JP2661293B2 - 光学的情報記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光・熱等を用いて高速かつ高密度に情報を
記録再生する光学的情報記録再生媒体に関するものであ
る。

従来の技術 レーザー光をレンズ系によって収束させると直径がそ
の光の波長のオーダーの小さな光スポットを作ることが
できる。したがって小さい出力の光源からでも単位面積
あたりのエネルギー密度の高い光スポットを作ることが
可能である。したがって物質の微少な領域を変化させる
ことが可能であり、またその微少領域の変化を読みだす
ことも可能である。これを情報の記録・再生に利用した
ものが光学的情報記録媒体である。以下、「光記録媒
体」あるいは単に「媒体」と記述する。

光記録媒体の基本的な構造は表面が平坦な基材上にレ
ーザースポット光照射によって何らかの状態が変化する
記録薄膜層を設けたものである。信号の記録・再生は以
下のような方法を用いる。すなわち、平板状の媒体を例
えばモーター等による回転手段や並進手段により移動さ
せ、この媒体の記録薄膜面上にレーザー光を収束し照射
する。記録薄膜はレーザー光を吸収し昇温する。レーザ
ー光の出力をある閾値以上に大きくすると記録薄膜の状
態が変化して情報が記録される。この閾値は記録薄膜自
体の特性の他に基材の熱的な特性・媒体の光スポットに
対する相対速度等に依存する量である。記録された情報
は記録部に前記閾値よりも十分低い出力のレーザー光ス
ポットを照射し、その透過光強度、反射光強度あるいは
それらの偏光方向等何らかの光学的特性が記録部と未記
録部で異なることを検出して再生する。

したがって、小さいレーザーパワーで状態が変化し、
大きな光学的変化を示す材料および構造が望まれる。

記録薄膜としてはBi、Teあるいはこれらを主成分とす
る金属薄膜、Teを含む化合物薄膜が知られている。これ
らはレーザー光照射により薄膜が溶融あるいは蒸発し小
孔を形成する穴開け型の記録を行い、この記録部とその
周辺部からの反射光あるいは透過光の位相が異なるため
干渉で打ち消しあって、あるいは回折されて検出系に至
る反射光量あるいは透過光量が変化することを検出して
再生を行う。また、他に相変化型と呼ばれる、形状の変
化を伴わずに光学的な変化をする記録媒体がある。材料
としてはアモルファスカルコゲン化物薄膜、テルルおよ
び酸化テルルからなるTe-TeO₂を主成分とする酸化物系
薄膜がある（特公昭54-3725号公報）。また、Te-TeO₂‐
Pdを主成分とする薄膜も知られている（特開昭61-68296
号公報）。これらはレーザー光照射により薄膜の消衰係
数あるいは屈折率のうち少なくともいずれか１つが変化
して記録を行い、この部分で透過光あるいは反射光の振
幅が変化し、その結果検出系に至る透過光量あるいは反
射光量が変化することを検出して信号を再生する。

光は波動であり振幅と位相によって記述される。上記
のように信号の再生は透過光量あるいは反射光量の変化
によって検出されるが、その原因としては膜自体の微少
領域の透過光振幅あるいは反射光振幅が変化する場合
（振幅変化記録）と、透過光あるいは反射光の位相が変
化する場合（位相変化記録）がある。

発明が解決しようとする課題 以上のような光記録媒体の中で穴開け型のものは反射
光量変化は大きく取れ、位相変化記録であるため記録密
度が大きい記録が行えるが、きれいな穴を形成すること
が難しく再生時のノイズが大きい。また、密着した保護
構造がとれず、いわゆるエアーサンドイッチ構造といわ
れる複雑な中空構造をとる必要があり、製造が難しくコ
スト高である。また、変形記録であるので消去書き換え
が不可能である。

これに比べて相変化型の記録媒体は形状変化を伴わな
いので簡単な構造がとれ製造が容易で低コストの媒体で
あるが、反射振幅変化記録であるため穴開け型の記録に
くらべて記録密度が小さいという課題がある。さらに、
位相変化型の記録媒体である凹凸ピットによる複製盤
（オーディオディスク、ビデオディスク等）との互換が
取りにくいという課題もある。

課題を解決するための手段 基材上に、レーザー光照射によって光学定数が変化す
る相変化材料からなる薄膜材料層を他の層を介して分離
した少なくとも２層設けて、変化の前後で入射した光の
反射光あるいは透過光の位相が変化しこの位相変化によ
る全体の反射光量あるいは透過光量の変化を検知する構
成とする。さらに、その際に変化の前後で反射率あるい
は透過率は変化がない、あるいは小さい構成とする。

具体的には、基材上に基材と屈折率が異なる第１の透
明層を設け、その上に第１の記録薄膜層を設け、その上
に第２の透明層を設け、その上に第２の記録薄膜層を設
け、その上に第３の透明層を設け、その上に反射層を設
けた構成を用い、前記第１の透明層、第１の記録薄膜
層、第２の透明層、第２の記録薄膜層、第３の透明層お
よび反射層の膜厚を記録材料の変化に際して入射した光
の透過光あるいは反射光の位相が変化するように選ぶこ
とにより実現できる。

作用 上記のような構成にすると光学的には凹凸による位相
変化記録と等価な記録が行える。従って、相変化記録で
ありながら記録密度の大きい記録が行なえ、凹凸ピット
による複製盤（オーディオディスク、ビデオディスク
等）との互換も取り易い。また、相変化記録は形状変化
を伴わず材料を選ぶことによって記録した状態をもとに
戻す、すなわち消去・書き換えも可能であり、書き換え
型の位相変化記録が実現できる。

従来の相変化形光記録媒体の構造の一例を第２図に示
す。相変化形記録材料はレーザー光を照射して発熱昇温
させその相を変化させると複素屈折率が変化する。その
変化は一般的に屈折率と消衰係数が同方向に変化する。
例えばアモルファス状態が結晶状態に変化すると一般に
屈折率と消衰係数が増大する。この様な記録薄膜層の反
射率は記録薄膜層３の膜厚t2に依存する。基材１側から
光を入射した場合の記録薄膜の反射率Ｒは記録薄膜の光
入射側の界面からの反射光とその反対側の界面からの反
射光の多重干渉の結果である。膜厚t2を変化させると反
射率は干渉の結果、波長と屈折率によって決まる周期で
増減するが膜厚が増加するにしたがい吸収により光入射
側と反対の界面に到達して反射する光量が減少するため
干渉の効果がなくなっていく。その結果として干渉によ
る増減が膜厚の増加にともないしだいに減衰する曲線を
描く。複素屈折率が大きくなると屈折率の増加により干
渉による膜厚周期が小さくなると同時に消衰係数の増加
により減衰する膜厚が小さい方向にシストする。以上の
結果、相変化した時の反射率差ΔＲも膜厚により変化す
るが一般には複素屈折率の小さい相で反射率が極小にな
る膜厚で極大になる。一方このような構成では反射光の
位相の相変化の前後での変化は小さい。すなわち反射率
変化は反射光の振幅変化によるものである。従来相変化
形の記録媒体はこの反射率変化が極大になる膜厚で用い
ていた。従って記録状態の再生はこの反射率の差を検出
することによってなされる。ミクロンオーダーの微小な
領域の記録再生の場合には、記録された部分の大きさと
再生に用いる光ビームの大きさが同じオーダーになる。
例えば、波長800nm前後のレーザー光をNA0.5程度のレン
ズ系で絞ると半値幅が約0.9μｍのビームに絞れる。こ
の様なビームを用いて強いパワーで記録を行うと約0.5
〜１μｍ前後の範囲が相変化をおこして記録状態とな
る。これを同じビームで読みだす場合を考えると、読み
山しビームの光強度は一般的にはガウス分布をしており
相変化した記録状態よりも外側に広がっているため反射
光量は記録状態の反射率と回りの未記録状態の反射率に
それぞれの面積と光強度分布を加重して平均した値に比
例する。したがって、読み出しビームの大きさに比べて
十分大きな範囲の記録状態の面積がないと十分な再生信
号が得られない。この大きさによって記録密度が制限さ
れる。

一方、穴開け形の場合には記録状態は凹凸の形状であ
り周辺部と記録部からの反射光の位相が異なり、それら
が干渉しあって反射光量が変化することを利用してい
る。従って周辺部と穴部での反射光の位相差が（１±2
n）π（ｎは整数）のとき最も反射光量変化が大きく、
この値に近いことが、特に略々等しいことが望ましい。
また、読み出しビームの強度分布として穴部に入射する
強度と周辺部に入射する強度が等しいとき最も干渉の効
果が大きく、従って反射光強度変化が大きい。すなわ
ち、読み出しビームの大きさよりも小さい記録状態のと
きが再生信号が大きくとれる。

以上から同じ再生光ビームで再生する場合反射率変化
記録よりも位相変化記録の方が小さな面積の記録状態で
信号量が大きくとれる、すなわち高密度な記録再生が出
来ることがわかる。

従って相変化記録において位相変化を得ることが出来
れば凹凸記録並の記録密度が得られる、しかも反射率変
化は無いことあるいは小さいことがが望ましい。

相変化型の記録薄膜材料を用いて上述のような位相変
化型の光記録媒体を構成するには、記録薄膜層の少なく
とも片面に基材あるいは保護層と使用するレーザー光の
波長において屈折率の異なる透明層を設けることによっ
て実現できる。記録薄膜に接する材料の屈折率が変化す
ると各界面での反射光が変化する。記録薄膜からの反射
光は記録薄膜の光入射側の界面からの反射光とその反射
側の界面からの反射光の多重干渉の結果である。記録薄
膜が十分薄く記録薄膜の光入射側と反対の界面まで到達
する光の大きさが十分大きい場合には、未記録状態の光
学定数の小さいときは光入射側と反対の界面まで到達し
て反射される光が光入射側の界面からの反射光よりも大
きく、記録状態の光学定数の大きいときは逆に光入射側
の界面からの反射光が光入射側と反対の界面まで到達し
て反射される光よりも大きくなる条件が存在する。両者
は光路長が異なるため位相差を持っている。この位相差
が大きければ干渉による打ち消しあいの結果、記録によ
り光学定数が変化した時に全体の反射光の位相が大きく
変化することが可能になる。さらに両者の振幅の差が記
録の前後でほぼ等しければ（もちろん大小関係は逆転す
るのであるが）反射光振幅の変化はほとんどないという
ことが可能である。

さらに基材上に基材と屈折率が異なる第１の透明層を
設け、その上に第１の記録薄膜層を設け、その上に第２
の透明層を設け、その上に第２の記録薄膜層を設け、そ
の上に第３の透明層を設け、その上に反射層を設けた構
成を用い、前記第１の透明層、第１の記録薄膜層、第２
の透明層、第２の記録薄膜層、第３の透明層および反射
層の膜厚を選ぶことによってより効率的な位相変化型の
光記録媒体を得ることができる。それは２層の記録薄膜
層の間に透明層が存在すると透過率が大きくかつ相変化
に際しての位相変化も大きいため２層の記録薄膜層を透
過した光が反射層によって反射されて上記の干渉による
打ち消し合いが効率的に行なわれるからである。

一方、光ディスク等の光記録媒体においては溝状の基
材の凹凸を用いたトラッキングの手法が一般的に用いら
れる。（例えば、尾上守夫監修「光ディスク技術」ラジ
オ技術社刊、第１章 1.2.5 p79〜参照）この場合の凹
凸溝も入射光の反射光の位相を変化させてトラッキング
に必要な情報を検出系にあたえる。従って、溝トラック
を使ってトラッキングを行いながら位相変化の記録再生
を行うときには溝による位相変化と記録による位相変化
が重畳する。従って、トラッキング機能を損なわずに位
相変化の記録再生を行うための配慮が必要である。

具体的には、溝トラックの深さは通常第４図のに示す
ようにレーザ光10の入射側に凸の形状をしており−π/2
の位相差を与えるように設計されているため、相変化の
記録による位相差が±πの場合には両者が重畳してトー
タルの位相差は＋π/2あるいは−3/2×πとなってトラ
ッキング信号の極性が反転してしまう。（詳しくは前掲
書参照）この様な場合には、トラッキングに影響を与え
ずに充分な再生信号を得るには相変化記録による位相変
化は＋π/2のとなるようにしてトータルの位相差が反転
するのを防ぐ必要がある。これは記録層９として前記の
多層構造を用いた第５図に示す構成で実現できる。この
場合には記録部の記録による位相差と溝による位相差の
トータルの位相差は０となるため未記録部との平均的な
位相差の極性はマイナスのままで逆転しない。また位相
差が０ということは、あたかも溝がなくなった状態と等
価となることを意味し、溝をとぎれさせて番地等の信号
をあらかじめ形成した部分からの再生光と等価な再生光
が得られるという利点もある。

また、第４図とは反対に溝トラックの形状がレーザ光
10の入射側からみて凹になっている場合も考えられる
が、その場合には溝による位相差はπ/2であるので相変
化記録における位相変化は−π/2となるようにすればよ
い。

トラッキング用の溝形状の形態として第６図に示すよ
うないわゆる「オンランド」と言われる方式も知られて
いる。（前掲書参照）このような場合には溝によるトラ
ッキング信号には影響を与えないので相変化記録の位相
差を最大限の±πとすることが可能である。

つぎに、具体的な実施例を使って説明をする。

実施例 記録媒体の構成としては第１図に示すように基材１上
に透明な誘電体等の透明層２、記録薄膜層３、第２の透
明な誘電体等の透明層４、第２の記録薄膜層５、第３の
透明な誘電体等の透明層６、反射層７を順次設ける。さ
らにその上に透明な密着した保護層８を設ける。この他
に図には示さないが保護層を施さない構成でもよい。こ
の場合は保護層８の代わりに空気（屈折率1.0）を考え
ると光学的には同等であり同じ効果が得られる。透明層
２には基材１と屈折率の異なる材質を用いる。

これらの記録薄膜の厚さt2、t4、透明層の厚さt1、t
3、t5および反射層の厚さt6を適当に選ぶことによって
位相変化の大きい媒体を得ることができる。

基材１としてはガラス・樹脂等の透明で平滑な平板を
用いる。また基材表面にトラッキングガイド用の溝状の
凹凸があってもよい。

保護層８としては樹脂を溶剤に溶かして塗布・乾燥し
たものや樹脂板を接着剤で接着したもの等が使える。

記録薄膜層３、５に用いる記録薄膜材料としてはアル
モファス・結晶間の相変化をする材料たとえばSbTe系、
InTe系、GeTeSn系、SbSe系、TeSeSb系、SnTeSe系、InSe
系、TeGeSnO系、TeGeSnAu系、TeGeSnSb系、TeGeSb等の
カルコゲン化合物を用いる。Te-TeO₂系、Te-TeO₂‐Au
系、Te-TeO₂‐Pd系等の酸化物系材料も使える。また、
結晶・結晶間の相転移をするAgZn系、InSb系等の金属化
合物も使える。

透明層２、４、６としてはSiO₂、SiO、TiO₂、MgO、Ge
O₂等の酸化物、Si₃N₄、BN、AlN等の窒化物、ZnS、ZnS
e、ZnTe、PbS等の硫化物あるいはこれらの混合物が使え
る。

反射層８としてはAu、Al、Cu等の金属材料あるいは所
定の波長における反射率の大きな誘電体多層膜等が使え
る。

これらの材料を作る方法としては多元蒸着源を用いた
真空蒸着法やモザイク状の複合ターゲットを用いたスパ
ッタリング法その他が使える。

比較例 記録薄膜として相変化材料であるGe₂Sb₂Te₅の組成を
持つゲルマニウム、アンチモン及びテルルの３元化合物
を用いる。形成法としてGe、Sb、Teの３つの蒸発源を用
いた電子ビーム蒸着法を用いる。記録薄膜はアモルファ
ス状態で形成される。ガラス板上に上記組成のGe₂Sb₂Te
₅だけを蒸着したアモルファス状態の光学定数を測定し
たところ、波長830nmにおいて複素屈折率ｎ＋kiが4.8＋
1.3iであった。これを不活性雰囲気中で300℃で５分間
熱処理して結晶状態にすると5.8＋3.6iに変化する。

この膜をポリカーボネート樹脂板（PC、屈折率1.58）
上に蒸着しさらに同じ屈折率の材質の樹脂をコーティン
グした第２図のような従来例の構成の場合の熱処理前後
すなわちアモルファス状態と結晶状態での波長830nmの
光の反射率（反射光振幅）Ｒの変化ΔＲのおよび反射光
の位相変化の膜厚依存性の計算値を第３図に示す。

反射率および反射光の位相の計算には各層の複素屈折
率と膜厚からマトリックス法で計算した。（たとえば、
久保田広著「波動光学」岩波書店、1971年 第３章参
照）また、基材１と密着保護層は６は無限大の膜厚をも
つものとして（基材−空気界面、密着保護層−空気界面
の効果を無視）、反射率Ｒは基材から入射した光の基材
中に出射してくる比率としてもとめ、位相は基材１と透
明層２の界面での位相を基準としてもとめた。位相は２
πの周期で等価であるので図中ではこれを考慮してあ
る。

アモルファス状態と結晶状態の反射率差ΔＲは膜厚15
nmおよび85nmで極大になりそれぞれ14％および24％にな
るが位相変化は殆どなくπ/6以下である。

実施例１ 本発明の１実施例として第１図に示すように基材１と
してポリカーボネート樹脂板（PC、屈折率1.58（波長83
0nmで。以下同様））上に透明層２として硫化亜鉛（Zn
S、屈折率2.20）をエレクトロンビーム蒸着法で厚さt1
蒸着したうえに記録薄膜層３として比較例に示した記録
薄膜Ge₂Sb₂Te₅を比較例と同様の方法で厚さt2形成しさ
らに透明層４としてZnSを厚さt3同様に蒸着し、さらに
記録薄膜層５として同様に比較例に示した記録薄膜Ge₂S
b₂Te₅を比較例と同様の方法で厚さt4蒸着しさらに透明
層６としてZnSを厚さt5蒸着した。この上に反射層７と
して金（Au、屈折率0.20＋5.04i）を厚さt6＝50nmエレ
クトロンビーム蒸着法で形成し、さらに保護層６として
基材と同じ屈折率の材質の樹脂をコーティングした。

このような構成の場合の熱処理前後すなわちアモルフ
ァス状態と結晶状態での反射率（振幅反射率）をそれぞ
れRw、Rdとしその差ΔＲ（＝Rw-Rd）、反射光の位相を
それぞれφｗ、φｄとしその変化Δφ（＝φｄ−φｗ）
を各層の膜厚t1、t2、t3、t4、t5を変化させて計算し
た。その結果Δφがほぼπあるいはπ/2に近くΔＲがゼ
ロに近い膜厚条件が存在することがわかった。その条件
と計算結果を第１表に示す。第１表には代表的なものと
して２つの記録層の厚さが等しい条件（t2＝t4）で5nm
刻みで計算した結果を示してある。

さらに詳細に検討するために各記録薄膜層の吸収を計
算したところ膜厚t2、t4が15nm以上では２つの記録薄膜
層の吸収が異なるが10nm以下ではほぼ等しいことがわか
った。この吸収が異なると記録に際して２つの層の記録
状態の大きさが異なり所望の再生信号が得られなくな
る。したがって両者は等しいことが望ましい。

以上の結果から各層の厚さを適当に選ぶことによって
反射率の変化がほとんどなく、反射光の位相だけが変化
する構成を得ることがわかる。この計算をもとに以下の
実験を行った。

基材に厚さ1.2mm・直径200mmのPC樹脂円板を用いこれ
を真空中で回転させながら上記の方法でZnS薄膜を165nm
蒸着し、さらに記録薄膜Ge₂Sb₂Te₅を同様に5nmの膜厚で
アモルファス状態で蒸着し、さらにZnS薄膜を厚さ153nm
蒸着し、さらに記録薄膜Ge₂Sb₂Te₅を同様に5nmの膜厚で
アモルファス状態で形成し、さらにZnS薄膜を厚さ71nm
蒸着し、Auを厚さ50nm蒸着した。また同じ構成の多層薄
膜を18×18mm厚さ0.2mmのガラス基材上にも形成した。
さらに樹脂円盤上に成膜したものは同じPC樹脂円盤を紫
外線硬化性の接着材で張り付けて密着保護層を設け光記
録媒体を形成した。

ガラス基材上に形成したサンプルを300℃で５分間ア
ルゴン雰囲気中で加熱して全面を結晶化し結晶化前後で
基材側からの反射率を測定したところともに約８％で変
化がなかった。

この媒体を回転させ線速度10m/secの線速度で波長830
nmの半導体レーザー高を開口数0.5のレンズ系で絞って
記録薄膜上に焦点をあわせて照射した。記録薄膜面上で
12mWの出力で単一周波数5MHz変調度50％で変調した光を
照射して記録薄膜を部分的に結晶化させて記録を行い、
1mWの連続出力を照射してその反射光をフォトディテク
ターで検出して再生を行ったところ、再生信号振幅が観
測された。

前記のガラス基材上のサンプルにおいては結晶化で反
射率変化が見られないことからこの再生信号は記録部と
未記録部で反射光の位相が異なることによるものである
ことがわかる。

さらに記録する信号の周波数を変化させて記録再生を
行ったところ、第２図に示すような従来例の記録薄膜の
膜厚85nmの構成に比べて周波数特性が高域側に伸びるこ
とが確認された。

また信号を記録した上に線速度10m/secで記録薄膜面
上で18mWの出力で同様にレーザーを連続的に照射したと
ころ記録薄膜が熔融してアモルファス状態に変化し、す
でに記録されていた信号が消去されたことが確認され
た。

実施例２ 第12図に示すように基材にあらかじめ幅0.6μｍ・深
さ65nmの溝トラックを形成した厚さ1.2mm・直径200mmの
PC樹脂円板を用いこれを真空中で回転させながら上記の
方法でZnS薄膜を94nm蒸着し、さらに記録薄膜Ge₂Sb₂Te₅
を同様に10nmの膜厚でアモルファス状態で蒸着し、さら
にZnS薄膜を厚さ177nm蒸着し、さらに記録薄膜Ge₂Sb₂Te
₅を同様に10nmの膜厚でアモルファス状態で形成し、さ
らにZnS薄膜を厚さ47nm蒸着し、Auを厚さ50nm蒸着し
た。また同じ構成の多層薄膜を18×18mm厚さ0.2mmのガ
ラス基材上にも形成した。さらに樹脂円盤上に成膜した
ものは同じPC樹脂円盤を紫外線硬化性の接着材で張り付
けて密着保護層を設け光記録媒体を形成した。

ガラス基材上に形成したサンプルを300℃で５分間ア
ルゴン雰囲気中で加熱して全面を結晶化し結晶化前後で
基材側からの反射率を測定したところともに約15％で変
化がなかった。

樹脂円盤上に形成した媒体を回転させ線速度10m/sec
の線速度で波長830nmの半導体レーザー高を開口数0.5の
レンズ系で絞って記録薄膜上に焦点をあわせて溝トラッ
クにトラッキング制御をかけながら照射した。記録薄膜
面上で8.5mWの出力で単一周波数5MHz変調度50％で変調
した光を照射して記録薄膜を部分的に結晶化させて記録
を行った。記録後もトラッキング制御は安定であり、さ
らに1mWの連続出力を照射してその反射光をフォトディ
テクターで検出して再生を行ったところ、再生信号振幅
が観測された。

前記のガラス基材上のサンプルにおいては結晶化で反
射率変化が見られないことからこの再生信号は記録部と
未記録部で反射光の位相が異なることによるものである
ことがわかる。また、その位相差がトラッキング制御に
悪影響を与えない範囲のものであることが確認される。

さらに記録する信号の周波数を変化させて記録再生を
行ったところ、第２図に示すような従来例の記録薄膜の
膜厚85nmの構成に比べて周波数特性が高域側に伸びるこ
とが確認された。

また信号を記録した上に線速度10m/secで記録薄膜面
上で記録時の出力より大きい19mWの出力で同様にレーザ
ーを連続的に照射したところ記録薄膜が熔融してアモル
ファス状態に変化し、すでに記録されていた信号が消去
されたことが確認された。

発明の効果 本発明によれば光学的には凹凸による位相変化記録と
等価な記録が行える。従って、相変化記録でありながら
記録密度の大きい記録が行え、凹凸ピットによる複製盤
（オーディオディスク、ビデオディスク等）との互換も
取り易い。

さらに、凹凸によりあらかじめ形成した情報信号の記
録状態からの再生光と相変化記録を行った状態からの再
生光が等価となり同じ再生光学系および信号処理回路を
用いて情報信号の再生が行える。

また、相変化記録は形状変化を伴わず、材料を選ぶこ
とによって記録した状態をもとに戻す、すなわち消去・
書き換えも可能であり、書き換え型の位相変化記録が実
現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の１実施例の構成を示す断面模式図、第
２図は比較のための従来例の構成を示す断面模式図、第
３図は従来例の構成での反射率変化と反射光の位相変化
の記録薄膜の膜厚依存性を示すグラフ、第４図は本発明
の他の実施例を示す模式図、第５図は本発明の他の実施
例の構成を示す断面模式図、第６図は本発明の他の実施
例を示す模式図である。 １……基材、２、４、６……透明層、３、５……記録薄
膜層、７……反射層、８……保護層。

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基材上に、レーザー光照射によって光学的
   に検知し得る変化を生じる記録薄膜層を設けた光学的情
   報記録媒体であって、前記記録薄膜層が少なくとも２つ
   の層からなり、薄膜材料はレーザー光照射により光学定
   数が変化し、検知し得る変化が主として入射した光の反
   射光あるいは透過光の位相の変化によるものであること
   を特徴とする光学的情報記録媒体。
2. 【請求項２】変化の前後で入射した光の透過光振幅ある
   いは反射光振幅の変化が小さいことを特徴とする請求項
   １記載の光学的情報記録媒体。
3. 【請求項３】基材上に基材と屈折率が異なる第１の透明
   層、第１の記録薄膜層、第２の透明層、第２の記録薄膜
   層、第３の透明層、反射層をそれぞれ順次設けた構造の
   光学的情報記録媒体であって、前記第１の透明層、第１
   の記録薄膜層、第２の透明層、第２の記録薄膜層、第３
   の透明層および反射層の膜厚を記録材料の変化に際して
   入射した光の透過光あるいは反射光の位相が変化するよ
   うに選ぶことを特徴とする請求項１または２記載の光学
   的情報記録媒体。
4. 【請求項４】位相変化が略々 （１±2n）π n:整数 であることを特徴とする請求項１または２記載の光学的
   情報記録媒体。
5. 【請求項５】基材上に、レーザー光照射によって光学的
   に検知し得る変化を生じる記録薄膜層を設けた光学的情
   報記録媒体であって、基材の記録薄膜層を設ける面に入
   射した光の反射光あるいは透過光の位相を変化させる凹
   凸をあらかじめ形成し、記録薄膜層が少なくとも２つの
   層からなり、記録材料はレーザー光照射により光学定数
   が変化し、検知し得る変化が主として入射した光の反射
   光あるいは透過光の位相の変化によるものであることを
   特徴とする光学的情報記録媒体。
6. 【請求項６】変化の前後で入射した光の透過光振幅ある
   いは反射光振幅の変化が小さいことを特徴とする請求項
   ５記載の光学的情報記録媒体。
7. 【請求項７】基材上に基材と屈折率が異なる第１の透明
   層、第１の記録薄膜層、第２の透明層、第２の記録薄膜
   層、第３の透明層、反射層をそれぞれ順次設けた構造の
   光学的情報記録媒体であって、前記第１の透明層、第１
   の記録薄膜層、第２の透明層、第２の記録薄膜層、第３
   の透明層および反射層の膜厚を記録材料の変化に際して
   入射した光の透過光あるいは反射光の位相が変化するよ
   うに選ぶことを特徴とする請求項５または６記載の光学
   的情報記録媒体。
8. 【請求項８】位相変化が略々 （±1/2±2n）π n:整数 であることを特徴とする請求項５または６記載の光学的
   情報記録媒体。
9. 【請求項９】第１の記録薄膜層と第２の記録薄膜層の光
   吸収がほぼ等しいことを特徴とする請求項１または５記
   載の光学的情報記録媒体。