JP2001126312A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度記録においても信号のＳ／Ｎが高く、
かつ記録感度が良好で、多数回の書換えを行なっても良
好な記録再生特性を保持する情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板１と、その基板１上に形成された、
光ビームの照射により原子配列が２つの異なる状態間で
変化する現象を利用して情報の記録・再生を行う記録層
４とを、少なくとも備えた情報記録媒体において、基板
１と記録層４との間に誘電体層２，３が少なくとも２層
形成されており、記録層４と接して形成される側の誘電
体層３が、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＡｌＯＮ、Ｓｉ₃Ｎ
₄、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯからなるＡ群材
料のうちの少なくともひとつと、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＣｒＮ、Ｔ
ａＮ、ＧｅＮからなるＢ群材料のうちの少なくともひと
つとの混合物からなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光、電子線
などの記録用ビームによって、映像、音声、コンピュー
タデータなどのディジタル情報を記録することが可能な
情報記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、基板上にヒートモード記録材
料よりなる薄膜（記録層）を担持し、記録層の光熱作用
によって情報の記録を可能にした情報記録媒体は種々あ
る。そのうちで薄膜材料の相変化やフォトダークニング
など、光ビームの照射による原子配列変化を利用するも
のは、薄膜の変形をほとんど伴わないため、２枚のディ
スクを直接貼り合せて両面ディスク構造をとることがで
きるという長所を有している。

【０００３】この種の記録に関する発明は多数出願され
ており、特公昭４７−２６８９７号公報、特開昭５４−
４１９０２号公報、特開平５７−２４０３９号公報など
に、Ｔｅ−Ｇｅ系など種々の記録材料に関する記述があ
る。また、特開昭６１−２５８７８７号公報にはＳｂ−
Ｔｅ−Ｇｅ−Ｍ系材料について述べられている。これら
の材料は、組成を適当に選ぶことによって、結晶・非晶
質間の相変化などの原子配列変化を利用して情報の書換
えを行うことができるという利点を持つ。

【０００４】また、記録層の変形を防ぐため耐熱保護層
を形成する技術についても古くから知られており、特公
平４−７４７８５号公報にはＺｎＳとＳｉＯ₂の混合物
などに関する技術が開示されている。

【０００５】しかしこの種の保護層では、高密度記録に
適したマークエッジ記録を行うと１０⁴回を越える多数
回の書換えによって、保護層材料中のＳが記録層中へ拡
散し、反射率レベルの変動を引き起こす。たとえば「N.
Yamada et al. "Phase-change optical disk for DVD-
RAM having an interface layer" Joint MORIS/ISOM'97
p.294 (1997)」には、interface layerを、「宮内他４
“酸化物界面層による相変化ディスクの保護層・記録層
間相互拡散の防止”第４５回応用物理学関係連合講演会
講演予稿集（１９９８．３．東京工科大学）、第１１２
７頁、２９ｐ−ＺＫ−１２」には酸化物層を記録層と基
板の間に設けることにより、反射率変化を抑制する方法
が開示されている。

【０００６】なお、マークエッジ記録とは、記録マーク
のエッジ部分を情報の“１”に、それ以外の部分を情報
の“０”に対応させた記録方式のことを言う。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】近年、コンピュータ用
情報のみならず音声や画像などの情報がディジタル化さ
れ、取り扱う情報量が極めて大きくなってきている。そ
れに伴ってこれらの情報を保存するための光ディスクも
より大容量化する必要が生じてきている。

【０００８】大容量化のための技術としては、記録・再
生波長の短波長化、レンズの高ＮＡ化、マークエッジ記
録、狭トラック化などが挙げられる。たとえば、大容量
ディスクとして１９９８年に発売されたＤＶＤ−ＲＡＭ
においては、記録再生波長を従来の６８０〜８３０ｎｍ
から６５０ｎｍへと短波長化したこと、対物レンズのＮ
Ａを０．６と大きくするとともに０．６ｍｍ厚の薄型基
板を用いたこと、ランド・グルーブ記録を採用しトラッ
クピッチを０．７４μｍと狭トラック化したこと、マー
クエッジ記録によりビット密度を向上させたこと、など
によって直径１２０ｍｍのディスク片面に２．６ＧＢも
の情報を記録させることが可能になっている。

【０００９】さらに大容量化を行うためには、ビット密
度を向上させ、トラックピッチを小さくすることが重要
な技術の一つである。記録・再生波長をλ、レンズの開
口数をＮＡとすると、ビーム径はＤ＝λ／ＮＡに比例す
る量となることが知られている。上記のＤＶＤ−ＲＡＭ
においては、ビーム径に対する最短マーク長
（Ｍ_min）、すなわちＭ_min／Ｄは約０．５６であり、ま
たビーム径に対するトラックピッチ（ＴＰ）、すなわち
ＴＰ／Ｄは約０．６８である。Ｍ_min／Ｄ、ＴＰ／Ｄを
さらに小さくすることができれば、レーザの更なる短波
長化など、他分野でのブレイクスルーを待たずに、大容
量化が可能になる。

【００１０】このような観点で大容量化に関する検討を
行ったところ、ビットピッチに関してはＭ_min／Ｄを
０．５以下にすると最短マークが短くなるため信号のＳ
／Ｎが低下することがわかった。またトラックピッチに
関しては、ＴＰ／Ｄを０．６以下にしても比較的良好な
記録特性が得られることがわかったが、隣の信号が漏れ
込んでくるクロストークによってやはり信号のＳ／Ｎが
低下することがわかった。

【００１１】一方、多数回の書換えによるＳの記録層中
への拡散を防止する上記Interfacelayerや酸化物層は、
熱伝導率が高いため記録感度が低下するという欠点があ
ることがわかった。

【００１２】本発明の目的は、高密度記録においても信
号のＳ／Ｎが高く、かつ記録感度が良好で、多数回の書
換えを行なっても良好な記録再生特性を保持する情報記
録媒体を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の目的
を達成すべく、種々の検討を行ったところ、基板と、基
板上に形成された、光ビームの照射により原子配列が２
つの異なる状態間で変化する現象を利用して情報の記録
・再生を行う記録層とを、少なくとも備えた情報記録媒
体において、基板と記録層との間に誘電体層を少なくと
も２層形成し、記録層と接して形成される側の誘電体層
を、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＡｌＯＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ａ
ｌＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯからなるＡ群材料のう
ちの少なくともひとつと、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＣｒＮ、ＴａＮ、
ＧｅＮ、ＳｉＣからなるＢ群材料のうちの少なくともひ
とつとの混合物とすることで、上記の問題を可及的に解
決することができることを見出した。

【００１４】このとき、上記Ｂ群材料の含有量が５モル
％以上５０モル％以下であることが好ましい。上記Ｂ群
材料として好ましいのはＣｒ₂Ｏ₃、ＣｒＮである。上記
Ａ群材料として好ましいのはＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃であ
る。上記Ａ群材料としてＳｉＯ₂およびＡｌ₂Ｏ₃の混合
物を用いてもよい。このとき、ＳｉＯ₂とＡｌ₂Ｏ₃の含
有量の比が０．１以上０．９以下であることが好まし
い。

【００１５】上記において、基板と接して形成される側
の誘電体層はＺｎＳとＳｉＯ₂の混合物からなることが
好ましい。このとき、ＳｉＯ₂の含有量が５モル％以上
４５モル％以下であるのがよい。

【００１６】さらに上記記録層が ＧｅαＳｂβＴｅγＭＡδ であり、かつα、β、γ、δは原子％であって、１４≦
α≦２３、１６≦β≦２７、５０≦γ≦６５、０≦δ≦
２０、α＋β＋γ＋δ＝１００を満たす範囲にあり、か
つＭＡがＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏ
ｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｐ、Ａｒ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐ
ｂ、Ｂｉのうちの少なくとも１元素からなることが好ま
しい。

【００１７】また上記記録層が ＡｇεＩｎζＳｂηＴｅθＭＢκ であり、かつε、ζ、η、θ、κは原子％であって、１
≦ε≦１５、１≦ζ≦１５、４５≦η≦８０、２０≦θ
≦４０、０≦κ≦２０、ε＋ζ＋η＋θ＋κ＝１００を
満たす範囲にあり、かつＭＢがＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、
Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ａｒ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉ
ｎ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉのうちの少なくとも１元素
からなることが好ましい。

【００１８】上記のＡ群材料とＢ群材料を混合させた誘
電体層の作用について以下に述べる。本発明における、
記録層と接する側の誘電体層に含まれるＡ群材料は、広
範な波長領域において消衰係数がほとんど０である材料
であり、記録再生に用いられる波長を吸収することがな
い。したがって、入射する光をより効率的に使うことが
できるため、光入射側と反対側に光を反射する層を形成
することによって高い反射率を得ることができる。反射
率を高くすると信号レベルが大きくなるため信号のＳ／
Ｎが向上する。

【００１９】また、Ｂ群材料は記録層との密着力が大き
く、過酷な環境にディスクが放置されても膜剥離などの
劣化を起こしにくい効果がある。一方、Ａ群材料は記録
層との密着力が弱く、過酷な環境に放置すると記録層と
の界面で膜剥離が生じてしまうという欠点がある。ま
た、Ｂ群材料は消衰係数が０より大きく０．１以下と大
きいため入射光の一部を吸収してしまうため反射率を大
きくとることができないという欠点がある。したがっ
て、Ａ群材料とＢ群材料を混合させることによって、高
反射率かつ密着力の高い媒体を実現することができる。

【００２０】Ａ群材料の含有量が５０モル％以上であれ
ば、Ａ群材料の消衰係数が０であるという特徴を生かす
ことができる。一方、Ｂ群材料は５モル％含有させれば
密着力を大きくする効果があらわれる。したがって、反
射率が大きくかつ記録層との密着力を大きくするために
は、Ｂ群材料を５モル％以上５０モル％以下含有させる
のが好ましい。さらに好ましくは７モル%以上４０モル
％以下であり、最も好ましくは９モル％以上３３モル％
以下である。記録層と接する側の誘電体層において、Ａ
群材料とＢ群材料の含有量を膜厚方向で変化させること
も可能である。記録層に接する側には密着力の強いＢ群
元素を多く、その反対側には屈折率の低いＡ群元素を多
く含ませると、反射率をより高くとり密着力をより増す
ことができる。

【００２１】基板に接する側の誘電体層としては、記録
・再生波長に対して透明であり、融点が高い材料を使用
することができる。具体的にはＣｅＯ₂、Ｌａ₂Ｏ₃、Ｓ
ｉＯ、ＳｉＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃、ＧｅＯ、Ｇｅ
Ｏ₂、ＰｂＯ、ＳｎＯ、ＳｎＯ₂、Ｂｉ₂Ｏ₃、ＴｅＯ₂、
Ｔａ₂Ｏ₅、Ｓｃ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、Ｖ₂
Ｏ ₅、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＷＯ₂、ＷＯ₃、ＣｄＳ、Ｚ
ｎＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＳｅ、Ｉｎ₂Ｓ₃、Ｉｎ₂Ｓｅ₃、Ｓ
ｂ₂Ｓ₃、Ｓｂ₂Ｓｅ₃、Ｇａ₂Ｓ₃、Ｇａ₂Ｓｅ₃、ＧｅＳ、
ＧｅＳｅ、ＧｅＳｅ₂、ＳｎＳ、ＳｎＳ₂、ＳｎＳｅ、Ｓ
ｎＳｅ₂、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、Ｂｉ₂Ｓｅ₃、Ｂｉ₂Ｓ₃、
ＭｇＦ₂、ＣｅＦ₃、ＣａＦ₂、ＴａＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ａｌ
Ｎ、ＢＮ、Ｓｉ、ＴｉＢ₂、Ｂ₄Ｃ、ＳｉＣ、Ｂ、Ｃおよ
びこれらに類似した組成を有するものならびにこれらの
混合物である。

【００２２】これらのうち硫化物ではＺｎＳまたはそれ
に類似した組成の化合物が、屈折率が適当な大きさであ
り、かつ膜が安定である点で好ましい。窒化物として
は、膜が安定でかつ強固な点で、ＴａＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ａ
ｌＮまたはＡｌＳｉＮ₂およびそれらに類似する組成の
化合物が好ましい。酸化物として好ましいのはＹ₂Ｏ₃、
Ｓｃ₂Ｏ₃、ＣｅＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ、Ｔａ₂
Ｏ₅、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂またはＳｉＯ₂およ
びそれらに類似する組成の化合物である。水素を含むＳ
ｉの非晶質も好適である。ＳｉＡｌＯＮまたはそれに類
似する組成の化合物も好ましい。

【００２３】ＺｎＳとＳｉＯ₂の混合物は、その含有量
の比を変えることによって屈折率を約１．５〜２．４ま
で変えることができるため、所望の屈折率を選ぶことが
できる。また、熱伝導率が小さく記録感度が高いという
利点を持つ。特に、ＳｉＯ₂の含有量が５モル％以上４
５モル％以下の場合が好ましい。

【００２４】基板材料としては、ガラス、ポリカーボネ
ート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルペンテ
ン、ポリオレフィン、エポキシ、アクリルなどを用いる
ことができる。

【００２５】基板に接する側にＺｎＳを含む誘電体層を
用いる場合、記録層に接する側の誘電体層の膜厚が１ｎ
ｍ以下であると、多数回の書換えによってＳが記録層中
に拡散し、反射率を低下させる。これを防止するために
は、記録層に接する側の誘電体層の膜厚を１ｎｍ以上に
することが好ましい。

【００２６】記録層としてはＧｅＳｂＴｅ系、ＡｇＩｎ
ＳｂＴｅ系、ＧｅＴｅ系、ＧｅＴｅＳｂＳｅ系、ＩｎＳ
ｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＳｂ系など公知の材料を用
いることができる。このうちＧｅＳｂＴｅ系は書換え回
数が大きいという点で好ましい。ＡｇＩｎＳｂＴｅ系は
結晶と非晶質とのコントラスト比が大きくかつ消去比が
大きいという点で好ましい。ＧｅＴｅ系、ＧｅＴｅＳｂ
Ｔｅ系は反射率が大きいという点で好ましい。

【００２７】ＧｅＳｂＴｅ系材料のうち好ましいのは、
その膜厚方向の平均組成を一般式ＧｅαＳｂβＴｅγＭ
Ａδであらわしたときにα、β、γ、δが以下の範囲に
あるものである。ただし、α、β、γ、δは原子％であ
って、ＭＡはＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒ
ｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ａｌ、
Ｓｉ、Ｐ、Ａｒ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔ
ｌ、Ｐｂ、Ｂｉのうちの少なくとも１元素である。

【００２８】 １４≦α≦２３ １６≦β≦２７ ５０≦γ≦６５ ０≦δ≦２０ α＋β＋γ＋δ＝１００ ＭＡで表される元素のうち、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕはレーザ光を吸
収しやすいので記録感度が高くなるといった効果があ
る。これらの含有量として好ましいのは１０原子％以下
である。

【００２９】これらの元素のうち、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、
Ｃｕ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｕがより好ま
しい。ＣｒはＣｒ−Ｔｅ系合金など融点が高い合金を形
成しやすいため、多数回の書換えによる記録層の流動を
防止する効果がある。Ａｇは結晶と非晶質の光学定数差
を大きくするため、結晶と非晶質のコントラスト比を大
きくとることができるという効果がある。Ｃｏは活性化
エネルギーを大きくし非晶質の安定性を増す効果があ
る。Ｔｉ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔは耐酸化性を増す効
果がある。Ｃｕ、Ａｕは成膜が容易であり、かつ反射率
を高くすることができるという効果がある。

【００３０】ＭＡで表される元素のうち、Ｎ（窒素）は
結晶粒径を小さくしてノイズを小さくする効果がある。
窒素含有量として好ましいのは０．５原子％以上１０原
子％以下であり、１原子％以上７原子％以下がさらに好
ましい。記録層中の窒素は窒化物として含まれるのが好
ましい。記録層中に窒素を含有させる場合、記録層の膜
厚方向に濃度勾配をつけてもよい。特に、記録層の少な
くとも一方の界面の窒素濃度を大きくすると、界面での
結晶核形成確率が増し消去が容易になるという効果があ
る。界面の窒素濃度を増した場合、高温高湿環境にディ
スクを長時間放置しても結晶核形成確率がほとんど変化
せず、消去特性が変化することがない。

【００３１】ＭＡで表される元素のうち、Ｏ（酸素）は
非晶質マークの安定性が増す効果がある。特に非晶質マ
ーク内に、非晶質マークを取り巻く結晶状態の領域が結
晶（エピタキシー）成長して侵入することを防止する効
果がある。酸素の添加は、マークエッジ記録を行う場合
やトラックピッチが狭い場合に効果がある。たとえば、
記録マークのビーム進行方向の最短長さが０．７μｍ以
下のときに効果が大きく、０．５μｍ以下のときにさら
に効果が大きい。また、トラックピッチが１μｍ以下の
場合に効果が大きく、０．７μｍ以下の場合にさらに効
果が大きくなる。

【００３２】また、ビーム径に対するトラックピッチＴ
Ｐ／Ｄが０．７以下の場合にも効果が大きく、ＴＰ／Ｄ
が０．６以下の場合にはさらに大きな効果がある。酸素
の含有量は２原子％以上２０原子％以下が好ましく、３
原子％以上１５原子％以下がより好ましい。最も好まし
くは８原子％以上１４原子％以下である。酸素はＧｅの
酸化物もしくはＳｂの酸化物として記録層に含まれるの
が好ましい。Ｇｅの酸化物として含まれる場合には、酸
化物としてのＧｅの含有量ａ（原子％）と酸化物以外の
Ｇｅの含有量ｂ（原子％）との間の関係が、０．０２≦
ａ／（ａ＋ｂ）≦０．５の範囲にあることが好ましい。
酸素がＳｂの酸化物として含まれる場合には、酸化物と
してのＳｂの含有量ｃ（原子％）と酸化物以外のＳｂの
含有量ｄ（原子％）との間の関係が、０．０１≦ｃ／
（ｃ＋ｄ）≦０．２の範囲にあることが好ましい。

【００３３】ＭＡで表される元素のうち、Ｂ、Ｃ、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ａｒ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、
Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉは結晶化温度を上昇させる効果があ
る。

【００３４】ＭＡで表される元素のうち複数元素を添加
すると、それぞれの元素を添加した場合の効果があらわ
れる場合がある。たとえば、ＭＡとしてＡｇとＯを添加
すると、結晶と非晶質のコントラスト比を大きくとるこ
とができ、かつ非晶質の安定性が増す効果が得られる。
また、ＣｒとＮを添加すると、多数回の書換えによる記
録層の流動を防止することができ、かつ高温高湿環境放
置後も消去特性が良好になるという効果が得られる。Ａ
ｇ、ＮおよびＯでは、結晶と非晶質のコントラスト比を
大きくとることができ、高温高湿環境放置後も消去特性
が良好で、かつ非晶質の安定性が増す効果が得られる。

【００３５】ＭＡとして複数元素を添加する場合は、そ
れらの含有量の合計が２０原子％であることが好ましい
が、酸素と他の元素を添加する場合は、酸素を２０原子
％以下、他の元素を１０原子％以下添加しても好ましい
結果が得られる。

【００３６】また、記録層としてＡｇＩｎＳｂＴｅ系材
料を選んだ場合、好ましい組成はその膜厚方向の平均組
成を一般式ＡｇεＩｎζＳｂηＴｅθＭＢκで表したと
きにε、ζ、η、θ、κが以下の範囲にあるものであ
る。ただし、ε、ζ、η、θ、κは原子％であって、Ｍ
ＢはＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、
Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ａ
ｒ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ
のうちの少なくとも１元素である。

【００３７】 １≦ε≦１５ １≦ζ≦１５ ４５≦η≦８０ ２０≦θ≦４０ ０≦κ≦２０ ε＋ζ＋η＋θ＋κ＝１００ ＭＢで表せる元素のうち、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕはレーザ光を吸収し
やすいので記録感度が高くなるといった効果がある。こ
れらの含有量として好ましいのは１０原子％以下であ
る。

【００３８】これらの元素のうちでは、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｕがより
好ましい。ＣｒはＣｒ−Ｔｅ系合金など融点が高い合金
を形成しやすいため、多数回の書換えによる記録層の流
動を防止する効果がある。Ｖは結晶と非晶質の光学定数
差を大きくするため、結晶と非晶質のコントラスト比を
大きくとることができるという効果がある。Ｃｏは活性
化エネルギーを大きくし非晶質の安定性を増す効果があ
る。Ｔｉ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔは耐酸化性を増す効
果がある。Ｃｕ、Ａｕは成膜が容易であり、かつ反射率
を高くすることができるという効果がある。

【００３９】ＭＢで表せる元素のうち、Ｎ（窒素）は書
換え回数を向上させる効果がある。窒素含有量として好
ましいのは０．５原子％以上１０原子％以下であり、１
原子％以上７原子％以下がさらに好ましい。記録層中に
は窒化物として含まれることが好ましい。記録層中に窒
素を含有させる場合、記録層の膜厚方向に濃度勾配をつ
けてもよい。特に、記録層の少なくとも一方の界面の窒
素濃度を大きくすると、界面での結晶核形成確率が増し
消去が容易になるという効果がある。界面の窒素濃度を
増した場合、高温高湿環境にディスクを長時間放置して
も結晶核形成確率がほとんど変化せず、消去特性が変化
することがない。

【００４０】ＭＢで表せる元素のうち、Ｏ（酸素）は非
晶質マークの安定性が増す効果がある。特に、非晶質マ
ーク内に、非晶質マークを取り巻く結晶状態の領域が結
晶（エピタキシー）成長して侵入することを防止する効
果がある。酸素の添加は、マークエッジ記録を行う場合
やトラックピッチが狭い場合に効果がある。たとえば、
記録マークのビーム進行方向の最短長さが０．７μｍ以
下のときに効果が大きく、０．５μｍ以下のときにさら
に効果が大きい。また、トラックピッチが１μｍ以下の
場合に効果が大きく、０．７μｍ以下の場合にさらに効
果が大きくなる。また、ビーム径に対するトラックピッ
チＴＰ／Ｄが０．７以下の場合にも効果が大きく、ＴＰ
／Ｄが０．６以下の場合にはさらに大きな効果がある。

【００４１】酸素の含有量は２原子％以上２０原子％以
下が好ましく、３原子％以上１５原子％以下がより好ま
しい。最も好ましくは８原子％以上１４原子％以下であ
る。酸素はＩｎの酸化物もしくはＳｂの酸化物として記
録層に含まれるのが好ましい。Ｉｎの酸化物として含ま
れる場合には、酸化物としてのＩｎの含有量ｅ（原子
％）と酸化物以外のＩｎの含有量ｆ（原子％）との間の
関係が、０．０１≦ｅ／（ｅ＋ｆ）≦０．５の範囲にあ
ることが好ましい。酸素がＳｂの酸化物として含まれる
場合には、酸化物としてのＳｂの含有量ｇ（原子％）と
酸化物以外のＳｂの含有量ｈ（原子％）との間の関係
が、０．０１≦ｇ／（ｇ＋ｈ）≦０．２の範囲にあるこ
とが好ましい。

【００４２】ＭＢで表せる元素のうち、Ｂ、Ｃ、Ａｌ、
Ｓｉ、Ｐ、Ａｒ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔ
ｌ、Ｐｂ、Ｂｉは結晶化温度を上昇させる効果がある。

【００４３】ＭＢで表せる元素のうち複数元素を添加す
ると、それぞれの元素を添加した場合の効果があらわれ
る場合がある。たとえば、ＭＢとしてＶとＯを添加する
と、結晶と非晶質のコントラスト比を大きくとることが
でき、かつ非晶質の安定性が増す効果が得られる。ま
た、ＣｒとＮを添加すると、多数回の書換えによる記録
層の流動を防止することができ、かつ高温高湿環境放置
後も消去特性が良好になるという効果が得られる。Ｎと
Ｏでは、高温高湿環境放置後も消去特性が良好で、かつ
非晶質の安定性が増す効果が得られる。

【００４４】ＭＢとして複数元素を添加する場合は、そ
れらの含有量の合計が２０原子％であることが好ましい
が、酸素と他の元素を添加する場合は、酸素を２０原子
％以下、他の元素を１０原子％以下添加しても好ましい
結果が得られる。

【００４５】

【発明の実施の形態】以下に本発明を実施例によって詳
細に説明する。直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリ
カーボネート樹脂板の表面に、アドレス情報などを含む
凹凸ピットと、１．２３ｍピッチのＵ字型溝とをあらか
じめ形成した基板１を用意した。Ｕ字型溝の溝幅と溝間
（ランド）幅はほぼ等しく約０．６μｍとした。

【００４６】この基板１を、複数のスパッタ室を持ち、
膜厚の均一性および再現性に優れたスパッタ装置内の第
１スパッタ室に配置した。ターゲットとしてＺｎＳとＳ
ｉＯ₂の混合物を用い、アルゴンガス中で厚さ１２０ｎ
ｍの（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀（モル％）第１誘電体
層２を形成した。次いでこの基板を第２のスパッタ室に
移動した後、ターゲットとしてＳｉＯ₂とＣｒ₂Ｏ₃の混
合物を用い、アルゴンガス中で厚さ１０ｎｍの（ＳｉＯ
₂）₇₅（Ｃｒ₂Ｏ₃）₂₅（モル％）第２誘電体層３を形成
した。

【００４７】さらにこの基板を第３スパッタ室に移動し
た後、ターゲットをＡｇ_2.5Ｇｅ₂₀Ｓｂ_22.5Ｔｅ₅₅（原
子％）焼結体として、アルゴンガス中で記録層４を７ｎ
ｍ形成した。次いで第４スパッタ室に基板を移動し、Ｃ
ｒ₂Ｏ₃ターゲットを用いてＣｒ₂Ｏ₃界面層５を５ｎｍ形
成した。

【００４８】続いて第５スパッタ室に基板を移動し、第
１誘電体層形成と同様の要領で厚さ３８ｎｍの（Ｚｎ
Ｓ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀（モル％）中間層６を形成した。
次いで、第６スパッタ室内でＣｒ−（Ｃｒ₂Ｏ₃）合金を
ターッゲットとして用い、Ｃｒ₇₅（Ｃｒ₂Ｏ₃）₂₅（モル
％）第１反射層７を３５ｎｍ形成した。最後に第７スパ
ッタ室室内でＣｒをターッゲットとして用い、Ｃｒ第２
反射層８を１２ｎｍ形成した。積層された基板をスパッ
タ装置から取り出し、最上層の上に紫外線硬化樹脂保護
層９をスピンコートによって形成した。

【００４９】同様にしてもう一枚の同様な基板１'上に
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀（モル％）第１誘電体層
２'、（ＳｉＯ₂）₇₅（Ｃｒ₂Ｏ₃）₂₅（モル％）第２誘電
体層３'、記録層４'、Ｃｒ₂Ｏ₃界面層５'、（ＺｎＳ）
₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀（モル％）中間層６'、Ｃｒ₇₅（Ｃｒ₂
Ｏ₃）₂₅（モル％）第１反射層７'、Ｃｒ第２反射層
８'、紫外線硬化樹脂保護層９'を形成した。この２枚の
基板を、紫外線硬化樹脂保護層９、９'を内側にして接
着剤層１０によって貼り合わせを行った。この時、接着
剤層の直径を１１８ｍｍ以上にすると落下などの衝撃に
よる接着剤層の剥離が起こりにくくなった。

【００５０】上記のように作製したディスクを、波長８
１０ｎｍ、ビーム長径７５μｍ、短径１μｍの楕円ビー
ムを持つレーザ光を照射することによって初期化を行っ
た後、ディスクを線速度約８．５ｍ／ｓとなるように回
転させ、波長６６０ｎｍの半導体レーザ光をＮＡ０．６
の対物レンズで集光して基板を通して記録層上に照射
し、ディスクミラー部（ピット、案内溝のない領域）の
反射率を測定した。その結果、このディスクの反射率は
１９％となった。

【００５１】またこのディスクを、温度９０℃相対湿度
８０％の環境下に５００時間放置する加速試験を行い、
加速試験前後で、第２誘電体層と記録層との界面での剥
離を調べた。第２誘電体層と記録層との間で剥離が生じ
ると、その部分の反射率は剥離を生じていない部分と全
く異なるため、不連続的な反射率変化として観測され
る。従ってこの不連続的な変化を測定することで、ごみ
やピンホールによる比較的連続的な反射率変化と区別し
て剥離の測定を行うことができる。測定の結果、加速試
験前後で剥離は全く生じていなかった。

【００５２】ＳｉＯ₂−Ｃｒ₂Ｏ₃第２誘電体層のＳｉＯ₂
とＣｒ₂Ｏ₃の含有量を変えた以外は上記と同様の方法で
ディスクを数種類１０枚ずつ作製し、それぞれのディス
クについて、反射率および剥離の測定を行ったところ、
表１に示す結果が得られた。

【００５３】

【表１】

【００５４】ＳｉＯ₂−Ｃｒ₂Ｏ₃第２誘電体層のＣｒ₂Ｏ
₃のかわりにＣｒＮ、ＴａＮ、ＧｅＮを用いても良く似
た特性が得られた。またＳｉＯ₂−Ｃｒ₂Ｏ₃第２誘電体
層のＳｉＯ₂のかわりにＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＡｌＯＮ、Ｓｉ₃
Ｎ₄ 、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯを用いても良
く似た特性が得られた。ＳｉＯ₂−Ｃｒ₂Ｏ₃第２誘電体
層にＡｌ₂Ｏ₃をさらに添加しても良く似た特性が得られ
た。このときＳｉＯ₂とＡｌ₂Ｏ₃の含有量の比を０．１
以上０．９以下とすると良好な特性が得られた。

【００５５】上記のディスクを線速度約８．５ｍ／ｓと
なるように回転させ、波長６６０ｎｍの半導体レーザ光
をＮＡ０．６の対物レンズで集光して基板を通して記録
層上に照射し、記録・再生を行った。記録にはレーザパ
ワーを９ｍＷと４．５ｍＷの間で変調した波形を用い、
８−１６変調されたランダム信号を記録した。９ｍＷの
パワーで記録マークを形成し、４．５ｍＷのパワーで消
去を行うダイレクトオーバライトを行った。なお、最短
マーク長は０．４２μｍとした。また、最短マーク以外
は記録パルスを複数に分割するマルチパルス記録波形を
用いた。このとき８％のジッターが得られた。このディ
スクのＡｇ_2.5Ｇｅ₂₀Ｓｂ_22.5Ｔｅ₅₅記録層の各元素の
含有量を以下の範囲で変えたときにも良好なジッターが
得られた。

【００５６】 Ｇｅ含有量：１４〜２３原子％ Ｓｂ含有量：１６〜２７原子％ Ｔｅ含有量：５０〜６５原子％ Ａｇ含有量：０〜２０原子％ Ａｇ含有量は１０原子％以下が特に好適であった。Ａｇ
の一部もしくは全部をＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒ
ｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕに置換した場合にも良く似
た特性が得られた。このうち、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃ
ｕ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｕが好適であった。Ｃ
ｒを添加した場合には多数回書換えによる記録層の流動
が小さくなった。Ｃｏは記録層の活性化エネルギーを大
きくなり非晶質の安定性が増大した。Ｔｉ、Ｎｂ、Ｐ
ｄ、Ｔａ、Ｐｔは耐酸化性が増大した。Ｃｕ、Ａｕは反
射率が増大した。Ａｇの一部もしくは全部をＮに置換し
た場合、記録層の結晶粒径が小さくなりノイズが小さく
なった。

【００５７】含有量は０．５〜１０原子％が好適で、１
〜７原子％が特に好適であった。また、Ｎ濃度が記録層
の界面に多くなるようにしたところ、過酷な環境下に長
時間放置しても消去特性がまったく変化しなかった。

【００５８】Ａｇの一部もしくは全部をＯに置換した場
合、非晶質マークの安定性が増大した。Ｏの導入方法
は、記録層成膜後、酸素雰囲気中に一定時間放置するこ
とによって行った。このときの酸素分圧と放置時間を変
え、記録層中のＧｅ酸化物およびＳｂ酸化物の含有量を
変えたディスクを複数枚用意し、それぞれを上記と同様
の方法で初期化を行った後、ドライブを用いて８−１６
変調されたランダム信号を記録した。その後、これらの
ディスクを７０℃９０％の環境下に４０日間放置する加
速試験を行い、加速試験後ドライブでの再生テストを行
い、エラーレートが試験前の２倍以上になるディスクの
枚数を調べた。記録層中のＧｅ酸化物およびＳｂ酸化物
の含有量を変えたとき、エラーが２倍以上になったディ
スク枚数は表２のようになった。記録層中のＧｅ酸化物
およびＳｂ酸化物の含有量の測定にはＸＰＳ装置を用
い、ＧｅおよびＳｂのＸＰＳスペクトルをピーク分離す
ることにより求めた。なお、下表ａは酸化物状態のＧｅ
の存在量、ｂは金属または合金状態のＧｅの存在量、ｃ
は酸化物状態のＳｂの存在量、ｄは金属または合金状態
のＳｂの存在量である。

【００５９】また、記録層中のＧｅ酸化物およびＳｂ酸
化物の含有量を変えた別のディスクを複数枚用意し、そ
れぞれを初期化した後、ドライブを用いて８−１６変調
されたランダム信号の記録をディスクの同一箇所に繰り
返し行い、再生もしくは記録エラーが発生する回数を調
べた。記録層中のＧｅ酸化物およびＳｂ酸化物の含有量
を変えたとき、繰り返し記録の回数は表２のようになっ
た。

【００６０】

【表２】

【００６１】記録層としてＡｇＧｅＳｂＴｅのかわりに
ＡｇＩｎＳｂＴｅを用いたとき、それぞれの含有量を以
下の範囲に変えたときにも良好なジッターが得られた。

【００６２】 Ａｇ含有量：１〜１５原子％ Ｉｎ含有量：１〜１５原子％ Ｓｂ含有量：４５〜８０原子％ Ｔｅ含有量：２０〜４０原子％ また、添加元素としてＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒ
ｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕを２０原子％以下の範囲で
添加した場合にも良く似た特性が得られた。このうち、
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐ
ｔ、Ａｕが好適であった。Ｃｒを添加した場合には多数
回書換えによる記録層の流動が小さくなった。Ｖは結晶
と非結晶質のコントラスト比を大きくする効果があっ
た。Ｃｏは記録層の活性化エネルギーが大きくなり非晶
質の安定性が増大した。Ｔｉ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔ
は耐酸化性が増大した。Ｃｕ、Ａｕは反射率が増大し
た。

【００６３】添加元素としてＮを添加した場合、記録層
の結晶粒径が小さくなりノイズが減少した。含有量は
０．５〜１０原子％が好適で、１〜７原子％が特に好適
であった。また、Ｎ濃度が記録層の界面に多くなるよう
にしたところ、過酷な環境下に長時間放置しても消去特
性が全く変化しなかった。

【００６４】Ａｇの一部もしくは全部をＯに置換した場
合、非晶質マークの安定性が増大した。Ｏの導入方法
は、記録層成膜後、酸素雰囲気中に一定時間放置するこ
とによって行った。このときの酸素分圧と放置時間を変
えたディスクを用意し、それぞれを上記と同様の方法で
初期化を行った後、ドライブを用いて８−１６変調され
たランダム信号を記録し、ジッターを測定した。

【００６５】その後、これらのディスクを８０℃、９０
％の環境下に２００時間放置する加速試験を行い、加速
試験後のジッターを測定した。記録層中のＩｎ酸化物お
よびＳｂ酸化物の含有量を変えたとき、加速試験前後で
のジッターは表３のようになった。記録層中のＩｎ酸化
物およびＳｂ酸化物の含有量の測定にはＸＰＳ装置を用
い、ＩｎおよびＳｂのＸＰＳスペクトルをピーク分離す
ることにより求めた。なお、下表ｅは酸化物状態のＩｎ
の存在量、ｆは金属または合金状態のＩｎの存在量、ｇ
は酸化物状態のＳｂの存在量、ｈは金属または合金状態
のＳｂの存在量である。

【００６６】

【表３】

【００６７】

【発明の効果】本発明は前述のような構成になってお
り、高密度記録においても信号のＳ／Ｎが高く、かつ記
録感度が良好で、多数回の書換えを行なっても良好な記
録再生特性を保持する情報記録媒体を提供することがで
きた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る情報記録媒体の断面
図である。

【符号の説明】 １，１' 基板 ２，２' 第１誘電体層 ３，３' 第２誘電体層 ４，４' 記録層 ５，５' 界面層 ６，６' 中間層 ７，７' 第１反射層 ８，８' 第２反射層 ９，９' 紫外線硬化樹脂保護層 １０ 接着剤層

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１１ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１１ ５３３ ５３３Ｎ ５３５ ５３５Ｇ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ (72)発明者 渡辺 均 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 渕岡 保 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 碇 喜博 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 宮本 真 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 2H111 FA21 FA25 FA28 FA29 FB05 FB09 FB23 FB30 5D029 JA01 LA13 LA14 LA16 LA17

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と、その基板上に形成された、光ビ
   ームの照射により原子配列が２つの異なる状態間で変化
   する現象を利用して情報の記録・再生を行う記録層と
   を、少なくとも備えた情報記録媒体において、 上記基板と記録層との間に誘電体層が少なくとも２層形
   成されており、記録層と接して形成される側の誘電体層
   が、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＡｌＯＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ａ
   ｌＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯからなるＡ群材料のう
   ちの少なくともひとつと、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＣｒＮ、ＴａＮ、
   ＧｅＮからなるＢ群材料のうちの少なくともひとつとの
   混合物からなることを特徴とする情報記録媒体。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の情報記録媒体におい
   て、上記Ｂ群材料の含有量が５モル％以上５０モル％以
   下であることを特徴とする情報記録媒体。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の情報記録媒体におい
   て、上記Ｂ群材料がＣｒ₂Ｏ₃であることを特徴とする情
   報記録媒体。
4. 【請求項４】 請求項２に記載の情報記録媒体におい
   て、上記Ｂ群材料がＣｒＮであることを特徴とする情報
   記録媒体。
5. 【請求項５】 請求項２〜４のいずれかに記載の情報記
   録媒体において、上記Ａ群材料がＳｉＯ₂であることを
   特徴とする情報記録媒体。
6. 【請求項６】 請求項２〜４のいずれかに記載の情報記
   録媒体において、上記Ａ群材料がＡｌ₂Ｏ₃であることを
   特徴とする情報記録媒体。
7. 【請求項７】 請求項２〜４のいずれかに記載の情報記
   録媒体において、上記Ａ群材料がＳｉＯ₂およびＡｌ₂Ｏ
   ₃であって、ＳｉＯ₂とＡｌ₂Ｏ₃の含有量の比が０．１以
   上０．９以下であることを特徴とする情報記録媒体。
8. 【請求項８】 請求項１〜７のいずれかに記載の情報記
   録媒体において、上記基板と接して形成される側の誘電
   体層がＺｎＳとＳｉＯ₂の混合物からなり、ＳｉＯ₂の含
   有量が５モル％以上４５モル％以下であることを特徴と
   する情報記録媒体。
9. 【請求項９】 請求項１〜８のいずれかに記載の情報記
   録媒体において、上記記録層が ＧｅαＳｂβＴｅγＭＡδ であり、かつα、β、γ、δは原子％であって、１４≦
   α≦２３、１６≦β≦２７、５０≦γ≦６５、０≦δ≦
   ２０、α＋β＋γ＋δ＝１００を満たす範囲にあり、か
   つＭＡがＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
   ｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、
   Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏ
   ｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、
   Ｐ、Ａｒ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐ
   ｂ、Ｂｉのうちの少なくとも１元素からなることを特徴
   とする情報記録媒体。
10. 【請求項１０】 請求項１〜８のいずれかに記載の情報
    記録媒体において、上記記録層が ＡｇεＩｎζＳｂηＴｅθＭＢκ であり、かつε、ζ、η、θ、κは原子％であって、１
    ≦ε≦１５、１≦ζ≦１５、４５≦η≦８０、２０≦θ
    ≦４０、０≦κ≦２０、ε＋ζ＋η＋θ＋κ＝１００を
    満たす範囲にあり、かつＭＢがＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、
    Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎ
    ｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔ
    ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、
    Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ａｒ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉ
    ｎ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉのうちの少なくとも１元素
    からなることを特徴とする情報記録媒体。