JPS6394444A - 新規な光記録媒体 - Google Patents
新規な光記録媒体Info
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- JPS6394444A JPS6394444A JP61238426A JP23842686A JPS6394444A JP S6394444 A JPS6394444 A JP S6394444A JP 61238426 A JP61238426 A JP 61238426A JP 23842686 A JP23842686 A JP 23842686A JP S6394444 A JPS6394444 A JP S6394444A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザービームのようなエネルギービームの照
射によって記録膜に情報を記録するのに用いられる新規
な光記録媒体に関するものであり、特に、光ディ°スク
、光カード、光テーゾ等のレーデ−ビームによる高密度
情報記録媒体の新規な記録材料に関するものである。
射によって記録膜に情報を記録するのに用いられる新規
な光記録媒体に関するものであり、特に、光ディ°スク
、光カード、光テーゾ等のレーデ−ビームによる高密度
情報記録媒体の新規な記録材料に関するものである。
（発明の背景）
光ディスクのような記録媒体用記録材としてはＴｅのよ
うなカルコダナイド、シアニンのようなＭ機染料、Ｔｂ
Ｆｅのような希土類−遷移金属のアモルファス合金等が
、追記（ＤＲＡＷ）用または書替可能（Ｅ−ＤＲＡＷ）
用の材料として既に提案されている。
うなカルコダナイド、シアニンのようなＭ機染料、Ｔｂ
Ｆｅのような希土類−遷移金属のアモルファス合金等が
、追記（ＤＲＡＷ）用または書替可能（Ｅ−ＤＲＡＷ）
用の材料として既に提案されている。
これらの多くは感度的には御名実用レベルに達している
が、耐久性あるいは信頼性の面でさらに改良の余地があ
る。
が、耐久性あるいは信頼性の面でさらに改良の余地があ
る。
この耐久性の面で最近注目を集めている記録材料が酸化
物系の材料でアシ、既にいくつかの酸化物記録材料が提
案されているが、より優れた特性すなわち、耐久性のみ
ならず記録・再生特性および生産性等の総合的特性の優
れた記録材の開発が要求されている。
物系の材料でアシ、既にいくつかの酸化物記録材料が提
案されているが、より優れた特性すなわち、耐久性のみ
ならず記録・再生特性および生産性等の総合的特性の優
れた記録材の開発が要求されている。
（従来技術）
酸化物系の光記録材料に関する研究は比較的新しいが、
既にいくつかのアイデアは提案されている。例えば、特
開昭６０−２０４３９３号ではＰｂＦｅ（１２５Ｎｂ（
Ｌ１０２．３等が提案されている。
既にいくつかのアイデアは提案されている。例えば、特
開昭６０−２０４３９３号ではＰｂＦｅ（１２５Ｎｂ（
Ｌ１０２．３等が提案されている。
（発明の目的）
本発明の目的は耐久性に優れ且つＣＮＨの高い新規な光
記録材料を提供することにある。
記録材料を提供することにある。
本発明の他の目的は追記（ＤＲＡＷ）型記録の他に書替
可能（Ｅ−ＤＲＡＷ）型記録にも使える耐久性および記
録−再生特性に優れた光記録材料を提供することにある
。
可能（Ｅ−ＤＲＡＷ）型記録にも使える耐久性および記
録−再生特性に優れた光記録材料を提供することにある
。
（発明の構成）
本発明が提供する新規な光記録媒体はエネルギービーム
の照射によって記録膜に情報を記録するのに用いられる
光記録媒体において、上記記録膜を下記の一般式で表わ
される組成としたことを特徴としている： ＢｉｘＳｉＯｙ ここで、ｘ＝１０〜２０ ｙ＝１０〜４０ 上記エネルギービームとしては一般にレーザービーム、
特に半導体レーザービームが用いられる。
の照射によって記録膜に情報を記録するのに用いられる
光記録媒体において、上記記録膜を下記の一般式で表わ
される組成としたことを特徴としている： ＢｉｘＳｉＯｙ ここで、ｘ＝１０〜２０ ｙ＝１０〜４０ 上記エネルギービームとしては一般にレーザービーム、
特に半導体レーザービームが用いられる。
情報はアナログまたはデジタルの形で記録膜に記録され
る。以下で詳細に説明するように、本発明の記録材料は
レーザービームの照射によって記録膜に物理的変形、さ
らに詳しくは形態変化によシバプルが形成される。この
バブル部分はレーザービーム末照射部分と反射率や屈折
率といった物理定数が異る。従って、これら物理定数の
変化を利用して周知の透過型あるいは反射型の記録−再
生装置を用いて情報の記録と再生を行うことができる。
る。以下で詳細に説明するように、本発明の記録材料は
レーザービームの照射によって記録膜に物理的変形、さ
らに詳しくは形態変化によシバプルが形成される。この
バブル部分はレーザービーム末照射部分と反射率や屈折
率といった物理定数が異る。従って、これら物理定数の
変化を利用して周知の透過型あるいは反射型の記録−再
生装置を用いて情報の記録と再生を行うことができる。
上記の式の組成の記録膜は公知の物理蒸着方法によって
容易に作ることができる。一般的には蒸着かス・ぐツタ
リングを用いるのがよい、具体的には、Ｂｉ２Ｏ３の粉
末と５ｉ０２の粉末を焼結したターゲットを用いてスパ
ッタリングするか、各成分を別別の蒸着源として共蒸着
するか、上記の焼結ターゲットとＢｉ２Ｏ３の２つを蒸
着源として共蒸着するかして基板上に記録膜を形成する
ことができる。
容易に作ることができる。一般的には蒸着かス・ぐツタ
リングを用いるのがよい、具体的には、Ｂｉ２Ｏ３の粉
末と５ｉ０２の粉末を焼結したターゲットを用いてスパ
ッタリングするか、各成分を別別の蒸着源として共蒸着
するか、上記の焼結ターゲットとＢｉ２Ｏ３の２つを蒸
着源として共蒸着するかして基板上に記録膜を形成する
ことができる。
これらの蒸着にはＥＢガンのような周知の加熱手段を用
いることができる。基板上に形成される記録膜の組成は
上記の蒸着源の加熱温度やターゲット組成を変えること
によって広範囲に変えることができるが、記録膜の総合
的特性を考慮して上記一般式の組成範囲にするのが好ま
しい。
いることができる。基板上に形成される記録膜の組成は
上記の蒸着源の加熱温度やターゲット組成を変えること
によって広範囲に変えることができるが、記録膜の総合
的特性を考慮して上記一般式の組成範囲にするのが好ま
しい。
こうして形成された記録膜はアモルファスであり、粒界
ノイズが無いので高いＣＮ比が得られる。
ノイズが無いので高いＣＮ比が得られる。
さらに、このＢ ｉ −８ｉ−０膜は光の波長５００ｎ
ｍ以上で均一な光吸収係数を有しているので、レーザー
波長の変動に対しても安定な記録特性が保証される。
ｍ以上で均一な光吸収係数を有しているので、レーザー
波長の変動に対しても安定な記録特性が保証される。
本発明のＢ１−８ｉ−０膜の記録原理はいわゆる形態変
化記録の一種であると考えられる。すなわち、前記物理
蒸着によってガラス基板上に形成したＢ ｉ −８ｉ−
０膜はアモルファスであるが、この膜を３００℃で３時
間アニーリングすると結晶化することはＸ線解析の結果
確認された。第１図は上記アモルファス膜（７０００Ｘ
、ガラス板上）のＸ線解析結果である。一方、このアモ
ルファス膜に所定パワー、例えば１０ｍＷの半導体レー
ザービームを当てた後に照射部を光学顕微鏡とＳＥＭで
見てみると、照射部が隆起しているように見える。第２
図は倍率１０，０００のＳＥＭ写真の模写図でろシ、レ
ーザービームの当った所に明瞭な情報スポット（バブル
と考えられる）が形成されている。
化記録の一種であると考えられる。すなわち、前記物理
蒸着によってガラス基板上に形成したＢ ｉ −８ｉ−
０膜はアモルファスであるが、この膜を３００℃で３時
間アニーリングすると結晶化することはＸ線解析の結果
確認された。第１図は上記アモルファス膜（７０００Ｘ
、ガラス板上）のＸ線解析結果である。一方、このアモ
ルファス膜に所定パワー、例えば１０ｍＷの半導体レー
ザービームを当てた後に照射部を光学顕微鏡とＳＥＭで
見てみると、照射部が隆起しているように見える。第２
図は倍率１０，０００のＳＥＭ写真の模写図でろシ、レ
ーザービームの当った所に明瞭な情報スポット（バブル
と考えられる）が形成されている。
表１は組成りｉ 、２８１０２ｏの記録ＰＡｔ−ガラス
基板上に８００Ｘの膜厚で形成した直後のアモルファス
膜と、これを３００℃で３時間アニーリングして結晶化
させた場合の記録膜の反射率と屈折率とを示したもので
ある。
基板上に８００Ｘの膜厚で形成した直後のアモルファス
膜と、これを３００℃で３時間アニーリングして結晶化
させた場合の記録膜の反射率と屈折率とを示したもので
ある。
表 １
（注） ａｔ１２ｓｔｏ２ｏの単結晶の屈折率は２．
５３このように、アモルファス状態と結晶状態で物理定
数に明瞭な差があり且つ両状態間の変化は可逆反応であ
るので、本発明による光記録媒体は形態変化型のＤＲＡ
ＷおよびＥ −ＤＲＡＷ用媒体として使用可能である。
５３このように、アモルファス状態と結晶状態で物理定
数に明瞭な差があり且つ両状態間の変化は可逆反応であ
るので、本発明による光記録媒体は形態変化型のＤＲＡ
ＷおよびＥ −ＤＲＡＷ用媒体として使用可能である。
さらに、本発明光記録媒体はファラデー効果および偏光
性も確認されているので、これらを利用した記録方式に
も利用でき、さらには光変調手段、例えばＥＯ変調手段
、として用いることも可能であろう。
性も確認されているので、これらを利用した記録方式に
も利用でき、さらには光変調手段、例えばＥＯ変調手段
、として用いることも可能であろう。
以下、実施例を用いて本発明を説明する。
（実施例）
１．６μのトラックピッチが形成された直径１３０瓢、
厚さ１．２ ｍのポリカーゼネート樹脂製基板を真空蒸
着装置にセットし、蒸着源としてＢｉ２Ｏ３の粉末を入
れた第するつぼとＢ１１２Ｓｉ０２ｏの粉末を入れた第
２るつぼを加熱して、上記基板上に組成の異るＢ１−８
ｉ−０膜を７００Ｘの膜厚で形成した。致達真空度は＝
２Ｘ１０ Ｔｏｒｒとした。
厚さ１．２ ｍのポリカーゼネート樹脂製基板を真空蒸
着装置にセットし、蒸着源としてＢｉ２Ｏ３の粉末を入
れた第するつぼとＢ１１２Ｓｉ０２ｏの粉末を入れた第
２るつぼを加熱して、上記基板上に組成の異るＢ１−８
ｉ−０膜を７００Ｘの膜厚で形成した。致達真空度は＝
２Ｘ１０ Ｔｏｒｒとした。
得られた光ディスクの評価は８３０ｎｍの半導体レーザ
ーを用いて１２ｍＷでＩ ＭＨｚの反復信号を記録し、
１ｍＷで再生した場合−（ＲＢＷ ＝ ３０ ｋＨｚ
）のＣＮＲで評価した。表１はＢｉｘ５ｉＯアのＸとｙ
のに対するＣＮＲあるいは記録可能性を示している。
ーを用いて１２ｍＷでＩ ＭＨｚの反復信号を記録し、
１ｍＷで再生した場合−（ＲＢＷ ＝ ３０ ｋＨｚ
）のＣＮＲで評価した。表１はＢｉｘ５ｉＯアのＸとｙ
のに対するＣＮＲあるいは記録可能性を示している。
表 １
この表１からＢ１工ＳｌＯアの実用的組成範囲はｘ＝ｌ
Ｏ〜２０ 、 ）ｒ−＝ｌ Ｏ〜４０と考えられる。
Ｏ〜２０ 、 ）ｒ−＝ｌ Ｏ〜４０と考えられる。
さらに、膜厚の最適値を求める九めに膜組成がＢ１１２
Ｓｉ０２Ｑの記録膜を形成し、膜厚を１ＯＯＸ〜３．０
００１に変えて上記と同じ評価ヲ行ったところ、膜厚が
４００Ｘ未満の場合と９００Ｘを超えた場合のいずれの
場合にも記録ができなかった。
Ｓｉ０２Ｑの記録膜を形成し、膜厚を１ＯＯＸ〜３．０
００１に変えて上記と同じ評価ヲ行ったところ、膜厚が
４００Ｘ未満の場合と９００Ｘを超えた場合のいずれの
場合にも記録ができなかった。
第１図は本発明によるＢ１−８ｉ−０膜のＸｄチャート
であり、膜がアモルファスであることを示している。 第２図は本発明の膜にレーザービームで記録シた状態を
示すＳＥＭ写真の模写図。
であり、膜がアモルファスであることを示している。 第２図は本発明の膜にレーザービームで記録シた状態を
示すＳＥＭ写真の模写図。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）エネルギービームの照射によって情報を記録するの
に用いられる光記録媒体において、基板上に下記一般式
で表わされる組成の記録膜を形成したことを特徴とする
光記録媒体： Ｂｉ＿ｘＳｉＯ＿ｙ ここで ｘ＝１０〜２０ ｙ＝１０〜４０。 ２）上記記録膜の膜厚が５００〜８００Åであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61238426A JPS6394444A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 新規な光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61238426A JPS6394444A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 新規な光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6394444A true JPS6394444A (ja) | 1988-04-25 |
| JPH0582838B2 JPH0582838B2 (ja) | 1993-11-22 |
Family
ID=17030032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61238426A Granted JPS6394444A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 新規な光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6394444A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006025558A1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Ricoh Company, Ltd. | Write-onece-read-many optical recording medium and sputtering target thereof |
| JP2006116948A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-05-11 | Ricoh Co Ltd | 追記型光記録媒体 |
| WO2006064932A1 (en) * | 2004-12-15 | 2006-06-22 | Ricoh Company, Ltd. | Write-once-read-many optical recording medium |
| JP2006256309A (ja) * | 2004-05-13 | 2006-09-28 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| CN100450783C (zh) * | 2004-08-31 | 2009-01-14 | 株式会社理光 | 一次写入多次读取的光学记录介质及其溅射靶 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09124049A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-13 | Masaru Okada | 合成樹脂製袋 |
-
1986
- 1986-10-07 JP JP61238426A patent/JPS6394444A/ja active Granted
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006256309A (ja) * | 2004-05-13 | 2006-09-28 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JP4506680B2 (ja) * | 2004-05-13 | 2010-07-21 | Ｔｄｋ株式会社 | 光記録媒体 |
| WO2006025558A1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Ricoh Company, Ltd. | Write-onece-read-many optical recording medium and sputtering target thereof |
| CN100450783C (zh) * | 2004-08-31 | 2009-01-14 | 株式会社理光 | 一次写入多次读取的光学记录介质及其溅射靶 |
| JP2006116948A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-05-11 | Ricoh Co Ltd | 追記型光記録媒体 |
| JP4627704B2 (ja) * | 2004-09-21 | 2011-02-09 | 株式会社リコー | 追記型光記録媒体 |
| WO2006064932A1 (en) * | 2004-12-15 | 2006-06-22 | Ricoh Company, Ltd. | Write-once-read-many optical recording medium |
| JP2006192885A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-07-27 | Ricoh Co Ltd | 追記型光記録媒体 |
| US8163366B2 (en) | 2004-12-15 | 2012-04-24 | Ricoh Company, Ltd. | Write-once-read-many optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582838B2 (ja) | 1993-11-22 |
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