JPS6216193A - 光学情報記録部材 - Google Patents
光学情報記録部材Info
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕本発明は光、熱等を利用する光学的情報
の記録、再生を行なう光学情報記録部材に関するもので
あって、その目的とするところは、高速度かつ高密度に
記録、再生を行なうことのできる光学情報記録部材を提
供することにある。
の記録、再生を行なう光学情報記録部材に関するもので
あって、その目的とするところは、高速度かつ高密度に
記録、再生を行なうことのできる光学情報記録部材を提
供することにある。
レーザ光線を利用して高密度な情報の記録、再生に用い
る記録媒体には、基板上にＴｅとＴｅａ。
る記録媒体には、基板上にＴｅとＴｅａ。
の混合物であるＴｅＯｘ、 （０＜ ｘ、 ＜２ ）
を主成分とする薄膜を設けたもの（特開昭５０−４６３
１７号公報、特開＠５０−４６３１８号公報、特開昭５
０−４６３１９号公報、米国特許第３９７１８７４号明
細書）力よあシ、その添加成分にはＰｂＯｘ、 （０＜
Ｘ。
を主成分とする薄膜を設けたもの（特開昭５０−４６３
１７号公報、特開＠５０−４６３１８号公報、特開昭５
０−４６３１９号公報、米国特許第３９７１８７４号明
細書）力よあシ、その添加成分にはＰｂＯｘ、 （０＜
Ｘ。
〈１）、５ｂＯｘａ （０＜ １６ ＜ １．５ ）
ｓ ＶＯｘ、 （０＜ Ｘ？＜ ２．５ ）等が使用さ
れている。このような記録媒体は再生用の光ビームの照
射において透過率変化を大きく得ることができる。
ｓ ＶＯｘ、 （０＜ Ｘ？＜ ２．５ ）等が使用さ
れている。このような記録媒体は再生用の光ビームの照
射において透過率変化を大きく得ることができる。
しかし、記録、再生装置の小型化、簡易化を図る場合に
使用し得るレーザ光源の出力には限度があり、出力２０
ｍＷ以内の小型のＨｅ−Ｎｅし−ザ発振装置、半導体レ
ーザ発振装置等を使用して記録、再生を行なうには従来
のＴｅ０ｘ（０＜Ｘ〈２）を主成分とする薄膜を備えた
記録媒体では感度が不十分である。また、情報を反射光
量変化で再生する場合には十分な変化量が得られない。
使用し得るレーザ光源の出力には限度があり、出力２０
ｍＷ以内の小型のＨｅ−Ｎｅし−ザ発振装置、半導体レ
ーザ発振装置等を使用して記録、再生を行なうには従来
のＴｅ０ｘ（０＜Ｘ〈２）を主成分とする薄膜を備えた
記録媒体では感度が不十分である。また、情報を反射光
量変化で再生する場合には十分な変化量が得られない。
この欠点を補うものとして、 ＴｅＯｘ （０＜Ｘ＜２
）に、融点の低い添加材料を適用し、状態変化のスレッ
ショールド温度を下げる試み、例えばＴｌ０Ｘ（０＜Ｘ
＜ １．５ ） （ＴＩ、０融点ａｏｏＣ）を添加する
方法があシ、また一方状態変化に伴う光学特性の変化を
大きくするために、媒体の屈折率を大きくする方法があ
る。このため、イオン分極率および密度の大きい添加材
料を用いる試みがなされている。例えばＢ１Ｏｘ２、Ｉ
ｎ０ｘ２（０＜ｘ、 ＜ １．５ ）等である。
）に、融点の低い添加材料を適用し、状態変化のスレッ
ショールド温度を下げる試み、例えばＴｌ０Ｘ（０＜Ｘ
＜ １．５ ） （ＴＩ、０融点ａｏｏＣ）を添加する
方法があシ、また一方状態変化に伴う光学特性の変化を
大きくするために、媒体の屈折率を大きくする方法があ
る。このため、イオン分極率および密度の大きい添加材
料を用いる試みがなされている。例えばＢ１Ｏｘ２、Ｉ
ｎ０ｘ２（０＜ｘ、 ＜ １．５ ）等である。
これらの方法によって、ＴｅＯｘを主成分とする記録媒
体は、半導体レーザによる記録、反射光量変化による再
生等が可能となったが情報社会の進展に伴ない、情報伝
達の高速度が要求されるようになり記録速度、再生速度
のより以上の高速化およびそれに伴なう記録感度の向上
が必要となっている。本発明はこの要請に答えることを
発明の目的とするものである。
体は、半導体レーザによる記録、反射光量変化による再
生等が可能となったが情報社会の進展に伴ない、情報伝
達の高速度が要求されるようになり記録速度、再生速度
のより以上の高速化およびそれに伴なう記録感度の向上
が必要となっている。本発明はこの要請に答えることを
発明の目的とするものである。
〔発明の構成〕本発明の光学情報記録部材は、テルルと
、酸素と、ニッケル、白金、コバルトおよびクロームの
なかから選択された元素よりなり、この選択された元素
の含有量が３〜３ｇａｔｍ％であって、前記酸素の含有
量が２０〜５Ｑ ａｔｍ％であるところの光学記録薄膜
を備えていることを特徴とする。
、酸素と、ニッケル、白金、コバルトおよびクロームの
なかから選択された元素よりなり、この選択された元素
の含有量が３〜３ｇａｔｍ％であって、前記酸素の含有
量が２０〜５Ｑ ａｔｍ％であるところの光学記録薄膜
を備えていることを特徴とする。
以下その技術的内容を具体的に説明する。Ｔｅａ。
とＴｅの混合物であるＴｅＯｘ薄膜は、レーザ光等の高
密度な光を照射するとその光学定数が変化し、見た目に
黒くなる。この変化を利用して情報を光学的に記録、再
生するのであるが、この変化は、光照射−吸収−昇温と
いうプロセスを経て、膜中のＴｅ 粒子の状態変化、す
なわち、結晶粒が成長することによる光学的変化に基づ
くものではないかと考えられる。そこで、記録速度を高
めるためには、この状態変化をいかに速く終了させるか
ということが大きな要素であると考えられる。ところで
従来のＴｅＯｘ系薄膜においては、記録時にＴｅ粒子が
状態変化を起こす場合、Ｔｅａ、のバリアがあるため安
定な結晶状態になるための構造緩和に若干の時間を要す
る場合があった。こうした記録部材は、情報として映像
水どを記録する場合は何ら問題にはならないが、高速の
応答性を必要とするコンピュータ用ディスクとして用い
る場合などは、機器設計上の制限が加わり好ましくない
。
密度な光を照射するとその光学定数が変化し、見た目に
黒くなる。この変化を利用して情報を光学的に記録、再
生するのであるが、この変化は、光照射−吸収−昇温と
いうプロセスを経て、膜中のＴｅ 粒子の状態変化、す
なわち、結晶粒が成長することによる光学的変化に基づ
くものではないかと考えられる。そこで、記録速度を高
めるためには、この状態変化をいかに速く終了させるか
ということが大きな要素であると考えられる。ところで
従来のＴｅＯｘ系薄膜においては、記録時にＴｅ粒子が
状態変化を起こす場合、Ｔｅａ、のバリアがあるため安
定な結晶状態になるための構造緩和に若干の時間を要す
る場合があった。こうした記録部材は、情報として映像
水どを記録する場合は何ら問題にはならないが、高速の
応答性を必要とするコンピュータ用ディスクとして用い
る場合などは、機器設計上の制限が加わり好ましくない
。
本発明は、 ＴｅとＴｅａ、の混合物であるＴｅＯｘに
Ｎｉ、 Ｐｔ１Ｃｏ、 Ｃｒよシ選択された元素を添加
したものを基本組成とする薄膜を記録層とし、かつ膜中
のＴｅ、 ０と前記選択された添加元素の原子数の割合
を制御することによシ、従来のＴｅＯｘ系記録薄膜より
も、はるかに高速の記録、再生を可能とする光学記録媒
体を得ることができる。
Ｎｉ、 Ｐｔ１Ｃｏ、 Ｃｒよシ選択された元素を添加
したものを基本組成とする薄膜を記録層とし、かつ膜中
のＴｅ、 ０と前記選択された添加元素の原子数の割合
を制御することによシ、従来のＴｅＯｘ系記録薄膜より
も、はるかに高速の記録、再生を可能とする光学記録媒
体を得ることができる。
ＴｅもしくはＴｅとＴｅ Ｏ，との混合物に第３の物質
を添加して光学記録媒体の特性を向上させた従来例があ
る。しかしそれらは、Ｇｅや５ｎ１Ｐｂ。
を添加して光学記録媒体の特性を向上させた従来例があ
る。しかしそれらは、Ｇｅや５ｎ１Ｐｂ。
Ｓｉ％Ｓｂ、 Ｓｅ などの比較的共有結合性の強い
元素で、ＴｅもしくはＴｅとＴｅａ、との混合物と容易
にガラス状態を作りやすい物質に限られていた。
元素で、ＴｅもしくはＴｅとＴｅａ、との混合物と容易
にガラス状態を作りやすい物質に限られていた。
これに対し本発明は、添加する物質として金属結合性の
強い元素の内よシ特にＮｉ、 ＦｔｌＣｏ、Ｃｒ。
強い元素の内よシ特にＮｉ、 ＦｔｌＣｏ、Ｃｒ。
を選択している。これらの元素はＴｅＯｘ系薄膜中にお
いて記録時、Ｔｅの状態変化を促進するものであって、
結晶核のような作用をしていると考えられ、高速で記録
を完了するために少量で大きな効果が得られると推察さ
れる。また記録時高速でＴｅの状態変化が完了すること
は、例えばレーザ光の照射部が軟化あるいは溶融すると
考えたとき、膜の粘性が小さいうちに状態変化が完了す
ることを意味しており、したがって結晶性のよシ進んだ
Ｔｅの結晶粒子が生成されていると推察される。その結
果として再生光のよシ大きな反射率変化が得られ、高い
ＣＮ比が得られると考えられる。また、ＴｅＯｘは本発
明の選択された添加元素を添加することによって光の吸
収効率が大きくなる。そしてより低いパワーのレーザ光
でも書き込みが可能とな）高感度となる。
いて記録時、Ｔｅの状態変化を促進するものであって、
結晶核のような作用をしていると考えられ、高速で記録
を完了するために少量で大きな効果が得られると推察さ
れる。また記録時高速でＴｅの状態変化が完了すること
は、例えばレーザ光の照射部が軟化あるいは溶融すると
考えたとき、膜の粘性が小さいうちに状態変化が完了す
ることを意味しており、したがって結晶性のよシ進んだ
Ｔｅの結晶粒子が生成されていると推察される。その結
果として再生光のよシ大きな反射率変化が得られ、高い
ＣＮ比が得られると考えられる。また、ＴｅＯｘは本発
明の選択された添加元素を添加することによって光の吸
収効率が大きくなる。そしてより低いパワーのレーザ光
でも書き込みが可能とな）高感度となる。
さらにこれらの添加元素はその性質上酸化を受けないた
めに従来のＴｅＯｘ膜の優れた耐湿性を損なうことはな
い。
めに従来のＴｅＯｘ膜の優れた耐湿性を損なうことはな
い。
本発明は、Ｔｅ％０とＮｉ、 Ｐｔ％Ｃｏ％Ｃｒより選
択される元素を必須成分として構成されるが、膜の光学
的特性、並びに耐熱性を改良するためにＱｅ％Ｓｎ、
ＡＪ３％Ｃｕ、 Ａｇ％Ａｕ、 Ｓｅ、 Ｂｉ、 Ｉｎ
％Ｐｂ、８ｉ。
択される元素を必須成分として構成されるが、膜の光学
的特性、並びに耐熱性を改良するためにＱｅ％Ｓｎ、
ＡＪ３％Ｃｕ、 Ａｇ％Ａｕ、 Ｓｅ、 Ｂｉ、 Ｉｎ
％Ｐｂ、８ｉ。
ｓｂ％Ａｓ、Ｖよυ選択される元素を一種以上添加する
ことがある。本発明の光学情報記録部材は、記録・再生
のみの記録材料としての機能のほかに情報の書き換えが
可能な記録材料にも応用できるので、この場合は上述し
た元素を少なくとも一種以上添加して消去特性を改善さ
せることが必要になる。
ことがある。本発明の光学情報記録部材は、記録・再生
のみの記録材料としての機能のほかに情報の書き換えが
可能な記録材料にも応用できるので、この場合は上述し
た元素を少なくとも一種以上添加して消去特性を改善さ
せることが必要になる。
本発明における添加元素（Ｎｉ、 Ｐｔ、 Ｃｏ、Ｃｒ
）の添加量は、構成元素の総和に対して３〜：３３ａ
ｔｍ％が適当である。これらの添加元素はＴｅＯｘのＴ
ｅと部分的に結合して（ＮｉＴｅ、 ＮｉＴｅ、、Ｐｔ
Ｔｅ 。
）の添加量は、構成元素の総和に対して３〜：３３ａ
ｔｍ％が適当である。これらの添加元素はＴｅＯｘのＴ
ｅと部分的に結合して（ＮｉＴｅ、 ＮｉＴｅ、、Ｐｔ
Ｔｅ 。
ＰｔＴｅ、、ＣｏＴｅ、 ＣｒＴａ ）非晶質の状態で
存在しているものと考えられる。これがレーザなどで加
熱されると非晶質の状態から結晶質となシ、光学的変化
をもたらす（、Ｎｉ、 Ｐｔ、 Ｃｏ、 ＣｒとＴｅと
の化合物は必ずしも量論組成でいる必要はなく、例えば
ＮｉＴｅ −Ｔｅの合金組成で存在していればよ＜ ｓ
ＮｉＴｅの役割は結晶核となり全体の結晶化速度を促
進させると考えられる。したがって添加元素の添加量は
ｒｅよシ少なくても充分である。
存在しているものと考えられる。これがレーザなどで加
熱されると非晶質の状態から結晶質となシ、光学的変化
をもたらす（、Ｎｉ、 Ｐｔ、 Ｃｏ、 ＣｒとＴｅと
の化合物は必ずしも量論組成でいる必要はなく、例えば
ＮｉＴｅ −Ｔｅの合金組成で存在していればよ＜ ｓ
ＮｉＴｅの役割は結晶核となり全体の結晶化速度を促
進させると考えられる。したがって添加元素の添加量は
ｒｅよシ少なくても充分である。
しかし添加量が３ ａｔｍ％以下になると膜中での結晶
核が少なくなシ結晶化の高速性は期待できない。また、
添加量が多くなると光の吸収効率が向上し、記録感度は
良好となるが、３＋３ａｔｍ％を越えると膜中のＴｅの
相対量が減少し、記録前後の反射光量変化が低下する。
核が少なくなシ結晶化の高速性は期待できない。また、
添加量が多くなると光の吸収効率が向上し、記録感度は
良好となるが、３＋３ａｔｍ％を越えると膜中のＴｅの
相対量が減少し、記録前後の反射光量変化が低下する。
したがってＮｉ１Ｐｔ。
Ｃｏ、 Ｃｒの添加量は３〜３８ ａｔｍ％の範囲とす
る必要がある。
る必要がある。
次に酸素の含有量について説明する。本発明においては
、酸素のほとんどはＴｅと化合してＴｅａ、を形成して
いる。Ｔｅａ２の存在量は、膜の耐湿性を左右する上で
重要であり、Ｔｅａ２の量が多い程、耐湿性が優れてい
る。したがって膜中では、酸素の含有量が多い程、望ま
しいことになるが、多すぎるとＴｅと添加元素の含有量
が、相対的に小さくなるので、膜の光吸収効率が低下し
て感度が低下すると共に、記録前後における反射率の変
化量が小さくなって高いＣＮ比が得られなくなる。本発
明における酸素の含有量は、Ｔｅ、Ｏと添加元素の総和
に対して２０〜５Ｑ ａｔｍ％であるがその理由は２０
ａｔｍ％以下は耐湿性が低下し、６０ａｔｍ％以上は
記録感度が低下するからである。
、酸素のほとんどはＴｅと化合してＴｅａ、を形成して
いる。Ｔｅａ２の存在量は、膜の耐湿性を左右する上で
重要であり、Ｔｅａ２の量が多い程、耐湿性が優れてい
る。したがって膜中では、酸素の含有量が多い程、望ま
しいことになるが、多すぎるとＴｅと添加元素の含有量
が、相対的に小さくなるので、膜の光吸収効率が低下し
て感度が低下すると共に、記録前後における反射率の変
化量が小さくなって高いＣＮ比が得られなくなる。本発
明における酸素の含有量は、Ｔｅ、Ｏと添加元素の総和
に対して２０〜５Ｑ ａｔｍ％であるがその理由は２０
ａｔｍ％以下は耐湿性が低下し、６０ａｔｍ％以上は
記録感度が低下するからである。
本発明の光学情報記録部材を第１図によって説明する。
同図において、１は基板で、金属（アルミニウム、銅等
）、ガラス（石英、パイレックス、ソーダガラス等）、
あるいは樹脂（ＡＢＳ樹脂、ポリスチレン、アクリル、
ポリカーボネート、塩ビ等、又透明フィルムとしては、
アセテート、テフロン、ポリエステル等）が使用される
。なかでもポリカーボネート、アクリル板等は透明性が
すぐれており、記録した信号を光学的に再生する際に有
効である。２は記録薄膜で、基板１上に蒸着、スパッタ
リング等によって形成される。蒸着には抵抗加熱による
方法と電子ビームによる方法とがあるがどちらも使用可
能である。しかし、蒸着の制御性、量産性等から考える
と電子ビーム法の方が優れている０ 以下電子ビーム法を用いて、Ｔｅ、ＯとＮｉ％Ｐｔ。
）、ガラス（石英、パイレックス、ソーダガラス等）、
あるいは樹脂（ＡＢＳ樹脂、ポリスチレン、アクリル、
ポリカーボネート、塩ビ等、又透明フィルムとしては、
アセテート、テフロン、ポリエステル等）が使用される
。なかでもポリカーボネート、アクリル板等は透明性が
すぐれており、記録した信号を光学的に再生する際に有
効である。２は記録薄膜で、基板１上に蒸着、スパッタ
リング等によって形成される。蒸着には抵抗加熱による
方法と電子ビームによる方法とがあるがどちらも使用可
能である。しかし、蒸着の制御性、量産性等から考える
と電子ビーム法の方が優れている０ 以下電子ビーム法を用いて、Ｔｅ、ＯとＮｉ％Ｐｔ。
Ｃｏ、 Ｃｒより選択された添加元素からなる薄膜の製
造法について述べる。基板上にＴｅとＴｅａ、と添加元
素の混合物を形成するために３源蒸着の可能な蒸着機を
用いて、それぞれのソースからＴｅａ、とＴｅと添加元
素とを蒸着する。しかし、２源ソース又は１源ソースで
も可能である。２源ソースを用いる場合は、一方から添
加元素を蒸着し、他方からはＴｅａ、とＴｅａ、を一部
還元する作用を有する≠琳李ｍ金属粉末、例えば、Ｍ％
Ｃｕ、 Ｆｅ、などを混在させ、所定の温度で熱処理し
たものを用いて、Ｔｅａ、とＴｅとを同時に蒸着して基
板上にＴｅａ、 、 Ｔｅおよび添加元素の混合物を形
成する。また１源ソースを用いる場合は、前記２源ソー
スを用いる場合のＴｅａ、とＴｅを蒸着する側のソース
に添加元素を混在させて、Ｔｅａ、 、 Ｔｅおよび添
加元素をｌ源よシ蒸着する。
造法について述べる。基板上にＴｅとＴｅａ、と添加元
素の混合物を形成するために３源蒸着の可能な蒸着機を
用いて、それぞれのソースからＴｅａ、とＴｅと添加元
素とを蒸着する。しかし、２源ソース又は１源ソースで
も可能である。２源ソースを用いる場合は、一方から添
加元素を蒸着し、他方からはＴｅａ、とＴｅａ、を一部
還元する作用を有する≠琳李ｍ金属粉末、例えば、Ｍ％
Ｃｕ、 Ｆｅ、などを混在させ、所定の温度で熱処理し
たものを用いて、Ｔｅａ、とＴｅとを同時に蒸着して基
板上にＴｅａ、 、 Ｔｅおよび添加元素の混合物を形
成する。また１源ソースを用いる場合は、前記２源ソー
スを用いる場合のＴｅａ、とＴｅを蒸着する側のソース
に添加元素を混在させて、Ｔｅａ、 、 Ｔｅおよび添
加元素をｌ源よシ蒸着する。
〔実施例１（添加元素がＮｉの場合）〕３源蒸着の可能
な電子ビーム蒸着機を用いて、Ｔｅａ、、Ｔｅ、Ｎｉを
それぞれのソースから、１５０ｒｐｍ で回転する厚
さが１，１ｍ、直径が２００ｍのアクリル樹脂基板上に
蒸着を行ない、光ディスクを試作した。
な電子ビーム蒸着機を用いて、Ｔｅａ、、Ｔｅ、Ｎｉを
それぞれのソースから、１５０ｒｐｍ で回転する厚
さが１，１ｍ、直径が２００ｍのアクリル樹脂基板上に
蒸着を行ない、光ディスクを試作した。
蒸着は真空度Ｉ Ｘ １０””Ｔｏｒｒ以下で薄膜の厚
さは１２００又とした。各ソースからの蒸着速度は記録
薄膜中のＴｅ１０、Ｎｉの原子数の割合を調整するため
にいろいろと変化させた。
さは１２００又とした。各ソースからの蒸着速度は記録
薄膜中のＴｅ１０、Ｎｉの原子数の割合を調整するため
にいろいろと変化させた。
上記方法により作成した種々の光ディスクのオージェ電
子分光法（以下ＡＥＳと略す）Ｋよる元素分析結果と、
１８００ｒｐｍで回転する光ディスクの中心から７
５１１１１の位置に、記録完了時に最もＣＮ比が大きく
なるようなレーザパワーで書き込んだ単一周波数５ＭＨ
，の信号の、記録後３３ｍ５ｅｃ（レーザ光を照射して
から光ディスクが１回転するのに要する時間）経過時の
ＣＮ比と２ｍ１ｎ（すべての光ディスクで記録は完了し
ていた）経過時のＣＮ比、および耐湿性試験の結果は第
１表に示すとおシである。
子分光法（以下ＡＥＳと略す）Ｋよる元素分析結果と、
１８００ｒｐｍで回転する光ディスクの中心から７
５１１１１の位置に、記録完了時に最もＣＮ比が大きく
なるようなレーザパワーで書き込んだ単一周波数５ＭＨ
，の信号の、記録後３３ｍ５ｅｃ（レーザ光を照射して
から光ディスクが１回転するのに要する時間）経過時の
ＣＮ比と２ｍ１ｎ（すべての光ディスクで記録は完了し
ていた）経過時のＣＮ比、および耐湿性試験の結果は第
１表に示すとおシである。
（以 下 余 白）
第 １ 表
第２図は前記記録再生試験に使用した装置の概要を示し
ている。半導体レーザ１４を出た波長ｇ３９ ｎｍの光
は第ルンズ１５によって凝似千行３となシ第２のし／ズ
４で丸く整形された後、第３のレンズ５で再び平行光に
なシ、ミラー６で光軸を変換された後ハーフミラ−１１
を介して第４のレンズ７で、光デイスク８上に波長限界
約０．８μｍの大きさのスポット９に集光される。
ている。半導体レーザ１４を出た波長ｇ３９ ｎｍの光
は第ルンズ１５によって凝似千行３となシ第２のし／ズ
４で丸く整形された後、第３のレンズ５で再び平行光に
なシ、ミラー６で光軸を変換された後ハーフミラ−１１
を介して第４のレンズ７で、光デイスク８上に波長限界
約０．８μｍの大きさのスポット９に集光される。
この円スボツ）９によって照射された光デイスク８上の
記録膜はＴｅの状態変化による黒化変態によって記録が
行なわれる。ここで半導体レーザを変調して光デイスク
上に情報信号を記録することができる。信号の検出は、
光デイスク面８からの反射光１０をハーフミラ−１１で
受け、レンズ１２を通して光感応ダイオード１３で検出
し九〇 第１表においてレーザ光照射３３ｍ５ｅｃ後よシ２■後
の方が、ＣＮ比が大きいものは、３３ｍａｅＣ後はまだ
薄膜中でＴｅの結晶粒の成長が進んでいるものと考えら
れ記録がまだ完了していないことを示し、レーザ光照射
後３３ｍ１ｌＥＣ後と２篩後でＣＮ比が同じものは３３
ｍ５ｅｃ後に記録が完了していることを示している。
記録膜はＴｅの状態変化による黒化変態によって記録が
行なわれる。ここで半導体レーザを変調して光デイスク
上に情報信号を記録することができる。信号の検出は、
光デイスク面８からの反射光１０をハーフミラ−１１で
受け、レンズ１２を通して光感応ダイオード１３で検出
し九〇 第１表においてレーザ光照射３３ｍ５ｅｃ後よシ２■後
の方が、ＣＮ比が大きいものは、３３ｍａｅＣ後はまだ
薄膜中でＴｅの結晶粒の成長が進んでいるものと考えら
れ記録がまだ完了していないことを示し、レーザ光照射
後３３ｍ１ｌＥＣ後と２篩後でＣＮ比が同じものは３３
ｍ５ｅｃ後に記録が完了していることを示している。
耐湿性試験は光デイスク作製時にガラス基板上（１８ｘ
１８ ｘ Ｏ，２ｍ ）にも記録薄膜を蒸着して耐湿
性試験用サンプルとし、５０Ｃ，９０％ＲＨ中に放置す
ることにより行ない、第１表における耐湿性評価は、１
０日口の状態が顕微鏡観察で何ら変化の認められないも
のがＯで、多少の変化が認められたものがΔ、結晶化が
進んで黒い模様が認められたもの、あるいは膜中のＴｅ
が酸化して透過率が増大したものを×とした。
１８ ｘ Ｏ，２ｍ ）にも記録薄膜を蒸着して耐湿
性試験用サンプルとし、５０Ｃ，９０％ＲＨ中に放置す
ることにより行ない、第１表における耐湿性評価は、１
０日口の状態が顕微鏡観察で何ら変化の認められないも
のがＯで、多少の変化が認められたものがΔ、結晶化が
進んで黒い模様が認められたもの、あるいは膜中のＴｅ
が酸化して透過率が増大したものを×とした。
第１表から明らかなように、記録完了後のＣＮ比が５０
ｄＢ以上で、かつレーザ光照射３３ｍｅ後には記録が完
了しており、かつ耐湿性の良好なＴｅ −０−Ｎｉ系薄
膜の組成（総合評価において６以上）は、Ｐｄが３〜３
８ ａｔｍ％で、酸素は２０〜６０ ａｔｍ％である。
ｄＢ以上で、かつレーザ光照射３３ｍｅ後には記録が完
了しており、かつ耐湿性の良好なＴｅ −０−Ｎｉ系薄
膜の組成（総合評価において６以上）は、Ｐｄが３〜３
８ ａｔｍ％で、酸素は２０〜６０ ａｔｍ％である。
さらに好ましい組成（総合評価でＯ）は、Ｎｉが８〜３
５ ａｔｍ％、０は３０〜５５ａｔｍ％であることがわ
かる。
５ ａｔｍ％、０は３０〜５５ａｔｍ％であることがわ
かる。
本実施例におけるＮｉ０代わシに参考例としてＡｇおよ
びＣｕを用いて、Ｔｅ −０−Ａｇ系薄膜およびＴｅ
−０−Ｃｕ系薄膜を有する光ディスクを作製し、本実施
例と同様の試験を行なった結果を第２表に示す。同表か
ら明らかなようにＡｇ又はＣｕを添加した場合はＮｉを
添加した場合のような信号の高速度記録完了は得られな
かった。
びＣｕを用いて、Ｔｅ −０−Ａｇ系薄膜およびＴｅ
−０−Ｃｕ系薄膜を有する光ディスクを作製し、本実施
例と同様の試験を行なった結果を第２表に示す。同表か
ら明らかなようにＡｇ又はＣｕを添加した場合はＮｉを
添加した場合のような信号の高速度記録完了は得られな
かった。
第 ２ 表
〔実施例２（添加元素がｐｔの場合）〕２源ソースによ
り蒸着可能な電子ビーム蒸着機を用いて一方のソースか
らｐｔを、他方のソースからＴｅとＴｅａ２とを蒸着し
て光ディスクを作製した。ここで一つのソースからＴｅ
とＴｅａ、とを同時に蒸着した方法について説明する。
り蒸着可能な電子ビーム蒸着機を用いて一方のソースか
らｐｔを、他方のソースからＴｅとＴｅａ２とを蒸着し
て光ディスクを作製した。ここで一つのソースからＴｅ
とＴｅａ、とを同時に蒸着した方法について説明する。
まず出発原料としてＴｅａ、 ８５ ｗｔ％、Ａｌｌ
１５ ｗｔ％を少量ノアルコールを用いて混合し、その
粉末２５？を石英ポートに乗せ、電気炉によυ７００
ＣでＮｔガラス中において２時間焼成してＴｅａｌの一
部を還元し、この焼成物を粉砕し、プレスして成型率（
ペレット）を形成し、これを原料とした。以下、実施例
１と同様にアクリル樹脂基板上に、蒸着速度をＰｔは１
＾／Ｓ、（Ｔｅ ＋ Ｔｅａ、 ）は２０λ／Ｓとし、
１２００＾の記録薄膜を形成した。
１５ ｗｔ％を少量ノアルコールを用いて混合し、その
粉末２５？を石英ポートに乗せ、電気炉によυ７００
ＣでＮｔガラス中において２時間焼成してＴｅａｌの一
部を還元し、この焼成物を粉砕し、プレスして成型率（
ペレット）を形成し、これを原料とした。以下、実施例
１と同様にアクリル樹脂基板上に、蒸着速度をＰｔは１
＾／Ｓ、（Ｔｅ ＋ Ｔｅａ、 ）は２０λ／Ｓとし、
１２００＾の記録薄膜を形成した。
上記記録薄膜をＡｇ８により元素分析した結果は、Ｔｅ
＝ ５Ｑ ａｔｍ％ｓ Ｏ＝ ３２ ａｔｍ％、 Ｐ
ｔ＝８ａｔｍ％であった。また実施例１と同様の記録再
生試験および耐湿性試験を行なったところ、レーザ光照
射３３ｍ１Ｅ後と２Ｗ後でノＣＮ比は共に５８ｄＢテあ
って高速に記録が完了してｂることが確認され、また耐
湿性評価は○であった。
＝ ５Ｑ ａｔｍ％ｓ Ｏ＝ ３２ ａｔｍ％、 Ｐ
ｔ＝８ａｔｍ％であった。また実施例１と同様の記録再
生試験および耐湿性試験を行なったところ、レーザ光照
射３３ｍ１Ｅ後と２Ｗ後でノＣＮ比は共に５８ｄＢテあ
って高速に記録が完了してｂることが確認され、また耐
湿性評価は○であった。
〔実施例３（添加元素がＣＯの場合）〕実施例２と同様
な方法を用いてＴｅとＴｅａ、を１ソースとし、他をＣ
Ｏとした。Ｃｏの蒸着レートは２Ａ／Ｓで、 １２００
λの記録薄膜を有する光ディスクを作製した。上記記録
薄膜をＡＥＳによシ元素分析した結果は、Ｔｅ ＝ ５
７ ａｔｍ％、０ ＝ ２８ ａｔｍ％、Ｃｏ ＝：１
５ ａｔｍ％であった。また実施例１と同様の記録再生
試験および耐湿性試験を行なったところ、レーザ光照射
３３ｍ１Ｅ後と２Ｗ後でのＣＮ比は共に５３ ｄＢで高
速に記録が完了していることが確認され、また耐湿性評
価は０であった。
な方法を用いてＴｅとＴｅａ、を１ソースとし、他をＣ
Ｏとした。Ｃｏの蒸着レートは２Ａ／Ｓで、 １２００
λの記録薄膜を有する光ディスクを作製した。上記記録
薄膜をＡＥＳによシ元素分析した結果は、Ｔｅ ＝ ５
７ ａｔｍ％、０ ＝ ２８ ａｔｍ％、Ｃｏ ＝：１
５ ａｔｍ％であった。また実施例１と同様の記録再生
試験および耐湿性試験を行なったところ、レーザ光照射
３３ｍ１Ｅ後と２Ｗ後でのＣＮ比は共に５３ ｄＢで高
速に記録が完了していることが確認され、また耐湿性評
価は０であった。
〔実施例４（添加元素がＣｒの場合）〕実施例２と同様
な方法を用いてＴｅとＴｅａ、を１ソースとし、他をＣ
ｒとした。Ｃｒの蒸着レートは２λ／Ｓで１２００ Ｋ
の記録薄膜を有する光ディスクを作製した。上記記録薄
膜をＡｇ８によシ元素分析した結果は、 Ｔｅ ＝ ５
０ ａｔｍ％、Ｏ＝ ２８ ａｔｍ％、 Ｃｒ＝ １２
ａｔｍ％であった。また実施例１と同様の記録再生試
験および耐湿性試験を行なったところ、レーザ光照射３
３ｍ５ｅｃ後と２１１１１後でのＣＮ比は共に５４ ｄ
Ｂで高速に記録が完了していることが確認され、また耐
湿性評価は○であった。
な方法を用いてＴｅとＴｅａ、を１ソースとし、他をＣ
ｒとした。Ｃｒの蒸着レートは２λ／Ｓで１２００ Ｋ
の記録薄膜を有する光ディスクを作製した。上記記録薄
膜をＡｇ８によシ元素分析した結果は、 Ｔｅ ＝ ５
０ ａｔｍ％、Ｏ＝ ２８ ａｔｍ％、 Ｃｒ＝ １２
ａｔｍ％であった。また実施例１と同様の記録再生試
験および耐湿性試験を行なったところ、レーザ光照射３
３ｍ５ｅｃ後と２１１１１後でのＣＮ比は共に５４ ｄ
Ｂで高速に記録が完了していることが確認され、また耐
湿性評価は○であった。
〔実施例５（添加元素がＮｉとＰｔの場合）〕４源ソー
スによシ蒸着可能な電子ビーム蒸着機を用いて一方のソ
ースからＮｉ、Ｐｔを、他方のソースからＴｅとＴｅａ
、をそれぞれ独立蒸着し光ディスクを作製した。Ｔｅ；
１５λ／Ｓ 、 Ｔｅａ、 ； ６λ／ Ｓ 、 Ｎｉ
ｐ ｌλ／８．Ｐｔ；１＾／Ｓ上記記録薄膜をＡＢＳに
よシ元素分析した結果は、Ｔｅ ＝ ４０ ａｔｍ％、
０＝４２ ａｔｍ％、Ｎｉ ＝ １０ ａｔｍ％、 Ｐ
ｔ ＝ ８ ａｔｍ％であった。また実施例１と同様の
記録再生試験および耐湿性試験を行なったところ、レー
ザ光照射３３ｍ（６）後と２■後でのＣＮ比は共に６０
ｄＢで高速に記録が完了していることが確認され、また
耐湿性評価はＯであった。
スによシ蒸着可能な電子ビーム蒸着機を用いて一方のソ
ースからＮｉ、Ｐｔを、他方のソースからＴｅとＴｅａ
、をそれぞれ独立蒸着し光ディスクを作製した。Ｔｅ；
１５λ／Ｓ 、 Ｔｅａ、 ； ６λ／ Ｓ 、 Ｎｉ
ｐ ｌλ／８．Ｐｔ；１＾／Ｓ上記記録薄膜をＡＢＳに
よシ元素分析した結果は、Ｔｅ ＝ ４０ ａｔｍ％、
０＝４２ ａｔｍ％、Ｎｉ ＝ １０ ａｔｍ％、 Ｐ
ｔ ＝ ８ ａｔｍ％であった。また実施例１と同様の
記録再生試験および耐湿性試験を行なったところ、レー
ザ光照射３３ｍ（６）後と２■後でのＣＮ比は共に６０
ｄＢで高速に記録が完了していることが確認され、また
耐湿性評価はＯであった。
〔実施例６（添加元素がＮｉとＣＯの場合）〕実施例５
のＰｔの代シにＣｏを１＾／Ｓで蒸着してディスクを作
成した。上記記録薄膜をＡＥＳにより元素分析した結果
は、Ｔｅ ：４０ ａｔｍ％、Ｏ＝４２ａｔｍ％、Ｎｉ
＝１０ａｔｍ％、Ｃｏ＝８ａｔｍ％であった。
のＰｔの代シにＣｏを１＾／Ｓで蒸着してディスクを作
成した。上記記録薄膜をＡＥＳにより元素分析した結果
は、Ｔｅ ：４０ ａｔｍ％、Ｏ＝４２ａｔｍ％、Ｎｉ
＝１０ａｔｍ％、Ｃｏ＝８ａｔｍ％であった。
また実施例１と同様の記録再生試験および耐湿性試験を
行なったところ、レーザ光照射３３ｎｎＳｅＯ後と２日
後でのＣＮ比は共に５７ｄＢで高速に記録が完了してい
ることが確認され、また耐湿性評価は０であった。
行なったところ、レーザ光照射３３ｎｎＳｅＯ後と２日
後でのＣＮ比は共に５７ｄＢで高速に記録が完了してい
ることが確認され、また耐湿性評価は０であった。
〔実施例７（１源ソースによる場合）〕一つのソースの
みから蒸着してＴｅ −０−Ｎｉ 薄膜を得るために
、出発原料として、 Ｔｅａ、 ”” ６０ ｗｔ％、
Ａｌ１ ＝ １０ ｗｔ％ｓ Ｎｔ ＝ ３０ ｗｔ％
を少量のアルコールを用いて混合し、粉末２５？を電気
炉により７００ＣでＮ２ガス気中において２時間焼成し
てＴｅＯ２の一部をＭで還元し、この焼成物を粉砕し、
プレスしてペレットを形成し、これを原料とした。
みから蒸着してＴｅ −０−Ｎｉ 薄膜を得るために
、出発原料として、 Ｔｅａ、 ”” ６０ ｗｔ％、
Ａｌ１ ＝ １０ ｗｔ％ｓ Ｎｔ ＝ ３０ ｗｔ％
を少量のアルコールを用いて混合し、粉末２５？を電気
炉により７００ＣでＮ２ガス気中において２時間焼成し
てＴｅＯ２の一部をＭで還元し、この焼成物を粉砕し、
プレスしてペレットを形成し、これを原料とした。
この原料によシ実施例１と同様にアクリル樹脂基板上に
、蒸着速度を２０λ／Ｓとして蒸着し、１２００にの記
録薄膜を有する光ディスクを作製した。上記記録薄膜を
ＡＥＳによシ元素分析した結果は、Ｔｅ ＝ ５７ ａ
ｔｍ％、Ｏ＝ ３６ ａｔｍ％、Ｎｉ＝７ａｔｍ％ で
あった。また実施例１と同様の記録再生試験および耐湿
性試験を行なったところ、レーザ光照射３３ｍ９ｅｃ後
と２諺後でのＣＮ比は共に５６ ｄＢであって高速に記
録が完了していることが確認され、また耐湿性評価は０
であった。
、蒸着速度を２０λ／Ｓとして蒸着し、１２００にの記
録薄膜を有する光ディスクを作製した。上記記録薄膜を
ＡＥＳによシ元素分析した結果は、Ｔｅ ＝ ５７ ａ
ｔｍ％、Ｏ＝ ３６ ａｔｍ％、Ｎｉ＝７ａｔｍ％ で
あった。また実施例１と同様の記録再生試験および耐湿
性試験を行なったところ、レーザ光照射３３ｍ９ｅｃ後
と２諺後でのＣＮ比は共に５６ ｄＢであって高速に記
録が完了していることが確認され、また耐湿性評価は０
であった。
〔発明の効果〕以上述べたように、本発明の光学情報記
録部材は、Ｔｅと、０と、Ｎｉ、Ｐｔ。
録部材は、Ｔｅと、０と、Ｎｉ、Ｐｔ。
Ｃｏ、Ｃｒのうちより選択された添加元素よシなり、添
加元素の含有量を３〜３８ ａｔｍ％（その最も好まし
い含有量は８〜３５ ａｔｍ％）酸素の含有量を２０〜
５Ｑ ａｔｍ％（その最も好ましい含有量は３０〜５５
ａｔｍ％）とすることによって従来のＴｅＯｘ薄膜よ
υなる光学情報記録部材の記録速度およびＣＮ比を大巾
に向上すると共に１耐湿性のすぐれた光学情報記録部材
を提供するすぐれた効果を有する。
加元素の含有量を３〜３８ ａｔｍ％（その最も好まし
い含有量は８〜３５ ａｔｍ％）酸素の含有量を２０〜
５Ｑ ａｔｍ％（その最も好ましい含有量は３０〜５５
ａｔｍ％）とすることによって従来のＴｅＯｘ薄膜よ
υなる光学情報記録部材の記録速度およびＣＮ比を大巾
に向上すると共に１耐湿性のすぐれた光学情報記録部材
を提供するすぐれた効果を有する。
第１図：本発明の光学情報記録部材の一部断面図
第２図：本発明の光学情報記録部材による情報の記録、
再生装置の概略図
再生装置の概略図
Claims (3)
- （１）テルルと、酸素と、ニッケル、白金、コバルトお
よびクロームのなかから選択された元素よりなり、この
選択された元素の含有量が３〜３８ａｔｍ％であつて、
前記酸素の含有量が２０〜６０ａｔｍ％であるところの
光学記録薄膜を備えていることを特徴とする光学情報記
録部材。 - （２）前記ニッケル、白金、コバルトおよびクロームの
なかから選択された元素の含有量が８〜３５ａｔｍ％で
あつて、前記酸素の含有量が３０〜５５ａｔｍ％である
ことを特徴とする特許請求の範囲（１）の光学情報記録
部材。 - （３）前記酸素がＴｅＯ＿２として含まれていることを
特徴とする特許請求の範囲（１）の光学情報記録部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60155787A JPH0737180B2 (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 光学情報記録部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60155787A JPH0737180B2 (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 光学情報記録部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6216193A true JPS6216193A (ja) | 1987-01-24 |
| JPH0737180B2 JPH0737180B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=15613410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60155787A Expired - Lifetime JPH0737180B2 (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 光学情報記録部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737180B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005002868A1 (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-13 | Tdk Corporation | 光記録ディスク |
| US7573803B2 (en) | 2003-07-22 | 2009-08-11 | Tdk Corporation | Optical recording disc |
| JP5148629B2 (ja) * | 2007-12-04 | 2013-02-20 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体、及びその製造法、ならびに記録再生装置 |
| JP2017137575A (ja) * | 2016-02-01 | 2017-08-10 | 光洋應用材料科技股▲分▼有限公司 | ニッケル−テルル系スパッタリングターゲットおよびニッケル−テルル系酸化物材料 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61943A (ja) * | 1984-06-14 | 1986-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光メモリデイスク |
| JPS6168296A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記緑部材 |
-
1985
- 1985-07-15 JP JP60155787A patent/JPH0737180B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61943A (ja) * | 1984-06-14 | 1986-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光メモリデイスク |
| JPS6168296A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記緑部材 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005002868A1 (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-13 | Tdk Corporation | 光記録ディスク |
| US7573803B2 (en) | 2003-07-22 | 2009-08-11 | Tdk Corporation | Optical recording disc |
| JP5148629B2 (ja) * | 2007-12-04 | 2013-02-20 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体、及びその製造法、ならびに記録再生装置 |
| JP2017137575A (ja) * | 2016-02-01 | 2017-08-10 | 光洋應用材料科技股▲分▼有限公司 | ニッケル−テルル系スパッタリングターゲットおよびニッケル−テルル系酸化物材料 |
| JP2018150623A (ja) * | 2016-02-01 | 2018-09-27 | 光洋應用材料科技股▲分▼有限公司 | ニッケル−テルル系スパッタリングターゲット及びニッケル−テルル系酸化物材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0737180B2 (ja) | 1995-04-26 |
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