JPS60208290A - 記録用材料 - Google Patents
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- JPS60208290A JPS60208290A JP59064592A JP6459284A JPS60208290A JP S60208290 A JPS60208290 A JP S60208290A JP 59064592 A JP59064592 A JP 59064592A JP 6459284 A JP6459284 A JP 6459284A JP S60208290 A JPS60208290 A JP S60208290A
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- tellurium
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24308—Metals or metalloids transition metal elements of group 11 (Cu, Ag, Au)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術的分野〕
本発明は情報の記録用材料に関し、さらに訂しくはレー
ザビームなどのエネルギービームを照射して情報の記録
を行なうのに適した情報の記録用材料に関する。
ザビームなどのエネルギービームを照射して情報の記録
を行なうのに適した情報の記録用材料に関する。
〔発明の技術的背景ならびにその問題点）基板上に金属
薄膜層を設け、この金属薄膜層にレーザなどのエネルギ
ービームを照射して照射部分にビットを形成して情報の
記録を行なう記録材料は、従来用いられてきている。こ
のような記録＠料に用いられる金属薄膜層は、テルル、
ビスマスなどの金属を主成分として構成されているが、
実用上程々の問題点がある。たとえばテルルのみからな
る金属薄膜を記録層として用いる場合には、レーザなど
のエネルギービームを照ＱＪ ｔ、てビットを形成する
際に、ビット径が１μｎｌ程度である場合には比較的良
好なピッ］−が得られるが、ピッ１へ径が２〜５０μｍ
１ｆｉ度にも及ぶような場合に【、１、ビット内部に溶
融されて滴状となったテルル金属が散在して残留しやり
くなり、したがって記録部であるビット部と未記録部で
ある金ｎｉＩ膜とにおける反射率の比すなわら相対反射
率が大きくなり、記録された情報の読取りに支障を来す
ことがあった。このような相対反射率の上背に伴なう読
取り精度の低下は、読取り用照射エネルギービームの波
長が６５０ｎ…以上である場合に認められ始め、特に７
００〜８５０ｎａ＋の波長では著しくなる。
薄膜層を設け、この金属薄膜層にレーザなどのエネルギ
ービームを照射して照射部分にビットを形成して情報の
記録を行なう記録材料は、従来用いられてきている。こ
のような記録＠料に用いられる金属薄膜層は、テルル、
ビスマスなどの金属を主成分として構成されているが、
実用上程々の問題点がある。たとえばテルルのみからな
る金属薄膜を記録層として用いる場合には、レーザなど
のエネルギービームを照ＱＪ ｔ、てビットを形成する
際に、ビット径が１μｎｌ程度である場合には比較的良
好なピッ］−が得られるが、ピッ１へ径が２〜５０μｍ
１ｆｉ度にも及ぶような場合に【、１、ビット内部に溶
融されて滴状となったテルル金属が散在して残留しやり
くなり、したがって記録部であるビット部と未記録部で
ある金ｎｉＩ膜とにおける反射率の比すなわら相対反射
率が大きくなり、記録された情報の読取りに支障を来す
ことがあった。このような相対反射率の上背に伴なう読
取り精度の低下は、読取り用照射エネルギービームの波
長が６５０ｎ…以上である場合に認められ始め、特に７
００〜８５０ｎａ＋の波長では著しくなる。
また、テルルのみからなる金属薄膜を用いてエネルギー
ビームによってピットを形成して情報の記録を行なうと
、ピットの外周部に乱れが生じ、読取り時にお（）るノ
イズの原因となっていた。
ビームによってピットを形成して情報の記録を行なうと
、ピットの外周部に乱れが生じ、読取り時にお（）るノ
イズの原因となっていた。
一方、基板上に金属薄膜層を設けてなる記録用材料にエ
ネルギービームを集光してビットを形成することにより
、情報の書込みおよび読出しを行なうに際しては、その
騙込みおよび読出しに用いるエネルギービームの波長は
、原理的にはいかなる値でもよい。ところが比較的大き
な径のピッ１〜を金属薄膜層に形成しＣ読出ず場合には
、６５００Ｒ１以上の波長のエネルギービームを用いる
ことが好ましいため、これに適した記録用材料がめられ
ていた。また、上記のような記録用材料に情報の書込み
ならびに胱出しを行なう際に用いるエネルギービームと
しては、小型である半導体レーザを用いることが奸才し
いが、この半導体レー１１は一般に約６５０ ｎ１以上
の長波長域に限られでおり、さらに読出しに際して用い
られるＣＯＤ’ｔ、長波長側に分光感度のピークがある
。このため、この点からも６５００ｍ以上の波長の１ネ
ルギービームを読出し用ビームとして用いる際に適した
記録用材料がめられていた。
ネルギービームを集光してビットを形成することにより
、情報の書込みおよび読出しを行なうに際しては、その
騙込みおよび読出しに用いるエネルギービームの波長は
、原理的にはいかなる値でもよい。ところが比較的大き
な径のピッ１〜を金属薄膜層に形成しＣ読出ず場合には
、６５００Ｒ１以上の波長のエネルギービームを用いる
ことが好ましいため、これに適した記録用材料がめられ
ていた。また、上記のような記録用材料に情報の書込み
ならびに胱出しを行なう際に用いるエネルギービームと
しては、小型である半導体レーザを用いることが奸才し
いが、この半導体レー１１は一般に約６５０ ｎ１以上
の長波長域に限られでおり、さらに読出しに際して用い
られるＣＯＤ’ｔ、長波長側に分光感度のピークがある
。このため、この点からも６５００ｍ以上の波長の１ネ
ルギービームを読出し用ビームとして用いる際に適した
記録用材料がめられていた。
（発明の目的ならびにその概要）
本発明は、上記のような従来技術に伴なう技術的問題点
を解決しようとするものであって、以下のような目的を
有する。
を解決しようとするものであって、以下のような目的を
有する。
１） 記録部であるピッ１−における反射率と、未記録
部である金属薄膜にお【ノる反射率との比プなわら相対
反射率が小さく、したがって優れた情報読出し特性を有
する記録用材料を提供すること。
部である金属薄膜にお【ノる反射率との比プなわら相対
反射率が小さく、したがって優れた情報読出し特性を有
する記録用材料を提供すること。
２） 比較的大きい径のビットを形成する場合に、ピッ
１〜の外周部に乱れが生ずることが少なく、したがって
情報の読取りに際してノイズの発生が少ない記録用月利
を提供すること。
１〜の外周部に乱れが生ずることが少なく、したがって
情報の読取りに際してノイズの発生が少ない記録用月利
を提供すること。
３） 情報の読出しに際して、６５０ ｎｌｌｌ以上特
に７００〜８５０ ｎｍの波長のエネルギービームを用
いた際に、優れた情報読出し特性を右する記録用月利を
提供すること。
に７００〜８５０ ｎｍの波長のエネルギービームを用
いた際に、優れた情報読出し特性を右する記録用月利を
提供すること。
以上のような目的を達成するため、本発明に係る第１の
記録用材料は、基板とこの基板上に設けられた金属薄膜
層とからなり、該金属薄膜層にエネルギービームを照射
して情報の書込みおよび読出１ノを行なう記録用月利で
あって、前記金属ＷＩ膜Ｆｌ１１５〜４０１！ｉ子数パ
ーレントの銅を含むテルル−銅合金からなり、読出し用
照射エネルギービームの波長が６５０ ｎｎ＋以上好ま
しくは７００〜８５０ ＋＋ｍであることを特徴どして
いる。また本発明に係る第２の記録用祠わ１は、基板と
こ一０′）基板上に設（）られｌこ金属薄膜層とからな
り、該金属薄膜層にエネルギービームを照射して情報の
書込みおよび読出しを（ｊなう記録用月利であって、前
記金属薄膜層が５〜４０原子数バーセン１〜の銅および
銅に対して１〜５０原子数バーヒントの鉛を含むテルル
−銅−鉛合金からなることを特徴としており、読出し用
照射エネルギービームの波長は、該金属薄膜層に記録さ
れた情報の読出しができればいかなる範囲でもよいが、
５５ Ｏｎ１１１以上望ましくは７００〜８５０ｎｉで
あることが好ましい。
記録用材料は、基板とこの基板上に設けられた金属薄膜
層とからなり、該金属薄膜層にエネルギービームを照射
して情報の書込みおよび読出１ノを行なう記録用月利で
あって、前記金属ＷＩ膜Ｆｌ１１５〜４０１！ｉ子数パ
ーレントの銅を含むテルル−銅合金からなり、読出し用
照射エネルギービームの波長が６５０ ｎｎ＋以上好ま
しくは７００〜８５０ ＋＋ｍであることを特徴どして
いる。また本発明に係る第２の記録用祠わ１は、基板と
こ一０′）基板上に設（）られｌこ金属薄膜層とからな
り、該金属薄膜層にエネルギービームを照射して情報の
書込みおよび読出しを（ｊなう記録用月利であって、前
記金属薄膜層が５〜４０原子数バーセン１〜の銅および
銅に対して１〜５０原子数バーヒントの鉛を含むテルル
−銅−鉛合金からなることを特徴としており、読出し用
照射エネルギービームの波長は、該金属薄膜層に記録さ
れた情報の読出しができればいかなる範囲でもよいが、
５５ Ｏｎ１１１以上望ましくは７００〜８５０ｎｉで
あることが好ましい。
本発明に係る記録用材料は、図に示づように基板１とこ
の上に設けられた金属薄膜層２とからなり該金属薄膜層
２にエネルギービームを照射して情報の書込みおよび読
出しを行なうタイプのものであって、前記金属薄膜層２
は、第１のｆぶ様においては５〜４０原子数パーセント
の銅を含むテルル−銅合金からなっており、また第２の
ｆぶ様においては５〜４０原子数バーセン１〜の銅およ
び銅に対して１〜５０原子数パーセントの鉛を含むデル
ルー銅−鉛合金からなっており、読出し用照射エネルギ
ービームの波長は、第１の態様においては６５０ ｒ＋
ｎ＋以上望ましくは７００〜８５００１１１であり、第
２の態様においては、いかなる範囲でもよいが６５０
ｎｉ以し望ましくは７００〜８５０１１１１１であるこ
とが好ましい。
の上に設けられた金属薄膜層２とからなり該金属薄膜層
２にエネルギービームを照射して情報の書込みおよび読
出しを行なうタイプのものであって、前記金属薄膜層２
は、第１のｆぶ様においては５〜４０原子数パーセント
の銅を含むテルル−銅合金からなっており、また第２の
ｆぶ様においては５〜４０原子数バーセン１〜の銅およ
び銅に対して１〜５０原子数パーセントの鉛を含むデル
ルー銅−鉛合金からなっており、読出し用照射エネルギ
ービームの波長は、第１の態様においては６５０ ｒ＋
ｎ＋以上望ましくは７００〜８５００１１１であり、第
２の態様においては、いかなる範囲でもよいが６５０
ｎｉ以し望ましくは７００〜８５０１１１１１であるこ
とが好ましい。
第１の態様の記録用材料においては、金属薄膜層は５〜
４０原子数バーセン１−の銅を含むテルル−銅合金から
なっているが、銅の含量が５原子数パ一セント未満ぐは
、読出し用エネルギービームの波長が６５０ロＩ以上で
ある場合に相対反射率が上昇し、優れた情報読出し特性
を備えた記録用材料が得られｆしかもピッ１−の外周部
における乱れが大きいため好ましくない。また銅の含ω
が４０原子数パーセントより多くなると、ビット形成に
要りるエネルギービームのエネルギーが畠くなりすぎる
ため好ましくない。テルル−銅合金における銅の含量は
、１０〜２５原子数パーレン１−であることが好ましい
。
４０原子数バーセン１−の銅を含むテルル−銅合金から
なっているが、銅の含量が５原子数パ一セント未満ぐは
、読出し用エネルギービームの波長が６５０ロＩ以上で
ある場合に相対反射率が上昇し、優れた情報読出し特性
を備えた記録用材料が得られｆしかもピッ１−の外周部
における乱れが大きいため好ましくない。また銅の含ω
が４０原子数パーセントより多くなると、ビット形成に
要りるエネルギービームのエネルギーが畠くなりすぎる
ため好ましくない。テルル−銅合金における銅の含量は
、１０〜２５原子数パーレン１−であることが好ましい
。
第２の態様の記録用材料においては、金Ｉｉｌ薄膜層ｔ
よ、５〜４０１ｊ；ｉ子数パーレントの銅および銅に対
しく１〜５０原子数パーレントの鉛を含むテルル−銅−
鉛合金からなっているが、銅の含量は上記と同様の理由
によって５〜４０原子数パーセントであることが好まし
く、特に１０〜２５原子数パーセントであることが好ま
しい。また鉛の含ａは、銅に対して１〜５０原子数パー
レンｌ−ｒあるが、１原子数パ一セント未満であると、
比較的大きな径のピットを形成した場合に、ピットの外
周部に多少の乱れが生ずることがあり、一方５０原子数
パーセントより多くなると、ピッ１〜形成に要するエネ
ルギービームのエネルギーが８くなりφぎるため好まし
くない。テルル−銅−鉛合金における鉛の含量は、銅に
対して５〜３０原子数パーセントであることが好ましい
。
よ、５〜４０１ｊ；ｉ子数パーレントの銅および銅に対
しく１〜５０原子数パーレントの鉛を含むテルル−銅−
鉛合金からなっているが、銅の含量は上記と同様の理由
によって５〜４０原子数パーセントであることが好まし
く、特に１０〜２５原子数パーセントであることが好ま
しい。また鉛の含ａは、銅に対して１〜５０原子数パー
レンｌ−ｒあるが、１原子数パ一セント未満であると、
比較的大きな径のピットを形成した場合に、ピットの外
周部に多少の乱れが生ずることがあり、一方５０原子数
パーセントより多くなると、ピッ１〜形成に要するエネ
ルギービームのエネルギーが８くなりφぎるため好まし
くない。テルル−銅−鉛合金における鉛の含量は、銅に
対して５〜３０原子数パーセントであることが好ましい
。
このように本発明に係る記録用材料におりる金属薄膜層
に銅を含ませることによって、テルル単独の場合と比較
して、読出し用エネルギービームの波長が６５０ｎｌｌ
１以上である場合にも相対反射率が上昇することがなく
、しかし情報の岨込みの際にビット周辺部に大きな乱れ
の生ずることのｆＪい記録用材料が得られる。さらに、
テルル−銅合金に鉛を含ませることによって、情報の書
込みの際にピット外周部に乱れがほとんど生ずることの
ない記録用材料が得られる。
に銅を含ませることによって、テルル単独の場合と比較
して、読出し用エネルギービームの波長が６５０ｎｌｌ
１以上である場合にも相対反射率が上昇することがなく
、しかし情報の岨込みの際にビット周辺部に大きな乱れ
の生ずることのｆＪい記録用材料が得られる。さらに、
テルル−銅合金に鉛を含ませることによって、情報の書
込みの際にピット外周部に乱れがほとんど生ずることの
ない記録用材料が得られる。
テルルに銅を含ませることによって上記の効果が得られ
る理由は必ずしも明らかではないが、以下のように推定
される。づなわら、テルルおよび銅の融点はそれぞれ４
５０℃、１０８３℃であるのに対し、アルルー銅合金の
共晶点は３４４℃と低く、また銅の液体状態における表
面張力が１３５ Ｘ Ｉ Ｑ−３Ｎ／ｍと金属の中でも
比較的小さいことから、レーナビームなどのエネルギー
ビームの麿込み用照剣を受ＩＪた際に、テルル−銅合金
からなる金属薄膜層は溶融しやすく、かつ溶融されたテ
ルル−銅合金はビットの周辺部に排除されるためであろ
うと考えられる。
る理由は必ずしも明らかではないが、以下のように推定
される。づなわら、テルルおよび銅の融点はそれぞれ４
５０℃、１０８３℃であるのに対し、アルルー銅合金の
共晶点は３４４℃と低く、また銅の液体状態における表
面張力が１３５ Ｘ Ｉ Ｑ−３Ｎ／ｍと金属の中でも
比較的小さいことから、レーナビームなどのエネルギー
ビームの麿込み用照剣を受ＩＪた際に、テルル−銅合金
からなる金属薄膜層は溶融しやすく、かつ溶融されたテ
ルル−銅合金はビットの周辺部に排除されるためであろ
うと考えられる。
また、テルル−銅合金に鉛を含ませることにより」−記
の効果が得られる理由も必ずしも明らかでは（ｉいが、
以下のようにＩ汁定される。すなわち、テルルの熱伝導
率は０．０１４ｃａｌ ／ｃｍ争ｓｅｃ ・ｄｅｇであ
り、そして銅のそれハ０．９４ｃａｌ ／ｃｍ・Ｓｅｃ
・ｄｅりど大きいのに対し、鉛の熱伝導率は０、０８
２Ｃａｌ ／ｃ＃Ｉｌ−３ｅｃ−ｄｅと銅に比べて小さ
いことから、テルル−銅−鉛の三成分系合金では、鉛は
合金の熱伝導率を下げてピット外周部への熱の広がりを
防止し、ピット外周部部の形状の乱れを防止していると
考えられる。しかも鉛の融点は３２７℃であって、テル
ル−銅合金の共晶夏：よ（３４４℃）を下げない範囲で
鉛を添加りることは、エネルギービームに対する感度も
低下させないのであろうと考えられる。
の効果が得られる理由も必ずしも明らかでは（ｉいが、
以下のようにＩ汁定される。すなわち、テルルの熱伝導
率は０．０１４ｃａｌ ／ｃｍ争ｓｅｃ ・ｄｅｇであ
り、そして銅のそれハ０．９４ｃａｌ ／ｃｍ・Ｓｅｃ
・ｄｅりど大きいのに対し、鉛の熱伝導率は０、０８
２Ｃａｌ ／ｃ＃Ｉｌ−３ｅｃ−ｄｅと銅に比べて小さ
いことから、テルル−銅−鉛の三成分系合金では、鉛は
合金の熱伝導率を下げてピット外周部への熱の広がりを
防止し、ピット外周部部の形状の乱れを防止していると
考えられる。しかも鉛の融点は３２７℃であって、テル
ル−銅合金の共晶夏：よ（３４４℃）を下げない範囲で
鉛を添加りることは、エネルギービームに対する感度も
低下させないのであろうと考えられる。
上記のような組成を有する金属薄膜層は、これにほぼ対
応する組成を有する合金を作成し、これをスパッタリン
グ法、真空蒸着法、イオンプレーディング法、電気メツ
キ法などの従来既知の方法によって基板上に成膜して得
られる。
応する組成を有する合金を作成し、これをスパッタリン
グ法、真空蒸着法、イオンプレーディング法、電気メツ
キ法などの従来既知の方法によって基板上に成膜して得
られる。
あるいはまた、テルル、銅、鉛をそれぞれ別々の蒸着源
とし、これらの蒸着速度を調節しながらスパッタリング
法、真空蒸着法、イオンプレーディング法などによって
上記組成に３１応する金属薄膜層を基板上に成膜しても
よい。この金属薄膜層の膜厚は、５０〜４０００μｍ望
ましくは２００〜ｉ ｏｏｏμｍであることが好ましい
。
とし、これらの蒸着速度を調節しながらスパッタリング
法、真空蒸着法、イオンプレーディング法などによって
上記組成に３１応する金属薄膜層を基板上に成膜しても
よい。この金属薄膜層の膜厚は、５０〜４０００μｍ望
ましくは２００〜ｉ ｏｏｏμｍであることが好ましい
。
基板としては、あらゆるタイプのｂのが用いられるが、
たとえばガラス、ポリメチルメタクリレート、ポリカー
ボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、
塩化ビニルなどが用いられる。またこれらの基板上にピ
ラチン層などを設けたｂ Ｏ） ’ｂ ＩＡ板として用
いられる。
たとえばガラス、ポリメチルメタクリレート、ポリカー
ボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、
塩化ビニルなどが用いられる。またこれらの基板上にピ
ラチン層などを設けたｂ Ｏ） ’ｂ ＩＡ板として用
いられる。
このようにして基板に形成した金属薄膜層に情報の４１
込みを行なうには、該金属薄膜層に、波長３００〜１ｌ
１００ｎのレーザビームなどのエネルギービームをレン
ズなどにより集光して照射し、集光部においてビットを
形成すればよい。この際、エネルギービームの強度は１
〜５０ｍｗ、パルスｌ］は５〜５０ ｎ５ｅｃ、ビーム
径は０．５〜２０μｒＴ１であることが好ましい。上記
のような条畳にしたがえば、直径０．５〜２０μｍ程度
のビットが金属薄膜層上に形成される。
込みを行なうには、該金属薄膜層に、波長３００〜１ｌ
１００ｎのレーザビームなどのエネルギービームをレン
ズなどにより集光して照射し、集光部においてビットを
形成すればよい。この際、エネルギービームの強度は１
〜５０ｍｗ、パルスｌ］は５〜５０ ｎ５ｅｃ、ビーム
径は０．５〜２０μｒＴ１であることが好ましい。上記
のような条畳にしたがえば、直径０．５〜２０μｍ程度
のビットが金属薄膜層上に形成される。
金ａｓｓｓ上に照射されるエネルギービームとしては、
半導体レーザ、アルゴンレーザ、ヘリウム−ネオンレー
ザなどのレーザビー、ムなどが用いられうる。
半導体レーザ、アルゴンレーザ、ヘリウム−ネオンレー
ザなどのレーザビー、ムなどが用いられうる。
次に、上記のようにビットとして記録された情報の読出
しは、金属薄膜層を溶融させない程度の低エネルギーの
エネルギービームをレンズなどを介して金属薄膜層上に
集光して照射し、反（ト）光の強度と位相変化とを関連
づ番プて検出りることによって行なわれる。この際、本
発明に係る第１の態様の金属薄膜層（テルル−銅合金）
の場合には、照射されるエネルギービームの波長は６５
００１以上望ましくは６５０〜９００ ｎｍさらに望ま
しくは７００〜８５０ｎｍであることが好ましい。また
第２の態様の金属薄膜Ｗｉ（テルル−銅−鉛合金）の場
合には、照射されるエネルギービームの波長はいずれの
値でもよいが、６５０ ｎ１ｌ１以上望ましくは６５０
〜９００１１＋１１さらに望ましくは７００〜８５０ｎ
ｍであることが好ましい。読出しに際して照射されるエ
ネルギービームの強度は０．１〜１０ｍｗ、ビーム径は
０．５〜５０μｒｎであることが好ましい。
しは、金属薄膜層を溶融させない程度の低エネルギーの
エネルギービームをレンズなどを介して金属薄膜層上に
集光して照射し、反（ト）光の強度と位相変化とを関連
づ番プて検出りることによって行なわれる。この際、本
発明に係る第１の態様の金属薄膜層（テルル−銅合金）
の場合には、照射されるエネルギービームの波長は６５
００１以上望ましくは６５０〜９００ ｎｍさらに望ま
しくは７００〜８５０ｎｍであることが好ましい。また
第２の態様の金属薄膜Ｗｉ（テルル−銅−鉛合金）の場
合には、照射されるエネルギービームの波長はいずれの
値でもよいが、６５０ ｎ１ｌ１以上望ましくは６５０
〜９００１１＋１１さらに望ましくは７００〜８５０ｎ
ｍであることが好ましい。読出しに際して照射されるエ
ネルギービームの強度は０．１〜１０ｍｗ、ビーム径は
０．５〜５０μｒｎであることが好ましい。
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
の実施例に限定されるものではない。
の実施例に限定されるものではない。
及旌旦」
厚み１５履のポリメチルメタクリレ−１・板を充分に洗
浄し脱脂を行ない基板として用いた。次にこの基板を真
空蒸着装置中に置き、真空度１Ｏ−６Ｔｏ ｒ ｒの条
ｆｌ下で、テルル粉末と銅粉末とを別々のアルミするつ
ぼに入れて同時に加熱し、各るつぼの加熱温度を制御し
ながら二元蒸着法により、銅の含有率が２０原子数パー
セントとなるようにしてテルル−銅合金からなる金属Ｉ
Ｉ！層をその膜厚が３０ＯＡとなるように基板上に蒸着
した。
浄し脱脂を行ない基板として用いた。次にこの基板を真
空蒸着装置中に置き、真空度１Ｏ−６Ｔｏ ｒ ｒの条
ｆｌ下で、テルル粉末と銅粉末とを別々のアルミするつ
ぼに入れて同時に加熱し、各るつぼの加熱温度を制御し
ながら二元蒸着法により、銅の含有率が２０原子数パー
セントとなるようにしてテルル−銅合金からなる金属Ｉ
Ｉ！層をその膜厚が３０ＯＡとなるように基板上に蒸着
した。
このようにして得られた基板上の金属薄膜層に、波長７
９０ｎｍ、強度５ｍｗ、パルス巾１５０ ｎ５ｅｃの半
導体レーザをビーム径３μｍに集光して照射し、直径３
μｍのビットを形成して記録を行なった。
９０ｎｍ、強度５ｍｗ、パルス巾１５０ ｎ５ｅｃの半
導体レーザをビーム径３μｍに集光して照射し、直径３
μｍのビットを形成して記録を行なった。
記録部と未記録部との相対反射率は４０％であつＩ’＋
６ 形成されたビット形状は、ビット内には滴状のテルル−
銅合金は認められなかったが、外周部が不定形に広がっ
たものが認められた。
６ 形成されたビット形状は、ビット内には滴状のテルル−
銅合金は認められなかったが、外周部が不定形に広がっ
たものが認められた。
友ｉ璽１
厚み１００μｒＴ１のポリエステルフィルム上に厚み３
μｍのピラチン層を形成し”ｕｉｉとした。この基板を
スパッタリング装置中に置き、予じめ作成したテルル−
銅合金（銅の含′ｆＪ率２０１ｊｉ ｊ′−数パーセン
ト）をスパッタターゲットとし、アルゴンガス圧３ Ｘ
１０−３Ｔｏ ｒ ｒ投入１１１１４００Ｖ、スパッ
タ時間９０秒問という条件でスパッタを行ない、基板の
ゼラチン層上に膜厚３００Ａの金属薄膜層を形成した。
μｍのピラチン層を形成し”ｕｉｉとした。この基板を
スパッタリング装置中に置き、予じめ作成したテルル−
銅合金（銅の含′ｆＪ率２０１ｊｉ ｊ′−数パーセン
ト）をスパッタターゲットとし、アルゴンガス圧３ Ｘ
１０−３Ｔｏ ｒ ｒ投入１１１１４００Ｖ、スパッ
タ時間９０秒問という条件でスパッタを行ない、基板の
ゼラチン層上に膜厚３００Ａの金属薄膜層を形成した。
次に、実施例１と同様にして情報の書込みおよび読出し
を行なった。
を行なった。
実施例３
厚み１５＃のポリメチルメタクリレ−１〜板を充分に洗
浄し脱脂を行ない基板として用いた。次にこの基板をス
パッタリング装置中に置き、予じめ作成したテルル−銅
−鉛合金（原子数バーＵント比８０：１７：３）をスパ
ッタターゲットとじ、アルゴンガス圧５Ｘ １０−３Ｔ
ｏ ｒ ｒ、投入Ｗ１圧４５０■、スパッタ時間９０秒
間という条件でスパッタを行ない、基板上に膜厚３００
Ａの金属薄膜を形成した。
浄し脱脂を行ない基板として用いた。次にこの基板をス
パッタリング装置中に置き、予じめ作成したテルル−銅
−鉛合金（原子数バーＵント比８０：１７：３）をスパ
ッタターゲットとじ、アルゴンガス圧５Ｘ １０−３Ｔ
ｏ ｒ ｒ、投入Ｗ１圧４５０■、スパッタ時間９０秒
間という条件でスパッタを行ない、基板上に膜厚３００
Ａの金属薄膜を形成した。
記録部と未記録部との相対反射率は４４％であった。
形成されたピット形状は、ピット内に滴状のテルル−銅
鉛合金は認められず、しかも外周部の形状は極めて良好
であった。
鉛合金は認められず、しかも外周部の形状は極めて良好
であった。
比較例１
実施例１においてテルル粉末のみをアルミするつぼに入
れて蒸着源とした以外は、実施例１と全く同様にして、
金属薄膜層を形成した後情報の書込みおよび読出しを行
なったところ、相対反射率は６０％であった。
れて蒸着源とした以外は、実施例１と全く同様にして、
金属薄膜層を形成した後情報の書込みおよび読出しを行
なったところ、相対反射率は６０％であった。
形成されたピットの形状は、ピット内にも滴状のｊルル
金属が一部認められ、しかも外周部に病状のしのが集合
していた。
金属が一部認められ、しかも外周部に病状のしのが集合
していた。
図は、本発明に係る記録用材料の断面図である。
１・・・基板、２・・・金属ＷＩＩＩＩＩＩ０出願人代
理人 猪 股 清
理人 猪 股 清
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 基板とこの基板上に設けられた金ｉ薄膜層とから
なり、該金属薄膜層にエネルギービームを照射して情報
の書込みおよび読出しを行なう記録用材料において、前
記金属薄膜層が５〜４０原子数パーセントの銅を含むテ
ルル−銅合金からなり、読出し用照射エネルギービーム
の波長が６５０ ｎｍ以上であることを特徴とする記録
用材料。 ２、 基板とこの基板上に設けられた金属薄膜層とから
なり、該金属薄膜層にエネルギービームを照射して情報
の出−込みおよび読出しを行なう記録用材料に−３い（
、前記金属薄膜層が５〜４０原Ｔ数バーレン１〜の銅ｊ
３よび銅に対し−（１〜５０１ｉ、ｊ子数パーヒントの
鉛を含むテルル−銅−鉛合金からなることを特徴とする
記録用材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59064592A JPS60208290A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 記録用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59064592A JPS60208290A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 記録用材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60208290A true JPS60208290A (ja) | 1985-10-19 |
Family
ID=13262676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59064592A Pending JPS60208290A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 記録用材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60208290A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0285112A2 (en) * | 1987-03-31 | 1988-10-05 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Optical recording element |
| EP0371428A2 (en) * | 1988-11-29 | 1990-06-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage medium |
-
1984
- 1984-03-31 JP JP59064592A patent/JPS60208290A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0285112A2 (en) * | 1987-03-31 | 1988-10-05 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Optical recording element |
| US4857373A (en) * | 1987-03-31 | 1989-08-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Optical recording element |
| EP0371428A2 (en) * | 1988-11-29 | 1990-06-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage medium |
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