JPH04263134A - 光学記録媒体およびその記録再生方法 - Google Patents
光学記録媒体およびその記録再生方法Info
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- JPH04263134A JPH04263134A JP3023631A JP2363191A JPH04263134A JP H04263134 A JPH04263134 A JP H04263134A JP 3023631 A JP3023631 A JP 3023631A JP 2363191 A JP2363191 A JP 2363191A JP H04263134 A JPH04263134 A JP H04263134A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学記録媒体およびそ
の記録再生方法、特に、レーザービーム等により情報を
高密度・大容量で記録・再生できる光ディスク，光カー
ド等の光学記録媒体およびその記録再生方法に関する。
の記録再生方法、特に、レーザービーム等により情報を
高密度・大容量で記録・再生できる光ディスク，光カー
ド等の光学記録媒体およびその記録再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザービーム等により情報を媒体に記
録しかつ再生する光ディスク等の光学記録メモリーは、
記録密度が高いことから大容量記録装置として優れた特
徴を有している。この光学記録媒体としては最初にタン
タルと鉛が使用された｛サイエンス（Ｓｃｉｅｎｃｅ）
１５４，１５５０，（１９６６）｝。その後、種々の材
料，種々の構成の光学記録媒体が開発された。その代表
的な光学記録媒体を図２に従来の一例として示す。
録しかつ再生する光ディスク等の光学記録メモリーは、
記録密度が高いことから大容量記録装置として優れた特
徴を有している。この光学記録媒体としては最初にタン
タルと鉛が使用された｛サイエンス（Ｓｃｉｅｎｃｅ）
１５４，１５５０，（１９６６）｝。その後、種々の材
料，種々の構成の光学記録媒体が開発された。その代表
的な光学記録媒体を図２に従来の一例として示す。
【０００３】図２に示す光学記録媒体は、基板１の上に
ＡｌＣｒの反射膜２２が設けられ、その上にＳｉＯ２
の透明干渉膜２３，プラズマ重合膜のトリガー膜２４，
Ｃｒのピット形成膜２５が順次積層されている。記録再
生用光ビーム６は通常波長８３０ｎｍ前後の半導体レー
ザーが用いられ基板１を通さずに記録膜側から記録膜に
およそφ１．４μｍに絞られて照射される。基板１とし
てはポリカーボネイト樹脂板やフォトポリマーのついた
アクリル板やフォトポリマーのついたガラス板等が用い
られ、通常案内溝が設けられている。
ＡｌＣｒの反射膜２２が設けられ、その上にＳｉＯ２
の透明干渉膜２３，プラズマ重合膜のトリガー膜２４，
Ｃｒのピット形成膜２５が順次積層されている。記録再
生用光ビーム６は通常波長８３０ｎｍ前後の半導体レー
ザーが用いられ基板１を通さずに記録膜側から記録膜に
およそφ１．４μｍに絞られて照射される。基板１とし
てはポリカーボネイト樹脂板やフォトポリマーのついた
アクリル板やフォトポリマーのついたガラス板等が用い
られ、通常案内溝が設けられている。
【０００４】情報を記録するときには、記録したい情報
に対応させて高パワーの光照射を行なうことによりピッ
ト形成膜２５に光エネルギーを吸収させ、それを熱エネ
ルギーに変換させ昇温させる。このとき下層のトリガー
膜２４も昇温し、これが分解することにより上層のピッ
ト形成膜２５にピットを形成する。したがって高パワー
の光が照射されてピットが形成された部分は反射膜２２
からの反射光がそのまま戻ってくるので反射率としては
高くなる。情報の読出（再生）は低いパワーの光を照射
することによる反射光が記録部では大きくなることを検
出することによる。
に対応させて高パワーの光照射を行なうことによりピッ
ト形成膜２５に光エネルギーを吸収させ、それを熱エネ
ルギーに変換させ昇温させる。このとき下層のトリガー
膜２４も昇温し、これが分解することにより上層のピッ
ト形成膜２５にピットを形成する。したがって高パワー
の光が照射されてピットが形成された部分は反射膜２２
からの反射光がそのまま戻ってくるので反射率としては
高くなる。情報の読出（再生）は低いパワーの光を照射
することによる反射光が記録部では大きくなることを検
出することによる。
【０００５】このような光学記録媒体およびその記録再
生方法は、記録前の吸収率変化量を大きくすることがで
きるので、しかも記録前後の反射率変化量を大きくとる
ことができるので、記録感度がよくしかも読出信号振幅
も大きくできるという長所を有している。
生方法は、記録前の吸収率変化量を大きくすることがで
きるので、しかも記録前後の反射率変化量を大きくとる
ことができるので、記録感度がよくしかも読出信号振幅
も大きくできるという長所を有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな上述した従来の光学記録媒体およびその記録再生方
法は、光学記録媒体に浮遊性の塵埃が付着するとその部
分が記録不良や読出不良になり問題となるという欠点が
ある。
うな上述した従来の光学記録媒体およびその記録再生方
法は、光学記録媒体に浮遊性の塵埃が付着するとその部
分が記録不良や読出不良になり問題となるという欠点が
ある。
【０００７】本発明の光学記録媒体およびその記録再生
方法は記録部の反射率が増大するという記録再生方式を
維持したまま基板を通して光を照射することが可能にな
るので浮遊性の塵埃による記録不良や読出不良の問題の
ないものを提供することを目的とする。
方法は記録部の反射率が増大するという記録再生方式を
維持したまま基板を通して光を照射することが可能にな
るので浮遊性の塵埃による記録不良や読出不良の問題の
ないものを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の光学記録媒体は
、基板上に形成された記録膜に光を照射することにより
情報の記録・再生を行なう光学記録媒体であって、前記
記録膜が少なくとも第１の透明干渉膜，相変化膜，第２
の透明干渉膜，反射膜を備え、かつ前記第１の透明干渉
膜と前記第２の透明干渉膜とはＺｎＳとＳｉＯ２ との
混合物で混合物中のＳｉＯ２ の存在率は１０モル％以
上２０モル％未満であり、かつ前記相変化膜はＧｅ２
Ｓｂ２ Ｔｅ５ の化合物組成であり、かつ前記反射膜
はＡｌＴｉ合金であり、それぞれの膜の厚さは第１の透
明干渉膜が５５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲，相変化膜が４ｎ
ｍ〜１５ｎｍの範囲，第２の透明干渉膜が８０ｎｍ〜１
００ｎｍの範囲，反射膜が３５ｎｍ〜８５ｎｍの範囲に
設定されて構成される。
、基板上に形成された記録膜に光を照射することにより
情報の記録・再生を行なう光学記録媒体であって、前記
記録膜が少なくとも第１の透明干渉膜，相変化膜，第２
の透明干渉膜，反射膜を備え、かつ前記第１の透明干渉
膜と前記第２の透明干渉膜とはＺｎＳとＳｉＯ２ との
混合物で混合物中のＳｉＯ２ の存在率は１０モル％以
上２０モル％未満であり、かつ前記相変化膜はＧｅ２
Ｓｂ２ Ｔｅ５ の化合物組成であり、かつ前記反射膜
はＡｌＴｉ合金であり、それぞれの膜の厚さは第１の透
明干渉膜が５５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲，相変化膜が４ｎ
ｍ〜１５ｎｍの範囲，第２の透明干渉膜が８０ｎｍ〜１
００ｎｍの範囲，反射膜が３５ｎｍ〜８５ｎｍの範囲に
設定されて構成される。
【０００９】本発明の光学記録媒体の記録再生方法は基
板上に、ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物で混合物中のＳ
ｉＯ２ の存在率が１０モル％以上２０モル％未満で厚
さが５５ｎｍ〜７５ｎｍの第１の透明干渉膜とＧｅ２
Ｓｂ２ Ｔｅ５ の化合物組成で厚さが４ｎｍ〜１５ｎ
ｍの相変化膜とＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物で混合物
中のＳｉＯ２ の存在率が１０モル％以上２０モル％未
満で厚さが８０ｎｍ〜１００ｎｍの第２の透明干渉膜と
ＡｌＴｉ合金で厚さが３５ｎｍ〜８５ｎｍの反射膜とが
少なくとも積層され、記録すべき領域の相変化膜はあら
かじめ結晶状態、であるようにした光学記録媒体を用い
、記録したい情報に対応させて高パワーの光照射を基板
を通して行なうことにより、高パワー光照射部の反射率
を高パワー光照射前の反射率よりも高くすることにより
記録するように構成される。
板上に、ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物で混合物中のＳ
ｉＯ２ の存在率が１０モル％以上２０モル％未満で厚
さが５５ｎｍ〜７５ｎｍの第１の透明干渉膜とＧｅ２
Ｓｂ２ Ｔｅ５ の化合物組成で厚さが４ｎｍ〜１５ｎ
ｍの相変化膜とＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物で混合物
中のＳｉＯ２ の存在率が１０モル％以上２０モル％未
満で厚さが８０ｎｍ〜１００ｎｍの第２の透明干渉膜と
ＡｌＴｉ合金で厚さが３５ｎｍ〜８５ｎｍの反射膜とが
少なくとも積層され、記録すべき領域の相変化膜はあら
かじめ結晶状態、であるようにした光学記録媒体を用い
、記録したい情報に対応させて高パワーの光照射を基板
を通して行なうことにより、高パワー光照射部の反射率
を高パワー光照射前の反射率よりも高くすることにより
記録するように構成される。
【００１０】
【作用】本発明の光学記録媒体は、基板と、ＺｎＳとＳ
ｉＯ２ との混合物で混合物中のＳｉＯ２ の存在率が
１０モル％以上２０モル％未満で厚さが５５ｎｍ〜７５
ｎｍの第１の透明干渉膜と、Ｇｅ２ Ｓｂ２ Ｔｂ５
の化合物組成で厚さが４ｎｍ〜１５ｎｍの相変化膜と、
ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物で混合物中のＳｉＯ２
の存在率が１０モル％以上２０モル％未満で厚さが８０
ｎｍ〜１００ｎｍの第２の透明干渉膜と、ＡｌＴｉ合金
で厚さが３５ｎｍ〜８５ｎｍの反射膜とで構成される。
ｉＯ２ との混合物で混合物中のＳｉＯ２ の存在率が
１０モル％以上２０モル％未満で厚さが５５ｎｍ〜７５
ｎｍの第１の透明干渉膜と、Ｇｅ２ Ｓｂ２ Ｔｂ５
の化合物組成で厚さが４ｎｍ〜１５ｎｍの相変化膜と、
ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物で混合物中のＳｉＯ２
の存在率が１０モル％以上２０モル％未満で厚さが８０
ｎｍ〜１００ｎｍの第２の透明干渉膜と、ＡｌＴｉ合金
で厚さが３５ｎｍ〜８５ｎｍの反射膜とで構成される。
【００１１】記録および再生用の光ビームは基板を通し
て入射され、記録膜でおよそφ１．４μｍに集光される
。光ビームの光源としては通常波長８３０ｎｍ前後の半
導体レーザーが用いられる。相変化膜は成膜直後は通常
非晶状態になっているので、アニール処理を行なうこと
により記録前の状態としては結晶状態にあらかじめして
おく。
て入射され、記録膜でおよそφ１．４μｍに集光される
。光ビームの光源としては通常波長８３０ｎｍ前後の半
導体レーザーが用いられる。相変化膜は成膜直後は通常
非晶状態になっているので、アニール処理を行なうこと
により記録前の状態としては結晶状態にあらかじめして
おく。
【００１２】このようにされた光学記録媒体に「１」と
「０」との任意の並びからなる２値情報を記録するとき
には、「１」に対応させて高パワーの光照射を行なうこ
とにより、「１」を記録したい部分の相変化膜は融解後
急冷されるようにし、非晶状態になるようにする。この
ように記録前の結晶状態から記録後に非晶状態にするた
めには、第１および第２の透明干渉膜の熱伝導率・比熱
・密度・膜厚と反射膜の熱伝導率・比熱・密度・膜厚と
相変化膜の材料組成と膜厚を最適化しなければ実現でき
ないものである。
「０」との任意の並びからなる２値情報を記録するとき
には、「１」に対応させて高パワーの光照射を行なうこ
とにより、「１」を記録したい部分の相変化膜は融解後
急冷されるようにし、非晶状態になるようにする。この
ように記録前の結晶状態から記録後に非晶状態にするた
めには、第１および第２の透明干渉膜の熱伝導率・比熱
・密度・膜厚と反射膜の熱伝導率・比熱・密度・膜厚と
相変化膜の材料組成と膜厚を最適化しなければ実現でき
ないものである。
【００１３】また、記録前の結晶状態から記録後に相変
化膜が非晶状態になることにより媒体の反射率が増大す
るようにするためには、第１および第２の透明干渉膜の
屈折率・膜厚と反射膜の屈折率・消衰係数・膜厚と相変
化膜の結晶状態の屈折率・消衰係数と非晶状態の屈折率
・消衰係数と膜厚を最適化しなければ実現できない。
化膜が非晶状態になることにより媒体の反射率が増大す
るようにするためには、第１および第２の透明干渉膜の
屈折率・膜厚と反射膜の屈折率・消衰係数・膜厚と相変
化膜の結晶状態の屈折率・消衰係数と非晶状態の屈折率
・消衰係数と膜厚を最適化しなければ実現できない。
【００１４】また、記録再生信号の品質も相変化膜の物
性のみならず透明干渉膜や反射膜の膜物性により大きく
異なるのでこの観点からも最適化が必要である。
性のみならず透明干渉膜や反射膜の膜物性により大きく
異なるのでこの観点からも最適化が必要である。
【００１５】さらにまた、高温高湿度環境での長時間保
存性の観点からも透明干渉膜，相変化膜，反射膜の材料
を最適化しなければならない。
存性の観点からも透明干渉膜，相変化膜，反射膜の材料
を最適化しなければならない。
【００１６】本発明の光学記録媒体は、明確な指導原理
をもっていないが、種々の実験を行なった結果到達した
ものである。
をもっていないが、種々の実験を行なった結果到達した
ものである。
【００１７】相変化膜がＧｅ１ Ｓｂ２ Ｔｅ４ の場
合には高温状態での保存特性がＧｅ２ Ｓｂ２ Ｔｅ５
よりもよくなく、同じ特性の光学記録媒体を安定に作製
することができないので、Ｇｅ２ Ｓｂ２ Ｔｅ５ の
相変化膜が望ましい。
合には高温状態での保存特性がＧｅ２ Ｓｂ２ Ｔｅ５
よりもよくなく、同じ特性の光学記録媒体を安定に作製
することができないので、Ｇｅ２ Ｓｂ２ Ｔｅ５ の
相変化膜が望ましい。
【００１８】第１および第２の透明干渉膜としてはＺｎ
ＳとＳｉＯ２ との混合物で混合物中のＳｉＯ２ の存
在率は１０モル％以上２０モル％未満が望ましい。混合
物中のＳｉＯ２ の存在率が１０モル％未満の場合は膜
表面の平坦性が悪いのでノイズが大きく望ましくない。 一方、２０モル％以上の場合は膜表面は平坦で良好であ
るが、屈折率が２．０以下と小さくなるので望ましくな
い。
ＳとＳｉＯ２ との混合物で混合物中のＳｉＯ２ の存
在率は１０モル％以上２０モル％未満が望ましい。混合
物中のＳｉＯ２ の存在率が１０モル％未満の場合は膜
表面の平坦性が悪いのでノイズが大きく望ましくない。 一方、２０モル％以上の場合は膜表面は平坦で良好であ
るが、屈折率が２．０以下と小さくなるので望ましくな
い。
【００１９】反射膜としてはＡｌＴｉ合金膜が望ましい
。Ａｌ膜では高温高湿度環境に長時間保存すると腐食が
発生し問題である。
。Ａｌ膜では高温高湿度環境に長時間保存すると腐食が
発生し問題である。
【００２０】ＡｕおよびＡｕＰｄ等の合金膜ではこの腐
食の問題は発生しないが、膜の接着力が充分でないのが
問題である。
食の問題は発生しないが、膜の接着力が充分でないのが
問題である。
【００２１】なお、本発明の光学記録媒体の記録メカニ
ズムは主には相変化膜が結晶状態から非晶状態に変化す
ることであるが、第２の透明干渉膜や反射膜がわずかに
変形することによってもいっこうにかまわない。
ズムは主には相変化膜が結晶状態から非晶状態に変化す
ることであるが、第２の透明干渉膜や反射膜がわずかに
変形することによってもいっこうにかまわない。
【００２２】
【実施例】次に、本発明の実施例について、図面を用い
て説明する。
て説明する。
【００２３】図１は本発明の一実施例を示す概略断面図
である。
である。
【００２４】図１に示す光学記録媒体は、フォトポリマ
ーにより案内溝が形成されている直径３００ｍｍ，厚さ
１．１８ｍｍのガラス製ディスクの基板１をスパッタ装
置内に載置し、１×１０−６Ｔｏｒｒ以下に真空排気し
た後、フォトポリマー層をおよそ５ｎｍ程度逆スパッタ
した後、ＺｎＳスパッタターゲット上にＳｉＯ２ チッ
プを置くという複合スパッタターゲットを用いてＺｎＳ
とＳｉＯ２ との混合物で厚さが６５ｎｍの透明干渉膜
２を形成した。この透明干渉膜２の中のＳｉＯ２ の存
在率を後でＲＢＳ（ラザフォード・バック・スキャッタ
リング）法で測定したところ１５モル％であった。
ーにより案内溝が形成されている直径３００ｍｍ，厚さ
１．１８ｍｍのガラス製ディスクの基板１をスパッタ装
置内に載置し、１×１０−６Ｔｏｒｒ以下に真空排気し
た後、フォトポリマー層をおよそ５ｎｍ程度逆スパッタ
した後、ＺｎＳスパッタターゲット上にＳｉＯ２ チッ
プを置くという複合スパッタターゲットを用いてＺｎＳ
とＳｉＯ２ との混合物で厚さが６５ｎｍの透明干渉膜
２を形成した。この透明干渉膜２の中のＳｉＯ２ の存
在率を後でＲＢＳ（ラザフォード・バック・スキャッタ
リング）法で測定したところ１５モル％であった。
【００２５】次に、Ｇｅ２ Ｓｂ２ Ｔｅ５ のスパッ
タターゲットを用いて１０ｎｍ厚の相変化膜３を形成し
た。この相変化膜３の組成は後でＩＣＰ法で測定したと
ころ、スパッタターゲット組成とほぼ同じであった。
タターゲットを用いて１０ｎｍ厚の相変化膜３を形成し
た。この相変化膜３の組成は後でＩＣＰ法で測定したと
ころ、スパッタターゲット組成とほぼ同じであった。
【００２６】次に、透明干渉膜２の形成のときと同様に
して厚さが９０ｎｍの透明干渉膜４を形成し、次にＡｌ
Ｔｉスパータターゲット（Ｔｉの含有量は１重量％）を
用いて４０ｎｍ厚の反射膜５を形成した後スパッタ装置
から大気中に取出した。
して厚さが９０ｎｍの透明干渉膜４を形成し、次にＡｌ
Ｔｉスパータターゲット（Ｔｉの含有量は１重量％）を
用いて４０ｎｍ厚の反射膜５を形成した後スパッタ装置
から大気中に取出した。
【００２７】その後この反射膜５の上にＵＶ硬化樹脂（
図示せず）をスピンコートし、ＵＶ照射することにより
ＵＶ硬化樹脂を硬化させ厚さおよそ９μｍの保護膜とし
た。
図示せず）をスピンコートし、ＵＶ照射することにより
ＵＶ硬化樹脂を硬化させ厚さおよそ９μｍの保護膜とし
た。
【００２８】しかる後、このような２枚のディスクを記
録膜が内側になるようにホットメルトで貼合せた。
録膜が内側になるようにホットメルトで貼合せた。
【００２９】これを媒体線速度５．６５ｍ／ｓｅｃ一定
で楕円ビームを照射することによりディスク全域の相変
化膜３を結晶状態にそろえることにより初期化を行ない
、光学記録媒体を作製した。
で楕円ビームを照射することによりディスク全域の相変
化膜３を結晶状態にそろえることにより初期化を行ない
、光学記録媒体を作製した。
【００３０】このようにして作製した図１に示す光学記
録媒体を回転させ、記録再生用ビーム６として波長８３
０ｎｍの半導体レーザー光を基板１を通して記録膜に約
φ１．４μｍに絞って照射した。トラッキング・サーボ
およびフォーカシング・サーボ用にも用いる再生ビーム
パワーは１．５ｍＷとした。
録媒体を回転させ、記録再生用ビーム６として波長８３
０ｎｍの半導体レーザー光を基板１を通して記録膜に約
φ１．４μｍに絞って照射した。トラッキング・サーボ
およびフォーカシング・サーボ用にも用いる再生ビーム
パワーは１．５ｍＷとした。
【００３１】線速度８．０１ｍ／ｓｅｃで、記録周波数
６．２８ＭＨｚの信号をパルス幅５０ｎｓｅｃで１０ｍ
Ｗの記録パワーで記録したところ、記録後の反射率が増
大するという記録モードで５８ｄＢという良好なＣ／Ｎ
が得られた。記録周波数３．１４ＭＨｚの信号を同様に
して記録しても、記録後の反射率が増大するという記録
モードでＣ／Ｎは６１ｄＢという良好な値が得られた。
６．２８ＭＨｚの信号をパルス幅５０ｎｓｅｃで１０ｍ
Ｗの記録パワーで記録したところ、記録後の反射率が増
大するという記録モードで５８ｄＢという良好なＣ／Ｎ
が得られた。記録周波数３．１４ＭＨｚの信号を同様に
して記録しても、記録後の反射率が増大するという記録
モードでＣ／Ｎは６１ｄＢという良好な値が得られた。
【００３２】この光学記録媒体を８０℃９０％の高温高
湿度環境に５００Ｈ保存した後でも腐食や剥離はなく、
Ｃ／Ｎ等の信号品質も良好であり、実用に供せることが
確認された。
湿度環境に５００Ｈ保存した後でも腐食や剥離はなく、
Ｃ／Ｎ等の信号品質も良好であり、実用に供せることが
確認された。
【００３３】なお、図１に示した光学記録媒体に比べて
各膜の材質は同じで膜厚のみを表１のようにかえた比較
例１〜７に示す光学記録媒体を作製し、図１に示す実施
例と同様に記録再生特性を測定したところ、表１の右欄
に記した不具合理由に記載したように、実用に供せる光
学記録媒体ではなかった。
各膜の材質は同じで膜厚のみを表１のようにかえた比較
例１〜７に示す光学記録媒体を作製し、図１に示す実施
例と同様に記録再生特性を測定したところ、表１の右欄
に記した不具合理由に記載したように、実用に供せる光
学記録媒体ではなかった。
【００３４】
【００３５】上述した実施例では、ＡｌＴｉからなる反
射膜の厚さを４０ｎｍとした例を示したが、これのみを
８０ｎｍにかえ、他は同様にした他の実施例について図
１に示す実施例と同様にして評価した。
射膜の厚さを４０ｎｍとした例を示したが、これのみを
８０ｎｍにかえ、他は同様にした他の実施例について図
１に示す実施例と同様にして評価した。
【００３６】この結果、図１に示す実施例と比べて最適
な記録パワーの値が約１ｍＷ高くなったことを除くと、
他の特性はほとんど同じで良好であった。
な記録パワーの値が約１ｍＷ高くなったことを除くと、
他の特性はほとんど同じで良好であった。
【００３７】
【発明の効果】本発明の光学記録媒体およびその記録再
生方法は、記録感度がよくかつ読出信号振幅が大きいと
いう反射率増大モード記録で、しかも浮遊性の塵埃の悪
影響がなく、かつ、高温高湿度環境での長時間保存性に
優れた光学記録が可能になるという効果がある。
生方法は、記録感度がよくかつ読出信号振幅が大きいと
いう反射率増大モード記録で、しかも浮遊性の塵埃の悪
影響がなく、かつ、高温高湿度環境での長時間保存性に
優れた光学記録が可能になるという効果がある。
【００３８】
【図１】本発明の一実施例を示す概略断面図
【図２】従
来の一例を示す概略断面図
来の一例を示す概略断面図
１ 基板
２，４，２３ 透明干渉膜
３ 相変化膜
５，２２ 反射膜
６ 記録再生用光ビーム
２４ トリガー膜
２５ ピット形成膜
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に形成された記録膜に光を照射
することにより情報の記録・再生を行なう光学記録媒体
において、前記記録膜が少なくとも第１の透明干渉膜，
相変化膜，第２の透明干渉膜，反射膜を備え、かつ前記
第１の透明干渉膜と前記第２の透明干渉膜とはＺｎＳと
ＳｉＯ２ との混合物で混合物中のＳｉＯ２ の存在率
は１０モル％以上２０モル％未満であり、かつ前記相変
化膜はＧｅ２ Ｓｂ２ Ｔｅ５ の化合物組成であり、
かつ前記反射膜はＡｌＴｉ合金であり、それぞれの膜の
厚さは第１の透明干渉膜が５５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲，
相変化膜が４ｎｍ〜１５ｎｍの範囲，第２の透明干渉膜
が８０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲，反射膜が３５ｎｍ〜８
５ｎｍの範囲に設定されていることを特徴とする光学記
録媒体。 - 【請求項２】 基板上にＺｎＳとＳｉＯ２ との混合
物で混合物中のＳｉＯ２ の存在率が１０モル％以上２
０モル％未満で厚さが５５ｎｍ〜７５ｎｍの第１の透明
干渉膜とＧｅ２ Ｓｂ２ Ｔｅ５ の化合物組成で厚さ
が４ｎｍ〜１５ｎｍの相変化膜とＺｎＳとＳｉＯ２との
混合物で混合物中のＳｉＯ２ の存在率が１０モル％以
上２０モル％未満で厚さが８０ｎｍ〜１００ｎｍの第２
の透明干渉膜とＡｌＴｉ合金で厚さが３５ｎｍ〜８５ｎ
ｍの反射膜とが少なくとも積層され、記録すべき領域の
相変化膜はあらかじめ結晶状態であるようにした光学記
録媒体を用い、記録したい情報に対応させて高パワーの
光照射を基板を通して行なうことにより、高パワー光照
射部の反射率を高パワー光照射前の反射率よりも高くす
ることにより記録することを特徴とする光学記録媒体の
記録再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3023631A JP2940176B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 光学記録媒体およびその記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3023631A JP2940176B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 光学記録媒体およびその記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04263134A true JPH04263134A (ja) | 1992-09-18 |
| JP2940176B2 JP2940176B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=12115935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3023631A Expired - Fee Related JP2940176B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 光学記録媒体およびその記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2940176B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07272322A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Nec Corp | 情報光記録媒体 |
-
1991
- 1991-02-19 JP JP3023631A patent/JP2940176B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07272322A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Nec Corp | 情報光記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2940176B2 (ja) | 1999-08-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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