JPH08249725A - 光情報記録媒体及びその製造に用いられる耐熱性保護層用材料 - Google Patents
光情報記録媒体及びその製造に用いられる耐熱性保護層用材料Info
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- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
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- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 消去比が高く、高速記録・消去時においても
低パワーで多数回の記録−消去の繰り返しが行なえる相
変化形光情報記録媒体を提供する。 【構成】 耐熱性保護層の構成材料として、少なくとも
バルク状態における熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・deg以上の
化合物を含有するものを用いる。
低パワーで多数回の記録−消去の繰り返しが行なえる相
変化形光情報記録媒体を提供する。 【構成】 耐熱性保護層の構成材料として、少なくとも
バルク状態における熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・deg以上の
化合物を含有するものを用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光情報記録媒体、特に相
変化形光情報記録媒体であって、光ビームを照射するこ
とにより記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、
再生を行い、かつ書換が可能である光情報記録媒体に関
し、光メモリー関連機器に応用されるものである。
変化形光情報記録媒体であって、光ビームを照射するこ
とにより記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、
再生を行い、かつ書換が可能である光情報記録媒体に関
し、光メモリー関連機器に応用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく
知られている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近その研究開発
が活発になっている。
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく
知られている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近その研究開発
が活発になっている。
【０００３】その代表的な例として、ＵＳＰ３５３０４
４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ
−Ｓｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ
−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、
Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材料があげ
られる。また安定性、高速結晶化などの向上を目的に、
Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２号）、
ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７０１９０号）、Ｐｄ
（特開昭６２−１９４９０号）などを転化した材料の提
案や、記録／消去の繰り返し性能向上を目的に、Ｇｅ−
Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比を特定し
た材料（特開昭６２−７３４３８号、特開昭６３−２２
８４３３号）の提案などもなされている。しかしなが
ら、そのいずれもが相変化形書換可能光メモリー媒体と
して要求される諸特性のすべてを満足しうるものとはい
えない。特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライ
ト時の消し残りによる消去比低下の防止、ならびに記録
部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっ
ている。
４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ
−Ｓｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ
−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、
Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材料があげ
られる。また安定性、高速結晶化などの向上を目的に、
Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２号）、
ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７０１９０号）、Ｐｄ
（特開昭６２−１９４９０号）などを転化した材料の提
案や、記録／消去の繰り返し性能向上を目的に、Ｇｅ−
Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比を特定し
た材料（特開昭６２−７３４３８号、特開昭６３−２２
８４３３号）の提案などもなされている。しかしなが
ら、そのいずれもが相変化形書換可能光メモリー媒体と
して要求される諸特性のすべてを満足しうるものとはい
えない。特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライ
ト時の消し残りによる消去比低下の防止、ならびに記録
部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっ
ている。
【０００４】特開昭６３−２５１２９０号では結晶状態
が実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録層を
具備した記録媒体が提案されている。ここで実質的に三
元以上の多元化合物単層とは三元以上の化学量論組成を
持った化合物（たとえばＩｎ3ＳｂＴｅ2）を記録層中に
９０原子％以上含むものとされている。このような記録
層を用いることにより記録、消去特性の向上が図れると
している。しかしながら消去比が低い、記録消去に要す
るレーザーパワーが未だ十分に低減されてはいないなど
の欠点を有している。これらの事情から消去比が高く、
高感度で、尚且つ繰り返し特性の優れた光記録情報媒体
の開発が望まれていた。このための方策として記録材料
に適した保護層材料の開発が進められ、ＺｎＳ・ＳｉＯ
2（特開平４−７４７８５号）、ＳｉＮ、ＡｌＮ（特開
昭６３−２５９８５５号、特公平４−７４７８５号）等
の材料が用いられている。しかし、これらの材料の組み
合わせによっても光記録媒体として要求される諸特性の
すべてを満足するものとはいえない。
が実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録層を
具備した記録媒体が提案されている。ここで実質的に三
元以上の多元化合物単層とは三元以上の化学量論組成を
持った化合物（たとえばＩｎ3ＳｂＴｅ2）を記録層中に
９０原子％以上含むものとされている。このような記録
層を用いることにより記録、消去特性の向上が図れると
している。しかしながら消去比が低い、記録消去に要す
るレーザーパワーが未だ十分に低減されてはいないなど
の欠点を有している。これらの事情から消去比が高く、
高感度で、尚且つ繰り返し特性の優れた光記録情報媒体
の開発が望まれていた。このための方策として記録材料
に適した保護層材料の開発が進められ、ＺｎＳ・ＳｉＯ
2（特開平４−７４７８５号）、ＳｉＮ、ＡｌＮ（特開
昭６３−２５９８５５号、特公平４−７４７８５号）等
の材料が用いられている。しかし、これらの材料の組み
合わせによっても光記録媒体として要求される諸特性の
すべてを満足するものとはいえない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上のような
事情に鑑みてなされたものであり、消去比が高く、高速
記録消去時においても低パワーで多数回の記録−消去の
繰り返しが可能な相変化形光情報記録媒体、及びこの相
変化形光情報記録媒体の製造に用いられる耐熱性保護層
用材料を提供するものである。
事情に鑑みてなされたものであり、消去比が高く、高速
記録消去時においても低パワーで多数回の記録−消去の
繰り返しが可能な相変化形光情報記録媒体、及びこの相
変化形光情報記録媒体の製造に用いられる耐熱性保護層
用材料を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、相変化形光
情報記録媒体について鋭意検討を重ねた結果、前記課題
の達成に有用な耐熱性保護層用材料を見出した。本発明
はそれに基づいてなされたものである。
情報記録媒体について鋭意検討を重ねた結果、前記課題
の達成に有用な耐熱性保護層用材料を見出した。本発明
はそれに基づいてなされたものである。
【０００７】すなわち、本発明によれば、（１）記録材
料の相変化を利用した相変化形記録媒体の構成材料の一
つとして用いられるものであって、その構成成分として
バルク状態における熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・deg以上で
ある化合物を１種類以上含むことを特徴とする耐熱性保
護層用材料、（２）前記（１）において、構成成分が酸
化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化マグネシ
ウム、酸化イットリウム、窒化ガリウム、窒化シリコ
ン、窒化アルミニウム及び炭化シリコンから選ばれる少
なくとも１種であることを特徴とする耐熱性保護層用材
料、（３）前記（１）において、構成成分が酸化亜鉛、
酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸
化イットリウム、窒化ガリウム、窒化シリコン、窒化ア
ルミニウム及び／又は炭化シリコンと酸化シリコンとの
併用からなることを特徴とする耐熱性保護層用材料、
（４）基板上に耐熱性保護層、記録層、反射放熱層を積
層した光情報記録媒体において、該記録層がＡｇ、Ｉ
ｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分として形成され、かつ、該耐熱
性保護層が前記（１）、（２）又は（３）の構成成分で
形成されていることを特徴とする光情報記録媒体、が提
供される。
料の相変化を利用した相変化形記録媒体の構成材料の一
つとして用いられるものであって、その構成成分として
バルク状態における熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・deg以上で
ある化合物を１種類以上含むことを特徴とする耐熱性保
護層用材料、（２）前記（１）において、構成成分が酸
化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化マグネシ
ウム、酸化イットリウム、窒化ガリウム、窒化シリコ
ン、窒化アルミニウム及び炭化シリコンから選ばれる少
なくとも１種であることを特徴とする耐熱性保護層用材
料、（３）前記（１）において、構成成分が酸化亜鉛、
酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸
化イットリウム、窒化ガリウム、窒化シリコン、窒化ア
ルミニウム及び／又は炭化シリコンと酸化シリコンとの
併用からなることを特徴とする耐熱性保護層用材料、
（４）基板上に耐熱性保護層、記録層、反射放熱層を積
層した光情報記録媒体において、該記録層がＡｇ、Ｉ
ｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分として形成され、かつ、該耐熱
性保護層が前記（１）、（２）又は（３）の構成成分で
形成されていることを特徴とする光情報記録媒体、が提
供される。
【０００８】以下、本発明をさらに詳細に説明する。本
発明の光情報記録媒体は、その耐熱性保護層としてバル
ク状態における熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・deg以上である
材料を用いることで、高感度で多数回の安定した記録−
消去の繰り返しが可能になる。これは次ぎのような理由
によるものと考えられる。一般に相変化形光記録媒体の
場合、記録は記録層にアモルファス部を形成することに
よって行われる。アモルファス相の形成には記録層の融
点以上への昇温と、その後の十分な冷却速度が必要であ
る。一方、記録部と未記録部の境界が不明確になった
り、記録部が結晶化されて消去されたりすることを避け
るため、記録を行いたい部分以外の記録層に対しては、
熱の影響をなるべく押さえなければならない。このよう
に記録すべき部分と常温に保つべき部分の昇温条件を明
確に区別するためには、記録層で発生した余剰な熱を熱
伝導率の高い保護層方向へ逃がし、記録層の膜内での熱
の伝導を低く押さえることが有効である。こうすること
で融点以上への昇温と十分な冷却速度を得ることが可能
となる。
発明の光情報記録媒体は、その耐熱性保護層としてバル
ク状態における熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・deg以上である
材料を用いることで、高感度で多数回の安定した記録−
消去の繰り返しが可能になる。これは次ぎのような理由
によるものと考えられる。一般に相変化形光記録媒体の
場合、記録は記録層にアモルファス部を形成することに
よって行われる。アモルファス相の形成には記録層の融
点以上への昇温と、その後の十分な冷却速度が必要であ
る。一方、記録部と未記録部の境界が不明確になった
り、記録部が結晶化されて消去されたりすることを避け
るため、記録を行いたい部分以外の記録層に対しては、
熱の影響をなるべく押さえなければならない。このよう
に記録すべき部分と常温に保つべき部分の昇温条件を明
確に区別するためには、記録層で発生した余剰な熱を熱
伝導率の高い保護層方向へ逃がし、記録層の膜内での熱
の伝導を低く押さえることが有効である。こうすること
で融点以上への昇温と十分な冷却速度を得ることが可能
となる。
【０００９】記録層の昇温及び冷却条件は、主に記録層
自身の光−熱変換効率αと保護層の熱伝導率κとのバラ
ンスによって決定されるが（図１、数字の大きい方が高
感度であることを示す）、αに対しκが大き過ぎる場合
には融点以上に昇温するために高いレーザーパワーを必
要とするため感度は悪い。同時に結晶化しにくくなるた
め消去比は低下し、安定な記録−消去の繰り返しが困難
となる。一方、αに対しκが小さすぎる場合には過剰な
熱が記録層内に蓄積されアモルファスの形成に必要な冷
却速度が得にくくなる。そのため必要以上のパワーを与
えることで見かけの冷却速度を高くしなければならず、
やはり高いレーザーパワーを必要とすることになる。こ
の場合、記録層や耐熱性保護層、反射放熱層や各層の界
面に対する熱に因るダメージが大きくなり、安定な記録
−消去の繰り返しが困難となる。このように良好な感
度、Ｃ／Ｎ、消去比、繰り返し記録の安定性を得るため
には、記録層の光−熱変換効率に合った熱伝導率を持つ
保護層を形成することが重要であり、本発明の保護層は
これらの特性を満足しうるものである。
自身の光−熱変換効率αと保護層の熱伝導率κとのバラ
ンスによって決定されるが（図１、数字の大きい方が高
感度であることを示す）、αに対しκが大き過ぎる場合
には融点以上に昇温するために高いレーザーパワーを必
要とするため感度は悪い。同時に結晶化しにくくなるた
め消去比は低下し、安定な記録−消去の繰り返しが困難
となる。一方、αに対しκが小さすぎる場合には過剰な
熱が記録層内に蓄積されアモルファスの形成に必要な冷
却速度が得にくくなる。そのため必要以上のパワーを与
えることで見かけの冷却速度を高くしなければならず、
やはり高いレーザーパワーを必要とすることになる。こ
の場合、記録層や耐熱性保護層、反射放熱層や各層の界
面に対する熱に因るダメージが大きくなり、安定な記録
−消去の繰り返しが困難となる。このように良好な感
度、Ｃ／Ｎ、消去比、繰り返し記録の安定性を得るため
には、記録層の光−熱変換効率に合った熱伝導率を持つ
保護層を形成することが重要であり、本発明の保護層は
これらの特性を満足しうるものである。
【００１０】こうした耐熱性保護層用材料に適したもの
は、前記（２）及び（３）に示したとおりであるが、特
に前記（３）について付け加えれば下記のとおりであ
る。 （イ）主に酸化シリコン及び酸化亜鉛からなるもので
は、酸化亜鉛の含有モル比が３〜５０％であるのが望ま
しい。 （ロ）主に酸化シリコン及び酸化アルミニウムからなる
ものでは、酸化アルミニウムの含有モル比が５〜９５％
であるのが望ましい。 （ハ）主に酸化シリコン及び酸化チタンからなるもので
は、酸化チタンの含有モル比が１０〜９８％であるのが
望ましい。 （ニ）主に酸化シリコン及び酸化マグネシウムからなる
ものでは、酸化マグネシウムの含有モル比が３〜４５％
であるのが望ましい。 （ホ）主に酸化シリコン及び酸化イットリウムからなる
ものでは、酸化イットリウムの含有モル比が１０〜８０
％であるのが望ましい。 （ヘ）主に酸化シリコン及び窒化ガリウムからなるもの
では、窒化ガリウムの含有モル比が１〜３０％であるの
が望ましい。 （ト）主に酸化シリコンと窒化シリコンからなるもので
は、窒化シリコンの含有モル比が１０〜８５％であるの
が望ましい。 （チ）主に酸化シリコンと窒化アルミニウムからなるも
のでは、窒化アルミニウムの含有モル比が１〜５０％で
あるのが望ましい。 （リ）主に酸化シリコンと炭化シリコンからなるもので
は、炭化シリコンの含有モル比が５〜５０％であるのが
望ましい。 （ヌ）主に酸化シリコンと炭化チタンからなるもので
は、炭化チタンの含有モル比が１０〜８５％であるのが
望ましい。
は、前記（２）及び（３）に示したとおりであるが、特
に前記（３）について付け加えれば下記のとおりであ
る。 （イ）主に酸化シリコン及び酸化亜鉛からなるもので
は、酸化亜鉛の含有モル比が３〜５０％であるのが望ま
しい。 （ロ）主に酸化シリコン及び酸化アルミニウムからなる
ものでは、酸化アルミニウムの含有モル比が５〜９５％
であるのが望ましい。 （ハ）主に酸化シリコン及び酸化チタンからなるもので
は、酸化チタンの含有モル比が１０〜９８％であるのが
望ましい。 （ニ）主に酸化シリコン及び酸化マグネシウムからなる
ものでは、酸化マグネシウムの含有モル比が３〜４５％
であるのが望ましい。 （ホ）主に酸化シリコン及び酸化イットリウムからなる
ものでは、酸化イットリウムの含有モル比が１０〜８０
％であるのが望ましい。 （ヘ）主に酸化シリコン及び窒化ガリウムからなるもの
では、窒化ガリウムの含有モル比が１〜３０％であるの
が望ましい。 （ト）主に酸化シリコンと窒化シリコンからなるもので
は、窒化シリコンの含有モル比が１０〜８５％であるの
が望ましい。 （チ）主に酸化シリコンと窒化アルミニウムからなるも
のでは、窒化アルミニウムの含有モル比が１〜５０％で
あるのが望ましい。 （リ）主に酸化シリコンと炭化シリコンからなるもので
は、炭化シリコンの含有モル比が５〜５０％であるのが
望ましい。 （ヌ）主に酸化シリコンと炭化チタンからなるもので
は、炭化チタンの含有モル比が１０〜８５％であるのが
望ましい。
【００１１】図２は、本発明の光情報記録媒体の構成例
を示すもので、基板１上に耐熱性保護層２、記録層３、
耐熱性保護層４、反射放熱層５が設けられている。耐熱
性保護層はかならずしも記録層３の両側共に設ける必要
はないが、基板１がポリカーボネート樹脂のように耐熱
性が低い材料の場合には耐熱性保護層２を設けることが
望ましい。
を示すもので、基板１上に耐熱性保護層２、記録層３、
耐熱性保護層４、反射放熱層５が設けられている。耐熱
性保護層はかならずしも記録層３の両側共に設ける必要
はないが、基板１がポリカーボネート樹脂のように耐熱
性が低い材料の場合には耐熱性保護層２を設けることが
望ましい。
【００１２】本発明の耐熱性保護層は各種気相成長法、
たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶ
Ｄ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビー
ム蒸着法などによって形成できる。耐熱性保護層の膜厚
としては１００〜５０００Å、好適には２００〜３００
０Åとするのがよい。１００Åよりも薄くなると耐熱性
保護層としての機能をはたさなくなり、逆に５０００Å
よりも厚くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を
生じやすくなる。また必要に応じて保護層を多層化する
こともできる。
たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶ
Ｄ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビー
ム蒸着法などによって形成できる。耐熱性保護層の膜厚
としては１００〜５０００Å、好適には２００〜３００
０Åとするのがよい。１００Åよりも薄くなると耐熱性
保護層としての機能をはたさなくなり、逆に５０００Å
よりも厚くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を
生じやすくなる。また必要に応じて保護層を多層化する
こともできる。
【００１３】記録層は構成元素として少なくともＡｇ、
Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを含むものである。これらに加え酸素
及び／又は窒素を含むこともできる。記録層は製膜時に
アモルファスであることが多いが、媒体形成後、光照
射、熱処理などにより初期化する。この時点で、結晶相
ＡｇＳｂＴｅ2とアモルファス相Ｉｎ−Ｓｂが混相状態
で存在し、ＡｇＳｂＴｅ2は結晶子径１０００Å以下で
化学量論組成又はそれに近い微結晶状態にある。また結
晶相ＡｇＳｂＴｅ2とアモルファス相Ｉｎ−Ｓｂが複雑
に絡み合った構造をとる場合もある。この記録層の構造
は初期化時の未記録部だけでなく、消去時においても同
様である。
Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを含むものである。これらに加え酸素
及び／又は窒素を含むこともできる。記録層は製膜時に
アモルファスであることが多いが、媒体形成後、光照
射、熱処理などにより初期化する。この時点で、結晶相
ＡｇＳｂＴｅ2とアモルファス相Ｉｎ−Ｓｂが混相状態
で存在し、ＡｇＳｂＴｅ2は結晶子径１０００Å以下で
化学量論組成又はそれに近い微結晶状態にある。また結
晶相ＡｇＳｂＴｅ2とアモルファス相Ｉｎ−Ｓｂが複雑
に絡み合った構造をとる場合もある。この記録層の構造
は初期化時の未記録部だけでなく、消去時においても同
様である。
【００１４】このような混相状態はＡｇＩｎＴｅ2とＳ
ｂとを原材料で用いることにより作製することができ
る。製膜時の記録層は、原材料の化学構造を反映しＡｇ
ＩｎＴｅ2とＳｂのアモルファス相になっていると考え
られる。これは結晶化転移点（１９０〜２２０℃）付近
の温度で熱処理を施すことによりＡｇＩｎＴｅ2とＳｂ
の結晶相が得られることで確認できる。このような記録
層を適当なパワーのレーザー光、又は熱等により初期化
することにより、初めて微結晶ＡｇＳｂＴｅ2とアモル
ファス相Ｉｎ−Ｓｂの均一な混相を作成することができ
る。
ｂとを原材料で用いることにより作製することができ
る。製膜時の記録層は、原材料の化学構造を反映しＡｇ
ＩｎＴｅ2とＳｂのアモルファス相になっていると考え
られる。これは結晶化転移点（１９０〜２２０℃）付近
の温度で熱処理を施すことによりＡｇＩｎＴｅ2とＳｂ
の結晶相が得られることで確認できる。このような記録
層を適当なパワーのレーザー光、又は熱等により初期化
することにより、初めて微結晶ＡｇＳｂＴｅ2とアモル
ファス相Ｉｎ−Ｓｂの均一な混相を作成することができ
る。
【００１５】記録層は各種気相成長法、たとえば真空蒸
着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ
法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などに
よって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル法のよう
な湿式プロセスも適用可能である。記録層の膜厚として
は１００〜１００００Å、好適には１５０〜３０００Å
とするのがよい。１００Åより薄いと光吸収能が著しく
低下し、記録層としての役割をはたさなくなる。また１
００００Åよりも厚いと高速で均一な相変化がおこりに
くくなる。
着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ
法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などに
よって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル法のよう
な湿式プロセスも適用可能である。記録層の膜厚として
は１００〜１００００Å、好適には１５０〜３０００Å
とするのがよい。１００Åより薄いと光吸収能が著しく
低下し、記録層としての役割をはたさなくなる。また１
００００Åよりも厚いと高速で均一な相変化がおこりに
くくなる。
【００１６】反射放熱層としては、Ａｌ、Ａｕなどの金
属材料、またはそれらの合金などを用いることができ
る。反射放熱層は必ずしも必要ではないが、過剰な熱を
放出しディスクへの熱負担を軽減するために設けるほう
が望ましい。このような反射放熱層は各種気相成長法、
たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶ
Ｄ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビー
ム蒸着法などによって形成できる。
属材料、またはそれらの合金などを用いることができ
る。反射放熱層は必ずしも必要ではないが、過剰な熱を
放出しディスクへの熱負担を軽減するために設けるほう
が望ましい。このような反射放熱層は各種気相成長法、
たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶ
Ｄ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビー
ム蒸着法などによって形成できる。
【００１７】基板の材料は通常ガラス、セラミクス、あ
るいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で好
適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ
素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられる
が、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹
脂、アクリル系樹脂が好ましい。また基板の形状として
はディスク状、カード状あるいはシート状であってもよ
い。
るいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で好
適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ
素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられる
が、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹
脂、アクリル系樹脂が好ましい。また基板の形状として
はディスク状、カード状あるいはシート状であってもよ
い。
【００１８】本発明の光情報記録媒体の記録、再生およ
び消去に用いる電磁波としてはレーザー光、電子線、Ｘ
線、紫外線、可視光線、赤外線、マイクロ波など種々の
ものが採用可能であるが、ドライブに取付ける際、小型
でコンパクトな半導体レーザーが最適である。
び消去に用いる電磁波としてはレーザー光、電子線、Ｘ
線、紫外線、可視光線、赤外線、マイクロ波など種々の
ものが採用可能であるが、ドライブに取付ける際、小型
でコンパクトな半導体レーザーが最適である。
【００１９】
【実施例】次に、実施例によって本発明を具体的に説明
する。但しこれらの実施例は本発明をなんら制限するも
のではない。
する。但しこれらの実施例は本発明をなんら制限するも
のではない。
【００２０】実施例１〜２０及び比較例１〜２０ ポリカーボネート製ディスク基板上に下部耐熱性保護層
を約２０００Å厚、記録層を約２００Å厚、上部耐熱性
保護層を約２００Å厚、反射放熱層としてＡｌ合金を約
１０００Å厚になるように、順次ｒｆマグネトロンスパ
ッタ法により積層した。ここで、記録層としてはＡｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ2記録材料を用いた。組成比は耐熱保
護層の熱伝導率にあわせて変化させた。耐熱性保護層に
用いた熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・deg以上である化合物と
母材との組み合わせを表１に示す。組成比ｘは熱伝導率
が１０Ｗ／ｍ・deg以上である化合物の占めるモル比で
ある。本発明のディスク作製時の記録層はいずれもアモ
ルファス相であり、波長７８０ｎｍの半導体レーザー光
により記録層を充分結晶化させ初期化状態（安定状態）
とした。線速度１．２ｍ／ｓ〜５．６ｍ／ｓにおいてＥ
ＦＭ変調のランダムパターンを繰り返しオーバーライト
記録し、記録媒体としての特性を評価した。記録パワ
ー、消去比、繰り返し特性結果を併せて表１に示す。た
だし、消去比はＥＦＭ変調の３Ｔ信号を１１Ｔ信号でオ
ーバーライトした時の３Ｔ信号の消去比を測定した。繰
り返し特性はブロックエラーレートが２２０cpsを上回
る回数で定義した。表１中、○は１００回以上、△は１
０回以上、×は１０回未満であることを示す（以下同
じ）。本発明の組成範囲で良好なディスク特性を示すこ
とがわかる。また表１にあるように記録感度も高いもの
となっている。
を約２０００Å厚、記録層を約２００Å厚、上部耐熱性
保護層を約２００Å厚、反射放熱層としてＡｌ合金を約
１０００Å厚になるように、順次ｒｆマグネトロンスパ
ッタ法により積層した。ここで、記録層としてはＡｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ2記録材料を用いた。組成比は耐熱保
護層の熱伝導率にあわせて変化させた。耐熱性保護層に
用いた熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・deg以上である化合物と
母材との組み合わせを表１に示す。組成比ｘは熱伝導率
が１０Ｗ／ｍ・deg以上である化合物の占めるモル比で
ある。本発明のディスク作製時の記録層はいずれもアモ
ルファス相であり、波長７８０ｎｍの半導体レーザー光
により記録層を充分結晶化させ初期化状態（安定状態）
とした。線速度１．２ｍ／ｓ〜５．６ｍ／ｓにおいてＥ
ＦＭ変調のランダムパターンを繰り返しオーバーライト
記録し、記録媒体としての特性を評価した。記録パワ
ー、消去比、繰り返し特性結果を併せて表１に示す。た
だし、消去比はＥＦＭ変調の３Ｔ信号を１１Ｔ信号でオ
ーバーライトした時の３Ｔ信号の消去比を測定した。繰
り返し特性はブロックエラーレートが２２０cpsを上回
る回数で定義した。表１中、○は１００回以上、△は１
０回以上、×は１０回未満であることを示す（以下同
じ）。本発明の組成範囲で良好なディスク特性を示すこ
とがわかる。また表１にあるように記録感度も高いもの
となっている。
【００２１】
【表１】
【００２２】比較例２１〜２３ 耐熱性保護層としてＺｒＯ2とＳｉＯ2との混合物を用
い、前記の実施例、比較例と同様にディスクを作成、評
価した結果を表２に示した。ＺｒＯ2のバルクでの熱伝
導率は１．９５Ｗ／ｍ・degと小さく、安定した繰り返
し特性が得られない。
い、前記の実施例、比較例と同様にディスクを作成、評
価した結果を表２に示した。ＺｒＯ2のバルクでの熱伝
導率は１．９５Ｗ／ｍ・degと小さく、安定した繰り返
し特性が得られない。
【００２３】
【表２】
【００２４】比較例２４〜２６ 下部耐熱性保護層と上部耐熱性保護層との組み合わせと
ディスク特性を表３に示す。表３にみられるように、下
部耐熱性保護層の熱伝導率の方が大きい場合には安定し
た繰り返し特性が得られない。
ディスク特性を表３に示す。表３にみられるように、下
部耐熱性保護層の熱伝導率の方が大きい場合には安定し
た繰り返し特性が得られない。
【００２５】
【表３】
【００２６】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、相変化形光記
録媒体における良好な耐熱性保護層用材料が得られる。
請求項２及び３の発明によれば、より良好な耐熱性保護
層用材料が得られる。請求項４の発明によれば、消去比
が高く、高速記録消去時においても低パワーで多数回の
記録−消去の繰り返しが可能な相変化形光情報記録媒体
が得られる。
録媒体における良好な耐熱性保護層用材料が得られる。
請求項２及び３の発明によれば、より良好な耐熱性保護
層用材料が得られる。請求項４の発明によれば、消去比
が高く、高速記録消去時においても低パワーで多数回の
記録−消去の繰り返しが可能な相変化形光情報記録媒体
が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】記録層の光−熱変換効率αと保護層の熱伝導率
κとの関係を表わした図。
κとの関係を表わした図。
【図２】本発明の光情報記録媒体の構造図。
１ 基板 ２，４ 耐熱性保護層 ３ 記録層 ４ 反射放熱層
Claims (4)
- 【請求項１】 記録材料の相変化を利用した相変化形記
録媒体の構成材料の一つとして用いられるものであっ
て、その構成成分としてバルク状態における熱伝導率が
１０Ｗ／ｍ・deg以上である化合物を１種類以上含むこ
とを特徴とする耐熱性保護層用材料。 - 【請求項２】 前記構成成分が酸化亜鉛、酸化アルミニ
ウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化イットリウ
ム、窒化ガリウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム及
び炭化シリコンから選ばれる少なくとも１種であること
を特徴とする請求項１記載の耐熱性保護層用材料。 - 【請求項３】 前記構成成分が酸化亜鉛、酸化アルミニ
ウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化イットリウ
ム、窒化ガリウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム及
び／又は炭化シリコンと酸化シリコンとの併用からなる
ことを特徴とする請求項１記載の耐熱性保護層用材料。 - 【請求項４】 基板上に耐熱性保護層、記録層、反射放
熱層を積層した光情報記録媒体において、該記録層がＡ
ｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分として形成され、かつ、
該耐熱性保護層が請求項１、２又は３の構成成分で形成
されていることを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7074714A JPH08249725A (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 光情報記録媒体及びその製造に用いられる耐熱性保護層用材料 |
| EP96103653A EP0731460A3 (en) | 1995-03-08 | 1996-03-08 | Optical data recording medium and material for its heat resistant protective layer |
| US09/836,615 US6555196B2 (en) | 1995-03-08 | 2001-04-17 | Optical data recording medium and material for heat-resistant protection layer for the same |
| US09/836,144 US20010031422A1 (en) | 1995-03-08 | 2001-04-17 | Optical data recording medium and material for heat-resistant protection layer for the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7074714A JPH08249725A (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 光情報記録媒体及びその製造に用いられる耐熱性保護層用材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08249725A true JPH08249725A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=13555174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7074714A Pending JPH08249725A (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 光情報記録媒体及びその製造に用いられる耐熱性保護層用材料 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6555196B2 (ja) |
| EP (1) | EP0731460A3 (ja) |
| JP (1) | JPH08249725A (ja) |
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