JP2003123329A - スタンパー及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光ディスクの成形枚数を大幅に向上すること
ができるスタンパー及びその製造方法及びその製造方法
により製造される光ディスクを提供する。 【解決手段】 スタンパーは、鏡面の基板上に信号突起
を設けるのではなく、基板１上に設けられた信号突起５
が微細な凹凸部１Ａを介して上記基板１と結合してお
り、基板１と信号突起５との接触表面積が大きくなり、
微細な凹凸部１Ａにより基板１と信号突起５の接着強度
を高めることによって、成形時において信号突起５の剥
離が起こりにくくなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電鋳などの工程を
経ず、スタンパー厚さに加工されたニッケルなどの金属
基板を、直接、エッチングすることにより、少ない工程
数でスタンパーを製造する、いわゆるダイレクトマスタ
リング方法において使用する金属基板であるスタンパー
及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクの原盤を作製する工程をマス
タリングといい、この工程で最終的にスタンパーと呼ば
れるニッケルの金属原盤が作製される。このスタンパー
が後の光ディスク成形工程で光ディスク成形用金型とし
て用いられ、大量の光ディスクの複製が生産される。

【０００３】従来は、このようなスタンパーを製造する
方法として、ガラス盤上のフォトレジスト層に、露光と
現像によって記録信号に対応したピット（窪み）を形成
し、それを電鋳によって転写して、突起（バンプ）を有
するニッケルの金属盤を作製していた。そのニッケルの
板は厚みが０．３ｍｍ程度あり、一般にスタンパーと呼
ばれている。

【０００４】上記のスタンパーを作る工程は工程数が多
く、工程中に発生する欠陥によって品質および歩留まり
の低下を招いていた。また、設備コストや製造材料費が
高くつくなどの欠点を有していた。

【０００５】そこで、本出願人は先に以下のようなダイ
レクトマスタリング方法を考案した。

【０００６】このダイレクトマスタリング方法の工程を
図８に示し、図８に沿って説明する。

【０００７】図８（Ａ）は表面が鏡面に仕上げられた基
板２０の上にエッチング層２１、レジスト層２２が形成
されたものを示している。

【０００８】次に、図８（Ｂ）において、レーザビーム
レコーダーは、ここでは一部しか図示されていないが、
レーザ光を所望の信号で変調して基板２０の半径方向に
沿って露光する光学系１００と、上記基板２０を所望の
回転数で回転させる回転駆動装置１０１とを有してい
る。この図８（Ｂ）では、光学系１００の一例として、
信号変調されたレーザビーム１０２とそれをサブミクロ
ンの大きさに絞り、回転する基板２０上のレジスト層２
２に露光する記録レンズ１０３が示されている。この工
程でレジスト層２２には、記録すべき信号パターンが潜
像として記録される。

【０００９】次に、上記露光された基板２０をオーブン
などで加熱処理する。

【００１０】図８（Ｃ）は熱処理が終わった基板２０を
示している。化学増幅型レジストや、ドライ現像ができ
るレジスト、例えばポリメチルイソプロペニルケトン
（ＰＭＩＰＭ）にビスアジド化合物を混合したものや、
露光後にＨＭＤＳなどの有機ガス雰囲気でシリル化をす
るドライ現象レジストでは露光後に加熱処理を行なう。
しかし、レジストの種類によっては露光後の加熱処理が
不要のものもある。その場合はこの工程は不要である。

【００１１】図８（Ｄ）は、その次に行われた現像後の
基板２０を示している。ネガレジストの場合、基板２０
の未露光部は除去され、露光部のみが信号突起２５とし
て残る。

【００１２】次に、信号突起２５をマスクとしてエッチ
ング層２１のエッチングがなされる。図８（Ｅ）にエッ
チング後の基板２０を示す。２５Ａはエッチング後の残
留レジスト突起を、２６は基板２０に形成された信号突
起を表わしている。エッチング層２１として基板２０の
上に異種の金属層が設けられている理由は、エッチング
の深さが最終的にディスクのピット深さに相当し、加工
精度が要求されるからであるが、ピットの深さはディス
クの再生光学系によって最適値が決められ、ＤＶＤ用光
ディスクの場合は約１０００Å位である。ピットの深さ
精度として±２０〜３０Å以下が必要である。エッチン
グでこの精度を安定して実現するのは難しい。そのため
に比較的エッチングされ易い金属でエッチング層２１を
設け、エッチングされにくい金属を基板金属として設け
るのである。たとえば、エッチング層２１のエッチング
金属として、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗを用い、基板金属としてＮ
ｉを用いてフッ素系のガスでエッチングすれば、Ｎｉは
フッ素系ガスではほとんどエッチングされないのでＮｉ
がストッパーの役目を果たす。また、それ以外の組み合
わせの場合でも、エッチング層２１のエッチングが終了
して基板２０のベース金属のエッチングが始まると、発
生するプラズマのスペクトルが変化するので終点検出が
行える。

【００１３】以上の理由でエッチング層２１が２層目と
して基板２０の上に設けられている。ドライエッチング
の場合、エッチングに用いるガスは相手の金属により最
適なものが選択されるが、一般的にはＣＦ４、ＮＦ３、
ＳＦ６、ＢＣｌ３、Ｃｌ３、ＣＣｌ４などが用いられ
る。エッチングはウェットエッチングでも構わない。

【００１４】図８（Ｆ）は、アッシングなどにより残留
レジスト２５Ａを取り除いた後の状態を示し、いわゆる
マスタースタンパーが完成している。アッシングは、酸
素プラズマの酸素ラジカルによりレジストをＣＯ２とＨ
２Ｏに分解する工程である。この後、基板２０を成形機
の金型に取り付けるように内外径の加工をすれば、スタ
ンパーとして完成である。

【００１５】上記した工法では、ガラス基板から電鋳に
より金属スタンパーを転写して作製することがなく、品
質が向上すると同時に、少ない工程数でスタンパーを作
製することが出来る。また、工程数が減ることによって
総合歩留まりが向上する。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記工法で
は、図８（Ｆ）におけるスタンパーには、表面が鏡面に
仕上げられた基板２０の上にスパッタまたは無電解メッ
キなどで付けられたエッチング金属の信号突起２６が形
成されている。このため、射出成形時に高圧と高温で注
入される樹脂により、信号突起２６が基板２０から剥離
する現象が起こる可能性があった。特に、ＤＶＤ用光デ
ィスクの場合、この信号突起２６のサイズは高さがおよ
そ０．１〜０．１４μｍ、幅が約０．３μｍ、長さは最
小のもので０．４μｍである。この信号突起２６が欠落
すると、その部分の信号再生が出来なくなるが、ＤＶＤ
用光ディスクの場合、ある程度の冗長度を持って信号が
記録されていて再生時にエラー訂正の処理を施すので、
少し位の欠落では再生に影響がない。

【００１７】しかしながら、従来のダイレクトマスタリ
ング工法によれば、ＤＶＤ用光ディスクの成形枚数が五
千枚を超えると、その欠落部分の数も増えて再生に影響
を及ぼすことになる。よって、再生に影響を及ぼさない
ようにするため、１枚のスタンパーにより成形できるＤ
ＶＤ用光ディスクの成形枚数が少ないという問題があっ
た。

【００１８】従って、本発明の目的は、上記問題を解決
することにあって、光ディスクの成形枚数を大幅に向上
することができるスタンパー及びその製造方法及びその
製造方法により製造される光ディスクを提供することに
ある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成する。

【００２０】本発明の第１態様によれば、基板上に設け
られた信号突起と上記基板との界面が微細な凹凸面であ
るスタンパーを提供する。

【００２１】本発明の第２態様によれば、上記凹凸面を
構成する凹凸部の大きさは上記信号突起の１／１０以下
である第１の態様に記載のスタンパーを提供する。

【００２２】本発明の第３態様によれば、基板上にエッ
チング層とレジスト層を順次形成し、上記レジスト層に
信号変調されたレーザビームを照射して上記レジスト層
を露光し、その後、上記露光されたレジスト層を現像し
てレジストパターンを形成し、上記レジストパターンを
マスクとして上記エッチング層をエッチングして信号突
起を形成して、直接スタンパーとするダイレクトマスタ
リングによるスタンパーの製造方法において、不活性ガ
スのイオン照射または化学処理により上記基板の表面に
微細な凹凸部を形成し、上記微細な凹凸部にスパッタリ
ングで上記エッチング層を形成するスタンパーの製造方
法を提供する。

【００２３】本発明の第４態様によれば、母材の表面
に、不活性ガスのイオン照射または化学処理により微細
な凹凸部を形成し、その後、上記母材の上記表面の上記
微細な凹凸部に導電性膜を形成し、上記導電性膜を電極
として電鋳で金属層を形成し、上記形成された金属層と
上記導電性膜を一体的に上記母材から剥離してスタンパ
ーの基板とし、上記基板上にエッチング層、レジスト層
を順次形成し、信号変調されたレーザビームで上記レジ
スト層を照射して上記レジスト層を露光し、その後、上
記露光されたレジスト層を現像してレジストパターンを
形成し、上記レジストパターンをマスクとして上記エッ
チング層をエッチングして信号突起を形成するスタンパ
ーの製造方法を提供する。

【００２４】本発明の第５態様によれば、上記母材の表
面に不動態層を形成したのち、上記導電性膜を形成する
第４の態様に記載のスタンパーの製造方法を提供する。

【００２５】本発明の第６態様によれば、母材の表面に
フォトレジストを塗布し、上記塗布されて形成されたフ
ォトレジスト層の表面に不活性ガスのイオン照射または
化学処理により微細な凹凸部を形成し、その後、上記フ
ォトレジスト層の上記表面の上記微細な凹凸部に導電性
膜を形成し、上記導電性膜を電極として電鋳で金属層を
形成し、上記形成された金属層と上記導電性膜を一体的
に上記フォトレジスト層および上記母材から剥離してス
タンパーの基板とし、上記スタンパーの基板上にエッチ
ング層、レジスト層を順次形成し、信号変調されたレー
ザビームで上記レジスト層を照射して上記レジスト層を
露光し、その後、上記露光されたレジスト層を現像して
レジストパターンを形成し、上記レジストパターンをマ
スクとして上記エッチング層をエッチングして信号突起
を形成するスタンパーの製造方法を提供する。

【００２６】本発明の第７態様によれば、母材に導電性
材料から成るエッチング層を形成し、上記エッチング層
の表面に不活性ガスのイオン照射または化学処理により
微細な凹凸部を形成し、上記エッチング層を電極として
上記エッチング層の上記表面の上記微細な凹凸部に金属
層を形成し、上記形成された金属層と上記エッチング層
を一体的に上記母材から剥離し、その後、上記エッチン
グ層の上にレジスト層を形成し、信号変調されたレーザ
ビームで上記レジスト層を照射して上記レジスト層を露
光し、その後、上記露光されたレジスト層を現像してレ
ジストパターンを形成し、上記レジストパターンをマス
クとして上記エッチング層をエッチングして信号突起を
形成するするスタンパーの製造方法を提供する。

【００２７】本発明の第８態様によれば、上記母材表面
に不動態層を形成してから上記エッチング層を形成する
第７の態様に記載のスタンパーの製造方法を提供する。

【００２８】本発明の第９態様によれば、母材の表面
に、不活性ガスのイオン照射または化学処理により微細
な凹凸部を形成し、その後、上記母材の上記表面の上記
微細な凹凸部に導電性膜を形成し、上記導電性膜を電極
として電鋳で金属層を形成し、上記形成された金属層と
上記導電性膜を一体的に上記母材から剥離してスタンパ
ーの基板とし、上記基板上にレジスト層を形成し、信号
変調されたレーザビームで上記レジスト層を照射して上
記レジスト層を露光し、その後、上記露光されたレジス
ト層を現像してレジストの信号突起を形成するスタンパ
ーの製造方法を提供する。

【００２９】本発明の第１０態様によれば、母材の表面
に不動態層を形成し、上記不動態層の表面を不活性ガス
のイオン照射または化学処理により微細な凹凸部を形成
し、その後、上記不動態層の上記表面の上記微細な凹凸
部に導電性膜を形成し、上記導電性膜を電極として電鋳
で金属層を形成し、上記形成された金属層と上記導電性
膜を一体的に上記不動態層および上記母材から剥離して
スタンパーの基板とし、上記スタンパーの基板上にレジ
スト層を形成し、信号変調されたレーザビームで上記レ
ジスト層を照射して上記レジスト層を露光し、その後、
上記露光されたレジスト層を現像してレジストの信号突
起形成するスタンパーの製造方法を提供する。

【００３０】本発明の第１１態様によれば、上記レジス
ト層を構成するレジストがネガ型である第３〜１０のい
ずれか１つの態様に記載のスタンパーの製造方法を提供
する。

【００３１】本発明の第１２態様によれば、上記微細な
凹凸部の大きさは、上記信号突起の１／１０以下の大き
さである第３〜１１のいずれか１つの態様に記載のスタ
ンパーの製造方法を提供する。

【００３２】本発明の第１３態様によれば、第１又は２
の態様に記載の上記スタンパーを使用して成形されて、
上記スタンパーの上記微細な凹凸部に対応する微細な凹
凸部が信号面のランド部分に設けられた光ディスクを提
供する。

【００３３】本発明の第１４態様によれば、第３〜１２
のいずれか１つの態様に記載のスタンパーの製造方法に
より製造された上記スタンパーを使用して成形されて、
上記スタンパーの上記微細な凹凸部に対応する微細な凹
凸部が信号面のランド部分に設けられた光ディスクを提
供する。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる実施の形
態を図面に基づいて詳細に説明する。

【００３５】図１に、本発明の第１実施形態にかかるス
タンパーの製造方法の工程及び製造されたスタンパーを
示す。本発明の第１実施形態にかかるスタンパーの製造
方法は、基板１上にエッチング層２とレジスト層３を順
次形成し、信号変調されたレーザビーム１０２で上記レ
ジスト層３を照射して上記レジスト層３を露光し、その
後、上記露光されたレジスト層３を現像してレジストパ
ターンを形成し、上記レジストパターンをマスクとして
上記エッチング層２をエッチングして信号突起５を形成
し、直接スタンパーとするダイレクトマスタリングの工
法において、不活性ガスのイオン照射または化学処理に
より上記基板１の表面に微細な凹凸部１Ａを形成し、そ
の上記微細な凹凸部１Ａ上にスパッタリングで上記エッ
チング層２を形成するようにしたものである。これを以
下に詳細に説明する。

【００３６】図１（Ａ）において、基板１の表面側の１
Ａは、鏡面に研磨された基板１の表面を真空中でアルゴ
ンなどの不活性ガスのプラズマに曝し、イオン照射で上
記表面に微細な凹凸を形成した凹凸部を示している。こ
の微細な凹凸部１Ａは、最終的には、このスタンパーに
より成形される光ディスクのランド部分の表面になるた
め、その光ディスクの再生時にノイズとならない程度の
高さに抑えられる。その微細な凹凸部１Ａの大きさ（言
い替えれば、凹凸部１Ａの凹部の底面と凸部の頂面との
間隔）は、上記スタンパーの信号突起の１／１０以下、
すなわち、上記スタンパーにより成形される光ディスク
のピット深さの１／１０以下が望ましい。例えば、ピッ
ト深さが０．１２μｍの場合、その凹凸部１Ａの大きさ
は１２ｎｍ以下になる。鏡面に研磨された表面とは反対
側の基板１の裏面は、あらかじめ表面粗さＲａで０．１
μｍ程度に研磨しておく。また、基板１の裏面は、プラ
ズマによる裏面のエッチング以外に、酸などで化学的に
裏面を梨地状に荒らす方法により研磨するようにしても
よい。製品である成形すべき光ディスクの直径により異
なるが、基板１の直径は１５０〜２００ｍｍの範囲が好
ましい。また、基板１の厚みは例えば約０．３ｍｍで、
用いる成形機の金型によって多少異なる。基板１の材質
の例としては、ニッケルなどの金属やセラミックなどで
ある。

【００３７】図１（Ｂ）は、基板１の微細な凹凸部１Ａ
の上に、スパッタリングでエッチング層２を形成した状
態を示している。エッチング層２の材料としては、タン
タル、モリブデン、タングステンなどフッ素系ガスでエ
ッチングできるもの、またはニッケル、クロムなど塩素
系ガスでエッチングできるものであればよい。

【００３８】次に、図１（Ｃ）は、エッチング層２の上
にフォトレジスト層３を形成したところを示している。
図１（Ｃ）では省略しているが、フォトレジスト層３を
形成するために、フォトレジストを塗布した後に、フォ
トレジスト層３に対して通常のベーキング処理が行われ
る。このベーキング処理は、フォトレジスト層３を構成
するレジストの溶剤を飛ばし、フォトレジスト層３を構
成するレジスト膜を安定化させる目的で行われる。

【００３９】次に、図１（Ｄ）は、レーザビームレコー
ダによって信号を記録しているところを模式的に示して
いる。基板２０は回転駆動装置１０１の回転台の上に置
かれ、所望の回転数で回転駆動装置１０１のモータによ
り回転させられる。レーザビームレコーダの光学系１０
０は、簡略化するため、ここではレーザビーム１０２を
絞る記録レンズ１０３のみ表示されている。所望の信号
によって変調されたレーザビーム１０２は記録レンズ１
０３によって絞られ、基板１のフォトレジスト層３の表
面に焦点を結び、潜像をフォトレジスト層３に記録して
いく。フォトレジスト層３のレジストの種類によって
は、露光後に熱処理が行われる。たとえば、化学増幅型
レジストでは露光によって発生した酸が触媒となり、露
光後にベーキングによってレジストの樹脂の架橋や分解
が連鎖的に促進され、潜像パターンが形成される。

【００４０】次に、図１（Ｅ）では、上記潜像パターン
が形成された基板１の現像後の状態を示している。露光
後の基板１に現像液をかけることによって、フォトレジ
スト層３がネガ型レジストの場合には、基板１のフォト
レジスト層３のうちの露光された部分が信号突起４とし
て残り、未露光部分が現像液により除去される。また、
フォトレジスト層３がポジ型レジストの場合であって
も、一般にイメージリバーサル法として知られている方
法で、露光された部分が残り、未露光部が除去されるよ
うにすることも可能である。

【００４１】次に、図１（Ｆ）では、上記の残ったレジ
ストの信号突起４をマスクとしてエッチング層２をエッ
チングした後を示している。４Ａはエッチング後の残留
レジストである。５はエッチング層２がエッチングされ
て形成された信号突起である。エッチングはＲＩＥ（反
応性イオンエッチング）またはＩＣＰ（誘導結合型プラ
ズマ）などにより、プラズマ中のイオンを基板１に照射
して行われる。またその他の方法として、プラズマエッ
チングやイオンビームエッチングなどでも可能である。

【００４２】図１（Ｇ）はエッチング後に信号突起５上
に残って残留レジスト４Ａをアッシングなどで除去した
後の基板１を示している。基板１にはエッチング層の信
号突起５が付いており、これが光ディスク成形時に樹脂
にピットを形成する。この基板１をスタンパーのサイズ
に合わせて、内外径を打ち抜けばスタンパーとして完成
する。この内外径の加工は、これより以前に行っても良
い。

【００４３】第１実施形態によれば、スタンパーは、基
板１上に設けられた信号突起５が微細な凹凸部１Ａを介
して上記基板１と結合しているため、基板１と信号突起
５との接触表面積が大きくなり、微細な凹凸部１Ａによ
り基板１と信号突起５の接着強度を高めることによっ
て、成形時において信号突起５の剥離が起こりにくくす
ることができる。また、その形状よりせん断力に対して
抵抗がある。このため、光ディスク成形時において、信
号突起５が基板１から剥離しにくくなる。この結果、光
ディスク成形時において、信号突起５が基板１から剥離
しにくくなり、光ディスクの成形枚数を従来よりも大幅
に向上することができる。例えば、１枚のスタンパーで
成形できる従来のダイレクトマスタリング工法によるＤ
ＶＤ用光ディスクの成形枚数は五千枚程度であったの
が、一万枚程度以上まで使用することができる。

【００４４】図２に本発明の第２実施形態にかかるスタ
ンパーの製造方法の工程及び製造されたスタンパーを示
す。本発明の第２実施形態にかかるスタンパーおよびそ
の製造方法は、母材３０の表面に、不活性ガスのイオン
照射または化学処理により微細な凹凸部３０Ａを形成
し、その後、上記母材３０の上記表面の上記微細な凹凸
部３０Ａに導電性膜３１を形成し、上記導電性膜３１を
電極として電鋳で金属層３２を形成し、上記形成された
金属層３２と上記導電性膜３１を一体的に上記母材３０
から剥離してスタンパーの基板２９とし、上記スタンパ
ーの基板２９上にエッチング層２、レジスト層３を順次
形成し、信号変調されたレーザビーム１０２で上記レジ
スト層３を照射して上記レジスト層３を露光し、その
後、上記露光されたレジスト層３を現像してレジストパ
ターンを形成し、上記レジストパターンをマスクとして
上記エッチング層２をエッチングして信号突起５を形成
するスタンパーの製造方法である。以下、これについて
詳細に説明する。

【００４５】図２（Ａ）はガラス盤などの母材３０を示
し、その片面に微細な凹凸部３０Ａを有している。この
凹凸部３０Ａは、図１（Ａ）で説明したような不活性ガ
スのイオン照射で付けることができる。また、酸やアル
カリ溶液などの化学処理により表面を梨地状に荒らして
凹凸部３０Ａを形成するようにしてもよい。この場合
も、凹凸部３０Ａの大きさは、上記スタンパーの信号突
起の１／１０以下、すなわち、上記スタンパーにより成
形される光ディスクのピット深さの１／１０以下が望ま
しい。一例として、母材３０の大きさは、直径が２００
ｍｍ、厚みが６ｍｍのものを用いた。

【００４６】次に、図２（Ｂ）は母材３０の片面の凹凸
部３０Ａの面にスパッタリングなどで導電性膜３１を付
した状態を示す。導電性膜３１として、好ましくはニッ
ケルを４０〜１００ｎｍの厚さで付けるとよい。

【００４７】次に、上記導電性膜３１を電極として電鋳
で金属層を形成する。一例として、上記導電性膜３１を
電極としてニッケル電鋳を行う。図２（Ｃ）はニッケル
電鋳によってニッケル膜３２が導電性膜３１の上に形成
されたところを示している。ここで、一例として、ニッ
ケル膜３２はおよそ０．３ｍｍの厚みがある。これらの
ニッケル膜３２と導電性膜３１とを、母材３０から、一
体的に剥がして形成される基板２９を図２（Ｄ）に示し
ている。この基板２９は、ニッケル膜３２とその上にス
パッタリングで付けられたニッケルの導電性膜３１から
成り、母材３０の片面の凹凸部３０Ａに対応して、導電
性膜３１の表面に微細な凹凸部３１Ａを有している。こ
のようにして製造された、ニッケル膜３２とニッケル導
電性膜３１から成る基板２９は、図１の（Ａ）で用いた
基板１の代わりに用いることが出来る。図２（Ｄ）以降
の工程、すなわち、上記基板２９上にエッチング層２、
レジスト層３を第１実施形態と同様に順次形成し、信号
変調されたレーザビーム１０２で上記レジスト層３を照
射して上記レジスト層３を露光し、その後、上記露光さ
れたレジスト層３を現像してレジストパターンを形成
し、上記レジストパターンをマスクとして上記エッチン
グ層２をエッチングして信号突起５を形成する工程は、
基板１に関する図１の（Ｂ）以降の工程と同じであるた
め、説明は省略する。図１の工程ではニッケルの板材を
鏡面に研磨する必要があるが、図２の方法では研磨しや
すいガラスなどの母材３０を鏡面に研磨すればよく、コ
ストを削減することができる。なお、母材３０にガラス
を用いるときは導電性膜３１を付ける前に、レジストな
どの不動態層を母材３０に付けておくと、後で電鋳膜を
剥離し易い。母材３０はガラス以外にカーボンのブラン
ク材などを研磨し易い材料であればよい。また、母材３
０が導電性を有していれば、導電性膜３１を付ける必要
はない。

【００４８】従って、第２実施形態によれば、スタンパ
ーは、基板２９上に設けられた信号突起５が微細な凹凸
部３１Ａを介して上記基板２９と結合しているため、基
板２９と信号突起５との接触表面積が大きくなり、微細
な凹凸部３１Ａにより基板２９と信号突起５の接着強度
を高めることによって、成形時において信号突起５の剥
離が起こりにくくすることができる。また、その形状よ
りせん断力に対して抵抗がある。このため、光ディスク
成形時において、信号突起５が基板２９から剥離しにく
くなる。この結果、光ディスク成形時において、信号突
起５が基板２９から剥離しにくくなり、光ディスクの成
形枚数を従来よりも大幅に向上することができる。

【００４９】図３に本発明の第３実施形態にかかるスタ
ンパーの製造方法の工程を示す。第３実施形態にかかる
スタンパーの製造方法は、母材４０の表面にフォトレジ
ストを塗布し、上記塗布されて形成されたフォトレジス
ト層４１の表面に不活性ガスのイオン照射または化学処
理により微細な凹凸部４１Ａを形成し、その後、上記フ
ォトレジスト層４１の上記表面の上記微細な凹凸部４１
Ａに導電性膜を形成し、上記導電性膜を電極として電鋳
で金属層を形成し、上記形成された金属層と上記導電性
膜を一体的に上記フォトレジスト層および上記母材から
剥離してスタンパーの基板とし、上記スタンパーの基板
上にエッチング層、レジスト層を順次形成し、信号変調
されたレーザビームで上記レジスト層を照射して上記レ
ジスト層を露光し、その後、上記露光されたレジスト層
を現像してレジストパターンを形成し、上記レジストパ
ターンをマスクとして上記エッチング層をエッチングし
て信号突起を形成するスタンパーの製造方法である。以
下、これについて詳細に説明する。

【００５０】図３（Ａ）はガラスなどの母材４０を示し
ている。大きさは第２実施形態にかかる図２の母材と同
じである。図３（Ｂ）は母材４０の片面にフォトレジス
トをスピン塗布し、厚さ１００ｎｍ前後のフォトレジス
ト層４１を設けたところを示している。説明の便宜上、
レジスト層４１が下側になっているが、実際は上向きで
ある。

【００５１】次に、図３では省略されているが、このレ
ジスト層４１を加熱して、レジスト層４１を構成するレ
ジストの溶剤を飛ばし、レジスト膜を安定させる、いわ
ゆるベーキング処理を施す。このレジスト層４１の表面
に微細な凹凸部４１Ａを形成する。この凹凸部４１Ａ
は、図１の（Ａ）の工程で説明したような不活性ガスの
イオン照射で付けることができる。また、酸やアルカリ
溶液などの化学処理により表面を梨地状に荒らすことに
より、凹凸部４１Ａを形成してもよい。この場合でも、
凹凸部４１Ａの大きさは、上記スタンパーの信号突起の
１／１０以下、すなわち、上記スタンパーにより成形さ
れる光ディスクのピット深さの１／１０以下が望まし
い。この図３（Ｃ）は、図２（Ａ）に示した母材３０と
同じ形状を有している。従って、この微細の凹凸部４１
Ａ上にスパッタリングでニッケルの導電性膜３１を設
け、以下、第２実施形態における図２の（Ｃ）以下の工
程と同様の工程を行う。この場合はレジスト層４１が、
母材４０とスパッタリングされる導電性膜３１の間の剥
離層の役目をする。

【００５２】従って、第３実施形態によれば、スタンパ
ーは、ニッケル膜３２とニッケル導電性膜３１から成る
基板２９上に設けられた信号突起５が微細な凹凸部４１
Ａを介して上記基板と結合しているため、基板２９と信
号突起５との接触表面積が大きくなり、微細な凹凸部４
１Ａにより基板２９と信号突起５の接着強度を高めるこ
とによって、成形時において信号突起５の剥離が起こり
にくくすることができる。また、その形状よりせん断力
に対して抵抗がある。このため、光ディスク成形時にお
いて、信号突起５が基板２９から剥離しにくくなる。こ
の結果、光ディスク成形時において、信号突起５が基板
から剥離しにくくなり、光ディスクの成形枚数を従来よ
りも大幅に向上することができる。

【００５３】図４に本発明の第４実施形態にかかるスタ
ンパーの製造方法の工程を示す。本発明の第４実施形態
にかかるスタンパーの製造方法は、母材５０に導電性材
料から成るエッチング層５１を形成し、上記エッチング
層５１の表面に不活性ガスのイオン照射または化学処理
により微細な凹凸部５１Ａを形成し、上記エッチング層
５１を電極として上記エッチング層５１の上記表面の上
記微細な凹凸部５１Ａに金属層（例えば電鋳層）５２を
形成し、上記形成された金属層５２と上記エッチング層
５１を一体的に上記母材５０から剥離し、その後、上記
エッチング層５１の上にレジスト層３（図１（Ｃ）参
照）を形成し、信号変調されたレーザビーム１０２で上
記レジスト層３を照射して上記レジスト層３を露光し、
その後、上記露光されたレジスト層３を現像してレジス
トパターンを形成し、上記レジストパターンをマスクと
して上記エッチング層５１をエッチングして信号突起５
を形成するスタンパーの製造方法である。以下、これに
ついて詳細に説明する。

【００５４】図４（Ａ）はガラスなどの母材５０を示
す。母材５０の大きさは図２と同じである。図４（Ｂ）
は母材５０の片面にエッチング層５１を付けた状態を示
している。図示されないが、図２で説明したように、エ
ッチング層５１を付ける前に、レジストなどの不動態層
より構成されかつ剥離層となる中間層を設けておくのが
よい。このエッチング層５１は図１（Ｂ）で付けたエッ
チング層２と同じで、エッチング層５１の材料として
は、タンタル、モリブデン、タングステンなどフッ素系
ガスでエッチングできるもの、またはニッケル、クロム
など塩素系ガスでエッチングできるものであればよい。

【００５５】次に、図４（Ｃ）に示すように、このエッ
チング層５１の表面に微細な凹凸部５１Ａを形成する。
この微細な凹凸部５１Ａの形成方法は前述の通りであ
る。この場合も、凹凸部５１Ａの大きさは、上記スタン
パーの信号突起の１／１０以下、すなわち、上記スタン
パーにより成形される光ディスクのピット深さの１／１
０以下が望ましい。

【００５６】次に、図４（Ｄ）のようにエッチング層５
１を電極として電鋳を行い、ニッケルなどの電鋳層５２
を設ける。これを母材５０から剥がしたのが図４（Ｅ）
である。これは図１の（Ｂ）に示す基板１と同じ構成で
ある。つまり、図１（Ｂ）の基板１とエッチング層２
が、図４（Ｅ）の電鋳層５２とエッチング層５１に夫々
相当する。これ以降の工程は、第１実施形態における図
１の（Ｃ）以降の工程と同様な工程を行う。

【００５７】従って、第４実施形態によれば、スタンパ
ーは、基板（電鋳層５２）上に設けられた信号突起５が
微細な凹凸部５１Ａを介して上記基板５２と結合してい
るため、基板５２と信号突起５との接触表面積が大きく
なり、微細な凹凸部５１Ａにより基板５２と信号突起５
の接着強度を高めることによって、成形時において信号
突起５の剥離が起こりにくくすることができる。また、
その形状よりせん断力に対して抵抗がある。このため、
光ディスク成形時において、信号突起５が基板５２から
剥離しにくくなる。この結果、光ディスク成形時におい
て、信号突起５が基板５２から剥離しにくくなり、光デ
ィスクの成形枚数を従来よりも大幅に向上することがで
きる。

【００５８】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、その他種々の態様で実施できる。

【００５９】例えば、上記第１〜第４実施形態におい
て、上記スタンパーは、すべてニッケルなどの基板上に
エッチング層として他の金属層を設け、それに信号を表
す凹凸を形成した構成である。そのような方法とは別
に、ニッケルなどの基板の上にレジストで形成された突
起を、そのまま、スタンパーの突起として利用する方法
がある。通常のレジストは百数十度で変形するが、遠紫
外線を照射するなどの方法でレジストの架橋を促進した
ものは、２５０℃以上の耐熱性を有することができる。
この方式の例が、特開平７−３２６０７７号公報（発明
の名称「マスターによらず光ディスクを生産するための
マトリックスの製造方法」）に示されている。この方式
は、本発明の従来例で述べた方式と同様に、信号突起部
と基板との密着性が劣る不都合を有していた。しかし、
本発明の実施形態にかかる微細な凹凸部を介して信号突
起部と基板を結合するようにすれば、上記不都合を解消
して密着性を向上させることができる。以下にその方式
を本発明の種々の他の実施形態として具体的に説明す
る。

【００６０】図５は本発明の第５実施形態にかかるスタ
ンパーの製造方法の工程を示す。本発明の第５実施形態
にかかるスタンパーの製造方法は、母材６０の表面に、
不活性ガスのイオン照射または化学処理により微細な凹
凸部６０Ａを形成し、その後、上記母材６０の上記表面
の上記微細な凹凸部６０Ａに導電性膜６１を形成し、上
記導電性膜６１を電極として電鋳で金属層６２を形成
し、上記形成された金属層６２と上記導電性膜６１を一
体的に上記母材６０から剥離してスタンパーの基板５９
ｄとし、上記基板５９ｄ上にレジスト層６３を形成し、
信号変調されたレーザビームで上記レジスト層６３を照
射して上記レジスト層６３を露光し、その後、上記露光
されたレジスト層６３を現像してレジストの信号突起６
４Ａを形成するスタンパーの製造方法である。以下、こ
れについて詳細に説明する。

【００６１】図５（Ａ）はガラスなどの母材６０の片面
に微細な凹凸部６０Ａを形成した基板５９ａを示してい
る。微細加工の方法はこれまでと同様に、不活性ガスの
イオン照射また化学処理によって微細な凹凸部６０Ａを
母材６０の片面に形成する。この場合も、凹凸部６０Ａ
の大きさは、上記スタンパーの信号突起の１／１０以
下、すなわち、上記スタンパーにより成形される光ディ
スクのピット深さの１／１０以下が望ましい。母材６０
の大きさは図２と同じである。

【００６２】図５（Ｂ）は、母材６０の片面の微細な凹
凸部６０Ａの上にニッケルなどの導電性膜６１をスパッ
タリングで付けて形成された基板５９ｂを示す。これま
でと同様にスパッタ膜を付ける前に後工程での剥離性を
考慮して不動態層を設けるのが良い。

【００６３】図５（Ｃ）は、基板５９ｂを電鋳し、ニッ
ケルなどの電鋳層６２を導電性膜６１上に形成した基板
５９ｃを示している。電鋳層６２の厚みは約０．３ｍｍ
程度である。

【００６４】基板５９ｃにおいて、導電性膜６１と電鋳
層６２とを母材６０から一体的に剥離して構成された基
板５９ｄを図５（Ｄ）に示す。この基板５９ｄの母材６
０の片面の微細な凹凸部６０Ａに対応して形成された、
導電性膜６１の微細な凹凸部６１Ａの上に、ネガレジス
ト６３をスピンで塗布する。ネガレジスト６３を塗布し
た後、ベーキング処理をして、基板５９ｅとする。この
レジスト層６３の厚みは最終的にこのスタンパーで成形
される光ディスクのピットの深さに相当し、再生光学系
によって最適値が決められている。ＤＶＤ用光ディスク
の場合は１０００〜１４００Å位である。

【００６５】図５（Ｅ）は、基板５９ｅに対して、第１
実施形態の図１（Ｄ）で説明したようなレーザビームレ
コーダで信号を記録しているところを示している。この
ようにしてレジスト層６３を露光した後、上記露光され
たレジスト層６３を現像すれば、ネガレジストであるの
で、露光部が信号突起６４として残り、未露光部が除去
される。この状態の基板５９ｆを図５（Ｆ）に示す。

【００６６】この図５（Ｆ）の基板５９ｆに遠紫外線を
照射し、さらに２００℃以上の高温でハードベークする
と、信号突起６４の表面がさらに架橋を起こし、表面部
分が硬化した突起６４Ａとなる。このような突起６４Ａ
を有する基板５９ｇを図５（Ｇ）に示す。この基板５９
ｇの内外径を所望の大きさに打ち抜けば、スタンパーが
完成する。この基板５９ｇはニッケル金属の基板（ニッ
ケルなどの電鋳層６２）の上に硬化したレジストの信号
突起６４Ａが導電性膜６１を介して載っている構造であ
るが、ニッケル金属の基板（ニッケルなどの電鋳層６
２）と信号突起６４Ａが微細な凹凸部６１Ａを介して接
合しているため、従来の鏡面の境界に比べて、接着強度
が格段に大きくなっている。

【００６７】従って、第５実施形態によれば、スタンパ
ーは、基板５９ｇ上に設けられた信号突起６４Ａが微細
な凹凸部６１Ａを介して上記基板５９ｇと結合している
ため、基板５９ｇと信号突起６４Ａとの接触表面積が大
きくなり、微細な凹凸部６１Ａにより基板５９ｇと信号
突起６４Ａの接着強度を高めることによって、成形時に
おいて信号突起６４Ａの剥離が起こりにくくすることが
できる。また、その形状よりせん断力に対して抵抗があ
る。このため、光ディスク成形時において、信号突起６
４Ａが基板５９ｇから剥離しにくくなる。この結果、光
ディスク成形時において、信号突起６４Ａが基板５９ｇ
から剥離しにくくなり、光ディスクの成形枚数を従来よ
りも大幅に向上することができる。

【００６８】図６は、レジスト突起を形成する別の方法
である本発明の第６実施形態にかかるスタンパーの製造
方法の工程を示す。本発明の第６実施形態にかかるスタ
ンパーの製造方法は、母材７０の表面に不動態層７１を
形成し、上記不動態層７１の表面を不活性ガスのイオン
照射または化学処理により微細な凹凸部７１Ａを形成
し、その後、上記不動態層７１の上記表面の上記微細な
凹凸部７１Ａに導電性膜７２を形成し、上記導電性膜７
２を電極として電鋳で金属層７３を形成し、上記形成さ
れた金属層７３と上記導電性膜７２を一体的に上記不動
態層７１および上記母材７０から剥離してスタンパーの
基板とし、上記スタンパーの基板上にレジスト層を形成
し、信号変調されたレーザビーム１０２で上記レジスト
層を照射して上記レジスト層を露光し、その後、上記露
光されたレジスト層を現像してレジストの信号突起形成
するスタンパーの製造方法である。以下に、これについ
て詳細に説明する。

【００６９】図６（Ａ）はガラスなどの母材７０であ
る。母材７０の大きさは図２（Ａ）の母材３０と同じで
ある。

【００７０】次に、図６（Ｂ）に示すように、母材７０
の片面に不動態層としてのレジスト層７１を塗布する。
これはレジストに限らず、たとえばポリビニールアルコ
ールなどでもよい。

【００７１】次に、図６（Ｃ）に示すように、レジスト
層７１の表面に不活性ガスのイオン照射または化学処理
によって微細な凹凸部７１Ａを形成する。この場合も、
微細な凹凸部７１Ａの大きさは、上記スタンパーの信号
突起の１／１０以下、すなわち、上記スタンパーにより
成形される光ディスクのピット深さの１／１０以下が望
ましい。

【００７２】図６（Ｄ）は、レジスト層７１に導電性膜
７２を付け、それを電極として電鋳でニッケル電鋳層７
３を形成した状態を示している。

【００７３】図６（Ｅ）は、導電性膜７２とニッケル電
鋳層７３とを、一体的に、不動態層７１と母材７０とか
ら剥がしたところを示している。この状態は図５（Ｄ）
と同じ状態であり、これ以降は、図５（Ｅ）以降で説明
した工程をたどってスタンパーが作製される。この場合
も完成したスタンパーは図５のものと同様にニッケルな
どの基板（ニッケル電鋳層７３）の上にレジストの信号
突起６４Ａが形成され、その接着強度は従来のものに比
べ格段向上する。

【００７４】従って、第６実施形態によれば、スタンパ
ーは、基板（電鋳層５２）上に設けられた信号突起５が
微細な凹凸部５１Ａを介して上記基板５２と結合してい
るため、基板５２と信号突起５との接触表面積が大きく
なり、微細な凹凸部５１Ａにより基板５２と信号突起５
の接着強度を高めることによって、成形時において信号
突起５の剥離が起こりにくくすることができる。また、
その形状よりせん断力に対して抵抗がある。このため、
光ディスク成形時において、信号突起５が基板５２から
剥離しにくくなる。この結果、光ディスク成形時におい
て、信号突起５が基板５２から剥離しにくくなり、光デ
ィスクの成形枚数を従来よりも大幅に向上することがで
きる。

【００７５】図７は、本発明の第７実施形態にかかる光
ディスクの製造方法の工程を示す。本発明の第７実施形
態にかかる光ディスクは、上記第１〜６実施形態のいず
れか１つのスタンパーの製造方法により製造された上記
スタンパー（以下、ここではスタンパー８０とする。）
を使用して成形されて、上記スタンパー８０の上記微細
な凹凸部８０Ａに対応する微細な凹凸８４Ａ部が信号面
のランド部分に設けられた光ディスクである。以下、こ
れについて詳細に説明する。

【００７６】図７は、上記説明したような基板上に設け
られた信号突起が微細な凹凸部８０Ａを介して上記基板
と結合しているスタンパー８０から光ディスクを作る工
程を模式的に示す。

【００７７】図７（ａ）の８１は成形機の固定金型であ
り、上記スタンパー８０が取付けられている。８２は固
定金型８１に対して接離可能に移動する移動金型で、樹
脂８３が固定金型８１と移動金型８２との間のキャビテ
ィ内に注入されたのち、固定金型８１の方に移動金型８
２が移動して加圧を行う。

【００７８】次に、図７（ｂ）のように加圧成形後、固
定金型８１とは反対方向に移動金型８２が移動して金型
を開き、スタンパー８０の凹凸が転写されてディスク状
に成形された光ディスク、例えば、レプリカディスク８
４がスタンパー８０から剥離される。レプリカディスク
８４は、スタンパー８０と凹凸が逆の形状をしており、
スタンパー８０で信号突起８０ａとなっていた部分がレ
プリカディスク８４ではピット（窪み）８４ａになる。
図１（Ｇ）のように、スタンパー８０では信号突起８０
ａ以外に微細な凹凸部８０Ａが形成されているので、レ
プリカディスク８４ではピット８４ａ以外のランド部８
４ｂに微細な凹凸部８４Ａが転写されている。

【００７９】次に、詳細は省略するが、レプリカディス
ク８４に記録膜または反射膜８５がスパッタリングで付
けられる。

【００８０】そして、図７（ｃ）で示すように、信号の
記録されていないダミーディスク８７と接着層８６を介
して貼り合される。レプリカディスク８４とダミーディ
スク８７はその厚みが同じ場合と違う場合がある。それ
は、再生系を含めた全体システムで最適構造が決定され
る。記録膜または反射膜８５が、アルミニウムなどの反
射膜の場合は、ディスクはＲＯＭ型の再生専用ディスク
となる。また、記録膜または反射膜８５が、相変化材料
や有機色素などの記録膜の場合はＤＶＤ−ＲＡＭまたは
ＤＶＤ−Ｒなどの記録可能光ディスクとなる。

【００８１】図７（ｃ）は片面のみに信号が記録されて
いる構造の光ディスクを示しているが、ダミーディスク
８７の代わりに信号が記録されている光ディスクでもよ
い。この場合、両面再生または片面から２層再生可能な
ディスクとなる。

【００８２】従って、第７実施形態によれば、上記第１
〜６実施形態のいずれか１つのスタンパーの製造方法に
より製造された上記スタンパー８０を使用するため、光
ディスク成形時において、信号突起５が基板５２から剥
離しにくく、従来のダイレクトマスタリングによるスタ
ンパーに比べて、成形ショット数を増大することができ
る。

【００８３】なお、上記様々な実施形態のうちの任意の
実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有
する効果を奏するようにすることができる。

【００８４】

【発明の効果】本発明によれば、スタンパーは、基板上
に設けられた信号突起が微細な凹凸部を介して上記基板
と結合しているため、基板と信号突起との接触表面積が
大きくなり、微細な凹凸部により基板と信号突起の接着
強度を高めることによって、成形時において信号突起の
剥離が起こりにくくすることができる。また、その形状
よりせん断力に対して抵抗がある。このため、光ディス
ク成形時において、信号突起が基板から剥離しにくくな
る。この結果、光ディスク成形時において、信号突起が
基板から剥離しにくくなり、光ディスクの成形枚数を従
来よりも大幅に向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施形態にかかるスタンパーの
製造方法の工程を示す説明図である。

【図２】 本発明の第２実施形態にかかるスタンパーの
製造方法の工程を示す説明図である。

【図３】 本発明の第３実施形態にかかるスタンパーの
製造方法の工程を示す説明図である。

【図４】 本発明の第４実施形態にかかるスタンパーの
製造方法の工程を示す説明図である。

【図５】 本発明の第５実施形態にかかるスタンパーの
製造方法の工程を示す説明図である。である。

【図６】 本発明の第６実施形態にかかるスタンパーの
製造方法の工程を示す説明図である。

【図７】 本発明の第７実施形態にかかるスタンパーの
製造方法の工程を示す説明図である。

【図８】 従来のダイレクトマスタリングによるスタン
パーの製造方法の工程を示す説明図である。

【符号の説明】 １…基板、１Ａ…微細な凹凸部、２…エッチング層、３
…フォトレジスト層、４…レジスト層の信号突起、４Ａ
…残留フォトレジスト層、５…エッチング層の信号突
起、２０…基板、２１…エッチング層、２２…レジスト
層、２５…レジスト層の信号突起、２５Ａ…残留レジス
ト突起、２６…エッチング層の信号突起、２９…基板、
３０…母材、３０Ａ…微細な凹凸部、３１…導電性膜、
３２…ニッケル電鋳膜、４０…母材、４１…レジスト
層、４１Ａ…微細な凹凸部、５０…母材、５１…エッチ
ング層、５１Ａ…微細な凹凸部、５２…電鋳層、５９
ａ、５９ｂ、５９ｃ、５９ｄ、５９ｅ、５９ｆ、５９ｇ
…基板、６０…母材、６０Ａ，６１Ａ…微細な凹凸部、
６１…導電性膜、６２…電鋳層、６３…ネガレジスト、
６４…ネガレジストの信号突起、６４Ａ…架橋後の信号
突起、７０…母材、７１…レジスト層、７１Ａ…微細な
凹凸部、７２…導電性膜、７３…電鋳層、８０…スタン
パー、８０Ａ…微細な凹凸部、８０ａ…信号突起、８１
…金型、８２…移動金型、８３…樹脂、８４…レプリカ
ディスク、８４Ａ…微細な凹凸部、８４ａ…ピット（窪
み）、８４ｂ…ランド部、８５…記録膜または反射膜、
８６…接着層、８７…ダミーディスク、１００…光学
系、１０１…回転駆動装置、１０２…レーザビーム、１
０３…記録レンズ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F202 AG05 AG19 AH79 AJ02 AJ03 AJ09 AR12 CA11 CB01 CD02 CD07 CD12 CD23 CD24 CD30 CK43 5D121 AA02 CA01 CB01 CB05 GG05 GG14 GG21

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に設けられた信号突起と上記基板
   との界面が微細な凹凸面であるスタンパー。
2. 【請求項２】 上記凹凸面を構成する凹凸部の大きさは
   上記信号突起の１／１０以下である請求項１に記載のス
   タンパー。
3. 【請求項３】 基板上にエッチング層とレジスト層を順
   次形成し、 上記レジスト層に信号変調されたレーザビームを照射し
   て上記レジスト層を露光し、 その後、上記露光されたレジスト層を現像してレジスト
   パターンを形成し、 上記レジストパターンをマスクとして上記エッチング層
   をエッチングして信号突起を形成して、直接スタンパー
   とするダイレクトマスタリングによるスタンパーの製造
   方法において、 不活性ガスのイオン照射または化学処理により上記基板
   の表面に微細な凹凸部を形成し、 上記微細な凹凸部にスパッタリングで上記エッチング層
   を形成するスタンパーの製造方法。
4. 【請求項４】 母材の表面に、不活性ガスのイオン照射
   または化学処理により微細な凹凸部を形成し、 その後、上記母材の上記表面の上記微細な凹凸部に導電
   性膜を形成し、 上記導電性膜を電極として電鋳で金属層を形成し、 上記形成された金属層と上記導電性膜を一体的に上記母
   材から剥離してスタンパーの基板とし、 上記基板上にエッチング層、レジスト層を順次形成し、 信号変調されたレーザビームで上記レジスト層を照射し
   て上記レジスト層を露光し、 その後、上記露光されたレジスト層を現像してレジスト
   パターンを形成し、 上記レジストパターンをマスクとして上記エッチング層
   をエッチングして信号突起を形成するスタンパーの製造
   方法。
5. 【請求項５】 上記母材の表面に不動態層を形成したの
   ち、上記導電性膜を形成する請求項４に記載のスタンパ
   ーの製造方法。
6. 【請求項６】 母材の表面にフォトレジストを塗布し、 上記塗布されて形成されたフォトレジスト層の表面に不
   活性ガスのイオン照射または化学処理により微細な凹凸
   部を形成し、 その後、上記フォトレジスト層の上記表面の上記微細な
   凹凸部に導電性膜を形成し、 上記導電性膜を電極として電鋳で金属層を形成し、 上記形成された金属層と上記導電性膜を一体的に上記フ
   ォトレジスト層および上記母材から剥離してスタンパー
   の基板とし、 上記スタンパーの基板上にエッチング層、レジスト層を
   順次形成し、 信号変調されたレーザビームで上記レジスト層を照射し
   て上記レジスト層を露光し、 その後、上記露光されたレジスト層を現像してレジスト
   パターンを形成し、 上記レジストパターンをマスクとして上記エッチング層
   をエッチングして信号突起を形成するスタンパーの製造
   方法。
7. 【請求項７】 母材に導電性材料から成るエッチング層
   を形成し、 上記エッチング層の表面に不活性ガスのイオン照射また
   は化学処理により微細な凹凸部を形成し、 上記エッチング層を電極として上記エッチング層の上記
   表面の上記微細な凹凸部に金属層を形成し、 上記形成された金属層と上記エッチング層を一体的に上
   記母材から剥離し、 その後、上記エッチング層の上にレジスト層を形成し、 信号変調されたレーザビームで上記レジスト層を照射し
   て上記レジスト層を露光し、 その後、上記露光されたレジスト層を現像してレジスト
   パターンを形成し、 上記レジストパターンをマスクとして上記エッチング層
   をエッチングして信号突起を形成するするスタンパーの
   製造方法。
8. 【請求項８】 上記母材表面に不動態層を形成してから
   上記エッチング層を形成する請求項７に記載のスタンパ
   ーの製造方法。
9. 【請求項９】 母材の表面に、不活性ガスのイオン照射
   または化学処理により微細な凹凸部を形成し、 その後、上記母材の上記表面の上記微細な凹凸部に導電
   性膜を形成し、 上記導電性膜を電極として電鋳で金属層を形成し、 上記形成された金属層と上記導電性膜を一体的に上記母
   材から剥離してスタンパーの基板とし、 上記基板上にレジスト層を形成し、 信号変調されたレーザビームで上記レジスト層を照射し
   て上記レジスト層を露光し、 その後、上記露光されたレジスト層を現像してレジスト
   の信号突起を形成するスタンパーの製造方法。
10. 【請求項１０】 母材の表面に不動態層を形成し、 上記不動態層の表面を不活性ガスのイオン照射または化
    学処理により微細な凹凸部を形成し、 その後、上記不動態層の上記表面の上記微細な凹凸部に
    導電性膜を形成し、 上記導電性膜を電極として電鋳で金属層を形成し、 上記形成された金属層と上記導電性膜を一体的に上記不
    動態層および上記母材から剥離してスタンパーの基板と
    し、 上記スタンパーの基板上にレジスト層を形成し、 信号変調されたレーザビームで上記レジスト層を照射し
    て上記レジスト層を露光し、 その後、上記露光されたレジスト層を現像してレジスト
    の信号突起形成するスタンパーの製造方法。
11. 【請求項１１】 上記レジスト層を構成するレジストが
    ネガ型である請求項３〜１０のいずれか１つに記載のス
    タンパーの製造方法。
12. 【請求項１２】 上記微細な凹凸部の大きさは、上記信
    号突起の１／１０以下の大きさである請求項３〜１１の
    いずれか１つに記載のスタンパーの製造方法。
13. 【請求項１３】 請求項１又は２に記載の上記スタンパ
    ーを使用して成形されて、上記スタンパーの上記微細な
    凹凸部に対応する微細な凹凸部が信号面のランド部分に
    設けられた光ディスク。
14. 【請求項１４】 請求項３〜１２のいずれか１つに記載
    のスタンパーの製造方法により製造された上記スタンパ
    ーを使用して成形されて、上記スタンパーの上記微細な
    凹凸部に対応する微細な凹凸部が信号面のランド部分に
    設けられた光ディスク。