JP2000339751A - 相変化形光記録媒体 - Google Patents
相変化形光記録媒体Info
- Publication number
- JP2000339751A JP2000339751A JP11153486A JP15348699A JP2000339751A JP 2000339751 A JP2000339751 A JP 2000339751A JP 11153486 A JP11153486 A JP 11153486A JP 15348699 A JP15348699 A JP 15348699A JP 2000339751 A JP2000339751 A JP 2000339751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- resin
- recording
- phase
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24308—Metals or metalloids transition metal elements of group 11 (Cu, Ag, Au)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/2431—Metals or metalloids group 13 elements (B, Al, Ga, In)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
- G11B7/2534—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
- G11B7/2542—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of organic resins
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/2585—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on aluminium
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 信頼性の高い４Ｘ記録以上の高速記録が
可能な相変化形光記録媒体の提供。 【解決手段】 基板上に第１誘電体層、記録層、第２誘
電体層、金属又は合金層、ＵＶ硬化樹脂の順に積層して
なる光記録媒体において、この記録層の再結晶化上限線
速度が５．０〜１０．０ｍ／ｓであることを特徴とする
相変化形光記録媒体。
可能な相変化形光記録媒体の提供。 【解決手段】 基板上に第１誘電体層、記録層、第２誘
電体層、金属又は合金層、ＵＶ硬化樹脂の順に積層して
なる光記録媒体において、この記録層の再結晶化上限線
速度が５．０〜１０．０ｍ／ｓであることを特徴とする
相変化形光記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体、特に光
ビームを照射することにより記録層材料に相変化を生じ
させ、情報の記録・再生を行い、かつ、書き換えが可能
である相変化形情報記録媒体に関し、光メモリー関連機
器、特に書き換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ
Ｗ）に応用されるものである。
ビームを照射することにより記録層材料に相変化を生じ
させ、情報の記録・再生を行い、かつ、書き換えが可能
である相変化形情報記録媒体に関し、光メモリー関連機
器、特に書き換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ
Ｗ）に応用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る記録、再生および消去可能な光メモリー媒体のひとつ
として、結晶−非結晶相間あるいは結晶−結晶相間の転
移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく知られ
ている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビームによ
るオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系も
より単純であることなどから、最近その研究開発が活発
になっている。その代表的な例として、ＵＳＰ３５３０
４４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔ
ｅ−Ｓｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓ
ｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔ
ｅ、Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材料が
挙げられる。また安定性、高速結晶化などの向上を目的
に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２
号）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７０１９０
号）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０号）などを添加し
た材料の提案や、記録／消去の繰り返し性能向上を目的
に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成
比を特定した材料（特開昭６２−７３４３８号、特開昭
６３−２２８４３３号）の提案などもなされている。し
かし、そのいずれもが相変化形書換可能な光メモリー媒
体として要求される諸特性のすべてを満足しうるものと
はいえない。特に、記録感度、消去感度の向上、オーバ
ーライト時の消し残りによる消去比低下の防止、ならび
に記録部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題
となっている。
る記録、再生および消去可能な光メモリー媒体のひとつ
として、結晶−非結晶相間あるいは結晶−結晶相間の転
移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく知られ
ている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビームによ
るオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系も
より単純であることなどから、最近その研究開発が活発
になっている。その代表的な例として、ＵＳＰ３５３０
４４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔ
ｅ−Ｓｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓ
ｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔ
ｅ、Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材料が
挙げられる。また安定性、高速結晶化などの向上を目的
に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２
号）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７０１９０
号）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０号）などを添加し
た材料の提案や、記録／消去の繰り返し性能向上を目的
に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成
比を特定した材料（特開昭６２−７３４３８号、特開昭
６３−２２８４３３号）の提案などもなされている。し
かし、そのいずれもが相変化形書換可能な光メモリー媒
体として要求される諸特性のすべてを満足しうるものと
はいえない。特に、記録感度、消去感度の向上、オーバ
ーライト時の消し残りによる消去比低下の防止、ならび
に記録部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題
となっている。
【０００３】特開昭６３−２５１２９０号では結晶状態
が実質的に３元以上の多元化合物単層からなる記録層を
具備した記録媒体が提案されている。ここで実質的に三
元以上の多元化合物単層とは三元以上の化学量論組成を
持った化合物（例えばＩｎ3ＳｂＴｅ2）を記録層中に９
０原子％以上含むものとされている。このような記録層
を用いることにより記録、消去特性の向上が図れるとし
ている。しかしながら、消去比が小さい、記録消去に要
するレーザーパワーが未だ十分に低減されてはいないな
どの欠点を有している。
が実質的に３元以上の多元化合物単層からなる記録層を
具備した記録媒体が提案されている。ここで実質的に三
元以上の多元化合物単層とは三元以上の化学量論組成を
持った化合物（例えばＩｎ3ＳｂＴｅ2）を記録層中に９
０原子％以上含むものとされている。このような記録層
を用いることにより記録、消去特性の向上が図れるとし
ている。しかしながら、消去比が小さい、記録消去に要
するレーザーパワーが未だ十分に低減されてはいないな
どの欠点を有している。
【０００４】さらに、特開平１−２７７３３８号には
（ＳｂaＴｅ1-a）1-yＭy（ここで０．４≦ａ≦０．７、
ｙ≦０．２であり、ＭはＡｇ、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂ
ｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｓｅ、Ｓ
ｉ、Ｓｎ及びＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１
種である。）で表される組成の合金からなる記録層を有
する光記録媒体が提案されている。この系の基本はＳｂ
2Ｔｅ3であり、Ｓｂ過剰にすることにより、高速消去、
繰り返し特性を向上させ、Ｍの添加により高速消去を促
進させている。加えて、ＤＣ光による消去比も大きいと
している。しかし、この文献にはオーバーライト時の消
去比は示されておらず（本発明者らの検討結果では消し
残りが認められた）、記録感度も不十分である。
（ＳｂaＴｅ1-a）1-yＭy（ここで０．４≦ａ≦０．７、
ｙ≦０．２であり、ＭはＡｇ、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂ
ｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｓｅ、Ｓ
ｉ、Ｓｎ及びＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１
種である。）で表される組成の合金からなる記録層を有
する光記録媒体が提案されている。この系の基本はＳｂ
2Ｔｅ3であり、Ｓｂ過剰にすることにより、高速消去、
繰り返し特性を向上させ、Ｍの添加により高速消去を促
進させている。加えて、ＤＣ光による消去比も大きいと
している。しかし、この文献にはオーバーライト時の消
去比は示されておらず（本発明者らの検討結果では消し
残りが認められた）、記録感度も不十分である。
【０００５】同様に、特開昭６０−１７７４４６号では
記録層に（Ｉｎ1-xＳｂx）1-yＭy（０．５５≦ｘ≦０．
８０、０≦ｙ≦０．２０であり、Ｍは、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｔ
ｅ、Ｓｅ、Ｂｉである。）なる合金を用い、また、特開
昭６３−２２８４３３号では記録層にＧｅＴｅ−Ｓｂ2
Ｔｅ3−Ｓｂ（過剰）なる合金を用いているが、いずれ
も感度、消去比等の特性を満足するものではなかった。
記録層に（Ｉｎ1-xＳｂx）1-yＭy（０．５５≦ｘ≦０．
８０、０≦ｙ≦０．２０であり、Ｍは、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｔ
ｅ、Ｓｅ、Ｂｉである。）なる合金を用い、また、特開
昭６３−２２８４３３号では記録層にＧｅＴｅ−Ｓｂ2
Ｔｅ3−Ｓｂ（過剰）なる合金を用いているが、いずれ
も感度、消去比等の特性を満足するものではなかった。
【０００６】加えて、特開平４−１６３８３９号には記
録薄膜をＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金にＮを含有させることに
よって形成し、特開平４−５２１８８号には記録薄膜を
Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｅ合金にこれら成分のうちの少なくとも
一つが窒化物となっているものを含有させて形成し、特
開平４−５２１８９号には記録薄膜がＴｅ−Ｇｅ−Ｓｅ
合金にＮを吸着させることによって形成し、これら記録
薄膜をそれぞれ設けた光記録媒体が記載されている。し
かし、これらの光記録媒体でも十分な特性を有するもの
を得ることはできていない。
録薄膜をＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金にＮを含有させることに
よって形成し、特開平４−５２１８８号には記録薄膜を
Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｅ合金にこれら成分のうちの少なくとも
一つが窒化物となっているものを含有させて形成し、特
開平４−５２１８９号には記録薄膜がＴｅ−Ｇｅ−Ｓｅ
合金にＮを吸着させることによって形成し、これら記録
薄膜をそれぞれ設けた光記録媒体が記載されている。し
かし、これらの光記録媒体でも十分な特性を有するもの
を得ることはできていない。
【０００７】これまでみてきたように、光記録媒体にお
いては、特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライ
ト時の消し残りによる消去比低下の防止、並びに記録
部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっ
ている。
いては、特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライ
ト時の消し残りによる消去比低下の防止、並びに記録
部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっ
ている。
【０００８】一方、近年ＣＤ（コンパクトディスク）の
急速な普及にともない、一回だけの書き込みが可能な追
記型コンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）が開発され、市場
に普及されはじめた。しかし、ＣＤ−Ｒでは書き込み時
に一度でも失敗すると修正不可能なためそのディスクは
使用不能となってしまい廃棄せざるを得ない。したがっ
て、その欠点を補える書き換え可能なコンパクトディス
クの実用化が待望されていた。
急速な普及にともない、一回だけの書き込みが可能な追
記型コンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）が開発され、市場
に普及されはじめた。しかし、ＣＤ−Ｒでは書き込み時
に一度でも失敗すると修正不可能なためそのディスクは
使用不能となってしまい廃棄せざるを得ない。したがっ
て、その欠点を補える書き換え可能なコンパクトディス
クの実用化が待望されていた。
【０００９】研究開発された一つの例として、光磁気デ
ィスクを利用した書き換え可能なコンパクトディスクが
あるが、オーバーライトの困難さや、ＣＤ−ＲＯＭ、Ｃ
Ｄ−Ｒとの互換がとりにくい等といった欠点を有するた
め、原理的に互換確保に有利な相変化形光ディスクの実
用化開発が活発化してきた。
ィスクを利用した書き換え可能なコンパクトディスクが
あるが、オーバーライトの困難さや、ＣＤ−ＲＯＭ、Ｃ
Ｄ−Ｒとの互換がとりにくい等といった欠点を有するた
め、原理的に互換確保に有利な相変化形光ディスクの実
用化開発が活発化してきた。
【００１０】相変化形光ディスクを用いた書き換え可能
なコンパクトディスクの研究発表例としては、古谷
（他）：第４回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿
集，７０（１９９２）、神野（他）：第４回相変化記録
研究会シンポジウム講演予稿集，７６（１９９２）、川
西（他）：第４回相変化記録研究会シンポジウム講演予
稿集，８２（１９９２）、Ｔ．Ｈａｎｄａ（ｅｔ ａ
ｌ）：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２（１９
９３）、米田（他）：第５回相変化記録研究会シンポジ
ウム講演予稿集，９（１９９３）、富永（他）：第５回
相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集，５（１９９
３）のようなものがあるが、いずれも、ＣＤ−ＲＯＭや
ＣＤ−Ｒとの互換性確保、記録消去性能、記録感度、書
き換えの繰り返し可能回数、再生回数、保存安定性等、
総合性能を十分満足させるものではなかった。それらの
欠点は、主に記録材料の組成、構造に起因する消去比の
低さによるところが大きかった。
なコンパクトディスクの研究発表例としては、古谷
（他）：第４回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿
集，７０（１９９２）、神野（他）：第４回相変化記録
研究会シンポジウム講演予稿集，７６（１９９２）、川
西（他）：第４回相変化記録研究会シンポジウム講演予
稿集，８２（１９９２）、Ｔ．Ｈａｎｄａ（ｅｔ ａ
ｌ）：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２（１９
９３）、米田（他）：第５回相変化記録研究会シンポジ
ウム講演予稿集，９（１９９３）、富永（他）：第５回
相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集，５（１９９
３）のようなものがあるが、いずれも、ＣＤ−ＲＯＭや
ＣＤ−Ｒとの互換性確保、記録消去性能、記録感度、書
き換えの繰り返し可能回数、再生回数、保存安定性等、
総合性能を十分満足させるものではなかった。それらの
欠点は、主に記録材料の組成、構造に起因する消去比の
低さによるところが大きかった。
【００１１】これらの事情から消去比が大きく、高感度
の記録、消去に適する相変化形記録材料の開発、さらに
は高性能で書き換え可能な相変化形コンパクトディスク
が望まれていた。
の記録、消去に適する相変化形記録材料の開発、さらに
は高性能で書き換え可能な相変化形コンパクトディスク
が望まれていた。
【００１２】本発明者等は、それらの欠点を解決する新
材料として、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録材料を見出し提案
してきた。その代表例としては、特開平４−７８０３１
号、特開平４−１２３５５１号、Ｈ．Ｉｗａｓａｋｉ
（ｅｔ ａｌ）：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，
３１（１９９２）４６１、井手（他）：第３回相変化記
録研究会シンポジウム講演予稿集，１０２（１９９
１）、Ｈ．Ｉｗａｓａｋｉ（ｅｔ ａｌ）：Ｊｐｎ．
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２（１９９３）５２４１
等が挙げられる。また、１９９８年には、書き換え可能
なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ）の規格として、オ
レンジブックパートIII（Ｖｅｒ２．０）が発行され
た。
材料として、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録材料を見出し提案
してきた。その代表例としては、特開平４−７８０３１
号、特開平４−１２３５５１号、Ｈ．Ｉｗａｓａｋｉ
（ｅｔ ａｌ）：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，
３１（１９９２）４６１、井手（他）：第３回相変化記
録研究会シンポジウム講演予稿集，１０２（１９９
１）、Ｈ．Ｉｗａｓａｋｉ（ｅｔ ａｌ）：Ｊｐｎ．
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２（１９９３）５２４１
等が挙げられる。また、１９９８年には、書き換え可能
なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ）の規格として、オ
レンジブックパートIII（Ｖｅｒ２．０）が発行され
た。
【００１３】オレンジブックパートIII（Ｖｅｒ２．
０）は、１Ｘ／２Ｘ／４Ｘ線速度記録（１．２〜４．８
ｍ／ｓ）のＣＤ−ＲＷに対する規格であるが、このよう
な低線速度の記録では、記録時間が長くかかってしま
い、より高速記録の書き換え可能なコンパクトディスク
が望まれた。また、ＣＤ−ＲＷディスクは、ＣＤ−Ｒデ
ィスクに比べ、高価で利用しづらいといった問題があ
り、より低価格で生産できることが望まれている。さら
に、近年、環境に対する負荷を小さくするために、資源
の有効活用が望まれている。
０）は、１Ｘ／２Ｘ／４Ｘ線速度記録（１．２〜４．８
ｍ／ｓ）のＣＤ−ＲＷに対する規格であるが、このよう
な低線速度の記録では、記録時間が長くかかってしま
い、より高速記録の書き換え可能なコンパクトディスク
が望まれた。また、ＣＤ−ＲＷディスクは、ＣＤ−Ｒデ
ィスクに比べ、高価で利用しづらいといった問題があ
り、より低価格で生産できることが望まれている。さら
に、近年、環境に対する負荷を小さくするために、資源
の有効活用が望まれている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】これらの開示技術によ
り、ＡｇＩｎＳｂＴｅを記録層とすることによって、極
めて優れた性能を有する１Ｘ／２Ｘ／４Ｘ記録ＣＤ−Ｒ
Ｗディスクを獲得できることは既に明らかであったが、
より高速記録可能なＣＤ−ＲＷディスクを完成させるた
めには、さらなる改良が望まれていた。したがって、本
発明の目的は、より低価格、かつ環境への負荷の小さ
い、信頼性の高い４Ｘ記録以上の高速記録可能なＣＤ−
ＲＷディスクを提供することにある。
り、ＡｇＩｎＳｂＴｅを記録層とすることによって、極
めて優れた性能を有する１Ｘ／２Ｘ／４Ｘ記録ＣＤ−Ｒ
Ｗディスクを獲得できることは既に明らかであったが、
より高速記録可能なＣＤ−ＲＷディスクを完成させるた
めには、さらなる改良が望まれていた。したがって、本
発明の目的は、より低価格、かつ環境への負荷の小さ
い、信頼性の高い４Ｘ記録以上の高速記録可能なＣＤ−
ＲＷディスクを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは相変化形光
記録媒体の改善に鋭意研究を重ねた結果、前記目的に合
致する相変化形光記録媒体を見出した。
記録媒体の改善に鋭意研究を重ねた結果、前記目的に合
致する相変化形光記録媒体を見出した。
【００１６】すなわち、本発明によれば、（１）基板上
に第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、金属又は合金
層、ＵＶ硬化樹脂の順に積層してなる光記録媒体におい
て、この記録層の再結晶化上限線速度が５．０〜１０．
０ｍ／ｓであることを特徴とする相変化形光記録媒体、
（２）記録層の構成元素が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ
であり、それぞれの組成比α、β、γ、δ（原子％）が ０＜α≦１０ ２≦β≦１２ ５５≦γ≦７０ ２２≦δ≦３２ α＋β＋γ＋δ＝１００ であることを特徴とする（１）に記載の相変化形光記録
媒体、（３）記録層に周期表の３Ｂ族及び／又は４Ｂ族
及び／又は５Ｂ族から選ばれた元素が添加されているこ
とを特徴とする（２）に記載の相変化形光記録媒体、
（４）記録層に添加する元素の組成比θが ０＜θ≦５ であることを特徴とする（３）に記載の相変化形光記録
媒体、（５）記録層に添加する元素がＢ、Ｃ、Ｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれていることを特徴とする
（３）および（４）に記載の相変化形光記録媒体、
（６）第１誘電体層が２層以上で構成されていることを
特徴とする（１）から（５）に記載の相変化形光記録媒
体、（７）金属又は合金層が２層以上で構成されている
ことを特徴とする（１）から（６）に記載の相変化形光
記録媒体、（８）第１誘電体（ＵＬ）と第２誘電体（Ｔ
Ｌ）の膜厚比ＴＬ／ＵＬが０．４〜０．６であることを
特徴とする（１）から（７）に記載の相変化形光記録媒
体、（９）未初期化部分及び／又は未初期化時の波長７
８０ｎｍの反射率が３〜１１％であることを特徴とする
（１）から（８）に記載の相変化形光記録媒体、（１
０）ＣＤ４Ｘ速度記録の消去パワー（Ｐｅ４）と記録パ
ワー（Ｐｗ４）の比（Ｐｅ４／Ｐｗ４）よりもＣＤ８Ｘ
速度記録の消去パワー（Ｐｅ８）と記録パワー（Ｐｗ
８）の比（Ｐｅ８／Ｐｗ８）の方が小さいことを特徴と
する（１）から（９）に記載の相変化形光記録媒体、が
提供される。
に第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、金属又は合金
層、ＵＶ硬化樹脂の順に積層してなる光記録媒体におい
て、この記録層の再結晶化上限線速度が５．０〜１０．
０ｍ／ｓであることを特徴とする相変化形光記録媒体、
（２）記録層の構成元素が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ
であり、それぞれの組成比α、β、γ、δ（原子％）が ０＜α≦１０ ２≦β≦１２ ５５≦γ≦７０ ２２≦δ≦３２ α＋β＋γ＋δ＝１００ であることを特徴とする（１）に記載の相変化形光記録
媒体、（３）記録層に周期表の３Ｂ族及び／又は４Ｂ族
及び／又は５Ｂ族から選ばれた元素が添加されているこ
とを特徴とする（２）に記載の相変化形光記録媒体、
（４）記録層に添加する元素の組成比θが ０＜θ≦５ であることを特徴とする（３）に記載の相変化形光記録
媒体、（５）記録層に添加する元素がＢ、Ｃ、Ｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれていることを特徴とする
（３）および（４）に記載の相変化形光記録媒体、
（６）第１誘電体層が２層以上で構成されていることを
特徴とする（１）から（５）に記載の相変化形光記録媒
体、（７）金属又は合金層が２層以上で構成されている
ことを特徴とする（１）から（６）に記載の相変化形光
記録媒体、（８）第１誘電体（ＵＬ）と第２誘電体（Ｔ
Ｌ）の膜厚比ＴＬ／ＵＬが０．４〜０．６であることを
特徴とする（１）から（７）に記載の相変化形光記録媒
体、（９）未初期化部分及び／又は未初期化時の波長７
８０ｎｍの反射率が３〜１１％であることを特徴とする
（１）から（８）に記載の相変化形光記録媒体、（１
０）ＣＤ４Ｘ速度記録の消去パワー（Ｐｅ４）と記録パ
ワー（Ｐｗ４）の比（Ｐｅ４／Ｐｗ４）よりもＣＤ８Ｘ
速度記録の消去パワー（Ｐｅ８）と記録パワー（Ｐｗ
８）の比（Ｐｅ８／Ｐｗ８）の方が小さいことを特徴と
する（１）から（９）に記載の相変化形光記録媒体、が
提供される。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明
する。本発明の形態を図１に示す。基本的な構成は、案
内溝を有する基板１上に第１誘電体層２、記録層３、第
２誘電体層４、金属または合金層５、オーバーコート層
６を有する。さらに好ましくは、オーバーコート層上に
印刷層７、基板鏡面にハードコート層８を有する。
する。本発明の形態を図１に示す。基本的な構成は、案
内溝を有する基板１上に第１誘電体層２、記録層３、第
２誘電体層４、金属または合金層５、オーバーコート層
６を有する。さらに好ましくは、オーバーコート層上に
印刷層７、基板鏡面にハードコート層８を有する。
【００１８】基板の材料は通常ガラス、セラミックス、
あるいは樹脂であり、樹脂基板が成型性、コストの点で
好適である。樹脂の例としてはポリカーボネート樹脂、
アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アク
リロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系
樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、
成型性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネー
ト樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。また、基板の形状
としてはディスク状、カード状あるいはシート状であっ
てもよい。基板の厚さは特に制限されるものではない
が、１．２ｍｍ、０．６ｍｍが好適である。ただし、本
発明の相変化形光記録媒体を書き換え可能なコンパクト
ディスク（ＣＤ−ＲＷ）に応用する場合には、以下のよ
うな特定の条件が付与されることが望ましい。その条件
は、使用する基板に形成される案内溝（グルーブ）の幅
が０．２５〜０．６５μｍ、好適には０．３０〜０．６
０μｍ、その案内溝の深さが１５０〜５５０Å、好適に
は２００〜４５０Åとなっていることである。
あるいは樹脂であり、樹脂基板が成型性、コストの点で
好適である。樹脂の例としてはポリカーボネート樹脂、
アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アク
リロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系
樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、
成型性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネー
ト樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。また、基板の形状
としてはディスク状、カード状あるいはシート状であっ
てもよい。基板の厚さは特に制限されるものではない
が、１．２ｍｍ、０．６ｍｍが好適である。ただし、本
発明の相変化形光記録媒体を書き換え可能なコンパクト
ディスク（ＣＤ−ＲＷ）に応用する場合には、以下のよ
うな特定の条件が付与されることが望ましい。その条件
は、使用する基板に形成される案内溝（グルーブ）の幅
が０．２５〜０．６５μｍ、好適には０．３０〜０．６
０μｍ、その案内溝の深さが１５０〜５５０Å、好適に
は２００〜４５０Åとなっていることである。
【００１９】本発明の第一の目的である４Ｘ速度（４．
８ｍ／ｓ）以上の記録を可能とするためには、４Ｘ速度
以上で、記録層が溶融非晶質化、および非晶質の結晶化
がバランスよく実現しなければならない。従来の低線速
度記録に比べ、高速で結晶化しなければならない。その
ためには、この記録層の再結晶化上限線速度が５．０〜
１０．０ｍ／ｓであることが要求される。この再結晶化
上限線速度とは、本発明者らが考案した相変化形光記録
媒体の特性であり、記録線速度によって、再結晶化上限
線速度を制御することが有効であることを見出したもの
である。再結晶化上限速度の評価方法は、種々の線速度
で、１０〜１４ｍＷの波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５の半
導体レーザーＤＣ光をトラッキングした相変化形光記録
媒体に照射し、その部分のグルーブ反射率およびランド
反射率を測定することによって得られる。その典型的な
グラフを下に示す。下図の場合、Ａ点が再結晶化線速度
となる。本発明では、このＡが、５．０〜１０．０ｍ／
ｓとなる。このように、相変化形光記録媒体の再結晶化
線速度を５．０〜１０．０ｍ／ｓに制御することで、４
Ｘ速度以上での記録、消去が可能となる。
８ｍ／ｓ）以上の記録を可能とするためには、４Ｘ速度
以上で、記録層が溶融非晶質化、および非晶質の結晶化
がバランスよく実現しなければならない。従来の低線速
度記録に比べ、高速で結晶化しなければならない。その
ためには、この記録層の再結晶化上限線速度が５．０〜
１０．０ｍ／ｓであることが要求される。この再結晶化
上限線速度とは、本発明者らが考案した相変化形光記録
媒体の特性であり、記録線速度によって、再結晶化上限
線速度を制御することが有効であることを見出したもの
である。再結晶化上限速度の評価方法は、種々の線速度
で、１０〜１４ｍＷの波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５の半
導体レーザーＤＣ光をトラッキングした相変化形光記録
媒体に照射し、その部分のグルーブ反射率およびランド
反射率を測定することによって得られる。その典型的な
グラフを下に示す。下図の場合、Ａ点が再結晶化線速度
となる。本発明では、このＡが、５．０〜１０．０ｍ／
ｓとなる。このように、相変化形光記録媒体の再結晶化
線速度を５．０〜１０．０ｍ／ｓに制御することで、４
Ｘ速度以上での記録、消去が可能となる。
【００２０】再結晶化線速度は、記録層の組成、記録層
の添加物濃度、記録層の膜厚、に主に影響される。ま
た、第１誘電体、第２誘電体、反射放熱層の熱伝導率に
も影響される。さらに、製膜時の基板温度やスパッタ条
件にも影響される。我々は、この再結晶化線速度をこれ
ら種々のパラメータを鋭意検討分析することでその要因
を明らかにした。その結果、種々パラメータが変動して
も再結晶化線速度さえ管理すれば、所望の記録線速度で
の記録消去が可能であることを見出し、本発明に至っ
た。このように、いくつかのパラメータを組み合わせ
て、再結晶化線速度を５．０〜１０．０ｍ／ｓとするこ
とで、４Ｘ以上の記録線速度、特に４．８〜１１．２ｍ
／ｓで記録、消去可能となる。しかし、相変化形光記録
媒体に要求される品質は、単に、記録消去できるだけで
なく、信号の再生安定性や信号の寿命も同時に要求され
る。これらを総合的に満足し、かつ再結晶化線速度を
５．０〜１０．０ｍ／ｓとするためには、少なくとも記
録層の構成元素が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであり、
それぞれの組成比α、β、γ、δ（原子％）が ０＜α≦１０ ２≦β≦１２ ５５≦γ≦７０ ２２≦δ≦３２ α＋β＋γ＋δ＝１００ である必要があった。Ａｇが１０ａｔ％以上、Ｉｎが１
２ａｔ％以上、Ｓｂが７０ａｔ％以上では、信号の再生
安定性や信号の寿命が不十分であった。Ｔｅの含有量は
再結晶化線速度に大きく影響するため、記録層厚や他の
層の熱伝導率によって制御したとしても少なくとも２２
ａｔ％以上３２ａｔ％以下である必要があった。
の添加物濃度、記録層の膜厚、に主に影響される。ま
た、第１誘電体、第２誘電体、反射放熱層の熱伝導率に
も影響される。さらに、製膜時の基板温度やスパッタ条
件にも影響される。我々は、この再結晶化線速度をこれ
ら種々のパラメータを鋭意検討分析することでその要因
を明らかにした。その結果、種々パラメータが変動して
も再結晶化線速度さえ管理すれば、所望の記録線速度で
の記録消去が可能であることを見出し、本発明に至っ
た。このように、いくつかのパラメータを組み合わせ
て、再結晶化線速度を５．０〜１０．０ｍ／ｓとするこ
とで、４Ｘ以上の記録線速度、特に４．８〜１１．２ｍ
／ｓで記録、消去可能となる。しかし、相変化形光記録
媒体に要求される品質は、単に、記録消去できるだけで
なく、信号の再生安定性や信号の寿命も同時に要求され
る。これらを総合的に満足し、かつ再結晶化線速度を
５．０〜１０．０ｍ／ｓとするためには、少なくとも記
録層の構成元素が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであり、
それぞれの組成比α、β、γ、δ（原子％）が ０＜α≦１０ ２≦β≦１２ ５５≦γ≦７０ ２２≦δ≦３２ α＋β＋γ＋δ＝１００ である必要があった。Ａｇが１０ａｔ％以上、Ｉｎが１
２ａｔ％以上、Ｓｂが７０ａｔ％以上では、信号の再生
安定性や信号の寿命が不十分であった。Ｔｅの含有量は
再結晶化線速度に大きく影響するため、記録層厚や他の
層の熱伝導率によって制御したとしても少なくとも２２
ａｔ％以上３２ａｔ％以下である必要があった。
【００２１】信号の再生安定性や信号の寿命を向上させ
る方法として、記録層に周期表の３Ｂ族及び／又は４Ｂ
族及び／又は５Ｂ族から選ばれた元素を添加することが
効果的であった。信号の再生劣化や信号の寿命低下は、
非晶質マークが結晶化することが原因であった。非晶質
マークの結晶化を抑制するためには、周期表の３Ｂ族及
び／又は４Ｂ族及び／又は５Ｂ族から選ばれた元素を記
録層に添加することが効果的であった。このメカニズム
は明確ではないが、これら添加元素は、ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅの空間的隙間に入ったり、化学結合を形成すること
で、非晶質マークの結晶化を抑制すると考えられてい
る。よって、原始半径が小さかったり、ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅとの化学結合力が大きかったり、化学結合手が多い元
素が効果的である。特に、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ
ｎが効果的である。これら添加元素の量は、記録層の５
ａｔ％以下が効果的である。５ａｔ％以上では、ＡｇＩ
ｎＳｂＴｅ記録層の本来有する記録消去特性に影響を与
えてしまい、消し残りの原因となってしまう。
る方法として、記録層に周期表の３Ｂ族及び／又は４Ｂ
族及び／又は５Ｂ族から選ばれた元素を添加することが
効果的であった。信号の再生劣化や信号の寿命低下は、
非晶質マークが結晶化することが原因であった。非晶質
マークの結晶化を抑制するためには、周期表の３Ｂ族及
び／又は４Ｂ族及び／又は５Ｂ族から選ばれた元素を記
録層に添加することが効果的であった。このメカニズム
は明確ではないが、これら添加元素は、ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅの空間的隙間に入ったり、化学結合を形成すること
で、非晶質マークの結晶化を抑制すると考えられてい
る。よって、原始半径が小さかったり、ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅとの化学結合力が大きかったり、化学結合手が多い元
素が効果的である。特に、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ
ｎが効果的である。これら添加元素の量は、記録層の５
ａｔ％以下が効果的である。５ａｔ％以上では、ＡｇＩ
ｎＳｂＴｅ記録層の本来有する記録消去特性に影響を与
えてしまい、消し残りの原因となってしまう。
【００２２】記録層への元素の添加は、スパッタリング
ターゲットに添加しておくか、Ｎなどはスパッタガスに
窒素ガス添加することにより記録層へのＮの導入を可能
にする。混合ガスは所望のモル比であらかじめ混合した
ガスを用いても、チャンバー導入時に所望のモル比にな
るように流量をそれぞれ調整してもよい。
ターゲットに添加しておくか、Ｎなどはスパッタガスに
窒素ガス添加することにより記録層へのＮの導入を可能
にする。混合ガスは所望のモル比であらかじめ混合した
ガスを用いても、チャンバー導入時に所望のモル比にな
るように流量をそれぞれ調整してもよい。
【００２３】記録膜中のＮの化学結合状態としては、Ａ
ｇ、Ｉｎ、Ｓｄ、Ｔｅのいずれか一種以上と結合してい
ることが望ましいが、特に、Ｔｅに結合した状態、具体
的には、Ｔｅ−Ｎ、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｎといった化学結合が
存在した時に、Ｏ／Ｗの繰り返し回数の向上に、より効
果が大きい。そのような化学結合状態の分析手段として
は、ＦＴ−ＩＲやＸＰＳ等の分光分析法が有効である。
例えば、ＦＴ−ＩＲでは、Ｔｅ−Ｎによる吸収帯は５０
０〜６００ｃｍ-1付近にそのピークをもち、Ｓｂ−Ｔｅ
−Ｎは、６００〜６５０ｃｍ-1付近にそのピークが出現
する。
ｇ、Ｉｎ、Ｓｄ、Ｔｅのいずれか一種以上と結合してい
ることが望ましいが、特に、Ｔｅに結合した状態、具体
的には、Ｔｅ−Ｎ、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｎといった化学結合が
存在した時に、Ｏ／Ｗの繰り返し回数の向上に、より効
果が大きい。そのような化学結合状態の分析手段として
は、ＦＴ−ＩＲやＸＰＳ等の分光分析法が有効である。
例えば、ＦＴ−ＩＲでは、Ｔｅ−Ｎによる吸収帯は５０
０〜６００ｃｍ-1付近にそのピークをもち、Ｓｂ−Ｔｅ
−Ｎは、６００〜６５０ｃｍ-1付近にそのピークが出現
する。
【００２４】本発明においては、記録層の組成は記録膜
を発光分析法により測定して得られる値を用いたが、そ
の他にもＸ線マイクロアナリシス、ラザフォード後方散
乱、オージェ電子分光、蛍光Ｘ線等の分光法が考えられ
る。その場合は、発光分光法で得られる値との比較検討
をする必要がある。また、一般に発光分析法の場合、測
定値のおよそ±５％は分析誤差と考えられる。２次イオ
ン質量分析法などの質量分析も有効である。
を発光分析法により測定して得られる値を用いたが、そ
の他にもＸ線マイクロアナリシス、ラザフォード後方散
乱、オージェ電子分光、蛍光Ｘ線等の分光法が考えられ
る。その場合は、発光分光法で得られる値との比較検討
をする必要がある。また、一般に発光分析法の場合、測
定値のおよそ±５％は分析誤差と考えられる。２次イオ
ン質量分析法などの質量分析も有効である。
【００２５】記録層中に含まれる物質の観測はＸ線回折
または電子線回折が適している。すなわち、結晶状態の
判定として、電子線回折像でスポット状乃至及び／又は
デバイリング状のパターンが観測される場合には結晶状
態、リング状のパターン乃至ハローパターンが観測され
る場合には非結晶（アモルファス）状態とする。結晶子
径はＸ線回折ピークの半値幅からシェラーの式を用いて
求めることができる。さらに、記録層中の化学結合状
態、例えば酸化物、窒化物等の分析には、ＦＴ−ＩＲ、
ＸＰＳ等の分析手法が有効である。
または電子線回折が適している。すなわち、結晶状態の
判定として、電子線回折像でスポット状乃至及び／又は
デバイリング状のパターンが観測される場合には結晶状
態、リング状のパターン乃至ハローパターンが観測され
る場合には非結晶（アモルファス）状態とする。結晶子
径はＸ線回折ピークの半値幅からシェラーの式を用いて
求めることができる。さらに、記録層中の化学結合状
態、例えば酸化物、窒化物等の分析には、ＦＴ−ＩＲ、
ＸＰＳ等の分析手法が有効である。
【００２６】記録層の膜厚としては１０〜５０ｎｍ、好
適には１２〜３０ｎｍとするのがよい。さらに、ジッタ
ー等の初期特性、オーバーライト特性、量産効率を考慮
すると、好適には１４〜２５ｎｍとするのがよい。１０
ｎｍより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層として
の役割を果たさなくなる。また、５０ｎｍより厚いと高
速で均一な相変化がおこりにくくなる。このような記録
層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタ
リング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレ
ーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成でき
る。なかでも、スパッタリング法が量産性、膜質等に優
れている。
適には１２〜３０ｎｍとするのがよい。さらに、ジッタ
ー等の初期特性、オーバーライト特性、量産効率を考慮
すると、好適には１４〜２５ｎｍとするのがよい。１０
ｎｍより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層として
の役割を果たさなくなる。また、５０ｎｍより厚いと高
速で均一な相変化がおこりにくくなる。このような記録
層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタ
リング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレ
ーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成でき
る。なかでも、スパッタリング法が量産性、膜質等に優
れている。
【００２７】第１誘電体層および第２誘電体層の材料と
しては、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2などの金属
酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなど
の窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、
ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの
炭化物やダイヤモンド状カーボン、あるいはそれらの混
合物が挙げられる。これらの材料は、単体で保護層とす
ることもできるが、互いの混合物としてもよい。また、
必要に応じて不純物を含んでもよい、必要に応じて、誘
電体層を多層化することもできる。ただし、第１誘電体
層および第２誘電体層の融点は記録層よりも高いことが
必要である。このような第１誘電体層および第２誘電体
層の材料としては、各種気相成長法、たとえば真空蒸着
法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ
法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などに
よって形成できる。なかでも、スパッタリング法が量産
性、膜質等に優れている。
しては、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2などの金属
酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなど
の窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、
ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの
炭化物やダイヤモンド状カーボン、あるいはそれらの混
合物が挙げられる。これらの材料は、単体で保護層とす
ることもできるが、互いの混合物としてもよい。また、
必要に応じて不純物を含んでもよい、必要に応じて、誘
電体層を多層化することもできる。ただし、第１誘電体
層および第２誘電体層の融点は記録層よりも高いことが
必要である。このような第１誘電体層および第２誘電体
層の材料としては、各種気相成長法、たとえば真空蒸着
法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ
法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などに
よって形成できる。なかでも、スパッタリング法が量産
性、膜質等に優れている。
【００２８】第１誘電体層の膜厚は、ＤＶＤ（デジタル
ビデオディスク）の再生波長である６５０ｎｍの反射率
に大きく影響する。７８０ｎｍと６５０ｎｍの再生波長
でＣＤ−ＲＷディスクの規格である反射率０．１５〜
０．２５を満足するためには、第１誘電体層を６５〜１
３０ｎｍとすることが要求される。
ビデオディスク）の再生波長である６５０ｎｍの反射率
に大きく影響する。７８０ｎｍと６５０ｎｍの再生波長
でＣＤ−ＲＷディスクの規格である反射率０．１５〜
０．２５を満足するためには、第１誘電体層を６５〜１
３０ｎｍとすることが要求される。
【００２９】第２誘電体層の膜厚としては、１５〜４５
ｎｍ、好適には２０〜４０ｎｍとするのがよい。１５ｎ
ｍより薄くなると耐熱性保護層としての機能を果たさな
くなる。また、感度の低下を生じる。一方、４５ｎｍよ
り厚くなると、界面剥離を生じやすくなり、繰り返し記
録性能も低下する。
ｎｍ、好適には２０〜４０ｎｍとするのがよい。１５ｎ
ｍより薄くなると耐熱性保護層としての機能を果たさな
くなる。また、感度の低下を生じる。一方、４５ｎｍよ
り厚くなると、界面剥離を生じやすくなり、繰り返し記
録性能も低下する。
【００３０】一方、近年、ＣＤ−ＲＷディスクの低価格
化が要求されている。ＣＤ−ＲＷディスクの低価格化を
ディスクの設計という観点からは、各層の膜厚をより薄
くし、かつスパッタターゲットを有効に使い、各層のタ
ーゲット交換サイクルをあわせることが有効と考えられ
ている。現在、汎用的なＣＤ−ＲＷディスクの製膜装置
は、６チャンバーで構成されており、より生産効率を上
げると、第１誘電体層２チャンバー、記録層１チャンバ
ー、第２誘電体層１チャンバー、合金又は金属層２チャ
ンバーという枚葉型スパッタ装置が最適と考えられてい
る。つまり、第１誘電体層と合金または金属層は、２層
とすることが効果的となる。しかも、最も生産効率をあ
げるためには、各層のターゲット材料を同一時期に交換
することが望まれている。そのためには、少なくとも、
第１誘電体層と第２誘電体層のターゲットを同一時期に
交換しなければならない。その結果として、上記の６チ
ャンバー構成のスパッタ装置では、第１誘電体層（Ｕ
Ｌ）と第２誘電体層（ＴＬ）の比ＴＬ／ＵＬが、０．５
近傍であることが望ましい。しかしながら、種々相変化
形光非記録媒体の特性を調整しなければならない。よっ
て、第１誘電体層と第２誘電体層のターゲット交換サイ
クルをあわせて、かつターゲットを有効利用するために
は、少なくとも第１誘電体（ＵＬ）と第２誘電体（Ｔ
Ｌ）の膜厚比ＴＬ／ＵＬが０．４〜０．６であることが
望まれる。さらに、低価格化を図るためには、各層の薄
膜化が望まれる。現状の相変化形光記録媒体では、一般
に第１誘電体層と合金または金属層が他の層に比べ厚
い。よって、第１誘電体層と合金または金属層をより薄
くすることが低価格化を図る方法のひとつとなる。
化が要求されている。ＣＤ−ＲＷディスクの低価格化を
ディスクの設計という観点からは、各層の膜厚をより薄
くし、かつスパッタターゲットを有効に使い、各層のタ
ーゲット交換サイクルをあわせることが有効と考えられ
ている。現在、汎用的なＣＤ−ＲＷディスクの製膜装置
は、６チャンバーで構成されており、より生産効率を上
げると、第１誘電体層２チャンバー、記録層１チャンバ
ー、第２誘電体層１チャンバー、合金又は金属層２チャ
ンバーという枚葉型スパッタ装置が最適と考えられてい
る。つまり、第１誘電体層と合金または金属層は、２層
とすることが効果的となる。しかも、最も生産効率をあ
げるためには、各層のターゲット材料を同一時期に交換
することが望まれている。そのためには、少なくとも、
第１誘電体層と第２誘電体層のターゲットを同一時期に
交換しなければならない。その結果として、上記の６チ
ャンバー構成のスパッタ装置では、第１誘電体層（Ｕ
Ｌ）と第２誘電体層（ＴＬ）の比ＴＬ／ＵＬが、０．５
近傍であることが望ましい。しかしながら、種々相変化
形光非記録媒体の特性を調整しなければならない。よっ
て、第１誘電体層と第２誘電体層のターゲット交換サイ
クルをあわせて、かつターゲットを有効利用するために
は、少なくとも第１誘電体（ＵＬ）と第２誘電体（Ｔ
Ｌ）の膜厚比ＴＬ／ＵＬが０．４〜０．６であることが
望まれる。さらに、低価格化を図るためには、各層の薄
膜化が望まれる。現状の相変化形光記録媒体では、一般
に第１誘電体層と合金または金属層が他の層に比べ厚
い。よって、第１誘電体層と合金または金属層をより薄
くすることが低価格化を図る方法のひとつとなる。
【００３１】第１誘電体層は、ＺｎＳＳｉＯ2（２０ｍ
ｏｌ％）が、その総合的な品質が良好であることから汎
用的に使われている。しかし、ＺｎＳＳｉＯ2（２０ｍ
ｏｌ％）を用いた第１誘電体層をより薄くした場合、特
に、６５ｎｍ以下にした場合、ＤＶＤの再生波長での信
号が十分でなくなる。光学的には、より屈折率の大きな
層、たとえばＺｎＳにすることで、ＤＶＤの再生波長で
も信号が得られ、かつ第１誘電体層を薄くできる。しか
し、第１誘電体層と基板あるいはＡｇＩｎＳｂＴｅ層と
の界面で、オーバーライトによる剥離や原子の拡散が生
じる。本発明では、そのような不具合を低減し、より薄
い第１誘電体層でＤＶＤ再生波長の信号も十分取れるよ
うにするために、第１誘電体層を高屈折率層と低屈折率
層の２層構造としている。界面剥離を重視すれば、基板
と記録層の界面は、従来のＺｎＳＳｉＯ2（２０ｍｏｌ
％）とし、中央をＺｎＳとすることも可能である。スパ
ッタ膜構成としては、基板／ＺｎＳＳｉＯ2（２０ｍｏ
ｌ％）／ＺｎＳ（高屈折率層）／ＺｎＳＳｉＯ2（２０
ｍｏｌ％）／記録層／第２誘電体層／合金または金属層
となる。しかし、望ましくは、第１誘電体層が２チャン
バーで製膜されることを考えると、基板／ＺｎＳＳｉＯ
2（２０ｍｏｌ％）／ＺｎＳ（高屈折率層）／記録層／
第２誘電体層／合金または金属層、あるいは基板／Ｚｎ
Ｓ（高屈折率層）／ＺｎＳＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）／
記録層／第２誘電体層／合金または金属層が望ましい。
ｏｌ％）が、その総合的な品質が良好であることから汎
用的に使われている。しかし、ＺｎＳＳｉＯ2（２０ｍ
ｏｌ％）を用いた第１誘電体層をより薄くした場合、特
に、６５ｎｍ以下にした場合、ＤＶＤの再生波長での信
号が十分でなくなる。光学的には、より屈折率の大きな
層、たとえばＺｎＳにすることで、ＤＶＤの再生波長で
も信号が得られ、かつ第１誘電体層を薄くできる。しか
し、第１誘電体層と基板あるいはＡｇＩｎＳｂＴｅ層と
の界面で、オーバーライトによる剥離や原子の拡散が生
じる。本発明では、そのような不具合を低減し、より薄
い第１誘電体層でＤＶＤ再生波長の信号も十分取れるよ
うにするために、第１誘電体層を高屈折率層と低屈折率
層の２層構造としている。界面剥離を重視すれば、基板
と記録層の界面は、従来のＺｎＳＳｉＯ2（２０ｍｏｌ
％）とし、中央をＺｎＳとすることも可能である。スパ
ッタ膜構成としては、基板／ＺｎＳＳｉＯ2（２０ｍｏ
ｌ％）／ＺｎＳ（高屈折率層）／ＺｎＳＳｉＯ2（２０
ｍｏｌ％）／記録層／第２誘電体層／合金または金属層
となる。しかし、望ましくは、第１誘電体層が２チャン
バーで製膜されることを考えると、基板／ＺｎＳＳｉＯ
2（２０ｍｏｌ％）／ＺｎＳ（高屈折率層）／記録層／
第２誘電体層／合金または金属層、あるいは基板／Ｚｎ
Ｓ（高屈折率層）／ＺｎＳＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）／
記録層／第２誘電体層／合金または金属層が望ましい。
【００３２】合金または金属層としては、Ａｌ、Ａｕ、
Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａなどの金属材料、またはそれらの合金
などを用いることができる。また添加元素としては、Ｃ
ｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａなどが使用さ
れる。このような反射放熱層は、各種気相成長法、たと
えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム
蒸着法などによって形成できる。合金または金属層の膜
厚としては、７０〜２００ｎｍ、好適には１００１６０
ｎｍとするのがよい。
Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａなどの金属材料、またはそれらの合金
などを用いることができる。また添加元素としては、Ｃ
ｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａなどが使用さ
れる。このような反射放熱層は、各種気相成長法、たと
えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム
蒸着法などによって形成できる。合金または金属層の膜
厚としては、７０〜２００ｎｍ、好適には１００１６０
ｎｍとするのがよい。
【００３３】次に、低価格化のために合金または金属層
を薄くするためには、より熱伝導率の大きな材料を採用
することが望ましい。例えば、金や銀およびその合金が
好適である。しかし、金は高価であり、低価格化には不
向きである。一方、銀または銀合金はスパッタ収率も大
きくハイタクト化に有効である。しかし、第２誘電体層
に硫黄がある場合には、銀と化学反応してしまうことか
ら、銀と記録層の界面にもう一層の合金あるいは金属層
を設けて２層とすることが有効である。
を薄くするためには、より熱伝導率の大きな材料を採用
することが望ましい。例えば、金や銀およびその合金が
好適である。しかし、金は高価であり、低価格化には不
向きである。一方、銀または銀合金はスパッタ収率も大
きくハイタクト化に有効である。しかし、第２誘電体層
に硫黄がある場合には、銀と化学反応してしまうことか
ら、銀と記録層の界面にもう一層の合金あるいは金属層
を設けて２層とすることが有効である。
【００３４】合金または金属層の上には、その酸化防止
としてオーバーコート層を有することが望ましい。オー
バーコート層としては、スピンコートで作製した紫外線
硬化樹脂が一般的である。その厚さは５〜１５μｍが適
当である。５μｍ以下では、オーバーコート層上に印刷
層を設ける場合、エラーの増大が認められることがあ
る。一方、１５μｍ以上の厚さでは、内部応力が大きく
なってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響してし
まう。
としてオーバーコート層を有することが望ましい。オー
バーコート層としては、スピンコートで作製した紫外線
硬化樹脂が一般的である。その厚さは５〜１５μｍが適
当である。５μｍ以下では、オーバーコート層上に印刷
層を設ける場合、エラーの増大が認められることがあ
る。一方、１５μｍ以上の厚さでは、内部応力が大きく
なってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響してし
まう。
【００３５】ハードコート層としては、スピンコートで
作製した紫外線硬化樹脂が一般的である。その厚さは、
２〜６μｍが適当である。２μｍ以下では、十分な耐擦
傷性が得られない。６μｍ以上の厚さでは内部応力が大
きくなってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響し
てしまう。その硬度は、布でこすっても大きな傷がつか
ない鉛筆硬度であるＨ以上とする必要がある。必要に応
じて、導電性の材料を混入させ、帯電防止を図り、埃等
の付着を防止することも効果的である。これらスパッタ
膜やオーバーコート層やハードコート層の膜厚は、ディ
スクの機械特性、特にそりに影響することから、最終製
品の状態で、±８０μｍ以内となるように設計すること
が望ましい。
作製した紫外線硬化樹脂が一般的である。その厚さは、
２〜６μｍが適当である。２μｍ以下では、十分な耐擦
傷性が得られない。６μｍ以上の厚さでは内部応力が大
きくなってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響し
てしまう。その硬度は、布でこすっても大きな傷がつか
ない鉛筆硬度であるＨ以上とする必要がある。必要に応
じて、導電性の材料を混入させ、帯電防止を図り、埃等
の付着を防止することも効果的である。これらスパッタ
膜やオーバーコート層やハードコート層の膜厚は、ディ
スクの機械特性、特にそりに影響することから、最終製
品の状態で、±８０μｍ以内となるように設計すること
が望ましい。
【００３６】本発明の情報記録媒体の初期化、記録、再
生、消去に用いる電磁波としては、レーザー光、電子
線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、マイクロ波など
種々のものが採用可能である。中でも小型でコンパクト
な半導体レーザーが最適である。初期化では、大口径の
ＬＤ光を照射するが、初期化前のディスク反射率３％以
下では、フォーカスができず、初期化ができない。一
方、初期化前の反射率が１１％以上では、相変化形光記
録媒体の信号振幅が十分にとれなかったり、初期化パワ
ーが高くなってしまい、初期化ＬＤの寿命が低下してし
まう。
生、消去に用いる電磁波としては、レーザー光、電子
線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、マイクロ波など
種々のものが採用可能である。中でも小型でコンパクト
な半導体レーザーが最適である。初期化では、大口径の
ＬＤ光を照射するが、初期化前のディスク反射率３％以
下では、フォーカスができず、初期化ができない。一
方、初期化前の反射率が１１％以上では、相変化形光記
録媒体の信号振幅が十分にとれなかったり、初期化パワ
ーが高くなってしまい、初期化ＬＤの寿命が低下してし
まう。
【００３７】本発明の相変化形光記録媒体は、再結晶化
上限線速度が５．０〜１０．０ｍ／ｓであることから、
ＣＤ８Ｘ速度の９．６〜１１．２ｍ／ｓでは、消去パワ
ーが大きいと部分的に記録層が溶融し、非晶質化を生じ
る。よって、ＣＤ８Ｘ速度以上で、消去パワーマージン
を確保するためには、ＣＤ４Ｘ速度記録の消去パワー
（Ｐｅ４）と記録パワー（Ｐｗ４）の比（Ｐｅ４／Ｐｗ
４）よりもＣＤ８Ｘ速度記録の消去パワー（Ｐｅ８）と
記録パワー（Ｐｗ８）の比（Ｐｅ８／Ｐｗ８）の方が小
さいことが望ましい。
上限線速度が５．０〜１０．０ｍ／ｓであることから、
ＣＤ８Ｘ速度の９．６〜１１．２ｍ／ｓでは、消去パワ
ーが大きいと部分的に記録層が溶融し、非晶質化を生じ
る。よって、ＣＤ８Ｘ速度以上で、消去パワーマージン
を確保するためには、ＣＤ４Ｘ速度記録の消去パワー
（Ｐｅ４）と記録パワー（Ｐｗ４）の比（Ｐｅ４／Ｐｗ
４）よりもＣＤ８Ｘ速度記録の消去パワー（Ｐｅ８）と
記録パワー（Ｐｗ８）の比（Ｐｅ８／Ｐｗ８）の方が小
さいことが望ましい。
【００３８】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。 実施例１〜８ 幅０．５μｍ、深さ３５ｎｍのグルーブを有する１．２
ｍｍ厚のポリカーボネート基板に、以下の実施例１〜８
に示す第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、合金また
は金属層を枚葉形スパッタ装置によって、７秒タクトで
連続製膜し、次いで、紫外線硬化樹脂のスピンコートに
よるハードコート、オーバーコートを形成し、相変化形
光記録媒体を作製した。第１誘電体および第２誘電体層
は、ＺｎＳＳｉＯ2を用いた。反射層は、アルミニウム
合金を用いた。ついで、大口径のＬＤを有する初期化装
置によって、ディスクの記録層の結晶化処理を行った。
このようにして得た相変化形光記録媒体の再結晶化上限
線速度の評価は、波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５のピック
アップを搭載したテスターを用いて、１３ｍＷのＤＣ光
照射で行った。実施例１〜８の相変化形光記録媒体の再
結晶化上限線速度、初期化前の反射率、４Ｘ速度（４．
８ｍ／ｓ）記録および８Ｘ速度（９．６ｍ／ｓ）記録の
最適記録パワーでのオーバーライト１０００回後の１Ｘ
速度再生のジッターと保存推定寿命を下表に示した。記
録方法は、オレンジブックIII Ｖｅｒ１．０に準じ
た。ＣＤ４Ｘ速度記録の消去パワー（Ｐｅ４）と記録パ
ワー（Ｐｗ４）の比（Ｐｅ４／Ｐｗ４）を０．５とし、
ＣＤ８Ｘ速度記録の消去パワー（Ｐｅ８）と記録パワー
（Ｐｗ８）の比（Ｐｅ８／Ｐｗ８）も０．５とした。い
ずれの相変化形光記録媒体も、４Ｘおよび８Ｘのいずれ
の記録線速度でもオーバーライト後のジッターは３５ｎ
ｓ以下とオレンジブック規格を満足した。又、推定寿命
も２０年以上であった。一方、比較例１では、その再結
晶化上限線速度が４．１ｍ／ｓと小さく、４Ｘ速度記録
のオーバーライト特性は十分でなかった。８Ｘ速度記録
にいたっては、測定が可能な信号が得られなかった。
する。 実施例１〜８ 幅０．５μｍ、深さ３５ｎｍのグルーブを有する１．２
ｍｍ厚のポリカーボネート基板に、以下の実施例１〜８
に示す第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、合金また
は金属層を枚葉形スパッタ装置によって、７秒タクトで
連続製膜し、次いで、紫外線硬化樹脂のスピンコートに
よるハードコート、オーバーコートを形成し、相変化形
光記録媒体を作製した。第１誘電体および第２誘電体層
は、ＺｎＳＳｉＯ2を用いた。反射層は、アルミニウム
合金を用いた。ついで、大口径のＬＤを有する初期化装
置によって、ディスクの記録層の結晶化処理を行った。
このようにして得た相変化形光記録媒体の再結晶化上限
線速度の評価は、波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５のピック
アップを搭載したテスターを用いて、１３ｍＷのＤＣ光
照射で行った。実施例１〜８の相変化形光記録媒体の再
結晶化上限線速度、初期化前の反射率、４Ｘ速度（４．
８ｍ／ｓ）記録および８Ｘ速度（９．６ｍ／ｓ）記録の
最適記録パワーでのオーバーライト１０００回後の１Ｘ
速度再生のジッターと保存推定寿命を下表に示した。記
録方法は、オレンジブックIII Ｖｅｒ１．０に準じ
た。ＣＤ４Ｘ速度記録の消去パワー（Ｐｅ４）と記録パ
ワー（Ｐｗ４）の比（Ｐｅ４／Ｐｗ４）を０．５とし、
ＣＤ８Ｘ速度記録の消去パワー（Ｐｅ８）と記録パワー
（Ｐｗ８）の比（Ｐｅ８／Ｐｗ８）も０．５とした。い
ずれの相変化形光記録媒体も、４Ｘおよび８Ｘのいずれ
の記録線速度でもオーバーライト後のジッターは３５ｎ
ｓ以下とオレンジブック規格を満足した。又、推定寿命
も２０年以上であった。一方、比較例１では、その再結
晶化上限線速度が４．１ｍ／ｓと小さく、４Ｘ速度記録
のオーバーライト特性は十分でなかった。８Ｘ速度記録
にいたっては、測定が可能な信号が得られなかった。
【００３９】
【表１】
【００４０】実施例９ 基板上にＺｎＳＳｉＯ2（２０ｍｏｌ％）を２０ｎｍ形
成し、その上にＺｎＳＳｉＯ2（１０ｍｏｌ％）を形成
した２層からなる第１誘電体層を設けた以外は、実施例
４と同様に相変化形光記録媒体を作製し、同様の評価を
実施した。その結果、再結晶化上限線速度は、７．７ｍ
／ｓであり、オーバーライト特性も同等であった。一
方、ＤＶＤ波長６５０ｎｍでの再生信号は、反射率が増
大し、信号振幅も増大した。
成し、その上にＺｎＳＳｉＯ2（１０ｍｏｌ％）を形成
した２層からなる第１誘電体層を設けた以外は、実施例
４と同様に相変化形光記録媒体を作製し、同様の評価を
実施した。その結果、再結晶化上限線速度は、７．７ｍ
／ｓであり、オーバーライト特性も同等であった。一
方、ＤＶＤ波長６５０ｎｍでの再生信号は、反射率が増
大し、信号振幅も増大した。
【００４１】実施例１０ 第２誘電体層上に、Ａｌ合金を２０ｎｍ形成し、その上
に銀を５０ｎｍ形成した以外は、実施例８と同様に相変
化形光記録媒体を作製し、同様の評価を実施した。その
結果、再結晶化上限線速度は７．７ｍ／ｓであり、オー
バーライト特性も同等であった。また、ＤＶＤ波長６５
０ｎｍでの再生信号は、反射率および信号振幅も十分で
あった。さらに、合金または金属層がより薄くなり、ス
パッタレイトも大きくなり、６秒タクトで連続製膜が可
能となり、低価格化が実現できた。
に銀を５０ｎｍ形成した以外は、実施例８と同様に相変
化形光記録媒体を作製し、同様の評価を実施した。その
結果、再結晶化上限線速度は７．７ｍ／ｓであり、オー
バーライト特性も同等であった。また、ＤＶＤ波長６５
０ｎｍでの再生信号は、反射率および信号振幅も十分で
あった。さらに、合金または金属層がより薄くなり、ス
パッタレイトも大きくなり、６秒タクトで連続製膜が可
能となり、低価格化が実現できた。
【００４２】実施例１１ 実施例１から４の相変化形光記録媒体を用いて、ＣＤ４
Ｘ速度記録の消去パワー（Ｐｅ４）と記録パワー（Ｐｗ
４）の比（Ｐｅ４／Ｐｗ４）を０．５とし、ＣＤ８Ｘ速
度記録の消去パワー（Ｐｅ８）と記録パワー（Ｐｗ８）
の比（Ｐｅ８／Ｐｗ８）を０．４６として同様の記録消
去特性を評価した。その結果、いずれのサンプルもＣＤ
８Ｘ速度記録のオーバーライト後のジッターが低減され
た。
Ｘ速度記録の消去パワー（Ｐｅ４）と記録パワー（Ｐｗ
４）の比（Ｐｅ４／Ｐｗ４）を０．５とし、ＣＤ８Ｘ速
度記録の消去パワー（Ｐｅ８）と記録パワー（Ｐｗ８）
の比（Ｐｅ８／Ｐｗ８）を０．４６として同様の記録消
去特性を評価した。その結果、いずれのサンプルもＣＤ
８Ｘ速度記録のオーバーライト後のジッターが低減され
た。
【００４３】
【発明の効果】以下に、本発明の効果を請求項ごとに示
す。 （１）記録層の再結晶化上限線速度が５．０〜１０．０
ｍ／ｓとすることで、ＣＤ線速８Ｘ（９．６〜１１．２
ｍ／ｓ）で記録消去可能となる相変化形光記録媒体を獲
得することができる。 （２）記録層組成を請求項２とすることで、再結晶化上
限線速度を容易に５．０〜１０．０ｍ／ｓに制御された
相変化形光記録媒体を獲得することができる。 （３）記録層組成を請求項３とすることで、ＣＤ線速８
Ｘ（９．６〜１１．２ｍ／ｓ）で記録消去可能となるば
かりでなく、オーバーライト性能、保存寿命、再生光安
定性が向上した相変化形光記録媒体を獲得することがで
きる。 （４）記録層の添加元素を０〜５原子％とすることで、
ＣＤ線速８Ｘ（９．６〜１１．２ｍ／ｓ）で記録消去特
性、オーバーライト性能、保存寿命、再生光安定性がバ
ランスよく機能する相変化形光記録媒体を獲得すること
ができる。 （５）記録層組成を請求項５とすることで、ＣＤ線速８
Ｘ（９．６〜１１．２ｍ／ｓ）で記録消去特性、オーバ
ーライト性能、保存寿命、再生光安定性がよりバランス
よく効果的に機能する相変化形光記録媒体を獲得するこ
とができる。 （６）第１誘電体層が２層以上で形成されることで、第
１誘電体層と基板および記録層との界面の密着力を維持
したまま、より薄く、かつＤＶＤ波長での再生信号も十
分に得られる相変化形光記録媒体を獲得することができ
る。また、第１誘電体層がより薄くなることから、より
ハイタクトで生産が可能となり、より安価な相変化形光
記録媒体を獲得することができる。 （７）合金または金属層が２層以上で形成されること
で、合金または金属層がより薄くかつ記録層との界面反
応を抑制できる相変化形光記録媒体を獲得することがで
きる。また、合金または金属層がより薄くなることか
ら、よりハイタクトで生産が可能となり、より安価な相
変化形光記録媒体を獲得することができる。 （８）第１誘電体（ＵＬ）と第２誘電体（ＴＬ）の膜厚
比ＴＬ／ＵＬが０．４〜０．６であることで、ディスク
生産時の第１誘電体層と第２誘電体層のスパッタターゲ
ット交換を同一時期に実施できるようになり、より資源
を有効利用できる相変化形光記録媒体を獲得できる。ま
た、スパッタターゲット交換を同一時期に実施できるこ
とから、スパッタ装置の稼動率も向上し、より安価な相
変化形光記録媒体を獲得することができる。 （９）未初期化部分及び／又は未初期化時の波長７８０
ｎｍの反射率が３〜１１％であることから、現在汎用的
に用いられている大口径ＬＤによる初期化が可能である
相変化形光記録媒体を獲得することができる。 （１０）ＣＤ４Ｘ速度記録の消去パワー（Ｐｅ４）と記
録パワー（Ｐｗ４）の比（Ｐｅ４／Ｐｗ４）よりもＣＤ
８Ｘ速度記録の消去パワー（Ｐｅ８）と記録パワー（Ｐ
ｗ８）の比（Ｐｅ８／Ｐｗ８）の方が小さいことで、高
線速度での消し残りが低減され、高線速度記録でのオー
バーライト性能が向上した相変化形光記録媒体を獲得す
ることができる。
す。 （１）記録層の再結晶化上限線速度が５．０〜１０．０
ｍ／ｓとすることで、ＣＤ線速８Ｘ（９．６〜１１．２
ｍ／ｓ）で記録消去可能となる相変化形光記録媒体を獲
得することができる。 （２）記録層組成を請求項２とすることで、再結晶化上
限線速度を容易に５．０〜１０．０ｍ／ｓに制御された
相変化形光記録媒体を獲得することができる。 （３）記録層組成を請求項３とすることで、ＣＤ線速８
Ｘ（９．６〜１１．２ｍ／ｓ）で記録消去可能となるば
かりでなく、オーバーライト性能、保存寿命、再生光安
定性が向上した相変化形光記録媒体を獲得することがで
きる。 （４）記録層の添加元素を０〜５原子％とすることで、
ＣＤ線速８Ｘ（９．６〜１１．２ｍ／ｓ）で記録消去特
性、オーバーライト性能、保存寿命、再生光安定性がバ
ランスよく機能する相変化形光記録媒体を獲得すること
ができる。 （５）記録層組成を請求項５とすることで、ＣＤ線速８
Ｘ（９．６〜１１．２ｍ／ｓ）で記録消去特性、オーバ
ーライト性能、保存寿命、再生光安定性がよりバランス
よく効果的に機能する相変化形光記録媒体を獲得するこ
とができる。 （６）第１誘電体層が２層以上で形成されることで、第
１誘電体層と基板および記録層との界面の密着力を維持
したまま、より薄く、かつＤＶＤ波長での再生信号も十
分に得られる相変化形光記録媒体を獲得することができ
る。また、第１誘電体層がより薄くなることから、より
ハイタクトで生産が可能となり、より安価な相変化形光
記録媒体を獲得することができる。 （７）合金または金属層が２層以上で形成されること
で、合金または金属層がより薄くかつ記録層との界面反
応を抑制できる相変化形光記録媒体を獲得することがで
きる。また、合金または金属層がより薄くなることか
ら、よりハイタクトで生産が可能となり、より安価な相
変化形光記録媒体を獲得することができる。 （８）第１誘電体（ＵＬ）と第２誘電体（ＴＬ）の膜厚
比ＴＬ／ＵＬが０．４〜０．６であることで、ディスク
生産時の第１誘電体層と第２誘電体層のスパッタターゲ
ット交換を同一時期に実施できるようになり、より資源
を有効利用できる相変化形光記録媒体を獲得できる。ま
た、スパッタターゲット交換を同一時期に実施できるこ
とから、スパッタ装置の稼動率も向上し、より安価な相
変化形光記録媒体を獲得することができる。 （９）未初期化部分及び／又は未初期化時の波長７８０
ｎｍの反射率が３〜１１％であることから、現在汎用的
に用いられている大口径ＬＤによる初期化が可能である
相変化形光記録媒体を獲得することができる。 （１０）ＣＤ４Ｘ速度記録の消去パワー（Ｐｅ４）と記
録パワー（Ｐｗ４）の比（Ｐｅ４／Ｐｗ４）よりもＣＤ
８Ｘ速度記録の消去パワー（Ｐｅ８）と記録パワー（Ｐ
ｗ８）の比（Ｐｅ８／Ｐｗ８）の方が小さいことで、高
線速度での消し残りが低減され、高線速度記録でのオー
バーライト性能が向上した相変化形光記録媒体を獲得す
ることができる。
【図１】本発明の相変化形光記録媒体の構成説明図。
【図２】再結晶化線速度の説明図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８Ｂ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ (72)発明者 見上 竜雄 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 野田 英治 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 加藤 華代 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA21 EA23 EA36 EA37 EA43 EA44 FA01 FA12 FA14 FA21 FA30 FB04 FB05 FB06 FB08 FB09 FB12 FB17 FB20 FB21 FB30 5D029 JA01 JB45 JC20 LB01 LB02 LB07 LB11
Claims (10)
- 【請求項１】 基板上に第１誘電体層、記録層、第２誘
電体層、金属又は合金層、ＵＶ硬化樹脂の順に積層して
なる光記録媒体において、この記録層の再結晶化上限線
速度が５．０〜１０．０ｍ／ｓであることを特徴とする
相変化形光記録媒体。 - 【請求項２】 記録層の構成元素が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｔｅであり、それぞれの組成比α、β、γ、δ（原
子％）が ０＜α≦１０ ２≦β≦１２ ５５≦γ≦７０ ２２≦δ≦３２ α＋β＋γ＋δ＝１００ であることを特徴とする請求項１に記載の相変化形光記
録媒体。 - 【請求項３】 記録層に周期表の３Ｂ族及び／又は４Ｂ
族及び／又は５Ｂ族から選ばれた元素が添加されている
ことを特徴とする請求項２に記載の相変化形光記録媒
体。 - 【請求項４】 記録層に添加する元素の組成比θが ０＜θ≦５ であることを特徴とする請求項３に記載の相変化形光記
録媒体。 - 【請求項５】 記録層に添加する元素がＢ、Ｃ、Ｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれていることを特徴とする請求
項３および４に記載の相変化形光記録媒体。 - 【請求項６】 第１誘電体層が２層以上で構成されてい
ることを特徴とする請求項１から５に記載の相変化形光
記録媒体。 - 【請求項７】 金属又は合金層が２層以上で構成されて
いることを特徴とする請求項１から６に記載の相変化形
光記録媒体。 - 【請求項８】 第１誘電体（ＵＬ）と第２誘電体（Ｔ
Ｌ）の膜厚比ＴＬ／ＵＬが０．４〜０．６であることを
特徴とする請求項１から７に記載の相変化形光記録媒
体。 - 【請求項９】 未初期化部分及び／又は未初期化時の波
長７８０ｎｍの反射率が３〜１１％であることを特徴と
する請求項１から８に記載の相変化形光記録媒体。 - 【請求項１０】 ＣＤ４Ｘ速度記録の消去パワー（Ｐｅ
４）と記録パワー（Ｐｗ４）の比（Ｐｅ４／Ｐｗ４）よ
りもＣＤ８Ｘ速度記録の消去パワー（Ｐｅ８）と記録パ
ワー（Ｐｗ８）の比（Ｐｅ８／Ｐｗ８）の方が小さいこ
とを特徴とする請求項１から９に記載の相変化形光記録
媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11153486A JP2000339751A (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | 相変化形光記録媒体 |
| TW089107996A TW556180B (en) | 1999-06-01 | 2000-04-27 | Phase-change optical recording medium |
| US09/569,501 US7422838B1 (en) | 1999-06-01 | 2000-05-11 | Phase-change optical recording medium |
| EP00112056A EP1058249A1 (en) | 1999-06-01 | 2000-05-31 | Phase-change optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11153486A JP2000339751A (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | 相変化形光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000339751A true JP2000339751A (ja) | 2000-12-08 |
Family
ID=15563633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11153486A Pending JP2000339751A (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | 相変化形光記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7422838B1 (ja) |
| EP (1) | EP1058249A1 (ja) |
| JP (1) | JP2000339751A (ja) |
| TW (1) | TW556180B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003507218A (ja) * | 1999-08-18 | 2003-02-25 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 再書き込み可能な光学情報記録媒体 |
| WO2005075212A1 (ja) | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Ricoh Company, Ltd. | 相変化型情報記録媒体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、並びに相変化型情報記録媒体の使用方法及び光記録装置 |
| US7422838B1 (en) * | 1999-06-01 | 2008-09-09 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change optical recording medium |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1182650A3 (en) * | 2000-08-14 | 2002-08-14 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change type optical information recording medium |
| JP4145036B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2008-09-03 | 株式会社リコー | 光情報記録媒体 |
| EP1229530A3 (en) * | 2001-02-01 | 2006-10-18 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
| US6846611B2 (en) * | 2001-02-28 | 2005-01-25 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change optical recording medium |
| JP2003305955A (ja) | 2001-05-21 | 2003-10-28 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体及び記録方法 |
| KR20030024817A (ko) * | 2001-06-01 | 2003-03-26 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 재기록 가능한 광학 데이터 저장매체 및 이 저장매체의 용도 |
| DE10155712B4 (de) * | 2001-11-09 | 2009-07-16 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Zinkoxid-Schicht und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US7351516B2 (en) * | 2002-11-06 | 2008-04-01 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
| EP1993847B1 (en) | 2006-03-10 | 2011-10-26 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
| CN101814579B (zh) * | 2010-03-31 | 2012-01-11 | 中国科学院半导体研究所 | 一种高密度相变存储器的制备方法 |
Family Cites Families (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3530441A (en) | 1969-01-15 | 1970-09-22 | Energy Conversion Devices Inc | Method and apparatus for storing and retrieving information |
| JPS60177446A (ja) | 1984-02-23 | 1985-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光デイスク記録媒体 |
| JPS61219692A (ja) | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JPS61270190A (ja) | 1985-05-24 | 1986-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JPH0673991B2 (ja) | 1985-07-18 | 1994-09-21 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録素子 |
| JPS6273438A (ja) | 1985-09-25 | 1987-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JP2629696B2 (ja) | 1987-03-17 | 1997-07-09 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録再生消去部材 |
| JPS63251290A (ja) | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Hitachi Ltd | 光記録媒体と記録・再生方法及びその応用 |
| JPH01277338A (ja) | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記録媒体 |
| JP2868849B2 (ja) | 1990-02-19 | 1999-03-10 | 株式会社リコー | 情報記録媒体 |
| JP3136153B2 (ja) | 1990-06-19 | 2001-02-19 | 松下電器産業株式会社 | 光記録媒体及びその製造方法 |
| JP3078823B2 (ja) | 1990-06-19 | 2000-08-21 | 松下電器産業株式会社 | 光記録媒体及びその製造方法 |
| JPH04123551A (ja) | 1990-09-14 | 1992-04-23 | Toshiba Corp | 正弦波合成回路 |
| JPH04163839A (ja) | 1990-10-26 | 1992-06-09 | Nec Kagoshima Ltd | 蛍光表示管 |
| JPH04360039A (ja) | 1991-06-06 | 1992-12-14 | Toray Ind Inc | 光記録媒体 |
| JP3207230B2 (ja) * | 1992-01-08 | 2001-09-10 | 株式会社リコー | 相変化型情報記録媒体 |
| JP2990011B2 (ja) | 1994-03-29 | 1999-12-13 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
| JP2999916B2 (ja) * | 1994-03-31 | 2000-01-17 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録方法および光記録媒体 |
| US5665520A (en) * | 1994-06-13 | 1997-09-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical recording medium |
| US5785828A (en) * | 1994-12-13 | 1998-07-28 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target for producing optical recording medium |
| DE19612823C2 (de) * | 1995-03-31 | 2001-03-01 | Mitsubishi Chem Corp | Optisches Aufzeichnungsverfahren |
| JP3150267B2 (ja) | 1995-03-31 | 2001-03-26 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
| US5736657A (en) * | 1995-03-31 | 1998-04-07 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target |
| JP3286501B2 (ja) * | 1995-06-30 | 2002-05-27 | 株式会社リコー | 情報記録媒体の初期化方法 |
| TW372314B (en) * | 1996-11-25 | 1999-10-21 | Hitachi Maxell | Data recording medium and data regeneration apparatus thereof |
| EP1146509B1 (en) * | 1997-03-27 | 2005-03-16 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium |
| SG72852A1 (en) | 1997-08-15 | 2000-05-23 | Ricoh Kk | Optical recording medium and recording and reproducing method using the same |
| JP3782223B2 (ja) | 1997-08-15 | 2006-06-07 | 株式会社リコー | 光記録媒体及びこれの記録再生方法 |
| US6096398A (en) * | 1997-11-28 | 2000-08-01 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change optical recording medium |
| WO1999030317A2 (en) | 1997-12-11 | 1999-06-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Rewritable optical information medium |
| JP2000229478A (ja) * | 1998-12-09 | 2000-08-22 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| US6537721B2 (en) * | 1999-02-15 | 2003-03-25 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for its initialization |
| JP2000339751A (ja) * | 1999-06-01 | 2000-12-08 | Ricoh Co Ltd | 相変化形光記録媒体 |
-
1999
- 1999-06-01 JP JP11153486A patent/JP2000339751A/ja active Pending
-
2000
- 2000-04-27 TW TW089107996A patent/TW556180B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-05-11 US US09/569,501 patent/US7422838B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-31 EP EP00112056A patent/EP1058249A1/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7422838B1 (en) * | 1999-06-01 | 2008-09-09 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change optical recording medium |
| JP2003507218A (ja) * | 1999-08-18 | 2003-02-25 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 再書き込み可能な光学情報記録媒体 |
| WO2005075212A1 (ja) | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Ricoh Company, Ltd. | 相変化型情報記録媒体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、並びに相変化型情報記録媒体の使用方法及び光記録装置 |
| US7438965B2 (en) | 2004-02-05 | 2008-10-21 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change information recording medium, manufacturing method for the same, sputtering target, method for using the phase-change information recording medium and optical recording apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW556180B (en) | 2003-10-01 |
| US7422838B1 (en) | 2008-09-09 |
| EP1058249A1 (en) | 2000-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4145036B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| US6528138B2 (en) | Optical information medium | |
| EP1172810A2 (en) | Optical recording medium | |
| JP2000339751A (ja) | 相変化形光記録媒体 | |
| EP1040937A1 (en) | Write once optical information recording medium | |
| US6159573A (en) | Rewritable optical information medium | |
| JP3782223B2 (ja) | 光記録媒体及びこれの記録再生方法 | |
| JPH08190734A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2001507645A (ja) | Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金の書換型光情報媒体 | |
| US6254957B1 (en) | Rewritable optical information medium | |
| EP1058248A2 (en) | Optical recording medium and recording method using the medium | |
| JP2000190637A (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JP2003094819A (ja) | 光記録媒体及び光記録媒体用スパッタリングターゲット | |
| JP3969613B2 (ja) | 相変化型光記録媒体の製造方法 | |
| JP2002264515A (ja) | 光記録媒体および情報記録再生方法 | |
| JP3653390B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| US6735165B1 (en) | Rewritable optical information medium | |
| JP2001126312A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP3949492B2 (ja) | 光記録媒体、これの製造方法体及びこの光記録媒体の記録再生方法 | |
| JPH09263055A (ja) | スパッタリング用ターゲット、その製造方法、そのターゲットを用いた光記録媒体、その光記録媒体の製造方法、及び光記録方法 | |
| JP2002123977A (ja) | 追記型光学記録媒体 | |
| JP2954731B2 (ja) | 情報記録媒体及びそれを用いる情報記録方法 | |
| JP2002225437A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2002046356A (ja) | 光記録媒体及び光記録媒体用スパッタリングターゲット | |
| JP2003091871A (ja) | 光情報記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040514 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040729 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041102 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050308 |