TW200809846A - Recording layer for optical information recording medium, optical information recording medium, and spattering target - Google Patents

Recording layer for optical information recording medium, optical information recording medium, and spattering target Download PDF

Info

Publication number
TW200809846A
TW200809846A TW096103944A TW96103944A TW200809846A TW 200809846 A TW200809846 A TW 200809846A TW 096103944 A TW096103944 A TW 096103944A TW 96103944 A TW96103944 A TW 96103944A TW 200809846 A TW200809846 A TW 200809846A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
recording layer
layer
recording
atom
recording medium
Prior art date
Application number
TW096103944A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatewaki Ido
Hideo Fujii
Yuki Tauchi
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kobe Steel Ltd filed Critical Kobe Steel Ltd
Publication of TW200809846A publication Critical patent/TW200809846A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • C23C14/185—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B7/2433—Metals or elements of Groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic Table, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24306—Metals or metalloids transition metal elements of groups 3-10
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24308—Metals or metalloids transition metal elements of group 11 (Cu, Ag, Au)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/2431—Metals or metalloids group 13 elements (B, Al, Ga, In)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/266—Sputtering or spin-coating layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Description

200809846 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於光資訊記錄媒體用記錄層（光記錄層） 及光資訊記錄媒體以及光記錄層形成用濺鍍靶材。本發明 之光資訊記錄媒體用記錄層係使用於既存之CD ( Compact Disc) 、DVD (Digital Versatile Disc)、以及次世代型 光資訊記錄媒體（HD-DVD及Blu -ray Disc)，尤其是， 最適合於使用藍紫色之雷射之只寫一次型光資訊高密度記 錄媒體。 【先前技術】 光資訊記錄媒體（光碟）依據其記錄再生方式，可大 致分成唯讀型、可重寫型、以及只寫一次型之3種類。 其中，只寫一次型光碟時，主要係利用被雷射光照射 之記錄層材料之物性變化來記錄資料。只寫一次型光碟雖 然可進行資訊記錄卻無法進行刪除及重寫。利用如上所示 之特性，只寫一次型光碟被使用於不必進行資料之修正或 變更之文書檔案或影像檔案等之保存，例如，CD_R、 DVD-R、DVD + R等之市販品。 只寫一次型光碟所使用之記錄層材料，例如，花青系 色素、酞花青系色素、以及偶氮系色素等之有機色素材料 係大家所熟知。對該有機色素材料照射雷射光，利用色素 之熱吸收而使色素或基板產生分解、熔融、$胃胃等，@ 而形成sE錄標記。然而’使用有機色素材料日寺，必 <旨將色 -5- (2) (2)200809846 素溶解於有機溶媒再塗佈於基板上，故有生產性較差的問 題。此外，記錄信號之長期安定保存性等方面也有問題。 爲了改善上述有機色素材料之缺點，有人提出以下之 方法，亦即，光記錄層使用無機材料薄膜，對該薄膜照射 雷射光來局部地形成記錄標記（凹洞、溝等），藉以進行 記錄之方法（參照專利文獻1〜7等）。 專利文獻1及2係記載著積層著由含有A1之Cu基合 金所構成之反應層、及含有Si等之反應層之光記錄層。 該文獻所示之光記錄層時，利用照射雷射光，，可於基板 上，局部地形成混合存在著各反應層所含有之元素的區域 ，藉此，可使反射率產生較大之變化，即使藍色雷射等短 波長雷射也可進行高感度之記錄。 專利文獻3及4係關於用以防止記錄標記之C/N ( carrier-to-noise ratio:載體及雜訊之輸出電平的比）之降 低，且具備高C/N及反射率之光記錄媒體，明示光記錄層 係含有In之Cu基合金（專利文獻3 )、含有Bi等之Ag 基合金（專利文獻4 )。 專利文獻5及6係關於使用Sn基合金之光記錄層， 專利文獻5明示著，使合金層中含有2種以上之於熱處理 時至少部份凝聚所得之元素之光資訊記錄媒體。具體而言 ，係含有Bi或In之厚度爲1〜8nm程度之Sn-Cu基合金 層。專利文獻6所示係利用於由Bi、及In、Sn、Cd、Pb 、Z n等之低融點金屬所構成之合金添加著n、A r、S而形 成之合金，來得到未全無法刪除記錄標記之記錄層，而得 -6 - 200809846 (3) 到具有高記錄感度之光記錄層。 專利文獻7係關於記錄層由2相所構成之光學記錄媒 體’由含有氧之In合金的第1記錄層、及含有氧之Se及/ 或Te之合金的第2記錄層所構成，利用此種構造，可得 到具有高反射率及記錄感度之光記錄層。 [專利文獻1]日本特開2004-922號公報 [專利文獻2]日本特開2004-34717號公報 [專利文獻3]日本特開2002-172861號公報 [專利文獻4]日本特開2002-144730號公報 [專利文獻5 ]日本特開平2 - 1 1 7 8 8 7號公報 [專利文獻6]日本特開2002-347340號公報 [專利文獻7]日本特開2003-326848號公報 【發明內容】 近年來，爲了對應記錄資訊之高密度化，而針對利用 藍紫色雷射等之短波長雷射之光資訊之記錄及再生技術進 行開發，符合其要求之記錄層特性係（1 )高C/N (讀取 時之信號較強，背景之雜訊較小）、低顫動（再生信號之 時間軸上之擺動較少）等高品質之信號寫入·讀取特性、 及（2)高記錄感度（可以低功率之雷射光來寫入）等。 另一方面，金屬系之光記錄層具有素材安定性遠優於 有機系之光記錄層之優點，開發以金屬系之材料滿足上述 要求特性之實用光記錄層，在對使用者提供高信賴性之 BD-R及HD DVD-R上，係極爲重要的。 200809846 (4) 此外，光記錄層之成膜上，最好採用生產效率高之濺 鍍法，同時，最好能提供以形成高品質光記錄層爲目的之 濺鍍靶材、及具有該記錄層之光資訊記錄媒體。 有鑑於上述事實，本發明之目的係在提供可滿足上述 ' (1 ) 、 （ 2 )之要求特性，且具有高記錄感度信賴性之光 ' 資訊記錄媒體用記錄層、及具備該記錄層之光資訊記錄媒 體，此外，尙提供有利於形成該種光資訊記錄層之濺鍍靶 材。 爲了解決上述課題，本發明之光資訊記錄用記錄層， 係利用雷射光照射來形成記錄標記之記錄層，其特徵爲， 該記錄層係由含有0.1〜15原子％之1種以上之稀土類元 素、或含有6〜50原子％之Ni或含有0.1〜50原子％之從 Pd、Co、Pt、以及V所選出之1種元素或含有〇·1〜50原 子％之An (但，不含50原子％ )的In合金所構成。 本發明之上述記錄層，尤其是對於波長爲350〜 7OOnm之範圍的雷射光特別具有高記錄感度，故可發揮優 良之光資訊的寫入精度及讀取精度。 此外，本發明之光資訊記錄媒體具有具備上述構成之 光記錄層之特徵，於前述記錄層之上部及/或下部配設光 學調整層及/或介電質層之構成係良好實施形態。該光資 訊記錄媒體之光記錄層之厚度，於光記錄層之上部及/或 下部配設著光學記錄層或介電質層時，應在於1〜5 0nm之 範圍，未配設光學記錄層及介電質層時，應在於8〜50nm 之範圍。 -8- 200809846 (5) 光記 * 0.1 成， Co、 而以 [η合 範圍 其他 記。 較粗 以上 Pt、 、或 該缺 可改 如下 此外，本發明之濺鍍靶材係利用濺鍍法形成上述 錄層時所使用之靶材，其特徵爲，第1靶材係由含有 〜1 5原子％之1種以上之稀土類元素的I η合金所構 其他靶材則係由含有〇. 1〜5 0原子％之範圍之從Pd、 Pt、以及V所選出之1種元素的In基合金所構成， 外之其他靶材係由含有6〜50原子％之範圍之Ni的 金、或含有〇·1〜50原子％ (但，不含50原子％ )之 之A u的I η合金所構成。 本發明之上述In合金時，基材之In係融點遠比 金屬爲低之1 5 6 · 6 °C，可以低雷射·功率形成記錄標 相反地，因爲In爲低融點，故C/N値較小，記錄層 且表面平滑性較差，使In含有0.1〜15原子％之1種 之稀土類元素、或含有0.1〜50原子％之從Pd、Co、 以及V所選出之1種元素、或含有6〜50原子％之Ni 含有0.1原子％以上、50原子％以下之Au，可以改善 點，而得到可使光記錄層達到實用水準之C/N値，且 善再生波形，而得到實用之低雷射·功率之光記錄層< 【實施方式】 首先，本發明之所以選擇In做爲基金屬之理由 所示。 從光記錄層之反射率之觀點而言，Al、Ag、Cu等稍 優於In，然而，利用雷射光照射之記錄標記之形成性則In 遠優於它們。因爲In之融點約爲156.6 °C，遠低於A1 (融 200809846 (6) 點約爲660°C ) 、Ag (融點約爲962t ) 、Cu (融點約爲 1 0 8 5 °C )，故In合金之薄膜即使在雷射光照射之低溫下 也容易熔融或變形，於低雷射·功率下也可發揮優良之記 錄特性。尤其是，本發明之目的之一，係應用於利用藍紫 色雷射之次世代型光碟，此時，因爲A1基合金等可能會 難以形成記錄標記，故採用In合金。 如上所述之本發明所使用之In合金，基本上係由ln 負責其主要特性，該In合金中，In之含有量應爲40原子 %以上，In含量爲50原子％以上更佳，最好爲60原子％ 以上。 然而，In單獨時爲低融點，因此C/N値較小，此外， 記錄層較粗而表面平滑性較差，故實用性不良。因此，本 發明之第1之In合金時，除了 In以外，應含有0.1〜15 原子％之1種以上之稀土類元素（具體而言，如Y、La、 Nd、Gd或Yb等），最好含有8〜10原子％之範圍。此外 ，其他In合金時，應含有0.1〜50原子％之從Pd、Co、Pt 、以及V所選出之1種元素，最好含有10〜40原子％之 範圍。此外，其他In合金時，應含有6〜50原子％之Ni ，最好含有1〇〜40原子°/〇之範圍。或者，其他In合金時 ，應含有0.1原子％以上、50原子％以下之Au，最好含有 10〜40原子％之範圍。適量含有各合金元素，可以活用In 本來之特性，而改善其缺點之低C/N値及記錄層之表面平 滑性不足及粗糙度，而得到可實用之記錄感度及記錄精度 -10- 200809846 (7) 亦即，上述In合金時，稀土類元素之Pd、Co、Pt、 V、Ni、以及Αιι皆具有可改善光記錄層之表面粗糙度較 大、再生時之雜訊較高（亦即，C/N値較小）之純In層之 缺點之作用。上述作用在含有0 · 1原子。/〇以上之稀土類元 素時，可有效發揮，最好含有3原子％以上。另一方面， 稀土類元素之含有量爲1 5原子％以下時，已確認初期反射 率不會降低下，而信號讀取必要之未記錄部分具有良好之 反射率，因最大爲1 5原子％，以1 0原子％以下爲佳，最 好爲8原子％程度以下。此外，稀土類元素如Y、Nd、La 、Gd、以及Yb等，可以單獨使用，或者，也可以倂用2 種以上之任意組合。 此外，Pd、Co、Pt、以及V時，上述效果於分別含有 0.1原子％以上時可有效發揮，最好爲含有10原子％以上 。另一方面，Pd、Co、Pt、或V之含有量爲50原子％以 下時，可以使In量不會相對地過少，而可以發揮In本來 之特性，尤其是，可以活用低融點而形成良好之記錄標記 。Pd、Co、Pt、或V之含有量最好爲40原子％以下。 此外，Ni時，含有6原子％以上可有效地發揮添加效 果，最好爲含有10原子％以上。另一方面，Ni之含有量 爲50原子％以下，In量不會相對地過少，而可以發揮In 本來之特性，尤其是，可以活用低融點而形成良好之記錄 標記。Ni含量最好爲40原子％以下。 此外，Au時，含有〇 · 1原子％以上可有效地發揮添加 效果，最好爲含有10原子％以上。另一方面，Αιι之含有 -11 - 200809846 (8) 量爲5 〇原子％以下，ϊη量不會相對地過少，而可以發揮 In本來之特性，尤其是’可以活用低融點而形成良好之記 錄標記。A u之含有量最好爲4 0原子％以下。 利用上述In合金所形成之光記錄層’可以安定精度 ' 形成確實之記錄層，且依據光資訊記錄媒體之構造’其厚 度可介於1〜50nm之範圍。厚度爲1 nm以上’光記錄層 不會過薄，即使未於光記錄層之上部或下部配設光學調整 層或介電質層，於光記錄層之膜面不會產生孔隙等缺陷’ 而得到可滿足之記錄感度。另一方面，記錄層之厚度若爲 5 Oiim以下，記錄層不會過厚，可抑制雷射光照射所附與 之熱在記錄層內擴散，而形成良好之記錄標記。記錄層之 厚度，未配設介電質層或光學調整層時，應爲8 nm以上、 50nm以下，最好爲l〇nm以上、25nm以下，配設著介電 質層或光學調整層時，應爲3nm以上、30nm以下，最好 爲5nm以上、25nm以下。 以記錄爲目的而照射之雷射光之波長應在於3 5 0〜 700nm之範圍。雷射光之波長若爲350nm以上，被覆層（ . 光透射層）等難以實現光吸收，對光記錄層可以有良好之 寫入·讀取。另一方面，雷射光之波長爲7 0 Onm以下，可 以充份得到雷射光之能量，可以對光記錄層形成良好之記 ^ °以此觀點而言，資訊記錄所使用之雷射光線之波 長應爲35〇nm以上、660nm以下，最好爲3 8 0nm以上、 6 5 0 n m以下〇 Μ形成本發明之上述光記錄層爲目的所使用之濺鍍靶 -12- 200809846 (9) 材之組成，基本上，與上述光記錄層之合金組成 用前面針對In合金所記載之合金組成調整，以 成之光記錄層也很容易就可實現相同之成分組成 以下，將本發明之優點與傳統技術（前述之 1〜7 )進行對比，同時進行說明。 • 以反射率之觀點而言，日本特開2004-5922 曰本特開2004-234717號公報、日本特開2002-公報、或日本特開2002-144730號公報所記載： 、Cu比本發明所使用之in稍優。然而，以利用 射之記錄標記形成性而言，則In佔有絕對的優 面所述，因爲In之融點爲156.6 °C，遠低於A1 < °C ) 、Ag (融點 962°C ) 、Cu (融點 1 085 °C ) 金之極薄膜即使在雷射光照射之低溫下也會熔融 於低雷射·功率下也可發揮優良之記錄特性。 尤其是，如本發明應用於利用藍紫色雷射之 光碟時，將A1薄膜等當做記錄層使用，有時可 低雷射·功率時形成記錄標記。 ， 日本特開平2- 1 1 78 87號公報所示之40質 質量％111-5質量％(：11合金（膜厚爲2〜4nm)之光 換算成原子％爲37.7原子％Sn-53.5原子％Ιη-8·8 合金）無法得到實用的C/N値。此外，該特許所 層之厚度爲2〜4nm，以該合金組成而言，因爲 ，以實驗已確認無法得到實用的反射率。 此外，日本特開2002-347340號公報所示二 :相同，利 濺鍍所形 〇 專利文獻 號公報、 172861 號 匕 Al 、 Ag 雷射光照 勢。如前 :融點660 ，故In合 或變形， 次世代型 能無法以 量 ％ S η - 5 5 記錄層（ 原子％ C u 示之合金 膜厚太薄 1只由Bi -13- 200809846 (10) 及In、Sn、Cd、Pb、Zn等之低融點金屬所構成之光記錄 層時，記錄層之表面粗糙度會變大，媒體雜訊也會較大， 而無法得到實用水準之C/N値。 此外，日本特開2003 -326848號公報所示係具有In * 合金之第1層、及由Se及/或Te合金所構成之第2層之 - 光記錄層。該合金系時，因爲使用Se及Te等有害金屬， 故有安全性之問題。 由以上可知，本發明之光記錄層係比傳統技術更爲有 益之技術。 第1圖〜第4圖係本發明之光資訊記錄媒體（光碟） 之實施形態之剖面模式圖，係對記錄層照射波長約爲350 〜700nm之雷射光可執行資料之記錄及再生之只寫一次型 光碟。此外，從雷射光入射方向觀看時，各圖之（A )[及 (C )]係於記錄剖位形成凸部、（B )[及（D )]係記錄場 所形成凹部之例示。 第1圖之光碟10具備支持基板1、光學調整層2、介 電質層3、5、夾於該介電質層3、5之間之記錄層4、以 _ 及光透射層6。介電質層3、5係以保護記錄層4爲目的而 之配設者，藉此，可長時間保存記錄資訊。 第2圖之光碟10具備支持基板1、第0記錄層群（具 備光學調整層、介電質層、記錄層之一群之層）7A、中間 層8、第1記錄層群（具備光學調整層、介電質層、記錄 層之一群之層）7B、以及光透射層6。第3圖係1層 DVD-R、1層DVD + R、1層HD DVD-R型之光碟之例示’ -14- 200809846 (11) 第4圖係2層DVD-R、2層DVD + R、2層HD DVD-R型之 光碟之例示，符號8係中間層，符號9係黏著劑層。 上述第2圖及第4圖之用以構成第0及第1記錄層群 7A、7B之一群之層可以爲3層構造（從圖之上側開始， ^ 介電質層/記錄層/介電質層、介電質層/記錄層/光學調整 - 層、記錄層/介電質層/光學調整層等）或2層構造（從圖 之上側開始，記錄層/介電質層、介電質層/記錄層、記錄 層/光學調整層、光學調整層/記錄層等），也可以只由1 層記錄層所構成之物。 本發明之代表實施形態之光碟之特徵，如上述第1圖 〜第4圖所示，係使用滿足前述規定要件之In合金做爲 記錄層4之素材，記錄層4以外之支持基板1、光學調整 層2、介電質層3、5等之素材則無特別限制，只要從通常 使用之物進行適當選擇即可。 具體而言，支持基板之素材如聚碳酸酯樹脂、原冰烯 系樹脂’環嫌系共聚物’非晶質聚嫌等’光學調整層之素 材如Ag、Ail、Cu、Al、Ni、Cr、Ti等或其合金等，介電 質層之素材如ZnS-Si02、Si、A卜Ti、Ta、Zr、Cr等之氧 化物、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、Zn 等之氮化物、 Ge、Cr、Si、A1、Ti、Zr、Ta 等之碳化物、S i、A1、M g 、Ca、La等之氟化物、或其混合物等。 此外，如前面所述，因爲形成光學調整層或介電質層 可提高碟片之反射率，記錄層之膜厚應爲1〜50nm，3〜 30nm更佳，最好爲5〜20nm。 -15- 200809846 (12) 此外，採用本發明所規定之前述構成 以省略部份或全部光學調整層2及介電質 記錄層單時，膜厚應爲8〜50nm，最好爲 上述由In合金所構成之光記錄層， ^ 來形成。亦即，本發明所使用之In以外 - 土 類元素，Pd、Co、Pt、V、Ni、An)於 對In具有特定之固溶度極限，利用濺鍍 述合金元素可均一分散於In基質中，可 而容易得到安定之光學特性及耐環境性等 此外，實施濺鍍時，濺鍍靶材應使用 製作之In合金（以下，稱爲「溶製In基 溶製In基合金靶材之組織及成分十分均 安定，靶材之原子出射角度也十分均一， 組成均一之光記錄層，而可製成均質且高彳 此外，利用真空溶解法等製造靶材， 之氣體成分（氮、氧等）及溶解爐成分等 微量地混入靶材。然而，本發明之光記錄 _ 組成，對於該等無法避免之微量混入成分 不妨礙本發明之上述特性，容許該等無法 之混入。 [實施例] 以下，以實施例針對本發明進行更具 ，本發明並未受限於下述實施例，只要在 之光記錄層，可 層3、5。單層光 10 〜2 5 nm 〇 可以利用濺鍍法 之合金元素（稀 熱平衡狀態時， 法形成薄膜，上 使膜質均質化， 〇 以溶解·鑄造法 合金靶材」）。 一，不但濺鍍率 故容易得到成分 生能之光碟。 製造時，環境中 會以雜質之方式 層及靶材之成分 並無規疋’只要 避色之微量雜質 體之說明，然而 未背離前、後所 •16- (13) 200809846 述之要旨之範圍內，可以進行適度變更來實施，且其亦包 含於本發明之技術範圍內。 實施例1 ^ 1 )碟片之製作法 • 碟片基板採用2種類之聚碳酸酯基板（厚度：1.1mm 、軌距：0.32// m、溝寬：0.14 〜0.16// m、溝深：25nm 之BD基板、及厚度0.6mm之無溝基板），利用DC磁控 濺鍍法實施光記錄膜之成膜。爲了方便，濺鍍靶材使用於 直徑4英吋之In靶材上設置著添加元素之碎片（5mm四 方或10mm四方）之複合耙材。 以形成光記錄膜爲目的之濺鍍條件係極限真空： 5xl〇'6T〇rr ( lTorr = 133.3Pa)以下、Ar 氣壓：4mTorr、 DC濺鍍成膜功率：50W。此外，記錄膜之厚度以使濺鍍 時間在5〜30秒間變化來進行控制。利用ICP發光分光法 及ICP質量分析法來求取成膜之In合金層之組成。 . 2)光碟之評估法 初期反射率及表面粗糙度及記錄標記之形成性之評估 係利用形成於厚度〇.6mm之無溝基板上之薄膜試樣來實施 °對各光記錄層照射波長405 nm之雷射光，以分光光度計 (曰本分光社製之商品名稱「V-5 70」）檢測初期反射率 。光記錄層之表面粗糙度（Ra :單位nm )係利用原子力 顯微鏡（Seiko Instruments公司製之商品名稱「SP14000 -17- 200809846 (14) 」probe station 之 AFM;At〇mic Force Microscopy 型）來 進行檢測。檢測範圍爲2.5# mx2.5// m。 針對記錄標記之形成性，使用日立C Ο Μ P U T E R機器 製之商品名稱「POP120-8R」，以線速度5m/s評估於記錄 層形成良好記錄標記之雷射·功率。光源使用波長405 nm 之半導體雷射，雷射·點尺寸之直徑爲0.8//m，從記錄層 側照射雷射。以光學顯微鏡觀察記錄後之標記形狀，利用 影像處理解析計算出面積率來當做相對於雷射照射面積之 標記形成面積之比，面積率85%以上爲合格。 媒體雜訊係使用於1 · 1 mm厚度之有溝基板上形成記錄 膜後，塗佈〇. 1 nm厚度之被覆層並使其硬化之試樣，以線 速度：5.28m/s、頻率：16·5ΜΗζ，利用光碟評估裝置（ PLUSTEC公司製之商品名稱「ODU- 1 000」、記錄雷射波 長：405nm、NA (數値孔徑）：〇 · 8 5 )及頻譜分析儀（ ADVANTEST公司製之商品名稱「R3131R」）進行檢測， 求取未記錄狀態之媒體雜訊値。 結果如表1所示。但，表中之日己號之思義如下所不。 (1 )初期反射率 A : 3 0 %以上、B : 2 5 °/〇以上、3 0 %以下、C : 2 0 %以上 、2 5 %以下、D : 2 0 %以下。 (2 )記錄標記之形成性 A: 15mW 以下、B:15mW 以上、25mW 以下、C: 2 5 m W以上。 (3 )表面粗糙度（Ra) -18- (15) 200809846 A: 2.0nm 以下、B: 2.0nm 以上、4.0nm 以下、C 4.0nm以上。 (4 )媒體雜訊 A ： -7 5dB 以下、B:-75dB 以上、-65dB 以下、C ^ 65dB以上。 -19- 200809846 (16) [表1]
試料 No. 合金組成 (at%) 膜厚 (nm) 初期反射率 記錄標記之 形成性 表面粗糙度 _ 媒體雜訊 1 In 25.0 A A C C 2 In-0.05%Y 25.0 A A C C 3 Ιη-0.1%Υ 25.0 A A B B 4 Ιη-6%Υ 1.0 C A A A 5 Ιη-6%Υ 3.0 C A A A 6 Ιη-6%Υ 5.0 B A A A 7 Ιη-6%Υ 15.0 B A A A 8 Ιη-6%Υ 25.0 B A A A 9 Ιη-6%Υ 50.0 A B B B 10 Ιη-6%Υ 55.0 A C B B 11 Ιη-15%Υ 25.0 B B A A 12 Ιη-16°/〇Υ 25.0 D B A A 13 In-3%Nd 25.0 B A A A 14 In-9%Nd 25.0 B A A A 15 In-7%La 25.0 B A A A 16 In-10%La 25.0 B A A A 17 In-4%Yb 25.0 B A A A 18 In-8%Gd 25.0 B A A A 19 In-3%Y-3%Nd 25.0 B A A A 20 In-4%Ni 25.0 A A C C 21 In-6%Ni 25.0 A A B B 22 In-10%Ni 25.0 A A A A 23 In-20%Ni 1.0 C A A A 24 In-20%Ni 5.0 B A A A 25 In-20%Ni 10.0 A A A A 26 In-20%Ni 25.0 A A A A 27 In-20%Ni 50.0 A B A A 28 In-20%Ni 55.0 A C A A 29 In-40%Ni 25.0 A A A A 30 In-50%Ni 25.0 A B A A 31 In-55%Ni 25.0 A C A A -20- 200809846 (17) [表2]
試料 No. 合金組成 (at%) 膜厚 (nm) 初期反射率 記錄標記之 形成性 表面粗糙度 (Ra) 媒體雜訊 1 In 25.0 A A C C 32 In-0.05%Pd 25.0 A A C C 33 In-0.1%Pd 25.0 A A B B 34 In-20%Pd 25.0 A A A A 35 In-40%Pd 25.0 A A A A 36 In-50%Pd 25.0 A B A A 37 In-55%Pd 25.0 A C A A 38 In-10%Co 25.0 A A A A 39 In-20%C〇 25.0 A A A A 40 In-50%C〇 25.0 A B A A 41 In-55%Co 25.0 A C A A 42 In-30%Pt 25.0 A A A A 43 In-40%Pt 25.0 A A A A 44 In-50%Pt 25.0 A V A A 45 In-55%Pt 25.0 A C A A 46 In-0.05%Au 25.0 A A C C 47 In-20%Au 10.0 A A A A 48 In-20%Au 20.0 A A A A 49 In-20%Au 25.0 A A A A 50 In-30% Au 25.0 A A A A 51 In-40%Au 25.0 A B A A 52 In-48%Au 25.0 A B A A 53 In-50% Au 25.0 A C A A 54 In-10%V 15.0 A A A A 55 In-10%V 25.0 A A B B 56 In-20%V 25.0 A A B B 57 In-50%V 25.0 A B B B 58 In-55%V 25.0 A C B B -21 - 200809846 (18) 由表1、2可知，滿足本發明之規定要件之實施例（ No.3、6 〜9、11、13 〜19、21、22、24 〜27、29、30、3 3 〜36、38〜40、42〜44、47〜52、54〜57)之初期反射率 皆良好，記錄標記之形成上，無需過度之雷射·功率，表 面粗糙度及媒體雜訊也良好。相對於此，純In ( No.l )時 • ，表面粗糙度及媒體雜訊較較差而不符合實用，此外，添 加於In之合金元素量不足之比較例（No.2、20、32、46 )時，同樣有表面粗糙度及媒體雜訊較差之情形。此外， 添加之合金元素量過多之比較例（N0.31、37、41、45、 5 3、5 8 )時，因爲1 η含量相對不足而出現記錄標記之形 成性劣化之情形。Ν ο · 1 2係稀土類元素之添加量過多之比 較例，初期反射率較差。 此外，Νο·10、28係In合金組成爲適當，但膜厚過厚 之參考例，相對於雷射·功率，因爲吸收量過大，對記錄 標記之形成性有不良之影響。相對於此，Ν 〇 · 4、5、2 3係 膜厚相對較薄之參考例，初期反射率稍爲不足。 以上，係參照特定形態，針對本發明進行詳細說明， 然而，只要未背離本發明之精神及範圍，可以進行各種變 更及修正，相關業者理當了解其道理。此外，本專利申請 係依據2006年2月3日提出申請之日本特許出願（日本 特願2006-027192)及2006年6月13日提出申請之日本 特許出願（日本特願2006- 1 63 846 )並引用其全體。 本發明之上述In合金時，基材之In係融點遠比其他 金屬爲低之1 5 6 · 6 °C，可以低雷射·功率形成記錄標記。 -22- 200809846 (19) 相反地，因爲In爲低融點，故C/n値較小，記錄層較粗 且表面平滑性較差，使In含有0.1〜15原子％之1種以上 之稀土類元素、或含有0.1〜50原子％之從Pd、Co、Pt、 以及V所選出之1種元素、或含有6〜50原子％之Ni、或 含有0.1原子％以上、5 0原子％以下之A u，可以改善該缺 點，而得到可使光記錄層達到實用水準之C/N値，且可改 善再生波形，而得到實用之低雷射·功率之光記錄層。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明之光資訊記錄媒體之一實施形態之剖 面模式圖。 第2圖係本發明之其他光資訊記錄媒體之剖面模式圖 〇 第3圖係本發明之其他光資訊記錄媒體之剖面模式圖 〇 第4圖係本發明之其他光資訊記錄媒體之剖面模式圖 【主要元件之符號說明】 1 :支持基板 2 :光學調整層 3、5 :介電質層 4 :記錄層 6 :光透射層 -23- 200809846 (20) 7A、7B :記錄層群 8 :中間層 9 :黏著劑層 10 :光碟 -24-

Claims (1)

  1. 200809846 (1) 十、申請專利範圍 1 · 一種光資訊記錄媒體用記錄層’係利用雷射光照 射來形成記錄標記之記錄層，其特徵爲： 該記錄層係由含有0.1〜15原子％之1種以上之稀土 類元素的In合金所構成。 2. —種光資訊記錄媒體用記錄層’係利用雷射光照 射來形成記錄標記之記錄層，其特徵爲： 該記錄層係由含有〇·1〜50原子。之從Pd、Co、Pt、 以及V所選出之1種元素的In合金所構成。 3 · —種光資訊記錄媒體用記錄層，係利用雷射光照 射來形成記錄標記之記錄層，其特徵爲： 該記錄層係由含有6〜50原子％之Ni的In合金所構 成。 4. 一種光資訊記錄媒體用記錄層’係利用雷射光照 射來形成記錄標記之記錄層’其特徵爲： 該記錄層係由含有0.1原子％以上、50原子％以下之 Au的In合金所構成。 5 ·如申請專利範圍第1〜4項之中任一項所記載之記 錄層，其中 利用照射波長爲3 5 0〜7 0 〇 n m之範圍的雷射光來形成 §己錄標記。 6.如申請專利範圍第1〜4項之中任一項所記載之記 錄層，其中 In合金中之In之含有量係4〇原子％以上。 -25- 200809846 (2) 7. 一種光資訊記錄媒體，其特徵爲具備： 如前述申請專利範圍第1〜4項之中任一項所記載之 記錄層。 8. 如申請專利範圍第7項所記載之光資訊記錄媒體 ， ，其中 - 於前述記錄層之上部及/或下部，設置有光學調整層 及/或介電質層。 9. 如申請專利範圍第7項所記載之光資訊記錄媒體 ，其中 前述記錄層之厚度爲1〜50nm。 10. 如申請專利範圍第8項所記載之光資訊記錄媒體 ，其中 前述記錄層之厚度爲1〜5〇nm。 11. 一種光資訊記錄媒體之記錄層形成用濺鍍靶材， 其特徵爲： 由含有〇.1〜15原子％之1種以上之稀土類元素的In 合金所構成。 12. 一種光資訊記錄媒體之記錄層形成用濺鍍靶材’ 其特徵爲· 由含有0.1〜50原子％之從Pd、Co、Pt、以及V所選 出之1種元素的I η合金所構成。 13. 一種光資訊記錄媒體之記錄層形成用濺鍍靶材’ 其特徵爲： 由含有6〜50原子％之Ni的In合金所構成。 -26- 200809846 (3) 14. 一種光資訊記錄媒體之記錄層形成用濺鍍靶材， 其特徵爲= 由含有0.1原子％以上、50原子％以下之Α·α的In合 金所構成。 -27-
TW096103944A 2006-02-03 2007-02-02 Recording layer for optical information recording medium, optical information recording medium, and spattering target TW200809846A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006027192 2006-02-03
JP2006163846A JP2007230207A (ja) 2006-02-03 2006-06-13 光情報記録媒体用記録層および光情報記録媒体、並びにスパッタリング・ターゲット

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200809846A true TW200809846A (en) 2008-02-16

Family

ID=38327515

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096103944A TW200809846A (en) 2006-02-03 2007-02-02 Recording layer for optical information recording medium, optical information recording medium, and spattering target

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20100227107A1 (zh)
JP (1) JP2007230207A (zh)
TW (1) TW200809846A (zh)
WO (1) WO2007088946A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009059428A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Kobe Steel Ltd 光情報記録媒体および光情報記録媒体用の記録膜
JP2009146549A (ja) 2007-12-18 2009-07-02 Kobe Steel Ltd 光情報記録媒体
WO2010055865A1 (ja) * 2008-11-12 2010-05-20 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット
JP4969625B2 (ja) 2008-11-12 2012-07-04 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体
JP5276557B2 (ja) * 2009-09-18 2013-08-28 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体用記録層および光情報記録媒体
WO2011034153A1 (ja) 2009-09-18 2011-03-24 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54111106U (zh) * 1978-01-25 1979-08-04
JPS61190028A (ja) * 1985-02-20 1986-08-23 Hitachi Ltd 分光反射率可変合金および記録材料
JPS63244339A (ja) * 1987-03-31 1988-10-11 Toshiba Corp 光記録媒体
JPH02151482A (ja) * 1988-12-05 1990-06-11 Hitachi Ltd 情報記録用薄膜
JP2002172860A (ja) * 2000-12-04 2002-06-18 Tdk Corp 光記録媒体
JP2004284018A (ja) * 2002-03-08 2004-10-14 Ricoh Co Ltd 光記録媒体
JP2003260874A (ja) * 2002-03-08 2003-09-16 Ricoh Co Ltd 光記録媒体
JP2007062108A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Kobe Steel Ltd 光情報記録媒体用の記録層およびスパッタリングターゲット、並びに光情報記録媒体
JP2007293983A (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Kobe Steel Ltd 光情報記録媒体

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007088946A1 (ja) 2007-08-09
JP2007230207A (ja) 2007-09-13
US20100227107A1 (en) 2010-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3907666B2 (ja) レーザーマーキング用再生専用光情報記録媒体
JP4377861B2 (ja) 光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット
KR100445083B1 (ko) 광정보 기록매체용 반사층 또는 반투명 반사층, 광정보기록매체 및 광정보 기록매체용 스퍼터링 타겟
JP2006054032A5 (zh)
TWI276098B (en) Optical recording medium and manufacturing method thereof, and method for recording data on optical recording medium, and data reproduction method
JP2002015464A (ja) 光情報記録媒体用の反射層または半透明反射層、光情報記録媒体及び光情報記録媒体用スパッタリングターゲット
US20100183839A1 (en) Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
KR20060032155A (ko) 광기록매체, 광기록/재생장치, 광기록장치 및 광재생장치,광기록매체용 데이터 기록/재생 방법 및 데이터 기록방법및 데이터 재생 방법
TW200809846A (en) Recording layer for optical information recording medium, optical information recording medium, and spattering target
JP2007062108A (ja) 光情報記録媒体用の記録層およびスパッタリングターゲット、並びに光情報記録媒体
WO2007046390A1 (ja) 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体、および光情報記録媒体用スパッタリングターゲット
KR100770806B1 (ko) 광기록매체와 그 제조방법 및 광기록매체에 대한 데이터기록방법 및 데이터 재생방법
JP2009076129A (ja) 読み出し専用の光情報記録媒体
JP3924308B2 (ja) レーザーマーキング用再生専用光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット
US20070248783A1 (en) Optical information recording media
JP2007196683A (ja) 光情報記録媒体用記録層および光情報記録媒体、並びにスパッタリング・ターゲット
JP4540687B2 (ja) 読み出し専用の光情報記録媒体
JP2007111898A (ja) 光情報記録媒体用の記録層およびスパッタリングターゲット、並びに光情報記録媒体
JP2005339761A (ja) 光記録媒体
JP4667721B2 (ja) 光記録媒体およびその製造方法
JP2007301761A (ja) 光情報記録媒体用記録層および光情報記録媒体
TW201025321A (en) Read-only optical information recording medium, and sputtering target for forming reflecting film for the optical information recording medium
WO2008075683A1 (ja) 光情報記録媒体
JP2006294219A (ja) 相変化型光情報記録媒体とその製造方法
JP2007196571A (ja) 光情報記録媒体用記録層および光情報記録媒体、並びにスパッタリング・ターゲット