JPH0660441A - 光ディスク用スタンパの製造方法 - Google Patents
光ディスク用スタンパの製造方法Info
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- JPH0660441A JPH0660441A JP23540992A JP23540992A JPH0660441A JP H0660441 A JPH0660441 A JP H0660441A JP 23540992 A JP23540992 A JP 23540992A JP 23540992 A JP23540992 A JP 23540992A JP H0660441 A JPH0660441 A JP H0660441A
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- Japan
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- thin film
- stamper
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 湿式工程を必要とせず、耐久性に優れ、寿命
の長い光ディスク用スタンパの製造方法を提供する。 【構成】 基板上に、第１の薄膜を形成し、この第１の
薄膜上に相変化によりエッチングレート差を生じる物質
よりなる、前記第１の薄膜とは除去条件の異なる第２の
薄膜を形成し、第２の薄膜にパターンを形成した後、そ
のパターンをマスクとして第１の薄膜をエッチングし、
次に、第１の薄膜に形成されたパターンをマスクとして
基板をエッチングするとともに、第１および第２の薄膜
を除去する工程を有する光ディスク用スタンパの製造方
法。
の長い光ディスク用スタンパの製造方法を提供する。 【構成】 基板上に、第１の薄膜を形成し、この第１の
薄膜上に相変化によりエッチングレート差を生じる物質
よりなる、前記第１の薄膜とは除去条件の異なる第２の
薄膜を形成し、第２の薄膜にパターンを形成した後、そ
のパターンをマスクとして第１の薄膜をエッチングし、
次に、第１の薄膜に形成されたパターンをマスクとして
基板をエッチングするとともに、第１および第２の薄膜
を除去する工程を有する光ディスク用スタンパの製造方
法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は各種光ディスクの製造に
用いられるスタンパの製造方法に関する。
用いられるスタンパの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、音楽ソフト用、映像ソフト用ある
いは各種情報ファイル用の光ディスクの製造が盛んに行
われている。これらの光ディスクの表面には、情報信号
のピットまたはグルーブが再生専用ディスクか記録再生
用ディスクかによって、異なる形状に形成されている
が、これは一般に熱可塑性樹脂組成物を微小凹凸の情報
信号が形成された金属性母型、所謂金属スタンパを備え
た型内に高温で注入し、その後冷却して硬化させる際に
形成されるものである。このように光ディスクに信号ピ
ットまたはグルーブを形成するための金属スタンパは、
通常は電鋳法により製造されている（実開昭５６−６１
３６９号公報、特開平１−２２５７８８号公報および特
開平２−１９６６４０号公報参照）。具体的には、図７
に示すようにガラス盤１上にレジスト２を塗布し、レー
ザ光による露光を行ったのちレジスト２を現像してレジ
ストパターン２ａを形成する（図８）。ついで、電鋳工
程に先立ち、表面の導体化を図るためレジストパターン
２ａ上に真空蒸着法あるいはスパッタリング法によりニ
ッケルなどの金属膜３を形成し（図９）、続いて、この
金属膜３上に電鋳法により金属の厚付けを行い、電鋳膜
４を形成する（図１０）。しかる後、図１１に示すよう
に、ガラス盤１を剥離し、金属膜３内に残留するレジス
トパターン２ａを除去した後、再度電鋳により金属の厚
付けを行い、再び剥離して図１２に示す金属スタンパ５
を得る。
いは各種情報ファイル用の光ディスクの製造が盛んに行
われている。これらの光ディスクの表面には、情報信号
のピットまたはグルーブが再生専用ディスクか記録再生
用ディスクかによって、異なる形状に形成されている
が、これは一般に熱可塑性樹脂組成物を微小凹凸の情報
信号が形成された金属性母型、所謂金属スタンパを備え
た型内に高温で注入し、その後冷却して硬化させる際に
形成されるものである。このように光ディスクに信号ピ
ットまたはグルーブを形成するための金属スタンパは、
通常は電鋳法により製造されている（実開昭５６−６１
３６９号公報、特開平１−２２５７８８号公報および特
開平２−１９６６４０号公報参照）。具体的には、図７
に示すようにガラス盤１上にレジスト２を塗布し、レー
ザ光による露光を行ったのちレジスト２を現像してレジ
ストパターン２ａを形成する（図８）。ついで、電鋳工
程に先立ち、表面の導体化を図るためレジストパターン
２ａ上に真空蒸着法あるいはスパッタリング法によりニ
ッケルなどの金属膜３を形成し（図９）、続いて、この
金属膜３上に電鋳法により金属の厚付けを行い、電鋳膜
４を形成する（図１０）。しかる後、図１１に示すよう
に、ガラス盤１を剥離し、金属膜３内に残留するレジス
トパターン２ａを除去した後、再度電鋳により金属の厚
付けを行い、再び剥離して図１２に示す金属スタンパ５
を得る。
【０００３】しかしながら、上述したような従来の金属
スタンパの製造方法においては、レジストの露光、現像
および電鋳などの各工程に要する時間が長く、製造コス
トが高いという問題がある。さらに、レジストの塗布、
現像、電鋳などの湿式工程を数多く有し、特に電鋳装置
などの大型の製造設備を必要とするため、大きな電力の
ための配電設備や広いクリーン・ルームを必要とするな
どの施設上の問題もある。しかも、電鋳工程のあとに、
スタンパ内外周のトリミング、研磨、打ち抜きなどの後
加工が必要となり、そのための付加的な設備を多く必要
とする。
スタンパの製造方法においては、レジストの露光、現像
および電鋳などの各工程に要する時間が長く、製造コス
トが高いという問題がある。さらに、レジストの塗布、
現像、電鋳などの湿式工程を数多く有し、特に電鋳装置
などの大型の製造設備を必要とするため、大きな電力の
ための配電設備や広いクリーン・ルームを必要とするな
どの施設上の問題もある。しかも、電鋳工程のあとに、
スタンパ内外周のトリミング、研磨、打ち抜きなどの後
加工が必要となり、そのための付加的な設備を多く必要
とする。
【０００４】そこで、最近、ヒート・モードによって信
号を記録し、相変化物質よりなる膜のアモルファス相と
結晶相とのエッチング・レート差を利用してスタンパを
製造する方法が提案されている（特開平３−１２７３４
２号公報）。この方法では、基板上に相変化膜よりなる
ピットまたはグルーブが形成されており、従来法のよう
に電鋳工程を必要とせず、成膜時の基板をそのままスタ
ンパの基板として使えるため、スタンパ製造工程が極め
て簡略化されるという利点がある。
号を記録し、相変化物質よりなる膜のアモルファス相と
結晶相とのエッチング・レート差を利用してスタンパを
製造する方法が提案されている（特開平３−１２７３４
２号公報）。この方法では、基板上に相変化膜よりなる
ピットまたはグルーブが形成されており、従来法のよう
に電鋳工程を必要とせず、成膜時の基板をそのままスタ
ンパの基板として使えるため、スタンパ製造工程が極め
て簡略化されるという利点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法で
は、上述したようにピットまたはグルーブが相変化膜で
形成されているため耐久性が十分ではなく、射出成形機
にて情報ディスクを繰り返し複製する場合には、ピット
が変形したり、基板面から剥離して、同一スタンパから
成形可能なディスクの枚数が少なく、スタンパ・ライフ
が極めて短いという問題がある。
は、上述したようにピットまたはグルーブが相変化膜で
形成されているため耐久性が十分ではなく、射出成形機
にて情報ディスクを繰り返し複製する場合には、ピット
が変形したり、基板面から剥離して、同一スタンパから
成形可能なディスクの枚数が少なく、スタンパ・ライフ
が極めて短いという問題がある。
【０００６】したがって、本発明は湿式工程を必要とせ
ず、耐久性に優れ、長寿命の光ディスク用スタンパを製
造する方法を提供することを目的とする。
ず、耐久性に優れ、長寿命の光ディスク用スタンパを製
造する方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために、本発明によれば、基板上に、第１の薄膜
を形成し、前記第１の薄膜上に相変化によりエッチング
レート差を生じる物質よりなり、前記第１の薄膜とは除
去条件の異なる第２の薄膜を形成し、第２の薄膜にパタ
ーンを形成した後、前記パターンをマスクとして第１の
薄膜をエッチングし、次に、前記第１の薄膜に形成され
たパターンをマスクとして前記基板をエッチングすると
ともに、前記第１および第２の薄膜を除去する工程を有
する光ディスク用スタンパの製造方法が提供される。
成するために、本発明によれば、基板上に、第１の薄膜
を形成し、前記第１の薄膜上に相変化によりエッチング
レート差を生じる物質よりなり、前記第１の薄膜とは除
去条件の異なる第２の薄膜を形成し、第２の薄膜にパタ
ーンを形成した後、前記パターンをマスクとして第１の
薄膜をエッチングし、次に、前記第１の薄膜に形成され
たパターンをマスクとして前記基板をエッチングすると
ともに、前記第１および第２の薄膜を除去する工程を有
する光ディスク用スタンパの製造方法が提供される。
【０００８】本発明者らは、従来のように基板上に相変
化膜よりなるピットまたはグルーブが積層された層構造
ではなく、相変化膜に形成されたピットまたはグルーブ
をむしろマスクとして基板をエッチングすることによ
り、基板自体にピットまたはグルーブを形成して単一金
属よりなるスタンパを製造すれば耐久性が著しく改善さ
れるとの着想を得た。しかし、一般に相変化膜の材料と
なるインジウム（Ｉｎ）−アンチモン（Ｓｂ）などの物
質は、Ａｒイオンなどに対するエッチング・レートが基
板となるＮｉなどの金属のエッチング・レートとに比べ
て大きいため、そのままではマスクとして用いることが
できないという問題がある。そこで、まず、基板と相変
化膜との間に、フィジカルなエッチング法に対するエッ
チング・レートが小さい薄膜を介在させ、まず相変化膜
をマスクとしてこの薄膜をエッチングし、さらに、この
薄膜をマスクとして基板のエッチングを行うという２段
階のエッチング工程により所期の目的を達成したもので
ある。
化膜よりなるピットまたはグルーブが積層された層構造
ではなく、相変化膜に形成されたピットまたはグルーブ
をむしろマスクとして基板をエッチングすることによ
り、基板自体にピットまたはグルーブを形成して単一金
属よりなるスタンパを製造すれば耐久性が著しく改善さ
れるとの着想を得た。しかし、一般に相変化膜の材料と
なるインジウム（Ｉｎ）−アンチモン（Ｓｂ）などの物
質は、Ａｒイオンなどに対するエッチング・レートが基
板となるＮｉなどの金属のエッチング・レートとに比べ
て大きいため、そのままではマスクとして用いることが
できないという問題がある。そこで、まず、基板と相変
化膜との間に、フィジカルなエッチング法に対するエッ
チング・レートが小さい薄膜を介在させ、まず相変化膜
をマスクとしてこの薄膜をエッチングし、さらに、この
薄膜をマスクとして基板のエッチングを行うという２段
階のエッチング工程により所期の目的を達成したもので
ある。
【０００９】以下に、本発明の光ディスク用スタンパの
各製造工程を添付図面を参照しつつ、詳細に説明する。
各製造工程を添付図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【００１０】まず、図１に示すように基盤１１の研磨面
に第１の薄膜１２を形成する。この薄膜１２は、基盤１
１のフィジカルエッチングの際にマスクとして機能す
る、すなわち、フィジカルエッチングに対するエッチン
グ・レートの小さい材料を選択する必要がある。具体的
には、ハロゲンや酸素との反応により気化する材料、例
えば、Ｓｉ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、
Ｗ、Ｎｂなどの無機材料や、ＰＭＭＡ、ＰＶＡなどの有
機材料を使用し、これらの材料を真空蒸着法、スパッタ
リング法またはスピンコーティング法などにより成膜す
る。このとき、薄膜１２の厚さはピットあるいはグルー
ブの深さを決定するものとなるので、厳密に制御する必
要がある。
に第１の薄膜１２を形成する。この薄膜１２は、基盤１
１のフィジカルエッチングの際にマスクとして機能す
る、すなわち、フィジカルエッチングに対するエッチン
グ・レートの小さい材料を選択する必要がある。具体的
には、ハロゲンや酸素との反応により気化する材料、例
えば、Ｓｉ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、
Ｗ、Ｎｂなどの無機材料や、ＰＭＭＡ、ＰＶＡなどの有
機材料を使用し、これらの材料を真空蒸着法、スパッタ
リング法またはスピンコーティング法などにより成膜す
る。このとき、薄膜１２の厚さはピットあるいはグルー
ブの深さを決定するものとなるので、厳密に制御する必
要がある。
【００１１】次に、第１の薄膜１２上に相変化物質より
なる第２の薄膜１３を形成する（図２）。この相変化物
質は、レーザなどの照射により相変化を生じ、その照射
部分のエッチング・レートが非照射部分に比べて小さく
なるものである。具体的には光記録媒体に使用されるも
のがあげられ、例えば、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｂ
などの元素の組み合せよりなる無機化合物が好適であ
る。この薄膜１３も真空蒸着法またはスパッタリング法
などにより形成し、その厚さは例えば、０．０５〜０．
１５μｍ程度とすることが好ましい。
なる第２の薄膜１３を形成する（図２）。この相変化物
質は、レーザなどの照射により相変化を生じ、その照射
部分のエッチング・レートが非照射部分に比べて小さく
なるものである。具体的には光記録媒体に使用されるも
のがあげられ、例えば、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｂ
などの元素の組み合せよりなる無機化合物が好適であ
る。この薄膜１３も真空蒸着法またはスパッタリング法
などにより形成し、その厚さは例えば、０．０５〜０．
１５μｍ程度とすることが好ましい。
【００１２】つづいて、相変化物質よりなる薄膜１３に
ピットあるいはグルーブパターン１４を形成する（図
３）。このピットあるいはグルーブパターン１４を形成
する方法は、例えば半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）ま
たはＨｅ−Ｎｅレーザ（波長６３０ｎｍ）などの簡易な
レーザ光源を使用して、薄膜１３の所要位置にレーザ光
を照射することにより、相変化を起こさせる。この相変
化が生じた部分はフィジカルエッチングに対するエッチ
ング・レートが他の部分に比べて小さくなっているた
め、例えばＡｒイオンを薄膜１３の膜面に照射してエッ
チングを行い、この相変化部分のみを残して他の部分を
除去する。このエッチング工程において、第１の薄膜１
２はフィジカルエッチングに対するエッチングレートが
非常に小さいため除去されずに残る。
ピットあるいはグルーブパターン１４を形成する（図
３）。このピットあるいはグルーブパターン１４を形成
する方法は、例えば半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）ま
たはＨｅ−Ｎｅレーザ（波長６３０ｎｍ）などの簡易な
レーザ光源を使用して、薄膜１３の所要位置にレーザ光
を照射することにより、相変化を起こさせる。この相変
化が生じた部分はフィジカルエッチングに対するエッチ
ング・レートが他の部分に比べて小さくなっているた
め、例えばＡｒイオンを薄膜１３の膜面に照射してエッ
チングを行い、この相変化部分のみを残して他の部分を
除去する。このエッチング工程において、第１の薄膜１
２はフィジカルエッチングに対するエッチングレートが
非常に小さいため除去されずに残る。
【００１３】上記のようにして薄膜１３に形成されたピ
ットあるいはグルーブパターン１４をマスクとして、薄
膜１２をエッチングする（図４）。このエッチング方法
としては、反応性ガスによるプラズマエッチング法が使
用される。このときの反応性ガスとしては、薄膜１２を
構成する物質により、ＣＦ4、ＣＨＦ3、ＳＦ6、ＣＣ
ｌ4、Ｏ2などが適宜選択すればよい。この工程終了後に
は、基盤１１上には、薄膜１２と薄膜１３との２層構造
のピットあるいはグルーブパターン１４、１４ａが形成
されることとなる。
ットあるいはグルーブパターン１４をマスクとして、薄
膜１２をエッチングする（図４）。このエッチング方法
としては、反応性ガスによるプラズマエッチング法が使
用される。このときの反応性ガスとしては、薄膜１２を
構成する物質により、ＣＦ4、ＣＨＦ3、ＳＦ6、ＣＣ
ｌ4、Ｏ2などが適宜選択すればよい。この工程終了後に
は、基盤１１上には、薄膜１２と薄膜１３との２層構造
のピットあるいはグルーブパターン１４、１４ａが形成
されることとなる。
【００１４】続いて、再びＡｒイオンを膜面に照射して
基盤１１のエッチングを行う。このとき、２層構造のピ
ットあるいはグルーブパターン１４、１４ａのうち、上
層の薄膜１３は容易に除去されるが、下層の薄膜１２は
フィジカルエッチングに対するエッチング・レートが小
さいため、除去されず、基盤１１に対してマスクとして
機能し、基盤１１面をエッチングし、ピットまたはグル
ーブパターン１５を形成することができる（図５）。
基盤１１のエッチングを行う。このとき、２層構造のピ
ットあるいはグルーブパターン１４、１４ａのうち、上
層の薄膜１３は容易に除去されるが、下層の薄膜１２は
フィジカルエッチングに対するエッチング・レートが小
さいため、除去されず、基盤１１に対してマスクとして
機能し、基盤１１面をエッチングし、ピットまたはグル
ーブパターン１５を形成することができる（図５）。
【００１５】最後に上述した反応性エッチングにより、
薄膜１２を除去して単一金属よりなる光ディスク用スタ
ンパ１６を得る（図６）。
薄膜１２を除去して単一金属よりなる光ディスク用スタ
ンパ１６を得る（図６）。
【００１６】
【実施例】以下に本発明の光ディスク用スタンパの製造
方法の具体的実施例について説明する。表面が平滑な厚
さ１ｍｍのＮｉ基盤上に、スパッタリング法によりＳｉ
Ｏ 2を０．１μｍ堆積した。ついで、このＳｉＯ2膜上に
同一チャンバ内でＩｎ−Ｓｂをスパッタリング法により
０．１μｍの膜厚で積層し、この基盤を２５０℃で熱処
理することによりＩｎ−Ｓｂ膜の結晶化を行った。つい
で、Ｉｎ−Ｓｂ膜に波長８３０μｍの半導体レーザ光パ
ルスを照射して、このＩｎ−Ｓｂ膜に局部的に相変化部
を形成したのち、この基盤をＡｒイオンのプラズマ・エ
ッチング槽に入れＩｎ−Ｓｂ膜のプラズマ・エッチング
を行った。さらに、同一プラズマ・エッチング槽にＣＦ
4ガスを導入しＳｉＯ2膜の反応性プラズマ・エッチング
を行った。しかるのち、同一プラズマ・エッチング槽に
再びＡｒガスを導入しＮｉ基盤のプラズマ・エッチング
を行い、最後に再びＣＦ4ガスを導入して残留するＳｉ
Ｏ2膜を除去して光ディスク用スタンパを完成した。
方法の具体的実施例について説明する。表面が平滑な厚
さ１ｍｍのＮｉ基盤上に、スパッタリング法によりＳｉ
Ｏ 2を０．１μｍ堆積した。ついで、このＳｉＯ2膜上に
同一チャンバ内でＩｎ−Ｓｂをスパッタリング法により
０．１μｍの膜厚で積層し、この基盤を２５０℃で熱処
理することによりＩｎ−Ｓｂ膜の結晶化を行った。つい
で、Ｉｎ−Ｓｂ膜に波長８３０μｍの半導体レーザ光パ
ルスを照射して、このＩｎ−Ｓｂ膜に局部的に相変化部
を形成したのち、この基盤をＡｒイオンのプラズマ・エ
ッチング槽に入れＩｎ−Ｓｂ膜のプラズマ・エッチング
を行った。さらに、同一プラズマ・エッチング槽にＣＦ
4ガスを導入しＳｉＯ2膜の反応性プラズマ・エッチング
を行った。しかるのち、同一プラズマ・エッチング槽に
再びＡｒガスを導入しＮｉ基盤のプラズマ・エッチング
を行い、最後に再びＣＦ4ガスを導入して残留するＳｉ
Ｏ2膜を除去して光ディスク用スタンパを完成した。
【００１７】以上の工程において、製造に要する時間は
従来の湿式工程を含む場合に比べて約８０％短縮するこ
とが可能となった。また、最終的に得られたスタンパが
単一金属により形成されているため、従来のように基盤
上に相変化膜によるピットまたはグルーブが形成されて
いるものに比べて、スタンパ・ライフが約１００倍とな
ることが確認された。さらに、従来の方法のように、最
後に内外周のトリミングや研磨、打抜きなどの後加工を
必要としないという利点がある。
従来の湿式工程を含む場合に比べて約８０％短縮するこ
とが可能となった。また、最終的に得られたスタンパが
単一金属により形成されているため、従来のように基盤
上に相変化膜によるピットまたはグルーブが形成されて
いるものに比べて、スタンパ・ライフが約１００倍とな
ることが確認された。さらに、従来の方法のように、最
後に内外周のトリミングや研磨、打抜きなどの後加工を
必要としないという利点がある。
【００１８】
【発明の効果】以上詳細に説明したところから明らかな
ように、本発明の光ディスク用スタンパの製造方法によ
れば、高品質のスタンパが得られると共に、情報パター
ンの形成に相変化膜を使用し、かつ金属基盤に直接ドラ
イ・エッチングによりパターンを形成するため、全ての
工程をドライ・プロセスにより行うことが可能となる。
しかも接着層を必要としないため剥離などによる欠損が
なく、長寿命のスタンパを得ることができる。従って、
本発明の光ディスク用スタンパの製造方法は、音楽用、
映像用および各種情報用光ディスクの製造分野において
極めて有用である。
ように、本発明の光ディスク用スタンパの製造方法によ
れば、高品質のスタンパが得られると共に、情報パター
ンの形成に相変化膜を使用し、かつ金属基盤に直接ドラ
イ・エッチングによりパターンを形成するため、全ての
工程をドライ・プロセスにより行うことが可能となる。
しかも接着層を必要としないため剥離などによる欠損が
なく、長寿命のスタンパを得ることができる。従って、
本発明の光ディスク用スタンパの製造方法は、音楽用、
映像用および各種情報用光ディスクの製造分野において
極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法の１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図２】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法の１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図３】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法の１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図４】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法の１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図５】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法の１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図６】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法の１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図７】従来の光ディスク用スタンパの製造方法の１工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図８】従来の光ディスク用スタンパの製造方法の１工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図９】従来の光ディスク用スタンパの製造方法の１工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図１０】従来の光ディスク用スタンパの製造方法の１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図１１】従来の光ディスク用スタンパの製造方法の１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図１２】従来の光ディスク用スタンパの製造方法の１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
１１ 基盤 １２ 第１の薄膜（反応して気化する物質よりなる薄
膜） １３ 第２の薄膜（相変化物質よりなる薄膜） １４，１４ａ，１５ ピットあるいはグルーブパターン １６ スタンパ
膜） １３ 第２の薄膜（相変化物質よりなる薄膜） １４，１４ａ，１５ ピットあるいはグルーブパターン １６ スタンパ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に、第１の薄膜を形成し、前記第
１の薄膜上に相変化によりエッチングレート差を生じる
物質よりなり、前記第１の薄膜とは除去条件の異なる第
２の薄膜を形成し、第２の薄膜にパターンを形成した
後、前記パターンをマスクとして第１の薄膜をエッチン
グし、次に、前記第１の薄膜に形成されたパターンをマ
スクとして前記基板をエッチングするとともに、前記第
１および第２の薄膜を除去する工程を有する光ディスク
用スタンパの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23540992A JPH0660441A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 光ディスク用スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23540992A JPH0660441A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 光ディスク用スタンパの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0660441A true JPH0660441A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16985671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23540992A Withdrawn JPH0660441A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 光ディスク用スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660441A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999052105A1 (en) * | 1998-04-06 | 1999-10-14 | Imation Corp. | Reverse optical mastering for data storage disks |
| KR100468856B1 (ko) * | 2002-11-18 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | 상변환물질막을 가지는 광기록매체 및 그 제조방법 |
| US6971116B2 (en) * | 2001-06-28 | 2005-11-29 | Sony Corporation | Stamper for producing optical recording medium, optical recording medium, and methods of producing the same |
| US7427466B2 (en) | 2004-11-29 | 2008-09-23 | Imation Corp. | Anti-reflection optical data storage disk master |
| CN113625392A (zh) * | 2021-08-09 | 2021-11-09 | 吉林大学 | 一种基于有机无机混合集成的4×4光开关阵列 |
-
1992
- 1992-08-11 JP JP23540992A patent/JPH0660441A/ja not_active Withdrawn
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8363534B2 (en) | 1998-04-06 | 2013-01-29 | Legger Col. A.B. Llc | Reverse optical mastering for data storage disk replicas |
| US6728196B2 (en) | 1998-04-06 | 2004-04-27 | Imation Corp. | Reverse optical mastering for data storage disks |
| US8705334B2 (en) | 1998-04-06 | 2014-04-22 | Legger Col. A.B. Llc | Replica disk for data storage |
| US6890704B2 (en) | 1998-04-06 | 2005-05-10 | Imation Corp. | Reverse optical mastering for data storage disks |
| WO1999052105A1 (en) * | 1998-04-06 | 1999-10-14 | Imation Corp. | Reverse optical mastering for data storage disks |
| USRE44633E1 (en) | 1998-04-06 | 2013-12-10 | Legger Col. A.B. Llc | Reverse optical mastering for data storage disk replicas |
| US7349323B2 (en) | 1998-04-06 | 2008-03-25 | Imation Corp. | Reverse optical mastering for data storage disks |
| US7352685B2 (en) | 1998-04-06 | 2008-04-01 | Imation Corp. | Reverse optical mastering for data storage disk replicas |
| US8593931B2 (en) | 1998-04-06 | 2013-11-26 | Legger Col. A.B. Llc | Replica disk for data storage |
| US7600992B2 (en) | 1998-04-06 | 2009-10-13 | Imation Corp. | Reverse optical mastering for data storage disk stamper |
| US7801016B2 (en) | 1998-04-06 | 2010-09-21 | Imation Corp. | Reverse optical mastering for data storage disk replicas |
| US7952986B2 (en) | 1998-04-06 | 2011-05-31 | Imation Corp. | Reverse optical mastering for data storage disk replicas |
| US6971116B2 (en) * | 2001-06-28 | 2005-11-29 | Sony Corporation | Stamper for producing optical recording medium, optical recording medium, and methods of producing the same |
| US7171676B2 (en) | 2001-06-28 | 2007-01-30 | Sony Corporation | Stamper for producing optical recording medium, optical recording medium, and methods of producing the same |
| KR100468856B1 (ko) * | 2002-11-18 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | 상변환물질막을 가지는 광기록매체 및 그 제조방법 |
| US7427466B2 (en) | 2004-11-29 | 2008-09-23 | Imation Corp. | Anti-reflection optical data storage disk master |
| CN113625392A (zh) * | 2021-08-09 | 2021-11-09 | 吉林大学 | 一种基于有机无机混合集成的4×4光开关阵列 |
| CN113625392B (zh) * | 2021-08-09 | 2022-08-12 | 吉林大学 | 一种基于有机无机混合集成的4×4光开关阵列 |
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