JP2002172860A - 光記録媒体 - Google Patents
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 転送レートを高くすることができ、しかも、
保存信頼性が良好な相変化型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 相変化型の記録層を有し、この記録層
は、主成分元素としてＳｂ、Ｔｅ、ＧｅおよびＩｎから
選択される少なくとも２種の元素を含有し、副成分元素
として希土類元素（Ｙ、Ｓｃおよびランタノイド）、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、ＴｉおよびＳｎから選択される少なくとも１
種の元素を含有し、かつ、共融混合物が存在し得るもの
である光記録媒体。
保存信頼性が良好な相変化型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 相変化型の記録層を有し、この記録層
は、主成分元素としてＳｂ、Ｔｅ、ＧｅおよびＩｎから
選択される少なくとも２種の元素を含有し、副成分元素
として希土類元素（Ｙ、Ｓｃおよびランタノイド）、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、ＴｉおよびＳｎから選択される少なくとも１
種の元素を含有し、かつ、共融混合物が存在し得るもの
である光記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型の光記録
媒体に関する。
媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。相変化型の光記録媒体は、駆動装
置の光学系が光磁気記録媒体のそれに比べて単純である
ため、注目されている。
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。相変化型の光記録媒体は、駆動装
置の光学系が光磁気記録媒体のそれに比べて単純である
ため、注目されている。
【０００３】相変化型の記録層には、結晶質状態と非晶
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の
カルコゲナイド系材料が用いられることが多い。
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の
カルコゲナイド系材料が用いられることが多い。
【０００４】相変化型光記録媒体において情報を記録す
る際には、記録層が融点以上まで昇温されるような高パ
ワー（記録パワー）のレーザー光を照射する。記録パワ
ーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷さ
れ、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マー
クを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であ
ってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低
パワー（消去パワー）のレーザー光を照射する。消去パ
ワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上まで加
熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に戻
る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一の光ビ
ームの強度を変調することにより、オーバーライトが可
能である。
る際には、記録層が融点以上まで昇温されるような高パ
ワー（記録パワー）のレーザー光を照射する。記録パワ
ーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷さ
れ、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マー
クを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であ
ってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低
パワー（消去パワー）のレーザー光を照射する。消去パ
ワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上まで加
熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に戻
る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一の光ビ
ームの強度を変調することにより、オーバーライトが可
能である。
【０００５】現在、実用化されている最も高容量の相変
化型媒体は、ＤＶＤ−ＲＡＭおよびＤＶＤ−ＲＷであ
り、これらのいずれも片面の記録容量が４．７GBであ
る。これらのうち最もデータ転送レートが高いのはＤＶ
Ｄ−ＲＡＭであり、その転送レートは２２Mbpsである。
今後、家庭でのディジタル放送の録画や、放送業務用で
の動画像の録画を考慮すると、さらなる大容量化および
高転送レート化が望まれる。
化型媒体は、ＤＶＤ−ＲＡＭおよびＤＶＤ−ＲＷであ
り、これらのいずれも片面の記録容量が４．７GBであ
る。これらのうち最もデータ転送レートが高いのはＤＶ
Ｄ−ＲＡＭであり、その転送レートは２２Mbpsである。
今後、家庭でのディジタル放送の録画や、放送業務用で
の動画像の録画を考慮すると、さらなる大容量化および
高転送レート化が望まれる。
【０００６】記録の高密度化および高転送レート化を実
現するために、記録再生波長の短縮、記録再生光学系の
対物レンズの高開口数化、媒体の高線速化が進んでい
る。記録用レーザービームの記録層表面にスポット径
は、レーザー波長をλ、開口数をＮＡとしたとき、λ／
ＮＡで表され、これを媒体の線速度Ｖで除した値（λ／
ＮＡ）／Ｖが、記録層へのレーザー照射時間（ビームス
ポット通過に要する時間）となる。高密度化および高転
送レート化に伴い、記録層へのレーザー照射時間はます
ます短くなっていく。そのため、オーバーライト条件を
最適化することが難しくなってきている。
現するために、記録再生波長の短縮、記録再生光学系の
対物レンズの高開口数化、媒体の高線速化が進んでい
る。記録用レーザービームの記録層表面にスポット径
は、レーザー波長をλ、開口数をＮＡとしたとき、λ／
ＮＡで表され、これを媒体の線速度Ｖで除した値（λ／
ＮＡ）／Ｖが、記録層へのレーザー照射時間（ビームス
ポット通過に要する時間）となる。高密度化および高転
送レート化に伴い、記録層へのレーザー照射時間はます
ます短くなっていく。そのため、オーバーライト条件を
最適化することが難しくなってきている。
【０００７】ここで、線速度を速くしてオーバーライト
を行うときの問題点について説明する。
を行うときの問題点について説明する。
【０００８】線速度を速くした場合、記録光の照射時間
が短くなる。そのため、線速度上昇に伴って記録パワー
を高くすることにより、記録層の到達温度の低下を防ぐ
ことが一般的である。しかし、線速度が速くなると、記
録光照射後の冷却速度が速くなる。非晶質記録マークを
形成するためには、記録光照射により溶融した記録層
を、臨界冷却速度以上の速さで冷却する必要がある。記
録層の構成および媒体の熱的設計が同じである場合、前
記臨界冷却速度は線速度に依存し、高線速度では臨界冷
却速度が速くなり、低線速度では臨界冷却速度が遅くな
る。
が短くなる。そのため、線速度上昇に伴って記録パワー
を高くすることにより、記録層の到達温度の低下を防ぐ
ことが一般的である。しかし、線速度が速くなると、記
録光照射後の冷却速度が速くなる。非晶質記録マークを
形成するためには、記録光照射により溶融した記録層
を、臨界冷却速度以上の速さで冷却する必要がある。記
録層の構成および媒体の熱的設計が同じである場合、前
記臨界冷却速度は線速度に依存し、高線速度では臨界冷
却速度が速くなり、低線速度では臨界冷却速度が遅くな
る。
【０００９】一方、非晶質記録マークを消去（再結晶
化）するためには、記録層を結晶化温度以上かつ融点以
下の温度に一定時間以上保持できるように、消去光を照
射する必要がある。高線速度化に伴って消去パワーを高
くして記録層の到達温度低下を防いでも、高線速度化に
伴って照射時間が短くなるため、記録マークは消去され
にくくなる。
化）するためには、記録層を結晶化温度以上かつ融点以
下の温度に一定時間以上保持できるように、消去光を照
射する必要がある。高線速度化に伴って消去パワーを高
くして記録層の到達温度低下を防いでも、高線速度化に
伴って照射時間が短くなるため、記録マークは消去され
にくくなる。
【００１０】したがって、線速度を速くして転送レート
を向上させるには、比較的短時間で再結晶化が行えるよ
うに、例えば特開平１−７８４４４号公報および特開平
１０−３２６４３６号公報に示されるように、記録層の
組成を結晶化速度（結晶転移速度）の比較的速いものと
する必要がある。
を向上させるには、比較的短時間で再結晶化が行えるよ
うに、例えば特開平１−７８４４４号公報および特開平
１０−３２６４３６号公報に示されるように、記録層の
組成を結晶化速度（結晶転移速度）の比較的速いものと
する必要がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、結晶化速度の
速い、すなわち結晶化に要する時間の短い記録層は、熱
安定性が低い。すなわち、非晶質からなる記録マークが
比較的高温の環境において容易に結晶化してしまうた
め、保存信頼性が低いという問題がある。
速い、すなわち結晶化に要する時間の短い記録層は、熱
安定性が低い。すなわち、非晶質からなる記録マークが
比較的高温の環境において容易に結晶化してしまうた
め、保存信頼性が低いという問題がある。
【００１２】本発明の目的は、転送レートを高くするこ
とができ、しかも、保存信頼性が良好な相変化型光記録
媒体を提供することである。
とができ、しかも、保存信頼性が良好な相変化型光記録
媒体を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）および（２）の本発明により達成される。 （１） 相変化型の記録層を有し、この記録層は、主成
分元素としてＳｂ、Ｔｅ、ＧｅおよびＩｎから選択され
る少なくとも２種の元素を含有し、副成分元素として希
土類元素（Ｙ、Ｓｃおよびランタノイド）、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、ＴｉおよびＳｎから選択される少なくとも１種の元
素を含有し、かつ、共融混合物が存在し得るものである
光記録媒体。 （２） 相変化型の記録層を有し、この記録層は、主成
分元素としてＳｂおよびＴｅを含有し、副成分元素とし
て、原子半径が１４０pm以上である元素を少なくとも１
種含有し、かつ、共融混合物としてＳｂ70Ｔｅ30を含有
し得るものである光記録媒体。
（１）および（２）の本発明により達成される。 （１） 相変化型の記録層を有し、この記録層は、主成
分元素としてＳｂ、Ｔｅ、ＧｅおよびＩｎから選択され
る少なくとも２種の元素を含有し、副成分元素として希
土類元素（Ｙ、Ｓｃおよびランタノイド）、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、ＴｉおよびＳｎから選択される少なくとも１種の元
素を含有し、かつ、共融混合物が存在し得るものである
光記録媒体。 （２） 相変化型の記録層を有し、この記録層は、主成
分元素としてＳｂおよびＴｅを含有し、副成分元素とし
て、原子半径が１４０pm以上である元素を少なくとも１
種含有し、かつ、共融混合物としてＳｂ70Ｔｅ30を含有
し得るものである光記録媒体。
【００１４】
【作用および効果】本発明の媒体における相変化型記録
層は、Ｓｂ、Ｔｅ、ＧｅおよびＩｎから選択される少な
くとも２種の元素を主成分として含有し、さらに、共融
混合物を含有し得るものである。本明細書において記録
層が共融混合物を含有し得るとは、記録層の結晶質領域
中に共融混合物が存在し得ることがあることを意味す
る。この場合、記録層の全体組成が共融混合物の組成と
一致している必要はない。例えば、ＳｂおよびＴｅがつ
くる共融混合物としてはＳｂ70Ｔｅ30（原子比）が挙げ
られるが、この共融混合物を含有し得る記録層は、全体
組成がＳｂ70Ｔｅ30である必要はない。
層は、Ｓｂ、Ｔｅ、ＧｅおよびＩｎから選択される少な
くとも２種の元素を主成分として含有し、さらに、共融
混合物を含有し得るものである。本明細書において記録
層が共融混合物を含有し得るとは、記録層の結晶質領域
中に共融混合物が存在し得ることがあることを意味す
る。この場合、記録層の全体組成が共融混合物の組成と
一致している必要はない。例えば、ＳｂおよびＴｅがつ
くる共融混合物としてはＳｂ70Ｔｅ30（原子比）が挙げ
られるが、この共融混合物を含有し得る記録層は、全体
組成がＳｂ70Ｔｅ30である必要はない。
【００１５】本発明では、共融混合物が存在し得る組成
の記録層に、副成分として希土類元素（Ｙ、Ｓｃおよび
ランタノイド）、Ｚｒ、Ｈｆ、ＴｉおよびＳｎから選択
される少なくとも１種の元素を添加する。これにより、
非晶質記録マークの熱的安定性を損なうことなく記録層
の結晶化速度を速くすることが可能となる。したがっ
て、保存信頼性が良好で、かつ転送レートを高くできる
相変化型媒体が実現できる。
の記録層に、副成分として希土類元素（Ｙ、Ｓｃおよび
ランタノイド）、Ｚｒ、Ｈｆ、ＴｉおよびＳｎから選択
される少なくとも１種の元素を添加する。これにより、
非晶質記録マークの熱的安定性を損なうことなく記録層
の結晶化速度を速くすることが可能となる。したがっ
て、保存信頼性が良好で、かつ転送レートを高くできる
相変化型媒体が実現できる。
【００１６】記録層の結晶化温度を上昇させることによ
り熱安定性を改善する添加元素は知られているが、この
ような添加元素のほとんどは、記録層の結晶化速度を低
下させてしまう。これに対し、本発明において記録層に
添加される副成分元素は、共融混合物が存在し得る組成
の記録層に添加されたとき、記録層の結晶化温度を上昇
させると共に、記録層の結晶化速度を向上させる。例え
ば、片面容量４．７GBのＤＶＤ−ＲＡＭの記録層に用い
られているＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5は金属間化合物であるが、
本発明で限定する副成分元素をＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5からな
る記録層に添加しても、結晶化速度向上効果は認められ
ず、結晶化速度はかえって遅くなってしまう。また、Ｓ
ｂとＴｅとの金属間化合物であるＳｂ2Ｔｅ3に本発明で
限定する副成分を添加した場合でも、結晶化速度向上効
果は認められない。
り熱安定性を改善する添加元素は知られているが、この
ような添加元素のほとんどは、記録層の結晶化速度を低
下させてしまう。これに対し、本発明において記録層に
添加される副成分元素は、共融混合物が存在し得る組成
の記録層に添加されたとき、記録層の結晶化温度を上昇
させると共に、記録層の結晶化速度を向上させる。例え
ば、片面容量４．７GBのＤＶＤ−ＲＡＭの記録層に用い
られているＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5は金属間化合物であるが、
本発明で限定する副成分元素をＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5からな
る記録層に添加しても、結晶化速度向上効果は認められ
ず、結晶化速度はかえって遅くなってしまう。また、Ｓ
ｂとＴｅとの金属間化合物であるＳｂ2Ｔｅ3に本発明で
限定する副成分を添加した場合でも、結晶化速度向上効
果は認められない。
【００１７】なお、以下に説明するように、少なくとも
Ｓｂを含有する相変化型記録層に、本発明で用いる副成
分元素を添加してもよいことは知られており、例えば下
記公報の一部には、希土類元素や他の副成分元素が記録
層の結晶化温度を向上させる旨が記載されている。しか
し、下記各公報には、共融混合物が含まれ得る相変化型
記録層を用いる旨の記載はなく、また、希土類元素の添
加が、高線速度での記録において特に有効である旨も記
載されていない。
Ｓｂを含有する相変化型記録層に、本発明で用いる副成
分元素を添加してもよいことは知られており、例えば下
記公報の一部には、希土類元素や他の副成分元素が記録
層の結晶化温度を向上させる旨が記載されている。しか
し、下記各公報には、共融混合物が含まれ得る相変化型
記録層を用いる旨の記載はなく、また、希土類元素の添
加が、高線速度での記録において特に有効である旨も記
載されていない。
【００１８】特開平１０−３２６４３６号公報には、Ｓ
ｂおよびＴｅを含有する相変化型記録層に、希土類元素
を添加してもよい旨が記載されている。同公報には、Ｚ
ｎ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｚ
ｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｒｈ、希土類元素はそれ自身も
しくはそれらとＳｂもしくはＴｅとの化合物が高融点で
あるため、微細な分散したクラスターとして析出して結
晶核となり、高速結晶化に寄与する、と記載されてい
る。ただし、同公報には、希土類元素を添加した実施例
は記載されておらず、また、同公報の実施例では、波長
７８０nm、開口数ＮＡ＝０．５５、線速度４．８m/s以
下で記録を行っており、本発明が対象とするような高線
速度での記録は考慮されていない。
ｂおよびＴｅを含有する相変化型記録層に、希土類元素
を添加してもよい旨が記載されている。同公報には、Ｚ
ｎ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｚ
ｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｒｈ、希土類元素はそれ自身も
しくはそれらとＳｂもしくはＴｅとの化合物が高融点で
あるため、微細な分散したクラスターとして析出して結
晶核となり、高速結晶化に寄与する、と記載されてい
る。ただし、同公報には、希土類元素を添加した実施例
は記載されておらず、また、同公報の実施例では、波長
７８０nm、開口数ＮＡ＝０．５５、線速度４．８m/s以
下で記録を行っており、本発明が対象とするような高線
速度での記録は考慮されていない。
【００１９】特開２０００−４３４１５号公報には、Ｓ
ｂおよびＴｅを含有し、空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定
Ｓｂ3Ｔｅ相を有する相変化型記録層が記載されてい
る。このＳｂ3Ｔｅ相は、同公報にf.c.c.と記載されて
いるように面心立方構造をもつ。同公報には、この記録
層に窒素、Ｂ、Ｃ、希土類元素、遷移金属元素を添加す
ることにより、初回記録データの長期保存性が向上する
旨が記載されている。ただし、同公報には、希土類元素
を添加した実施例は記載されていない。なお、同公報の
実施例では、記録時の線速度を７m/sとしている。
ｂおよびＴｅを含有し、空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定
Ｓｂ3Ｔｅ相を有する相変化型記録層が記載されてい
る。このＳｂ3Ｔｅ相は、同公報にf.c.c.と記載されて
いるように面心立方構造をもつ。同公報には、この記録
層に窒素、Ｂ、Ｃ、希土類元素、遷移金属元素を添加す
ることにより、初回記録データの長期保存性が向上する
旨が記載されている。ただし、同公報には、希土類元素
を添加した実施例は記載されていない。なお、同公報の
実施例では、記録時の線速度を７m/sとしている。
【００２０】特開２０００−５２６５７号公報には、Ｓ
ｂ、Ｔｅ、Ｉｂ族元素およびIIIｂ族元素を含有し、空
間群Ｆｍ３ｍに属する準安定相を有する相変化型記録層
が記載されている。この準安定相は、Ｓｂ3Ｔｅ相をは
じめとするf.c.c.構造の相である。同公報には、この記
録層に、希土類元素を添加してもよい旨が記載されてい
るが、希土類元素を添加した実施例は記載されていな
い。なお、同公報に記載された記録時の線速度は８m/s
以下であり、同公報には、この線速度に応じて、記録層
中のＡｇ＋Ａｕの含有量を調整する旨が記載されてい
る。すなわち、同公報では、Ａｇおよび／またはＡｕを
添加しない組成は考慮されていない。
ｂ、Ｔｅ、Ｉｂ族元素およびIIIｂ族元素を含有し、空
間群Ｆｍ３ｍに属する準安定相を有する相変化型記録層
が記載されている。この準安定相は、Ｓｂ3Ｔｅ相をは
じめとするf.c.c.構造の相である。同公報には、この記
録層に、希土類元素を添加してもよい旨が記載されてい
るが、希土類元素を添加した実施例は記載されていな
い。なお、同公報に記載された記録時の線速度は８m/s
以下であり、同公報には、この線速度に応じて、記録層
中のＡｇ＋Ａｕの含有量を調整する旨が記載されてい
る。すなわち、同公報では、Ａｇおよび／またはＡｕを
添加しない組成は考慮されていない。
【００２１】特開平２−１１２９８７号公報には、Ｓｂ
およびＴｅを主成分とし、原子比Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｔｅ）
が０．５５〜０．６５であり、かつ、元素Ｍ（Ｍは、Ｃ
ｏ、ＺｒおよびＨｆの少なくとも１種）を０．１〜３原
子％含有する相変化型記録層が記載されている。Ｚｒお
よびＨｆは本発明における副成分元素である。同公報に
は、元素Ｍが記録消去時の消去率を改善する旨が記載さ
れ、また、元素Ｍの含有量が３原子％を超えると、非晶
質化が困難になると共に消去率が悪化する、と記載され
ている。
およびＴｅを主成分とし、原子比Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｔｅ）
が０．５５〜０．６５であり、かつ、元素Ｍ（Ｍは、Ｃ
ｏ、ＺｒおよびＨｆの少なくとも１種）を０．１〜３原
子％含有する相変化型記録層が記載されている。Ｚｒお
よびＨｆは本発明における副成分元素である。同公報に
は、元素Ｍが記録消去時の消去率を改善する旨が記載さ
れ、また、元素Ｍの含有量が３原子％を超えると、非晶
質化が困難になると共に消去率が悪化する、と記載され
ている。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明の光記録媒体が有する相変
化型の記録層は、主成分元素として、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅ
およびＩｎから選択される少なくとも２種の元素を含有
する。また、副成分元素として、希土類元素（Ｙ、Ｓｃ
およびランタノイド）、Ｚｒ、Ｈｆ、ＴｉおよびＳｎか
ら選択される少なくとも１種の元素を副成分として含有
する。さらに、この記録層は、共融混合物を含有し得る
組成である。
化型の記録層は、主成分元素として、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅ
およびＩｎから選択される少なくとも２種の元素を含有
する。また、副成分元素として、希土類元素（Ｙ、Ｓｃ
およびランタノイド）、Ｚｒ、Ｈｆ、ＴｉおよびＳｎか
ら選択される少なくとも１種の元素を副成分として含有
する。さらに、この記録層は、共融混合物を含有し得る
組成である。
【００２３】Ｓｂ、Ｔｅ、ＧｅおよびＩｎから選択され
る少なくとも２種の元素を含有する共融混合物として
は、例えばＳｂ70Ｔｅ30、Ｓｂ10Ｔｅ90、Ｇｅ20Ｔ
ｅ80、Ｉｎ 30Ｓｂ70が挙げられる。なお、これらは原子
比で表した組成である。
る少なくとも２種の元素を含有する共融混合物として
は、例えばＳｂ70Ｔｅ30、Ｓｂ10Ｔｅ90、Ｇｅ20Ｔ
ｅ80、Ｉｎ 30Ｓｂ70が挙げられる。なお、これらは原子
比で表した組成である。
【００２４】前述したように、本発明において記録層の
組成は共融混合物の組成と一致している必要はなく、共
融混合物が存在し得る組成であればよい。例えば共融混
合物としてＳｂ70Ｔｅ30を含有し得る記録層では、副成
分元素をＲで表し、Ｓｂ、ＴｅおよびＲのすべてを除く
元素をＭで表し、全体組成（原子比）を 式Ｉ ｛（ＳｂxＴｅ1-x）1-yＭy｝1-zＲz で表したとき、好ましくは ０．４５≦ｘ≦０．９５、より好ましくは ０．６≦ｘ≦０．９ であればよい。ｘが小さくても大きくても、本発明の効
果が得られにくくなる。また、ｘが小さすぎると、副成
分を添加したときに結晶化速度を十分に速くすることが
困難となる。一方、ｘが大きすぎると、結晶状態と非晶
質状態との間での反射率差が小さくなるため、再生信号
出力が低くなってしまう。
組成は共融混合物の組成と一致している必要はなく、共
融混合物が存在し得る組成であればよい。例えば共融混
合物としてＳｂ70Ｔｅ30を含有し得る記録層では、副成
分元素をＲで表し、Ｓｂ、ＴｅおよびＲのすべてを除く
元素をＭで表し、全体組成（原子比）を 式Ｉ ｛（ＳｂxＴｅ1-x）1-yＭy｝1-zＲz で表したとき、好ましくは ０．４５≦ｘ≦０．９５、より好ましくは ０．６≦ｘ≦０．９ であればよい。ｘが小さくても大きくても、本発明の効
果が得られにくくなる。また、ｘが小さすぎると、副成
分を添加したときに結晶化速度を十分に速くすることが
困難となる。一方、ｘが大きすぎると、結晶状態と非晶
質状態との間での反射率差が小さくなるため、再生信号
出力が低くなってしまう。
【００２５】副成分元素Ｒとしては、希土類元素が特に
好ましい。上記式Ｉにおいて元素Ｒの含有量を表すｚ
は、好ましくは ０．０１０≦ｚ≦０．１５、より好ましくは ０．０１０≦ｚ≦０．１０ である。ただし、ＲとしてＺｒおよび／またはＨｆだけ
を用いる場合、好ましくは ０．０３５≦ｚ≦０．１５、より好ましくは ０．０３５≦ｚ≦０．１０ である。ｚが小さすぎると、熱安定性向上および結晶化
速度向上を同時に実現できるという本発明の効果が不十
分となる。一方、ｚが大きすぎると、結晶状態と非晶質
状態との間での反射率差が小さくなるため、再生信号出
力が低くなってしまう。また、初期化が困難となる。
好ましい。上記式Ｉにおいて元素Ｒの含有量を表すｚ
は、好ましくは ０．０１０≦ｚ≦０．１５、より好ましくは ０．０１０≦ｚ≦０．１０ である。ただし、ＲとしてＺｒおよび／またはＨｆだけ
を用いる場合、好ましくは ０．０３５≦ｚ≦０．１５、より好ましくは ０．０３５≦ｚ≦０．１０ である。ｚが小さすぎると、熱安定性向上および結晶化
速度向上を同時に実現できるという本発明の効果が不十
分となる。一方、ｚが大きすぎると、結晶状態と非晶質
状態との間での反射率差が小さくなるため、再生信号出
力が低くなってしまう。また、初期化が困難となる。
【００２６】元素Ｍは、様々な効果を実現するために必
要に応じて添加される。元素Ｍは特に限定されないが、
保存信頼性向上効果を示すことから、Ｉｎ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｐ、Ｇｅ、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、
Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、ＰｂおよびＰｄから選択される少なく
とも１種が好ましく、保存信頼性向上効果が特に高いこ
とから、Ａｇ、ＩｎおよびＧｅから選択される少なくと
も１種がより好ましい。上記式Ｉにおいて元素Ｍの含有
量を表すｙは、好ましくは ０≦ｙ≦０．２０、より好ましくは ０≦ｙ≦０．１０ である。ｙが大きすぎると、再生出力の低下を招くこと
があり、また、結晶化速度が遅くなってしまうこともあ
る。
要に応じて添加される。元素Ｍは特に限定されないが、
保存信頼性向上効果を示すことから、Ｉｎ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｐ、Ｇｅ、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、
Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、ＰｂおよびＰｄから選択される少なく
とも１種が好ましく、保存信頼性向上効果が特に高いこ
とから、Ａｇ、ＩｎおよびＧｅから選択される少なくと
も１種がより好ましい。上記式Ｉにおいて元素Ｍの含有
量を表すｙは、好ましくは ０≦ｙ≦０．２０、より好ましくは ０≦ｙ≦０．１０ である。ｙが大きすぎると、再生出力の低下を招くこと
があり、また、結晶化速度が遅くなってしまうこともあ
る。
【００２７】上記元素Ｒはすべて原子半径が１４０pm
（ピコメートル）以上である。本発明では、記録層が共
融混合物としてＳｂ70Ｔｅ30を含有し得る組成である場
合、上記元素Ｒ以外の元素であっても、原子半径が１４
０pm以上である元素を副成分として添加すれば、記録層
の結晶化温度を上昇させると共に、記録層の結晶化速度
を向上させることができる。原子半径が１４０pmである
元素をＲ140（ただし、ＳｂおよびＴｅは除く）とし、
記録層の全体組成（原子比）を 式II ｛（ＳｂxＴｅ1-x）1-yＭy｝1-zＲ140 z で表したとき、元素Ｍの定義、元素Ｍとして好ましい元
素、原子比ｘ、ｙ、ｚの好ましい範囲は、式Ｉにおける
それぞれと同じである。なお、元素Ｒ140としては、上
記元素Ｒを用いることが最も好ましい。
（ピコメートル）以上である。本発明では、記録層が共
融混合物としてＳｂ70Ｔｅ30を含有し得る組成である場
合、上記元素Ｒ以外の元素であっても、原子半径が１４
０pm以上である元素を副成分として添加すれば、記録層
の結晶化温度を上昇させると共に、記録層の結晶化速度
を向上させることができる。原子半径が１４０pmである
元素をＲ140（ただし、ＳｂおよびＴｅは除く）とし、
記録層の全体組成（原子比）を 式II ｛（ＳｂxＴｅ1-x）1-yＭy｝1-zＲ140 z で表したとき、元素Ｍの定義、元素Ｍとして好ましい元
素、原子比ｘ、ｙ、ｚの好ましい範囲は、式Ｉにおける
それぞれと同じである。なお、元素Ｒ140としては、上
記元素Ｒを用いることが最も好ましい。
【００２８】ＳｂおよびＴｅを主成分とする記録層中に
おいて、Ｓｂ結晶またはＳｂに他の元素が固溶した結晶
は、菱面体晶であってもよく面心立方晶であってもよ
い。共融混合物としてＳｂ70Ｔｅ30を含有し得る記録層
は、上記副成分の添加により結晶組織が微細化し、結晶
質領域における平均結晶粒径は２０nm以下、通常は５〜
１０nm程度となる。
おいて、Ｓｂ結晶またはＳｂに他の元素が固溶した結晶
は、菱面体晶であってもよく面心立方晶であってもよ
い。共融混合物としてＳｂ70Ｔｅ30を含有し得る記録層
は、上記副成分の添加により結晶組織が微細化し、結晶
質領域における平均結晶粒径は２０nm以下、通常は５〜
１０nm程度となる。
【００２９】ＳｂおよびＴｅを主成分とする記録層に本
発明を適用することにより、記録層の熱的安定性を十分
に確保した上で、線速度１０m/s以上の高線速度域にお
けるオーバーライトが可能となる。
発明を適用することにより、記録層の熱的安定性を十分
に確保した上で、線速度１０m/s以上の高線速度域にお
けるオーバーライトが可能となる。
【００３０】本発明の媒体は、記録層中に上記副成分元
素が存在し、かつ共融混合物が存在し得るものであれば
よく、これらを満足すれば、どのような構造であっても
よい。以下、本発明が好ましく適用される光記録媒体の
構成例について説明する。
素が存在し、かつ共融混合物が存在し得るものであれば
よく、これらを満足すれば、どのような構造であっても
よい。以下、本発明が好ましく適用される光記録媒体の
構成例について説明する。
【００３１】図１に示す構造 この光記録媒体は、支持基体２０上に、金属または半金
属から構成される反射層５、第２誘電体層３２、記録層
４、第１誘電体層３１および透光性基体２を、この順で
積層して形成したものである。記録および再生のための
レーザー光は、透光性基体２を通して入射する。なお、
支持基体２０と反射層５との間に、誘電体材料からなる
中間層を設けてもよい。
属から構成される反射層５、第２誘電体層３２、記録層
４、第１誘電体層３１および透光性基体２を、この順で
積層して形成したものである。記録および再生のための
レーザー光は、透光性基体２を通して入射する。なお、
支持基体２０と反射層５との間に、誘電体材料からなる
中間層を設けてもよい。
【００３２】支持基体２０ 支持基体２０は、媒体の剛性を維持するために設けられ
る。支持基体２０の厚さは、通常、０．２〜１．２mm、
好ましくは０．４〜１．２mmとすればよく、透明であっ
ても不透明であってもよい。支持基体２０は、通常の光
記録媒体と同様に樹脂から構成すればよいが、ガラスか
ら構成してもよい。光記録媒体において通常設けられる
グルーブ２Ｇは、図示するように、支持基体２０に設け
た溝を、その上に形成される各層に転写することによ
り、形成できる。
る。支持基体２０の厚さは、通常、０．２〜１．２mm、
好ましくは０．４〜１．２mmとすればよく、透明であっ
ても不透明であってもよい。支持基体２０は、通常の光
記録媒体と同様に樹脂から構成すればよいが、ガラスか
ら構成してもよい。光記録媒体において通常設けられる
グルーブ２Ｇは、図示するように、支持基体２０に設け
た溝を、その上に形成される各層に転写することによ
り、形成できる。
【００３３】反射層５ 反射層構成材料は特に限定されず、通常、Ａｌ、Ａｕ、
Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ等の金属ま
たは半金属の単体あるいはこれらの１種以上を含む合金
などから構成すればよい。
Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ等の金属ま
たは半金属の単体あるいはこれらの１種以上を含む合金
などから構成すればよい。
【００３４】反射層の厚さは、通常、１０〜３００nmと
することが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分
な反射率を得にくくなる。また、前記範囲を超えても反
射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反射層
は、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成する
ことが好ましい。
することが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分
な反射率を得にくくなる。また、前記範囲を超えても反
射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反射層
は、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成する
ことが好ましい。
【００３５】第１誘電体層３１および第２誘電体層３２ これらの誘電体層は、記録層の酸化、変質を防ぎ、ま
た、記録時に記録層から伝わる熱を遮断ないし面内方向
に逃がすことにより、支持基体２０や透光性基体２を保
護する。また、これらの誘電体層を設けることにより、
変調度を向上させることができる。各誘電体層は、組成
の相異なる２層以上の誘電体層を積層した構成としても
よい。
た、記録時に記録層から伝わる熱を遮断ないし面内方向
に逃がすことにより、支持基体２０や透光性基体２を保
護する。また、これらの誘電体層を設けることにより、
変調度を向上させることができる。各誘電体層は、組成
の相異なる２層以上の誘電体層を積層した構成としても
よい。
【００３６】これらの誘電体層に用いる誘電体として
は、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ａｌ、希土類元素等か
ら選択される少なくとも１種の金属成分を含む各種化合
物が好ましい。化合物としては、酸化物、窒化物または
硫化物が好ましく、これらの化合物の２種以上を含有す
る混合物を用いることもできる。
は、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ａｌ、希土類元素等か
ら選択される少なくとも１種の金属成分を含む各種化合
物が好ましい。化合物としては、酸化物、窒化物または
硫化物が好ましく、これらの化合物の２種以上を含有す
る混合物を用いることもできる。
【００３７】第１誘電体層および第２誘電体層は、組成
の相異なる２層以上の誘電体層を積層したものであって
もよい。
の相異なる２層以上の誘電体層を積層したものであって
もよい。
【００３８】第１誘電体層および第２誘電体層の厚さ
は、保護効果や変調度向上効果が十分に得られるように
適宜決定すればよいが、通常、第１誘電体層３１の厚さ
は好ましくは３０〜３００nm、より好ましくは５０〜２
５０nmであり、第２誘電体層３２の厚さは好ましくは５
〜５０nmである。ただし、高線速度でオーバーライトを
行う場合には、急冷構造とすることが好ましく、そのた
めには、第２誘電体層の厚さを好ましくは３０nm以下、
より好ましくは２５nm以下とする。
は、保護効果や変調度向上効果が十分に得られるように
適宜決定すればよいが、通常、第１誘電体層３１の厚さ
は好ましくは３０〜３００nm、より好ましくは５０〜２
５０nmであり、第２誘電体層３２の厚さは好ましくは５
〜５０nmである。ただし、高線速度でオーバーライトを
行う場合には、急冷構造とすることが好ましく、そのた
めには、第２誘電体層の厚さを好ましくは３０nm以下、
より好ましくは２５nm以下とする。
【００３９】各誘電体層は、スパッタ法により形成する
ことが好ましい。
ことが好ましい。
【００４０】記録層４ 記録層は、前述した構成とする。
【００４１】記録層の厚さは、好ましくは４nm超５０nm
以下、より好ましくは５〜３０nmである。記録層が薄す
ぎると結晶相の成長が困難となり、結晶化が困難とな
る。一方、記録層が厚すぎると、記録層の熱容量が大き
くなるため記録が困難となるほか、再生信号出力の低下
も生じる。
以下、より好ましくは５〜３０nmである。記録層が薄す
ぎると結晶相の成長が困難となり、結晶化が困難とな
る。一方、記録層が厚すぎると、記録層の熱容量が大き
くなるため記録が困難となるほか、再生信号出力の低下
も生じる。
【００４２】記録層の形成は、スパッタ法により行うこ
とが好ましい。
とが好ましい。
【００４３】なお、本発明において記録層は単層でなく
てもよい。例えば、特開平８−２２１８１４号公報や特
開平１０−２２６１７３号公報に記載された多層構造の
記録層を有する媒体にも本発明は適用可能である。
てもよい。例えば、特開平８−２２１８１４号公報や特
開平１０−２２６１７３号公報に記載された多層構造の
記録層を有する媒体にも本発明は適用可能である。
【００４４】透光性基体２ 透光性基体２は、記録再生用のレーザー光を透過するた
めに透光性を有する。透光性基体２には、支持基体２０
と同程度の厚さの樹脂板やガラス板を用いてもよい。た
だし、記録再生光学系の高ＮＡ化によって高記録密度を
達成するためには、透光性基体２を薄型化することが好
ましい。その場合の透光性基体の厚さは、３０〜３００
μmの範囲から選択することが好ましい。透光性基体が
薄すぎると、透光性基体表面に付着した塵埃による光学
的な影響が大きくなる。一方、透光性基体が厚すぎる
と、高ＮＡ化による高記録密度達成が難しくなる。
めに透光性を有する。透光性基体２には、支持基体２０
と同程度の厚さの樹脂板やガラス板を用いてもよい。た
だし、記録再生光学系の高ＮＡ化によって高記録密度を
達成するためには、透光性基体２を薄型化することが好
ましい。その場合の透光性基体の厚さは、３０〜３００
μmの範囲から選択することが好ましい。透光性基体が
薄すぎると、透光性基体表面に付着した塵埃による光学
的な影響が大きくなる。一方、透光性基体が厚すぎる
と、高ＮＡ化による高記録密度達成が難しくなる。
【００４５】透光性基体２を薄型化するに際しては、例
えば、透光性樹脂からなる光透過性シートを各種接着剤
や粘着剤により第１誘電体層３１に貼り付けて透光性基
体としたり、塗布法を利用して透光性樹脂層を第１誘電
体層３１上に直接形成して透光性基体としたりすればよ
い。
えば、透光性樹脂からなる光透過性シートを各種接着剤
や粘着剤により第１誘電体層３１に貼り付けて透光性基
体としたり、塗布法を利用して透光性樹脂層を第１誘電
体層３１上に直接形成して透光性基体としたりすればよ
い。
【００４６】図２に示す構造 図２に示す光記録媒体は、透光性基体２上に、第１誘電
体層３１、記録層４、第２誘電体層３２、反射層５およ
び保護層６をこの順で有する。レーザー光は、透光性基
体２を通して入射する。
体層３１、記録層４、第２誘電体層３２、反射層５およ
び保護層６をこの順で有する。レーザー光は、透光性基
体２を通して入射する。
【００４７】図２における透光性基体２は、図１におけ
る支持基体２０と同様なものを利用すればよいが、透光
性を有する必要がある。
る支持基体２０と同様なものを利用すればよいが、透光
性を有する必要がある。
【００４８】保護層６は、耐擦傷性や耐食性の向上のた
めに設けられる。この保護層は種々の有機系の物質から
構成されることが好ましいが、特に、放射線硬化型化合
物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射線により硬
化させた物質から構成されることが好ましい。保護層の
厚さは、通常、０．１〜１００μm程度であり、スピン
コート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング
等、通常の方法により形成すればよい。
めに設けられる。この保護層は種々の有機系の物質から
構成されることが好ましいが、特に、放射線硬化型化合
物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射線により硬
化させた物質から構成されることが好ましい。保護層の
厚さは、通常、０．１〜１００μm程度であり、スピン
コート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング
等、通常の方法により形成すればよい。
【００４９】このほかの各層は、図１に示す構成例と同
様である。
様である。
【００５０】
【実施例】実施例１ 図１に示す構造をもち、ランド・グルーブ記録方式で記
録がなされる光記録ディスクサンプルを、以下の手順で
作製した。
録がなされる光記録ディスクサンプルを、以下の手順で
作製した。
【００５１】支持基体２０には、直径１２０mm、厚さ
１．２mmのディスク状ポリカーボネートを用いた。この
支持基体の表面には、透光性基体２に転写後にグルーブ
およびランドとなる凹凸パターンを設けた。
１．２mmのディスク状ポリカーボネートを用いた。この
支持基体の表面には、透光性基体２に転写後にグルーブ
およびランドとなる凹凸パターンを設けた。
【００５２】反射層５は、Ａｒ雰囲気中においてスパッ
タ法により形成した。ターゲットにはＡｇ98Ｐｄ1Ｃｕ1
を用いた。反射層の厚さは１００nmとした。
タ法により形成した。ターゲットにはＡｇ98Ｐｄ1Ｃｕ1
を用いた。反射層の厚さは１００nmとした。
【００５３】第２誘電体層３２は、Ａｌ2Ｏ3ターゲット
を用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法により形成した。第
２誘電体層の厚さは２０nmとした。
を用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法により形成した。第
２誘電体層の厚さは２０nmとした。
【００５４】記録層４は、合金ターゲットを用い、Ａｒ
雰囲気中でスパッタ法により形成した。記録層の組成
（原子比）は、 ｛（Ｓｂ0.82Ｔｅ0.18）0.93（Ｉｎ0.14Ｇ
ｅ0.86）0.07｝1-zＲz において、元素Ｒ（本発明における副成分元素および比
較のための添加元素Ｗ）の含有量を示すｚが表１〜表２
に示す値となるように調整した。記録層の厚さは１２nm
とした。
雰囲気中でスパッタ法により形成した。記録層の組成
（原子比）は、 ｛（Ｓｂ0.82Ｔｅ0.18）0.93（Ｉｎ0.14Ｇ
ｅ0.86）0.07｝1-zＲz において、元素Ｒ（本発明における副成分元素および比
較のための添加元素Ｗ）の含有量を示すｚが表１〜表２
に示す値となるように調整した。記録層の厚さは１２nm
とした。
【００５５】第１誘電体層３１は２層構造とし、下側
（記録層４側）の誘電体層はＺｎＳ（５０モル％）−Ｓ
ｉＯ2（５０モル％）ターゲットを用いて、また、上側
の誘電体層はＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ2（２０モ
ル％）ターゲットを用いて、それぞれＡｒ雰囲気中でス
パッタ法により形成した。下側の誘電体層の厚さは５n
m、上側の誘電体層の厚さは１３０nmとした。
（記録層４側）の誘電体層はＺｎＳ（５０モル％）−Ｓ
ｉＯ2（５０モル％）ターゲットを用いて、また、上側
の誘電体層はＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ2（２０モ
ル％）ターゲットを用いて、それぞれＡｒ雰囲気中でス
パッタ法により形成した。下側の誘電体層の厚さは５n
m、上側の誘電体層の厚さは１３０nmとした。
【００５６】透光性基体２は、スピンコート法により紫
外線硬化樹脂を塗布し、紫外線により硬化することによ
り形成した。透光性基体の厚さは０．１mmとした。
外線硬化樹脂を塗布し、紫外線により硬化することによ
り形成した。透光性基体の厚さは０．１mmとした。
【００５７】なお、比較のために、Ｓｂ2Ｔｅ3からなる
主成分に副成分元素を添加した記録層を有するサンプ
ル、および、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5からなる主成分に副成分
元素を添加した記録層を有するサンプルも作製した。こ
れらの比較サンプルは、記録層の組成以外は本発明サン
プルと同じとした。これらの比較サンプルにおける副成
分元素Ｒの含有量を、表３および表４にそれぞれ示す。
主成分に副成分元素を添加した記録層を有するサンプ
ル、および、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5からなる主成分に副成分
元素を添加した記録層を有するサンプルも作製した。こ
れらの比較サンプルは、記録層の組成以外は本発明サン
プルと同じとした。これらの比較サンプルにおける副成
分元素Ｒの含有量を、表３および表４にそれぞれ示す。
【００５８】このようにして作製した各サンプルをバル
クイレーザーにより初期化（結晶化）した後、 波長λ：４０５nm、 開口数ＮＡ：０．８５、 記録信号：８Ｔ単一信号（１−７変調）、 の条件で記録を行った。記録時の線速度Ｖを下記各表に
示す。次に、信号を記録したトラックに対し、記録時と
同じ線速度で直流レーザー光を照射する消去動作を行っ
た。なお、この直流レーザー光の出力は、それぞれの線
速度において消去率が最も高くなるように調整した。こ
の消去動作の前後においてＣＮＲ（carrier to noise r
atio）を測定し、８Ｔ信号のキャリアの減衰率（消去
率）を求めた。結果を下記各表に示す。
クイレーザーにより初期化（結晶化）した後、 波長λ：４０５nm、 開口数ＮＡ：０．８５、 記録信号：８Ｔ単一信号（１−７変調）、 の条件で記録を行った。記録時の線速度Ｖを下記各表に
示す。次に、信号を記録したトラックに対し、記録時と
同じ線速度で直流レーザー光を照射する消去動作を行っ
た。なお、この直流レーザー光の出力は、それぞれの線
速度において消去率が最も高くなるように調整した。こ
の消去動作の前後においてＣＮＲ（carrier to noise r
atio）を測定し、８Ｔ信号のキャリアの減衰率（消去
率）を求めた。結果を下記各表に示す。
【００５９】
【表１】
【００６０】
【表２】
【００６１】
【表３】
【００６２】
【表４】
【００６３】上記各表から本発明の効果が明らかであ
る。すなわち、共融混合物であるＳｂ 70Ｔｅ30に近い （Ｓｂ0.82Ｔｅ0.18）0.93（Ｉｎ0.14Ｇｅ0.86）0.07 に、本発明で限定する副成分元素を添加することによ
り、線速度を速くした場合における消去率が顕著に向上
している。これに対し、金属間化合物であるＳｂ2Ｔｅ3
およびＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5に本発明で限定する副成分元素
を添加した場合には、副成分元素の添加により消去率が
低下してしまっている。
る。すなわち、共融混合物であるＳｂ 70Ｔｅ30に近い （Ｓｂ0.82Ｔｅ0.18）0.93（Ｉｎ0.14Ｇｅ0.86）0.07 に、本発明で限定する副成分元素を添加することによ
り、線速度を速くした場合における消去率が顕著に向上
している。これに対し、金属間化合物であるＳｂ2Ｔｅ3
およびＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5に本発明で限定する副成分元素
を添加した場合には、副成分元素の添加により消去率が
低下してしまっている。
【００６４】実施例２ 実施例１で作製したサンプルのうち、Ｔｂを４原子％含
有する本発明サンプル、すなわち記録層の組成が ｛（Ｓｂ0.82Ｔｅ0.18）0.93（Ｉｎ0.14Ｇ
ｅ0.86）0.07｝0.96Ｔｂ0.04 であるサンプルを、８０℃、８０％ＲＨの高温・高湿環
境下に保存し、保存に伴うＣＮＲの低下量を調べた。ま
た、比較のために、Ｔｂ添加に替えてＳｂを添加した比
較サンプルについても、同様な測定を行った。この比較
サンプルにおいて、記録層の組成は ｛（Ｓｂ0.82Ｔｅ0.18）0.93（Ｉｎ0.14Ｇ
ｅ0.86）0.07｝0.68Ｓｂ0.32 とした。この比較サンプルにおけるＳｂ添加量は、２５
dB以上の消去率が得られる最大線速度がＴｂ添加サンプ
ルとほぼ同じとなるように決定した。
有する本発明サンプル、すなわち記録層の組成が ｛（Ｓｂ0.82Ｔｅ0.18）0.93（Ｉｎ0.14Ｇ
ｅ0.86）0.07｝0.96Ｔｂ0.04 であるサンプルを、８０℃、８０％ＲＨの高温・高湿環
境下に保存し、保存に伴うＣＮＲの低下量を調べた。ま
た、比較のために、Ｔｂ添加に替えてＳｂを添加した比
較サンプルについても、同様な測定を行った。この比較
サンプルにおいて、記録層の組成は ｛（Ｓｂ0.82Ｔｅ0.18）0.93（Ｉｎ0.14Ｇ
ｅ0.86）0.07｝0.68Ｓｂ0.32 とした。この比較サンプルにおけるＳｂ添加量は、２５
dB以上の消去率が得られる最大線速度がＴｂ添加サンプ
ルとほぼ同じとなるように決定した。
【００６５】その結果、線速度２２．８m/sにおける８
Ｔ信号のＣＮＲは、比較サンプルでは初期が５２．８d
B、保存５０時間後が２４．９dBであり、保存によりＣ
ＮＲが大きく低下した。これに対し本発明サンプルで
は、初期が５４．３dB、２００時間保存後においても５
４．２dBであり、Ｔｂ添加によって熱安定性が顕著に向
上することが確認できた。なお、Ｔｂ以外の副成分元素
を添加した実施例サンプルについても、同様に顕著な熱
安定性向上が認められた。
Ｔ信号のＣＮＲは、比較サンプルでは初期が５２．８d
B、保存５０時間後が２４．９dBであり、保存によりＣ
ＮＲが大きく低下した。これに対し本発明サンプルで
は、初期が５４．３dB、２００時間保存後においても５
４．２dBであり、Ｔｂ添加によって熱安定性が顕著に向
上することが確認できた。なお、Ｔｂ以外の副成分元素
を添加した実施例サンプルについても、同様に顕著な熱
安定性向上が認められた。
【図１】光記録媒体の構成例を示す断面図である。
【図２】光記録媒体の構成例を示す断面図である。
２ 透光性基体 ２０ 支持基体 ２００ 媒体 ２Ｇ グルーブ ２Ｌ ランド ３１ 第１誘電体層 ３２ 第２誘電体層 ４ 記録層 ５ 反射層 ６ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 EA32 EA48 FA03 FA12 FA14 FA21 FA23 FA37 FB05 FB09 FB12 FB21 GA03 GA07 4K029 AA11 AA24 BA21 BA22 BA44 BD00 CA05 DC04 5D029 JA01 JC17
Claims (2)
- 【請求項１】 相変化型の記録層を有し、 この記録層は、主成分元素としてＳｂ、Ｔｅ、Ｇｅおよ
びＩｎから選択される少なくとも２種の元素を含有し、
副成分元素として希土類元素（Ｙ、Ｓｃおよびランタノ
イド）、Ｚｒ、Ｈｆ、ＴｉおよびＳｎから選択される少
なくとも１種の元素を含有し、かつ、共融混合物が存在
し得るものである光記録媒体。 - 【請求項２】 相変化型の記録層を有し、 この記録層は、主成分元素としてＳｂおよびＴｅを含有
し、副成分元素として、原子半径が１４０pm以上である
元素を少なくとも１種含有し、かつ、共融混合物として
Ｓｂ70Ｔｅ30を含有し得るものである光記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000369219A JP2002172860A (ja) | 2000-12-04 | 2000-12-04 | 光記録媒体 |
| US09/998,209 US20020146643A1 (en) | 2000-12-04 | 2001-12-03 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000369219A JP2002172860A (ja) | 2000-12-04 | 2000-12-04 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002172860A true JP2002172860A (ja) | 2002-06-18 |
Family
ID=18839291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000369219A Pending JP2002172860A (ja) | 2000-12-04 | 2000-12-04 | 光記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020146643A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002172860A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004085168A1 (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | 相変化記録材料及び情報記録用媒体 |
| US7105217B2 (en) | 2003-04-30 | 2006-09-12 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phase-change recording material and information recording medium |
| US7166415B2 (en) | 2002-03-05 | 2007-01-23 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material used for information recording medium and information recording medium employing it |
| US7180848B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-02-20 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Optical information recording medium |
| WO2007088946A1 (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-09 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | 光情報記録媒体用記録層および光情報記録媒体、並びにスパッタリング・ターゲット |
| JP2022116167A (ja) * | 2018-08-21 | 2022-08-09 | マイクロン テクノロジー，インク． | 遷移金属ドープのゲルマニウム－アンチモン－テルル（ｇｓｔ）メモリデバイスコンポーネント及び組成物 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI245285B (en) * | 2002-02-13 | 2005-12-11 | Mitsubishi Chem Corp | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
| KR100932510B1 (ko) * | 2003-01-24 | 2009-12-17 | 엘지전자 주식회사 | 고밀도 광디스크의 재생속도 정보 관리방법 |
| DE602004000661T2 (de) * | 2003-02-21 | 2007-05-10 | Nec Corp. | Optisches Informationsaufzeichnungsgerät und optische Informationsaufzeichnungs-/Reproduktionsvorrichtung |
| JP2004306583A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Victor Co Of Japan Ltd | 光情報記録媒体 |
| JP2006205426A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録媒体 |
| CN106611814B (zh) * | 2015-10-23 | 2020-05-05 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 用于相变存储器的相变材料及其制备方法 |
-
2000
- 2000-12-04 JP JP2000369219A patent/JP2002172860A/ja active Pending
-
2001
- 2001-12-03 US US09/998,209 patent/US20020146643A1/en not_active Abandoned
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7166415B2 (en) | 2002-03-05 | 2007-01-23 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material used for information recording medium and information recording medium employing it |
| US7659049B2 (en) | 2002-03-05 | 2010-02-09 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material used for information recording medium and information recording medium employing it |
| US7180848B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-02-20 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Optical information recording medium |
| WO2004085168A1 (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | 相変化記録材料及び情報記録用媒体 |
| US7081289B2 (en) | 2003-03-24 | 2006-07-25 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material and information recording medium |
| US7105217B2 (en) | 2003-04-30 | 2006-09-12 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phase-change recording material and information recording medium |
| WO2007088946A1 (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-09 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | 光情報記録媒体用記録層および光情報記録媒体、並びにスパッタリング・ターゲット |
| JP2022116167A (ja) * | 2018-08-21 | 2022-08-09 | マイクロン テクノロジー，インク． | 遷移金属ドープのゲルマニウム－アンチモン－テルル（ｇｓｔ）メモリデバイスコンポーネント及び組成物 |
| JP7527326B2 (ja) | 2018-08-21 | 2024-08-02 | マイクロン テクノロジー，インク． | 遷移金属ドープのゲルマニウム－アンチモン－テルル（ｇｓｔ）メモリデバイスコンポーネント及び相変化メモリ組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020146643A1 (en) | 2002-10-10 |
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