JPH06325406A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH06325406A JPH06325406A JP5108157A JP10815793A JPH06325406A JP H06325406 A JPH06325406 A JP H06325406A JP 5108157 A JP5108157 A JP 5108157A JP 10815793 A JP10815793 A JP 10815793A JP H06325406 A JPH06325406 A JP H06325406A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザー光を照射した場合、光学定数の変化
が極めて大きい相変化形光記録媒体を提供すること。 【構成】 記録層の組成が下記一般式で表わされる光記
録媒体。 一般式；Ａｇα・Ｇａβ・Ｓｅγ・Ｍδ ただし、 １８≦α≦３１ １６≦β≦３５ ３３≦γ≦６５ １≦δ≦１３ α＋β＋γ＋δ＝１００ ただし、上記一般式におけるＭはＣｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚ
ｎ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｓｉの中から選ば
れた少なくとも一種の元素である。この光記録媒体の好
ましい具体的構成は基板１、耐熱保護層２および４、記
録層３、反射放熱層５からなるものである。
が極めて大きい相変化形光記録媒体を提供すること。 【構成】 記録層の組成が下記一般式で表わされる光記
録媒体。 一般式；Ａｇα・Ｇａβ・Ｓｅγ・Ｍδ ただし、 １８≦α≦３１ １６≦β≦３５ ３３≦γ≦６５ １≦δ≦１３ α＋β＋γ＋δ＝１００ ただし、上記一般式におけるＭはＣｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚ
ｎ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｓｉの中から選ば
れた少なくとも一種の元素である。この光記録媒体の好
ましい具体的構成は基板１、耐熱保護層２および４、記
録層３、反射放熱層５からなるものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光記録媒体、特に光の照
射によって、その光学特性が変化する記録層を有する光
記録媒体に関する。
射によって、その光学特性が変化する記録層を有する光
記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザビームの照射による情報の記録、
再生、消去可能な光メモリーとして結晶と非晶質間の転
移を利用する開発が活発化している。これは、２相間の
光学定数の変化を利用するもので、その代表的な例はＵ
ＳＰ３５３０４４１に開示されてる様にＧｅ−Ｔｅ，Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｎ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ，Ｇ
ｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｉｎ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ｔｅ等のカルコゲ
ン系材料があげられる。又、安定性、高速結晶化などの
向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６２−２１
９６９２），Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０１９
０）等を添加した材料の提案や、記録／消去の繰り返し
性能向上を目的にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ｔｅ
−Ｓｂの組成比を特定した材料（特開昭６２−７３４３
８、特開昭６３−２２８４３３）の提案もなされてい
る。しかしながらそのいづれもが相変化形光メモリー媒
体として要求される諸特性のすべてを満足しうるものと
はいえない。特に記録感度、消去感度の向上オーバライ
ト時の消し残りによる消去比低下の防止、ならびに記録
部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっ
ている。さらに光学定数の変化を利用するこれら相変化
形記録媒体においては、レーザ光照射前後においてより
大きな光学定数の変化を得ることができれば、耐熱保護
層等誘電体層との組合せで大きな多重干渉効果が期待で
き、より高機能な光記録媒体が提供できる。
再生、消去可能な光メモリーとして結晶と非晶質間の転
移を利用する開発が活発化している。これは、２相間の
光学定数の変化を利用するもので、その代表的な例はＵ
ＳＰ３５３０４４１に開示されてる様にＧｅ−Ｔｅ，Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｎ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ，Ｇ
ｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｉｎ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ｔｅ等のカルコゲ
ン系材料があげられる。又、安定性、高速結晶化などの
向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６２−２１
９６９２），Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０１９
０）等を添加した材料の提案や、記録／消去の繰り返し
性能向上を目的にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ｔｅ
−Ｓｂの組成比を特定した材料（特開昭６２−７３４３
８、特開昭６３−２２８４３３）の提案もなされてい
る。しかしながらそのいづれもが相変化形光メモリー媒
体として要求される諸特性のすべてを満足しうるものと
はいえない。特に記録感度、消去感度の向上オーバライ
ト時の消し残りによる消去比低下の防止、ならびに記録
部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっ
ている。さらに光学定数の変化を利用するこれら相変化
形記録媒体においては、レーザ光照射前後においてより
大きな光学定数の変化を得ることができれば、耐熱保護
層等誘電体層との組合せで大きな多重干渉効果が期待で
き、より高機能な光記録媒体が提供できる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来技術で述
べた課題に対応するものであり、特にレーザー光照射前
後において極めて大きな光学定数の変化を得ることが可
能な相変化形光記録材料を見出したことにある。もちろ
ん本発明の記録材料は記録感度、消去感度の向上にも対
応したものを提供しようとするものである。
べた課題に対応するものであり、特にレーザー光照射前
後において極めて大きな光学定数の変化を得ることが可
能な相変化形光記録材料を見出したことにある。もちろ
ん本発明の記録材料は記録感度、消去感度の向上にも対
応したものを提供しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の構成は、特許請求の範囲に記載のとおりの光
記録媒体である。これを具体的に説明すると、本発明の
記録材料はＡｇ，Ｇａ，Ｓｅ，Ｍ（ＭはＣｏ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ，Ｚｎ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｂ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｓｉ
の群から選ばれる少なくとも一種の元素である）からな
り、その組成は、ＡｇαＧａβＳｅγＭδで原子％で表
わすと１８≦α≦３１，１６≦β≦３５，３３≦γ≦６
５，１≦δ≦１３であり、これらは特にＡｇ，Ｇａ，Ｓ
ｅの組成比及び膜厚を調整することにより極めて大きな
光学定数の変化（レーザー照射前後）と、記録感度の向
上が、又Ｍの組成比により、消去感度の向上をはかるこ
とができる。
の本発明の構成は、特許請求の範囲に記載のとおりの光
記録媒体である。これを具体的に説明すると、本発明の
記録材料はＡｇ，Ｇａ，Ｓｅ，Ｍ（ＭはＣｏ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ，Ｚｎ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｂ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｓｉ
の群から選ばれる少なくとも一種の元素である）からな
り、その組成は、ＡｇαＧａβＳｅγＭδで原子％で表
わすと１８≦α≦３１，１６≦β≦３５，３３≦γ≦６
５，１≦δ≦１３であり、これらは特にＡｇ，Ｇａ，Ｓ
ｅの組成比及び膜厚を調整することにより極めて大きな
光学定数の変化（レーザー照射前後）と、記録感度の向
上が、又Ｍの組成比により、消去感度の向上をはかるこ
とができる。
【０００５】一般にＡｇ，Ｇａ，Ｓｅ３元系の化合物と
してはカルコパイライト型構造を有するＡｇＧａＳｅ2
が知られている。これは融点８５０℃、バンドギャップ
１．８ｅＶ、正方晶の一軸性結晶であり、相変化形光記
録材料として使用できる。但し融点が高くバンドギャッ
プも比較的大きいために、感度の面で若干問題があるこ
とがわかった。これを改良するため、ＡｇＧａＳｅ2か
らの化学量論組成からずらすと同時に第４元素としての
Ｍ（Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｉ
ｎ，Ｇｅ，Ｓｉの群から選ばれる少なくとも一種の元
素）を添加することにより、この問題を解消し、高感度
でしかも記録の前後で極めて大きな光学定数の変化が得
られる記録材料を得るに至った。ＡｇＧａＳｅ2はＡｇ2
ＳｅとＧａ2Ｓｅ3の擬２元系の相図で１：１の組成比に
対応して形成される。この時Ｇａ2Ｓｅ3又はＡｇ2Ｓｅ
の組成比を１：１から大きい方向にずらしても、又小さ
い方向にずらしても共晶の方向に進行するため融点は低
下する方向に動く。但しこの時は単一なＡｇＧａＳｅ2
相は得られず、ＡｇＧａＳｅ2相、Ａｇ2Ｓｅ相、Ｇａ2
Ｓｅ3相等が混在した形となってくる。しかしこのこと
は記録材料としての特性に大きな影響を与えることはな
い。この様にしてＡｇ，Ｇａ，Ｓｅの組成比を調整する
ことにより融点を下げて記録感度を向上させることがで
きる。一方Ｍは具体的にはＣｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｐ
ｂ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｎｂの群から選ば
れた少なくとも一種の元素であり、それを添加すること
によって結晶化時の速度を調整する働きを有する。この
様にして得られたＡｇ，Ｇａ，Ｓｅ，Ｍからなる４元系
記録材料は光照射の前後において極めて大きな光学定数
の変化を示す。即ち通常の真空蒸着法、スパッタ法等に
より得られた膜は非晶質状態であり、屈折率ｎは組成比
膜厚により、２．１０から５．４１の範囲内で又、振幅
減衰係数は０．３２から１．２９の範囲内で調整でき
る。そしてこれを結晶化させると屈折率ｎは２．２から
４．１１まで振幅減衰係数は０．１４から１．５９の広
い範囲で調整でき、しかもこの２相間の変化が極めて大
きい。しかし現在のところ何故この様に大きな変化を示
すのかは不明である。しかしながらこの様に大きな光学
定数の変化は記録材料として使用する場合都合がよい。
即ち大きなコントラストが得られることと他の耐熱保護
層として使用する誘電体層等の併用により膜厚の調整に
より多重干渉効果を利用しやすく、反射率を制御しやす
いという特徴を有するからである。この時の誘電体層
は、ＳｉＯ，ＳｉＯ2，ＺｎＯ，ＳｎＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔ
ｉＯ2，Ｉｎ2Ｏ3等の無機酸化物、Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ，
ＴｉＮ，ＢＮ，ＺｒＮ等の無機窒化物、ＺｎＳ等の硫化
物等であり、これらは耐熱保護層の役目と同時に多重干
渉層としての役目もはたす。
してはカルコパイライト型構造を有するＡｇＧａＳｅ2
が知られている。これは融点８５０℃、バンドギャップ
１．８ｅＶ、正方晶の一軸性結晶であり、相変化形光記
録材料として使用できる。但し融点が高くバンドギャッ
プも比較的大きいために、感度の面で若干問題があるこ
とがわかった。これを改良するため、ＡｇＧａＳｅ2か
らの化学量論組成からずらすと同時に第４元素としての
Ｍ（Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｉ
ｎ，Ｇｅ，Ｓｉの群から選ばれる少なくとも一種の元
素）を添加することにより、この問題を解消し、高感度
でしかも記録の前後で極めて大きな光学定数の変化が得
られる記録材料を得るに至った。ＡｇＧａＳｅ2はＡｇ2
ＳｅとＧａ2Ｓｅ3の擬２元系の相図で１：１の組成比に
対応して形成される。この時Ｇａ2Ｓｅ3又はＡｇ2Ｓｅ
の組成比を１：１から大きい方向にずらしても、又小さ
い方向にずらしても共晶の方向に進行するため融点は低
下する方向に動く。但しこの時は単一なＡｇＧａＳｅ2
相は得られず、ＡｇＧａＳｅ2相、Ａｇ2Ｓｅ相、Ｇａ2
Ｓｅ3相等が混在した形となってくる。しかしこのこと
は記録材料としての特性に大きな影響を与えることはな
い。この様にしてＡｇ，Ｇａ，Ｓｅの組成比を調整する
ことにより融点を下げて記録感度を向上させることがで
きる。一方Ｍは具体的にはＣｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｐ
ｂ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｎｂの群から選ば
れた少なくとも一種の元素であり、それを添加すること
によって結晶化時の速度を調整する働きを有する。この
様にして得られたＡｇ，Ｇａ，Ｓｅ，Ｍからなる４元系
記録材料は光照射の前後において極めて大きな光学定数
の変化を示す。即ち通常の真空蒸着法、スパッタ法等に
より得られた膜は非晶質状態であり、屈折率ｎは組成比
膜厚により、２．１０から５．４１の範囲内で又、振幅
減衰係数は０．３２から１．２９の範囲内で調整でき
る。そしてこれを結晶化させると屈折率ｎは２．２から
４．１１まで振幅減衰係数は０．１４から１．５９の広
い範囲で調整でき、しかもこの２相間の変化が極めて大
きい。しかし現在のところ何故この様に大きな変化を示
すのかは不明である。しかしながらこの様に大きな光学
定数の変化は記録材料として使用する場合都合がよい。
即ち大きなコントラストが得られることと他の耐熱保護
層として使用する誘電体層等の併用により膜厚の調整に
より多重干渉効果を利用しやすく、反射率を制御しやす
いという特徴を有するからである。この時の誘電体層
は、ＳｉＯ，ＳｉＯ2，ＺｎＯ，ＳｎＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔ
ｉＯ2，Ｉｎ2Ｏ3等の無機酸化物、Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ，
ＴｉＮ，ＢＮ，ＺｒＮ等の無機窒化物、ＺｎＳ等の硫化
物等であり、これらは耐熱保護層の役目と同時に多重干
渉層としての役目もはたす。
【０００６】さらに本記録媒体は反射放熱層を有するこ
とも可能である。これは入射するレーザ光を熱的に制御
する働きと記録層に有効に吸収させる機能を持つ。特に
熱伝導率が高く、又、反射率が青から赤の範囲で８０％
以上を有する銀合金が好適である。特にＡｇ−Ｐｄ，Ａ
ｇ−Ｎｉ，Ａｇ−Ｔｉ，Ａｇ−Ｍｎ，Ａｇ−Ａｌ，Ａｇ
−Ａｎ等がよい。この中でも特にＡｇ−Ｐｄ合金は、環
境特性にすぐれている。
とも可能である。これは入射するレーザ光を熱的に制御
する働きと記録層に有効に吸収させる機能を持つ。特に
熱伝導率が高く、又、反射率が青から赤の範囲で８０％
以上を有する銀合金が好適である。特にＡｇ−Ｐｄ，Ａ
ｇ−Ｎｉ，Ａｇ−Ｔｉ，Ａｇ−Ｍｎ，Ａｇ−Ａｌ，Ａｇ
−Ａｎ等がよい。この中でも特にＡｇ−Ｐｄ合金は、環
境特性にすぐれている。
【０００７】以下、本発明を図面を参照して具体的に説
明する。図１は本発明の構成例を示すものである基板１
上に耐熱保護層２、記録層３、耐熱保護層４、反射放熱
層５が設けられている。耐熱保護層はかならずしも記録
層の両側に設ける必要はないが、基板がポリカーボネー
ト樹脂のように耐熱性が低い材料の場合には耐熱保護層
２を設けることが望しい。
明する。図１は本発明の構成例を示すものである基板１
上に耐熱保護層２、記録層３、耐熱保護層４、反射放熱
層５が設けられている。耐熱保護層はかならずしも記録
層の両側に設ける必要はないが、基板がポリカーボネー
ト樹脂のように耐熱性が低い材料の場合には耐熱保護層
２を設けることが望しい。
【０００８】基板の材料は通常ガラス、セラミックス、
あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で
好適である。樹脂の代表例としては、ポリカーボネート
樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フ
ッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられ
るが、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹
脂が好ましい。又、基板の形状はディスク状、カード状
あるいはシート状であってもよい。
あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で
好適である。樹脂の代表例としては、ポリカーボネート
樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フ
ッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられ
るが、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹
脂が好ましい。又、基板の形状はディスク状、カード状
あるいはシート状であってもよい。
【０００９】耐熱保護層は多重干渉層としての機能も有
するが、前述の如くＳｉＯ，ＳｉＯ2，ＺｎＯ，Ｓｎ
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，ＺｒＯ2等の無機
酸化物、Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ，ＴｉＮ，ＢＮ，ＺｒＮ等の
窒化物、ＺｎＳ等の硫化物、ＳｉＣ，ＴａＣ，ＷＣ，Ｔ
ｉＣ，ＺｒＣ等の炭化物やダイヤモンド状カーボンある
いはそれらの混合物があげられる。これらの層は真空蒸
着法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法光、ＣＶＤ法、イ
オンプレーティング法、電子ビーム法等により形成され
る。
するが、前述の如くＳｉＯ，ＳｉＯ2，ＺｎＯ，Ｓｎ
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，ＺｒＯ2等の無機
酸化物、Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ，ＴｉＮ，ＢＮ，ＺｒＮ等の
窒化物、ＺｎＳ等の硫化物、ＳｉＣ，ＴａＣ，ＷＣ，Ｔ
ｉＣ，ＺｒＣ等の炭化物やダイヤモンド状カーボンある
いはそれらの混合物があげられる。これらの層は真空蒸
着法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法光、ＣＶＤ法、イ
オンプレーティング法、電子ビーム法等により形成され
る。
【００１０】これらの層の膜厚は、その機能即ち耐熱保
護層、多重干渉層によっても異なるが耐熱保護層として
考えた時は２００〜５０００Å、好適には５００〜３０
００Åとするのがよい。２００Å以下の場合は耐熱性保
護層としての機能がなくなり、又、５０００Åより厚く
なると感度の低下や界面剥離が生じやすくなる。反射放
熱層としてはＡｌ，Ａｕ，Ａｇ等の金属材料又はそれら
の合金がよいが、短波長領域でも高反射率を保持するた
めにはＡｇ又はＡｇ合金がよい。
護層、多重干渉層によっても異なるが耐熱保護層として
考えた時は２００〜５０００Å、好適には５００〜３０
００Åとするのがよい。２００Å以下の場合は耐熱性保
護層としての機能がなくなり、又、５０００Åより厚く
なると感度の低下や界面剥離が生じやすくなる。反射放
熱層としてはＡｌ，Ａｕ，Ａｇ等の金属材料又はそれら
の合金がよいが、短波長領域でも高反射率を保持するた
めにはＡｇ又はＡｇ合金がよい。
【００１１】これらの層は、真空蒸着法、スパッタリン
グ法、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電
子ビーム法等により形成できる。又、膜厚は２００〜３
０００Å、好適には５００Å〜２０００Åがよい。又、
本発明の記録層は各種気相成長法、例えば真空蒸着法、
スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーテ
ィング法、電子ビーム蒸着法等により形成できる。
グ法、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電
子ビーム法等により形成できる。又、膜厚は２００〜３
０００Å、好適には５００Å〜２０００Åがよい。又、
本発明の記録層は各種気相成長法、例えば真空蒸着法、
スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーテ
ィング法、電子ビーム蒸着法等により形成できる。
【００１２】この時の膜厚としては１００〜１００００
Å、好適には２００〜３０００Åがよい。１００Åより
薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層としての機能を
失う。一方１００００Åより厚いと感度が低下する。
Å、好適には２００〜３０００Åがよい。１００Åより
薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層としての機能を
失う。一方１００００Åより厚いと感度が低下する。
【００１３】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。 実施例１ ピッチ１．６μｍ、深さ７００Åの溝付き、厚さ１．２
ｍｍ、直径１２０ｍｍφのポリカーボネート基板上に表
１に示す構成により、下部耐熱保護層、記録層、上部耐
熱保護層及び反射放熱層を順次積層した。この時、記録
層単独の光学定数を測定するため、５０×５０ｍｍ×１
ｍｍのガラス基板をセットしておいた。
する。 実施例１ ピッチ１．６μｍ、深さ７００Åの溝付き、厚さ１．２
ｍｍ、直径１２０ｍｍφのポリカーボネート基板上に表
１に示す構成により、下部耐熱保護層、記録層、上部耐
熱保護層及び反射放熱層を順次積層した。この時、記録
層単独の光学定数を測定するため、５０×５０ｍｍ×１
ｍｍのガラス基板をセットしておいた。
【００１４】
【表１】
【００１５】５０×５０×１ｍｍのガラス基板にスパッ
タされた記録層の光学定数を測定したのでこれを表２に
示す。この測定値は、スパッタ後の状態（非品質）と２
５０℃で３０分熱処理後のものである。これらの光学定
数はエリプソメーターで測定した。測定波長は６３３ｎ
ｍである。
タされた記録層の光学定数を測定したのでこれを表２に
示す。この測定値は、スパッタ後の状態（非品質）と２
５０℃で３０分熱処理後のものである。これらの光学定
数はエリプソメーターで測定した。測定波長は６３３ｎ
ｍである。
【００１６】
【表２】
【００１７】表１より非晶質と結晶質の間で光学定数が
大きく変化していることがわかる。次にディスク特性を
評価した。先ず得られたディスクを初期化した後、波長
８３０ｎｍ、線周度７ｍ／Ｓ、周波数４ＭＨｚ、５０％
デューティー比で記録した後、周波数５ＭＨｚ、５０％
デューティー比でオーバライトを行なった。この時、周
波数４ＭＨｚの信号のＣ／Ｎ、消去比を測定した。この
時の結果を表３に示す。ただし、Ｐｗ：記録パワー、Ｐ
ｅ：消去パワー。
大きく変化していることがわかる。次にディスク特性を
評価した。先ず得られたディスクを初期化した後、波長
８３０ｎｍ、線周度７ｍ／Ｓ、周波数４ＭＨｚ、５０％
デューティー比で記録した後、周波数５ＭＨｚ、５０％
デューティー比でオーバライトを行なった。この時、周
波数４ＭＨｚの信号のＣ／Ｎ、消去比を測定した。この
時の結果を表３に示す。ただし、Ｐｗ：記録パワー、Ｐ
ｅ：消去パワー。
【００１８】
【表３】
【００１９】実施例２ 実施例１と同様な方法でスパッタ法により表４に示す構
成のディスクを作製した。そしてこの時記録層単独の光
学定数を測定した値を表５に、そしてディスク特性を表
６に示す。ディスク評価条件は実施例１と同じである。
成のディスクを作製した。そしてこの時記録層単独の光
学定数を測定した値を表５に、そしてディスク特性を表
６に示す。ディスク評価条件は実施例１と同じである。
【００２０】
【表４】
【００２１】
【表５】
【００２２】
【表６】
【００２３】実施例３ 実施例１，２と同様な方法でスパッタ法により表７に示
す構成のディスクを作製した。そしてこの時の記録層単
独の光学定数を測定した値を表８に、そしてディスク特
性を表９に示す。
す構成のディスクを作製した。そしてこの時の記録層単
独の光学定数を測定した値を表８に、そしてディスク特
性を表９に示す。
【００２４】
【表７】
【００２５】
【表８】
【００２６】
【表９】
【００２７】実施例４ 実施例１，２，３と同様な方法でスパッタ法により表１
０に示す構成のディスクを作製した。そして記録層単独
の光学定数を測定した。その値を表１１に示す。又、こ
の時のオーバライトモードでのディスク特性を表１２に
示す。
０に示す構成のディスクを作製した。そして記録層単独
の光学定数を測定した。その値を表１１に示す。又、こ
の時のオーバライトモードでのディスク特性を表１２に
示す。
【００２８】
【表１０】
【００２９】
【表１１】
【００３０】
【表１２】
【００３１】以上実施例１，２，３，４より本発明のＡ
ｇαＧａβＳｅγＭδ系材料は相変化型記録媒体として
十分に使用可能であることがわかった。さらに、１０ｐ
ｐｍ，Ｈ2Ｓ雰囲気下５０℃、８０％環境内１０００時
間後においてのＡｇ−Ｐｄ膜の変色及びディスク特性の
変化は認められなかった（但しこの場合、有機樹脂の保
護層を設けてある）。
ｇαＧａβＳｅγＭδ系材料は相変化型記録媒体として
十分に使用可能であることがわかった。さらに、１０ｐ
ｐｍ，Ｈ2Ｓ雰囲気下５０℃、８０％環境内１０００時
間後においてのＡｇ−Ｐｄ膜の変色及びディスク特性の
変化は認められなかった（但しこの場合、有機樹脂の保
護層を設けてある）。
【００３２】
【発明の効果】以上、説明した本発明の効果を要約する
と下記のとおりである。 １．光記録材料において、その成分がＡｇ，Ｇａ，Ｓ
ｅ，及びＭ（但しこのＭはＣｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｓ
ｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｓｉの群から選ばれる少
なくとも一種の元素）からなるものは、相変化型記録材
料として記録前後において極めて大きな光学定数の変化
を有するので、極めて都合がよい。
と下記のとおりである。 １．光記録材料において、その成分がＡｇ，Ｇａ，Ｓ
ｅ，及びＭ（但しこのＭはＣｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｓ
ｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｓｉの群から選ばれる少
なくとも一種の元素）からなるものは、相変化型記録材
料として記録前後において極めて大きな光学定数の変化
を有するので、極めて都合がよい。
【００３３】２．この時の材料組成は、ＡｇαＧａβＳ
ｅγＭδとする時、１８≦α≦３１，１６≦β≦３５，
３３≦γ≦６５，１≦δ≦１３，α＋β＋γ＋δ＝１０
０がよい。即ちこの組成域内においては、ディスク特性
としての記録感度、消去感度の向上が期待できる。 ３．上記の組成比内、又、膜厚の変化において光の照射
前後において大きな光学定数の変化が認められる。その
変化量は （１）屈折率は非晶質状態で２．１０から５．４７の範
囲内で、又、結晶質は２．２０から４．１１まで変化す
る。 （２）又、振幅減衰係数は非晶質状態で０．３２から
１．２９の範囲で、又、結晶質は０．１４から１．５９
まで変化する。
ｅγＭδとする時、１８≦α≦３１，１６≦β≦３５，
３３≦γ≦６５，１≦δ≦１３，α＋β＋γ＋δ＝１０
０がよい。即ちこの組成域内においては、ディスク特性
としての記録感度、消去感度の向上が期待できる。 ３．上記の組成比内、又、膜厚の変化において光の照射
前後において大きな光学定数の変化が認められる。その
変化量は （１）屈折率は非晶質状態で２．１０から５．４７の範
囲内で、又、結晶質は２．２０から４．１１まで変化す
る。 （２）又、振幅減衰係数は非晶質状態で０．３２から
１．２９の範囲で、又、結晶質は０．１４から１．５９
まで変化する。
【００３４】４．又、本記録材料はその組成比によりそ
の相状態は４相以内にある。これにより記録感度が向上
する。（融点の低下） ５．本記録材料は本質的にヒートモード方式のため、熱
ダメージがある。それを防止するため、記録層の下面及
び上面に無機酸化物、無機窒化物誘電体層を設けること
ができる。
の相状態は４相以内にある。これにより記録感度が向上
する。（融点の低下） ５．本記録材料は本質的にヒートモード方式のため、熱
ダメージがある。それを防止するため、記録層の下面及
び上面に無機酸化物、無機窒化物誘電体層を設けること
ができる。
【００３５】６．入射光を有効に利用するため、又、熱
の放熱効果をあげるため、記録媒体の最上層に反射層を
設けることができる。この時の反射層材料は、短波長光
源に対応できるＡｇ合金がよい。特にＡｇ−Ｐｄは耐流
化に大きな効果を有する。
の放熱効果をあげるため、記録媒体の最上層に反射層を
設けることができる。この時の反射層材料は、短波長光
源に対応できるＡｇ合金がよい。特にＡｇ−Ｐｄは耐流
化に大きな効果を有する。
【図１】本発明の光記録媒体の構成を示すための断面の
模式図である。
模式図である。
１ 基板 ２ 耐熱保護層 ３ 記録層 ４ 耐熱保護層 ５ 反射放熱層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 正悦 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 出口 浩司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 山田 勝幸 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 井手 由紀雄 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (6)
- 【請求項１】 光の照射前後でその記録層の光学定数が
変化する特性を有する光記録媒体において、Ａｇ，Ｇ
ａ，Ｓｅ，Ｍ（ただし、ＭはＣｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，
Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｓｉの中から選ばれた
少なくとも一種の元素である。）からなることを特徴と
する光記録媒体。 - 【請求項２】 記録層の組成が、下記一般式で表わされ
ることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 一般式；Ａｇα・Ｇａβ・Ｓｅγ・Ｍδ ただし、 １８≦α≦３１ １６≦β≦３５ ３３≦γ≦６５ １≦δ≦１３ α＋β＋γ＋δ＝１００ - 【請求項３】 記録層の組成および膜厚を調整すること
によって、光の照射前後で、その特性が下記の範囲で変
化可能であることを特徴とする請求項１または請求項２
記載の光記録媒体。 （ｉ）屈折率が、非晶質状態で２．１〜５．４７の範囲
内で変化し、結晶質状態で２．２〜４．１１の範囲内で
変化する。 （ii）振幅減衰係数が非晶質状態で０．３２〜１．２９
の範囲内で変化し、結晶質状態で０．１４〜１．５９の
範囲内で変化する。 - 【請求項４】 記録層を構成する物質の相構成が４相以
内であることを特徴とする請求項１ないし請求項３の何
れかに記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 記録層の上面および下面に無機酸化物お
よび無機窒化物から選ばれる少なくとも一種の耐熱およ
び光学多重干渉層を有することを特徴とする請求項１な
いし請求項４の何れかに記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 最上層にＡｇ合金からなる金属反射放熱
層を有することを特徴とする請求項１ないし請求項５の
何れかに記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5108157A JPH06325406A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5108157A JPH06325406A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06325406A true JPH06325406A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=14477406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5108157A Pending JPH06325406A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06325406A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6221557B1 (en) * | 1996-02-27 | 2001-04-24 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
| EP1233418A1 (en) * | 2001-02-20 | 2002-08-21 | Hewlett-Packard Company | Phase-change media for ultra-high-density data-storage devices |
| US6764735B2 (en) | 1998-06-22 | 2004-07-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6790503B2 (en) | 1998-06-22 | 2004-09-14 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6841219B2 (en) | 1998-06-22 | 2005-01-11 | Han H. Nee | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6905750B2 (en) | 1998-06-22 | 2005-06-14 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7018696B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-03-28 | Target Technology Company Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7045187B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314657B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314660B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314659B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7316837B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7374805B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
-
1993
- 1993-05-10 JP JP5108157A patent/JPH06325406A/ja active Pending
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| US6852384B2 (en) | 1998-06-22 | 2005-02-08 | Han H. Nee | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
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| US7291374B2 (en) | 1998-06-22 | 2007-11-06 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
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| US7314657B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314660B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
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| US7374805B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
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