JPH08104060A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH08104060A JPH08104060A JP6264698A JP26469894A JPH08104060A JP H08104060 A JPH08104060 A JP H08104060A JP 6264698 A JP6264698 A JP 6264698A JP 26469894 A JP26469894 A JP 26469894A JP H08104060 A JPH08104060 A JP H08104060A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高反射率で高コントラストにすぐれた相変化
形光記録媒体を提供する。 【構成】 光の照射前後で光学定数が変化する特性を有
する光記録媒体であって、その記録材料として平均配位
数が２．０から３．０の間にある光記録材料を用いる。
ここでの記録材料は一般式ＡxＢ1-xで表わされ、ＡはＺ
ｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓｂのうち
のいずれか一種、ＢはＳｅ、Ｔｅ、Ｓ、Ｏのうちのいず
れか一種、ｘは平均配位数のとりうる範囲（２．０〜
３．０）によって決定される組成比である。
形光記録媒体を提供する。 【構成】 光の照射前後で光学定数が変化する特性を有
する光記録媒体であって、その記録材料として平均配位
数が２．０から３．０の間にある光記録材料を用いる。
ここでの記録材料は一般式ＡxＢ1-xで表わされ、ＡはＺ
ｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓｂのうち
のいずれか一種、ＢはＳｅ、Ｔｅ、Ｓ、Ｏのうちのいず
れか一種、ｘは平均配位数のとりうる範囲（２．０〜
３．０）によって決定される組成比である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は相変化形光記録媒体に関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザービームの照射による情報の記
録、再生、消去が可能な光メモリーとして相変化形光記
録媒体の研究が活発化し、一部実用化されるに至ってい
る。これらの多くはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系（特開昭６２−
７３４３８号、特開昭６３−２２８４３３号）の材料を
使用している。一方、コンパクトディスク（ＣＤ）の完
全互換をめざした研究も進んでおり、現在いくつかの種
類が提案されている。その例としては、Ｉｎ−Ｓｅ系を
記録層とし、ＳｉＯ2を誘電体層、そしてＣｕを反射層
に用いた構成のもの（第４回相変化記録研究会シンポジ
ウム予稿集Ｐ．８２〜８６）や、記録材料としては従来
のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系を用い、誘電体層にＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ2、金属反射層にＡｕを用いた構成のもの（第５回相
変化記録研究会シンポジウム予稿集Ｐ．９〜１４）等が
あるものの、いずれも干渉効果を利用したものである
が、高反射率、高コントラストの実現や記録感度、オー
バライト特性の点においていまだ解決すべき課題が残さ
れている。
録、再生、消去が可能な光メモリーとして相変化形光記
録媒体の研究が活発化し、一部実用化されるに至ってい
る。これらの多くはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系（特開昭６２−
７３４３８号、特開昭６３−２２８４３３号）の材料を
使用している。一方、コンパクトディスク（ＣＤ）の完
全互換をめざした研究も進んでおり、現在いくつかの種
類が提案されている。その例としては、Ｉｎ−Ｓｅ系を
記録層とし、ＳｉＯ2を誘電体層、そしてＣｕを反射層
に用いた構成のもの（第４回相変化記録研究会シンポジ
ウム予稿集Ｐ．８２〜８６）や、記録材料としては従来
のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系を用い、誘電体層にＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ2、金属反射層にＡｕを用いた構成のもの（第５回相
変化記録研究会シンポジウム予稿集Ｐ．９〜１４）等が
あるものの、いずれも干渉効果を利用したものである
が、高反射率、高コントラストの実現や記録感度、オー
バライト特性の点においていまだ解決すべき課題が残さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高反
射率、高コントラスト、高記録感度、オーバーライト特
性のすべてにおいて良好な光記録媒体を提供するもので
ある。
射率、高コントラスト、高記録感度、オーバーライト特
性のすべてにおいて良好な光記録媒体を提供するもので
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、光の照射前後
で光学定数が変化する特性を有する光記録媒体におい
て、その記録材料の平均配位数が２．０〜３．０の範囲
にあることを特徴としている。かかる光記録媒体によれ
ば、反射率６０％以上でコントラスト０．５５以上の光
学特性と、高記録感度とが得られるだけでなく、消去特
性の向上も期待できる。
で光学定数が変化する特性を有する光記録媒体におい
て、その記録材料の平均配位数が２．０〜３．０の範囲
にあることを特徴としている。かかる光記録媒体によれ
ば、反射率６０％以上でコントラスト０．５５以上の光
学特性と、高記録感度とが得られるだけでなく、消去特
性の向上も期待できる。
【０００５】以下に、本発明をさらに詳細に説明する。
そこで今、従来の高反射率、高コントラストを指向した
光記録媒体を考案してみると、ＣＤの完全互換というこ
とで初期状態（結晶化状態）で７０％以上の反射率、そ
して非晶質状態での反射率に対するコントラスト０．６
以上の目標に設計してきたという経緯がある。しかしこ
れからわかるように、初期状態７０％以上の反射率下で
記録するためには、高出力のＬＤを必要とし、記録感度
の点で問題を有しているのが現状である。そこで記録感
度を高反射率タイプの光記録媒体で向上させるためのも
のが本発明である。本発明ではそれを実現するために、
記録材料として平均配位数が２．０〜３．０の間にある
材料を選ぶという配慮がなされている。
そこで今、従来の高反射率、高コントラストを指向した
光記録媒体を考案してみると、ＣＤの完全互換というこ
とで初期状態（結晶化状態）で７０％以上の反射率、そ
して非晶質状態での反射率に対するコントラスト０．６
以上の目標に設計してきたという経緯がある。しかしこ
れからわかるように、初期状態７０％以上の反射率下で
記録するためには、高出力のＬＤを必要とし、記録感度
の点で問題を有しているのが現状である。そこで記録感
度を高反射率タイプの光記録媒体で向上させるためのも
のが本発明である。本発明ではそれを実現するために、
記録材料として平均配位数が２．０〜３．０の間にある
材料を選ぶという配慮がなされている。
【０００６】相変化形光記録媒体の場合、結晶状態にあ
る膜にレーザ光を照射し非晶質化することによって記録
を行なうのであり、従って、非晶質化が容易に実現すれ
ばこれが高感度化につながることになる。そこで記録材
料の平均配位数が２．０〜３．０の間にあれば非晶質化
がしやすい傾向になることが予想できる（ガラスの形成
能と平均配位数の関係はフィリップスにより解析されて
いる。Ｊ．Ｃ．Ｐｈｉｌｌｐｓ：Ｊ．Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓ
ｔ．，Ｓｏｌｌｉｄ．３４ １５３（１９７９））
る膜にレーザ光を照射し非晶質化することによって記録
を行なうのであり、従って、非晶質化が容易に実現すれ
ばこれが高感度化につながることになる。そこで記録材
料の平均配位数が２．０〜３．０の間にあれば非晶質化
がしやすい傾向になることが予想できる（ガラスの形成
能と平均配位数の関係はフィリップスにより解析されて
いる。Ｊ．Ｃ．Ｐｈｉｌｌｐｓ：Ｊ．Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓ
ｔ．，Ｓｏｌｌｉｄ．３４ １５３（１９７９））
【０００７】この様な材料として考えられるのは、一般
式がＡxＢ1-xで表わされ、ＡがＺｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓｂの中から選ばれた少なくと
も一種の元素、ＢがＳｅ、Ｔｅ、Ｓから選ばれた少なく
とも一種の元素からなる化合物が考えられる。特にこれ
らの化合物の平均配位数が２．３〜２．６の間にあるこ
とが望ましい。また、Ａ、Ｂの組成を決定するＸの値は
平均配位数が２．０〜３．０の間になる様に決定される
ことが必要となる。例えばＧｅxＳｅ1-xはＸ＝０．５の
時平均配位数は３．０になりＸ＝０．５以上の時は３を
越えてしまう。従ってＸ＝０．５以下に組成を調整し、
望ましくは上述のように可能であれば平均配位数が２．
３〜２．６の間になるようにすればよい。この様なＸの
値は０．１５≦Ｘ≦０．３０である。この様にして非晶
質化が容易となり高反射率タイプの材料でも記録感度の
向上することが期待できる。
式がＡxＢ1-xで表わされ、ＡがＺｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓｂの中から選ばれた少なくと
も一種の元素、ＢがＳｅ、Ｔｅ、Ｓから選ばれた少なく
とも一種の元素からなる化合物が考えられる。特にこれ
らの化合物の平均配位数が２．３〜２．６の間にあるこ
とが望ましい。また、Ａ、Ｂの組成を決定するＸの値は
平均配位数が２．０〜３．０の間になる様に決定される
ことが必要となる。例えばＧｅxＳｅ1-xはＸ＝０．５の
時平均配位数は３．０になりＸ＝０．５以上の時は３を
越えてしまう。従ってＸ＝０．５以下に組成を調整し、
望ましくは上述のように可能であれば平均配位数が２．
３〜２．６の間になるようにすればよい。この様なＸの
値は０．１５≦Ｘ≦０．３０である。この様にして非晶
質化が容易となり高反射率タイプの材料でも記録感度の
向上することが期待できる。
【０００８】本発明においては、不純物としてＡｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｔｂ、Ｓｍの中か
ら少なくとも一種の元素を添加することにより、主にＡ
xＢ1-x材料の結晶核の生成や成長を制御できる。そうし
たことのできる理由は今のところ明瞭でないが、添加元
素が結晶核として働いたり、ターミネータとして作用す
るのではないかと考えられる。なお、この時不純物の添
加量においても記録材料のＡxＢ1-xの平均配位数が２．
０〜３．０の間にあるように調整することが必要であ
る。
ｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｔｂ、Ｓｍの中か
ら少なくとも一種の元素を添加することにより、主にＡ
xＢ1-x材料の結晶核の生成や成長を制御できる。そうし
たことのできる理由は今のところ明瞭でないが、添加元
素が結晶核として働いたり、ターミネータとして作用す
るのではないかと考えられる。なお、この時不純物の添
加量においても記録材料のＡxＢ1-xの平均配位数が２．
０〜３．０の間にあるように調整することが必要であ
る。
【０００９】本発明に係る記録材料は、高反射率、高コ
ントラストを指向したものであることから、これを実現
するために光記録媒体の層構成による多重干渉効果を利
用することが望ましい。従って記録材料としては、光に
対してある程度の透過成分を有するようなものがよい。
具体的には、記録材料のバンドギャップが１．０ｅＶ以
上か、又はバンドギャップが１．０ｅＶ以下の場合は記
録層の膜厚はうすくして、光を透過しやすくする必要が
ある。しかしいずれの場合においても、消去時（結晶状
態）の振幅減衰係数が０．６以下、好ましくは０．３５
以下にすることが必要である。これによる設計によって
光記録媒体の多重干渉をうまく利用できる。
ントラストを指向したものであることから、これを実現
するために光記録媒体の層構成による多重干渉効果を利
用することが望ましい。従って記録材料としては、光に
対してある程度の透過成分を有するようなものがよい。
具体的には、記録材料のバンドギャップが１．０ｅＶ以
上か、又はバンドギャップが１．０ｅＶ以下の場合は記
録層の膜厚はうすくして、光を透過しやすくする必要が
ある。しかしいずれの場合においても、消去時（結晶状
態）の振幅減衰係数が０．６以下、好ましくは０．３５
以下にすることが必要である。これによる設計によって
光記録媒体の多重干渉をうまく利用できる。
【００１０】また、この時、多重干渉効果を向上させる
ために記録層の上下に誘電体層を設けることができる。
この誘電体層に使用される材料としては、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ
2Ｏ3、ＺｒＯ2等の無機酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、Ｔ
ｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の無機窒化物、ＺｎＳ等の無機硫
化物等を用いることができる。これらの材料を用いた誘
電体層は耐熱保護層の役目と同時に多重干渉層としての
役目もはたす。
ために記録層の上下に誘電体層を設けることができる。
この誘電体層に使用される材料としては、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ
2Ｏ3、ＺｒＯ2等の無機酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、Ｔ
ｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の無機窒化物、ＺｎＳ等の無機硫
化物等を用いることができる。これらの材料を用いた誘
電体層は耐熱保護層の役目と同時に多重干渉層としての
役目もはたす。
【００１１】干渉層としての重要な必要特性の１つに、
できるだけ透明であることが挙げられる。即ち、与えら
れた波長域内でできるだけ光を吸収しないで透過する能
力が大きいことが要求される。この能力は材料のバンド
ギャップで決定されるが、光学的な目安としては複素屈
折率の虚数部の振幅減衰係数で示される。ある波長域で
振幅減衰係数が大きい材料は、吸収が大きいか又は反射
が大きい。従って、対象としている波長域では、できる
だけ振幅減衰係数ｋが小さいことが望ましい。本発明に
係る記録材料においては、３５０ｎｍ〜８５０ｎｍの波
長域において、誘電体層の振幅減衰係数ｋが０．２以下
であれば十分に干渉効果を利用できる。
できるだけ透明であることが挙げられる。即ち、与えら
れた波長域内でできるだけ光を吸収しないで透過する能
力が大きいことが要求される。この能力は材料のバンド
ギャップで決定されるが、光学的な目安としては複素屈
折率の虚数部の振幅減衰係数で示される。ある波長域で
振幅減衰係数が大きい材料は、吸収が大きいか又は反射
が大きい。従って、対象としている波長域では、できる
だけ振幅減衰係数ｋが小さいことが望ましい。本発明に
係る記録材料においては、３５０ｎｍ〜８５０ｎｍの波
長域において、誘電体層の振幅減衰係数ｋが０．２以下
であれば十分に干渉効果を利用できる。
【００１２】さらに本発明の光記録媒体は反射放熱層を
有することも可能である。これは入射するレーザ光を熱
的に制御する働きと記録層、誘電体層を透過した光を反
射させ干渉を向上させる働き及び記録層に再吸収させる
機能を持つ。反射放熱層材料としては、各種金属、合金
材料が使用可能であるが、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｔｉ、Ａ
ｇ−Ｎｉ、Ａｇ−Ｃｒ、Ａｇ−Ｍｎ、Ａｇ−Ａｕ、Ａｇ
−Ａｌ等の銀合金、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｎｉ、Ａｌ−Ｍ
ｎ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｚｒ、Ａｌ−Ｓｉ等のＡｌ合金
が望ましい。特に耐久性を考えたときはＡｌ−Ｚｒ−Ｆ
ｅ合金が好適である。この時のＺｒ、ＦｅのＡｌに対す
る組成比は、合金膜の熱伝導率の低下を防止するため、
２重量％以下であることが望ましい。
有することも可能である。これは入射するレーザ光を熱
的に制御する働きと記録層、誘電体層を透過した光を反
射させ干渉を向上させる働き及び記録層に再吸収させる
機能を持つ。反射放熱層材料としては、各種金属、合金
材料が使用可能であるが、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｔｉ、Ａ
ｇ−Ｎｉ、Ａｇ−Ｃｒ、Ａｇ−Ｍｎ、Ａｇ−Ａｕ、Ａｇ
−Ａｌ等の銀合金、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｎｉ、Ａｌ−Ｍ
ｎ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｚｒ、Ａｌ−Ｓｉ等のＡｌ合金
が望ましい。特に耐久性を考えたときはＡｌ−Ｚｒ−Ｆ
ｅ合金が好適である。この時のＺｒ、ＦｅのＡｌに対す
る組成比は、合金膜の熱伝導率の低下を防止するため、
２重量％以下であることが望ましい。
【００１３】次に、本発明の具体的構成を図面を参照し
て説明する。図１は本発明の構成例を示すもので、基板
１上に下部耐熱保護層２、記録層３、上部耐熱保護層
４、反射放熱層５が設けられている。耐熱保護層はかな
らずしも記録層の両側に設ける必要はないが、基板がポ
リカーボネート樹脂の様に耐熱性が低い材料の場合には
少なくとも下部耐熱保護層２を設けることが望ましい。
て説明する。図１は本発明の構成例を示すもので、基板
１上に下部耐熱保護層２、記録層３、上部耐熱保護層
４、反射放熱層５が設けられている。耐熱保護層はかな
らずしも記録層の両側に設ける必要はないが、基板がポ
リカーボネート樹脂の様に耐熱性が低い材料の場合には
少なくとも下部耐熱保護層２を設けることが望ましい。
【００１４】基板の材料は、通常、ガラス、セラミック
スあるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点
で好適である。樹脂の代表例としては、ポリカーボネー
ト樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、
フッ素形樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげら
れるが、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート
樹脂が好ましい。また、基板の形状はディスク状、カー
ド状あるいはシート状であってもよい。
スあるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点
で好適である。樹脂の代表例としては、ポリカーボネー
ト樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、
フッ素形樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげら
れるが、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート
樹脂が好ましい。また、基板の形状はディスク状、カー
ド状あるいはシート状であってもよい。
【００１５】耐熱保護層としては、前述したような無機
酸化物、無機窒素化物、無機硫黄化物を用いることがで
きるが、その他ＳｉＣ、ＴａＣ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ
等の炭化物やダイヤモンド状カーボンあるいはそれらの
混合物を用いることもできる。これらの層は真空蒸着
法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法、イオン
プレーディング法、電子ビーム法等により形成される。
これらの層の膜厚は、その機能即ち耐熱保護層、多重干
渉層によっても異なるが耐熱保護層として考えた時は２
００〜５０００Å、好適には５００〜３０００Åとする
のがよい。２００Å以下の場合は耐熱保護層としての機
能がなくなり、また、５０００Åより厚くなると感度の
低下や界面剥離が生じやすくなる。
酸化物、無機窒素化物、無機硫黄化物を用いることがで
きるが、その他ＳｉＣ、ＴａＣ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ
等の炭化物やダイヤモンド状カーボンあるいはそれらの
混合物を用いることもできる。これらの層は真空蒸着
法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法、イオン
プレーディング法、電子ビーム法等により形成される。
これらの層の膜厚は、その機能即ち耐熱保護層、多重干
渉層によっても異なるが耐熱保護層として考えた時は２
００〜５０００Å、好適には５００〜３０００Åとする
のがよい。２００Å以下の場合は耐熱保護層としての機
能がなくなり、また、５０００Åより厚くなると感度の
低下や界面剥離が生じやすくなる。
【００１６】反射放熱層としては、前述したような金
属、合金材料を用いることができる。これらの層は、真
空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、イオ
ンプレーディング法、電子ビーム法等により形成され
る。膜厚は２００〜３０００Å、好適には５００〜２０
００Åがよい。
属、合金材料を用いることができる。これらの層は、真
空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、イオ
ンプレーディング法、電子ビーム法等により形成され
る。膜厚は２００〜３０００Å、好適には５００〜２０
００Åがよい。
【００１７】また、本発明における記録層は各種気相成
長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ
ＣＶＤ法、イオンプレーディング法、電子ビーム蒸着法
等により形成できる。記録層の膜厚は、高い反射率と高
コントラストを実現するため、初期状態（結晶化状態）
での振幅減衰係数が０．６以下にする必要性から、材料
によっても異なるがバンドギャップが１．０ｅＶ以上の
ものは２００Å〜２０００Å、好ましくは３００Å〜１
０００Åがよい。バンドギャップが１．０ｅＶ以下のも
のは５０Å〜５００Å、好ましくは１００Å〜２５０Å
がよい。即ち、バンドギャップが１．０ｅＶ以下の場合
は吸収が大きくなるため、膜厚をうすくして、透過光を
増大する必要がある。
長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ
ＣＶＤ法、イオンプレーディング法、電子ビーム蒸着法
等により形成できる。記録層の膜厚は、高い反射率と高
コントラストを実現するため、初期状態（結晶化状態）
での振幅減衰係数が０．６以下にする必要性から、材料
によっても異なるがバンドギャップが１．０ｅＶ以上の
ものは２００Å〜２０００Å、好ましくは３００Å〜１
０００Åがよい。バンドギャップが１．０ｅＶ以下のも
のは５０Å〜５００Å、好ましくは１００Å〜２５０Å
がよい。即ち、バンドギャップが１．０ｅＶ以下の場合
は吸収が大きくなるため、膜厚をうすくして、透過光を
増大する必要がある。
【００１８】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。
明する。
【００１９】実施例１ ピッチ１．６μｍ、深さ７００Åの溝付き、厚さ１．２
ｍｍ、直径１２０ｍｍφのポリカーボネート基板上に表
１に示す構成により、下部耐熱保護層、記録層、上部耐
熱保護層及び反射放熱層を順次スパッタ法により積層し
た。この時、記録層単独の光学定数を測定するため、５
０×５０×１ｍｍのガラス基板をセットしておいた。ま
た、表２には、記録層の光学定数をスパッタ後のアモル
ファス状態のものと２５０℃でアニール後のクリスタル
状態のものをエリプソメータ（λ＝６３３ｎｍ）で測定
したものを示す。また、平均配位数と、表１での層Ｂ構
成のもとでの光学特性のシュミレーション値をも示す。
ｍｍ、直径１２０ｍｍφのポリカーボネート基板上に表
１に示す構成により、下部耐熱保護層、記録層、上部耐
熱保護層及び反射放熱層を順次スパッタ法により積層し
た。この時、記録層単独の光学定数を測定するため、５
０×５０×１ｍｍのガラス基板をセットしておいた。ま
た、表２には、記録層の光学定数をスパッタ後のアモル
ファス状態のものと２５０℃でアニール後のクリスタル
状態のものをエリプソメータ（λ＝６３３ｎｍ）で測定
したものを示す。また、平均配位数と、表１での層Ｂ構
成のもとでの光学特性のシュミレーション値をも示す。
【００２０】
【表１】
【表２】
【００２１】次にディスク特性を評価した。先ず、得ら
れたディスクを初期化（結晶化）した後、波長８３０ｎ
ｍ、線速１．３ｍ／ｓ、周波数２００ＫＨｚ、５０％デ
ュ−ティ比で記録した後、周波数７２０ＫＨｚ、５０％
デュ−ティ比でオーバライトを行なった。この時、周波
数７２０ＫＨｚの信号のＣ／Ｎ及び消去比を測定した。
結果を表３に示す。ただしＰｗ：記録パワー、Ｐｅ：消
去パワーである。
れたディスクを初期化（結晶化）した後、波長８３０ｎ
ｍ、線速１．３ｍ／ｓ、周波数２００ＫＨｚ、５０％デ
ュ−ティ比で記録した後、周波数７２０ＫＨｚ、５０％
デュ−ティ比でオーバライトを行なった。この時、周波
数７２０ＫＨｚの信号のＣ／Ｎ及び消去比を測定した。
結果を表３に示す。ただしＰｗ：記録パワー、Ｐｅ：消
去パワーである。
【００２２】
【表３】 また、反射率（グルーブ）は６２％、コントラストは
０．５８であった。これより本発明の光記録媒体が高い
反射率と高コントラストを有する光記録媒体を提供でき
ることがわかる。
０．５８であった。これより本発明の光記録媒体が高い
反射率と高コントラストを有する光記録媒体を提供でき
ることがわかる。
【００２３】実施例２ 実施例１と同様な方法でスパッタ法により表４に示す構
成のディスクを作製した。そしてこの時記録層単独の光
学定数を測定した値を表５に、ディスク特性を表６に示
す。ディスク条件は実施例１と同じである。
成のディスクを作製した。そしてこの時記録層単独の光
学定数を測定した値を表５に、ディスク特性を表６に示
す。ディスク条件は実施例１と同じである。
【表４】
【００２４】
【表５】
【００２５】
【表６】
【００２６】このディスクの反射率は６６％、コントラ
ストは０．５３であった。実施例１と同じくこの本発明
の光記録媒体も高反射率、高コントラストであることが
わかる。
ストは０．５３であった。実施例１と同じくこの本発明
の光記録媒体も高反射率、高コントラストであることが
わかる。
【００２７】実施例３ 実施例１、２と同様な方法でスパッタ法により表７に示
す構成のディスクを作製した。そしてこの時の記録層単
独の光学定数を測定した値を表８に、そしてディスク特
性を表９に示す。
す構成のディスクを作製した。そしてこの時の記録層単
独の光学定数を測定した値を表８に、そしてディスク特
性を表９に示す。
【表７】
【００２８】
【表８】
【００２９】
【表９】
【００３０】このディスクの反射率は６１％、コントラ
ストは０．５４であり、高反射率ディスクとして期待で
きるものである。
ストは０．５４であり、高反射率ディスクとして期待で
きるものである。
【００３１】実施例４ 実施例１、２、３と同様な方法でスパッタ法により表１
０に示す構成のディスクを作製した。そして記録層単独
の光学定数を測定した。その値を表１１に示す。また、
この時のオーバーライトモードでのディスク特性を表１
２に示す。
０に示す構成のディスクを作製した。そして記録層単独
の光学定数を測定した。その値を表１１に示す。また、
この時のオーバーライトモードでのディスク特性を表１
２に示す。
【００３２】
【表１０】
【００３３】
【表１１】
【００３４】
【表１２】
【００３５】このディスクの反射率は５５％、コントラ
ストは０．５０であり、実施例の本発明の光記録媒体も
高反射率、高コントラスト用光記録媒体として使用可能
と考えられられる。
ストは０．５０であり、実施例の本発明の光記録媒体も
高反射率、高コントラスト用光記録媒体として使用可能
と考えられられる。
【００３６】実施例１〜４より、本発明の相変化形記録
材料は、高反射率、高コントラスト対応の光記録媒体と
して、記録感度の点からも十分に使用可能であることが
わかった。また、くり返し使用においても、３×１０3
回で劣化が認められておらず、これは反射放熱層にＡｌ
−Ｚｎ−Ｆｅ合金を用いた効果によるものと考えられ
る。
材料は、高反射率、高コントラスト対応の光記録媒体と
して、記録感度の点からも十分に使用可能であることが
わかった。また、くり返し使用においても、３×１０3
回で劣化が認められておらず、これは反射放熱層にＡｌ
−Ｚｎ−Ｆｅ合金を用いた効果によるものと考えられ
る。
【００３７】
【発明の効果】請求項１記載の光記録媒体によれば、平
均配位数が２．０〜３．０にある記録材料を用いること
により、記録時の非晶質化を容易にすることが可能とな
り、記録感度の向上をはかることができる。請求項２記
載の光記録媒体によれば、高反射、高コントラスト、高
い記録感度を有することが可能となる。請求項３記載の
光記録媒体によれば、不純物を添加することにより、記
録材料の結晶化速度を制御することが可能であり、消去
特性を向上させることができる。請求項４記載の光記録
媒体によれば、記録材料の結晶時の振幅減衰係数が０．
６以下（好ましくは０．３５以下がよい）にすることに
より光記録媒体の層構成による多重干渉効果を利用で
き、高反射率、高コントラストが達成される。請求項５
記載の光記録媒体によれば、耐熱保護層を有することに
より、くり返し特性の向上及び、多重干渉効果による記
録媒体の高反射率化及び高コントラスト化が期待でき
る。請求項６記載の光記録媒体によれば、反射放熱層を
設けることにより、入射光の有効利用及び熱の蓄熱防止
によるくり返し特性の向上が期待できる。
均配位数が２．０〜３．０にある記録材料を用いること
により、記録時の非晶質化を容易にすることが可能とな
り、記録感度の向上をはかることができる。請求項２記
載の光記録媒体によれば、高反射、高コントラスト、高
い記録感度を有することが可能となる。請求項３記載の
光記録媒体によれば、不純物を添加することにより、記
録材料の結晶化速度を制御することが可能であり、消去
特性を向上させることができる。請求項４記載の光記録
媒体によれば、記録材料の結晶時の振幅減衰係数が０．
６以下（好ましくは０．３５以下がよい）にすることに
より光記録媒体の層構成による多重干渉効果を利用で
き、高反射率、高コントラストが達成される。請求項５
記載の光記録媒体によれば、耐熱保護層を有することに
より、くり返し特性の向上及び、多重干渉効果による記
録媒体の高反射率化及び高コントラスト化が期待でき
る。請求項６記載の光記録媒体によれば、反射放熱層を
設けることにより、入射光の有効利用及び熱の蓄熱防止
によるくり返し特性の向上が期待できる。
【図１】本発明の光記録媒体の代表的な層構成を示した
図。
図。
１ 基板 ２ 下部耐熱保護層 ３ 記録層 ４ 上部耐熱保護層 ５ 反射放熱層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 勝幸 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 井手 由紀雄 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (6)
- 【請求項１】 光の照射前後で光学定数が変化する特性
を有する光記録媒体において、その記録材料の平均配位
数が２．０〜３．０の範囲にあることを特徴とする光記
録媒体。 - 【請求項２】 前記記録材料が下記一般式（Ｉ） ＡxＢ1-x （Ｉ） （式中、Ａ：Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｂ
ｉ、Ｓｂのうちから選ばれた少なくとも一種の元素、 Ｂ：Ｓｅ、Ｔｅ、Ｓ、Ｏのうちから選ばれた少なくとも
一種の元素、 ｘ：平均配位数のとり得る範囲（２．０〜３．０）によ
って決定される組成比、 である）で表わされる化合物を主成分としてなる請求項
１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 前記記録材料にＡｎ、Ａｇ、Ｃｎ、Ｃ
ｒ、Ｔｉ、Ｃｏ、ＭｎＴｂ、Ｓｍ、のうちから選ばれる
少なくとも一種の元素を添加したことを特徴とする請求
項１又は２記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 前記記録材料の結晶化時の振幅減衰係数
が０．６以下である請求項１〜３のいずれかに記載の光
記録媒体。 - 【請求項５】 記録層の上面及び下面に無機酸化物、無
機硫化物、無機窒化物、又はこれらの混合物のうちから
選ばれる少なくとも一種の材料からなる耐熱保護層を設
けた請求項１〜４のいずれかに記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 最上層に金属反射放熱層を設けたことを
特徴とする請求項１〜５のいずれか記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6264698A JPH08104060A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6264698A JPH08104060A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08104060A true JPH08104060A (ja) | 1996-04-23 |
Family
ID=17406950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6264698A Pending JPH08104060A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08104060A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001046950A1 (fr) * | 1999-12-21 | 2001-06-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement d'informations optiques, procede d'enregistrement et de reproduction, et systeme d'enregistrement et de reproduction optiques |
| EP1233418A1 (en) * | 2001-02-20 | 2002-08-21 | Hewlett-Packard Company | Phase-change media for ultra-high-density data-storage devices |
| WO2008129895A1 (ja) | 2007-04-16 | 2008-10-30 | Sony Corporation | 光情報記録媒体ならびにその記録および／または再生方法 |
-
1994
- 1994-10-04 JP JP6264698A patent/JPH08104060A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001046950A1 (fr) * | 1999-12-21 | 2001-06-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement d'informations optiques, procede d'enregistrement et de reproduction, et systeme d'enregistrement et de reproduction optiques |
| US7009930B1 (en) | 1999-12-21 | 2006-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method of recording and reproducing, and optical recording and reproducing system |
| CN100370530C (zh) * | 1999-12-21 | 2008-02-20 | 松下电器产业株式会社 | 光学信息记录介质及其记录重放方法以及使用该介质的光学信息记录重放系统 |
| JP4680465B2 (ja) * | 1999-12-21 | 2011-05-11 | パナソニック株式会社 | 光学情報記録媒体とその記録再生方法、およびこれを用いた光学情報の記録再生システム |
| EP1233418A1 (en) * | 2001-02-20 | 2002-08-21 | Hewlett-Packard Company | Phase-change media for ultra-high-density data-storage devices |
| WO2008129895A1 (ja) | 2007-04-16 | 2008-10-30 | Sony Corporation | 光情報記録媒体ならびにその記録および／または再生方法 |
| US8758980B2 (en) | 2007-04-16 | 2014-06-24 | Sony Corporation | Optical information recording medium and method of recording and/or reproducing therein |
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