JPS61272190A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPS61272190A JPS61272190A JP60113058A JP11305885A JPS61272190A JP S61272190 A JPS61272190 A JP S61272190A JP 60113058 A JP60113058 A JP 60113058A JP 11305885 A JP11305885 A JP 11305885A JP S61272190 A JPS61272190 A JP S61272190A
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザー光等のエネルギー線を照射することに
よって、記録層のエネルギー線照射部が溶融等により、
変形または除去されることによって生じる反射率もしく
は透過率の変化を利用して、光学的に情報の記録、再生
を行うのに適した記録媒体に関するものである。
よって、記録層のエネルギー線照射部が溶融等により、
変形または除去されることによって生じる反射率もしく
は透過率の変化を利用して、光学的に情報の記録、再生
を行うのに適した記録媒体に関するものである。
光ディスク等の光記録媒体に要求される性質としては、
記録感度が高いこと、再生信号のＳＮ比が高いこと、保
存安定性がすぐれていること等が挙げられる。
記録感度が高いこと、再生信号のＳＮ比が高いこと、保
存安定性がすぐれていること等が挙げられる。
レーザー光照射部の温度上昇により、記録層が融解し、
ピットを形成するいわゆるヒートモード型記録媒体にお
いて、記録感度を高くするためには、記録層の分光吸収
率が高いこと、融点、比熱、および熱伝導率が低いこと
が必要である。再生信号のＳＮ比を高くするためには、
ビットの形状、大きさが揃っていて、ピント周辺の形状
が整っており、特に結晶性の薄膜よりなる記録層におい
ては、結晶粒径を十分に小さくし、結晶粒界による媒体
ノイズの発生を低く抑えることが必要である。また、保
存安定性にすぐれた記録媒体を得るためには、記録層の
酸化安定性および耐湿性が高いことが要求される。
ピットを形成するいわゆるヒートモード型記録媒体にお
いて、記録感度を高くするためには、記録層の分光吸収
率が高いこと、融点、比熱、および熱伝導率が低いこと
が必要である。再生信号のＳＮ比を高くするためには、
ビットの形状、大きさが揃っていて、ピント周辺の形状
が整っており、特に結晶性の薄膜よりなる記録層におい
ては、結晶粒径を十分に小さくし、結晶粒界による媒体
ノイズの発生を低く抑えることが必要である。また、保
存安定性にすぐれた記録媒体を得るためには、記録層の
酸化安定性および耐湿性が高いことが要求される。
従来より、レーザー光により、ピントを形成するタイプ
の記録媒体として、現在量も広く用いられているものは
、ガラスまたはプラスチックの基板上に記録層として、
テルル、ビスマス等の薄膜や、これらを主成分とした合
金薄膜を形成したものである。しかしながら、これらの
記録層は低いパワーの記録レーザーをもって記録を行う
と、ピットの形成が不完全で、高いＳＮ比が得られず、
記録感度の点では不十分である。また、保存安定性につ
いても未だ十分なものであるとは言えない。
の記録媒体として、現在量も広く用いられているものは
、ガラスまたはプラスチックの基板上に記録層として、
テルル、ビスマス等の薄膜や、これらを主成分とした合
金薄膜を形成したものである。しかしながら、これらの
記録層は低いパワーの記録レーザーをもって記録を行う
と、ピットの形成が不完全で、高いＳＮ比が得られず、
記録感度の点では不十分である。また、保存安定性につ
いても未だ十分なものであるとは言えない。
〔発明が解決しようとしている問題点〕本発明の目的は
、上記した従来技術の欠点を無くし、記録感度が高く、
かつ長期間安定な光記録媒体を得ることにある。
、上記した従来技術の欠点を無くし、記録感度が高く、
かつ長期間安定な光記録媒体を得ることにある。
本発明の光記録媒体は、基板上に合金層が形成されてお
り、該合金層が金属元素Ｓｎと半金属元素Ｓｅｓ ａｔ
、 ｓｂの何れか一種よりなり、該合金層の表面および
基板と該合金層との界面の両者にＧｅ、Ｃｒｓ Ｔｉｓ
Ｎｉの何れか一種よりなる金属または半金属層を有す
ることを特徴とする。
り、該合金層が金属元素Ｓｎと半金属元素Ｓｅｓ ａｔ
、 ｓｂの何れか一種よりなり、該合金層の表面および
基板と該合金層との界面の両者にＧｅ、Ｃｒｓ Ｔｉｓ
Ｎｉの何れか一種よりなる金属または半金属層を有す
ることを特徴とする。
Ｓｎは融点が低く、半導体レーザーによるピット形成が
容易であるという特徴を有する。しかしながら、蒸着、
スパッタリング等の方法により形成したＳｎ薄膜は結晶
粒径が大きいため、再生時において、この結晶粒界によ
る媒体ノイズが無視できない、また、保存安定性につい
ても問題がある。
容易であるという特徴を有する。しかしながら、蒸着、
スパッタリング等の方法により形成したＳｎ薄膜は結晶
粒径が大きいため、再生時において、この結晶粒界によ
る媒体ノイズが無視できない、また、保存安定性につい
ても問題がある。
そこで本願発明者等はＳｎを半金属Ｓｅ、 Ｂｉ、 Ｓ
ｂの何れが一種との合金となし、該合金層の表面、およ
び基板と該合金層との界面の両者にＧｅ５Ｃｒ、 Ｔｉ
、 Ｎｉの何れか一種よりなる金属、または半金属層を
設けることにより、Ｓｎの特徴であるところの高感度が
失われないようにしつつも、上記欠点を改良した。すな
わち、半金属、Ｓｅ、 Ｂｉ、 Ｓｂの何れか一種との
合金化により、Ｓｎの結晶粒径は１００Å以下となり、
その結果、媒体ノイズを低減することができる。またピ
ット形成時の結晶成長も抑えられ、ピット周辺の形状も
整ったものとなる。さらに、保存安定性、特に耐酸化性
が著しく向上する。一方、Ｇｅｓ Ｃｒ、 Ｔｉｓ Ｎ
ｉの薄膜は半導体レーザーの波長域である７５０ｎｍ〜
８５０ｎｍにおける光の吸収率が大きいため、前記した
合金層にこの金属または半金属層を積層することにより
、さらに高感度の記録媒体が得られる。また、この金属
または半金属層の積層は、ピント形状を整えること、記
録層の保存安定性の向上、特に耐酸化性の向上、クラン
ク防止に効果がある。この効果を良好に得るためには、
該金属または半金属層を前記した合金層の表面および基
板と合金層との界面の両者に設けることが望ましい。
ｂの何れが一種との合金となし、該合金層の表面、およ
び基板と該合金層との界面の両者にＧｅ５Ｃｒ、 Ｔｉ
、 Ｎｉの何れか一種よりなる金属、または半金属層を
設けることにより、Ｓｎの特徴であるところの高感度が
失われないようにしつつも、上記欠点を改良した。すな
わち、半金属、Ｓｅ、 Ｂｉ、 Ｓｂの何れか一種との
合金化により、Ｓｎの結晶粒径は１００Å以下となり、
その結果、媒体ノイズを低減することができる。またピ
ット形成時の結晶成長も抑えられ、ピット周辺の形状も
整ったものとなる。さらに、保存安定性、特に耐酸化性
が著しく向上する。一方、Ｇｅｓ Ｃｒ、 Ｔｉｓ Ｎ
ｉの薄膜は半導体レーザーの波長域である７５０ｎｍ〜
８５０ｎｍにおける光の吸収率が大きいため、前記した
合金層にこの金属または半金属層を積層することにより
、さらに高感度の記録媒体が得られる。また、この金属
または半金属層の積層は、ピント形状を整えること、記
録層の保存安定性の向上、特に耐酸化性の向上、クラン
ク防止に効果がある。この効果を良好に得るためには、
該金属または半金属層を前記した合金層の表面および基
板と合金層との界面の両者に設けることが望ましい。
本発明の合金層におけるＳｎの含有量の好ましい範囲は
、原子数パーセントは３０％以上、８０％以下の範囲で
あって、特に好ましいのは４０％以上、６０％以下の範
囲である。Ｓｎが３０％未満であると、記録層のレーザ
ー光波長領域での分光吸収率が低下することにより、低
い記録レーザーパワーではピット形成が起こらなくなる
。すなわち、記録感度が低下する。逆にＳｎが８０％を
超えると、結晶粒界による媒体ノイズが増加し、ピント
の形状も不規則なものとなることにより、ＳＮ比が低下
する。さらに耐酸化性も低下する。
、原子数パーセントは３０％以上、８０％以下の範囲で
あって、特に好ましいのは４０％以上、６０％以下の範
囲である。Ｓｎが３０％未満であると、記録層のレーザ
ー光波長領域での分光吸収率が低下することにより、低
い記録レーザーパワーではピット形成が起こらなくなる
。すなわち、記録感度が低下する。逆にＳｎが８０％を
超えると、結晶粒界による媒体ノイズが増加し、ピント
の形状も不規則なものとなることにより、ＳＮ比が低下
する。さらに耐酸化性も低下する。
本発明の合金層の厚さの好ましい範囲は、７０Å以上、
３００Å以下の範囲であって、特に好ましいのは、１０
０Å以上、２００Å以下の範囲である０合金層の厚さが
７０人未満であると、記録層の反射率が低下し、ピット
形成部と未形成部との反射率の差が小さくなることによ
り、ＳＮ比が低下する。ｙＬさが３００人を超えると、
記録層のレーザー照射部の溶融流動化に必要なエネルギ
ーが大きくなるため、記録媒体の記録感度が低下する。
３００Å以下の範囲であって、特に好ましいのは、１０
０Å以上、２００Å以下の範囲である０合金層の厚さが
７０人未満であると、記録層の反射率が低下し、ピット
形成部と未形成部との反射率の差が小さくなることによ
り、ＳＮ比が低下する。ｙＬさが３００人を超えると、
記録層のレーザー照射部の溶融流動化に必要なエネルギ
ーが大きくなるため、記録媒体の記録感度が低下する。
本発明の合金層の表面および基板と該合金層との界面の
両者に設けられる金属または半金属層の厚さの好ましい
範囲は、２０Å以上、８０Å以下の範囲であって、特に
好ましいのは、３０Å以上、５０Å以下の範囲である。
両者に設けられる金属または半金属層の厚さの好ましい
範囲は、２０Å以上、８０Å以下の範囲であって、特に
好ましいのは、３０Å以上、５０Å以下の範囲である。
膜厚が２０人未満であると、上記金属または半金属層に
よる光吸収が十分でなく、その結果、記録感度が低下す
る。また、ピント形状も悪くなる。膜厚が８０人を超え
ると、上記金属または半金属は融点が比較的高いため、
レーザー照射部の溶融流動化に必要なエネルギーが大き
くなり、記録媒体の記録感度が低下する。
よる光吸収が十分でなく、その結果、記録感度が低下す
る。また、ピント形状も悪くなる。膜厚が８０人を超え
ると、上記金属または半金属は融点が比較的高いため、
レーザー照射部の溶融流動化に必要なエネルギーが大き
くなり、記録媒体の記録感度が低下する。
上記金属または半金属層の構成物質で最も好ましいもの
はＧｅであるｅ Ｇｅは膜厚が薄い場合でも一様、かつ
７５０ｎａ＋〜８５’Ｏｎｍの波長域での光吸収率の大
きい膜が得られる。
はＧｅであるｅ Ｇｅは膜厚が薄い場合でも一様、かつ
７５０ｎａ＋〜８５’Ｏｎｍの波長域での光吸収率の大
きい膜が得られる。
その上、融点も比較的低いため、ＧｅＪｉを設けること
により、高感度の記録媒体が得られる。また、Ｇｅ層は
ピント形成時の記録層の結晶成長を抑えるため、再生信
号のＳＮ比が高くなり、本発明に用いられる層としては
特に好適である。
により、高感度の記録媒体が得られる。また、Ｇｅ層は
ピント形成時の記録層の結晶成長を抑えるため、再生信
号のＳＮ比が高くなり、本発明に用いられる層としては
特に好適である。
本発明に用いられる基板の材料としては、例えば、ガラ
ス、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、エポ
キシ樹脂等が用いられる。また、基板表面の物性を改良
するために、基板上に有機物の薄膜を設けた後も、本発
明による記録層を形成しても良い、基板への記録層の形
成は、真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティン
グ等の方法によって行うのが好ましい。
ス、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、エポ
キシ樹脂等が用いられる。また、基板表面の物性を改良
するために、基板上に有機物の薄膜を設けた後も、本発
明による記録層を形成しても良い、基板への記録層の形
成は、真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティン
グ等の方法によって行うのが好ましい。
第１図に本発明による光記録媒体の層構成の一例を示す
。
。
図においてＴｌ）は基板、（３）は合金層、（２）と（
４）は金属または半金属層を示している。
４）は金属または半金属層を示している。
本発明の記録媒体における記録、再生は記録層（５）側
にレーザー光を照射して行っても良いし、基板側より基
板を通して記録層にレーザー光を照射して行っても良い
。また、本発明による記録媒体は単独で用いても良いし
、第２図のように２枚の記録層（５）側を互いに向かい
合わせて貼り合わせた、いわゆるエアーサンドインチ型
として用いても良い〔実施例〕 以下に本発明を実施例によって詳細に説明する。
にレーザー光を照射して行っても良いし、基板側より基
板を通して記録層にレーザー光を照射して行っても良い
。また、本発明による記録媒体は単独で用いても良いし
、第２図のように２枚の記録層（５）側を互いに向かい
合わせて貼り合わせた、いわゆるエアーサンドインチ型
として用いても良い〔実施例〕 以下に本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例１
厚さ１．２鶴、外径２００ｍ、内径３５簡のポリメタク
リル酸メチルからなるディスク状基板を真空蒸着装置内
に配置した。真空蒸着装置内の３個のルツボにそれぞれ
、Ｇｏ、Ｓｎ、、 Ｓｅを入れ、前記の基板を２Ｏｒｐ
ｍの速度で回転させながら、真空度Ｉ Ｘ １０−”ｍ
Ｈｇの条件において、電子ビーム蒸着法を用い、まずＧ
ｅを４０人の厚さに蒸着した０次に、ＳｎとＳｓをそれ
ぞれのルツボ上に設けた水晶振動子式膜厚モニターで蒸
発量を検出しながら、電子ビームの出力を調節すること
により、原子数比が１：１であるＳｎとＳｓの合金膜を
１５０人の厚さに蒸着した。続いて、この合金膜上に再
び、厚さ４０人のＧｅ層を積層した。
リル酸メチルからなるディスク状基板を真空蒸着装置内
に配置した。真空蒸着装置内の３個のルツボにそれぞれ
、Ｇｏ、Ｓｎ、、 Ｓｅを入れ、前記の基板を２Ｏｒｐ
ｍの速度で回転させながら、真空度Ｉ Ｘ １０−”ｍ
Ｈｇの条件において、電子ビーム蒸着法を用い、まずＧ
ｅを４０人の厚さに蒸着した０次に、ＳｎとＳｓをそれ
ぞれのルツボ上に設けた水晶振動子式膜厚モニターで蒸
発量を検出しながら、電子ビームの出力を調節すること
により、原子数比が１：１であるＳｎとＳｓの合金膜を
１５０人の厚さに蒸着した。続いて、この合金膜上に再
び、厚さ４０人のＧｅ層を積層した。
得られた光記録媒体を記録、再生装置に装着し、回転数
６０Ｏｒｐｍで回転させ、波長８３０ｎｍ、出力６ｍＷ
の半導体レーザー装置を用い、周波数ＩＭＨｚ、パルス
幅５００１ｓｅｃに変調されたレーザー光を基板を通し
て記録層に照射することにより、記録を行った。再生は
８３０ｎｍ、出力 １．５ｍＷのレーザー光で行い、基
準信号ＩＭＨｚ、バンド幅３０ＫＨｚの条件でスペクト
ラムアナライザーを用いて測定、 したところ、ＣＮ
比は５４ｄＢであった。また、この記録部分を金属８微
鏡で観察すると、大きさおよび形状が非常に揃ったビッ
トの列が見られた。
６０Ｏｒｐｍで回転させ、波長８３０ｎｍ、出力６ｍＷ
の半導体レーザー装置を用い、周波数ＩＭＨｚ、パルス
幅５００１ｓｅｃに変調されたレーザー光を基板を通し
て記録層に照射することにより、記録を行った。再生は
８３０ｎｍ、出力 １．５ｍＷのレーザー光で行い、基
準信号ＩＭＨｚ、バンド幅３０ＫＨｚの条件でスペクト
ラムアナライザーを用いて測定、 したところ、ＣＮ
比は５４ｄＢであった。また、この記録部分を金属８微
鏡で観察すると、大きさおよび形状が非常に揃ったビッ
トの列が見られた。
上記の如くして記録を行った記録済の記録媒体を６０℃
、９０％ＲＨの恒温恒温層内に入れ、１２０日間の耐湿
熱性試験を行った。試験前のＣＮ比は５４ｄＢ、記録層
の反射率は３６）６であったが、試験後もこれらの値に
変化は認められなかった。
、９０％ＲＨの恒温恒温層内に入れ、１２０日間の耐湿
熱性試験を行った。試験前のＣＮ比は５４ｄＢ、記録層
の反射率は３６）６であったが、試験後もこれらの値に
変化は認められなかった。
比較例！
実施例１に用いたものと同様のポリメタクリル酸メチル
のディスク状基板に、実施例１と同様の方法で、Ｇｅ４
０人、５ｎ１５０人、Ｇｅ４０人を順次蒸着した。
のディスク状基板に、実施例１と同様の方法で、Ｇｅ４
０人、５ｎ１５０人、Ｇｅ４０人を順次蒸着した。
得られた記録層について、実施例１と同様の方法で記録
、再生を行ったところ、ＣＮ比は４１ｄＢであった。記
録部分を金属顕微鏡で観察すると、ピット周辺部に玉状
、の結晶粒が見られた。
、再生を行ったところ、ＣＮ比は４１ｄＢであった。記
録部分を金属顕微鏡で観察すると、ピット周辺部に玉状
、の結晶粒が見られた。
上記の如くして記録を行った記録済の記録媒体について
実施例１と同様の耐湿熱性試験を行ったところ、記録層
の反射率は試験前に２５％であったものが１７％にまで
低下した。
実施例１と同様の耐湿熱性試験を行ったところ、記録層
の反射率は試験前に２５％であったものが１７％にまで
低下した。
比較例２
実施例１に用いたものと同様のポリメタクリル酸メチル
のディスク基板にＳｎとＳｅのｔｉｔの合金膜を１５０
人の厚さに蒸着した。
のディスク基板にＳｎとＳｅのｔｉｔの合金膜を１５０
人の厚さに蒸着した。
得られた記録層について実施例１と同様の方法で、記録
再生を行ったところ、ＣＮ比は４５ｄＢであった。記録
部分を金属顕微鏡で観察すると、ピット周辺部に玉状の
結晶粒が見られた。
再生を行ったところ、ＣＮ比は４５ｄＢであった。記録
部分を金属顕微鏡で観察すると、ピット周辺部に玉状の
結晶粒が見られた。
以外は実施例１と同様の方法で記録媒体を多数作製し、
記録、再生を行った。この結果を第３図に示す。Ｓｎの
含有量が３０％以上、８０％以下の範囲をはずれるとＣ
Ｎ比は急激に低下する。このことより、合金層中のＳｎ
の含有量は、３０％以上、８０％以下の範囲となすのが
良いことが理解される。
記録、再生を行った。この結果を第３図に示す。Ｓｎの
含有量が３０％以上、８０％以下の範囲をはずれるとＣ
Ｎ比は急激に低下する。このことより、合金層中のＳｎ
の含有量は、３０％以上、８０％以下の範囲となすのが
良いことが理解される。
実施例３
合金層の膜厚を変化させたこと以外は実施例１と同様の
方法で記録媒体を多数作製し、記録、再生を行った。こ
の結果を第４図に示す０合金層の膜厚が７０Å以上、３
００Å以下の範囲をはずれると、ＣＮ比は急激に低下す
る。このことより、合金層の膜厚は７０Å以上、３００
Å以下の範囲となすのが良いことが理解される。
方法で記録媒体を多数作製し、記録、再生を行った。こ
の結果を第４図に示す０合金層の膜厚が７０Å以上、３
００Å以下の範囲をはずれると、ＣＮ比は急激に低下す
る。このことより、合金層の膜厚は７０Å以上、３００
Å以下の範囲となすのが良いことが理解される。
実施例４
Ｇｅ層の膜厚を変化させたこと以外は実施例１と同様の
方法で記録媒体を多数作製し、記録、再生を行った。こ
の結、 果を第５図に示す。ＧｅＪｌｌの膜厚が２０
Å以上、８０Å以下の範囲をはずれると、ＣＮ比は急激
に低下する。このことより、Ｇｅ層の膜厚は２０Å以上
、８０Å以下の範囲となすのが良いことが理解される。
方法で記録媒体を多数作製し、記録、再生を行った。こ
の結、 果を第５図に示す。ＧｅＪｌｌの膜厚が２０
Å以上、８０Å以下の範囲をはずれると、ＣＮ比は急激
に低下する。このことより、Ｇｅ層の膜厚は２０Å以上
、８０Å以下の範囲となすのが良いことが理解される。
実施例５
実施例１に用いたのと同様のポリメタクリル酸メチルの
ディスク基板を２枚用意し、実施例１と同様の方法で、
それぞれに、Ｇｅ４０人、５ｎ−Ｂｉ （１： １）
１５０人、Ｇｅ４０人、および、Ｇｅ４０人、５ｎ−
５ｂ （１： １） １５０人、Ｇｅ４０人を順次蒸
着した。この記録層における８ ３０ｎ難の波長の光の
反射率は、５ｎ−Ｂｉ合金を用いたもので２７％、５ｎ
−５ｂ合金を用いたもので２９％であった。
ディスク基板を２枚用意し、実施例１と同様の方法で、
それぞれに、Ｇｅ４０人、５ｎ−Ｂｉ （１： １）
１５０人、Ｇｅ４０人、および、Ｇｅ４０人、５ｎ−
５ｂ （１： １） １５０人、Ｇｅ４０人を順次蒸
着した。この記録層における８ ３０ｎ難の波長の光の
反射率は、５ｎ−Ｂｉ合金を用いたもので２７％、５ｎ
−５ｂ合金を用いたもので２９％であった。
得られた記録媒体について、実施例１と同様の方法で記
録、再生を行ったところ、記録層に５ｎ−Ｂｆを用いた
もので５０ｄＢ、 Ｓｎ ＝Ｓｂを用いたもので５１ｄ
ＢのＣＮ比を示した。
録、再生を行ったところ、記録層に５ｎ−Ｂｆを用いた
もので５０ｄＢ、 Ｓｎ ＝Ｓｂを用いたもので５１ｄ
ＢのＣＮ比を示した。
上記の如くして記録を行った記録済の記録媒体について
、実施例１と同様の耐湿熱性試験を行ったところ、試験
後も上記のＣＮ比および記録層の反射率に変化は認めら
れなかった。
、実施例１と同様の耐湿熱性試験を行ったところ、試験
後も上記のＣＮ比および記録層の反射率に変化は認めら
れなかった。
比較例３
実施例１に用いたものと同様のポリメタクリル酸メチル
のディスク状基板に、実施例１と同様の方法で、Ｇｅ４
０人、ＴｅとＳｅの１：１の合金膜１５０人、Ｇｅ４０
人を順次蒸着した。
のディスク状基板に、実施例１と同様の方法で、Ｇｅ４
０人、ＴｅとＳｅの１：１の合金膜１５０人、Ｇｅ４０
人を順次蒸着した。
得られた記録層について、実施例１と同様の方法で記録
、再生を行ったところ、媒体ノイズが大きく、ＣＮ比は
４３ｄＢであった。
、再生を行ったところ、媒体ノイズが大きく、ＣＮ比は
４３ｄＢであった。
（発明の効果〕
本発明によれば記録感度とＳＮ比の高い光記録媒体が得
られ、その結果、低出力のレーザー光での記録が可能と
なる。また、保存安定性についても大幅に改善され、吸
水性の高いプラスチック基板を用いた場合であっても、
特別な保護層を設けなくとも長期間安定な光記録媒体が
得られる。
られ、その結果、低出力のレーザー光での記録が可能と
なる。また、保存安定性についても大幅に改善され、吸
水性の高いプラスチック基板を用いた場合であっても、
特別な保護層を設けなくとも長期間安定な光記録媒体が
得られる。
さらに、Ｓｎ薄膜はＴｏ薄膜等とは異なり、Ｓｓ、旧、
ｓｂの何れか一種との二元合金となすのみで、保存安定
性の向上と結晶粒径の微細化が同時に達成できるため、
本発明によれば、記録層作製装置の構造や製造工程の簡
略化には非常に有利である。
ｓｂの何れか一種との二元合金となすのみで、保存安定
性の向上と結晶粒径の微細化が同時に達成できるため、
本発明によれば、記録層作製装置の構造や製造工程の簡
略化には非常に有利である。
第１図は本発明による光記録媒体の層構成を示す断面図
、第２図は本発明による光記録媒体の一例の全体の断面
図、第３図は合金層におけるＳｎの含有量を変えた場合
のＣＮ比の変化を示す特性図、第４図は合金属の膜厚を
変えた場合のＣＮ比の変化を示す特性図、第５図は金属
または半金属層の膜厚を変えた場合の特性図である。 図において、１：基板、３；合金層、２．４；金属また
は半金属層。 代理人 弁理士 高 ？１ 勝 利第 １１１１ 宵 ２ 図 ８１古肩量 （外） 第４図 −ｘｌ 図 気ｆｉＩの膜厚＜Ａ＞
、第２図は本発明による光記録媒体の一例の全体の断面
図、第３図は合金層におけるＳｎの含有量を変えた場合
のＣＮ比の変化を示す特性図、第４図は合金属の膜厚を
変えた場合のＣＮ比の変化を示す特性図、第５図は金属
または半金属層の膜厚を変えた場合の特性図である。 図において、１：基板、３；合金層、２．４；金属また
は半金属層。 代理人 弁理士 高 ？１ 勝 利第 １１１１ 宵 ２ 図 ８１古肩量 （外） 第４図 −ｘｌ 図 気ｆｉＩの膜厚＜Ａ＞
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に合金層が形成されており、該合金層が金属
元素Ｓｎと半金属元素Ｓｅ、Ｂｉ、Ｓｂの何れか一種よ
りなり、該合金層の表面および基板と該合金層との界面
の両者にＧｅ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉの何れか一種よりなる
金属または半金属層を有することを特徴とする光記録媒
体。 ２、合金層におけるＳｎの含有量が原子数パーセントで
３０％以上、８０％以下の範囲であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。 ３、合金層の膜厚が７０Å以上、３００Å以下の範囲で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記
録媒体。 ４、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉの何れか一種よりなる金属
または半金属の膜厚が２０Å以上、８０Å以下の範囲で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60113058A JPH0678033B2 (ja) | 1985-05-28 | 1985-05-28 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60113058A JPH0678033B2 (ja) | 1985-05-28 | 1985-05-28 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61272190A true JPS61272190A (ja) | 1986-12-02 |
| JPH0678033B2 JPH0678033B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=14602430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60113058A Expired - Lifetime JPH0678033B2 (ja) | 1985-05-28 | 1985-05-28 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0678033B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0310344A2 (en) * | 1987-09-29 | 1989-04-05 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Optical recording medium |
| US6716507B2 (en) | 2000-11-30 | 2004-04-06 | Victor Company Of Japan | Optical recording medium |
-
1985
- 1985-05-28 JP JP60113058A patent/JPH0678033B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0310344A2 (en) * | 1987-09-29 | 1989-04-05 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Optical recording medium |
| US6716507B2 (en) | 2000-11-30 | 2004-04-06 | Victor Company Of Japan | Optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0678033B2 (ja) | 1994-10-05 |
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