JP2000215516A - 光学的情報記録媒体とその製造方法、その記録再生方法および記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 クロスイレースが抑制され、高密度の情報の
記録再生に好適な光学的情報記録媒体、高密度・高線速
度なオーバーライトにおいても消去率が高く、かつジッ
タの小さい情報の記録再生が可能な光学的情報記録媒体
を提供する。 【解決手段】 透明基板１上に、下側保護層２、記録層
３、上側保護層４、中間層５、反射層６を順次積層し、
熱伝導率を反射層、中間層、上側保護層の順に大きく
し、記録層膜厚を４〜１６ｎｍとする。また、中間層に
代えて光吸収層を用い、光吸収層の屈折率が反射層の屈
折率よりも２〜６大きく、反射層を光吸収層よりも厚く
形成する。あるいは光吸収層の膜厚ｄ₁が、この層の屈
折率をｎ₁、消衰係数をｋ₁として、０．１λ／（ｎ₁・
ｋ₁）≦ｄ₁≦１．０λ／（ｎ₁・ｋ₁）の範囲とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成され
た薄膜に、レーザービーム等の高エネルギーの光ビーム
を照射することにより、信号品質の高い情報信号を記録
・再生することのできる光学的情報記録媒体、その製造
方法、その記録再生方法、および光学的記録再生装置に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】基板上に形成したカルコゲン材料等の薄
膜に、照射条件を調整しながらレーザー光線を照射して
局所的な加熱を行うと、照射部分を光学定数（屈折率
ｎ、消衰係数ｋ）の異なる非晶質相と結晶相との間で相
変化させることができる。このような相変化を利用し
て、特定の波長の光に対する反射光量または透過光量の
差を信号として検出する高速・高密度情報記録を行う媒
体とその利用方法の開発が行われてきた。

【０００３】相変化記録においては、単一のレーザービ
ームのみを使い、レーザー出力を記録レベルと消去レベ
ルの２レベル間で情報信号に応じて変調し情報トラック
上に照射すると、既存の信号を消去しつつ新しい信号を
記録することが可能となる（例えば特開昭５６−１４５
５３０号公報）。この方法は、光磁気記録に要するよう
な磁気回路部品が不要であってヘッドを簡素化できる
点、消去と記録とが同時に行えるために書換時間を短縮
できる点で有利である。

【０００４】相変化記録を高密度化するためには、記録
に用いる光源の短波長化、対物レンズの高ＮＡ（開口
数）化等によってより小さい記録マークを形成し、円盤
状の基板における記録マークの周方向の線密度および径
方向のトラック密度を向上させる手法が採用されてい
る。また、周方向の密度向上のためには記録マークの長
さに情報を持たせるマークエッジ記録が、径方向の密度
向上のためには基板上に設けられたレーザー光案内用の
溝であるグルーブとその案内溝間のランドの両方を記録
トラックとするランド＆グルーブ記録がそれぞれ提案さ
れている。

【０００５】また、高密度化のみならず、情報処理速
度、すなわち情報の記録再生の速度を向上させることも
重要であり、そのために、同じ半径位置でも高い回転数
でディスクを回転させて記録再生を行う高線速度化につ
いても検討が進められている。

【０００６】さらに、記録可能な情報層を分離層を介し
て複数積層し、容量を倍増させた記録媒体（例えば特開
平９−２１２９１７号公報）、およびこのような複数の
情報層のいずれか一つを選択して記録再生を行うための
層認識手段や層切り換え手段（例えば特表平１０−５０
５１８８号公報）が提案されている。

【０００７】記録の高密度化を進展させると、オーバー
ライト歪や繰り返し劣化も問題となるが、特に、あるト
ラックに記録マークを記録した際に、隣のトラックの記
録マークを部分的にでも消してしまう現象（以下、「ク
ロスイレース」という）が問題となる。クロスイレース
は、径方向の記録密度を向上させるためにトラックの間
隔を短くするほど顕著となる。特にランド＆グルーブ記
録においては、グルーブまたはランドの一方のみに記録
する場合に比べて記録マーク同士の径方向の間隔がおよ
そ半分となるために影響が大きくなる。

【０００８】クロスイレースは、記録時に絞り込まれた
レーザー光のスポットが記録しようとするトラックに隣
接するトラックにまで影響を及ぼすために生じる。具体
的には、レーザー光による隣接トラックの直接加熱、お
よび記録しようとするトラックからの熱伝導による隣接
トラックの間接加熱が、クロスイレース発生の要因とな
っていると考えられる。

【０００９】また、単一ビームによるオーバーライトの
場合、非晶質部と結晶部とで光吸収率が異なり、また、
結晶部では融解潜熱が必要であるために、両者の間に、
同じパワーのビームを照射した場合の到達温度の差が生
じ、オーバーライト時にオーバーライト前の信号の影響
を受けてマークエッジ位置の不揃いが生じてしまう。そ
して、これにより、再生信号の時間軸方向の誤差（ジッ
タ）の増大や消去率の低下が起きてしまう。この現象
は、記録の高線速度・高密度化、とりわけマークエッジ
記録方式の導入に際して大きな問題となる。

【００１０】この問題を解決するためには、結晶部と非
晶質部における、同じパワーのビームを照射した場合の
到達温度を等しくする必要がある。そして、そのために
は、波長λのレーザービームを照射したときの、結晶部
の吸収率をＡcry、非晶質部のそれをＡamoとして、結晶
部の融解潜熱分を補償するために光吸収率比Ａcry／Ａa
moが１．０よりも大きいことが必要である。加えて、波
長λのレーザービームを照射したときの、結晶部の反射
率をＲcry、非晶質部のそれをＲamo として、高いＣ／
Ｎ比を得るために反射率差ΔＲ＝Ｒcry−Ｒamoが大きい
ことが望ましい。

【００１１】従来、上記のようにＡcry／ＡamoとΔＲを
共に大きくする技術として、反射層を有さない３層構成
（特開平３−１１３８４４号公報、特開平５−２９８７
４８号公報）、反射率の低い材料を用いた反射層、ある
いは膜厚が十分薄い反射層を有する４層構成（特開平４
−１０２２４３号公報、特開平５−２９８７４７号公
報）などが提案されている。

【００１２】しかし、上記のような手段を用いてＡcry
／ＡamoとΔＲとを共に大きくしても、十分な記録再生
特性が得られるとは限らない。例えば、反射層の膜厚が
薄い場合や反射層の熱伝導率が低い場合には、記録層の
光吸収から生じる発熱を反射層に逃がす、いわゆる冷却
能が不十分となり、非晶質化の妨げとなる。この現象
は、特に非晶質であるマークの前端部分で顕著であり、
マーク前端部分の幅がマーク後端部分の幅よりも小さく
なるというアンバランスが生じてしまう。また、マーク
エッジ位置が物理的に所望の位置からずれてしまうばか
りでなく、マーク幅が均一でないために、電気信号とし
てのエッジ位置がさらに大きくずれてしまい、その結
果、ジッタの増大につながってしまう。これは、高密度
・高線速度な記録において大きな問題となる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、クロスイレ
ースの小さい、高密度の情報の記録再生に好適な光学的
情報記録媒体を提供することを目的とする。また、本発
明は、高密度・高線速度のオーバーライトにおいても消
去率が高く、かつ、ジッタの小さい情報の記録再生が可
能な光学的情報記録媒体を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、これらの光学的情報記録媒体の製造
方法および記録再生方法、ならびに上記光学的情報記録
媒体を利用した光学的情報記録再生装置を提供すること
を目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の光学的情報記録媒体は、透明基板
と、この透明基板上に形成された多層膜とを含み、この
多層膜が、上記透明基板に近い側から順に、下側保護
層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる２
状態間で可逆的に変化する記録層、上側保護層、中間層
および反射層を含み、上側保護層、中間層および反射層
の熱伝導率が上記記録層から遠い層ほど大きく、上記記
録層の膜厚が４ｎｍ以上１６ｎｍ以下であることを特徴
とする。

【００１５】このような光学的情報記録媒体とすること
により、記録層から多層膜の厚さ方向への熱伝導が促進
され、クロスイレースを低減することが可能となる。記
録層の膜厚については、６ｎｍ以上１４ｎｍ以下である
ことが好ましい。

【００１６】本発明の第２の光学的情報記録媒体は、透
明基板と、前記透明基板上に形成された多層膜とを含
み、前記多層膜が、前記透明基板に近い側から順に、下
側保護層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異
なる２状態間で可逆的に変化する記録層、上側保護層、
光吸収層および反射層を含み、前記光ビームの波長λに
おける前記光吸収層の屈折率ｎ₁と前記反射層の屈折率
ｎ₂との差Δｎ＝ｎ₁−ｎ₂が２以上６以下であり、か
つ、前記反射層の膜厚が前記光吸収層の膜厚以上である
ことを特徴とする。

【００１７】このような光学的情報記録媒体とすること
により、Ａcry／ＡamoとΔＲとを共に大きくすることが
でき、十分な冷却効果を得ることができる。その結果、
高密度・高線速度なオーバーライトにおいても消去率が
高く、かつ、ジッタの小さい情報の記録再生が可能な光
学的情報記録媒体を実現することができる。

【００１８】上記第２の光学的情報記録媒体において
は、光吸収層の膜厚が、前記光吸収層の消衰係数をｋ₁
として、０．１λ／（ｎ₁・ｋ₁）≦ｄ₁≦１．０λ／
（ｎ₁・ｋ₁）の範囲が好ましい。この好ましい例によれ
ば、Ｃ／Ｎ比、消去率およびジッタについて良好な値が
得られる。

【００１９】また、本発明の第３の光学的情報記録媒体
は、透明基板と、前記透明基板上に形成された多層膜と
を含み、前記多層膜が、前記透明基板に近い側から順
に、下側保護層、光ビームの照射により光学的に検出可
能な異なる２状態間で可逆的に変化する記録層、上側保
護層、光吸収層および反射層を含み、前記光吸収層の膜
厚ｄ₁が、前記光ビームの波長をλ、前記波長λにおけ
る前記光吸収層の屈折率および消衰係数をそれぞれｎ₁
およびｋ₁として、０．１λ／（ｎ₁・ｋ₁）≦ｄ₁≦１．
０λ／（ｎ₁・ｋ₁）の範囲にあることを特徴とする。

【００２０】本発明の光学的情報記録媒体は、複数の記
録層を備えていてもよく、記録層を含む多層膜からなる
２以上の情報層を含んでいてもよい。この場合、２以上
の情報層は、分離層を介して積層されていることが好ま
しい。このような光学的情報記録媒体は、例えば、透明
基板と、前記透明基板上に前記透明基板に近い側から順
に形成された、第１情報層、分離層および第２情報層を
含んでいる。

【００２１】このように２層の情報層を備えている場
合、特に制限されないが、上記に説明した多層膜の各構
成は第２の情報層に適用することが好ましい。レーザ光
が入射する透明基板側から見て遠い第２情報層は、高感
度であることが重要となる。上記多層膜では、中間層ま
たは光吸収層が、記録層と同様、レーザ光を吸収するた
めに記録層が昇温しやすくなって良好な感度が得られ
る。しかも、上記多層膜では、発熱が、熱伝導率が高い
反射層による速やかな冷却により解消される。このた
め、記録層内での熱拡散が増大せず、クロスイレース特
性の劣化を抑制できる。

【００２２】本発明の光学的情報記録媒体の第１の製造
方法は、透明基板上に、前記透明基板に近い側から順
に、下側保護層、光ビームの照射により光学的に検出可
能な異なる２状態間で可逆的に変化する記録層、上側保
護層、中間層および反射層を含む多層膜を形成する工程
を含み、前記上側保護層、前記中間層および前記反射層
の熱伝導率を前記記録層から遠い層ほど大きく、前記記
録層の膜厚を４ｎｍ以上１６ｎｍ以下とすることを特徴
とする。この製造方法により、クロスイレースが低減さ
れた光学的情報記録媒体を得ることができる。

【００２３】本発明の光学的情報記録媒体の第２の製造
方法は、透明基板上に、前記透明基板に近い側から順
に、下側保護層、光ビームの照射により光学的に検出可
能な異なる２状態間で可逆的に変化する記録層、上側保
護層、光吸収層および反射層を含む多層膜を形成する工
程を含み、前記光ビームの波長λにおける前記光吸収層
の屈折率ｎ₁と前記反射層の屈折率ｎ₂との差Δｎ＝ｎ₁
−ｎ₂が２以上６以下であり、かつ、前記反射層の膜厚
を前記光吸収層の膜厚以上とすることを特徴とする。こ
の製造方法により、高密度・高線速度なオーバーライト
においても消去率が高く、かつ、ジッタの小さい情報の
記録再生が可能な光学的情報記録媒体を得ることができ
る。

【００２４】本発明の光学的情報記録媒体の第３の製造
方法は、透明基板上に、前記透明基板に近い側から順
に、下側保護層、光ビームの照射により光学的に検出可
能な異なる２状態間で可逆的に変化する記録層、上側保
護層、光吸収層および反射層を含む多層膜を形成する工
程を含み、前記光吸収層の膜厚をｄ₁、前記光ビームの
波長をλ、前記波長λにおける前記光吸収層の屈折率お
よび消衰係数をそれぞれｎ₁およびｋ₁として、０．１λ
／（ｎ₁・ｋ₁）≦ｄ₁≦１．０λ／（ｎ₁・ｋ₁）が成立
するように前記光吸収層を形成することを特徴とする。

【００２５】上記各製造方法は、２以上の情報層を備え
た光学的情報記録媒体にも適用できる。この場合、透明
基板上に第１情報層を形成する工程と、保護基板上に第
２情報層を形成する工程と、前記透明基板と前記保護基
板とを分離層を介して貼り合わせることにより、前記透
明基板上に、前記第１情報層、前記分離層および前記第
２情報層をこの順に形成する工程とを含む製造方法とす
ることが好ましい。この場合、保護基板は、情報層を保
護する層として機能する。この場合も、上記で説明した
多層膜の各構成が第２情報層に適用されるように、保護
基板上に第２情報層を形成することが好ましい。

【００２６】本発明の光学的情報記録媒体の記録再生方
法は、上記に記載した本発明の光学的情報記録媒体に光
ビームを透明基板側から入射させて情報を記録再生する
方法であって、前記光ビームの強度を、照射部を瞬時溶
融させることができるパワーレベルＰ₁、照射部を瞬時
溶融させることができないパワーレベルＰ₂およびＰ
₃（ただし、Ｐ₁＞Ｐ₂≧Ｐ₃≧０）、および記録層の記録
マークの光学的な状態が変化せず、かつ照射により前記
記録マークの再生に足りる反射率が得られるパワーレベ
ルＰ₀（ただし、Ｐ₁＞Ｐ₀＞０）により表示したとき
に、前記記録層に記録する少なくとも１つの記録マーク
を、光ビームをパワーレベルＰ₁とＰ₃との間で変調する
ことにより生成させた一群のパルスからなる記録パルス
列により形成し、記録マークを形成しない場合には光ビ
ームをパワーレベルＰ₂に保持し、パワーレベルＰ₀の光
ビームを照射することにより、前記記録層に記録した情
報を再生することを特徴とする。

【００２７】このように、強度を変調させて生成させた
パルス列により記録マークを形成することにより、例え
ば上記第１の光学情報記録媒体を用いると、クロスイレ
ースを抑制しながら情報を記録再生することが可能とな
る。また例えば、上記第２または第３の光学情報記録媒
体を用いると、特に長いマークを形成する場合に、過剰
な熱を除いてマーク幅を均一化できる。

【００２８】上記各記録再生方法は、２以上の情報層を
備えた光学的情報記録媒体にも適用できる。この場合
は、光ビームを透明基板側から入射させて、第１情報層
および第２情報層に含まれる記録層の状態を変化させる
ことが好ましい。

【００２９】本発明の光学的情報記録媒体の記録再生装
置は、上記に記載した本発明の光学的情報記録媒体と、
前記光学的情報記録媒体に照射される光ビームを発生さ
せる光ビーム発生手段と、前記光ビームの強度を変調さ
せる光ビーム強度変調手段とを備え、前記光ビームの強
度を、照射部を瞬時溶融させることができるパワーレベ
ルＰ ₁、照射部を瞬時溶融させることができないパワー
レベルＰ₂およびＰ₃（ただし、Ｐ₁＞Ｐ₂≧Ｐ₃≧０）、
および記録層の記録マークの光学的な状態が変化せず、
かつ照射により前記記録マークの再生に足りる反射が得
られるパワーレベルＰ ₀（ただし、Ｐ₁＞Ｐ₀＞０）によ
り表示したときに、前記光ビーム強度変調手段が、記録
層に記録マークを形成することにより情報を記録する場
合には、光ビームをパワーレベルＰ₁とＰ₃との間で変調
することにより生成させた一群のパルスからなる記録パ
ルス列により前記記録マークの少なくとも１つを形成
し、記録マークを形成しないときには光ビームの強度を
パワーレベルＰ₂に保持し、前記記録層に記録した情報
を再生する場合には、光ビームの強度をパワーレベルＰ
₀に保持することを特徴とする。

【００３０】上記各記録再生装置は、２以上の情報層を
備えた光学的情報記録媒体にも適用できる。この場合、
透明基板側からレーザ光が入射するように、光ビーム発
生手段を記録媒体の透明基板側に配置することが好まし
い。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態について説明する。

【００３２】（第１の実施形態）本実施形態では、主と
して、本発明の第１の光学的情報記録媒体について説明
する。本発明者は、基板上に形成する多層膜の様々な層
構成を検討した結果、クロスイレースには、記録層の膜
厚、および記録層より空気側（基板とは反対側）の層の
熱伝導率の関係が大きく影響を及ぼすことを見い出し
て、この形態の媒体を完成させた。

【００３３】上記光学的情報記録媒体においては、上側
保護層の膜厚が１０ｎｍ以上であることが好ましい。上
側保護層が薄すぎると、記録層と中間層との間の距離が
短くなりすぎ、中間層自体が有する熱の影響により、結
果的に記録層から中間層への熱伝導が抑制されるからで
ある。また、上側保護層の膜厚は２００ｎｍ以下が好ま
しい。

【００３４】また、上記光学的情報記録媒体において
は、記録層に接するように形成された界面層をさらに含
むことが好ましい。界面層は、上側保護層と記録層との
間、下側保護層と記録層との間の少なくとも一方の界面
に形成される。界面層としては、Ｇｅを含有する層であ
ることが好ましい。上側保護層および／または下側保護
層と、記録層との間の原子の相互拡散を抑制できるから
である。界面層は、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、ＴｉおよびＡｌ
から選ばれる少なくとも一つを含むことが好ましい。

【００３５】また、上記光学的情報記録媒体において
は、記録層がＧｅ、ＳｂおよびＴｅを含むことが好まし
い。記録層において消去と記録とを同時に行う場合の材
料として好適だからである。記録層は、Ｇｅ、Ｓｂおよ
びＴｅを主成分とし、さらに６．０原子％以下のＮを含
むことがさらに好ましい。繰り返し特性の改善に有効だ
からである。

【００３６】また、上記光学的情報記録媒体において
は、上側保護層および／または下側保護層が、ＺｎＳを
６０〜１００モル％、ＳｉＯ₂を４０〜０モル％含有す
ることが好ましい。このような保護層は、耐熱性に優
れ、適当な熱伝導率を有し、さらに媒体の光学特性の調
整に適当な屈折率を備えているからである。

【００３７】また、上記光学的情報記録媒体において
は、反射層がＡｕ、Ａｇ、ＣｕおよびＡｌから選ばれる
少なくとも１つを含むことが好ましい。これら金属を含
む合金を用いてもよい。

【００３８】また、上記光学的情報記録媒体において
は、中間層が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｏｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、ＳｂおよびＢｉから選ばれる少
なくとも１つの元素を含むことが好ましい。さらに具体
的には、上記元素から選ばれる少なくとも１つを含む酸
化物、窒化物、炭化物、硫化物、フッ化物、セレン化物
およびテルル化物から選ばれる少なくとも１つの化合物
からなることが好ましい。中間層は、その熱伝導率が上
側保護層の熱伝導率と反射層の熱伝導率の間の値を有す
るような材料から構成される。

【００３９】また、中間層は、例えばＧｅ−Ｃｒ、Ｓｉ
−Ｗのような、上記元素の元素間化合物からなることが
好ましい。なお、本明細書では、２以上の元素からなる
化合物を元素間化合物という。

【００４０】また、上記光学的情報記録媒体において
は、光ビームが記録媒体に反射される比率である反射率
および記録層に吸収される比率である吸収率を、それぞ
れ記録層が結晶相である場合にはＲcryおよびＡcry、記
録層がアモルファス相である場合にはＲamoおよびＡamo
として、反射率差（Ｒcry−Ｒamo）が５％以上（％表示
で５ポイント以上）であり、かつ、吸収率比（Ａcry／
Ａamo）が１．０以上であることが好ましい。

【００４１】また、この光学的情報記録媒体の製造方法
では、記録層を２００ｎｍ／分以下の速度で成膜するこ
とが好ましい。記録層の膜厚精度を確保するためであ
る。

【００４２】また、記録層を、不活性ガスと窒素ガスと
を含み、記録層に窒素原子が６．０原子％以下含有され
るように上記窒素ガスの含有量を調整した雰囲気中にお
いて成膜することが好ましい。

【００４３】この光学的情報記録媒体の記録再生方法で
は、記録パルス列の少なくとも一部を、パルス幅および
各パルス間の間隔が略同一となるように生成させること
が好ましい。

【００４４】また、上記光学的情報記録媒体の記録再生
方法においては、記録パルス列の最後のパルスの直後に
パワーレベルＰ₄（ただし、Ｐ₂＞Ｐ₄≧０）の冷却区間
を設けることが好ましい。

【００４５】以下、本実施形態を図面を参照しながら具
体的に説明する。図１および図２は、それぞれ、本実施
形態の光ディスクの部分断面図および部分斜視図であ
る。図１に示したように、この光ディスクには、透明な
ディスク基板１上に、下側保護層２、記録層３、上側保
護層４、中間層５、反射層６が順次積層され、さらにオ
ーバーコート層７が設けられて構成されている。また、
図２に示したように、基板１には深さＤのグルーブ８が
形成されているため、上記各層からなる積層膜１０の表
面にも互いに平行な凹部および凸部がそれぞれグルーブ
８およびランド９として形成されている。記録層３に
は、基板１側から光ビームとしてレーザー光が照射さ
れ、記録マーク１１が形成される。図２に示したよう
に、高密度記録のためにはグルーブ８およびランド９の
両方に記録マークを形成することが好ましい（ランド＆
グルーブ記録）。

【００４６】基板１としては、ポリカーボネイト樹脂、
ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、
アートン樹脂、ガラス等の透明材料を用いることができ
る。なお、基板１の厚さは、特に限定されないが、０．
１ｍｍ〜２．０ｍｍが好ましい。

【００４７】下側保護層２および上側保護層４は、レー
ザー光照射時の基板１または記録層３の熱的損傷による
ノイズ増加の抑制、およびレーザー光に対する反射率、
吸収率および反射光の位相調整等のために形成される。
保護層２，４としては、例えば、Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｌ
ａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａｌ、
Ｓｉ、Ｔｅ等の酸化物、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の窒化物、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂ、Ａ
ｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ等の炭化物、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、
Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ等の硫化
物、セレン化物もしくはテルル化物、Ｍｇ、Ｃａ等のフ
ッ化物、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ等の単体、またはこれらの混合
物からなる誘電体材料を用いることができる。

【００４８】上側保護層４の膜厚は、１０ｎｍ以上２０
０ｎｍ以下が好ましい。上側保護層４が薄すぎると、上
記のように中間層５自体が有する熱の影響により記録層
３から中間層５への熱の逃げが悪くなる。このように層
の厚さ方向への熱伝導が低下すると記録層３の面内での
熱拡散が大きくなるためにクロスイレースが増大するお
それがある。上側保護層４を１０ｎｍ以上とすると、例
えばトラックピッチ（隣接する一対のランドおよびグル
ーブの幅の平均(グルーブピッチの１／２)、グルーブの
みに記録する場合にはグルーブピッチに同じ）が０．６
μｍであってもクロスイレースが許容範囲に収まるよう
になる。上側保護層４は厚くするほど、クロスイレース
を小さくすることができる。しかし、光学特性は膜厚λ
／２ｎ（λはレーザー光の波長、ｎは上側保護層４の屈
折率）の周期で繰り返すため、媒体の光学特性を所望の
特性とするために膜厚を必要以上に厚くすることは工業
的に不利である。従って、波長λおよび屈折率ｎにもよ
るが、膜厚は２００ｎｍ以下が好ましい。以上に説明し
た理由から、上側保護層４の膜厚は、１０ｎｍ以上２０
０ｎｍ以下、特に２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるこ
とが好ましい。

【００４９】一方、下側保護層２の膜厚は、特に限定さ
れないが、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。下
側保護層の膜厚を１０ｎｍ未満とすると、基板が熱変形
するおそれがある。下側保護層を２００ｎｍ以下とする
ことが好ましい理由は、上側保護層を２００ｎｍ以下と
することが好ましい上記の理由と同様である。

【００５０】記録層３としては、ＴｅやＳｅをベース材
料とするカルコゲナイド、例えばＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇ
ｅ−Ｔｅ、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−
Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ−Ａｕ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃ
ｒ、Ｉｎ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｃｏ等を主成分とする合
金を用いることができる。また、これらの合金に酸素、
窒素等を添加した材料を用いてもよい。

【００５１】記録層３の膜厚は、４ｎｍ以上１６ｎｍ以
下が適当である。従来、クロスイレースがさほど問題に
ならない程度にトラックピッチが大きい場合には、光学
的コントラストを大きくとるためには２０ｎｍ以上の膜
厚が有利であった。しかし、このように記録層が厚いと
記録層の面内方向への熱伝導が大きいために、トラック
ピッチが短くなるにつれて（例えば０．６μｍ以下）、
クロスイレースが顕著となる。クロスイレースを低減す
るためには、記録層は薄いほうが有利である。記録層を
薄くすることにより、層の面内方向への熱伝導を低減す
ることができる。例えば記録層の膜厚を１６ｎｍ以下と
すると、トラックピッチが０．６μｍであっても、クロ
スイレースは許容範囲に収まるようになる。ただし、記
録層の膜厚を４ｎｍ未満とすると、光学的コントラスト
が確保できなくなるばかりか、繰り返し記録による膜厚
変動の影響が大きくなってトラッキング等が不安定にな
るために却ってクロスイレースが大きくなる。従って、
記録層の膜厚は、４ｎｍ以上１６ｎｍ以下、さらには６
ｎｍ以上１４ｎｍ以下が好ましい。

【００５２】中間層５としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、
Ｒｕ、Ｏｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ
ｎ、Ｐｂ、ＳｂおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つ
の元素（特に、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｏｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、ＳｂおよびＢｉから選ばれる少
なくとも１つの元素）を含む材料、あるいはこれら元素
の酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、フッ化物、セレン
化物、テルル化物および元素間化合物から選ばれる少な
くとも１つの化合物を含む材料であることが好ましく、
さらに具体的には、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｇｅ−Ｃｒ、Ｇｅ−Ｍｏ、Ｇｅ−Ｗ、Ｓｉ−
Ｃｒ、Ｓｉ−Ｍｏ、Ｓｉ−Ｗ等を用いることができる。

【００５３】中間層５の膜厚としては、特に限定されな
いが、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましい。

【００５４】反射層６は、レーザー光に対する反射率、
吸収率および反射光の位相の調整、記録薄膜の熱負荷軽
減等の目的で形成される。反射層としては、上記のよう
に、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の比較的熱伝導率の高い
金属材料、またはこれらをベースとした合金材料を用い
ることができる。

【００５５】反射層６の膜厚としては、特に限定されな
いが、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。

【００５６】各層に用いる材料としては、上記に例示し
た材料から個別に適したものを選択すればよいが、反射
層６、中間層５および上側保護層４については、この順
に熱伝導率が大きくなるように選択する。このように熱
伝導率を設定することにより、記録層３から多層膜の膜
厚方向への熱伝導が加速される。従って、記録層３の面
内方向への熱伝導が相対的に抑制され、隣接トラックに
影響が及びにくくなる。

【００５７】上記光学的情報記録媒体には、図３に示し
たように界面層１２を設けることができる。界面層１２
は、図３に示すように記録層３の両側に設けてもよい
が、いずれか一方にのみ設けることとしても構わない。
界面層１２を設けると、保護層２、４と記録層３との間
の原子拡散が抑制されるために、記録媒体の繰り返し特
性を向上させることができる。界面層１２としては、保
護層２、４に用いる材料に対して拡散防止効果を有する
ものを用いることができるが、Ｇｅを含有する材料が好
ましく、Ｇｅの窒化物を主成分とする材料が特に優れて
いる。

【００５８】界面層１２の膜厚としては、特に限定され
ないが、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましい。

【００５９】上記各層２〜６、１２は、例えば真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶ
Ｄ（Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecul
ar Beam Epitaxy）法等の気相薄膜堆積法によって形成
することができる。ただし、成膜レート、製造コスト、
得られる膜の品質等の観点からは、スパッタリング法が
最もバランスに優れている。各層は、一般には、高真空
状態のチャンバー内に不活性ガスを流しながら成膜され
るが、不活性ガスに酸素、窒素等を混入させながら成膜
してもよい。これにより、膜中にＯ原子、Ｎ原子等が混
入し、膜の特性を調整することができる。特に記録層３
においては、これらの原子の混入（例えば６．０原子％
以下の窒素原子の混入）が、媒体の繰り返し特性向上や
クロスイレース低減に有効となる場合がある。

【００６０】また、上記光学的情報記録媒体は、枚葉式
成膜装置により、各層２〜６、１２をそれぞれ別のチャ
ンバー内で並行して順次成膜していくことが工業的には
有利である。このような成膜法を採用する場合、上記記
録層は、相対的に遅い速度で成膜しても全体の成膜の能
率に影響を及ぼさない。上記記録層３の膜厚は好ましく
は４ｎｍ以上１６ｎｍ以下であって、例えば下側保護層
２の通常膜厚（１００ｎｍ以上）の１桁程度薄いからで
ある。記録層３の膜厚を正確に制御することは、上記の
ようにクロスイレース低減等のためにも重要であるか
ら、記録層の成膜時間は最低５秒程度確保することが好
ましい。従って、記録層の成膜速度は２００ｎｍ／分以
下が好ましい。

【００６１】このようにして形成された各層の上には、
図１に示したように、さらにオーバーコート層７を設け
てもよい。この層７は、紫外線硬化性樹脂を塗布するこ
とにより形成することが好ましい。

【００６２】もっとも、本発明の光学的情報記録媒体
は、図１に示したような単板の片面ディスクに限られ
ず、紫外線硬化性樹脂および／またはホットメルトタイ
プの接着剤により、上記と同様に記録層を含む多層膜を
形成した基板と膜面同士が対向するように貼り合わせて
両面ディスクとしてもよい。この場合は、各々が情報層
となる多層膜同士が直接接触しないように、分離層を介
して、基板を貼り合わせることが好ましい。また、上記
接着剤により、多層膜を形成した面をダミー基板と貼り
合わせて片面ディスクとしても構わない。

【００６３】図４は、光学的情報記録媒体の記録・再生
を行うための装置の例の概略を示す図である。入力され
た信号に応じて半導体レーザー１３から出射されたレー
ザー光１０は、コリメートレンズ１４により集光されて
平行光線となり、ビームスプリッター１５、１／４波長
板１６、対物レンズ１７を順次通過して、光ディスク１
８上に照射される。レーザー光１０は、ボイスコイル１
９を上下に動かすことによってフォーカシングされる。
光ディスク１８は、ターンテーブル２０上に固定されて
いる。モーター２１によって所定速度で回転する光ディ
スク１８にレーザー光が照射されることにより、情報信
号の記録・再生が行われる。

【００６４】図５は、情報信号の記録を行う際のレーザ
ー光のパルス波形の例である。図５に示したように、レ
ーザー光の強度は、Ｐ₁、Ｐ₂、Ｐ₃およびＰ₄の間で変調
される。ここで、Ｐ₁は、照射部を瞬時溶融させること
ができ、好ましくは図５に示したように当該パワーレベ
ル以下で強度を変調しつつ照射した場合においても照射
部を瞬時溶融させることができるパワーレベルである。
また、Ｐ₂およびＰ₃は、照射部を瞬時溶融させることが
できず、好ましくは無変調で照射した場合であっても照
射部を瞬時溶融させることができないパワーレベルであ
る。また、Ｐ₄は、最後の記録パルス列の直後に記録層
を冷却するためのパワーレベルである。図５には、Ｐ₁
＞Ｐ₂≧Ｐ₃≧Ｐ₄≧０となるように各パワーレベルを設
定した場合の例が示されている。なお、レーザービーム
の強度を上記のように変調するには、半導体レーザーの
駆動電流を変調して行えばよいが、電気光学変調器、音
響光学変調器などの手段を用いてもよい。

【００６５】ただし、すべての記録マークを図５に示し
たような記録パルス列により形成する必要はなく、マー
ク長が短いパルス列については、パワーレベルＰ₁の単
一矩形パルスにより形成してもよい。しかし、長いマー
クを形成する場合には、繰り返し特性向上およびクロス
イレース低減のために、上記のようなパワーレベルＰ ₁
をパワーピークとして含むパルス列により形成すること
により、過剰な熱を抑制することが好ましい。

【００６６】Ｐ₂は、図５に示したように光ビームをそ
の強度に保持して照射しても記録マークを形成できない
パワーレベルである。このパワーレベルは、記録マーク
を形成できないが記録マークを消去できるパワーレベル
としてもよい。この場合、パワーレベルＰ₂の光ビーム
が照射されている部分では、記録マークが消去される。

【００６７】例えば、相変化型光ディスクにおいて、記
録状態をアモルファス状態、消去状態を結晶状態に対応
させて使用する場合、Ｐ₁を、記録層を結晶状態からア
モルファス状態へと可逆的に変化させうるパワーレベ
ル、Ｐ₂を、記録層をアモルファス状態から結晶状態へ
と可逆的に変化させうるパワーレベルとして設定しても
よい。

【００６８】図５に示した記録パルス列の直後には、パ
ワーレベルＰ₄による冷却区間が設けられている。この
ように冷却のためのパワーレベルを設けると、特に熱過
剰になり易いマーク後端部分の熱を除去できてクロスイ
レース抑制に効果がある。

【００６９】また、図５に示した記録パルス列のよう
に、最初および最後のパルスを除いてパルス幅および各
パルス間の長さを一定とすると、単一周波数で変調でき
るために変調手段を簡略化することができる。

【００７０】なお、記録マークの長さやその前後のスペ
ースの長さ、さらには隣のマークの長さ等の各パターン
によってマークエッジ位置に不揃いが生じ、ジッタ増大
の原因となることがある。上記光学的情報記録媒体の記
録再生方法では、これを防止し、ジッタを改善するため
に、上記パルス列のパルス位置またはパルスの長さをパ
ターン毎にエッジ位置が揃うように必要に応じて調整・
補償することが好ましい。

【００７１】こうして記録された情報信号を再生する場
合には、記録層３が相変化しない程度のパワーレベルＰ
₀のレーザー光（不変調光）を光ディスクに照射し、そ
の反射光を検出器２２に入射させ、その反射光量変化が
再生信号２３として検出される。

【００７２】以上に説明したようなレーザー光のパワー
レベルの変更は、レーザーダイオードの駆動電流を制御
することにより行うことができる。また、電気光学変調
器または音響光学変調器等を光ビーム強度変調手段とし
て用いてもよい。

【００７３】（第２の実施形態）本実施形態では、主と
して、本発明の第２および第３の光学的情報記録媒体に
ついて説明する。

【００７４】上記光学的情報記録媒体においては、下側
保護層と記録層との間、および記録層と上側保護層との
間の少なくとも一方の界面に、さらに界面層を備えてい
ることが好ましい。この好ましい例によれば、消去特性
を向上させることができる。界面層は、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｃ
ｒ、ＴｉおよびＡｌから選ばれる少なくとも一つを含む
ことが好ましい。

【００７５】また、上記光学的情報記録媒体において
は、記録層の膜厚が４ｎｍ以上１６ｎｍ以下であること
が好ましい。記録層が薄すぎると光学的コントラストや
信号振幅が小さくなってしまい、厚すぎると記録層の内
面方向の熱拡散が大きくなって、マーク間の熱干渉が大
きくなるからである。

【００７６】また、上記光学的情報記録媒体において
は、上側保護層の膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が
好ましい。上側保護層が薄すぎると光吸収層の光吸収に
よる発熱が記録層に影響を及ぼし、マーク間の熱干渉が
大きくなってしまい、厚すぎると反射層による冷却効果
が小さくなってしまい、マークの前後端がアンバランス
になってしまうからである。特に限定されないが、本実
施形態においても、下側保護層の膜厚は、１０ｎｍ以上
２００ｎｍ以下が好ましい。

【００７７】また、上記光学的情報記録媒体において
は、記録層がＧｅ、ＳｂおよびＴｅを含むことが好まし
く、さらに、Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅを主成分とし、さら
に６．０原子％のＮを含むことが好ましい。

【００７８】また、上記光学的情報記録媒体において
は、上側保護層および／または下側保護層が、６０〜１
００モル％のＺｎＳおよび４０〜０モル％のＳｉＯ₂を
含有することが好ましい。

【００７９】また、上記光学的情報記録媒体において
は、反射層がＡｕ、ＡｇおよびＣｕか選ばれる少なくと
も１つを含むことが好ましい。

【００８０】また、上記光学的情報記録媒体において
は、光吸収層が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ａ
ｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂお
よびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素（特に、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍ
ｎ、Ｏｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、
Ｐｂ、ＳｂおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元
素）を含むことが好ましい。さらに具体的には、上記元
素から選ばれる少なくとも１つを含む酸化物、窒化物、
炭化物、硫化物、フッ化物、セレン化物およびテルル化
物から選ばれる少なくとも１つの化合物からなることが
好ましく、上記元素から選ばれる少なくとも２つからな
る元素間化合物であることが好ましい。

【００８１】また、上記光学的情報記録媒体において
は、光ビームが記録媒体に反射される比率である反射率
および記録層に吸収される比率である吸収率を、それぞ
れ記録層が結晶相である場合にはＲcryおよびＡcry、記
録層がアモルファス相である場合にはＲamoおよびＡamo
として、反射率差（Ｒcry−Ｒamo）が５％以上（％表示
で５ポイント以上）であり、かつ、吸収率比（Ａcry／
Ａamo）が１．０以上であることが好ましい。この好ま
しい例によれば、オーバーライト時のマークエッジ位置
の不揃いを解消することができる。

【００８２】また、上記光学的情報記録媒体の製造方法
では、記録層を２００ｎｍ／分以下の速度で成膜するこ
とが好ましい。記録層の膜厚精度を確保するためであ
る。

【００８３】また、記録層を、不活性ガスと窒素ガスと
を含み、記録層に窒素原子が６．０原子％以下含有され
るように上記窒素ガスの含有量を調整した雰囲気中にお
いて成膜することが好ましい。

【００８４】この光学的情報記録媒体の記録再生方法で
は、記録パルス列の少なくとも一部を、パルス幅および
各パルス間の間隔が略同一となるように生成させること
が好ましい。

【００８５】また、上記光学的情報記録媒体の記録再生
方法においては、記録パルス列の最後のパルスの直後に
パワーレベルＰ₄（ただし、Ｐ₂＞Ｐ₄≧０）の冷却区間
を設けることが好ましい。この好ましい例によれば、特
に熱過剰になり易いマーク後端部分の熱を除去すること
ができて効果的である。

【００８６】以下、本実施形態を図面を参照しながら具
体的に説明する。図６は本実施形態の光学的情報記録媒
体を示す部分断面図であり、図７は本実施形態の光学的
情報記録媒体の他の例の部分断面図である。

【００８７】図６に示すように、基板３１上には、下側
保護層３２、記録層３３、上側保護層３４、光吸収層３
５、反射層３６が順次積層されており、反射層３６の上
にはさらにオーバーコート層３７が設けられている。こ
のディスクには、基板３１側からレーザービーム３８が
照射され、これによりディスクの記録・再生が行われ
る。

【００８８】基板３１、下側保護層３２、記録層３３お
よび上側保護層３４の材料としては、第１の実施形態で
説明した材料を適用できる。

【００８９】光吸収層３５は、レーザービーム３８に対
する反射率、吸収率および反射光の位相の調整等を目的
として形成される。この層を構成する材料としては、例
えばＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、ＳｂおよびＢｉから
選ばれる少なくとも一つを含む材料、あるいはこれらの
元素の酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、フッ化物、セ
レン化物、テルル化物および元素間化合物から選ばれる
少なくとも１つの化合物を含む材料が好ましい。さらに
具体的には、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｇｅ
−Ｃｒ、Ｇｅ−Ｍｏ、Ｇｅ−Ｗ、Ｓｉ−Ｃｒ、Ｓｉ−Ｍ
ｏ、Ｓｉ−Ｗ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｓｎ−Ｔｅ、Ｐｂ−Ｔｅ、
Ｓｂ−Ｔｅ、Ｂｉ−Ｔｅ等を用いることができる。

【００９０】なお、上記化合物材料は、化学量論組成近
傍のものを用いてもよいし、必要に応じて化学量論組成
からずれた組成のものを用いてもよい。なお、この点
は、第１の実施形態における中間層等においても同様で
ある。

【００９１】反射層３６は、レーザービーム３８に対す
る反射率、吸収率および反射光の位相の調整、記録薄膜
の熱負荷軽減等を目的として形成される。反射層の材料
としては、例えばＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の比較的熱
伝導率の高い金属材料、なかでも波長６００ｎｍ台での
屈折率が０．５より小さいＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、またはこ
れらをベースとした合金材料が好ましい。なかでも、Ａ
ｇ合金は、熱伝導率および光学定数の面で優れており、
同等の特性を有するＡｕなどに比べて安価である。特
に、Ａｇに、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｔｉなどの元素を１０原子％
以内の範囲で添加した材料は腐食しにくく、耐環境性、
信頼性の観点からも好ましい。

【００９２】また、上記光学的情報記録媒体において
は、図７に示すように、下側保護層３２と記録層３３と
の間、および／または記録層３３と上側保護層３４との
間に、記録層３３の結晶化の促進を目的として、界面層
３９を設けることが好ましい。界面層３９としては、下
側保護層３２および上側保護層３４として用いることの
できる材料中にその役割を果たす誘電体材料が幾つか存
在し、これらを用いることもできるが、特にＧｅの窒化
物を主成分とする材料が最も優れている。また、このよ
うな界面層３９を設けることにより、消去特性を向上さ
せることができる。

【００９３】下側保護層３２、記録層３３、上側保護層
３４、光吸収層３５、反射層３６および界面層３９は、
第１の実施形態と同じ方法により成膜できる。

【００９４】また、上記光学的情報記録媒体は、図６に
示すように、紫外線硬化性樹脂によってオーバーコート
することにより、単板の片面ディスクとして用いること
ができる。また、第１の実施形態で説明したように、両
面ディスクとして用いることもできる。さらには、その
膜面をダミー基板と対向させて貼り合わせることによ
り、片面ディスクとして使用することもできる。

【００９５】本実施形態の光学的情報記録媒体は、光吸
収層３５（屈折率ｎ₁、消衰係数ｋ₁、膜厚ｄ₁）および
反射層３６（屈折率ｎ₂、消衰係数ｋ₂、膜厚ｄ₂）の材
料および膜厚の組み合わせに特徴を有する。以下、各層
の役割および効果について説明する。

【００９６】光学的には、光吸収層３５の屈折率ｎ₁を
反射層３６の屈折率ｎ₂よりも適度に大きくすることに
より、上記Ａcry／ＡamoとΔＲを共に大きくすることが
できる。その屈折率の差Δｎ＝ｎ₁−ｎ₂は２以上６以下
が好ましく、３以上５以下がより好ましい。

【００９７】上記範囲は、以下の光学計算によって裏付
けられる。すなわち、多層膜の各層の材料の屈折率、消
衰係数および膜厚を決め、全ての界面に対して、エネル
ギー保存則に基づいて各界面における光エネルギー収支
の連立方程式を立て、これを解くことにより、多層膜全
体の反射率・透過率および各層の吸収率を求めることが
できる。この手法自体は、例えばマトリックス法として
公知である（例えば久保田広等「波動光学」岩波書店、
１９７１年等）。ここでは、光ビーム（波長６６０ｎ
ｍ）の入射側から順に配置された基板３１／下側保護層
３２（任意の膜厚）／記録層３３（１０ｎｍ）／上側保
護層３４（任意の膜厚）／光吸収層３５（膜厚ｄ₁）／
反射層３６（８０ｎｍ）の多層構造媒体について、Ａcr
y／ＡamoおよびΔＲの値を計算した。

【００９８】その際、各層の屈折率ｎおよび消衰係数ｋ
を、基板３１がｎ＝１．６、ｋ＝０．０、下側保護層３
２がｎ＝２．１、ｋ＝０．０、記録層３３が非晶質状態
でｎ＝４．１、ｋ＝１．６、結晶状態でｎ＝３．９、ｋ
＝４．２、上側保護層３４がｎ＝２．１、ｋ＝０．０、
光吸収層３５がｎ＝ｎ₁、ｋ＝ｋ₁、反射層３６がｎ＝ｎ
₂、ｋ＝ｋ₂として計算した。

【００９９】様々なｎ₁とｎ₂の組み合わせについて、ｋ
₁、ｋ₂、ｄ₁を任意に変化させ、Ａcry／Ａamo≧１．０
の範囲でのΔＲの最大値を求めた。結果を（表１）に示
す。下記（表１）中、「Ａ」および「Ｂ」は、実用的な
記録媒体として十分な特性が期待できるもの、「Ｃ」は
十分とは言えないが、密度・線速度・記録再生方式等の
仕様によっては実用的記録媒体として使用できる可能性
のあるもの、「Ｄ」は実用に適さないものを示してい
る。なお、さらに具体的には、「Ａ」は、Ａcry／Ａamo
≧１．０の条件を満たすΔＲの最大値が１５％以上とな
る構成が存在する場合を示し、「Ｂ」は、同条件を満た
すΔＲの最大値が１０％以上１５％未満となる構成が存
在する場合を示し、「Ｃ」は、同条件を満たすΔＲの最
大値が５％以上１０％未満となる構成が存在する場合を
示し、「Ｄ」は、同条件を満たすΔＲの最大値が５％以
上となる構成が存在しない場合を示す。

【０１００】 （表１） ―――――――――――――――――――――――――― ｎ₂＼ｎ₁ １ ２ ３ ４ ５ ６ ―――――――――――――――――――――――――― １ Ｄ Ｄ Ｂ Ａ Ａ Ａ ２ Ｄ Ｄ Ｄ Ｂ Ａ Ａ ３ Ｄ Ｄ Ｄ Ｃ Ａ Ａ ４ Ｄ Ｄ Ｄ Ｄ Ｃ Ｂ ５ Ｄ Ｄ Ｄ Ｄ Ｄ Ｃ ――――――――――――――――――――――――――

【０１０１】（表１）の結果からも、Δｎ＝ｎ₁−ｎ₂は
２以上が好ましく、３以上がより好ましいことがわか
る。

【０１０２】また、光吸収層３５の膜厚が薄すぎると、
光吸収層３５の光学的効果が小さくなり、光吸収層３５
の膜厚が厚すぎると、反射層３６の光学的効果が小さく
なる。このため、光吸収層３５の膜厚は、入射光を適度
に透過・吸収するような膜厚にする必要がある。光吸収
層３５の膜厚ｄ₁は、後述する実施例などの実験結果か
ら、入射光の波長をλとして、０．１λ／（ｎ₁・ｋ₁）
≦ｄ₁≦１．０λ／（ｎ₁・ｋ₁）の範囲が好ましく、
０．２λ／（ｎ₁・ｋ₁）≦ｄ₁≦０．８λ／（ｎ₁・
ｋ₁）の範囲がより好ましいことが確認された。

【０１０３】十分な冷却能を得るために、反射層３６と
して熱伝導率の大きい材料を用いており、マーク幅を均
一にしてジッタを低減している。この反射層の熱伝導率
としては、例えば３００Ｋ近傍の温度条件で５０Ｗ／ｍ
・Ｋ以上であることが好ましく、１００Ｗ／ｍ・Ｋ以
上、さらには１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上がより好ましい。さ
らに十分な冷却効果を得るためには、反射層３６の膜厚
ｄ₂は、後述する実施例などの実験結果から、光吸収層
３５の膜厚ｄ₁以上であることが好ましく、ｄ₁の１．５
倍以上、さらには２倍以上がより好ましいことが確認さ
れた。

【０１０４】本実施形態の光学情報記録媒体の製造方
法、記録再生方法、記録再生装置は、第１の実施形態と
同様とすればよい。

【０１０５】なお、上記では、記録層の膜厚を１０ｎｍ
に設定したが、記録層の膜厚は必ずしもこの膜厚に限定
されるものではない。

【０１０６】（第３の実施形態）本実施形態では、記録
層を含む多層膜が２以上形成された光学的情報記録媒体
について説明する。ここでは、各々が記録層を含む多層
膜（情報層）が分離層を介して２層配置された形態につ
いて説明する。

【０１０７】図８に示したように、本実施形態の光学的
情報記録媒体では、透明基板４１上に、第１情報層４
２、分離層４３、第２情報層４４および保護層４５がこ
の順に形成されている。第１情報層４２および第２情報
層４３には、それぞれ記録層が含まれている。これらの
記録層には、透明基板側から照射されるレーザ光によ
り、情報が記録、再生される。

【０１０８】本実施形態の第２情報層４４には、上記実
施形態で説明した多層膜が適用される。また、第１情報
層４２には、少なくとも、記録層と、この記録層の両側
に配置された下側保護層および上側保護層とを含む多層
膜を用いることが好ましい。これらの多層膜に含まれる
各層および透明基板は、上記実施形態で説明した材料を
用いて形成することができる。なお、第１情報層は、予
め透明基板の表面上に凹凸パターンとして蓄積された情
報を再生の対象とする、再生専用層であってもよい。

【０１０９】また、第２情報層４４で情報の記録再生を
行うため、第１情報層４２は照射されるレーザ光の少な
くとも３０％を透過させることが好ましい。

【０１１０】分離層４３としては、レーザ光の波長λに
おいて透明であり、耐熱性および接着性に優れた材料で
あることが好ましく、具体的には、接着樹脂（例えば紫
外線硬化性樹脂）、両面テープ、各種誘電体膜等を用い
ることができる。分離層４３の膜厚は、第１情報層４２
および第２情報層４４のいずれか一方に情報の記録再生
を行う際に、他方の情報層の情報が漏れ込まないよう
に、２μｍ以上とすることが好ましい。一方、分離層４
３の膜厚は、第１情報層４２と第２情報層４４のいずれ
にもレーザ光をフォーカシングするべく基板厚との合計
が基板厚公差範囲となるように、１００μｍ以下とする
ことが好ましい。

【０１１１】保護層４５は、第２の情報層４４を形成す
るための基板（保護基板）として利用してもよい。この
場合は、第１の情報層４２を形成した透明基板４１と、
第２の情報層４４を形成した保護基板とを、分離層４３
を介して貼り合わせて光ディスクが製造される。保護基
板の材料としては、透明基板４１と同様の材料を用いる
ことができるが、必ずしも透明である必要はなく、その
他の材料を用いてもよい。また、基板表面の形状も、透
明基板表面の形状と同じである必要はなく、例えば、グ
ルーブおよびランドを形成する案内溝の形状が異なって
いてもよく、案内溝のスパイラル方向が逆であってもよ
い。さらに、分離層の第２情報層側の表面に、例えば２
Ｐ法（photo-polymerization法）により案内溝を設けて
おけば、保護基板の表面は平面であっても構わない。ま
た、保護層４５は、透明基板上に形成した第２情報層４
４上に形成した層であってもよい。このような保護層
は、例えば樹脂のスピンコートや接着剤による樹脂板の
貼付により形成できる。

【０１１２】本実施形態の製造方法の一例について説明
する。それぞれに案内溝を形成した透明基板および保護
基板の表面に、上記で説明したスパッタリング法などに
より、各々、第１情報層および第２情報層を形成する。
次いで、第１情報層または第２情報層の表面上に、紫外
線硬化性樹脂を塗布して分離層とする。さらに、この分
離層を介して第１情報層と第２情報層とが対向するよう
に、透明基板と保護基板とを向かい合わせて加圧し、紫
外線を照射して分離層を硬化させる。

【０１１３】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明するが、以下の実施例は本発明を限定するものでは
ない。

【０１１４】（実施例１）基板としては、厚さ０．６ｍ
ｍのポリカーボネイト樹脂を用いた。この基板上には、
ともに幅を０．６μｍとしたランドおよびグルーブを形
成した。グルーブの深さは約７０ｎｍとした。

【０１１５】この基板上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂（分子数
比ＺｎＳ：ＳｉＯ₂＝８０：２０）ターゲットを用いて
約１２００ｎｍの下側保護層、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ（原子
数比Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝２２：２５：５３）ターゲット
を用いて様々な膜厚の記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂（分子
数比ＺｎＳ：ＳｉＯ₂＝８０：２０）ターゲットを用い
て様々な膜厚の上側保護層、様々な材料のターゲットを
用いて約４０ｎｍの中間層、様々な材料のターゲットを
用いて約４０ｎｍの反射層を、いずれもスパッタリング
法により順次積層した。いずれの層も直径１０ｃｍ、厚
さ６ｍｍのスパッタリングターゲットを用い、記録層以
外はＡｒガス中で、記録層はＡｒとＮ₂の混合ガス（全
圧２ｍＴｏｒｒ、Ｎ₂ガス分圧は約５％）中で成膜し
た。

【０１１６】こうして得られた光ディスクに紫外線硬化
性樹脂でオーバーコートを施した後、レーザー光でアニ
ールすることにより全面を初期結晶化し、No.1〜No.21
の光ディスクとした。これらはクロスイレースの材料お
よび膜厚構成に対する依存性を調べるために意図的に記
録層、上側保護層の膜厚および中間層と反射層の材料を
変えて作製したものである。

【０１１７】表２に各光ディスクの記録層・上側保護層
の膜厚、および中間層・反射層の材料を示す。

【０１１８】これらの光ディスクを波長６６０ｎｍ、Ｎ
Ａ０．６の光学系を用い、線速６．０ｍ／ｓ（半径位
置：約３２ｍｍ、回転数：約１８００ｒｐｍ）の条件で
マークエッジ記録を行い、クロスイレースを測定した。

【０１１９】具体的には、まず、グルーブに９．７ＭＨ
ｚの３Ｔ信号を記録し、このトラックを再生して３Ｔ信
号振幅Ａ₀をスペクトラムアナライザーで測定する。次
に、そのグルーブの両隣のランドに２．６ＭＨｚの１１
Ｔ信号を記録し、再びグルーブを再生して３Ｔ信号振幅
Ａ₁をスペクトラムアナライザーで測定する。こうして
測定した３Ｔ信号振幅の低下量ΔＡ＝Ａ₁−Ａ₀をクロス
イレース評価の指標とする。これと同じことをランドと
グルーブとを逆にして行い、同様に３Ｔ信号振幅低下量
ΔＡ’を測定する。

【０１２０】表２には各ディスクのΔＡの値による優劣
を記載する。ただし、上記測定の結果、いずれのサンプ
ルにおいても測定トラックをグルーブとした場合が３Ｔ
信号振幅の低下量が大きくなったので（ΔＡ＞Δ
Ａ’）、その場合の結果（ΔＡ）のみで判定した。ΔＡ
の値が１ｄＢ未満のものは「Ａ」、１ｄＢ以上２ｄＢ未
満のものは「Ｂ」、２ｄＢ以上５ｄＢ未満のものは
「Ｃ」、５ｄＢ以上のものは「Ｄ」で示した。

【０１２１】なお、信号を記録する際のレーザー変調波
形は、３Ｔ信号の場合はパルス幅５１．３ｎｓ（パワー
レベルＰ₁）の単一矩形パルスとし、１１Ｔ信号の場合
は９個のパルスからなるパルス列（パワーレベルＰ₁）
とし、その先頭は５１．３ｎｓ、２番目以降はすべて１
７．１ｎｓのパルス幅で、各パルス間の幅も１７．１ｎ
ｓ（パワーレベルＰ₃）とし、最終のパルスの直後に３
４．２ｎｓの冷却区間（パワーレベルＰ₄）を設けた。
マークを記録しない部分ではパワーレベルＰ₂の連続光
（不変調光）とした。

【０１２２】記録パワーレベルＰ₁は、３Ｔ信号を記録
した場合にそのＣ／Ｎ比が４５ｄＢを超えるパワーの下
限値の１．５倍とし、パワーレベルＰ₂は消去比、すな
わち３Ｔ信号を記録した上に１１Ｔ信号をオーバーライ
トした際の３Ｔ信号振幅の減衰比が２５ｄＢを超えるパ
ワー範囲の中央値とし、パワーレベルＰ₃およびＰ₄は、
再生パワーレベルと同じ１ｍＷとした。

【０１２３】 （表２） ―――――――――――――――――――――――――――――― No. 記録層 上側保護層 中間層材料反射層材料 ΔＡ ―――――――――――――――――――――――――――――― １ 4nm 15nm Cr Al Ｃ ２ 8nm 15nm Cr Al Ａ ３ 12nm 15nm Cr Al Ｂ ４ 16nm 15nm Cr Al Ｃ ５ 20nm 15nm Cr Al Ｄ ６ 12nm 3nm Cr Al Ｄ ７ 12nm 6nm Cr Al Ｄ ８ 12nm 9nm Cr Al Ｃ ９ 12nm 12nm Cr Al Ｂ １０ 12nm 18nm Cr Al Ｂ １１ 12nm 21nm Cr Al Ａ １２ 12nm 15nm PbTe Al Ａ １３ 12nm 15nm WSi₂ AL Ａ １４ 12nm 15nm Ti Al Ｂ １５ 12nm 15nm Cr WSi₂ Ｄ １６ 12nm 15nm Cr Ti Ｄ １７ 12nm 15nm Al Cr Ｄ １８ 12nm 15nm Al ZnS−SiO₂ Ｄ １９ 12nm 15nm Cr ZnS−SiO₂ Ｄ ２０ 12nm 15nm なし Al Ｄ ２１ 12nm 15nm Cr なし Ｄ ――――――――――――――――――――――――――――――

【０１２４】中間層および反射層に用いた各材料の熱伝
導率は温度依存性があるが、おおよその値の範囲は以下
のように特定できる。熱伝導率の大きい順に、Ａｌ（３
０〜６００℃における熱伝導率は、約１５０〜２５０Ｗ
／ｍ・ｋ）、Ｃｒ（５０〜１００Ｗ／ｍ・ｋ）、Ｔｉ
（２０〜５０Ｗ／ｍ・ｋ）、ＷＳｉ₂（５〜２０Ｗ／ｍ
・ｋ）、ＰｂＴｅ（１．０〜３．０Ｗ／ｍ・ｋ）、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ₂（０．１〜０．５Ｗ／ｍ・ｋ）である。

【０１２５】表２より、まず記録層膜厚の異なるNo.1〜
No.5の光ディスクを比較すると、No.5ではクロスイレー
スが大きく、No.1およびNo.4ではクロスイレースがある
程度改善され、No.3およびNo.4ではクロスイレースが十
分小さかった。従って、クロスイレース低減の観点から
は、記録層の膜厚は４ｎｍ以上１６ｎｍ以下が要求さ
れ、６ｎｍ以上１４ｎｍ以下が好ましい。

【０１２６】次に、上側保護層の膜厚が異なるNo.3およ
びNo.6〜No.11の光ディスクを比較すると、上側保護層
の膜厚が厚いほどクロスイレースが小さいことがわか
る。これより上側保護層の膜厚は、クロスイレース低減
の観点からは１０ｎｍ以上、さらには２０ｎｍ以上が好
ましいことがわかる。

【０１２７】さらに、中間層および反射層の材料が異な
るNo.3およびNo.12〜No.21の光ディスクを比較する。こ
の中で、No.3以外では、No.12〜No.14がクロスイレース
が小さい。これらはいずれも反射層として、今回用いた
材料の中で最も熱伝導率の高いＡｌを用いており、中間
層は上側保護層と反射層の間の熱伝導率を有する材料で
ある。一方、その他のNo.15〜No.21はいずれもクロスイ
レースが大きい。

【０１２８】No.15〜No.19はいずれも中間層の熱伝導率
が反射層のそれよりも高く、特にNo.17はNo.3の中間層
と反射層の材料を入れ換えたものであるが、クロスイレ
ースの点では大きな差が認められた。また、No.20およ
び21は、中間層または反射層のどちらか一方を省いた構
成であるが、両者ともクロスイレースは大きい。

【０１２９】以上より、記録層上に複数の層が積層され
ている場合、記録層から近い順に熱伝導率が低い材料か
ら高い材料へと段階的に変わっていく構成を採用すれ
ば、クロスイレースを抑制できることが確認できた。こ
れは、記録層から上側保護層、中間層を経て反射層へと
熱が伝達していく過程で、その伝達速度が加速されるた
めに、記録層の面内の熱伝導が低減されて隣接トラック
への影響も抑制されるからである。

【０１３０】また、No.3として示した構成について、図
３に示したように、記録層の上下に接してＧｅ、Ｏおよ
びＮからなる約１０ｎｍの界面層を形成した光ディスク
を作製した。ＧｅＯＮ膜は、Ｇｅターゲットを用い、Ａ
ｒ、Ｎ₂およびＯ₂ガス中で反応性スパッタリングにより
成膜した。この光ディスクの繰り返し特性を調べるため
に、３Ｔおよび１１Ｔ信号を交互に１万回あるいは１０
万回記録し、１０回記録後と比べて３Ｔ信号の振幅変化
を測定した。

【０１３１】その結果、１万回記録後ではNo.3も、これ
に界面層を挿入した光ディスクも振幅低下は０．５ｄＢ
以下の誤差範囲であったが、１０万回記録後ではNo.3の
光ディスクは３ｄＢ程度振幅が低下したのに対し、これ
に界面層を挿入した光ディスクは依然として０．５ｄＢ
以下の振幅低下であった。このことから、界面層を挿入
することにより、クロスイレース低減に加え、繰り返し
記録特性のさらなる向上が可能になることが確認され
た。

【０１３２】なお、上記光ディスクの記録層の組成をオ
ージェ電子分光法により分析した結果、Ｎ原子の占める
割合は約２．２原子％であった。ここで、さらにNo.3と
同じ構成の光ディスクを、記録層成膜時のＮ₂ガス分圧
を変化させて複数成膜したところ、記録層中のＮ原子の
占める割合が、分析の結果それぞれ約０．０、０．２、
０．８、４．０、７．６原子％となった。

【０１３３】これらの光ディスクの繰り返し特性を調べ
るために、３Ｔおよび１１Ｔ信号を交互に１万回または
１０万回記録し、１０回記録後と比べての３Ｔ信号の振
幅変化を測定した。その結果、１万回記録後ではいずれ
のディスクも振幅低下は０．５ｄＢ以下の誤差範囲であ
ったが、１０万回記録後では記録層中のＮ原子の占める
割合が約０．０原子％のものだけが、約２ｄＢ低下して
いたが、約０．２原子％のものは１ｄＢ程度、その他は
０．５ｄＢ以内の誤差範囲の低下であった。また、これ
らのディスクに３Ｔ信号を記録して３Ｔ信号の振幅を測
定し、次に９０℃相対湿度８０％の環境下で１００時間
保存し、その後に３Ｔ信号振幅を測定して振幅変化を調
べたところ、記録層中のＮ原子の占める割合が７．６原
子％のディスクは５ｄＢ以上振幅が低下したが、４．０
原子％のものは２ｄＢ程度の低下で、その他はほとんど
低下しなかった。この結果より、繰り返し特性、耐湿性
の観点からは、記録層中にＮ原子の占める割合は、０．
０〜６．０原子％、さらには０．５〜４．０原子％が好
ましいことが確認された。

【０１３４】（実施例２）基板としては、ポリカーボネ
イト樹脂からなり、厚さが０．６ｍｍ、グルーブおよび
ランドの幅がともに０．６μｍ、グルーブの深さが約７
０ｎｍのものを用いた。この基板の上に、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ₂（ＺｎＳ：ＳｉＯ₂＝８０：２０）ターゲットを用い
て膜厚約１５０ｎｍの下側保護層、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
（原子数比Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝２２：２５：５３）ター
ゲットを用いて膜厚約１０ｎｍの記録層、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ₂（分子数比ＺｎＳ：ＳｉＯ₂＝８０：２０）ターゲッ
トを用いて膜厚約３０ｎｍの上側保護層、様々な材料、
例えばＰｂＴｅ（原子数比Ｐｂ：Ｔｅ＝５０：５０）タ
ーゲットを用いて様々な膜厚の光吸収層、様々な材料、
例えばＡｕターゲットを用いて様々な膜厚の反射層を、
スパッタリング法によって順次積層した。いずれの場合
においても直径１０ｃｍ、厚さ６ｍｍのターゲットを用
い、記録層以外はＡｒガス中で、記録層はＡｒとＮ₂の
混合ガス（全圧１ｍＴｏｒｒ中、Ｎ₂ガス分圧は約５
％）中でスパッタした。

【０１３５】このようにして得られたディスクの反射層
の上に、紫外線硬化性樹脂を用いてオーバーコート層を
形成した後、レーザービームによってアニールすること
により、全面を初期結晶化し、No.31〜47のディスクを
得た。これらのディスクは、記録再生特性の材料および
膜厚構成に対する依存性を調べるために、意図的に、光
吸収層、反射層の材料および膜厚を変えて作製したもの
である。下記（表３）に、各ディスクの光吸収層、反射
層の材料および膜厚を示す。

【０１３６】ここで、実測によって求めた波長６６０ｎ
ｍにおける各層の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）
は、基板がｎ＝１．６、ｋ＝０．０、下側保護層および
上側保護層としてのＺｎＳ−ＳｉＯ₂がｎ＝２．１、ｋ
＝０．０、記録層としてのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅが非晶質状
態でｎ＝４．１、ｋ＝１．６、結晶状態でｎ＝３．９、
ｋ＝４．２、光吸収層および反射層としてのＰｂＴｅが
ｎ＝５．０、ｋ＝３．２、Ａｕがｎ＝０．３、ｋ＝３．
６、Ａｌがｎ＝１．４、ｋ＝６．４、Ｐｄがｎ＝２．
２、ｋ＝４．４、Ｃｒがｎ＝３．６、ｋ＝３．４、Ｔｉ
Ｎがｎ＝２．５、ｋ＝１．２、ＰｄＴｅがｎ＝３．２、
ｋ＝２．２、Ｇｅ₈₀Ｃｒ₂₀がｎ＝４．５、ｋ＝２．５、
Ａｇ₉₈Ｐｄ₁Ｃｕ₁がｎ＝０．３、ｋ＝４．０であった。
この値に基づいて光学計算を行って、算出されたＡcry
／ＡamoおよびΔＲの値を（表３）に併せて示す。

【０１３７】これらのディスクに、波長６６０ｎｍ、開
口数（ＮＡ）０．６の光学系を用いて、線速６．０ｍ／
ｓ（半径位置約３２ｍｍ、回転数約１８００ｒｐｍ）の
条件でマークエッジ記録を行い、以下の測定を行った。
まず、グルーブおよびランドに９．７ＭＨｚの３Ｔ信号
と２．６ＭＨｚの１１Ｔ信号を交互に１１回記録し、３
Ｔ信号が記録された状態でこのトラックを再生して、そ
のＣ／Ｎ比および消去率をスペクトラムアナライザーを
用いて測定した。ここでは、消去率を、３Ｔ信号の振幅
Ａ₃と１１Ｔ残留信号の振幅Ａ₁₁との差（Ａ₃−Ａ₁₁）と
して定義した。

【０１３８】また、（８−１６）変調のランダム信号を
１１回記録し、ジッタをタイムインターバルアナライザ
ーを用いて測定した。ここで、ジッタとは、記録の原信
号と再生信号の時間軸上のズレであり、３Ｔ〜１１Ｔの
各信号の持つジッタの標準偏差の総和（σsum ）をと
り、これを信号検出のウィンドウ幅（Ｔ）で割った値
（σsum ／Ｔ）として表現される。例えば、ジッタが１
２．８％以下であるということは、前記時間軸上のズレ
が正規分布になると仮定した場合、ビットエラー率が１
０^-4以下であることに相当することが知られている。

【０１３９】なお、信号を記録する際のレーザー変調波
形は、ｎＴ（ｎは整数、３≦ｎ≦１１）信号の場合、
（ｎ−２）個のパルスからなるパルス列（パワーレベル
Ｐ₁）とし、その先頭は５１．３ｎｓ、２番目以降はす
べて１７．１ｎｓのパルス幅で、各パルス間の幅も１
７．１ｎｓ（パワーレベルＰ₃）とし、最終のパルスの
直後に３４．２ｎｓの冷却区間（パワーレベルＰ₄）を
設けた。マークを記録しない部分においては、パワーレ
ベルＰ₂の連続光とした。記録パワーレベルＰ₁は、３Ｔ
信号を記録した場合にそのＣ／Ｎ比が４５ｄＢを超える
パワーの下限値の１．５倍とし、パワーレベルＰ₂は消
去率が最大となるパワーとし、パワーレベルＰ₃および
Ｐ₄は、再生パワーレベルと同じ１ｍＷとした。

【０１４０】上記の条件で測定した結果を上記（表３）
に示す。なお、表中の測定結果は、実用的な記録媒体と
して十分であるといえる結果を「Ｂ」、なかでも特に優
れているものを「Ａ」、不十分であるが、密度・線速度
・記録再生方式等の仕様によっては使用できる可能性の
あるものを「Ｃ」、使用できる可能性のないものを
「Ｄ」として表した。なお、さらに具体的には、Ｃ／Ｎ
比について、「Ａ」は５３ｄＢ以上、「Ｂ」は５０ｄＢ
以上５３ｄＢ未満、「Ｃ」は４７ｄＢ以上５０ｄＢ未
満、「Ｄ」は４７ｄＢ未満にそれぞれ該当する。また、
消去率については、「Ａ」は２４ｄＢ以上、「Ｂ」は２
０ｄＢ以上２４ｄＢ未満、「Ｃ」は１６ｄＢ以上２０ｄ
Ｂ未満、「Ｄ」は１６ｄＢ未満にそれぞれ該当する。ま
た、ジッタについては、「Ａ」は８％未満、「Ｂ」は８
％以上１０％未満、「Ｃ」は１０％以上１３％未満、
「Ｄ」は１３％以上にそれぞれ該当する。

【０１４１】 （表３） ―――――――――――――――――――――――――――――――――― 光吸収層 反射層 光学計算 測定結果 No. 材料 膜厚 材料 膜厚 Ac/Aa ΔＲ C/N比 消去率 シ゛ッタ (nm) (nm) (％) ―――――――――――――――――――――――――――――――――― 31 PdTe 20 Au 10 1.12 19.3 Ｂ Ｂ Ｃ 32 PdTe 20 Au 20 1.13 19.5 Ａ Ｂ Ｂ 33 PdTe 20 Au 40 1.15 19.5 Ａ Ａ Ａ 34 PdTe 20 Au 80 1.16 19.4 Ａ Ａ Ａ 35 PdTe 5 Au 80 1.04 16.5 Ｂ Ｃ Ｃ 36 PdTe 10 Au 80 1.15 18.0 Ａ Ｂ Ｂ 37 PdTe 40 Au 80 1.06 19.6 Ａ Ｃ Ｃ 38 PdTe 60 Au 80 1.06 19.8 Ｂ Ｃ Ｄ 39 PdTe 20 Pd 80 1.11 19.8 Ｂ Ｂ Ｂ 40 PdTe 20 Cr 80 1.04 19.8 Ｂ Ｃ Ｃ 41 Al 20 Au 80 0.89 16.8 Ｂ Ｄ Ｄ 42 Pd 20 Au 80 0.97 18.5 Ａ Ｄ Ｃ 43 Cr 20 Au 80 1.13 19.4 Ａ Ａ Ａ 44 Cr 20 Al 80 1.05 19.6 Ｂ Ｃ Ｃ 45 Au 20 PdTe 80 0.93 17.3 Ｂ Ｄ Ｄ 46 TiN 60 Au 80 1.13 18.1 Ｂ Ａ Ｂ 47 PdTe 40 Au 80 1.10 18.5 Ｂ Ａ Ａ 48 Ge₈₀Cr₂₀ 40 Au 80 1.18 20.1 Ａ Ａ Ａ 49 Ge₈₀Cr₂₀ 40 Ag₉₈Pd₁Cu₁ 80 1.18 20.1 Ａ Ａ Ａ ――――――――――――――――――――――――――――――――――

【０１４２】ディスクNo.31〜No.38は、光吸収層として
ｎの大きいＰｂＴｅ、反射層としてｎが小さく熱伝導率
の大きいＡｕを用いたディスクであり、ディスクNo.31
〜No.34は、反射層の膜厚を変化させたディスクであ
り、ディスクNo.34〜No.38は、光吸収層の膜厚を変化さ
せたディスクである。

【０１４３】ディスクNo.31〜No.34を比較すると、反射
層のＡｕの膜厚が厚くなるほど冷却能が上がるために、
ジッタが良好となっており、反射層の膜厚が光吸収層の
膜厚以上となる辺りからジッタが１０％以下となってい
る。

【０１４４】ディスクNo.34〜No.38を比較すると、ディ
スクNo.35のように光吸収層の膜厚が薄すぎるか、ディ
スクNo.37、No.38のように光吸収層の膜厚が厚すぎるデ
ィスクの場合、光学特性・評価結果ともに悪くなってい
る。一方、ディスクNo.34、No.36の場合には、光吸収層
の膜厚が適当であるために、Ｃ／Ｎ比、消去率、ジッタ
ともに良好な値が得られている。このように、光吸収層
の適当な膜厚は、０．１λ／（ｎ₁・ｋ₁ ）以上１．０
λ／（ｎ₁・ｋ₁）以下の範囲である。

【０１４５】また、ディスクNo.39〜No.47は、光吸収層
および反射層の材料を変えたディスクである。ディスク
No.34がΔｎ＝４．７であるのに対し、ディスクNo.40
（Δｎ＝１．４）、ディスクNo.41（Δｎ＝１．１）、
ディスクNo.42（Δｎ＝１．９）、ディスクNo.44（Δｎ
＝１．４）、ディスクNo.45（Δｎ＝−４．７）など
は、Δｎの値が２よりも小さいために光学特性が悪く、
Ｃ／Ｎ比や消去率も低くなっており、当然ジッタも大き
くなっている。ディスクNo.39（Δｎ＝２．８）、ディ
スクNo.43（Δｎ＝３．３）、ディスクNo.46（Δｎ＝
２．２）、ディスクNo.47（Δｎ＝２．９）などは、Δ
ｎが２以上で各特性も良好となってはいるが、やはりΔ
ｎが小さいものほど記録再生特性は劣っており、Δｎは
２．５以上、さらには３以上がより好ましいことがわか
る。

【０１４６】また、ディスクNo.34の構成について、図
７に示すような、記録層３３の基板３１側および／また
は基板３１と反対側の面にＧｅＯＮ膜からなる膜厚約５
ｎｍの界面層３９が形成されたディスクを作製した。Ｇ
ｅＯＮ膜は、Ｇｅターゲットを用い、Ａｒ、Ｎ₂および
Ｏ₂ガス中で反応性スパッタによって成膜した。これら
のディスクに対し、ディスクNo.34と同様の測定を行っ
た。その結果、いずれのディスクも、Ｃ／Ｎ比はディス
クNo.34と変わらないものの、界面層３９（ＧｅＯＮ
膜）を記録層３３の基板３１側のみ、基板３１と反対側
のみ、基板３１側および基板３１と反対側に設けたディ
スクのそれぞれについて、消去率がディスクNo.34に対
して、それぞれ約２ｄＢ、約４ｄＢ、約５ｄＢだけ向上
し、ジッタ値についても８％未満の良好な値が得られ
た。このことから、界面層３９を挿入することにより、
本実施形態の光学的情報記録媒体は消去特性がさらに向
上することが明らかになった。

【０１４７】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
クロスイレースが小さく、高密度の情報の記録再生に好
適な光学的情報記録媒体を提供できる。また、本発明に
よれば、高密度・高線速度なオーバーライトにおいても
消去率が高く、かつ、ジッタの小さい情報の記録再生が
可能な光学的情報記録媒体を提供できる。また、本発明
によれば、このような光学的情報記録媒体の製造方法と
ともに、上記媒体に好適な光学的情報記録媒体の記録再
生方法、および光学的情報記録媒体の再生装置を提供す
るものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の光学的情報記録媒体の一形態（第１
の実施形態）の部分断面図である。

【図２】 本発明の光学的情報記録媒体の一形態の部分
斜視図である。

【図３】 本発明の光学的情報記録媒体の別の一形態
（第１の実施形態）の部分断面図である。

【図４】 本発明の光学的情報記録再生装置の一形態の
構成を示す図である。

【図５】 本発明の光学的情報記録媒体の記録再生方法
に適用されるパルス波形の一例を示す波形図である。

【図６】 本発明の光学的情報記録媒体のまた別の一形
態（第２の実施形態）の部分断面図である。

【図７】 本発明の光学的情報記録媒体のさらに別の一
形態（第２の実施形態）の部分断面図である。

【図８】 本発明の光学的情報記録媒体のまた別の一形
態（第３の実施形態）の部分断面図である。

【符号の説明】

１、３１ 透明基板 ２、３２ 下側保護層 ３、３３ 記録層 ４、３４ 上側保護層 ５ 中間層 ３５ 光吸収層 ６、３６ 反射層 ７、３７ オーバーコート層 ８ グルーブ ９ ランド １０ レーザー光 １１ 記録マーク １２、３９ 界面層 １３ 半導体レーザー １４ コリメートレンズ １５ ビームスプリッター １６ λ／４波長板 １７ 対物レンズ １８ 光ディスク １９ ボイスコイル ２０ ターンテーブル ２１ モーター ２２ 検出器 ２３ 再生信号 ４１ 透明基板 ４２ 第１情報層 ４３ 分離層 ４４ 第２情報層 ４５ 保護層（保護基板）

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/00 ６２６ Ｇ１１Ｂ 7/00 ６２６Ｚ 7/26 ５３１ 7/26 ５３１ (72)発明者 山田 昇 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大田 啓之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (34)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板と、前記透明基板上に形成され
   た多層膜とを含み、前記多層膜が、前記透明基板に近い
   側から順に、下側保護層、光ビームの照射により光学的
   に検出可能な異なる２状態間で可逆的に変化する記録
   層、上側保護層、中間層および反射層を含み、前記上側
   保護層、前記中間層および前記反射層の熱伝導率が前記
   記録層から遠い層ほど大きく、前記記録層の膜厚が４ｎ
   ｍ以上１６ｎｍ以下であることを特徴とする光学的情報
   記録媒体。
2. 【請求項２】 記録層の膜厚が６ｎｍ以上１４ｎｍ以下
   である請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
3. 【請求項３】 反射層が、Ａｕ、Ａｇ、ＣｕおよびＡｌ
   から選ばれる少なくとも１つを含む請求項１または２に
   記載の光学的情報記録媒体。
4. 【請求項４】 中間層が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
   ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｏｓ、Ａｌ、Ｇａ、
   Ｉｎ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、ＳｂおよびＢｉか
   ら選ばれる少なくとも１つの元素を含む請求項１〜３の
   いずれかに記載の光学的記録情報記録媒体。
5. 【請求項５】 中間層が、酸化物、窒化物、炭化物、硫
   化物、フッ化物、セレン化物およびテルル化合物から選
   ばれる少なくとも１つの化合物からなる請求項４に記載
   の光学的記録情報記録媒体。
6. 【請求項６】 中間層が、元素間化合物からなる請求項
   ４に記載の光学的情報記録媒体。
7. 【請求項７】 透明基板と、前記透明基板上に形成され
   た多層膜とを含み、前記多層膜が、前記透明基板に近い
   側から順に、下側保護層、光ビームの照射により光学的
   に検出可能な異なる２状態間で可逆的に変化する記録
   層、上側保護層、光吸収層および反射層を含み、前記光
   ビームの波長λにおける前記光吸収層の屈折率ｎ₁と前
   記反射層の屈折率ｎ₂との差Δｎ＝ｎ₁−ｎ₂が２以上６
   以下であり、かつ、前記反射層の膜厚が前記光吸収層の
   膜厚以上であることを特徴とする光学的情報記録媒体。
8. 【請求項８】 光吸収層の膜厚ｄ₁が、前記光吸収層の
   消衰係数をｋ₁として、０．１λ／（ｎ₁・ｋ₁）≦ｄ₁≦
   １．０λ／（ｎ₁・ｋ₁）の範囲にある請求項７に記載の
   光学的情報記録媒体。
9. 【請求項９】 透明基板と、前記透明基板上に形成され
   た多層膜とを含み、前記多層膜が、前記透明基板に近い
   側から順に、下側保護層、光ビームの照射により光学的
   に検出可能な異なる２状態間で可逆的に変化する記録
   層、上側保護層、光吸収層および反射層を含み、前記光
   吸収層の膜厚ｄ₁が、前記光ビームの波長をλ、前記波
   長λにおける前記光吸収層の屈折率および消衰係数をそ
   れぞれｎ₁およびｋ₁として、０．１λ／（ｎ₁・ｋ₁）≦
   ｄ₁≦１．０λ／（ｎ₁・ｋ₁）の範囲にあることを特徴
   とする光学的情報記録媒体。
10. 【請求項１０】 反射層が、Ａｕ、ＡｇおよびＣｕから
    選ばれる少なくとも１つを含む請求項７〜９のいずれか
    に記載の光学的情報記録媒体。
11. 【請求項１１】 光吸収層が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、
    Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｏｓ、Ａｌ、Ｇ
    ａ、Ｉｎ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、ＳｂおよびＢ
    ｉから選ばれる少なくとも１つの元素を含む請求項７〜
    １０のいずれかに記載の光学的情報記録媒体。
12. 【請求項１２】 光吸収層が、酸化物、窒化物、炭化
    物、硫化物、フッ化物、セレン化物およびテルル化物か
    ら選ばれる少なくとも１つの化合物からなる請求項１１
    に記載の光学的記録情報記録媒体。
13. 【請求項１３】 光吸収層が、元素間化合物からなる請
    求項１１に記載の光学的情報記録媒体。
14. 【請求項１４】 記録層の膜厚が４ｎｍ以上１６ｎｍ以
    下である請求項６〜１３のいずれかに記載の光学的情報
    記録媒体。
15. 【請求項１５】 下側保護層と記録層との間、および記
    録層と上側保護層との間の少なくとも一方の界面に、さ
    らに界面層を備えた請求項１〜１４のいずれかに記載の
    光学的情報記録媒体。
16. 【請求項１６】 界面層が、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔｉお
    よびＡｌから選ばれる少なくとも一つを含む請求項１５
    に記載の光学的情報記録媒体。
17. 【請求項１７】 上側保護層の膜厚が１０ｎｍ以上２０
    ０ｎｍ以下である請求項１〜１６のいずれかに記載の光
    学的情報記録媒体。
18. 【請求項１８】 記録層が、Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅを含
    む請求項１〜１７のいずれかに記載の光学的情報記録媒
    体。
19. 【請求項１９】 記録層がＧｅ、ＳｂおよびＴｅを主成
    分とし、さらに６．０原子％以下のＮを含む請求項１８
    に記載の光学的情報記録媒体。
20. 【請求項２０】 上側保護層および下側保護層から選ば
    れる少なくとも一層が、６０〜１００モル％のＺｎＳお
    よび４０〜０モル％のＳｉＯ₂を含有する請求項１〜１
    ９のいずれかに記載の光学的情報記録媒体。
21. 【請求項２１】 光ビームが記録媒体に反射される比率
    である反射率および記録層に吸収される比率である吸収
    率を、それぞれ前記記録層が結晶相である場合にはＲcr
    yおよびＡcry、前記記録層がアモルファス相である場合
    にはＲamoおよびＡamoとして、反射率差（Ｒcry−Ｒam
    o）が５％以上であり、かつ、吸収率比（Ａcry／Ａam
    o）が１．０以上である請求項１〜２０のいずれかに記
    載の光学的情報記録媒体。
22. 【請求項２２】 透明基板と、前記透明基板上に前記透
    明基板に近い側から順に形成された、第１情報層、分離
    層および第２情報層とを含み、 前記第１情報層および前記第２情報層が、それぞれ、光
    ビームの照射により光学的に検出可能な異なる２状態間
    で可逆的に変化する記録層を含み、 前記第２情報層が、請求項１〜２１のいずれかに記載の
    多層膜であることを特徴とする光学的情報記録媒体。
23. 【請求項２３】 透明基板上に、前記透明基板に近い側
    から順に、下側保護層、光ビームの照射により光学的に
    検出可能な異なる２状態間で可逆的に変化する記録層、
    上側保護層、中間層および反射層を含む多層膜を形成す
    る工程を含み、前記上側保護層、前記中間層および前記
    反射層の熱伝導率を前記記録層から遠い層ほど大きく、
    前記記録層の膜厚を４ｎｍ以上１６ｎｍ以下とすること
    を特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。
24. 【請求項２４】 透明基板上に、前記透明基板に近い側
    から順に、下側保護層、光ビームの照射により光学的に
    検出可能な異なる２状態間で可逆的に変化する記録層、
    上側保護層、光吸収層および反射層を含む多層膜を形成
    する工程を含み、前記光ビームの波長λにおける前記光
    吸収層の屈折率ｎ₁と前記反射層の屈折率ｎ₂との差Δｎ
    ＝ｎ₁−ｎ₂が２以上６以下であり、かつ、前記反射層の
    膜厚を前記光吸収層の膜厚以上とすることを特徴とする
    光学的情報記録媒体の製造方法。
25. 【請求項２５】 透明基板上に、前記透明基板に近い側
    から順に、下側保護層、光ビームの照射により光学的に
    検出可能な異なる２状態間で可逆的に変化する記録層、
    上側保護層、光吸収層および反射層を含む多層膜を形成
    する工程を含み、前記光吸収層の膜厚をｄ₁、前記光ビ
    ームの波長をλ、前記波長λにおける前記光吸収層の屈
    折率および消衰係数をそれぞれｎ₁およびｋ₁として、
    ０．１λ／（ｎ₁・ｋ₁）≦ｄ₁≦１．０λ／（ｎ₁・
    ｋ₁）が成立するように前記光吸収層を形成することを
    特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。
26. 【請求項２６】 透明基板上に第１情報層を形成する工
    程と、保護基板上に第２情報層を形成する工程と、前記
    透明基板と前記保護基板とを分離層を介して貼り合わせ
    ることにより、前記透明基板上に、前記第１情報層、前
    記分離層および前記第２情報層をこの順に形成する工程
    とを含み、 前記第２情報層が、前記透明基板に近い側から、下側保
    護層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる
    ２状態間で可逆的に変化する記録層、上側保護層、中間
    層および反射層をこの順に含み、前記上側保護層、前記
    中間層および前記反射層の熱伝導率を前記記録層から遠
    い層ほど大きく、前記記録層の膜厚が４ｎｍ以上１６ｎ
    ｍ以下となるように、前記第２情報層を前記保護基板上
    に形成することを特徴とする光学的情報記録媒体の製造
    方法。
27. 【請求項２７】 透明基板上に第１情報層を形成する工
    程と、保護基板上に第２情報層を形成する工程と、前記
    透明基板と前記保護基板とを分離層を介して貼り合わせ
    ることにより、前記透明基板上に、前記第１情報層、前
    記分離層および前記第２情報層をこの順に形成する工程
    とを含み、 前記第２情報層が、前記透明基板に近い側から、下側保
    護層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる
    ２状態間で可逆的に変化する記録層、上側保護層、光吸
    収層および反射層をこの順に含み、前記光ビームの波長
    λにおける前記光吸収層の屈折率ｎ₁と前記反射層の屈
    折率ｎ₂との差Δｎ＝ｎ₁−ｎ₂が２以上６以下であり、
    かつ、前記反射層の膜厚が前記光吸収層の膜厚以上とな
    るように、前記第２情報層を前記保護基板上に形成する
    ことを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。
28. 【請求項２８】 透明基板上に第１情報層を形成する工
    程と、保護基板上に第２情報層を形成する工程と、前記
    透明基板と前記保護基板とを分離層を介して貼り合わせ
    ることにより、前記透明基板上に、前記第１情報層、前
    記分離層および前記第２情報層をこの順に形成する工程
    とを含み、 前記第２情報層が、前記透明基板に近い側から順に、下
    側保護層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異
    なる２状態間で可逆的に変化する記録層、上側保護層、
    光吸収層および反射層をこの順に含み、前記光吸収層の
    膜厚をｄ₁、前記光ビームの波長をλ、前記波長λにお
    ける前記光吸収層の屈折率および消衰係数をそれぞれｎ
    ₁およびｋ₁として、０．１λ／（ｎ₁・ｋ₁）≦ｄ₁≦
    １．０λ／（ｎ₁・ｋ₁）が成立するように、前記第２情
    報層を前記保護基板上に形成することを特徴とする光学
    的情報記録媒体の製造方法。
29. 【請求項２９】 記録層を２００ｎｍ／分以下の速度で
    成膜する請求項２３〜２８のいずれかに記載の光学的情
    報記録媒体の製造方法。
30. 【請求項３０】 記録層を、不活性ガスと窒素ガスとを
    含み、前記記録層に窒素原子が６．０原子％以下含有さ
    れるように前記窒素ガスの含有量を調整した雰囲気中に
    おいて成膜する請求項２３〜２９のいずれかに記載の光
    学的情報記録媒体の製造方法。
31. 【請求項３１】 請求項１〜２２のいずれかに記載の光
    学的情報記録媒体に光ビームを透明基板側から入射させ
    て情報を記録再生する方法であって、 前記光ビームの強度を、照射部を瞬時溶融させることが
    できるパワーレベルＰ ₁、照射部を瞬時溶融させること
    ができないパワーレベルＰ₂およびＰ₃（ただし、Ｐ₁＞
    Ｐ₂≧Ｐ₃≧０）、および記録層の記録マークの光学的な
    状態が変化せず、かつ照射により前記記録マークの再生
    に足りる反射が得られるパワーレベルＰ ₀（ただし、Ｐ₁
    ＞Ｐ₀＞０）により表示したときに、 前記記録層に記録する少なくとも１つの記録マークを、
    光ビームをパワーレベルＰ₁とＰ₃との間で変調すること
    により生成させた一群のパルスからなる記録パルス列に
    より形成し、記録マークを形成しない場合には光ビーム
    をパワーレベルＰ₂に保持し、 パワーレベルＰ₀の光ビームを照射することにより、前
    記記録層に記録した情報を再生することを特徴とする光
    学的情報記録媒体の記録再生方法。
32. 【請求項３２】 記録パルス列の直後にパワーレベルＰ
    ₄（ただし、Ｐ₂＞Ｐ₄≧０）の冷却区間を設ける請求項
    ３１に記載の光学的情報記録媒体の記録再生方法。
33. 【請求項３３】 記録パルス列の少なくとも一部を、パ
    ルス幅および各パルス間の間隔が略同一となるように生
    成させる請求項３１または３２に記載の光学的情報記録
    媒体の記録再生方法。
34. 【請求項３４】 請求項１〜２２のいずれかに記載の光
    学的情報記録媒体と、前記光学的情報記録媒体に照射さ
    れる光ビームを発生させる光ビーム発生手段と、前記光
    ビームの強度を変調させる光ビーム強度変調手段とを備
    え、 前記光ビームの強度を、照射部を瞬時溶融させることが
    できるパワーレベルＰ ₁、照射部を瞬時溶融させること
    ができないパワーレベルＰ₂およびＰ₃（ただし、Ｐ₁＞
    Ｐ₂≧Ｐ₃≧０）、および記録層の記録マークの光学的な
    状態が変化せず、かつ照射により前記記録マークの再生
    に足りる反射が得られるパワーレベルＰ ₀（ただし、Ｐ₁
    ＞Ｐ₀＞０）により表示したときに、 前記光ビーム強度変調手段が、記録マークを形成するこ
    とにより情報を記録する場合には、光ビームをパワーレ
    ベルＰ₁とＰ₃との間で変調することにより生成させた一
    群のパルスからなる記録パルス列により前記記録マーク
    の少なくとも１つを形成し、記録マークを形成しないと
    きには光ビームの強度をパワーレベルＰ ₂に保持し、 前記記録層に記録した情報を再生する場合には、光ビー
    ムの強度をパワーレベルＰ₀に保持することを特徴とす
    る光学的情報記録媒体の記録再生装置。