JPS59203255A - 光デイスク媒体 - Google Patents
光デイスク媒体Info
- Publication number
- JPS59203255A JPS59203255A JP58078704A JP7870483A JPS59203255A JP S59203255 A JPS59203255 A JP S59203255A JP 58078704 A JP58078704 A JP 58078704A JP 7870483 A JP7870483 A JP 7870483A JP S59203255 A JPS59203255 A JP S59203255A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- track
- film layer
- light
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光ビームにより情報の記録・再生を行なう光記
録装置に用いる光デイスク媒体においてその記録再生性
能を高めた元ディスク媒体に関する。
録装置に用いる光デイスク媒体においてその記録再生性
能を高めた元ディスク媒体に関する。
従来、この種の光ディスクにおいては、光ビームのトラ
ッキングを行なうために、第１図にガラスもしくはプラ
スチックからなるディスク基板１１上に同心円もしくは
ス・やイラル状の凹状もしくは凸状の溝１２全設け、そ
の上にＴｅもしくはＴｅ化合物等の金属１ａ膜からなる
情報記録薄膜１３を付加して溝付ディスクを構成するっ
この構成において溝の底部に基板１１全通してレープ光
１４を対物レンズ１５により集光して照射し１、記録と
再生を行なう、この場合、従来の溝付ディスクにおいて
は、その溝１２の深さをトラック信号のＳＮ比が最良に
なるようλ に／８ｎ（ここでλは記録・再生用光源の波長、ｎは基
板１１の屈折率である）に設定している。
ッキングを行なうために、第１図にガラスもしくはプラ
スチックからなるディスク基板１１上に同心円もしくは
ス・やイラル状の凹状もしくは凸状の溝１２全設け、そ
の上にＴｅもしくはＴｅ化合物等の金属１ａ膜からなる
情報記録薄膜１３を付加して溝付ディスクを構成するっ
この構成において溝の底部に基板１１全通してレープ光
１４を対物レンズ１５により集光して照射し１、記録と
再生を行なう、この場合、従来の溝付ディスクにおいて
は、その溝１２の深さをトラック信号のＳＮ比が最良に
なるようλ に／８ｎ（ここでλは記録・再生用光源の波長、ｎは基
板１１の屈折率である）に設定している。
ところでこのよう々従来の溝付ディスクは次のような方
法により作成されている。
法により作成されている。
まずガラス円板上にフォトレジストにより溝全形成し、
溝原版を作成する。即ちガラス円板上にスピンコードに
よりフォトレジストをλ／８ｎのｊ４さに塗布する。次
に、このガラス原版を回転しながら集光レーザビームに
よってトラックリ２／８ｎ の深さの溝が形成でき、
溝原版が作られる。次にこの溝原版をマスク板として、
これに電極用として銀を蒸着し、ニッケル電鋳によって
スタンパを作製する。次に、このスタンパを用いてアク
リル樹脂等のプラスチック材料を射出成形、キャスト成
形法等により成形し、溝付ディスク基板が得られる。
溝原版を作成する。即ちガラス円板上にスピンコードに
よりフォトレジストをλ／８ｎのｊ４さに塗布する。次
に、このガラス原版を回転しながら集光レーザビームに
よってトラックリ２／８ｎ の深さの溝が形成でき、
溝原版が作られる。次にこの溝原版をマスク板として、
これに電極用として銀を蒸着し、ニッケル電鋳によって
スタンパを作製する。次に、このスタンパを用いてアク
リル樹脂等のプラスチック材料を射出成形、キャスト成
形法等により成形し、溝付ディスク基板が得られる。
このように従来の溝付光ディスクの作製においては、溝
原版からスタンパへ溝を転写し、さらにスタンパからデ
ィスク基板へ溝を転写するため、工程が多くなるととも
にこれらの転写の過程でごみの伺着等により、溝に欠陥
が発生し、トラック信号が劣化するという欠点を有して
いる。
原版からスタンパへ溝を転写し、さらにスタンパからデ
ィスク基板へ溝を転写するため、工程が多くなるととも
にこれらの転写の過程でごみの伺着等により、溝に欠陥
が発生し、トラック信号が劣化するという欠点を有して
いる。
本発明は以上のような技術背景のもとになされたもので
あり、溝転写に伴う欠陥発生を抑制し、良質のトラック
信号を得るとともに高い信号対雑音比で情報を記録再生
できる光デイスク媒体を提供することを目的とする。
あり、溝転写に伴う欠陥発生を抑制し、良質のトラック
信号を得るとともに高い信号対雑音比で情報を記録再生
できる光デイスク媒体を提供することを目的とする。
この目的を達成するため、本発明の光デイスク媒体は、
ディスク示板上Ｑこ光照射によって屈折率が変化する物
質全形成し、当該物質に集光レーザビームを照射し、屈
折率を変化させることによりトラックを直接ディスク基
板上に形成することを特徴とする。
ディスク示板上Ｑこ光照射によって屈折率が変化する物
質全形成し、当該物質に集光レーザビームを照射し、屈
折率を変化させることによりトラックを直接ディスク基
板上に形成することを特徴とする。
以下に本発明を実施例と共に詳細に説明する。
第２図に本発明に係る光デイスク媒体の断面説明図を示
す。図において、２１はガラスもしくはプラスチックか
らなる透明なディスク基板である。２２は光照射により
屈折単変化を起こす物質からなるトラック形成薄膜Ｊ会
であり、ディスク基板２１の上面に積層されている。
す。図において、２１はガラスもしくはプラスチックか
らなる透明なディスク基板である。２２は光照射により
屈折単変化を起こす物質からなるトラック形成薄膜Ｊ会
であり、ディスク基板２１の上面に積層されている。
該トラック形成薄膜層２２にトラック２３が形成されて
いる。該トラック２３はトラック形成薄膜層２２に集束
レーザビームを照射し、トラック形成薄膜層２２の屈折
率を変化させることにより形成される。
いる。該トラック２３はトラック形成薄膜層２２に集束
レーザビームを照射し、トラック形成薄膜層２２の屈折
率を変化させることにより形成される。
これらトラック２３およびトラック形成薄膜層２２の上
面に情報記録薄膜層２４が積層されており、該情報記録
薄膜層２４上にはビット２５が形成されている。
面に情報記録薄膜層２４が積層されており、該情報記録
薄膜層２４上にはビット２５が形成されている。
次にこの光デイスク媒体の製造工程を説明する。先ず基
板２１上にトラック形成薄膜層２２を形成する。このト
ラック形成薄膜層２２の一例として水素含有非晶質シリ
コン薄膜をプラズマＣＶＤ法により形成する。この薄膜
はＳｉＨ，。
板２１上にトラック形成薄膜層２２を形成する。このト
ラック形成薄膜層２２の一例として水素含有非晶質シリ
コン薄膜をプラズマＣＶＤ法により形成する。この薄膜
はＳｉＨ，。
ｓ ｉ、Ｈ８等のガスを原料として作製するものでちり
、膜中には１０〜４０ ａｔ％ の水素を含む。
、膜中には１０〜４０ ａｔ％ の水素を含む。
またこの薄膜の光学吸収端は６０００Ａ付近にある。こ
の薄膜に吸収端もしくはこれより短波長の光を照射する
と、光の吸収によって発熱することにより、膜中の水素
が放出し、この水素放出により屈折率が増加する。次に
、この光照射による屈折率変化を用いてトラック形成薄
膜層２２に屈折率変化を生ぜしめるため、波長５１４５
ＡのＡｒレーデ光を収束してトラック形成位置に照射し
、トラック２３を形成する。次にＴｅもしくはＴｅ化合
物等の金属薄膜からなる情報記録薄膜層２４を形成する
ことにエリ、本発明の光デイスク媒体が得られる。情報
の記録はトラック形成位置に基板２１およびトラック２
３を通して記録薄膜層２４上に波長８３００Ａの半導体
レーザ光を収束して照射し、ぎット２５を形成すること
により行なう。ビット２５はトラック２３に沿って形成
され、情報の記録が行なわれる。情報の再生は半導体レ
ーザの出力を情報記録薄膜層２４が溶融蒸発しない程度
に弱めて照射し、トラック２３に沿ってビット２５を反
射光で検出することにより行なわれる。
の薄膜に吸収端もしくはこれより短波長の光を照射する
と、光の吸収によって発熱することにより、膜中の水素
が放出し、この水素放出により屈折率が増加する。次に
、この光照射による屈折率変化を用いてトラック形成薄
膜層２２に屈折率変化を生ぜしめるため、波長５１４５
ＡのＡｒレーデ光を収束してトラック形成位置に照射し
、トラック２３を形成する。次にＴｅもしくはＴｅ化合
物等の金属薄膜からなる情報記録薄膜層２４を形成する
ことにエリ、本発明の光デイスク媒体が得られる。情報
の記録はトラック形成位置に基板２１およびトラック２
３を通して記録薄膜層２４上に波長８３００Ａの半導体
レーザ光を収束して照射し、ぎット２５を形成すること
により行なう。ビット２５はトラック２３に沿って形成
され、情報の記録が行なわれる。情報の再生は半導体レ
ーザの出力を情報記録薄膜層２４が溶融蒸発しない程度
に弱めて照射し、トラック２３に沿ってビット２５を反
射光で検出することにより行なわれる。
尚赤外光に対してトラック形成薄膜層２２は高い透過率
を示し、屈折率変化も生じないため、半導体レーデ光の
照射によりトラック２３は消失することはない、記録お
よび再生の際のトラッキングは従来の溝付光ディスクの
場合と同様にトラック部からの反射光とトラック以外の
部分からめ反射光との位相差を利用して行なわれる。こ
の位相差は４πΔｎｄ／λで与えられ、この位相差が７
′／２のときトラック信号は最大となる。ここでΔｎは
トラック形成薄膜層２２とトラック２３との屈折率の差
、ｄはトラック形成Ｒ膜層２２の厚さである。従って、
例えばΔｎ＝０．１のとき、トラック形成薄膜層２２の
厚さｄは１μｍとすればよい。
を示し、屈折率変化も生じないため、半導体レーデ光の
照射によりトラック２３は消失することはない、記録お
よび再生の際のトラッキングは従来の溝付光ディスクの
場合と同様にトラック部からの反射光とトラック以外の
部分からめ反射光との位相差を利用して行なわれる。こ
の位相差は４πΔｎｄ／λで与えられ、この位相差が７
′／２のときトラック信号は最大となる。ここでΔｎは
トラック形成薄膜層２２とトラック２３との屈折率の差
、ｄはトラック形成Ｒ膜層２２の厚さである。従って、
例えばΔｎ＝０．１のとき、トラック形成薄膜層２２の
厚さｄは１μｍとすればよい。
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
〔実施例１〕
ガラス基板上にＳｉＬを原料として水素含有非晶質シリ
コン薄膜をプラズマＣＶＤ法により１μｍの厚さに形成
した。この膜の水素含有量は約４０ａｔ％ であった
。次に、この基板を３００回転／分で回転しながら波長
５１４５ＡのＡｒレーデ光を薄膜上に集束して照射し、
スパイラル状のトラックを形成した。トラックピッチは
３μｍ、）ラック幅は０．５μｍとした。トラック部と
トラックを形成していない部分との屈折率の差は波長８
３００＾において０．１であった。
コン薄膜をプラズマＣＶＤ法により１μｍの厚さに形成
した。この膜の水素含有量は約４０ａｔ％ であった
。次に、この基板を３００回転／分で回転しながら波長
５１４５ＡのＡｒレーデ光を薄膜上に集束して照射し、
スパイラル状のトラックを形成した。トラックピッチは
３μｍ、）ラック幅は０．５μｍとした。トラック部と
トラックを形成していない部分との屈折率の差は波長８
３００＾において０．１であった。
次に、情報記録薄膜としてＣ３，Ｔｅ 薄膜をグラズ
マ重合法により、２００Ａの厚さに形成した。
マ重合法により、２００Ａの厚さに形成した。
かくして得た光デイスク媒体を１８００回転／回転目転
しながら半導体レーザ光を照射し、トラック信号を検出
した結果、良質のトラック信号を得た。また、半導体レ
ーザを用いた記録・再生装置によりビデオ信号の記録・
再生を行なったところトラックに沿った記録および再生
の動作全確認し、かつ良好な品質のビデオ再生像を得た
。さらに、本実施例と同様の方法により情報記録薄膜と
してＣ３ｔＴａ薄膜を形成した従来の溝付光ディスクに
よるビデオ再生像と比較したところ、本実施例の光デイ
スク媒体による再生像の方がドロップアウトが少なく、
信号対雑音比が高かった。
しながら半導体レーザ光を照射し、トラック信号を検出
した結果、良質のトラック信号を得た。また、半導体レ
ーザを用いた記録・再生装置によりビデオ信号の記録・
再生を行なったところトラックに沿った記録および再生
の動作全確認し、かつ良好な品質のビデオ再生像を得た
。さらに、本実施例と同様の方法により情報記録薄膜と
してＣ３ｔＴａ薄膜を形成した従来の溝付光ディスクに
よるビデオ再生像と比較したところ、本実施例の光デイ
スク媒体による再生像の方がドロップアウトが少なく、
信号対雑音比が高かった。
〔実施例２〕
ガラス基板上にＳｉ２Ｈ６を原料として水素含有非晶質
シリコン薄膜をプラズマＣＶＤ法により１．４μｍの厚
さに形成し、以下は〔実施例１〕と同様の方法により光
デイスク媒体を作製した。
シリコン薄膜をプラズマＣＶＤ法により１．４μｍの厚
さに形成し、以下は〔実施例１〕と同様の方法により光
デイスク媒体を作製した。
この薄膜の水素含有量は約３０襲であり、トラック部と
トラックを形成していない部分との屈折率の差は０．０
７であった。かくして得た光デイスク媒体について〔実
施例１〕と同様な記録・再生実験を行なったところ、ト
ンツクに沿って記録および再生の動作を確認し、かつ良
好な品質のビデオ再生像を得た。
トラックを形成していない部分との屈折率の差は０．０
７であった。かくして得た光デイスク媒体について〔実
施例１〕と同様な記録・再生実験を行なったところ、ト
ンツクに沿って記録および再生の動作を確認し、かつ良
好な品質のビデオ再生像を得た。
以上説明したように、本発明の光デイスク媒体において
は少ない工程で直接ディスク基板上にトラックを形成す
ることができ、また転写に伴う欠陥発生もないため、記
録おるいは再生時のトラック制御ｋｇ易にし、かつ高い
信号対雑音比で情報を記録・再生できる光ディスクを提
供することが可能となる。
は少ない工程で直接ディスク基板上にトラックを形成す
ることができ、また転写に伴う欠陥発生もないため、記
録おるいは再生時のトラック制御ｋｇ易にし、かつ高い
信号対雑音比で情報を記録・再生できる光ディスクを提
供することが可能となる。
第１図は従来の溝付光ディスクの断面説明図、第２図は
本発明の光デイスク媒体の断面説明図である。 図面中 １１は基板、 １２は溝、 １３は情報記録薄膜、 １４はレーザ光、 １５は対物レンズ、 ２１は基板、 ２２はトラック形成薄Ｍ服、 ２３はトラック、 ２４は情報記録薄膜層、 ２５はビットである。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士 光 石 士 部（他１名） 第１図 １３
本発明の光デイスク媒体の断面説明図である。 図面中 １１は基板、 １２は溝、 １３は情報記録薄膜、 １４はレーザ光、 １５は対物レンズ、 ２１は基板、 ２２はトラック形成薄Ｍ服、 ２３はトラック、 ２４は情報記録薄膜層、 ２５はビットである。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士 光 石 士 部（他１名） 第１図 １３
Claims (2)
- （１）ディスク状の透明基板上に光照射によって屈折率
の変化する薄膜材料からなるトラック形成薄膜層が積層
されると共に情報記録薄膜層が積層されることを特徴と
する光デイスク媒体。 - （２） トラック形成薄膜層が水素含有非晶質シリコン
薄膜であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の光デイスク媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58078704A JPS59203255A (ja) | 1983-05-04 | 1983-05-04 | 光デイスク媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58078704A JPS59203255A (ja) | 1983-05-04 | 1983-05-04 | 光デイスク媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59203255A true JPS59203255A (ja) | 1984-11-17 |
Family
ID=13669251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58078704A Pending JPS59203255A (ja) | 1983-05-04 | 1983-05-04 | 光デイスク媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59203255A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6427049A (en) * | 1987-04-22 | 1989-01-30 | Hitachi Ltd | Optical disk, substrate for optical disk and its production |
-
1983
- 1983-05-04 JP JP58078704A patent/JPS59203255A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6427049A (en) * | 1987-04-22 | 1989-01-30 | Hitachi Ltd | Optical disk, substrate for optical disk and its production |
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