JP4627704B2 - 追記型光記録媒体 - Google Patents
追記型光記録媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4627704B2 JP4627704B2 JP2005259331A JP2005259331A JP4627704B2 JP 4627704 B2 JP4627704 B2 JP 4627704B2 JP 2005259331 A JP2005259331 A JP 2005259331A JP 2005259331 A JP2005259331 A JP 2005259331A JP 4627704 B2 JP4627704 B2 JP 4627704B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- write
- recording medium
- optical recording
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
従来の追記型光記録媒体では、有機材料からなる記録層にレーザ光を照射し、主に有機材料の分解・変質による屈折率変化を生じさせることで記録ピットを形成させており、記録層に用いられる有機材料の光学定数や分解挙動が、良好な記録ピットを形成させるための重要な要素となっている。
従って、青色レーザ対応の追記型光記録媒体の記録層に用いる有機材料としては、青色レーザ波長に対する光学的性質や分解挙動の適切な材料を選択する必要がある。即ち、未記録時の反射率を高め、またレーザの照射によって有機材料が分解し大きな屈折率変化が生じるようにするため(これによって大きな変調度が得られる)、記録再生波長は大きな吸収帯の長波長側の裾に位置するように選択される。何故ならば、有機材料の大きな吸収帯の長波長側の裾は、適度な吸収係数を有し且つ大きな屈折率が得られる波長領域となるためである。
そこで、無機材料と有機材料を用いたものが検討されている(例えば、本出願人の出願に係る特願2003−385810)。また、無機材料のみを用いたものもあり、酸化物を用いたものとして、特許文献1には、Bi、希土類、Ga、Fe、Oを含む記録層について開示されている。この発明ではガーネットを形成できる組成について述べられている。また、特許文献2には、無機の酸化物を用いた光記録媒体について開示されている。
しかし、これらの従来技術では、記録マークを良好に形成し、良好な特性を得るのに、記録マークをどのような形態にすると効果があるかについては検討されておらず、当然ながら、本発明で問題とした、青色波長の光を用いた場合に大きな変調度を得るための記録マークの形態についても全く検討されていない。
1) 青色レーザ波長以下の短波長で記録再生される追記型光記録媒体であって、記録層が、BiOx(0<x<1.5)を含有し、情報が記録されたときの記録マーク部が、Biの微結晶群及び/又はBiの酸化物の微結晶群を含み、前記微結晶群中の微結晶が最短マーク長よりも小さく、基板のトラックピッチが0.40〜0.43μmの範囲にあることを特徴とする追記型光記録媒体。
2) 記録層が、更に元素M(MはMg、Cr、Mn、Co、Fe、Li、Zr、Ti、Hf、Mo、V、Nb、Y、Taのうちの少なくとも一つの元素)を含有することを特徴とする請求項1に記載の追記型光記録媒体。
3) 前記記録マーク部が4価のBiを含むことを特徴とする1)又は2)に記載の追記型光記録媒体。
4) 前記記録マーク部では、記録層と隣接層との界面に微小変形を伴うことを特徴とする1)〜3)の何れかに記載の追記型光記録媒体。
5) 前記記録マーク部では、記録層の体積変化を伴うことを特徴とする1)〜4)の何れかに記載の追記型光記録媒体。
6) 前記記録マーク部では、未記録部よりも反射率が低いことを特徴とする1)〜5)の何れかに記載の追記型光記録媒体。
青色レーザ波長域以下の短波長で良好な記録が可能な追記型光記録媒体を実現するためには、次の(1)〜(3)が課題となる。
(1)小さな記録マークが形成できる。
(2)記録マーク間の干渉が少ない。
(3)記録マークの安定性が高い。
青色レーザを用いた場合、CDやDVDに用いられる赤外、赤色波長領域のレーザを用いた場合とは異なり、青色波長で良好に記録を行うことが可能な材料を選択する必要がある。
BiOx(0<x<1.5)、即ち、Biでもなく、完全な酸化物であるBi2O3でもない、化学量論的にみて酸素欠損のBi酸化物は、通常の条件では存在し難い準安定的な状態であるが、光記録媒体の場合には、記録層をスパッタリングで製膜することにより、このような状態を実現することができる。準安定的なBiOx(0<x<1.5)の状態の記録層に、記録光が照射され温度上昇が起ると、より安定な状態に戻ろうとするため、BiとBiの酸化物に分離し易くなる。このとき、Biの酸化物の中には酸素を遊離し酸化物でなくなってBiの状態になるものもあると考えられる。そして、より安定な状態は結晶状態であるため、Biの結晶とBiの酸化物の結晶とが形成される。よって、記録マーク部は、Biの結晶及び/又はBiの酸化物の結晶を含む状態となる。
BiOxは光の吸収が大きいので多く存在すると記録感度が向上する。逆にBiOxが少ないと記録感度が悪くなると共に変調度が低下する。そこで、記録層におけるBiOxの含有量は、38〜100モル%が好ましい。
第一に、記録マーク部が、その記録マークの大きさに比べて十分小さいBiの微結晶群及び/又はBiの酸化物の微結晶群を含むようにすることで、より高密度化を図ることができる(個々の微結晶は記録されるべき記録マークに対して十分小さいため、高密度化に有利である)。
第二に、記録マーク部がBiの微結晶群及び/又はBiの酸化物の微結晶群を含むようにすることで、記録マークが大きく成長して広がるのを一層抑制でき、記録部の安定性をより一層高めることができる。
なお、記録層におけるBiとMと酸素からなる材料の配合割合は30〜100モル%とする。30モル%よりも少ないと、この材料の特性が発揮されにくくなるため好ましくない。また、この材料中のBiとMの割合は、原子比で3:5〜9:1の範囲が好ましく、最も好ましいのは2:1近辺である。Biの割合が3:5よりも少なくなると、記録感度や変調度向上などのBiの酸化物の特性が発揮されにくくなるため好ましくなく、Mの割合が9:1よりも少なくなると、2種類以上の酸化物の結晶が混在する状態で記録マークを形成するというMの添加目的が達成できなくなるため好ましくない。
第一に、記録マーク部が、その記録マークの大きさに比べて十分小さい、記録層に含有される元素の微結晶群及び/又はそれらの元素の酸化物の微結晶群を含むようにすることで、より高密度化を図ることができる(個々の微結晶は、記録されるべき記録マークに対して十分小さいため、高密度化に有利である)。
第二に、記録マーク部が、記録層に含有される元素の微結晶群及び/又はそれらの元素の酸化物の微結晶群を含むようにすることで、記録マークが大きく成長して広がることを一層抑制でき、記録部の安定性をより一層高めることができる。
なお、本発明2でいう微結晶群とは、記録されるべき記録マーク内に、複数のBiの微結晶及び/又はBiの酸化物の微結晶、及び/又は、複数のMの微結晶及び/又はMの酸化物の微結晶が含有された状態をいい、微結晶群を形成する個々の微結晶は、記録する変調方式によって決まる最短マーク長よりも小さい。
4価のBiの化合物としてはBiO2が挙げられる。通常、Biの酸化物はBi2O3の構造を取るのが安定な状態である。しかし、条件によっては、BiO2のような形態も取り得る。このような通常は取らないような結晶構造を持つようにすることで、より大きな変調度を得ることができる。
大きな変調度を得るためには、記録マークと記録マーク以外の未記録部との光の反射率が大きく異なることが必要であり、そのためには、記録マーク部と未記録部の光学特性が大きく異なるようにするとよい。ところで、Biが4価の化合物になると、3価のBiの場合に比べて光学的な特性も大きく変化するから、記録マーク部が4価のBiを含むことにより大きな変調度を得ることができる。したがって、記録マーク部は、Bi2O3の形で存在する割合が少ない程よいと考えられる。
次に、Biの酸化物と他の元素の酸化物などが混在する場合について考える。例えば、BiFeOの3元系の化合物の場合を考えてみると、BiとFeの割合が3:5〜4:5程度よりもBiが多い場合に良好な特性を示す。ここで前述したように、2Bi2O3が、記録後に3BiO2+Biになるとすると、4価のBiの存在割合が、BiとFeを併せたうちの、9/32〜1/3程度以上であるときに良好な特性を示すことになる。
以上から、4値のBiの割合は、9/32程度から3/4の範囲が好ましいことになるが、下限値については、あくまで他の元素がFeの場合の数値であり、他の元素の種類によって良好な特性を示すBiとの割合が変化するので、その値も変化する。
記録層と隣接層の界面に微小変形を起こさせることで、BiやMの結晶及び/又はBiやMの酸化物の結晶、あるいは、BiやMの微結晶群及び/又はBiやMの酸化物の微結晶群が生成され易くすることができる。記録層と隣接層界面の微小変形は、記録層や隣接層の膜厚や硬度を調整することで実現することができる。
なお、この記録原理は、記録感度向上にも非常に有効である。
記録層に体積変化を起こさせることで、BiやMの結晶及び/又はBiやMの酸化物の結晶、あるいは、BiやMの微結晶群及び/又はBiやMの酸化物の微結晶群が生成されや易くすることができる。記録層の体積変化は、記録層や隣接層の膜厚や硬度を調整することで実現することができる。
なお、この記録原理は、記録感度向上にも非常に有効である。
本発明では、上述のように、BiやMの結晶及び/又はBiやMの酸化物の結晶、あるいは、BiやMの微結晶群及び/又はBiやMの酸化物の微結晶群から記録マークが形成されるため、複素屈折率の変化や散乱効果の増大により、容易にHigh to Low記録を実現することができる。
本発明のHigh to Low記録である追記型光記録媒体は、Low to High記録(記録マーク部の反射率が未記録部の反射率よりも高い)である追記型光記録媒体よりも高い反射率を有するため、多層化に非常に有利となる。但し、本発明の追記型光記録媒体は、記録極性をHigh to Lowに限定するものではなく、Low to High記録にも対応することができる。この記録極性を切り替えるには、記録層に隣接する層の数や複素屈折率を制御することで対応することができる。
本発明3〜5によれば、高密度化が可能な小さいマークの記録を可能とし、高い変調度が得られ、マークの安定性も高い追記型光記録媒体を提供できる。
本発明6によれば、高い反射率と高い変調度を両立させた、従来の追記型光記録媒体と同一極性の追記型光記録媒体を提供できる。
Bi2O3とFe2O3の2:1の混合物を焼結して作成した直径76.2mmのターゲットを用い、RF電力100W、Arガス流量40sccmの条件下で、カーボン基板上にBi、Fe、Oからなる膜厚20nmの層を成膜した。
この膜の組成をHR−RBS(High Resolution Rutherford Backscattering Spectrometry)により分析した。即ち、ビームエネルギー450keVのHeイオンを上記サンプル面の法線に対し42.5度の角度で照射し、散乱角度95度に散乱されたHeイオンを磁場型検出器により検出した。その結果を図1に示す。
膜厚範囲4〜10nmの領域で、各元素の組成を求めると、Biは33.3±0.5(原子%)、Feは12.5±0.8(原子%)、Oは54.2±3.0(原子%)であり、本来(Bi+Fe):O=2:3である状態に対し、本サンプルでは酸素が欠損していることが確認できた(但し、スパッタされた膜の組成比は、成膜条件に大きく左右されるため、Bi2O3とFe2O3の2:1の混合物を焼結して作成したターゲットで成膜した膜が、必ず酸素欠損することを意味するものではない)。また、特にスパッタ初期の膜では(膜厚範囲10〜20nm)、より酸素が欠損した状態であることが分かる。しかし、このHR−RBSの測定結果では、BiとFeのどちらが酸素欠損を起こしているのか特定できない。
そこで、X線光電子分光法(XPS)による分析を行なった。XPSによる分析条件は、下記の通りである。
<XPS分析条件>
・測定装置 : AXIS−ULTRA(Kratos社製)
・X線源 : Alモノクロメータ使用
・X線パワー : 40W
・測定領域 : 110μφ
・測定核 : Bi_4f
・エネルギー分解能: wide scan(ワイドスキャン)=1.0eV
narrow scan(ナロースキャン)=0.1eV
・入射角 : 45°
・取り出し角 : 90°
各成分に対するnarrow scanの測定結果を図2に示したが、図2(a)から、BiはBi0(金属ビスマス)と酸化物の混合物であることが分る。また、図2(b)から、Feは酸化物として存在している(金属としては存在しない)ことが分かる。
Bi_4fの深さ方向分析において、表面の空気酸化層の影響を調べるため、0.1nm程度のエッチングステップの設定を用いた。
図3から得られたBi0とBiOの比を図4に纏めた(定量にはBi_4f 7/2を使用した)。表面近傍にBiOが偏在している可能性もあるが、図4の結果から、BiOが多く存在する領域の厚さが12Å(1.2nm)程度であることから、空気酸化の影響である可能性が高いと考えられる。そこで、厚さ1.2nm程度までの表面酸化の領域を除いた部分を平均して、BiとBiOの割合を求めたところ、Bi0が57%、BiOが43%の比で存在していることが分かった。また、Feは殆ど酸素欠損していないと判断できた。つまり、実施例で作成したBi、Fe、Oからなる膜において、この膜がBiOxを含有し、かつ0<x<1.5を満足することが確認できた。
上記光記録媒体に対し、パルステック工業(株)製の光ディスク評価装置DDU−1000(波長:405nm、NA:0.65)を用いて、以下の条件で記録を行った。
・変調方式 : 1−7変調
・記録線密度 : 最短マーク長(2T)=0.204(μm)
・記録線速度 : 6.61(m/s)
その結果、連続記録部において、記録パワー6.8mWでジッタ5.2%という良好な値(リミットイコライザ使用)が得られ、かつ変調度(Modulated amplitude)62%を有する、記録極性がHigh to Lowである良好な記録再生特性を実現することができた。また、HD DVD−R規格に準拠した評価では(基板のトラックピッチを0.40μmとした)、PRSNR=27、SbER=1×10−8が得られ、非常に良好な記録再生特性を実現することができた。なお、PRSNRは、Partial Response Signal to Noize Ratio(パーシャル・レスポンス・シグナル・ツー・ノイズ・レシオ)の略で、HD DVD規格における信号品質を表す指標である。また、SbERは、Simulated bit Error Rate(シミュレイテッド・ビット・エラー・レイト)の略であり、HD DVD規格におけるエラーレートを示す値である。
まず、上記光記録媒体の銀合金反射層をHNO3(濃度24%)で取り除き、そのサンプルを更にTHF(テトラヒドロフラン)溶液に浸して基板を溶かし、記録層をマイクログリッド上に掬い取った。このサンプルを日本電子製の透過型電子顕微鏡(TEM)JEM−2010を用いて観察した。
その結果は図5に示すとおりで、記録マーク部が何らかの結晶群により形成されている可能性が確認できた。
そこで、上記TEM観察サンプルの電子線回折像を観察した(回折パターンの観察には、制限視野電子線回折法を用いた)。
その結果、図5のTEM像における黒い部分から得られた電子線回折パターンは金属ビスマスの結晶による指数付けができ、記録マークがBiの結晶(結晶群)から構成されていることが確認できた。
なお、本追記型光記録媒体では、Biの結晶以外にも、酸化ビスマス、鉄、酸化鉄の結晶も存在する可能性があるが、結晶粒が非常に小さいため、Biの結晶以外を特定するに至らなかった。
このように、本発明の追記型光記録媒体では、微小なBiの結晶や結晶群から記録マーク部が形成されるため、非常に細かな記録マークが、高い精度で形成できるものと考えられる。
本発明の追記型光記録媒体では、記録層に含有されるBiやM、及びBiやMの酸化物を、記録によって効率よく結晶化又は微結晶群化させるために、記録層と隣接層の界面に微小変形を伴わせるか、あるいは記録層に体積変化を伴わせることができる。
そこで、実施例1で作成した追記型光記録媒体の記録部の断面を、日本電子製TEM JEM−2010を用いて観察した。
図6は、実施例1で作成した追記型光記録媒体を、FIB(Focused ion beam)を用いて案内溝方向に切断したサンプルのTEM像であり、(a)は未記録部、(b)と(c)は記録部である。図から分かるように、(a)は変形がない状態であるが、(b)(c)では、変形や体積変化を起している。なお、図6のサンプルは有限な厚さを有しており、実施例1で作成した追記型光記録媒体の案内溝部と溝間部を同時に観察してしまうため、二重に見えている。
図7は、実施例1で作成した追記型光記録媒体を、FIBを用いて半径方向に切断したサンプルのTEM像であり、(a)は記録部、(b)は未記録部である。図から分かるように、(b)は変形がない状態であるが、(a)では、変形や体積変化を起している。
この図6〜図7の結果から、本発明の追記型光記録媒体では、記録層(Bi、Fe、Oからなる層、以下、BiFeOと略す)と隣接層の界面に微小変形を伴い、また、BiFeOに体積変化が伴うことが確認できた。
なお、本発明では、記録層と隣接層界面の微小変形、あるいは記録層の体積変化は必ずしも必要でないが、記録特性の改善には有効である。
案内溝(溝深さ21nm、トラックピッチ0.43μm)を有する厚さ0.6mmのポリカーボネート基板上に、スパッタ法によりBi(金属ビスマス、BiOx表記ではx=0に相当する)膜を10nmの膜厚で設け、更にその上に、膜厚80nmのZnS−SiO2層、膜厚100nmの銀合金反射層、紫外線硬化型樹脂からなる膜厚が約5μmの保護層を設け、本比較例1の追記型光記録媒体を作成した。
上記光記録媒体に対し、パルステック工業(株)製の光ディスク評価装置DDU−1000(波長:405nm、NA:0.65)を用いて、以下の条件で記録を行った。
・変調方式 : 1−7変調
・記録線密度 : 最短マーク長(2T)=0.204(μm)
・記録線速度 : 6.61(m/s)
その結果、記録パワー11.8mWのとき、リミットイコライザ使用によるジッタ値が12.0%となった(本発明の記録媒体に比べ、かなり悪い値となっている)。
なお、本比較例の追記型光記録媒体は、低記録パワー時は記録極性がLow to Highであり、記録パワーが高まると記録極性がHigh to Lowとなる特異な特性を示した。この追記型光記録媒体の記録マーク部を実施例1と同様にTEMで観察した結果、図8に示すような結果が得られ、Biの結晶らしき黒点は観測されたが、Biの溶融によると思われる相分離のような形態を示す記録マークとなっていることが分かった。
この記録マーク部は明らかに図5とは異なり、記録マーク間のクロストークが大きく、位置精度の低い記録マークしか形成されないことが明らかになった。
以上の結果から、BiOxを含有する記録層でx=0は好ましくないことが確認できた。
この事実は、
・Bi単独では、熱伝導率が高く、微小な記録マーク形成には不向きである
・Bi単独では、容易に溶融が起きてしまい、記録マーク形成には不向きである
ことを意味しており、Biを、Biの酸化物、元素M(例えばFe)、元素Mの酸化物(例えばFeO)等の低熱伝導率材料から構成されるマトリックス材料中に分散させることが重要と言える。
案内溝(溝深さ21nm、トラックピッチ0.43μm)を有する厚さ0.6mmのポリカーボネート基板上に、組成がBi2O3の直径76.2mmのターゲットを用い、RF電力100W、Arガス流量40sccmの条件下で、BiOx層を7nmの膜厚で設けた。なお、この際、スパッタ膜のBiOxが化学量論組成となるように、過剰の酸素を導入した(酸素流量10sccm)。したがって、本比較例ではBiOx層の組成は、BiO1.5となっている。
更にBiO1.5層上に、膜厚96nmのZnS−SiO2層、膜厚100nmの銀合金反射層、紫外線硬化型樹脂からなる膜厚が約5μmの保護層を設け、比較例2の追記型光記録媒体を作成した。
上記光記録媒体に対し、パルステック工業(株)製の光ディスク評価装置DDU−1000(波長:405nm、NA:0.65)を用いて、以下の条件で記録を行った。
・変調方式 : 1−7変調
・記録線密度 : 最短マーク長(2T)=0.204(μm)
・記録線速度 : 6.61(m/s)
その結果、リミットイコライザ使用によるジッタ値が5.1%と非常に良好な値が得られたが、記録パワーが9.0mWを超えた(酸素導入なしの場合は6.2mW)。なお、記録極性は、High to Lowであった。
以上の結果から、酸化ビスマスの酸素欠損量が完全になくなると記録感度が大きく劣化することが確認できた。したがって、本発明の追記型光記録媒体においては、BiOxを含有する記録層でx=1.5とすることは好ましくないことが確認できた。
案内溝(溝深さ21nm)を有するポリカーボネート基板上に、スパッタ法によりBiOx(0<x<1.5)で表わされる組成の膜を10nmの膜厚で設け、本発明の追記型光記録媒体を作成した。この膜の成膜は、組成がBi2O3の直径76.2mmのターゲットを用い、RF電力100W、Arガス流量40sccmで行った。なお、実施例1と同様に、HR−RBS、及びXPSを使用してBiOxで表される膜のxを調べた結果、0<x<1.5であることを確認した。
上記光記録媒体に対し、パルステック工業(株)製の光ディスク評価装置DDU−1000(波長:405nm、NA:0.65)を用いて、以下の条件で記録を行った。
・変調方式 : 1−7変調
・記録線密度 : 最短マーク長(2T)=0.231(μm)
・記録線速度 : 6.0(m/s)
・波形等化 : ノーマルイコライザー
その結果、連続記録部において、記録パワー5.2mWで9.9%という良好なジッタ値が得られ、かつ、変調度55%を有する良好な二値記録特性を実現することができた。なお、記録極性は、High to Lowであった。
実施例1で作成し記録を行った追記型光記録媒体を用いて反射EELS測定を行った。測定装置は、Perkin−Elmer社製、PHI4300改走査型オージェ電子分光装置を用いた。EELSはElectron Enagy Loss Spectroscopyのことで電子エネルギー損失分光といわれる測定である。電子を測定試料に入射し、試料表面層との相互作用により散乱された電子のエネルギー分布を測定する方法である。あるエネルギーの一次電子が、測定したい原子の内殻を励起し、あるエネルギーの電子の放出が起きる。そのとき、一次電子の散乱がおきるが、近傍の原子などの影響を受け、エネルギー損失が起こるので、その散乱のされ方を調べることにより近傍の原子の動径分布関数などの情報を得ることができる。
EELS測定で得られたEELSスペクトルより、O(酸素)原子周辺の動径分布関数を測定した。動径分布関数は、近傍における原子の存在確率を表しており、原子の価数、構造などを推測することが可能である。光電子多重散乱理論を用いた解析ソフトのうち、ワシントン大学が発行しているFEFFが広く利用されている。この解析ソフトを用いて実際の測定値と照合することにより原子の価数、構造が推測可能となる。
図9は、このような方法で測定した動径分布関数の測定値であり、図10はFEFFを用いて計算した動径分布関数である。Biが取り得ると考えられるBi3価の場合、Bi3価であるが、β−Bi2O3構造の場合、Bi4価のBiO2の場合について示した。
これらを比較すると、特徴的なのは記録部の6Å付近のピーク1011、1012である。両図面を比較すると、この1011と1012のピークが一致しており、記録部には、つまり記録マークには、BiO2即ち4価のBiが存在していることが明らかである。
そして、このような記録マークを持つ追記型光記録媒体は大きな変調度を有する良好な記録が可能であり、高密度記録を実現できる。
1012:BiO2(4価のBi)を示すピーク(計算)
Claims (6)
- 青色レーザ波長以下の短波長で記録再生される追記型光記録媒体であって、記録層が、BiOx(0<x<1.5)を含有し、情報が記録されたときの記録マーク部が、Biの微結晶群及び/又はBiの酸化物の微結晶群を含み、前記微結晶群中の微結晶が最短マーク長よりも小さく、基板のトラックピッチが0.40〜0.43μmの範囲にあることを特徴とする追記型光記録媒体。
- 記録層が、更に元素M(MはMg、Cr、Mn、Co、Fe、Li、Zr、Ti、Hf、Mo、V、Nb、Y、Taのうちの少なくとも一つの元素)を含有することを特徴とする請求項1に記載の追記型光記録媒体。
- 前記記録マーク部が4価のBiを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の追記型光記録媒体。
- 前記記録マーク部では、記録層と隣接層との界面に微小変形を伴うことを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の追記型光記録媒体。
- 前記記録マーク部では、記録層の体積変化を伴うことを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の追記型光記録媒体。
- 前記記録マーク部では、未記録部よりも反射率が低いことを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の追記型光記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005259331A JP4627704B2 (ja) | 2004-09-21 | 2005-09-07 | 追記型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004273774 | 2004-09-21 | ||
JP2005259331A JP4627704B2 (ja) | 2004-09-21 | 2005-09-07 | 追記型光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006116948A JP2006116948A (ja) | 2006-05-11 |
JP4627704B2 true JP4627704B2 (ja) | 2011-02-09 |
Family
ID=36535279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005259331A Expired - Fee Related JP4627704B2 (ja) | 2004-09-21 | 2005-09-07 | 追記型光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4627704B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4302606B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2009-07-29 | Tdk株式会社 | 光記録媒体 |
JP4696134B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-06-08 | パイオニア株式会社 | レジスト材料および電子線記録用レジスト材料 |
WO2006129565A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Pioneer Corporation | レジスト材料および電子線記録用レジスト材料 |
JP4696133B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-06-08 | パイオニア株式会社 | レジスト材料および電子線記録用レジスト材料 |
JP4487943B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2010-06-23 | Tdk株式会社 | 光記録媒体 |
KR101017963B1 (ko) | 2006-08-01 | 2011-03-02 | 가부시키가이샤 리코 | 추기형 광 기록 매체 및 그 기록 방법 |
JP4667427B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2011-04-13 | 株式会社リコー | 追記型光記録媒体 |
JP4764858B2 (ja) | 2007-01-30 | 2011-09-07 | 株式会社リコー | 光記録媒体、スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
US8124211B2 (en) | 2007-03-28 | 2012-02-28 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, sputtering target, and method for manufacturing the same |
WO2008123620A1 (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-16 | Ricoh Company, Ltd. | Worm optical recording medium |
JP2008276900A (ja) | 2007-04-02 | 2008-11-13 | Ricoh Co Ltd | 追記型光記録媒体 |
JP5343517B2 (ja) * | 2008-11-07 | 2013-11-13 | 株式会社リコー | 追記型光記録媒体 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59185048A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材及び記録方法 |
JPS60131650A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光メモリデイスクおよびその製造方法 |
JPS6394444A (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-25 | Daicel Chem Ind Ltd | 新規な光記録媒体 |
JPH0486283A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-18 | Sharp Corp | 光記録材料及び光ディスク |
-
2005
- 2005-09-07 JP JP2005259331A patent/JP4627704B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59185048A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材及び記録方法 |
JPS60131650A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光メモリデイスクおよびその製造方法 |
JPS6394444A (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-25 | Daicel Chem Ind Ltd | 新規な光記録媒体 |
JPH0486283A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-18 | Sharp Corp | 光記録材料及び光ディスク |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006116948A (ja) | 2006-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4627704B2 (ja) | 追記型光記録媒体 | |
DE69829414T2 (de) | Optisches Informationsaufzeichnungsmedium | |
JP2007031743A (ja) | 光情報記録媒体用Ag合金反射膜及び光情報記録媒体 | |
JP2007538346A (ja) | 超解像近接場構造の記録媒体、並びにその再生方法及び再生装置 | |
KR100685061B1 (ko) | 광기록매체 및 이를 제조하기 위한 방법, 및 광기록매체상에 데이터를 기록하기 위한 방법 및 광기록매체로부터데이터를 재생하는 방법 | |
JP2007062108A (ja) | 光情報記録媒体用の記録層およびスパッタリングターゲット、並びに光情報記録媒体 | |
DE60211836T2 (de) | Phasenwechselndes Auszeichnungselement für einmal beschreibbare Anwendungen | |
EP1672622B1 (en) | Phase-change optical recording medium and reproducing method thereof | |
EP1283522B1 (en) | Phase-change recording element for write once applications | |
JP5399836B2 (ja) | 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット | |
JP2007293983A (ja) | 光情報記録媒体 | |
JP2007111898A (ja) | 光情報記録媒体用の記録層およびスパッタリングターゲット、並びに光情報記録媒体 | |
JP2008217957A (ja) | 光情報記録媒体 | |
JP5399184B2 (ja) | 光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット | |
JP4336835B2 (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
JP2008302688A (ja) | 光情報記録媒体 | |
JP2006286043A (ja) | 情報記録媒体 | |
JP4744854B2 (ja) | 相変化記録媒体、記録装置、及び記録方法 | |
JP2007220269A (ja) | 光記録媒体 | |
JP5343517B2 (ja) | 追記型光記録媒体 | |
JP2007062319A (ja) | 光記録媒体 | |
JP4322906B2 (ja) | 光記録媒体、記録材料、光記録媒体の製造方法及び光記録再生方法 | |
JP5069458B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP2009289324A (ja) | 追記型光記録媒体 | |
JP2002279690A (ja) | 相変化記録媒体、記録装置、及び記録方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080730 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100308 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100622 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100727 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101102 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101108 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4627704 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |