JPS6192448A - 光情報記録媒体 - Google Patents
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- JPS6192448A JPS6192448A JP59213002A JP21300284A JPS6192448A JP S6192448 A JPS6192448 A JP S6192448A JP 59213002 A JP59213002 A JP 59213002A JP 21300284 A JP21300284 A JP 21300284A JP S6192448 A JPS6192448 A JP S6192448A
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- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25715—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing oxygen
-
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
不発明は元ビーム會用いてｉ′＃報が記録され４元情報
記録媒体に関し、特に信号を忠実に記録再生すとことが
でさ；Ｌ １６Ｉ＃記録媒体に関するものであえ０ （従来の技０１１） 元１ｇ報記４媒体において、記録４楔に元ビームを照射
すえことによシ、記録簿、膜全備成すと材料に対して、
非晶質−結晶質転移によふ反射率変化を生起せしめ、情
報を記録する方法が知られてぃ４ｏこの様な記録材料と
しては三七レン化アンチモンＳｂ、５ｓｌＩ、三テルル
化アンチモンＳｂ 、Ｔｅ 、が知られており、ざらに
不出願人はテルル化ゲルマニウムＧｅＴｅ薄膜をｑ＃願
昭５９−１３７４５号にて提案し・た０ （発明が解決しようとすえ間４点） か＼ふ元情報配録媒体に元ビームを照射し情報全記録す
る時、元ビーム照射部の記録薄膜の？１度が上昇し、非
晶質−結晶質転移が起こり情報が記録されるが、この記
録薄膜が非晶質から、債品質に転移すえと体積の収縮が
雇え。タリえばＧｅＴｅＫ訃いては９％の体積放少があ
４ｏ−刃元ビーム照射全党けて温度上昇した記録薄膜に
接している基体は、記録薄膜からの熱拡散により温度上
昇し該基体の線熱膨張率（プラスチック材料で通常１×
１０−“程力、）に応じて膨張す石。このＬうにして元
ビームが照射さ九ｆ１！報が記録さオ１４ビット部位で
ｔよ、基体が膨張し記録薄膜が収縮すえため、記録薄膜
にりラックが発生し、情報を忠実に記録再生す２ことが
できないという欠点があった。
記録媒体に関し、特に信号を忠実に記録再生すとことが
でさ；Ｌ １６Ｉ＃記録媒体に関するものであえ０ （従来の技０１１） 元１ｇ報記４媒体において、記録４楔に元ビームを照射
すえことによシ、記録簿、膜全備成すと材料に対して、
非晶質−結晶質転移によふ反射率変化を生起せしめ、情
報を記録する方法が知られてぃ４ｏこの様な記録材料と
しては三七レン化アンチモンＳｂ、５ｓｌＩ、三テルル
化アンチモンＳｂ 、Ｔｅ 、が知られており、ざらに
不出願人はテルル化ゲルマニウムＧｅＴｅ薄膜をｑ＃願
昭５９−１３７４５号にて提案し・た０ （発明が解決しようとすえ間４点） か＼ふ元情報配録媒体に元ビームを照射し情報全記録す
る時、元ビーム照射部の記録薄膜の？１度が上昇し、非
晶質−結晶質転移が起こり情報が記録されるが、この記
録薄膜が非晶質から、債品質に転移すえと体積の収縮が
雇え。タリえばＧｅＴｅＫ訃いては９％の体積放少があ
４ｏ−刃元ビーム照射全党けて温度上昇した記録薄膜に
接している基体は、記録薄膜からの熱拡散により温度上
昇し該基体の線熱膨張率（プラスチック材料で通常１×
１０−“程力、）に応じて膨張す石。このＬうにして元
ビームが照射さ九ｆ１！報が記録さオ１４ビット部位で
ｔよ、基体が膨張し記録薄膜が収縮すえため、記録薄膜
にりラックが発生し、情報を忠実に記録再生す２ことが
できないという欠点があった。
（間頂点を解決す４次めの手段）
不発明は非晶質−結晶質転移により清報を記録すえツＬ
１・Ｈ報記碌媒体の上述の如き欠点を解消し、情報全忠
実に記録再生すえことのでき４元情報記゛録媒体ヲ瑳供
す４ことを目的とすえもので、その特徴は、基体上に線
膨張率がＩ Ｘ １０ ’ １０Ｃ以下でろと材料から
なる薄膜全積層し該薄膜上に記録薄膜を形成す４ことに
あ１０ （実施例〕 以下不発明を実施例に従って、？ｆ＝細に説明す４゜第
１図は不発明による光ｉ′＃報記録媒体の一実施例で１
１はポリメチルメタクリレート基体、１２は二酸化シリ
コンＳｔｏｗ ＃膜、１３ ｉｊ ＧｅＴｅ記８ｉＷ膜
であ４゜ここで使用きれる基体は公知の材料であえポリ
メチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエステ
ル、ポリ塩化ビニル及びポリスルホン等あ合成樹脂、ｆ
りといはガラス及びアルミ等の金属音用いえことができ
、記＠再生用元ビームに対し透明であっても不透明であ
っても良い。１２はＳｉＯ，＋薄膜であＣ１４〜５ Ｘ
１０−’／ ’ Ｃの線熱影５長率をもつ溶融シリカ
を電子ビーム族Ｍｈｏいはスパッタリングによって基体
上に彼着嘔せ２゜膜厚は０．２μｍ〜２μｍであり０．
３μｍ〜１μｍが符に望−ましい。
１・Ｈ報記碌媒体の上述の如き欠点を解消し、情報全忠
実に記録再生すえことのでき４元情報記゛録媒体ヲ瑳供
す４ことを目的とすえもので、その特徴は、基体上に線
膨張率がＩ Ｘ １０ ’ １０Ｃ以下でろと材料から
なる薄膜全積層し該薄膜上に記録薄膜を形成す４ことに
あ１０ （実施例〕 以下不発明を実施例に従って、？ｆ＝細に説明す４゜第
１図は不発明による光ｉ′＃報記録媒体の一実施例で１
１はポリメチルメタクリレート基体、１２は二酸化シリ
コンＳｔｏｗ ＃膜、１３ ｉｊ ＧｅＴｅ記８ｉＷ膜
であ４゜ここで使用きれる基体は公知の材料であえポリ
メチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエステ
ル、ポリ塩化ビニル及びポリスルホン等あ合成樹脂、ｆ
りといはガラス及びアルミ等の金属音用いえことができ
、記＠再生用元ビームに対し透明であっても不透明であ
っても良い。１２はＳｉＯ，＋薄膜であＣ１４〜５ Ｘ
１０−’／ ’ Ｃの線熱影５長率をもつ溶融シリカ
を電子ビーム族Ｍｈｏいはスパッタリングによって基体
上に彼着嘔せ２゜膜厚は０．２μｍ〜２μｍであり０．
３μｍ〜１μｍが符に望−ましい。
以上の様に不実施例においてはポリメチルメタクリレー
ト基体上に５ｔｏｃ＃ｍが板沼妊れてい４ので元ビーム
照射部の記録薄膜の温度が上昇しても、基体への熱拡散
は低く抑えらｎ＝体の膨張？防ぐことができえ。ｌたＳ
ｉｎ、薄膜は温度上昇はあっても１％ｌ膨張率が小さい
ため膨張は小さい。このようにして元ビーム照射によっ
て情報が記録され２ピット部位のＧｅＴｅｋ録の非晶質
−結晶質転移によ石収縮が起きても、基体及び基体記録
薄膜間に設けられた低線熱膨張率の′＃膜の膨張は低く
抑制され芝ので、ビット部位におけ２記録薄良にクシツ
クに発生せｆ、情報の忠実な記録再生ができＺ０第２図
にポリメチルメタクリレート基板上に直接ＧｅＴｅ記録
薄膜を被層させた比較用の記録媒体と不実施例によと記
録媒体とに、それぞハ半導体し−ザー元を用いて配；景
再生した時の記録レーザーパワーと再生出力の関係を示
す。点線２１は比較用の記ａ媒体の出力信号波形であり
、芙琢２２は本実施例の記録媒体の出力信号波形でろえ
。低線熱膨張率７琢膜の層を持たない記録媒体において
は、点ａ２１の様に、記録レーザーパワーが３ｍＷ以上
において記碌薄、模のピット品にクラックが発生し、再
生出方、′波形が乱れているが、不実施例の記録媒体で
は実”線２２の様にレーザーパワーが７ｍＷにおいても
再生出力信号波形に乱１がなく１＃報を忠実に記録再生
していることがわがえ。不実施例において用いたＳｉｎ
、薄膜は町祝、近赤外元に対し透明であ４ので基体１１
仰ｊから元ビーム會照射し清報を記録再生ずとこともで
き２利息があえ。不実施例において勝浦膨張系数の小さ
い材料としてＳｉＯ，ｋ）ｆＪいたが不発明の池の実適
例として）３熱膨張率が１×１０Ｃ工り不ざい拐゛科、
例えばケイ素Ｓｔ、ゲルマニウムＧｅ−，（ｉ化アルミ
ニウムｋｌ、Ｏ，、＝ッヶルｍ、硫化カドウムミＣｄＳ
、タングステンＷ１モリブデンＭｏ等を用い、真空蒸
漸、スパッタリング、４鋳、陽極酸化など公知の技術で
基体上に薄膜化することもでき石。これらの中でＳｔ、
％ＧｅＸｋｌ工０１は線熱膨張率がＳｉｎ、に次いで小
さく熱伝導率も小さいので記録媒体の記骨感度を高くず
４点においても望ましい。
ト基体上に５ｔｏｃ＃ｍが板沼妊れてい４ので元ビーム
照射部の記録薄膜の温度が上昇しても、基体への熱拡散
は低く抑えらｎ＝体の膨張？防ぐことができえ。ｌたＳ
ｉｎ、薄膜は温度上昇はあっても１％ｌ膨張率が小さい
ため膨張は小さい。このようにして元ビーム照射によっ
て情報が記録され２ピット部位のＧｅＴｅｋ録の非晶質
−結晶質転移によ石収縮が起きても、基体及び基体記録
薄膜間に設けられた低線熱膨張率の′＃膜の膨張は低く
抑制され芝ので、ビット部位におけ２記録薄良にクシツ
クに発生せｆ、情報の忠実な記録再生ができＺ０第２図
にポリメチルメタクリレート基板上に直接ＧｅＴｅ記録
薄膜を被層させた比較用の記録媒体と不実施例によと記
録媒体とに、それぞハ半導体し−ザー元を用いて配；景
再生した時の記録レーザーパワーと再生出力の関係を示
す。点線２１は比較用の記ａ媒体の出力信号波形であり
、芙琢２２は本実施例の記録媒体の出力信号波形でろえ
。低線熱膨張率７琢膜の層を持たない記録媒体において
は、点ａ２１の様に、記録レーザーパワーが３ｍＷ以上
において記碌薄、模のピット品にクラックが発生し、再
生出方、′波形が乱れているが、不実施例の記録媒体で
は実”線２２の様にレーザーパワーが７ｍＷにおいても
再生出力信号波形に乱１がなく１＃報を忠実に記録再生
していることがわがえ。不実施例において用いたＳｉｎ
、薄膜は町祝、近赤外元に対し透明であ４ので基体１１
仰ｊから元ビーム會照射し清報を記録再生ずとこともで
き２利息があえ。不実施例において勝浦膨張系数の小さ
い材料としてＳｉＯ，ｋ）ｆＪいたが不発明の池の実適
例として）３熱膨張率が１×１０Ｃ工り不ざい拐゛科、
例えばケイ素Ｓｔ、ゲルマニウムＧｅ−，（ｉ化アルミ
ニウムｋｌ、Ｏ，、＝ッヶルｍ、硫化カドウムミＣｄＳ
、タングステンＷ１モリブデンＭｏ等を用い、真空蒸
漸、スパッタリング、４鋳、陽極酸化など公知の技術で
基体上に薄膜化することもでき石。これらの中でＳｔ、
％ＧｅＸｋｌ工０１は線熱膨張率がＳｉｎ、に次いで小
さく熱伝導率も小さいので記録媒体の記骨感度を高くず
４点においても望ましい。
ルＴｅ光吸収薄膜、３４ＶｉＳｂ工Ｓｅ、記録薄膜であ
え。
え。
以上の構成からＧｅ薄膜層を取シ除い次従来の記録媒体
においては、５ｍＷ以上の記録レーザーパワーの時に再
生出力信号波形に乱れがあったが、不実施例の如（Ｇｅ
＠膜層を設は友記録媒体においては、記録レーザーパワ
ーが７ｍＷの時も再生出力信号波形に乱れはなく情報の
忠実な記録再生が行われた。以上の実施例で記録薄膜１
３又Ｆｉ３４の外側にさらに保護膜を設けてもよいこと
はもち論であＺｏこの場合保護膜にはクラック防止の役
目？兼ねさせえ必要がないので、比鮫的薄いものでょい
０ （発明の効果） 以上詳述したように、基体と該橋体上に形成された記録
薄膜を有し、該記録１Ｗ膜に元ビームを照射し、ａピ録
材料の非晶質−結晶質転移によ４反射率変化によって情
報を記録す、ｉ６ｉ情報Ｋｅ頷媒体に２いて、２に１＋
上に線熱膨張率が１×１０Ｃ以下である材料の薄膜を積
層し該薄膜上に記録薄膜？）し成し友こと７を荷積とす
え元ＩＨ報記録媒体は、基体の諸影づ長と七１１にもと
づくａ己録テ導、Ｉ稟のクラックを防止し、忠実な情報
の記録再生？することができと。
においては、５ｍＷ以上の記録レーザーパワーの時に再
生出力信号波形に乱れがあったが、不実施例の如（Ｇｅ
＠膜層を設は友記録媒体においては、記録レーザーパワ
ーが７ｍＷの時も再生出力信号波形に乱れはなく情報の
忠実な記録再生が行われた。以上の実施例で記録薄膜１
３又Ｆｉ３４の外側にさらに保護膜を設けてもよいこと
はもち論であＺｏこの場合保護膜にはクラック防止の役
目？兼ねさせえ必要がないので、比鮫的薄いものでょい
０ （発明の効果） 以上詳述したように、基体と該橋体上に形成された記録
薄膜を有し、該記録１Ｗ膜に元ビームを照射し、ａピ録
材料の非晶質−結晶質転移によ４反射率変化によって情
報を記録す、ｉ６ｉ情報Ｋｅ頷媒体に２いて、２に１＋
上に線熱膨張率が１×１０Ｃ以下である材料の薄膜を積
層し該薄膜上に記録薄膜？）し成し友こと７を荷積とす
え元ＩＨ報記録媒体は、基体の諸影づ長と七１１にもと
づくａ己録テ導、Ｉ稟のクラックを防止し、忠実な情報
の記録再生？することができと。
Claims (1)
- 基体と該基体上に形成された記録薄膜を有し、該記録薄
膜に光ビームを照射し、記録薄膜材料の非晶質−結晶質
転移による反射率変化によつて情報を記録する光情報記
録媒体において、基体上に線熱膨張率が１×１０＾−＾
５／℃以下である材料の薄膜を積層し該薄膜上に記録薄
膜を形成したことを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213002A JPS6192448A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213002A JPS6192448A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6192448A true JPS6192448A (ja) | 1986-05-10 |
Family
ID=16631854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59213002A Pending JPS6192448A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6192448A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02195538A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録再生消去部材 |
| US5191565A (en) * | 1989-06-19 | 1993-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5548836A (en) * | 1978-09-30 | 1980-04-08 | Pioneer Electronic Corp | Signal recording board and recording and reproducing method |
| JPS5778649A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-17 | Teijin Ltd | Laminated material for optical memory |
| JPS5912431A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-23 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | カラ−熱拡散転写方法 |
| JPS6038746A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク |
| JPS60155495A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-15 | Sony Corp | 光学情報記録媒体 |
-
1984
- 1984-10-11 JP JP59213002A patent/JPS6192448A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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| JPS60155495A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-15 | Sony Corp | 光学情報記録媒体 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02195538A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録再生消去部材 |
| US5191565A (en) * | 1989-06-19 | 1993-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
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