JPH05286249A

JPH05286249A - 情報記録用媒体

Info

Publication number: JPH05286249A
Application number: JP4334606A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Nishida; 哲也西田; Motoyasu Terao; 元康寺尾; Shinkichi Horigome; 信吉堀籠
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Maxell Holdings Ltd
Priority date: 1992-02-10
Filing date: 1992-12-15
Publication date: 1993-11-02
Also published as: US5314734A

Abstract

(57)【要約】【目的】レーザ光の照射を受けて、原子配列変化により
記録が行われる情報記録媒体であって、記録・再生特性
が良好で、感度が高く、安定性の良い情報記録用媒体を
低コストで提供すること。【構成】基板１、１′と、記録用エネルギービームの照
射を受けて原子配列変化を生ずる記録層２、２′と、こ
れに隣接して設けられた、反射層３、３′とを有し、記
録層の平均組成が、Ａ_wＤ_xＳｂ_yＳｅ_z（ｗ、ｘ、ｙ及び
ｚは原子％で、０≦ｗ≦３０、３≦ｘ≦５７、３≦ｙ≦
５７、４０≦ｚ≦９０であり、ＤはＳｎ、Ｉｎ、Ｇｅ、
Ｐｂ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｇａ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕの少なくと
も一元素、ＡはＳｂ、Ｓｅ、Ｄで表される元素及び希ガ
ス以外の元素）で表される情報記録用媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光、電子線等の
記録用エネルギービームによって、映像や音声等のアナ
ログ信号をＦＭ変調したものや、電子計算機のデータ
や、ファクシミリ信号や、ディジタルオーディオ信号等
のディジタル情報をリアルタイムで記録することが可能
な情報記録用媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザ光等によって薄膜に記録を行う記
録原理は種々あるが、記録層材料の相転移（相変化とも
呼ばれる）、構成した薄膜の層間での原子の拡散及びフ
ォトダークニング等の原子配列変化による記録は、構成
した薄膜の変形をほとんど伴わないので、２枚のディス
クを直接貼り合わせた両面ディスクができるという長所
を持っている。この種の記録に関する発明は多数出願さ
れており、記録層材料の相転移に関するものは、特開昭
５７−２４０３９に、Ｓｂ₂₅Ｔｅ_12.5Ｓｅ_62.5、Ｃｄ₁₄
Ｔｅ₁₄Ｓｅ₇₂、Ｂｉ₂Ｓｅ₃、Ｓｂ₂Ｓｅ₃、Ｉｎ₂₀Ｔｅ₂₀
Ｓｅ₆₀、Ｂｉ₂₅Ｔｅ_12.5Ｓｅ_62.5、ＣｕＳｅ及びＴｅ₃₃
Ｓｅ₆₇の薄膜が述べられている。特開昭６１−１７１３
８９号公報及び特開昭６２−１８１１８９号公報にはＳ
ｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系薄膜に関する記載がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術の情報記
録媒体は、記録層組成、膜構造が最適化されていなかっ
たので、いずれの媒体でも、一回書き込み可能あるいは
書き換え可能な情報記録媒体として用いる場合に、記録
前の初期化が必要、半導体レーザ光の吸収が少なく記録
感度が悪い、再生信号強度が充分でない、再生波形の歪
みが大きい、非晶質状態の安定性が悪い等の問題があっ
た。

【０００４】本発明の目的は、記録・再生特性が良好
で、感度が高く、安定性の良い情報記録用媒体を提供す
ることにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の情報記録用媒体は、基板と、基板上に設け
られた、記録用エネルギービームの照射を受けて原子配
列変化を生ずる記録層と、記録層に対して記録用エネル
ギービームの入射側と逆の側に設けられた、記録用エネ
ルギービームを反射及び吸収する反射層とを有し、記録
層と反射層とを隣接して設け、記録層の平均組成を一般
式Ａ_wＤ_xＳｂ_yＳｅ_z （ただし、ｗ、ｘ、ｙ及びｚは、原子パーセントでそれ
ぞれ０≦ｗ≦３０、３≦ｘ≦５７、３≦ｙ≦５７、４０
≦ｚ≦９０の範囲の値であり、Ｄは、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇ
ｅ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｇａ、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕの内
の少なくとも一元素を表し、Ａは、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｄで表
される元素及び希ガス以外の元素を表す）で表される材
料で構成する。

【０００６】さらに、本発明の情報記録用媒体は、基板
と、基板上に設けられた、記録用エネルギービームの照
射を受けて原子配列変化を生ずる記録層と、記録層に対
して記録用エネルギービームの入射側と逆の側に設けら
れた、記録用エネルギービームを反射及び吸収する反射
層とを有し、記録層と反射層とを隣接して設け、記録用
エネルギービームの照射を受けて、記録層から反射層へ
又は反射層から記録層への原子移動の少なくとも一方が
生じるように構成し、かつ、記録層は、少なくともＳｂ
とＳｅを含む材料で、反射層は、所望の熱伝導率以下の
値を持つ材料で構成する。この情報記録用媒体において
も、記録層の平均組成は、一般式Ａ_wＤ_xＳｂ_yＳｅ_z （ただし、ｗ、ｘ、ｙ及びｚは、原子パーセントでそれ
ぞれ０≦ｗ≦３０、３≦ｘ≦５７、３≦ｙ≦５７、４０
≦ｚ≦９０の範囲の値であり、Ｄは、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇ
ｅ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｇａ、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕの内
の少なくとも一元素を表し、Ａは、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｄで表
される元素及び希ガス以外の元素を表す）で表される材
料とすることが好ましい。

【０００７】本発明において、記録層や反射層の平均組
成とは膜厚方向の平均組成をいう。また、記録層の平均
組成を表す一般式のＡは、例えば、Ｔｅ、Ｓ、Ｏ、Ａ
ｓ、Ｐ、Ｎ、Ｃ、Ｔｌ、Ａｌ、Ｂ、遷移金属元素、アル
カリ金属元素、アルカリ土類金属元素、ハロゲン元素等
の内の少なくとも一元素である。

【０００８】本発明のいずれの情報記録媒体において
も、上記一般式のＡで表される元素がＴｅ、Ｔｌ及び希
土類元素以外の他の元素を少なくとも含むときは、他の
元素の合計の量は２０原子パーセント以下であることが
好ましい。また、Ａで表される元素がＴｌを少なくとも
含むときは、Ｔｌの量は１５原子パーセント以下である
ことが好ましい。

【０００９】本発明のいずれの情報記録媒体において
も、記録層に隣接して形成した反射層に関しては、単体
での再生光に対する反射率が３０％以上と十分にあれ
ば、金属、半金属及び半導体が使用可能である。ただ
し、上記反射層における光吸収率が、記録層と積層した
状態で２０％以上のもの及び、２７３Ｋにおける熱伝導
率が０．３Ｗ／（ｃｍ・ｄｅｇ）以下のもののうち、少
なくともどちらか一方を満足する反射層を用いれば、記
録感度が良好となる。さらに、上記の条件を両方満足す
る、平均組成が一般式、Ｅ_hＳｂ_iＢｉ_j（ただし、ｈ、
ｉ、ｊは、原子パーセントでそれぞれ０≦ｈ≦３０、３
５≦ｉ≦９５、５≦ｊ≦６５の範囲の値であり、ＥはＳ
ｂ及びＢｉ以外の金属、半金属、及び半導体元素を表
す）で表される薄膜を用いると、記録感度及び耐酸化性
が特に良好となる。

【００１０】本発明の情報記録媒体では、記録層と反射
層とが隣接すること、即ち、記録層と反射層との間に何
らの中間層をも形成しないことにより、情報記録媒体の
記録感度が良好となり、製造コストを安価にすることが
できる。

【００１１】本発明の情報記録媒体中の記録層及び反射
層では膜厚方向の平均組成が上記の範囲内に有れば膜厚
方向に組成が変化していてもよい。ただし、組成の変化
は不連続的でない方がより好ましい。

【００１２】

【作用】本発明の情報記録媒体では原子配列変化として
相転移（１つの相から他の相への転移）と原子の拡散
（構成した層の層間での原子の拡散）の両方が起こりう
る。例えば、反射層として記録層に隣接してＢｉ含有量
の多いＳｂ−Ｂｉ合金系を用いる場合には、相転移の他
に反射層からのＢｉ原子の拡散が同時に起こる。また、
反射層として記録層に隣接してＳｂ含有量の多いＳｂ−
Ｂｉ合金系を用いる場合には、主に相転移が起こる。原
子の拡散が起こる場合は、情報記録媒体を追記型として
用いる時に、記録マークの安定性向上に有効である。

【００１３】記録及び消去は、上記の原子配列変化を起
こさせることができ、かつ記録層に大きな変形を生じさ
せることのない照射時間及びパワーのエネルギービーム
（例えば、半導体レーザ光）で行い、再生は原子配列変
化を起こすことのない照射時間及びパワーのエネルギー
ビームで行う。

【００１４】一方、本発明においては記録を行う前の、
Ａｒレーザ光の照射、半導体レーザ光の照射あるいは、
フラッシュアニール等による記録層の初期結晶化は一切
必要ない。上記のような初期化をしなくても、記録感度
良く、良好な記録・再生特性を得ることができる。

【００１５】本発明の情報記録媒体中の記録層の各群元
素の役割は下記の通りである。ＳｂとＳｅを含む合金系
では非晶質状態の安定性を保持したまま記録時の結晶化
を高速で行うことができる。しかも、記録層の耐酸化性
が著しく高い。さらに、Ｄで表されるＳｎ等の元素とＳ
ｅを共存させることによって、非晶質状態の安定性をさ
らに高め、かつ記録時の結晶化をより高速で行うことが
できるようにする。

【００１６】Ｄで表される元素中のＳｎ、Ｐｂ、Ｇｅ、
ＳｉのIVｂ族元素は非晶質状態の安定性を向上させる点
で好ましく、Ｉｎ、Ｂｉ、ＧａのIIIｂ族及びＶｂ族元
素は再生信号強度を大きくするという点で好ましい。Ｄ
で表される元素中のＡｕ、Ａｇ、ＣｕのＩｂ族元素は記
録時の結晶化速度を高めるという点で好ましい。

【００１７】Ｄで表される元素中、追記型記録層として
特に好ましい元素はＳｎである。次いで、IVｂ族元素の
うち好ましい元素はＧｅ及びＰｂであり、Ｄで表される
元素中のIIIｂ族及びＶｂ族元素のうち好ましい元素は
Ｉｎであり、Ｉｂ族元素のうち好ましい元素はＡｕであ
る。一方、Ｄで表される元素中、可逆型記録層として特
に好ましい元素はＩｎである。次いで、IVｂ族元素のう
ち好ましい元素はＳｎ及びＧｅであり、Ｄで表される元
素中のIIIｂ族及びＶｂ族元素のうち好ましい元素はＢ
ｉであり、Ｉｂ族元素のうち好ましい元素はＡｕであ
る。

【００１８】Ａで表される元素中のＴｅ及びＳは５〜３
０原子％添加することにより再生信号強度を大きくす
る。Ａで表される元素中のＣｏ、Ｎｉ、Ｔｉ及びＰｄ等
の遷移金属元素は、１〜２０原子％添加することにより
結晶化温度を高める。Ａで表される元素中のＴｌ及びア
ルカリ金属元素は１〜１５原子％添加することにより記
録時の結晶化速度を高める。Ａで表される元素中、Ｌ
ａ、Ｃｅ等の希土類元素は、１〜３０原子％添加するこ
とにより、Ｓｅと高融点化合物を形成するため、可逆型
記録層として用いたときの書き換え特性を向上させる。

【００１９】Ａで表される元素中では、Ｔｅ、Ｓ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｔｉ及びＰｄの内の少なくとも一種を用いる
ことが好ましく、特に好ましいものは、Ｔｅである。Ａ
ｒ、Ｘｅ等の希ガス元素は、添加によって特に顕著な効
果はないが、添加量が少なければ大きな悪影響はない。
希ガス元素は、記録層等の形成時のスパッタリング等の
条件により記録膜等に混入する場合がある。それ故記録
膜等にこれらの希ガス元素が含まれていても差し支えな
い。

【００２０】記録層の各構成元素の割合ｗ、ｘ、ｙ及び
ｚのより好ましい範囲は下記の通りである。０≦ｗ≦２０、３≦ｘ≦４５、３≦ｙ≦４５、５０≦ｚ
≦９０また、ｗ、ｘ、ｙ及びｚの特に好ましい範囲は下記の通
りである。０≦ｗ≦１０、５≦ｘ≦３５、５≦ｙ≦４０、５５≦ｚ
≦９０さらに、ｘ、ｙ及びｚのどの範囲に対しても、ｗ＝０で
あることが記録層の構成元素の数を減らすことができる
ため低コスト化できる点で好ましい。

【００２１】記録層中の各元素の含有量の膜厚方向の変
化は通常は小さいが、任意のパターンの変化が存在して
も差し支えない。特に、Ｓｂ及びＳｅについては、記録
層のいずれか一方の界面付近（他の層との界面である場
合も有る）において、その内側よりも多いのがよい。

【００２２】本発明の情報記録媒体中の上記記録層に隣
接して形成した反射層としては、記録層と積層した状態
で反射層における光吸収率が２０％以上のものを用いれ
ば、レーザ光の熱への利用効率を高めることができる。
また、２７３Ｋにおける熱伝導率が０．３Ｗ／（ｃｍ・
ｄｅｇ）以下の低熱伝導率材料を主成分とするものを用
いると、記録層以外への余分な熱伝導を抑えることがで
きる。どちらの場合も、低パワーレーザ光を照射したと
きでも確実に記録できるようにする効果を持つ。反射層
材料として、Ｓｂ合金、Ｂｉ合金、Ｓｂ−Ｂｉ系合金、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ合金、Ｚｒ合金、Ｈｆ合金、ス
テンレススチール、ニクローム、マンガニン、コンスタ
ンタン、インコネル、モネル等のうち少なくとも１つを
含む合金が好ましい。上記の反射層に用いる材料では、
媒体記録感度が良好で、再生信号強度が大きいという点
で、ＳｂとＢｉとを主成分とする合金系が好ましい。

【００２３】Ｓｂ−Ｂｉ合金系反射層の各構成元素の割
合ｈ、ｉ及びｊのより好ましい範囲は下記の通りであ
る。ｈ＝０、５０≦ｉ≦９０、１０≦ｊ≦５０、又は１≦ｈ≦２０、５０≦ｉ≦９４、５≦ｊ≦４９、また、ｈ、ｉ及びｊの特に好ましい範囲は下記の通りで
ある。ｈ＝０、６０≦ｉ≦９０、１０≦ｊ≦４０、又は１≦ｈ≦１０、６０≦ｉ≦９４、５≦ｊ≦３９、Ｅで表される元素の中で好ましい元素はＳｎ、Ｇｅ、Ｓ
ｉ、Ｐｂ、Ｔｅ、Ｓｅ及び遷移金属元素であり、上記遷
移金属元素の内好ましい元素はＣｏ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｄ
である。これらの元素は少量添加することにより、Ｓｂ
−Ｂｉ系合金反射層の結晶グレインサイズを小さくし、
ディスクノイズを低減する効果がある。ただし、大量に
添加すると、逆に結晶グレインサイズを大きくしてしま
う元素がある。一方、ｉ及びｊのどの範囲に対しても、
ｈ＝０であることは記録層の構成元素の数を減らすこと
ができるため低コスト化できる点で好ましい。

【００２４】一方、上記の反射層に用いる材料のうち、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ合金、Ｚｒ合金、Ｈｆ合金、ス
テンレススチール、ニクローム、マンガニン、コンスタ
ンタン、インコネル、モネル等のうち少なくとも１つを
含む合金は、ＳｂまたはＢｉを含む合金に比べて、毒性
が低いという点で好ましい。

【００２５】記録層とそれに隣接する反射層を合わせて
情報記録担体層とすると、本発明の情報記録担体層の少
なくとも一方の面が他の物質からなる保護層で密着して
保護されていれば、情報記録媒体の耐環境性が向上す
る。もちろん両側が保護されていれば、情報記録媒体の
耐環境性がさらに向上し、可逆型として用いた時の書き
換え性能が向上する。

【００２６】これらの保護層は、例えばアクリル樹脂、
ポリカーボネート、ポリオレフィン、エポキシ樹脂、ポ
リイミド、ポリアミド、ポリスチレン、ポリエチレン、
ポリエチレンテレフタレート、フッ素樹脂（ポリ４フッ
化エチレン等）及び紫外線硬化樹脂等の有機物より形成
されていてもよく、これらは基板であってもよい。

【００２７】また、酸化物、弗化物、窒化物、硫化物、
炭化物、ホウ化物、ホウ素、炭素あるいは金属等を主成
分とする無機物より形成されていてもよい。また、これ
らの複合材料でもよい。無機物保護層の例を挙げると、
Ｃｅ、Ｌａ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｂ
ｉ、Ｔｅ、Ｔａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃ
ｒ及びＷよりなる群より選ばれた少なくとも一元素の酸
化物、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ｂｉよりなる群より選ばれた少なくとも一元素の硫
化物、Ｍｇ、Ｃｅ、Ｃａ等の弗化物、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔ
ａ、Ｂ等の窒化物、Ｂ、Ｓｉ等の炭化物、Ｔｉ等のホウ
化物、ホウ素、炭素より成るものであって、例えば主成
分がＣｅＯ₂、Ｌａ₂Ｏ₃、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、
Ａｌ₂Ｏ₃、ＧｅＯ、ＧｅＯ₂、ＰｂＯ、ＳｎＯ、Ｓｎ
Ｏ₂、Ｂｉ₂Ｏ₃、ＴｅＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｓｃ₂Ｏ₃、Ｙ
₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、Ｖ₂Ｏ₅、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｃｒ
₂Ｏ₃、ＷＯ₂、ＷＯ₃、ＣｄＳ、ＺｎＳ、Ｉｎ₂Ｓ₃、Ｓｂ
₂Ｓ₃、Ｇａ₂Ｓ₃、ＧｅＳ、ＳｎＳ、ＳｎＳ₂、Ｐｂ
Ｓ、Ｂｉ₂Ｓ₃、ＭｇＦ₂、ＣｅＦ₃、ＣａＦ₂、ＴａＮ、
Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＢＮ、Ｓｉ、ＴｉＢ₂、Ｂ₄Ｃ、Ｓｉ
Ｃ、Ｂ、Ｃのうちの一者に近い組成をもったもの及びこ
れらの混合物である。ガラス、石英、サファイア、鉄、
チタン、あるいはアルミニウムを主成分とする基板も一
方の無機物保護層として働き得る。

【００２８】これらの無機物保護層のうち、硫化物では
ＺｎＳに近いものが、屈折率が適当な大きさで層が安定
である点で好ましい。窒化物では表面反射率があまり高
くなく、層が安定であり、強固である点で、ＴａＮ、Ｓ
ｉ₃Ｎ₄又はＡｌＮ（窒化アルミニウム）に近い組成のも
のが好ましい。酸化物で好ましいのはＹ₂Ｏ₃、Ｓｃ
₂Ｏ₃、ＣｅＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ、Ｔａ
₂Ｏ₅、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂又はＳｉＯ₂に近い
組成のものである。Ｓｉの水素を含む非晶質も好まし
い。

【００２９】有機物、無機物のうちでは無機物と密着し
ている方が耐熱性の面で好ましい。しかし無機物層（基
板の場合を除く）を厚くするのは、クラック発生、透過
率低下、感度低下のうちの少なくとも１つを起こしやす
いので上記無機物層は薄くし、無機物層の情報記録担体
層と反対の側には、機械的強度を増すために厚い有機物
層が密着している方が好ましい。この有機物層は基板で
あってもよい。これによって変形も起こりにくくなる。
有機物層に用いる材料としては、例えば、ポリスチレ
ン、ポリ４フッ化エチレン、ポリイミド、アクリル樹
脂、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リカーボネート、エポキシ樹脂、ホットメルト接着剤と
して知られているエチレン−酢酸ビニル共重合体等、粘
着剤及び紫外線硬化樹脂等がある。

【００３０】無機物よりなる保護層の場合は、そのまま
の形で電子ビーム蒸着、スパッタリング等で形成しても
よいが、反応性スパッタリングや、金属、半金属、半導
体の少なくとも一元素よりなる層を形成したのち、酸
素、硫黄、窒素のうちの少なくとも一者と反応させるよ
うにすると製造が容易である。

【００３１】保護層を多層にすればさらに保護効果が高
まる。例えば厚さ３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下のＳｉＯ
₂に近い組成の薄膜を情報記録担体層から遠い側に形成
し、厚さ３０ｎｍ以上〜３００ｎｍ以下のＺｎＳに近い
組成の薄膜を情報記録担体層に近い側に形成すると、耐
環境性及び記録・消去特性が大きく向上し、書き換え性
能も大幅に向上できる。上記保護層を基板側（光入射
側）に形成する場合は、再生信号強度を大きくするため
の反射防止層を兼ねることができる。

【００３２】本発明の記録層は、共蒸着や共スパッタリ
ング等によって、保護層として使用可能と述べた酸化
物、弗化物、窒化物、有機物等、あるいは炭素又は炭化
物の中に分散させた形態としてもよい。そうすることに
よって光吸収係数を調節し、再生信号強度を大きくする
ことができる場合が有る。混合化率は、酸素、弗素、窒
素、炭素が層全体で占める割合が４０％以下が好まし
い。このような複合膜化を行うことにより、結晶化の速
度が低下し、感度が低下するのが普通である。ただし有
機物との複合膜化では感度が向上する。

【００３３】各層の膜厚に関しては、下記の範囲で、良好な記録・再生が可能であり、好まし
い。記録層膜厚：５ｎｍ以上５００ｎｍ以下反射層膜厚：１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下無機物保護層：５ｎｍ以上５００ｎｍ以下有機物保護層：５００ｎｍ以上１０ｍｍ以下また、下記の範囲で、さらに良好な記録・再生が可能で
あり、より好ましい。記録層膜厚：１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下反射層膜厚：２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下無機物保護層：１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下有機物保護層：２μｍ以上１ｍｍ以下さらに、記録層膜厚に関しては、１５ｎｍ以上１７０ｎ
ｍ以下の範囲では、光の干渉の効果によって、記録によ
る反射率変化が大きくなるため特に好ましい。また、１
５ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲では、記録感度も高いた
めさらに好ましい。

【００３４】上記のうちの記録層以外の各層の材質や膜
厚は本発明の記録層に限らず他の相転移記録層、相互拡
散型記録層、また、光磁気記録層等にも有効である。特
に、本発明の反射層は、記録層での光吸収率が少ない場
合、例えば、記録層の膜厚が薄い場合または、記録層の
消衰係数が小さい場合に極めて有効である。そこで、光
磁気記録層としては、消衰係数の大きい希土類−遷移金
属系に関しては膜厚が３０ｎｍ以下と薄い場合に適して
いる。また、消衰係数の小さいガーネット系に関して
は、特に適している。

【００３５】以上の各層の形成方法は、真空蒸着、ガス
中蒸着、スパッタリング、イオンビーム蒸着、イオンプ
レーティング、電子ビーム蒸着、射出成形、キャスティ
ング、回転塗布、プラズマ重合等のうちのいずれかを適
宜選ぶものである。記録層、反射層及び無機物保護層
は、全てスパッタリングにより形成すると、組成及び膜
厚を管理しやすく、製造コストが安価となるので好まし
い。

【００３６】本発明の記録層は形状変化をほとんど伴わ
ないなんらかの原子配列変化によって光学的性質の変化
を起こさせればよい。非晶質状態と結晶状態の間の変化
の他に、例えば、結晶粒径や結晶形の変化、結晶と準安
定状態との間の変化等でもよい。非晶質状態と結晶状態
の変化でも、非晶質は完全な非晶質でなく、結晶部分が
混在していてもよい。また、記録層と反射層との間で、
これらの層を構成する原子のうちの一部が移動（拡散、
化学反応等による）することにより、あるいは移動と相
転移の両方により記録されてもよい。

【００３７】本発明の情報記録用媒体は、ディスク状と
してばかりではなく、テープ状、カード状等の他の形態
でも使用可能である。

【００３８】

【実施例】以下、本発明を実施例によって詳細に説明す
る。直径３００ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのディスク状化学
強化ガラス板の表面に、紫外線硬化樹脂によって保護層
を兼ねるトラッキング用の溝のレプリカを形成し、一周
が５１セクターに分割され、各セクターの始まりで、溝
と溝の中間の山の部分に凹凸ピットの形でトラックアド
レスやセクターアドレス等が設けられた（この部分をヘ
ッダー部と呼ぶ）基板を準備した。この基板１上に、図
１に示すように、高周波スパッタリングによってまず原
子％でＳｎ₁₇Ｓｂ₁₇Ｓｅ₆₆の組成の記録層２を２５ｎｍ
の膜厚に形成し、続いて同一スパッタ装置内で原子％で
２７３Ｋにおける熱伝導率が０．３Ｗ／（ｃｍ・ｄｅ
ｇ）以下であるＳｂ₈₀Ｂｉ₂₀の組成の反射層３を約４０
ｎｍの膜厚に形成した。さらに、この反射層３の上に回
転塗布した紫外線硬化樹脂を硬化させて５０μｍの厚さ
の有機物層４を形成した。同様にしてもう一枚の同様な
基板１´上にＳｎ₁₇Ｓｂ₁₇Ｓｅ₆₆の組成の記録層２´、
Ｓｂ₈₀Ｂｉ₂₀の組成の反射層３´、有機物層４´を順次
形成した。このようにして作製した２枚のディスクを有
機物層４及び４´側を内側にして接着剤層５によって貼
り合わせを行い、ディスクＡを作製した。次に、ディス
クＡと全く同様な構成で、記録層２の組成をＩｎ₁₇Ｓｂ
₁₇Ｓｅ₆₆としたディスクＢを作製した。

【００３９】上記のように作製したディスクＡ及びＢの
記録・再生評価を、光ディスクドライブ（記録・再生装
置）を用いて行った。まず、記録を次の様にして行っ
た。ディスクを１０００ｒｐｍで回転させ、半径１４０
ｍｍの位置に半導体レーザ（波長６９０ｎｍ、媒体上最
大出力１５ｍＷ）からの連続光を記録が行われない低パ
ワーレベルに保って、記録ヘッド中の開口数（Numerica
l Aperture）０．５５の対物レンズで集光して基板１を
通して記録膜２に照射し、反射光を検出することによっ
て、トラッキング用の溝と溝の中間に光スポットの中心
が常に一致するようにヘッドを駆動した。溝と溝の中間
を記録トラックとすることによって溝から発生するノイ
ズの影響を避けることができる。この様にトラッキング
を行いながら、さらに記録膜上に焦点が来るように自動
焦点合わせを行って記録・消去を行う。この記録トラッ
ク上に結晶化により記録を行う場合、結晶化するのに適
当なレーザパワーの範囲は、結晶化が起こる程度に高
く、非晶質化が起こるより低い範囲である。また、非晶
質化により消去を行う場合、非晶質化するのに適当なレ
ーザパワーの範囲は、結晶化するパワーより高く、強い
変形を生じたり穴があくよりも低い範囲である。

【００４０】ディスクＡを追記型として用い、レーザパ
ワーを再生光レベル１．０ｍＷと結晶化による記録パワ
ーレベル８．０ｍＷとの間で図２に示したように変化さ
せることにより記録を行った。

【００４１】また、ディスクＢを可逆型として用い、レ
ーザパワーを結晶化による中間パワーレベル８．０ｍＷ
と非晶質化による高パワーレベル１２．５ｍＷとの間で
図３に示したように変化させることにより記録を行っ
た。非晶質化の高パワーレベルと結晶化の中間パワーレ
ベルとの間のパワー比は１：０．４〜１：０．８の範囲
が特に好ましい。記録を行う部分を通り過ぎれば、レー
ザパワーを再生光レベル１．０ｍＷに下げてトラッキン
グ及び自動焦点合わせを続けた。なお、記録中もトラッ
キング及び自動焦点合わせは継続される。

【００４２】ここで、可逆型での記録方法では、既に記
録されている部分に対して行っても記録されていた情報
が新たに記録した情報に書き換えられる。すなわち単一
の円形光スポットによるオーバーライトが可能となる。
しかし、記録書き換え時の最初の１回転又は複数回転
で、上記のレーザパワー変調の高い方のパワーである１
２．５ｍＷに近いパワー、例えば１１．５ｍＷの連続光
を照射して一旦消去した後、次の１回転で８．０ｍＷと
１２．５ｍＷの間で情報信号に従ってパワー変調したレ
ーザ光を照射して記録すれば、前に書かれていた情報の
消え残りが少なく、高い搬送波対雑音比が得られる。こ
の場合に最初に照射する連続光のパワーは、上記の高い
パワーレベルを１としたとき０．８〜１．１の範囲で良
好な書き換えが行えた。

【００４３】次に、再生は次のようにして行った。ディ
スクを１０００ｒｐｍで回転させ、予め記録したトラッ
ク上でトラッキングと自動焦点合わせを行いながら、記
録及び消去が行われない低パワー、ディスク面上１．０
ｍＷの連続光を照射し、この反射光の強弱を検出して情
報を再生した。

【００４４】まず、ディスクＡを用いて、追記型として
８ＭＨｚ、デューティー５０％の信号を記録パワー８．
０ｍＷで初期結晶化せずに記録し、この記録マークを再
生したところ、再生信号変調度３６％、搬送波対雑音比
５７ｄＢの再生信号出力が得られた。ここで、再生信号
変調度は次式で定義した。

【００４５】Ｍ＝｜Ｒo−Ｒ｜／Ｒo （但し、Ｍは再生
信号変調度、Ｒoは記録前の再生信号出力レベル、Ｒは
記録後の再生信号出力レベルを表す。）また、搬送波対
雑音比は測定帯域分解能（Resolution Band Width）３
０ｋＨｚで測定した。

【００４６】また、ディスクＡ中のＳｎ₁₇Ｓｂ₁₇Ｓｅ₆₆
の組成の記録層２は耐酸化性が大変優れており、記録層
２を単独でガラス上に形成したテストピースを６０℃相
対湿度９５％の条件下に３０００時間放置しても、再生
光に対する媒体反射率の変化はなく、ほとんど酸化され
なかった。また、上記のように記録したディスクＡを６
０℃相対湿度９５％の条件下に３０００時間放置しても
再生信号出力は再生信号変調度３６％、搬送波対雑音比
５７ｄＢのまま変化が見られなかった。

【００４７】ディスクＡのＳｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系記録層２
において、他の元素の相対的比率をほぼ一定に保ってＳ
ｅ含有量を変化させた場合、８ＭＨｚ、デューティー５
０％の信号を記録した時の記録パワーと搬送波対雑音比
は次のように変化した。

【００４８】

【表１】

【００４９】ここで、ディジタル信号の再生に必要な搬
送波対雑音比は４５ｄＢ以上である。

【００５０】他の元素の相対的比率をほぼ一定に保っ
て、Ｓｂ含有量を変化させた場合、８ＭＨｚ、デューテ
ィー５０％の信号を記録した時の搬送波対雑音比と結晶
化温度は次のように変化した。

【００５１】

【表２】

【００５２】ここで、６０℃で１００年以上記録点を保
持するのに必要な非晶質状態からの結晶化温度は１５０
℃以上である。

【００５３】他の元素の相対的比率をほぼ一定に保っ
て、Ｓｎ含有量を変化させた場合、８ＭＨｚ、デューテ
ィー５０％の信号を記録した時の搬送波対雑音比と結晶
化温度は次のように変化した。

【００５４】

【表３】

【００５５】Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ３元相図のＳｂ₂Ｓｅ₃と
ＳｎＳｅを結ぶ直線上で組成を変化させた場合、８ＭＨ
ｚ、デューティー５０％の信号を記録した時の搬送波対
雑音比と結晶化温度は次のように変化した。

【００５６】

【表４】

【００５７】ディスクＡのＳｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系記録層２
において、Ｓｎの一部又は全部を置換してＩｎ、Ｇｅ、
Ｐｂ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｇａ、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕのうち少
なくとも一元素を添加しても、追記型として記録・再生
した場合、よく似た特性が得られた。一般式のＤで表さ
れる上記の元素のうち、追記型としての記録・再生特性
が最も良好な元素はＳｎである。次いで、IVｂ族元素の
うち、好ましい元素はＧｅ、Ｐｂであり、IIIｂ族及び
Ｖｂ族元素のうち好ましい元素はＩｎであり、Ｉｂ族元
素のうち好ましい元素はＡｕである。

【００５８】ディスクＡのＳｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系記録層２
において、構成元素の相対的比率を一定に保って、Ｔｅ
を添加し、Ｔｅ含有量（Ｗ）を変化させた場合、８ＭＨ
ｚ、デューティー５０％の信号を記録した時の記録パワ
ーと搬送波対雑音比は次のように変化した。

【００５９】

【表５】

【００６０】Ｔｅが上記含有量より多い場合、初期結晶
化をしないと記録をすることができない。ここで、Ｔｅ
の一部又は全部を置換して、Ｓを添加することによって
再生信号強度が大きくなる効果が有る。

【００６１】ディスクＡのＳｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系記録層２
において、構成元素の相対的比率を一定に保って、Ｃｏ
を添加し、Ｃｏ含有量（Ｗ）を変化させた場合、８ＭＨ
ｚ、デューティー５０％の信号を記録した時の搬送波対
雑音比と結晶化温度は次のように変化した。

【００６２】

【表６】

【００６３】Ｃｏが上記含有量より多い場合、再生信号
強度が小さくなる。ここで、Ｃｏの一部又は全部を置換
して、遷移金属元素（IIIａ族、IVａ族、Ｖａ族、VIａ
族、VIIａ族及びVIII族）のうちの少なくとも一元素を
添加してもよく似た特性が得られた。これらのうち、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｔｉ及びＰｄの少なくとも一元素は、結晶化
温度を高める効果が大きい。また、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系
記録層２における構成元素の相対的比率を一定に保っ
て、Ｃｏの代わりに、Ｇｄ等の希土類元素の１０原子％
以下の添加によって結晶化温度が上昇する効果が有る。
添加量は記録・再生特性が良好な範囲として、７原子％
以下が好ましく、５原子％以下が特に好ましい。また、
Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系記録層２における構成元素の相対的
比率を一定に保ってＣｏの代わりに、Ｔｌ、ハロゲン元
素、アルカリ金属元素のうちの少なくとも一元素の１０
原子％以下の添加によって記録パワーが小さくなる効果
が有る。これらのうち、Ｔｌが特に好ましく、次いでハ
ロゲン元素のうちでは、Ｉが好ましく、アルカリ金属元
素のうちではＮａ及びＫが好ましい。添加量は耐酸化性
が良好な範囲として、１原子％以上５原子％以下が好ま
しい。

【００６４】一方、ディスクＡのＳｂ−Ｂｉ系反射層３
において、Ｂｉ含有量を変化させた場合、８ＭＨｚ、デ
ューティー５０％の信号を記録パワー１０ｍＷで記録し
た直後と６０℃相対湿度９５％の条件下に３０００時間
放置後の搬送波対雑音比は次のように変化した。

【００６５】

【表７】

【００６６】また、ディスクＡのＳｂ−Ｂｉ系反射層３
において、組成をＳｂ₈₀Ｂｉ₂₀とし、ＳｂとＢｉの相対
的比率を一定に保って、ここにＳｎを添加した場合、８
ＭＨｚでの未記録部のディスクノイズ（ＲＩＮ；relati
ve intensity noise）は、Ｓｎ比率をｈとして、次のよ
うに変化した。

【００６７】

【表８】

【００６８】ＲＩＮが−７６ｄＢ以下と小さい反射層３
の組成では、反射層３の結晶グレインサイズが１００ｎ
ｍ以下と小さく好ましい。

【００６９】上記反射層３において、Ｓｎの代わりにＧ
ｅ、Ｓｉ、Ｐｂ及びＴｅを用いてもよく似た特性が得ら
れた。上記添加元素のうち、再生信号強度が大きい点で
Ｓｎが好ましく、反射層の熱伝導率がさらに低下し、記
録感度が良好となる点でＴｅが好ましい。Ｓｎ、Ｔｅに
次いでＧｅが好ましい。

【００７０】さらに、ディスクＡのＳｂ−Ｂｉ系反射層
３において、組成をＳｂ₈₀Ｂｉ₂₀とし、ＳｂとＢｉの相
対的比率を一定に保って、ここにＣｏを添加した場合、
８ＭＨｚでの未記録部のディスクノイズ（ＲＩＮ；rela
tive intensity noise）は、Ｃｏの比率をｈとして、次
のように変化した。

【００７１】

【表９】

【００７２】ＲＩＮが−７６ｄＢ以下と小さい反射層３
の組成では、上記反射層３の結晶グレインサイズが１０
０ｎｍ以下と小さかった。

【００７３】上記反射層３において、Ｃｏの代わりに他
の遷移金属用いてもよく似た特性が得られた。上記遷移
金属のうちでは、Ｃｏの他には、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｄがデ
ィスクノイズが低いという点で好ましい。さらに、上記
Ｓｂ−Ｂｉ系反射層３における構成元素の相対的比率を
一定に保って、１０原子％以下のＳｅを添加することに
より、反射層の耐酸化性が向上した。

【００７４】また、ディスクＡの反射層３として、Ｓｂ
−Ｂｉ系の代わりに、Ｓｂ−Ｂｉ系と同様に熱伝導率が
０．３Ｗ／（ｃｍ・ｄｅｇ）以下の低熱伝導率を有する
ステンレススチール（ＳＵＳ３１６）、ニクローム（Ｎ
ｉ₈₀Ｃｒ₂₀）、Ｔｉ、Ｔｉ₇₀Ａｌ₃₀（Ｔｉ合金）を用い
た場合、８ＭＨｚ、デューティー５０％の信号を記録し
た時の記録パワーと搬送波対雑音比は次のように変化し
た。

【００７５】

【表１０】

【００７６】上記反射層３の材料の代わりに、熱伝導率
が０．３Ｗ／（ｃｍ・ｄｅｇ）以下の低熱伝導率を有す
るＺｒ、Ｈｆ、Ｚｒ合金、Ｈｆ合金、マンガニン、コン
スタンタン、インコネル、モネル等のうち少なくとも１
つを含む合金を用いても、記録パワーが１０ｍＷ前後、
搬送波対雑音比が５０ｄＢ前後、とよく似た記録特性が
得られた。これらの反射層では、Ｓｂ−Ｂｉ系反射層に
比べて搬送波対雑音比が５ｄＢ以上小さい。これは、反
射層自信の光学定数の違いにより、本発明の記録層と隣
接して積層した際に、情報を記録した信号の再生信号強
度がＳｂ−Ｂｉ系ほど大きくならないためである。

【００７７】また、比較例として、ディスクＡにおいて
記録層２と反射層３との間に中間層を形成した場合、媒
体製造時の製膜コストがおよそ１．５倍となった。ま
た、中間層にＺｎＳを用い、ＺｎＳ中間層の膜厚を変化
させた場合、８ＭＨｚ、デューティー５０％の信号を記
録した時の記録パワーと搬送波対雑音比は次のように変
化した。

【００７８】

【表１１】

【００７９】次に、ディスクＡのＳｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系記
録層２中のＳｎを全てＩｎで置換したＩｎ₁₇Ｓｂ₁₇Ｓｅ
₆₆記録層２を有するディスクＢについて、可逆型として
８ＭＨｚ、デューティー５０％の信号と５ＭＨｚ、デュ
ーティー５０％の信号とを交互にオーバーライトにより
記録した。ここで、中間パワー８．０ｍＷ、高パワー１
３．０ｍＷで初期化せずに５ＭＨｚの信号を記録した場
合、コントラスト比３７％、搬送波対雑音比５７ｄＢの
再生信号出力が得られた。ここに、８ＭＨｚの信号をオ
ーバーライトにより記録した場合、コントラスト比３２
％、搬送波対雑音比５５ｄＢ、消去比２６ｄＢの再生信
号出力が得られた。

【００８０】また、ディスクＢ中のＩｎ₁₇Ｓｂ₁₇Ｓｅ₆₆
の組成の記録層２は耐酸化性が大変優れており、記録層
２を単独でガラス上に形成したテストピースを６０℃相
対湿度９５％の条件下に２０００時間以上放置しても再
生光に対する媒体反射率の変化は無く、ほとんど酸化さ
れなかった。また、上記のように記録したディスクＢを
６０℃相対湿度９５％の条件下に２０００時間以上放置
しても再生信号出力はコントラスト比３２％、搬送波対
雑音比５５ｄＢのまま変化が見られなかった。

【００８１】ディスクＢのＩｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系記録層２
において、Ｉｎの一部を置換して、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｐｂ、
Ｓｉ、Ｂｉ、Ｇａ、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕのうち少なくと
も一元素を添加しても、可逆型として記録・消去・再生
した場合、よく似た特性が得られた。上記のＤで表され
る元素のうち、可逆型としての記録・消去・再生特性が
最も良好な元素はＩｎである。次いで、４ｂ族元素のう
ち好ましい元素はＳｎ、Ｇｅであり、３ｂ族、５ｂ族元
素のうち好ましい元素はＢｉであり、１ｂ族元素のうち
好ましい元素はＡｕである。

【００８２】ディスクＢにおいて、他の元素の相対的比
率を一定に保ってＡ群の元素としてＴｌを添加し、Ｔｌ
含有量（Ｗ）を変化させた時のオーバーライト時の消去
比は次のように変化した。

【００８３】

【表１２】

【００８４】但し、Ｔｌが上記含有量より多い場合は、
６０℃相対湿度９０％の条件下に放置した時、１０００
時間以内に記録層が酸化され、再生光に対する媒体反射
率が低下する。Ｔｌの一部又は全部を置換してハロゲン
元素、アルカリ金属元素のうちの少なくとも一元素を添
加してもよく似た特性がえられる。Ｔｌについで好まし
い元素は、ハロゲン元素のうちでは、Ｉが好ましく、つ
いでＣｌが好ましい。アルカリ金属元素のうちではＮａ
が好ましく、ついでＫが好ましい。

【００８５】ディスクＢにおいて、他の元素の相対的比
率を一定に保ってＡ群の元素として希土類であるＬａを
添加し、Ｌａの含有量（Ｗ）を変化させた時のオーバー
ライト時のＣ／Ｎが初期値より５ｄＢ低下するまでの書
き換え回数は次のように変化した。

【００８６】

【表１３】

【００８７】但し、Ｌａが上記含有量より多い場合は、
記録感度が低下した。また、６０℃、相対湿度９０％の
条件下に放置した場合、１０００時間以内に記録層が酸
化されて再生光に対する媒体反射率が低下した。Ｌａの
一部又は全部を置換してＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ等の他の希土
類元素の内の少なくとも一元素を添加してもよく似た特
性が得られた。これらの希土類元素の内では、他の希土
類元素よりも耐酸化性が大きく、書き換え回数を大きく
向上できるという点で、Ｌａ及びＣｅが好ましい。

【００８８】ディスクＢの基板１と記録層２との間にＺ
ｎＳ保護層を５０ｎｍ積層したディスクでは、媒体の耐
環境性が向上し、このディスクを６０℃相対湿度９５％
の条件下に３０００時間以上放置しても再生信号出力に
変化は見られなかった。さらに、反射層３と有機層４と
の間にもＺｎＳ保護層を１００ｎｍ積層し、情報記録担
体層の両側に無機物保護層を有するディスクでは書き換
え特性が向上した。

【００８９】上記保護層に用いたＺｎＳの代わりに、Ｓ
ｉＯ₂、ＳｉＯ、Ｙ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂やＴａＮ、ＡｌＮ、Ｓ
ｉ₃Ｎ₄等の酸化物や窒化物、Ｓｂ₂Ｓ₃等の硫化物、Ｃｅ
Ｆ₃等の弗化物、又は非晶質Ｓｉ、ＴｉＢ₂、Ｂ₄Ｃ、Ｂ
Ｃ等、あるいは上記のすべての材料のそれぞれに近い組
成のもの、及び上記組成の材料の混合物を用いてもほぼ
同様の結果が得られた。これらの材料の２層以上の積層
膜も保護強度を上げるのに有効である。例えば情報記録
担体層から遠い側に厚さ１００ｎｍのＳｉＯ₂層、情報
記録担体層に近い側に厚さ５０ｎｍのＺｎＳ層を配置し
た２層構造とすると、特に書き換え特性が良好であっ
た。

【００９０】本実施例の化学強化ガラス板の代わりに、
ポリカーボネート板、ポリオレフィン板、エポキシ板及
びアクリル樹脂板等を用いても同様な結果が得られた。
また、基板として、紫外線硬化樹脂層層を表面に形成し
たガラス基板の代わりに、インジェクション法等によ
り、表面に直接トラッキングガイド、アドレス用のプリ
ピット等の凹凸を形成したポリカーボネート基板、ポリ
オレフィン基板、エポキシ基板及びアクリル樹脂基板等
を用いても同様な結果が得られた。

【００９１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
記録・再生特性が良好で、記録感度が高く、長期間安定
性に優れた、追記型及び可逆型の情報記録用媒体を低コ
ストで得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の情報記録用媒体の構造を示す
断面図である。

【図２】本発明の実施例の追記型用記録レーザ波形を示
す図である。

【図３】本発明の実施例の可逆型、オーバーライト用記
録レーザ波形を示す図である。

【符号の説明】

１、１´ 基板２、２´ 記録層３、３´ 反射層４、４´ 有機物層５接着剤層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者堀籠信吉東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、該基板上に設けられた、記録用エ
ネルギービームの照射を受けて原子配列変化を生ずる記
録層と、該記録層に対して記録用エネルギービームの入
射側と逆の側に設けられた、記録用エネルギービームを
反射及び吸収する反射層とを有する情報記録用媒体にお
いて、上記記録層と上記反射層とは隣接して設けられ、
記録層の平均組成は、一般式Ａ_wＤ_xＳｂ_yＳｅ_z （ただし、ｗ、ｘ、ｙ及びｚは、原子パーセントでそれ
ぞれ０≦ｗ≦３０、３≦ｘ≦５７、３≦ｙ≦５７、４０
≦ｚ≦９０の範囲の値であり、Ｄは、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇ
ｅ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｇａ、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕの内
の少なくとも一元素を表し、Ａは、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｄで表
される元素及び希ガス以外の元素を表す）で表されるこ
とを特徴とする情報記録用媒体。
【請求項２】請求項１記載の情報記録用媒体において、
上記一般式のＤはＳｎであることを特徴とする情報記録
用媒体。
【請求項３】請求項１記載の情報記録用媒体において、
上記一般式のＤはＩｎであることを特徴とする情報記録
用媒体。
【請求項４】請求項１から３のいずれか一に記載の情報
記録用媒体において、上記一般式のＡで表される元素は
Ｔｅ、Ｔｌ及び希土類元素以外の他の元素を少なくとも
含み、他の元素の合計の量は２０原子パーセント以下で
あることを特徴とする情報記録用媒体。
【請求項５】請求項１から３のいずれか一に記載の情報
記録用媒体において、上記一般式のＡで表される元素は
Ｔｌを少なくとも含み、Ｔｌの量は１５原子パーセント
以下であることを特徴とする情報記録用媒体。
【請求項６】請求項１から３のいずれか一に記載の情報
記録用媒体において、上記一般式のＡはＴｅであること
を特徴とする情報記録用媒体。
【請求項７】請求項１から３のいずれか一に記載の情報
記録用媒体において、上記一般式のＡで表される元素
は、Ｉｂ族を除く遷移金属元素の内の少なくとも一元素
であり、その合計の量は２０原子パーセント以下である
ことを特徴とする情報記録用媒体。
【請求項８】請求項１から３のいずれか一に記載の情報
記録用媒体において、上記一般式のＡで表される元素
は、希土類元素の内の少なくとも一元素であることを特
徴とする情報記録用媒体。
【請求項９】基板と、該基板上に設けられた、記録用エ
ネルギービームの照射を受けて原子配列変化を生ずる記
録層と、該記録層に対して記録用エネルギービームの入
射側と逆の側に設けられた、記録用エネルギービームを
反射及び吸収する反射層とを有する情報記録用媒体にお
いて、上記記録層と上記反射層とは隣接して設けられ、
記録用エネルギービームの照射を受けて、記録層から反
射層へ又は反射層から記録層への原子移動の少なくとも
一方が生じるように構成され、かつ、記録層は、少なく
ともＳｂとＳｅを含む材料からなり、反射層は、所望の
熱伝導率以下の値を持つ材料からなることを特徴とする
情報記録用媒体。
【請求項１０】請求項９記載の情報記録用媒体におい
て、上記記録層の平均組成は、一般式Ａ_wＤ_xＳｂ_yＳｅ_z （ただし、ｗ、ｘ、ｙ及びｚは、原子パーセントでそれ
ぞれ０≦ｗ≦３０、３≦ｘ≦５７、３≦ｙ≦５７、４０
≦ｚ≦９０の範囲の値であり、Ｄは、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇ
ｅ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｇａ、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕの内
の少なくとも一元素を表し、Ａは、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｄで表
される元素及び希ガス以外の元素を表す）で表されるこ
とを特徴とする情報記録用媒体。
【請求項１１】請求項１０記載の情報記録用媒体におい
て、上記一般式のＡで表される元素はＴｅ、Ｔｌ及び希
土類元素以外の他の元素を少なくとも含み、他の元素の
合計の量は２０原子パーセント以下であることを特徴と
する情報記録用媒体。
【請求項１２】請求項１０記載の情報記録用媒体におい
て、上記一般式のＡで表される元素はＴｌを少なくとも
含み、Ｔｌの量は１５原子パーセント以下であることを
特徴とする情報記録用媒体。
【請求項１３】請求項１から１２のいずれか一に記載の
情報記録用媒体において、上記反射層の記録膜と積層し
た状態における光吸収率が２０％以上であること特徴と
する情報記録用媒体。
【請求項１４】請求項１から１２のいずれか一に記載の
情報記録用媒体において、上記反射層の熱伝導率が２７
３Ｋで０．３Ｗ／（ｃｍ・ｄｅｇ）以下であること特徴
とする情報記録用媒体。
【請求項１５】請求項１から１４のいずれか一に記載の
情報記録用媒体において、上記反射層は、平均組成が一
般式Ｅ_hＳｂ_iＢｉ_j （ただし、ｈ、ｉ、ｊは、原子パーセントでそれぞれ０
≦ｈ≦３０、３５≦ｉ≦９５、５≦ｊ≦６５の範囲の値
であり、ＥはＳｂ及びＢｉ以外の金属、半金属、及び半
導体元素を表す）で表される薄膜を少なくとも有するこ
とを特徴とする情報記録用媒体。
【請求項１６】請求項１５記載の情報記録用媒体におい
て、上記一般式のＥはＳｎであることを特徴とする情報
記録用媒体。
【請求項１７】請求項１５記載の情報記録用媒体におい
て、上記一般式のＥはＴｅであることを特徴とする情報
記録用媒体。
【請求項１８】請求項１５記載の情報記録用媒体におい
て、上記一般式のＥはＧｅであることを特徴とする情報
記録用媒体。
【請求項１９】請求項１５記載の情報記録用媒体におい
て、上記一般式のＥは遷移金属元素の内の少なくとも一
元素であることを特徴とする情報記録用媒体。
【請求項２０】請求項１から１９のいずれか一に記載の
情報記録用媒体において、上記記録層と上記反射層とを
合せた層の少なくとも一方の側に、保護膜を有すること
を特徴とする情報記録用媒体。