JPH02132649A - 光情報記録媒体とその記録方法 - Google Patents
光情報記録媒体とその記録方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
ータを再生する光情報記録媒体とその記録方法に関する
。
、いわゆる書き込み可能な光情報記録媒体は、T ex
B IN M n等の金屈層や、シアニン、メロ
シアニン、フタロシアニン等の色素層等からなる記録層
を有し、レーザ光の照射により、上記記録層を変形、昇
華、蒸発或は変性させる等の手段で、ピットを形成し、
データを記録する。この記録層を有する光情報記録媒体
では、ビットを形成する際の記録層の変形、昇華、蒸発
或は変性等を容易にするため、記録層の背後に空隙を設
けることが一般に行なわれている。具体的には例えば、
空間部を挟んで2枚の基板を積層する、いわゆるエアサ
ンドイッチ構造と呼ばれる積層構造がとられる。
からレーザ光を照射し、ビットを形成する。そして、記
録したデータを再生するときは、上記基板I側から記録
時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ビットとそ
れ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みとる
。
みや消去ができない、いわゆるROM型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。こ
の種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持たず
、記録データを再生するためのプレビットやプレグルー
プを予めプレス等の手段でボリカーボネート製の基板の
上に形成し、この上にAus Agz Cu1A
l等の金属膜からなる光反射層を形成し、さらにこの上
を保護層で覆ったものである。
部門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるCDであり、このCDの記録、再
生信号の仕様は、いわゆるCDフォーマットとして規格
化され、これに準拠する再生装置は、コンパクトディス
クプレーヤ(CDプレーヤ)として極めて広く普及して
いる。
じレーザ光を用いる記録、再生手段であるため、再生に
際し、既に広く普及したCDに準拠することが強《望ま
れる。
、CDには無い記録層を有し、基板にではなく、この記
録層にピットを形成して記録する手段がとられる。さら
に、この記録層にビットを形成するのを容易にするため
の空隙層等を有することから、再生信号が自ずとCDと
異なってくる。このため、いわゆるCDについての規格
を定めた上記CDフt−マットを満足することが困難で
ある。従って、従来においては、CDに準拠できる書き
込み可能な光情報記録媒体を提供することができなかっ
た。
ので、その目的は、データの再生に際し、CDフォーマ
ットに準拠する出力信号が得られる書き込みが可能な光
情報記録媒体とこの光情報記録媒体に適した情報記録方
法を提供することにある。
用した第一の手段の要旨は、透光性基板の上に、レーザ
光の照射により局部的な熱変形を伴う光吸収層と、その
背後にレーザ光を反射する光反射層を有する光情報記録
媒体においで、上記光吸収層と上記光反射層との間に、
同基板より熱変形しにくい硬質層を有し、この硬質層が
、ロックウェル硬度ASTM785においてM100以
上、熱変形温度ASTM648においてlOO℃(4.
E3kg/crn2) 以上の何れか少なくとも
一方の特性を有する光情報記録媒体である。
透光性基板の上に、レーザ光の照射により局部的な熱変
形を伴う光吸収層と、その背後にレーザ光を反射する光
反射層を有する光情報記録媒体においで、レーザ光が入
射する透光性基板に対して、上記光反射層の背後側に、
同基板より熱変形しに《い硬質層を存し、この硬質層が
、ロックウェル硬度ASTM785においてM100以
上、熱変形温度ASTM648において100℃(4.
6kg/am2) 以上の何れか少なくとも一方の特
性を有する光情報記録媒体である。
透光性基板の上に、レーザ光の照射により熱変形を伴う
光吸収層を有する光情報記録媒体を用い、上記基板側か
ら入射させたレーザ光を光吸収層に照射して、記録デー
タ再生用のビットを形成する光情報記録方法においで、
レーザ光の照射時の光吸収層の局部的な熱変形により、
基板の表面を一部変形させて、ピットを形成する光情報
記録方法である。
による光情報記録方法によれば、光吸収層にレーザ光を
照射したとき、同光吸収層がレーザ光を吸収して発熱し
、溶融、蒸発、昇華、反応、分解或は変性する等して、
局部的な熱変形がもたらされるが、このとき、光吸収層
の背後に熱変形しに《い硬質層を有することから、上記
光吸収層の熱変形を基板の表面で吸収するよう作用する
。このため、基板の表面が局部的に熱変形し、そこにピ
ットが形成される。
形成されるのと異なり、予めプレス等の手段によって基
板の表面に形成されるビットに近似するものである。ま
た、光吸収層の背後に密着して金属層による光反射層を
設けることもできる。従って、形態的にもCDに近似し
た光情報記録媒体が得られ、CDフォーマッ1・に準拠
した記録可能な光情報記録媒体が容易に得られる。
細に説明する。
1図〜第3図に示す。同図においで、lは、透光性を有
する基板、2は、その上に形成された光吸収層で、照射
されたレーザ光を吸収して発熱し、溶融、蒸発、昇華、
変形または変性し、当該光吸収層2や基板1の表面にピ
ットを形成する作用を有する層である。また3は、その
上に形成された光反射層、4は、その外側に設けられた
保護層を示す。
層3との間に、硬質層6が介在されている場合である。
背後に硬質層6を配置した場合である。さらに、図示し
てはいないが、保護層4に硬質層としての機能を持たせ
ることができる。何れに場合も、硬質層は、基板より熱
変形しにくいもので形成され、かつそのロックウェル硬
度ASTM785においてM100以上、熱変形温度A
STM648において100℃(4.6ksr/am2
) 以上の何れか少なくとも一方の特性を有すること
が必要である。
3図と第5図は、記録後の状態、すなわち、光ビックア
ップ8からの記録用のレーザ光の照射したとき、光吸収
層2の局部的な熱変形をすることにより、基板1の表面
が一部変形され、ピット5が形成された状態を模式的に
示す。
深さ0.08μm1 ピッチ1.6μmのスパイラル
状のプレグループが形成された厚さ1. 2mms
外径120mmφ、内形15mmφのポリカーボネート
基板1を射出成形法により成形した。このポリカーボネ
ート基板lのロックウェル硬度ASTM D785は
、M75であり、熱変形温度ASTM D648は、
■32℃であった。
1.1′ ジブチル3, 3. 3’, 3’テ
トラメチル4, 5. 4’, 6’ ジベンゾ
インドジカーボシアニンバーク口レート(日本感光色素
■製、品番NK3219)を、ジアセ1・ンアルコール
溶剤10ccに溶解し、これを上記の基板1の表面に、
スピンコート法により塗布し、膜厚130nmの光吸収
層2を形成した。
全面にスパッタリング法により、膜厚50nmのAu膜
を成膜し、光反射層3を形成した。さらに、この光反射
層3の上に紫外線硬化性樹脂をスビンコートシ、これに
紫外線を照射して硬化させ、膜厚10μmの保護層4を
形成した。この保護層4の硬化後のロックウェル硬度A
STM785はM90であり、熱変形温度ASTM64
8は、150℃であった。
波長780nmの半導体レーザを線速1.2m/sec
t 記録パフーE3.0mWで照射し、EFM信号を
記録した。そして、この光ディスクを、市販のCDプレ
ーヤ(AurexXR−V73、再生光の波長λ=78
0nm)で再生したところ、半導体レーザの反射率が7
2%、1目/ItopがO.E35、I3/It。,が
0.35、ブロックエラーレ−1− B L E Rが
3.4X10−3であった。
+/It。,が0.6以上、I3/I,。,が0.3〜
0.6、ブロックエラーレートBLERが3X10−2
以下と定められており、この実施例による光ディスクは
、この規格を満足している。
4を剥離し、光吸収層2を溶剤で洗浄し、透光性基板1
の剥離面を電子顕微鏡で観察したところ、そこに窪み状
のビット5が形成されているのが確認された。
場合の実施例である。
リカーボネート基板(帝人化学製、パンライト)の上に
、上記と同様にして光吸収?2を形成した後、この上に
硬質層6として、膜厚50 nmのシリコンアクリル層
を形成し、その上に光反射層3として、真空蒸着法によ
り膜厚50nmのkg膜を形成し、さらにその上に上記
実施例1と同様の保護層4を形成した。
75であり、熱変形温度ASTME348は、135℃
であった。これに対し、上記硬質層6のロックウェル硬
度ASTM785はMIOOであり、熱変形温度AST
M648は、200℃であった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が71%、Iz/1■。,が0.63、Iz/I
t6.が0,33、ブロックエラーレートBLERが3
.5X10−3であった。
リカーボネートM板(三菱ガス化学製、ユービロン)の
上に、上記と同様にして光吸収層2を形成した後、この
上に硬質層6として、膜厚50nmのエポキシ樹脂層を
形成し、その上に光反射層3として、真空蒸着法により
膜厚50 nmのAu膜を形成し、さらにその上に上記
実施例lと同様の保護層4を形成した。
75であり、熱変形温度ASTM648は、132℃で
あった。これに対し、上記硬質層6のロックウェル硬度
ASTM785はM90であり、熱変形温度ASTM6
48は、140℃であった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が72%、I++/1,。。が0.62、I3/
Tt−が0.32、ブロックエラーレートBLERが
2.4XIO−3であった。
リスチレン基板の上に、上記と同様にして光吸収層2を
形成した後、この上に硬質層6として、膜厚50nmの
アクリル樹脂層を形成し、この上に結着性を高めるため
エポキシ樹脂をスビンコートしてから、光反射層3とし
て、真空蒸着法により膜厚50nmのAul摸を形成し
、さらにこの上に上記実施例1と同様の保護層4を形成
した。なお、上記基板のロックウェル硬度ASTM78
5はM80であり、熱変形温度ASTM648は、89
℃であった。
785はMIOOであり、熱変形温度ASTM648は
、100℃であった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が72%、Iz/1,。,が0.62,I3/I
topが0.31、ブロックエラーレ−1− B L
E Rが7.OXIO−3であった。
リメチルメタクリレート基板の上に、上記と同様にして
光吸収層2を形成した後、この上に硬質層6として、膜
厚50nmのポリエステル樹脂層を形成し、その上に光
反射層3として、真空蒸着法により膜厚50nmのAu
膜を形成し、さらにこの上に、結着性を高めるためエボ
キシ樹脂をスピンコートしてから、上記実施例lと同様
の保護層4を形成した。なお、上記基板のロックウェル
硬度ASTM785はM100であり、熱変形温度AS
TM648は、110℃であった。これに対し、上記硬
質層6のロックウェル硬度ASTM785はMl 10
であり、熱変形温度ASTM648は、115℃であっ
た。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が72%、III/I,。,が0.64、I3/
It。。が0634、ブロックエラーレートBLERが
8.OXIO−3であった。
リオレフィン基板の上に、L 1’ジブチル3、3、
3′ 3′テトラメチル5、5′ジエトキシインドジカ
ーボシアニンバーク口レートを用いて、上記実施例1と
同様の方法で光吸収層2を形成した後、この上に硬質層
6として、膜厚50nmのシリコンアクリル樹脂層を形
成し、その上に光反射層3として、真空蒸着法により膜
厚50nmのAu膜を形成し、さらにこの上に、結着性
を高めるためエポキシ樹脂をスピンコートしてから、上
記実施例1と同様の保護層4を形成した。なお、上記基
板のロックウェル硬度ASTM785はM75であり、
熱変形温度ASTM648は、140℃であった。これ
に対し、上記硬質層6のロックウェル硬度ASTM78
5はMIOOであり、熱変形温度A S T M 6
4 8 ハ、200’Ct’あった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が74%、III/I,。。が0. 6 1
1I 3/ I tapカO− 3 3、ブロッ’y
x−ラ−レ−トBLERが2.3XIO−’であった。
ポキシ樹脂基板の上に1、1′ ジブチル3、3、3′
3′テトラメチル5、5′ジエトキシインドジカーボ
シアニンパーク口レートを用いて、上記実施例1と同様
の方法で光吸収層2を形成した後、この上に硬質層6と
して、膜厚50nmのシリコン樹脂層を形成し、その上
に光反射層3として、真空蒸着法により膜Jjf50n
mのA1膜を形成し、さらにこの上に、上記実施例1と
同様の保護層4を形成した。
90であり、熱変形温度ASTM648は、135℃で
あった。これに対し、上記硬質層6のロックウェル硬度
ASTM785はM100であり、熱変形温度ASTM
648は、180℃であった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が73%、■目/I,。,がO.f31、rs/
It−。が0,30、ブロックエラーレートBLERが
2.OXIO−3であった。
リカーボネート基板(帝人化学製、パンライト)の上に
、上記と同様にして光吸収層2を形成した後、この上に
光反射層3として、真空蒸着法により膜厚50nmのA
g膜を形成し、この上に硬質層6として、膜厚50nm
のシリコンアクリル層を形成し、さらにこの上に上記実
施例1と同様の保護層4を形成した。なお、上記基板の
ロックウェル硬度ASTM785はM75であり、熱変
形温度ASTM648は、135℃であった。これに対
し、上記硬質層6のロックウェル硬度ASTM785+
*M100であり、熱変形温度ASTM648は、20
0℃であった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が71%、Iz/1,。,が0.64,Is/I
t。,が0.34、ブロックエラーレートBLERが3
.7XIO−3であった。
リカーボネート基板(三菱ガス価格化学製、ユーピロン
)の上に、上記と同様にして光吸収層2を形成した後、
その上に光反射層3として、真空蒸着法により膜厚50
nmのAU膜を形成し、さらにこの上に保護層を兼ねる
硬質層6として、膜厚50nmのエボキシ樹脂層を形成
した。なお、上記基板のロックウエル硬度ASTM78
5はM75であり、熱変形温度ASTM648は、13
5℃であった。これに対し、上記硬質層6のロックウェ
ル硬度ASTM785はM90であり、熱変形温度AS
TM648は、 140″Cであった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が72%、Iz/1,。,が0.63、13/
It..が0、33、ブロックエラーレートBLERが
2.7XlO−3であった。
リスチレン基板の上に、上記と同様にして光吸収層2を
形成した後、この上に光反射層3として、真空蒸着法に
より膜厚50nmのAu膜を形成し、この上に保護層を
兼ねる硬質層6として、膜厚50nmのアクリル樹脂層
を形成した。なお、上記基板のロックウェル硬度AST
M785はM80であり、熱変形温度ASTM648は
、89℃であった。これに対し、上記硬質層6のロック
ウェル硬度ASTM785はMIOOであり、熱変形温
度ASTM648は、 100″Cであった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が72%、[++/1,。.が0.63、I3/
Itopが0.32、ブロックエラーレートBLERが
7.IXIO−3であった。
リメチルメタクリレート基板の上に、上記と同様にして
光吸収層2を形成した後、その上に光反射層3として、
真空蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形成し、さら
にこの上に、結着性を富めるためエポキシ樹脂をスピン
コートしてから、保護層を兼ねる硬質層6として、膜厚
50 nmのポリエステル樹脂層を形成した。
IOOであり、熱変形温度ASTM648は、110℃
であった。これに対し、上記硬質層6のロックウェル硬
度ASTM785はM110であり、熱変形温度AST
M648は、115℃であった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が72%、Iz/I,。,が0.65、Is/I
t。,が0.34、ブロックエラーレ−1− B L
E Rが8.3X10−3であった。
リオレフィン基板の上に、t, t’ジブチル3、3
、3′ 3′テトラメチル5、5′ジエトキシインドジ
カーボシアニンパーク口レートを用いて、上記実施例1
と同様の方法で光吸収層2を形成した後、その上に光反
射屈3として、真空蒸着法により膜厚50nmのAU膜
を形成し、さらにこの上に、結着性を高めるためエポキ
シ樹脂をスピンコートしてから、保護層を兼ねる硬質層
6として、膜厚50nmのシリコンアクリル樹脂層を形
成した。なお、上記基板のロックウェル硬度ASTM7
85はM75であり、熱変形温度ASTM648は、1
40℃であった。これに対し、上記硬質層6のロックウ
ェル硬度ASTM785はM100であり、熱変形温度
ASTM648は、200℃であった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が71%、I++/1,。,が0.62.I3/
It。,が0534、ブロックエラーレー}BLERが
2.4X10−3であった。
ポキシ樹脂基板の上に1、1′ ジブチル3、3、3′
3′テトラメチル5、5′ジエトキシインドジカーボ
シアニンパーク口レートを用いて、上記実施例1と同様
の方法で光吸収層2を形成した後、その上に光反射層3
として、真空蒸着法により膜厚50nmのA1膜を形成
し、この上に保護層を兼ねる硬質層6として、膜厚50
nmのシリコン樹脂層を形成した。なお、上記基板のロ
ックウェル硬度ASTM785ほM90であり、熱変形
温度ASTM648は、■35℃であった。これに対し
、上記硬質層6のロソクウェル硬度ASTM785はM
100であり、熱変形温度ASTM648は、 180
″Cであった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が72%、■目/Itopが0.62、13/l
to−が0.32、ブロックエラーレートBLERが2
. IXIO−3であった。
た保護層4の硬化後のロックウェル硬度ASTM D
785を、M60、熱変形温度ASTM 0648を
4.6kg/cm2、90℃としたこと以外は、同実施
例と同様にして、光ディスクを製作した。
nmの半導体レーザを線速1.2m/seeで照射し、
EFM信号を記録したところ、基板1の板而側には、十
分明瞭なピットが確認できなかった。そして、この光デ
ィスクを、上記実施例lで用いたのと同じCDプレーヤ
で再生したところ、光ディスクの反射率が71%、Iz
/It.,が0.7、I3/Itopが0.37であっ
たが、ブロックエラーレ−1− B L E Rが1.
5X10−1あり、上述したCD規格を満足することが
できなかった。
方法によれば、レーザ光の照射により、基板の表面にC
Dに近似した凹状のピットを形成できると共に、光吸収
層の背後に光反射層を密着することもできることから、
CDに近似する層構造をとることができる。これによっ
て、CDフォーマットに準拠した記録可能な光情報記録
媒体が容易に得られる効果がある。
面斜視図、第2図は、第1図の光記録前の拡大断面図、
第3図は、第1図の光記録後の拡大断面図、第4図は、
他の実施例を示し光情報記録媒体の拡大断面図、第5図
は、その光記録後の拡大断面図ある。 l・・・基板 2・・・光吸収層 3・・・光反射層
4・・・保護層 6・・・硬質層
Claims (3)
- (1)透光性基板の上に、レーザ光の照射により局部的
な熱変形を伴う光吸収層と、その背後にレーザ光を反射
する光反射層を有する光情報記録媒体において、上記光
吸収層と上記光反射層との間に、同基板より熱変形しに
くい硬質層を有し、この硬質層が、ロックウェル硬度A
STM785においてM100以上、熱変形温度AST
M648において100℃(4.6kg/cm^2)以
上の何れか少なくとも一方の特性を有することを特徴と
する光情報記録媒体。 - (2)透光性基板の上に、レーザ光の照射により局部的
な熱変形を伴う光吸収層と、その背後にレーザ光を反射
する光反射層を有する光情報記録媒体において、レーザ
光が入射する透光性基板に対して、上記光反射層の背後
側に、同基板より熱変形しにくい硬質層を有し、この硬
質層が、ロックウェル硬度ASTM785においてM1
00以上、熱変形温度ASTM648において100℃
(4.6kg/cm^2)以上の何れか少なくとも一方
の特性を有することを特徴とする光情報記録媒体。 - (3)透光性基板の上に、レーザ光の照射により熱変形
を伴う光吸収層を有する光情報記録媒体を用い、上記基
板側から入射させたレーザ光を光吸収層に照射して、記
録データ再生用のピットを形成する光情報記録方法にお
いで、レーザ光の照射時の光吸収層の局部的な熱変形に
より、基板の表面を一部変形させて、ピットを形成する
ことを特徴とする光情報記録方法。
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