JPH04134643A - 光学的情報記録媒体及び光学的記録・消去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明（よ　光・熱等のエネルギー線を用いて高密度に
情報を記録し　光学的な変化で情報を再生する光学的情
報記録媒体に関するものであム従来の技術 レーザー光をレンズ系によって収束させると直径がその
光の波長のオーダーの小さな光スポットを作ることがで
きも　したがって小さい出力の光源からでも単位面積あ
たりのエネルギー密度の高い光スポットを作ることが可
能であも　これを用いて物質の微少な領域を変化させる
ことが可能であり、またその微少領域の変化を読みだす
ことも可能であム　これを情報の記録・再生に利用した
ものが光学的情報記録媒体であム　以下、　「光記録媒
体」あるいは単に「記録媒体」と記述すム光記録媒体の
基本的な構造は表面が平坦な基材上にレーザースポット
光照射によって何らかの状態が変化する記録薄膜層を設
けたものであム　信号の記録・再生は以下のような方法
を用いム　すなわ板　平板状の媒体を例えばモーター等
による回転手段や並進手段により移動させ、この媒体の
記録薄膜面上にレーザー光を収束し照射すも　この時レ
ーザー光が記録薄膜面上に収束するように焦点合わせ（
フォーカス）制御を行なうのが普通であム　記録薄膜は
レーザー光を吸収し昇湿すもレーザー光の出力を記録す
べき情報に応じである閾値以上に大きくすると記録薄膜
の状態が部分的に変化して情報が記録されも　この閾値
は記録薄膜自体の特性の他に基材の熱的な特性・媒体の
光スポットに対する相対速度等に依存する量であム記録
された情報は記録部に前記閾値よりも十分低い出力のレ
ーザー光スポットを照射し　その透過光強度　反射光強
度あるいはそれらの偏光方向等何らかの光学的特性が記
録部と未記録部で異なることを検出して再生すム　この
時記録され変化した一連の状態をレーザー光が正確に追
随するようにトラッキング制御を行なうのが普通であん
　またあらかじめ基材上に凹凸の溝形状を形成する等な
んらかのトラッキングガイドを設け、それを用いてトラ
ッキング制御を行ないながら記録・再生を行なうことも
行なわれていも このような光記録媒体の応用例としてビデオ画像ファイ
／１４　　文書ファイル用の光記録ディス久コンピュー
ター外部メモリー用（データファイル）の光記録ディス
クがあム　またカード状あるいはテープ状の光記録媒体
も提案されていも記録の形態およびそれに用いる記録媒
体材料は穴開は記録・光磁気記録・等々種々提案されて
いるカミ　その中で相変化型と呼ばれべ　結晶構造の変
化により形状の変化を伴わずに光学的な変化をする記録
媒体があム 相変化記録媒体は他の形態の記録媒体に比べていくつか
の利点かあム　一つは記録がレーザー光照射のみで行な
われるため光磁気記録媒体のように外部磁界を加える必
要がなく、記録装置が簡単ですむという点であム　他の
一つは記録薄膜の反射率が変化するため反射光量変化の
検出により信号が再生され光の偏光方向を検出する光磁
気記録媒体にくらべて信号量が太きくＳＮのよい信号が
得られも　さらに相変化記録媒体は形状の変化を伴わな
いので複数の状態間を可逆的に変化させることで記録さ
れた情報を消去し　さらに新しい信号を記録するという
書き換え機能を持たせるこ七が可能であム　また形状変
化がないことから密着した被覆により保護層を形成する
ことが可能で、穴開は記録の場合のようなエアサンドイ
ッチ構造といわれる複雑な中空構造をとる必要がなく構
造が簡単で信頼性の高い記録媒体を提供することができ
も このような相変化媒体の特徴は相変化により材料の光学
定数、具体的には複素屈折率（屈折率を実服　消衰係数
を虚部にもつ複素数）が変化することに起因すも　した
がって相変化記録媒体以外でも光学定数が変化する記録
機構を持つ記録媒体においても同じ特徴が期待できも　
そのような例として例えば有機材料のフォトクロミック
現象を利用した記録媒体や、複数の材料層からなる薄膜
を溶融合金化して実質的に光学定数を変化させる合金化
記録とでも言うべき記録媒体（プロシーディング　オブ
　ニス・ピー・アイ・イー（ＰｒＯＣｅｅｄｉｎｇｓ　
ｏｆ　５ＰＩＥ）　Ｖｏｌ、５２９　ｐｐ７６−８２　
（１９８９））等が提案されていも 相変化記録媒体に用いる材料としてはアモルファスカル
コゲン化物薄Ａ　テルルおよび酸化テルルからなるＴｅ
−ＴｅＯ２を主成分とする酸化物系薄膜がある（特公昭
５４−３７２５号公報）。

ま？＝Ｔｅ−Ｔｅ○２−Ｐｄを主成分とする薄膜も知ら
れている（特開昭６１−６８２９６号公報）。これらは
レーザー光照射により薄膜の消衰係数あるいは屈折率の
うち少なくともいずれか１つが変化して記録を行し＼　
この部分で透過光あるいは反射光の振幅が変化し　その
結果検出系に至る透過光量あるいは反射光量が変化する
ことを検出して信号を再生すム 前記のように相変化型の媒体は形状の変化を伴わないた
め可逆的に状態変化が可能であれ（え　記録した信号を
消去・書き換えが可能であム　このように可逆的に相変
化が可能な材料としてＧｅＴｅ−３ｂ−３系材料（特公
昭４７−２６８９７号公報）、Ｔｅ−０−Ｇｅ−５ｂ系
材料（特開昭５９−１８５０４８号公報）、Ｔｅ−０−
Ｇｅ−３ｂ−Ａｕ系材料（特開昭６１−２５９４号公報
）Ｇｅ−３ｂ−Ｔｅ系材料（特開昭６２−２０９７４２
号公報）などが知られていａ　これらはいずれも可逆的
に変化する２つの状態としてアモルファス状態（あるい
はガラス状態　無定形状態）と結晶状態が安定に存在す
ム　一般的には記録・消去は次のような方法で実現すム
　すなわちアモルファス化はレーザー光照射により薄膜
を加熱昇温しで熔融しレーザー光照射終了時に冷却され
る過程において急冷されアモルファス状態となることに
より実現すも　結晶化は同様にレーザー光照射による加
熱により薄膜を融点以下で結晶化に十分な温度に昇温し
実現すも　また融点以上に昇温した場合でも冷却時に十
分な急冷条件が得られず徐冷された場合にも結晶化が実
現すも 相変化記録媒体に用いる薄膜材料は一般的には成膜状態
（ａｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｔｅｄ）でアモルファスであり
、追記型においては通常このアモルファス状態を未記録
状態に　結晶状態を記録状態に用いも消去可能型におい
てはアモルファス状態と結晶状態をそれぞれ情報の記録
状態と消去状態として使用する力＼　逆にそれぞれを消
去状態と記録状態として使用するかは任意であるカミ　
アモルファス状態を記録状態として使用するのが一般的
であ本発明が解決しようとする課題 光学定数変化型の記録媒体において（よ　光学定数は材
料の微小な状態変化によって変化するとそれに応じて反
射率・透過率等の光学的に検知しつる量が微小に変化す
も　例えば２つの安定なそれぞれ光学定数の違う状態を
とる材料を用いてそれぞれの状態を記録状態と未記録状
態に対応させる２値の記録を行なう場合を考えると、そ
れぞれの状態のいずれか一方が微小に変化し光学的に検
知しうる変化量が微小に変化するとそれが未記録状態の
場合はバックグランドノイズとなり、記録状態の場合に
は記録状態の不均一性となりいずれも光学的に検知しつ
る量から得られる再生信号のノイズとなり品質を劣化さ
せも 具体的な例として、相変化型の光記録媒体の場合は記録
された信号を消去した時に以前に記録された信号が完全
には消えず消し残り信号が残留するという課題があム　
この消し残り信号の原因はすべて解明されているとは言
い難い力交　記録消去状態すなわち結晶状態において以
前の記録状態の履歴に依存した反射率の微小な分布が膜
面上に存在することが確かめられていも　これは結晶状
態の微小な差異に対応する光学定数の微小な変化が存在
するためと考えられも このため繰り返し消去書き換えを行なった部分ではデジ
タル信号特に記録すべき信号によって記録マークの中心
位置を変調するいわゆるＰＰＭ（Ｐｕｌｓｅ　ｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ　ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）記録方式にの記録再
生あるいは書き換えの場合には十分な信号品質が得れれ
る力（アナログ信号特に記録すべき信号によって記録マ
ーク長を変調するいわゆるＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ　ｗｉｄ
ｔｈ　ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）記録方式の場合には再生
信号のジッターが増加するなどの弊害が生ず本本発明の
目的は記録および未記録状態の光学特性が均一でノイズ
成分の少ない光学定数変化型の記録媒体を提供すること
にあム 本発明の今一つの目的は消去時に消し残りが少なく消去
率が大きい書き換え型の相変化記録媒体を提供すること
にあム 課題を解決するための手段 上記の課題を解決するために基材上に　少なくともレー
ザー光照射によって光学的に検知し得る量の変化を生じ
る記録薄膜層を設ζす、記録薄膜層を部分的に変化させ
て情報の記録を行な（Ｘ、変化量を光学的に検知して情
報の再生を行なう光学的情報記録媒体として、記録薄膜
層を構成する材料は異なる光学定数を持つ複数の状態を
持ち、　複数の状態のうち少なくとも一つの状態におい
て検知しうる変化量が光学定数に対して極大値あるいは
極小値をとる構成を用いも 具体的には基材上く　少なくともレーザー光照射によっ
て光学的に検知し得る量の変化を生じる記録薄膜層およ
び透明層を設けた構成で、記録薄膜層を部分的に変化さ
せて情報の記録を行なｌ、に変化量を光学的に検知して
情報の再生を行なう光学的情報記録媒体において、記録
薄膜層を構成する材料は異なる光学定数を持つ複数の状
態を持ち、その複数の状態のうち少なくとも一つの状態
において検知しうる変化量が光学定数に対して極大値あ
るいは極小値をとるように前記記録薄膜層および透明層
の膜厚を選択した構成を用いも作用 上記のような構成を用いると状態の微小な変化により光
学定数が微小に変化しても光学的に検知しうる量はほと
んど変化しな（ｌ 具体的に相変化記録媒体においてζよ　反射率の光学定
数に対する微係数がゼロであるため結晶状態に微小な差
異が存在してその光学定数が変化しても反射率の変化は
微小であるか反射率はほとんど変化しなしも したがって結晶状態の変化は光学的には検出されず消し
残り信号ノイズとはならな（〜 以下に　実施例を用いて詳細な説明をすム実施例 記録媒体のＩ実施例の構成を第１図に示す。基材１上に
透明な誘電体等の透明層２、記録薄膜層３、第２の透明
な誘電体等の透明層４、反射層５を順次設けも　さらに
その上に透明な密着した保護材６を設けも　この他に図
には示さないが保護材を施さない構成でもよし〜　この
場合は保護材６の代わりに空気（屈折率１．０）を考え
ると光学的には同等であり同じ効果が得られも　透明層
２は光学的な機能を持つためには基材１と屈折率の異な
る材質を用いるのが好ましｔ〜 これらの記録薄膜の厚さｔ３、透明層の厚さｔ２、　ｔ
４、および反射層の厚さｔ５を適当に選ぶことによって
検知しつる量が光学定数に対して極大値あるいは極小値
をとる構成を得ることができも　ただし反射層に用いる
材料は透過率が小さいので反射機能を持つような厚さで
は光学特性は膜厚にあまり依存しなしもシたがって実用
的には記録薄膜および透明層の厚さを選択することにな
ム基材１としてはガラス・樹脂等の透明で平滑な平板を
用いも　また基材表面にトラッキングガイド用の溝状の
凹凸があってもよ（〜 保護材６としては樹脂を溶剤に溶かして塗布・乾燥した
ものや樹脂板を接着剤で接着したもの等が使えも 記録薄膜層３に用いる記録薄膜材料としてはアモルファ
ス・結晶間の相変化をする材料たとえば５ｂＴｅ＆　　
ＩｎＴｅ＆　　ＧｅＴｅＳｎ＆　　５ｂＳｅ＆　　Ｔｅ
５ｅＳｂＫ　　５ｎＴｅＳｅｉ　　Ｉｎ５ｅｉ　　Ｔｅ
ＧｅＳｎＯ４ＴｅＧｅ５ｎＡｕｉＴｅＧｅＳｎＳｂＫ　
　ＴｅＧｅＳｂ等のカルフゲン化合物を用いも　Ｔｅ−
Ｔｅ０ｅ＆　　Ｔｅ−Ｔｅ０２−Ａｕ＆　　Ｔｅ−Ｔｅ
０２−Ｐｄ系等の酸化物系材料も使えも　また　結晶・
結晶間の相転移をするＡｇＺｎＫ　　ＩｎＳｂ系等の金
属化合物も使えも 透明層２、としては５ｉＯａ、Ｓ１α　ＴｌＯ２、Ｍ　
ｇ　Ｏ，Ｇ　ｅ　Ｏａ等の酸化＆５ｉｓＮ４、ＢＮ、Ａ
ＩＮ等の窒化ｅＬ　　ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＴｅ、Ｐ
ｂＳ等の硫化物あるいはこれらの混合物が使える。

反射層５としてはＡｕ、ＡＩ、Ｃｕ等の金属材料を主成
分とした材料あるいは所定の波長における反射率の大き
な誘電体多層膜等が使えもこれらの材料を作る方法とし
ては多元蒸着源を用いた真空蒸着法やモザイク状の複合
ターゲットを用いたスパッタリング法その他が使えも（
比較例） 記録薄膜として相変化材料である　ＧｅａＳｂ２ＴｅＧ
の組成を持つゲルマニラな　アンチモンおよびテルルの
３元化合物を用いも　形成法としてＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの
３つの蒸発源を用いた電子ビーム蒸着法を用いも　記録
薄膜はアモルファス状態で形成されも　石英ガラス板上
に上記組成のＧｅ＊Ｓｂ＊Ｔｅｓだけを蒸着したアモル
ファス状態（ａｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｔｅｄ状態）の光学
定数を測定したとこへ　波長８３０　ｎｍにおいて複素
屈折率ｎ十ｋｌが４．　８＋１．　３ｉであった　これ
を不活性雰囲気中で３００℃で５分間熱処理して結晶状
態（ａｎｎｅａｉｅｃｉ状態）にすると５．　８＋３．
　６ｉに変化すも 基材としてあらかじめ幅０．　６μｍ・深さ６５ｎｍの
溝トラツクを形成した厚さ１．　２ｍｍ・直径２００ｍ
ｍのポリカーボネート樹脂板（ＰＣ。

屈折率１．５８（波長８３０ｎｍｌ’ｏ　　以下同様）
）上に透明層２として硫化亜鉛と二酸化ケイ素の混合誘
電体（ＺｎＳ　　５ｉｎｓ、屈折率２．１０）をエレク
トロンビーム蒸着法で厚さｔ２＝１４８ｎｍ蒸着したう
えに記録薄膜層３として記録薄膜Ｇｅ＊５ｂａＴｅｓを
上記と同様の方法で厚さ　ｔ３＝４０ｎｍ形成しさらに
透明層４としてＺｎＳ−５ｉＯｓを厚さｔ４＝１９８ｎ
ｍ同様に蒸着したこの上に反射層５として金（Ａｕ、屈
折率０．２０＋５．　０４ｉ）を厚さｔ５＝５０ｎｍエ
レクトロンビーム蒸着法で形成し　さらに保護材６とし
て基材と同じＰＣ円盤を接着剤で貼りあわせ光記録媒体
を形成した この記録媒体を回転させ線速度１０ｍ／５ｅｃＯ線速度
で波長８３０ｎｒｎの半導体レーザー光を開口数０．５
のレンズ系で絞って記録薄膜上に焦点をあわせて溝トラ
ツクにトラッキング制御をかけながら照射した　まず記
録薄膜面上で８．５ｍＷの連続出力でレーザー光を照射
しトラック上の記録薄膜を一様に結晶化させた　このト
ラック上にレーザー光出力を記録膜面上で１９ｍＷの出
力（記録パワー）で単一周波数５ＭＨｚｆ調度５０％で
変調した光を照射して記録薄膜を部分的にアモルファス
化させてマークを形成し記録を行つ九さらに１ｍＷの連
続出力（再生パワー）を照射してその反射光をフォトデ
ィテクターで検出して再生を行うと記録マーク部で反射
光量は約１／３に減少り、５ＭＨｚの再生信号が得られ
九　再生信号をスペクトルアナライザーで測定したとこ
ろＣＮ比５６ｄＢ（周波数分解能３０ｋＨｚ、以下同様
）が得られた　このトラックにさらに記録薄膜面上で８
．５ｍＷの連続出力でレーザー光を照射し記録されたア
モルファス状態のマークを結晶化して消去を行なっ九　
この状態で同じ再生パワーで再生信号を測定したところ
５ＭＨｚの周波数成分としてＣＮ比３１ｄＢが得られ九
　すなわち３１ｄＢの消し残り信号が観測された　記録
状態の再生信号のＣＮ比と消去状態の消し残り再生信号
の差を消去率と定義するとこの場合消去率は２５ｄＢと
なム　消去パワー変化させて同様の実験を行なったとこ
ろ消去パワー７〜１１ｍＷの範囲で消去率は２４〜２８
ｄＢが得られれ丸　この状態での反射光量の平均値は初
期の一様に結晶化させた場合の反射光量の平均値に比べ
て約１％程大きいことも観測され九 消し残り信号の原因を調べるために記録媒体を分解し記
録薄膜を剥離して約１５００倍の透過電子顕微鏡を用い
て結晶状態を観察したところ初期の結晶化状態のトラッ
ク上には粒径的５０ｎｍの大きさがほぼ均しい結晶粒均
一に分布しているのが観測され九　次に記録状態のトラ
ックを観察すると長円形のアモルファスマークが観察さ
れそのまわりには粒径的１１００ｎの結晶粒が存在する
ことがわかっ九　さらに消去状態のトラックを観察する
とアモルファスマークの部分は粒径が初期状態とほぼ等
しい約５０ｎｍの結晶粒が分布した状態となりその周り
に長円形上に粒径約１１００ｎの結晶粒が存在すること
が確認され九　さらに詳細な解析の結果それぞれの結晶
は結晶系が等しく配向性もないことがわかった　粒径の
大きな結晶は記録時に記録パワーによって溶融した記録
薄膜材料がアモルファスにならずに結晶化した状態６二
　粒径の小さな結晶は熔融せずに固相で結晶化した状態
に対応しているとものと考えられ４以上の結果から消去
状態においては粒径の異なる結晶状態が存在しこれが消
しのこりの原因と考えられも　結晶粒径の差が再生信号
に影響する機構は必ずしも明確ではないが次のように考
えられることができも　材料の光学的特性（光学定数）
はその電子状態に依存すム　結晶系が等しく配向もない
ことから結晶内部の原子の電子状態は等しく結晶の電子
状態を持つと考えられるが結晶粒の界面（粒界）にある
原子は長距離秩序はもちろん短距離秩序も完全ではない
と考えられも　この粒界の原子の電子状態は結晶状態よ
りもアモルファス状態のそれに近いはずであム　また結
晶粒系か小さいほど単位体積あたりの粒界の面積は大き
くなりそのような原子の割合が大きくなるはずであム　
したがって平均的な光学定数は結晶粒系が小さいほど結
晶状態の光学定数からアモルファス状態の光学定数に近
づくと考えられる。このように考えると結晶粒系の差に
より光学定数が変化して記録媒体の反射率が部分的に変
化し再生信号として検出されることが説明できも　この
ように同じ結晶状態でも微小な差により光学定数が微小
に変化して再生信号品質に影響を与えも さらに議論を進めるために上記の従来例の構成で光学定
数と反射率の関係を計算し總　結果を第２図（ａ）に示
す。反射率の計算には各層の複素屈折率と膜厚からマト
リックス法で計算しｆ−（たとえば　久保田広著「波動
光学」岩波書忠　１９７１年　Ｍ３章参照）また　基材
１と保護材６は無限大の膜厚をもつものとして（基材−
空気界巨　密着保護層−空気界面の効果を無視）、反射
率Ｒは基材から入射した光の強度と反射して基材中に出
射してくる光の強度の比率としてもきめた記録薄膜の複
素屈折率はアモルファスの値（上記ａｓ　ｄｅｐｏｓｉ
ｔｔｅｄ値）と結晶の値と結晶の値（上記ａｎｎｅａｌ
ｅｄ値）との間で線形に変化するものとした　第２図か
られかるように結晶状態の光学定数とアモルファス状態
の光学定数の差を１とした場合に結晶状態の光学定数が
０．０５変化すると反射率は約２％変化すも　すなわち
光学定数が結晶状態からアモルファス状態に１／２０だ
け近づいた状態が部分的に存在すると約２％のノイズ成
分（消し残り）が発生すも　結晶状態とアモルファス状
態の反射率の差は約２４％であるからこれは２２ｄＢの
消去率に相当すム　光学定数が結晶状態からアモルファ
ス状態に１／２０だけ近づくという仮定が妥当かは議論
の余地があるがこのようなモデルでデータを解釈するこ
とは可能であろう。

（実施例） 本発明の１実施例として上記従来例の構成と同様の第１
図に示す構成を用いも　上記従来例と同一の材料すなわ
ち基材１としてＰＣ樹脂板　透明層２．４としてＺｎＳ
−３ｉｆ２、記録薄膜層３としてＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５、
反射層５としてＡｕ、さらに保護材６として基材と同じ
ＰＣ円盤を接着剤で貼りあわせた構造を用いも　上記の
モデルにしたがって光学定数が結晶のそれとアモルファ
スの光学定数との間をむすぶ線上で微小に変化するとし
て結晶状態の光学定数において極値をとる構成をもとめ
た　上記の各構成材料の複素屈折率を用いて各層の膜厚
を変化させて第２図に示すような反射率の光学定数依存
性を計算し結晶の光学定数において極致をとる膜厚構成
を計算機を用いて捜したところ次の第１表に示すような
候補が得られた （以下余白） 第１表 λ−８３０ｎｍ：　　ｔ５＝５０（ｎｍ）（以下余白） 第１表は波長８３０ｎｍにおいて反射層５の膜厚が５０
ｎｍの場合に記録薄膜層の膜厚ｔ３をを５ｎｍきざみに
　透明層２、４の膜厚ｔ２、　ｔ４をそれぞれ１２．３
５ｎｍきざみで変化させたすべての組み合わせにおいて
光学定数に対する反射率が結晶の光学定数（５，８＋３
．　６ｉ）において極小値を持ちかつその２次微分値が
特に小さいものを示していも　表中Ｒａはアモルファス
の光学定数（４，８＋１／３ｉ）における反射層　Ｒｃ
は結晶の光学定数における反射層　ｄＲはその差（Ｒｃ
−Ｒａ）を示していも　第１表かられかるように記録薄
膜層の膜厚および透明層の膜厚を選択することにより結
晶の光学定数において反射率が極値を持ちかつアモルフ
ァス状態と結晶状態の聞で十分大きい反射率差を持つ膜
厚構成が複数存在することがわかム 第１表の中の一例としてｔ　２＝８７　ｎｍ　ｔ３＝４
５ｎｍ、　　ｔ４＝１２４ｎｍの場合の構成における光
学定数と反射率の関係の計算値を上記従来例の場合と同
様に第２図（ｂ）に示した　第２図かられかるように結
晶状態の光学定数とアモルファス状態の光学定数の差を
１とした場合に結晶状態の光学定数が０．０５変化して
も反射率変化は０、　１％未満である。すなわち光学定
数が結晶状態からアモルファス状態に１７２０だけ近づ
いた状態が部分的に存在しても０．　１％以下のノイズ
成分（消し残り）しか発生しダいはずであム　結晶状態
とアモルファス状態の反射率の差ｄＲは約１９％である
からこれは４６ｄＢの消去率に相当すム 以上の結果にもとづいて以下の実験を行なっ九基材とし
て上記比較例と同じあらかじめ幅０．６μｍ・深さ６５
ｎｍの溝トラツクを形成した厚さ１、　２ｍｍ・直径２
００ｍｍのＰＣ樹脂板上に透明層２としてＺｎＳ−５ｉ
○２混合誘電体をエレクトロンビーム蒸着法で厚さｔ２
＝８９ｎｍ蒸着したうえに記録薄膜層３として記録薄膜
Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５を前記比較例と同様の方法で厚さｔ
３＝４５ｎｍ形成しさらに透明層４としてＺｎＳ−５ｉ
０２を厚さｔ４＝１２４ｎｍ同様に蒸着し九この上に反
射層５としてＡｕを厚さｔ　５＝５０　ｎｍエレクトロ
ンビーム蒸着法で形成し　さらに保護林６として基材と
同じＰＣ円盤を接着剤で貼りあわせ光記録媒体を形成し
な この記録媒体を回転させ線速度１０ｍ／ｓｅｅの線速度
で波長８３０ｎｍの半導体レーザー光を開口数０．５の
レンズ系で絞って記録薄膜上に焦点をあわせて溝トラツ
クにトラッキング制御をかけながら照射した　まず記録
薄膜面上で１２ｍＷの連続出力でレーザー光を照射しト
ラック上の記録薄膜を一様に結晶化させた　このトラッ
ク上にレーザー光出力を記録膜面上で２０ｍＷの記録パ
ワーで単一周波数５ＭＨｚ変調度５０％で変調した光を
照射して記録薄膜を部分的にアモルファス化させてマー
クを形成し記録を行つれ　さらに１ｍＷの再生パワーを
照射してその反射光をフォトディテクターで検出して再
生を行うと記録マーク部で反射光量は約３／２に増大Ｌ
　　５ＭＨｚの再生信号が得られた　再生信号をスペク
トルアナライザーで測定したところＣＮ比５１ｄＢが得
られた　このトラックにさらに記録薄膜面上で１２ｍＷ
の連続出力でレーザー光を照射し記録されたアモルファ
ス状態のマークを結晶化して消去を行なった　この状態
で同じ再生パワーで再生信号を測定したところ５ＭＨｚ
の周波数成分すなわち消し残り信号はＣＮ比１４ｄＢで
あっ丸　前記の消去率の定義で消去率は３７ｄＢとなム
　消去パワー変化させて同様の実験を行なったところ消
去パワー１０〜１４ｍＷの範囲で消去率は３４〜３９ｄ
Ｂが得られれた　この状態での反射光量の平均値と初期
の一様に結晶化させた場合の反射光量の平均値の差は測
定誤差の範囲内であった 以上の結果から実験的にも光学定数に対して反射率が極
大値あるいは極小値をとるように記録薄膜層および透明
層の膜厚を選択した構成を用いることにより消去率が向
上すゑ　言い替えると消去結晶状態でのノイズ成分が減
少することが確かめられた 発明の効果 本発明によれば記録および未記録状態の光学特性が均一
でノイズ成分の少ない光学定数変化型の記録媒体を提供
することが可能であム さらに　消去時に消し残りが少なく消去率が大きい書き
換え型の相変化記録媒体を提供することが可能であ４

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の１実施例の構成を示す断面模式医　第
２図は実施例の構成における反射率の光学定数依存性を
従来例と比較して示したグラフであム ト・・・・・・・・基材、 ２、４・・・・・・・透明層 ３・・・・・・・・・記録薄膜層 ５・・・・・・・・・反射服 ６・・・・・・・・・保護材。 代理人の氏名　弁理士　小鍜治　明 ほか２名 第１図 ４５量 ５、Ｏ１２，ｌＦＪ 複索屈折串 Ｓ、　Ｓ＋３．３ ｎ→−に＋ ｂ１〕Ｉ４１１ｂ 第２［Ａ 手続補正書 １事件の表示 平成□２年特許願第２５５８３０号 ２発明の名称 光学的情報記録媒体 ３補正をする者 事件との関係　　　　　　特　　　許　　　出　　　願
　　人使　所　　大阪府門真市太字門真１００６番地名
　称　（５８２）松下電器産業株式会社代表者　　　　
谷　　井　　昭　　雄 ４代理人　〒５７１ 住　所　　大阪府門真市太字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正します
。 （２）明麗書第９頁第１１行の「数は材料」を「数が材
料」に補正します。 （３）同第１８頁第１２行の「約１６００倍」を「約１
６０００倍」に補正します。 （４）同第２２頁第２行の「（Ｆｅ２５ｂ２Ｔｅ６ｊを
「Ｇｅ２ｓｂ２　ＴｅＪに補正します。 （６）同第２２頁第１１行の「極致」を「極値」に補正
します。 （６）同第２４頁第１６行の「在することかわかる。」
のつき゛に「また各層の厚さが第１表の値より微小に変
化しても反射率の光学定数に対する微係数が小さいため
同じ効果が期待できる。従って各膜厚は第１表に示す値
の近傍であればよい。」を挿入します。 （ア）同第２５頁第１５行の「ＺｎＳ−８ｉ０２Ｊを「
ＺｎＳ−５ｉｎ２Ｊに補正します。 （８）同第２６頁第１Ｔ行から同頁第１８行の「Ｇｅ２
Ｓ　ｌ）２　Ｔｅｅｓ　Ｊを「Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５」に
補正します。 （９）同第２５頁第２０行の「Ｓ：ＬＯ２ｊを「５ｉｎ
２ｊに補正します。 ２、特許請求の範囲 （１）基材上に、少なぐともレーザー光照射によって光
学的に検知し得る量の変化を生じる記録薄膜層を設け、
記録薄膜層を部分的に変化させて情報の記録を行ない、
変化量を光学的に検知して情報の再生を行なう光学的情
報記録媒体であって、 記録薄膜層を構成する材料は異なる光学定数を持つ複数
の状態を持ち、 複数の状態のうち少なぐとも一つの状態において検知し
得る変化量が光学定数に対して極大値または極小値をと
るように構成したことを特徴とする光学的情報記録媒体
。 （２）基材上に、少なくともレーザー光照射によって光
学的に検知し得る量の変化を生じる記録薄膜層および透
明層を設け、記録薄膜層を部分的に変化させて情報の記
録を行ない、変化量を光学的に検知して情報の再生を行
なう光学的情報記録媒体であって、 記録薄膜層を構成する材料は異なる光学定数を持つ複数
の状態を持ち、 複数の状態のうち少なくとも一つの状態において検知し
得る変化量が光学定数に対して極太値または極小値をと
るように前記記録薄膜層および透明層の膜厚を選択し、 前記記録薄膜層 、透明層および反射層の膜厚 したことを特徴とする光学的情報記録媒体。 を特徴とする光学的情報記録媒体。 （３）基材上に、基材と屈折率が異なる第一の透明層を
設け、その上に記録薄膜層を設け、さらにその上に第二
の透明層を設け、その上に反射層を設けた構造の光学的
情報記録媒体であって、記録薄膜層を構成する材料は異
なる光学定数を持つ複数の状態を持ち、 検知し得る変化量が再生に用いる光の反射光量であわ、 複数の状態のうち少なくとも一つの状態において反射率
が光学定数に対して極太値または極小値をとるように前
記記録薄膜層、透明層および反射層のそれぞれの膜厚を
選択し、

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基材上に　少なくともレーザー光照射によって光
   学的に検知し得る量の変化を生じる記録薄膜層を設け、
   記録薄膜層を部分的に変化させて情報の記録を行ない、
   変化量を光学的に検知して情報の再生を行なう光学的情
   報記録媒体であって、記録薄膜層を構成する材料は異な
   る光学定数を持つ複数の状態を持ち、 複数の状態のうち少なくとも一つの状態において検知し
   うる変化量が光学定数に対して極大値あるいは極小値を
   とるように構成したことを特徴とする光学的情報記録媒
   体。
2. （２）基材上に、少なくともレーザー光照射によって光
   学的に検知し得る量の変化を生じる記録薄膜層および透
   明層を設け、記録薄膜層を部分的に変化させて情報の記
   録を行ない、変化量を光学的に検知して情報の再生を行
   なう光学的情報記録媒体であって、 記録薄膜層を構成する材料は異なる光学定数を持つ複数
   の状態を持ち、 複数の状態のうち少なくとも一つの状態において検知し
   うる変化量が光学定数に対して極大値あるいは極小値を
   とるように 前記記録薄膜層および透明層の膜厚を選択したことを特
   徴とする光学的情報記録媒体。
3. （３）基材上に、基材と屈折率が異なる第一の透明層を
   設け、その上に記録薄膜層を設け、さらにその上に第二
   の透明層を設け、その上に反射層を設けた構造の光学的
   情報記録媒体であって 記録薄膜層を構成する材料は異なる光学定数を持つ複数
   の状態を持ち、 検知しうる変化量が再生に用いる光の反射光量であり、 複数の状態のうち少なくとも一つの状態において反射率
   が光学定数に対して極大値あるいは極小値をとるように
   前記記録薄膜層、透明層および反射層のそれぞれの膜厚
   を選択したことを特徴とする請求項２記載の光学的情報
   記録媒体。