JPH02132649A - 光情報記録媒体とその記録方法 - Google Patents
光情報記録媒体とその記録方法Info
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- JPH02132649A JPH02132649A JP63270409A JP27040988A JPH02132649A JP H02132649 A JPH02132649 A JP H02132649A JP 63270409 A JP63270409 A JP 63270409A JP 27040988 A JP27040988 A JP 27040988A JP H02132649 A JPH02132649 A JP H02132649A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、レーザ光を照射し、その反射光により記録デ
ータを再生する光情報記録媒体とその記録方法に関する
。
ータを再生する光情報記録媒体とその記録方法に関する
。
［従来の技術コ
レーザ光の照射により、データを記録することができる
、いわゆる書き込み可能な光情報記録媒体は、Ｔ ｅｘ
Ｂ ＩＮ Ｍ ｎ等の金屈層や、シアニン、メロ
シアニン、フタロシアニン等の色素層等からなる記録層
を有し、レーザ光の照射により、上記記録層を変形、昇
華、蒸発或は変性させる等の手段で、ピットを形成し、
データを記録する。この記録層を有する光情報記録媒体
では、ビットを形成する際の記録層の変形、昇華、蒸発
或は変性等を容易にするため、記録層の背後に空隙を設
けることが一般に行なわれている。具体的には例えば、
空間部を挟んで２枚の基板を積層する、いわゆるエアサ
ンドイッチ構造と呼ばれる積層構造がとられる。
、いわゆる書き込み可能な光情報記録媒体は、Ｔ ｅｘ
Ｂ ＩＮ Ｍ ｎ等の金屈層や、シアニン、メロ
シアニン、フタロシアニン等の色素層等からなる記録層
を有し、レーザ光の照射により、上記記録層を変形、昇
華、蒸発或は変性させる等の手段で、ピットを形成し、
データを記録する。この記録層を有する光情報記録媒体
では、ビットを形成する際の記録層の変形、昇華、蒸発
或は変性等を容易にするため、記録層の背後に空隙を設
けることが一般に行なわれている。具体的には例えば、
空間部を挟んで２枚の基板を積層する、いわゆるエアサ
ンドイッチ構造と呼ばれる積層構造がとられる。
この光情報記録媒体では、上記透光性を存する基板１側
からレーザ光を照射し、ビットを形成する。そして、記
録したデータを再生するときは、上記基板Ｉ側から記録
時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ビットとそ
れ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みとる
。
からレーザ光を照射し、ビットを形成する。そして、記
録したデータを再生するときは、上記基板Ｉ側から記録
時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ビットとそ
れ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みとる
。
一方、予めデータが記録され、その後のデー夕の書き込
みや消去ができない、いわゆるＲＯＭ型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。こ
の種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持たず
、記録データを再生するためのプレビットやプレグルー
プを予めプレス等の手段でボリカーボネート製の基板の
上に形成し、この上にＡｕｓ Ａｇｚ Ｃｕ１Ａ
ｌ等の金属膜からなる光反射層を形成し、さらにこの上
を保護層で覆ったものである。
みや消去ができない、いわゆるＲＯＭ型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。こ
の種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持たず
、記録データを再生するためのプレビットやプレグルー
プを予めプレス等の手段でボリカーボネート製の基板の
上に形成し、この上にＡｕｓ Ａｇｚ Ｃｕ１Ａ
ｌ等の金属膜からなる光反射層を形成し、さらにこの上
を保護層で覆ったものである。
このＲＯＭ型光情報記録媒体で最も代表的なものが音響
部門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるＣＤであり、このＣＤの記録、再
生信号の仕様は、いわゆるＣＤフォーマットとして規格
化され、これに準拠する再生装置は、コンパクトディス
クプレーヤ（ＣＤプレーヤ）として極めて広く普及して
いる。
部門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるＣＤであり、このＣＤの記録、再
生信号の仕様は、いわゆるＣＤフォーマットとして規格
化され、これに準拠する再生装置は、コンパクトディス
クプレーヤ（ＣＤプレーヤ）として極めて広く普及して
いる。
［発明が解決しようとする課題コ
上記書き込み可能な光情報記録媒体は、やはりＣＤと同
じレーザ光を用いる記録、再生手段であるため、再生に
際し、既に広く普及したＣＤに準拠することが強《望ま
れる。
じレーザ光を用いる記録、再生手段であるため、再生に
際し、既に広く普及したＣＤに準拠することが強《望ま
れる。
しかしなから、前者の書き込み可能な光情報記録媒体は
、ＣＤには無い記録層を有し、基板にではなく、この記
録層にピットを形成して記録する手段がとられる。さら
に、この記録層にビットを形成するのを容易にするため
の空隙層等を有することから、再生信号が自ずとＣＤと
異なってくる。このため、いわゆるＣＤについての規格
を定めた上記ＣＤフｔ−マットを満足することが困難で
ある。従って、従来においては、ＣＤに準拠できる書き
込み可能な光情報記録媒体を提供することができなかっ
た。
、ＣＤには無い記録層を有し、基板にではなく、この記
録層にピットを形成して記録する手段がとられる。さら
に、この記録層にビットを形成するのを容易にするため
の空隙層等を有することから、再生信号が自ずとＣＤと
異なってくる。このため、いわゆるＣＤについての規格
を定めた上記ＣＤフｔ−マットを満足することが困難で
ある。従って、従来においては、ＣＤに準拠できる書き
込み可能な光情報記録媒体を提供することができなかっ
た。
本発明は、上記従来の問題点を解消するためなされたも
ので、その目的は、データの再生に際し、ＣＤフォーマ
ットに準拠する出力信号が得られる書き込みが可能な光
情報記録媒体とこの光情報記録媒体に適した情報記録方
法を提供することにある。
ので、その目的は、データの再生に際し、ＣＤフォーマ
ットに準拠する出力信号が得られる書き込みが可能な光
情報記録媒体とこの光情報記録媒体に適した情報記録方
法を提供することにある。
［課題を解決するための手段コ
すなわち、上記目的を達成するため、本発明において採
用した第一の手段の要旨は、透光性基板の上に、レーザ
光の照射により局部的な熱変形を伴う光吸収層と、その
背後にレーザ光を反射する光反射層を有する光情報記録
媒体においで、上記光吸収層と上記光反射層との間に、
同基板より熱変形しにくい硬質層を有し、この硬質層が
、ロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８５においてＭ１００以
上、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８においてｌＯＯ℃（４．
Ｅ３ｋｇ／ｃｒｎ２） 以上の何れか少なくとも
一方の特性を有する光情報記録媒体である。
用した第一の手段の要旨は、透光性基板の上に、レーザ
光の照射により局部的な熱変形を伴う光吸収層と、その
背後にレーザ光を反射する光反射層を有する光情報記録
媒体においで、上記光吸収層と上記光反射層との間に、
同基板より熱変形しにくい硬質層を有し、この硬質層が
、ロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８５においてＭ１００以
上、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８においてｌＯＯ℃（４．
Ｅ３ｋｇ／ｃｒｎ２） 以上の何れか少なくとも
一方の特性を有する光情報記録媒体である。
さらに、本発明において採用した第二の手段の要旨は、
透光性基板の上に、レーザ光の照射により局部的な熱変
形を伴う光吸収層と、その背後にレーザ光を反射する光
反射層を有する光情報記録媒体においで、レーザ光が入
射する透光性基板に対して、上記光反射層の背後側に、
同基板より熱変形しに《い硬質層を存し、この硬質層が
、ロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８５においてＭ１００以
上、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８において１００℃（４．
６ｋｇ／ａｍ２） 以上の何れか少なくとも一方の特
性を有する光情報記録媒体である。
透光性基板の上に、レーザ光の照射により局部的な熱変
形を伴う光吸収層と、その背後にレーザ光を反射する光
反射層を有する光情報記録媒体においで、レーザ光が入
射する透光性基板に対して、上記光反射層の背後側に、
同基板より熱変形しに《い硬質層を存し、この硬質層が
、ロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８５においてＭ１００以
上、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８において１００℃（４．
６ｋｇ／ａｍ２） 以上の何れか少なくとも一方の特
性を有する光情報記録媒体である。
さらに、本発明において採用した第三の手段の要旨は、
透光性基板の上に、レーザ光の照射により熱変形を伴う
光吸収層を有する光情報記録媒体を用い、上記基板側か
ら入射させたレーザ光を光吸収層に照射して、記録デー
タ再生用のビットを形成する光情報記録方法においで、
レーザ光の照射時の光吸収層の局部的な熱変形により、
基板の表面を一部変形させて、ピットを形成する光情報
記録方法である。
透光性基板の上に、レーザ光の照射により熱変形を伴う
光吸収層を有する光情報記録媒体を用い、上記基板側か
ら入射させたレーザ光を光吸収層に照射して、記録デー
タ再生用のビットを形成する光情報記録方法においで、
レーザ光の照射時の光吸収層の局部的な熱変形により、
基板の表面を一部変形させて、ピットを形成する光情報
記録方法である。
［作 用コ
第一と第二の手段による光情報記録媒体及び第三の手段
による光情報記録方法によれば、光吸収層にレーザ光を
照射したとき、同光吸収層がレーザ光を吸収して発熱し
、溶融、蒸発、昇華、反応、分解或は変性する等して、
局部的な熱変形がもたらされるが、このとき、光吸収層
の背後に熱変形しに《い硬質層を有することから、上記
光吸収層の熱変形を基板の表面で吸収するよう作用する
。このため、基板の表面が局部的に熱変形し、そこにピ
ットが形成される。
による光情報記録方法によれば、光吸収層にレーザ光を
照射したとき、同光吸収層がレーザ光を吸収して発熱し
、溶融、蒸発、昇華、反応、分解或は変性する等して、
局部的な熱変形がもたらされるが、このとき、光吸収層
の背後に熱変形しに《い硬質層を有することから、上記
光吸収層の熱変形を基板の表面で吸収するよう作用する
。このため、基板の表面が局部的に熱変形し、そこにピ
ットが形成される。
こうして、基板の表面に形成されるピットは、記録層に
形成されるのと異なり、予めプレス等の手段によって基
板の表面に形成されるビットに近似するものである。ま
た、光吸収層の背後に密着して金属層による光反射層を
設けることもできる。従って、形態的にもＣＤに近似し
た光情報記録媒体が得られ、ＣＤフォーマッ１・に準拠
した記録可能な光情報記録媒体が容易に得られる。
形成されるのと異なり、予めプレス等の手段によって基
板の表面に形成されるビットに近似するものである。ま
た、光吸収層の背後に密着して金属層による光反射層を
設けることもできる。従って、形態的にもＣＤに近似し
た光情報記録媒体が得られ、ＣＤフォーマッ１・に準拠
した記録可能な光情報記録媒体が容易に得られる。
［実 施 例］
次に、図面を参照しなから、本発明の実施例について詳
細に説明する。
細に説明する。
本発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、第
１図〜第３図に示す。同図においで、ｌは、透光性を有
する基板、２は、その上に形成された光吸収層で、照射
されたレーザ光を吸収して発熱し、溶融、蒸発、昇華、
変形または変性し、当該光吸収層２や基板１の表面にピ
ットを形成する作用を有する層である。また３は、その
上に形成された光反射層、４は、その外側に設けられた
保護層を示す。
１図〜第３図に示す。同図においで、ｌは、透光性を有
する基板、２は、その上に形成された光吸収層で、照射
されたレーザ光を吸収して発熱し、溶融、蒸発、昇華、
変形または変性し、当該光吸収層２や基板１の表面にピ
ットを形成する作用を有する層である。また３は、その
上に形成された光反射層、４は、その外側に設けられた
保護層を示す。
第１図〜第３図で示した実施例は、光吸収層２と光反射
層３との間に、硬質層６が介在されている場合である。
層３との間に、硬質層６が介在されている場合である。
また、第４図と第５図で示した実施例は、光反射層３の
背後に硬質層６を配置した場合である。さらに、図示し
てはいないが、保護層４に硬質層としての機能を持たせ
ることができる。何れに場合も、硬質層は、基板より熱
変形しにくいもので形成され、かつそのロックウェル硬
度ＡＳＴＭ７８５においてＭ１００以上、熱変形温度Ａ
ＳＴＭ６４８において１００℃（４．６ｋｓｒ／ａｍ２
） 以上の何れか少なくとも一方の特性を有すること
が必要である。
背後に硬質層６を配置した場合である。さらに、図示し
てはいないが、保護層４に硬質層としての機能を持たせ
ることができる。何れに場合も、硬質層は、基板より熱
変形しにくいもので形成され、かつそのロックウェル硬
度ＡＳＴＭ７８５においてＭ１００以上、熱変形温度Ａ
ＳＴＭ６４８において１００℃（４．６ｋｓｒ／ａｍ２
） 以上の何れか少なくとも一方の特性を有すること
が必要である。
第２図と第４図は、レーザ光による記録前の状態を、第
３図と第５図は、記録後の状態、すなわち、光ビックア
ップ８からの記録用のレーザ光の照射したとき、光吸収
層２の局部的な熱変形をすることにより、基板１の表面
が一部変形され、ピット５が形成された状態を模式的に
示す。
３図と第５図は、記録後の状態、すなわち、光ビックア
ップ８からの記録用のレーザ光の照射したとき、光吸収
層２の局部的な熱変形をすることにより、基板１の表面
が一部変形され、ピット５が形成された状態を模式的に
示す。
この構成の具体例について、以下に説明する。
（実施例１）
直径４６〜ｌｌ７ｍｍφの範囲に、幅０．８μｍ１
深さ０．０８μｍ１ ピッチ１．６μｍのスパイラル
状のプレグループが形成された厚さ１． ２ｍｍｓ
外径１２０ｍｍφ、内形１５ｍｍφのポリカーボネート
基板１を射出成形法により成形した。このポリカーボネ
ート基板ｌのロックウェル硬度ＡＳＴＭ Ｄ７８５は
、Ｍ７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭ Ｄ６４８は、
■３２℃であった。
深さ０．０８μｍ１ ピッチ１．６μｍのスパイラル
状のプレグループが形成された厚さ１． ２ｍｍｓ
外径１２０ｍｍφ、内形１５ｍｍφのポリカーボネート
基板１を射出成形法により成形した。このポリカーボネ
ート基板ｌのロックウェル硬度ＡＳＴＭ Ｄ７８５は
、Ｍ７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭ Ｄ６４８は、
■３２℃であった。
保護膜を形成するための有機色素として、０．６５ｇの
１．１′ ジブチル３， ３． ３’， ３’テ
トラメチル４， ５． ４’， ６’ ジベンゾ
インドジカーボシアニンバーク口レート（日本感光色素
■製、品番ＮＫ３２１９）を、ジアセ１・ンアルコール
溶剤１０ｃｃに溶解し、これを上記の基板１の表面に、
スピンコート法により塗布し、膜厚１３０ｎｍの光吸収
層２を形成した。
１．１′ ジブチル３， ３． ３’， ３’テ
トラメチル４， ５． ４’， ６’ ジベンゾ
インドジカーボシアニンバーク口レート（日本感光色素
■製、品番ＮＫ３２１９）を、ジアセ１・ンアルコール
溶剤１０ｃｃに溶解し、これを上記の基板１の表面に、
スピンコート法により塗布し、膜厚１３０ｎｍの光吸収
層２を形成した。
次に、このディスクの直径４５〜１１８ｍｍφの領域の
全面にスパッタリング法により、膜厚５０ｎｍのＡｕ膜
を成膜し、光反射層３を形成した。さらに、この光反射
層３の上に紫外線硬化性樹脂をスビンコートシ、これに
紫外線を照射して硬化させ、膜厚１０μｍの保護層４を
形成した。この保護層４の硬化後のロックウェル硬度Ａ
ＳＴＭ７８５はＭ９０であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４
８は、１５０℃であった。
全面にスパッタリング法により、膜厚５０ｎｍのＡｕ膜
を成膜し、光反射層３を形成した。さらに、この光反射
層３の上に紫外線硬化性樹脂をスビンコートシ、これに
紫外線を照射して硬化させ、膜厚１０μｍの保護層４を
形成した。この保護層４の硬化後のロックウェル硬度Ａ
ＳＴＭ７８５はＭ９０であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４
８は、１５０℃であった。
こうして得られた光ディスクの上記記録可能領域７に、
波長７８０ｎｍの半導体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｃ
ｔ 記録パフーＥ３．０ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を
記録した。そして、この光ディスクを、市販のＣＤプレ
ーヤ（ＡｕｒｅｘＸＲ−Ｖ７３、再生光の波長λ＝７８
０ｎｍ）で再生したところ、半導体レーザの反射率が７
２％、１目／ＩｔｏｐがＯ．Ｅ３５、Ｉ３／Ｉｔ。，が
０．３５、ブロックエラーレ−１− Ｂ Ｌ Ｅ Ｒが
３．４Ｘ１０−３であった。
波長７８０ｎｍの半導体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｃ
ｔ 記録パフーＥ３．０ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を
記録した。そして、この光ディスクを、市販のＣＤプレ
ーヤ（ＡｕｒｅｘＸＲ−Ｖ７３、再生光の波長λ＝７８
０ｎｍ）で再生したところ、半導体レーザの反射率が７
２％、１目／ＩｔｏｐがＯ．Ｅ３５、Ｉ３／Ｉｔ。，が
０．３５、ブロックエラーレ−１− Ｂ Ｌ Ｅ Ｒが
３．４Ｘ１０−３であった。
ＣＤ規格では、反射率が７０％以上、９０％以下、Ｉ＋
＋／Ｉｔ。，が０．６以上、Ｉ３／Ｉ，。，が０．３〜
０．６、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３Ｘ１０−２
以下と定められており、この実施例による光ディスクは
、この規格を満足している。
＋／Ｉｔ。，が０．６以上、Ｉ３／Ｉ，。，が０．３〜
０．６、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３Ｘ１０−２
以下と定められており、この実施例による光ディスクは
、この規格を満足している。
さらに、上記記録後の光ディスクの保護層４と光反射層
４を剥離し、光吸収層２を溶剤で洗浄し、透光性基板１
の剥離面を電子顕微鏡で観察したところ、そこに窪み状
のビット５が形成されているのが確認された。
４を剥離し、光吸収層２を溶剤で洗浄し、透光性基板１
の剥離面を電子顕微鏡で観察したところ、そこに窪み状
のビット５が形成されているのが確認された。
なお、この実施例は、保護層４を硬質層として利用した
場合の実施例である。
場合の実施例である。
（実施例２）
上記実施例Ｉと同様の形状及びプレグループを有するポ
リカーボネート基板（帝人化学製、パンライト）の上に
、上記と同様にして光吸収？２を形成した後、この上に
硬質層６として、膜厚５０ ｎｍのシリコンアクリル層
を形成し、その上に光反射層３として、真空蒸着法によ
り膜厚５０ｎｍのｋｇ膜を形成し、さらにその上に上記
実施例１と同様の保護層４を形成した。
リカーボネート基板（帝人化学製、パンライト）の上に
、上記と同様にして光吸収？２を形成した後、この上に
硬質層６として、膜厚５０ ｎｍのシリコンアクリル層
を形成し、その上に光反射層３として、真空蒸着法によ
り膜厚５０ｎｍのｋｇ膜を形成し、さらにその上に上記
実施例１と同様の保護層４を形成した。
なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８５はＭ
７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭＥ３４８は、１３５℃
であった。これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬
度ＡＳＴＭ７８５はＭＩＯＯであり、熱変形温度ＡＳＴ
Ｍ６４８は、２００℃であった。
７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭＥ３４８は、１３５℃
であった。これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬
度ＡＳＴＭ７８５はＭＩＯＯであり、熱変形温度ＡＳＴ
Ｍ６４８は、２００℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７１％、Ｉｚ／１■。，が０．６３、Ｉｚ／Ｉ
ｔ６．が０，３３、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３
．５Ｘ１０−３であった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７１％、Ｉｚ／１■。，が０．６３、Ｉｚ／Ｉ
ｔ６．が０，３３、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３
．５Ｘ１０−３であった。
（実施例３）
上記実施例ｌと同様の形状及びプレグループを有するポ
リカーボネートＭ板（三菱ガス化学製、ユービロン）の
上に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、この
上に硬質層６として、膜厚５０ｎｍのエポキシ樹脂層を
形成し、その上に光反射層３として、真空蒸着法により
膜厚５０ ｎｍのＡｕ膜を形成し、さらにその上に上記
実施例ｌと同様の保護層４を形成した。
リカーボネートＭ板（三菱ガス化学製、ユービロン）の
上に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、この
上に硬質層６として、膜厚５０ｎｍのエポキシ樹脂層を
形成し、その上に光反射層３として、真空蒸着法により
膜厚５０ ｎｍのＡｕ膜を形成し、さらにその上に上記
実施例ｌと同様の保護層４を形成した。
なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８５はＭ
７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は、１３２℃で
あった。これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬度
ＡＳＴＭ７８５はＭ９０であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６
４８は、１４０℃であった。
７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は、１３２℃で
あった。これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬度
ＡＳＴＭ７８５はＭ９０であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６
４８は、１４０℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例ｌと同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、Ｉ＋＋／１，。。が０．６２、Ｉ３／
Ｔｔ−が０．３２、ブロックエラーレートＢＬＥＲが
２．４ＸＩＯ−３であった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、Ｉ＋＋／１，。。が０．６２、Ｉ３／
Ｔｔ−が０．３２、ブロックエラーレートＢＬＥＲが
２．４ＸＩＯ−３であった。
（実施例４）
上記実施例１と同様の形状及びプレグループを有するボ
リスチレン基板の上に、上記と同様にして光吸収層２を
形成した後、この上に硬質層６として、膜厚５０ｎｍの
アクリル樹脂層を形成し、この上に結着性を高めるため
エポキシ樹脂をスビンコートしてから、光反射層３とし
て、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍのＡｕｌ摸を形成し
、さらにこの上に上記実施例１と同様の保護層４を形成
した。なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８
５はＭ８０であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は、８９
℃であった。
リスチレン基板の上に、上記と同様にして光吸収層２を
形成した後、この上に硬質層６として、膜厚５０ｎｍの
アクリル樹脂層を形成し、この上に結着性を高めるため
エポキシ樹脂をスビンコートしてから、光反射層３とし
て、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍのＡｕｌ摸を形成し
、さらにこの上に上記実施例１と同様の保護層４を形成
した。なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８
５はＭ８０であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は、８９
℃であった。
これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬度ＡＳＴＭ
７８５はＭＩＯＯであり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は
、１００℃であった。
７８５はＭＩＯＯであり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は
、１００℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、Ｉｚ／１，。，が０．６２，Ｉ３／Ｉ
ｔｏｐが０．３１、ブロックエラーレ−１− Ｂ Ｌ
Ｅ Ｒが７．ＯＸＩＯ−３であった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、Ｉｚ／１，。，が０．６２，Ｉ３／Ｉ
ｔｏｐが０．３１、ブロックエラーレ−１− Ｂ Ｌ
Ｅ Ｒが７．ＯＸＩＯ−３であった。
（実施例５）
上記実施例１と同様の形状及びプレグループを存するポ
リメチルメタクリレート基板の上に、上記と同様にして
光吸収層２を形成した後、この上に硬質層６として、膜
厚５０ｎｍのポリエステル樹脂層を形成し、その上に光
反射層３として、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍのＡｕ
膜を形成し、さらにこの上に、結着性を高めるためエボ
キシ樹脂をスピンコートしてから、上記実施例ｌと同様
の保護層４を形成した。なお、上記基板のロックウェル
硬度ＡＳＴＭ７８５はＭ１００であり、熱変形温度ＡＳ
ＴＭ６４８は、１１０℃であった。これに対し、上記硬
質層６のロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８５はＭｌ １０
であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は、１１５℃であっ
た。
リメチルメタクリレート基板の上に、上記と同様にして
光吸収層２を形成した後、この上に硬質層６として、膜
厚５０ｎｍのポリエステル樹脂層を形成し、その上に光
反射層３として、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍのＡｕ
膜を形成し、さらにこの上に、結着性を高めるためエボ
キシ樹脂をスピンコートしてから、上記実施例ｌと同様
の保護層４を形成した。なお、上記基板のロックウェル
硬度ＡＳＴＭ７８５はＭ１００であり、熱変形温度ＡＳ
ＴＭ６４８は、１１０℃であった。これに対し、上記硬
質層６のロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８５はＭｌ １０
であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は、１１５℃であっ
た。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、ＩＩＩ／Ｉ，。，が０．６４、Ｉ３／
Ｉｔ。。が０６３４、ブロックエラーレートＢＬＥＲが
８．ＯＸＩＯ−３であった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、ＩＩＩ／Ｉ，。，が０．６４、Ｉ３／
Ｉｔ。。が０６３４、ブロックエラーレートＢＬＥＲが
８．ＯＸＩＯ−３であった。
（実施例６）
上記実施例１と同様の形状及びプレグループを有するポ
リオレフィン基板の上に、Ｌ １’ジブチル３、３、
３′ ３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカ
ーボシアニンバーク口レートを用いて、上記実施例１と
同様の方法で光吸収層２を形成した後、この上に硬質層
６として、膜厚５０ｎｍのシリコンアクリル樹脂層を形
成し、その上に光反射層３として、真空蒸着法により膜
厚５０ｎｍのＡｕ膜を形成し、さらにこの上に、結着性
を高めるためエポキシ樹脂をスピンコートしてから、上
記実施例１と同様の保護層４を形成した。なお、上記基
板のロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８５はＭ７５であり、
熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は、１４０℃であった。これ
に対し、上記硬質層６のロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８
５はＭＩＯＯであり、熱変形温度Ａ Ｓ Ｔ Ｍ ６
４ ８ ハ、２００’Ｃｔ’あった。
リオレフィン基板の上に、Ｌ １’ジブチル３、３、
３′ ３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカ
ーボシアニンバーク口レートを用いて、上記実施例１と
同様の方法で光吸収層２を形成した後、この上に硬質層
６として、膜厚５０ｎｍのシリコンアクリル樹脂層を形
成し、その上に光反射層３として、真空蒸着法により膜
厚５０ｎｍのＡｕ膜を形成し、さらにこの上に、結着性
を高めるためエポキシ樹脂をスピンコートしてから、上
記実施例１と同様の保護層４を形成した。なお、上記基
板のロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８５はＭ７５であり、
熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は、１４０℃であった。これ
に対し、上記硬質層６のロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８
５はＭＩＯＯであり、熱変形温度Ａ Ｓ Ｔ Ｍ ６
４ ８ ハ、２００’Ｃｔ’あった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７４％、ＩＩＩ／Ｉ，。。が０． ６ １
１Ｉ ３／ Ｉ ｔａｐカＯ− ３ ３、ブロッ’ｙ
ｘ−ラ−レ−トＢＬＥＲが２．３ＸＩＯ−’であった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７４％、ＩＩＩ／Ｉ，。。が０． ６ １
１Ｉ ３／ Ｉ ｔａｐカＯ− ３ ３、ブロッ’ｙ
ｘ−ラ−レ−トＢＬＥＲが２．３ＸＩＯ−’であった。
（実施例７）
上記実施例１と同様の形状及びプレグループを有するエ
ポキシ樹脂基板の上に１、１′ ジブチル３、３、３′
３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカーボ
シアニンパーク口レートを用いて、上記実施例１と同様
の方法で光吸収層２を形成した後、この上に硬質層６と
して、膜厚５０ｎｍのシリコン樹脂層を形成し、その上
に光反射層３として、真空蒸着法により膜Ｊｊｆ５０ｎ
ｍのＡ１膜を形成し、さらにこの上に、上記実施例１と
同様の保護層４を形成した。
ポキシ樹脂基板の上に１、１′ ジブチル３、３、３′
３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカーボ
シアニンパーク口レートを用いて、上記実施例１と同様
の方法で光吸収層２を形成した後、この上に硬質層６と
して、膜厚５０ｎｍのシリコン樹脂層を形成し、その上
に光反射層３として、真空蒸着法により膜Ｊｊｆ５０ｎ
ｍのＡ１膜を形成し、さらにこの上に、上記実施例１と
同様の保護層４を形成した。
なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８５はＭ
９０であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は、１３５℃で
あった。これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬度
ＡＳＴＭ７８５はＭ１００であり、熱変形温度ＡＳＴＭ
６４８は、１８０℃であった。
９０であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は、１３５℃で
あった。これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬度
ＡＳＴＭ７８５はＭ１００であり、熱変形温度ＡＳＴＭ
６４８は、１８０℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７３％、■目／Ｉ，。，がＯ．ｆ３１、ｒｓ／
Ｉｔ−。が０，３０、ブロックエラーレートＢＬＥＲが
２．ＯＸＩＯ−３であった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７３％、■目／Ｉ，。，がＯ．ｆ３１、ｒｓ／
Ｉｔ−。が０，３０、ブロックエラーレートＢＬＥＲが
２．ＯＸＩＯ−３であった。
（実施例８）
上記実施例１と同様の形状及びプレグループを存するポ
リカーボネート基板（帝人化学製、パンライト）の上に
、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、この上に
光反射層３として、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍのＡ
ｇ膜を形成し、この上に硬質層６として、膜厚５０ｎｍ
のシリコンアクリル層を形成し、さらにこの上に上記実
施例１と同様の保護層４を形成した。なお、上記基板の
ロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８５はＭ７５であり、熱変
形温度ＡＳＴＭ６４８は、１３５℃であった。これに対
し、上記硬質層６のロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８５＋
＊Ｍ１００であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は、２０
０℃であった。
リカーボネート基板（帝人化学製、パンライト）の上に
、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、この上に
光反射層３として、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍのＡ
ｇ膜を形成し、この上に硬質層６として、膜厚５０ｎｍ
のシリコンアクリル層を形成し、さらにこの上に上記実
施例１と同様の保護層４を形成した。なお、上記基板の
ロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８５はＭ７５であり、熱変
形温度ＡＳＴＭ６４８は、１３５℃であった。これに対
し、上記硬質層６のロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８５＋
＊Ｍ１００であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は、２０
０℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例Ｉと同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７１％、Ｉｚ／１，。，が０．６４，Ｉｓ／Ｉ
ｔ。，が０．３４、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３
．７ＸＩＯ−３であった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７１％、Ｉｚ／１，。，が０．６４，Ｉｓ／Ｉ
ｔ。，が０．３４、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３
．７ＸＩＯ−３であった。
（実施例９）
上記実施例１と同様の形状及びプレグループを有するポ
リカーボネート基板（三菱ガス価格化学製、ユーピロン
）の上に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、
その上に光反射層３として、真空蒸着法により膜厚５０
ｎｍのＡＵ膜を形成し、さらにこの上に保護層を兼ねる
硬質層６として、膜厚５０ｎｍのエボキシ樹脂層を形成
した。なお、上記基板のロックウエル硬度ＡＳＴＭ７８
５はＭ７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は、１３
５℃であった。これに対し、上記硬質層６のロックウェ
ル硬度ＡＳＴＭ７８５はＭ９０であり、熱変形温度ＡＳ
ＴＭ６４８は、 １４０″Ｃであった。
リカーボネート基板（三菱ガス価格化学製、ユーピロン
）の上に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、
その上に光反射層３として、真空蒸着法により膜厚５０
ｎｍのＡＵ膜を形成し、さらにこの上に保護層を兼ねる
硬質層６として、膜厚５０ｎｍのエボキシ樹脂層を形成
した。なお、上記基板のロックウエル硬度ＡＳＴＭ７８
５はＭ７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は、１３
５℃であった。これに対し、上記硬質層６のロックウェ
ル硬度ＡＳＴＭ７８５はＭ９０であり、熱変形温度ＡＳ
ＴＭ６４８は、 １４０″Ｃであった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、Ｉｚ／１，。，が０．６３、１３／
Ｉｔ．．が０、３３、ブロックエラーレートＢＬＥＲが
２．７ＸｌＯ−３であった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、Ｉｚ／１，。，が０．６３、１３／
Ｉｔ．．が０、３３、ブロックエラーレートＢＬＥＲが
２．７ＸｌＯ−３であった。
（実施例１０）
上記実施例１と同様の形状及びプレグループを仔するボ
リスチレン基板の上に、上記と同様にして光吸収層２を
形成した後、この上に光反射層３として、真空蒸着法に
より膜厚５０ｎｍのＡｕ膜を形成し、この上に保護層を
兼ねる硬質層６として、膜厚５０ｎｍのアクリル樹脂層
を形成した。なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴ
Ｍ７８５はＭ８０であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は
、８９℃であった。これに対し、上記硬質層６のロック
ウェル硬度ＡＳＴＭ７８５はＭＩＯＯであり、熱変形温
度ＡＳＴＭ６４８は、 １００″Ｃであった。
リスチレン基板の上に、上記と同様にして光吸収層２を
形成した後、この上に光反射層３として、真空蒸着法に
より膜厚５０ｎｍのＡｕ膜を形成し、この上に保護層を
兼ねる硬質層６として、膜厚５０ｎｍのアクリル樹脂層
を形成した。なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴ
Ｍ７８５はＭ８０であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は
、８９℃であった。これに対し、上記硬質層６のロック
ウェル硬度ＡＳＴＭ７８５はＭＩＯＯであり、熱変形温
度ＡＳＴＭ６４８は、 １００″Ｃであった。
この光ディスクについて、上記実施例ｌと同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、［＋＋／１，。．が０．６３、Ｉ３／
Ｉｔｏｐが０．３２、ブロックエラーレートＢＬＥＲが
７．ＩＸＩＯ−３であった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、［＋＋／１，。．が０．６３、Ｉ３／
Ｉｔｏｐが０．３２、ブロックエラーレートＢＬＥＲが
７．ＩＸＩＯ−３であった。
（実施例１１）
上記実施例１と同様の形状及びプレグループを有するポ
リメチルメタクリレート基板の上に、上記と同様にして
光吸収層２を形成した後、その上に光反射層３として、
真空蒸着法により膜厚５０ｎｍのＡｕ膜を形成し、さら
にこの上に、結着性を富めるためエポキシ樹脂をスピン
コートしてから、保護層を兼ねる硬質層６として、膜厚
５０ ｎｍのポリエステル樹脂層を形成した。
リメチルメタクリレート基板の上に、上記と同様にして
光吸収層２を形成した後、その上に光反射層３として、
真空蒸着法により膜厚５０ｎｍのＡｕ膜を形成し、さら
にこの上に、結着性を富めるためエポキシ樹脂をスピン
コートしてから、保護層を兼ねる硬質層６として、膜厚
５０ ｎｍのポリエステル樹脂層を形成した。
なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８５はＭ
ＩＯＯであり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は、１１０℃
であった。これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬
度ＡＳＴＭ７８５はＭ１１０であり、熱変形温度ＡＳＴ
Ｍ６４８は、１１５℃であった。
ＩＯＯであり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は、１１０℃
であった。これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬
度ＡＳＴＭ７８５はＭ１１０であり、熱変形温度ＡＳＴ
Ｍ６４８は、１１５℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、Ｉｚ／Ｉ，。，が０．６５、Ｉｓ／Ｉ
ｔ。，が０．３４、ブロックエラーレ−１− Ｂ Ｌ
Ｅ Ｒが８．３Ｘ１０−３であった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、Ｉｚ／Ｉ，。，が０．６５、Ｉｓ／Ｉ
ｔ。，が０．３４、ブロックエラーレ−１− Ｂ Ｌ
Ｅ Ｒが８．３Ｘ１０−３であった。
（実施例１２）
上記実施例１と同様の形状及びプレグループを有するポ
リオレフィン基板の上に、ｔ， ｔ’ジブチル３、３
、３′ ３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジ
カーボシアニンパーク口レートを用いて、上記実施例１
と同様の方法で光吸収層２を形成した後、その上に光反
射屈３として、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍのＡＵ膜
を形成し、さらにこの上に、結着性を高めるためエポキ
シ樹脂をスピンコートしてから、保護層を兼ねる硬質層
６として、膜厚５０ｎｍのシリコンアクリル樹脂層を形
成した。なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴＭ７
８５はＭ７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は、１
４０℃であった。これに対し、上記硬質層６のロックウ
ェル硬度ＡＳＴＭ７８５はＭ１００であり、熱変形温度
ＡＳＴＭ６４８は、２００℃であった。
リオレフィン基板の上に、ｔ， ｔ’ジブチル３、３
、３′ ３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジ
カーボシアニンパーク口レートを用いて、上記実施例１
と同様の方法で光吸収層２を形成した後、その上に光反
射屈３として、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍのＡＵ膜
を形成し、さらにこの上に、結着性を高めるためエポキ
シ樹脂をスピンコートしてから、保護層を兼ねる硬質層
６として、膜厚５０ｎｍのシリコンアクリル樹脂層を形
成した。なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴＭ７
８５はＭ７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は、１
４０℃であった。これに対し、上記硬質層６のロックウ
ェル硬度ＡＳＴＭ７８５はＭ１００であり、熱変形温度
ＡＳＴＭ６４８は、２００℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例ｌと同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７１％、Ｉ＋＋／１，。，が０．６２．Ｉ３／
Ｉｔ。，が０５３４、ブロックエラーレー｝ＢＬＥＲが
２．４Ｘ１０−３であった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７１％、Ｉ＋＋／１，。，が０．６２．Ｉ３／
Ｉｔ。，が０５３４、ブロックエラーレー｝ＢＬＥＲが
２．４Ｘ１０−３であった。
（実施例１３）
上記実施例１と同様の形状及びプレグループを有するエ
ポキシ樹脂基板の上に１、１′ ジブチル３、３、３′
３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカーボ
シアニンパーク口レートを用いて、上記実施例１と同様
の方法で光吸収層２を形成した後、その上に光反射層３
として、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍのＡ１膜を形成
し、この上に保護層を兼ねる硬質層６として、膜厚５０
ｎｍのシリコン樹脂層を形成した。なお、上記基板のロ
ックウェル硬度ＡＳＴＭ７８５ほＭ９０であり、熱変形
温度ＡＳＴＭ６４８は、■３５℃であった。これに対し
、上記硬質層６のロソクウェル硬度ＡＳＴＭ７８５はＭ
１００であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は、 １８０
″Ｃであった。
ポキシ樹脂基板の上に１、１′ ジブチル３、３、３′
３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカーボ
シアニンパーク口レートを用いて、上記実施例１と同様
の方法で光吸収層２を形成した後、その上に光反射層３
として、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍのＡ１膜を形成
し、この上に保護層を兼ねる硬質層６として、膜厚５０
ｎｍのシリコン樹脂層を形成した。なお、上記基板のロ
ックウェル硬度ＡＳＴＭ７８５ほＭ９０であり、熱変形
温度ＡＳＴＭ６４８は、■３５℃であった。これに対し
、上記硬質層６のロソクウェル硬度ＡＳＴＭ７８５はＭ
１００であり、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８は、 １８０
″Ｃであった。
この光ディスクについて、上記実施例Ｉと同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、■目／Ｉｔｏｐが０．６２、１３／ｌ
ｔｏ−が０．３２、ブロックエラーレートＢＬＥＲが２
． ＩＸＩＯ−３であった。
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、■目／Ｉｔｏｐが０．６２、１３／ｌ
ｔｏ−が０．３２、ブロックエラーレートＢＬＥＲが２
． ＩＸＩＯ−３であった。
（比較例）
上記実施例においで、紫外線硬化性樹脂により形成され
た保護層４の硬化後のロックウェル硬度ＡＳＴＭ Ｄ
７８５を、Ｍ６０、熱変形温度ＡＳＴＭ ０６４８を
４．６ｋｇ／ｃｍ２、９０℃としたこと以外は、同実施
例と同様にして、光ディスクを製作した。
た保護層４の硬化後のロックウェル硬度ＡＳＴＭ Ｄ
７８５を、Ｍ６０、熱変形温度ＡＳＴＭ ０６４８を
４．６ｋｇ／ｃｍ２、９０℃としたこと以外は、同実施
例と同様にして、光ディスクを製作した。
この光ディスクに、上記実施例と同様にして波長７８０
ｎｍの半導体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｅで照射し、
ＥＦＭ信号を記録したところ、基板１の板而側には、十
分明瞭なピットが確認できなかった。そして、この光デ
ィスクを、上記実施例ｌで用いたのと同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、光ディスクの反射率が７１％、Ｉｚ
／Ｉｔ．，が０．７、Ｉ３／Ｉｔｏｐが０．３７であっ
たが、ブロックエラーレ−１− Ｂ Ｌ Ｅ Ｒが１．
５Ｘ１０−１あり、上述したＣＤ規格を満足することが
できなかった。
ｎｍの半導体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｅで照射し、
ＥＦＭ信号を記録したところ、基板１の板而側には、十
分明瞭なピットが確認できなかった。そして、この光デ
ィスクを、上記実施例ｌで用いたのと同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、光ディスクの反射率が７１％、Ｉｚ
／Ｉｔ．，が０．７、Ｉ３／Ｉｔｏｐが０．３７であっ
たが、ブロックエラーレ−１− Ｂ Ｌ Ｅ Ｒが１．
５Ｘ１０−１あり、上述したＣＤ規格を満足することが
できなかった。
［発明の効果コ
以上説明した通り、本発明の光情報記録媒体とその記録
方法によれば、レーザ光の照射により、基板の表面にＣ
Ｄに近似した凹状のピットを形成できると共に、光吸収
層の背後に光反射層を密着することもできることから、
ＣＤに近似する層構造をとることができる。これによっ
て、ＣＤフォーマットに準拠した記録可能な光情報記録
媒体が容易に得られる効果がある。
方法によれば、レーザ光の照射により、基板の表面にＣ
Ｄに近似した凹状のピットを形成できると共に、光吸収
層の背後に光反射層を密着することもできることから、
ＣＤに近似する層構造をとることができる。これによっ
て、ＣＤフォーマットに準拠した記録可能な光情報記録
媒体が容易に得られる効果がある。
第１図は、光情報記録媒体の構造の一例を示す模式半断
面斜視図、第２図は、第１図の光記録前の拡大断面図、
第３図は、第１図の光記録後の拡大断面図、第４図は、
他の実施例を示し光情報記録媒体の拡大断面図、第５図
は、その光記録後の拡大断面図ある。 ｌ・・・基板 ２・・・光吸収層 ３・・・光反射層
４・・・保護層 ６・・・硬質層
面斜視図、第２図は、第１図の光記録前の拡大断面図、
第３図は、第１図の光記録後の拡大断面図、第４図は、
他の実施例を示し光情報記録媒体の拡大断面図、第５図
は、その光記録後の拡大断面図ある。 ｌ・・・基板 ２・・・光吸収層 ３・・・光反射層
４・・・保護層 ６・・・硬質層
Claims (3)
- （１）透光性基板の上に、レーザ光の照射により局部的
な熱変形を伴う光吸収層と、その背後にレーザ光を反射
する光反射層を有する光情報記録媒体において、上記光
吸収層と上記光反射層との間に、同基板より熱変形しに
くい硬質層を有し、この硬質層が、ロックウェル硬度Ａ
ＳＴＭ７８５においてＭ１００以上、熱変形温度ＡＳＴ
Ｍ６４８において１００℃（４．６ｋｇ／ｃｍ＾２）以
上の何れか少なくとも一方の特性を有することを特徴と
する光情報記録媒体。 - （２）透光性基板の上に、レーザ光の照射により局部的
な熱変形を伴う光吸収層と、その背後にレーザ光を反射
する光反射層を有する光情報記録媒体において、レーザ
光が入射する透光性基板に対して、上記光反射層の背後
側に、同基板より熱変形しにくい硬質層を有し、この硬
質層が、ロックウェル硬度ＡＳＴＭ７８５においてＭ１
００以上、熱変形温度ＡＳＴＭ６４８において１００℃
（４．６ｋｇ／ｃｍ＾２）以上の何れか少なくとも一方
の特性を有することを特徴とする光情報記録媒体。 - （３）透光性基板の上に、レーザ光の照射により熱変形
を伴う光吸収層を有する光情報記録媒体を用い、上記基
板側から入射させたレーザ光を光吸収層に照射して、記
録データ再生用のピットを形成する光情報記録方法にお
いで、レーザ光の照射時の光吸収層の局部的な熱変形に
より、基板の表面を一部変形させて、ピットを形成する
ことを特徴とする光情報記録方法。
Priority Applications (29)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63270409A JP2764895B2 (ja) | 1988-07-30 | 1988-10-26 | 光情報記録媒体とその記録方法 |
| US07/340,082 US4990388A (en) | 1988-07-30 | 1989-04-14 | Optical information recording medium |
| US07/340,544 US5155723A (en) | 1988-07-30 | 1989-04-14 | Optical information recording method and medium |
| EP89106873A EP0353394B2 (en) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optical information recording method and medium |
| DE68924016T DE68924016T3 (de) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optische Informationsaufzeichnungsmethode und Medium. |
| AT89106810T ATE112649T1 (de) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optisches informationsaufzeichnungsmedium. |
| AT89106873T ATE127265T1 (de) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optische informationsaufzeichnungsmethode und medium. |
| ES89106873T ES2078901T5 (es) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Metodo y medio de registro optico de informacion. |
| ES89106810T ES2064377T3 (es) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Medio de registro optico de informacion. |
| DE68918652T DE68918652T2 (de) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optisches Informationsaufzeichnungsmedium. |
| EP19890106810 EP0353392B1 (en) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optical information recording medium |
| CA000599416A CA1331807C (en) | 1988-07-30 | 1989-05-11 | Optical information recording method and medium |
| CA 599417 CA1332466C (en) | 1988-07-30 | 1989-05-11 | Optical information recording medium |
| MYPI89000677A MY106947A (en) | 1988-07-30 | 1989-05-18 | Optical information recording method and medium. |
| MYPI89000675A MY104122A (en) | 1988-07-30 | 1989-05-18 | Optical information recording medium. |
| AU35108/89A AU626072B2 (en) | 1988-07-30 | 1989-05-24 | Optical information recording method and medium |
| AU35105/89A AU626071B2 (en) | 1988-07-30 | 1989-05-24 | Optical information recording medium |
| DK198902543A DK174110B1 (da) | 1988-07-30 | 1989-05-25 | Optisk informationsoptegningsmedium |
| DK198902544A DK175044B1 (da) | 1988-07-30 | 1989-05-25 | Fremgangsmåde og medium til optisk informationsoptegning |
| PH38708D PH26092A (en) | 1988-07-30 | 1989-05-26 | Optical information recording medium |
| PH38708A PH26093A (en) | 1988-07-30 | 1989-05-26 | Optical information recording method and medium |
| KR1019890010425A KR950005034B1 (ko) | 1988-07-30 | 1989-07-22 | 광정보 기록 방법 및 매체 |
| KR1019890010424A KR950006839B1 (ko) | 1988-07-30 | 1989-07-22 | 광정보 기록 매체 |
| FI893562A FI893562A (fi) | 1988-07-30 | 1989-07-25 | Foerfarande och organ foer optisk dataregistrering. |
| FI893561A FI893561A (fi) | 1988-07-30 | 1989-07-25 | Optisk dataregistrering. |
| PT91310A PT91310B (pt) | 1988-07-30 | 1989-07-28 | Meio de gravacao optica de informacao |
| PT91311A PT91311B (pt) | 1988-07-30 | 1989-07-28 | Processo e meio de gravacao optica de informacao |
| HK114195A HK114195A (en) | 1988-07-30 | 1995-07-13 | Optical information recording medium |
| HK105796A HK105796A (en) | 1988-07-30 | 1996-06-19 | Optical information recording method and medium |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19171688 | 1988-07-30 | ||
| JP63-191716 | 1988-07-30 | ||
| JP63270409A JP2764895B2 (ja) | 1988-07-30 | 1988-10-26 | 光情報記録媒体とその記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02132649A true JPH02132649A (ja) | 1990-05-22 |
| JP2764895B2 JP2764895B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=26506858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63270409A Expired - Lifetime JP2764895B2 (ja) | 1988-07-30 | 1988-10-26 | 光情報記録媒体とその記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2764895B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8223620B2 (en) | 2007-08-30 | 2012-07-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Super-resolution optical recording medium on which information is recorded using train of prepits, optical recording medium reproduction device, and control method |
| US8233375B2 (en) | 2006-03-03 | 2012-07-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducing device for optical information recording medium, control method and control program for the reproducing device, and medium with the control program recorded therein |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5755540A (en) * | 1980-08-13 | 1982-04-02 | Thomson Csf | Heat and light method for writing information and information medium |
| JPS58189851A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS59171689A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記録方法 |
| JPS62219247A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Canon Inc | 光記録媒体およびその光記録方法 |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP63270409A patent/JP2764895B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5755540A (en) * | 1980-08-13 | 1982-04-02 | Thomson Csf | Heat and light method for writing information and information medium |
| JPS58189851A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS59171689A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記録方法 |
| JPS62219247A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Canon Inc | 光記録媒体およびその光記録方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8233375B2 (en) | 2006-03-03 | 2012-07-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducing device for optical information recording medium, control method and control program for the reproducing device, and medium with the control program recorded therein |
| US8355304B2 (en) | 2006-03-03 | 2013-01-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducing device for optical information recording medium, control method and control program for the reproducing device, and medium with the control program recorded therein |
| US8400903B2 (en) | 2006-03-03 | 2013-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducing device for optical information recording medium, control method and control program for the reproducing device, and medium with the control program recorded therein |
| US8446807B2 (en) | 2006-03-03 | 2013-05-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducing device for optical information recording medium, control method and control program for the reproducing device, and medium with the control program recorded therein |
| US8462606B2 (en) | 2006-03-03 | 2013-06-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducing device for optical information recording medium, control method and control program for the reproducing device, and medium with the control program recorded therein |
| US8223620B2 (en) | 2007-08-30 | 2012-07-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Super-resolution optical recording medium on which information is recorded using train of prepits, optical recording medium reproduction device, and control method |
| US8379505B2 (en) | 2007-08-30 | 2013-02-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Super-resolution optical recording medium on which information is recorded using train of prepits, optical recording medium reproduction device, and control method |
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| US8867328B2 (en) | 2007-08-30 | 2014-10-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical recording medium on which information is recorded using train of prepits, and method for reproducing optical recording medium |
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