JP2008217957A - 光情報記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】反射率（初期反射率）が高く、高Ｃ／Ｎ比を有し、さらには低ジッター値を有する光情報記録媒体用記録層（記録膜）、該記録層を備えた光記録媒体及び該記録層形成用スパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】レーザー光の照射によって記録マークが形成される記録層であって、該記録層は、Ｎｉ、Ｃｏから選ばれる１種類以上の元素を２０〜６５原子％含有するＩn合金、さらにこれにＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ 、Ｓｉから選ばれる１種類以上の元素を１９原子％以下含有するＩn合金からなることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。
【選択図】図１
【解決手段】レーザー光の照射によって記録マークが形成される記録層であって、該記録層は、Ｎｉ、Ｃｏから選ばれる１種類以上の元素を２０〜６５原子％含有するＩn合金、さらにこれにＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ 、Ｓｉから選ばれる１種類以上の元素を１９原子％以下含有するＩn合金からなることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。
【選択図】図１
Description
本発明は、光情報記録媒体（特に青色レーザーを用いた追記型光ディスク）用の記録層と光情報記録媒体、並びに光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲットに関するものである。
青色レーザーを用いた追記型光ディスクにおいて、大別して有機色素材料と無機材料薄膜が、記録層として検討されている。有機色素は、CD-RやDVD-Rなど赤色レーザーを使用する既存光ディスクにおいて実績があるものの、青色レーザーで記録出来る有機色素は、耐光性の面で問題があることから、特にBD-Rにおいては、無機材料薄膜が主に検討されている。
記録方式としては、レーザー照射によって、無機材料薄膜が、１）相変化する方式、２）孔を開ける方式、３）層間反応する方式、などが知られている。
相変化する方式としては、記録膜として酸化物や窒化物が検討され、例えば、特許文献１では、Te-O-M(Mは金属元素、半金属元素及び半導体元素から選ばれる少なくとも１種の元素)が提案されている。
次に、孔を開ける方式としては、記録膜として、低融点金属材料が検討され、例えば、特許文献２では、Sn合金に3B族、4B族、5B族を添加した合金、特許文献３では、A(=Si, Sn)-M(=Al, Ag, Au, Zn, Yi, Ni, Cu, Co, Ta, Fe, W, Cr, V, Ga, Pb, Mo, In, Te)合金［但しMの比率は0.02-0.8（原子比）］などがそれぞれ提案されている。
また、層間反応する方式としては、例えば、特許文献４では、第一記録層In-O-(Ni,Mn,Mo)、第二記録層Se and/or Te-O-(Ti,Pd,Zr)、特許文献５では、第一記録層In主成分とする金属、第二記録層5Bもしくは6B含む酸化物以外の金属あるいは半金属などがそれぞれ提案されている。
酸化物を記録膜として用いた場合、記録膜単独での反射率が低く、ディスク状態での反射率を高めるため反射膜が必要となり、かつ変調度を増加させるために記録膜上下にZnS-SiO2など誘電体膜を設ける必要があり、ディスクを構成する膜総数が多くなってしまう。また、層間反応する方式では記録層自体が複数の薄膜で形成されることから、膜総数が多くなってしまう問題が残る。
一方、低融点金属薄膜に孔を開ける方式は、記録膜単独での反射率が高く、かつ、孔開けによって変調度も大きく取れることから、ディスクを構成する膜総数を少なくする観点からは、有利な方式である。但し、一般的に金属薄膜は、酸化物や窒化物に比べ、高温高湿下での耐久性に劣るため、合金化によって各種改善が検討されているが、合金化によって反射率は低下し、ディスク特性も変化することから、各種特性のバランス取りが問題となる。
特許第３６３８１５２号公報
特開２００２−２２５４３３号公報
米国特許公開２００４／０２４１３７６号明細書
特開２００３−３２６８４８公報
特許第３４９９７２４号公報
本発明は、上述の従来技術の問題点を解消し反射率（初期反射率）が高く、高Ｃ／Ｎ比を有し、さらには低ジッター値を有する光情報記録媒体用記録層（記録膜）、該記録層を備えた光記録媒体及び該光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲットを提供することをその課題としてなされたものである。
すなわち、請求項１に係る本発明は、レーザー光の照射によって記録マークが形成される記録層であって、該記録層は、Ｎｉ、Ｃｏから選ばれる１種類以上の元素を２０〜６５原子％含有するＩn合金からなることを特徴とする光情報記録媒体用記録層である。
また、請求項２に係る本発明は、前記記録層は、さらにＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ 、Ｓｉから選ばれる１種類以上の元素を１９原子％以下（０原子％を含まない）含有するＩn合金からなることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体用記録層である。
さらに、請求項３に係る本発明は、前記請求項１〜２のいずれかに記載の記録層を備えてなる光情報記録媒体である。
加えて、請求項４に係る本発明は、Ｎｉ、Ｃｏから選ばれる１種類以上の元素を２０〜６５原子％含有するＩn合金からなることを特徴とする光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲットである。
そして、さらにＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｓｉから 選ばれる１種類以上の元素を１９原子％以下（０原子％を含まない）含有するＩn合金からなることを特徴とする請求項４に記載の光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲットである。
本発明によれば、反射率（初期反射率）が高く、高Ｃ／Ｎ比を有し、さらには低ジッター値を有する優れた特性を備えた光情報記録媒体用記録層及び光情報記録媒体を提供することができる。特にディスク構成の総膜数が少ない有利な記録方式である孔開け方式を採用する青色レーザーを用いた追記型光ディスクとして最適である。また、本発明によれば、上記記録層及び光情報記録媒体の作製に有効なスパッタリングターゲットを提供することができる。
本発明者らは、次世代の青色レーザを用いた良好な記録感度を持つ孔開け方式の記録膜開発を目指し、鋭意、実験、検討を重ねた結果、基金属元素として低融点かつ環境負荷の小さいＩｎに着目し、これにＮｉ、Ｃｏを適量含有させることにより、さらに加えてＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ，Ｓｉを適量含有させることにより、前記の課題を有利に解決することを知見し、ここに本発明を完成させるに至った。
図１は本発明の典型的な実施形態（及び後述の実施例）に係る光ディスクの模式構造を表した断面図である。ここにおいて、１は基板、２は記録層および３は光透過層を示している。
以下、本発明の上記記録層２において、主成分（基金属）としてＩｎを選定した理由、またこのＩｎにＮｉ、ＣｏさらにはＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ，Ｓｉを含有させたＩｎ合金を用いる理由についてその成分範囲の規定を含めて述べる。
まず、Ｉｎを主成分として用いるのは、Ｉｎが、従来用いられている例えばＡｌ，Ａｇ，Ｃｕなどの他の金属に比べて融点が格段に低い（融点：約１５６．６℃）ため、Ｉｎ合金の薄膜が容易に溶融、変形し、低いレーザーパワーでも容易に優れた記録特性を発揮することができるからである。また、特に、青色レーザーを使用する次世代型光ディスクへの適用を考えた場合には、Ａｌ基合金などでは記録マークの形成が困難となる恐れがあるが、Ｉｎ基合金ではこの様な心配は全くないからである。そして、このＩｎの含有量は上記記録特性を十分に発揮させるには３０原子％以上とすることが好ましく、またより好ましくは４５原子％以上、特に好ましくは５０原子％以上とする。
次に、本発明では、ＩｎにＮｉ、Ｃｏの１種以上を２０〜６５原子％含有させることによって、高反射率を維持しながら、８Ｔ信号の高Ｃ／Ｎが実現できる。なお、この詳細なメカニズムは明確ではないが、ＮｉやＣｏの含有によって、超表面平滑性、微細組織、表面張力調整が同時に実現されるものと推定される。
Ｎｉ、Ｃｏの含有量２０原子％未満では、記録膜の超表面平滑性が実現出来なくなるためメディアノイズが高くなってしまうことから高Ｃ／Ｎが得られず、好ましくない。また、６５原子％を超えると、Ｉｎの低融点の特徴を大きく損ない、記録感度が劣化（高Ｃ／Ｎを得るための記録レーザーパワーが増大）するため好ましくない。
なお、ジッターの観点では、ＮｉもしくはＣｏの単独添加より、ＮｉとＣｏの複合添加の方が望ましい。
一方、ＮｉやＣｏ以外の添加元素として、Ｐｔ、Ａｕでは、記録膜の超表面平滑性に効果を発揮するものの、添加によってＮｉやＣｏの添加に比べ反射率が極端に低下するため、十分な反射率を確保できなくなる。Ｖでは、反射率は確保出来るものの、ＮｉやＣｏの添加に比べ、記録膜の超表面平滑性などに劣り、十分な高Ｃ／Ｎが実現出来ない。
さらに、上記のようにＩｎにＮｉ、Ｃｏの1種以上を２０〜６５原子％含有させた上で、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ 、Ｓｉの一種以上を１９原子％以下含有させることによって、ジッター値を低減することが出来る。なお、このメカニズムは必ずしも明らかではないが、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ 、Ｓｉは、融点を上げずに低熱伝導率化による横方向の熱の滲み抑制を実現していると推察される。
本発明の記録層の膜厚は、記録層上下に金属、半金属、誘電体などの他の層を挿入することによって最適値は変動するが、記録層単層で使用する場合は、８〜２５ｎｍ、さらに好ましくは、１０〜２０ｎｍが好ましい。
上記In合金からなる記録層は、ディスク面内での膜厚分布を均一に制御しやすい点から、スパッタリング法によって形成するのがよい。
本発明に係る上記記録層を形成するために用いるスパッタリングターゲットの組成は、上述した記録層の合金組成と基本的に同一であり、先にIn合金として記載した合金組成に調整することで、所望の成分組成を容易に実現できる。
なお、スパッタリングターゲットは、真空溶解法などによって製造されるが、その製造に当たっては、雰囲気中のガス成分（窒素、酸素など）や溶解炉成分が微量ながら不純物としてスパッタリングターゲット中に混入することがある。しかし、本発明の記録層やスパッタリングターゲットの成分組成は、それら不可避に混入してくる微量成分まで規定するものではなく、本発明の上記特性が阻害されない限り、それら不可避不純物の微量混入は許容される。
以下では、本発明の実施例および比較例について説明する。なお、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。
１）光ディスクの作製方法
基板１としてポリカーボネート基板（厚さ：１．１ｍｍ、トラックピッチ：０．３２μｍ、溝幅：０．１４〜０．１６μｍ、溝深さ：２５ｎｍ）を用い、ＤＣマグネトロンスパッタリング法によって記録層２を形成した。スパッタリングターゲットとしては、直径６インチのＩｎターゲット上に添加元素のチップ（５ｍｍ角もしくは１０ｍｍ角）を置いた複合ターゲットを用いた。膜組成は、ICP発光分析法またはICP質量分析法で測定した。
１）光ディスクの作製方法
基板１としてポリカーボネート基板（厚さ：１．１ｍｍ、トラックピッチ：０．３２μｍ、溝幅：０．１４〜０．１６μｍ、溝深さ：２５ｎｍ）を用い、ＤＣマグネトロンスパッタリング法によって記録層２を形成した。スパッタリングターゲットとしては、直径６インチのＩｎターゲット上に添加元素のチップ（５ｍｍ角もしくは１０ｍｍ角）を置いた複合ターゲットを用いた。膜組成は、ICP発光分析法またはICP質量分析法で測定した。
スパッタ条件は、到達真空度：３×１０−６Ｔｏｒｒ以下、Ａｒガス圧：２ｍTｏｒｒ
、ＤＣスパッタ成膜パワー：１００Ｗとした。膜厚は、BD-Rディスクの未記録状態のSUM2信号（反射率と相関ある出力信号）レベルが２８０ｍＶ以上を確保出来る膜厚となるよう１２〜２１ｎｍの範囲で調整した（なお、比較例の合金では、２８０ｍＶ以上確保出来ないものあり）。
、ＤＣスパッタ成膜パワー：１００Ｗとした。膜厚は、BD-Rディスクの未記録状態のSUM2信号（反射率と相関ある出力信号）レベルが２８０ｍＶ以上を確保出来る膜厚となるよう１２〜２１ｎｍの範囲で調整した（なお、比較例の合金では、２８０ｍＶ以上確保出来ないものあり）。
次いでその上に、紫外線硬化性樹脂（日本化薬社製「ＢＲＤ−１３０」（商品名））をスピンコートした後、紫外線硬化させて膜厚１００±１５μmの光透過層３を形成した。 そして、光ディスクの評価法については、光ディスク評価装置（パルステック工業社製の商品名「ＯＤＵ−１０００」、記録レーザー波長：４０５ｎｍ、ＮＡ（開口数）：０．８５）、スペクトラムアナライザー（アドバンテスト社製の商品名「Ｒ３１３１Ｒ」）を用いて、線速は４．９ｍ／ｓで、未記録状態のＳＵＭ２レベル、記録レーザパワー４ｍWから１２ｍWの範囲において長さ0.6μmの記録マーク（25GBのBlu-ray Discの８Ｔ信号に相当）を繰り返して形成し、再生レーザパワー0.3ｍWにおける信号読み取り時の記録再生時の最大Ｃ/Ｎ値を評価した。またタイムインターバルアナライザー（横河電機社製TA520（商品名））を用い、記録レーザパワー４ｍＷから１２ｍＷの範囲において最短長さ0.15μｍから0.075μｍ単位で最長長さ0.6μｍまでの長さの記録マーク（25GBのBlu-ray Discの2T〜8T信号に相当）をランダムに繰り返し形成した際のジッター値の評価を行った。なおジッター値とは、記録した信号マークエッジ位置の不確定さの指標であり、エッジの立ち上がり／立ち下がり位置の分布を求め、それを正規分布とした場合の分散（σ）に相当する値である。なおジッター値の評価は3トラック連続で記録した後、中心のトラックの信号における値を「ジッター値（連続３トラック記録時）」としている。また同時に「ジッター値（連続３トラック記録時）」が最小値となる記録レーザパワーも評価した。
表１は実施例及び比較例それぞれの光記録媒体における未記録状態のＳＵＭ２のレベルと８Ｔ信号記録再生時のＣ/Ｎ値を示した表であり、表２は実施例及び比較例それぞれの光記録媒体における未記録状態のＳＵＭ２のレベル、８Ｔ信号記録再生時のＣ/Ｎ値、ジッター値（連続３トラック記録時）が最小値となる記録パワー及びジッター値（連続３トラック記録時）を示した表である。また、表１は請求項１に対応するＩｎ合金、表２は請求項２に対応するＩｎ合金をそれぞれ記録層とした場合である。なお、最大Ｃ/Ｎ値が得られる記録レーザーパワーは、６mWから10mWの範囲で、表中、未記録状態のＳＵＭ２のレベルが２８０ｍＶ以上には○を、これに満たないものは×を付し、また８Ｔ信号記録再生時のＣ/Ｎ値５０ｄＢ以上には○を、これに満たないものは×を付している。
表１より、本発明のＮｉまたは、およびＣｏを含むＩｎ合金からなる記録層を備えた光ディスクは、比較例（Ｐｔ、ＡｕあるいはＶを含むＩｎ合金）比べて、ＳＵＭ２のレベル及びＣ/Ｎ値がいずれも高く、優れた記録特性を発揮するものであることがわかる。
また、表２から、本発明のＮｉまたはＣｏを含みさらにＢｉ、Ｓｎ、Ｇｅ 、Ｓｉを含有するＩｎ合金記録層を備えた光ディスクは同様にＳＵＭ２のレベル及びＣ/Ｎ値がいずれも高い上に、これらＢｉ、Ｓｎ、Ｇｅ 、Ｓｉを含まない表１の実施例１に相当する参考例に比べ、ジッター値も低い値が得られており、さらに優れた記録特性を有していることが判明する。
また、表２から、本発明のＮｉまたはＣｏを含みさらにＢｉ、Ｓｎ、Ｇｅ 、Ｓｉを含有するＩｎ合金記録層を備えた光ディスクは同様にＳＵＭ２のレベル及びＣ/Ｎ値がいずれも高い上に、これらＢｉ、Ｓｎ、Ｇｅ 、Ｓｉを含まない表１の実施例１に相当する参考例に比べ、ジッター値も低い値が得られており、さらに優れた記録特性を有していることが判明する。
１：基板 ２：記録層 ３：光透過層
本発明は、孔開け方式による記録層を備えた光情報記録媒体（特に青色レーザーを用いた追記型光ディスク）並びに同光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲットに関するものである。
青色レーザーを用いた追記型光ディスクにおいて、大別して有機色素材料と無機材料薄膜が、記録層として検討されている。有機色素は、CD-RやDVD-Rなど赤色レーザーを使用
する既存光ディスクにおいて実績があるものの、青色レーザーで記録出来る有機色素は、耐光性の面で問題があることから、特にＢＤ−Ｒにおいては、無機材料薄膜が主に検討されている。
する既存光ディスクにおいて実績があるものの、青色レーザーで記録出来る有機色素は、耐光性の面で問題があることから、特にＢＤ−Ｒにおいては、無機材料薄膜が主に検討されている。
記録方式としては、レーザー照射によって、無機材料薄膜が、１）相変化する方式、２）孔を開ける方式、３）層間反応する方式、などが知られている。
相変化する方式としては、記録膜として酸化物や窒化物が検討され、例えば、特許文献１では、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ(Ｍは金属元素、半金属元素及び半導体元素から選ばれる少なくとも１種の元素)が提案されている。
次に、孔を開ける方式としては、記録膜として、低融点金属材料が検討され、例えば、特許文献２では、Ｓｎ合金に３Ｂ族、４Ｂ族、５Ｂ族を添加した合金、特許文献３では、Ａ(＝Ｓｉ、Ｓｎ)−Ｍ(＝Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｙｉ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｗ、Ｃｒ、Ｖ、Ｇａ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｔｅ)合金［但しＭの比率は０．０２−０．８（原子比）］などがそれぞれ提案されている。
また、層間反応する方式としては、例えば、特許文献４では、第一記録層Ｉｎ−Ｏ−(Ｎｉ、Ｍｎ、Ｍｏ)、第二記録層Ｓｅ ａｎｄ／ｏｒ Ｔｅ−Ｏ−(Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ)、特許文献５では、第一記録層Ｉｎ主成分とする金属、第二記録層５Ｂもしくは６Ｂ含む酸化物以外の金属あるいは半金属などがそれぞれ提案されている。
酸化物を記録膜として用いた場合、記録膜単独での反射率が低く、ディスク状態での反射率を高めるため反射膜が必要となり、かつ変調度を増加させるために記録膜上下にＺｎＳ−ＳｉＯ２など誘電体膜を設ける必要があり、ディスクを構成する膜総数が多くなってしまう。また、層間反応する方式では記録層自体が複数の薄膜で形成されることから、膜総数が多くなってしまう問題が残る。
一方、低融点金属薄膜に孔を開ける方式は、記録膜単独での反射率が高く、かつ、孔開けによって変調度も大きく取れることから、ディスクを構成する膜総数を少なくする観点からは、有利な方式である。但し、一般的に金属薄膜は、酸化物や窒化物に比べ、高温高湿下での耐久性に劣るため、合金化によって各種改善が検討されているが、合金化によって反射率は低下し、ディスク特性も変化することから、各種特性のバランス取りが問題となる。
特許第３６３８１５２号
特開２００２−２２５４３３号公報
米国特許公開２００４／０２４１３７６号明細書
特開２００３−３２６８４８公報
特許第３４９９７２４号公報
本発明は、上述の従来技術の問題点を解消し反射率（初期反射率）が高く、高Ｃ／Ｎ比を有し、さらには低ジッター値を有する孔開け方式による記録層（記録膜）を備えた光情報記録媒体並びに該光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲットを提供することをその課題としてなされたものである。
すなわち、請求項１に係る本発明は、レーザー光の照射によって記録マークが形成される孔開け方式による記録層を備えてなる光情報記録媒体であって、該記録層は、Ｃｏを２０〜６５原子％含有するＩn合金からなることを特徴とする光情報記録媒体である。
また、請求項２に係る本発明は、レーザー光の照射によって記録マークが形成される孔開け方式による記録層を備えてなる光情報記録媒体であって、該記録層は、Ｃｏ及びＮｉを合計で２０〜６５原子％含有するＩn合金からなることを特徴とする光情報記録媒体である。
さらに、請求項３に係る本発明は、前記記録層は、さらにＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ 、Ｓｉから選ばれる１種類以上の元素を１９原子％以下（０原子％を含まない）含有するＩn合金からなることを特徴とする請求項１または２に記載の光情報記録媒体用記録層である。
加えて、請求項４に係る本発明は、Ｃｏを２０〜６５原子％含有するＩn合金からなることを特徴とする光情報記録媒体の孔開け方式による記録層形成用スパッタリングターゲットである。
そして、請求項５に係る本発明は、Ｃｏ及びＮｉを合計で２０〜６５原子％含有するＩn合金からなることを特徴とする光情報記録媒体の孔開け方式による記録層形成用スパッタリングターゲットである。
また、請求項６に係る本発明は、前記スパッタリングターゲットは、さらにＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ 、Ｓｉから選ばれる１種類以上の元素を１９原子％以下（０原子％を含まない）含有するＩn合金からなることを特徴とする請求項４または５に記載の光情報記録媒体の孔開け方式による記録層形成用スパッタリングターゲットである。
本発明によれば、反射率（初期反射率）が高く、高Ｃ／Ｎ比を有し、さらには低ジッター値を有する優れた特性を備えた光情報記録媒体を提供することができる。特にディスク構成の総膜数が少ない有利な記録方式である孔開け方式を採用する青色レーザーを用いた追記型光ディスクとして最適である。また、本発明によれば、上記光情報記録媒体の作製に有効なスパッタリングターゲットを提供することができる。
本発明者らは、次世代の青色レーザを用いた良好な記録感度を持つ孔開け方式の記録膜を有する光情報記録媒体の開発を目指し、鋭意、実験、検討を重ねた結果、基金属元素として低融点かつ環境負荷の小さいＩｎに着目し、これに、ＣｏあるいはＣｏ及びＮｉを適量含有させることにより、さらに加えてＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ，Ｓｉを適量含有させることにより、前記の課題を有利に解決することを知見し、ここに本発明を完成させるに至った。図１は本発明の典型的な実施形態（及び後述の実施例）に係る光ディスクの模式構造を表した断面図である。ここにおいて、１は基板、２は記録層および３は光透過層を示している。
以下、本発明の上記記録層２において、主成分（基金属）としてＩｎを選定した理由、またこのＩｎに、ＣｏあるいはＣｏ及びＮｉ、さらにはこれらにＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ，Ｓｉを含有させたＩｎ合金を用いる理由についてその成分範囲の規定を含めて述べる。
まず、Ｉｎを主成分として用いるのは、Ｉｎが、従来用いられている例えばＡｌ，Ａｇ，Ｃｕなどの他の金属に比べて融点が格段に低い（融点：約１５６．６℃）ため、Ｉｎ合金の薄膜が容易に溶融、変形し、低いレーザーパワーでも容易に優れた記録特性を発揮することができるからである。また、特に、青色レーザーを使用する次世代型光ディスクへの適用を考えた場合には、Ａｌ基合金などでは記録マークの形成が困難となる恐れがあるが、Ｉｎ基合金ではこの様な心配は全くないからである。そして、このＩｎの含有量は上記記録特性を十分に発揮させるには３０原子％以上とすることが好ましく、またより好ましくは４５原子％以上、特に好ましくは５０原子％以上とする。
次に、本発明では、ＩｎにＣｏを２０〜６５原子％あるいはＣｏ及びＮＩを合計で２０〜６５原子％含有させることによって、高反射率を維持しながら、８Ｔ信号の高Ｃ／Ｎが実現できる。なお、この詳細なメカニズムは明確ではないが、ＣｏあるいはＣｏ及びＮＩの含有によって、超表面平滑性、微細組織、表面張力調整が同時に実現されるものと推定される。
ＣｏあるいはＣｏ及びＮｉの含有量２０原子％未満では、記録膜の超表面平滑性が実現出来なくなるためメディアノイズが高くなってしまうことから高Ｃ／Ｎが得られず、好ましくない。また、６５原子％を超えると、Ｉｎの低融点の特徴を大きく損ない、記録感度が劣化（高Ｃ／Ｎを得るための記録レーザーパワーが増大）するため好ましくない。
なお、ジッターの観点では、Ｃｏの単独添加より、ＣｏとＮｉの複合添加の方が望ましい。
一方、ＣｏやＮｉ以外の添加元素として、Ｐｔ、Ａｕでは、記録膜の超表面平滑性に効果を発揮するものの、添加によってＮｉやＣｏの添加に比べ反射率が極端に低下するため、十分な反射率を確保できなくなる。Ｖでは、反射率は確保出来るものの、ＮｉやＣｏの添加に比べ、記録膜の超表面平滑性などに劣り、十分な高Ｃ／Ｎが実現出来ない。
さらに、上記のようにＩｎにＣｏあるいはＣｏとＮｉを２０〜６５原子％含有させた上で、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ 、Ｓｉの一種以上を１９原子％以下含有させることによって、ジッター値を低減することが出来る。なお、このメカニズムは必ずしも明らかではないが、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ 、Ｓｉは、融点を上げずに低熱伝導率化による横方向の熱の滲み抑制を実現していると推察される。
本発明の記録層の膜厚は、記録層上下に金属、半金属、誘電体などの他の層を挿入することによって最適値は変動するが、記録層単層で使用する場合は、８〜２５ｎｍ、さらに好ましくは、１０〜２０ｎｍが好ましい。
上記In合金からなる記録層は、ディスク面内での膜厚分布を均一に制御しやすい点から、スパッタリング法によって形成するのがよい。
本発明に係る上記記録層を形成するために用いるスパッタリングターゲットの組成は、上述した記録層の合金組成と基本的に同一であり、先にＩｎ合金として記載した合金組成に調整することで、所望の成分組成を容易に実現できる。
なお、スパッタリングターゲットは、真空溶解法などによって製造されるが、その製造に当たっては、雰囲気中のガス成分（窒素、酸素など）や溶解炉成分が微量ながら不純物としてスパッタリングターゲット中に混入することがある。しかし、本発明の記録層やスパッタリングターゲットの成分組成は、それら不可避に混入してくる微量成分まで規定するものではなく、本発明の上記特性が阻害されない限り、それら不可避不純物の微量混入は許容される。
以下では、本発明の実施例および比較例について説明する。なお、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。
１）光ディスクの作製方法
基板１としてポリカーボネート基板（厚さ：１．１ｍｍ、トラックピッチ：０．３２μｍ、溝幅：０．１４〜０．１６μｍ、溝深さ：２５ｎｍ）を用い、ＤＣマグネトロンスパッタリング法によって記録層２を形成した。スパッタリングターゲットとしては、直径６インチのＩｎターゲット上に添加元素のチップ（５ｍｍ角もしくは１０ｍｍ角）を置いた複合ターゲットを用いた。膜組成は、ICP発光分析法またはICP質量分析法で測定した。
１）光ディスクの作製方法
基板１としてポリカーボネート基板（厚さ：１．１ｍｍ、トラックピッチ：０．３２μｍ、溝幅：０．１４〜０．１６μｍ、溝深さ：２５ｎｍ）を用い、ＤＣマグネトロンスパッタリング法によって記録層２を形成した。スパッタリングターゲットとしては、直径６インチのＩｎターゲット上に添加元素のチップ（５ｍｍ角もしくは１０ｍｍ角）を置いた複合ターゲットを用いた。膜組成は、ICP発光分析法またはICP質量分析法で測定した。
スパッタ条件は、到達真空度：３×１０−６Ｔｏｒｒ以下、Ａｒガス圧：２ｍTｏｒｒ、ＤＣスパッタ成膜パワー：１００Ｗとした。膜厚は、ＢＤ−Ｒディスクの未記録状態のSUM2信号（反射率と相関ある出力信号）レベルが２８０ｍＶ以上を確保出来る膜厚となるよう１２〜２１ｎｍの範囲で調整した（なお、比較例の合金では、２８０ｍＶ以上確保出来ないものあり）。
次いでその上に、紫外線硬化性樹脂（日本化薬社製「ＢＲＤ−１３０」（商品名））をスピンコートした後、紫外線硬化させて膜厚１００±１５μmの光透過層３を形成した。 そして、光ディスクの評価法については、光ディスク評価装置（パルステック工業社製の商品名「ＯＤＵ−１０００」、記録レーザー波長：４０５ｎｍ、ＮＡ（開口数）：０．８５）、スペクトラムアナライザー（アドバンテスト社製の商品名「Ｒ３１３１Ｒ」）を用いて、線速は４．９ｍ／ｓで、未記録状態のＳＵＭ２レベル、記録レーザパワー４ｍＷから１２ｍＷの範囲において長さ０．６μmの記録マーク（２５ＧＢのＢｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃの８Ｔ信号に相当）を繰り返して形成し、再生レーザパワー０．３ｍＷにおける信号読み取り時の記録再生時の最大Ｃ/Ｎ値を評価した。またタイムインターバルアナライザー（横河電機社製ＴＡ５２０（商品名））を用い、記録レーザパワー４ｍＷから１２ｍＷの範囲において最短長さ０．１５μｍから０．０７５μｍ単位で最長長さ０．６μｍまでの長さの記録マーク（２５ＧＢのＢｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃの２Ｔ〜８Ｔ信号に相当）をランダムに繰り返し形成した際のジッター値の評価を行った。なおジッター値とは、記録した信号マークエッジ位置の不確定さの指標であり、エッジの立ち上がり／立ち下がり位置の分布を求め、それを正規分布とした場合の分散（σ）に相当する値である。なおジッター値の評価は３トラック連続で記録した後、中心のトラックの信号における値を「ジッター値（連続３トラック記録時）」としている。また同時に「ジッター値（連続３トラック記録時）」が最小値となる記録レーザパワーも評価した。
表１は実施例及び比較例それぞれの光記録媒体における未記録状態のＳＵＭ２のレベルと８Ｔ信号記録再生時のＣ/Ｎ値を示した表であり、表２は実施例及び比較例それぞれの光記録媒体における未記録状態のＳＵＭ２のレベル、８Ｔ信号記録再生時のＣ/Ｎ値、ジッター値（連続３トラック記録時）が最小値となる記録パワー及びジッター値（連続３トラック記録時）を示した表である。また、表１は請求項１及び請求項２に対応するＩｎ合金、表２は請求項１及び請求項３に対応するＩｎ合金をそれぞれ記録層とした場合である。なお、最大Ｃ/Ｎ値が得られる記録レーザーパワーは、６ｍＷから１０ｍＷの範囲で、表中、未記録状態のＳＵＭ２のレベルが２８０ｍＶ以上には○を、これに満たないものは×を付し、また８Ｔ信号記録再生時のＣ/Ｎ値５０ｄＢ以上には○を、これに満たないものは×を付している。
表１より、本発明のＣｏを含むＩｎ合金、あるいはＣｏ及びＮｉを含むＩｎ合金からなる記録層を備えた光ディスクは、比較例（Ｐｔ、ＡｕあるいはＶを含むＩｎ合金）比べて、ＳＵＭ２のレベル及びＣ/Ｎ値がいずれも高く、優れた記録特性を発揮するものであることがわかる。
また、表２から、本発明のＣｏあるいはＣｏ及びＮｉを含みさらにＢｉ、Ｓｎ、Ｇｅ 、Ｓｉを含有するＩｎ合金記録層を備えた光ディスクは同様にＳＵＭ２のレベル及びＣ/Ｎ値がいずれも高い上に、これらＢｉ、Ｓｎ、Ｇｅ 、Ｓｉを含まない表１の実施例１に相当する参考例に比べ、ジッター値も低い値が得られており、さらに優れた記録特性を有していることが判明する。
また、表２から、本発明のＣｏあるいはＣｏ及びＮｉを含みさらにＢｉ、Ｓｎ、Ｇｅ 、Ｓｉを含有するＩｎ合金記録層を備えた光ディスクは同様にＳＵＭ２のレベル及びＣ/Ｎ値がいずれも高い上に、これらＢｉ、Ｓｎ、Ｇｅ 、Ｓｉを含まない表１の実施例１に相当する参考例に比べ、ジッター値も低い値が得られており、さらに優れた記録特性を有していることが判明する。
１：基板 ２：記録層 ３：光透過層
本発明は、孔開け方式による記録層を備えた光情報記録媒体（特に青色レーザーを用いた追記型光ディスク）並びに同光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲットに関するものである。
青色レーザーを用いた追記型光ディスクにおいて、大別して有機色素材料と無機材料薄膜が、記録層として検討されている。有機色素は、CD-RやDVD-Rなど赤色レーザーを使用
する既存光ディスクにおいて実績があるものの、青色レーザーで記録出来る有機色素は、耐光性の面で問題があることから、特にＢＤ−Ｒにおいては、無機材料薄膜が主に検討されている。
する既存光ディスクにおいて実績があるものの、青色レーザーで記録出来る有機色素は、耐光性の面で問題があることから、特にＢＤ−Ｒにおいては、無機材料薄膜が主に検討されている。
記録方式としては、レーザー照射によって、無機材料薄膜が、１）相変化する方式、２）孔を開ける方式、３）層間反応する方式、などが知られている。
相変化する方式としては、記録膜として酸化物や窒化物が検討され、例えば、特許文献１では、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ(Ｍは金属元素、半金属元素及び半導体元素から選ばれる少なくとも１種の元素)が提案されている。
次に、孔を開ける方式としては、記録膜として、低融点金属材料が検討され、例えば、特許文献２では、Ｓｎ合金に３Ｂ族、４Ｂ族、５Ｂ族を添加した合金、特許文献３では、Ａ(＝Ｓｉ、Ｓｎ)−Ｍ(＝Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｗ、Ｃｒ、Ｖ、Ｇａ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｔｅ)合金［但しＭの比率は０．０２−０．８（原子比）］などがそれぞれ提案されている。
また、層間反応する方式としては、例えば、特許文献４では、第一記録層Ｉｎ−Ｏ−(Ｎｉ、Ｍｎ、Ｍｏ)、第二記録層Ｓｅ ａｎｄ／ｏｒ Ｔｅ−Ｏ−(Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ)、特許文献５では、第一記録層Ｉｎ主成分とする金属、第二記録層５Ｂもしくは６Ｂ含む酸化物以外の金属あるいは半金属などがそれぞれ提案されている。
酸化物を記録膜として用いた場合、記録膜単独での反射率が低く、ディスク状態での反射率を高めるため反射膜が必要となり、かつ変調度を増加させるために記録膜上下にＺｎＳ−ＳｉＯ２など誘電体膜を設ける必要があり、ディスクを構成する膜総数が多くなってしまう。また、層間反応する方式では記録層自体が複数の薄膜で形成されることから、膜総数が多くなってしまう問題が残る。
一方、低融点金属薄膜に孔を開ける方式は、記録膜単独での反射率が高く、かつ、孔開けによって変調度も大きく取れることから、ディスクを構成する膜総数を少なくする観点からは、有利な方式である。但し、一般的に金属薄膜は、酸化物や窒化物に比べ、高温高湿下での耐久性に劣るため、合金化によって各種改善が検討されているが、合金化によって反射率は低下し、ディスク特性も変化することから、各種特性のバランス取りが問題となる。
特許第３６３８１５２号
特開２００２−２２５４３３号公報
米国特許公開２００４／０２４１３７６号明細書
特開２００３−３２６８４８公報
特許第３４９９７２４号公報
本発明は、上述の従来技術の問題点を解消し反射率（初期反射率）が高く、高Ｃ／Ｎ比を有し、さらには低ジッター値を有する孔開け方式による記録層（記録膜）を備えた光情報記録媒体並びに該光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲットを提供することをその課題としてなされたものである。
すなわち、請求項１に係る本発明は、レーザー光の照射によって記録マークが形成される孔開け方式による記録層を備えてなる光情報記録媒体であって、該記録層は、Ｃｏを２０〜６５原子％含有するＩn合金からなることを特徴とする光情報記録媒体である。
また、請求項２に係る本発明は、前記記録層は、さらにＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ 、Ｓｉから選ばれる１種類以上の元素を１９原子％以下（０原子％を含まない）含有するＩn合金からなることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体である。
さらに、請求項３に係る本発明は、レーザー光の照射によって記録マークが形成される孔開け方式による記録層を備えてなる光情報記録媒体であって、該記録層は、Ｃｏを３２．２〜４１．４原子％、Ｎｉを８．５〜１７．５原子％、Ｓｎを３．８〜１０．９原子％含有するＩn合金からなることを特徴とする光情報記録媒体である。
加えて、請求項４に係る本発明は、Ｃｏを２０〜６５原子％含有するＩn合金からなることを特徴とする光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲットである。
そして、請求項５に係る本発明は、前記スパッタリングターゲットは、さらにＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ 、Ｓｉから選ばれる１種類以上の元素を１９原子％以下（０原子％を含まない）含有するＩn合金からなることを特徴とする請求項４に記載の光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲットである。
また、請求項６に係る本発明は、Ｃｏを３２．２〜４１．４原子％、Ｎｉを８．５〜１７．５原子％、Ｓｎを３．８〜１０．９原子％含有するＩn合金からなることを特徴とする光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲットである。
本発明によれば、反射率（初期反射率）が高く、高Ｃ／Ｎ比を有し、さらには低ジッター値を有する優れた特性を備えた光情報記録媒体を提供することができる。特にディスク構成の総膜数が少ない有利な記録方式である孔開け方式を採用する青色レーザーを用いた追記型光ディスクとして最適である。また、本発明によれば、上記光情報記録媒体の作製に有効なスパッタリングターゲットを提供することができる。
本発明者らは、次世代の青色レーザを用いた良好な記録感度を持つ孔開け方式の記録膜を有する光情報記録媒体の開発を目指し、鋭意、実験、検討を重ねた結果、基金属元素として低融点かつ環境負荷の小さいＩｎに着目し、これに、ＣｏあるいはＣｏ及びＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ，Ｓｉを適量含有させることにより、また、さらにこれにＣｏ、Ｎｉ及びＳｎを適量含有させることにより、前記の課題を有利に解決することを知見し、ここに本発明を完成させるに至った。図１は本発明の典型的な実施形態（及び後述の実施例）に係る光ディスクの模式構造を表した断面図である。ここにおいて、１は基板、２は記録層および３は光透過層を示している。
以下、本発明の上記記録層２において、主成分（基金属）としてＩｎを選定した理由、またこのＩｎに、ＣｏあるいはＣｏ及Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ，Ｓｉを含有させたＩｎ合金、さらにこれにＣｏ、Ｎｉ及びＳｎを含有させたＩｎ合金を用いる理由についてその成分範囲の規定を含めて述べる。
まず、Ｉｎを主成分として用いるのは、Ｉｎが、従来用いられている例えばＡｌ，Ａｇ，Ｃｕなどの他の金属に比べて融点が格段に低い（融点：約１５６．６℃）ため、Ｉｎ合金の薄膜が容易に溶融、変形し、低いレーザーパワーでも容易に優れた記録特性を発揮することができるからである。また、特に、青色レーザーを使用する次世代型光ディスクへの適用を考えた場合には、Ａｌ基合金などでは記録マークの形成が困難となる恐れがあるが、Ｉｎ基合金ではこの様な心配は全くないからである。そして、このＩｎの含有量は上記記録特性を十分に発揮させるには３０原子％以上とすることが好ましく、またより好ましくは４５原子％以上、特に好ましくは５０原子％以上とする。
次に、本発明では、ＩｎにＣｏを２０〜６５原子％含有させることによって、高反射率を維持しながら、８Ｔ信号の高Ｃ／Ｎが実現できる。なお、この詳細なメカニズムは明確ではないが、Ｃｏの含有によって、超表面平滑性、微細組織、表面張力調整が同時に実現されるものと推定される。
Ｃｏの含有量が２０原子％未満では、記録膜の超表面平滑性が実現出来なくなるためメディアノイズが高くなってしまうことから高Ｃ／Ｎが得られず、好ましくない。また、６５原子％を超えると、Ｉｎの低融点の特徴を大きく損ない、記録感度が劣化（高Ｃ／Ｎを得るための記録レーザーパワーが増大）するため好ましくない。
一方、Ｃｏ以外の添加元素として、Ｐｔ、Ａｕでは、記録膜の超表面平滑性に効果を発揮するものの、添加によってＣｏの添加に比べ反射率が極端に低下するため、十分な反射率を確保できなくなる。Ｖでは、反射率は確保出来るものの、Ｃｏの添加に比べ、記録膜の超表面平滑性などに劣り、十分な高Ｃ／Ｎが実現出来ない。
ＩｎにＣｏを２０〜６５原子％含有させた上で、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ 、Ｓｉの一種以上を１９原子％以下含有させることによって、ジッター値を低減することが出来る。なお、このメカニズムは必ずしも明らかではないが、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ 、Ｓｉは、融点を上げずに低熱伝導率化による横方向の熱の滲み抑制を実現していると推察される。また、ＩｎにＣｏ、Ｎｉ及びＳｎを含有させることによって やはりジッター値を低減することが出来る。この場合、Ｃｏを３２．２〜４１．４原子％、Ｎｉを８．５〜１７．５原子％、Ｓｎを３．８〜１０．９原子％含有させることが好ましい。
本発明の記録層の膜厚は、記録層上下に金属、半金属、誘電体などの他の層を挿入することによって最適値は変動するが、記録層単層で使用する場合は、８〜２５ｎｍ、さらに好ましくは、１０〜２０ｎｍが好ましい。
上記In合金からなる記録層は、ディスク面内での膜厚分布を均一に制御しやすい点から、スパッタリング法によって形成するのがよい。
本発明に係る上記記録層を形成するために用いるスパッタリングターゲットの組成は、上述した記録層の合金組成と基本的に同一であり、先にＩｎ合金として記載した合金組成に調整することで、所望の成分組成を容易に実現できる。
なお、スパッタリングターゲットは、真空溶解法などによって製造されるが、その製造に当たっては、雰囲気中のガス成分（窒素、酸素など）や溶解炉成分が微量ながら不純物としてスパッタリングターゲット中に混入することがある。しかし、本発明の記録層やスパッタリングターゲットの成分組成は、それら不可避に混入してくる微量成分まで規定するものではなく、本発明の上記特性が阻害されない限り、それら不可避不純物の微量混入は許容される。
以下では、本発明の実施例および比較例について説明する。なお、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。
１）光ディスクの作製方法
基板１としてポリカーボネート基板（厚さ：１．１ｍｍ、トラックピッチ：０．３２μｍ、溝幅：０．１４〜０．１６μｍ、溝深さ：２５ｎｍ）を用い、ＤＣマグネトロンスパッタリング法によって記録層２を形成した。スパッタリングターゲットとしては、直径６インチのＩｎターゲット上に添加元素のチップ（５ｍｍ角もしくは１０ｍｍ角）を置いた複合ターゲットを用いた。膜組成は、ICP発光分析法またはICP質量分析法で測定した。
１）光ディスクの作製方法
基板１としてポリカーボネート基板（厚さ：１．１ｍｍ、トラックピッチ：０．３２μｍ、溝幅：０．１４〜０．１６μｍ、溝深さ：２５ｎｍ）を用い、ＤＣマグネトロンスパッタリング法によって記録層２を形成した。スパッタリングターゲットとしては、直径６インチのＩｎターゲット上に添加元素のチップ（５ｍｍ角もしくは１０ｍｍ角）を置いた複合ターゲットを用いた。膜組成は、ICP発光分析法またはICP質量分析法で測定した。
スパッタ条件は、到達真空度：３×１０−６Ｔｏｒｒ以下、Ａｒガス圧：２ｍTｏｒｒ、ＤＣスパッタ成膜パワー：１００Ｗとした。膜厚は、ＢＤ−Ｒディスクの未記録状態のSUM2信号（反射率と相関ある出力信号）レベルが２８０ｍＶ以上を確保出来る膜厚となるよう１２〜２１ｎｍの範囲で調整した（なお、比較例の合金では、２８０ｍＶ以上確保出来ないものあり）。
次いでその上に、紫外線硬化性樹脂（日本化薬社製「ＢＲＤ−１３０」（商品名））をスピンコートした後、紫外線硬化させて膜厚１００±１５μmの光透過層３を形成した。 そして、光ディスクの評価法については、光ディスク評価装置（パルステック工業社製の商品名「ＯＤＵ−１０００」、記録レーザー波長：４０５ｎｍ、ＮＡ（開口数）：０．８５）、スペクトラムアナライザー（アドバンテスト社製の商品名「Ｒ３１３１Ｒ」）を用いて、線速は４．９ｍ／ｓで、未記録状態のＳＵＭ２レベル、記録レーザパワー４ｍＷから１２ｍＷの範囲において長さ０．６μmの記録マーク（２５ＧＢのＢｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃの８Ｔ信号に相当）を繰り返して形成し、再生レーザパワー０．３ｍＷにおける信号読み取り時の記録再生時の最大Ｃ/Ｎ値を評価した。またタイムインターバルアナライザー（横河電機社製ＴＡ５２０（商品名））を用い、記録レーザパワー４ｍＷから１２ｍＷの範囲において最短長さ０．１５μｍから０．０７５μｍ単位で最長長さ０．６μｍまでの長さの記録マーク（２５ＧＢのＢｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃの２Ｔ〜８Ｔ信号に相当）をランダムに繰り返し形成した際のジッター値の評価を行った。なおジッター値とは、記録した信号マークエッジ位置の不確定さの指標であり、エッジの立ち上がり／立ち下がり位置の分布を求め、それを正規分布とした場合の分散（σ）に相当する値である。なおジッター値の評価は３トラック連続で記録した後、中心のトラックの信号における値を「ジッター値（連続３トラック記録時）」としている。また同時に「ジッター値（連続３トラック記録時）」が最小値となる記録レーザパワーも評価した。
表１は実施例及び比較例それぞれの光記録媒体における未記録状態のＳＵＭ２のレベルと８Ｔ信号記録再生時のＣ/Ｎ値を示した表であり、表２は実施例及び比較例それぞれの光記録媒体における未記録状態のＳＵＭ２のレベル、８Ｔ信号記録再生時のＣ/Ｎ値、ジッター値（連続３トラック記録時）が最小値となる記録パワー及びジッター値（連続３トラック記録時）を示した表である。また、表１は請求項１に対応するＩｎ合金、表２は請求項１乃至請求項３に対応するＩｎ合金をそれぞれ記録層とした場合である。なお、最大Ｃ/Ｎ値が得られる記録レーザーパワーは、６ｍＷから１０ｍＷの範囲で、表中、未記録状態のＳＵＭ２のレベルが２８０ｍＶ以上には○を、これに満たないものは×を付し、また８Ｔ信号記録再生時のＣ/Ｎ値５０ｄＢ以上には○を、これに満たないものは×を付している。
表１より、本発明のＣｏを含むＩｎ合金からなる記録層を備えた光ディスクは、比較例（Ｐｔ、ＡｕあるいはＶを含むＩｎ合金）比べて、ＳＵＭ２のレベル及びＣ/Ｎ値がいずれも高く、優れた記録特性を発揮するものであることがわかる。
また、表２から、本発明のＣｏとさらにＢｉ、Ｓｎ、Ｇｅ 、Ｓｉを含有するＩｎ合金記録層備えた光ディスク、そしてＣｏ、Ｎｉ及びＳｎを含有するＩｎ合金記録層備えた光ディスクは同様にＳＵＭ２のレベル及びＣ/Ｎ値がいずれも高い上に、これらの元素を含まない表１の実施例１に相当する参考例に比べ、ジッター値も低い値が得られており、さらに優れた記録特性を有していることが判明する。
また、表２から、本発明のＣｏとさらにＢｉ、Ｓｎ、Ｇｅ 、Ｓｉを含有するＩｎ合金記録層備えた光ディスク、そしてＣｏ、Ｎｉ及びＳｎを含有するＩｎ合金記録層備えた光ディスクは同様にＳＵＭ２のレベル及びＣ/Ｎ値がいずれも高い上に、これらの元素を含まない表１の実施例１に相当する参考例に比べ、ジッター値も低い値が得られており、さらに優れた記録特性を有していることが判明する。
１：基板 ２：記録層 ３：光透過層
Claims (5)
- レーザー光の照射によって記録マークが形成される記録層であって、該記録層は、Ｎｉ、Ｃｏから選ばれる１種類以上の元素を２０〜６５原子％含有するＩn合金からなること
を特徴とする光情報記録媒体用記録層。 - 前記記録層は、さらにＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ 、Ｓｉから選ばれる１種類以上の元素を１９原子％以下（０原子％を含まない）含有するＩn合金からなることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体用記録層。
- 前記請求項１〜２のいずれかに記載の記録層を備えてなる光情報記録媒体。
- Ｎｉ、Ｃｏから選ばれる１種類以上の元素を２０〜６５原子％含有するＩn合金からなることを特徴とする光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲット。
- 前記スパッタリングターゲットは、さらにＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ 、Ｓｉから選ばれる１種類以上の元素を１９原子％以下（０原子％を含まない）含有するＩn合金からなることを特徴とする請求項４に記載の光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲット。
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