JP2006286043A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】ある固定されたパターンのデータを繰り返し記録したのちに、異なるパターンのデータを記録した場合においても、良好な再生信号が得られるＤＶＤ−ＲＷを提供する。
【解決手段】光レーザービームの照射により前記記録層に情報が記録される情報記録媒体において、基板上に少なくとも上記レーザービームが照射される側から順に、第１界面層、記録層、第２界面層が積層され、前記記録層には少なくとも以下の組成式であらわされる範囲のＳｂおよびＴｅが含有され、
Ｓｂ_ｘＴｅ_ｙ ０．６≦ｘ（ｘ＋ｙ）≦０．８
かつ前記記録層に接した第１,第２界面層の少なくとも何れか一層にＣｒ、ＴａおよびＯが含有され、その膜厚が０．２ｎｍ以上８ｎｍ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【選択図】 図１

Description

本発明は、レーザ照射による記録層の相変化によって、高速、高密度で記録、再生、書換が可能な情報記録媒体に関し、更に詳細にはＤＶＤ−ＲＷなどの共晶系相変化記録層を使用する相変化光記録媒体に関する技術に関する。

書換え可能な情報記録媒体の一つに相変化光記録媒体がある。相変化光記録媒体は光ビームの照射により原子配列が異なる２つの状態間（アモルファス−結晶間）で可逆的に変化する記録層を備え、その記録層の２つの異なる原子配列の状態により情報が記録される。相変化光記録媒体は書換え可能な媒体の中でも記録再生装置を安価に出来るという特徴を有するため民生用途への普及が著しく、とりわけ家庭用ビデオ録画媒体として急速に普及しつつある。
こうした相変化光記録媒体の記録層材料として実用化レベルで知られている材料は、Ｇｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５などの化合物組成に代表されるＧｅＳｂＴｅ系材料と、Ｓｂ−Ｓｂ_２Ｔｅ_３間の共晶組成を主成分とするＡｇＩｎＳｂＴｅ系材料などである。前者のＧｅＳｂＴｅ系材料は、ＤＶＤ−ＲＡＭとして実用化され、一方、後者のＡｇＩｎＳｂＴｅ系材料は、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ及びＤＶＤ＋ＲＷとして実用化されている。
さらに、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系材料に関しては、Ｓｂ−Ｔｅ組成上の共晶組成近傍であって、空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ_３Ｔｅ相を有するという結晶構造上新たな特徴を有するものが、高密度記録、繰り返し特性に優れたものとして開発されている。また、前記Ｓｂ_３Ｔｅ相を基本骨格として、特性向上の必要に応じて、例えば特許文献１のように、Ａｇ，Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｃｕ等の添加物質を少なくとも１種添加されている。
相変化記録媒体への記録方式は、基本的に「０」と「１」の情報を結晶とアモルファスに対応させ記録を行う方式である。また、結晶とアモルファスの屈折率が異なること利用し、結晶に変化させた部分とアモルファスに変化させた部分の反射率の差が最大になるように、各層の屈折率、膜厚を設計している。この結晶化した部分とアモルファス化した部分に、レーザービームを照射し、反射光を再生することにより記録された「０」と「１」を検出できる。
所定の位置をアモルファスにする（通常、この動作を「記録」と呼ぶ）ためには、比較的高パワーのレーザービームを照射することにより、記録層の温度が記録層材料の融点以上になるように加熱し、また所定の位置を結晶にする（通常、この動作を「消去」と呼ぶ）ためには、比較的低パワーのレーザービームを照射することにより、記録層の温度が記録層材料の融点以下の結晶化温度付近になるように加熱する。このようにすることにより、アモルファス状態と結晶状態を可逆的に変化させることができる。
近年、相変化光記録媒体の記録容量が高まったために、これに見合った記録速度の高速化が要求されており、それと同時に低線速記録互換性の観点から広域線速化も要求されている。高線速記録のために、相変化記録層材料の結晶化速度を上げることが重要であり、その手法として相変化記録層材料のＳｂ量を多くするなどの方法が知られている。
更に、相変化光記録媒体の誘電体層にＺｎＳなどＳを含んでいる材料を用いた場合、記録層に隣接した誘電体層のＳが記録層へと浸透することを防ぐために、記録層に隣接した片面、または両面に窒化物、酸化物や炭化物などの界面層を挿入する技術が提案されている。具体的には窒化ゲルマニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化クロム、炭化シリコンなどがある。

特開２０００−４３４１５号公報

上記従来技術に示したような極めて優れた技術を用いた１０００回以上の書換えを繰り返すことが可能なＤＶＤ−ＲＷ等が商品化されている。しかしながら、近年、ＤＶＤ−ＲＷがＤＶＤレコーダー用に使用されるケースが多くなるに連れ、１０００回以上の書換えが可能なはずのＤＶＤ−ＲＷの書換え可能回数が、数十回〜数百回程度に低下してしまう場合があることが明らかになってきた。上記現象を解析した結果、多くのＤＶＤレコーダーがＤＶＤ−ＲＷ上のある特定の領域に、ほぼ同じパターンのデータを繰り返し記録し、その後に全く異なったパターンのデータを記録した場合に、記録されたデータの再生信号が大幅に歪んでしまうことが原因であることが明らかになった。これはＤＶＤレコーダーがＤＶＤ−ＲＷに記録した映像情報を管理するための情報（通常、ほぼ同じデータであることが多い）を、常に特定の領域に記録するために発生する現象であり、従来のＤＶＤ−ＲＷの使用方法からは想定されていなかった使用方法である。
発明者らはこの問題を解決するため問題点を整理し、以下のような考察を行った。同じデータを同じ領域に記録する場合、はじめに、レーザービームを高パワーにしてアモルファスとして記録された部分は、常に高パワーのレーザービームにより溶融されることになり、この結果、アモルファスになった部分の劣化が著しく大きくなる。このように、同じパターンのデータを繰り返し記録し、常に同じ部分が劣化しただけでは大きな問題とはならない。常に同じ部分が劣化している場合、劣化部分の反射率、結晶化速度等が変化するが、この劣化パターンも再生すべきデータパターンと完全に同期しているからである。しかしながら、同じパターンのデータを繰り返し記録したのち、同じ領域に異なるパターンのデータを記録した場合に大きな問題が発生する。これは劣化した部分の反射率や結晶化速度が正常な部分と異なり、さらに、新たに記録されるデータのパターンとその前に繰り返し記録されたデータパターンが同期していないためである。

ＤＶＤ−ＲＡＭの場合、このようにほぼ同じパターン（固定パターン）のデータが繰り返し記録されることを想定して、物理フォーマットが決められている。例えば、ＤＶＤ−ＲＡＭでは、２ｋバイトごとに分割されたデータが物理的に区切られたセクタ領域に記録されるが、この際、同じデータが繰り返し記録されることを想定して、記録を繰り返すたびに、記録パターンのデータの極性を反転させる、あるいは、記録データの始端と終端の位置を数バイト程度ランダムにシフトさせている。こうすることにより、同じ部分が常に溶融されることを回避しているのである。

さらにＤＶＤ−ＲＡＭの場合、記録層材料として溶融後に再結晶化が起こりにくい、化合物系の相変化記録材料が使われているが、ＤＶＤ−ＲＷの場合、記録膜として再結晶化を引き起こしやすいがオーバーライト性能（オーバーライトによるジッター上昇を抑圧する性能）に優れた共晶系の相変化材料が使われている。このことも、上記劣化を引き起こしている要因の一つである。以下、簡単にこの理由を説明する。
ＤＶＤ−ＲＡＭでは、ランドグルーブ記録方式を採用している。ランドグルーブ記録方式とはグルーブの深さはある一定の深さにすることにより、グルーブとランドの両方にデータを記録しても、隣接記録マークからの信号のもれこみ（クロストーク）を低下させることが出来るため、トラックピッチをレーザービームの６割程度に狭めることが出来る記録方式である。このようにトラックピッチが狭いため、あるトラックにデータを記録する際に、隣接トラックに記録されているデータを消去してしまう現象（クロスイレーズ）が発生する。再結晶化しやすい共晶系相変化材料のような記録層材料として使用した場合、予め再結晶化することを前提として、記録層を幅広く溶融させる必要があるため、ＤＶＤ−ＲＡＭのようなランドグルーブ記録を採用している光ディスクではクロスイレーズを引き起こしてしまう。このため、ＤＶＤ−ＲＡＭでは再結晶化が起きにくい化合物系相変化材料が使用されているのである。なお、ＤＶＤ−ＲＡＭではトラックピッチを狭くして記録密度を高めているため、最短記録マークをＤＶＤ−ＲＷと比較して長くすることができる。このため、化合物系相変化材料を使用することにより発生するオーバーライトによる信号劣化は許容されている。
これに対して、ＤＶＤ−ＲＷの場合、ＤＶＤ−ＲＯＭとの互換性を最重要視した物理フォーマットとなっているため、最短記録マーク長はＤＶＤ−ＲＯＭと同じ値（０．４ミクロン：ＤＶＤ−ＲＡＭでは０．４２ミクロン）にする必要がある。このため、オーバーライトによる信号劣化が許容されにくく、オーバーライト性能に優れた共晶系相変化材料を使用せざるを得ないのである。さらに、トラックピッチはＤＶＤ−ＲＯＭと同じ０．７４ミクロンのグルーブ記録となっている。また、信号変調度（信号振幅を反射率で規格化した値）もＤＶＤ−ＲＯＭと同じ値（６０％以上：ＤＶＤ−ＲＡＭでは４０％以上）にする必要がある。このため、ＤＶＤ−ＲＡＭと比較して幅広のアモルファスマークを記録する必要がある。共晶系相変化材料を記録層材料として使用した場合、溶融後の再結晶化が進みやすくなるため、予め、これを前提として、記録層をさらに幅広に溶融させる必要がある。
このように、ＤＶＤ−ＲＷでは、固定パターンのデータを繰り返し記録することを想定した物理フォーマットになっていないこと、また、記録層を幅広く溶かす必要があるため、（発明者らの試算では）トラック中心における記録層の温度は、およそ１０００℃に達するため、固定パターンを繰り返し記録するような過酷な使われ方をした場合、上記したような問題が発生するのである。
したがって、本発明の目的は、ある固定されたパターンのデータを繰り返し記録したのちに、同じ領域に異なるパターンのデータを記録した場合においても、良好な再生信号が得られるＤＶＤ−ＲＷを提供することである。

本発明者らは繰り返し記録による記録媒体の反射率変化や結晶化速度変化などが生じるのは、繰り返し記録を行うことで記録層組成が変化していると考えた。この現象は保護層と記録層が隣接しているときに保護層ＺｎＳのＳ成分が記録層に浸透することで起きていた。そこで一般的に記録層と保護層の間に界面層が設けられている（特開平５−２１７２１１など）。しかし上述したように界面層を設けても繰り返し記録、特に固定パターンのデータの繰り返し記録した後、更に異なるパターンのデータを記録した場合、記録特性の悪化が見られる。これは界面層が記録層に隣接している為、界面層の記録時の温度は記録層と同様におよそ１０００℃に達し、従来の界面層ではこの温度に耐えられないためと考えた。そこで本発明者らは界面層材料の一つであるＣｒ_２Ｏ_３の物質特性について調べた。するとＣｒ_２Ｏ_３は物質特性でＣｒ_２-ｚＯ_３（ｚ＜０．０７７）とＣｒ欠損の不定性化合物になりうることがわかった。この物質特性は、記録時に記録層中の温度が高くなるとＣｒ欠損による結合していない酸素が存在し、記録膜材料を酸化させていることを示している。
そこで本発明者らはこの物性を考え、Ｃｒ欠損を打ち消す材料の添加、つまり酸素欠損または窒素欠損がある酸化物、窒化物または酸化窒化物、特に遷移金属で酸素欠損または窒素欠損がある酸化物、窒化物または酸化窒化物の材料をＣｒ_２Ｏ_３に添加する方法が有効であると考えた。さらに、遷移金属の中でも、融点が高く、酸化物、窒化物が安定に存在しうる材料としてＴａ_２Ｏ_５を選定するに至った。本発明のポイントの一つは、Ｃｒ_２Ｏ_３に対してＴａ_２Ｏ_５を添加することにより、繰り返し記録時の信号劣化を抑圧せきることを明らかにした点である。
さらに、本発明者らは、本発明のＣｒ-Ｔａ-Ｏ系材料を界面層として使用する場合、その膜厚が厚すぎても、薄すぎても、繰り返し記録時に再生信号のジッターが劣化することを明らかにした。薄すぎる場合、繰り返し記録に伴って、記録膜中に保護層材料が拡散するのである。厚すぎる場合に、繰り返し記録時の再生信号ジッターが劣化する原因は明らかになっていないが、恐らく、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ系材料の熱膨張係数が大きいため、膜厚が厚すぎる場合、熱膨張によりレーザービームが照射された部分と、それ以外の部分の間に亀裂が生じ、結果として記録膜中に保護層材料が拡散してしまうためと考えられる。詳細に検討した結果、最適膜厚は０．２ｎｍ以上８ｎｍ以下、望ましくは０．５ｎｍ以上３．０ｎｍ以下であった。さらに本発明のＣｒ−Ｔａ−Ｏ系界面層は、共晶系相変化材料との組合せ時に特に大きな繰り返し記録特性向上効果を発揮する。また共晶系相変化材料としては、Ｓｂ_７０Ｔｅ_３０付近の組成が本発明に適している。
したがって、本発明の目的を達成するためには、以下に示した情報記録媒体を用いればよい。
（１）光レーザービームの照射により前記記録層に情報が記録される情報記録媒体において、基板上に少なくとも上記レーザービームが照射される側から順に、第１界面層、記録層、第２界面層が積層され、前記記録層には少なくとも以下の組成式であらわされる範囲のＳｂおよびＴｅが含有され、
Ｓｂ_ｘＴｅ_ｙ ０．６≦ｘ／（ｘ＋ｙ）≦０．８
かつ前記記録層に接した第１,第２界面層の少なくとも何れか一層にＣｒ、ＴａおよびＯが含有され、その膜厚が０．２ｎｍ以上８ｎｍ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
（２）前記記録層に少なくともＡｇ、Ｉｎ、Ｇｅのいずれかが含有されていることを特徴とした（１）に記載の情報記録媒体。
また、上記共晶系相変化材料に適当な元素を添加した場合、更に本発明の効果は大きくなる。
（３）（１）記載の情報記録媒体であって、少なくとも上記界面層中のＣｒとＴａの組成比がＣｒ_ａＴａ_ｂ（０．０５≦ｂ／ａ≦０．７）から選択されることを特徴とする情報記録媒体。

さらに、発明者らは第１界面層に本発明の界面層材料を使用した場合に大きな効果があることを明らかにした。第２界面層に本発明の界面層を使用した場合には、記録膜組成との組合せによっては、記録膜の結晶化速度が低下してしまうという弊害が発生するからである。しかしながら、繰り返し記録時の信号劣化を抑制する効果は大きいため、第２界面層にもＣｒ−Ｔａ−Ｏ系界面層を使用することができる。しかし、この場合、最適Ｔａ含有比率は、上記弊害を考慮し第１界面層に含有されるＴａ含有比率と比較して小さい方が良い。
（４）（１）に記載の情報記録媒体であって、第２界面層に含有されるＴａ含有比率と比較して、第１界面層のＴａ含有比率の方が大きいことを特徴とする情報記録媒体。
なお、本発明では、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ系界面層の膜厚制御がきわめて重要である。以上の膜厚を実現する手段としては、予め、精度良く測定が可能な膜厚（たとえば、５０ｎｍ程度）のＣｒＴａＯ系材料をスパッタリング等で製膜を行い、単位時間当たりの製膜レートを求め、その製膜レートを用い、以上の膜厚に対応した時間だけ製膜すればよい。また、所望の特性が得られない場合、断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）等により、正確な膜厚を測定すればよい。断面ＴＥＭ等で膜厚を測定した場合、必ずしも膜厚が均一でない場合があるが、この場合には、平均的な膜厚を、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ界面層の膜厚と定義しても差し支えなく、上記平均膜厚が上記範囲であれば、本発明の効果は失われない。

以上説明したように、本発明によれば、ＤＶＤ−ＲＷの記録層に、Ａｇ−Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化材料を用い、更に前記記録層に接した第１,第２界面層の少なくとも何れか一層にＣｒ―Ｔａ―Ｏ界面層を設けることで、固定パターンのデータを繰り返し記録した後、更に異なるパターンのデータを１回オーバーライトした場合のジッター特性が優れた相変化光記録媒体を提供することが可能となる。

以下に本発明の実施の形態について詳細に説明する。
はじめに、本発明の実施例として検討した光記録媒体の概略断面図を図１に示す。基板１上に第１誘電体層２として（ＺｎＳ）_８０-（ＳｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）、第１界面層３としてＣｒ_２Ｏ_３あるいはＣｒ―Ｔａ―Ｏからなる材料、記録層４としてＡｇ−Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅからなる材料、第２界面層５としてＣｒ_２Ｏ_３あるいはＣｒ―Ｔａ―Ｏからなる材料、第２誘電体層６として（ＺｎＳ）_８０-（ＳｉＯ２）_２０（ｍｏｌ％）からなる材料、中間層７として（Ｃｒ）_８５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_１５(ａｔ％)からなる材料を、更にその上に反射層８としてＡｇＣａ(５００pm)Ｃｕ(１ｗｔ％)を順次形成した構造である。さらに、反射層８の上に紫外線硬化樹脂からなる保護層９を形成した後、０．６mm厚のダミー基板を貼り合せた構造のディスクを作製した。ここで用いたポリカーボネート基板１にはトラックピッチが０．７４μｍ、溝深さが３０ｎｍでらせん状にグルーブが形成されている。
以下の実施例では、基本的に図１の第１、第２界面層、および記録層の、組成あるいは膜厚をパラメータとし、様々な検討を行った結果について述べている。本実施例では、これらの材料以外は変更していないが、他の材料に関して、以下のような変更を行ったとしても本発明の効果は失われない。
第１、第２誘電体層の材料としては（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ２）_２０（ｍｏｌ％）の混合物のほか、混合比を変えたもの、あるいはＳｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３等の酸化物、Ｓｉ-Ｎ、Ａｌ-Ｎ、Ｇｅ-Ｎ等の窒化物が用いることができる。
中間層７として用いた材料は（Ｃｒ）_８５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_１５(ａｔ％)のほか、Ｃｒ−ＣｒＯの組成比を変えた材料を用いても良い。中間層の役割は反射層にＡｇ合金を用いた場合に、Ａｇが前記上部保護層の硫黄と反応しＡｇＳ化合物の生成の抑制である。そのため光学的に影響を及ぼさない、かつＡｇとＳの反応を抑制するため、膜厚は０．５ｎｍ以上５ｎｍが好ましい。
反射層８として用いた材料は、ＡｇＣａ(５００ppm)Ｃｕ(１ｗｔ％)のほか、ＡｇＣａＣｕの組成比を換えたものＡｇを主成分とした合金を用いることが可能である。
以下に本発明の効果を確認するための実施例について詳細に説明する。

まず始めに、固定パターンのデータを繰り返し記録した後、更に異なるパターンのデータをオーバーライトした後、良好な再生信号が得られる相変化記録層材料の検討として、図１に示した構造のディスクを以下のように作製した。
直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板１を複数のスパッタ室をもち、膜厚分布の少ない再現性の高いスパッタ装置を用いて、先ず基板１上に第１誘電体層２として（ＺｎＳ）_８０-（ＳｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）からなる材料を膜厚７５ｎｍ形成した。続いて第１界面層３としてＣｒ_２０Ｔａ_１４Ｏ_６６（ａｔ％）からなる材料を膜厚２ｎｍ形成し、その上に記録層４としてＡｇ−Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅからなる材料を膜厚１５ｎｍ形成した。Ａｇ−Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅの形成方法として、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ量を一定にしＳｂ量とＴｅ量の比を変えたターゲットを準備し製膜を行った。次に第２界面層５としてＣｒ_３０Ｔａ_７Ｏ_６３（ａｔ％）からなる材料を膜厚２nm形成した。その上に第２誘電体層６として（ＺｎＳ）_８０-（ＳｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）からなる材料を膜厚１５ｎｍ形成した。更にその上に中間層７として（Ｃｒ）_８５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_１５(ａｔ％)からなる材料を膜厚２ｎｍ形成し、その後、反射層８としてＡｇＣａ(５００ｐｐｍ)Ｃｕ(１ｗｔ％)の材料からなるものを１６０ｎｍ形成した。その反射層８の上に紫外線硬化樹脂からなる保護層９を形成した後、０．６ｍｍ厚のダミー基板を貼り合せた構造のディスクを作製した。

このディスクを初期結晶化するために、半導体レーザ（波長８１０ｎｍ）からレーザスポットサイズ１×５０μｍの楕円ビームを持つレーザ光を照射することによって、ディスク全面を初期結晶化した。
次に、記録再生特性評価を行なうための情報記録装置について説明する。この例では、情報の記録再生時に情報記録媒体に光照射するための半導体レーザ（波長６５０ｎｍ、開口数０．６）を搭載したディスクドライブテスタを用いて記録（１ビーム・オーバーライト）を行なった。
この例で使用した情報記録装置では８−１６変調を用い、マークエッジ記録方式の記録マークを情報記録媒体に形成して情報を記録した。最短マーク長は０．４０μｍとした。線速７．０ｍ／ｓ（ＤＶＤ規格２倍速相当）で固定パターンのデータを１０００回繰り返し記録したのち、ジッター評価を行った。更にその記録されたデータの上に異なるパターンのデータを１回オーバーライトしたのち、ジッター特性の評価を行った。
ここで、ジッター特性の評価基準は、以下の通りである。
◎：固定パターンのデータを１０００回繰り返し記録後、異なるパターンのデータを１回オーバーライトした後のジッター特性：８％以下
○：固定パターンのデータを１０００回繰り返し記録後、異なるパターンのデータを１回オーバーライトした後のジッター特性：９％以下
×：固定パターンのデータを１０００回繰り返し記録後、異なるパターンのデータを１回オーバーライトした後のジッター特性：９％以上
測定位置は中周で行ったが、内周や外周で行っても評価結果は同様であった。
評価結果を表１に示す。

表１から明らかなように、固定パターンのデータを１０００回繰り返し記録した後のジッター特性と、更に異なるパターンのデータを１回オーバーライトした後のジッター特性が両方で良好な特性を示しているのは、Ａｇ_２Ｉｎ_２Ｇｅ_３Ｓｂ_ｘＴｅ_ｙとした場合、ｘ／（ｘ＋ｙ）が０．６０から０．８０の範囲である。更にｘ／（ｘ＋ｙ）が０．７２から０．７４の組成で、より優れた特性が得られることが明らかになった。

実施例１において、固定パターンのデータを１０００回繰り返し記録した後のジッター特性と、更に異なるパターンのデータを１回オーバーライトした後のジッター特性が両方で良好な特性を示す相変化記録層材料の最適組成が明らかになった。
本実施例では、実施例１で特に繰り返し記録性能に優れた性能を示したＡｇ_２Ｉｎ_２Ｇｅ_３Ｓｂ_６８Ｔｅ_２５（ａｔ％）を用いた。
直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板１を複数のスパッタ室をもち、膜厚分布の少ない再現性の高いスパッタ装置を用いて、先ず基板１上に第１誘電体層２として（ＺｎＳ）_８０-（ＳｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）からなる材料を膜厚７５ｎｍ形成した。続いて第１界面層３としてＣｒ―Ｔａ−Ｏからなる材料からなる材料を膜厚２nm形成した。ここでＣｒ―Ｔａ−Ｏの形成方法としては、１つのスパッタ室内に２つのターゲットを装着し、一方をＣｒ_２Ｏ_３、もう一方に（Ｃｒ_２Ｏ_３）_４０−（Ｔａ_２Ｏ_５）_６０（ｍｏｌ％）ターゲットを装着して、同時スパッタにより双方のスパッタリングパワーを変えてＣｒ−Ｔａ−Ｏ組成を調整した。その上に記録層４としてＡｇ_２Ｉｎ_２Ｇｅ_３Ｓｂ_６８Ｔｅ_２５（ａｔ％）からなる材料を膜厚１５ｎｍ形成した。次に第２界面層５としてＣｒ―Ｔａ−Ｏからなる材料からなる材料を膜厚２nm形成した。Ｃｒ―Ｔａ−Ｏの形成方法としては上記第１界面層と同様である。その上に第２誘電体層６として（ＺｎＳ）_８０-（ＳｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）からなる材料を膜厚１５ｎｍ形成した。更にその上に中間層７として（Ｃｒ）_８５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_１５(ａｔ％)からなる材料を膜厚０．５ｎｍ形成し、その後、反射層８としてＡｇＣａ(５００ｐｐｍ)Ｃｕ(１ｗｔ％)の材料からなるものを１２０ｎｍ形成した。その反射層８の上に紫外線硬化樹脂からなる保護層９を形成した後、０．６ｍｍ厚のダミー基板を貼り合せた構造のディスクを作製した。
以降の工程については、実施例１と同様である。
次に、実施例１と同様に線速７．０ｍ／ｓで固定パターンのデータを１０００回繰り返し記録したのち、ジッター特性の評価を行った。更にその記録されたデータの上に異なるパターンのデータを１回オーバーライトしたのち、ジッター特性の評価を行った。測定位置は中周で行ったが、内周や外周で行っても評価結果は同様であった。
評価結果を表２に示す。また、比較例として第１、第２界面層にＣｒ_２Ｏ_３を用いた以外は全く同様に作製したディスクの評価結果も示す。総合判定の基準は実施例１と同じである。

表２から明らかなように、第１もしくは第２界面層のどちらかをＣｒ−Ｔａ−Ｏにすることで、固定パターンのデータを１０００回繰り返し記録後、更に異なるパターンのデータを１回オーバーライトした後のジッター特性が格段に向上することが分かった。
更に固定パターンのデータを１０００回繰り返し記録後、更に異なるパターンのデータを１回オーバーライトした場合のジッター特性が良好な第１界面層のＴａ含有量は、２（ａｔ％）〜１４（ａｔ％）の範囲であり、更に、Ｔａ含有量を１４（ａｔ％）にすることで記録特性が得られる。一方、第２界面層の最適Ｔａ含有量は、更に２（ａｔ％）〜１４（ａｔ％）の範囲である。
また条件１３，１４のように第１界面層のＴａ含有量を１４（ａｔ％）として、第２界面層のＴａ含有量を７（ａｔ％）、１４（ａｔ％）とすることで、上記記録特性が向上していることがわかった。
以上のように、第１もしくは第２界面層のどちらかにＣｒ−Ｔａ−Ｏを用いることで、上記繰り返し記録特性を満足する相変化光記録媒体を得ることができる。更にＴａ量が２原子％以上１４原子％以下の範囲のＣｒ−Ｔａ−Ｏ界面層を選択することで、繰り返し記録特性を満足する界面層を得ることができる。すなわち、以下の組成比範囲のＣｒとＴａが存在していることが重要である。
２／３７≦Ｔａ／Ｃｒ≦１４／２０
また、同じ範囲の組成比をａとｂを用いてあらわすと以下のようになる。
Ｃｒ_ａＴａ_ｂ（０．０５≦ｂ/ａ≦０．７）

本実施例では、固定パターンのデータを１０００回繰り返し記録した後、更に異なるパターンのデータを１回オーバーライトした後のジッター特性が優れた界面層膜厚の検討として、実施例１同様に記録層組成としてＡｇ_２Ｉｎ_２Ｇｅ_３Ｓｂ_６８Ｔｅ_２５（ａｔ％）を用いて、更に第１界面層組成にＣｒ_２０Ｔａ_１４Ｏ_６６、第２界面層にＣｒ_３７Ｔａ_２Ｏ_６１を用いて、相変化光記録媒体を作製した。
相変化光記録媒体の作製方法は実施例１と同様であり、第１界面層の膜厚を０ｎｍから１５．０ｎｍまで変化させて、第２界面層の膜厚は２ｎｍと一定にした。
次に、実施例１と同様に線速７．０ｍ／ｓで固定パターンのデータを１０００回繰り返し記録した後、ジッター評価を行った。更に異なるパターンのデータを１回オーバーライトした後、ジッター評価を行った。測定位置は中周で行ったが、内周や外周で行っても評価結果は同様であった。
評価結果を表３に示す。総合判定の基準は実施例１と同じである。

表３から明らかなように、固定パターンのデータを繰り返し記録した場合のジッター特性は膜厚に大きく依存し、界面層が無い場合と厚すぎた場合はジッター特性が悪化する。この原因は、界面層が無い場合、保護層が記録層に隣接する為、保護層ＺｎＳのＳ成分が浸透し記録膜を劣化させ、界面層の膜厚が厚すぎた場合には、恐らく、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ系材料の熱膨張係数が大きいため、熱膨張によりレーザービームが照射された部分と、それ以外の部分の間に亀裂が生じ、結果として記録膜中に保護層材料が拡散してしまうためと考えられる。また、目標を満足する膜厚は０．２ｎｍ以上８ｎｍ以下であり、０．５ｎｍ以上２．５ｎｍ以下の場合、固定パターンのデータを繰り返し記録した後、更に異なるパターンのデータを１回オーバーライトした場合においても、９％以下の良好なジッターになることがわかった。

本発明の実施例に用いた光記録媒体の断面図である。

符号の説明

１ 基板
２ 第１誘電体層
３ 第１界面層
４ 記録層
５ 第２界面層
６ 第２誘電体層
７ 中間層
８ 反射層
９ 保護層

Claims (5)

1. 光レーザービームの照射により記録層に情報が記録される情報記録媒体において、基板上に少なくとも上記レーザービームが照射される側から順に、第１界面層、記録層、第２界面層が積層され、前記記録層には少なくとも以下の組成式であらわされる範囲のＳｂおよびＴｅが含有され、
   Ｓｂ_ｘＴｅ_ｙ ０．６≦ｘ／（ｘ＋ｙ）≦０．８
   かつ前記記録層に接した第１、第２界面層の少なくとも何れか一層にＣｒ、ＴａおよびＯが含有され、その膜厚が０．２ｎｍ以上８ｎｍ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
2. 前記記録層に少なくともＡｇ、Ｉｎ、Ｇｅのいずれかが含有されていることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
3. 前記記録層に少なくともＡｇとＩｎとＧｅが含有されていることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
4. 前記第１、第２界面層のうち、少なくとも第１界面層中のＣｒとＴａの組成比がＣｒ_ａＴａ_ｂ（０．０５≦ｂ/ａ≦０．７）から選択されることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
5. 請求項１に記載の情報記録媒体であって、第２界面層に含有されるＴａ含有比率と比較して、第１界面層のＴａ含有比率の方が大きいことを特徴とする情報記録媒体。
   
   

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