JPH05189803A - 追記形光記録媒体およびその記録再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 反射率増大モード記録で、浮遊性塵あいの悪
影響がなく、高温多湿環境での保存性の良好な追記形光
記録媒体および記録再生方法を提供する。 【構成】 基板１上に、ＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物か
ら成る第一の透明干渉層２、Ｇｅ2 ＳｂX Ｔｅ5 （2.0
＜X ＜3.0 ）の活性記録層３、ＺｎＳとＳｉＯ2との混
合物から成る第二の透明干渉層４、ＡｕＣｕの反射層５
をこの順に積層し、且つ、これら各層２、３、４、５の
厚みを、夫々200 〜1000、50〜120 、700〜1100、200
〜2000オングストロームとし、活性記録層は結晶状態に
する。このようにして作製した媒体に高パワーのレーザ
ー光６を基板１を通して照射し、照射部の反射率を照射
前より高くして記録・再生を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光により情報
の記録（書込）・再生（読出）を行う光ディスク等の追
記形光記録媒体およびその記録再生方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】追記形光記録媒体は、記録密度が高いこ
とから大容量記憶装置として優れた特徴を有している。
この追記形光記録媒体としては、当初はＴａとＰｂが用
いられていた［サイエンス（Science ）１５４、１５５
０、（1966）］が、その後、数々の材料、層構造のもの
が開発された。

【０００３】図２は従来の代表的な追記形光記録媒体の
層構造を示す概略断面図であり、基板１の上にＡｌＣｒ
の反射層２２が設けられ、その上にＳｉＯ2 の透明干渉
層２３、プラズマ重合前のトリガ層２４、Ｃｒの活性記
録層２５が順に積層されている。 基板１としてはポリ
カーボネイト樹脂板や、フォトポリマーのついたガラス
板やフォトポリマーのついたアクリル樹脂板が用いら
れ、この基板１には、トラッキング・サーボ用に案内溝
や案内ピットが一般に形成されている。

【０００４】記録および再生用のレーザー光６は、基板
１を通さずに活性記録層側から入射され、活性記録層の
近傍でおよそφ１. ４［μｍ］になるようにフォーカシ
ング・サーボにより集光される。レーザー光源としては
波長８３００オングストローム前後の半導体レーザーが
用いられる。

【０００５】情報を記録するときには、記録したい情報
に対応させて高パワーのレーザー光を照射することによ
り、活性記録層２５にレーザー光のエネルギーを吸収さ
せ、それを熱エネルギーに変換させ、昇温させる。この
とき、下層のトリガ層２４も昇音し、これが分解するこ
とにより上層の活性記録層２５に記録マークである記録
ピットが形成される。この高パワーが照射されて記録ピ
ットが形成された部分は、反射層２２からの反射光がそ
のまま戻ってくるので、反射率は高くなる。

【０００６】情報の再生（読出）は、低パワーのレーザ
ー光を移動させながら記録マークに照射することによ
り、記録マークのあるところからの反射光が大きくなる
ことを検出することによる。

【０００７】このような追記形光記録媒体は、記録前の
活性記録層での吸収率を大きくすることができ、しかも
記録前後の反射率の変化量を大きくすることができるの
で、記録感度が良く、しかも再生信号振幅も大きくでき
るとう長所を有している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
層構造の追記形光記録媒体では、追記形光記録媒体に浮
遊性の塵あいが付着するとその部分近傍が記録不良や再
生不良になる問題があった。

【０００９】本発明はかかる問題点を解決することがで
きる追記形光記録媒体およびその記録再生方法を提供す
ることを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の追記形光記録媒
体は、基板上に第一の透明干渉層と活性記録層と第二の
透明干渉層と反射層とをこの順に少なくとも形成し、レ
ーザー光を基板を通して活性記録層に集束して照射する
ことにより情報の記録を行なうとともに、レーザー光を
前記基板を通して前記活性記録層に集束して移動させな
がら照射することにより情報の再生を行うようにしたも
のであって、前記第一及び第二の透明干渉層はＺｎＳと
ＳｉＯ2 との混合物の膜であり、前記活性記録層はＧｅ
2 Ｓｂ2Ｔｅ5 の化合物組成の膜またはＧｅ2 ＳｂX Ｔ
ｅ5 （2.0 ＜X ＜3.0 ）からなるＳｂリッチの膜であ
り、前記反射層はＡｕＣｕ合金の膜であり、且つ、各層
の厚さは、第一の透明干渉層が２００オングストローム
ないし１０００オングストローム、活性記録層が５０オ
ングストロームないし１２０オングストローム、第二の
透明干渉層が７００オングストロームないし１１００オ
ングストローム、反射層が２００オングストロームない
し２０００オングストロームの範囲に設定されているこ
とを特徴とする。

【００１１】また、本発明の追記形光記録媒体の記録再
生方法は、基板上にＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物の膜で
厚さが２００オングストロームないし１０００オングス
トロームの第一の透明干渉層と、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 の
化合物組成の膜またはＧｅ2ＳｂX Ｔｅ5 （2.0 ＜X ＜
3.0 ）の膜で厚さが５０オングストロームないし１２０
オングストロームの活性記録層と、ＺｎＳとＳｉＯ2 と
の混合物の膜で厚さが７００オングストロームないし１
１００オングストロームの第二の透明干渉層と、ＡｕＣ
ｕ合金の膜で厚さが２００オングストロームないし２０
００オングストロームの反射層とがこの順に少なくとも
積層され、記録すべき領域の活性記録層は、予め結晶状
態であるようにした光記録媒体を用い、且つ、記録した
い情報に対応させて所定パワーのレーザー光を基板を通
して照射することにより情報の記録・再生を行う方法で
あって、前記レーザー光照射部の反射率を照射前の反射
率よりも高くして記録することを特徴とする。

【００１２】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。

【００１３】図１は本発明の一実施例に係る追記形光記
録媒体の層構造を示す概略断面図であり、基板１上にＺ
ｎＳとＳｉＯ2 との混合物の膜からなる第一の透明干渉
層２を設け、その上に、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 の化合物組
成の膜からなる活性記録層３を設け、その上にＺｎＳと
ＳｉＯ2 との混合物の膜からなる第二の透明干渉層４を
設け、そしてその上にＡｕＣｕ合金の反射層５をこの順
に設けたものである。

【００１４】追記形光記録媒体は、図１のような層構造
のままで、レーザー光を基板１を通して入射することに
より情報の記録・再生を行う場合もあるが、反射層５の
上にホットメルト剤を塗布することにより、図１の層構
造の追記形光記録媒体二組を各基板１が外側になるよう
に貼合わせて記録・再生を行う場合もある。このとき、
反射層５の上にはＵＶ硬化樹脂のオーバーコートを行っ
てから貼合わせることもある。また、他の保護層を設け
てから貼合わせることもある。

【００１５】また、図１の層構造の追記形光記録媒体二
組を基板１が外側、反射層５が内側になるようにして空
気間隙を内側に設けるというエアサンドイッチ構造で貼
合わせて記録・再生を行う場合もある。このとき、反射
層５の上にはＵＶ硬化樹脂のオーバーコートを行った
り、他の保護層を設けてからエアサンドイッチ構造で貼
併せる場合もある。

【００１６】記録・再生用のレーザー光は、基板１を通
して入射し、活性記録層３の近傍で、およそφ１．４
［μｍ］になるようにフォーカシング・サーボにより集
光される。レーザー光源としては波長８３００オングス
トローム前後の半導体レーザーが用いられる。

【００１７】基板１としては、ポリカーボネイト樹脂
板、フォトポリマーのついたガラス板、あるいはフォト
ポリマーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１
には、トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを
形成しておくことが望ましい。

【００１８】活性記録層３は、成膜直後は非晶状態にな
っているので、アニール処理を行い、記録前の状態とし
て予め結晶状態にしておく。

【００１９】このようにされた追記形光記録媒体に、
「１」と「０」の二値情報を記録するときは、「１」に
対応させて高パワーのレーザー光を照射することによ
り、「１」を記録したい部分の活性記録層３は融解後急
冷されるようにして非晶状態になるようにする。

【００２０】このように、記録前の結晶状態から記録後
に非晶状態にするためには、第一および第二の透明干渉
層２、４の熱伝導率・比熱・密度・屈折率・膜厚と、活
性記録層３の材料組成・膜厚と、反射層５の熱伝導率・
比熱・密度・複素屈折率・膜厚とを最適化しなければ実
現できないものである。

【００２１】また、記録前の結晶状態から記録後に活性
記録層３が非晶状態になることにより媒体の反射率が増
大するようにするためには、第一および第二の透明干渉
層２、４の屈折率・膜厚と、反射層５の複素屈折率・膜
厚と、活性記録層３の結晶状態の複素屈折率・非晶状態
の複素屈折率・膜厚とを最適化しなければ実現できな
い。

【００２２】記録再生信号の品質も活性記録層３の物性
のみならず、第一および第二の透明干渉層２、４、反射
層５の膜物性にも大きく依存するので、この観点からも
最適化が必要である。

【００２３】更にまた、高温多湿環境での長時間保存性
の観点からも、第一および第二の透明干渉層２、４、活
性記録層３、反射層５の材料を最適化しなければならな
い。

【００２４】本発明に係る追記形光記録媒体は、明確な
指導原理に基づいてなされたものではないが、種々の実
験を行った結果、以下に述べるような優れた効果が得ら
れたものである。

【００２５】活性記録層３の材料がＧｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4
の場合には、高温状態での保存性がＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5
よりも良くなく、同じ特性の追記形光記録媒体を安定に
作製できないので、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 の化合物組成の
膜であることが望ましい。

【００２６】なお、光記録媒体再生装置を安価にするた
めには、再生信号振幅の大きな光記録媒体が望ましい。
光記録媒体の再生信号振幅を大きくするためには、活性
記録層をＧｅ2 ＳｂX Ｔｅ5 （2.0 ＜X ＜3.0 ）という
Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 化合物組成からＳｂリッチの膜にし
た光記録媒体の方が望ましいが、この場合には安定に製
造することがやや困難になる点に留意する。

【００２７】第一および第二の透明干渉層２、４として
は、ＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物の膜で、屈折率が２．
２前後の膜が望ましい。

【００２８】反射層５にはＡｕＣｕ合金の膜が望まし
い。これは、反射率が高いことと、ＺｎＳとＳｉＯ2 と
の混合物の膜との付着性が良いこと、更には、耐酸化性
に優れるためである。

【００２９】なお、本発明の追記形光記録媒体の記録メ
カニズムは、主には活性記録層３が結晶状態から非晶状
態に変化することであるが、第二の透明干渉層４や反射
層５に膜変形が生じても一向に構わない。

【００３０】次に本実施例の具体例について、図１を用
いて説明する。 ［第一具体例］フォトポリマーによって案内溝が形成さ
れている直径３０５．５［ｍｍ］、厚さ１．１８［ｍ
ｍ］のガラスディスクを基板１とし、これをスパッタ装
置内に載置し、１×１０-6［Ｔｏｒｒ］以下に真空排気
した後、フォトポリマー層をおよそ２オングストローム
程度逆スパッタし、しかる後、ＺｎＳとＳｉＯ2 との混
合物（ＳｉＯ2 の含有率は１７モル％）の焼結ターゲッ
トをアルゴンガスでスパッタすることにより、６００オ
ングストローム厚のＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物の第一
の透明干渉層２を設けた。

【００３１】次に、Ｇｅ2 Ｓｂ2.5 Ｔｅ5 ターゲットを
アルゴンガスでスパッタすることで、８０オングストロ
ーム厚のＧｅ2 Ｓｂ2.5 Ｔｅ5 の活性記録層３を形成し
た。

【００３２】更に、ＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物（Ｓｉ
Ｏ2 の含有量は１７モル％）の焼結ターゲットをアルゴ
ンガスでスパッタすることにより、９５０オングストロ
ーム厚のＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物の第二の透明干渉
層４を設けた。

【００３３】その上にＡｕＣｕ（Ｃｕの含有率は１０重
量％）ターゲットをアルゴンガスでスパッタすることに
より、５００オングストローム厚のＡｕＣｕの反射層５
を設け、図１のような層構造のディスクを形成した。

【００３４】その後、スパッタ装置からこのディスクを
大気中に取り出した。そして、このようにして得た二枚
のディスクを、基板１が外側、各膜が内側になるように
してエアサンドイッチ構造で貼合わせた。これを媒体線
速度５［ｍ／ｓｅｃ］一定で楕円形状のレーザー光を楕
円の半分が１回転後に重なるように送りながら照射する
ことにより、情報を記録すべきディスク領域の活性記録
層３を結晶状態に揃えるという初期化を行い、追記形光
記録媒体を作製した。

【００３５】この追記形光記録媒体を媒体線速度８．０
１［ｍ／ｓｅｃ］で回転させ、波長８３００オングスト
ロームの半導体レーザー光を基板１を通して活性記録層
３上でおよそφ１．４［μｍ］に絞って照射した。トラ
ッキング・サーボおよびフォーカシング・サーボにも用
いる再生パワーは１．５［ｍＷ］とした。記録周波数
６．２８［ＭＨｚ］の信号をパルス幅５０［ｎｓｅ
ｃ］、記録パワー１０［ｍＷ］で記録を行ったところ、
記録後の反射率が増大するというモードで５２［ｄＢ］
のＣ／Ｎが得られ、記録感度が良く、且つ信号品質も良
い追記形光記録媒体であることが確認された。

【００３６】この追記形光記録媒体を８０［℃］、８０
［％］の高温多湿環境に５００時間保存した後でも酸化
や剥離はなく、実用に供せる追記形光記録媒体であるこ
とが確認された。 ［第二具体例］フォトポリマーによって案内溝が形成さ
れている直径３０５．５［ｍｍ］、厚さ１．１８［ｍ
ｍ］のガラスディスクを基板１とし、これをスパッタ装
置内に載置し、１×１０-6［Ｔｏｒｒ］以下に真空排気
した後、フォトポリマー層をおよそ２オングストローム
程度逆スパッタし、しかる後、ＺｎＳとＳｉＯ2 との混
合物（ＳｉＯ2 の含有率は１７モル％）の焼結ターゲッ
トをアルゴンガスでスパッタすることにより、３００オ
ングストローム厚のＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物の第一
の透明干渉層２を設けた。

【００３７】次に、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 ターゲットをア
ルゴンガスでスパッタすることで、８０オングストロー
ム厚のＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 の活性記録層３を形成した。

【００３８】更に、ＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物（Ｓｉ
Ｏ2 の含有量は１７モル％）の焼結ターゲットをアルゴ
ンガスでスパッタすることにより、８５０オングストロ
ーム厚のＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物の第二の透明干渉
層４を設けた。

【００３９】その上にＡｕＣｕ（Ｃｕの含有率は１０重
量％）ターゲットをアルゴンガスでスパッタすることに
より、３００オングストローム厚のＡｕＣｕの反射層５
を設け、図１のような層構造のディスクを形成した。

【００４０】その後、スパッタ装置から大気中に取り出
した。次に、この反射層５の上にＵＶ硬化樹脂をスピン
コートし、ＵＶ照射することによりＵＶ硬化樹脂の９．
５［μｍ］厚の機械的保護膜を形成し、このような二枚
のディスクを、基板１が外側、各膜が内側になるように
してエアサンドイッチ構造で貼合わせた。これを媒体線
速度４［ｍ／ｓｅｃ］一定で楕円形状のレーザー光を楕
円の半分が１回転後に重なるように送りながら照射する
ことにより、情報を記録すべきディスク領域の活性記録
層３を結晶状態に揃えるという初期化を行い、追記形光
記録媒体を作製した。

【００４１】この追記形光記録媒体を媒体線速度８．０
１［ｍ／ｓｅｃ］で回転させ、波長８３００オングスト
ロームの半導体レーザー光を基板１を通して活性記録層
３上でおよそφ１．４［μｍ］に絞って照射した。トラ
ッキング・サーボおよびフォーカシング・サーボにも用
いる再生パワーは１．５［ｍＷ］とした。記録周波数
６．２８［ＭＨｚ］の信号をパルス幅５０［ｎｓｅ
ｃ］、記録パワー１０［ｍＷ］で記録を行ったところ、
記録後の反射率が増大するというモードで４９［ｄＢ］
のＣ／Ｎが得られ、記録感度が良く、且つ信号品質も良
い追記形光記録媒体であることが確認された。

【００４２】この追記形光記録媒体を８０［℃］、８０
［％］の高温多湿環境に５００時間保存した後でも酸化
や剥離はなく、実用に供せる追記形光記録媒体であるこ
とが確認された。 ［第三具体例］第二具体例と同様にして、第一の透明干
渉層２の膜厚を３００オングストローム、活性記録層３
の膜厚を１００オングストローム、第二の透明干渉層４
の膜厚を８００オングストローム、反射層５の膜厚を３
００オングストロームの追記形光記録媒体を作製した。

【００４３】そして、第二具体例と同様な要領で記録・
再生特性と耐候性とを評価したところ、実用に供せる追
記形光記録媒体であることが確認された。 ［第四具体例］第二具体例と同様にして第一の透明干渉
層２の膜厚を７００オングストローム、活性記録層３の
膜厚を８０オングストローム、第二の透明干渉層４の膜
厚を１０００オングストローム、反射層５の膜厚を４０
０オングストロームの追記形光記録媒体を作製した。

【００４４】そして、第二具体例と同様な要領で記録・
再生特性と耐候性とを評価したところ、実用に供せる追
記形光記録媒体であることが確認された。 ［第五具体例］第一具体例と同様にして第一の透明干渉
層２の膜厚を６００オングストローム、活性記録層３の
膜厚を８０オングストローム、第二の透明干渉層４の膜
厚を１０００オングストローム、反射層５の膜厚を６０
０オングストロームの追記形光記録媒体を作製した。

【００４５】そして、第一具体例と同様な要領で記録・
再生特性と耐候性とを評価したところ、実用に供せる追
記形光記録媒体であることが確認された。 ［第六具体例］第一具体例と同様にして第一の透明干渉
層２の膜厚を６００オングストローム、活性記録層３の
膜厚を８０オングストローム、第二の透明干渉層４の膜
厚を９００オングストローム、反射層５の膜厚を６００
オングストロームの追記形光記録媒体を作製した。

【００４６】そして、第一具体例と同様な要領で記録・
再生特性と耐候性とを評価したところ、実用に供せる追
記形光記録媒体であることが確認された。 ［第七具体例］第一具体例と同様にして第一の透明干渉
層２の膜厚を６００オングストローム、活性記録層３の
膜厚を８０オングストローム、第二の透明干渉層４の膜
厚を９５０オングストローム、反射層５の膜厚を４００
オングストロームの追記形光記録媒体を作製した。

【００４７】そして、第一具体例と同様な要領で記録・
再生特性と耐候性とを評価したところ、実用に供せる追
記形光記録媒体であることが確認された。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の追記形光
記録媒体では、成膜直後は非晶状態になっている活性記
録層にアニール処理を行い、記録前の状態として予め結
晶状態にしておくとともに、二値情報を記録するときは
高パワーのレーザー光を照射することにより記録したい
部分が融解後急冷されるようにして非晶状態になるよう
にしたので、媒体の反射率が従来よりも更に増大する効
果がある。

【００４９】また、活性記録層をＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 化
合物組成からなる膜で形成することで、浮遊性の塵あい
の悪影響がなく、且つ、高温多湿環境での保存性に優
れ、且つ同じ特性の媒体を安定に作製できる効果があ
る。

【００５０】なお、この活性記録層をＧｅ2 ＳｂX Ｔｅ
5 （2.0 ＜X ＜3.0 ）というＳｂリッチの膜にすること
で再生信号振幅の大きな光記録媒体が得られ、光記録媒
体再生装置が安価になる効果がある。

【００５１】また、第一および第二の透明干渉層をＺｎ
ＳとＳｉＯ2 との混合物の膜で形成するとともに、反射
層５をＡｕＣｕ合金の膜で形成したので、反射率が高
く、且つ膜間の付着性と耐酸化性に優れる効果があり、
高温多湿環境での情報の長時間保存と記録再生信号の高
品質化が図れるようになった。

【００５２】更にまた、本発明の追記形光記録媒体の記
録再生方法によれば、記録感度が良く、再生信号振幅が
大きいという反射率増大モード記録で、しかも、浮遊性
の塵あいの悪影響がなく、且つ、高温多湿環境での長時
間保存性に優れた光記録が可能になる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る追記形光記録媒体の層
構造を示す概略断面図である。

【図２】従来の追記形光記録媒体の層構造を示す概略断
面図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 第一の透明干渉層 ３、２５ 活性記録層 ４ 第二の透明干渉層 ５、２２ 反射層 ６ 記録再生用レーザー光 ２３ 透明干渉層 ２４ トリガー層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１１ 7215−5Ｄ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に第一の透明干渉層と活性記録層
   と第二の透明干渉層と反射層とをこの順に少なくとも形
   成し、レーザー光を基板を通して活性記録層に集束して
   照射することにより情報の記録を行なうとともに、レー
   ザー光を前記基板を通して前記活性記録層に集束して移
   動させながら照射することにより情報の再生を行うよう
   にした追記形光記録媒体であって、 前記第一及び第二の透明干渉層はＺｎＳとＳｉＯ2 との
   混合物の膜であり、前記活性記録層はＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ
   5 の化合物組成の膜であり、前記反射層はＡｕＣｕ合金
   の膜であり、 且つ、各層の厚さは、第一の透明干渉層が２００オング
   ストロームないし１０００オングストローム、活性記録
   層が５０オングストロームないし１２０オングストロー
   ム、第二の透明干渉層が７００オングストロームないし
   １１００オングストローム、反射層が２００オングスト
   ロームないし２０００オングストロームの範囲に設定さ
   れていることを特徴とする追記形光記録媒体。
2. 【請求項２】 前記活性記録層をＧｅ2 ＳｂX Ｔｅ5
   （2.0 ＜X ＜3.0 ）からなるＳｂリッチの膜としたこと
   を特徴とする請求項１記載の追記形光記録媒体。
3. 【請求項３】 基板上にＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物の
   膜で厚さが２００オングストロームないし１０００オン
   グストロームの第一の透明干渉層と、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ
   5 の化合物組成の膜で厚さが５０オングストロームない
   し１２０オングストロームの活性記録層と、ＺｎＳとＳ
   ｉＯ2 との混合物の膜で厚さが７００オングストローム
   ないし１１００オングストロームの第二の透明干渉層
   と、ＡｕＣｕ合金の膜で厚さが２００オングストローム
   ないし２０００オングストロームの反射層とがこの順に
   少なくとも積層され、記録すべき領域の活性記録層は、
   予め結晶状態であるようにした光記録媒体を用い、且
   つ、記録したい情報に対応させて所定パワーのレーザー
   光を基板を通して照射することにより情報の記録・再生
   を行う方法であって、前記レーザー光照射部の反射率を
   照射前の反射率よりも高くして記録することを特徴とす
   る追記形光記録媒体の記録再生方法。
4. 【請求項４】 前記活性記録層をＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 の
   化合物組成の膜に代え、Ｇｅ2 ＳｂX Ｔｅ5 （2.0 ＜X
   ＜3.0 ）の膜で形成したことを特徴とする請求項３記載
   の追記形光記録媒体の記録再生方法。