KR100468856B1 - 상변환물질막을 가지는 광기록매체 및 그 제조방법 - Google Patents

상변환물질막을 가지는 광기록매체 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

상변환물질막을 가지는 광기록매체 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 광기록매체 제조방법은, 기판 상에 상변환물질막, 희생막 및, 금속막을 순서대로 적층하는 제1단계와, 금속막을 양극산화하여 다수의 호울을 형성한 다음, 호울에 노출된 희생막을 양극산화시키는 제2단계와, 금속막의 산화물을 제거하고 희생막의 산화물을 마스크로 하여 희생막 및 상변환물질막을 식각하여 상변환물질막을 패터닝하는 제3단계 및, 희생막의 산화물을 제거하고 상변환물질막의 상부에 절연막, 반사막 및, 보호막을 증착하는 제4단계를 포함한다. 자기정렬방법을 이용해 간단히 제조될 수 있으며, 고집적 대용량의 메모리를 구현할 수 있다.

Description

상변환물질막을 가지는 광기록매체 및 그 제조방법{Optical recording medium with phase transition layer and manufacturing method thereof}
본 발명은 광기록매체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 상변화물질을 이용한 광기록매체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
종래의 CD(compact disk) 또는 DVD(digital versatile disk)와 같은 광기록매체는 상변환물질막을 기판상에 증착하고 특정 지점에 레이저빔을 조사하여 용융 및 냉각시킴으로써 피트를 형성하여 정보를 기록한다. 상술한 기록방법을 이용하는 경우 레이저빔을 집속시키는 렌즈의 개구를 줄이는 것은 기술적인 한계가 있으므로 종래의 광기록매체에 있어 기록밀도의 증가는 한계가 있다.
이와 같은 문제점을 개선하기 위하여 미국특허 제6,197,399호에서는 레이저빔을 사용하지 않고 기록을 할 수 있는 기록매체 및 그 제조방법을 개시하고 있다.
도 1은 미국특허 제6,197,399호에 개시된 기록매체의 단면도이다.
먼저 3inch 크기와 1.2mm 두께의 실리콘 기판(21)상면에 자연적으로 형성되는 옥사이드막을 제거하기 위해 염산처리를 하면, 실리콘 기판(21)의 표면에는 수소원자가 존재하게 된다. 이 실리콘 기판(21)에 전자빔을 조사하여 10nm 크기를 가지는 다수의 원형 영역이 30nm 간격으로 규칙적으로 배열되도록 형성한다. 그런 다음 실리콘 기판(21)을 클린룸의 공기 분위기에서 1시간 정도 두어 전자빔에 노광된 영역에만 선택적으로 SiO2막을 형성한 후, 실리콘 기판(21)의 SiO2막을 선택적으로 제거하기 위해 다시 염산 처리를 하여 10nm 크기 및 5nm 깊이를 가지는 피트를 형성한다.
실리콘 기판(21)의 상면에 D-E2 화학식을 가지는 도너 유기 염색 분자를 기록층으로서 진공증착한 다음 질소 분위기에서 80℃의 온도로 1시간 정도 가열한다. 실리콘 기판(21)을 100nm 크기의 실리카 입자를 사용하여 실온에서 연마하여 유기 염색 분자가 선택된 피트에 잔류하도록 함으로써 기록영역(26)을 형성한다. 그런 다음, 실리콘 기판(21)을 40℃에서 하루정도 공기 분위기에 방치하여 전자빔에 노광되지 않은 실리콘 기판(21)의 영역에 SiO2막(24)을 형성시킨다. SiO2막(24)의 상면에는 폴리아닐린 및 폴리비닐 클로라이드로 이루어지는 혼합물을 스핀 코팅하여 보호층(27)을 형성한다. 이러한 방식으로 기록매체를 제조한 다음 Au 코팅된 AFM 프로브에 30V의 전압을 인가하여 도트 유사 기록 영역에 정공을 주입하여 기록을 행한다.
상기 미국특허에 개시된 기록매체는 상변환물질을 호울-필링(hole filling)법에 의해 형성하고 있으므로 호울 필링 후 상변환물질을 다시 제거하는 공정이 필요하고 호울을 형성하는 지지체인 SiO2막을 제거할 수 없는 단점을 가진다. 또한, 상변환물질을 가열하는 공정을 필요로 하여 실리콘 또는 특수유리등의 융점이 비교적 높은 물질만을 기판으로 사용하여야 하는 제한이 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 종래의 광기록매체의 기록 및 재생방법을 그대로 이용하면서 고속으로 정보를 기록 및 재생할 수 있고 간단한 제조공정으로 제조할 수 있는 고집적 대용량의 광기록매체 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
도 1은 미국특허 제6,197,399호에 개시된 광기록매체의 단면도,
도 2a는 본 발명의 제1실시예에 따른 광기록매체의 절단 사시도,
도 2b는 본 발명의 제2실시예에 따른 광기록매체의 절단 사시도,
도 3은 본 발명의 제3실시예에 따른 광기록매체의 절단 사시도,
도 4a 내지 도 4k는 본 발명의 제1실시예에 따른 광기록매체의 제조방법에 관한 공정도,
도 5은 본 발명의 제1실시예에 따른 광기록매체 제조방법에서, 랜드 및 그루브가 형성된 폴리카보네이트 기판상에 알루미늄을 증착한 뒤 양극산화하여 다수의 호울을 형성한 SEM 사진,
도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 광기록매체의 제조방법에서, 알루미늄을 양극산화하여 다수의 호울을 형성한 구조의 상면을 찍은 SEM 사진,
도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 광기록매체 제조방법에서, 알루미나를 제거한 뒤 다수의 TaOx 기둥이 잔류하는 구조를 보인 SEM 사진,도 8은 본 발명의 제1실시예에 따른 광기록매체 제조방법에서, 알루미나를 제거한 뒤 다수의 TaOx 기둥이 상변화물질막이 증착된 플리카보네이트 기판 상에 잔류하는 구조를 보인 SEM 사진.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
101 ; 기판 103 ; 상변환물질막
105 ; 희생막 107 ; 금속막
109 ; 상부 절연막 109a ; 하부 절연막
111 ; 반사막 113 ; 보호막
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은,
기판 상에 상변환물질막, 희생막 및, 금속막을 순서대로 적층하는 제1단계;와
상기 금속막을 양극산화하여 다수의 호울을 형성한 다음, 상기 호울에 노출된 상기 희생막을 양극산화시키는 제2단계;와
상기 금속막의 산화물을 제거하고 상기 희생막의 산화물을 마스크로 하여 상기 희생막 및 상기 상변환물질막을 식각하여 상기 상변환물질막을 패터닝하는 제3단계; 및
상기 희생막의 산화물을 제거하고 패터닝된 상기 상변환물질막의 상부에 상부 절연막, 반사막 및, 보호막을 증착하는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법을 제공한다.
상기 기판과 상기 상변환물질막 사이에 하부 절연막을 더 개재시킬 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 또한,
기판 상에 반사막, 상변환 물질막, 희생막 및, 금속막을 순서대로 적층하는제1단계;와
상기 금속막을 양극산화하여 다수의 호울을 형성한 다음, 상기 호울에 노출된 상기 희생막을 양극산화시키는 제2단계;와
상기 금속막의 산화물을 제거하고 상기 희생막의 산화물을 마스크로 하여 상기 희생막 및, 상기 상변환물질막을 식각하여 상기 상변환물질막을 패터닝하는 제3단계; 및
상기 희생막의 산화물을 제거하고 패터닝된 상기 상변환물질막의 상부에 절연막 및, 보호막을 증착하는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법을 제공한다.
본 발명은 또한 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여,
기판;과
상기 기판 상에 소정 형태로 패터닝되는 상변환물질막;과
상기 기판 상에 상기 상변환물질막을 도포하도록 적층되는 상부 절연막;과
상기 상부 절연막의 상부에 증착되는 반사막; 및
상기 반사막의 상부에 형성되는 보호막;을 구비하는 것을 특징으로 하는 광기록매체를 제공한다.
상기 기판과 상기 상변환물질막 사이에 하부 절연막을 더 개재시킬 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 또한
기판;과
상기 기판 상에 적층되는 반사막;과
상기 반사막 상에 소정 형태로 패터닝되는 상변환물질막;과
상기 반사막 상에 상기 상변환물질막을 도포하도록 적층되는 절연막; 및
상기 절연막의 상부에 형성되는 보호막;을 구비하는 것을 특징으로 하는 광기록매체를 제공한다.
상기 기판은 랜드와 그루브가 연속적으로 형성된 구조를 가진다.
상기 기판은 폴리카보네이트(PC), 유리 또는 실리콘으로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 반사막은 Al 합금 또는 Ag 합금으로 형성할 수 있으며, 상기 상변환 물질막은 GTS(Ge-Te-Sb) 또는 GTS를 포함한 합금으로 형성할 수 있다.
상기 희생막은 Ta로 형성할 수 있으며, 상기 금속막은 Al 또는 Al 합금으로 형성할 수 있다.
상기 상부 및 하부 절연막과 절연막은 SiO2-ZnS으로 형성할 수 있으며, 상기 보호막은 폴리카보네이트(PC)로 형성할 수 있다.
상기 상변환물질막, 희생막, 금속막, 상부 절연막, 하부 절연막 및, 반사막을 화학기상증착법 또는 스퍼터링법을 이용하여 증착한다.
상기 제2단계에서, 상기 희생층은 산화되면서 상기 금속층의 호울 내부로 일부 성장한다.
상기 제3단계에서, 상기 상변환물질막을 나노도트 형태의 기둥이 다수 배열된 매트릭스 구조로 패터닝한다.
본 발명은 기존의 광기록 및 재생방식을 이용하여 고속으로 정보를 기록 및재생할 수 있는 상변환물질층을 가지는 고집적의 광기록매체 제조방법을 제공한다.
이하 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 광기록매체 및 그 제조방법을 상세히 설명한다.
도 2a, 도 2b 및 도 3은 각각 본 발명의 제1 내지 제3실시예에 따른 광기록매체의 절단사시도이다.
도 2a를 참조하면, 랜드 및 그루브 구조를 가지는 기판(101)의 상부에 소정 형태로 패터닝된 상변환물질막(103)이 위치하고, 기판(101)의 상면과 상변환물질막(103)을 도포하는 절연막(109)이 적층되어 있다. 절연막(109)의 상면에는 반사막(111)과 보호막(113)이 순서대로 형성되어 있다. 절연막(109), 반사막(111) 및, 보호막(113)은 랜드 및 그루브 구조를 형성하며 동일한 두께로 증착된다.
본 발명의 제1실시예에 따른 광기록매체는 정보를 기록 및 재생하기 위해 조사되는 광이 투명한 기판(101)을 통과하여 배면으로 입사한다. 기판(101)을 통과한 광은 상변환물질막(109)에서 일부 반사하거나 투과한다. 상변환물질막(109)을 투과하여 반사막(111)에 도달한 광은 전부 반사하여 기판(101)을 재통과한 다음 광검출기(미도시)에 검출된다.
도 2b를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 광기록매체는 도 2a에 도시된 본 발명의 제1실시예에 따른 광기록매체와 유사한 구조를 가지지만, 기판(201)과 상변환물질막(203)의 사이에 하부 절연막(209b)과 패터닝된 상변환물질막(203)을 도포하는 상부 절연막(209a)의 이중 절연막 구조를 가지는 점에 구조적인 차이점이 있다. 본 발명의 제2실시예에 따른 광기록매체에서 기판(201)이 특히 폴리카보네이트로 형성되는 경우 하부 절연막(209b)을 기판(201)의 상부에 형성하는 것이 바람직하다. 본 발명의 제2실시예에 따른 광기록매체의 광입사방식은 정보를 기록 및 재생하기 위해 조사되는 광이 투명한 기판(201)을 통과하는 배면입사방식이다.
도 3은 본 발명의 제3실시예에 따른 광기록매체를 나타내고 있는데, 본 발명의 제1 및 제2실시예에 따른 광기록매체의 구조와 달리 반사막(311)이 기판(301)과 상변환물질막(303) 사이에 개재되고 있다. 이 경우 정보를 기록 및 재생하기 위해 광은 보호막(313)을 통과하여 입사한다. 광픽업장치(미도시)에서 조사되어 보호막(313)을 통과하여 입사한 광은 상변환물질막(303)에서 일부 반사 또는 투과한 다음 반사막(311)에 도달한다. 반사막(311)에서 반사된 광은 보호막(313)을 통해 광기록매체를 출사하고 광검출기(미도시)에 검출된다.
상변환물질막(103)은 알루미늄을 양극산화하여 패터닝하는 경우 나노도트가 육각형으로 배열된 벌집모양의 매트릭스 구조로 형성될 수 있다. 하지만, 알루미늄 대신 실리콘 등의 다른 물질을 사용하여 패터닝하는 경우 나노도트가 상이한 모양으로 배열되는 매트릭스 구조가 될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 광기록매체는 종래의 광기록매체가 연속막의 상변환물질막을 구비하는 것과 달리, 랜드 및 그루브에 소정 패턴으로 형성되는 높은 기록밀도로 정보를 기록하여 대용량의 메모리를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 광기록매체를 기록 및 재생하는 방식은 기존의 CD 또는 DVD를 기록 및 재생하는 방식과 동일하다. 기록하고자 하는 정보에 대한 신호가 광픽업장치에 입력되면, 광픽업장치는 광기록매체 표면의 소정 위치로 이동하여 광기록매체상에 광을 조사한다. 정보를 기록하고자 하는 위치의 상변환물질막의 나노도트에 광을 포커싱하여 상변환물질막을 가열한 다음, 냉각시키면 무정질의 상변환물질막이 결정질로 상변환하여 광반사율이 변하게 된다. 광반사율의 차이가 기록되는 정보가 된다.
재생시에는 광을 상변화물질층에 조사하고 반사된 광신호를 검출하여 정보가 기록된 상변환물질막과 정보가 기록되지 않은 상변환물질막의 광반사율의 차이에 따른 반사광량의 차이로 광기록매체에 기록된 정보를 재생할 수 있다.
도 4a 내지 도 4k는 본 발명의 실시예에 따른 광기록매체의 제조방법을 나타낸 공정도이다.
먼저 도 4a에 도시된 바와 같이, 폴리카보네이트(PC; Polycarbonate), 유리, 실리콘 등으로 이루어지는 기판(101)을 마련한 다음, 도 4b에 도시된 바와 같이, 기판(101)의 상면에 GTS(Ge-Te-Sb) 계열의 합금으로 이루어지는 상변환물질막(103)을 증착한다. 상변환물질막(103)의 상면에는, 도 4c에 도시된 바와 같이 Ta와 같은 금속으로 이루어진 희생막(105)을 증착한다.
희생막(105)의 상면에는, 도 4d에 도시된 바와 같이, 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는 금속막(107)을 증착하고, 도 4e에 도시된 바와 같이, 금속막(107)을 양극산화시켜 다수의 호울(108)이 형성되는 금속막의 산화막(107a)으로 변화한다.
도 5는 랜드 그루브 구조를 가지는 폴리카보네이트 기판 상에 알루미늄을 증착하고 양극산화하여 복수의 호울이 형성된 상태를 보이는 SEM(Scanning Electron Microscopy) 사진이며 도 6은 복수의 호울이 형성된 폴리카보네이트 기판의 평면도이다. 도 5 및 도 6으로부터 알루미늄이 알루미나로 산화되면서 다수의 호울이 규칙적으로 형성되는 것을 볼 수 있다. 다수의 호울은 표면적을 가장 크게 할 수 있도록 육각형으로 배열되어 전체적으로는 벌집모양으로 형성된다.
도 4e를 다시 참조하면, 기판(101)의 상면에 상변환물질막(103) 및, 희생막(105)이 순서대로 적층되고, 희생막(105)의 상면에는 다수의 호울이 배열된 금속막의 산화막(107a)이 형성되어 있다. 금속막(107)이 산화되면서 다수 형성된 호울(108)에 노출되는 희생막(105)의 부분은, 산화용액과 접촉하여 산화가 진행되는데, 이로 인해 호울(108) 내부로 희생막(105)의 산화물(105a)이 기둥처럼 성장하게 된다. 예를 들어, 희생막(105)이 Ta인 경우 희생막(105)의 산화물(105a)은 TaOx 의 물질로 형성된다.
도 4f에 도시된 바와 같이, 선택적으로 희생막의 산화물(105a)의 사이에 위치하는 금속막의 산화물(107a)을 식각하면 상변환물질막(103)의 상면에 희생막(105)과 희생막의 산화물(105a)로 이루어진 기둥이 잔류하게 된다. 여기서, 희생막(105)이 모두 산화되면 희생막의 산화물(105a)로 이루어진 기둥만이 잔류하게 된다. 도 7은 금속막(107)이 알루미늄이고 희생막이 Ta인 경우 양극산화되어 형성된 알루미나(Al2O3)를 식각함으로써 TaOx로 형성된 다수의 기둥이 상변환물질막의 상면에 배열된 구조를 보인 사진이다. 도 8은 본 발명의 제1실시예에 따른 광기록매체 제조방법에서, 알루미나를 제거한 뒤 다수의 TaOx 기둥이 상변화물질막이 증착된 플리카보네이트 기판 상에 잔류하는 구조를 보인 SEM 사진이다.
도 4g에 도시된 바와 같이, 희생막의 산화물(105a)을 마스크로 하여 희생막의 산화물(105a)의 사이에 위치하는 희생막(105)과 상변환물질막(103)을 이온식각(ion-milling)법 또는 RIE(Reactive Ion Etching)법을 이용하여 식각하면,상변환물질막(103)이 나노도트형태의 벌집 구조로 패터닝된다.
상변환물질막(103)의 상면에 위치하는 희생막의 산화물(105a)을 식각하면, 도 4h에 도시된 바와 같이, 패터닝된 상변환물질막(103)만이 잔류한다. 다음 도 4i에 도시된 바와 같이, 기판(101)의 상면에 상변환물질막(103)이 덮히도록 절연막(109)을 스퍼터링 또는 화학기상증착법을 이용해 증착하는데, 절연막(109)은 SiO2-ZnS 로 형성한다. 다음 공정으로 도 4j에 도시된 바와 같이, 절연막(109)의 상면에 알루미늄(Al) 합금 또는 은(Ag) 합금으로 반사막(111)을 형성한다. 반사막(111)의 상면에 보호막(113)을 증착하면, 도 4k에 도시된 바와 같은 상변환물질막(103)의 나노도트가 규칙적으로 배열되는 매트릭스 구조의 상변환물질막을 가지는 광기록매체가 완성된다.
본 발명의 실시예에 따른 광기록매체는, 상변환물질막이 나노도트형태의 다수의 기둥으로 패터닝되고 바람직하게는 벌집모양으로 배열되는 매트릭스 구조를 가짐으로써 기록부위의 번짐현상을 막아 기록밀도를 현저히 증가시킬 수 있다. 또한, 저개구수의 렌즈를 이용하고 저에너지의 광으로 기록이 가능하므로 광원의 제한을 받지 않고, 고 내열성의 기판을 필요로 하지 않아 기판 선택의 범위가 넓은 장점을 가진다.
본 발명의 실시예에 따른 광기록매체 제조방법은, 상변환물질막의 패터닝 단계에서, 자기조립(self-assemble)에 의해 형성된 기둥형태의 희생막의 산화막을 마스크로 이용하므로 포토공정없이 간단하게 패터닝할 수 있다. 이렇게 제조된 광기록매체는, 기존의 광기록 및 재생 시스템을 그대로 이용하여 기록 및 재생할 수 있는 잇점이 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다.
예를 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상에 의해 기판, 반사막, 상변환물질막, 금속막, 희생막, 절연막 및 보호막을 유사한 성질을 가지는 다른 물질을 이용하여 형성할 수 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 광기록매체 및 그 제조방법의 장점은, 기존의 광기록시스템을 이용하여 기록 및 재생을 할 수 있으며, 기판의 선택폭이 넓고 공정온도의 제한을 받지 않으며 나노도트 형태의 다수의 기둥이 배열된 매트릭스 구조를 가지는 상변환물질막을 형성하여 기록밀도가 증가된 광기록매체를 제공할 수 있다는 것이다.

Claims (37)

  1. 기판 상에 상변환 물질막, 희생막 및, 금속막을 순서대로 적층하는 제1단계;
    상기 금속막을 양극산화하여 다수의 호울을 형성한 다음, 상기 호울에 노출된 상기 희생막을 양극산화시키는 제2단계;
    상기 금속막의 산화물을 제거하고 상기 희생막의 산화물을 마스크로 하여 상기 희생막 및 상기 상변환물질막을 식각하여 상기 상변환물질막을 패터닝하는 제3단계; 및
    상기 희생막의 산화물을 제거하고 패터닝된 상기 상변환물질막의 상부에 상부 절연막, 반사막 및, 보호막을 증착하는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  2. 기판 상에 반사막, 상변환 물질막, 희생막 및, 금속막을 순서대로 적층하는 제1단계;
    상기 금속막을 양극산화하여 다수의 호울을 형성한 다음, 상기 호울에 노출된 상기 희생막을 양극산화시키는 제2단계;
    상기 금속막의 산화물을 제거하고 상기 희생막의 산화물을 마스크로 하여 상기 희생막 및, 상기 상변환물질막을 식각하여 상기 상변환물질막을 패터닝하는 제3단계; 및
    상기 희생막의 산화물을 제거하고 패터닝된 상기 상변환물질막의 상부에 절연막 및, 보호막을 증착하는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 상변환물질막 사이에 하부 절연막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판은 랜드와 그루브가 연속적으로 형성된 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판은 폴리카보네이트(PC), 유리, 또는 실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 반사막은 Al 합금 또는 Ag 합금으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 상변환 물질막은 GTS 또는 GTS를 포함한 합금으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 희생막은 Ta로 형성하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 금속막은 Al 또는 Al 합금으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 절연막은 SiO2-ZnS으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  11. 제 2 항에 있어서,
    상기 절연막은 SiO2-ZnS으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  12. 제 3 항에 있어서,
    상기 하부 절연막은 SiO2-ZnS으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  13. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 보호막은 폴리카보네이트(PC)로 형성하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1단계에서, 상기 상변환물질막, 희생막 및, 금속막을 화학기상증착법 또는 스퍼터링법을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 제4단계에서, 상기 상부절연막 및, 반사막을 화학기상증착법 또는 스퍼터링법을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  16. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1단계에서, 상기 반사막, 상변환물질막, 희생막 및, 금속막을 화학기상증착법 또는 스퍼터링법을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  17. 제 2 항에 있어서,
    상기 제4단계에서, 상기 절연막을 화학기상증착법 또는 스퍼터링법을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  18. 제 3 항에 있어서,
    상기 하부 절연막을 화학기상증착법 또는 스퍼터링법을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  19. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제2단계에서, 상기 희생막은 산화하면서 상기 금속막의 호울 내부로 일부 성장하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  20. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제3단계에서, 상기 상변환물질막을 나노도트 형태의 기둥이 다수 배열된 매트릭스 구조로 패터닝하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 나노도트 형태의 기둥을 육각형의 벌집모양으로 패터닝하는 것을 특징으로 하는 광기록매체 제조방법.
  22. 랜드와 그루브가 연속적으로 형성된 구조를 지닌 기판;
    상기 기판 상에 소정 형태로 패터닝되는 상변환물질막;
    상기 기판 상에 상기 상변환물질막을 도포하도록 적층되는 상부 절연막;
    상기 상부 절연막의 상부에 증착되는 반사막; 및
    상기 반사막의 상부에 형성되는 보호막;을 구비하는 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  23. 기판;
    상기 기판 상에 적층되는 반사막;
    상기 반사막 상에 소정 형태로 패터닝되는 상변환물질막;
    상기 반사막 상에 상기 상변환물질막을 도포하도록 적층되는 절연막; 및
    상기 상부 절연막의 상부에 형성되는 보호막;을 구비하는 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  24. 제 22 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 상변환물질막 사이에 하부 절연막을 더 개재되는 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  25. 제 23 항에 있어서,
    상기 기판은 랜드와 그루브가 연속적으로 형성된 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  26. 제 22 항 또는 제 23 항에 있어서,
    상기 기판은 폴리카보네이트(PC), 유리, 또는 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  27. 제 22 항 또는 제 23 항에 있어서,
    상기 반사막은 Al 합금 또는 Ag 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  28. 제 22 항 또는 제 23 항에 있어서,
    상기 상변환 물질막은 GTS 또는 GTS를 포함한 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 제 22 항에 있어서,
    상기 상부 절연막은 SiO2-ZnS으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  32. 제 23 항에 있어서,
    상기 절연막은 SiO2-ZnS으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  33. 제 24 항에 있어서,
    상기 하부 절연막은 SiO2-ZnS으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  34. 제 22 항 또는 제 23 항에 있어서,
    상기 보호막은 폴리카보네이트(PC)로 형성되는 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  35. 삭제
  36. 제 22 항 또는 제 23 항에 있어서,
    상기 상변환물질막은 나노도트 형태의 기둥이 다수 배열된 매트릭스 구조인 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  37. 제 36 항에 있어서,
    상기 나노도트 형태의 기둥은 육각형의 벌집모양인 것을 특징으로 하는 광기록매체.
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