JPS599094A - 情報記録用部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ヒートモード記録用として適した情報記録用
部材に関するものである。さらに詳しくいえば、本発明
は、透明な基板側からレーザー光を照射した場合でも安
定性の優れた記録が可能な情報記録用部材に関するもの
である。

従来、レーザー光線などの高密度エネルギーをスポット
に集光させて記録媒体（（照射し、媒体の一部を融解さ
せるが、あるいは蒸発させることにより、これを変形又
は除去して記録を行う方法は、いわゆるヒートモード記
録法として知られている。

そして、このヒートモード記録法は、薬品などの処理液
を必要としないドライタイプであること、リアルタイム
記録法であること、高速かつ高コントラストで大容量記
録が可能なこと及び清報の追、７ＪＤ　ＷＥき込みが可
能なことなど多くの利点を有してイルノテ、マイクロ画
像、・ＯＯＭ　、ビデオティスフ、コンピューターメモ
リなど広い用途全有している。

ところで、上記のヒートモード記録法を、和゛にビテオ
テイスク、コンピューターメモリ等に用いる場合には、
円形のガラスや合成樹脂などの基板に記録層と形成した
ティスフを高速回転させながらレーザー光を集光し、記
録層に０．６μｍ”１．５μｍ保度の孔を形成すること
によ（り清報ｒ記録する方法が採られている。この際の
孔の位置醍び大きさは、パルス変調したレーザー光の出
力波形に依存し、レーザーに入力した情報に対応して形
成される。記録層に記録された信号の、洸み出しは、高
速回転させた記録材に記録闇値を超えない程度の弱い出
力のレーザー光を集光し、その反射光の変化を検出する
ことにより行うことができる。

上記の方法でヒートモード記録を行う材料として、多く
の材料が提案されてきたが、レーザー光に対する感度、
再生信号のＳｔ／Ｎ比、及び安定性の点で満足できるも
のはなかった。

本発明者らは、このような従来のヒ−トモード記録材利
の持つ欠点を克服するためｌ（種々の研究を重ね、先Ｇ
て金属記録層と、金属化合物及び金属からなる混合層と
を積層させることにより、形状の整った孔を形成させる
ことができ、その結果Ｓ　／　Ｎ比の向上とレーザー光
に対する感度の大幅な向上が・潜られるという知見を得
た。このような構造の記録材料は、特Ｏてレーザー光を
透明基板側から入射さぜ、記録させる場合に、Ｓ／Ｎ比
及び感度などの記録特性について良好な結果が得られ、
さらにこれを用いると、半導体レーザーによる書き込み
が可能となり、１メガヘルツ（ＩｉｌｌＨｚ）υ基準用
き込み周波数（レーザー発振パルス幅〜５００ｎｓｅｃ
）の再生信号品質として、４７（ｉＢ程度の０７Ｎ比の
ものが達成できた。一般に、文書ファイ六ルやアータフ
ァイルに用いられるデジタル記録方式においては、記録
材料に対してＣ７Ｎ比４０ｄＢ以上が必要とされている
が、前記の記録材料は半導体レーザーを用いて、デジタ
ル記録が十分可能なものであり、実用性の高い記録（オ
料である。

しかし、ビデオ画像信号記録や、静止画ファイルに対し
ては、信号処理としてパルス幅変調方式等を用いるため
に、記録再生信号の品質として、より高いＣ／　Ｎ比を
達成し得る記録材料か必要とされている。しかし、その
ような高性能の記録材料は才だ知られていない。

本発明者らは上記用途にも使用し得る記録材料と開発す
るために、特に基板上に形成させる金属記録層と、該基
板と該金属記録層との間に介在させる補助層について、
よＶ）　、８いＣ／Ｎ比を得るために鋭意研究を行った
。

この研究において再生信号の品質を評価するためのＣ／
　Ｎ比は、記録何科を形成したディスクを回転数４５０
ｒｐｍで回転させ、発振波長８３０ｎｍのＭ′−４体レ
ーザー光を周波数Ｉ　ＭＨ２で変調し、集光レンズによ
ｆ）ｉ、ｏμｍ以下に集光して記録材料上に１１１ｍ以
下の径の記録ビットを形成させることによ−りて測定し
た。形成されたピット列に、孔を形、奴しない程度の強
度に連続発振している半導体レーザー光を集光照射し、
記録材斜面からの反射光を光検出器により演出すると、
記録時に半導体レーザーケ変調していたＩＭＨ２の基準
信号と同様な再生信号が得られる。書き込み用半導体レ
ーザーに入力していた変調信号を、記録材料から読み出
した再生信号がどれだけ正確１１こ再現しているかが記
録再生信号の品質の目安であり、定緻的にはスペクトル
アナライザーにより再生信号のキャリアピークレベルと
ノイズレベルを計画することにより、前記したＣ／Ｎ比
が測定され、その値から品質全判断することができる。

基板とビスマスｆｃ　＠　■Ｌ、た金属記録層との間に
金属と金属化合物との混合層を介在させた構造をもつ記
録材料においては、混合層を用いない場合に比べ高いＯ
／　Ｎが得られるが、本発明者らの検討によれは、記録
後のノイズレベＶが記録前の表面ノイズに対してｌ　Ｑ
　ｄＢ程度増加し、Ｃ／Ｎ比として４８ｄＢ以上のもの
が得られない原因となることがわかった。

本発明者らは、記録後に生じる再生ノイズレベルの増加
全抑制するために、基板とビスマスを含有する金属記録
層との間に介在させる材料及び構造についてさらに研究
を重ねた結果、記録層用金属としてビスマスを用いた場
合、基板と金属記録層との間にクロム単独層を介在させ
ることにより、形成され７を記録孔の再生ノイズレベル
の増加を十分に抑：ｌｌｌ　Ｌうることを見出し、この
知見に基づいて不発明とな丁（ｌこ至った。

すなわち、本発明は基板上にビスマスを主体とする金属
記録ノー及び金属化汁物安定化層を積層した構造を有し
、かつ前記基板と金属記録層との間にクロム単独１考ケ
介在させたこと′ｆｒ：特徴とする情報記録用部材を提
供するものである。

ビスマスを記録層粗金４として用いることは知られ−Ｃ
いるが、本発明においでは、ビスマスに主体とする金属
記録層を用い、かつ金属記録層と基板との間にクロム学
独層全介在させる緬合せ条件が重要である。−ｆた本発
明は、このクロム単独層を、それのみで介在させてもよ
いし、寸だクロス、学独嗜と金Ｒ醒化物層を組み曾わせ
′Ｃ介介在せてもよい。この、場廿、特に積層構債とし
て、かつそのクロム層を基板に接するように設けるの：
６玉有利である。

″また、不発明の記録部拐におい−Ｃ１介在さげる虐は
、高感度化等の目的ＣＣ比、じて、他の金嘴や酸化物、
フッ化物、及び望化物等の金属化合物との複合層構造と
することもできる。また特に高感度化を達成するために
は、記録材料のレーザー光入射側の反射率を下げること
が有ｇＪＪな方法であり、透明基板側よりレーザー光を
入射させる場合については、前記したように、介在させ
る層の構、ａとクロムと希土類酸化物との潰層構造とす
ることにより、ビスマス金言有した金属記録層の透明基
板側の反射沼を効果的に低下させ、太ｌ＠に記録感度を
向上させることができる。

現在まで記録材料の反射率を下げるために、無機又は有
機透明物質、有機色素、硫化物等の材料を記録材料表面
、あるいは透明基板側から記録する場合Ｇでおいては透
明基板と記録拐料層との間１（形成させる方法が提案さ
れてきた。しかし、無機や有機の透明材料を用いて反射
防止条件を整えるためには、該材料ケ記録材料層に接し
てｔｏｏｏＡ以上の膜厚ＬＬ設ける必四があジ、その結
果レーザー光が入射し、有効に光が吸収され、化として
も記録材料層から反射防止層への熱の逃げが多く効果的
な高感度化−が得られなかったり、さらには透明基板と
して屈折率（ｎ）〜１，５　程度のガラスやポリメチル
メタクリレ−）　（ＰＭＭＡ）樹脂′を用いて、基板側
からレーザー光を入射させ記録する場＠には、屈折率の
条件から効果的に反射防止効果を得ることができない等
の欠点があった。一方１、有機色素や硫化物乞用いる場
合は、透明基板側から１７−ザー光全入射させる記録方
式においても有効に反射防止効果を得ることができ、か
つ無機又は呵機透明！Ｐ／ｌ質よりも薄い膜厚でも反射
防止効果を得ることができる利点があるが、有機色素は
紫外房等に対して活性であり退色しやすく、また硫化物
は吸湿性のものが多かったりレーザー光の記碌時に熱解
離し記録材料に影響を与える等の問題点があった。本発
明で用いるクロムと希土類酸化物の積層で用いる構造の
反射防止膜は膜厚にして〜１００Ａ程度のごく薄い膜厚
においても広い波長帯域（紫用いる希土類酸化物は酸化
に約して安定であり、変質しにくく、クロム自体は酸化
されやすい性質をもつが表面に酸化皮膜が形成された後
は不動態と化し、希土類酸化物と相乗なって安定な膜を
形成するという利点を有する。さらに、紫外九等の短波
長でエネルギーの高い光に対しても安定であるという従
来の反射防止膜にない特徴をもっている０前記構造の薄
膜を金属記録層の表面あるいは基板と記録層との間に設
けることにより、極めて薄い膜厚で有効な反射防止効果
を得ることができる理由は明らかではないが、該薄膜の
光学定数である複紫屈折率ｆ　ｎ　＝　ｎ　−ｉｋ　（
ｎ　：屈折率、に：消衰係数）としたとき、クロムの一
部酸化、希土類酸化物の一部還元が相乗的に起こり、薄
い膜厚−において反射防止効果を得るのに必要な十分な
高い屈折率ｎが得られるためと考えられる。またクロム
と希土類酸化物の組合せにおいては、構造及び言有比系
を変えることによりｎを大きな範ｊｄｌで変えることも
可能である。この効果は、従来の単一物質からなる薄膜
においては得られなかった効果であり、この組合せ効果
により反射率全任意に設定することがｒｉＪ能である。

クロム中独層ケ希土頃１救比り勿層とともに用いること
によ（）反射話を下げ、高感度化することができるが、
高感度化とともｌ／ｎ高Ｃ／Ｎ比を実現するためには、
クロム単独層と希土類酸化物層とを積層した積層構造と
するのがよく、さらにその積層構造のクロム単独層′Ｊ
ｆ：基板１・ζ接するように設けるのが′持ＩＣ好まし
い。

クロムとともに積層した形で用いられる希土類１設化り
勿として−７ま、ｙ、　　Ｌａ、　Ｃｅ、　Ｐｒ　、　
Ｎｄ、　Ｐｍ、　Ｓｍ。

Ｅｕ、Ｇｄ、　Ｔｂ、　Ｄｙ、　Ｈｏ、　Ｅｒ、　Ｔｍ
、　Ｙｂ、及びＬｕなどの酸化物が妊甘しく、特にＹ　
、　Ｌａ、　Ｃｅ、Ｄｒ、Ｎｄ。

Ｓｍ、　Ｇ（］、　、　Ｄｙ、　Ｅｒ　Ｉ７）酸化物が
反射率低減化及び高Ｃ７Ｎ化の点で有利である。

希土類酸化物は、単独で用いても良いし、これらの希土
類酸化物の２棟以上を用いることもでき、また複敬棟會
多層構造、あるいは混合構造としても良・・。蒸着工程
の簡便さの点から（ｉ単独で用いることが有利である。

＊発明におけるクロム単独（曽の膜１’＃ＩＩ′ｉ、１
０　Ａ〜２０ＯＡ（１）の囲、より好ましくは３０　八
〜８０Ａの範囲で４うる。

このようなりロム単独層の膜厚を前記範囲に選ぶことに
より記録レーザー光波長（λ＝７５０〜８５０ｎｍ）に
対して、記録月利のレーザー光照射側の反射毛（Ｒ）を
２０％〜５０チとすることができる。クロム単独１層の
１漢厚が２０ＯＡよりも厚くなると、クロム層が連続層
金形成し、金ノ萬記録層に対して光の遮蔽層となり、感
度低下をひき起こす。

−またこれがＩＯＡより薄くなると、クロムと希土類酸
化物の複合膜の光学特性として、十分に高い屈折率（ｎ
）が得られず、金属記＠僧に対して満足できる反射防止
条件が得られない。その結果、記録材料の反射率が高く
なるとともに、クロムよりなる層を基板と金属記録層と
の間に介在さぜた場合の記録後のノイズ増ＤＤの抑制効
果も十分には得られない。

クロム単独層は安定性の点において、クロムの酸化物や
低級ｊ−躍化物を少量含むことができる。このクロム単
独層は、真空蒸着、スパッタリング、１オンブし・−テ
ィング、電気めっき、無電Ｗ４１６つき、プラズマ蒸着
などの薄膜形成１支４１Ｖによって形成することができ
、そのうちでも真空蒸着法が簡単でかつ再現性がよいの
で好捷しい。

１だ、布」二類１毀ｆヒ（吻の含イ１膜厚として′ｌま
、用いる酸化物の種類にもヱるが、厚すきると極度の反
射率の低下２招いたり、クラソクケ生じたり、筐だクロ
ムのノイズ低減効果？減じたりするのでか好ましい。

積層構造Ｖこおける希土類酸化物の盾全形成する方法と
しては、真空蒸着法、スノ（ツタリング法、イオンブレ
ーティング法、プラズマ蒸着法などの薄膜形成技術２適
を目することができる。特に真空蒸着法を用いる場＠に
おいては、希土類酸化物ケ七の１層１蒸着源として、抵
抗加熱法やエレクトロンビーム蒸着法を用いて蒸着させ
てもＬＬ・し、希上頑元素そのものを族Ｎ源として用い
て、ペルジャー内の雰曲気と反１芯させながら前記方法
により希土類酸化１１憚を形成することもできる。この
薄膜の形成において、例えば高真空下での電子ビーム蒸
着法では、還元や不完全酸化が生じ、希土類酸化物に、
低級酸化物が′Ｓまれる場合があるが、それらの混入＜
ｉ本発明の目的を防げない範囲において差し支えない。

本発明の情報記録部材ＩＣおいて、クロム含有介在層と
組み合わせて用いられる金属記録層は、原子比で０．１
６〜０，３０のアンチモン（ｒａ’んだビスマスであっ
て、特に好ましいアンチモンの原子比は０．１８〜０．
２５である。このビスマス−アンチモン金属記録層は合
金として形成させてもよし・し、それぞれを層状に形成
させてもよい。このようなビスマス−アンチモン金属記
録層は、クロム単独層との、組合ぜにより優れた孔形成
性及び感度を示し、高品質の記録部材全提供１一つる。

金属記録層における合金中のアンチモン含量が少なすぎ
ると、孔形状を整える効果が少くなり、また多すぎると
合金膜の融点上昇による感度の低下が顕著となる。

また、ビスマスの含有石−は、少なすきると感度の低下
及び孔形状の乱れによるＳ／Ｎ比の低ドをひき起こし、
多すぎると孔形状の乱れ及び安定性の低下？生じさせる
。ビスマスの含何量は原子比で０５０・−〇　、　８４
の範囲が好ましく、特に０．６０〜０７４の範囲が奸丑
しい。

感度、孔形状の改良のためＦＣ、、ビスマス−アンチモ
ン全金属えて他の添力目元素を用いることもてきる。そ
のような添７ＪＩ］元素としては、特にＳｎ、Ｚｎ。

工ｎ、　Ｐｂ、　Ｍｇ、　Ａｕ、　Ｇｏ、Ｇａ、　Ｔｌ
、　Ｃ！ｄ、　Ａｓ、　Ｒｈ、　Ｍｎ。

ＡＩ、　Ｓｅ　、　Ｔｏ　　などが好１しく用いられる
が、特に好捷しいものは、Ｓｎ、　Ｉｎ、Ｐｂ″′Ｃあ
る。上記の添加尤紮は単独でも２棟以上を組み汗わせて
もよい０その含有！　＋、まアンチモンの含有−姓に１
．芯して、原子比で０．Ｏ１〜０．３４の範囲で適宜諷
択され、それによりさらに高感度化、孔形状の改良の効
果が碍らｉする。

金属記録層には、本発明の目的を損わない限り、用いた
金属の酸化物、特に低級順化物？少量含ませることがで
きる。

この金属記録層は、他の１層と間際に真空蒸着、スパッ
タリング、イオンブレーティング、電気めつき、無電解
めっき、プラズマ蒸着などの薄膜形成技術によって形成
しうる。

これらの金属記録層の形成方法のうち、真空蒸着法が簡
単でかつ再現性がよし・ので好ましいが、金属記録層の
高温高湿■での安定性及び感１ｉの点かＣつ、高真空下
、特に１０Ｔｏｒｒ以下での蒸着が好捷しい。

この金属層の形成は、前記の方法によって行われるが、
その構成はアンチモン全金属の全体朧に対して原子比で
０．１６〜０．３０の制汗で含みさえすれば、一様な単
一層であっても、複数層であつＣもよい。すなわち、２
種類以上の合金からなる単一層であっても、数種類の単
一　金属が積層され合金化したものであっても、合金層
と単一金属層が積層され合金化し７たものであっても良
い。

金＠記碌層の膜厚Ｖま、用途に応じて決められるが、約
１００へ〜５０００　Ａ、特に１５０Ａ〜４０ＯＡの範
囲が好捷しい。

記録された孔形状が特に乱れのないものとするためには
、数種類の単一金属層を積層し合金化す０のが１１４１
である。

本発明剃料Ｖこおいて、金属記録層の上層に設けられる
安定化層としては、例１えばＢθ、　Ｌｉ、　Ｂ　。

ＭＥ、　Ａｌ、Ｓｉ、、　Ｃａ、　Ｓｃ、　Ｔｉ、Ｖ　
、　Ｏｒ、　Ｍｎ、　Ｆθ、Ｃ０１Ｎｉ、Ｏｎ、Ｚｎ、
Ｇａ、Ｇｅ、　　八ｓ、Ｓｒ、Ｙ　　、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔ
ｃ。

Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、　Ａｇ、　Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、　Ｂ
ａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ。

Ｒｅ、工ｒ、’１１．．　Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ　、Ｄｙ、
　Ｋｒ、Ｇａ、　Ｎｄ、　Ｐｒ。

Ｓｍ　などの金属の酸化物ｊ１窒化物、フッ１ヒ物、特
にＳ　１＋　Ａ１　＋　Ｇ　ｅ　、　Ｓ　ｂ　＋　Ｚ　
ｒ　＋　Ｔ　ａ　＋　Ｂ　１　、　Ｐｂ　、　Ｚ　ｎ　
＊　Ｌ１＋Ｍｇ、　Ｔｉ、　Ｌａ、Ｃｏ、　Ｙ、　Ｄｙ
、　Ｅｒ＋　ｏａ、　Ｈｆ、　Ｓｍ、Ｏｒ。

Ｎｄ、Ｐｒなとの金暎の酸化物が好適である。

特ＶＣ好ましい金＠酸化物とＬｉｆｔ、５ｉ０７　、Ａ
ｌ２Ｏ３゜ＧｅＯ２、５ｂ２０３　、ＺｒＯ２、Ｔａ２
０５　、Ｂ１２（）５　、ＰｂＯ、ＺｎＯ、ＬｉＯ。

ＭｇＯ、Ｔ：１０２　、Ｌａ２０５　、０ｅ０２　、　
Ｙ２０５　、　Ｄ７２０５　、　Ｅｒ２０３　。

Ｇｃ］、２０５　、ＨｆＯ２、Ｓｍ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３
ｆあげることができる・】 金属酸化物安定化層ば、これらの金属酸化物の２神類以
上を用いて、異種金属酸化物の２層構造にすることが［
ｔｔ記録として形成される孔の形状を整え、その安定性
を図る丘で妊ましい。

金属酸化物安定化層を形成する方法としては、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンブレーティング法、プラ
ズマ蒸着法などの薄膜形成技術全適用することができる
。また、異なる単一金属からなるターゲットの腹数個や
、２種以上の金属を含むターゲットを用い、空気、酸素
、醒累−アルゴンなどの気体による反応性スパッタリン
グによっても形成することができる。

薄膜の形成方法、例えば高真空下での電子ビーム蒸着に
おいて、低級酸化物、例えばＣｅ０１〜２が金属酸化物
安定化層に含捷れる場合があるが、本発明の目的を妨げ
ない範囲において差し支えない。

このような低級識化物の生成を防出するには、酸素、空
気、酸素−アルゴンなどの気体をリークして低真空下で
蒸着するなどの方法がある。

金属酸化物安定化層の膜厚は、用いる化合物の種類にも
、Ｊ：るが、厚遇きるとクランクを生じたり記録開化時
に、渭合層の金属記録層への影響が減少したり−Ｔるの
で、１０〜１００ＯＯＡ特ｖｃ２０〜３００Ａの範囲が
奸丑しい。

：４（究明４１和は、その最上層部に透明な材′Ｕ力・
らなるイ呆、φ１曽をイイしていてもよい。

透明保、護層ば、４１機高分子比汗物を主体とした層で
形成され、用いられる有、搬面分子−化合物としては、
例え（通、ポリ権化ビニリテ／、塩１ヒビニリデンと−
Ｙクリロニトリルとの共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ
イミド、ポリビニルノンナメー　ト、ポリイソプレン、
ポリブタジェン、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリウレタン、ポリビニルブチラール、フッ素ゴ
ム、ポリアミド、ポリエステル、エボキ゛ンｈ３　Ｂ　
、酢ＩＪ　セル口”　ナトのポリマー、これらの変す×
、ポリマー、コポリマーなどケあげることができ、これ
らは単独で又は混合′吻として用いられる。

％に、ポリエステル、フッ梁ゴム、ポリ酢１′ソヒニル
ーポリビニルブ千ラール・−ポリビニルアルコールの三
元コポリマーが好’ＪＬ＜Ｉ旧い１−れる。

このような有機高分子化合物にンリコーンオイル、帯電
防止剤、架ａ刑などを象り［」することは、膜強度、帯
電防出性能の改良の点で奸ましい。

透明株護膜層として、このような有機篩分−ｒ−ｆヒ合
物全主体とする層を２層以上りエねて用いてもよしゝ。

透明保湧膜層ば、有機高分子化合物、ｒ−主体とする成
分と適当なＭ媒に溶解して塗布するか、あるいは、博い
フィルムとしてラミネートするなどの方法により形成さ
ｔｌ、膜厚は０．１−１０μが適当である。

本発明の情報記録部材を添イテ」図面により、さらＶｃ
具体的に説明する。第１図〜第３図は、いずれも本発明
の記録部拐のそｒしそれ異なつンλ構潰１ｌＪ１１牙示
す断面図である。

本発明の情報記録部材の基本構造は、第１図に示イーよ
うに、塔明基板１の一ヒにクロム単独層３を設Ｖ丁、そ
の上に順次ビスマス全主体とする金１萬記＠層２及び−
７属化付・物安定化層４を設けた構機である。

クロム単独層の構造としては、第１図に示すように、ク
ロム単独層３のみからなるものの外、第２図及び第３図
に示すように、クロム単独層：（と（ｍの金属あるいは
金属化合物の層３′との積膚構２面（Ｉ：とるものがあ
る。

以上の第１図−第３図までの構造の中で、本発明の目的
を達成するヒで最も好寸しいものは第３図Ｇ′こ示す構
造のものであり、特にクロム単独層と積層する金属化合
物として希土類１゛ｙ１ヒ′吻金用いた場合である。

不発明の情報記録用７．飼料は、さらに所望に応じ、安
定性の向上、物ノ体との接触による１員傷防（１１、汚
染防止のための保護層全形成させることもでへる。

この保護層は、前記した構面の最り層として設けられる
。

不発明の記録用側斜において、図中１で示される支持体
としての役割３を果している基板（上、レーザーを基＆
側より入射させる意味で＋１透明であることが心安であ
る。一般に、物質の透明性は入射丸線の、伎長に工って
相違することが知ら：ｈているが、本’ｔｌ明部材に情
報を記録する場合−ｉｃは、半導体レーザーや゛ｒルゴ
ンガス１／−ザー、Ｈｅ−Ｎθレーザー、そのＩｌｌの
Ｅｌ睨領戟あるいは近赤外領域シ〆こ見損波長をもつ各
種のレーザーやキセノンフラッシュランプなど光波特性
を異にする多種類の光源を用いるこ七ができる。しかし
、特定の光（原の使用を所望する場合１（は、その光源
がもつ光波特性に適した透明性を有するｔｔｒｔのもの
を基板とすることが、より感ＩＷの向に、をはか５うえ
で好ましい。

そして、透明性については、入射光の約９０％以上の透
過率を示ｒことを一応の目ゲとすることができる。

上記の光源のいずれに対しても、十分な透過率をもつ基
板としてＱま、ガラスなどの無機月利又はポリエステル
、ポリマ”ロビレン、ポリカーホ゛ネート、ポリ塩化ビ
ニル、ポリアミド、ポリスチレン、ポリメチルメタクリ
レートなどのポリマー、あるいはこれらの変性ポリマー
、コポリマー、ブレンド物などのイ〕゛機拐料から成る
フィルム又はシーＩ・全アけることができる。ビデオデ
ィスクなどのように基板自体の表面平６／け性が信号の
Ｓ／Ｎ比に大きな影響孕与ぐ−る場合すては、別の基板
上に上記の４２別をスピンコー　トなどで均一に塗イｌ
ｉ　した基扱ｔ用いることが奸寸しい。

特Ｕ′こ好１しく用いられる基板としては１、ポリエス
テル又はボリメ千ルメタクリレートが１菖成るフィルム
及び／−トを挙げることができる。

−股ｖＣ１記録後に生じるノイズレベｌしの増用１に関
ｉｌｉ　Ｌ、た記録時性としては、生りこ記録化形状の
乱ＩＬ及び記録孔ごとの読み出し光に対゛「る反射率の
ぼり）つき等が考えられろ。ヒート七−ト記＋禄ＩＣつ
いての理論的解析はいまだ十分ではないが、前者の記録
井形状シし与える因子としては、（１）金属溶融時の粘
度、（２）１う属溶融分散時に生じる表面張カッえひ濡
：ｔ”ｔ、特・１′４−１（３）金属の溶融変形に影響
°゛「る今属しこ接する層の物理的剛性、（４）金属の
固比荀に作用する族１カ・＼の熱の逸散、（５）金属の
鞘晶廿イズと粒の酸化状悪、（６）孔形成後置辺部に生
じろ結晶廿イズ等が考えら！しる。クロム中独増ケビス
マスを主体とする金属記録層と基板との間に設げること
により得られる記録後に生じるノイズｌ／ベルの増力１
分のｌ威少効果は、クロム単独層が一部識［ヒきれ不動
態１シシ、′ゲ定でちがかつ平滑な膜をつくること、金
属であるクロムの熱伝導率が基板に用いる材料上りも高
いことなどに起因すると考えられる。すなワチ、本発明
の記録部拐では、ビスマスーアンヂモン金属記録層の粒
界部が膜形成時に基板より進入する水や酸素等のｒ設化
・訃物質により酸比され、記録孔が乱れるのを、一部酸
化きれ不動態化したクロム単独層による遮蔽効果により
防止されるものと推定され、また、クロム単独層が盆妬
記録、ｊψの下層において、基板上にち密で平滑な嘆を
形成しやすいために、金属記録層がレーザー尤により記
録孔ケ形Ｊｒ％　ｆる際に浴融分散を円滑Ｉで速やかに
行わせるため良好な孔を形成するようになると推定され
る。さｒ）にクロム単独層の熱伝導率が基板すこよく用
いに）れるガラスやポリメチルメタクリレ−］・樹脂等
に比べて高いため、溶融同化時に急冷さＪシ、孔エツジ
の結晶廿イズが小さくなりその結果孔部のエツジ部が滑
らかになるなどの効果が考えられる。その他クロム単独
層とビスマスからなる金属層との間の組会せがよく、相
互間に特殊な効果が生じ、前記：１）〜（６）の因子と
相乗なって、ノイズｌ／ベルの低下［寄与するものと考
えられるコ以上のように、本発明の情報記録部材は、優
れた記録孔形成性をＭシフ、形成後の孔は女定で、再７
４Ｅ　時０）　／　イスレベルの増加が、極めて小さい
ので、高いＣ７Ｎ比が侍１−１７１、商品Ｉ碕の記録再
生信号を得ることのできる実用的価呟の商い高感＋を記
録部材である。

本発明の記録部側ば、基板と金属記録層の間に、従来知
られた金勇と金属化合物より成る混合層ケ介在させた記
録部材やクロム以外の例えばＣｕ、Ｓｉ　。

Ａ１などの金属類を含む層を介在させた構造の記録部（
：Ａｖｃ比べて、ノイズレベルのＪＪ４　）（ｋ：はる
かに小さく抑えることができ、高いＣ７Ｎ比が得られる
点において特に優れている。

以下実施例により本発明の内界を詳細１１こ説明するが
、本発明の技術的範囲は実施例ζりみｊで限定されるも
のではない。

実施例 キャスト法によって作成した表面平滑性のよい厚さ１．
２胴のポリメチルメタクリレ−１−（ＰＭＭＡ）の仮を
直径３０ｚのディスクに加工し、真空蒸着機槽内ｔ・こ
セントする。

ディスクは、装置の中央において回転できるようになっ
ている。装置内には、回転の中心軸を中心として３個の
加熱蒸着ボートと５個のるつぼをもつ電子ビーム装置を
備えている。

膜厚のモニターは水晶振動子法で行い、順次自動的にプ
ログラムされた順序でコントロールｆ−ｈ９７で。基板
の意図的加熱は行わず、蒸着による基板温度の上昇もほ
とんどなかった。

槽内の３個の７υ０熱ボー１−にそれぞれＢｉ、Ｓｂ、
Ｃ！ｒヶ入れ、岨子ビーム蒸着装置の２個のるつぼにＳ
ｌと５ｍ２ｃ）５に入れた。真空槽内’１２Ｘ１０　　
Ｔｏｒｒの真空度とした後、基板回転速度ｉ１２０ｒｐ
ｍとし、先ずザンブルＡｉ作製するためにＣｒ１７０Ａ
の膜厚に形成し、次にｓｂとＢｉの金属記録層をｓｂ　
ｆ：原子比で０．２０含有するよう１ｃｓｂ、ＢｊＯ順
で膜厚にして３００　Ａの層を形成させた。最後に、安
定化層としてＳｍ２Ｏ３を２０ＯＡの膜厚に積層した。

比較例として金属記録層と基板との間ＶｃＣｒを形成し
ないサンプルＢとサンプル（４作１戊した。サンプルＢ
ば、ポリメチルメタクリレート上に、Ｓｂを原子、１−
１″ニーＣＵ、２０の割合で言分したサンプルＡと全’
＜同じ金属記録層全直接形成し、その」二層にせンブ／
ｌ／　Ａと同時［Ｓｍ２Ｏ３ｆ、ｒ、２０ＯＡ　（１）
＋＋ｗ厚の安定化層を形［戊させた。また、比較のため
のサンプルＣば、サンプルＡ（Ｑ　０ｒ７ｉ　７０　Ａ
ｔＪＪかわり［Ｓｊ層７０ｏＡにしたほかはサンプルＡ
と全く同）羨な金属記録層と」二ノー安定化層をもつ構
造のものを作成した。

これらのサンプルの記録特翻の評価は以下の通りの手順
で行った。

先ず、発振波長８３０　ｎｍの半導体レーザーの光全厚
さＩ　−２ｍｍのＰＭ　ＭＡ基板越し［記＠１了Ｊ１上
［Ｎ、Ａ＝０．５のレンズでビーム径１／Ｚｍ程１度寸
で集光させ、ディスクを４５Ｏｒｐｍの速度で回転きぜ
ながら、周波ＵＩＭＨｚ、すなわち５００ｎｓｅｃのパ
ルス幅に変調したレーザー光で記録を竹った。

以上の操作でスパイラル状の記録ＪＬ列が形成されるが
、その孔列に〜１ｍＷ程度の新たに孔を形成しない出力
で連続発振している再生用半導体レーザー光ヲ、オート
フォーカス及びオートトランキングケかげて集光照射し
、１）−ンブル面上からの反射光を光検出器により検出
し内生信号を得た。次に、その再生信号全スペクトルア
ナライザーに入カシ、ノイズレベルシトキャリアピーク
レベル全読ミ取１）　Ｏ／　Ｎ比を算出した。また同時
に→ノ゛ンブルのレーザー光記録側のレーザー光波１史
に対する反射率と、記録聞直ｐｔｈ及び再生信号のチュ
ーティー比が１：１として観察されるときのレーザー記
録値Ｐ５ｏも測定し７ｊ　。

以上の測定の結果、サンプルＡ、Ｂ、ＣＶｃついて次の
１直を得た。

第　　　１　　　表 よたサンプルＡ、Ｂ、Ｃのピット形状全顕微鏡で観察し
たところ、サンプルＡ［ついては良好な孔形状が観察さ
れたが、サンプルＢ及びＣについては孔エツジ部の形囚
が悪く、また孔ごとの大きさのバラツギが大きかった。

以上より特性面でのクロムの効果に明確な優位性が８忍
められた。

実施例２ 蒸着槽内０３個のボートｌｔ（Ｂｉ、　Ｓｍ、　Ｓｂを
入れ、電子ビーウ蒸着装置の３個のるつぼにＣｒ、Ａｌ
。

Ａ／１２０３を入れた。実施例１と同様にポリメチルメ
タクリレート基板上に、、　　２Ｘ１０　　Ｔｏｒｒの
真空度において蒸着を行った。サンプルＤの蒸Ｍ順序は
、丑ずＣｒを６０Ａ形成し、次に金属記録層として、Ｂ
ｉ、８ｎ、Ｓ’ｂの順に、原子比でｓｂがｏ、ｔｓ、Ｂ
ｉが０．７０　となるように積層し全体で３００　Ａの
膜厚になるように形成した。最後に安定化層としてＡｌ
２Ｏ。

を１５ＯＡの膜厚に最上層に形成した。比較例として、
Ｏｒ層５　ＯＡの膜厚に形成するかわりに、Ａ１を６０
Ａの膜厚に形成した他はサンプルＡと全く同じ金属記録
層及び安定化層を形成したサンプルＥを作成した。

このようにして得たサンプルＤ１Ｂを実施例１と同様に
記録評価全行い、第２表の値を得た。

第　　　２　　　表 １だ孔形状を顕微鏡観察を行ったところ、サンプルＤｖ
ｃついては良好な孔形状が観察されたが、サンプルＥＫ
ついては、乱れた孔形状が観察された。

以上の結果からも、本発明の記録部材が非常に優れた性
能を有することが分る。

実施例３ 蒸着槽内の３個のボートにＢｉ、、　Ｓｂ、　Ｃｒ　１
，１入れ、電子ビーム蒸着装置の２つのるつぼにＴ、＋
ａ　２０３　トＡｌ２０５ｉ入れた。実施例１と同様に
ポリメチルメタフリレート基板上に、２×１０”Ｔｏｒ
ｒの真空度において蒸着を行った。サンプルＦの蒸着順
序は先ず０ｒｉ７０Ａ形成し、次１ｃ　Ｌａ２０５ｆ　
６０　Ａの膜厚に形成した。その上に金属記録層として
、Ｓｂを原子比で０．１８　ＫなるようにＢｉ、Ｓｂの
順で積層し：（ＯＯＡの層厚に形成した。最後に最上層
に安定化層としてＬａ、２０３を２０ＯＡの膜厚に蒸着
した。

比較のために、ザンブルＦＯＣｒ層７０　Ａの化リレこ
、Ｔｉ１７０Ａの膜厚に設けた他はサンプルＦと全く同
様に、Ｔｉ層の上にＬａ２Ｏ３を６０Ａ設は全く同じ金
属記録層及び安定化層を設けたサンプルＧ全作成した。

また、サンプルＦＯＣｒ層と金属記録層との間に設けた
Ｌａ２Ｏ３層６０Ａの代りに、Ａｌ２Ｏ５層６ＱＡｉＣ
ｒ層と金属記録層との間に形成した以外は、サンプルＦ
と全く同様な構造を持つサンプルＨを作成した。

以上で作成したサンプルＦ、Ｇ、、Ｈｉ実施例１と同様
に記録評価を行ったところ第３表の値を得た。

第　　　３　　　表 １だ、孔形状の顕微鏡観察を行ったところ、サンプルＦ
、Ｈについては、良好な孔形状が観桜されたか、サンプ
ルＧについては、Ｆ、Ｈに比べてややエツジに乱れが観
察された。

以上の結果より、Ｏｒを設けた場什のＣ７Ｎ比について
の優位性と、Ｃｒと希土類の酸化物との複合層を設けた
場曾の反射率の低減化による高感度化効果が明らかに認
められる。

実施例４ 蒸漸漕内の３個のボートに、Ｂｉ、、　Ｓｂ、　Ｃｒを
入れ、電子ビーム蒸着装置の１個のるつぼにＩｉａ　２
０５を入れた。実施例１と同様にボリメ壬ルメククリレ
ート基板上に、２Ｘ１０　　Ｔｏｒｒの真空度において
蒸着を行った。サンプル■の蒸着順１′ｆ；は１ずの膜
厚Ｖこ蒸着した。その上に金属記録層として、実施例３
のサンプルＦと同様に、Ｓｂを原子比でＯ■Ｓ　　言イ
１するように、Ｂｉ、Ｓｂの順序で積層し、全体として
厚さ３００Ａの層を形成させた。最後に最上層に安定化
層としてＬａ　２０５を２０ＯＡの膜厚に蒸着した。

以上の手順で作成したサンプルエｉ実施例１と全く同様
に記録評価を行ったところ第４表に示す値が得られた。

実ｈ１０十タリ５ ＃后槽内の３個のポートに、Ｂｉ、　Ｓｂ、　Ｃｒ　ｆ
入れ、電子ヒーム蒸庸装置の１個のるつほにＳ　ｍ　２
０３ケ入れた。実施例１と開織にホリメ千ルメタクリレ
ート基板上に、２　Ｘ　ｌ　ＯｕＴｏｒｒ　の真空度に
おいて蒸Ｎを行った。サンプルＪの蒸着順序は、先すＣ
ｒ１６５Ａの膜厚に形成し、次ｖｃＳｍ２０５ｆ　７０
Ａの膜厚に蒸着した。その上に金属記録層としてＳｔ）
、Ｂｉ（７）順［Ｓｂ’ｉｉ７原子比で０．２０＠有す
るようにし、２５０Ａの膜厚に形成した。最後に最上層
に安定化層として、ＦＪｍ２０ｓ　ｆ　２００　Ａの膜
厚に蒸着した。

また同様に、金属記録層のｓｂの含有量を変えたサンプ
ルに、Ｌ、Ｍ′ｆｆ：作成した。サンプルにの金属記録
層のｓｂの含有量は、原子比で０．ｌＯとし、Ｓｂ、Ｂ
ｉの順１ｃ２５０Ａの膜厚に形成した以外は、サンプル
Ｊと全く同じ構造とした。サンプルＬの金属記録層のｓ
ｂの＠Ｍ量は、原子比で帆２４とし、Ｓｂ、ＢｉＯ順で
２５ＯＡの膜厚に形成した以外は、サンプルＪと全く同
じ構造とした。また、サンプルＭの金属記録層のｓｂの
含有量は、原子比で０．３５とし、Ｓｂ　、　Ｂｉの順
に２５ＯＡの膜厚に形成した以外はサンプルＪと全く同
じ構造とした。

以上で作成したサンプルＪ　、　Ｋ　、　Ｌ　、　Ｍ　
ｆ、１実施例１と回置ｖｃ記録評価を行ったところ、第
５表に万ヒ「１直を簿すた。

丑た、孔形状の顕微鏡観察を行ったところ、金属記録層
にｓｂを原子比で０．２０及び帆２４の割合で含有した
サンプルＪ、Ｌは特に良好なものであった。

以上より、ｓｂ含有量による特性差が明らかとなった。

実施例６ 蒸看漕内の３個のボー）　ｖｃＢｉ　、　Ｓｂ、　Ｓｎ
　ｆ　入し、電子ビーム蒸着装置の３個のるつぼにＯｒ
、Ｓｍ２Ｏ３゜Ａｌ２Ｏ５を入れた。実施例１と同様に
、ポリメチルメタクリレート基板上に、２×１０°Ｔｏ
ｒｒの真空度において蒸着葡行った。サンプルＮの蒸着
順序はまず、Ｏｒを７５Ａの膜厚に形成し、次にＳｍ２
Ｏ３を５ＯＡの膜厚に蒸着した。その上Ｑて金属記録層
として、原子比でｏ、ｔｓ、Ｂｉｅ原子比でｏ　、　７
０　含有するように、Ｓｂ、　Ｂｉ、Ｓｎの順に蒸着さ
せ３００Ａの膜厚に形成した。最後に、最上層［Ａｌ２
Ｏ５を２０ＯＡの膜厚に形成した。

以上の手順により作成したサンプルを、実施例１と同様
な手順により記録評価を行った。結果を第６表に示す。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図及び第３図は本発明記録部拐のそれぞれ
異った構造例金示す断面図である。 図Ｉ＋符号ｌは基板、２は金属記録層、３はクロム単独
層、３は金属酸化物層、４は安Ｗ化層である。 特許比１頭人　　旭化成工業株氏会社 代理人　阿　形　　明 第１図 第２図 第３図 手続補正書 １中１ｉ’ＦＪ）人Ｊ、 昭和５７年特許願第１１８４９８号 ２賢明、−）と、１２１ 情報記録用部材 ３　　ｒ内直（＜）−る　名 ｉｆ　ｌ′ｌと（・）関１？　特許出願人ｆ＋：　　ｌ
’ｌｊ大阪府大阪市北区堂島浜１丁目２番６号え　、（
００”３）旭化成工業株式会社代表者　宮　　崎　　　
　　輝 １代　理　人 〒１０４束丁；束部；央区ｊｆ４ｔｌＧ丁ｌコ４番５号
−１：、Ｉ＋！ヒル’、ＪＴｈｌ祝関の爛及び回出１の
簡早な説明の欄８、補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙のとおり絹正します。 （２）明細１第４ペ一／第１１〜１２行の「文書ファイ
ナル」を、「文書ファイル」に訂正しまず、。 （３）同第６ページ下から第２行の１ビスマスを」を、
［ビスマスを主体としだ金属を」に訂正します。 （４）同第８ページ第２行の１−・・とすることもでき
る。１のあどに下記の文を加入します。 ［クロム層とともに用いられる金属化合物としては、Ｂ
ｅ　、Ｌｌｉ　、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ　、Ｓｌ　、Ｃａ　、
Ｓｃ　、ｉ’ｊ、　、Ｖ、Ｃｒ　、Ｍｎ　。 Ｆ　ｅ　＋　Ｃｏ　＋　Ｎ　ｌ　＋　Ｃ１１１Ｚ　ｒ＋
　＋　Ｇａ、（Ｊ　ｅ　＋　Ａ　ｓ　＋　Ｓ　ｒ　ｒ　
Ｙ　＋　Ｚ　ｒ　＋　ｌＪ　ｂ　＋　’ｌ’　Ｃ＋Ｒｕ
、Ｒｈ、Ｐｄ、／に、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂａ、、Ｌａ
、Ｈｆ゛、ｉ、”ａ、、Ｒｅ。 Ｉｒ　、Ｔｉ　、　Ｐｂ　、Ｂｉ　、Ｃｅ　、Ｄｙ　、
Ｅｒ　、Ｇｄ　、Ｎｄ　、　Ｐｒ　、Ｓｍ　、Ｐｍ、Ｅ
ｕ。 ’ＩＩ’　１ｖ　、　Ｈ（１、”Ｊ’ｍ　、　Ｙ　ｔ−
＋　、　ｌｌｏ　　などの金属の酸化物、窒化物、フン
化物を挙げることができる。１ （５）同第９ページ第３行の１−制能を用いて、−１を
、［−樹脂等を用いて、」に訂屯し寸ず。 （６）同第１１ページ第１２行の１ｌｊｒｊを、１−Ｐ
ｒ−Ｊに訂正します。 （７）　　同第１５ページ第９行のｉ’ｌ’ｏ　Ｊを、
　ｌ’ｉ’ｅＪに訂市し寸す。 （と（）同第１７ページ第８〜１１行のｌ−’　５ｌ１
１　などの・・・がす１適である。」を、ｌ−Ｓｍ、Ｐ
ｍ、Ｉｉ’、ｕ　、Ｔｂ、ｌｌｏ　、Ｔｍ。 Ｙｌつ、　１．、、、Ｌｌなどの金属の酸化物、窒化物
、フン化物、特に：’、　］　、ＡＩ　、Ｏｅ　、Ｚｒ
　、’Ｉ”ａ　、Ｂｉ　、Ｌｉ　、Ｍｇ　、”１’１＋
Ｌ３．Ｃｅ　、Ｙ　。 Ｄｙ　、Ｅｒ　、Ｏｃｌ　、Ｈｆ　、Ｓｍ　、Ｃｒ　、
Ｎｄ　、Ｐｒ　、Ｐｍ　、Ｅｕ　、Ｔｂ　、Ｈａ　、’
Ｉ″ｍ。 Ｙ　ｌ）　！　Ｌ　Ｌｌなどの金属の酸化物が好適であ
る。−１に訂正します。 （９）同第１７ページ第１３行のｌＳ”２０ｓ　＋−１
及びｒｐｂｏ　、　ＺｎＯ、ｊの記載を削除し１す。 ００　　同第１７ページ下から第４行（２個所）及び下
から３行の１金属酸化物」をすべて［−金属化合物−１
に訂正します。 ０］）同第１８ページ第１行及び下から第５行の１金属
酸化物」をいずれも「金属化合物」に訂正します。 ０２　　同第１８ページ第１０行の「ＣｅＯ，〜２ｊを
、Ｉ−（）ｅＯ，〜２」に訂正します。 ０３　　同第２９ページ第９行の１−ｓｌｎＪを、ＪＳ
ｎＪに訂正し、第１０行の１−電子ビーク−１を、１−
電子ビーム」に訂正します。 ０４　同第３６ページ第５行の１として、−１のあとに
ＩＦ；１）を１を力１人します。 ＯＱ　　同第３７ページ第２行の１３は金属酸化物層、
１を　＋−；３１は金属化合物層、−１にｌＪ止しまず
３、２、特許請求の範囲 １　基板上にビスマスを主体とする金属記録層及び金属
化合物安定化層を積層した構造を治し、かつ前記基板と
前記金属記録層との間に、クロム単独層を介百ミさせた
ことを特徴とする情報記録用部材。 ２　ビスマスを主体とする金属記録層が原子比で０１６
〜０３０のアンチモンを含有するビスマスから成る特許
請求の範囲第１項記載の情報記録用部材。 ３　基板上にビスマスを主体とする金属記録層及び金属
化合物安定化層を積層した構造を治し、かつ前記基板と
前記金属記録層との間に、クロム単独層及び金属化合物
層を介在させたことを特徴とする情報記録用部材。 ４　ビスマスを主体とする金属記録層が原子比で０．１
６〜０．３０のアンチモンを含有するビスマスから成る
特許請求の範囲第３項記載の情報記録用部材。 手続補正書 昭和５８Ｑ１０月７１］ ｌ事ｆ’ｌの表小 昭和５７年特許願第１１８４９８号 ２発明の名称 情報記録用部材 ３抽止を−４る行 ４汁１との関係特許出願人 江　ｕｎｉ　　大阪府大阪市北区堂島浜１丁目２番６号
代表者　宮　　崎　　　　　輝 ４、代　理　人 ５　補正命令の日イ１」　　自発 ６　袖正により増加する発明の数　０ ７補正のｔ、１象明＋Ｉ（ＩＩ　ＩＪの発明の詳細な説
明の欄８、補正の内容 （１）明細書第５ページ第１１行〜１４行目の１半導体
レーザー光を・・・によって測定した。」を次のように
訂正します。 １半導体レーザー光を周波数ＩＭＨｚ、パルス１］５０
０　ｎ５ｅｃで変調し、集光レンズにより約１μｍ程度
に集光して記録材料上に、再生信号の変調パルス１１］
　５００　ｎ５ｅｃを得るために短径約１μｍ１長径約
１．６μｍ以上の長円記録ピットを形成させることによ
って測定した。」

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　基板Ｊ−、Ｖ？：、ビスマスを主体とする金属記録
   層及び金属化縫物安定化層を積層した構造を有し、かつ
   前記基板と前記金属記録層との間に、クロム単独層を介
   在させたことを特徴とする情報記録用部材１） ２　ビスマスご主体とする金属記録層が原子比で０．１
   ６〜０．３０のアンチモンを含有するビスマスから成る
   特許請求の範囲第１項記載の情報記録用部材。 ５　基板上にビスマスを主体とする金属記録層及び金属
   化合物安定化層を積層した構造２有し、かつ前記基板と
   前記金属記録層との間に、クロム単独Ｊ−及び金属は化
   物層を介在させたことを特徴とする情報記録用部材。 ４　ビスマスを主体とする金属記録層が原子比で０．１
   ６〜０．３０のアンチモンを含有するビスマスから成る
   特許請求の範囲第３項記載の情報記録用部材。