JPH07161072A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH07161072A JPH07161072A JP5339742A JP33974293A JPH07161072A JP H07161072 A JPH07161072 A JP H07161072A JP 5339742 A JP5339742 A JP 5339742A JP 33974293 A JP33974293 A JP 33974293A JP H07161072 A JPH07161072 A JP H07161072A
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 消去比が高く、多数回の記録−消去の繰り返
しが可能な相変化形光情報記録媒体を提供する。 【構成】 基板上に記録層と保護層と反射放熱層を有す
る光情報記録媒体において、記録層がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ
及びＴｅを少なくとも含み、記録層と反射放熱層との間
の保護層が複数の化合物の混合物よりなり、その保護層
を構成する化合物のうち少なくとも一種はＡｌＮ、Ｂ
Ｎ、ＳｉＣ及びＣから選択された少なくとも一種であ
り、他の一種はＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3及びＴａ2Ｏ5から選
択された少なくとも一種であることを特徴とする光情報
記録媒体。
しが可能な相変化形光情報記録媒体を提供する。 【構成】 基板上に記録層と保護層と反射放熱層を有す
る光情報記録媒体において、記録層がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ
及びＴｅを少なくとも含み、記録層と反射放熱層との間
の保護層が複数の化合物の混合物よりなり、その保護層
を構成する化合物のうち少なくとも一種はＡｌＮ、Ｂ
Ｎ、ＳｉＣ及びＣから選択された少なくとも一種であ
り、他の一種はＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3及びＴａ2Ｏ5から選
択された少なくとも一種であることを特徴とする光情報
記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光情報記録媒体、特に
光ビームを照射することにより記録層材料に相変化を生
じさせ、情報の記録、再生を行い、かつ書換が可能であ
る相変化形光情報記録媒体に関するものであり、光メモ
リー関連機器に応用される。
光ビームを照射することにより記録層材料に相変化を生
じさせ、情報の記録、再生を行い、かつ書換が可能であ
る相変化形光情報記録媒体に関するものであり、光メモ
リー関連機器に応用される。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形光情報記録媒体
がよく知られている。この相変化形光情報記録媒体は、
特に光磁気メモリーでは困難な単一ビームによるオーバ
ーライトが可能であり、ドライブ側の光学系もより単純
であることなどから、最近その研究開発が活発になって
いる。その代表的な例として、ＵＳＰ３５３０４４１に
開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ
ｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ
ｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ
−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材料があげられ
る。また安定性、高速結晶化などの向上を目的に、Ｇｅ
−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２号公報）、
ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７０１９０号公報）、
Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０号公報）などを添加した
材料の提案や、記録／消去の繰り返し性能向上を目的に
Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比を
特定した材料（特開昭６２−７３４３８号公報）の提案
などもなされている。しかしながら、いずれも相変化形
書換可能光メモリー媒体として要求される諸特性のすべ
てを満足しうるものではなかった。特にオーバーライト
時の消し残りによる消去比低下の防止、ならびに繰り返
し記録回数の向上が解決すべき最重要課題となってい
る。
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形光情報記録媒体
がよく知られている。この相変化形光情報記録媒体は、
特に光磁気メモリーでは困難な単一ビームによるオーバ
ーライトが可能であり、ドライブ側の光学系もより単純
であることなどから、最近その研究開発が活発になって
いる。その代表的な例として、ＵＳＰ３５３０４４１に
開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ
ｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ
ｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ
−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材料があげられ
る。また安定性、高速結晶化などの向上を目的に、Ｇｅ
−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２号公報）、
ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７０１９０号公報）、
Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０号公報）などを添加した
材料の提案や、記録／消去の繰り返し性能向上を目的に
Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比を
特定した材料（特開昭６２−７３４３８号公報）の提案
などもなされている。しかしながら、いずれも相変化形
書換可能光メモリー媒体として要求される諸特性のすべ
てを満足しうるものではなかった。特にオーバーライト
時の消し残りによる消去比低下の防止、ならびに繰り返
し記録回数の向上が解決すべき最重要課題となってい
る。
【０００３】特開昭６３−２５１２９０号公報では結晶
状態が実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録
層を具備した光情報記録媒体が提案されている。ここで
実質的に三元以上の多元化合物単層とは三元以上の化学
量論組成を持った化合物（たとえばＩｎ3ＳｂＴｅ2）を
記録層中に９０原子％以上含むものとされている。この
ような記録層を用いることにより記録、消去特性の向上
が図れるとしている。しかしながら上記公報の光情報記
録媒体は、消去比が低いなどの欠点を有している。これ
らの事情から消去比が高く、尚且つ繰り返し特性の優れ
た光情報記録媒体の開発が望まれていた。このための方
策として、記録層材料に適した保護層材料の開発が進め
られ、ＺｎＳ・ＳｉＯ2（特開平４−７４７８５号公報
など）、ＳｉＮ、ＡｌＮなどの材料が用いられている。
しかし、これらの材料の組み合わせによっても光情報記
録媒体として要求される諸特性のすべてを満足するもの
は得られていない。
状態が実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録
層を具備した光情報記録媒体が提案されている。ここで
実質的に三元以上の多元化合物単層とは三元以上の化学
量論組成を持った化合物（たとえばＩｎ3ＳｂＴｅ2）を
記録層中に９０原子％以上含むものとされている。この
ような記録層を用いることにより記録、消去特性の向上
が図れるとしている。しかしながら上記公報の光情報記
録媒体は、消去比が低いなどの欠点を有している。これ
らの事情から消去比が高く、尚且つ繰り返し特性の優れ
た光情報記録媒体の開発が望まれていた。このための方
策として、記録層材料に適した保護層材料の開発が進め
られ、ＺｎＳ・ＳｉＯ2（特開平４−７４７８５号公報
など）、ＳｉＮ、ＡｌＮなどの材料が用いられている。
しかし、これらの材料の組み合わせによっても光情報記
録媒体として要求される諸特性のすべてを満足するもの
は得られていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上のような
事情に鑑みてなされたものであり、消去比が高く、多数
回の記録−消去の繰り返しが可能な相変化形光情報記録
媒体を提供することを目的とする。
事情に鑑みてなされたものであり、消去比が高く、多数
回の記録−消去の繰り返しが可能な相変化形光情報記録
媒体を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは上記
課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、前述目的に合
致する記録層材料、保護層材料の組み合わせを見いだし
た。即ち、本発明は、基板上に記録層と保護層と反射放
熱層を有する光情報記録媒体において、記録層がＡｇ、
Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを少なくとも含み、記録層と反射放
熱層との間の保護層が複数の化合物の混合物よりなり、
その保護層を構成する化合物のうち少なくともはＡｌ
Ｎ、ＢＮ、ＳｉＣ及びＣから選択された少なくとも一種
であり、他の一種はＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3及びＴａ2Ｏ5か
ら選択された少なくとも一種であることを特徴としてい
る。本発明者らは、この構成を用いれば、前記課題を達
成し、高Ｃ／Ｎ、高消去比かつ繰り返し特性の優れた光
情報記録媒体が得られることを確認し、本発明を完成す
るに至ったものである。
課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、前述目的に合
致する記録層材料、保護層材料の組み合わせを見いだし
た。即ち、本発明は、基板上に記録層と保護層と反射放
熱層を有する光情報記録媒体において、記録層がＡｇ、
Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを少なくとも含み、記録層と反射放
熱層との間の保護層が複数の化合物の混合物よりなり、
その保護層を構成する化合物のうち少なくともはＡｌ
Ｎ、ＢＮ、ＳｉＣ及びＣから選択された少なくとも一種
であり、他の一種はＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3及びＴａ2Ｏ5か
ら選択された少なくとも一種であることを特徴としてい
る。本発明者らは、この構成を用いれば、前記課題を達
成し、高Ｃ／Ｎ、高消去比かつ繰り返し特性の優れた光
情報記録媒体が得られることを確認し、本発明を完成す
るに至ったものである。
【０００６】以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説
明する。図１は本発明の一構成例を示すもので、基板１
上に下部耐熱性保護層２、記録層３、上部耐熱性保護層
４及び反射放熱層５が設けられている。耐熱性保護層は
必ずしも記録層の両側ともに設ける必要はないが、基板
がポリカーボネート樹脂のように耐熱性が低い材料の場
合には下部耐熱性保護層２を設けることが望ましい。
明する。図１は本発明の一構成例を示すもので、基板１
上に下部耐熱性保護層２、記録層３、上部耐熱性保護層
４及び反射放熱層５が設けられている。耐熱性保護層は
必ずしも記録層の両側ともに設ける必要はないが、基板
がポリカーボネート樹脂のように耐熱性が低い材料の場
合には下部耐熱性保護層２を設けることが望ましい。
【０００７】本発明にかかわる記録層は構成元素として
少なくともＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを含むものである。
またディスク特性をさらに一層向上させることを目的と
して他の元素を加えてもよい。例えばIVａ、Ｖａなどの
遷移金属元素（Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏな
ど）を添加すると、結晶化速度の制御が容易となり、構
造安定性の改善、繰返し特性の向上が図れるようにな
る。記録層は製膜時にアモルファスであることが多い
が、媒体形成後熱処理して初期化する。
少なくともＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを含むものである。
またディスク特性をさらに一層向上させることを目的と
して他の元素を加えてもよい。例えばIVａ、Ｖａなどの
遷移金属元素（Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏな
ど）を添加すると、結晶化速度の制御が容易となり、構
造安定性の改善、繰返し特性の向上が図れるようにな
る。記録層は製膜時にアモルファスであることが多い
が、媒体形成後熱処理して初期化する。
【０００８】図２は電子顕微鏡観察、電子線回折、Ｘ線
回析の結果をもとに、最適な記録層の安定状態（未記録
部）の様子を模式的に示した図である。結晶相の化学量
論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2と少なくとも
ＩｎとＳｂからなるアモルファス相が混相状態で存在し
ている。
回析の結果をもとに、最適な記録層の安定状態（未記録
部）の様子を模式的に示した図である。結晶相の化学量
論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2と少なくとも
ＩｎとＳｂからなるアモルファス相が混相状態で存在し
ている。
【０００９】その混相状態は化学量論組成あるいはそれ
に近いＡｇＳｂＴｅ2結晶相中に少なくともＩｎとＳｂ
からなるアモルファス相が分散した状態、あるいは少な
くともＩｎとＳｂからなるアモルファス相中にＡｇＳｂ
Ｔｅ2結晶相が分散した状態あるいはこれらが混在した
状態をとることができる。
に近いＡｇＳｂＴｅ2結晶相中に少なくともＩｎとＳｂ
からなるアモルファス相が分散した状態、あるいは少な
くともＩｎとＳｂからなるアモルファス相中にＡｇＳｂ
Ｔｅ2結晶相が分散した状態あるいはこれらが混在した
状態をとることができる。
【００１０】アモルファス相は一般に等方性の高い構造
を持つと言われている。一方、ＡｇＳｂＴｅ2も等方的
な結晶構造である立方晶構造をもつため、たとえばレー
ザー光により高温から急冷されアモルファス相となる際
（記録→準安定状態への転移）には高速で均一な相変化
がおこり、物理的、化学的にばらつきの少ないアモルフ
ァス相となる。このアモルファス相の微細な構造は解析
が困難であり、詳細は不明であるが、たとえばアモルフ
ァス相の化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ
2と少なくともＩｎ、Ｓｂからなるアモルファス相の組
み合わせ、または全く別の単一アモルファス相等になっ
ていると考えられる。
を持つと言われている。一方、ＡｇＳｂＴｅ2も等方的
な結晶構造である立方晶構造をもつため、たとえばレー
ザー光により高温から急冷されアモルファス相となる際
（記録→準安定状態への転移）には高速で均一な相変化
がおこり、物理的、化学的にばらつきの少ないアモルフ
ァス相となる。このアモルファス相の微細な構造は解析
が困難であり、詳細は不明であるが、たとえばアモルフ
ァス相の化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ
2と少なくともＩｎ、Ｓｂからなるアモルファス相の組
み合わせ、または全く別の単一アモルファス相等になっ
ていると考えられる。
【００１１】また、逆にこのような均一性の高いアモル
ファス相から等方的な結晶構造への転移において（消去
→安定状態への転移）は結晶化も均一に起こり、したが
って消去比は非常に高いものとなる。また図２のような
混在状態ではサイズ効果による融点降下がおこるため、
比較的低い温度で相転移を起こすことができる。即ち、
記録媒体としては記録感度が向上する。
ファス相から等方的な結晶構造への転移において（消去
→安定状態への転移）は結晶化も均一に起こり、したが
って消去比は非常に高いものとなる。また図２のような
混在状態ではサイズ効果による融点降下がおこるため、
比較的低い温度で相転移を起こすことができる。即ち、
記録媒体としては記録感度が向上する。
【００１２】このような混相状態はＡｇＩｎＴｅ2とＳ
ｂとを原材料で用いることにより作成することができ
る。製膜時の記録膜は、原材料の化学構造を反映しＡｇ
ＩｎＴｅ2とＳｂのアモルファス相になっていると考え
られる。これは結晶化転移点（１９０〜２２０℃）付近
の温度で熱処理を施すことによりＡｇＩｎＴｅ2とＳｂ
の結晶相が得られることで確認できる。このような記録
膜を適当なパワーのレーザー光、または熱等により初期
化することにより、はじめて微細な化学量論組成あるい
はそれに近いＡｇＳｂＴｅ2と少なくともＩｎ、Ｓｂか
らなるアモルファスの均一な混相を作成することができ
る。すなわちＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを少なくとも含む
系において、製膜時の記録膜に対して初期化プロセスと
して置換反応をおこさせ、構造変化させることにより適
切な構造を得ることができる。このプロセスは製膜時の
記録膜を加熱し、融解あるいはそれに近い活性な状態に
し、その後適切な冷却速度で冷却することからなるもの
である。冷却速度が速すぎれば記録層はアモルファス構
造となり、逆に遅すぎると好ましい微細な混相構造とは
ならず、Ｉｎ、Ｓｂからなる相も結晶化する。
ｂとを原材料で用いることにより作成することができ
る。製膜時の記録膜は、原材料の化学構造を反映しＡｇ
ＩｎＴｅ2とＳｂのアモルファス相になっていると考え
られる。これは結晶化転移点（１９０〜２２０℃）付近
の温度で熱処理を施すことによりＡｇＩｎＴｅ2とＳｂ
の結晶相が得られることで確認できる。このような記録
膜を適当なパワーのレーザー光、または熱等により初期
化することにより、はじめて微細な化学量論組成あるい
はそれに近いＡｇＳｂＴｅ2と少なくともＩｎ、Ｓｂか
らなるアモルファスの均一な混相を作成することができ
る。すなわちＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを少なくとも含む
系において、製膜時の記録膜に対して初期化プロセスと
して置換反応をおこさせ、構造変化させることにより適
切な構造を得ることができる。このプロセスは製膜時の
記録膜を加熱し、融解あるいはそれに近い活性な状態に
し、その後適切な冷却速度で冷却することからなるもの
である。冷却速度が速すぎれば記録層はアモルファス構
造となり、逆に遅すぎると好ましい微細な混相構造とは
ならず、Ｉｎ、Ｓｂからなる相も結晶化する。
【００１３】記録層の組成は、 （ＡｇαＳｂαＴｅ1-2α)x（Ｉｎ1-yＳｂy)1-x とした時に、 ０．１＜α＜０．３ ０．３≦ｘ≦０．５ ０．７≦ｙ≦０．９ の範囲のものが好ましい。
【００１４】本発明の記録層は各種気相成長法、例えば
真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光
ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法
などによって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル法
のような湿式プロセスも適用可能である。記録層の膜厚
としては１００〜１００００Å、好適には２００〜３０
００Åとするのがよい。１００Åより薄いと光吸収能が
著しく低下し、記録層としての役割をはたさなくなる。
また、１００００Åより厚いと高速で均一な相変化がお
こりにくくなる。
真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光
ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法
などによって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル法
のような湿式プロセスも適用可能である。記録層の膜厚
としては１００〜１００００Å、好適には２００〜３０
００Åとするのがよい。１００Åより薄いと光吸収能が
著しく低下し、記録層としての役割をはたさなくなる。
また、１００００Åより厚いと高速で均一な相変化がお
こりにくくなる。
【００１５】基板と記録層間の下部耐熱性保護層の材料
としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ・ＳｎＯ2、Ａｌ2
Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2などの金属
酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなど
の金属窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの金属
硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、Ｚｒ
Ｃなどの炭化物やダイヤモンド状カーボンあるいはそれ
らの混合物が挙げられる。
としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ・ＳｎＯ2、Ａｌ2
Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2などの金属
酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなど
の金属窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの金属
硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、Ｚｒ
Ｃなどの炭化物やダイヤモンド状カーボンあるいはそれ
らの混合物が挙げられる。
【００１６】一方、記録層と反射放熱層間の上部耐熱性
保護層としては、ＡｌＮ、ＢＮ、ＳｉＣ、ダイヤモンド
状カーボン等の熱伝導率が１Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上の化合物
と、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の酸化物との混合
物が適している。特に、ＡｌＮとＳｉＯ2の組合せが好
ましい。この上部耐熱性保護層は記録層の冷却速度を制
御する役割を担っており、特に記録層が前記のＡｇ、Ｉ
ｎ、Ｓｂ、Ｔｅからなり、ＡｇＳｂＴｅ2微結晶を含ん
だ混相からなる場合、結晶化速度が大きい（溶融状態か
ら冷却凝固する際、アモルファスになる臨界冷却速度が
大きい）ため、上部耐熱性保護層の熱伝導率は大きいこ
とが望ましい。しかし、前記ＡｌＮ等の高熱伝導率材料
を単体で用いた場合、応力が大きくなり、繰返し特性が
悪くなってしまう。これに対し本発明では前記ＡｌＮ等
の高熱伝導率材料とＳｉＯ2等の酸化物との混合物を用
いることにより、熱伝導率をそれほど低下させることな
く、応力の小さい媒体を得ることができ、結果として繰
返し特性を大きく改善することができる。
保護層としては、ＡｌＮ、ＢＮ、ＳｉＣ、ダイヤモンド
状カーボン等の熱伝導率が１Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上の化合物
と、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の酸化物との混合
物が適している。特に、ＡｌＮとＳｉＯ2の組合せが好
ましい。この上部耐熱性保護層は記録層の冷却速度を制
御する役割を担っており、特に記録層が前記のＡｇ、Ｉ
ｎ、Ｓｂ、Ｔｅからなり、ＡｇＳｂＴｅ2微結晶を含ん
だ混相からなる場合、結晶化速度が大きい（溶融状態か
ら冷却凝固する際、アモルファスになる臨界冷却速度が
大きい）ため、上部耐熱性保護層の熱伝導率は大きいこ
とが望ましい。しかし、前記ＡｌＮ等の高熱伝導率材料
を単体で用いた場合、応力が大きくなり、繰返し特性が
悪くなってしまう。これに対し本発明では前記ＡｌＮ等
の高熱伝導率材料とＳｉＯ2等の酸化物との混合物を用
いることにより、熱伝導率をそれほど低下させることな
く、応力の小さい媒体を得ることができ、結果として繰
返し特性を大きく改善することができる。
【００１７】上記混合物を成膜するためには、真空蒸着
法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法等の薄膜形成
手段を用いることができる。特にスパッタリング法は、
保護層のグレインサイズの制御等が容易にできるため好
ましい。これにより、応力制御ができるため、繰返し特
性が改善されるものと考えられる。上記混合物の成膜時
のスパッタリングターゲットとしては、例えばＡｌＮと
ＳｉＯ2の混合物の場合には、ＡｌＮ微粒子とＳｉＯ2微
粒子を混合・焼成したものを用いることが好ましい。
法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法等の薄膜形成
手段を用いることができる。特にスパッタリング法は、
保護層のグレインサイズの制御等が容易にできるため好
ましい。これにより、応力制御ができるため、繰返し特
性が改善されるものと考えられる。上記混合物の成膜時
のスパッタリングターゲットとしては、例えばＡｌＮと
ＳｉＯ2の混合物の場合には、ＡｌＮ微粒子とＳｉＯ2微
粒子を混合・焼成したものを用いることが好ましい。
【００１８】上記混合物においてＡｌＮ等の高熱伝導率
材料とＳｉＯ2等の金属酸化物とのモル比は９０：１０
〜１０：９０の範囲であることが望ましい。ＳｉＯ2等
の金属酸化物はモル比で１０％未満であると顕著な効果
があらわれず繰返し特性は改善されない。また９０％を
超えると熱伝導率の急激な低下を生じ、Ｃ／Ｎ、消去比
の低下が生じる。
材料とＳｉＯ2等の金属酸化物とのモル比は９０：１０
〜１０：９０の範囲であることが望ましい。ＳｉＯ2等
の金属酸化物はモル比で１０％未満であると顕著な効果
があらわれず繰返し特性は改善されない。また９０％を
超えると熱伝導率の急激な低下を生じ、Ｃ／Ｎ、消去比
の低下が生じる。
【００１９】下部耐熱性保護層の膜厚は５００Å以上５
０００Å以下が好ましい。５００Åよりも薄くなると耐
熱性保護層としての機能をはたさなくなり、逆に５００
０Åよりも厚くなると剥離を生じやすくなる。
０００Å以下が好ましい。５００Åよりも薄くなると耐
熱性保護層としての機能をはたさなくなり、逆に５００
０Åよりも厚くなると剥離を生じやすくなる。
【００２０】一方、上部耐熱性保護層の膜厚は１００Å
以上２０００Å以下が好ましい。１００Å以下では繰返
し特性が低下し、２０００Å以上では感度の低下を生じ
る。
以上２０００Å以下が好ましい。１００Å以下では繰返
し特性が低下し、２０００Å以上では感度の低下を生じ
る。
【００２１】反射放熱層としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇな
どの金属材料、またはそれらの合金などを用いることが
できる。反射放熱層は必ずしも必要ではないが、過剰な
熱を放出し、記録媒体自身への熱負担を軽減するために
設けるほうが望ましい。このような反射放熱層は各種気
相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラ
ズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、
電子ビーム蒸着法などによって形成できる。反射放熱層
の膜厚としては、１００〜３０００Å、好適には５００
〜２０００Åとするのがよい。１００Åよりも薄くなる
と反射放熱層の機能を果さなくなり、逆に３０００Åよ
りも厚くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を生
じやすくなる。
どの金属材料、またはそれらの合金などを用いることが
できる。反射放熱層は必ずしも必要ではないが、過剰な
熱を放出し、記録媒体自身への熱負担を軽減するために
設けるほうが望ましい。このような反射放熱層は各種気
相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラ
ズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、
電子ビーム蒸着法などによって形成できる。反射放熱層
の膜厚としては、１００〜３０００Å、好適には５００
〜２０００Åとするのがよい。１００Åよりも薄くなる
と反射放熱層の機能を果さなくなり、逆に３０００Åよ
りも厚くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を生
じやすくなる。
【００２２】基板の材料は、通常、ガラス、セラミック
ス、あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの
点で好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネー
ト樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、
フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげら
れるが、加工法、光学特性などの点でポリカーボネート
樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。また基板の形状とし
てはディスク状、カード状あるいはシート状であっても
よい。
ス、あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの
点で好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネー
ト樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、
フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげら
れるが、加工法、光学特性などの点でポリカーボネート
樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。また基板の形状とし
てはディスク状、カード状あるいはシート状であっても
よい。
【００２３】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。
する。
【００２４】実施例 ３．５インチグルーブ付きポリカーボネートディスク基
板上に下部耐熱性保護層としてＺｎＳ・ＳｉＯ2の混合
層（ＳｉＯ2２０ｍｏｌ％））を２０００Å、Ａｇ、Ｉ
ｎ、Ｓｂ、Ｔｅからなる記録層を３５０Å、上部耐熱性
保護層としてＡｌＮ・ＳｉＯ2の混合層（ＳｉＯ2３０ｍ
ｏｌ％）３００Å、反射放熱層としてＡｇを７００Å、
順次スパッタ法により積層成膜した。その際記録層用ス
パッタリングターゲットとしては６インチφ、ＡｇＩｎ
Ｔｅ2ターゲットエロージョン部に１５ｍｍ□Ｓｂチッ
プを８個のせたものを用いた。得られた記録層の組成
は、前記組成式においてα＝０．２、ｘ＝０．４２、ｙ
＝０．８であった。また上部耐熱性保護層用スパッタリ
ングターゲットとしてはＡｌＮとＳｉＯ2微粒子を焼成
したものを用いた。
板上に下部耐熱性保護層としてＺｎＳ・ＳｉＯ2の混合
層（ＳｉＯ2２０ｍｏｌ％））を２０００Å、Ａｇ、Ｉ
ｎ、Ｓｂ、Ｔｅからなる記録層を３５０Å、上部耐熱性
保護層としてＡｌＮ・ＳｉＯ2の混合層（ＳｉＯ2３０ｍ
ｏｌ％）３００Å、反射放熱層としてＡｇを７００Å、
順次スパッタ法により積層成膜した。その際記録層用ス
パッタリングターゲットとしては６インチφ、ＡｇＩｎ
Ｔｅ2ターゲットエロージョン部に１５ｍｍ□Ｓｂチッ
プを８個のせたものを用いた。得られた記録層の組成
は、前記組成式においてα＝０．２、ｘ＝０．４２、ｙ
＝０．８であった。また上部耐熱性保護層用スパッタリ
ングターゲットとしてはＡｌＮとＳｉＯ2微粒子を焼成
したものを用いた。
【００２５】上記で作製した各ディスクは波長７８０ｎ
ｍ、ＮＡ０．５のピックアップを用いてＬＤ初期化し、
本発明による光ディスクとした。初期化線速は、１．２
ｍ／ｓ、ＬＤパワーは１０ｍＷとした。
ｍ、ＮＡ０．５のピックアップを用いてＬＤ初期化し、
本発明による光ディスクとした。初期化線速は、１．２
ｍ／ｓ、ＬＤパワーは１０ｍＷとした。
【００２６】比較例 上記実施例において、上部耐熱性保護層としてＡｌＮ・
ＳｉＯ2混合層の代わりにＡｌＮを３００Å成膜した以
外は同様にして比較例の光ディスクを作製した。
ＳｉＯ2混合層の代わりにＡｌＮを３００Å成膜した以
外は同様にして比較例の光ディスクを作製した。
【００２７】上記で作製した各光ディスクの評価を、波
長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５のピックアップを用いて行っ
た。光ディスクの線速は１．２ｍ／ｓとした。記録周波
数７２０ｋＨｚ、２００ｋＨｚの信号を交互にオーバー
ライト記録し、７２０ｋＨｚの信号のＣ／Ｎ、消去比を
特性値とした。オーバーライト繰返しによる７２０ｋＨ
ｚの信号のＣ／Ｎの変化の様子を図３及び図４に示す。
図から、上部耐熱性保護層材料をＡｌＮ・ＳｉＯ2混合
層とすることにより、繰返し回数が改善されることがわ
かる。
長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５のピックアップを用いて行っ
た。光ディスクの線速は１．２ｍ／ｓとした。記録周波
数７２０ｋＨｚ、２００ｋＨｚの信号を交互にオーバー
ライト記録し、７２０ｋＨｚの信号のＣ／Ｎ、消去比を
特性値とした。オーバーライト繰返しによる７２０ｋＨ
ｚの信号のＣ／Ｎの変化の様子を図３及び図４に示す。
図から、上部耐熱性保護層材料をＡｌＮ・ＳｉＯ2混合
層とすることにより、繰返し回数が改善されることがわ
かる。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、前記構成としたので、
従来技術に比較してＣ／Ｎ、消去比の飛躍的向上が達成
でき、なおかつ繰り返し記録／消去特性の優れた光情報
記録媒体の提供が可能となる。
従来技術に比較してＣ／Ｎ、消去比の飛躍的向上が達成
でき、なおかつ繰り返し記録／消去特性の優れた光情報
記録媒体の提供が可能となる。
【図１】本発明の一構成例を示す模式断面図である。
【図２】電子顕微鏡観察等の結果をもとに最適な記録層
の安定状態（未記録部）の様子を模式的に示した図であ
る。
の安定状態（未記録部）の様子を模式的に示した図であ
る。
【図３】実施例の光ディスクのＣ／Ｎの変化の様子を示
す図である。
す図である。
【図４】比較例の光ディスクのＣ／Ｎの変化の様子を示
す図である。
す図である。
１ 基板 ２ 下部耐熱性保護層 ３ 記録層 ４ 上部耐熱性保護層 ５ 反射放熱層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 正悦 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 出口 浩司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 山田 勝幸 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 林 嘉隆 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に記録層と保護層と反射放熱層を
有する光情報記録媒体において、記録層がＡｇ、Ｉｎ、
Ｓｂ及びＴｅを少なくとも含み、記録層と反射放熱層と
の間の保護層が複数の化合物の混合物よりなり、その保
護層を構成する化合物のうち少なくとも一種はＡｌＮ、
ＢＮ、ＳｉＣ及びＣから選択された少なくとも一種であ
り、他の一種はＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3及びＴａ2Ｏ5から選
択された少なくとも一種であることを特徴とする光情報
記録媒体。 - 【請求項２】 保護層がＡｌＮとＳｉＯ2の混合物から
なり、そのモル比が９０：１０から１０：９０の範囲で
あることを特徴とする請求項１記載の光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5339742A JPH07161072A (ja) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5339742A JPH07161072A (ja) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161072A true JPH07161072A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=18330381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5339742A Pending JPH07161072A (ja) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161072A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6660451B1 (en) | 1999-06-18 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| WO2004080724A1 (ja) * | 2003-03-13 | 2004-09-23 | Sony Corporation | 光記録媒体 |
| US6855479B2 (en) | 2001-01-17 | 2005-02-15 | Tosoh Corporation | Phase-change optical recording media |
| US7169533B2 (en) | 2001-03-19 | 2007-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for manufacturing the same and recording/reproduction method |
-
1993
- 1993-12-06 JP JP5339742A patent/JPH07161072A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6660451B1 (en) | 1999-06-18 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| US6855479B2 (en) | 2001-01-17 | 2005-02-15 | Tosoh Corporation | Phase-change optical recording media |
| US7169533B2 (en) | 2001-03-19 | 2007-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for manufacturing the same and recording/reproduction method |
| WO2004080724A1 (ja) * | 2003-03-13 | 2004-09-23 | Sony Corporation | 光記録媒体 |
| US7464391B2 (en) | 2003-03-13 | 2008-12-09 | Sony Corporation | Optical recording medium |
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