JP2003006946A - 光ディスクのスタンパー作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のマスタリング工程において、作製する
ことが困難であったピット幅０．１５〜０．２μｍが要
求される高容量の次世代高密度光ディスクを、成形可能
な光ディスクのスタンパーを作製する方法を提供する。 【解決手段】 基板をエッチングしてそれを直接スタン
パーとするダイレクトマスタリング工法と呼ばれるスタ
ンパーを作製する方法を用い、ベース層とエッチング層
の２層により形成された基板のエッチング層上にフォト
レジスト層を形成し、フォトレジスト層をレーザビーム
の照射により露光させて現像し、現像により形成された
フォトレジスト突起部にプラズマ処理を行い突起部の幅
を細くし、フォトレジスト突起部をマスクとしてエッチ
ング層にエッチングを行い、基板上のフォトレジスト突
起部を除去し、スタンパーを作製する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板からエッチン
グにより直接、高容量な次世代高密度光ディスク用の光
ディスクのスタンパーを作製する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＣＤやＤＶＤのような情報があら
かじめ凹凸の形で記録された、いわゆるＲＯＭ型の光デ
ィスクにおいて、さらに記録密度を上げようとする試み
が行われている。記録密度を上げるためには、光ディス
クのトラック方向または接線方向にピットと呼ばれる凹
状の窪みの間隔を詰めて記録し、かつ、ピットの幅をで
きる限り小さく作る必要がある。

【０００３】ここでマスタリング工程と呼ばれる光ディ
スクのスタンパーを作製する工程について、従来のマス
タリング工程を図６に基づいて説明する。

【０００４】図６（Ａ）において、円盤状に形成された
ガラス基板４１は、ポジ型フォトレジストが上面に塗布
され、フォトレジスト層４２が形成されている。図６
（Ｂ）に示すように、信号変調されたレーザビーム１３
を記録レンズ１４でサブミクロンの大きさに絞り、フォ
トレジスト層４２が形成されたガラス基板４１を回転さ
せながら、フォトレジスト層４２にレーザビームを照射
させることにより、フォトレジスト層４２のレーザビー
ムが照射された部分にガラス基板４１のトラック方向ま
たは接線方向に沿って複数の露光部が形成される。

【０００５】次に図６（Ｃ）に示すように、ガラス基板
４１の上に現像液供給ノズル４３から現像液を供給し、
ガラス基板４１上のフォトレジスト層４２における各露
光部が現像液により現像されて除去され、未露光部は除
去されずに残り、この除去された部分がピット４４と呼
ばれる複数の微細な凹状の窪みとなり、ガラス基板４１
と現像で除去されなかったフォトレジスト層４２により
ガラス基板４１の上面に各ピット４４が形成される。

【０００６】その後、図６（Ｄ）に示すように、ベーキ
ング処理でガラス基板４１を加熱し、各ピット４４が形
成されたガラス基板４１上のフォトレジスト層４２を焼
成して安定化させる。

【０００７】次に図６（Ｅ）に示すように、各ピット４
４が形成されたガラス基板４１の表面に、即ち、フォト
レジスト層４２の表面および各ピット４４の凹部の底面
および側面にそれぞれスパッタリングなどで金属の導電
性皮膜４５を付着させる。

【０００８】その後、図６（Ｆ）に示すように、フォト
レジスト層４２およびガラス基板４１の表面を覆うよう
に付着された導電性皮膜４５を電極として電鋳によりニ
ッケルメッキを行い、厚さ約０．３ｍｍのニッケルの厚
膜４６を導電性皮膜４５の上面に形成させる。

【０００９】次に、図６（Ｇ）に示すように、導電性皮
膜４５の上面に形成されたニッケルの厚膜４６を、導電
性皮膜４５と共に、ガラス基板４１およびフォトレジス
ト層４２から剥がす。ここで導電性皮膜４５で下面が覆
われているニッケルの厚膜４６の下面におけるガラス基
板４１上の各ピット４４に対応する部分に、各ピット４
４のレプリカである複数の凸状の突起部４７が形成され
ている。その後、ニッケルの厚膜４６の下面を研磨し、
光ディスクの成形機に合うようにニッケルの厚膜４６の
内外径を打ち抜き、光ディスクのスタンパーを完成させ
る。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】このように作製された
スタンパーの突起部４７が、スタンパーにより成形され
る光ディスクのピットに対応することとなるが、各種光
ディスクのピットの幅は、ＣＤでは０．５μｍ程度、Ｄ
ＶＤでは０．３μｍ程度である。さらに、高容量の次世
代高密度光ディスクではピット幅は０．１５〜０．２μ
ｍの値が要求されている。

【００１１】図６（Ｃ）において、現像によりガラス基
板４１上に形成されたピット４４の幅は、照射されるレ
ーザビームのスポット径によって決定される。そのスポ
ット径Φは、数（１）により、

【００１２】

【数１】Φ＝ｋ・λ／ＮＡ …（１） で表される。ここで、ｋは定数、λはレーザ波長、ＮＡ
は記録レンズの開口数である。

【００１３】しかしながら、従来のマスタリング工程に
おいて用いられるＤＶＤ用レーザ露光装置は、記録レン
ズのＮＡが０．９、レーザ波長が３５１か３６４ｎｍの
紫外線レーザを用いており、これで形成されるフォトレ
ジスト層４２のピット４４の幅は０．２５〜０．３μｍ
である。通常の光学系において記録レンズのＮＡは０．
９がほぼ限界であり、次世代の高密度光ディスクとし
て、ピット幅で０．１５〜０．２μｍを得るためにはさ
らに波長の短いレーザが必要である。しかし、記録レー
ザとして用いられる遠紫外線レーザには、２６６，２５
７，２４８ｎｍなどのレーザ波長を有するものがある
が、これらの波長では０．１５μｍのピットを形成する
のは難しい。つまり、従来のマスタリング工程において
作製されるスタンパーにより成形される光ディスクのピ
ット幅は、０．２５μｍ程度が限界で、ピット幅０．１
５〜０．２μｍが要求される高容量の次世代高密度光デ
ィスクを成形可能なスタンパーを、従来のマスタリング
工程におけるスタンパー作製方法で作製することは困難
であるという問題点があった。

【００１４】従って、本発明の目的は、上記問題点を解
決することにあって、ピット幅０．１５〜０．２μｍが
要求される高容量の次世代高密度光ディスクを成形可能
な光ディスクのスタンパーを作製する方法を提供するこ
とにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成する。

【００１６】本発明の第１態様によれば、エッチング層
上にフォトレジスト層が形成された基板を回転させ、記
録信号で変調されかつ記録レンズでスポットに絞られた
レーザビームを、上記基板の上記フォトレジスト層に照
射して上記フォトレジスト層に複数の露光部を形成し、
現像によって上記フォトレジスト層の上記各露光部を残
して上記フォトレジスト層の未露光部を除去し、上記記
録信号に対応した複数のフォトレジスト突起部によるパ
ターンを上記エッチング層上に形成し、その後、酸素プ
ラズマによるプラズマ処理で上記パターンの上記各フォ
トレジスト突起部の幅を細くし、上記パターンの上記各
フォトレジスト突起部をマスクとして、上記エッチング
層をエッチングし、上記基板上に上記各フォトレジスト
突起部の上記パターンに対応した上記エッチング層のエ
ッチング材料による複数の信号突起部のパターンを形成
し、上記基板の上記エッチング層上における上記各フォ
トレジスト突起部を除去し、スタンパーを作製すること
を特徴とする光ディスクのスタンパー作製方法を提供す
る。

【００１７】本発明の第２態様によれば、上記プラズマ
処理において、上記フォトレジスト突起部への上記プラ
ズマ処理を、上記プラズマ処理による上記各フォトレジ
スト突起部の幅の減少量に応じた時間施すことにより、
上記プラズマ処理後の上記各フォトレジスト突起部の幅
を制御する第１態様に記載の光ディスクのスタンパー作
製方法を提供する。

【００１８】本発明の第３態様によれば、上記プラズマ
処理後に必要な上記各フォトレジスト突起部の上記幅
は、上記フォトレジスト層のエッチングレートＲｒと、
上記エッチング層のエッチングレートＲｅと、上記フォ
トレジスト層の側壁傾斜係数ａと、上記プラズマ処理後
の上記各フォトレジスト突起部の高さｈ１と、上記エッ
チング層の厚みｈ２と、上記エッチング後に要求される
上記エッチング層の上記エッチング材料の上記各信号突
起部の幅ｄ２から、ｄ０＝ｄ２−（１／ａ）×（ｈ１−
ｈ２×Ｒｒ／Ｒｅ）により、求めることができる第２態
様に記載の光ディスクのスタンパー作製方法を提供す
る。

【００１９】本発明の第４態様によれば、上記フォトレ
ジスト層がネガ型フォトレジスト層である第１態様〜第
３態様のいずれか１つに記載の光ディスクのスタンパー
作製方法を提供する。

【００２０】本発明の第５態様によれば、上記現像が湿
式現像であり、上記エッチングがドライエッチングであ
る第１態様〜第４態様のいずれか１つに記載の光ディス
クのスタンパー作製方法を提供する。

【００２１】本発明の第６態様によれば、上記基板がベ
ース層を備え、上記ベース層上に上記エッチング層が形
成された上記基板において、上記エッチングが上記ドラ
イエッチングであり、上記ドライエッチングにより、上
記エッチング層がエッチングされ、上記エッチング時に
おいて、上記エッチングが施される部分が、上記エッチ
ング層から上記ベース層に代わるまで上記エッチングが
施される第１態様〜第５態様のいずれか１つに記載の光
ディスクのスタンパー作製方法を提供する。

【００２２】本発明の第７態様によれば、フォトレジス
ト層が形成された基板を回転させ、記録信号で変調され
かつ記録レンズでスポットに絞られたレーザビームを、
上記基板の上記フォトレジスト層に照射して上記フォト
レジスト層に複数の露光部を形成し、現像によって上記
フォトレジスト層の上記各露光部を残して上記フォトレ
ジスト層の未露光部を除去し、上記記録信号に対応した
複数のフォトレジスト突起部によるパターンを上記基板
上に形成し、その後、酸素プラズマによるプラズマ処理
で上記パターンの上記各フォトレジスト突起部の幅を細
くし、上記基板上に上記フォトレジスト層のフォトレジ
ストによる複数の信号突起部を形成し、スタンパーを作
製することを特徴とする光ディスクのスタンパー作製方
法を提供する。

【００２３】本発明の第８態様によれば、上記プラズマ
処理において、上記フォトレジスト突起部への上記プラ
ズマ処理を、上記プラズマ処理による上記各フォトレジ
スト突起部の幅の減少量に応じた時間施すことにより、
上記プラズマ処理後の上記各フォトレジスト突起部の幅
を制御する第７態様に記載の光ディスクのスタンパー作
製方法を提供する。

【００２４】本発明の第９態様によれば、上記フォトレ
ジスト層がネガ型フォトレジスト層である第７態様また
は第８態様に記載の光ディスクのスタンパー作製方法を
提供する。

【００２５】本発明の第１０態様によれば、上記現像が
湿式現像である第７態様〜第９態様のいずれか１つに記
載の光ディスクのスタンパー作製方法を提供する。

【００２６】本発明の第１１態様によれば、１層構造の
基板にフォトレジスト層を形成し、上記フォトレジスト
層が形成された上記基板を回転させ、記録信号で変調さ
れかつ記録レンズでスポットに絞られたレーザビーム
を、上記基板の上記フォトレジスト層に照射して上記フ
ォトレジスト層に複数の露光部を形成し、現像によって
上記フォトレジスト層の上記各露光部を残して上記フォ
トレジスト層の未露光部を除去し、上記記録信号に対応
した複数のフォトレジスト突起部によるパターンを上記
基板上に形成し、その後、酸素プラズマによるプラズマ
処理で上記パターンの上記各フォトレジスト突起部の幅
を細くし、上記パターンの上記各フォトレジスト突起部
をマスクとして、上記基板をエッチングし、上記基板上
に上記各フォトレジスト突起部の上記パターンに対応し
た複数の信号突起部のパターンを形成し、上記基板上に
おける上記各フォトレジスト突起部を除去し、スタンパ
ーを作製することを特徴とする光ディスクのスタンパー
作製方法を提供する。

【００２７】本発明の第１２態様によれば、上記プラズ
マ処理において、上記フォトレジスト突起部への上記プ
ラズマ処理を、上記プラズマ処理による上記各フォトレ
ジスト突起部の幅の減少量に応じた時間施すことによ
り、上記プラズマ処理後の上記各フォトレジスト突起部
の幅を制御する第１１態様に記載の光ディスクのスタン
パー作製方法を提供する。

【００２８】本発明の第１３態様によれば、上記プラズ
マ処理後に必要な上記各フォトレジスト突起部の上記幅
ｄ０は、上記フォトレジスト層のエッチングレートＲｒ
と、上記基板のエッチングレートＲｅと、上記フォトレ
ジスト層の側壁傾斜係数ａと、上記プラズマ処理後の上
記各フォトレジスト突起部の高さｈ１と、上記各信号突
起部の高さｈ２と、上記エッチング後に要求される上記
基板の上記各信号突起部の幅ｄ２から、ｄ０＝ｄ２−
（１／ａ）×（ｈ１−ｈ２×Ｒｒ／Ｒｅ）により、求め
ることができる第１２態様に記載の光ディスクのスタン
パー作製方法を提供する。

【００２９】本発明の第１４態様によれば、上記フォト
レジスト層がネガ型フォトレジスト層である第１１態様
〜第１３態様のいずれか１つに記載の光ディスクのスタ
ンパー作製方法を提供する。

【００３０】本発明の第１５態様によれば、上記現像が
湿式現像であり、上記エッチングがドライエッチングで
ある第１１態様〜第１４態様のいずれか１つに記載の光
ディスクのスタンパー作製方法を提供する。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる第１の実
施形態を図面に基づいて詳細に説明する。本発明の第１
の実施形態にかかる光ディスクのスタンパー作製方法
は、基板をエッチングしてそれを直接スタンパーとする
ダイレクトマスタリング工法と呼ばれるスタンパーを作
製する方法を用い、ベース層とエッチング層の２層によ
り形成された基板のエッチング層上にフォトレジスト層
を形成し、フォトレジスト層をレーザビームの照射によ
り露光させて現像し、現像により形成されたフォトレジ
スト突起部にプラズマ処理を行い突起部の幅を細くし、
フォトレジスト突起部をマスクとしてエッチング層にエ
ッチングを行い、基板上のフォトレジスト突起部を除去
し、スタンパーを作製するものである。

【００３２】次に、本発明の上記第１の実施形態にかか
る光ディスクのスタンパー作製方法について詳細に説明
する。

【００３３】図１（Ａ）に示すように、ニッケル、クロ
ム、またはアルミニウム等の金属材料により形成された
ベース層１１ａと、タンタル、モリブデン、またはタン
グステン等の金属材料により形成されたエッチング層１
１ｂの２層により形成されたプレート状の基板１１のエ
ッチング層１１ｂの上に、ポリメチルイソプロペニルケ
トン（ＰＭＩＰＫ）にピスアジド化合物を混ぜたネガ型
フォトレジストまたは表面修飾フォトレジストが塗布さ
れ、ネガ型フォトレジスト層１２が形成されている。こ
こで、エッチング層１１ｂの厚みは最終的に形成したい
スタンパーの信号突起の高さに合わせてあり、このスタ
ンパーにより成形される光ディスクの屈折率をｎ、ただ
しｎは整数、再生レーザの波長をλとすると、エッチン
グ層１１ｂの厚みは、λ／（４ｎ）とするのが一般的で
ある。

【００３４】次に、図１（Ｂ）に示すように、基板１１
を回転駆動装置１０１における回転台１０１ａの上に載
せ、回転駆動装置１０１のモータにより所望の回転数で
回転させ、レーザビーム照射装置１００において、所望
の記録信号で変調されたレーザビーム１３を、記録レン
ズ１４を通し、サブミクロンの大きさのスポットに絞
り、回転する基板１１のフォトレジスト層１２に照射
し、フォトレジスト層１２に複数の露光部を形成する。

【００３５】次に、図１（Ｃ）に示すように、湿式の現
像により、ネガ型フォトレジスト層１２の未露光部は除
去され、各露光部は残り、各露光部には複数のフォトレ
ジスト突起部１５が形成されることになり、エッチング
層１１ｂ上に上記記録信号に対応した各フォトレジスト
突起部１５によるパターンが形成される。ここでフォト
レジスト層１２を形成するためのフォトレジストをネガ
型に代えてポジ型を使用する場合においても、イメージ
リバーサル法と呼ばれる方法で、現像によりフォトレジ
スト層１２の未露光部を除去し、露光部を残すことがで
きる。ポジ型フォトレジストとしてはノボラック系フォ
トレジスト等がある。

【００３６】次に、図１（Ｄ）に示すように、酸素プラ
ズマによるプラズマ処理で上記各フォトレジスト突起部
１５を幅が細くなるように整形し、幅が細くされた各フ
ォトレジスト突起部１５ａを形成する。ここで酸素プラ
ズマによるプラズマ処理とは、酸素プラズマの酸素ラジ
カルにより、フォトレジストをＣＯ_２とＨ_２Ｏに分解す
る工程である。

【００３７】次に、図１（Ｅ）に示すように、プラズマ
処理により整形された各フォトレジスト突起部１５ａを
マスクとして、エッチング層１１ｂにエッチングを行
い、ベース層１１ａ上の各フォトレジスト突起部１５ａ
のパターンに対応したエッチング層１１ｂのパターンが
ベース層１１ａ上に形成される。１５ｂは、各フォトレ
ジスト突起部１５ａのエッチング後の各突起部であり、
１６は、エッチング後に形成されたエッチング層１１ｂ
のエッチング材料による複数の信号突起部である。

【００３８】ここで、エッチングには湿式とドライ式の
両方が可能であるが、湿式はアンダーカット現象を起こ
し易く、形状管理が難しいため、好ましくは、エッチン
グ層１１ｂのエッチング材料による各信号突起部１６の
側壁形状がより直線的に形成されるドライエッチングを
用いるのがよい。ドライエッチングの方法としては、Ｒ
ＩＥ法（反応性イオンエッチンッグ法）やプラズマエッ
チング法などが用いられる。また、ドライエッチングに
用いられるガスとしては、ＣＦ_４、ＳＦ_６、またはＮＦ
_３等のフッ素系ガスと、ＢＣｌ_３−Ｃｌ_３、Ｃｌ_３、ま
たはＣＣｌ_４等の塩素系ガスがあるが、安全面からはフ
ッ素系ガスが好ましい。エッチング層１１ｂがタンタ
ル、モリブデン、またはタングステンにより形成される
ことにより、フッ素系ガスによるエッチング層１１ｂの
エッチングが可能となり、さらに、ベース層１１ａがニ
ッケル、クロム、またはアルミニウムにより形成される
ことにより、フッ素系ガスではベース層１１ａのエッチ
ングがされず、エッチング層１１ｂのエッチングのスト
ッパーとなり好ましい。

【００３９】次に、図１（Ｆ）に示すように、エッチン
グ後の各フォトレジスト突起部１５ｂを酸素プラズマに
よるアッシングで基板１１より取り除き、基板１１はベ
ース層１１ａ上にエッチング層１１ｂのエッチング材料
により形成された各信号突起部１６のみを備える状態と
なる。その後、基板１１を光ディスク成形機の金型に取
り付け可能なように内外径の加工をすればスタンパーと
して完成する。なお、この基板１１の内外径の加工、ま
たは内外径のうちいずれか一方の加工はレーザビーム照
射の前に行なってもよい。

【００４０】ここで図１（Ｃ）における現像により形成
された各フォトレジスト突起部１５と、図１（Ｅ）およ
び（Ｆ）におけるエッチングにより形成されたエッチン
グ層１１ｂのエッチング材料による各信号突起部１６の
それぞれの幅について説明する。

【００４１】図２は、酸素プラズマによるプラズマ処理
時におけるプラズマ処理時間と、各フォトレジスト突起
部１５の幅および高さの形状変化の関係を示したもので
ある。

【００４２】図２によれば、最初３５０ｎｍあった各フ
ォトレジスト突起部１５の幅が、１２０秒間のプラズマ
処理により１５０ｎｍ程度まで減少しており、その減少
量は直線的に変化している。つまり、プラズマ処理時間
を管理することにより、各フォトレジスト突起部１５の
幅を制御することができる。

【００４３】また、このとき、各フォトレジスト突起部
１５の高さも変化し、最初２００ｎｍあった各フォトレ
ジスト突起部１５の高さが、１２０秒間のプラズマ処理
により７０ｎｍ程度まで減少しており、その減少量は直
線的に変化している。エッチング層１１ｂのエッチング
時にマスクとしての用いられる各フォトレジスト突起部
１５ａに必要な高さは、後のエッチング時のエッチング
材料とのエッチングレートの比、つまり選択比で決定さ
れる。つまり、エッチング材料に比べフォトレジストの
エッチング耐性が強ければそれだけ各フォトレジスト突
起部１５ａの高さは低くてよい。よって、フォトレジス
ト層１２形成時の必要厚さは、図２における酸素プラズ
マによるプラズマ処理時の各フォトレジスト突起部１５
の突起高さの減少量、およびエッチング時における必要
なエッチング時間での各フォトレジスト突起部１５ａの
突起高さの減り量により判るので、フォトレジスト層１
２形成時にフォトレジストを必要厚さ分だけ基板１１上
に塗布し、フォトレジスト層１２を形成すれば良い。

【００４４】また、エッチングにより基板１１のベース
層１１ａ上に形成されたエッチング材料による各信号突
起部１６の高さが、作製されたスタンパーにより成形さ
れる光ディスクのピット深さに対応するが、上記にも述
べた通り、この作製されたスタンパーにより成形される
光ディスクの屈折率をｎ、再生レーザの波長をλとする
と、このピットの深さはλ／（４ｎ）にするのが一般的
である。光ディスクの再生原理は、このピットに照射さ
れた再生レーザビームがピット部で回折と干渉を起こす
ため、ピット部で反射光量に変化を生じ、それが再生信
号として検出されることによる。そのためピット深さは
大きく再生信号に影響を与える。しかし、エッチングに
より形成される各信号突起部１６の高さを精度よく制御
するのはむずかしい。そのため、基板１１をエッチング
されにくい金属材料により形成されたベース層１１ａの
上にエッチング層１１ｂを設けた２層構造とすることに
より、エッチング層１１ｂのエッチングが終わると違う
材料のエッチング、即ち、ベース層１１ａのエッチング
が始まるので発光スペクトルが変化し、エッチングの終
点検出を精度よく行なうことができる。この構造ではエ
ッチング層１１ｂの厚みが形成される各信号突起部１６
の高さに対応するので、エッチング層１１ｂの成膜時の
精度を管理することにより、エッチング材料による各信
号突起部１６の高さを管理することができる。例えば、
スパッタリングでエッチング層１１ｂを形成する場合
は、±２ｎｍ程度の膜厚精度は可能であり、この膜厚精
度は、スタンパーにより成形される光ディスクのピット
の深さに要求されるばらつき精度、つまり、この光ディ
スクを成形するスタンパーの各信号突起部１６の高さ精
度である±５ｎｍ内を満足する。

【００４５】また、プラズマ処理時には各フォトレジス
ト突起部１５は、幅方向だけではなく長さ方向も削られ
るが、この長さ方向の削られる量は幅方向とほぼ同じで
ある。長さ方向については信号源で記録信号のレーザビ
ーム１３のＯＮ時間、即ち、レーザビーム１３の照射時
間を、プラズマ処理時に削られる各フォトレジスト突起
部１５の長さ方向の分だけ、長くなるように設定をを変
えることにより、簡単に補正することができる。

【００４６】次に、図１（Ｄ）に示したプラズマ処理後
の基板１１、および図１（Ｅ）に示したエッチング後の
基板１１のさらに詳しい模式図を図３（Ａ）および
（Ｂ）にそれぞれ示す。図３（Ａ）において、ｄ０はプ
ラズマ処理後の各フォトレジスト突起部１５ａの中央付
近における幅である。また、図３（Ｂ）において、ｄ１
はエッチング後の各フォトレジスト突起部１５ｂの中央
付近における幅、ｄ２はエッチング層１１ｂのエッチン
グ材料によるの各信号突起部１６の中央付近における幅
である。図３（Ａ）に示すように、各フォトレジスト突
起部１５ａは、その幅方向における断面が実際は台形状
の形をしている。これは照射されるレーザビームが、ガ
ウシャンの形状をした強度分布を有しており、レーザビ
ームの中心部の強度が高く、外周部では低いプロフィー
ルをしているため、現像後の各フォトレジスト突起部１
５が台形状の断面になり、プラズマ処理された後の各フ
ォトレジスト突起部１５ａも相似形で台形状の断面にな
るためである。また、図３（Ｂ）に示すように、エッチ
ング時には各フォトレジスト突起部１５ａは幅方向にも
削られ、エッチング中に各フォトレジスト突起部１５ａ
は幅の減少を伴う、いわゆるマスクの後退が起こるた
め、この各フォトレジスト突起部１５ａをマスクとして
削られるエッチング材料の各信号突起部１６もやはり台
形状の断面になる。台形状の断面の各フォトレジスト突
起部１５ｂの底辺が、台形状の断面のエッチング材料の
各信号突起部１６の上辺に対応している。

【００４７】ここで、プラズマ処理後の各フォトレジス
ト突起部１５ａの幅ｄ０、エッチング後の各フォトレジ
スト突起部１５ｂの幅ｄ１、エッチング材料の各信号突
起部１６の幅ｄ２、の大きさの関係はフォトレジスト層
１２とエッチング層１１ｂの選択比にもよるが、一般的
には、数（２）に示すように、

【００４８】

【数２】ｄ１＜ｄ０＜ｄ２ …（２） となる。つまり、プラズマ処理で整形された各フォトレ
ジスト突起部１５ａの幅ｄ０より、エッチング後に形成
されるエッチング材料の各信号突起部１６ｂの幅ｄ２
は、一般的には大きくなる。この大きくなる分も見越し
て、プラズマ処理では、各フォトレジスト突起部１５ａ
の幅ｄ０を小さくする必要がある。

【００４９】ここで、エッチングが完全に異方性である
と仮定したとき、フォトレジスト層１２のエッチングレ
ートをＲｒ、エッチング層１１ｂのエッチングレートを
Ｒｅ、フォトレジスト層１２の側壁傾斜係数をａ、プラ
ズマ処理後の各フォトレジスト突起部１５ａの高さをｈ
１、エッチング層１１ｂの厚みをｈ２とすると、プラズ
マ処理後に必要な各フォトレジスト突起部１５ａの幅ｄ
０は、要求されるエッチング後に形成されるエッチング
材料の各信号突起部１６の幅ｄ２から、数（３）により
求めることができる。

【００５０】

【数３】 ｄ０＝ｄ２−（１／ａ）×（ｈ１−ｈ２×Ｒｒ／Ｒｅ） …（３） ここで、フォトレジスト層１２の側壁傾斜角度をθとす
ると、フォトレジスト層１２の側壁傾斜係数ａは、ｔａ
ｎθとなる。

【００５１】数（３）によれば、例えば、ｈ１＝ｈ２＝
１００ｎｍ、ａ＝１．４（角度約６０°）、Ｒｅ／Ｒｒ
＝１．５とし、要求されるエッチング後のエッチング材
料による各信号突起部１６の幅ｄ２を１５０ｎｍにした
い時は、プラズマ処理にて各フォトレジスト突起部１５
ａを１２６．５ｎｍになるように削る必要がある。

【００５２】上記の第１の実施形態によれば、現像によ
り基板１１のエッチング層１１ｂ上に各フォトレジスト
突起部１５を形成した後に、プラズマ処理という新たな
工程を追加することにより、従来のマスタリング工程に
おいて用いられるレーザビームのスポット径の最小限度
である０．２５μｍ程度の幅を有しかつ現像により形成
された各フォトレジスト突起部１５の幅を、削り細くす
ることができる。これにより、プラズマ処理により幅を
細く整形された各フォトレジスト突起部１５ａをマスク
として、エッチングによりエッチング層１１ｂに形成さ
れた各信号突起部１６は、その幅ｄ２を０．２５μｍ以
下とすることができる。この各信号突起部１６の幅ｄ２
が、この各信号突起部１６を有するスタンパーにより成
形される光ディスクの各ピット幅に該当することになる
ため、この光ディスクの各ピット幅も０．２５μｍ以下
とすることができる。従って、ピット幅０．２５μｍ以
下の高密度光ディスクを成形可能な光ディスクのスタン
パーを作製することが可能となる。

【００５３】また、上記プラズマ処理において、現像に
より形成された各フォトレジスト突起部１５の幅をより
高い精度でもって細く整形する必要がある場合には、図
２に示すように、プラズマ処理時における各フォトレジ
スト突起部１５の幅の減少量が、プラズマ処理時間に対
し直線的に変化しているため、プラズマ処理を作業時間
を管理して施すこと、つまり、各フォトレジスト突起部
１５へのプラズマ処理を、プラズマ処理による各フォト
レジスト突起部１５の幅の減少量に応じた時間施すこと
により、プラズマ処理後に必要な各フォトレジスト突起
部１５ａの幅ｄ０を得ることができ、より高い精度をも
って各フォトレジスト突起部１５の幅を細く整形するこ
とが可能となる。

【００５４】さらに、エッチング層１１ｂのエッチング
材料による各信号突起部１６の幅ｄ２が、この各信号突
起部１６を有するスタンパーにより成形される光ディス
クの各ピットの幅に該当することになるが、この光ディ
スクの各ピットに要求される幅、つまり、スタンパーの
各信号突起部１６に要求される幅ｄ２から、プラズマ処
理後に必要な各フォトレジスト突起部１５ａの幅ｄ０
を、 ｄ０＝ｄ２−（１／ａ）×（ｈ１−ｈ２×Ｒｒ／Ｒｅ） …（３） 数（３）により求めることができる。従って、ピット幅
０．１５〜０．２μｍが要求される高容量の次世代高密
度光ディスクを成形可能なスタンパーに要求される各信
号突起部１６の幅ｄ２より、プラズマ処理後に必要な各
フォトレジスト突起部１５ａの幅ｄ０を算出し、現像後
の各フォトレジスト突起部１５にプラズマ処理を作業時
間を管理し施すことにより、上記算出した各フォトレジ
スト突起部１５ａの幅ｄ０を得ることができるため、ピ
ット幅０．１５〜０．２μｍが要求される高容量の次世
代高密度光ディスクを成形可能な光ディスクのスタンパ
ーを作製することが可能となる。

【００５５】また、プラズマ処理時には各フォトレジス
ト突起部１５の高さも幅と同様に減少しており、その減
少量はプラズマ処理時間に対して直線的に変化してい
る。エッチング層１１ｂのエッチング時にマスクとして
の用いられる各フォトレジスト突起部１５ａに必要な高
さは、後のエッチング時のエッチング層１１ｂのエッチ
ング材料とのエッチングレートの比、つまり選択比で決
定される。つまり、エッチング材料に比べフォトレジス
トのエッチング耐性が強ければそれだけ各フォトレジス
ト突起部１５ａの高さは低くてよい。よって、フォトレ
ジスト層１２形成時の必要厚さは、図２におけるプラズ
マ処理時のプラズマ処理時間による各フォトレジスト突
起部１５の突起高さの減少量、およびエッチング時に必
要なエッチング時間による各フォトレジスト突起部１５
ａの突起高さの減少量により判るため、フォトレジスト
層１２形成時にフォトレジストを必要厚さ分だけ基板１
１のエッチング層１１ｂ上に塗布し、フォトレジスト層
１２を形成することが可能となる。

【００５６】また、プラズマ処理時には各フォトレジス
ト突起部１５は幅および高さ方向だけではなく長さ方向
も削られるが、その量は各フォトレジスト突起部１５の
幅方向とほぼ同じである。長さ方向については信号源で
記録信号のレーザビーム１３のＯＮの時間、即ち、レー
ザビーム１３の照射時間を、プラズマ処理時に削られる
各フォトレジスト突起部１５の長さ方向の分だけ、長く
なるように設定をを変えることにより、簡単に補正する
ことが可能となる。

【００５７】なお、本発明は上記実施形態に限定に限定
されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。
例えば、本発明の第２の実施形態にかかる光ディスクの
スタンパー作製方法は、本発明の上記第１の実施形態の
ようにベース層１１ａとエッチング層１１ｂにより構成
される２層構造の基板を用いるのではなく、エッチング
層を設けずにベース層のみにより構成される１層構造の
基板を用い、この基板上に形成したフォトレジスト層の
複数のフォトレジスト突起部をそのままスタンパーの複
数の信号突起部とする光ディスクのスタンパーを作製す
る方法である。

【００５８】次に、本発明の上記第２の実施形態にかか
る光ディスクのスタンパー作製方法について詳細に説明
する。

【００５９】図４（Ａ）に示すように、ニッケル、クロ
ム、またはアルミニウム等の金属材料により形成された
プレート状の基板２１の上に、ネガ型フォトレジストが
塗布され、ネガ型フォトレジスト層２２が形成されてい
る。このネガ型フォトレジストには、本発明の上記第１
の実施形態におけるネガ型フォトレジストと同様なもの
を用いることができる。

【００６０】次に、図４（Ｂ）に示すように、基板２１
を回転駆動装置１０１における回転台１０１ａの上に載
せ、回転駆動装置１０１のモータにより所望の回転数で
回転させ、レーザビーム照射装置１００において、所望
の記録信号で変調されたレーザビーム１３を、記録レン
ズ１４を通し、サブミクロンの大きさのスポットに絞
り、回転する基板２１のフォトレジスト層２２に照射
し、フォトレジスト層２２に複数の露光部を形成する。

【００６１】次に、図４（Ｃ）はフォトレジスト層２２
のベーキング処理工程を示しており、ドライ現像に用い
られるフォトレジスト材料の中には、ＣＶＤ法などによ
りフォトレジスト層２２の各露光部の表面をシリル化さ
せ安定化させることにより、酸素プラズマによるドライ
現像時に、フォトレジスト層２２の各露光部の現像によ
るエッチング耐性を得させるものがある。フォトレジス
ト材料の種類によっては、このベーキング処理工程が不
要となる場合もある。

【００６２】次に、図４（Ｄ）に示すように、現像によ
り、ネガ型フォトレジスト層２２の未露光部は除去さ
れ、各露光部は残り、各露光部には複数のフォトレジス
ト突起部２５が形成されることになり、基板２１の上に
上記記録信号に対応した各フォトレジスト突起部２５に
よるパターンが形成される。ここでフォトレジスト層２
２を形成するためのフォトレジストをネガ型に代えてポ
ジ型を使用する場合においても、本発明の上記第１の実
施形態と同様に、イメージリバーサル法と呼ばれる方法
で、現像によりフォトレジスト層２２の未露光部を除去
し、露光部を残すことができる。ポジ型フォトレジスト
としてはノボラック系フォトレジスト等がある。

【００６３】次に、図４（Ｅ）に示すように、酸素プラ
ズマによるプラズマ処理で上記各フォトレジスト突起部
２５を幅が細くなるように整形し、幅が細くされた各フ
ォトレジスト突起部２５ａを形成する。このプラズマ処
理による各フォトレジスト突起部２５の整形について
は、本発明の上記第１の実施形態にて説明の通りであ
る。

【００６４】次に、図４（Ｆ）に示すように、プラズマ
処理により整形された各フォトレジスト突起部２５ａに
遠紫外線を照射して、各フォトレジスト突起部２５ａを
形成しているフォトレジスト分子に架橋を起こさせる。
架橋が起こされた各フォトレジスト突起部２５ａはその
表面が固い殻に覆われた状態となり、複数の信号突起部
２６となって、基板２１はこの各信号突起部２６を上面
に備える状態となる。ここで、上記遠紫外線の照射に代
わって、ＣＦ_４と酸素の混合ガスによるプラズマを照射
しても、同様に各フォトレジスト突起部２５ａに架橋を
起こすことができ、各信号突起部２６を形成することが
できる。

【００６５】その後、基板２１を光ディスク成形機の金
型に取り付け可能なように内外径の加工をすればスタン
パーとして完成する。なお、この基板２１の内外径の加
工、または内外径のうちいずれか一方の加工はレーザビ
ーム照射の前に行なってもよい。また、各信号突起部２
６は３００℃以上の耐熱性を有しているため、光ディス
ク成形時の熱に耐えることができるため、各信号突起部
２６を備えた１層構造の基板２１をスタンパーとして用
いることができる。

【００６６】上記の第２の実施形態によれば、１層構造
の基板２１上に形成したフォトレジスト層２２に、各フ
ォトレジスト突起部２５ａを形成し、この各フォトレジ
スト突起部２５ａをスタンパーの各信号突起部２６とす
ることにより、上記の第１の実施形態のように、ベース
層１１ａとエッチング層１１ｂにより構成された２層構
造の基板を用いなくても、１層構造の基板に本発明にか
かる光ディスクのスタンパー作製方法を適用することが
可能となる。

【００６７】また、上記の第２の実施形態のスタンパー
における各信号突起部２６の基板２１への接合強度は、
本発明の上記第１の実施形態のスタンパーにおける各信
号突起部１６の基板１１のベース層１１ａへの接合強度
よりも劣るため、このスタンパーによる光ディスク成形
時に、成形ショット回数により各信号突起部２６が基板
２１より剥離する可能性がある。しかし、光ディスクの
成形ショット回数が数千回程度しか要求されないスタン
パーに対しては、十分使用に耐えることができるため、
１層構造の基板を用いてスタンパーを作製することによ
り、光ディスクのスタンパー作製コストを押さえること
が可能となる。

【００６８】また、本発明の上記第１の実施形態による
効果と同様に、現像により基板２１上に各フォトレジス
ト突起部２５を形成した後に、酸素プラズマによるプラ
ズマ処理という新たな工程を追加することにより、従来
のマスタリング工程において用いられるレーザビームの
スポット径の最小限度である０．２５μｍ程度の幅を有
しかつ現像により形成された各フォトレジスト突起部２
５の幅を、削り細くすることができる。これにより、プ
ラズマ処理により幅を細く整形された各フォトレジスト
突起部２５ａは遠紫外線の照射により架橋して各信号突
起部２６となり、各信号突起部２６は、その幅を０．２
５μｍ以下とすることができる。この各信号突起部２６
の幅が、この各信号突起部２６を有するスタンパーによ
り成形される光ディスクの各ピット幅に該当することに
なるため、この光ディスクの各ピット幅も０．２５μｍ
以下とすることができる。従って、ピット幅０．２５μ
ｍ以下の高密度光ディスクを成形可能な光ディスクのス
タンパーを作製することが可能となる。

【００６９】また、上記プラズマ処理において、現像に
より形成された各フォトレジスト突起部２５の幅をより
高い精度でもって細く整形する必要がある場合には、図
２に示すように、プラズマ処理時における各フォトレジ
スト突起部２５の幅の減少量が、プラズマ処理時間に対
し直線的に変化しているため、プラズマ処理を作業時間
を管理して施すこと、つまり、各フォトレジスト突起部
２５へのプラズマ処理を、プラズマ処理による各フォト
レジスト突起部２５の幅の減少量に応じた時間施すこと
により、プラズマ処理後に必要な各フォトレジスト突起
部２５ａの幅を得ることができ、より高い精度をもって
各フォトレジスト突起部２５の幅を細く整形することが
可能となる。

【００７０】さらに、フォトレジスト層２２のフォトレ
ジストによる各信号突起部２６の幅が、この各信号突起
部２６を有するスタンパーにより成形される光ディスク
の各ピットの幅に該当することになり、この光ディスク
の各ピットに要求される幅、つまり、スタンパーの各信
号突起部２６に要求される幅が、プラズマ処理後に必要
な各フォトレジスト突起部２５ａの幅となる。従って、
ピット幅０．１５〜０．２μｍが要求される高容量の次
世代高密度光ディスクを成形可能なスタンパーに要求さ
れる各信号突起部２６の幅が、プラズマ処理後に必要な
各フォトレジスト突起部２５ａの幅となり、現像後の各
フォトレジスト突起部２５にプラズマ処理を作業時間を
管理し施すことにより、プラズマ処理後に必要な各フォ
トレジスト突起部２５ａの幅を得ることができるため、
ピット幅０．１５〜０．２μｍが要求される高容量の次
世代高密度光ディスクを成形可能な光ディスクのスタン
パーを作製することが可能となる。

【００７１】また、プラズマ処理時には各フォトレジス
ト突起部２５の高さも幅と同様に減少しており、その減
少量はプラズマ処理時間に対して直線的に変化してい
る。よって、フォトレジスト層２２形成時の必要厚さ
は、図２におけるプラズマ処理時のプラズマ処理時間に
よる各フォトレジスト突起部２５の突起高さの減少量に
より判るため、フォトレジスト層２２形成時にフォトレ
ジストを必要厚さ分だけ基板２１上に塗布し、フォトレ
ジスト層２２を形成することが可能となる。

【００７２】また、プラズマ処理時には各フォトレジス
ト突起部２５は幅および高さ方向だけではなく長さ方向
も削られるが、その量は各フォトレジスト突起部２５の
幅方向とほぼ同じである。長さ方向については信号源で
記録信号のレーザビーム１３のＯＮの時間、即ち、レー
ザビーム１３の照射時間を、プラズマ処理時に削られる
各フォトレジスト突起部２５の長さ方向の分だけ、長く
なるように設定をを変えることにより、簡単に補正する
ことが可能となる。

【００７３】次に、本発明の第３の実施形態にかかる光
ディスクのスタンパー作製方法について説明する。本発
明の第３の実施形態にかかる光ディスクのスタンパー作
製方法は、本発明の上記第２の実施形態と同様にベース
層のみにより構成される１層構造の基板を用いるが、上
記第２の実施形態とは異なり、ベース層がエッチング材
料により形成されていることにより、この基板がエッチ
ング層のみにより構成されることとなり、この基板上に
フォトレジスト層を形成し、フォトレジスト層に形成さ
れたフォトレジスト突起部をマスクとして、ベース層に
エッチングを行い、基板上のフォトレジスト突起部を除
去し、スタンパーを作製するものである。

【００７４】次に、本発明の上記第３実施形態にかかる
光ディスクのスタンパー作製方法について詳細に説明す
る。

【００７５】図５（Ａ）に示すように、タンタル、モリ
ブデン、またはタングステン等の金属材料であるエッチ
ング材料により形成されたプレート状の基板３１の上
に、ネガ型フォトレジストが塗布され、ネガ型フォトレ
ジスト層３２が形成されている。このネガ型フォトレジ
ストには、本発明の上記第１の実施形態におけるネガ型
フォトレジストと同様なものを用いることができる。

【００７６】次に、図５（Ｂ）に示すように、基板３１
を回転駆動装置１０１における回転台１０１ａの上に載
せ、回転駆動装置１０１のモータにより所望の回転数で
回転させ、レーザビーム照射装置１００において、所望
の記録信号で変調されたレーザビーム１３を、記録レン
ズ１４を通し、サブミクロンの大きさのスポットに絞
り、回転する基板３１のフォトレジスト層３２に照射
し、フォトレジスト層３２に複数の露光部を形成する。

【００７７】次に、図５（Ｃ）に示すように、湿式の現
像により、ネガ型フォトレジスト層３２の未露光部は除
去され、各露光部は残り、各露光部には複数のフォトレ
ジスト突起部３５が形成されることとなり、基板３１上
に上記記録信号に対応した各フォトレジスト突起部３５
によるパターンが形成される。ここでフォトレジスト層
３２を形成するためのフォトレジストをネガ型に代えて
ポジ型を使用する場合においても、イメージリバーサル
法と呼ばれる方法で、現像によりフォトレジスト層３２
の未露光部を除去し、露光部を残すことができる。ポジ
型フォトレジストとしては、ノボラック系フォトレジス
ト等がある。

【００７８】次に、図５（Ｄ）に示すように、酸素プラ
ズマによるプラズマ処理で上記各フォトレジスト突起部
３５を幅が細くなるように整形し、幅が細くされた各フ
ォトレジスト突起部３５ａを形成する。このプラズマ処
理による各フォトレジスト突起部３５の整形について
は、本発明の上記第１の実施形態にて説明の通りであ
る。

【００７９】次に、図５（Ｅ）に示すように、プラズマ
処理により整形された各フォトレジスト突起部３５ａを
マスクとして、基板３１にエッチングを行い、基板３１
上の各フォトレジスト突起部３５ａのパターンに対応し
た基板３１のパターンが形成される。ここで、３５ｂ
は、各フォトレジスト突起部３５ａのエッチング後の各
突起部であり、３６は、エッチング後に形成された基板
３１の複数の信号突起部である。

【００８０】なお、ここで、基板３１のエッチングの終
点検出は、基板３１が１層構造であるため、上記第１の
実施形態におけるエッチングの終点検出方法とは異な
り、基板３１を形成する金属材料のエッチングによる高
さの減小量を、エッチング作業時間を管理し制御するこ
とにより行う。

【００８１】次に、図５（Ｆ）に示すように、エッチン
グ後の各フォトレジスト突起部３５ｂを酸素プラズマに
よるアッシングで基板３１より取り除き、基板３１は表
面に各信号突起部３６のみを備える状態となる。その
後、基板３１を光ディスク成形機の金型に取り付け可能
なように内外径の加工をすればスタンパーとして完成す
る。なお、この基板３１の内外径の加工、または内外径
のうちいずれか一方の加工はレーザビーム照射の前に行
ってもよい。

【００８２】上記の第３の実施形態によれば、１層構造
の基板３１上に形成したフォトレジスト層３２に、各フ
ォトレジスト突起部３５を形成し、この各フォトレジス
ト突起部３５に酸素プラズマによるプラズマ処理を施し
幅を細く整形して各フォトレジスト突起部３５ａを形成
し、この各フォトレジスト突起部３５ａをマスクとし
て、基板３１に各信号突起部３６を形成することによ
り、上記第１の実施形態のように、ベース層１１ａとエ
ッチンッグ層１１ｂにより構成された２層構造の基板を
用いなくても、１層構造の基板に本発明にかかる光ディ
スクのスタンパー作製方法を適用することが可能とな
る。

【００８３】また、上記第１の実施形態のスタンパーに
おいては、各信号信号突起部１６が、基板１１のベース
層１１ａ上に、エッチング層１１ｂのエッチング材料に
より形成されるが、上記第３の実施形態のスタンパーに
おいては、各信号突起部３６が、１層構造の基板３１に
エッチングを施すことにより形成され、各信号突起部３
６が基板３１と一体となるため、各信号突起部３６の基
板３１に対する接合強度をより強固なものとすることが
できる。従って、この作製された１層構造のスタンパー
による光ディスク成形時に、基板３１より各信号突起部
３６が剥離し難くなるため、成形寿命の長いスタンパー
を作製することが可能となる。

【００８４】さらに、上記第２の実施形態と同様に、１
層構造の基板を用いて光ディスクのスタンパーを作製す
るため、光ディスクのスタンパー作製コストを押さえる
ことが可能となる。

【００８５】また、上記第１の実施形態による効果と同
様に、現像により基板３１上に各フォトレジスト突起部
３５を形成した後に、酸素プラズマによるプラズマ処理
という新たな工程を追加することにより、従来のマスタ
リング工程において用いられるレーザビームのスポット
径の最小限度である０．２５μｍ程度の幅を有し、かつ
現像により形成された各フォトレジスト突起部３５の幅
を、削り細くすることができる。これにより、プラズマ
処理により幅を細く整形された各フォトレジスト突起部
３５ａをマスクとして、エッチングにより基板３１上に
形成された各信号突起部３６は、その幅を０．２５μｍ
以下とすることができる。この各信号突起部３６の幅
が、この各信号突起部３６を有するスタンパーにより成
形される光ディスクの各ピット幅に該当することになる
ため、この光ディスクの各ピット幅も０．２５μｍ以下
とすることができる。従って、ピット幅０．２５μｍ以
下の高密度光ディスクを成形可能な光ディスクのスタン
パーを作製することが可能となる。

【００８６】また、上記プラズマ処理において、現像に
より形成された各フォトレジスト突起部３５の幅をより
高い精度でもって細く整形する必要がある場合には、図
２に示すように、プラズマ処理時における各フォトレジ
スト突起部３５の幅の減少量が、プラズマ処理時間に対
し直線的に変化しているため、プラズマ処理を作業時間
を管理して施すこと、つまり、各フォトレジスト突起部
３５へのプラズマ処理を、プラズマ処理による各フォト
レジスト突起部３５の幅の減少量に応じた時間施すこと
により、プラズマ処理後に必要な各フォトレジスト突起
部３５ａの幅を得ることができ、より高い精度をもって
各フォトレジスト突起部３５の幅を細く整形することが
可能となる。

【００８７】さらに、基板３１の各信号突起部３６の幅
が、この各信号突起部３６を有するスタンパーにより成
形される光ディスクの各ピットの幅に該当することにな
るが、この光ディスクの各ピットに要求される幅、つま
り、スタンパーの各信号突起部３６に要求される幅ｄ２
から、プラズマ処理後に必要な各フォトレジスト突起部
３５ａの幅ｄ０を、 ｄ０＝ｄ２−（１／ａ）×（ｈ１−ｈ２×Ｒｒ／Ｒｅ） …（３） 数（３）により求めることができる。ただし、基板３１
がエッチング材料により形成された１層構造であるた
め、ｈ２は各信号突起部３６の必要高さ、Ｒｅは基板３
１を形成するエッチング材料のエッチングレートとな
る。従って、ピット幅０．１５〜０．２μｍが要求され
る高容量の次世代高密度光ディスクを成形可能なスタン
パーに要求される各信号突起部３６の幅ｄ２より、プラ
ズマ処理後に必要な各フォトレジスト突起部３５ａの幅
ｄ０を算出し、現像後の各フォトレジスト突起部３５に
プラズマ処理を作業時間を管理し施すことにより、上記
算出した各フォトレジスト突起部３５ａの幅ｄ０を得る
ことができるため、ピット幅０．１５〜０．２μｍが要
求される高容量の次世代高密度光ディスクを成形可能な
光ディスクのスタンパーを作製することが可能となる。

【００８８】また、プラズマ処理時には各フォトレジス
ト突起部３５の高さも幅と同様に減少しており、その減
少量はプラズマ処理時間に対して直線的に変化してい
る。基板３１のエッチング時にマスクとしての用いられ
る各フォトレジスト突起部３５ａに必要な高さは、後の
エッチング時の基板３１のエッチング材料とのエッチン
グレートの比、つまり選択比で決定される。つまり、エ
ッチング材料に比べフォトレジストのエッチング耐性が
強ければそれだけ各フォトレジスト突起部３５ａの高さ
は低くてよい。よって、フォトレジスト層３２形成時の
必要厚さは、図２における酸素プラズマによるプラズマ
処理時のプラズマ処理時間による各フォトレジスト突起
部３５の突起高さの減少量、およびエッチング時に必要
なエッチング時間による各フォトレジスト突起部３５ａ
の突起高さの減少量により判るため、フォトレジスト層
３２形成時にフォトレジストを必要厚さ分だけ基板３１
上に塗布し、フォトレジスト層３２を形成することが可
能となる。

【００８９】また、プラズマ処理時には各フォトレジス
ト突起部３５は幅および高さ方向だけではなく長さ方向
も削られるが、その量は各フォトレジスト突起部３５の
幅方向とほぼ同じである。長さ方向については信号源で
記録信号のレーザビーム１３のＯＮの時間、即ち、レー
ザビーム１３の照射時間を、プラズマ処理時に削られる
各フォトレジスト突起部３５の長さ方向の分だけ、長く
なるように設定をを変えることにより、簡単に補正する
ことが可能となる。

【００９０】なお、上記様々な実施形態のうちの任意の
実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有
する効果を奏するようにすることができる。

【００９１】

【発明の効果】本発明の上記第１態様によれば、現像に
より基板のエッチング層上に各フォトレジスト突起部を
形成した後に、酸素プラズマによるプラズマ処理という
新たな工程を追加することにより、照射されるレーザビ
ームのスポット径とほぼ同等の幅を有しかつ現像により
形成された各フォトレジスト突起部の幅を、削り細くす
ることができる。これにより、上記プラズマ処理により
上記幅を細く整形された上記各フォトレジスト突起部を
マスクとして、エッチングによりエッチング層に形成さ
れた各信号突起部は、その幅を上記レーザビームの上記
スポット径より細くすることができる。この上記各信号
突起部の上記幅が、この上記各信号突起部を有するスタ
ンパーにより成形される光ディスクの各ピット幅に該当
することになるため、この上記光ディスクの上記各ピッ
ト幅も上記レーザビームの上記スポット径より細くする
ことができる。従って、従来、マスタリング工程におい
て用いられているレーザビームのスポット径の最小限度
よりも細いピット幅を有する高密度光ディスクを成形可
能な光ディスクのスタンパーを作製することが可能とな
る。

【００９２】本発明の上記第２態様によれば、上記プラ
ズマ処理において、現像により形成された各フォトレジ
スト突起部の幅をより高い精度でもって細く整形する必
要がある場合には、プラズマ処理時における上記各フォ
トレジスト突起部の上記幅の減少量が、プラズマ処理時
間に対し直線的に変化しているため、上記プラズマ処理
を作業時間を管理して施すこと、つまり、上記各フォト
レジスト突起部への上記プラズマ処理を、上記プラズマ
処理による上記各フォトレジスト突起部の幅の減少量に
応じた時間施すことにより、上記プラズマ処理後に必要
な上記各フォトレジスト突起部の幅を得ることができ、
より高い精度をもって各フォトレジスト突起部の幅を細
く整形することが可能となる。

【００９３】本発明の上記第３態様によれば、エッチン
グ層のエッチング材料による各信号突起部の幅が、この
上記各信号突起部を有するスタンパーにより成形される
光ディスクの各ピットの幅に該当することになるが、こ
の上記光ディスクの上記各ピットに要求される幅、つま
り、上記スタンパーの上記各信号突起部に要求される幅
から、プラズマ処理後に必要な各フォトレジスト突起部
の幅を求めることができる。従って、ピット幅０．１５
〜０．２μｍが要求される高容量の次世代高密度光ディ
スクを成形可能な上記スタンパーに要求される上記各信
号突起部の上記幅より、上記プラズマ処理後に必要な上
記各フォトレジスト突起部の上記幅を算出し、現像後の
上記各フォトレジスト突起部に上記プラズマ処理を作業
時間を管理し施すことにより、上記算出した各フォトレ
ジスト突起部の幅を得ることができるため、ピット幅
０．１５〜０．２μｍが要求される高容量の次世代高密
度光ディスクを成形可能な光ディスクのスタンパーを作
製することが可能となる。

【００９４】本発明の上記第４〜６態様によれば、従
来、マスタリング工程において用いられている種々の光
ディスクのスタンパー作製方法を、本発明にかかる光デ
ィスクのスタンパー作製方法に適用することができるた
め、汎用性を持った光ディスクのスタンパー作製方法を
提供することが可能となる。

【００９５】本発明の上記第７態様によれば、１層構造
の基板上に形成したフォトレジスト層に、各フォトレジ
スト突起部を形成し、この上記各フォトレジスト突起部
をスタンパーの各信号突起部とすることにより、上記１
層構造の基板に、本発明にかかる光ディスクのスタンパ
ー作製方法を適用することが可能となる。

【００９６】また、上記スタンパーにおける上記各信号
突起部の上記基板への接合強度は、上記第１態様のスタ
ンパーにおける上記各信号突起部の上記基板への接合強
度よりも劣るため、この上記スタンパーによる光ディス
ク成形時に、成形ショット回数により上記各信号突起部
が上記基板より剥離する可能性があった。しかし、光デ
ィスクの成形ショット回数が数千回程度しか要求されな
いものに対しては、十分使用に耐えることができるた
め、上記１層構造の基板を用いてスタンパーを作製する
ことにより、光ディスクのスタンパー作製コストを押さ
えることが可能となる。

【００９７】さらに、上記第１態様による効果と同様
に、現像により上記基板上に上記各フォトレジスト突起
部を形成した後に、酸素プラズマによるプラズマ処理と
いう新たな工程を追加することにより、照射されるレー
ザビームのスポット径とほぼ同等の幅を有しかつ現像に
より形成された上記各フォトレジスト突起部の幅を、削
り細くすることができる。これにより、上記プラズマ処
理により上記幅を細く整形された各フォトレジスト突起
部は各信号突起部となり、上記各信号突起部は、その幅
をレーザビームの上記スポット径より細くすることがで
きる。この上記各信号突起部の幅が、この上記各信号突
起部を有するスタンパーにより成形される光ディスクの
各ピット幅に該当することになるため、この上記光ディ
スクの上記各ピット幅も上記レーザビームの上記スポッ
ト径より細くすることができる。従って、従来、マスタ
リング工程において用いられているレーザビームのスポ
ット径の最小限度よりも細いピット幅を有する高密度光
ディスクを成形可能な光ディスクのスタンパーを作製す
ることが可能となる。

【００９８】本発明の上記第８態様によれば、上記プラ
ズマ処理において、現像により形成された各フォトレジ
スト突起部の幅をより高い精度でもって細く整形する必
要がある場合には、プラズマ処理時における上記各フォ
トレジスト突起部の上記幅の減少量が、プラズマ処理時
間に対し直線的に変化しているため、上記プラズマ処理
を作業時間を管理して施すこと、つまり、上記各フォト
レジスト突起部への上記プラズマ処理を、上記プラズマ
処理による上記各フォトレジスト突起部の幅の減少量に
応じた時間施すことにより、上記プラズマ処理後に必要
な上記各フォトレジスト突起部の幅を得ることができ、
より高い精度をもって各フォトレジスト突起部の幅を細
く整形することが可能となる。

【００９９】さらに、上記フォトレジスト層のフォトレ
ジストによる上記各信号突起部の幅が、この上記各信号
突起部を有する上記スタンパーにより成形される光ディ
スクの各ピットの幅に該当することになり、この上記光
ディスクの各ピットに要求される幅、つまり、上記スタ
ンパーの上記各信号突起部に要求される幅が、プラズマ
処理後に必要な上記各フォトレジスト突起部の幅とな
る。従って、ピット幅０．１５〜０．２μｍが要求され
る高容量の次世代高密度光ディスクを成形可能な上記ス
タンパーに要求される上記各信号突起部の幅が、上記プ
ラズマ処理後に必要な上記各フォトレジスト突起部の幅
となり、現像後の上記各フォトレジスト突起部に上記プ
ラズマ処理を作業時間を管理し施すことにより、上記プ
ラズマ処理後に必要な上記各フォトレジスト突起部の幅
を得ることができるため、ピット幅０．１５〜０．２μ
ｍが要求される高容量の次世代高密度光ディスクを成形
可能な光ディスクのスタンパーを作製することが可能と
なる。

【０１００】本発明の上記第９態様または第１０態様に
よれば、従来、マスタリング工程において用いられてい
る種々の光ディスクのスタンパー作製方法を、本発明に
かかる光ディスクのスタンパー作製方法に適用すること
ができるため、汎用性を持った光ディスクのスタンパー
作製方法を提供することが可能となる。

【０１０１】本発明の上記第１１態様によれば、１層構
造の基板上に形成したフォトレジスト層に各フォトレジ
スト突起部を形成し、この各フォトレジスト突起部に酸
素プラズマによるプラズマ処理を施し幅を細く整形した
各フォトレジスト突起部をマスクとして、上記基板に各
信号突起部を形成することにより、１層構造の基板に本
発明にかかる光ディスクのスタンパー作製方法を適用す
ることが可能となる。

【０１０２】また、上記第１態様のスタンパーにおいて
は、上記各信号信号突起部が、上記基板上に、上記エッ
チング層の上記エッチング材料により形成されるが、上
記１１態様のスタンパーにおいては、上記各信号突起部
が、上記１層構造の基板にエッチングを施すことにより
形成され、上記各信号突起部が上記基板と一体となるた
め、上記各信号突起部の上記基板に対する接合強度をよ
り強固なものとすることができる。従って、この作製さ
れた上記１層構造のスタンパーによる光ディスク成形時
に、上記基板より上記各信号突起部が剥離し難くなるた
め、成形寿命の長いスタンパーを作製することが可能と
なる。

【０１０３】さらに、上記第７態様による効果と同様
に、上記１層構造の基板を用いて光ディスクのスタンパ
ーを作製するため、光ディスクのスタンパー作製コスト
を押さえることが可能となる。

【０１０４】また、上記第１態様による効果と同様に、
現像により上記基板上に上記各フォトレジスト突起部を
形成した後に、酸素プラズマによるプラズマ処理という
新たな工程を追加することにより、照射されるレーザビ
ームのスポット径とほぼ同等の幅を有し、かつ現像によ
り形成された上記各フォトレジスト突起部の幅を、削り
細くすることができる。これにより、上記プラズマ処理
により幅を細く整形された各フォトレジスト突起部をマ
スクとして、エッチングにより上記基板上に形成された
各信号突起部は、その幅を上記レーザビームの上記スポ
ット径より細くすることができる。この上記各信号突起
部の幅が、この上記各信号突起部を有するスタンパーに
より成形される光ディスクの各ピット幅に該当すること
になるため、この上記光ディスクの上記各ピット幅も上
記レーザビームの上記スポット径より細くすることがで
きる。従って、従来、マスタリング工程において用いら
れているレーザビームのスポット径の最小限度よりも細
いピット幅を有する高密度光ディスクを成形可能な光デ
ィスクのスタンパーを作製することが可能となる。

【０１０５】本発明の上記第１２態様によれば、上記プ
ラズマ処理において、現像により形成された各フォトレ
ジスト突起部の幅をより高い精度でもって細く整形する
必要がある場合には、プラズマ処理時における上記各フ
ォトレジスト突起部の上記幅の減少量が、プラズマ処理
時間に対し直線的に変化しているため、上記プラズマ処
理を作業時間を管理して施すこと、つまり、上記各フォ
トレジスト突起部への上記プラズマ処理を、上記プラズ
マ処理による上記各フォトレジスト突起部の幅の減少量
に応じた時間施すことにより、上記プラズマ処理後に必
要な各フォトレジスト突起部の幅を得ることができ、よ
り高い精度をもって各フォトレジスト突起部の幅を細く
整形することが可能となる。

【０１０６】本発明の上記第１３態様によれば、基板の
各信号突起部の幅が、この上記各信号突起部を有するス
タンパーにより成形される光ディスクの各ピットの幅に
該当することになるが、この上記光ディスクの上記各ピ
ットに要求される幅、つまり、上記スタンパーの上記各
信号突起部に要求される幅から、プラズマ処理後に必要
な各フォトレジスト突起部の幅を求めることができる。
従って、ピット幅０．１５〜０．２μｍが要求される高
容量の次世代高密度光ディスクを成形可能な上記スタン
パーに要求される上記各信号突起部の上記幅より、上記
プラズマ処理後に必要な上記各フォトレジスト突起部の
上記幅を算出し、現像後の上記各フォトレジスト突起部
に上記プラズマ処理を作業時間を管理し施すことによ
り、上記算出した各フォトレジスト突起部の幅を得るこ
とができるため、ピット幅０．１５〜０．２μｍが要求
される高容量の次世代高密度光ディスクを成形可能な光
ディスクのスタンパーを作製することが可能となる。

【０１０７】本発明の上記第１４態様または第１５態様
によれば、従来、マスタリング工程において用いられて
いる種々の光ディスクのスタンパー作製方法を、本発明
にかかる光ディスクのスタンパー作製方法に適用するこ
とができるため、汎用性を持った光ディスクのスタンパ
ー作製方法を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施形態にかかる光ディスク
のスタンパー作製方法を示す図であり、（Ａ）は基板の
断面図、（Ｂ）はレーザビーム照射状態の基板の断面
図、（Ｃ）は現像後の基板の断面図、（Ｄ）はプラズマ
処理後の基板の断面図、（Ｅ）はエッチング後の基板の
断面図、（Ｆ）スタンパー完成状態の基板の断面図であ
る。

【図２】 本発明の上記実施形態にかかる光ディスクの
スタンパー作製方法におけるプラズマ処理時のプラズマ
処理時間とフォトレジスト突起部の幅および高さの形状
変化の関係を示した図である。

【図３】 本発明の上記実施形態にかかる光ディスクの
スタンパー作製方法における基板の部分詳細模式図であ
り、（Ａ）はプラズマ処理後の基板の部分詳細模式断面
図、（Ｂ）はエッチング後の基板の部分詳細模式断面図
である。

【図４】 本発明の第２の実施形態にかかる光ディスク
のスタンパー作製方法を示す図であり、（Ａ）は基板の
断面図、（Ｂ）はレーザビーム照射状態の基板の断面
図、（Ｃ）はベーキング処理状態の基板の断面図、
（Ｄ）は現像後の基板の断面図、（Ｅ）はプラズマ処理
後の基板の断面図、（Ｆ）はスタンパー完成状態の基板
の断面図である。

【図５】 本発明の第３の実施形態にかかる光ディスク
のスタンパー作製方法を示す図であり、（Ａ）は基板の
断面図、（Ｂ）はレーザビーム照射状態の基板の断面
図、（Ｃ）は現像後の基板の断面図、（Ｄ）はプラズマ
処理後の基板の断面図、（Ｅ）はエッチング後の基板の
断面図、（Ｆ）スタンパー完成状態の基板の断面図であ
る。

【図６】 従来の光ディスクのスタンパー作製方法を示
した図であり、（Ａ）は基板の断面図、（Ｂ）はレーザ
ビーム照射状態の基板の断面図、（Ｃ）は現像状態の基
板の断面図、（Ｄ）はベーキング処理状態の基板の断面
図、（Ｅ）は導電性皮膜形成後の基板の断面図、（Ｆ）
はニッケル厚膜形成後の基板の断面図、（Ｇ）はスタン
パー完成状態のスタンパーの断面図である。

【符号の説明】

１１…基板、１１ａ…ベース層、１１ｂ…エッチング
層、１２…ネガ型フォトレジスト層、１３…レーザビー
ム、１４…記録レンズ、１５…フォトレジスト突起部、
１５ａ…プラズマ処理後のフォトレジスト突起部、１５
ｂ…エッチング後のフォトレジスト突起部、１６…信号
突起部、２１…基板、２２…ネガ型フォトレジスト層、
２５…フォトレジスト突起部、２５ａ…プラズマ処理後
のフォトレジスト突起部、２６…信号突起部、３１…基
板、３２…ネガ型フォトレジスト層、３５…フォトレジ
スト突起部、３５ａ…プラズマ処理後のフォトレジスト
突起部、３５ｂ…エッチング後のフォトレジスト突起
部、３６…信号突起部、４１…ガラス基板、４２…ポジ
型フォトレジスト層、４３…現像液供給ノズル、４４…
ピット、４５…導電性被膜、４６…ニッケル厚膜、４７
…スタンパーの突起部、１００…レーザビーム照射装
置、１０１…回転駆動装置、１０１ａ…回転台、ｄ０…
プラズマ処理後のフォトレジスト突起部の幅、ｄ１…エ
ッチング後のフォトレジスト突起部の幅、ｄ２…エッチ
ング後の信号突起部の幅、Φ…照射されるレーザビーム
のスポット径、ｋ…定数、λ…レーザ波長、ＮＡ…記録
レンズの開口数、ｎ…光ディスクの屈折率、Ｒｒ…フォ
トレジスト層のエッチングレート、Ｒｅ…エッチング層
のエッチングレート、ａ…フォトレジスト層の側壁傾斜
係数、ｈ１…プラズマ処理後のフォトレジスト突起部の
高さ、ｈ２…エッチング層の厚み。

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 エッチング層上にフォトレジスト層が形
   成された基板を回転させ、記録信号で変調されかつ記録
   レンズでスポットに絞られたレーザビームを、上記基板
   の上記フォトレジスト層に照射して上記フォトレジスト
   層に複数の露光部を形成し、 現像によって上記フォトレジスト層の上記各露光部を残
   して上記フォトレジスト層の未露光部を除去し、上記記
   録信号に対応した複数のフォトレジスト突起部によるパ
   ターンを上記エッチング層上に形成し、 その後、酸素プラズマによるプラズマ処理で上記パター
   ンの上記各フォトレジスト突起部の幅を細くし、 上記パターンの上記各フォトレジスト突起部をマスクと
   して、上記エッチング層をエッチングし、上記基板上に
   上記各フォトレジスト突起部の上記パターンに対応した
   上記エッチング層のエッチング材料による複数の信号突
   起部のパターンを形成し、 上記基板の上記エッチング層上における上記各フォトレ
   ジスト突起部を除去し、 スタンパーを作製することを特徴とする光ディスクのス
   タンパー作製方法。
2. 【請求項２】 上記プラズマ処理において、上記各フォ
   トレジスト突起部への上記プラズマ処理を、上記プラズ
   マ処理による上記各フォトレジスト突起部の幅の減少量
   に応じた時間施すことにより、上記プラズマ処理後の上
   記各フォトレジスト突起部の幅を制御する請求項１に記
   載の光ディスクのスタンパー作製方法。
3. 【請求項３】 上記プラズマ処理後に必要な上記各フォ
   トレジスト突起部の上記幅（ｄ０）は、 上記フォトレジスト層のエッチングレート（Ｒｒ）と、 上記エッチング層のエッチングレート（Ｒｅ）と、 上記フォトレジスト層の側壁傾斜係数（ａ）と、 上記プラズマ処理後の上記各フォトレジスト突起部の高
   さ（ｈ１）と、 上記エッチング層の厚み（ｈ２）と、 上記エッチング後に要求される上記エッチング層の上記
   エッチング材料の上記各信号突起部の幅（ｄ２）から、 ｄ０＝ｄ２−（１／ａ）×（ｈ１−ｈ２×Ｒｒ／Ｒｅ）
   により、求めることができる請求項２に記載の光ディス
   クのスタンパー作製方法。
4. 【請求項４】 上記フォトレジスト層がネガ型フォトレ
   ジスト層である請求項１〜３のいずれか１つに記載の光
   ディスクのスタンパー作製方法。
5. 【請求項５】 上記現像が湿式現像であり、上記エッチ
   ングがドライエッチングである請求項１〜４のいずれか
   １つに記載の光ディスクのスタンパー作製方法。
6. 【請求項６】 上記基板がベース層と上記ベース層上に
   形成された上記エッチング層を備え、上記エッチングが
   上記ドライエッチングであり、上記ドライエッチングに
   より、上記エッチング層がエッチングされ、上記エッチ
   ング時において、上記エッチングが施される部分が、上
   記エッチング層から上記ベース層に代わるまで上記エッ
   チングが施される請求項１〜５のいずれか１つに記載の
   光ディスクのスタンパー作製方法。
7. 【請求項７】 フォトレジスト層が形成された基板を回
   転させ、記録信号で変調されかつ記録レンズでスポット
   に絞られたレーザビームを、上記基板の上記フォトレジ
   スト層に照射して上記フォトレジスト層に複数の露光部
   を形成し、 現像によって上記フォトレジスト層の上記各露光部を残
   して上記フォトレジスト層の未露光部を除去し、上記記
   録信号に対応した複数のフォトレジスト突起部によるパ
   ターンを上記基板上に形成し、 その後、酸素プラズマによるプラズマ処理で上記パター
   ンの上記各フォトレジスト突起部の幅を細くし、上記基
   板上に上記フォトレジスト層のフォトレジストによる複
   数の信号突起部を形成し、 スタンパーを作製することを特徴とする光ディスクのス
   タンパー作製方法。
8. 【請求項８】 上記プラズマ処理において、上記各フォ
   トレジスト突起部への上記プラズマ処理を、上記プラズ
   マ処理による上記各フォトレジスト突起部の幅の減少量
   に応じた時間施すことにより、上記プラズマ処理後の上
   記各フォトレジスト突起部の幅を制御する請求項７に記
   載の光ディスクのスタンパー作製方法。
9. 【請求項９】 上記フォトレジスト層がネガ型フォトレ
   ジスト層である請求項７または８に記載の光ディスクの
   スタンパー作製方法。
10. 【請求項１０】 上記現像が湿式現像である請求項７〜
    ９のいずれか１つに記載の光ディスクのスタンパー作製
    方法。
11. 【請求項１１】 １層構造の基板にフォトレジスト層を
    形成し、上記フォトレジスト層が形成された上記基板を
    回転させ、記録信号で変調されかつ記録レンズでスポッ
    トに絞られたレーザビームを、上記基板の上記フォトレ
    ジスト層に照射して上記フォトレジスト層に複数の露光
    部を形成し、 現像によって上記フォトレジスト層の上記各露光部を残
    して上記フォトレジスト層の未露光部を除去し、上記記
    録信号に対応した複数のフォトレジスト突起部によるパ
    ターンを上記基板上に形成し、 その後、酸素プラズマによるプラズマ処理で上記パター
    ンの上記各フォトレジスト突起部の幅を細くし、 上記パターンの上記各フォトレジスト突起部をマスクと
    して、上記基板をエッチングし、上記基板上に上記各フ
    ォトレジスト突起部の上記パターンに対応した複数の信
    号突起部のパターンを形成し、 上記基板上における上記各フォトレジスト突起部を除去
    し、 スタンパーを作製することを特徴とする光ディスクのス
    タンパー作製方法。
12. 【請求項１２】 上記プラズマ処理において、上記各フ
    ォトレジスト突起部への上記プラズマ処理を、上記プラ
    ズマ処理による上記各フォトレジスト突起部の幅の減少
    量に応じた時間施すことにより、上記プラズマ処理後の
    上記各フォトレジスト突起部の幅を制御する請求項１１
    に記載の光ディスクのスタンパー作製方法。
13. 【請求項１３】 上記プラズマ処理後に必要な上記各フ
    ォトレジスト突起部の上記幅（ｄ０）は、 上記フォトレジスト層のエッチングレート（Ｒｒ）と、 上記基板のエッチングレート（Ｒｅ）と、 上記フォトレジスト層の側壁傾斜係数（ａ）と、 上記プラズマ処理後の上記各フォトレジスト突起部の高
    さ（ｈ１）と、 上記各信号突起部の高さ（ｈ２）と、 上記エッチング後に要求される上記基板の上記各信号突
    起部の幅（ｄ２）から、 ｄ０＝ｄ２−（１／ａ）×（ｈ１−ｈ２×Ｒｒ／Ｒｅ）
    により、求めることができる請求項１２に記載の光ディ
    スクのスタンパー作製方法。
14. 【請求項１４】 上記フォトレジスト層がネガ型フォト
    レジスト層である請求項１１〜１３のいずれか１つに記
    載の光ディスクのスタンパー作製方法。
15. 【請求項１５】 上記現像が湿式現像であり、上記エッ
    チングがドライエッチングである請求項１１〜１４のい
    ずれか１つに記載の光ディスクのスタンパー作製方法。