JP2006155847A - 光記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 (1)基板上に少なくとも、ZnSとSiO2の混合物からなる第一保護層、境界層、Sn、Sb、Ga及びGeを主成分とする相変化記録層、第二保護層、及び反射層をこの順に有し、20m/s以上の線速度で記録可能な書換え型光記録媒体において、境界層に含まれるSiとOの含有量が、第一保護層に含まれるSiとOの含有量よりも10〜60%多い事を特徴とする光記録媒体。
(2)相変化記録層が、更にIn、Te、Al、Zn、Se、Mg、Bi、Mn、C、N、Au、Ag、Cu、Co及び希土類元素から選択される少なくとも1種の添加元素を10原子%未満含有することを特徴とする(1)記載の光記録媒体。
【選択図】 図2
Description
特許文献2には、記録層と第1誘電体層の間に酸化物よりなる層を設けた光記録媒体が開示されており、酸化物よりなる層は、周期律表の第3周期の2A族〜4B族、第4周期の2A族〜4B族、第5周期の2A族〜4B族、第6周期の2A族〜5B族から選ばれる元素の酸化物を主成分とし、特に、酸化ジルコニウムを主成分とするか、又は、酸化ジルコニウムを主成分とし、ベリリウムを除く周期律表の2A族もしくは3A族元素の酸化物を2〜30モル%含有し、その膜厚は0.5〜10nmとすることが記載されている。
特許文献4〜5には、基板上に、少なくとも記録層に接する接触層1及び記録層がこの順で積層されている光記録媒体であって、接触層1が種々の元素の酸化物又は炭化物からなる光記録媒体が開示されている。
特許文献6には、記録層の片側又は両側に記録層に接して硫化物を含まない材料からなる境界層を設けた光記録媒体が開示されており、境界層は窒化物、酸化物、炭化物のうち少なくとも1種、特に、窒化ゲルマニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化クロム、炭化シリコン、炭素のうちの少なくとも1種を含有し、記録層は少なくともSbとTeを含むことが記載されている。
特許文献8には、第1保護層と記録層の間に熱拡散抑制層を有し、熱拡散抑制層の熱伝導率をKM、第1保護層の熱伝導率をK1としたとき、KM<K1である光記録媒体が開示されており、熱拡散抑制層が、SiO2、Al2O3とTiO2の混合物、ZrO2、ZrO2とY2O3の混合物、又はZrO2とY2O3とTiO2の混合物を主成分として含む材料からなることも記載されている。
上記のように特許文献1〜9には、本発明の特徴である第一保護層と記録層の境界部分に、Si又はOを含む窒化物、酸化物、炭化物、或いはこれらの混合物などからなる層を新たに設け、繰り返し記録特性を改善する方法を多数例示しているが、本発明者らの知見によれば、発明の効果が不充分である実施例が多い。また、境界部分に含まれるSi又はOの含有量や、繰り返し記録特性の改善に効果がある記録材料の選択、及び層構成については明記されていない。
このような相変化光ディスクは、一般的にレーザ光の走査を案内する凹状の案内溝が形成された光透過性基板上に、少なくとも第一保護層、非晶質相と結晶相の可逆的相変化をする相変化記録層、第二保護層、金属からなる反射層がこの順に設けられ、更に反射層上に樹脂保護層が設けられた構造となっている。また、貼り合わせ型光ディスクの場合には前記構造を一方に用いるか、又は両方に用いて、接着層を介して貼り合わせた構造となっている。
光記録媒体をモーター等の手段により線速度一定或いは回転速度(角速度)一定で回転させ、この媒体の相変化記録層上に強度変調した集束レーザ光を照射する。このとき相変化記録層はレーザ光の照射条件により結晶/非晶質間で相状態が変化し、その相状態の差として形成されたパターンが信号パターンとなる。また再生は相状態の違いにより生じた反射率差を検出することで行われている。
集束レーザ光の強度変調は3つの出力レベル間で行われる。この際、最も高い出力レベル(以下、記録パワーと称する)は相変化記録層の溶融に使用される。中間の出力レベル(以下、消去パワーと称する)は融点直下で結晶化温度よりも高い温度まで相変化記録層を加熱するのに使用される。そして最も低いレベルは相変化記録層の加熱又は冷却の制御に使用される。
記録パワーのレーザ光により溶融した相変化記録層は、続く急冷により非晶質ないしは微結晶となって反射率の低下が起こり、記録マーク(非晶質マーク)となる。また、消去パワーのレーザ光では全て結晶質となり消去が可能となる。このように、3つの出力レベル間でレーザ光を強度変調することにより、相変化記録層上に交互に結晶領域と非晶質領域が形成され、情報が記憶される。
しかしながら、本発明者らが前記Ga−Sb−Sn−Ge系の相変化材料を用いてDVD8倍速相当の高速記録を行ったところ、記録感度が悪く、また、感度不足を補うために記録パワーを高くして記録を行ったところ、繰り返し記録特性が劣化してしまう不具合が生じた。
記録感度や繰り返し記録特性が劣化する原因は、次のように考えられる。
即ち、高速記録においては記録層の加熱・急冷をより短時間で制御する必要があり、そのため記録層に照射する発光パルスのパルス幅が狭くなるため、記録時に一層高い記録パワーが必要となる(即ち、記録感度が悪くなる)。何故ならばパルス幅を広くすると冷却に必要なパルスを発光させない時間が短くなり、非晶質マークの面積及び長さが小さくなって、所望の長さのマークを形成し難くなるからである。その結果、記録感度が悪くなる。そして一方で、このような感度不足を補うために記録パワーを高くすると、マーク形成に必要な急冷構造が実現され難くなり、充分な記録特性が得られないばかりか、高記録パワーによって保護層がダメージを受け、結果として繰り返し記録特性が劣化する。
しかしながら、本発明が目標とするDVD6倍速以上(具体的にはDVD8倍速においても)の記録が可能な高速記録用光記録媒体に特に適切と考えられる、Ga−Sb−Sn−Ge系の相変化材料を用いて、同様にZrO2を主成分とする境界層を設け繰り返し記録特性の改善を試みたところ、特性は逆に悪化してしまうことが分った。即ち、以前の調査では、Ag−In−Sb−Te−Ge系の光記録媒体にはZrO2を主成分とする境界層を設ける構成が効果的であったという事実と、今回の研究で判明した記録材料が異なることにより改善効果が失われてしまうという事実から、記録材料と境界部の特性には特定の関係があり、適切な条件/組み合せを用いなければ繰り返し記録特性の改善は得られないことが明らかになった。即ち、第一保護層と記録層の境界部の構造を、選択する記録材料によって、適宜、最適化しなければならない事が明らかになった。
従って本発明は、線速度20m/s(DVD6倍速相当)以上の記録速度においても記録可能で、かつ、繰り返し記録特性や保存信頼性の劣化のない、高速書換え型光記録媒体の提供を目的とする。
1) 基板上に少なくとも、ZnSとSiO2の混合物からなる第一保護層、境界層、Sn、Sb、Ga及びGeを主成分とする相変化記録層、第二保護層、及び反射層をこの順に有し、20m/s以上の線速度で記録可能な書換え型光記録媒体において、境界層に含まれるSiとOの含有量が、第一保護層に含まれるSiとOの含有量よりも10〜60%多い事を特徴とする光記録媒体。
2) 境界層の膜厚範囲が、0.5〜6nmであることを特徴とする1)記載の光記録媒体。
3) 相変化記録層が、更にIn、Te、Al、Zn、Se、Mg、Bi、Mn、C、N、Au、Ag、Cu、Co及び希土類元素から選択される少なくとも1種の添加元素を、10原子%未満含有することを特徴とする1)又は2)記載の光記録媒体。
4) 第二保護層が、ZnSとSiO2の混合物からなることを特徴とする1)〜3)の何れかに記載の光記録媒体。
5) 反射層が、Ag又はAgを主成分とする合金からなることを特徴とする1)〜4)の何れかに記載の光記録媒体。
6) 第二保護層と反射層の間に第三保護層(硫化防止層)を有することを特徴とする5)記載の光記録媒体。
7) 第一保護層の膜厚が40〜200nm、記録層の膜厚が6〜20nm、第二保護層の膜厚が2〜20nm、反射層の膜厚が100〜300nmであり、第三保護層を有する場合には、その膜厚が0.5〜8nmであることを特徴とする1)〜6)の何れかに記載の光記録媒体。
8) 溝ピッチ0.74±0.03μm、溝深さ22〜40nm、溝幅0.2〜0.4μmの蛇行溝を有する基板を有し、DVD3〜10倍速の記録速度で記録可能であることを特徴とする1)〜7)の何れかに記載の光記録媒体。
本発明の課題の項で述べた知見を基に、本発明者らがDVD6倍速以上(具体的にはDVD8倍速相当)の高速記録に特に適切であるとみて選択したGa−Sb−Sn−Ge系の記録材料と、第一保護層との境界部分の構造について、繰り返し記録特性の改善という観点から鋭意研究を行ったところ、第一保護層と記録層の境界部分に含まれるSiとOの含有量が、第一保護層に含まれる含有量よりも10〜60%多くなっている事が重要な因子となっていることを突き止め、このような構成を有する光記録媒体であれば、高速記録時の繰り返し記録特性を改善できることを見出し、本発明を完成するに至った。
オージェ電子分光法は薄膜分析に特に有効な手段であり、イオンミリングにより薄膜を浸食しながら深度プロファイルを測定する事で、薄膜の組成や、従って薄膜の深さ方向の組成変化を観察することが可能である。
測定条件は、アルバック・ファイ製オージェ電子分光装置SAM−660を用い、加速電圧:10kV、ビーム電流:50nA、Tilt:30°、イオン銃加速電圧:1kV、ラスタースキャン:3mm×3mmとした。
図1においては、第一保護層と記録層(構成材料の代表としてSbのみを示してある)の境界部で、SiとOの含有量が第一保護層の含有量*よりも30〜40%程度増加する様子が観察されている。(*通常、スパッタ初期はサンプル処理中に表面吸着した汚染物質などの影響でグラフが安定しないため、第一保護層のS及びOの含有量は、グラフがある程度一定となった時の値とする)
SiとOが第一保護層よりも多く含まれる膜厚範囲は、本発明2で規定する0.5〜6nmであることが好ましい。厚さが0.5nm未満では、境界層を設けた効果が得られない恐れがある。また6nmを超えると、光記録媒体の光学的及び熱的な特性が劣化し特性に影響を与えるため好ましくない。より好ましい厚さは2〜4nmである。
第一の主要構成元素であるSbは、構成材料中のSb比を変化させることにより結晶化速度を調整することが可能であり、比率を高くすることにより結晶化速度を高速化できるため、高速記録の実現には不可欠な非常に優れた相変化材料である。しかし、Sb単独でDVD6倍速以上(具体的にはDVD8倍速相当)の速い結晶化速度を実現することは困難なため、繰り返し記録特性や保存信頼性を損なわずに結晶化速度を向上させる第二の主要構成元素としてGaが必須となる。Gaは少ない添加量でアモルファス状態への変化を容易にして記録し易くし、また相変化材料の結晶化温度を高める効果を有するため、マークの安定性にも効果的な元素である。
第三の主要構成元素であるSnは高速結晶化に必須とされる元素であり、また反射率の向上に対し非常に効果的に作用する元素である。
そして第四の主要構成元素であるGeは、少量の添加で保存信頼性が飛躍的に向上するため、構成元素として特に不可欠な元素となっている。
また、組成式をGaαSbβSnγGeδ(但し、α、β、γ、δは原子%、α+β+γ+δ=100)として、2≦α≦20、40≦β≦80、5≦γ≦25、2≦δ≦20の範囲にあるものが特に好ましい。
Snが5原子%未満では融点が高くなり感度が悪くなるし、Snが25原子%を超えると結晶化速度が速くなりすぎアモルファス化が困難となるため好ましくない。またSbが40原子%未満では融点が高くなり記録感度が悪化するし、Sbが80原子%を超えると保存信頼性が劣化するので好ましくない。またGa及びGeについては、2原子%未満では保存信頼性が劣化するし、20原子%を超えると結晶化温度が高くなりすぎ、初期化が困難となるので好ましくない。
InはGaと同様の効果を持ち、またGaほど結晶化温度を高くしないというメリットがあるため、初期化の問題を考慮した場合、Gaを補う元素として用いると有効である。しかし、Inの過剰な添加は繰り返し記録特性を低下させ、また反射率低下、再生光劣化を引き起すため、10原子%未満とすることが好ましい。
In以外に、Bi、Al、Se、Mg、Mn及びDy等に代表される希土類元素も記録特性を改善する効果がある。これらの元素のうちSbと同じ価数を取り易いIn、Biはより好ましい。しかし添加量が多すぎると再生光劣化や初期ジッターの劣化を引き起すため、組成範囲は何れも10原子%未満である必要がある。また、このうちMnは、Ge添加量をそれほど増やす必要のない保存信頼性にも優れた添加元素であり、好ましいMn添加量は1〜5原子%である。1原子%より少ないと結晶化速度を速くする効果が現われず、5原子%を超えると反射率が低くなり好ましくない。
保存信頼性に関してはMn以外に、Te、Znの添加によっても改善できる。またSe、C、Nには記録感度を改善する効果がある。
しかしながら、これらの添加元素は一方で結晶化速度を低下させ、高速記録特性を妨げる特性も備えている。そのため合計添加量の上限は5原子%が好ましい。一方少なすぎると添加効果が不明瞭となってしまうため、下限は0.1原子%が好ましい。
記録層の膜厚は6〜20nmとすることが好ましい。6nmよりも薄いと繰り返し記録による記録特性の劣化が著しく、また20nmよりも厚いと、繰り返し記録による記録層の移動が起こり易くジッター増加が激しくなるためである。また、結晶とアモルファスの吸収率差をなるべく小さくして消去特性を向上させるためには、記録層の厚さは薄い方が好ましく、より好ましい膜厚は8〜17nmである。
第一保護層及び/又は第二保護層には、ZnSとSiO2の混合物を用いることが好ましい。この材料は耐熱性、低熱伝導率性、化学的安定性に優れているので保護層として適切であり、膜の残留応力が小さく、記録/消去の繰り返しによっても記録感度、消去比などの特性劣化が起き難いので好ましい。
第一保護層の膜厚は、熱的及び光学的条件から最適な範囲が選定されるが、好ましくは40〜200nm、より好ましくは40〜90nmである。
第二保護層の膜厚は、2〜20nmの範囲が好ましい。記録層の冷却に関係し直接的な影響が大きいため、良好な消去特性・繰り返し記録耐久性を得るために2nm以上は必要であり、これより薄いとクラック等の欠陥を生じ、繰り返し記録耐久性が低下するほか、記録感度が悪くなるため好ましくない。また20nmを超えると記録層の冷却速度が遅くなるためマークが形成し難くなり、マーク面積は小さくなってしまうので好ましくない。
反射層の膜厚は通常100〜300nmとする。100nmよりも薄いと反射層としての機能を十分に発揮できないため好ましくなく、300nmより厚いと生産性の低下や、「ディスクのそり」などの機械特性の低下を生じるため好ましくない。
また反射層が純Ag又はAgを主成分とする合金からなる場合には、ZnSとSiO2の混合物のような硫黄を含む材料を第二保護層に用いると、硫黄がAgと反応して反射層を腐食し、光記録媒体の欠陥の原因となってしまう。従って硫黄を含まない第三保護層(硫化防止層)を新たに用いることが前提となる。このようなAgの硫化反応を防止する第三保護層は、(1)Agの硫化反応を防ぐバリヤ能力があること、(2)レーザー光に対し光学的に透明であること、(3)熱伝導率が低いこと、(4)保護層や金属反射層との密着性が良いこと、(5)形成が容易であること、等の観点から選定される。構成材料としては上記要件を満たす酸化物、炭化物及び窒化物が好ましい。
第三保護層の膜厚は0.5〜8nmの範囲が好ましい。0.5nmよりも薄いと、均一な膜を形成し難く、硫化防止層としての機能を十分に発揮できないし、8nmよりも厚いと、記録特性が劣化するため好ましくない。
また本実施例及び比較例においては、境界層に含まれるSiとOの含有量を増加させる手段として、第一保護層上にSiO2膜を直接積層する手段を選択しているが、境界層に含まれるSiとOの含有量が、第一保護層に含まれる含有量よりも10〜60%多い構成とすることが出来さえすれば、その手段は問わない。
図2に実施例及び比較例で作成した相変化光ディスク(以下、光ディスクと略記する)の概略断面図を示す。レーザー光の案内溝が設けられた透明な基板1の上面に、第一保護層2、境界層3、相変化記録層4、第二保護層5、第三保護層6、反射層7、樹脂保護層8を備え、最後に同様な貼り合せ用基板9を貼り合わせた層構成である。
直径12cm、厚さ0.6mmのポリカーボネート製基板1の上に、スパッタリング法により、厚さ60nmのZnS(80モル%)−SiO2(20モル%)からなる第一保護層2を形成し、その上にSiO2ターゲットを直接スパッタリングすることで境界層3を形成した。次いで、厚さ16nmのGa5Sb70Sn17Ge8からなる相変化記録層4、厚さ7nmのZnS(80モル%)−SiO2(20モル%)からなる第二保護層5、厚さ4nmのTiO2(70wt%)−TiCからなる第三保護層6、厚さ200nmのAgからなる反射層7をこの順に成膜し、その上をスピンコート法により樹脂保護層8(大日本インキ化学工業社製SD318)でコートし、最後に基板1と同一の直径12cm、厚さ0.6mmのポリカーボネート製貼り合せ用基板9を貼合わせて光ディスクを作製した。このとき同様にして作製した光ディスクの深度プロファイル結果から、境界層のSi及びOの含有量増加分は30%程度であり、また、境界層の膜厚はおよそ2nmであることが分った。
記録特性の評価は、波長660nm、NA0.65のピックアップを有する光ディスク評価装置(パルステック社製DDU−1000)を用いて、記録線速度28m/s(DVDの8倍速に相当)、線密度0.267μm/bitの条件で、EFM+変調方式により3T〜14Tのランダムパターンを同一トラックに1000回記録(以下DOW1000と表記)し、ジッター特性(σ)を評価した。
なお、ジッターσ(%)とは、基準クロックに対するアモルファスマークとスペースとの境界の時間的な「ずれ」をガウス分布で表した時の標準偏差を意味する。ジッターが小さい程、特性は良い。
また一部のサンプルについては、上記ディスクを80℃85%RH恒温槽に300時間放置した後、再び記録特性を評価することにより、保存信頼性の評価も行った。
評価結果を表1に示した。なお、後述する実施例2〜10及び比較例1〜2の評価結果も纏めて表1に示した。また、表中の保存信頼性の欄の「−」は評価を行わなかったことを意味する。
書換え型の相変化光ディスクシステムを実現する場合、前記ジッターは10%以下であることが必要であり、9%以下であれば安定したシステムが実現できる。そこで、DOW1000ジッターが10%を超える場合を「×」、9%を超えるが10%以下の場合を「○」、9%以下の場合を「◎」として評価した。
実施例1の光ディスクは、DVD8倍速記録においても記録特性が良好で、かつ繰り返し記録特性の劣化がないことが分った。また、上記ディスクを80℃85%RH恒温槽に300時間放置した後、再び記録特性を評価したが、試験前と変わらない良好な記録特性が得られた。
ZnSとSiO2の別々のターゲットでコスパッタリング法により第一保護層2を形成した後、SiO2の放電ガス(Ar)圧を高くすることにより境界層3を形成した点以外は、実施例1と同様にして光ディスクを作製した。このとき同様にして作製した光ディスクの深度プロファイル結果から、境界層のSi及びOの含有量増加分は10%であり、また、境界層の膜厚は2nmであることが分った。実施例2の光ディスクの記録特性を評価したところ、実施例1に比べて繰り返し記録後のジッターが全体的に1.0%程度上昇したが、良好な繰り返し記録特性を有する光ディスクであった。
境界層3を形成する際のSiO2ターゲットの印加電圧を変更(高く)した点以外は、実施例1と同様にして光ディスクを作製した。このとき同様にして作製した光ディスクの深度プロファイル結果から、境界層のSi及びOの含有量増加分は60%であり、また、境界層の膜厚は2nmであることが分った。実施例3の光ディスクの記録特性を評価したところ、実施例1に比べ、繰り返し記録後のジッターが全体的に0.5%程度上昇したが、良好な繰り返し記録特性を有する光ディスクであった。
境界層3のスパッタ時間(成膜時間)を短くした点以外は、実施例1と同様にして光ディスクを作製した。このとき同様にして作製した光ディスクの深度プロファイル結果から、境界層のSi及びOの含有量増加分は30%であり、また、境界層の膜厚は0.5nmであることが分かった。実施例4の光ディスクの記録特性を評価したところ、実施例1に比べ繰り返し記録後のジッターが全体的に1.0%程度上昇したが、良好な繰り返し記録特性を有する光ディスクであった。
境界層3のスパッタ時間(成膜時間)を長くした点以外は、実施例1と同様にして光ディスクを作製した。このとき同様にして作製した光ディスクの深度プロファイル結果から、境界層のSi及びOの含有量増加分は30%であり、また、境界層の膜厚は6nmであることが分った。実施例5の光ディスクの記録特性を評価したところ、実施例1に比べ繰り返し記録後のジッターが全体的に1.0%程度上昇したが、良好な繰り返し記録特性を有する光ディスクであった。
相変化記録層4を、Ga3Sb70Sn17Ge8Ag2に変えた点以外は、実施例1と同様にして光ディスクを作製し評価を行った。このとき同様にして作製した光ディスクの深度プロファイル結果から、境界層のSi及びOの含有量増加分は30%程度であり、また、境界層の膜厚はおよそ2nmであることが分った。実施例1に比べ、繰り返し記録後のジッターが全体的に0.5%程度上昇したが、良好な繰り返し記録特性を有する光ディスクであった。また、上記ディスクを80℃85%RH恒温槽に300時間放置した後、再び記録特性を評価したが、試験前と変わらない良好な記録特性が得られた。
相変化記録層4を、Ga3Sb70Sn17Ge8Cu2に変えた点以外は、実施例1と同様にして光ディスクを作製し評価を行った。このとき同様にして作製した光ディスクの深度プロファイル結果から、境界層のSi及びOの含有量増加分は30%程度であり、また、境界層の膜厚はおよそ2nmであることが分った。実施例1に比べ、繰り返し記録後のジッターが全体的に1.0%程度上昇したが、良好な繰り返し記録特性を有する光ディスクであった。また、上記ディスクを80℃85%RH恒温槽に300時間放置した後、再び記録特性を評価したが、試験前と変わらない良好な記録特性が得られた。
相変化記録層4をGa5Sb70Sn15Ge8Bi2に変えた点以外は、実施例1と同様にして光ディスクを作製し評価を行った。このとき同様にして作製した光ディスクの深度プロファイル結果から、境界層のSi及びOの含有量増加分は30%程度であり、また、境界層の膜厚はおよそ2nmであることが分った。実施例1に比べ、繰り返し記録後のジッターが全体的に1.0%程度上昇したが、良好な繰り返し記録特性を有する光ディスクであった。また、記録線速度35m/s(DVDの10倍速に相当)の記録においても良好な特性が得られた。
相変化記録層4を、Ga5Sb70Sn15Ge8Mn2に変えた点以外は、実施例1と同様にして光ディスクを作製し評価を行った。このとき同様にして作製した光ディスクの深度プロファイル結果から、境界層のSi及びOの含有量増加分は30%程度であり、また、境界層の膜厚はおよそ2nmであることが分った。実施例1に比べ、繰り返し記録後のジッターが全体的に0.5%程度上昇したが、良好な繰り返し記録特性を有する光ディスクであった。また、上記ディスクを80℃85%RH恒温槽に300時間放置した後、再び記録特性を評価したが、試験前と変わらない良好な記録特性が得られた。
相変化記録層4を、Ga5Sb70Sn15Ge8Co2に変えた点以外は、実施例1と同様にして光ディスクを作製し評価を行った。このとき同様にして作製した光ディスクの深度プロファイル結果から、境界層のSi及びOの含有量増加分は30%程度であり、また、境界層の膜厚はおよそ2nmであることが分った。実施例1に比べ、繰り返し記録後のジッターが全体的に0.5%程度上昇したが、良好な繰り返し記録特性を有する光ディスクであった。また、上記ディスクを80℃85%RH恒温槽に300時間放置した後、再び記録特性を評価したが、試験前と変わらない良好な記録特性が得られた。
境界層3を形成する際のSiO2ターゲットの印加電圧を調整した点以外は、実施例1と同様にして光ディスクを作製し評価を行った。このとき同様にして作製した光ディスクの深度プロファイル結果から、境界層のSi及びOの含有量増加分は80%であり、また境界層の膜厚は2nmであることが分った。比較例1の記録特性を評価したところ、繰り返し記録特性の改善効果は見られず、全体的な記録特性も劣化してしまうことが分った。
境界層3を形成する際のSiO2ターゲットの放電ガス圧を調整した点以外は、実施例2と同様にして光ディスクを作製し評価を行った。このとき同様にして作製した光ディスクの深度プロファイル結果から、境界層のSi及びOの含有量増加分は5%であり、また境界層の膜厚は2nmであることが分った。比較例2の記録特性を評価したところ、実施例1に比べ、繰り返し記録特性は改善されなかった。
2 第一保護層
3 境界層
4 相変化記録層
5 第二保護層
6 第三保護層
7 反射層
8 樹脂保護層
9 貼り合せ用基板
Claims (8)
- 基板上に少なくとも、ZnSとSiO2の混合物からなる第一保護層、境界層、Sn、Sb、Ga及びGeを主成分とする相変化記録層、第二保護層、及び反射層をこの順に有し、20m/s以上の線速度で記録可能な書換え型光記録媒体において、境界層に含まれるSiとOの含有量が、第一保護層に含まれるSiとOの含有量よりも10〜60%多い事を特徴とする光記録媒体。
- 境界層の膜厚範囲が、0.5〜6nmであることを特徴とする請求項1記載の光記録媒体。
- 相変化記録層が、更にIn、Te、Al、Zn、Se、Mg、Bi、Mn、C、N、Au、Ag、Cu、Co及び希土類元素から選択される少なくとも1種の添加元素を、10原子%未満含有することを特徴とする請求項1又は2記載の光記録媒体。
- 第二保護層が、ZnSとSiO2の混合物からなることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の光記録媒体。
- 反射層が、Ag又はAgを主成分とする合金からなることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の光記録媒体。
- 第二保護層と反射層の間に第三保護層(硫化防止層)を有することを特徴とする請求項5記載の光記録媒体。
- 第一保護層の膜厚が40〜200nm、記録層の膜厚が6〜20nm、第二保護層の膜厚が2〜20nm、反射層の膜厚が100〜300nmであり、第三保護層を有する場合には、その膜厚が0.5〜8nmであることを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の光記録媒体。
- 溝ピッチ0.74±0.03μm、溝深さ22〜40nm、溝幅0.2〜0.4μmの蛇行溝を有する基板を有し、DVD3〜10倍速の記録速度で記録可能であることを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載の光記録媒体。
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