JP3156418B2 - 光学情報記録媒体及び光学情報記録再生方法 - Google Patents

光学情報記録媒体及び光学情報記録再生方法

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JP3156418B2
JP3156418B2 JP01519993A JP1519993A JP3156418B2 JP 3156418 B2 JP3156418 B2 JP 3156418B2 JP 01519993 A JP01519993 A JP 01519993A JP 1519993 A JP1519993 A JP 1519993A JP 3156418 B2 JP3156418 B2 JP 3156418B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光を用いて高密
度に情報を記録・再生する光学情報記録媒体、とりわけ
書換え可能な光ディスクに関する。
【0002】
【従来の技術】レーザ光の照射により、情報を記録・消
去・再生可能な光ディスクとして、記録薄膜材料にカル
コゲン化物を用いた相変化型の光ディスクが知られてい
る。一般には、記録薄膜材料が結晶状態の場合を未記録
状態とし、レーザ光照射で記録薄膜を溶融・急冷して非
晶質状態にすることで信号を記録する。一方、信号を消
去する場合は、記録時よりも低パワーのレーザ光を照射
して、記録薄膜を昇温して結晶状態とする。記録薄膜材
料としては、例えばTe,In,Sb,Se等を主成分とす
る非晶質−結晶間で相変化する材料、或は異なる2種類
の結晶構造の間で可逆的に相変化をおこす物質を用いる
ことが一般的である。情報信号の記録密度を向上させる
場合には、記録・再生に用いるレーザ光の波長を短くす
る、或は対物レンズの開口数(N.A.)を大きくする等
の手段がある。
【0003】相変化記録のメリットの1つは、記録手段
として単一のレーザビームのみを用い、情報信号をオー
バライトできる点にある。すなわち、レーザー出力を記
録レベルと消去レベルの2レベル間で情報信号に応じて
変調し記録済みの情報トラック上に照射すると、既存の
情報信号を消去しつつ新しい信号を記録することが可能
である(特開昭56−145530号公報)。
【0004】一方、予め情報が記録され、その後のデー
タの書き込みや消去ができない、いわゆるROM型光学
情報記録媒体が情報処理や音楽分野で既に実用化されて
いる。この種の光学情報記録媒体は、前記のような記録
層を有さず、記録データを再生するためのピットを予め
プレス等の手段で基板の上に形成し、この上にAu,A
g,Cu,Al等の金属膜からなる反射層を形成し、さら
に反射層を保護層で覆ったものである。このROM型光
学情報記録媒体の代表的なものにCD(コンハ゜クトテ゛ィス
ク),CD−I(対話型コンハ゜クトテ゛ィスク),LD(レーサ゛テ゛ィス
ク)等があり、いずれも記録・再生の仕様等が細部にわ
たって規格化されている。
【0005】又、CD再生装置で再生可能な、追記型光
学情報記録媒体(WORM)が提案されている(例えば特開
平2ー42652号公報)。これは、有機薄膜からなる
記録層を有する記録媒体で、レーザ光照射により情報の
随時書き込み、及び再生が可能である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】既に広く普及している
ROM型の光学情報記録媒体−例えばCD,LD等−の
再生装置で再生が可能で、かつ、繰り返し書換え可能な
光学情報記録媒体、及び、これに用いる記録・再生装置
が実現できることは非常に好ましい。このような光学情
報記録媒体を相変化型光ディスクで実現することを考え
てみる。通常の書換え可能な相変化型光学情報記録媒体
では、消去状態の反射率が30%前後と低く、又、再生
信号の変調度も小さいので、そのままでは、これまでに
普及しているROM型の再生装置で再生することはでき
ない。この点を解決するには、再生波長780nmに対し
て、消去領域の反射率を70%前後と高く設定し、記録
マークに相当する記録薄膜中の非晶質領域の反射率を1
0%前後と低く設定し、信号変調度を大きくすればよ
い。
【0007】しかしこの場合、波長780nmのレーザ光
を記録・消去ビームとして用いれば、消去部における記
録薄膜の光吸収率は30%前後と、従来の70%前後か
ら半減してしまい、低記録感度な記録媒体しか実現でき
ない。このことは記録・消去光用の半導体レーザの性能
を著しく高める必要があることを意味する。
【0008】更に重要な課題は、消去領域と記録マーク
のかかれた領域における光吸収率のアンバランスであ
る。消去領域と記録マークのかかれた領域で大きく反射
率が異なるような光学的構造は、とりもなおさず、両領
域での光吸収率が大きく異なることを意味する。即ち、
オーバライト記録を行なった場合、前回、記録マークが
存在した領域と存在しなかった領域で光吸収率が異なる
ので、その上にかかれた新しい記録マークは、前の記録
マークの有無によって形が大きく歪む。すなわち消去特
性が好ましくなく、繰り返し特性にも悪影響を与える。
このように、これまで、記録・消去特性の繰り返し特性
が良好で、かつ、従来のROM再生装置で再生が可能な
光学情報記録媒体、及びそれに用いる記録・再生装置の
アイデアはこれまで提案されていない。
【0009】
【課題を解決するための手段】CD,LD等で用いられ
ている780nm近傍の波長よりも短い波長λ1 のレーザ
光を搭載した記録・再生装置と、この装置で用いる相変
化型の光学情報記録媒体との組合せからなるシステムを
用いる。具体的には、この記録・再生装置で信号を記録
・消去・再生できる光学情報記録媒体であり、記録・再
生装置で書き込まれた記録マークを波長780nmで再生
した場合には、従来のROM再生装置で再生可能な70
%前後の高反射率で、CD規格等に準拠する高変調度の
出力信号が得られるような光学的構造とする。同時に、
この光学情報記録媒体は、消去領域と記録マーク部での
光吸収率差が、波長λ1 に対する場合の方が780nmに
対する場合よりも小さく、かつ、消去部における光吸収
率が、波長λ1 に対する場合の方が780nmに対する場
合よりも大きくなるような光学的構造、すなわち2波長
対応構造とする。記録フォーマットは、所望とするRO
M型光学情報記録媒体と同一の信号フォーマットとす
る。
【0010】
【作用】2波長対応構造の光学情報記録媒体に記録した
信号は波長780nmで再生すると反射率、変調度が高い
ので、従来から用いられているROM再生装置で信号再
生が可能である。又、本発明の記録・再生システムで用
いる記録・再生装置に搭載された記録・消去・再生用の
レーザ光の波長λ1 に対しては、波長780nmに対する
場合と比べて、光吸収率が大きく、かつ、消去領域と記
録マーク領域間の光吸収差が小さいので、良好な記録・
消去の繰り返し特性が得られる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の一実施例を、図面を参照しな
がら説明する。
【0012】本発明の記録媒体の代表的な構造例を図1
に示す。記録,再生、及び消去を行うレーザ光は基板1
の側から入射させる。
【0013】基板1としては、PMMA,ポリカーボネ
ート等の樹脂或はガラス等、表面の平滑なものを用い
る。光ディスクの場合、通常基板平面8はレーザ光を導
くためにスパイラル又は同心円状の連続溝(トラッ
ク)、或はピット列等の凹凸で覆われている。
【0014】保護層2,4,9の材料は、物理的・化学
的に安定、すなわち記録材料の融点よりも、融点及び軟
化温度が高く、かつ記録材料と相固溶しないことが望ま
しい。例えば、Al2O3,SiOx,Ta2O5,MoO3,W
O3,ZrO2,ZnS,AlNx,BN,SiNx,TiN,
ZrN,PbF2,MgF2等の誘電体或はこれらの適当な
組み合わせからなる。保護層は誘電体や透明である必要
はない。例えば可視光線及び赤外線に対して光吸収性を
もつZnTeで形成してもよい。又、保護層2,4を異な
る材料で形成すると、熱的及び光学的なディスク設計の
自由度が大きくなる利点がある。もちろん同一材料で形
成してもよい。
【0015】記録薄膜3は、結晶状態と非晶質状態との
間で可逆的に構造変化をおこす物質、例えばTe又はI
n,Se等を主成分とする相変化材料からなる。よく知ら
れた相変化材料の主成分としては、Te-Sb-Ge,Te-
Ge,Te-Ge-Sn,Te-Ge-Sn-Au,Sb-Se,Sb-T
e,Sb-Se-Te,In-Te,In-Se,In-Se-Tl,In
-Sb,In-Sb-Se,In-Se-Te等が挙げられる。これ
らの薄膜は通常、非晶質状態で成膜されるが、レーザ光
等のエネルギーを吸収して結晶化し、光学定数(屈折率
n、消衰係数k)が変化する。
【0016】反射層5は、Au,Al,Cu,Ni,Fe,
Cr等の金属元素、或はこれらの合金からなり、記録薄
膜への光吸収効率を高める働きをする。しかし、例えば
記録薄膜3の膜厚を厚くして光吸収効率を高める工夫を
することによって、反射層6を設けない構成とすること
も可能である。或は、記録薄膜と保護層を交互に複数回
積み重ねた構成とすることにより、記録薄膜1層あたり
の膜厚が薄くても、全体として光吸収効率を高めること
もできる。
【0017】保護基板7は、樹脂をスピンコートした
り、基板と同様の樹脂板、ガラス板、或は金属板等を接
着剤6を用いて貼り合わせることによって形成する。さ
らには、2組の記録媒体を中間基板或は反射層を内側に
して接着剤を用いて貼り合わせることにより、両面から
記録,再生、消去可能な構造としてもよい。
【0018】記録薄膜,保護層,結晶化制御層は、通
常、電子ビーム蒸着法,スパタリング法,イオンプレー
ティング法,CVD法,レーザスパタリング法等によっ
て形成される。
【0019】記録薄膜3の厚さは、記録薄膜3が結晶状
態にある時でも入射光線の一部が記録薄膜3を透過可能
な厚さに選ぶ。反射層5で反射されて記録薄膜3中に再
入射する成分が無くなると光の干渉効果が小さくなり、
第2の誘電体薄膜層4ならびに反射層5の膜厚を多少変
化させても媒体全体の光学行路長、反射率、記録薄膜で
の吸収等の制御が困難になる。
【0020】第1,第2、及び第3の保護層2,9,4
の膜厚は以下のように決定される。まず、各層を構成す
る物質の複素屈折率を通常の方法(例えばガラス板上に
薄膜を形成し、その膜厚と反射率、透過率の測定値を元
に計算する方法、あるいはエリプソメーターを使う方
法)で求める。次に、記録薄膜3および反射層5の厚さ
を固定した上でマトリクス法(例えば久保田広著「波動
光学」岩波書店、1971年、第3章を参照)によって
第1,第2、及び第3の保護層の膜厚を計算により求め
る。具体的には、各層の膜厚を仮定して表面を含む全て
の界面に対してエネルギー保存則に基づき光エネルギー
の収支を計算する。即ち、多層媒体での各界面について
このエネルギー収支の方程式をたて、得られた連立方程
式を解くことで、任意の波長の入射光(実際には、情報
を再生するのに用いる波長λ)に対する光学行路長、透
過光の強度、反射光の強度ならびに各層での吸収量を求
めることができる。記録薄膜が結晶状態にある時とアモ
ルファス状態にある時のいずれの場合についても上記計
算を行うことにより、波長λの再生光に対して、未記録
領域(通常結晶状態をあてる)と記録マーク領域(通常
非晶質状態をあてる)の反射光の位相差、両領域間の反
射率変化ΔR、記録層における両領域の吸収差等を知る
ことができる。本発明では、2つの波長λ1,λ2(λ2
は780nm)、但しλ1<λ2 に対して、以下の光学特
性をいずれも満足するような構造を選ぶ。 1)波長λ1 に対して未記録部の反射率は20%以上,
50%以下。 2)波長λ1 に対して未記録部と記録マーク部の反射率
差は10%以上、30%以下。 3)波長λ2 に対して未記録部の反射率は55%以上。 4)波長λ2 に対して未記録部と記録マーク部の反射率
差は40%以上。
【0021】一実施例として、記録薄膜3が、オーバラ
イト記録が可能なGe43Sb8Te493元系材料薄膜を用い
た場合について本実施例を説明する。形成法としては、
Ge、Sb、Teの3つの蒸発源を用いた電子ビーム共蒸
着法を用いた。記録薄膜は非晶質状態で成膜される。石
英ガラス基板上に上記組成の記録薄膜を蒸着し、各波長
での光学定数(複素屈折率)を測定し、さらにこれを不
活性雰囲気中で300℃で10分間熱処理して結晶状態
にして各波長で光学定数を測定した。熱処理によって得
られる結晶状態の光学定数は、レーザ光の照射によって
得られる結晶状態の光学定数とほぼ等しいことを確認し
ている。各波長における光学定数の測定結果を(表1)
に示す。
【0022】
【表1】
【0023】基材として予め幅1.5μm・深さ62nmの
溝トラックを形成した暑さ1.2mm・直径120mmのP
C(ポリカーボネート樹脂、屈折率1.58)板上を用
いた。この基板上に保護層2,保護層9,記録層3,保
護層4,反射層5を順次、電子ビーム蒸着法でそれぞれ
成膜し、さらに保護基板7として同じPC円盤を接着剤
6ではりあわせた(図1)構造をもつ光記録媒体を形成
する。保護層2、及び保護層4はともに、ZnS-20mol%
SiO2、保護層9はSiO2、反射層5はAuでそれぞれ
形成した。各層を形成する薄膜の光学定数を測定したと
ころ(表2)の結果が得られた。
【0024】
【表2】
【0025】(表1)、(表2)のデータから各層の膜
厚を変化させた時に、記録媒体全体の反射率、光吸収率
を計算することにより、最適な膜厚構成を求めることが
できる。計算には各層の複素屈折率を膜厚からマトリク
ス法を用いた。又、基板1と保護基板7は無限大の膜厚
をもつものとして(基板−空気界面、及び保護基板−空
気界面の効果を無視)、反射率Rは基板側から入射した
光の強度と反射して基板中に出射してくる光の強度との
比率として求めた。又、光吸収率は各界面での光のエネ
ルギー収支より求めることができる。
【0026】ここで、2つの波長λ1,λ2(λ2は78
0nm)、但しλ1<λ2 に対して、以下の光学特性をい
ずれも満足するような構造を探した。 1)波長λ1 に対して未記録部の反射率は20%以上,
50%以下。 2)波長λ1 に対して未記録部と記録マーク部の反射率
差は10%以上、30%以下。 3)波長λ2 に対して未記録部の反射率は55%以上。 4)波長λ2 に対して未記録部と記録マーク部の反射率
差は40%以上。
【0027】波長λ1 として680nmを想定し、又、波
長λ2 に780nmをあてて最適構造を探索の結果、解の
1つとして、保護層2,保護層9,記録層3,保護層
4,反射層5の膜厚がそれぞれ93nm,120nm,1
7.5nm,12nm,50nmとなる場合が得られた(構造
1)。上記構造の記録媒体において、保護層2の膜厚の
みを変化させた場合の、保護層2の膜厚と非晶質、及び
結晶状態における光反射率の関係を図2に示す。図2よ
り、保護層2の膜厚がおよそ90nmの時に先に示した4
条件をすべて満たすことがわかる。この計算に基づいて
サンプルを作製し、分光光度計を用いて各波長における
光学特性を実測した。その測定結果を(表3)に示す。
但し、結晶状態は不活性雰囲気中で300℃で10分間
熱処理して得た。又、基板界面での反射率分は差し引い
ている。(表3)から、ほぼ設計どおりの記録媒体がで
きていることがわかる。
【0028】
【表3】
【0029】この記録媒体を線速度6m/sで回転さ
せ、波長680nmの半導体レーザ光を開口数0.45の
レンズ系で絞って、溝トラックにトラッキング制御をか
けながら照射した。焦点は、記録薄膜から故意に1μm
ずらした。まず、記録薄膜面上で6.5mWの連続出力
でレーザ光を照射し、トラック上の記録薄膜を一様に結
晶化させた。このトラック上にレーザ光出力を11mW
と5mWの間で3.3MHzで変調させながら照射して
記記録薄膜を部分的に非晶質化させてマークを形成し記
録を行なった。さらに1mWの連続出力(再生パワー)
を照射してその反射光をフォトディテクターで検出し、
得られた再生信号をスペクトラムアナライザーで測定し
たところCN比53dB(周波数分解能30kHz、以下同
様)が得られた。このトラックにさらに同じパワーで
0.92MHzに変調した信号を記録し、新たな信号を
オーバライトした。この状態で再生信号を測定したとこ
ろ、3.3MHzにおけるCN比22dBが得られた。記録
状態の再生信号のCN比と消去状態の消し残り再生信号
の差を消去率と定義するとこの場合の消去率は−25dB
となる。両周波数を交互に繰返して記録した場合のCN
比、及び消去率を測定したが1000回の繰り返し記録
での変化は、それぞれ2dB以下にとどまった。次に線速
6m/s、波長680nm、記録周波数3.3MHzで記録
したトラックを線速度1.3m/sにおとして、波長7
80nm、開口数0.45の光ピックアップを用いて、ジ
ャストフォーカスで再生した。線速度1.3m/sはC
Dの規格内の線速度で、この時、先に記録した記録マー
クの間隔は1.8μm、周波数にすると0.72MHz
(CD規格における3T信号の周波数と同等)となる。
周波数0.72MHzでのCN比は52dBであった。
【0030】次に、未記録のトラックに波長780nmの
レーザを用いて、線速度、記録パワー等を変えて1.8
μm周期の信号を記録して、その記録・消去・繰り返し
特性を調べた。その結果、最高の記録・消去特性を示し
た場合でも、最初の1回目の記録マークのCN比は53
dBを越えたが、1回目の消去率は18dBしかなかった。
又、100回の繰り返し記録で、1.8μm周期の信号
のCN比の低下を3dB以下の減少にとどめおくような記
録条件(線速度、パワー、レーザ光の焦点位置等)は存
在しなかった。これでは繰り返し記録可能な記録媒体と
しては用をなさない。 このことは、 1)波長680nmでは、非晶質−結晶間の反射率差が小
さい(実測で26%)、すなわち記録薄膜での光吸収率
差が小さい(実測、及び計算結果から類推すると26
%)ので、良好な消去・繰り返し特性が得られる、 2)波長780nmでは、非晶質−結晶間の反射率差が大
きい(実測で49%)、すなわち記録薄膜での光吸収率
差が大きい(実測、及び計算結果から類推すると49
%)ので、良好な消去・繰り返し特性が得られない、と
して説明ができる。実際には、このように、記録薄膜が
非晶質と結晶の場合の光吸収率の差を議論すべきである
が、記録薄膜での光吸収率を実測するのは困難である。
但し、記録媒体の透過率が小さく、反射層における光吸
収率が小さい場合には、各状態の記録薄膜における光吸
収率は、およそ (100−反射率)% で表現できるので、光吸収率の差を、反射率の差と置き
換えることは妥当である。
【0031】ここで、波長680nmで記録・消去する場
合にレーザ光の焦点を記録薄膜上に合わせずに若干故意
にずらす理由について説明する。波長680nmでジャス
トフォーカスで記録すると記録マーク幅が狭くなり、波
長780nmで再生した場合に十分な振幅変調度がとれず
に、信号再生のエラーが著しく増加するからである。波
長λ1 (ここでは680nm)で記録しても幅広の記録マ
ークを形成することを検討した結果、レーザ光の焦点を
電気的に手段を用いてずらす、或は、開口率の小さい
(4.5より小)対物レンズを用いる、或は、対物レン
ズの開口制限を行なって実質的な開口数を低下させる方
法、或はこれらの組合せが効果的であった。このとき、
780nm、開口数4.5でジャストフォーカスで記録さ
せた場合と同等、あるいはそれ以上の幅で記録マークが
形成できれば望ましい。
【0032】次に音楽情報をCDエンコーダーを用い
て、CDフォーマットとなるように波長680nmで上記
記録媒体に記録した。これを種々の市販のCD再生装置
で再生することを試みた。その結果、約6割のCD再生
装置では音楽情報を再生できたが、残りの装置では再生
が困難であった。これは、CD規格で定められた反射率
70%〜90%に達していないからと考えられる。しか
し、とりあえずは、市販のCD再生装置で再生が可能
な、しかも別の波長を用いれば繰り返し記録も可能な光
学情報記録媒体ができることは確認できた。
【0033】そこで、更に反射率の高い相変化型光学情
報記録媒体の設計を行なった。波長λ1 として630nm
を想定し、又、波長λ2 に780nmをあてて最適構造を
探索の結果、解の1つとして、保護層2,保護層9,記
録層3,保護層4,反射層5の膜厚がそれぞれ100n
m,120nm,25nm,12nm,50nmとなる場合が得
られた(構造2)。上記構造の記録媒体において、保護
層2の膜厚のみを変化させた場合、保護層2の膜厚と非
晶質、及び結晶状態における光反射率の関係を図3に示
す。図3より、保護層2の膜厚がおよそ100nmの時に
先に示した4条件をすべて満たすことがわかる。この計
算に基づいてサンプルを作製し、分光光度計を用いて各
波長における光学特性を実測した。その測定結果を(表
4)に示す。但し、結晶状態は不活性雰囲気中で300
℃で10分間熱処理して得た。又、基板界面での反射率
分は差し引いている。(表4)から、ほぼ設計どおりの
記録媒体ができていることがわかる。
【0034】
【表4】
【0035】この(構造2)の記録媒体は、前述の(構
造1)に比べて、波長780nmに対する未記録部(記録
薄膜が結晶状態の領域)の反射率がさらに大きく、ほと
んど70%に近い値となっているので、(構造1)に比
べて、さらにCDの再生装置等、市販のROM再生装置
での再生互換のとれる割合が増加するであろうことが予
想される。この場合、波長680nmでは、未記録部にお
ける記録薄膜の光吸収率が50%以下となっているの
で、媒体の感度不足のため、現有の評価装置では、十分
な記録・消去特性の測定ができなかった。しかし、半導
体レーザの出力向上は日進月歩であるので、近い将来、
克服できる問題であり、原理的な障害となるものではな
い。或は波長λ1 に630nmを選べばより光吸収率が高
いので、680nmの半導体レーザを用いるよりも小さい
出力で記録が可能であることが予想される。ここでは、
(構造2)の記録媒体に直接波長780nm、開口率4.
5のピックアップを用いて、ジャストフォーカスで、線
速度6.0m/sで、CDフォーマット信号を記録して
みた。最適記録パワーで記録した信号は、ほとんどの市
販のCD再生装置で再生が可能であった。ただし、この
場合は、消去特性は好ましくない。これは、波長780
nmでは、非晶質−結晶間の反射率差が大きい(実測で4
5%)、すなわち記録薄膜での光吸収率差が大きい(実
測、及び計算結果から類推すると45%)ので、良好な
消去・繰り返し特性が得られない、として説明ができ
る。波長680nm、この場合、より好ましくは波長63
0nmで記録・消去した場合には、より良好な記録・消去
の繰り返し特性が得られることが容易に予想される。
【0036】このように、基本的に波長780nmで再生
できる程度の密度で、より波長の短かい信号を記録・再
生するのだから、波長λ1 のレーザの収差、ノイズ等へ
の要求はさほど大きくなく、又、対物レンズの開口率も
小さくてよいので、安価に光学系を組み立てることがで
きるという利点がある。
【0037】これまで、説明してきた光学情報記録媒体
の構造、各層の材料組成、記録・消去のための波長λ
1 、記録方法等は、あくまでも一実施例にすぎない。光
学特性さえ所望の値が得られるならば、記録薄膜と基板
の間の保護層を1層ですましてもよいし、或は3層以上
の複数層で構成しても何等問題はない。記録薄膜と反射
層の間の保護層についても同じことが言える。記録薄膜
の材料組成に要求されるのは、良好な記録・消去の繰り
返し特性等である。波長λ1 は適当に選んでよいし、
又、記録線速度も、光学情報記録媒体に最も適した値を
選択すればよい。ROM再生装置との互換性を高めるに
は、波長λ2 における未記録部の反射率をできるだけ高
く、又、反射率差ができるだけ大きくなるような構造に
すれはよい。種々検討した結果、波長λ2 における未記
録部の反射率が58%以上、反射率差が40%以上あれ
ば、概ね現在市販されているCD再生装置の半数以上で
再生が可能であったし、70%以上の反射率、50%以
上の反射率差であればほとんどのCD再生装置で再生が
可能であった。又、波長λ1 における未記録部の反射率
が20%以上、反射率差が15%以上あれば、十分な再
生信号が得られた。しかし、未記録部の反射率が大きす
ぎると記録感度が落ちるので、少なくとも50%以下の
反射率(50%以上の吸収率)、望むらくは40%以下
の反射率であればよい。又、反射率差も大きすぎる(す
なわち、記録薄膜での光吸収差が大きすぎる)と消去特
性が劣化するので、反射率差は30%以下であることが
望ましいこともわかった。
【0038】又、記録フォーマットは、CDフォーマッ
トに限らず、LDフォーマット等、各種ROMの記録情
報媒体に合わせることが可能である。これは、すでに市
販、或は実用化されているROMの記録情報媒体に限定
することはなく、将来実用化されるROMの光学情報記
録媒体のフォーマットでもかまわない。当然、その場
合、波長λ2 は780nmに限定されるとは限らない。
【0039】さらに、本発明の光学情報記録媒体と、そ
の記録・消去・再生装置の組合せにおいて、高密度記録
モード、低密度記録モードを併せ持った構成にすること
も可能である。これは、低密度記録モードで記録する場
合は、所望のROM記録情報媒体再生装置で再生可能な
フォーマットで記録し、高密度記録モードでは、λ1
λ2 を利用して、より高密度に記録を行なうという方法
である。この場合、高密度記録・消去・再生用の記録媒
体と、従来のROM規格に準拠した記録の低密度記録・
消去・再生専用の記録媒体の2種類を用意するのではな
く、同一の媒体で、2つのモードの記録・消去・再生に
対応することができる。相対的に低密度で記録するモー
ドの場合には、レーザ光の焦点を電気的に手段を用いて
ずらす、或は、より開口率の小さい(4.5より小)対
物レンズに切り替える、或は、対物レンズの開口制限を
行なって実質的な開口数を低下させる方法、或はこれら
の組合せが効果的である。低密度記録モードの場合、7
80nm、開口数4.5でジャストフォーカスで記録させ
た場合と同等、あるいはそれ以上の幅で記録マークが形
成できるように記録するとよい。
【0040】
【発明の効果】2波長対応構造の光学情報記録媒体に記
録した信号は波長780nmで再生すると反射率、変調度
が高いので、従来から用いられているROM再生装置で
信号再生が可能である。又、本発明の記録・再生システ
ムで用いる記録・再生装置に搭載された記録・消去・再
生用のレーザ光の波長λ1 に対しては、波長780nmに
対する場合と比べて、光吸収率が大きく、かつ、消去領
域と記録マーク領域間の光吸収差が小さいので、良好な
記録・消去の繰り返し特性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の記録媒体の構造を示す断面図
【図2】本発明の実施例の(構造1)の記録媒体におい
て、記録媒体を構成する第1の保護層の膜厚と記録媒体
の反射率の関係を示す特性図
【図3】本発明の実施例の(構造2)の記録媒体におい
て、記録媒体を構成する第1の保護層の膜厚と記録媒体
の反射率の関係を示す特性図
【符号の説明】
1 基板 2 第1の保護層 3 記録薄膜 4 第3の保護層 5 反射層 6 接着層 7 保護基板 8 基板平面 9 第2の保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−292630(JP,A) 特開 平5−109113(JP,A) 特開 平5−120727(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 7/24 G11B 7/00

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】所定の波長λ1 のレーザ光の照射によって
    情報を記録・再生する装置に用いる光学情報記録媒体で
    あって、 前記光学情報記録媒体は、基板と、基板上に少なくとも
    保護層と、レーザ光の照射によって相変化を生じて光学
    定数(複素屈折率)の異なる状態へと移り得る記録薄膜
    とを設えてなり、 前記光学情報記録媒体の、波長λ1 に対する未記録部の
    反射率R10と、レーザ光の照射によって形成された記録
    マークの波長λ1 に対する反射率R11が、それぞれ、 20%≦R10≦50%、 15%≦(R10−R11)≦3
    0%、 であり、かつ波長λ1 よりも長い波長λ2 に対する未記
    録部の反射率R20と、レーザ光の照射によって形成され
    た記録マークの波長λ2 に対する反射率R21が、それぞ
    れ、 58%≦R20、 40%≦(R20−R21) であることを特徴とする光学情報記録媒体。
  2. 【請求項2】波長λ2 が780nmであることを特徴とす
    る請求項1記載の光学情報記録媒体。
  3. 【請求項3】70%≦R20、 50%≦(R20−R21
    であることを特徴とする請求項1記載の光学情報記録媒
    体。
  4. 【請求項4】基板と、基板上に少なくとも保護層と、レ
    ーザ光の照射によって相変化を生じて光学定数(複素屈
    折率)の異なる状態へと移り得る記録薄膜とを設えてな
    る光学情報記録媒体に、波長λ1 のレーザ光を対物レン
    ズを通して照射することによって記録薄膜を部分的に変
    化させて情報の記録を行い、変化量を光学的に検知して
    情報の再生を行なう光学情報記録再生方法において、 前記光学情報記録媒体が、波長λ1 に対する未記録部の
    反射率R10と、レーザ光の照射によって形成された記録
    マークの波長λ1 に対する反射率R11が、それぞれ、 20%≦R10≦50%、 15%≦(R10−R11)≦3
    0%、 であり、かつ波長λ1 よりも長い波長λ2 に対する未記
    録部の反射率R20と、レーザ光の照射によって形成され
    た記録マークの波長λ2 に対する反射率R21が、それぞ
    れ、 58%≦R20、 40%≦(R20−R21) であり、 情報の記録時に、記録薄膜上のレーザ光の有効ビーム径
    が、レーザ波長λ1 と前記対物レンズの開口数から一義
    的に決まる最小ビーム径よりも大きくなるようにレーザ
    光を照射することを特徴とする光学情報記録再生方法。
  5. 【請求項5】基板と、基板上に少なくとも保護層と、レ
    ーザ光の照射によって相変化を生じて光学定数(複素屈
    折率)の異なる状態へと移り得る記録薄膜とを設えてな
    る光学情報記録媒体に、波長λ1 のレーザ光を対物レン
    ズを通して照射することによって記録薄膜を部分的に変
    化させて情報の記録を行い、変化量を光学的に検知して
    情報の再生を行なう光学情報記録再生方法において、 前記光学情報記録媒体が、波長λ1 に対する未記録部の
    反射率R10と、レーザ光の照射によって形成された記録
    マークの波長λ1 に対する反射率R11が、それぞれ、 20%≦R10≦50%、 15%≦(R10−R11)≦3
    0%、 であり、かつ波長λ1 よりも長い波長λ2 に対する未記
    録部の反射率R20と、レーザ光の照射によって形成され
    た記録マークの波長λ2 に対する反射率R21が、それぞ
    れ、 58%≦R20、 40%≦(R20−R21) であって、 上記、対物レンズの開口数が4.5よりも小さいことを
    特徴とする光学情報記録再生方法。
  6. 【請求項6】波長λ2 が780nmであることを特徴とす
    る請求項4または5記載の光学情報記録再生方法。
  7. 【請求項7】コンパクトディスクと同等の記録フォーマ
    ットで情報を記録することを特徴とする請求項4または
    5記載の光学情報記録再生方法。
  8. 【請求項8】基板と、基板上に少なくとも保護層と、レ
    ーザ光の照射によって相変化を生じて光学定数(複素屈
    折率)の異なる状態へと移り得る記録薄膜とを設えてな
    る光学情報記録媒体に、波長λ1 のレーザ光を対物レン
    ズを通して照射することによって記録薄膜を部分的に変
    化させて情報の記録を行い、変化量を光学的に検知して
    情報の再生を行なう光学情報記録再生方法において、 前記光学情報記録媒体が、波長λ1 に対する未記録部の
    反射率R10と、レーザ光の照射によって形成された記録
    マークの波長λ1 に対する反射率R11が、それぞれ、 20%≦R10≦50%、 15%≦(R10−R11)≦3
    0%、 であり、かつ波長λ1 よりも長い波長λ2 に対する未記
    録部の反射率R20と、レーザ光の照射によって形成され
    た記録マークの波長λ2 に対する反射率R21が、それぞ
    れ、 58%≦R20、 40%≦(R20−R21) であって、 上記、対物レンズの開口数を実質的に大小2段階に切り
    替える手段をもち、実質開口数を大きくした場合には相
    対的に高密度で信号を記録し、開口数を小さくした場合
    には相対的に低密度で信号を記録することを特徴とする
    光学情報記録再生方法。
  9. 【請求項9】波長λ2 が780nmで、相対的に低密度記
    録する場合にはコンパクトディスクと同等の記録フォー
    マットで情報を記録することを特徴とする請求項8記載
    の光学情報記録再生方法。
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