JP2008213274A - 微細構造金型の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ナノメートルスケールの微細構造が形成されている基板に、厚さ1μm〜5000μmの未硬化ホトレジスト層を積層し、該未硬化ホトレジスト層上にマイクロメートルスケールのパターン部以外が遮光されているマスクを通して露光してマイクロメートルスケールのパターン部のホトレジストを硬化する第1の工程、未硬化のホトレジストを洗浄除去して、ナノメートルスケールの微細構造及びマイクロメートルスケールのパターンに対応する硬化ホトレジスト層が形成された基板を得る第2の工程及び得られた基板表面に導電処理を施して電鋳法により金属層を積層した後、基板を脱型・除去する第3の工程からなる微細構造金型の製造方法。
【選択図】 図5
Description
図1に示したように、高さ200nm、幅200nmのナノメートルスケールの微細構造2が形成された石英基板1にホトレジスト(化薬マクロケム社製、商品名「SU−8」)をスピンコート法により塗布し、65℃で2.5分間及びその後95℃で8分間プレベイクを行って、厚さ60μmの未硬化ホトレジスト層3を積層した。
2 微細構造
3 未硬化ホトレジスト層
4 硬化ホトレジスト層
5 マスク
6 微細構造パターン部
7 金属層
8 微細構造金型
Claims (6)
- (1)ナノメートルスケールの微細構造が形成されている基板に、厚さ1μm〜5000μmの未硬化ホトレジスト層を積層し、該未硬化ホトレジスト層上にマイクロメートルスケールのパターン部以外が遮光されているマスクを通して露光してマイクロメートルスケールの微細構造部のホトレジストを硬化する第1の工程、
(2)未硬化のホトレジストを洗浄除去して、ナノメートルスケールの微細構造及びマイクロメートルスケールの微細構造の硬化ホトレジスト層が形成された基板を得る第2の工程、及び、
(3)得られた基板表面に導電処理を施して電鋳法により金属層を積層した後、基板を脱型・除去する第3の工程からなることを特徴とする微細構造金型の製造方法。 - (1)ナノメートルスケールの微細構造が形成されている基板に、厚さ1μm〜5000μmの未硬化ホトレジスト層を積層し、該ホトレジスト層上にマイクロメートルスケールのパターン部以外が遮光されているマスクを通して露光してマイクロメートルスケールのパターンに対応する部分のホトレジストを硬化する第1の工程、
(2)未硬化のホトレジストを洗浄除去して、ナノメートルスケールの微細構造及びマイクロメートルスケールの微細構造の硬化ホトレジスト層が形成された基板を得る第2の工程、
(3)得られた基板表面に電鋳法により金属層を積層した後、基板を脱型・除去してナノメートルスケールの微細構造及びマイクロメートルスケールの微細構造が形成された金属基板を得る第3の工程、
(4)微細構造が形成された金属基板表面に厚さ1μm〜5000μmの未硬化ホトレジスト層を積層し、該未硬化ホトレジスト層上にマイクロメートルスケールのパターン部が遮光されているマスクを通して露光してマイクロメートルスケールのパターンに対応する部分以外のホトレジストを硬化する第4の工程、
(5)未硬化のホトレジストを洗浄除去して、マイクロスケールのパターン部で金属基板が露出し、パターン以外の部分に硬化ホトレジストによる微細構造が形成された基板を得る第5の工程、及び、
(6)金属基板が露出したマイクロメートルスケールのパターン部のみに電鋳法により金属層を積層した後、硬化ホトレジスト層を溶解・除去する第6の工程からなることを特徴とする微細構造金型の製造方法。 - (1)ナノメートルスケールの微細構造が形成されている金属基板に、厚さ1μm〜5000μmの未硬化ホトレジスト層を積層し、該未硬化ホトレジスト層上にマイクロメートルスケールのパターン部が遮光されているマスクを通して露光してマイクロメートルスケールのパターン部以外のホトレジストを硬化する第1の工程、
(2)未硬化のホトレジストを洗浄除去して、マイクロメートルスケールのパターン部で金属基板が露出し、パターン以外の部分に硬化ホトレジストによる凸状の微細構造が形成された基板を得る第2の工程、及び、
(3)金属基板が露出したマイクロメートルスケールのパターン部のみに電鋳法により金属層を積層した後、硬化ホトレジスト層を溶解・除去する第3の工程からなることを特徴とする微細構造金型の製造方法。 - 金属基板が、ナノメートルスケールの微細構造が形成されている基板に電鋳法により金属層を積層した後、基板を脱型・除去することにより得られた金属基板であることを特徴とする請求項3記載の微細構造金型の製造方法。
- ナノメートルスケールの微細構造パターンの幅及び高さが10〜1000nmであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の微細構造金型の製造方法。
- マイクロメートルスケールの微細構造パターンの幅及び高さが5〜5000μmであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載の微細構造金型の製造方法。
Priority Applications (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101790069B1 (ko) | 2015-12-01 | 2017-10-26 | 한국과학기술원 | 전자 소자의 패키징 방법 |
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2007
- 2007-03-02 JP JP2007053244A patent/JP4944640B2/ja active Active
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