JPS63237990A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPS63237990A JPS63237990A JP62071543A JP7154387A JPS63237990A JP S63237990 A JPS63237990 A JP S63237990A JP 62071543 A JP62071543 A JP 62071543A JP 7154387 A JP7154387 A JP 7154387A JP S63237990 A JPS63237990 A JP S63237990A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光によって情報を記録再生する一光ディスク
、レーザ・コムなどの光記録媒体に関する。
、レーザ・コムなどの光記録媒体に関する。
［従来技術］
従来、非晶質状態と結晶状態あるいは、複数の結晶状態
間の光学的変化を利用して情報の記録、消去を行なう光
記録媒体としては、次のものがある。
間の光学的変化を利用して情報の記録、消去を行なう光
記録媒体としては、次のものがある。
非晶質状態と結晶状態の２つの状態間の可逆的な転移に
より記録、消去を行なうものとしては、Ｔｅを主成分と
するＴ ｅ ８１Ｇ ｅ １５３ ｂ２３２ ｍｌヲ記
録層トシタちのく特公昭４７−２６８９７＞ 、Ｔ ｅ
Ｇｅ３ｎ合金薄膜を記録層としたもの（特開昭６１−３
３２４ ＞ （Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、１ｅｔｔ、４Ｂ
（８）、１５ Ａｐｒｉｌ １９８５ ）、Ｔｅを主成
分とするＴｅ８０Ｓｂ１０ＳｅｌＯ膜を記録ｉ トＬ
タもの（特開昭６１−１４５７３７，５ＰＩＥ Ｖｏｌ
、５２９１）２）、５ｂ２Ｓｅ等の３ｂ−３Ｂ合金を記
録層とするもの（特開昭６０−１５５４９５． Ａｐｐ
ｌ、 Ｐｈｙｓ、 ｌ ｅｔｔ、４Ｂ（１９）、１２
Ｍａｙ １９８Ｂ ＞、ＩｎＳｂ化合物半導体に１０％
のＴｅを添加し記録層を形成したもの（ＳＰＩＥＶｏｌ
、５２９ Ｐ５１） 、Ｔ ｅ−３ｂ ２元合金を記録
層としたもの（８６年応用物理学会学術講演会予稿集２
９ａ−ＺＥ−３，４）、Ｔｅ低酸化物を主成分とする薄
膜を記録層とするもの（特開昭５９−１８５０４８）、
また、Ｔｅ−Ｇｅ合金を主成分とするＴｅ０３ｎＧｅＡ
Ｕ（特開昭６ｌ−２５９５）、Ｔｅ０ＩｎＧｅＡｕ （
特開昭６ｌ−２５９２）、Ｔｅ０Ｂ ｉ ＧｅＡｕ （
特開昭６ｌ−２５９３）、Ｔｅ０８ｂＧｅＡｕ （特開
昭６ｌ−２５９５）を記録層としたものがある。
より記録、消去を行なうものとしては、Ｔｅを主成分と
するＴ ｅ ８１Ｇ ｅ １５３ ｂ２３２ ｍｌヲ記
録層トシタちのく特公昭４７−２６８９７＞ 、Ｔ ｅ
Ｇｅ３ｎ合金薄膜を記録層としたもの（特開昭６１−３
３２４ ＞ （Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、１ｅｔｔ、４Ｂ
（８）、１５ Ａｐｒｉｌ １９８５ ）、Ｔｅを主成
分とするＴｅ８０Ｓｂ１０ＳｅｌＯ膜を記録ｉ トＬ
タもの（特開昭６１−１４５７３７，５ＰＩＥ Ｖｏｌ
、５２９１）２）、５ｂ２Ｓｅ等の３ｂ−３Ｂ合金を記
録層とするもの（特開昭６０−１５５４９５． Ａｐｐ
ｌ、 Ｐｈｙｓ、 ｌ ｅｔｔ、４Ｂ（１９）、１２
Ｍａｙ １９８Ｂ ＞、ＩｎＳｂ化合物半導体に１０％
のＴｅを添加し記録層を形成したもの（ＳＰＩＥＶｏｌ
、５２９ Ｐ５１） 、Ｔ ｅ−３ｂ ２元合金を記録
層としたもの（８６年応用物理学会学術講演会予稿集２
９ａ−ＺＥ−３，４）、Ｔｅ低酸化物を主成分とする薄
膜を記録層とするもの（特開昭５９−１８５０４８）、
また、Ｔｅ−Ｇｅ合金を主成分とするＴｅ０３ｎＧｅＡ
Ｕ（特開昭６ｌ−２５９５）、Ｔｅ０ＩｎＧｅＡｕ （
特開昭６ｌ−２５９２）、Ｔｅ０Ｂ ｉ ＧｅＡｕ （
特開昭６ｌ−２５９３）、Ｔｅ０８ｂＧｅＡｕ （特開
昭６ｌ−２５９５）を記録層としたものがある。
また、可逆的に転移可能な、異なる結晶状態間の光学的
変化により記録、消去を行なうものとしては、１ｎ−３
ｂなどの２元合金を主成分とする薄膜を記録層としたち
のく特開昭６ｌ−２２７２３８）がある。
変化により記録、消去を行なうものとしては、１ｎ−３
ｂなどの２元合金を主成分とする薄膜を記録層としたち
のく特開昭６ｌ−２２７２３８）がある。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながらかかる従来技術による場合法のような問題
があった。
があった。
すなわち、Ｔｅ８１Ｇｅ１５Ｓｂ２Ｓ２１膜を記録層と
したもの、ＴｅＧｅＳｎ合金薄膜を記録層としたもので
は、通常の湿度環境での耐酸化性が低く保護層を設けて
も信頼性に問題があり実用性に乏しかった。
したもの、ＴｅＧｅＳｎ合金薄膜を記録層としたもので
は、通常の湿度環境での耐酸化性が低く保護層を設けて
も信頼性に問題があり実用性に乏しかった。
また、Ｔ ｅ ８０Ｓ ｂ １０３ ｅ １０ｖを記録
層としたもの、５ｂｚＳｅ等の組成の５ｂ−３ｅ合金を
記録層とするもの、ＩｎＳｂ化合物半導体に少量のＴｅ
を添加し記録層としたもの、Ｔｅ−８ｂ２元合金を記録
層としたものなどでは、耐酸化性の点では、比較的優れ
ているが、以下のような問題がめった。
層としたもの、５ｂｚＳｅ等の組成の５ｂ−３ｅ合金を
記録層とするもの、ＩｎＳｂ化合物半導体に少量のＴｅ
を添加し記録層としたもの、Ｔｅ−８ｂ２元合金を記録
層としたものなどでは、耐酸化性の点では、比較的優れ
ているが、以下のような問題がめった。
すなわち、Ｔｅ８０Ｓｂ１０ＳｅｌＯ膜などのＴｅ５ｂ
Ｓｅ合金膜では、レーザビームによる記録消去に２０μ
ｓｅｃ程度の時間を要し消去速度が遅く実用性に欠けて
いた。一方、５ｂｚＳｅ等の組成の５ｂ−３ｅ合金を記
録層とするものは、記録、消去を繰り返すとノイズが急
激に増加し記録信号の品位が低下する問題があった。さ
らに、ＩｎＳｂ化合物半導体に少量のＴｅを添加し記録
層としたものでは、非晶化に要する記録レーザパワーが
大きく、また、記録時の反射率変化が小さく実用的では
なかった。また、この組成の記録層は、一旦結晶化した
後は非晶化することが著しく困難であるという欠点があ
る。また、Ｔｅ−８ｂ合金を記録層とする場合には、結
晶化温度が低く信頼性に乏しく、また消去に要する時間
が長く実用的ではなかった。
Ｓｅ合金膜では、レーザビームによる記録消去に２０μ
ｓｅｃ程度の時間を要し消去速度が遅く実用性に欠けて
いた。一方、５ｂｚＳｅ等の組成の５ｂ−３ｅ合金を記
録層とするものは、記録、消去を繰り返すとノイズが急
激に増加し記録信号の品位が低下する問題があった。さ
らに、ＩｎＳｂ化合物半導体に少量のＴｅを添加し記録
層としたものでは、非晶化に要する記録レーザパワーが
大きく、また、記録時の反射率変化が小さく実用的では
なかった。また、この組成の記録層は、一旦結晶化した
後は非晶化することが著しく困難であるという欠点があ
る。また、Ｔｅ−８ｂ合金を記録層とする場合には、結
晶化温度が低く信頼性に乏しく、また消去に要する時間
が長く実用的ではなかった。
Ｔｅ低酸化物を主成分とする薄膜を記録層とするものく
特開昭５９−１８５０４８）では、昇華性の高いＴｅや
Ｔｅ酸化物を多元系で蒸着し記録膜を形成しなければな
らないため、記録層の形成を再現性よくおこなうことが
できない難点がめった。また、Ｔｅ−Ｇｅ合金を主成分
とするＴｅ０８ｎＧｅＡＵ（特開昭６ｌ−２５９５）、
Ｔｅ０ＩｎＧｅＡＵ （特開昭６ｌ−２５９２）、Ｔｅ
０Ｂ ｉ ＧｅＡＬＪ （特開昭６ｌ−２５９３）、Ｔ
ｅ０３ｂＧｅＡｕ （特開昭６ｌ−２５９５）を記録層
としたものでは、酸素の含有量が比較的少ないため、記
録層の耐酸化性が低く信頼性に問題があった。また、異
なる結晶状態間の転移に伴う光学的性質の差異を利用し
て記録を行なう、Ｉｎ−８ｂなどの２元合金を主成分と
する記録層の場合には、記録層を予めオーブン加熱など
で結晶状態に初期化する必要があること、記録時の光ビ
ーム走査速度が速い場合、記録状態が悪くなることなど
の実用上の欠点があった。
特開昭５９−１８５０４８）では、昇華性の高いＴｅや
Ｔｅ酸化物を多元系で蒸着し記録膜を形成しなければな
らないため、記録層の形成を再現性よくおこなうことが
できない難点がめった。また、Ｔｅ−Ｇｅ合金を主成分
とするＴｅ０８ｎＧｅＡＵ（特開昭６ｌ−２５９５）、
Ｔｅ０ＩｎＧｅＡＵ （特開昭６ｌ−２５９２）、Ｔｅ
０Ｂ ｉ ＧｅＡＬＪ （特開昭６ｌ−２５９３）、Ｔ
ｅ０３ｂＧｅＡｕ （特開昭６ｌ−２５９５）を記録層
としたものでは、酸素の含有量が比較的少ないため、記
録層の耐酸化性が低く信頼性に問題があった。また、異
なる結晶状態間の転移に伴う光学的性質の差異を利用し
て記録を行なう、Ｉｎ−８ｂなどの２元合金を主成分と
する記録層の場合には、記録層を予めオーブン加熱など
で結晶状態に初期化する必要があること、記録時の光ビ
ーム走査速度が速い場合、記録状態が悪くなることなど
の実用上の欠点があった。
本発明は、かかる問題点を改善し、記録パワーが低く、
信頼性が高く、かつ記録層の形成の容易な光記録媒体を
提供することを目的とする。
信頼性が高く、かつ記録層の形成の容易な光記録媒体を
提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、基板上に形成された記録層に光を照射するこ
とによって、情報の記録、消去および再生が可能であり
、情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の相変
化により行なわれる光記録媒体において、前記記録層が
少なくともＩｎ、ＳｂおよびＴｅの３元素を含有し、か
つその組成を下記の一般式を満足することを特徴とする
光記録媒体である。
とによって、情報の記録、消去および再生が可能であり
、情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の相変
化により行なわれる光記録媒体において、前記記録層が
少なくともＩｎ、ＳｂおよびＴｅの３元素を含有し、か
つその組成を下記の一般式を満足することを特徴とする
光記録媒体である。
一般式
％式％
かつ Ｘ＋ｙ＋Ｚ＝１ＱＱ
ここで、Ｘ、ｙおよびＺは、それぞれ、Ｉｎ。
ｓｂおよびＴｅの原子％を示す。
本発明の記録層の含有するＩｎは、記録層の非晶質状態
の結晶化温度を高め、記録の熱的安定性を向上させる働
きがあると共に、光の照射により非晶質状態から結晶質
状態に転移する所要時間を低減し、記録の消去時間を短
縮する効果がある。
の結晶化温度を高め、記録の熱的安定性を向上させる働
きがあると共に、光の照射により非晶質状態から結晶質
状態に転移する所要時間を低減し、記録の消去時間を短
縮する効果がある。
また、記録層の耐酸化性、耐湿熱性を改善する効果もあ
る。このような効果を１ｑることのできる組成範囲は、
記録層の全成分元素を１００原子％として、Ｉｎが５原
子％以上、２５原子％以下である。５原子％未満では、
添加したＩｎの効果が小さく、２５原子％を越える場合
は、結晶状態と非晶質状態の反射率の差が、小さくなる
とともに、記録層に変形が生じ易く、実用的ではない。
る。このような効果を１ｑることのできる組成範囲は、
記録層の全成分元素を１００原子％として、Ｉｎが５原
子％以上、２５原子％以下である。５原子％未満では、
添加したＩｎの効果が小さく、２５原子％を越える場合
は、結晶状態と非晶質状態の反射率の差が、小さくなる
とともに、記録層に変形が生じ易く、実用的ではない。
本発明の記録層の含有するＳｂは、Ｉｎと同様に記録層
の非晶質状態の結晶化温度を高め、記録の熱安定性を向
上する効果があると共に、光の照射により、非晶質状態
から結晶質状態に転移する所要時間を低減し、記録の消
去時間を短縮する効果がある。ざらに、記録層の耐酸化
性、耐湿熱性をかなり改善する効果がおる。これらの効
果は、記録層がＩｎを含有することによって、より強調
される。このような効果を１ｑることのできる組成の範
囲は、記録層の全成分元素を１００原子％として、Ｓｂ
が２５原子％以上、４５原子％以下である。２５原子％
未満では、非晶質状態の熱的安定性が低く信頼性に乏し
い。また、４５原子％を越える場合は、非晶質状態と結
晶状態との反射率の差を大きくすることが困難になると
共に、結晶化時に結晶粒界が大きくなりノイズが増加す
ること、記録の書き換え可能な回数が減少すること、非
晶化に要する記録パワーが高くなり記録が困難になるこ
となどの難点が生じる。
の非晶質状態の結晶化温度を高め、記録の熱安定性を向
上する効果があると共に、光の照射により、非晶質状態
から結晶質状態に転移する所要時間を低減し、記録の消
去時間を短縮する効果がある。ざらに、記録層の耐酸化
性、耐湿熱性をかなり改善する効果がおる。これらの効
果は、記録層がＩｎを含有することによって、より強調
される。このような効果を１ｑることのできる組成の範
囲は、記録層の全成分元素を１００原子％として、Ｓｂ
が２５原子％以上、４５原子％以下である。２５原子％
未満では、非晶質状態の熱的安定性が低く信頼性に乏し
い。また、４５原子％を越える場合は、非晶質状態と結
晶状態との反射率の差を大きくすることが困難になると
共に、結晶化時に結晶粒界が大きくなりノイズが増加す
ること、記録の書き換え可能な回数が減少すること、非
晶化に要する記録パワーが高くなり記録が困難になるこ
となどの難点が生じる。
本発明の記録層の含有するＴｅは、Ｉｎ、Ｓｂとともに
記録層に含有することにより、記録層の非晶質形成を容
易にする働きがある。したがって、非晶化に必要な急冷
条件が緩和され、従来行なわれている短い記録パルスに
よる記録は、もちろんのこと比較的長いパルスによって
も非晶化できるため、記録パワーを低くすることが可能
である。
記録層に含有することにより、記録層の非晶質形成を容
易にする働きがある。したがって、非晶化に必要な急冷
条件が緩和され、従来行なわれている短い記録パルスに
よる記録は、もちろんのこと比較的長いパルスによって
も非晶化できるため、記録パワーを低くすることが可能
である。
そのため、半導体レーザなどの光源に対する要求特性が
緩くなるため記録装置を安価に構成できる利点がある。
緩くなるため記録装置を安価に構成できる利点がある。
この様な効果を得ることのできる組成範囲は、記録層の
全成分元素を１００原子％として、Ｔｅが３０原子％以
上、７０原子％以下である。３０原子％未満では、記録
層が非晶質化しにくく、記録パルスを短くしなければな
らないため、記録パワーが著（）く大きくなり、７０原
子％より多い場合には、結晶化に長い時間を要し実用的
ではない。
全成分元素を１００原子％として、Ｔｅが３０原子％以
上、７０原子％以下である。３０原子％未満では、記録
層が非晶質化しにくく、記録パルスを短くしなければな
らないため、記録パワーが著（）く大きくなり、７０原
子％より多い場合には、結晶化に長い時間を要し実用的
ではない。
以上の本発明の光記録媒体の記録層の組成を式％式％
一般式
Ｉｎｘ５ｂｙＴｅｚにおいて、
５≦Ｘ≦２５
２５≦ｙ≦４５
３０≦２≦７０
かつ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００となる。
ここで、ｘ、ｙおよび２は、それぞれ、Ｉｎ。
ｓｂおよびＴｅの原子％を示す。
特に、記録パワーが低くでき、かつ消去に要する時間が
短く、良好な信号品質を得ることのできる好ましい組成
は、およそ、Ｉｎが１０原子％から２０原子％、ｓｂが
３０原子％から４０原子％、Ｔｅが、４０原子％から６
０原子％である。
短く、良好な信号品質を得ることのできる好ましい組成
は、およそ、Ｉｎが１０原子％から２０原子％、ｓｂが
３０原子％から４０原子％、Ｔｅが、４０原子％から６
０原子％である。
本発明の記録層の厚さとしては、１０ｎｍ〜１ｏｏｏｎ
ｍとして用いることが出来る。特に光ディスクとして高
い感度を得る為には、１００ｍ以上１５０ｎｍ以下とす
ることが好ましく、ざらに良好な記録再生信号のキャリ
ア対ノイズ比を得るには、６０ｎｍ〜１５０ｎｍとする
ことが好ましい。
ｍとして用いることが出来る。特に光ディスクとして高
い感度を得る為には、１００ｍ以上１５０ｎｍ以下とす
ることが好ましく、ざらに良好な記録再生信号のキャリ
ア対ノイズ比を得るには、６０ｎｍ〜１５０ｎｍとする
ことが好ましい。
また、本発明の記録層に隣接して、保護層を積層しても
良い。この場合には、記録時に記録層の変形が起こりに
くく、記録の消去、書き換えの回数を改善することが出
来る。前記の保護層としては、ＳｉＯ２などの無機薄膜
、ポリイミド樹脂などの耐熱性高分子薄膜などが好まし
い。特に、Ｓ＋、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔｅなどの金属の
酸化物薄膜が、耐熱性が高いこと、記録層の酸化を防止
できることから好ましい。
良い。この場合には、記録時に記録層の変形が起こりに
くく、記録の消去、書き換えの回数を改善することが出
来る。前記の保護層としては、ＳｉＯ２などの無機薄膜
、ポリイミド樹脂などの耐熱性高分子薄膜などが好まし
い。特に、Ｓ＋、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔｅなどの金属の
酸化物薄膜が、耐熱性が高いこと、記録層の酸化を防止
できることから好ましい。
本発明における基板としては、プラスチック、ガラス、
アルミニウムなど従来の記録媒体と同様なものでよい。
アルミニウムなど従来の記録媒体と同様なものでよい。
収束光により基板側から記録することによってごみの影
響を避ける目的からは、基板として透明材料を用いるこ
とが好ましい。上記のような材料としては、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリカ
ーボネイト、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂、ガラ
スが好ましい。更に好ましくは、複屈折が小さい事、形
成が容易である事から、ポリメチルメタクリレート、ポ
リカーボネイト、エポキシ樹脂である。基板の厚さは、
特に限定するものではないが、１０ミクロン以上、５ミ
リメートル以下が、実用的である。１０ミクロン以下で
は基板側から収束光で記録する場合でもごみの影響を受
けやすくなり、５ミリメートル以上では、収束光で記録
する場合、対物レンズの開口数を大きくする事が出来な
くなりピットザイズが大きくなるため記録密度を上げる
ことが困難になる。
響を避ける目的からは、基板として透明材料を用いるこ
とが好ましい。上記のような材料としては、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリカ
ーボネイト、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂、ガラ
スが好ましい。更に好ましくは、複屈折が小さい事、形
成が容易である事から、ポリメチルメタクリレート、ポ
リカーボネイト、エポキシ樹脂である。基板の厚さは、
特に限定するものではないが、１０ミクロン以上、５ミ
リメートル以下が、実用的である。１０ミクロン以下で
は基板側から収束光で記録する場合でもごみの影響を受
けやすくなり、５ミリメートル以上では、収束光で記録
する場合、対物レンズの開口数を大きくする事が出来な
くなりピットザイズが大きくなるため記録密度を上げる
ことが困難になる。
基板は、フレキシブルなものでおっても良いし、リジッ
ドなものでおってもよい。フレキシブルな基板は、テー
プ状、あるいは、シート状で用いることが出来る。リジ
ッドな基板は、カード状、おるいは、円形ディスク状で
用いることが出来る。
ドなものでおってもよい。フレキシブルな基板は、テー
プ状、あるいは、シート状で用いることが出来る。リジ
ッドな基板は、カード状、おるいは、円形ディスク状で
用いることが出来る。
また、必要に応じて、２枚の基板を用いてエアーサンド
イッチ構造、エアーインシデント構造、密着張り合わせ
構造などとすることも出来る。
イッチ構造、エアーインシデント構造、密着張り合わせ
構造などとすることも出来る。
本発明の光記録媒体の記録に用いる光としては、レーザ
光やストボ日光の如き光でおり、とりわけ、半導体レー
ザを用いることは、光源が小型でかつ、消費電力が小ざ
く、変調が容易でおることから好ましい。
光やストボ日光の如き光でおり、とりわけ、半導体レー
ザを用いることは、光源が小型でかつ、消費電力が小ざ
く、変調が容易でおることから好ましい。
記録は、結晶状態の記録層をレーザ光照射により非晶化
マークを形成して行なうことができる。
マークを形成して行なうことができる。
また非晶質状態の記録層にレーザ光照射により結晶化マ
ークを形成しておこなうことも可能である。
ークを形成しておこなうことも可能である。
また、消去は記録と同様にレーザ光を照射することによ
って、非晶化マークを結晶化するか、結晶化マークを非
晶化して行なうことができる。
って、非晶化マークを結晶化するか、結晶化マークを非
晶化して行なうことができる。
結晶状態の記録層にレーザ光照射により非晶化マークを
形成して行ない、消去をレーザ光照射により非晶化マー
クを結晶化して行なうことが、記録速度を高くでき、記
録層の変形が起こり難いことから好ましい。
形成して行ない、消去をレーザ光照射により非晶化マー
クを結晶化して行なうことが、記録速度を高くでき、記
録層の変形が起こり難いことから好ましい。
本発明の記録媒体の記録層の形成方法としては、真空蒸
着法、スパッタ法などの真空中での薄膜形成法によるこ
とができる。
着法、スパッタ法などの真空中での薄膜形成法によるこ
とができる。
例として真空蒸着法の場合をあげれば、Ｉｎ。
Ｓｂ、およびＴｅ、あるいはそれらの元素からなる化合
物をそれぞれの蒸着源を用いて、共蒸着する方法により
記録層を容易に再現性よく形成することができる。
物をそれぞれの蒸着源を用いて、共蒸着する方法により
記録層を容易に再現性よく形成することができる。
また、スパッタ法による場合には、Ｉｎ、ＳｂおよびＴ
ｅもしくは、それらの化合物のコ・スパッタ法によるこ
とができる。
ｅもしくは、それらの化合物のコ・スパッタ法によるこ
とができる。
記録層の組成は、各々の蒸着源、あるいは、スパッタタ
ーゲットから、基板に到達する元素、化合物を水晶撮動
子膜厚計でモニターし制御することにより任意の組成の
記録膜を形成することができる。
ーゲットから、基板に到達する元素、化合物を水晶撮動
子膜厚計でモニターし制御することにより任意の組成の
記録膜を形成することができる。
［実施例コ
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。
なあ、実施例中の記録層の元素組成は、ＩＣＰ発光分析
（セイコー電子工業（体製ＦＴＳ−１１００型を使用〉
によって調べた。
（セイコー電子工業（体製ＦＴＳ−１１００型を使用〉
によって調べた。
また、記録再生信号のキャリア対ノイズ比は、スペクト
ル・アナライザを用いて、測定した。
ル・アナライザを用いて、測定した。
実施例１
厚さ１．２ｍｒｎ、直径１３ｃｍ、１．６μｍピッチの
スパイラル状のグループ付きポリカーボネート製基板上
に１１００ｎの５ｉｎ２保護層を形成した後、真空度１
ｘ ’ｌ Ｑ−５ｔｏｒｒの条件下でＩｎとＳｂ２Ｔ
ｅ３を水晶娠動子膜厚計でモニターしながら共蒸着し、
Ｉ ｎ２０ｓ ｂ３２Ｔｅ４８の元素組成比の厚さ７Ｑ
ｎｍの記録層を形成した。ざらに、記録層上に１１００
ｎのＳｉＯ２保護層を形成し、本発明の光記録媒体を構
成した。
スパイラル状のグループ付きポリカーボネート製基板上
に１１００ｎの５ｉｎ２保護層を形成した後、真空度１
ｘ ’ｌ Ｑ−５ｔｏｒｒの条件下でＩｎとＳｂ２Ｔ
ｅ３を水晶娠動子膜厚計でモニターしながら共蒸着し、
Ｉ ｎ２０ｓ ｂ３２Ｔｅ４８の元素組成比の厚さ７Ｑ
ｎｍの記録層を形成した。ざらに、記録層上に１１００
ｎのＳｉＯ２保護層を形成し、本発明の光記録媒体を構
成した。
この光記録媒体を線速度４ｍ／秒で回転させ、基板側か
ら開口数０．５の対物レンズで集光した波長８３０ｎｍ
の半導体レーザ光を膜面強度４゜５ｍＷの条件で照射し
、同一トラック上を５回走査し、記録層を結晶化し初期
化した。このとき初期化によって記録層の反射率は、上
昇した。その後、同一の光学系を使用して、初期化時と
同一の線速度で、周波数２ Ｍ ｌ−Ｉ Ｚ、デユーテ
ィ比５０％に変調した９ｍＷの半導体レーザ光で記録を
行なった。
ら開口数０．５の対物レンズで集光した波長８３０ｎｍ
の半導体レーザ光を膜面強度４゜５ｍＷの条件で照射し
、同一トラック上を５回走査し、記録層を結晶化し初期
化した。このとき初期化によって記録層の反射率は、上
昇した。その後、同一の光学系を使用して、初期化時と
同一の線速度で、周波数２ Ｍ ｌ−Ｉ Ｚ、デユーテ
ィ比５０％に変調した９ｍＷの半導体レーザ光で記録を
行なった。
記録後、半導体レーザの強度を０．８ｍＷとして、記録
部分を走査し、記録の再生を行なったところ、記録マー
ク部分の反射率が低下しており、記録が行なわれている
ことが確認できた。この再生信号のＣ／Ｎ比をバンド幅
３０ｋＨ２の条件で、測定したところデジタル記録が可
能な４１ｄＢの値が得られた。ざらに、初期化時と同様
の条件で、記録部分を半導体レーザ光により走査したと
ころ、若干の消し残りがあるものの、記録が消去された
。
部分を走査し、記録の再生を行なったところ、記録マー
ク部分の反射率が低下しており、記録が行なわれている
ことが確認できた。この再生信号のＣ／Ｎ比をバンド幅
３０ｋＨ２の条件で、測定したところデジタル記録が可
能な４１ｄＢの値が得られた。ざらに、初期化時と同様
の条件で、記録部分を半導体レーザ光により走査したと
ころ、若干の消し残りがあるものの、記録が消去された
。
さらに、この消去部分に記録、消去を繰り返し行なうこ
とが可能であった。また、消去を線速度３ｍ／秒、半導
体レーザ強度４ｍＷの条件で行なった場合には、３回の
走査で消去が可能であった。
とが可能であった。また、消去を線速度３ｍ／秒、半導
体レーザ強度４ｍＷの条件で行なった場合には、３回の
走査で消去が可能であった。
更に、記録周波数を１〜２．５ＭＨｚとした場合にも１
０ｍＷ以下のレーザ・パワーで記録、消去が可能であっ
た。
０ｍＷ以下のレーザ・パワーで記録、消去が可能であっ
た。
また、記録部分の非晶質マークは、通風オーブン中でこ
の光記録媒体を１００℃に３０分間加熱した後も安定に
存在した。
の光記録媒体を１００℃に３０分間加熱した後も安定に
存在した。
比較例１
実施例１の記録層を５ｂ４０Ｔｅ６０の組成の厚ざ６０
ｎｍの記録層とした伯は、実施例１と同様の光記録媒体
を製作し、線速度３ ｒｎ ７ ｓｅｃの媒体移動速度
で、４ｍＷの半導体レーザ光で６回同一１ラツク上を走
査し、記録層を結晶化し初期化した。
ｎｍの記録層とした伯は、実施例１と同様の光記録媒体
を製作し、線速度３ ｒｎ ７ ｓｅｃの媒体移動速度
で、４ｍＷの半導体レーザ光で６回同一１ラツク上を走
査し、記録層を結晶化し初期化した。
次に、線速度３ｍ／ｓｅｃ 〜１０ｍ／ＳｅＣ、記録レ
ーザパワー３田Ｗ〜１０ｍＷ１記録周波数１〜３ＭＨｚ
の種々の条件で記録を試みたが、非晶化による記録は、
できなかった。
ーザパワー３田Ｗ〜１０ｍＷ１記録周波数１〜３ＭＨｚ
の種々の条件で記録を試みたが、非晶化による記録は、
できなかった。
実施例２
実施例１の記録層をそれぞれ、Ｉ ｎ １０３ ｂ ３
０Ｔｅ６０． Ｉ ｎ１０ｓｂ４０Ｔｅ５０． Ｉ ｎ
２０ｓｂ４０Ｔｅ４０゜Ｉ ｎ１５ｓｂ３４Ｔｅ５１と
した他は、実施例１と同様の光記録媒体を製作した。こ
れらの光記録媒体の初期化、記録、再生、消去を実施例
１と同じ媒体移動速度で、同様の光学系を用いて試みた
ところ、記録、消去に要する記録レーザ・パワー、消去
レーザ・パワーに差異はあるものの、１０ｍＷ以下のレ
ーザ・パワーで可能であった。
０Ｔｅ６０． Ｉ ｎ１０ｓｂ４０Ｔｅ５０． Ｉ ｎ
２０ｓｂ４０Ｔｅ４０゜Ｉ ｎ１５ｓｂ３４Ｔｅ５１と
した他は、実施例１と同様の光記録媒体を製作した。こ
れらの光記録媒体の初期化、記録、再生、消去を実施例
１と同じ媒体移動速度で、同様の光学系を用いて試みた
ところ、記録、消去に要する記録レーザ・パワー、消去
レーザ・パワーに差異はあるものの、１０ｍＷ以下のレ
ーザ・パワーで可能であった。
比較例２
実施例１の記録層をそれぞれ、Ｉ ｎ ５６Ｔ ｅ ２
６Ｓｂｉａ、Ｉ ｎ４５Ｔｅ４５ｓｂｌｏ、Ｉ ｎ３０
Ｔｅ５１ｓｂ２、Ｉ ｎ ３０Ｔ ｅ ｄ２ｓ ｂ２８
、Ｉ ｎ５ Ｔ ｅ４０ｓ ｂ５５とした組成の厚さ５
Ｑｎｍの記録層とした４種の光記録媒体を製作し実施例
１と同様の光学系と装置を用いてレーザ光照射による初
期化と非晶質化による記録を試みたが、Ｉ ｎ５６Ｔｅ
２６Ｓ ｂ１８、Ｉｎ４５Ｔｅ４５３ｂｌｏ、の組成の
記録膜では、記録時に開口、変形が生じ満足な記録が行
なえず、Ｉｎ３０Ｔｅ５１Ｓｂ２、Ｉ ｎ３０Ｔｅ４２
ｓｂ２８では、実施例１と同様の方法による初期化が極
めて困難であり、また非晶化による記録部分の再生信号
は極めて微弱であった。また、Ｉ ｎ ５ Ｔ ｅ４０
ｓ ｂ５５１１ｕでは、初期化後、１０ｍＷ以下のレー
ザ・パワーでは、記録が困難であった。
６Ｓｂｉａ、Ｉ ｎ４５Ｔｅ４５ｓｂｌｏ、Ｉ ｎ３０
Ｔｅ５１ｓｂ２、Ｉ ｎ ３０Ｔ ｅ ｄ２ｓ ｂ２８
、Ｉ ｎ５ Ｔ ｅ４０ｓ ｂ５５とした組成の厚さ５
Ｑｎｍの記録層とした４種の光記録媒体を製作し実施例
１と同様の光学系と装置を用いてレーザ光照射による初
期化と非晶質化による記録を試みたが、Ｉ ｎ５６Ｔｅ
２６Ｓ ｂ１８、Ｉｎ４５Ｔｅ４５３ｂｌｏ、の組成の
記録膜では、記録時に開口、変形が生じ満足な記録が行
なえず、Ｉｎ３０Ｔｅ５１Ｓｂ２、Ｉ ｎ３０Ｔｅ４２
ｓｂ２８では、実施例１と同様の方法による初期化が極
めて困難であり、また非晶化による記録部分の再生信号
は極めて微弱であった。また、Ｉ ｎ ５ Ｔ ｅ４０
ｓ ｂ５５１１ｕでは、初期化後、１０ｍＷ以下のレー
ザ・パワーでは、記録が困難であった。
実施例３
ガラス基板上に実施例１の記録層と同様の組成、厚さの
記録層を形成した。この光記録媒体を６Ｑ℃相対湿度９
０％の環境に７日問おいた俊の反射率の低下は、３％未
満でありほとんど劣化が認められなかった。
記録層を形成した。この光記録媒体を６Ｑ℃相対湿度９
０％の環境に７日問おいた俊の反射率の低下は、３％未
満でありほとんど劣化が認められなかった。
［発明の効果］
本発明は、光記録媒体の記録層を少なくともＩｎ、Ｓｂ
およびＴｅからなる特定の組成としたので、次のごとき
優れた効果を奏するものである。
およびＴｅからなる特定の組成としたので、次のごとき
優れた効果を奏するものである。
（１）記録に要する光パワーが低く、かつ記録マークの
熱的安定性の高い光記録媒体とすることができた。
熱的安定性の高い光記録媒体とすることができた。
（２）耐湿熱性に優れた光記録媒体とすることができた
。
。
（３）昇華性の高い成分を記録層に含まないので、記録
層の形成の容易な光記録媒体とすることができた。
層の形成の容易な光記録媒体とすることができた。
Claims (1)
- （１）基板上に形成された記録層に光を照射することに
よって、情報の記録、消去および再生が可能であり、情
報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の相変化に
より行なわれる光記録媒体において、前記記録層が少な
くともＩｎ、ＳｂおよびＴｅの３元素を含有し、かつそ
の組成が下記の一般式を満足することを特徴とする光記
録媒体。 一般式 Ｉｎ＿ｘＳｂ＿ｙＴｅ＿ｚにおいて、 ５≦ｘ≦２５ ２５≦ｙ≦４５ ３０≦ｚ≦７０ かつｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ ここで、ｘ、ｙおよびｚは、それぞれ、Ｉｎ、Ｓｂおよ
びＴｅの原子％を示す。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071543A JP2827202B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071543A JP2827202B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63237990A true JPS63237990A (ja) | 1988-10-04 |
| JP2827202B2 JP2827202B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=13463760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62071543A Expired - Fee Related JP2827202B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2827202B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647346A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Toshiba Corp | Information recording medium |
| JPS6411257A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Nippon Telegraph & Telephone | Phase transition type optical recording medium |
| JPH01162247A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型相転移光記録媒体 |
| JPH01251340A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| JPH01302551A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-12-06 | Hoya Corp | 書き替え可能な相変化型光メモリ媒体 |
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| JPH0547053A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Dowa Mining Co Ltd | 光記録膜作製用高純度ターゲツトおよびその製造法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6153090A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-15 | Toshiba Corp | 光デイスク |
| JPS62208442A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型光記録媒体 |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP62071543A patent/JP2827202B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2827202B2 (ja) | 1998-11-25 |
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|---|---|---|---|
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