JP2007230207A - 光情報記録媒体用記録層および光情報記録媒体、並びにスパッタリング・ターゲット - Google Patents

Abstract

【課題】書込み・読み取り特性と反射率特性に優れており、次世代型の光ディスクに適用可能な光情報記録媒体用光記録層と光情報記録媒体、並びに該記録層の形成に有用なスパッタリング・ターゲットを提供すること。
【解決手段】レーザ光の照射によって記録マークが形成される光情報記録媒体用の光記録層であって、該記録層は、希土類元素の１種以上を０．１〜１５％、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｖから選ばれる１種の元素を０．１〜５０％、もしくはＮｉを６〜５０％、またはＡｕを０．１％以上５０％未満の量で含むＩｎ基合金からなる光情報記録媒体用記録層と該記録層を備えた記録媒体、並びに該記録層の形成に用いる同合金組成のスパッタリング・ターゲットを開示する。
【選択図】図１

Description

本発明は、光情報記録媒体用の記録層（光記録層）と光情報記録媒体、並びに光記録層形成用のスパッタリング・ターゲットに関するものである。本発明の光情報記録媒体用記録層は、現行のＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、次世代型の光情報記録媒体（HD-DVDやBlu-ray Disc）に用いられ、特に、青紫色のレーザを用いる追記型の光情報高密度記録媒体用として好適である。

光情報記録媒体（光ディスク）は、記録再生方式により、再生専用型、書換え型および追記型の３種類に大別される。

このうち追記型の光ディスクでは、主に、レーザ光が照射された記録層材料の物性の変化を利用してデータを記録する。追記型の光ディスクは、情報の記録はできるが消去や書換えを行なうことはできない。この様な特性を利用し、追記型の光ディスクは、データの修正や変更を行うことのない文書ファイルや画像ファイルなどの保存に用いられ、例えばＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ＋Ｒ等が市販されている。

追記型の光ディスクに用いられる記録層材料としては、例えば、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、アゾ系色素などの有機色素材料が知られている。この有機色素材料にレーザ光を照射すると、色素の熱吸収によって色素や基板が分解、溶融、蒸発されるなどして記録マークが形成される。ところが有機色素材料を用いる場合、色素を有機溶媒に溶解してから基板上に塗布しなければならず、生産性が低いという問題がある。また、記録信号の長期安定保存性などの点でも問題がある。

こうした有機色素材料の弱点を改善するため、光記録層として無機材料薄膜を使用し、この薄膜にレーザ光を照射して、局所的に記録マーク（穴、ピットなど）を形成することにより記録を行なう方法が提案されている（特許文献１〜７など）。

特許文献１および２には、Ａｌを含むＣｕ基合金からなる反応層と、Ｓｉなどを含む反応層とが積層された光記録層が開示されている。これらの文献に示された光記録層では、レーザ光の照射によって、基板上に、各反応層に含まれる元素が混合された領域が部分的に形成され、それにより反射率が大きく変化することから、青色レーザなどの短波長レーザでも高感度の記録ができると記載されている。

特許文献３および４は、記録マークによるＣ／Ｎ（carrier-to-noise ratio：キャリアとノイズの出力レベルの比）の低下を防止し、高いＣ／Ｎと反射率とを備えた光記録媒体に関するもので、光記録層としてＩｎを含むＣｕ基合金（特許文献３）、Ｂｉなどを含むＡｇ基合金（特許文献４）が開示されている。

特許文献５および６は、Ｓｎ基合金を用いた光記録層に関するもので、特許文献５には、熱処理時に少なくとも一部が凝集し得る元素を合金層中に２種以上含有させた光情報記録媒体が開示されている。具体的には、ＢｉやＩｎを含む厚さ１〜８ｎｍ程度のＳｎ−Ｃｕ基合金層である。特許文献６にはＢｉと、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｐｂ、Ｚｎなどの低融点金属とからなる合金に、Ｎ、Ａｒ、Ｓを添加した合金で、記録マークの消去の可能性が全くない記録層が開示されており、高い記録感度を有する光記録層が得られるとしている。

特許文献７は記録層が２相からなる光学的記録媒体に関するもので、第１の記録層は酸素を含むＩｎ合金、第２の記録層は酸素を含むＳｅおよび／またはＴｅの合金で構成されており、この様な構造とすることによって、高い反射率と記録感度を有する光記録層を得ている。
特開２００４−５９２２号公報 特開２００４−２３４７１７号公報 特開２００２−１７２８６１号公報 特開２００２−１４４７３０号公報 特開平２−１１７８８７号公報 特開２００２−３４７３４０号公報 特開２００３−３２６８４８号公報

近年、記録情報の高密度化に対応するため、青紫色レーザなどの短波長レーザを用いた光情報の記録と再生技術が開発されており、これに適合する記録層の特性として、（１）高Ｃ／Ｎ（読取り時の信号が強くバックグラウンドのノイズが小さい）、低ジッター（再生信号の時間軸上のゆらぎが少ない）など高品質の信号書込み・読取り特性、（２）高記録感度（低パワーのレーザ光で書込みができる）などが要求されている。

他方、金属系の光記録層は、有機系の光記録層に比べて素材の安定性が格段に優れているという利点があり、金属系の材料で上記の要求特性を満足する実用的な光記録層を開発することは、信頼性の高いＢＤ−ＲやＨＤ ＤＶＤ−Ｒをユーザに提供する上で極めて重要となる。

また光記録層の成膜には、生産効率の高いスパッタリング法を採用することが望ましく、高品質な光記録層を形成するためのスパッタリング・ターゲット、並びに当該記録層を備えた光情報記録媒体の提供が望まれる。

本発明はこの様な事情に着目してなされたものであって、その目的は、上記（１）、（２）として示した様な要求特性を満たすばかりか、記録感度の信頼性が高い光情報記録媒体用の記録層を提供すると共に、該記録層を備えた光情報記録媒体を提供し、更には、こうした光情報記録層の形成に有用なスパッタリング・ターゲットを提供することにある。

上記課題を解決することのできた本発明に係る光情報記録用記録層とは、レーザ光の照射によって記録マークが形成される記録層であって、該記録層は、希土類元素の１種以上を０．１〜１５％含み、またはＮｉを６〜５０％、もしくはＰｄ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｖから選ばれる１種の元素を０．１〜５０％、或はＡｕを０．１〜５０％（但し、５０％を含まない）含むＩｎ合金からなるところに特徴を有している。

本発明の上記記録層は、特に波長が３５０〜７００ｎｍの範囲のレーザ光に対して高い記録感度を示し、優れた光情報の書込み精度と読取り精度を発揮する。

また本発明の光情報記録媒体は、上記構成の光記録層を備えたところに特徴を有しており、前記記録層の上部および／または下部に、光学調整層および／または誘電体層を設けた構成とすることも好ましい実施形態である。該光情報記録媒体における光記録層の好ましい厚さは、光記録層の上部および／または下部に光学記録層や誘電体層を設ける場合は１〜５０ｎｍの範囲、光学記録層や誘電体層を設けない場合は８〜５０ｎｍの範囲である。

更に本発明のスパッタリング・ターゲットは、上記光記録層をスパッタリング法によって形成する際に用いるターゲットであって、第１のターゲットは、希土類元素の１種以上を０．１〜１５％含むＩｎ合金からなり、他のターゲットは、Ｐｄ、Ｃｏ、ＰｔおよびＶから選ばれる１種の元素を０．１〜５０％の範囲で含むＩｎ基合金からなり、更に他のターゲットは、Ｎｉを６〜５０％の範囲で含むＩｎ合金、或はＡｕを０．１〜５０％（但し、５０％を含まない）の範囲で含むＩｎ合金からなるところに特徴を有している。

本発明に係る上記Ｉｎ合金において、基材となるＩｎは融点が１５６．６℃と他の金属に比べて格段に低融点であり、低いレーザ・パワーで記録マークの形成が可能となる。反面、Ｉｎは低融点であるが故にＣ／Ｎ値が小さく、記録層が粗く表面平滑性に劣る嫌いがあるが、Ｉｎに希土類元素の１種以上を０．１〜１５％、あるいはＰｄ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｖから選ばれる１種の元素を０．１〜５０％、もしくはＮｉを６〜５０％、またはＡｕを０．１％以上、５０％未満の量で含有させると、これらの欠点が改善され、光記録層として十分に実用可能なレベルのＣ／Ｎ値が得られると共に、再生波形も改善され、低レーザ・パワーでの光記録層として十分に実用可能なものとなる。

本発明において、まず基金属としてＩｎを選択した理由は次の通りである。

光記録層の反射率の観点からすると、ＩｎよりもＡｌ、Ａｇ、Ｃｕなどの方がやや優れているが、レーザ光照射による記録マークの形成性はＩｎの方が格段に優れている。これは、Ｉｎの融点が約１５６．６℃であり、Ａｌ（融点は約６６０℃）、Ａｇ（融点は約９６２℃）、Ｃｕ（融点は約１０８５℃）に比べて格段に低いため、Ｉｎ合金の薄膜はレーザ光の照射により低温でも容易に溶融もしくは変形し、低いレーザ・パワーでも優れた記録特性を発揮するためと考えられる。特に本発明では、青紫色レーザを用いる次世代型光ディスクに適用することを１つの目的としており、この場合、Ａｌ基合金などでは記録マークの形成が困難になる恐れがあるので、Ｉｎ合金を採用することとした。

上記の様に本発明で用いるＩｎ合金においては、基本的にＩｎがその主な特性を担っており、該Ｉｎ合金中に占めるＩｎの含有量は４０％以上であることが望ましく、より好ましいＩｎ含量は５０％以上、更に好ましくは６０％以上である。

但しＩｎ単独では低融点であるが故にＣ／Ｎ値が小さく、また記録層が粗く表面平滑性にも劣るため実用性を欠く。そこで本発明の第１のＩｎ合金では、Ｉｎに加えて希土類元素（具体的にはＹ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｙｂなど）の１種以上を０．１〜１５％、より好ましくは３〜１０％の範囲で含有させ、またその他のＩｎ合金では、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｖから選ばれる１種の元素を０．１〜５０％、より好ましくは１０〜４０％の範囲で含有させ、更に他のＩｎ合金ではＮｉを６〜５０％、より好ましくは１０〜４０％の範囲で含有させ、或は更にＡｕを０．１％以上５０％未満、より好ましくは１０〜４０％の範囲で含有させ、それら各合金元素を適量含有させることで、Ｉｎ本来の特性を活かしつつ、その欠点である低Ｃ／Ｎ値や記録層の表面平滑性不足や粗さを改善し、実用可能な記録感度と記録精度が得られる様にしている。

即ち上記Ｉｎ合金において、希土類元素、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｖ、Ｎｉ、Ａｕは、いずれも光記録層の表面粗さが大きくて再生時のノイズが高い（即ちＣ／Ｎ値が小さい）という純Ｉｎ層の欠陥を改善する作用がある。こうした作用は、希土類元素の場合、０．１％以上含有させることによって有効に発揮され、より好ましくは３％以上含有させるのがよい。但し、希土類元素の含有量が１５％を超えると、特に初期反射率が低下して信号の読み取りに必要な未記録部分の反射率が確認できなくなるので、最大でも１５％、好ましくは１０％以下、更に好ましくは８％程度以下に抑えるのがよい。なお希土類元素としてはＹ、Ｎｄ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｙｂなどが挙げられ、これらは単独で使用してもよく、あるいは任意の組合せで２種以上を併用してもよい。

またＰｄ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｖの場合、上記効果はそれぞれ０．１％以上含有させることで有効に発揮されるが、より好ましくは１０％以上含有させるのがよい。しかし、多過ぎるとＩｎ量が相対的に少なくなってＩｎ本来の特性、特に低融点を生かした記録マークの形成が困難になるので、５０％を上限とする。より好ましいＰｄ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｖの含有量は４０％以下である。

またＮｉの場合、６％以上含有させることでその添加効果は有効に発揮されるが、より好ましくは１０％以上含有させるのがよい。しかし、多過ぎるとＩｎ量が相対的に少なくなってＩｎの低融点特性を生かした記録マークの形成が困難になるので、５０％を上限とする。より好ましいＮｉ含量は４０％以下である。

またＡｕの場合、０．１％以上含有させることでその添加効果は有効に発揮されるが、より好ましくは１０％以上含有させるのがよい。しかし、多過ぎるとＩｎ量が相対的に少なくなってＩｎの低融点特性を生かした記録マークの形成が困難になるので、５０％未満、より好ましくは４０％以下とするのがよい。

上記Ｉｎ合金によって形成される光記録層は、安定した精度で確実な記録層を形成する上で、光情報記録媒体の構造にもよるが、厚さを１〜５０ｎｍの範囲にするのがよい。１ｎｍ未満では光記録層が薄過ぎるため、仮に光記録層の上部や下部に光学調整層や誘電体層を設けたとしても、光記録層の膜面にポアなどの欠陥が生じ易くなって満足のいく記録感度が得られ難くなる。逆に５０ｎｍを超えて厚くなり過ぎると、レーザ光照射によって与えられる熱が記録層内で急速に拡散し易くなり、記録マークの形成が困難になる。記録層のより好ましい厚さは、誘電体層や光学調整層を設けない場合、８ｎｍ以上、５０ｎｍ以下、更に好ましくは１０ｎｍ以上、２５ｎｍ以下であり、誘電体層や光学調整層を設ける場合は、３ｎｍ以上、３０ｎｍ以下、更に好ましくは５ｎｍ以上、２５ｎｍ以下である。

記録のために照射するレーザ光の好ましい波長は３５０〜７００ｎｍの範囲であり、３５０ｎｍ未満では、カバー層（光透過層）などによる光吸収が顕著となり、光記録層への書込み・読出しが困難になる。逆に波長が７００ｎｍを超えて過大になると、レーザ光のエネルギーが低下するため、光記録層への記録マークの形成が困難になる。こうした観点から、情報の記録に用いるレーザ光線のより好ましい波長は３５０ｎｍ以上、６６０ｎｍ以下、更に好ましくは３８０ｎｍ以上、６５０ｎｍ以下である。

本発明に係る上記光記録層を形成するために用いるスパッタリング・ターゲットの組成は、上述した光記録層の合金組成と基本的に同一であり、先にＩｎ合金として記載した合金組成に調整することで、スパッタリングによって成膜される光記録層についても、同様の成分組成を容易に実現できる。

以下、本発明の優位性を、従来技術（前掲の特許文献１〜７）と対比しつつ説明する。

反射率の点では、本発明で用いるＩｎよりも特許文献１〜４に開示されたＡｌ、Ａｇ、Ｃｕの方がやや優れている。しかし、レーザ光照射による記録マークの形成性は、Ｉｎの方が格段に優れている。これは、既に述べた様にＩｎの融点が１５６．６℃であり、Ａｌ（融点６６０℃）、Ａｇ（融点９６２℃）、Ｃｕ（融点１０８５℃）に比べて格段に低いため、Ｉｎ合金の極薄膜はレーザ光の照射によって低温で溶融もしくは変形し、低いレーザ・パワーでも優れた記録特性を発揮するためと考えられる。

特に本発明の様に、青紫色レーザを用いた次世代型光ディスクへ適用する場合、Ａｌ薄膜などを記録層に用いると、低レーザ・パワーでは記録マークを形成できない可能性がある。

特許文献５には、４０質量％Ｓｎ−５５質量％Ｉｎ−５質量％Ｃｕ合金（膜厚は２〜４ｎｍ）の光記録層が開示されている（原子％に換算すると、３７．７原子％Ｓｎ−５３．５原子％Ｉｎ−８．８原子％Ｃｕ合金）が、実用的なＣ／Ｎ値は得られなかった。また、この特許に提示されている合金層の厚さは２〜４ｎｍであるが、この合金組成にとっては膜厚が薄過ぎるため、実用的な反射率が得られないことも実験で確認している。

また特許文献６に示されたＢｉとＩｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｐｂ、Ｚｎなどの低融点金属のみで構成した光記録層では、記録層の表面粗さが大きくなり、メディアノイズも大きくなって実用レベルのＣ／Ｎ値が得られない。

更に特許文献７には、第１層としてＩｎ合金、第２層としてＳｅおよび／またはＴｅ合金からなる光記録層が開示されている。しかしこの合金系では、ＳｅやＴｅなどの有害な金属を使用するため安全性に問題がある。

これらのことからも、本発明の光記録層が従来技術に較べて有益な技術であることは明白である。

図１〜４は、本発明に係る光情報記録媒体（光ディスク）の実施形態を例示する断面模式図であり、波長が約３５０〜７００ｎｍのレーザ光を記録層に照射し、データの記録と再生を行うことのできる追記型の光ディスク示している。尚、レーザ光入射方向から見て、各図の（Ａ）［および（Ｃ）］は記録場所が凸部に形成されたもの、（Ｂ）［および（Ｄ）］は記録場所が凹部に形成されたものを例示している。

図１の光ディスク１０は、支持基板１と、光学調整層２と、誘電体層３、５と、該誘電体層３、５の間に挟まれた記録層４と、光透過層６とを備えている。誘電体層３、５は、記録層４を保護するために設けられたもので、これにより記録情報を長時間保存することができる。

図２の光ディスク１０は、支持基板１と、第０記録層群（光学調整層、誘電体層、記録層を備えた一群の層）７Ａと、中間層８と、第１記録層群（光学調整層、誘電体層、記録層を備えた一群の層）７Ｂと、光透過層６とを備えている。図３は、１層ＤＶＤ−Ｒ、１層ＤＶＤ＋Ｒ、１層ＨＤ ＤＶＤ−Ｒタイプの光ディスクを例示し、図４は、２層ＤＶＤ−Ｒ、２層ＤＶＤ＋Ｒ、２層ＨＤ ＤＶＤ−Ｒタイプの光ディスクを例示するもので、符号８は中間層、符号９は接着剤層を示している。

上記図２、４における第０および第１の記録層群７Ａ、７Ｂを構成する一群の層は、３層構造（図の上側から、誘電体層／記録層／誘電体層、誘電体層／記録層／光学調整層、記録層／誘電体層／光学調整層など）や２層構造（図の上側から、記録層／誘電体層、誘電体層／記録層、記録層／光学調整層、光学調整層／記録層など）の他、記録層１層のみからなるものであっても構わない。

本発明の代表的な実施形態となる光ディスクは、例えば上記図１〜４に示した様な記録層４の素材として前掲の規定要件を満たすＩｎ合金を使用する点に特徴があり、記録層４以外の支持基板１や光学調整層２、誘電体層３、５などの素材は特に限定されず、通常使用されているものを適宜選択して使用すればよい。

具体的には、支持基板の素材としては、ポリカーボネート樹脂、ノルボルネン系樹脂、環状オレフィン系共重合体、非晶質ポリオレフィンなど；光学調整層の素材としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等やそれらの合金など；誘電体層の素材としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｒなどの酸化物、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｎなどの窒化物、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａなどの炭化物、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｌａなどのフッ化物、或いはそれらの混合物などが例示される。

なお、先にも述べた様に、光学調整層や誘電体層を形成すればディスクとしての反射率を高めることができるため、記録層の膜厚は１〜５０ｎｍ、より好ましくは３〜３０ｎｍ、更に好ましくは５〜２０ｎｍとするのがよい。

また、本発明で規定する前記構成の光記録層を採用すれば、光学調整層２や誘電体層３、５の一部もしくは全部を省略することも可能である。光記録層単層の場合の好ましい膜厚は８〜５０ｎｍ、より好ましくは１０〜２５ｎｍである。

上記Ｉｎ合金からなる光記録層は、スパッタリング法によって形成するのがよい。即ち本発明で用いるＩｎ以外の合金元素（希土類元素、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｖ、Ｎｉ、Ａｕ）は、熱平衡状態ではＩｎに対し固有の固溶限を有しているが、スパッタリング法によって薄膜を形成すると、上記合金元素がＩｎマトリックス中に均一に分散するので、膜質が均質化し、安定した光学特性や耐環境性などが得られ易いからである。

尚スパッタリングを行う際には、スパッタリング・ターゲット材として、溶解・鋳造法によって作製したＩｎ合金（以下、「溶製Ｉｎ基合金ターゲット材」という）を用いることが望ましい。溶製Ｉｎ基合金ターゲット材の組織と成分は均一であり、スパッタ率が安定しているばかりでなく、ターゲットからの原子の出射角度も均一であるため、成分組成の均一な光記録層が得られ易く、均質で高性能の光ディスクを製造できるからである。

なお、ターゲット材は真空溶解法等によって製造されるが、その製造に当っては、雰囲気中のガス成分（窒素、酸素など）や溶解炉成分が微量ながら不純物としてターゲットに混入することがある。しかし本発明の光記録層やターゲット材の成分組成は、それら不可避的に混入してくる微量成分までも規定するものではなく、本発明の上記特性が阻害されない限り、それら不可避不純物の微量の混入は許容される。

以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、下記実施例はもとより本発明を制限する性質のものではなく、前・後記の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えて実施することも可能であり、それらは本発明の技術的範囲に包含される。

実施例１
１）ディスクの作製法
ディスク基板として、２種類のポリカーボネート基板（厚さ：１．１ｍｍ、トラックピッチ：０．３２μｍ、溝幅：０．１４〜０．１６μｍ、溝深さ：２５ｎｍのＢＤ基板と、厚さ０．６ｍｍの溝なし基板）を用い、ＤＣマグネトロンスパッタリング法によって光記録膜を成膜した。スパッタリング・ターゲットとしては、便宜上、直径４インチのＩｎターゲット上に添加元素のチップ（５ｍｍ角もしくは１０ｍｍ角）を置いた複合ターゲットを用いた。

光記録膜形成のためのスパッタリング条件は、到達真空度：５×１０^-6Ｔｏｒｒ（１Ｔｏｒｒ＝１３３．３Ｐａ）以下、Ａｒガス圧：４ｍＴｏｒｒ、ＤＣスパッタ成膜パワー：５０Ｗとした。なお記録膜の厚さは、スパッタリング時間を５〜３０秒の間で変えることによって制御した。成膜したＩｎ合金層の組成は、ＩＣＰ発光分光法とＩＣＰ質量分析法によって求めた。

２）光ディスクの評価法
初期反射率と表面粗さ及び記録マークの形成性の評価は、厚さ０．６ｍｍの溝なし基板上に形成した薄膜サンプルを用いて行った。各光記録層に波長４０５ｎｍのレーザ光を照射し、分光光度計（日本分光社製の商品名「Ｖ−５７０」）を用いて初期反射率を測定した。光記録層の表面粗さ（Ｒａ：単位ｎｍ）は、原子間力顕微鏡（セイコーインスツルメンツ社製の商品名「ＳＰ１４０００」プローブ・ステーションのＡＦＭ；Atomic Force Microscopyモード）で測定した。測定範囲は２．５μｍ×２．５μｍとした。

記録マークの形成性については、日立コンピュータ機器製の商品名「ＰＯＰ１２０−８Ｒ」）を用いて、線速度５ｍ／ｓで記録層に良好な記録マークが形成されるレーザ・パワーを評価した。光源には波長４０５ｎｍの半導体レーザを使用し、レーザ・スポットサイズは直径０．８μｍとし、レーザは記録層側から照射した。記録後のマーク形状を光学顕微鏡によって観察し、レーザ照射面積に対するマーク形成面積の比を面積率として画像処理解析により算出し、面積率８５％以上を合格とした。

メディアノイズは、１．１ｍｍ厚の溝付き基板上に記録膜を形成した後、０．１ｎｍ厚のカバー層を塗布し硬化させたサンプルを使用し、線速度：５．２８ｍ／ｓ、周波数：１６．５ＭＨｚにおいて、光ディスク評価装置（パルステック社製の商品名「ＯＤＵ−１０００」、記録レーザ波長：４０５ｎｍ、ＮＡ（開口数）：０．８５）とスペクトラムアナライザー（アドバンテスト社製の商品名「Ｒ３１３１Ｒ」）を用いて測定し、未記録状態のメディアノイズ値を求めた。

結果を表１に纏めて示す。但し、表中の記号の意味は下記の通りである。
（１）初期反射率
◎：３０％以上、○：２５％以上３０％未満、△：２０％以上２５％未満、×：２０％未満。
（２）記録マークの形成性
◎：１５ｍＷ以下、○：１５ｍＷ超２５ｍＷ以下、×：２５ｍＷ超。
（３）表面粗さ（Ｒａ）
◎：２．０ｎｍ以下、○：２．０ｎｍ超４．０ｎｍ以下、×：４．０ｎｍ超。
（４）メディアノイズ
◎：−７５ｄＢ以下、○：−７５ｄＢ超−６５ｄＢ以下、×：−６５ｄＢ超。

表１、２からも明らかな様に、本発明の規定要件を全て満たす実施例（Ｎｏ．３、６〜９、１１、１３〜１９、２１、２２、２４〜２７、２９、３０、３３〜３６、３８〜４０、４２〜４４、４７〜５２、５４〜５７）は、いずれも初期反射率が良好で、記録マークの形成に過度のレーザ・パワーを必要とせず、表面粗さやメディアノイズも良好である。これらに対し、純Ｉｎ（Ｎｏ．１）では表面粗さとメディアノイズが悪くて実用に耐えず、またＩｎに加える合金元素量が不足する比較例（Ｎｏ．２、２０、３２、４６）では、同様に表面粗さとメディアノイズが悪い。また、逆に添加合金元素量が多過ぎる比較例（Ｎｏ．３１、３７、４１、４５、５３、５８）では、Ｉｎ含量が相対的に不足気味となって記録マークの形成性が劣化している。Ｎｏ．１２は、希土類元素の添加量が多過ぎる比較例であり、初期反射率が悪い。

尚、Ｎｏ．１０、２８は、Ｉｎ合金組成は適正であるが膜厚が厚過ぎる参考例であり、レーザ・パワーに対して吸収量が大き過ぎるため記録マークの形成性に悪影響が表れている。これに対しＮｏ．４、５、２３は、相対的に膜厚が若干薄い参考例であり、初期反射率がやや不足気味になっている。

本発明に係る光情報記録媒体の一実施態様を示す断面模式図である。 本発明に係る他の光情報記録媒体を例示する断面模式図である。 本発明に係る更に他の光情報記録媒体を例示する断面模式図である。 本発明に係る更に他の光情報記録媒体を例示する断面模式図である。

符号の説明

１ 支持基板
２ 光学調整層
３、５ 誘電体層
４ 記録層
６ 光透過層
７Ａ、７Ｂ 記録層群
８ 中間層
９ 接着剤層
１０ 光ディスク

Claims (12)

1. レーザ光の照射によって記録マークが形成される記録層であって、該記録層は、希土類元素の１種以上を０．１〜１５％（原子％の意味、以下同じ）含むＩｎ合金からなることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。
2. レーザ光の照射によって記録マークが形成される記録層であって、該記録層は、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｖから選ばれる１種の元素を０．１〜５０％含むＩｎ合金からなることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。
3. レーザ光の照射によって記録マークが形成される記録層であって、該記録層は、Ｎｉを６〜５０％含むＩｎ合金からなることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。
4. レーザ光の照射によって記録マークが形成される記録層であって、該記録層は、Ａｕを０．１％以上、５０％未満含むＩｎ合金からなることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。
5. 波長が３５０〜７００ｎｍのいずれかのレーザ光の照射によって記録マークが形成されるものである請求項１〜４のいずれかに記載の記録層。
6. 前記請求項１〜５のいずれかに記載の記録層を備えてなる光情報記録媒体。
7. 前記記録層の上部および／または下部に、光学調整層および／または誘電体層が設けられている請求項６に記載の光情報記録媒体。
8. 前記記録層は、厚さが１〜５０ｎｍである請求項６または７に記載の光情報記録媒体。
9. 希土類元素の１種以上を０．１〜１５％含むＩｎ合金からなることを特徴とする光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリング・ターゲット。
10. Ｐｄ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｖから選ばれる１種の元素を０．１〜５０％含むＩｎ合金からなることを特徴とする光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリング・ターゲット。
11. Ｎｉを６〜５０％含むＩｎ合金からなることを特徴とする光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリング・ターゲット。
12. ０．１％以上、５０％未満のＡｕを含むＩｎ合金からなることを特徴とする光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリング・ターゲット。

Images