PT91311B - Processo e meio de gravacao optica de informacao - Google Patents

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Emiko Hamada
Yuji Arai
Yuaki Shin
Takashi Ishiguro
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Description

PATENTE DE INVENÇÃO N9 91.311
NOME:
Taiyo Yuden Co. , Ltd., japonesa, com sede em 16-20, Ueno 6-chome, Taito-ku, Tokyo, Japão,
EPÍGRAFE: Meio de gravaçao óptica de informação
INVENTORES: Emiko Hamada,
Yuji Arai,
Yuaki Shin, Takashi Ishiguro,
Reivindicação do direito de prioridade ao abrigo do artigo 49 da Convenção da União de Paris de 20 de Março de 1883.
Japão, 30.07.1988, sob ο N9 191.716/1988, 26.08J.988 sob ο N9 213386/1988, 16.09.1983, sob o N? 231.820/ /1988, 24.09.1938, sob ο N9 239.165/1988,
26.10.1988, sob ο N9 270.409/1988, 14.01.1939, sob ο N9 7.511/1989 e em 14.01.1989, sob ο N97.512/1989,
TAIYO YUDEN Co., Ltd.
MEIO DE GRAVAÇÃO ÓPTICA DE INFORMAÇÃO
A presente invenção diz respeito a um processo para gravar opticamente informação num meio de gravação óptica de informação e ao meio de gravação óptica de informação que possui cavidades (pits) susceptíveis de ser lidas.
Os meios de gravação óptica de informação convencionais deste tipo possuem uma camada de gravação, por exemplo um metal tal como Te, Bi ou Mn, ou um corante, tal como a cianina, a merocianina ou a ftalocianina, e são concebidos para gravar dados de um modo tal que, quando irradiados com um feixe de raios laser, a referida camada de gravação pode ser deformada, sublimada, evaporada ou modificada para formar as referidas cavidades.
Com os meios de gravação óptica de informação com uma tal camada de gravação é comum formar um espaço por detrás da camada de gravação para facilitar a deformação, a sublimação, a evaporação ou a modificação da camada de gravação para a formação das cavidades. Um exemplo típico é uma estrutura laminada, denominada estrutura em sanduíche de ar, na qual se laminam dois substratos deixando um espaço entre os mesmos.
Oom os meios de gravação óptica de informação deste tipo, faz·
-se a irradiação de um feixe de raio laser de gravação através de um substrato transparente, para formar na camada de gravação cavidades susceptíveis de ser lidas opticamente. Para reproduzir os dados gravados, faz-se a irradiação de um feixe de raios /
«'
laser, com uma potência menor do que a do feixe de raios laser de gravação, através do substrato, sendo o contraste entre a luz reflectida das cavidades e a luz reflectida da zona não modificada sem cavidades lido como um sinal eléctrico.
Por outro lado os meios de gravação óptica de informação do denominado tipo ROM (Read Only Memory- Memória só para leitura), nos quais os dados já estão gravados, e nos quais não podem gravar-se outros dados, nem os dados gravados podem ser apagados e de novo gravados, são largamente utiliza dos nos campos de gravação sonora e do tratamento de informação. Os meios de gravação óptica de informação deste tipo não possuem a camada de gravação atrás descrita . As cavidades correspondentes aos dados a reproduzir já estão formadas num substrato de, por exemplo, policarbonato, por exemplo por mol dação por prensagem, sendo depois proporcionados no mesmo uma camada reflectora de um metal tal como Au, Ag, 3u ou Al, e uma camada de protecção.
meio de gravação óptica de informação deste tipo ROM mais típico é um disco compacto, o chamado CD , que é largamente usado nos campos da gravação sonora e do tratamento de informação. A especificação para os sinais de gravação e de leitura para este CD está normalizada, estando amplamente divulgados os aparelhos de reprodução de CD de acordo com as normas, com a designação de reprodutores de discos com pactos (reprodutores ou leitores de CD ).
Portanto, é fortemente desejado que o meio de gravação óptica de informação atrás mencionado obedeça às mesmas normas que prevalecem para os CD , de modo que possa ser interinudável relativamente ao CD ja' existente e possa ser reproduzido com os reprodutores de CD para reproduzir a informação grava da .
No entanto, os meios de gravação óptica da informação convencionais possuem uma camada de gravação que não este' presente nos CD e são concebidos para formar cavidades na camada de gravação, e nao no substrato. Além disso, em alguns casos, proporcina-se um espaço para facilitar a formação das cavidades nesta camada de gravação. Por conseguinte, os sinais de leitura sao naturalmente diferentes dos do CD , devido às diferenças em, por exemplo, a. reflectância do feixe de raios laser, e no grau de modulação dos sinais de leitura. Em particular, as cavidades formadas na camada de gravação pelo feixe de raios laser não são tão distintas como as cavidades formadas mecanicamente, por exemplo por moldação por prensagem, tendo por isso sido difícil obter um elevado grau de modulação. Portanto, tem sido difícil conseguir que os meios de gravação óptica da informação convencionais obedeçam às referidas normas para os CD , tendo sido difícil conseguir proporcionar ura disco óptico que possa ser reproduzido pelos reprodutores de CD convencionais.
Por conseguinte, constitui um objecto da presente invenção proporcionar um meio de gravação óptica de informação que seja capaz de proporcionar sinais de leitura com um elevado grau de modulação, para satisfazer as normas dos CD .
A presente invenção baseia-se na descoberta de que podem formar-se cavidades susceptíveis de ser lidas opticamente por um feixe de raios laser pela acção de um feixe de raios la
ser directamente no substrato ou numa csmada absorvente dos raios leser, que funciona como meio para formar as ditas cavi dades, de modo que é possível obter um disco susceptível de ser gravado opticamente e que satisfaz as normas dos CD .
A presente invenção proporciona um processo para gravar opticamente informação num meio de gravação óptica da informação que compreende um substrato transmissor da luz, uma camada absorvente da luz sobreposta ao substrato para absorver um feixe de raios laser e uma camada reflectora da. luz sobreposta à camada absorvente da luz, que compreende o fornecimento de energia a camada absorvente da luz por meio de um feixe de raios laser introduzido através do substrato transmissor da luz e que deforma localmente, pela energia nela gerada, a cama da absorvente da luz, uma camada superficial adjacente à camada absorvente da luz, para formar cavidades susceptíveis de ser lidas opticamente na camada da superfície do substrato.
A presente invenção proporciona também um meio de gravação óptica de informação que compreende um substrato transmis. sor da luz, uma camada absorvente da luz sobreposta ao substra to para absorver um feixe de raios laser e uma camada reflecto ra da luz sobreposta à camada absorvente da luz, no qual na ca mada superficial do substrato adjacente a camada absorvente da luz se formam cavidades susceptíveis de ser lidas opticamente por deformação da camada superficial.
Neste caso, a deformação da camada superficial do subs trato adjacente à camada absorvente da luz pode geralmente ter e forma de protuberâncias no sentido da camada absorvente /
ds luz, de ondas ou de depressões. Além disso, em muitos casos, as porções com as cavidades na camada superficial do substrato adjacente à camada absorvente da luz têm propriedades ópticas diferentes das da parte restante da camada superficial. Em alguns casos, podem formar-se espaços na porção interfacial entre a camada absorvente da luz e a camada superficial do substrato nas porções com cavidades, ou podem espalhar-se bolhas finas nas porções com as cavidades da camada absorvente da luz. Quan do as porções deformadas da carr.ada superficial tiverem propriedades ópticas diferentes do restante, é usual que as porções deformadas contenham componentes de compostos da camada absorvente da luz, nela difundidas.
Para os fins da presente invenção, a expressão cavidades susceptíveis de ser lidas opticamente ou simplesmente cavidades incluem geralmente marcas de qualquer tipo susceptíveis de ser lidas ou detectadas opticamente.
Com este meio de gravação óptica de informação, quando se irradia a camada absorvente da luz com um feixe de raios laser, ela gera calor por absorção do feixe de raios laser, sujei tando-se a fusão, evaporação, sublimação, reacção, decomposição ou modificação. Quando o feixe de raios laser for aplicado focado è camada absorvente da luz, s energia é gerada localmente.
impacto dessa energia atinge a camada superficial do substrato adjacente ? camada absorvente da luz, de modo que a camada superficial é deformada localmente para formar porções modificadas opticamente (cavidades susceptíveis de ser lidas opticamente).
Nas porções onde se formaram cavidades, a camada .super ζ
Ο
ficial do substrato adjacente à camada absorvente da luz é deformada localmente, de modo que há ums diferença de fase entre as porções em que se fizeram cavidades e a porção sem cavidades, difundindo-se o feixe de raios laser de modo tal que have rá uma diferença substancial na quantidade do feixe de raios laser reflectida. Portanto, é possível obter um elevado grau de modulação para os sinais de leitura.
Aqui, a função anterior é geraimente igual, independen temente da forma da deformação da superfície do substrato, seja ela de protuberâncias no sentido da camada absorvente da luz, seja de ondas ou depressões. Além da deformação atrás referida, ps porções onde se formarem cavidades podem incluir por ções modificadas opticamente, nas quais as características ópti. cas são diferentes localmente na camada superficial do substrato. Podem formar-se espaços na porção da interface entre a camada absorvente da luz e a camada adjacente, ou então dispersar-se bolhas finas na camada absorvente da luz nas porções onde se formam as cavidades, de modo que a reflectância do feixe de raios laser será substancialmente diferente entre as porções com cavidades e as porções sem cavidades devido ao facto de fun cionar como uma diferença de fase a absorção e a difusão do fei xe de raios laser produzidas, sendo assim possível obter um grau de modulação elevado dos sinais de leitura.
Analogamente, quando as porções deformadas da camada su perficial do substrato tiverem propriedades ápticas diferentes do restante da camada superficial, haverá uma diferença substan ciai nas condições ópticas, em particular na reflectância do feixe de raios laser, entre as porções onde se formaram cavida-
des e a porção sem cavidades devido 3 funções tais como a diferença de fase, s adsorção e a difusão do feixe de raios laser, incidente nas porções modificadas opticamente, sendo pois pos sível obter um grau de modulação elevado nos sinais de leitura, como atrás se referiu.
Assim, as porções modificadas opticamente formadas na camada superficial do substrato são diferentes das formadas na camada de gravação convencional, assemelhando-se antes às cavi dades dos CD efectuadas numa superfície do substrato, por exemplo por moldação por prensagem. No meio de gravação de informação susceptível de ser gravado opticamente com uma tal estrutura, pode proporcionar-se uma camada reflectora sobre a camada absorvente da luz em contacto estreito com a mesma. Assim, também do ponto de vista da configuração, o meio de gravação tica da informação segundo a presente invenção é semelhante ao
CD . E particularmente significativo que é por isso possível obter um meio de gravação de informação susceptível de ser gravado opticamente, em particular um disco optico do tipo gravado uma única vez, que satisfaz as normas do CD , relativamente à reflectância do feixe de raios laser ie leitura, ao grau de modu lação dos sinais de leitura e à taxa de erros relativa aos blocos .
Descrevem-se agora formas de realização da presente invenção, com referência aos desenhos anexos, cujas figuras repre sentam:
A fig. 1, uma vista em perspectiva, escjuemática, parcial mente em corte, que ilustra uma forma de realização da estrutura do meio de gravação éptica de informação segundo a. premente invenção;
A fig 2, uma vista ampliada com corte parcial feito eo longo da pista de informação do meio de gravação da fig. 1, an tes da gravaçã óptica ·,
A fig. 3> uma vista parcial ampliada em corte transver sal feito ao longo da pista do meio de gravação óptica de informação da fig. 1, depois da gravação óptica;
A fig. h-, uma vista parcial ampliada em corte feito ao longo da pista de uma outra forma de realização do meio de gra vação óptica de informação segundo a presente invenção, antes da gravação óptica;
A fig. 5, uma vista parcial ampliada em corte transver sal feito ao longo da pista da mesma forma de realização, depois da gravação óptica;
A fig. 6,uma vista parcial ampliada com corte transver sal feito ao longo da pista de ainda outra forma de realização do meio de gravação óptica de informação, segundo a presente invenção, antes da gravação óptica;
A fig. 7, uma vista parcial ampliada em corte transver sal feito ao longo da pista da forma de realização da fig. ó, depois da gravação óptica;
A fig. 3, uma vista parcial ampliada em corte transver sal feito ao longo da pista de uma outra forma de realização da presente invenção antes da gravação óptica ;
A fig. 9, uma vista parcial ampliada em corte transver sal feito ao longo da pista da forma de realização da fig. 8, depois da gravação óptica;
A fig. 10, uma vista parcial ampliada em corte tr^ns1
versai feito ao longo ds pista de outra forma de realização do meio de gravação óptica segundo a presente invenção;
A fig. 11, uma vista parcial ampliada em corte transversal feito ao longo da pista da forma de realização da fig. 10, depois da gravação óptica;
A fig. 12, un gráfico que representa a relação entre um parâmetro óptico representado pela fórmula p = nabs^a.bs// na qual é a parte real do índice de reflexão complexo da.
camada absorvente da luz do disco óptico, d , e a espessura da camada absorvente da luz e é o comprimento de onda do feixe de raios laser, e a reflectância do feixe de raios laser de leitura;
A fig. 13, um gráfico que mostra a relaçao entre a par te imaginária kg^s do índice de refracção complexo da camada absorvente da luz do disco óptico e a reflectância do feixe de raios laser de leitura;
A fig. 14, uma vista esquemática em perspectiva parcial ampliada da superfície do substrato transmissor da luz do meio de gravação óptica de informação segundo a presente invenção depois da gravação óptica;
As fig. 15(a) θ 15(b), gráficos que representam a rela ção entre a distância variável de uma ponta ou sonda ao longo da pista e a altura da cavidade ou protuberância quando a superfície do substrato transparente da fig. Ih- foi observada por STM (Scanning Tunneling Microscope - Microscópio de varrimento de efeito de túnel);
As fig. ló a 19, vistas parciais ampliadas em corte transversal ao longo de pistas de várias formas de realização
das cavidades dos meios ae gravação óptica de informação;
As fig. 1 a 11 ilustram esquematicamente várias estruturas do meio de gravçaõ óptica segundo a presente invenção. Nestas figuras, (1) indica um substrato transmissor da luz, (2) indica uma camada absorvente da luz sobreposta ao substrato, (3) indica uma camada reflectora da luz sobreposta à camada absorvente da luz, (M-) indica uma camada de protecção.
substrato transmissor da luz (1) é feito de um material com uma elevada transparência cara os feixes de raios laser e e usualmente feito de uma resina com uma resistência ao choque excelente, tal como um policarbonato, uma resina de acri lato ou uma resina epoxídica. Contudo, o substrato pode ser feito de qualquer outro material desde que seja transparente para os feixes de raios laser de gravação e de leitura e que, pelo menos, a camada superficial adjacente à camada absorvente da luz seja deformável pela energia gerada pela camada absorven te da luz pela absorção do feixe de raios laser de gravação, pa ra formar cavidades susceptíveis de ser lidas opticamente. A este respeito, o substrato ou pelo menos a sua camada superficial tem de preferência uma temperatura de distorção pelo calor dentro da faixa de 35 a 200°C , mais preferivelmente de 90 a 15O°C, medida de acordo com a norma ASIM D648, sob uma carga de à-,6 Kg/cm2 e/ou uma dureza Rockwell de M200 a K75, mais preferivelmente de b.105 a iX30, medida de acordo com a norma ASTM D7Õ5. Quando a temperatura de distorção pelo calor ou a dureza Rockwell do substrato estiver nas gamas atrás mencionadas, a energia gerada pela camada absorvente da luz (2) pela absorção do feixe de raios laser de gravação pode ser absorvida- efi /
Cz {
cientemente cela deformação local da ca;;.ada superficial do substrato (1) ds modo qus não fica qualquer tensão substancial nas cavidades fornadas, asseguranco-se assim a estabilidade dos dados gravados. Se a temperatura de distorção pelo calor ou a dureza forem demasiadamente baixas, as cavidades formadas tendem a deformar-se facilmente pelo c-lor ou por forças exteriores, tornando-se assim baixa a estabilidade. Por outro lado, se a temperatura de distorção pelo calor ou a dureza forem demasiadamente elevadas, a energia gerada pela camada absorvente da luz (á) dificilmente pode ser absorvida sob a for ma de deformação do substrato (1) e e difícil formar cavidades (5) distintas, de modo que será difícil obter sinais de leitura com elevado grau de modulação.
A espessura do substrato (1) não é crítica, mas tem usualmente um valor compreendido entre 1,1 e 1,5 mm;.
Acamada absorvente ds luz (2) é um.a camada que absor ve um feixe de raios laser que entra através do substrato (1) transmissor da luz, depois do que gera calor e ao mesmo tenpo sofre uma fusão, evaporação, sublimação, reacção, decomposição ou modificação. £ usualmente formada por revestimento, por centrifugação, de um material corante, tal como um corante de cianina, sobre o substrato (1) ou sobre uma camada intermédia (6) formada no suestrato (1).
A espessura da camada absorvente da luz (2) esta usual mente compreendida num» gama de 20 a 500 nm, de preferência de Ιΰϋ a 300 nm.
A camada reflectora da luz (3) Q- usualmente feita de um metal, tal como ouro, prata, cobre, alumínio ou uma liga.dos mes
mos. A espessura da camada reflectora de luz (3) está usualmente dentro da gama de 30 a 150 nm, de preferência de 40 a 130 nm.
A camada de protecção (4) é feita de uma resina com resistência ao choque excelente, como o substrato transmissor da luz (1), sendo na maioria dos casos formada por revestimento, aplicado por centrifugação, de uma resina curável por raios ultravioletas, seguido da cura pelos raios ultravioletas por irradiação. Outros materiais que podem ser utilizados normalmente são uma resina epoxídica, uma resina de acrilato e uma resina silicónica de revestimento duro. Ê também possível utilizar um material elástico, tal como uma resina de uretano, para se obter uma acção de almofada.
A espessura da camada protectora (4) não é crítica, estando usualmente na gama de 3 a 50 micrómetros, de preferência de 5 a 15 micrómetros.
Como se mostra nas fig. 4 a 7, pode colocar-se uma camada intermédia (6), tal como uma camada de resina ou uma camada resistente aos solventes entre o substrato (1) e a camada absorvente da luz (2). Como se mostra nas 5 θ 7, uma tal camada intermédia (6) deforma-se pela energia gerada pela camada absorvente da luz (2) ao absorver o feixe de raios laser de gravação para formar camadas modificadas opticamente (5)· Se essa camada intermédia (6) for suficientemente espessa, as cavidades (5) serão formadas na mesma, como se mostra na fig. 5, de modo que a camada intermédia serve de camada superficial do substrato (1). Se a camada intermédia (6) for relativamente fina, isto é, tiver uma espessura no máximo de 30 nm, não só a camada intermédia (6) como também o substrato (1) serão deformados, como se mostra ns fig. 7. Quando não estiver presente a referida camada intermédia (6), a camada superficial do subs trato (1) sera deformada como se mostra na fig.3 pars formar cavidades modificadas opticamente (p).
A camada intermédia (6) tem de preferência uma tempera — o tura de deformação pelo calor de s 15θ C, mais preferivelmente de 35 a l4-0°C, medida de acordo com a norma ASTM D643 sob uma carga de 4-,6 Kg/cm2 e/ou uma dureza Rockwell de M100 a M50, mais preferivelmente de M95 a M75> medida de acordo com a norma ASTM D735· A temperatura de distorção pelo calor e a. dureza Rockwell da camaca intermédia (6) dentro das gamas indi cadas é preferida pelas mesmas razões atrás mencionadas relati vamente à temperatura de distorção pelo calor e a dureza Rockwell do substrato (1). A camada intermédia (6) pode ser feita de uma resina tal como uma resina de acrilato, uma resina de cloreto de vinilo, uma resina de cloreto de vinilideno, uma resina de poliestireno, uma resina de poliéster, uma resina de poliuretano, uma resina de celulose ou uma resina silicd nica. Porém, pode usar-se qualquer outra resina desde que satisfaça às características atrás indicadas para a camada inter média (6).
A espessura da camada intermédia está usualmente na ga ma de 2 a 4-00 nm, de preferência de 10 a 200 nm.
Além disso, pode colocar-se entre a camada susorvente da luz (2) e a camada reflectora ca luz (3), como se mostra nas fig. 3 e 9? ou sobre ε camada reflectora da luz (3)? como se mostra nas fig. 10 e 11, uma camada dura (ló) mais difícil mente deformável pelo calor do que o substrato. A camada dura (16) é feita de um material mais dificilmente deformável pelo calor do que o substrato, tendo de preferência uma dureza Rockwell de pelo menos M100, medida de acordo com a norma ASTM/D785 e/ou uma temperatura de distorção pelo calor de pelo menos 100°C, mais preferentemente de pelo menos 150°C, medida de acordo com a norma ASTM D648 sob a carga de 4,6 Kg/cm2.
Cada uma das fig. 2, 4, 6, 8 e 10 ilustra um estado antes da gravação óptica por um feixe de raios laser. Cada uma das fig. 5, 5, 7, 9 θ 11 ilustra um estado depois da gravação óptica. Nomeadamente, quando se fizer a irradiação de um feixe de raios laser (7) a partir de um captador óptico (8), no estado de focagem, sobre a camada absorvente de luz (2), a camada superficial do substrato (l-) é deformada localmente pela energia gerada na camada absorvente da luz (2), para formar cavidades modificadas opticamente (5), como se ilustra esquematicamente nas figuras referidas.
No meio de gravação óptica segundo a presente invenção é preferido que um parâmetro óptico representado por / , onde nabg é a parte real do indice de refracabs abs' ção complexo da camada absorvente da luz, d&^s é a espessura da camada absorvente da luz e ê o comprimento de onda de um feixe de raios laser de leitura seja 0,05 P 0,6, e a parte imaginária ka^s do índice de refracção complexo da camada absorvente da luz seja no máximo 0,5· A fig. 12 ê um gráfico que mostra a relação entre o parâmetro óptico p = naabs dabs /X . onde naks é a parte real do índice de refracção complexo da camada absorvente da luz (2) do disco óptico, da^s é a espessura da camada absorvente da luz (2) eX é o comprimento de onda de
um feixe de raios laser de leitura, e ? reflectância da luz entrada através do substrato, cuando se utiliza um feixe de raios laser de semicondutor com um comprimento de onda X de 730 nm como feixe de raios laser de leitura, relativamente a dois exem pios de disco óptico. Além disso, a fig. 13 mostra a reflectan cia quando se fez variar a parte imaginária desde um valor próximo de 0 até um valor igual a ^,0, por variação da trans m.itsncia da luz da camada absorvente da luz, mantendo-se a parte real do índice de refracção complexo num nível constante de nabs ~ relativamente a um disco optico no qual se usou uma película de ouro como camada reflectora da luz. Destas figuras á evidente que quando o parâmetro óptico p = n,d,//Lea parte imaginária kgbc, satisfizerem as condições atrás mencionadas, pode obter-se uma reflectância elevada, de modo que é fácil conseguir com segurança as características estipuladas nas normas CD , isto é, a reflectância de pelo menos 70 3'·
A fig. 14 ilustra esquematicamente a superfície do subs. trato transmissor da luz (1) do meio de gravação óptica de informação segundo a presente invenção, com uma camada de protecção (4), uma camada reflectora da luz (3) e a camada absorvente da luz (2) removida depois da gravação óptica. Nomeadamente, para formar cavidades (5) 3° longo de uma ranhura prévia (9), que é uma ranhura de encaminhamento formada na superfície do substrato (1), irradiou-se um feixe de raios laser focado modulado por sinais EFM sobre a camada aosorvente da luz (2) ao longo da ranhura prévia (9), sendo depois a camada de protecção (4) e a camada reflectora da luz (3) despegadas do substrato (1). Depois disso, a camada absorvente da luz (2) foi também
removida do substrato (1).
Além disso, a superfície do substrato transmissor da luz (1) foi observada ao longo da ranhura prévia (9) por STM (Scanning Tunneling Microscope - microscópio de varrimanto de efeito de túnel). Os resultados estão representados nas fig. 15(a) e 15(b). Nestas figuras, as abecissas indicam a distância variável de uma ponta (sonda) (10) ao longo da ranhura prévia (9)» isto é, na direcção da pista, e as ordenadas indicam a altura da superfície do substrato (1). A fig. 15(a) ilustra um caso em que o comprimento de uma cavidade é relativamente pequeno,a um nível de 10.000 2, sendo evidente que se forma uma deformação nítida com a configuração de uma protuberância com uma altura de cerca de 200 S. Analogamente, a fig. 15(b) ilustra um caso em que o comprimento de uma cavidade é relativamente grande a um nível de 40.000 S, observando-se uma deformação com a forma de uma protuberância com uma altura de cerca de 200 S,* mas a protuberância tem dois picos com uma porção ligeiramente mais baixa no centro. Assim, numa forma de realização preferida, formam-se cavidades susceptíveis de ser lidas opticamente na ranhura prévia (9) como ranhura de encaminhamento formada na camada de superfície deformável do substrato (1).
As fig. 16 a 19 ilustram esquematicamente os estados das cavidades (5) formadas por irradiação com um feixe de raios laser.
As fig. 16(a) a 16(d) ilustram esquematicamente o estado em que se forma uma deformação (14) no substrato (1) junto da camada absorvente da luz (2) pela irradiação desta última com um feixe de raios laser (7) focado.
Mais especificamente, a fig. ló(a) ilustra esquemática, mente um caso em que, quando s camada absorvente da luz (2) foi irradiada com um feixe de raios laser focado, os constituintes da camada (2) sofreram a fusão e a decomposição e, ao mesmo tempo, a interface do substrato transmissor da luz (1) adjacente à camada absorvente da luz (2) amolece, de modo que os componentes da camada absorvente da luz (2) difundem-se ou fluem para o interior co substrato (1) par? produzir uma defor mação (14). Sm muitos casos, na porção deformada, os componen tes da camada absorvente da luz (2) misturam-se localmente e Τ' Θ 9 g Ô Ω1 Q U. i ui icamente parcialmente com o material que constitui o substrato transmissor da luz (1) para formar uma porção modi ficada opticamente (12) comi características ópticas diferentes das da camada absorvente da luz (2) ou das do substrato transmissor da luz (1). for exemplo, quando a camada absorvente da luz (2) é formada por um corante de cianina e o substrato transmissor da luz (1) for formado com um policarbonato, as ca racterísticas ópticas da porção modificada opticamente (12) apresentam valores ligeiramente diferentes dos do substrato transmissor da luz (1).
Eí usual que, quando o feixe de raios laser for irradia do sobre a camada absorvente da luz (2) para formar uma cavidade (5)? n material que constitui a camada absorvente da luz (2) gere localmente calor, funda e se decomponha nessa porção, de modo que se alteram localmente também as características ójç ticas da camada absorvente da luz (2). 3m alguns casos, um tal fenómeno é acompanhado pela formação de um espaço (10) en tre a camada absorvente da luz (2) e a camada reflectora da luz (3), ou a forffiUçao de bolhas (11) na camada absorvente da luz (2), que podem manter-se depois do arrefecimento.
Um tal espaço (U) é perticulsrmerte provável de se formar quando a camada adjacente ao lado da camada absorvente da luz (2) na qual incide a luz, tal como a camada superficial do substrato (1), for relativamente deform.ável pelo calor em comparação com a camada por detrás da camada absorvente da luz (2), tal como a camada reflectora da luz (3) ou a camada de protecção (4), e a camada por detrás da camada absorvente da luz (2) tenha uma aderência fraca para a camada absorvente da luz (2), em comparação com a camada adjacente no lado onde incide a luz. Com um tal meio de gravação óptica de informação, quando se irradia um feixe de raios laser (7) na camada absorvente da luz (2), gera-se energia na camada absorvente da luz (2) e o substrato (1) é deformado em (lh), como atrás se mencionou, e ao mesmo tempo gera-se um gás na camada absorvente da luz (2), de modo que se forma um espaço (10) enrre a camada absorvente da luz (2) e a camada reflectora da luz (3) com pro priedades de adesão fracas, tendendo o gás a ficar no espaço (10). 0 gás gerado no interior da camada absorvente da luz (2) pode ficar com bolhas (11).
As fig. l6(c) e 16(d) ilustram, outras formas da deformação (lh) no substrato transparente (1). A fig. ló(c) ilusuma deformação (lh) so forma de uma protuberância com a sua parte superior separada para formar dois picos, enquanto a fig. ló(d) ilustra ume deformação (lh) com uma forma de onda na qual se repetem alternadamente protuberâncias e depressões.
UestêS casos, o referido espaço (10), es bolhas (11) ou a porção (12) modificada opticamente podem igualmente formar-se.
As fig. 17(θ) s (c) ilustram esquematicamente um caso em que a deformação (14) do substrato transmissor da luz (1)· adjacente à camada absorvente da luz (2) na porção da cavidade (5) tem a forma de uma depressão cu cavidade relativamente à camada absorvente da luz (2).
A fig. 17(a) ilustra um caso sm que se forma um espaço (10) no limite da camada absorvente da luz (2) e da camada reflectora da luz (3), e a fig. 17(b) ilustra um caso no qual ao mesmo tempo que se forma o espaço (10) se dispersam bolhas finas (11) na camada absorvente da luz (2) e ainda os componentes decompostos de uma camada absorvente da luz (2) difundem-se no interior do substrato transmissor da luz (1) no qual se forma a deformação (14) de modo que os componentes decompostos e os componentes que constituem o suostrato transmissor da luz (1) são misturados e reagem parcialmente para formar uma porção modificada opticamente (12). Além disso, a fig. 17(c) ilustra um caso em que ao mesmo tempo que se forma o referido espaço (10), um outro espaço (10) é formado entre o substrato (1) e a camada absorvente da luz (2).
As fig. l3(a) a l3(d) ilustram um caso no qual as deformações (14) e (14') na cavidade (5) atingem ambas as camadas adjacentes à camada absorvente da luz (<;). 3 provável que uma tal cavidade se forme no caso de a temperatura de distorção pe lo calor ou a dureza sejam suustancialmente iguais às das duas camadas que ensanduichsm ? camada absorvente da luz (2), tal como o substrato (1) e a camada reflectora da luz (3) ou a camada de protecção (4).
A xig. I3(a) ilustra um caso nq qqal se f.orma um espa /
çO (10’) entre 3 camada absorvente da luz (2) e o substrato (1) rs cavidade (5), a. fig. l3(b) ilustra um caso em que se formam espaços (10) e (10') entre a camada absorvente da luz (2) e o substrato (1) adjacente e entre s camada absorvente da luz (2) e s camada reflectora da luz (3) adjacente, e a fig. l3(c) ilus tra um caso em que se dispersam bolhas finas (11) na camada absorvente da. luz (2). A fig. l-3(d) ilustra um caso em que as de formações (14) s (14') têm ambas a forma de protuberâncias para o lado da camada absorvente da luz (2).
Alem disso, as fig. 19(a) e 19(t) ilustram um caso em que se forma uma porção modificada opticamente (lj) coai procrie dades ópticas diferentes das das outras porções na cavidade (5), numa camada do lado onde incide a luz relativamente à camada ab sorvente da luz (2). Ssta porção modificada (13) estã sempre localizada do lado por onde entra o feixe de raios laser (7).
Sm muitos casos, a porção modificada estende-se para o interior da camada absorvente da luz (2). Num tal caso, a deformação (14) pode ser observada na camada adjacente à camada acsorvente da luz (2), mas devido à presença da porção modificada opti camente (13) θ usual que a deformação não fique nítida.
A fig. 19(a) ilustra um estado no qual se forma uma por ção modificada opticamente (13) na superfície por exemplo do substrato (1) adjacente à camada absorvente d3 luz (2) e a fig. 19(b) ilustra um estado no qual as propriedades ópticas variam gradua Imente na direcção da espessura a partir do substrato (1) para a camada absorvente da luz (2).
Tais modificações de camadas são efectuadas pela decomposição, reacção ou difusão mútua da camada absorvente da/luz /
c (2) uma outra camada provocadas pelo calor gerado na camada absorvente da luz (2) pela irradiação com um feixe de raios laser (?)· Assim, formam-se estas cavidades (5) quando a camada absorvente da luz (2) e a camada adjacente forem feitas de materiais com essas funções.
No meio de gravação óptica de informação segundo a presente invenção, uma camada por detrás da camada absorvente da luz (2) relativamente ao substrato transmissor da luz (1), tal como a camada reflectora da luz (3) ou a camada de protecção (4), é de preferência feita de um material com uma temperatura de distorção pelo calor e uma dureza maiores do que as da camada onde se formam as cavidades (5)· Pela formaçao da camada por detrás da camada absorvente da luz (2) com um material duro, pode reduzir-se efectivamente a taxa de erros referida aos blocos dos sinais gravados, para satisfazer os requisitos da norma relativos à BLER (block error rate - taxa de erros referidos aos blocos) que prescrevem que ela nao deve ser superior a _2 x 10 , como se prescreve nas normas CD.
Descreve-se agora a presente invenção com mais pormenor, com referência a exemplos. Deve no entanto, entender-se que a mesma nao é de modo nenhum limitada por estes exemplos específicos .
Exemplo 1
Formou-se por moldação por injecção um substrato de policarbonato (1) com uma espessura de 1,2 mm, um diâmetro exterior de 120 mm e um diâmetro interior de 15 mm e tendo nele feita uma
ranhura prévia em espiral na sua superfície, com uma largura de 0,8 micrómetro, uma profundidade de 0,08 micrómetro e um passo de 1,6 jim. Este substrato (1) de policarbonato tinha uma dureza de Rockwell (ASTM D785) de M75, que corresponde à dureza HB dos lápis e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 121°C sob uma carga de 4,6 kg/cm2.
Como corante orgânico para formar a camada absorvente da luz (2), dissolveram-se 0,65 g de perclorato de 1,1'-dibutil-3,353’,3,-tetrametil-4,5,4',5’-dibenzoindodicarbocianina (produto N° NK3219, fabricado por Nippon Kanko Shikiso Kenkyusho), em 10 ml de um solvente de diacetona-álcool e fez-se, por centrifugação, um revestimento desta solução sobre a superfície do substrato (1), para formar uma camada absorvente da luz (2) constituída por uma película do corante orgânico com uma espessura de 130 nm. 0 parâmetro óptico p = nabsdabs/-À/ , onde η&^θ é a parte real do índice de refracção complexo da camada absorvente da luz (2), d é a espessura da camada o comprimento de onda de um feixe de raios laser de leitura, era igual a 0,45 e a parte imaginária do índice de refracção complexo tinha o valor 0,05·
Formou-se depois, por deposição catódica, uma película de ouro com uma espessura de 80 nm sobre toda a superfície da zona compreendida entre os diâmetros de 45 mm e 118 mm deste disco, para formar uma camada reflectora da luz (3). Além disso, fez-se, por centrifugação, sobre esta camada reflectora da luz (3), um revestimento de resina curável por raios ultravioletas e depois curou-se com raios ultravioletas, para formar uma camada de protecção (4) com uma espessura de 10 micrómetros. Depois da cura, esta camada (4) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D735) de M93 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM Dóú3) de 135°C, sob uma carga de 6 Kg/cm2.
Neste disco óptico assim obtido irradiou-se um feixe de raios laser de semicondutor com o comprimento de onda de
730 nm com uma velocidade linear de 1,2 m/s, com uma potência de gravação de 6,0 mW, para gravar sinais EFM. Fez-se depois a reprodução deste disco óptico com um reprodutor de exis tente no mercado (Aurex X-R-V73, comprimento de onda do feixe de raios laser de leitura -X/ - 730 nm), tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido de 72 7, I., /1, ’ 11 top J-63· YMop 0 ,35 9 a taxa de erros referida aos blocos BLER 1,2 x 10'^.
As normas CD prescrevem que a reflectância deve ser pelo menos 70 M, Iqq/I^op Pel° menos 0,6 e deve estar compreendido entre 3,3 θ 0,7, não devendo a taxa de erros refe rida aos blocos ser superior a 3 x 1D~^. 3 disco óptico deste exemplo obedece a estas normas.
Além disso, depois da gravação, despegaram-se a camada de protecção (4) e a camada reflectora da luz (3) do disco óptico e inspeccionou-se a superfície exposta da camada absorven te da luz (2), tendo sido observadas irregularidades lineares finas, que aparentam representar o perfil exterior das cavidades. Além disso, a camada reflectora da iuz (2) foi lavada com um solvente e inspeccionou-se a superfície do substrato (1), tendo sido confirmada a formação de cavidades modificadas opti camente (5).
A estrutura em camadas deste disco épt ico--.esta .-represen
tada esquematicamente na fig. 2, representando-se na fig. 3 a mesma estrutura depois da gravação óptica.
Otservou-se a superfície do sucstrato transmissor da luz (1) por STM (Scanning Tunueiing Microscope - Microscópio de varrimento de efeito de túnel) tendo sido observado que a porção com cavidades foi deformada sob a forma de protuberâncias. Alem disso, a porção gravada e a porção nao gravada do substrato (1) foram medidas por meio ce um espectrofotómetro, tendo-se observado na porção gravada picos diferentes dos observados com a resina da zona npao gravada.
Exemplo 2
Preparou-se um disco óptico cs mesma maneira que no Exemplo 1, excepto que se fez, por centrifugação, um revestimento de uma resina epoxidica para formar uma camada dura com uma espessura de 109 nm entre a camada absorvente da luz (2) e a camada reflectora da luz (3) mo Exemplo 1. Depois da cura, esta resina epoxidica tinha uma dureza Pockwell (ASTM D?35) de M90 θ uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D643) de 135°C sob uma carga de 4,6 Kg/cm2.
Neste disco óptico assim formado, gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no Exemplo 1. Fez-se depois a reprodução deste disco óptico com um reprodutor de CD existente no mercado, sendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor e as características dos sinais de leitura os mesmos que no Exemplo 1 e a taxa de erros referida aos blocos BLER 3,0 x 10 3. & superfície do substrato (1) do disco óptico de-
pois da gravação foi examinada da mesma maneira que no Exemplo 1, para confirmar a formação da cavidade (5)· Designadamente, da observação da superfície do substrato (1) por STM, verificou-se a deformação (14) sob a forma de uma protuberância. Esta protuberância tinha dois picos com uma porção central ligeiramente mais baixa.
Exemplo 5
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no Exemplo. 1, excepto que se formou, por centrifugação, entre a camada absorvente da luz (2) e a camada reflectora da luz (5) no Exemplo 1, uma camada silicónica de acrilato com uma espessura de 100 nm, sobre a camada absorvente da luz (2), e formou-se uma camada de ligação de uma resina epoxídica com uma espessura de 20 nm, por centrifugação, na superfície superior desta camada dura. Depois da cura, esta camada de resina silicónica de acrilato tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M100 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 100°C sob uma carga de 4,6 kg/cm2.
No disco óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFM com uma potência de gravação de 7,0 mW, da mesma maneira que no Exemplo 1. Depois, fez-se a reprodução deste disco óptico com o mesmo reprodutor de CD (Aurex XR-V73) usado no Exemplo 1, com um feixe de raios laser de semicondutor com um comprimento de onda de 7θ0 nm, tendo a reflectância do feixa de raios laser de semicondutor sido 75%, ^ll^^top
0,35, θ a taxa de erros referida aos blocos BLER
2,5 x 10 . Além disso, inspeccionou-se a superfície do substrato (1) do disco óptico depois ds gravação por STF , da mesma maneira cue ro Exemp
Io 1 , para confirmar a formaçao de cavidades (5)? como no Exemplo 1.
Exemolo 4
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no Exemplo 1, excepto que no Exemplo 1 se formou, por deposição no vácuo, uma película de uma liga de ouro e antimónio numa relaçao de 9:1, como camada reflectora da luz (3) sobre a camada absorvente da luz (2) e, sobre esta camada reflectora da luz (3), formou-se uma camada de protecção (4) de uma resina curável por raios ultravioletas, com uma camada de ligação de uma resina epoxídica com a espessura de 20 nm interposta entre as duas. A referida camada reflectora da luz (3) tinha uma dureza pelo menos igual à dureza H dos lãpis.
No disco óptico assim obtido, gravaram-se sinais SFF com uma potência de gravação de 6,2 ad da mesma maneira que no Exemplo 1. Fez-se depois a reprodução deste disco óptico com o mesmo reprodutor de CD usado no Exemplo 1, tendo = reflectancia do feixe de raios laser de semicondutor sido 72 ;í, 1-^/ /Ι,ορ I3/Itop 4,32 e a taxa de erros BLEF referida aos blocos 3> 5 x 10 J · Além disso, inspeccionou-se a superfície do substrato (1) do disco óptico depois da gravação por STF da mesma maneira que no Exemplo 1, para confirmar a formação de ca vidades (5), como no Exemplo 1.
Exem-7
Exemplo 5
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no Exemplo 1, excepto que no Exemplo 1, se fez, por centrifugação, um revestimento de uma resina do tipo curável pelos raios ultravioletas sobre a face do substrato de policarbonato onde incide a luz, para formar uma camada de protecção do substrato, com uma espessura de 1 micrómetro, formou-se a camada absorvente da luz (2) na face que tem a ranhura prévia e formou-se, por deposição catódica, sobre esta camada absorvente da luz (2), uma película de uma liga de ouro e irídio numa relação de 3:1, como camada reflectora da luz (3). A camada da luz (3) tinha uma dureza pelo menos igual à dureza 5H dos lápis.
No disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no Exemplo 1. Fez-se depois a reprodução deste disco óptico com o mesmo reprodutor de CD usado no
Exemplo 1, de modo que a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor foi 70$, ^qq/^^op 1^/Ι^.θρ θ’57 e a taxa _ ·ζ de erros referida aos blocos BLER 3,7 x 10 y. Além disso, inspeccionou-se, depois, a superfície do substrato (I) por STM da mesma maneira que no Exemplo 1, para confirmar a formação de cavidades (5), como no exemplo 1.
Exemplo 6
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no
Exemplo 1, excepto que no Exemplo 1, a camada reflectora da luz (3) foi formada por uma camada de prata com uma espessura de 60 nm e sobre a mesma aplicou-se, por centrifugação, um
«gente ds revestimento duro silicónico, aqueceu-se o mesmo e curou-se para fnrrr.ar uma camada dura de protecção (4) com uma espessura de 3 micrómetros. A camada de protecção (M-) tinha uma dureza, ceio menos igual à dureza Hh dos lápis.
Ko disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no Exemplo 1. Fez-se depois a reprodução ceste disco óptico com o mesmo reprodutor de CD usado no Exemplo 1, de modo que a reflectância do feixe de raios laser d,35, e a de semicondutor foi 71 1, i11/itop 0,73, Ι^/Ι^ρ taxa de erros referida aos blocos 5DEP 1,8 x 1ΰ_\ Ale'm dis so, inspeccionou-se, depois da gravação, a superfície do substrato (1) por £TF da mesma maneira que no Exemplo 1, para confirmar a formação de cavidades (5) como no Exemplo 1.
Exemplo 7
Prepsrou-se um disco óptico da mesma maneira que no Exemplo 1, excepto que no Exemplo 1, se fez o revestimento, por centrifugação, de uma resina epoxídica incorporada com polissulfuretos, diluída com éter diglicidílico, para formar uma camada de ligação de 3d nm sobre s camada reflectora da luz (3) formada por deposição de vapor no vacuo de uma película de ouro com uma espessura de 5'J nm e fez-se, por centrifugação, o revestimento da camada de ligação com um agente silicónico de revestimento duro, aqueceu-se o mesmo e curou-se, para formar uma camada de protecção dura (k) com uma espessura de 3 mierómetros.
Eo disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFM da
mesma maneira que no Exemplo 1. Pez-se depois a reprodução do disco óptico com o mesmo reprodutor de CD que no Exemplo 1, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido de 72$, -^íi^top e a taxa de erros referida aos blocos BLER 2,5 x 10 J. Além disso, inspeccionou-se, depois da gravação, a superfície do substrato (1) por STM da mesma maneira que no Exemplo 1, para confirmar a formação de cavidades (5), como no Exemplo 1.
Exemplo 8
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no Exemplo 1, excepto que no Exemplo 1 a camada absorvente da luz foi formada utilizando perclorato de 1,1'-dibutil-3,3,31,3 -tetrametil-5,5'—'dietoxiindodicarbocianina, formou-se uma camada dura de uma resina epoxídica com uma espessura de 100 nm sobre a camada reflectora da luz (3), sobre a mesma uma camada de resina curável por raios ultravioletas com a espessura de 10 micrómetros e depois uma camada de protecção (4).
No disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no Exemplo 1. Fez-se depois a reprodução deste disco óptico pelo mesmo reprodutor de CD que no Exemplo 1, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 74%, 0,68, 0,34- θ a taxa de erros referida aos blocos BLER 8,3 x 10 . Além disso, inspeccionou-se, depois da gravação, a superfície do substrato (1) do disco óptico por STM da mesma maneira que no Exemplo 1, para confirmar a formação de cavidades (5) como no Exemplo 1.
Exemplo 9
Aplicou-se, por centrifugação, ns superfície io mesmo substrato de policartonsto do Exemplo 1, uma resina de acrilp to dissolvida em diisobutilcetona, para formar uma camada intermédia (6) com uma espessura de 40 nm. Esta camada intsrmé dia (6) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M05 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM 1643) de 100°C, sob uma carga de 4,6 Kg/cmi.
Coito corante orgânico para formar a camada absorvente da luz (2), dissolveram-se 0,6 g de iodeto de 1,1'-dipropil-3 >3 5 3 1 ?3 1-tetrametil-5 , 5 1 -din.etoxiindocarbocianina , em 10 ml de um solvente de álcool isopropílico. Fez-se, por centrifugação, um revestimento desta solução na superfície do referido substrato (1), para formar uma camada acsorvente da luz (2) de uma película de corante sensível ã luz com uma espessura de 120 nm. 0 csrâmetro óptico ρ = η , d , / A. onde n . é a parte real do índice de refracção complexo desta camada absorvente da luz (4), d,- é a espessura da camada e 2, é o comprimento de onda de um feixe ce raios L-=ser de leitura, tinha 0 valor 0,41 e a parte imaginária. do índice de refraç ção complexo o valor 0,02.
Sobre a mesma aplicou-se, por centrifugação, um revestimento de resina silicónica ds acrilato em ciclohexano para formar uma camada de resina silicónica de acrilato com uma espessura de 100 nm, uma dureza 2H da escala de durezas dos lá pis e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM 0643) de
120°C sob uma carga de 4,6 Kg/cm2. Formou-se depois, por depo §ÍÇêQ catódica, uma. película de ouro com uma espessura de
nm, para formar uma camada reflectora da luz (3). Alem dis so, fez-se, por centrifugação, um revestimento de resina curável pelos raios ultravioletas sobre esta camada reflectora (3), o qual foi curado pelos raios ultravioletas para formar uma camada de protecção (4) com urna espessura de 10 micrometros. Depois da cura, esta camada de protecção (4) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D7d5) de X90, uma temperatura de distorção pelo Cf-lor (ASTM DÓ43) de 135°C, sob uma carga de 4,6 Kg/cm2.
No disco óptico assim obtido fez-se a irradiação de um feixe de raios laser de semicondutor com um comprimento de onda de 73o nm, com uma velocidade linear de 1,2 m/s com uma potência. de gravação de 7?5 mW, para gravar sinais SFX . Fez-se depois a reprodução deste disco o'ptico com o mesmo reprodutor de CD usado no Ixemplo 1, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 73- /, I-,/1. 0,62, ’ 11 top ’ ’
I,/I. 0,31 e a taxa de erros referida sos blocos BLDR d ro p
4,0 x 103.
Além disso, despegaram-se a camacs de protecção (4) e a camada reflectora da luz (3) do disco óptico depois da gravação, removeu-se a camada absorvente da luz (2) com um solven te e inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (6) para confirmar ? formação de cavidades (>)·
Dxemplo 10
Preparou um disco óptico da mesma maneira que no Sxem pio 9? excepto que no Ixemplo 9 se aplicou, por centrifugação, uma camada de agente de revestimento silicónico sobre a camada
intermédia (ó), para formar uma camada de silicato com uma espessura de 0,01 micrémetro e sobre s mesma formou-se a camada absorvente de luz (2j.
No disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFM com uma potência de gravação de 7,3 mW, da mesma maneira que no Exemplo 9r Fez-se depois a reprodução deste disco óptico no mesmo reprodutor de CL usado no Exemplo 9, tendo a reflectãn cia do feixe de raios laser de semicondutor sido 73 /-> Ιρ/Ι+Ορ 0,62, 0)31 θ 3 taxa de erros referid^ aos blocos BLER
3,4 x IO3. Além disso, inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (6) depois da gravação da mesma maneira que no Exemplo 9, para confirmar a formação de cavidades (5).
Exemplo 11
Prepa^ou-s e um cisco óptico da mesma maneira que no
Exemplo 9, excepto que no Exemplo 9 foi usado um substrato de vi
dro como substrato (D e fez-se por centrifugação, um revestimen
to de resina de isocianato dissolvida com uma mistura de dissolvente de tolueno e metiletilcetona, numa relação de 1:1, sobre a camada reflectora par? formar uma camada de ligação com uma espes. sura de 20 nm.
No disco óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFE com uma potência de gravação de 7>2 mW da mesma maneira que no Exemplo 9- Fez-se depois a reprodução deste disco de CD usando o mesmo reprodutor de CD que no Exemplo 9, tendo a reflectência do feixe de raios laser de semicondutor sido 72 5, θ, 65, C,33 e a taxa de erros referida aos blocos BLER 5,6 x 10 . Além disso, inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (6) depois da gravação da mesma maneira que no Exemplo 9, para confirmar a formação de cavidades (5).
Exemplo 12
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no Exemplo 9, excepto que no Exemplo 9 se fez, por centrifugação um revestimento de um agente de revestimento silicónico sobre a camada intermédia (6) para formar uma camada de silicato com uma espessura de 0,01 micrómetro, formando-se sobre a mesma a camada absorvente da luz (2), e fez-se, por centrifugação, um revestimento de polibutadieno sobre a camada reflectora para formar uma camada de ligação com uma espessura de 20 nm.
No disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFM com uma potência de gravação de 7,2 mW, da mesma maneira que no Exemplo 9· Fez-se depois a reprodução deste disco óptico com o mesmo reprodutor de CD que no Exemplo 9» tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 72$, 1χχ/1-^Ορ θιθθ, I^/l-tQp θ,35 θ a taxa de erros referida aos blocos BLER
3,5 x io3. Além disso, inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (6) do disco óptico depois da gravação da mesma maneira que no Exemplo 9, para confirmar a formação de cavidades (5).
Exemplo 15
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no Exemplo 9, excepto que no Exemplo 9 se alterou a espessura
X ds camada intermédia (6) para 20 nm, nao se tendo proporcionado qualquer camada de resina silicónics de acrilato e formou-se, por deposição catódica, uma película de uma liga de irídio e ouro numa relaçao de 1:9, como camada reflectora (3).
A liga tinha uma dureza 2H da escala de dureza dos lápis.
No disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFM com uma potência de gravação de 7,0 mW da mesma maneira que no Exemplo 9- Fez-se depois a. reprodução deste disco óptico com o mesmo reprodutor de CD do Exemplo 9, tendo a reflectância do feixe ds raios laser de semicondutor sido 71 A, íqq/í^Op 0,63, X32 e 3 taxa de erros referida aos blocos BLER
3,3 x 103. Além disso, inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (6) do disco óptico depois da gravação da mesma maneira que no Exemplo 9, para confirmar a formação das cavidg des (5)· Estas cavidades (5) atingiram a superfície do substrato, dado que a espessura da camada intermédia (6) era pequena .
A estrutura em camadas deste disco óptico está representada esquematicamente na fig. ó, representando-se esquemati camente na fig. 7 este mesma estrutura depois da gravação.
íxemolo 19Preparou-se um disco óptico da nesta maneira que no Exemplo 9, excepto que no Exemplo > se formou, por centrifugação, um revestimento de um agente de revestimento silicónico na camada (ó) para formar uma camada de silicato com uma espes.
sura de 0,01 micrómetro, sobre a qual se formou a camada absor
Lί ' vente d? luz (2), não tendo sido formada qualquer camada de resina silicónica de acrilato, formando-se como camada refleç tora (3) uma película de uma liga de irídio e ouro numa relação de 1:9, P°r deposição catódica.
No disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFE com uma potência de gravação de 7,8 mN, da mesma maneira que no Exemplo 9· Fez-se depois a reprodução deste disco óptico comi o mesmo reprodutor de CD que no Exemplo 9, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 71 m, I]_q/^^Op sido 0,64, 0,32 e a taxa de erros referida aos.blocos BLER 2,8 x 10 . Alem disso, inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (ó) do disco óptico depois da gravação da mesma maneira que no Exemplo 9, para confirmar a formação de cavidades (5)·
Exemplo 15 ?reparou-se um disco óptico ds Exemplo 9, excepto que no Exemplo 9 não mada de resina silicónica de acrilato, ção catódica, uma película de uma liga relação de 1:9, como camada reflectora .mesma maneira que no se formou qualquer ca formou-se, por deposide irídio e ouro numa (3), e aplicou-se, por centrifugação, um revestimento de poliisopreno sobre a camada reflectora da luz para formar uma camada de ligação com uma espessura ce nr e uma camada de protecção (4) de uma resine curável por raios ultravioletas sobre s mesma.
No disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFE com uma potência de gravação de 7 mW da mesma maneira que no
Exemplo 9· Eez-se depois a reprodução deste disco óptico pelo mesmo reprodutor de GD usado no Exemplo 9, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 72$, ipq/itop I3^Itop θ’52 e a taxa de erros referida aos blocos BLER 4,1 x 10”\ Além disso, inspeccionou-se a camada intermédia (6) do disco óptico depois da gravação da mesma maneira que no Exemplo 9, para confirmar a formação de cavidades (5).
Exemplo 16
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no Exemplo 9, excepto que no Exemplo 9 não se formou qualquer camada de resina silicónica de acrilato, formou-se uma película de cobre com uma espessura de 50 nm como camada reflectora (5) θ fez-se, por centrifugação, um revestimento de resina epoxidica curável com bisfenol diluída num solvente de éter diglicidílico, para formar uma camada de resina epoxidica com uma espessura de 10 micrómetros como camada de protecção (4). A camada de protecção tinha uma dureza Rockwell (ASTM D?85) de M110, funcionando assim como uma camada dura.
No disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFM, com uma potência de gravação de 7>0 mW, da mesma maneira que no Exemplo 9· Eez-se depois a reprodução deste disco óptico pelo mesmo reprodutor de CD usado no Exemplo 9, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 75%, Ι-^/Ι^θρ 0,64, 0,33 θ a taxa de erros referida aos blocos BLER 2,9 x 10“5. Além disso, a superfície da camada intermédia (6) do disco óptico depois da gravação foi inspeccioaz
nada d? .mesma maneira que no Exemplo 9, para confirmar a forma ção de cavidades (5).
Exemplo 17
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no Exemplo 9, excepto que no Exemplo 9 se fez, por centrifugação um revestimento com um agente silicónico de revestimento sobre a camada intermédia (ò) psrs formar uma camada de silicato com uma espessura de 0,01 micrómetro, sobre esta formou-se a camada absorvente da luz (2), não se formou qualquer camada de resina siliconica de acrilato, formou-se uma película de cobre com uma espessura de 5θ nm como camada reflectora da luz (3) e fez-se, por centrifugação, um revestimento com uma resina epoxidica cu róvel com bisfenol diluída com um solvente de éter diglicidílico para formar ume camada de resina epoxidica com uma espessura de 10 micrómetros sobre a camada de protecção (ã).
Neste disco óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFM com uma potência, de gravação de 7,0 m>,', da mesma maneira que no Exemplo 9. Depois fez-se ? reprodução deste disco óptico com o mesmo reprodutor de CD do Exemplo 9, tendo feixe de raios laser de semicondutor sido /4 reflectância do
Ij/IqOp 2,33 θ 5 taxa de erros referida aos blocos BLER 3,5 x 10 . Além disso, inspeccionoe-se a superfície da camada intermédia (6) do disco óptico depois da gravação da mesma maneira que no Exemplo 9? para confirmar a formação de cavidades (5) .
iixem-
Exemplo lõ
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no Exemplo 9, excepto que no Exemplo 9 não se formou qualquer camada silicónica de acrilato, formou-se, por deposição de vapor no vácuo, uma película de cobre com uma espessura de n:n como camada reflectora da luz (3), aplicou-se, por centrifugação, um revestimento de uma resina de acetato de polivinilo dissolvida numa mistura de solventes de tolueno e metiletilcetona, numa relação de 6:4, sobre a camada reflectora da luz para for mar uma camada de ligação com uma espessura de 20 nm, sobre a mesma camada de protecção (4) e aplicou-se, por centrifugação, um revestimento de uma resina epoxídica curável com bisfenol diluída com um solvente de éter diglicidílico, para formar uma camada de resina epoxídica com uma espessura de 10 micrómetros, como camada de protecção (4).
No disco óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFN com uma potência de gravação de 7,4 mW da mesma maneira que no Exemplo 9. Fez-se depois a reprodução deste disco óptico pelo mesmo reprodutor de CL· usado no Exemplo 9, tendo a reflectan cia do feixe de raiós laser de semicondutor sido 74 a taxa de erros referida aos blocos
Wtnp U/I
3,33 top bLEP 2,6 x 10 u. Alem cisso, inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (6) do disco óptico depois da gravação,
da camada int era.
da mesma maneira
de cavida des (5)
;srs confirmar a formação mxem-
Exemplo 19
Utilizou-se como substrato transmissor da luz (1), um disco de policarbonato (Panlite, marca registada, fabricado por Tenjin Kasei K. K.) com uma espessura de 1,2 mm, um diâmetro ex terior de 120 mm e um diâmetro interior de 1> mm e tendo uma ra nhura espiral prévia (8) com uma largura de 0,8 micrómetro, uma profundidade de 0,03 micrómetro, um passo de 1,6 micrómetro,numa zona que abrange desde o diâmetro de 4ó mm ao diâmetro 117 mm do disco, formado por moldação por injecção. Este substrato de po licarbonato (1) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D7Ó5) de K75 θ uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D735) de 135°CT sob uma carga de 4,6 Kg7c;n2. Como corante orgânico para formar a camada absorvente da luz (2) dissolveram-se 0,65 g de perclorato de 1,1'-dicutil-3,3,3'>3'-tetrametil-4,3,41,51-aibenzoindo dicarbocianina (produto N2 NK4319j fabricado por Nippon Kanko Shikiso K.K.), em 10 ml de um solvente de diacetona-a'lcool. Fez-se, por centrifugação, um revestimento desta solução sobre a superfície do substrato (1) para formar uma camada absorvente da luz (2) com uma espessura de 139 nm.
Formou-se depois, por deposição catódica, uma película de prata com uma espessura de qQ nm sobre a superfície de uma zona entre os diâmetros de 45 a 118 mm deste disco, para formar uma camada reflectora da luz (3). Além disso, fez-se, por centrifugação, um revestimento sobre esta camada reflectora da luz (3)5 de uma resina curável por raios ultravioletas, que foi curada por irradiação de raios ultravioletas para formar uma cama, da de protecção (4) com uma espessura de 10 micrómetros. Depois
da cura com raios ultravioletas, esta camada de protecção (4) tinha uma du reza Rockewell (ASTM D785) de M90 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 150°C sob uma carga de 4,6 Kg/cm^.
Sobre o disco óptico assim obtido, fez-se a irradiação de um feixe de raios laser de semicondutor com um comprimento de onda de 780 nm, com uma velocidade linear de 1,2 m/s com uma potência de gravação de 6,0 mW para gravar sinais EFM. Depois fez-se a reprodução deste disco óptico com um reprodutor de CD que existe no mercado (Aurex XR-V73, comprimento de onda do feixe de raios laser de leitura h = 780 nm) , tendo sido obtido um valor de a Pa£ tir da observação visual dos sinais de leitura, de 0,63 e de 0,32.
As normas CD prescrevem que ^ιχ/^ορ se3a Ρθί° menos igual a 0,6 e que I^/It esteja compreendido entre 0,3 e 0,7. Assim, o disco óptico deste exemplo satisfaz as normas.
Além disso, despegaram-se a camada de protecção (4) e a camada reflectora da luz (3) do disco óptico, depois da gravação, e a superfície da camada absorvente da luz (2) foi inspeccionada, tendo sido observadas irregularidades lineares finas que aparentam representar o perfil periférico das cavidades. Além disso, removeu-se a camada absorvente da luz (2) com um solvente e inspeccionou-se a superfície do substrato (1), tendo sido observadas cavidades modificadas opticamente (5) sob a forma de protube râncias.
Exemplo 20
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no
Exemplo 19, excepto que no Exemplo 19 foi usado, como substra41 £
to transmissor ca luz (1), um disco de policarbonato (Iupilon, marca registada, fabricado por kitsubishi óas kagaku K. u.) com uma espessura de 1,2 mm, um diâmetro exterior de 120 mm, um diâmetro interior de 15 mm, uma dureza Rockwell (AST4 D73>) de 475 θ uma temperatura de distorção pelo calor (AST4 D643) de 132°C sob uma carga de 4,6 Eg/cm2 e com uma ranhura prévia espiral (3) cara sinais de formato CD formada com uma largura de 0,6 micrómetro, uma profundidade de 0,3 micrómetro e um passo de 1,6 micrómetro numa área compreendida entre os diâmetros de 46 e 80 mm do disco e uma ranhura prévia em, espiral (9) formada exteriormente a mesma com uma largura de 0,3 micrómetro,uma profundidade de 0,03 micrómetro e um passo de 1,6 micrómetros numa zona compreendida entre os diâmetros de 30 e 117 mm do dis co, que foi formado por moldação por injecção, utilizou-se uma película de ouro como camada reflectora da luz (3) s formou-se uma camada de resina epoxídica com uma espessura de 2 micrómetros por revestimento por centrifugação entre esta camada reflectora da luz (3) e a camada de protecção (4), feita de uma resina curável por raios ultravioletas. A camada de resina, epo xídica tinha uma dureza Rockwell (ASfk D735) de 493 e uma temperatura de distorção pelo calor (AST4 DÓ43) de 14O°C sob uma carga de 4,6/cm2. A zona interior entre os diâmetros de 46 e 50 mm deste disco óptico é uma denominada ROÍ (Read only memory - Xemória só para leitura), e a zona exterior entre os diâ metros de tJ a 117 mm é uma zona susceptível de ser gravada.
Nesta, zona susceptível de ser gravada do disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFk da mesma maneira que no Sxncplo 19. iez-se depois , reprodução deste disco óptico pei0
reorodutor de CD existente no mercado, tendo I,,/1. sido 7 11 top de 0,02 e I3/I-op 0,32.
Além disso, inspeccionou-se a superfície do substrato (1) do disco óptico depois da òravsçso da mesma maneira que no Exemplo 19, para confirmar a formação de cavidades modificadas opticamente (p) sob a forma de protuberâncias.
íxemplo 21
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no
Exemplo 19, excepto que no Exemplo 19 foi usado um disco de po
listireno com uma dureza Rockwell (A £TM D735) d e k30 e uma
te:;.peratura de distorção pelo celor (A STM D 643) de 39°c, sob
uma carga de 4,c Kg/cm2, como substrato transmissor ca luz (1), submeteu-se » ranhura prévi» do disco a um sinal oscilante de 22,11 KHz com uma amplitude de nm., formou-se por revestimen to por centrifugação uma camada de resina silicónica de acrilato com uma espessura de 4ΰ nm entre a camada absorvente ds luz (2) e a camada reflectora da luz (3), e formou-se, por revestimento por centrifugação, uma cariada de resina epoxídica com uma espessura de 10 nm entre esta camada e a camada absorvente da luz, e formou-se uma película de ouro, como camada reflectora da luz (3).
A camada de resina silicónica de acrilato tinha uma dureza Rockwell (ASTM D?35) de M100 e uma temperatura de distorção pelo calor(ASTM D643) de 2j0°C sob ume carga de 4,6 Kg/cm2.
ho disco óptico assim formado gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no Exemplo 19. Depois fez-se a reprodução deste disco óptico com o reprodutor de CD existente no mercado, ( tendo I11/ítop sido d,63 e I3/Ítop 0,33·
Além disso, inspeccionou-se a superfície do substrato(1) do disco óptico depois da gravação da mesma maneira que no Exemplo 19, para confirmar a formação de cavidades modificadas opticamente (5) 20 5 forma de protuberâncias.
Exemplo 22
Utilizou-se c^mo substrato transmissor da lau (1) o mesmo disco ds policarbonato usado no Exemplo 19.
Sobre este substrato transmissor d? luz (1) formou-se, por centrifugação, um revestimento de resina de acrilato para formar uma camada intermédia com uma espessura de 70 nm. Depois, como corante orgânico para formar a camada absorvente da luz (2), dissolveram-se 0,o5 g de iodeto da l,l'-dipropil-3,3 53'!3' -tetrsmetil-5?51-dimetoxiindodicarbocianina em 10 ml de um solvente de diacetona-élcooi e com. esta solução fez-se, por centri fugação, um revestimento da camada intermédia (6) no substrato (1) , para formar uma camada absorvente da luz (2), com uma espessura de 90 nm. A camada intermédia (t) tinha uma temperatu ra de deformação pelo calor (AETí·.' Dóho) de 100°C sob uma carga de h,c Kg/c:r.2 e uma dureza Rockwell (AS?\ C73>) de \35.
Depois, formou-se por revestimento por centrifugação numa espessura ds 50 nm r:a referida camada absorvente da luz (2) uma camada de resina silicõnica de acrilato. Em seguida, por deposição catódica, formou-se uma película de ouro com uma espessura de 50 nm em toda a superfície de uma zona entre os diâmetros de h5 s 113 mm do disco, para formar uma camada re-
cor centriiugacso um
- -3 5 flectora. da la? (3)· Alem disso, fez-se revestimento de resina cursvel pelos raios ultravioletas sobre esta camada reflectora da luz (3) que foi curada por irradiação de raios ultravioletas para formar uma camada protectora (4) com uma espessura de 10 micrómetros.
Sobre o disco óptico assim obtido, fez-se a irradiação de um feixe de raios laser de semicondutor com um comprimento de onda de 730 nm, com uma velocidade linear de 1,2 m/s com uma potência de gravação de 6,0 mW, para gravar sinais EFX . Depois fez-se a reprodução deste disco óptico por um reprodutor de CD disponível no mercado (Aurex XF-V73, comprimento de onda do fei xe de raios laser de leitura = 7θ0 nm), tendo obti do a partir da observação visual dos sinais de leitura sido 3,63 ®ybop °>3iAs normas CD prescrevem que seja pelo menos
3,3 e que 1,/1^ esteja compreendido entre 0,3 e 0,7- Portanto, o disco óptico deste exemplo satisfaz ss normas.
Alem disso, despegaram-se do disco óptico, depois da gravação, a camada protectora (4), a camada reflectora da luz (3) e a camada absorvente da luz (2) e inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (6), tendo sido confirmada a formação de cavidades modificadas opticamente (5) sob a forma de protuberâncias .
Sxemplo 23
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no Exem pio 22, excepto que no Exemplo 22 a camada iirrt.ermédia (6) foi io.mada com um copolímero de cloreto de vinilo com uma temperatura de distorção ceio calor (ASTM Dò43) de 3D'C, so: ga de 4,3 Kg/cirú: e uma dureza Rockwell (ASTM D7ôp) ·' ma espessura de ÓO nm.
Uma
93,
V» nulo disco óptico assim obtido gravaram-se sinais ZFM da mesma maneira que no Exemplo 22. Depois fez-se a reprodução do disco óptico com um reprodutor de CD disponível no mercado, tendo í^/í^p sido 0,óó e ίβ/^ρ sido 0,35Além disso, inspeccionou-se a superfície ds camada intermédia (o) depois da gravação da mesma maneira que no Exemplo 22, para confirmar s formação de cavidades modificadas opticamente (5) sob a forma de protuberâncias.
Exemplo 24
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no Exemplo 22, excepto que no Exemplo 22 a camada intermédia (6) foi formada com uma resina de acrilato com uma temperatura de distorção pelo c-lor (ΑΞΤΜ CÓ43) de 90°C sob uma carga de 4, 3 r-.g/cm^ e uma dureza Rockwell (ASTM D7Ô5) de M100, tendo a espessura da camada absorvente da luz (2) sido alterada pa^a 130 nm, não tendo sido formada qualquer camada de resina silicónica de acrilato entre a camada absorvente da luz (2) e a camada reflectora da luz (3) e sendo a camada reflectora da luz (3) formada com uma película de uma li ga de ouro e irídio num? relação de 4:1.
lo disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no Exemplo 22. Depois fez-se a reprodução deste disco óptico com o reprodutor de CD existente no merdado, tendo sido 0,63 e I3/Itop 0,32.
Al._m diiso, inspeccionou—se a superfície da camada in
termédia (o), depois da gravação, d- mesma maneira que no Exem pio 22, psrg. confirmar a formação de cavidades modificadas opticamente (5) sob a forma de protuberâncias.
Exemplo 2 5
Frepsrou-se um disco óptico da mesma maneira que no Exemplo 22, excepto que no Exemplo 22 a camada intermédia (6) foi formada com um copolímero de cloreto de vinilideno com uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D643) de 66°C sob uma carga de 4,6 Kg/cm2 e uma dureza Rockwell (ASTM 1)785) óe MÓO, numa espessura de óú nm.
Mo disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no Exemplo 22. Depois fez-se a reprodução deste disco óptico com o reprodutor de CD existente no mercado, tendo I.. /1 sido J,ó7 e ΊΜ/Ι, D,3o.
J- χ ΐ ο ρ
Além, disso, inspeccionou-se s superfície intermédia (6) depois da gravaçao da mesma maneira que no Exemplo 22, para con firmar a formação de cavidades modificadas opticamente (5) sob a forma de protuberâncias.
Exemplo 26 ?re?arou-se um disco óptico d= mesma maneira que no Exemplo 22, excepto que no Exemplo 22 a camada intermédia (ó) foi formada com polistireno com uma temperatura de distorção pelo calor (ASiM Dó4ô) de 85°C sob uma carga de 4,6 ng/cm2 e uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M70.
No disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFM da hl
7mesma maneira que no Exemplo 22. Depois fez-se a reprodução deste disco óptico com o reprodutor de CD existente no merca, do, tendo In/Itop sido 0 ,65 e 1./1^ 0,3^·
Além disso, inspeccionou-se s camada intermédia (6) de poisda gravação ca mesma maneira qu no Zxemplo 22, para confir mar a formaçao de camadas modificadas opticamente (j) so a for ma de protuberâncias.
Exemplo 27
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no Exemplo 22, excepto que no Exemplo 22, a camada intermédia (6) foi formada com um acetato de polivinilo com uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D64-3) de 55°C sob uma carga de
4,6 Kg/cm2 e dureza Rockwell (ASTM D?35) de M70 numa espessura de ÓO nm e fez-se, por centrifugação, um revestimento de isocia nato sobre a camada de resina silicónica de acrilato numa espes. sura de 10 nm.
Do disco óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no Exemplo 22. Depois, fez-se a reprodução deste disco óptico com o reprodutor de CD disponível no mercado, tendo I,./1, sido 0,66 e Ι-,/ϊ, 0,32.
’ 11 top ’ 3 top
Alem disso, inspeccionou-se a superfície de camada intermédia (6) depois d? gravação da mesma maneira que no Exemplo 22, pa^a confirmar a formação das camadas modificadas opticamen te (t) sob a forma de protuberâncias.
Exem/
Exercclo 23
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no Sxemplo 22, excepto que no Exemplo 22 a camada intermédia, (ó) foi formada com um poliéster com uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM Dó^S) de 70°C sob uma carga de ^,6 Xg/cm2 e uma dureza Rockwell (ASTM D7Ô5) de M70, utilizou-se como coran te orgânico, para formar a camada absorvente da luz (2), perclo rato de 1,1'-dibutil-j,3,3'>3'-tetrsmetil-ú,5,41,5'-dibenzoindodicarbocianina, fez-se sobre a camada absorvente da luz (2) um revestimento de resina silicónica em vez de uma resina silicónica de acrilato, e formou-se uma camada de resina epoxídica curável com bisfenol sobre a camada reflectora da luz (3) com uma espessura de 23 nm.
No disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no Exemplo 22. Depois, fez-se a reprodução deste disco óptico pelo reprodutor de CD existente no mercado, tendo In/Itop sido 3,61 « I3/Itop 0.31·
Além disso, inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (ó) depois da gravação da mesma maneira que no Sxemplo 22, para confirmar a formação de cavidades modificadas opticamente (5) sois a forma de protuberâncias.
Exemplo 29
Preparou-se um disco óptico da. mesma maneira que no
Exemplo 22, excepto que no Exemplo 22 a camada intermédia (6) foi formada com uma resina de poliuretano com uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM Dó^-8) de 50°C sob uma carga- de
4,6 Kg/cm2 e uma dureza Rockwell (ASTM D7o5) de MÓO numa espes sura de 50 nm, fez-se por centrifugação um revestimento de uma resina silicónica nesta camada intermédia (6) com uma espessura de 15 nm para tratamento de resistência aos solventes, com uma espessura de ΙβΟ nm. fez-se depois uma camada absorvente da luz (2) usando perclorato de 1,11-dibutil-3,3 ?3‘j3 '-ãsãrametil-4 j 5 Λ 1 > 5'-dibenzoindodic?rboclanina , não se formou qualcuer camada de resina silicónica de acrilato entre a camada absorvente da luz (2) e a camada reflectora da luz (3) θ formou-se a camaca reflectora da luz (3) com uma película de uma liga de ouro e irí dio numa relação de 9:1.
No disco óptico assim preparado, gravaram-se sinais SEM da mesma maneira que no Sxemplo 22. Depois fez-se a reprodução deste disco óptico com o reprodutor de CD existente no comércio, tendo I11/Itop sido 0,66 e I3/ítop 0,53.
Além disso, inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (o) depois da gravação da mesma maneira que no Exemplo 22, para confirmar a formação de cavidades modificadas opticamente (5) sob a forma de protuberâncias.
Exemplo 3θ
Preparou-se um cisco óptico da mesma maneira que no
Exemplo 22, excepto qna no Exemplo 22 a casada intermédia (6) foi formada com uma resina de poliuretano com uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D64-S) de 5C°C sob uma carga de
4,6 Ag/cm2 e uma dureza Rockwell (ASTM D7Ó5) de MoO, fez-se por centrifugação um revestimento dg um agente de revestimento silicónico sobre esta camada intermédia (6), numa espessura de· 15 nm, pars tratamento de resistência aos solventes e formou-se depois uma camada absorvente da luz (2) usando perclorato ce l,l'-dibu til-j ,3,3 1 ,3 ' -tetra.metil-4 , 5 ,4' > 5' -dibenzoindodicartocianina e formou-se silicónica sobre esta camada absorvente da luz (2) em vez da resina silicónica de acrilato, fez-se ure revestimento de resina epoxídica com polissulfuretos incorporados, sobre a cama, da reflectora ds luz (3), com uma espessura de 20 nm e sobre a mesma formou-se a camada protectora (4).
No disc^ óptico assim obtido gravaram-se sinais SFX da mesma maneira que no Exemplo 22. Fez-se depois a reprodução deste disco no reprodutor de CD existente no mercado, tendo Ill/Itop Sldo J,0G e I3/Itop °’33·
Além disso, inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (o) depois da gravação da mesma maneira que no Exemplo 22, para confirmar a formação de cavidades modificadas opticamento (5) sob a forma de protuberâncias.
ixemplo 31
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no Exemplo 22, excepto que no Exemplo 22 a camada intermédia (6) foi formada com uma resina celulósica com uma temperatura de distor ção pelo calor (ASTF Dò48) de 60°C sob uma carga de 4,6 Fg/cml uma dureza Fockv:ell (ASTF 1735) dí
DO, utilizou-se como co rante orgânico para formar a camada absorvente da luz (2) perclo rato de 1,1'-dibutil-3,3,3',31-tetrametil-4,5,4',5'-dibenzoindo dicarbocianina e fez-se um revestimento de resina silicónica na camada absorvente da luz (2), em vez da resina silicónica de
acrilato.
No cisco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFm-da mesma maneira cue no Exemplo 22. Depois fez-se a reprodução deste disco óptico com o reprodutor de CD existente no mercado, tendo I11/Itop sido 0,ó5 e Í3/Itop 3,32.
Além disso, inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (ó) depois da gravação da mesma maneira que no Exemplo 22, para confirmar a formação de cavidades modificadas opticamente (5) sob a forma de protuberâncias.
Exemplo 32
Prepnrou-se um disco óptico da mesma maneira que no Exemplo 22, excepto que no Exemplo 22 a camada intermédia (6) foi formada com uma resina termopla'stica de uretano com uma tem peretura de distorção pelo calor (ASTN Dó4o) de 53°C soe uma carga de 4,ó ng/cm2 e uma dureza F.ockweil (ASTM D7o5) de N.30 numa espessura de 53 nm, fez-se por centrifugação um revestimen to de um agente de revestimento silicónico sobre esta camada intermédia (ó) nume espessura de 15 nm para tratamento de resistência aos solventes e depois formou-se uma camada absorvente da luz (2) utilizando perclorato de l,l'-dibutil-3,3,3',3'-tetrametil-4,5,4',5f-dibenzoindodicarbocianina e fez-se um reves timento de resina silicónica em vez de resina silicónica de acri lato.
No disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no Exemplo 22. Fez-se depois a reprodução des te disco óptico com um reprodutor de CD existente no mercado, tendo In/Itop sido 0,67 e I3/Itop °,34.
cama
Além cisso, insoeccionou-se s superfície da camada intermédia (ó) depois da gravação da mesma maneira que no Exemplo 22, para confirmar a formação de cavidades modificadas óptica mente (5) soc a forma de protuberâncias.
Exemplo 33
Preparou-se um disco optico da mesma maneira que no Exemplo 22, excepto que no Exemplo 22 a camada intermédia (ó) foi formada com uma resina acrílica com uma temperatura de distorção pelo calor (ASTf·.' Γ69-8) de 70°C sob uma carga de 9-,6 Kg/ /cm2 e uma dureza Rockwell (ASTM D735) de M90, uma camada absorvente da luz (2) foi formada com uma espessura de 130 nm usando fluoroborato de 1,1'-dipropil-5,7,51,7'-oimetoxiindodicarbocianina como corante orgânico, a camada reflectora da luz
(3) foi formada por uma
(9) foi f 0 rn.a d a com um
com uma espessura de 5
No disco óptico
da ι mesma maneira que no
ção dest e disco óptico
iicrómetros
FM cado, tendo I-, q/ítop sido 0,63 e I^/I^OD 0,32.
Além disso, inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (ó) depois da gravação da mesma maneira que no Exemplo 22, para confirmar a formação de cavidades modificadas opticamen te (5), sob a forma de protuberâncias.
Exemplo 3^
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no
Exemplo 22, excepto que ro Exemplo 22 a camada intermédia. (6) foi formada com uma resina de poliuretano com uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM i643) de 50°C sob uma carga de
4,6 iig/cmi e uma dureza Rockwell (ASTM 1735) de MÓO, utilizou-se fluoroborato de 1,11-dipropil-S,7,5'>71-dimetoxiindodi carbocianina como corante orgânico para a camada absorvente da luz (2), formou-se uma película de SiC^ com uma espessura de 3θ nm sobre a camada absorvente ds luz (2), por deposição catódica, formou-se a camada reflectora ds luz (3) com uma pe lícula de cobre, fez-se, por centrifugação, um revestimento de uma resina epoxidica sobre a camada reflectora da luz (3) numa espessura de 20 nm e a camada de protecção (4) foi forma da com um agente de revestimento silicónico duro, com uma espessura de 5 micrómetros.
nais
No disco óptico assim obtido fez-se a ,FM da mesma maneira que no Exemplo 22 gravação de siFez-se depois a re produção deste disco óptico com um reproduto” de CD existente no mercado, tendo sido 0,66 e I^/^op 0,33.
Alem disso, inspeccionou-se a superfície da camada in termédia (6) depois da gravação, da mesma maneira que no Exemplo 22, para confirmar a formação de cavidades modificadas opticamente (5) sob a forma de protuberâncias.
Exemplo 35
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no
Exemplo 22, excepto que no Exemplo 22 foi utilizado um disco de vidro como substrato transmissor da luz (1), formou-se a ca cl· ;a de A,ó ng/cm2 e uma dureza Rockwell (ASTM Ώ7θ5) óe M90 mada intermédia (o) com uma resina de acrilato com uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM Eokd) de ?Q°C sob uma car 2 e tendo formada ums ranhura prévia, por um processo de foto-poli merização, formou-se uma camada absorvente da luz (2) com uma espessura de 110 nm utilizando fluorocorato de 1,11-dipropil-5,7,5',7'-dimetoxiindodicarbocianina como corante orgânico para formar a camada absorvente da luz (2), formou-se a camaca reflectora da luz (3) por uma película de cobre, e a camada de protecção (M foi formada com um agente de revestimento duro nu ma espessura de 5 micrómetros.
Mo disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no Exemplo 22. Fez-se depois a reprodução do disco óptico com o reprodutor de CD disponível no mercado,ten d° WAop sid° °’°3 s yio? sid° a’3íAlém disso, inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (ó) depois da gravação da mesma maneira que no Exemplo 22, para confirmar ? formação de cavidades modificadas opticamente (5) sob a forma de protuberâncias.
Exemplo Comparativo 1
Preparou-se um disco óptico da ;.\esma maneira que no Exem pio 22, excepto que no Exemplo 22 a camada intermédia (ó) foi formada com resina silicónica com; uma temperatura ce distorção pelo calor (ASTM D6A8) de l30°C sob uma carga de A,c Kg/cm2 e uma dureza Rockwell (ASTM E735) de M100.
Mio disco óptico assim obtido· gravaram-se sinais EFM C' maneira qus no Exemplo c2, Fez-se depois ε reprodução do disco óptico com o reprodutor de CD existente no mercado, tendo Ill/Itop sido 0,23 e I7/Itop 0,05.
Assim, este disco não satisfez as normas CD .
Exemplo 3°
Formou-se, por rr.oldação por injecção, nm substrato (1) ce policarbonato com a forma de um disco com uma espessura de 1,2 mm, um diâmetro exterior de 120 mm e -mm diâmet ro interior de 15 mm e tendo formada uma ranhura prévia com, a largura de 0,8 micrómetro, uma profundidade de 0,0-3 micrómetro e um passo de 1,6 mi crórnetro numa zona entre os diâmetros de 46 e de 117 mm do dis. co. Este substrato de policarbonato (1) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D7S5) de M75 θ uma temperatura de distorção pelo ca lor (ASTM Dó43) de 132°C,
Como corante orgânico para formar a camada absorvente da luz, dissolveram-se 0,65 g de perclorato de 1,1'-ditutil-3,
3,3',3'-tetrametil-4,5,4',51-díbenzoindodicarbocianina (produto í?2 NK3219), fabricado por Nipon Kanko Shikiso K. K.), em 10 ml de um solvente de diecetona-élcool. Revestiu-se com esta so lução a superfície do substrato (1), por centrifugação, para formar a camada absorvente da luz (2) com uma espessura de 130 nm.
Formou-se depois, por deposição catódica uma película de ouro com uma espessura de 5d nm en. toda a superfície numa zo na entre os diâmetros de 45 e 113 nm, deste disco, para formar uma camada reflectora da luz (3). Além disso, aplicou-se por centrifugação um revestimento de resina curável por raios ultra
violetas sobre esta camada reflectora da luz (3) ° curou-se oor irradiação con: raios ultravioletas, p?rs formar uma camada de protecção (4) com a espessura de 10 micrómetros. lepois da cu rs, esta camada tinha um? dureza Rockwell (ASTM 1735) óe M90 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM 1Ó43) de 150 °C.
Na. zona (/) susceptível de ser gravada do disco óptico assim obtido fez-se a irradiação de um feixe de raios laser de semicondutor com um comprimento de onda de 730 nm, com uma velo cidade linear de 1,2 m/s com uma potência de gravação de 6,0 mW para gravar sinais EFM. Fez-se depois a. reprodução deste dis co óptico com o reprodutor de CD existente no mercado (Aurex XR-V73, comprimento de onda do feixe de raios laser de leitura
X = 7θ0 nm), tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 72 ΙηΊ/Ι. n 0,c5, I^/I. „ 0,35 e a taxa de erros referida aos blocos BLER 3,4 x IO--5.
As norcrns CD prescrevem que a reflectância seja pelo menos 70 do entre não seja satisfaz /, l]_ç/XOp ?slo .menos 0,6, ι^/Ι^-θρ esteja compreendi1,3 e a,7 e ? taxa de erros referida aos blocos BLER _2 superior a 3 x 10 . 0 disco óptico desta referência as normas.
Alem disso, despegaram-se depois da gravação a camada de protecção (4) e a camada reflectora da luz (3) óo disco óptico e rsmoveu-se a camada, absorvente da luz (2) com um solvente, observando-se a superfície do substrato transmissor da luz (1) por STM (Scanning Tunneling Eicrosccpe- microscópio de varrimento de efeito de túnel), tendo sido observada uma deformação sob a forma de protuberâncias na zona com cavidades.
Alem disso, mediram-se com um espectrofotómetro a porção grava.
da e a porção não gravada do substrato (1) , tendo sido observados na porção gravada picos diferentes dos picos de resina observados na porção não gravada.
Este exemplo ilustra o caso em que se utilizou a camada de protecção (4) como camada dura.
Exemplo 37
Num substrato de policarbonato (Panlite, fabricado por Teijin Kagaku) com a mesma forma e a mesma ranhura prévia que no Exemplo 36, formou-se uma camada absorvente da luz (2) da mesma maneira descrita atrás, sobre esta formou-se uma camada de resina silicónica de acrilato com uma espessura de 50 nm, como camada dura (6), sobre esta uma camada de prata com a espessura de 50 nm, por deposição de vapor sob vazio, ccmo camada reflectora da luz (3) e sobre esta, coto no Exemplo 36, fornou-se a mesma camada de protecção (4). 0 substrato referido tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M100 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 135°C, enquanto a camada dura (6) anterior tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M100 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 200°C.
Neste disco óptico gravaram-se dados da mesma maneira que no Exemplo 36 e depois fez-se a sua reprodução, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 71%,
11' top
0,63, 0,33 e a taxa de erros referida aos blocos BLER
3.5 x 10
Além disso, inspeccionou-se a superfície do substrato transmissor da luz (1) depois da gravação por STM (Scanning
Tunneling Microscope - microscópio de varrimento de efeito de túnel) da mesma maneira que no Exemplo βό, tendo sido observa ds uma deformação sob a forma de protuberâncias na porção em' que se fez a modificação óptica. A porção central desta deformação era ligeiramente mais baixa e verificou-se que a deformação (6) tinha dois picos, como se ilustra na fig. 15(b).
Exemplo 38
Formou-se da mesma maneira que anteriormente, num subs_ trato de policarbonato (Iupilon, fabricado por Mitsubishi Gas Kagaku) com ? mesma forma e a mesma ranhura prévia que no Exemplo 38, uma camaca absorvente da luz (2), sobre esta formou-se uma camada de resina epoxidica com uma espessura de 59 nm, como camada dura (ó), formou-se uma película de ouro com uma espessura de 59 nm por deposição de vapor sob vazio sobre a mesma, como camada reflectora da luz (3) θ sobre esta a mesma camada de protecção (4) que no Exemplo 36. 9 substrato tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M75 θ uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM Γ'ό43) de 13^°C, enquanto a refe rida camada dura (6) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D735) de MyO e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM DÓ43) de 14O°C.
Neste disco óptico gravaram que no Exemplo.38 e depois fez-se a do a reflectância do feixe de raios aos blocos mLER π Λ-3 se dados da mesma maneira reprodução dos mesmos, ten laser de semicondutor sido s taxa de erros ^aferida fi I
11/UoD u’°v
E/kop °>32 ® mxemExemplo 39
Num substrato às polistireno com a mesma forma e a mes ma ranhura prévia que no Exemplo 33, formou-se uma camada absor vente da luz (2) da mesma maneira que anteriormente. sobre a mesraa formou-se uma camada de resina de acrilato com uma espessura de 50 nn, como camada dura (ó), sobre esta uma camada de resina epoxídica aplicada por centrifugação como revestimento, para melhorar as propriedades de ligação, depois formou-se uma película de ouro por deposição de vapor sob vazio, com uma espessura de 50 nm, como camada reflectora da luz (3) e sobre esta a mesma camada de protecção (4) que no Exemplo 36.
substrato tinha uma dureza Rockwell (ASTM 1735) de Μδύ e uma temperatura de distorção pelo calor (A.STM de 39°C, en quanto a referida camada dura (6) tinha uma dureza Rockwell (ASTM 1735) de M100 e una temperatura de distorção pelo calor (ASTM DÓ43) de 100°C.
Gravaram-se neste disco optico dados da mesma maneira que no Exemplo 36 θ fez-se a sua reprodução, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 72 f, I-,/1.
L O p
0,62, íj/^top θ’-bl e 5 taxa de erros referida aos blocos BLER
7,0 x 10
Exemplo 40
Num substrato de metacrilato de poiimetilo com a mesma forma e a mesma ranhura previa que no Exemplo 36, formou-se uma camada absorvente da luz (2) da mesma maneira que se descreveu atrés, sobre esta camada formou-se depois uma camada de resina de poliéster com uma espessura de 5θ nír- com.o camada dura (6), sobre esta uma camada de ouro, por deposição do vapor sob vario, com uma espessura de 50 nm, como camada reflectora da luz (3), sobre esta formou-se por centrifugação um revestimento de resina epoxídica, para melhorar as características de ligação, e depois formou-se a mesma camada de protecção (4) que no Exem pio 3°. 0 substrato tinha uma dureza Rockwell (ASTM 0785) de M103 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM LÓ48) de 110°C, enquanto a camada dura (ó) anterior tinha uma dureza Rockwell (ASTM L/35) de M110 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM DÓ43) de 115°C.
Neste disco óptico gravaram-se dados da mesma maneira que no Exemplo 38 e depois reproduziram-se os mesmos, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 72 T-j ^/I-top 8j84, Ϊβ/Ι^θρ 8,3^ θ a taxa de erros referida aos blocos BLER 3,0 x 10'3'
Exemplo 4l
Num substrato de poliolefina com a mesma forma e a mesma ranhura prévia que no Exemplo 38, formou-se uma camada absor vente da luz (2) da mesma maneira que no Exemplo 38, utilizando perclorato de 1,11-dibutil-3,3,3'3'-tetrametil-5,5'-dietoxiirdo dicarbocianina, formando-se depois sobre esta camada uma camada de resina silicónica de acrilato com uma espessura de 5'0 nm, co mo camada dura (6), e uma película de ouro com uma espessura de 50 nm foi depois formada sobre a mesma como camada reflectora da luz (3)5 Ρ°Γ deposição de vapor no vácuo, sobre esta formouse, por centrifugação, um revestimento de resina epoxídica para melhorar as características ds ligação e formou-se depois a mesma camada de protecção (4) que no Exemplo 36. 0 substra'to tinha a dureza Rockwell (ASTM F/Sp) de M75 θ uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM DÓ48) de l4d°C, enquanto a referida camada dura (o) tinha uma dureza Bockwell (AST1 E73p) de MOO e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM DÓ48) de 200°C.
Neste disco óptico gravaram-se dados da mesma maneira que no Exemplo 36 e fez-se depois a sua reprodução, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 74 ,1,
Xl/Xop Í3//Itop s a tsxa ce erros referida aos clocos BLER 2,3 x 10~3.
Exemplo 42
Num substrato de resina epoxídica com a mesma forma e a mesma ranhura prévia que no Exemplo 36, formou-se uma camada absorvente da luz (2) formada da mesma maneira que no Exemplo 36, utilizando perclorato de l,l'-dibutil-3,3,3'3'-tetrametil-5,5'-dietoxiindodicsrcocianina, e formou-se sobre esta camada uma camada de resins silicónica com uma espessura de 53 nm, como camada dura (o), formando-se depois, por deposição de vapor no vacuo, uma película de alumínio com. uma espessura cMs >3 nm, como camada reflectora da luz (3)? sobre a qual se formou a mss. ma camada de protecção (4) que no Exemplo 36. 0 substrato tinha a dureza Bockwell (ASTM D7S5) de M93 e unia temperatura de distorção pelo calor (ASTM D643) de 135°2, enquanto a referida camada dura (ó) tinha uma dureza Bockwell (ASTM D735) de M100 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM DÓ43) de l-80°C.
Neste disco óptico gravaram-se dados da mesma maneira que no Exemplo 36, depois fez-se a sus reprodução, tendo a reflectância do feixe ce raios laser de semicondutor sido 73 Ó, Iqq/ItQp J56i, I^/ItOQ 3,30 e a taxa de erros referida aos blocos ELER <;,0 x 10 -1.
Exemplo 4-3
Num substrato de policarbonato (Panlite, fabricado por Teijin Kagaku) com a mesma forma e a mesma ranhura previa que no Exemplo 36, formou-se uma camada absorvente da luz (2) da mesma maneira que se descreveu atrás, sobre esta camada formou-se por deposição de vapor no vácuo uma película de prata com uma espessura de 5'0 nm como camada reflectora da luz (3), sobre esta formou-se uma camada de resina silicónica de acrilato com uma espessura de ρθ nm, como camada dura (6) e sobre esta a mes ma camada de protecção (4) que no Exemplo 36. 0 substrato tinha uma dureza Rockwell (ASTM Γ735) de M75 o uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM EÓ43) de 135°C, enquanto a camada dura (o) referida tinha uma dureza Rockwell (ASTM E7Sp) de
M130 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM E643) de
230°C.
Neste disco óptico gravaram-se dados da rr.esma maneira que no Exemplo 36, depois fez-se a sua reprodução, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 71 ^ll^top I3/Itop θ a taxa de erros referida aos blocos BLER 3,7 x 10’3.
Exem/ Exemplo 44
Nurr. substrato de policarbonato (Iupilor, fabricado por Mitsubishi uas riagaku) com a. mesma forma e a mesma ranhura pre via que no Exem,pio 35, formou-se uma camada absorvente da luz (2) d?1 mesma maneira que se descreveu atrás, sobre esta formou-se, por deposição de vapor no vácuo, uma película de ouro com uma espessura de 50 nm, como camada reflectora ds luz (3), e sobre esta uma camada de resina epoxídica com uma espessura de 50 nm, como camada dura (ó), que serviu também de camada de pro tecção. 0 substrato tinha uma dureza Rockwell (ASTM 1785) de M75 θ uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D64-3) de 135°C, enquanto a camada dura anterior (6) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D735) de M90 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM l643) de l4-0°C.
neste disco óptico gravaram-se dados da mesma maneira que no Exemplo 36, fez-se depois a sua reprodução, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 74 7
0,63, 0,33 θ s taxa ce erros referida aos blo_L_L υ O p bOp
COS BLER 2,7 X 1θ’3.
Exemplo 45
Dum substrato de polistireno com a mesma forma e 2 mes. ma ranhura previa que no Exemplo 30, formou-se uma camada acsor vente da luz (2) da mesma maneira descrita atrás, sobre esta formou-se uma película de ouro com uma espessura de 50 nm, como camada reflectora da luz (3) por deposição sob vazio, e sobre esta uma camada de resina de acrilato com uma espessura de 50 rm, of tecçao de M.3O ,o como camada dura (o> que serviu tamtém como camada de pro substrato tinha uma dureza Rockwell (ASTM D/35) . uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM 1Ó43) de 39 WC, enquanto a referida camada dura (ò) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D7Ô5) de M100 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM 1Ó48) de 100°C.
Reste cisco óptico gravaram-se dados da mesma maneira que no Exemplo jó, e fez-se depois a sua reprodução, tendo a re flectância do feixe de raios Laser de semicondutor sido 72 .3,
0,32 e a taxa de erros referida aos bloWho? A1 cos 3LER 7,1 x 10 top íxemolo 43
Num substrato de polimetacrilato de metilo com a mesma forma e a mesma ranhura prévia que no Exemplo 30, formou-se uma camada absorvente da luz (2) da mesma maneira atras descrita, formou-se depois sobre esta, por deposição de vapor no vácuo, uma película de ouro com uma espessura de 50 hm, como camada reflectora da luz (3), fez-se sobre esta, cor centrifugação, um revestimento de resina epoxídica para melhorar as característi. cas de ligação, forrando-se uma camada de resina de poliéster com uma espessura de 5θ nm como camada dura (6) que serviu tam bém de camada de protecção. 0 substrato tinha uma dureza
Rockwell (ASTM 1785) de M100 e uma tempera tura 'de deformação pelo calor (ASTi 1643) de 110°C, enquanto a camada dura anterior (6) tinha uma dureza Rockwell (ASTM 1735) de M110 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM 1343) de 115°C.
disco óotico gravaram-se dados dc m?
m-neir?
que no Exemplo 36 e fez-se depois ? sus reprodução, tendo ·? ré flectsncia do feixe de raios Iase” de semicondutor sido 72 4,
Içç/Iton 3,6-5, 3,3^ θ s taxa de erros referida aos cio _3‘
5LER 0,3 x 10 <
cos
Exemplo 47
Num substrato de poliolefina com a mesma forma e a rr.es ma ranhura prévia que no Exemplo 30, formou-se uma camada absorvente da luz (2) da mesma maneira cue no Exemplo 36, usando perclorato de 1,1'-dibutil-3,3 >31»31-tetrametil-5,5'-dietoxiindodicarbocianina, sobre esta camada formou-se depois, por deposição de vapor no vacuo, uma película de ouro com uma espessura de 53 nm, cor:,o camada reflectora da luz (3), sobre esta formou-se por centrifugação um revestimento de resina epoxídica para melhorar as características de ligação e sobre ela formou-se uma camada de resina silicónica de acrilato com uma espessura de 50 filh corno camada dura (6) que serviu também de camada de protecção. 0 substrato tinha uma dureza Rockwell (ASTM C'735) 8e M75 s uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM Γ643) de 14O°C, enquanto a referida camada dura (6) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D735) de M100 e umj emperatura de distorção pelo calor (ASTM í'643) de 200°C.
Neste disco óptico gravaram-se dados da mesma maneira que no Exemplo 3° e fez-se depois a sua reprodução, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 71 Λ-, ^ll^top ^top θ’3^ e a taxa de erros referida aos blo
cos BLER 2,4 x 10 .
Exemplo 48
Num substrato de resina epoxídica com a mesma forma e mesma ranhura prévia que no Exemplo 36, formou-se uma camada sorvente da luz (2) da mesma maneira qne no Exemplo 3°> utilizando perclorato de 1,11-dibutil-3,353' ,3r-tetrametil-5,5' -dietoxiindodicarbocianina, formou-se depois sobre esta, por deposição de vap^r rn v=cuo, uma película de alumínio com uma espessura de 5θ hm, como camada reflectora da luz (3), e formou-se sobre a mesma uma camada de resina silicõnica com uma espessura de 53 hm, como camada dura (ó), que serviu também da camada de protecção. 0 substrato tinha a dureza Rockwell (ASii< Γ735) is M90 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM C-643) de 135°C, enquanto a referida camada dura (6) tinhí uma dureza Rockwell (ASTE 1735) ce E100 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM 1Ó43) de lSO°C.
Neste disco óptico gravaram-se dados da mesma maneira que no Exemplo 36 e fez-se depois a sua reprodução, tendo a re flectsncia do feixe de raios laser de semicondutor sico 72 1, iqq/I^o0 3,6^, 3,32 e a taxa de erros referida aos blo co:
x 10 top
Exemplo Comparativo 2
Precarou-se um disco óptico da mesma maneira que no exemplo 3°, excepto que no Exemplo ^6 a camada de protecção (4) feita de resina curável por raios ultravioletas foi formada' de
ÁZ
modo ? ter uma dureza Rockwell (ASTM t7Ô5) de M.óO e um peratura de distorção pelo calor (ASTM 1643) de 90°C, soc uma carga de 4,ó ng/cm2, depois da cura.
Neste disco óptico irradiou-se um feixe de raios laser de semicondutor com um. comprimento de onda de 730 nm, comi uma velocidade linear de 1,2 m./s para gravar sinais EFM da mesma maneira que no Exemplo 36, não tendo sido observadas cavidades (5) apropriadamsnte nítidas no substrato (1). Fez-se depois a reprodução deste disco com o mesmo reprodutor de CC do Exemplo 35, tendo a reflectância do disco óptico sido 71 /, In/Ifcop 3 F1 I,/Itop 3 Fg7 j mas a taxa de erros referida aos blocos BLER foi 1,5 x 13 \ não obedecendo portanto às normas CD.
Exemplo 4?
Preparou-se um disco óptico da mesm.a maneira que no Exemplo 1, excepto que no Exemplo 1 foi aplicado, por centrifugação, um revestimento de resina, dura curável por raios ultravio letas na face de incidência da. luz do substrato de policarbonato (1) para formar uma camada de protecção do substrato com uma espessura de 1 mecrómetro.
No disco óptico assim obtido gr^varam-se sinais EFM da mesma maneira qus no Exe te disco óptico no mesmo tendo a reflectância do do 70 In/Itop aos blocos BLER 1,3 x mplo 1. Fez-se depois ? reprodutor de Cí que feixe de raios laser de I3/Itop °’37 e a taxa de 10'^.
reprodução des. no Exemplo 1, semicondutor sierros referida
Inspeccionou-se a superfície do substrato transmissor da
luz (1) do disco õptico depois da gravação por STM da mesma mameira que no Exemplo 1, para confirmar a formação de cavidades (5) como no Exemplo 1.
Exemplo 50
Preparou-se um disco õptico da mesma maneira que no Exem pio 1, excepto que no Exemplo 1 fez-se, por centrifugação um revestimento de uma resina de polibutadieno dissolvida em ciclohexano para formar uma camada de resina de polibutadieno com uma es pessura de 10 nm entre a camada absorvente da luz (2) e a camada reflectora da luz (3).
No disco õptico assim formado gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no Exemplo 1. Em seguida, reproduziu-se es te disco õptico pelo mesmo leitor de CD do Exemplo 1, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 72%,
1.,/L sido 0,65, I~/I, 0,35 e a taxa de erros referida aos llz top ' 3' top blocos BLER 8,6 x 10 3.
Além disso, inspeccionou-se a superfície do substrato transmissor da luz (1) do disco õptico depois da gravação por STM da mesma maneira que no Exemplo 1, para confirmar a formação de cavidades (5) como no Exemplo 1.
Exemplo 51
Moldou-se por injecção um substrato de policarbonato (1) com uma espessura de 1,2 nm, um diâmetro exterior de 120 mm e um diânetro interior de 15 mm e tendo uma ranhura prévia (8) formada na sua superfície, com uma largura de 0,8 micrómetro, uma profundidade de 0,08 micrómetro e um passo de 1,6 micrómetro . Corro corante orga
mar a camada absorvente Ί , - ., C- j_ Ci / (2) dissolveram-se
clorato de 1,1'-diprocil “b J b J b ' ρ 1 t í- f
dicartocianina, em 10 ml d e um solvente de .álcool
fez-se com esta solução um reve superfície deste substrato (1) te de luz (2) com uma espessura stimento, por centrífuga par? formar uma camada a de 100 rm;. Além disso,
ico pa^s for > o d ietoxiindoisopropílico.
osorv yo . 1 formou
-se uma película de SiO^ sobre a mesma por deposição catódica, com uma espessura de 40 rm.
Formou-se depois, por deposição catódica, uma película de ouro com uma espessura de 50 nm cm toda a superfície de uma zona entre os diâmetros de 4-5 a 113 mm do disco, para formar uma camada reflectora da luz (3)· Além disso, aplicou-se, por centrifugação, sobre esta camada reflectora da luz (3), nm revestimento de resina de uretano dissolvida em metiletilcetona, com uma espessura de 100 nm, para formar uma camada absorvente dos choques e aplicou-se, por centrifugação, sobre a mesma,um revestimento de resina curável por raios ultravioletas e fez-se a cura da mesma pelos raios ultravioletas para formar uma cama-
d a de protecção (4) com uma espessura de 10 micrómetros,
No disco óptico assim obtido fe z- se a irradiação de um
feixe de raios laser de semicordutor corn um co,mprimento de onda
de 730 nm com uma veloci dade linear d e I , 2 m/s, com uma poter-
cie de gravação de ó,3 m d, para grava r si ra is EFX . Fez-se de
pois a reprodução do disco óptico com ur. reprodutor de CD exis
tente no mercado (Aurex X3-V73, comprimento de onda do feixe de raios laser de leitura = 730 nm), tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 77 ^ιι/Ι^ορ θ,66, ζθ
Ο,βό 9 9 taxa de erros referida aos blocos tLER 8,5 x IO’3.
Além disso, inspeccionou-se ε superfície do substrato transmissor da luz (1) do disco optico depois da gravação por S?M d? mesma maneira que no Exemplo 1 par? confirmar a formação de cavidades (5) como ro Exemplo 2.
Exemplo 52
Preparou-se nm disco optico da mesma maneira que no Exemplo 51, excepto que no Exemplo pl se formou a película pelo processo LPD e utilizou-se um solvente de dioxano, como solvente cara o agente de revestimento, para formar a cacada absor vente da luz (2).
No disco optico assim obtido, gravsram-se sinais EFM com uma potência de gravação de 7,2 m.< da mesma maneira que no Exemplo >1 · Fez-se depois a reprodução deste disco óptico pelo mesmo reprodutor de CD do Exemplo 51, tendo ? reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 77 m, θ,6ό, j35 θ -- taxa de erros referida aos blocos ELER
9,3 x 10
-E
Além disso, inspeccionou-se a superfície do substrato transmissor d- luz (1) do disco óptico depois da gravação por jsins maneira oue no Exemcio cara conurmer a lorme· ão de cavidades (5) como no Exemplo 1.
Lxemolo 5
Preparou-se um disco óptico da resma maneira oue no
Zi
exemplo 51, excepto que no Exemplo ;1, em vez 1? ρ 3 . i C J i
Si0<·. foi aplicado, por ce: itrif ugação , um revestim ento d
na epoxidica dissolvida sm éter d i g1i c idílico para form;
camada de res ir. a epoxidica com uma esp essura de 4l nm , f
’3 S 1
-se sobre est? ums película fins de un- liga de ouro e titânio num? relação de 9:1, como camada reflectora d- luz (3), θ fez-se por centrifugação um revestimento de resina de polibutadieno dissolvida em ciclohexano para formar u: » camada de resina de politutadieno com uma espessura de 10 nm entre a camada absorvente da luz (2) e s camada reflectora da luz (3).
No disco óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFM com uma potência de gravação de 7,0 ã! da mesma maneira que no Exemplo >1· Fez-se depois a reprodução deste disco óptico pelo mesmo reprodutor CD que no Exemplo 51, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 74 /, ΙΊ . /1^
1_ Á ZOp
0,64, Ι-,/Ι, 0,33 θ θ taxa de erros referida aos blocos 3LER
O p
2,5 x io-3.
Alem disso, inspeccionou-se a superfície do substrato transmissor d? luz (1) do disco óptico depois da gravação por
STM da mesma maneira oue no Exemplo 1, para confirmar a formação de cavide~es (5) como no Exemplo 1.
Exemclo
Preperou-se um disco óptico da mesma maneira que no
Exemplo 51, excepto que no Exemplo 51, em vez da película SiO. , fez-se por centrifugação um revestimento de uma resina epoxídica dissolvida en éter diglicidílico para formar uma camada de resina epoxidica com uma espessura de 4-0 nm, sobre esta formouΖ£
-se ume camada fina de uma liga de ouro e titanio numa relação de 9:1, como camada reflectora ds luz (3), ez-se socre or centrifugação um revestimento de uma resina de polibutadieno dissolvida em ciclohexano para formar uma camada de resina de pol ibutadieno com uma espessura de 10 nm entre a cama, da absorvente da luz (2) e a camada reflectora da luz (3), θ aplicou-se por centrifugação um revestimento de resina epoxídica curável com: bisfenol, numa espessura de 20 nm, entre a camada reflectora da luz e a camada de protecção Çã), para melhorar a adesão entre as mesmas.
No disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFM com uma potência de gravação de 7,2 mx da mesma maneira que no Exemplo 51. Fez-se depois a reprodução deste disco óptico com o mesmo reprodutor de CD do Exemplo 51, tendo a a reflectância do feixe de raios laser ce semicondutor sido 7N
Iqq/I^QP 0,33 θ ?- taxa de erros referida aos cio cos BLER 3,0 x 10 θ.
Alem disso, inspeccionou-se a superfície do substrato transmissor da luz (1) do disco óptico depois da gravação por £TM. da mesma maneira que no Exemplo 1, para confirmar a formação de cavidades (5) co;t.o no Exemplo 1.
ixemalo a c,' ^ou-se um disco óptico da esma maneira que no
Exemplo 51, excepto que no Exemplo u, em vez da película de
Sidm, se aplicou por centri fugação uma res ina epoxidica dissol
vida em eter diglicidílico para formar uma cam .a d a de resina
epoxidica com um- espessura de AO nm, fez-se por centrifugação
Ζ1 um revestimento de resine de polibutadieno dissolvida em ciclohexano pare formar uma camada ds resina de polibutadieno com uma espessura de 10 nm entre esta camada de resina epoxí dica e a camada reflectora ds luz (j) e a espessura da camada de protecção foi alterada para 5 micrómetros .
No disco óptico assim obtido gravaram-se sinais SFM com uma potência de gravação de 7,2 mW da mesma maneira que no
Exemplo 51· Fez-se depois a reprodução do disco óptico com o mesmo reprodutor de CD do Exemplo 51, tendo ? reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 74 4. I,, /1, 0,64 .
top ’
Ij/^top θ ’ 32 θ F taxa de enros referida aos blocos BLEB 3,3 x IO3·
Alem disso, inspeccionou-se a superfície do substrato transmissor da luz (1) do disco óptico depois da gravação por
STK da mesma maneir® que no Exemplo 1, para confirmar a formação de cavidades (5) como no Exemplo 1.
Exemplo 53
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no Exemplo 51, excepto que não se formou qualquer camada de SiCh,, fez-se por centrifugação um revestimento de uma resina de polibutsdieno dissolvido em ciclohexano para formar uma camada de resina de polioutadieno com uma espessura de 10 nm entre ? camada absorvente ds luz (2) e ? camada reflectora da luz (3), fez-se por centrifugação um revestimento ce resina epoxidica curável com bisfer.ol numa espessura de 20 nm entre a camada re ileetora da lu? e a camada de protecção (4) para melhorar a
2±
ção ?ião alterada parg 5 micrómetros.
o disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFM com uma potência de gravação de 7>2 cW da mesma «maneira que no Exemplo 51· Depois fez-se s reprodução deste disco óptico pelo mesmo reprodutor de CD que no Exemplo 51, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 74 fi Iqq/Itop 9,63, Ι^/Ι^ 0,32 e a taxs de erros referida aos blocos ELER 2,8 x
Além disso, inspeccionou-se a superfície do substrato transmissor ds luz (1) do disco óptico depois da gravação por
STM da mesma maneire que no Exemplo 1, para confirmar a formação de cavidades (5) como no Exemplo 1.
Exemplo 57
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no Exemplo 51, excepto que no Exemplo 51 não se formou qualquer película de SitL··
Do disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFM com uma potência de 7,2 mW da mesma maneira que no Exemplo Fez-se depois a reprodução deste disco óptico pelo mesmo reprodutor de CD que no Exemplo 51> tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 77 fi I,,/1.
' ’ 11 top
9,35 θ 3 taxa de erros referida aos blocos ELER 1,0 x IO-.
Além disso, inspeccionou-se a superfície do substrato transmissor da luz (1) do disco óptico depois da gravação por STM ds mesma maneira que no Exemplo 1, para confirmar a for íHl mação de cavidades (5) como no Exemplo 1.
Como atrás se descreveu, com o meio de gravação ópti ca de informação segundo a presente invenção, é possível for mar cavidades opticamente semelhantes às dos CD , por irradia ção com um feixe de raios laser, sendo ao mesmo tempo a camada reflectora provida por detrás da camada aosorvente da luz em contacto estreito com a mesma, de modo que é possível obter uma estrutura de camadas semelhante à dos CD . Assim, segundo a presente invenção, pode obter-se facilmente um meio de gravação o'ptica de informação obedecendo ao formato CD .
Rei-76-

Claims (7)

  1. REIVINDICAÇÕES
    PROCESSO E MEIO DE GRAVAÇÃO ÓPTICA DE INFORMAÇÃO
    1. - Processo para a gravação óptica de informação num meio de gravação óptica de informação, compreendendo o referido meio um substrato transmissor da luz, uma camada absorvente da luz sobrepondo-se ao substrato para absorver um feixe de raios laser e uma camada reflectora da luz sobrepondo-se à camada absorvente da luz, compreendendo o referido processo a excitação da camada absorvente da luz pela energia de um feixe de raios laser entrado através do substrato transmissor da luz para formar cavidades susceptíveis de ser lidas opticamente, caracterizado por as referidas cavidades susceptíveis de ser lidas opticamente serem formadas quer na superfície do substrato adjacente à camada absorvente e na camada absorvente ou adicionalmente numa camada adjacente à camada absorvente ou na camada absorvente e na referida camada adicional, tendo todas estas camadas uma distorção de calor apropriada e/ou uma dureza apropriada.
  2. 2. - Processo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por a camada absorvente da luz ser fundida e decomposta por absorção do feixe de raios laser, e as
    -ΤΊreferidas camadas serem deformadas localmente pela fusão e a decomposição da camada absorvente da luz, para formar cavidades susceptíveis de ser lidas opticamente nas referidas camadas.
  3. 3. - Meio de gravação óptica de informação, que compreende um substrato transmissor da luz, uma camada absorvente da luz sobrepondo-se ao substrato para absorver um feixe de raios laser para formar cavidades susceptíveis de ser lidas opticamente e uma camada reflectora da luz sobrepondo-se à camada absorvente da luz, caracterizado por as referidas cavidades susceptíveis de ser lidas opticamente serem formadas quer na superfície do substrato adjacente à camada absorvente e na camada absorvente ou adicionalmente numa camada adjacente à camada absorvente ou na camada absorvente e na referida camada adicional, tendo todas estas camadas uma distorção de calor apropriada e/ou uma dureza apropriada.
  4. 4. - Meio de gravação óptica de informação de acordo com a reivindicação 3, caracterizado por a deformação da camada superficial consistir em protuberâncias no sentido na camada absorvente da luz.
  5. 5. - Meio de gravação óptica de informação de acordo com as reivindicações 3 ou 4, caracterizado por as
    -78porções deformadas das referidas camadas terem propriedades ópticas diferentes do restante das referidas camadas.
  6. 6. - Meio de gravação óptica de informação de acordo com as reivindicações 3, 4 ou 5, caracterizado por as porções deformadas das camadas adjacentes à camada absorvente conterem componentes decompostos da camada absorvente da luz nela difundidos.
  7. 7. - Meio de gravação óptica de informação de acordo com uma qualquer das reivindicações 3 a 6, caracterizado por a superfície do substrato ou da camada adicional ter uma ranhura de guia de encaminhamento e as cavidades susceptíveis de leitura óptica serem formadas na ranhura de guia.
    Lisboa, 19 de Maio de 1995 fs .
    O Agento Oficial da Propriedade Industriai
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