JP3207230B2 - 相変化型情報記録媒体 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光情報記録媒体、特に
相変化型情報記録媒体であって、光ビームを照射する事
により記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再
生を行い、かつ書換えが可能である光情報記録媒体に関
するものであり、光メモリー関連機器に応用される。
相変化型情報記録媒体であって、光ビームを照射する事
により記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再
生を行い、かつ書換えが可能である光情報記録媒体に関
するものであり、光メモリー関連機器に応用される。
【０００２】
【従来の技術】電磁波特にレーザービームの照射による
情報の記録・再生及び消去可能な光メモリー媒体の一つ
として、結晶−非晶質相間或いは結晶−結晶相間の転移
を利用する、いわゆる相変化型光情報記録媒体が良く知
られている。特に、光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近、その研究開
発が活発になされている。
情報の記録・再生及び消去可能な光メモリー媒体の一つ
として、結晶−非晶質相間或いは結晶−結晶相間の転移
を利用する、いわゆる相変化型光情報記録媒体が良く知
られている。特に、光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近、その研究開
発が活発になされている。
【０００３】その代表的な記録材料としては、ＵＳＰ
３，５３０，４４１に開示されているようなＧｅ−Ｔ
ｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓ
ｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−
Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓ等の所謂カルコゲン系合
金材料が挙げられる。また、安定性、高速結晶化等の向
上を目的としてＧｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１
９６９２号公報）、Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０
１９０号公報）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０号公
報）等を添加した材料の提案や、記録／消去の繰返し性
能向上を目的として、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂの組成比
を特定した材料（特開昭６２−７３４３８号公報）の提
案等もなされている。しかしながら、そのいずれもが相
変化型書換え可能光メモリー媒体として要求される諸特
性のすべてを満足し得るものとはいえない。
３，５３０，４４１に開示されているようなＧｅ−Ｔ
ｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓ
ｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−
Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓ等の所謂カルコゲン系合
金材料が挙げられる。また、安定性、高速結晶化等の向
上を目的としてＧｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１
９６９２号公報）、Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０
１９０号公報）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０号公
報）等を添加した材料の提案や、記録／消去の繰返し性
能向上を目的として、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂの組成比
を特定した材料（特開昭６２−７３４３８号公報）の提
案等もなされている。しかしながら、そのいずれもが相
変化型書換え可能光メモリー媒体として要求される諸特
性のすべてを満足し得るものとはいえない。
【０００４】また、特開昭６３−２５１２９０号公報に
は、結晶状態が実質的に３元以上の多元化合物単相から
なる記録層を形成した光情報記録媒体（以降「光記録媒
体」と略記することがある）が提案されている。ここで
の“実質的に三元以上の多元化合物単相”とは、三元以
上の化学量論組成をもった化合物（例えばＩｎ3ＳｂＴ
ｅ2など）を記録層中に９０原子％以上含むものとされ
ている。そして、このような記録層を用いることによ
り、高速記録、高速消去が可能となるとしている。だ
が、このものでは記録、消去に要するレーザーパワーは
未だ充分ではなく、消去比も低い（消し残りが大きい）
等の欠点を有している。
は、結晶状態が実質的に３元以上の多元化合物単相から
なる記録層を形成した光情報記録媒体（以降「光記録媒
体」と略記することがある）が提案されている。ここで
の“実質的に三元以上の多元化合物単相”とは、三元以
上の化学量論組成をもった化合物（例えばＩｎ3ＳｂＴ
ｅ2など）を記録層中に９０原子％以上含むものとされ
ている。そして、このような記録層を用いることによ
り、高速記録、高速消去が可能となるとしている。だ
が、このものでは記録、消去に要するレーザーパワーは
未だ充分ではなく、消去比も低い（消し残りが大きい）
等の欠点を有している。
【０００５】更に、特開平１−２７７３３８号公報には
（ＳｂaＴｅ1-a）1-YＭY（ここで０．４≦ａ＜０．７、
Ｙ≦０．２であり、ＭはＡｇ、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂ
ｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｓｅ、Ｓ
ｉ、Ｓｎ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも１
種である。）で表される組成の合金からなる記録層を有
する光記録媒体が提案されている。この系の基本はＳｂ
2Ｔｅ3であり、Ｓｂ過剰にすることにより、高速消去、
繰返し特性を向上させ、Ｍの添加により高速消去を促進
させている。加えて、ＤＣ光による消去率も大きいとし
ている。しかし、この文献にはオーバーライト時の消去
率は示されておらず（本発明者らの検討結果では消し残
りが認められた）、記録感度も不充分である。
（ＳｂaＴｅ1-a）1-YＭY（ここで０．４≦ａ＜０．７、
Ｙ≦０．２であり、ＭはＡｇ、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂ
ｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｓｅ、Ｓ
ｉ、Ｓｎ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも１
種である。）で表される組成の合金からなる記録層を有
する光記録媒体が提案されている。この系の基本はＳｂ
2Ｔｅ3であり、Ｓｂ過剰にすることにより、高速消去、
繰返し特性を向上させ、Ｍの添加により高速消去を促進
させている。加えて、ＤＣ光による消去率も大きいとし
ている。しかし、この文献にはオーバーライト時の消去
率は示されておらず（本発明者らの検討結果では消し残
りが認められた）、記録感度も不充分である。
【０００６】同様に、特開昭６０−１７７４４６号公報
では記録層に（Ｉｎ1-XＳｂX）1-YＭY（０．５５≦ｘ≦
０．８０、０≦Ｙ≦０．２０であり、ＭはＡｕ、Ａｇ、
Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｔ
ｅ、Ｓｅ、Ｂｉである。）なる合金を用い、また、特開
昭６３−２２８４３３号公報では記録層にＧｅＴｅ−Ｓ
ｂ2Ｔｅ3−Ｓｂ（過剰）なる合金を用いているが、いず
れも感度、消去比等の特性を満足するものではない。
では記録層に（Ｉｎ1-XＳｂX）1-YＭY（０．５５≦ｘ≦
０．８０、０≦Ｙ≦０．２０であり、ＭはＡｕ、Ａｇ、
Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｔ
ｅ、Ｓｅ、Ｂｉである。）なる合金を用い、また、特開
昭６３−２２８４３３号公報では記録層にＧｅＴｅ−Ｓ
ｂ2Ｔｅ3−Ｓｂ（過剰）なる合金を用いているが、いず
れも感度、消去比等の特性を満足するものではない。
【０００７】これまでみてきたように、光記録媒体にお
いては、特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライ
ト時の消し残りによる消去比低下の防止、並びに記録
部、末記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっ
ている。
いては、特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライ
ト時の消し残りによる消去比低下の防止、並びに記録
部、末記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっ
ている。
【０００８】又、ＡｇＩｎＴｅＳｂの記録材料は、消去
率の向上、高速記録が可能であるが、オーバーライト繰
返し特性が十分ではなかった。
率の向上、高速記録が可能であるが、オーバーライト繰
返し特性が十分ではなかった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来は、レーザー光照
射による繰返し記録．消去により、記録層元素の偏析及
び移動が生じ、オーバーライト繰返し特性が劣化する事
が生じていた。
射による繰返し記録．消去により、記録層元素の偏析及
び移動が生じ、オーバーライト繰返し特性が劣化する事
が生じていた。
【００１０】本発明は、こうした実情の下に繰返し記
録．消去後に於いても元素が移動しにくく、偏析を少な
くしてオーバーライト繰返し特性を向上させた相変化型
情報記録媒体を提供することを目的とするものである。
録．消去後に於いても元素が移動しにくく、偏析を少な
くしてオーバーライト繰返し特性を向上させた相変化型
情報記録媒体を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討し
た結果、相変化型情報記録材料の主構成元素中に原子半
径の小さな元素を、侵入型に入り込ませた構造とするこ
とが有効であることを見出し、本発明に至った。
た結果、相変化型情報記録材料の主構成元素中に原子半
径の小さな元素を、侵入型に入り込ませた構造とするこ
とが有効であることを見出し、本発明に至った。
【００１２】すなわち、本発明は相変化型記録材料が下
記一般式で表される物質を含有することを特徴とする相
変化型情報記録媒体。
記一般式で表される物質を含有することを特徴とする相
変化型情報記録媒体。
【００１３】ＡｇαＩｎβＴｅγＳｂδＭx ただし、 ５≦α≦１７ ａｔ％ ６≦β≦１８ ａｔ％ １３≦γ≦３６ ａｔ％ ３３≦δ≦７７ ａｔ％ ０．５≦ｘ≦１０ａｔ％ α＋β＋γ＋δ＋ｘ＝１００ ここで、ＭはＢ，Ｎ，Ｃ，Ｐ，Ｓｉから選ばれる添加元
素を示す。またα、β、γ、δは相変化型記録材料の主
構成元素の組成を表し、ｘは添加元素の組成を表す、で
ある。
素を示す。またα、β、γ、δは相変化型記録材料の主
構成元素の組成を表し、ｘは添加元素の組成を表す、で
ある。
【００１４】本発明の構成は図１に示すように、基板１
上に下部保護層２、記録層３、上部保護層４、放熱層
５、及び有機保護層６が順に形成された構成となってい
る。勿論、本発明はこの構成に限定されるものではな
く、種々の変形、変更が可能である。
上に下部保護層２、記録層３、上部保護層４、放熱層
５、及び有機保護層６が順に形成された構成となってい
る。勿論、本発明はこの構成に限定されるものではな
く、種々の変形、変更が可能である。
【００１５】基板１には、光透過性に優れ、耐熱性や耐
候性、耐薬品性に優れた材質が好ましい。プラスチック
やガラスはこの要求を満たしており、トラッキング用の
案内溝やピットが２Ｐ法又は、射出成形で簡単にしかも
安価に形成でき、ガラスは密着露光法のドライエッチン
グ等でトラッキング用の溝やピットを形成できる。プラ
スチックを用いる場合特にポリカーボネイトやアモルフ
ァスのポリオレフィン等の材質が好ましく使用される。
候性、耐薬品性に優れた材質が好ましい。プラスチック
やガラスはこの要求を満たしており、トラッキング用の
案内溝やピットが２Ｐ法又は、射出成形で簡単にしかも
安価に形成でき、ガラスは密着露光法のドライエッチン
グ等でトラッキング用の溝やピットを形成できる。プラ
スチックを用いる場合特にポリカーボネイトやアモルフ
ァスのポリオレフィン等の材質が好ましく使用される。
【００１６】基板１上に設ける下部保護層２は記録層３
を外界の湿気（水分）などによる腐食から防止するパシ
ベーション効果を有するＳｉＮ，ＳｉＺｒＮ，ＡｌＮ等
が用いられ、下部保護層の膜厚は、６００〜２０００Å
が適当である。
を外界の湿気（水分）などによる腐食から防止するパシ
ベーション効果を有するＳｉＮ，ＳｉＺｒＮ，ＡｌＮ等
が用いられ、下部保護層の膜厚は、６００〜２０００Å
が適当である。
【００１７】本発明の記録層３は下記に示す材料から構
成される。
成される。
【００１８】相変化型記録材料が下記一般式で表される
物質を含有することを特徴とする。 ＡｇαＩｎβＴｅγＳｂδ＋ＭX ただし、 ５≦α≦１７ ａｔ％ ６≦β≦１８ ａｔ％ １３≦γ≦３６ ａｔ％ ３３≦δ≦７７ ａｔ％ ０．５≦ｘ≦１０ ａｔ％ α＋β＋γ＋δ＋ｘ＝１００ ここで、ＭはＢ，Ｎ，Ｃ，Ｐ，Ｓｉから選ばれる添加元
素を示す。またα、β、γ、δは相変化型記録材料の主
構成元素の組成を表し、ｘは添加元素の組成を表す。上
記α，β，γ，δ，ｘの範囲は、Ｃ／Ｎが良く、オーバ
ーライト時の消去率の良い範囲を示すものであり、好ま
しくは ９≦α≦１２ ９≦β≦１２ １９≦γ≦２４ ４８≦δ≦５５ ０．５≦ｘ≦３ である。
物質を含有することを特徴とする。 ＡｇαＩｎβＴｅγＳｂδ＋ＭX ただし、 ５≦α≦１７ ａｔ％ ６≦β≦１８ ａｔ％ １３≦γ≦３６ ａｔ％ ３３≦δ≦７７ ａｔ％ ０．５≦ｘ≦１０ ａｔ％ α＋β＋γ＋δ＋ｘ＝１００ ここで、ＭはＢ，Ｎ，Ｃ，Ｐ，Ｓｉから選ばれる添加元
素を示す。またα、β、γ、δは相変化型記録材料の主
構成元素の組成を表し、ｘは添加元素の組成を表す。上
記α，β，γ，δ，ｘの範囲は、Ｃ／Ｎが良く、オーバ
ーライト時の消去率の良い範囲を示すものであり、好ま
しくは ９≦α≦１２ ９≦β≦１２ １９≦γ≦２４ ４８≦δ≦５５ ０．５≦ｘ≦３ である。
【００１９】上記に示す添加元素は、原子半径が１．２
Å以下と小さく主構成元素中に侵入型に入り込んで繰返
し記録消去後に於いても元素が移動しにくく、偏析を少
なくしてオーバーライト繰返し特性が向上する。添加量
としては０．５ａｔ％以上１０ａｔ％以下で繰り返し特
性が向上し、１０ａｔ％より多くすると繰り返し特性が
低下する。（図−２ 参照） 記録層３の膜厚は２００〜１０００Åが適当である。
Å以下と小さく主構成元素中に侵入型に入り込んで繰返
し記録消去後に於いても元素が移動しにくく、偏析を少
なくしてオーバーライト繰返し特性が向上する。添加量
としては０．５ａｔ％以上１０ａｔ％以下で繰り返し特
性が向上し、１０ａｔ％より多くすると繰り返し特性が
低下する。（図−２ 参照） 記録層３の膜厚は２００〜１０００Åが適当である。
【００２０】上部保護層４は、記録層３の腐食劣化を防
止するためにもうけられるもので、パシベイション効果
が十分大きいＳｉＮ，ＳｉＺｒＮ，ＡｌＮ等が用いら
れ、膜厚は３００〜１２００Å程度が適当である。
止するためにもうけられるもので、パシベイション効果
が十分大きいＳｉＮ，ＳｉＺｒＮ，ＡｌＮ等が用いら
れ、膜厚は３００〜１２００Å程度が適当である。
【００２１】放熱層５は、上部保護層４での熱拡散を防
止する作用を行う。すなわち、記録時にレーザー照射に
より記録層３に発生した熱は、熱伝導率の小さい上部保
護層４に伝導し、その上部保護層４の熱が放熱層５に伝
導する事により、上部保護層４での熱拡散が防止され
る。これにより、記録層３における畜熱効果が高まり、
記録ビット長が短く、形状をシャープにでき、高速化、
高密度化を促進する。このため放熱層５には上部保護層
４より熱伝導が良いＡｕ，Ａｇ，Ａｌ等またはこれらの
合金がこのましく使用され、スパッタ法、蒸着法等の製
膜法により３００〜１５００Åの膜厚に形成される。
止する作用を行う。すなわち、記録時にレーザー照射に
より記録層３に発生した熱は、熱伝導率の小さい上部保
護層４に伝導し、その上部保護層４の熱が放熱層５に伝
導する事により、上部保護層４での熱拡散が防止され
る。これにより、記録層３における畜熱効果が高まり、
記録ビット長が短く、形状をシャープにでき、高速化、
高密度化を促進する。このため放熱層５には上部保護層
４より熱伝導が良いＡｕ，Ａｇ，Ａｌ等またはこれらの
合金がこのましく使用され、スパッタ法、蒸着法等の製
膜法により３００〜１５００Åの膜厚に形成される。
【００２２】有機保護層６は放熱層５以下の層の酸化、
腐食の防止と損傷防止のために設けられるもので、紫外
線硬化樹脂、熱可塑性樹脂、ホットメルトレジン等が用
いられ、膜厚は、１〜５μｍ程度が適当である。
腐食の防止と損傷防止のために設けられるもので、紫外
線硬化樹脂、熱可塑性樹脂、ホットメルトレジン等が用
いられ、膜厚は、１〜５μｍ程度が適当である。
【００２３】
【実施例】次に本発明の実施例について述べる。
【００２４】ポリカーボネイト基板又はガラス基板上に
ＳｉＮから成る下部保護層（膜厚１０００〜２０００
Å）、表１に示す組成から成る記録層（膜厚３００〜１
５００Å），Ａｕ，Ａｇ，Ａｌからなる放熱層（膜厚３
００〜１０００Å）、紫外線硬化樹脂（商品名ＳＤ−３
０１：大日本インキ社製）からなる有機保護層を形成す
ると共に、基板反対側にエポキシ系紫外線硬化樹脂及び
ＩＴＯ等の透明導電膜から成る帯電防止膜（０．２〜５
μｍ）を設け、本発明の相変化型媒体とした。有機保護
層はスピナーにて製膜し、それ以外の膜は、スパッタに
より製膜した。層構成は表−２に示した。これら相変化
型記録媒体の繰り返し記録、再生特性を下記の条件で評
価した。
ＳｉＮから成る下部保護層（膜厚１０００〜２０００
Å）、表１に示す組成から成る記録層（膜厚３００〜１
５００Å），Ａｕ，Ａｇ，Ａｌからなる放熱層（膜厚３
００〜１０００Å）、紫外線硬化樹脂（商品名ＳＤ−３
０１：大日本インキ社製）からなる有機保護層を形成す
ると共に、基板反対側にエポキシ系紫外線硬化樹脂及び
ＩＴＯ等の透明導電膜から成る帯電防止膜（０．２〜５
μｍ）を設け、本発明の相変化型媒体とした。有機保護
層はスピナーにて製膜し、それ以外の膜は、スパッタに
より製膜した。層構成は表−２に示した。これら相変化
型記録媒体の繰り返し記録、再生特性を下記の条件で評
価した。
【００２５】繰り返し記録再生評価条件 初期化条件 ：１０ｍＷ（ＤＣ）、７ｍ／ｓｅｃ 線速 ： ７ｍ／ｓｅｃ 周波数（デューティ）：２．６ＭＨｚ（３３％）、 １．０ＭＨｚ（１２．５％） ２つに周波数を交互に繰り返し記録し、１０００回ごと
にＣ／Ｎ、消去比を評価した。Ｃ／Ｎ、消去比共に３ｄ
Ｂ低下した時の結果を繰り返し特性とした。
にＣ／Ｎ、消去比を評価した。Ｃ／Ｎ、消去比共に３ｄ
Ｂ低下した時の結果を繰り返し特性とした。
【００２６】評価結果を表１に併せて示す。表１から明
かな様に本発明の相変化型記録媒体は、繰り返し記録再
生特性が１０万回以上行っても変化がないという良好な
特性を得ることができた。
かな様に本発明の相変化型記録媒体は、繰り返し記録再
生特性が１０万回以上行っても変化がないという良好な
特性を得ることができた。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】但し、基板はポリカーボネイト、有機保護
膜はエポキシ系ＵＶ硬化型樹脂（４μｍ）を使用した。
膜はエポキシ系ＵＶ硬化型樹脂（４μｍ）を使用した。
【００３０】
【発明の効果】本発明では相変化型記録材料の主構成元
素中に原子半径の小さな元素を、侵入型に入り込ませた
構造とし、繰返し記録．消去後に於いても元素が移動し
にくく偏析を少なくしたので、オーバーライト繰返し特
性が向上する。
素中に原子半径の小さな元素を、侵入型に入り込ませた
構造とし、繰返し記録．消去後に於いても元素が移動し
にくく偏析を少なくしたので、オーバーライト繰返し特
性が向上する。
【図１】本発明の記録媒体の層構成の説明図
【図２】本発明の相変化型記録材料における各添加元素
量と繰り返し特性との関係を示す図。
量と繰り返し特性との関係を示す図。
１ 基板 ２ 下部保護層 ３ 記録層 ４ 上部保護層 ５ 放熱層 ６ 有機保護層 ７ 帯電防止膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 平２−35636（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−151481（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−63178（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−191089（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41M 5/26
Claims (5)
- 【請求項１】 （１）相変化型記録材料が下記一般式で
表される物質を含有することを特徴とする相変化型情報
記録媒体。 ＡｇαＩｎβＴｅγＳｂδＭx ただし、 ５≦α≦１７ ａｔ％ ６≦β≦１８ ａｔ％ １３≦γ≦３６ ａｔ％ ３３≦δ≦７７ ａｔ％ ０．５≦ｘ≦１０ａｔ％ α＋β＋γ＋δ＋ｘ＝１００ ここで、ＭはＢ，Ｎ，Ｃ，Ｐ，Ｓｉから選ばれる添加元
素を示す。またα、β、γ、δは相変化型記録材料の主
構成元素の組成を表し、ｘは添加元素の組成を表す。 - 【請求項２】 基板上に下部保護層、請求項１記載の記
録層、上部保護層、放熱層、有機保護層を有することを
特徴とする相変化型情報記録媒体。 - 【請求項３】 前記下部保護層がパシベーション効果を
有することを特徴とする請求項２記載の情報記録媒体。 - 【請求項４】 前記上部保護層がパシベーション効果を
有することを特徴とする請求項２記載の情報記録媒体。 - 【請求項５】 請求項１において、 ９≦α≦１２ ａｔ％ ９≦β≦１２ ａｔ％ １９≦γ≦２４ ａｔ％ ４８≦δ≦５５ ａｔ％ ０．５≦ｘ≦３ ａｔ％ であることを特徴とする相変化型情報記録媒体。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00148892A JP3207230B2 (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 相変化型情報記録媒体 |
| US07/998,398 US5298305A (en) | 1992-01-08 | 1992-12-29 | Phase-change type information recording medium |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00148892A JP3207230B2 (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 相変化型情報記録媒体 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05185732A JPH05185732A (ja) | 1993-07-27 |
| JP3207230B2 true JP3207230B2 (ja) | 2001-09-10 |
Family
ID=11502832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00148892A Expired - Fee Related JP3207230B2 (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 相変化型情報記録媒体 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP3207230B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101777389B (zh) * | 2010-01-26 | 2013-02-20 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法 |
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-
1992
- 1992-01-08 JP JP00148892A patent/JP3207230B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-29 US US07/998,398 patent/US5298305A/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| JPH05185732A (ja) | 1993-07-27 |
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