層３と基板の選択比を無限に大きく取ることが可能とな
り、形成されたピット開口部の上部開口幅と下部開口幅
がほぼ等しいピットを形成することが可能となる。
層３，上層４を積層した２層構成において、エッチング
，エッチングにＲＩＥ法を使用するときのディスク
原盤の素材とエッチングプロセスの組み合わせを示した
ものである。ＲＩＥ法で使用しているエッチングガスよ
り中間層３の導電性膜はエッチングされないので、中間
層３と基板の選択比を無限に大きく取ることが可能とな
り、形成されたピット開口部の上部開口幅と下部開口幅
がほぼ等しいピットを形成することが可能となる。
【００６３】
【表５】
【００６４】表６は、有機物の基板１上に導電性膜の中
間層３，上層４を積層した２層構成において、エッチン
グにイオンミーリング法またはＲＩＥ法、エッチング
にＲＩＥ法を使用するときのディスク原盤の素材とエ
ッチングプロセスの組み合わせを示したものである。Ｒ
ＩＥ法で使用しているエッチングガスより中間層３の導
電性膜はエッチングされないので、中間層３と基板１の
選択比を無限に大きく取ることが可能となり、形成され
たピット開口部の上部開口幅と下部開口幅がほぼ等しい
ピットを形成することが可能となる。
間層３，上層４を積層した２層構成において、エッチン
グにイオンミーリング法またはＲＩＥ法、エッチング
にＲＩＥ法を使用するときのディスク原盤の素材とエ
ッチングプロセスの組み合わせを示したものである。Ｒ
ＩＥ法で使用しているエッチングガスより中間層３の導
電性膜はエッチングされないので、中間層３と基板１の
選択比を無限に大きく取ることが可能となり、形成され
たピット開口部の上部開口幅と下部開口幅がほぼ等しい
ピットを形成することが可能となる。
【００６５】
【表６】
【００６６】以下に、本発明に適用できるイオンミーリ
ングによる、中間層３に使用する元素のスパッタ率およ
びフォトレジストのエッチング速度を示す。
ングによる、中間層３に使用する元素のスパッタ率およ
びフォトレジストのエッチング速度を示す。
【００６７】図６は、400 eVのＡｒイオンのイオンミー
リングによる各元素のスパッタ率の文献データを示した
もので、文献（Laegried,N., Wahner,G.K., J.Appl, Ph
ys.,1961 ）中の各元素が中間層３として使用可能であ
ることを示した。
リングによる各元素のスパッタ率の文献データを示した
もので、文献（Laegried,N., Wahner,G.K., J.Appl, Ph
ys.,1961 ）中の各元素が中間層３として使用可能であ
ることを示した。
【００６８】図７は、イオンミーリングによるＡｕ，Ａ
ｌとフォトレジストAZ1350（Shipley 社製）のエッチン
グ速度の入射角依存性の文献値のデータを示したもの
で、文献（Melliar-Smith,C.M., Mogab,C.J., Plasmaas
sisted etching techniques for pattern delineation,
Academic Press, 1978 ）中のデータよりフォトレジス
トAZ1350とＡｕおよびＡｌの選択比は各々2.7 と1 であ
り、ＡｕとＡｌがAZ1350を上層４として使用することで
中間層３として使用可能であることを示した。また、本
発明者等の研究の結果フォトレジストAZ1350J （Shiple
y 社製）とＡｕの選択比は低加速，高圧力の条件によ
り、1.6 〜50程度まで調整可能であることを確認してい
る。
ｌとフォトレジストAZ1350（Shipley 社製）のエッチン
グ速度の入射角依存性の文献値のデータを示したもの
で、文献（Melliar-Smith,C.M., Mogab,C.J., Plasmaas
sisted etching techniques for pattern delineation,
Academic Press, 1978 ）中のデータよりフォトレジス
トAZ1350とＡｕおよびＡｌの選択比は各々2.7 と1 であ
り、ＡｕとＡｌがAZ1350を上層４として使用することで
中間層３として使用可能であることを示した。また、本
発明者等の研究の結果フォトレジストAZ1350J （Shiple
y 社製）とＡｕの選択比は低加速，高圧力の条件によ
り、1.6 〜50程度まで調整可能であることを確認してい
る。
【００６９】次に、本発明を適用した上層４と中間層３
選択比の違いによるメタルマスタの製作工程の具体的な
実施例を図８〜図１０を参照しながら説明する。
選択比の違いによるメタルマスタの製作工程の具体的な
実施例を図８〜図１０を参照しながら説明する。
【００７０】上層４と中間層３の選択比が0.1 の場合、
図８（ａ）に示すように、上層４の膜厚100 nmに対し
て、中間層３の膜厚は1/10の10 nm を成膜する。図８
（ｂ）に示すように、図２（ｅ）の第５工程終了後のデ
ィスク原盤に対してエッチングを行い中間層３に上層
４のパターンを転写する。上層４の下部開口幅Ｒ Bとマ
スク層３の下部開口幅ＦB はほぼ等しくなる。残留上層
４を取り除いた後に、中間層３をエッチングマスクとし
てエッチングを施すことで、形成されたピット開口部
の上部開口幅と下部開口幅がほぼ等しいピットを形成さ
れ、中間層３をメッキ層１０および電解メッキ層１１と
共に切り放すことで、図８（ｃ）に示すように、メタル
マスタ１２を作成する。
図８（ａ）に示すように、上層４の膜厚100 nmに対し
て、中間層３の膜厚は1/10の10 nm を成膜する。図８
（ｂ）に示すように、図２（ｅ）の第５工程終了後のデ
ィスク原盤に対してエッチングを行い中間層３に上層
４のパターンを転写する。上層４の下部開口幅Ｒ Bとマ
スク層３の下部開口幅ＦB はほぼ等しくなる。残留上層
４を取り除いた後に、中間層３をエッチングマスクとし
てエッチングを施すことで、形成されたピット開口部
の上部開口幅と下部開口幅がほぼ等しいピットを形成さ
れ、中間層３をメッキ層１０および電解メッキ層１１と
共に切り放すことで、図８（ｃ）に示すように、メタル
マスタ１２を作成する。
【００７１】上層４と中間層３の選択比が1 の場合、図
９（ａ）に示すように、上層４の膜厚100 nmに対して、
中間層３の膜厚は最大100 nmまで成膜可能である。図９
（ｂ）に示すように、図２（ｅ）の第５工程終了後のデ
ィスク原盤に対してエッチングを行い中間層３に上層
４のパターンを転写する。上層４の下部開口幅ＲB と中
間層３の下部開口幅ＦB はほぼ等しくなる。残留上層４
を取り除いた後に、中間層３をエッチングマスクとして
エッチングを施すことで、形成されたピット開口部の
上部開口幅と下部開口幅がほぼ等しいピットを形成さ
れ、中間層３をメッキ層１０および電解メッキ層１１と
共に切り放すことで、図９（ｃ）に示すように、メタル
マスタ１２を作成する。
９（ａ）に示すように、上層４の膜厚100 nmに対して、
中間層３の膜厚は最大100 nmまで成膜可能である。図９
（ｂ）に示すように、図２（ｅ）の第５工程終了後のデ
ィスク原盤に対してエッチングを行い中間層３に上層
４のパターンを転写する。上層４の下部開口幅ＲB と中
間層３の下部開口幅ＦB はほぼ等しくなる。残留上層４
を取り除いた後に、中間層３をエッチングマスクとして
エッチングを施すことで、形成されたピット開口部の
上部開口幅と下部開口幅がほぼ等しいピットを形成さ
れ、中間層３をメッキ層１０および電解メッキ層１１と
共に切り放すことで、図９（ｃ）に示すように、メタル
マスタ１２を作成する。
【００７２】上層４と中間層３の選択比が5 の場合、図
１０（ａ）に示すように、上層４の膜厚100 nmに対し
て、中間層４の膜厚は最大500 nmまで成膜可能である。
本実施例では中間層３の膜厚を300 nmとした。図１０
（ｂ）に示すように、図２（ｅ）の第５工程終了後のデ
ィスク原盤に対してエッチングを行い中間層３に上層
４のパターンを転写する。上層４の下部開口幅ＲB とマ
スク層３の下部開口幅ＦBはほぼ等しくなる。残留上層
４を取り除いた後に、中間層３をエッチングマスクとし
てエッチングを施す。本実施例では中間層３と下層２
の選択比を１とした。形成されたピット開口部の上部開
口幅と下部開口幅はほぼ等しくなる。次に中間層３をメ
ッキ層１０および電解メッキ層１１と共に切り放すこと
で、図１０（ｃ）に示すように、メタルマスタ１２を作
成する。
１０（ａ）に示すように、上層４の膜厚100 nmに対し
て、中間層４の膜厚は最大500 nmまで成膜可能である。
本実施例では中間層３の膜厚を300 nmとした。図１０
（ｂ）に示すように、図２（ｅ）の第５工程終了後のデ
ィスク原盤に対してエッチングを行い中間層３に上層
４のパターンを転写する。上層４の下部開口幅ＲB とマ
スク層３の下部開口幅ＦBはほぼ等しくなる。残留上層
４を取り除いた後に、中間層３をエッチングマスクとし
てエッチングを施す。本実施例では中間層３と下層２
の選択比を１とした。形成されたピット開口部の上部開
口幅と下部開口幅はほぼ等しくなる。次に中間層３をメ
ッキ層１０および電解メッキ層１１と共に切り放すこと
で、図１０（ｃ）に示すように、メタルマスタ１２を作
成する。
【００７３】図８，図９の実施例に、中間層３がエッチ
ング可能な導電性膜で有れば、上層４に対する選択比が
１以下であっても、エッチングマスクとして使用可能で
あり、下層２に形成されたピット開口部の上部開口幅と
下部開口幅がほぼ等しいピットを形成されることを示し
た。
ング可能な導電性膜で有れば、上層４に対する選択比が
１以下であっても、エッチングマスクとして使用可能で
あり、下層２に形成されたピット開口部の上部開口幅と
下部開口幅がほぼ等しいピットを形成されることを示し
た。
【００７４】また、図１０の実施例に、選択比が１より
も大きい場合、中間層３を上層４よりも膜厚を厚くする
事が可能となり、エッチングによる中間層３と下層２
の選抜比が小さい場合でも、エッチングマスクとして使
用可能であり、下層２に形成されたピット開口部の上部
開口幅と下部開口幅がほぼ等しいピットが形成されるこ
とを示した。
も大きい場合、中間層３を上層４よりも膜厚を厚くする
事が可能となり、エッチングによる中間層３と下層２
の選抜比が小さい場合でも、エッチングマスクとして使
用可能であり、下層２に形成されたピット開口部の上部
開口幅と下部開口幅がほぼ等しいピットが形成されるこ
とを示した。
【００７５】なお、前述した円盤よりなる基板１は、ス
テンレス（例えばステンレスSUS303），ニッケル，石英
ガラス，化学強化ガラス，結晶ガラス，アルミニウム合
金からなることが好適であり、中間層３として、Ａｕ，
Ａｇ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｔａ，Ｗ，Ｎ
ｉ，Ｃｏ，Ｒｕ，Ｆｅ，Ｇｅ，Ｉｒ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｈ
ｆ，Ｖ，Ｓｉ，Ｕ，Ｔｈ，Ｂｅ，Ｃの導電性膜が好適で
あり、下層２として、ポリケイ皮酸ビニル，ポリビニル
フェノールと芳香族ビスアジドの混合物，アルカリ可溶
性フェノール樹脂とナフトキノンジアジドの混合物，ポ
リメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ），ジアゾメチルドラ
ム酸とノボラックとの混合物，クレゾールノボラックと
ナフトキノンジアジゾの化合物等，ポリヘキサフルオロ
ブチルメタクリレート（ＦＢＭ），ポリブテンスルフォ
ン（ＰＢＳ），クロロメチル化ポリスチレン（ＣＭＳ）
の有機膜、またはＳｉ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳＯＧ
（Spin-on-Glass ）等の無機膜または有機金属膜である
ことが好適であり、エッチング方法は、Ａｒ，Ｋｒ，
Ｘｅ，Ｈｅ等の不活性ガスを使用してなすイオンミリン
グ法またはＣＦ4 ，ＣＦ4 ＋Ｏ2 ，ＣＣｌ4 ＋Ｈｅ，Ｃ
Ｃｌ2 Ｆ2 ＋Ｎ2 ，ＣＣｌ4 ＋ＳＦ6 ，ＣＢｒＦ3 ＋Ｃ
ｌ2 ，Ｃｌ2 ＋Ａｒ，ＣＢｒＦ3 ，ＳｉＣｌ4 ，ＣＣｌ
2 Ｆ4 ＋Ｏ2 ，ＳｉＣｌ4 ＋Ｃｌ2 ，ＣＦ4 ＋Ｈ2 ，Ｃ
ＨＦ3 ，ＣＨＦ3＋Ｏ2 ，ＣＨＦ3 ＋ＣＯ2 ，ＣＨＦ3
＋Ｃ2 Ｆ6 ，ＣＣｌ4 ＋Ｈｅ，ＣＣｌ4 ＋ＢＣｌ3 ＋Ｏ
2 ，ＢＣｌ3 ＋Ｃｌ2 ，ＢＣｌ3 ＋ＣＣｌ3 Ｆ＋Ｈｅ，
ＣＣｌ4 ＋Ｏ2 ，ＣＦ4 ＋Ｏ2 ，ＳＦ6 ＋Ｃｌ2 ，Ｃｌ
2 ＋Ｈ2 の内の少なくとも一種類以上のエッチングガス
を使用してなすリアクティブイオンエッチング法である
ことが好適であり、エッチング方法は、ＣＦ4 ，ＣＦ
4 ＋Ｏ2 ，ＣＣｌ4 ＋Ｈｅ，ＣＣｌ2 Ｆ2 ＋Ｎ2 ，ＣＣ
ｌ4 ＋ＳＦ6 ，ＣＢｒＦ3 ＋Ｃｌ2 ，Ｃｌ2 ＋Ａｒ，Ｃ
ＢｒＦ3 ，ＳｉＣｌ4 ，ＣＣｌ2 Ｆ4 ＋Ｏ2 ，ＳｉＣｌ
4 ＋Ｃｌ2 ，ＣＦ4 ＋Ｈ2 ，ＣＨＦ3 ，ＣＨＦ3 ＋
Ｏ2 ，ＣＨＦ3 ＋ＣＯ2 ，ＣＨＦ3 ＋Ｃ2 Ｆ6 ，ＣＣｌ
4 ＋Ｈｅ，ＣＣｌ4 ＋ＢＣｌ3 ＋Ｏ2 ，ＢＣｌ3 ＋Ｃｌ
2 ，ＢＣｌ3 ＋ＣＣｌ3 Ｆ＋Ｈｅ，ＣＣｌ4 ＋Ｏ2 ，Ｃ
Ｆ4 ＋Ｏ2 ，ＳＦ6 ＋Ｃｌ2 ，Ｃｌ2 ＋Ｈ2の内の少な
くとも一種類以上のエッチングガスを使用してなすリア
クティブイオンエッチング法であることが好適である。
テンレス（例えばステンレスSUS303），ニッケル，石英
ガラス，化学強化ガラス，結晶ガラス，アルミニウム合
金からなることが好適であり、中間層３として、Ａｕ，
Ａｇ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｔａ，Ｗ，Ｎ
ｉ，Ｃｏ，Ｒｕ，Ｆｅ，Ｇｅ，Ｉｒ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｈ
ｆ，Ｖ，Ｓｉ，Ｕ，Ｔｈ，Ｂｅ，Ｃの導電性膜が好適で
あり、下層２として、ポリケイ皮酸ビニル，ポリビニル
フェノールと芳香族ビスアジドの混合物，アルカリ可溶
性フェノール樹脂とナフトキノンジアジドの混合物，ポ
リメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ），ジアゾメチルドラ
ム酸とノボラックとの混合物，クレゾールノボラックと
ナフトキノンジアジゾの化合物等，ポリヘキサフルオロ
ブチルメタクリレート（ＦＢＭ），ポリブテンスルフォ
ン（ＰＢＳ），クロロメチル化ポリスチレン（ＣＭＳ）
の有機膜、またはＳｉ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳＯＧ
（Spin-on-Glass ）等の無機膜または有機金属膜である
ことが好適であり、エッチング方法は、Ａｒ，Ｋｒ，
Ｘｅ，Ｈｅ等の不活性ガスを使用してなすイオンミリン
グ法またはＣＦ4 ，ＣＦ4 ＋Ｏ2 ，ＣＣｌ4 ＋Ｈｅ，Ｃ
Ｃｌ2 Ｆ2 ＋Ｎ2 ，ＣＣｌ4 ＋ＳＦ6 ，ＣＢｒＦ3 ＋Ｃ
ｌ2 ，Ｃｌ2 ＋Ａｒ，ＣＢｒＦ3 ，ＳｉＣｌ4 ，ＣＣｌ
2 Ｆ4 ＋Ｏ2 ，ＳｉＣｌ4 ＋Ｃｌ2 ，ＣＦ4 ＋Ｈ2 ，Ｃ
ＨＦ3 ，ＣＨＦ3＋Ｏ2 ，ＣＨＦ3 ＋ＣＯ2 ，ＣＨＦ3
＋Ｃ2 Ｆ6 ，ＣＣｌ4 ＋Ｈｅ，ＣＣｌ4 ＋ＢＣｌ3 ＋Ｏ
2 ，ＢＣｌ3 ＋Ｃｌ2 ，ＢＣｌ3 ＋ＣＣｌ3 Ｆ＋Ｈｅ，
ＣＣｌ4 ＋Ｏ2 ，ＣＦ4 ＋Ｏ2 ，ＳＦ6 ＋Ｃｌ2 ，Ｃｌ
2 ＋Ｈ2 の内の少なくとも一種類以上のエッチングガス
を使用してなすリアクティブイオンエッチング法である
ことが好適であり、エッチング方法は、ＣＦ4 ，ＣＦ
4 ＋Ｏ2 ，ＣＣｌ4 ＋Ｈｅ，ＣＣｌ2 Ｆ2 ＋Ｎ2 ，ＣＣ
ｌ4 ＋ＳＦ6 ，ＣＢｒＦ3 ＋Ｃｌ2 ，Ｃｌ2 ＋Ａｒ，Ｃ
ＢｒＦ3 ，ＳｉＣｌ4 ，ＣＣｌ2 Ｆ4 ＋Ｏ2 ，ＳｉＣｌ
4 ＋Ｃｌ2 ，ＣＦ4 ＋Ｈ2 ，ＣＨＦ3 ，ＣＨＦ3 ＋
Ｏ2 ，ＣＨＦ3 ＋ＣＯ2 ，ＣＨＦ3 ＋Ｃ2 Ｆ6 ，ＣＣｌ
4 ＋Ｈｅ，ＣＣｌ4 ＋ＢＣｌ3 ＋Ｏ2 ，ＢＣｌ3 ＋Ｃｌ
2 ，ＢＣｌ3 ＋ＣＣｌ3 Ｆ＋Ｈｅ，ＣＣｌ4 ＋Ｏ2 ，Ｃ
Ｆ4 ＋Ｏ2 ，ＳＦ6 ＋Ｃｌ2 ，Ｃｌ2 ＋Ｈ2の内の少な
くとも一種類以上のエッチングガスを使用してなすリア
クティブイオンエッチング法であることが好適である。
【００７６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の情報記録
媒体の製造方法によると、ピットまたはグルーブを作成
する際に基板上にレーザ光に対して感光しない下層およ
び中間層とレーザ光に対して感光する上層を順次積層し
た基板を使用し、これにレーザ光固有の光強度のガウス
分布特性を利用して露光現像した後、上層をマスクとし
て中間層をエッチングした後、もう一度中間層をマスク
とし下層をエッチングしているので、光学系によって決
まるスポット径および上層と中間層との選択比で決まる
スポット径より微細な幅のピットを作成することができ
る。
媒体の製造方法によると、ピットまたはグルーブを作成
する際に基板上にレーザ光に対して感光しない下層およ
び中間層とレーザ光に対して感光する上層を順次積層し
た基板を使用し、これにレーザ光固有の光強度のガウス
分布特性を利用して露光現像した後、上層をマスクとし
て中間層をエッチングした後、もう一度中間層をマスク
とし下層をエッチングしているので、光学系によって決
まるスポット径および上層と中間層との選択比で決まる
スポット径より微細な幅のピットを作成することができ
る。
【００７７】従って、本発明の情報記録媒体の製造方法
によって作成された情報記録媒体は、ピット（グルー
ブ）の幅が小さくなることから高記録密度が可能となる
という効果がある。
によって作成された情報記録媒体は、ピット（グルー
ブ）の幅が小さくなることから高記録密度が可能となる
という効果がある。
【００７８】また、本発明の情報記録媒体の製造方法
は、光学系によってピット幅（グルーブ幅）が決定され
るのではないため、光学系の設定を変える煩雑な作業を
する必要がないばかりか、光学系の設定ミスによるピッ
トの非対称性やその他のゆがみ等を防止できるという効
果がある。
は、光学系によってピット幅（グルーブ幅）が決定され
るのではないため、光学系の設定を変える煩雑な作業を
する必要がないばかりか、光学系の設定ミスによるピッ
トの非対称性やその他のゆがみ等を防止できるという効
果がある。
【００７９】さらに、本発明の情報記録媒体の製造方法
は、中間層に導電性の膜を使用しており、メタルマスタ
作成時に中間層がメッキ層に取り込まれるので、ピット
（グルーブ）開口部の上部開口幅と下部開口幅のほぼ等
しい矩形状のピット（グルーブ）の形成が可能となり、
再生信号の品質がよい情報記録媒体を提供できるという
効果がある。
は、中間層に導電性の膜を使用しており、メタルマスタ
作成時に中間層がメッキ層に取り込まれるので、ピット
（グルーブ）開口部の上部開口幅と下部開口幅のほぼ等
しい矩形状のピット（グルーブ）の形成が可能となり、
再生信号の品質がよい情報記録媒体を提供できるという
効果がある。
【図１】本発明における情報記録媒体の製造方法の一実
施例を示す図である。図１（ａ）は第１工程を示す図で
ある。図１（ｂ）は第２工程を示す図である。図１
（ｃ）は第３工程を示す図である。図１（ｄ）は第４工
程を示す図である。
施例を示す図である。図１（ａ）は第１工程を示す図で
ある。図１（ｂ）は第２工程を示す図である。図１
（ｃ）は第３工程を示す図である。図１（ｄ）は第４工
程を示す図である。
【図２】本発明における情報記録媒体の製造方法の一実
施例を示す図である。図２（ｅ）は第５工程を示す図で
ある。図２（ｆ）は第６工程を示す図である。図２
（ｇ）は第７工程を示す図である。
施例を示す図である。図２（ｅ）は第５工程を示す図で
ある。図２（ｆ）は第６工程を示す図である。図２
（ｇ）は第７工程を示す図である。
【図３】本発明における情報記録媒体の製造方法の一実
施例を示す図である。図３（ｈ）は第８工程を示す図で
ある。図３（ｉ）は第９工程を示す図である。図３
（ｊ）は第１０工程を示す図である。
施例を示す図である。図３（ｈ）は第８工程を示す図で
ある。図３（ｉ）は第９工程を示す図である。図３
（ｊ）は第１０工程を示す図である。
【図４】本発明における情報記録媒体の製造方法の一実
施例を示す図である。図４（ｋ）は第１１工程を示す図
である。図４（ｌ）は第１２工程を示す図である。図４
（ｍ）は第１３工程を示す図である。
施例を示す図である。図４（ｋ）は第１１工程を示す図
である。図４（ｌ）は第１２工程を示す図である。図４
（ｍ）は第１３工程を示す図である。
【図５】本発明における情報記録媒体の製造方法の一実
施例を示す図である。図５（ｎ）は第１４工程を示す図
である。図５（ｏ）は第１５工程を示す図である。図５
（ｐ）は第１６工程を示す図である。
施例を示す図である。図５（ｎ）は第１４工程を示す図
である。図５（ｏ）は第１５工程を示す図である。図５
（ｐ）は第１６工程を示す図である。
【図６】本発明のイオンミーリングに適用できるよる中
間層に使用する金属元素のスパッタ率を示す文献データ
の図である。
間層に使用する金属元素のスパッタ率を示す文献データ
の図である。
【図７】本発明のイオンミーリングに適用できる中間層
に使用する金属元素および上層に使用するフォトレジス
トのエッチング速度を示す文献データの図である。
に使用する金属元素および上層に使用するフォトレジス
トのエッチング速度を示す文献データの図である。
【図８】本発明の情報記録媒体の製造方法における上層
と中間層の選択比が0.1 のときのメタルマスタ製造工程
を説明するための図である。
と中間層の選択比が0.1 のときのメタルマスタ製造工程
を説明するための図である。
【図９】本発明の情報記録媒体の製造方法における上層
と中間層の選択比が1 のときのメタルマスタ製造工程を
説明するための図である。
と中間層の選択比が1 のときのメタルマスタ製造工程を
説明するための図である。
【図１０】本発明の情報記録媒体の製造方法における上
層と中間層の選択比が5 のときのメタルマスタ製造工程
を説明するための図である。
層と中間層の選択比が5 のときのメタルマスタ製造工程
を説明するための図である。
【図１１】従来例におけるピット部のダレ・ボケの原因
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図１２】従来例におけるピット部のダレ・ボケの形態
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図１３】従来例におけるフォトレジストへの開口形成
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図１４】従来例におけるエッチングにより形成したピ
ット断面形状の選択比依存性を説明するための図であ
る。
ット断面形状の選択比依存性を説明するための図であ
る。
【図１５】従来例における垂直加工断面形状の劣化要因
を説明するための図である。
を説明するための図である。
１ 基板 ２ 下層 ２ａ，３ａ，４ａ 開口部 ２ｂ 被エッチング材 ３ 中間層 ４ 上層 ４ｂ フォトレジスト層 ７ 金属反射膜 ８ 樹脂膜 ９ ダレ・ボケ １０ メッキ層 １１ 電解メッキ層 １２ メタルマスタ １３ マザー １３ａ，１５ａ 凹状の溝 １４ スタンパ １４ａ 凸部 １５ ディスク基板 １６ 金属膜 １７ 保護膜
Claims (13)
- 【請求項１】 円盤よりなる基板１の表面に、非感光性
の下層２，中間層３の順で積層し、次いで感光性の上層
４を積層し、書き込み情報に対応するレーザ光を照射し
て、そのレーザ光照射領域の上層４を露光し、その露光
された上層４を現像し、前記レーザ光照射領域の上層４
を除去して中間層３を露出し、中間層３のエッチングが
可能で、且つ下層２のエッチングができないエッチング
ガスを用い、第１回目のエッチングをなして下層２が
現れるまでエッチングを行い、前記上層４の除去された
領域の中間層３を除去することで上層のパターンを転写
し、酸素プラズマにより残留上層４を取り除き、上層４
を前記中間層３のエッチングマスクとし第２回目のエッ
チングをなして、前記中間層３の除去された領域の下
層２に凹部を形成し、メッキ膜１０を成膜し、中間層３
とメッキ膜１０を電極としてメッキ層１１を電鋳し、前
記基板１から剥離し、前記中間層３をメタルマスタの―
部とすることを特徴とする情報記録媒体のスタンパの製
造方法。 - 【請求項２】 円盤よりなる基板１の表面に、非感光性
の中間層３，感光性の上層４の順で積層し、書き込み情
報に対応するレーザ光を照射して、そのレーザ光照射領
域の上層４を露光し、その露光された上層４を現像し、
前記レーザ光照射領域の上層４を除去して中間層３を露
出し、中間層３のエッチングが可能で、且つ基板１のエ
ッチングができないエッチングガスを用い、第１回目の
エッチングをなして基板１が現れるまでエッチングを
行い、前記上層４の除去された領域の中間層３を除去す
ることで上層のパターンを転写し、酸素プラズマにより
残留上層４を取り除き、上層４を前記中間層３のエッチ
ングマスクとし第２回目のエッチングをなして、前記
中間層３の除去された領域の基板１に凹部を形成し、メ
ッキ膜１０を成膜し、中間層３とメッキ膜１０を電極と
してメッキ層１１を電鋳し、前記基板１から剥離し、前
記中間層３をメタルマスタの―部とすることを特徴とす
る情報記録媒体のスタンパの製造方法。 - 【請求項３】 前記円盤よりなる基板１が、エッチング
を均質に行える素材である、石英ガラス，合成石英ガラ
ス，Ｓｉ，Ｓｉ3 Ｎ4 の内のいずれか一つからなること
を特徴とする請求項２記載の情報記録媒体のスタンパ製
造方法。 - 【請求項４】 前記エッチング方法は、Ａｒ，Ｋｒ，
Ｘｅ，Ｈｅの不活性ガスを使用してなすイオンミリング
法であることを特徴とする請求項１または請求項２記載
の情報記録媒体のスタンパ製造方法。 - 【請求項５】 前記エッチング方法が、ＣＦ4 ，ＣＦ
4 ＋Ｏ2 ，ＣＣｌ4＋Ｈｅ，ＣＣｌ2 Ｆ2 ＋Ｎ2 ，ＣＣ
ｌ4 ＋ＳＦ6 ，ＣＢｒＦ3 ＋Ｃｌ2 ，Ｃｌ2＋Ａｒ，Ｃ
ＢｒＦ3 ，ＳｉＣｌ4 ，ＣＣｌ2 Ｆ4 ＋Ｏ2 ，ＳｉＣｌ
4 ＋Ｃｌ2 ，ＣＦ4 ＋Ｈ2 ，ＣＨＦ3 ，ＣＨＦ3 ＋
Ｏ2 ，ＣＨＦ3 ＋ＣＯ2 ，ＣＨＦ3 ＋Ｃ2Ｆ6 ，ＣＣｌ
4 ＋Ｈｅ，ＣＣｌ4 ＋ＢＣｌ3 ＋Ｏ2 ，ＢＣｌ3 ＋Ｃｌ
2 ，ＢＣｌ3 ＋ＣＣｌ3 Ｆ＋Ｈｅ，ＣＣｌ4 ＋Ｏ2 ，Ｃ
Ｆ4 ＋Ｏ2 ，ＳＦ6 ＋Ｃｌ2 ，Ｃｌ2 ＋Ｈ2 の内の少な
くとも一種類以上のエッチングガスを使用してなすリア
クティブイオンエッチング法であることを特徴とする請
求項１または請求項２記載の情報記録媒体のスタンパの
製造方法。 - 【請求項６】 前記エッチング方法が、ＣＦ4 ，ＣＦ
4 ＋Ｏ2 ，ＣＣｌ4＋Ｈｅ，ＣＣｌ2 Ｆ2 ＋Ｎ2 ，ＣＣ
ｌ4 ＋ＳＦ6 ，ＣＢｒＦ3 ＋Ｃｌ2 ，Ｃｌ2＋Ａｒ，Ｃ
ＢｒＦ3 ，ＳｉＣｌ4 ，ＣＣｌ2 Ｆ4 ＋Ｏ2 ，ＳｉＣｌ
4 ＋Ｃｌ2 ，ＣＦ4 ＋Ｈ2 ，ＣＨＦ3 ，ＣＨＦ3 ＋
Ｏ2 ，ＣＨＦ3 ＋ＣＯ2 ，ＣＨＦ3 ＋Ｃ2Ｆ6 ，ＣＣｌ
4 ＋Ｈｅ，ＣＣｌ4 ＋ＢＣｌ3 ＋Ｏ2 ，ＢＣｌ3 ＋Ｃｌ
2 ，ＢＣｌ3 ＋ＣＣｌ3 Ｆ＋Ｈｅ，ＣＣｌ4 ＋Ｏ2 ，Ｃ
Ｆ4 ＋Ｏ2 ，ＳＦ6 ＋Ｃｌ2 ，Ｃｌ2 ＋Ｈ2 の内の少な
くとも一種類以上のエッチングガスを使用してなすリア
クティブイオンエッチング法であることを特徴とする請
求項１または請求項２記載の情報記録媒体のスタンパの
製造方法。 - 【請求項７】 前記中間層３として、Ａｕ，Ａｇ，Ａ
ｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｏ，
Ｒｕ，Ｆｅ，Ｇｅ，Ｉｒ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｈｆ，Ｖ，Ｓ
ｉ，Ｕ，Ｔｈ，Ｂｅ，Ｃの内のいずれか一つの導電性膜
を用いることを特徴とする請求項１または請求項２記載
の情報記録媒体のスタンパの製造方法。 - 【請求項８】 前記下層２として、ポリケイ皮酸ビニ
ル，ポリビニルフェノールと芳香族ビスアジドの混合
物，アルカリ可溶性フェノール樹脂とナフトキノンジア
ジドの混合物，ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ），
ジアゾメチルドラム酸とノボラックとの混合物，クレゾ
ールノボラックとナフトキノンジアジゾの化合物の内の
いずれか一つの有機膜を用いることを特徴とする請求項
１または請求項２記載の情報記録媒体のスタンパの製造
方法。 - 【請求項９】 前記下層２として、Ｓｉ，ＳｉＯ2 ，Ｓ
ｉ3 Ｎ4 ，ＳＯＧ（Spin-on-Glass ）の内のいずれか一
つを用いることを特徴とする請求項１または請求項２記
載の情報記録媒体のスタンパの製造方法。 - 【請求項１０】 前記基板１として、Ｓｉ，ＳｉＯ2 ，
Ａｌ，Ｃｒ，Ｎｉ，化学強化ガラス，石英ガラス，合成
石英ガラス，アルミニウム合金，ステンレスの内のいず
れか一つの無機材料を用いることを特徴とする請求項１
記載のスタンパの製造方法。 - 【請求項１１】 前記基板１として、ポリメチルメタク
リレート（ＰＭＭＡ），ポリカーボネイト（ＰＣ），非
晶質ポリオレフィン（ＡＰＯ），エポキシの内のいずれ
か一つの有機材料を用いることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２記載の情報記録媒体のスタンパの製造方
法。 - 【請求項１２】 前記上層４のパターン形成後、遠紫外
光照射または遠紫外光照射後高熱処理を施すことを特徴
とする請求項１または請求項２記載の情報記録媒体のス
タンパ製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１または請求項２記載の情報記
録媒体のスタンパの製造方法を使用して製造されたスタ
ンパとディスク基板との間に樹脂を介在し、前記樹脂を
硬化する工程を含むことを特徴とする情報記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7162537A JP2739841B2 (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 情報記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7162537A JP2739841B2 (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 情報記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917043A JPH0917043A (ja) | 1997-01-17 |
| JP2739841B2 true JP2739841B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=15756502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7162537A Expired - Fee Related JP2739841B2 (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 情報記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2739841B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3859473B2 (ja) * | 2001-08-30 | 2006-12-20 | シャープ株式会社 | スタンパの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3136759B2 (ja) * | 1992-05-11 | 2001-02-19 | セイコーエプソン株式会社 | スタンパ、その製造方法、及び光記録媒体 |
-
1995
- 1995-06-28 JP JP7162537A patent/JP2739841B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0917043A (ja) | 1997-01-17 |
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