JPS59215036A - 光デイスク媒体 - Google Patents
光デイスク媒体Info
- Publication number
- JPS59215036A JPS59215036A JP58087629A JP8762983A JPS59215036A JP S59215036 A JPS59215036 A JP S59215036A JP 58087629 A JP58087629 A JP 58087629A JP 8762983 A JP8762983 A JP 8762983A JP S59215036 A JPS59215036 A JP S59215036A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- track
- light
- film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光ビームにより情報の記録・再生を行なう光記
録装置に用いる光デイスク媒体においてその記録再生性
能を高めた光デイスク媒体に関する。
録装置に用いる光デイスク媒体においてその記録再生性
能を高めた光デイスク媒体に関する。
従来、この種の光ディスクにおいては、光ビームのトラ
ッキングを行なうために、第１図に示すような構造のも
のが用いられている。即ちガラスもしくはプラスチック
からなるディスク基板１１上に同心円もしくはスパイラ
ル状の凹状もしくは凸状の溝１２を設け、その上にＴｅ
もしくはＴｅ化合物等の金属薄膜からなる情報記録薄膜
１３を付加して溝付ディスクを構成する。この構成にお
いて溝の底部に基板１１を通してレーザ光１４を対物レ
ンズ１５により集光して照射し、記録と再生を行なう。
ッキングを行なうために、第１図に示すような構造のも
のが用いられている。即ちガラスもしくはプラスチック
からなるディスク基板１１上に同心円もしくはスパイラ
ル状の凹状もしくは凸状の溝１２を設け、その上にＴｅ
もしくはＴｅ化合物等の金属薄膜からなる情報記録薄膜
１３を付加して溝付ディスクを構成する。この構成にお
いて溝の底部に基板１１を通してレーザ光１４を対物レ
ンズ１５により集光して照射し、記録と再生を行なう。
ところでこのような従来の溝付ディスクは次のような方
法により作成されている。
法により作成されている。
まずガラス円板上にフォトレジストにより溝を形成し、
溝原版を作成する。即ちガラス円板上にスピンコードに
よりフォトレジストを所定の厚さに塗布する。次に、こ
のガラス原版を回転しながら集光レーザビームによって
トラック形成位置を露光する。これを現像することによ
り矩形の溝が形成でき、溝原版が作られる。次にこの溝
原版に電極用として銀を蒸着し、ニッケル電鋳によって
スタンパを作製する。次に、このスタンパを用いてアク
リル樹脂等のプラスチック材料を射出成形、キャスト成
形法等により成形し、溝付ディスク基板が得られる。
溝原版を作成する。即ちガラス円板上にスピンコードに
よりフォトレジストを所定の厚さに塗布する。次に、こ
のガラス原版を回転しながら集光レーザビームによって
トラック形成位置を露光する。これを現像することによ
り矩形の溝が形成でき、溝原版が作られる。次にこの溝
原版に電極用として銀を蒸着し、ニッケル電鋳によって
スタンパを作製する。次に、このスタンパを用いてアク
リル樹脂等のプラスチック材料を射出成形、キャスト成
形法等により成形し、溝付ディスク基板が得られる。
このように従来の溝付光ディスクの作製においては、溝
原版からスタンバへ溝を転写し、さらにスタンパからデ
ィスク基板へ溝を転写するため、工程が多くなるととも
にこれらの転写の過程でごみの付着等により、溝に欠陥
が発生し、トラック信号が劣化するという欠点を有して
いる。
原版からスタンバへ溝を転写し、さらにスタンパからデ
ィスク基板へ溝を転写するため、工程が多くなるととも
にこれらの転写の過程でごみの付着等により、溝に欠陥
が発生し、トラック信号が劣化するという欠点を有して
いる。
本発明は以上のような技術背景のもとになされたもので
あり、溝転写に伴う欠陥発生を抑制し、良質のトラック
信号を得るとともに高い信号対雑音比で情報を記録再生
できる光デイスク媒体を提供することを目的とする。
あり、溝転写に伴う欠陥発生を抑制し、良質のトラック
信号を得るとともに高い信号対雑音比で情報を記録再生
できる光デイスク媒体を提供することを目的とする。
この目的を達成するため、本発明の光デイスク媒体は、
ディスク基板上に光照射によって膨張する物質からなる
薄膜層を形成し、該薄膜層に集光レーザビームを照射し
、膨張させることによりトラックを直接ディスク基板上
に形成することを特徴とする。
ディスク基板上に光照射によって膨張する物質からなる
薄膜層を形成し、該薄膜層に集光レーザビームを照射し
、膨張させることによりトラックを直接ディスク基板上
に形成することを特徴とする。
以下に本発明を実施例と共に詳細に説明する。
第２図に本発明に係る光デイスク媒体の断面説明図を示
す。図において、２１はガラスもしくはプラスチックか
らなる透明なディスク基板である。２２は光照射により
膨張する物質からなるトラック形成薄膜層であり、ディ
スク基板２１の上面に積層されている。
す。図において、２１はガラスもしくはプラスチックか
らなる透明なディスク基板である。２２は光照射により
膨張する物質からなるトラック形成薄膜層であり、ディ
スク基板２１の上面に積層されている。
該トラック形成薄膜層２２にトラック２３が形成されて
いる。該トラック２３はトラック形成薄膜層２２に集束
レーザビームを照射し、トラック形成薄膜層２２を膨張
させることにより形成される。これらトラック２３およ
びトラック形成薄膜層２２の上面に情報記録薄膜層２４
が積層されており、該情報記録薄膜層２４上にはピット
２５が形成されて〜・る。
いる。該トラック２３はトラック形成薄膜層２２に集束
レーザビームを照射し、トラック形成薄膜層２２を膨張
させることにより形成される。これらトラック２３およ
びトラック形成薄膜層２２の上面に情報記録薄膜層２４
が積層されており、該情報記録薄膜層２４上にはピット
２５が形成されて〜・る。
次に、この光デイスク媒体の製造工程を説明する。先ず
基板２１上にトラック形成薄膜層２２を形成する。この
トラック形成薄膜層２２の一例として水素含有非晶質シ
リコン薄膜をプラズマＣＶＤ法により形成するとよい。
基板２１上にトラック形成薄膜層２２を形成する。この
トラック形成薄膜層２２の一例として水素含有非晶質シ
リコン薄膜をプラズマＣＶＤ法により形成するとよい。
この薄膜はＳｉＨ４，５ｉ２Ｈ，等のガスを原料として
作製するも３− のであり、膜中には１０〜４０ａｔ％の水素を含む。ま
た、この薄膜の光学吸収端は６０００＾付近にある。こ
の薄膜に吸収端もしくはこれより短波長の光を照射する
と、光の吸収によって発熱することＫより、膜中の水素
が放出し、この水素放出により膜が膨張する。次に、こ
の光照射による膜の膨張を用いてトラック形成薄膜層２
２のトラック形成部分を膨張させるため、波長５１４５
ＡのＡｒレーザ光を集束してトラック形成位置に照射
し、トラック２３を形成する。次に、ＴｅもしくはＴｅ
化合物等の金属薄膜からなる情報記録薄膜層２４を形成
することにより、本発明の光デイスク媒体が得られる。
作製するも３− のであり、膜中には１０〜４０ａｔ％の水素を含む。ま
た、この薄膜の光学吸収端は６０００＾付近にある。こ
の薄膜に吸収端もしくはこれより短波長の光を照射する
と、光の吸収によって発熱することＫより、膜中の水素
が放出し、この水素放出により膜が膨張する。次に、こ
の光照射による膜の膨張を用いてトラック形成薄膜層２
２のトラック形成部分を膨張させるため、波長５１４５
ＡのＡｒレーザ光を集束してトラック形成位置に照射
し、トラック２３を形成する。次に、ＴｅもしくはＴｅ
化合物等の金属薄膜からなる情報記録薄膜層２４を形成
することにより、本発明の光デイスク媒体が得られる。
情報の記録はトラック形成位置に基板２１およびトラッ
ク２３を通して記録薄膜層２４上に波長８３００ Ｍの
半導体レーザ光を集束して照射し、ピット２５を形成す
ることＫより行なう。ピット２５はトラック２３に沿っ
て形成され、情報の記録が行なわれる。情報の再生は半
導体レーザの出力を情報記録薄膜層２４が溶融蒸発しな
い程度に弱４− めて照射し、トラック２３に沿ってピット２５を反射光
で検出することにより行なう。なお、赤外光に対してト
ラック形成薄膜層２２は高い透過率を示すため、記録、
再生用半導体レーザ光を減衰させることはなく、また、
半導体レーザ光の照射により【膨張することもない。記
録および再生の際のトラッキングは従来の溝付光ディス
クの場合と同様に、トラック部からの反射光とトラック
以外の部分からの反射光との位相差を利用して行なわれ
る。
ク２３を通して記録薄膜層２４上に波長８３００ Ｍの
半導体レーザ光を集束して照射し、ピット２５を形成す
ることＫより行なう。ピット２５はトラック２３に沿っ
て形成され、情報の記録が行なわれる。情報の再生は半
導体レーザの出力を情報記録薄膜層２４が溶融蒸発しな
い程度に弱４− めて照射し、トラック２３に沿ってピット２５を反射光
で検出することにより行なう。なお、赤外光に対してト
ラック形成薄膜層２２は高い透過率を示すため、記録、
再生用半導体レーザ光を減衰させることはなく、また、
半導体レーザ光の照射により【膨張することもない。記
録および再生の際のトラッキングは従来の溝付光ディス
クの場合と同様に、トラック部からの反射光とトラック
以外の部分からの反射光との位相差を利用して行なわれ
る。
本発明の光デイスク媒体では、トラック部の断面形状は
ほぼ半楕円となり、トラック幅および深さの制御は集束
したＡｒレーザ光のビーム径および出力を変えることに
より行なわれる。また本発明の光デイスク媒体と同じト
ラック幅および深さの矩形溝を有する従来の溝付光ディ
スクとのトラック信号強度を比較したところ、同程度の
値が得られた。
ほぼ半楕円となり、トラック幅および深さの制御は集束
したＡｒレーザ光のビーム径および出力を変えることに
より行なわれる。また本発明の光デイスク媒体と同じト
ラック幅および深さの矩形溝を有する従来の溝付光ディ
スクとのトラック信号強度を比較したところ、同程度の
値が得られた。
次に、本発明の具体的な実施例を示す。
〔実施例１〕 ガラス基板上にＳｉＨ４を原料として水
素含有非晶質シリコン薄膜をプラズマＣＶＤ法により３
０００ Ｘの厚さに形成した。この膜の水素含有量は約
４０ ａｔ％であった。次に、この基板を３００回転回
転子回転しながら波長５１４５大のＡｒレーザ光を薄膜
上に集束して照射し、スパイラル状のトラックを形成し
た。トラックピッチは３μｍ、Ａｒレーザ光のパワーは
薄膜上で５ｍＷ、ビーム径は０．５μｍとした。トラッ
ク幅は０．５μｍ、深さは１０００大であった。次に、
情報記録薄膜としてＣ８，−Ｔｅ薄膜をプラズマ重合法
により２００λの厚さに形成した。かくして得た光デイ
スク媒体を１８００回転／回転目転しながら半導体レー
ザ光を照射し、トラック信号を検出した結果、良質のト
ラック信号を得た。
素含有非晶質シリコン薄膜をプラズマＣＶＤ法により３
０００ Ｘの厚さに形成した。この膜の水素含有量は約
４０ ａｔ％であった。次に、この基板を３００回転回
転子回転しながら波長５１４５大のＡｒレーザ光を薄膜
上に集束して照射し、スパイラル状のトラックを形成し
た。トラックピッチは３μｍ、Ａｒレーザ光のパワーは
薄膜上で５ｍＷ、ビーム径は０．５μｍとした。トラッ
ク幅は０．５μｍ、深さは１０００大であった。次に、
情報記録薄膜としてＣ８，−Ｔｅ薄膜をプラズマ重合法
により２００λの厚さに形成した。かくして得た光デイ
スク媒体を１８００回転／回転目転しながら半導体レー
ザ光を照射し、トラック信号を検出した結果、良質のト
ラック信号を得た。
また、半導体レーザな用いた記録、再生装置によりビデ
オ信号の記録、再生を行なったところ、トラッキング動
作およびトラックに沿った記録。
オ信号の記録、再生を行なったところ、トラッキング動
作およびトラックに沿った記録。
再生の動作を確認し、かつ良好な品質のビデオ再生像を
得た。さらに、本実施例と同様の方法により情報記録薄
膜として、Ｃ８，−Ｔｅ薄膜な形成した従来の溝付光デ
ィスクによるビデオ再生像と比較したところ、本発明の
光デイスク媒体による再生像の方がドロップアウトが少
なく、信号対雑音比が高かった。
得た。さらに、本実施例と同様の方法により情報記録薄
膜として、Ｃ８，−Ｔｅ薄膜な形成した従来の溝付光デ
ィスクによるビデオ再生像と比較したところ、本発明の
光デイスク媒体による再生像の方がドロップアウトが少
なく、信号対雑音比が高かった。
〔実施例２〕 ガラス基板上１ｃｓｉ、Ｈ，を原料とし
て水素含有非晶質シリコン薄膜をプラズマＣＶＤ法によ
り３０００ Ａの厚さに形成した。この薄膜の水素含有
量は約３０％であった。以下は実施例（１）と同様の方
法により光デイスク媒体を作製した。トラック幅は０．
５μｍ１深さは７００人であった。かくして得た光デイ
スク媒体について実施例（１）と同様な記録、再生実験
を行なったところ、トラックに沿った記録および再生の
動作を確認し、かつ良好な品質のビデオ再生像を得た。
て水素含有非晶質シリコン薄膜をプラズマＣＶＤ法によ
り３０００ Ａの厚さに形成した。この薄膜の水素含有
量は約３０％であった。以下は実施例（１）と同様の方
法により光デイスク媒体を作製した。トラック幅は０．
５μｍ１深さは７００人であった。かくして得た光デイ
スク媒体について実施例（１）と同様な記録、再生実験
を行なったところ、トラックに沿った記録および再生の
動作を確認し、かつ良好な品質のビデオ再生像を得た。
以上説明したように、本発明によれば、少ない工程で直
接ディスク基板上にトラックを形成することができ、ま
た、フォトレジストによる ゛溝形成あるいは転写に
伴う欠陥発生もないため、記録あるいは再生時のトラッ
ク制御を容易にし、７− かつ高い信号対雑音比で情報を記録、再生できる光ディ
スクを提供することが可能となる。
接ディスク基板上にトラックを形成することができ、ま
た、フォトレジストによる ゛溝形成あるいは転写に
伴う欠陥発生もないため、記録あるいは再生時のトラッ
ク制御を容易にし、７− かつ高い信号対雑音比で情報を記録、再生できる光ディ
スクを提供することが可能となる。
第１図は従来の溝付光ディスクの構成を示す部分断面図
、第２図は本発明の光デイスク媒体の構成を示す部分断
面図である。 図中、１１・・・基板、１２・・・溝、１３・・・情報
記録薄膜、１４・・・レーザ光、１５・・・対物レンズ
、２１・・・基板、２２・・・トラック形成薄膜層、２
３・・・トラック、２４・・・情報記録薄膜層、２５・
・・ビットである。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士 先方土部（他１名） ８− 第１図 ｉ 第２図
、第２図は本発明の光デイスク媒体の構成を示す部分断
面図である。 図中、１１・・・基板、１２・・・溝、１３・・・情報
記録薄膜、１４・・・レーザ光、１５・・・対物レンズ
、２１・・・基板、２２・・・トラック形成薄膜層、２
３・・・トラック、２４・・・情報記録薄膜層、２５・
・・ビットである。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士 先方土部（他１名） ８− 第１図 ｉ 第２図
Claims (2)
- （１）ディスク状の透明基板上に光照射によって膨張す
る薄膜材料からなるトラック形成薄膜層が積層されると
共に情報記録薄膜層が積層されることを特徴とする光デ
イスク媒体。 - （２）トラック形成薄膜層が水素含有非晶質シリコン薄
膜であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光デイスク媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58087629A JPS59215036A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 光デイスク媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58087629A JPS59215036A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 光デイスク媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59215036A true JPS59215036A (ja) | 1984-12-04 |
Family
ID=13920265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58087629A Pending JPS59215036A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 光デイスク媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59215036A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414082A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-18 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Grooved substrate |
| JPH01235044A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ディスク基板およびその製造方法 |
| US5615206A (en) * | 1992-08-05 | 1997-03-25 | Pioneer Electronic Corporation | Optical disk |
-
1983
- 1983-05-20 JP JP58087629A patent/JPS59215036A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414082A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-18 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Grooved substrate |
| JPH01235044A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ディスク基板およびその製造方法 |
| US5615206A (en) * | 1992-08-05 | 1997-03-25 | Pioneer Electronic Corporation | Optical disk |
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