JPH08175016A - 相変化型光記録媒体 - Google Patents
相変化型光記録媒体Info
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- JPH08175016A JPH08175016A JP6335764A JP33576494A JPH08175016A JP H08175016 A JPH08175016 A JP H08175016A JP 6335764 A JP6335764 A JP 6335764A JP 33576494 A JP33576494 A JP 33576494A JP H08175016 A JPH08175016 A JP H08175016A
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録感度が高く、オーバーライトが可能で高
反射率、高コントラストが得られる相変化型光記録媒体
を提供する。 【構成】 記録層がＣｕと、Ｓｂと、Ｓｅ及びＳのうち
から選ばれる少なくとも１種のカルコゲナイド元素と、
Ａｓ、Ｐ及びＮのうちから選ばれた少なくとも１種の元
素とを主成分とした相変化型光記録媒体。
反射率、高コントラストが得られる相変化型光記録媒体
を提供する。 【構成】 記録層がＣｕと、Ｓｂと、Ｓｅ及びＳのうち
から選ばれる少なくとも１種のカルコゲナイド元素と、
Ａｓ、Ｐ及びＮのうちから選ばれた少なくとも１種の元
素とを主成分とした相変化型光記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は相変化型光記録媒体に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】相変化型光記録媒体それ自体は以前より
知られ、多くの技術文献が紹介されている。近時はＣＤ
（コンパクトディスク）の完全互換をめざしたものが注
目されるようになってきている。例えばＩｎ−Ｓｅを
記録層に、ＳｉＯ2を誘電体層に、そしてＣｕを反射層
に利用したもの（第４回相変化記録研究会シンポジウム
予稿集第８２〜８６頁）、ＧｅＳｂＴｅを記録膜とし
て、誘電体層にＺｎＳ・ＳｉＯ2、ＳｉＯ2を用い、反射
層にＡｕを利用したもの（第５回相変化記録研究会シン
ポジウム予稿集第９〜１４頁）、また記録材料にＧｅ
Ｔｅ、誘電体層にＴａ2Ｏ5、ＳｉＯ2を利用し、反射層
にＡｕを用いた系も提案されている（特開平５−２４２
５３１号）。
知られ、多くの技術文献が紹介されている。近時はＣＤ
（コンパクトディスク）の完全互換をめざしたものが注
目されるようになってきている。例えばＩｎ−Ｓｅを
記録層に、ＳｉＯ2を誘電体層に、そしてＣｕを反射層
に利用したもの（第４回相変化記録研究会シンポジウム
予稿集第８２〜８６頁）、ＧｅＳｂＴｅを記録膜とし
て、誘電体層にＺｎＳ・ＳｉＯ2、ＳｉＯ2を用い、反射
層にＡｕを利用したもの（第５回相変化記録研究会シン
ポジウム予稿集第９〜１４頁）、また記録材料にＧｅ
Ｔｅ、誘電体層にＴａ2Ｏ5、ＳｉＯ2を利用し、反射層
にＡｕを用いた系も提案されている（特開平５−２４２
５３１号）。
【０００３】これらはいずれも光記録媒体の層構成によ
る多重干渉を利用して、高反射率・高コントラストを実
現しようとしているが、ＩｎＳｅを記録膜とした系は消
去をＤＣ光で行なっており、しかも１回では実用レベル
の消去比まで到達していない。加えて、ＧｅＳｂＴｅ又
はＧｅＴｅを記録層とした系は、記録に高パワーを必要
とするため記録感度が良好でない、といった欠点があ
る。
る多重干渉を利用して、高反射率・高コントラストを実
現しようとしているが、ＩｎＳｅを記録膜とした系は消
去をＤＣ光で行なっており、しかも１回では実用レベル
の消去比まで到達していない。加えて、ＧｅＳｂＴｅ又
はＧｅＴｅを記録層とした系は、記録に高パワーを必要
とするため記録感度が良好でない、といった欠点があ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、記録
感度が高く、しかも、オーバーライトが可能で高反射
率、高コントラストが得られる、即ちＣＤ完全互換用に
適した相変化型記録媒体を提供することにある。
感度が高く、しかも、オーバーライトが可能で高反射
率、高コントラストが得られる、即ちＣＤ完全互換用に
適した相変化型記録媒体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第一
に、光の照射前後で光学定数が変化する特性をもつ記録
層を有する光記録媒体において、該記録層がＣｕとＳｂ
と、Ｓｅ及びＳのうちから選ばれる少なくとも一種のカ
ルコゲナイド元素と、ＡＳ、Ｐ及びＮのうちから選ばれ
る少なくとも一種の元素とを主成分としたことを特徴と
する相変化型記録媒体が提供される。
に、光の照射前後で光学定数が変化する特性をもつ記録
層を有する光記録媒体において、該記録層がＣｕとＳｂ
と、Ｓｅ及びＳのうちから選ばれる少なくとも一種のカ
ルコゲナイド元素と、ＡＳ、Ｐ及びＮのうちから選ばれ
る少なくとも一種の元素とを主成分としたことを特徴と
する相変化型記録媒体が提供される。
【０００６】本発明によれば、第二に、記録材料の安定
相と準安定相との間の相変化を利用することにより記録
及び消去を行う光記録媒体において、該記録材料の安定
状態が化学量論組成かそれに近いＣｕ3ＳｂＳｅ4又はＣ
ｕ3ＳｂＳ4であり、この格子内にＡｓ、ＰもしくはＮが
組み込まれていることを特徴とする相変化型光記録媒体
が提供される。この光記録媒体においては、記録時は準
安定状態としてのアモルファス状態であるが、初期化及
び消去時には安定状態としての化学量論組成又はそれに
近いＣｕ3ＳｂＳｅ4或いはＣｕ3ＳｂＳ4が結晶状態にあ
るのが望ましい。
相と準安定相との間の相変化を利用することにより記録
及び消去を行う光記録媒体において、該記録材料の安定
状態が化学量論組成かそれに近いＣｕ3ＳｂＳｅ4又はＣ
ｕ3ＳｂＳ4であり、この格子内にＡｓ、ＰもしくはＮが
組み込まれていることを特徴とする相変化型光記録媒体
が提供される。この光記録媒体においては、記録時は準
安定状態としてのアモルファス状態であるが、初期化及
び消去時には安定状態としての化学量論組成又はそれに
近いＣｕ3ＳｂＳｅ4或いはＣｕ3ＳｂＳ4が結晶状態にあ
るのが望ましい。
【０００７】本発明の第三によれば、記録材料の結晶状
態とアモルファス状態との相変化を利用する光記録媒体
において、その記録層の重量組成が下記式（Ｉ） （Ｃｕ3ＳｂＳｅ4）xＭ100-x又は（Ｃｕ3ＳｂＳ4）xＭ100-x （Ｉ） （但し、ＭはＡｓ、Ｐ及びＮから選ばれる少なくとも一
種の元素、８０≦ｘ≦９５である。）で表わされること
を特徴とする相変化型光記録媒体が提供される。
態とアモルファス状態との相変化を利用する光記録媒体
において、その記録層の重量組成が下記式（Ｉ） （Ｃｕ3ＳｂＳｅ4）xＭ100-x又は（Ｃｕ3ＳｂＳ4）xＭ100-x （Ｉ） （但し、ＭはＡｓ、Ｐ及びＮから選ばれる少なくとも一
種の元素、８０≦ｘ≦９５である。）で表わされること
を特徴とする相変化型光記録媒体が提供される。
【０００８】以下に本発明をさらに詳細に説明する。通
常、相変化型光記録媒体（以降単に「光記録媒体」とい
うことがある）はＣＤと完全互換であるためには、初期
状態又は消去状態（結晶状態）での反射率Ｒ1が７０％
以上、かつ記録後（アモルファス状態）の反射率Ｒ2に
対するコントラスト（Ｒ1−Ｒ2）／Ｒ1が０．６以上で
あることが要求されている。これを実現する為に、一般
に光記録媒体の層構成による多重干渉を利用する方法が
提案されている。例えばＩｎＳｅを記録層とし、これを
ＳｉＯ2誘電体層でサンドイッチし、Ｃｕを反射層とし
た光記録媒体が「第４回相変化記録研究会予稿集第８２
〜８６頁」で報告されている。しかし、ここに記載され
た光記録媒体は、高い反射率（７０％）とコントラスト
（０．６）を有し、１３ｍＷというパワーで記録されて
いるものの、消去は必ずしも完全とはいえず実用化に問
題が残されている。
常、相変化型光記録媒体（以降単に「光記録媒体」とい
うことがある）はＣＤと完全互換であるためには、初期
状態又は消去状態（結晶状態）での反射率Ｒ1が７０％
以上、かつ記録後（アモルファス状態）の反射率Ｒ2に
対するコントラスト（Ｒ1−Ｒ2）／Ｒ1が０．６以上で
あることが要求されている。これを実現する為に、一般
に光記録媒体の層構成による多重干渉を利用する方法が
提案されている。例えばＩｎＳｅを記録層とし、これを
ＳｉＯ2誘電体層でサンドイッチし、Ｃｕを反射層とし
た光記録媒体が「第４回相変化記録研究会予稿集第８２
〜８６頁」で報告されている。しかし、ここに記載され
た光記録媒体は、高い反射率（７０％）とコントラスト
（０．６）を有し、１３ｍＷというパワーで記録されて
いるものの、消去は必ずしも完全とはいえず実用化に問
題が残されている。
【０００９】一方、ＧｅＳｂＴｅを記録層とし、ＺｎＳ
・ＳｉＯ2を誘電体層、Ａｕを反射層とした構成の光記
録媒体も提案（第５回相変化記録研究会予稿集第９〜１
４頁）されており、反射率、コントラストの点では問題
ないが、記録に要するレーザパワーがディスク上で３０
ｍＷ近くを必要としているため感度が悪くこれまた実用
的でない。また、高パワーを必要とするため、熱ダメー
ジが大きく、繰り返し特性が悪い。さらにＧｅＴｅを記
録層、Ｔａ2Ｏ5を誘電体層、そしてＡｕを反射層とした
構成の光記録媒体も提案（特開平５−２４２５３１号）
されているが、ＧｅＴｅは融点が７２５℃であり、これ
も記録に要するパワーが極めて高いことが予想され現実
的でない。
・ＳｉＯ2を誘電体層、Ａｕを反射層とした構成の光記
録媒体も提案（第５回相変化記録研究会予稿集第９〜１
４頁）されており、反射率、コントラストの点では問題
ないが、記録に要するレーザパワーがディスク上で３０
ｍＷ近くを必要としているため感度が悪くこれまた実用
的でない。また、高パワーを必要とするため、熱ダメー
ジが大きく、繰り返し特性が悪い。さらにＧｅＴｅを記
録層、Ｔａ2Ｏ5を誘電体層、そしてＡｕを反射層とした
構成の光記録媒体も提案（特開平５−２４２５３１号）
されているが、ＧｅＴｅは融点が７２５℃であり、これ
も記録に要するパワーが極めて高いことが予想され現実
的でない。
【００１０】これらに対して、本発明においては、光記
録材料に低融点でしかもアモルファス化しやすい材料を
選び、また、誘電体層及び反射層に比較的熱伝導率の高
い材料を選んでいるため、低パワーで記録できると同時
に熱的ダメージが少なく、繰り返し特性の向上が期待で
きる。更に、光記録材料のバンドギャップも比較的大き
いため、干渉効果が利用しやすく、高反射率、高コント
ラストの光記録媒体を得ることができる。
録材料に低融点でしかもアモルファス化しやすい材料を
選び、また、誘電体層及び反射層に比較的熱伝導率の高
い材料を選んでいるため、低パワーで記録できると同時
に熱的ダメージが少なく、繰り返し特性の向上が期待で
きる。更に、光記録材料のバンドギャップも比較的大き
いため、干渉効果が利用しやすく、高反射率、高コント
ラストの光記録媒体を得ることができる。
【００１１】即ち、前記第一及び第二にあげた本発明の
光記録媒体に係る記録層の特性は、基本的には、Ｃｕ3
ＳｂＳｅ4もしくはＣｕ3ＳｂＳ4とほぼ同等であるた
め、融点が各々４２６℃、５５６℃と相変化材料の中で
は極めて低温である（例えば、比較のＩｎＳｅは６６０
℃、ＧｅＳｂＴｅは約６１０℃、ＧｅＴｅは７２５℃で
ある）。従って、ＣＤ完全互換用の光記録媒体の大きな
問題点である記録パワーが高パワーでなければ記録でき
ない（反射率が初期化時で７０％以上あるため記録に高
パワーを必要とする）という技術課題を本発明では低融
点材料を用いることにより達成が期待される。また、Ａ
Ｓ、Ｐ、Ｎ等Ｖ族の元素が添加されているため、ネット
ワーク構造を作りやすくなっていることから、記録時に
おいてより非晶質化しやすい状態にある。従って高感度
化が期待される。加えて、例えばＣｕ3ＳｂＳｅ4のバン
ドギャップは約０．８ｅＶといわれており、膜厚の制御
により十分透過光成分も期待できるため、干渉効果を利
用できるので、高反射率、高コントラスト化を光記録媒
体の層構成を調整することにより実現できるようにな
る。
光記録媒体に係る記録層の特性は、基本的には、Ｃｕ3
ＳｂＳｅ4もしくはＣｕ3ＳｂＳ4とほぼ同等であるた
め、融点が各々４２６℃、５５６℃と相変化材料の中で
は極めて低温である（例えば、比較のＩｎＳｅは６６０
℃、ＧｅＳｂＴｅは約６１０℃、ＧｅＴｅは７２５℃で
ある）。従って、ＣＤ完全互換用の光記録媒体の大きな
問題点である記録パワーが高パワーでなければ記録でき
ない（反射率が初期化時で７０％以上あるため記録に高
パワーを必要とする）という技術課題を本発明では低融
点材料を用いることにより達成が期待される。また、Ａ
Ｓ、Ｐ、Ｎ等Ｖ族の元素が添加されているため、ネット
ワーク構造を作りやすくなっていることから、記録時に
おいてより非晶質化しやすい状態にある。従って高感度
化が期待される。加えて、例えばＣｕ3ＳｂＳｅ4のバン
ドギャップは約０．８ｅＶといわれており、膜厚の制御
により十分透過光成分も期待できるため、干渉効果を利
用できるので、高反射率、高コントラスト化を光記録媒
体の層構成を調整することにより実現できるようにな
る。
【００１２】前記第三にあげた本発明の光記録媒体に係
る記録層は特にそこで用いられる記録層組成がある範囲
に特定されたものからなっており、その範囲にある限
り、融点がＣｕ3ＳｂＳｅ4単独の４２６℃、又はＣｕ3
ＳｂＳ4単独の４５９℃に近い値をとり、記録時の高感
度が期待できると同時に、添加物としてのＡｓ、Ｐ、Ｎ
の効果、即ちガラス化を容易にすることが可能となる。
る記録層は特にそこで用いられる記録層組成がある範囲
に特定されたものからなっており、その範囲にある限
り、融点がＣｕ3ＳｂＳｅ4単独の４２６℃、又はＣｕ3
ＳｂＳ4単独の４５９℃に近い値をとり、記録時の高感
度が期待できると同時に、添加物としてのＡｓ、Ｐ、Ｎ
の効果、即ちガラス化を容易にすることが可能となる。
【００１３】本発明の光記録媒体においては、記録層の
上面及び下面にＡｌＮ−Ｙ2Ｏ3からなる誘電体層を設け
るのが望ましい。その結果、（ａ）誘電体層を設けるこ
とにより、干渉効果を大きくし、高反射率、高コントラ
ストが実現され、（ｂ）誘電体層材料としてＡｌＮ−Ｙ
2Ｏ3を用いることによりＡｌＮの熱伝導率を低下させる
原因となる酸素（酸素がＡｌＮのＮ格子サイトと置換し
Ａｌサイトに欠陥を生じさせフォノン伝導を散乱させ
る）がＹ2Ｏ2と反応し、これにトラップされるため酸素
によるＡｌＮの欠陥が発生せず高熱伝導を有する保護膜
となる。従って、光記録媒体は急冷構造となるため記録
層の低融点とも関連してアモルファス化しやすくなるの
でオーバーライトが容易になると同時に繰り返し特性も
向上する。
上面及び下面にＡｌＮ−Ｙ2Ｏ3からなる誘電体層を設け
るのが望ましい。その結果、（ａ）誘電体層を設けるこ
とにより、干渉効果を大きくし、高反射率、高コントラ
ストが実現され、（ｂ）誘電体層材料としてＡｌＮ−Ｙ
2Ｏ3を用いることによりＡｌＮの熱伝導率を低下させる
原因となる酸素（酸素がＡｌＮのＮ格子サイトと置換し
Ａｌサイトに欠陥を生じさせフォノン伝導を散乱させ
る）がＹ2Ｏ2と反応し、これにトラップされるため酸素
によるＡｌＮの欠陥が発生せず高熱伝導を有する保護膜
となる。従って、光記録媒体は急冷構造となるため記録
層の低融点とも関連してアモルファス化しやすくなるの
でオーバーライトが容易になると同時に繰り返し特性も
向上する。
【００１４】誘電体層材料ＡｌＮ−Ｙ2Ｏ3ではＹ2Ｏ3量
が１〜１０重量％であるのが望ましい。Ｙ2Ｏ3の量がこ
の範囲内にあれば、ＡｌＮ本来の特徴である高熱伝導率
が維持されるためである。
が１〜１０重量％であるのが望ましい。Ｙ2Ｏ3の量がこ
の範囲内にあれば、ＡｌＮ本来の特徴である高熱伝導率
が維持されるためである。
【００１５】また、このＡｌＮ−Ｙ2Ｏ3は焼結法により
作成されたターゲットを用いて形成されるのが有利であ
る。その理由の一つは、ＡｌＮ−Ｙ2Ｏ3を焼結すること
により、ＡｌＮ中の酸素とＹ2ＯとがむすびついてＡｌ
Ｎ中への酸素の固溶を防止すると同時にＡｌＮ焼結体の
緻密化を促進し、高品質なスパッタ用ターゲットを製造
するのが可能となるためである。理由の第二は、このタ
ーゲットを利用してスパッタ法により製膜することによ
り、高熱伝導率のＡｌＮ−Ｙ2Ｏ3の製膜が可能となり、
記録に際してアモルファス化が容易となり高感度化が期
待できると同時に、光記録媒体に対する熱的ダメージが
低下するため、繰り返し特性が向上するようになる。
作成されたターゲットを用いて形成されるのが有利であ
る。その理由の一つは、ＡｌＮ−Ｙ2Ｏ3を焼結すること
により、ＡｌＮ中の酸素とＹ2ＯとがむすびついてＡｌ
Ｎ中への酸素の固溶を防止すると同時にＡｌＮ焼結体の
緻密化を促進し、高品質なスパッタ用ターゲットを製造
するのが可能となるためである。理由の第二は、このタ
ーゲットを利用してスパッタ法により製膜することによ
り、高熱伝導率のＡｌＮ−Ｙ2Ｏ3の製膜が可能となり、
記録に際してアモルファス化が容易となり高感度化が期
待できると同時に、光記録媒体に対する熱的ダメージが
低下するため、繰り返し特性が向上するようになる。
【００１６】更に、この誘電体層の振幅減衰係数が４０
０ｎｍから８５０ｎｍまでの波長範囲で０．２以下であ
るのが、光記録媒体の高反射率、高コントラストを実現
するために、干渉効果を最大限に利用できることから望
ましい。
０ｎｍから８５０ｎｍまでの波長範囲で０．２以下であ
るのが、光記録媒体の高反射率、高コントラストを実現
するために、干渉効果を最大限に利用できることから望
ましい。
【００１７】本発明の光記録媒体においては、最上層に
ＡｇＷ合金からなる反射放熱層を形成しておくのも効果
的である。これはＡｇの高反射率と高熱伝導率を利用し
て、入射光の損失を防止すると同時に記録時のアモルフ
ァス化を容易にするのに役立つからであるが、Ａｇ単独
では強度があまり強くないため熱的ダメージをうけやす
いのでＷを添加して強度の増加をはかり、繰り返し特性
の向上を図っている。
ＡｇＷ合金からなる反射放熱層を形成しておくのも効果
的である。これはＡｇの高反射率と高熱伝導率を利用し
て、入射光の損失を防止すると同時に記録時のアモルフ
ァス化を容易にするのに役立つからであるが、Ａｇ単独
では強度があまり強くないため熱的ダメージをうけやす
いのでＷを添加して強度の増加をはかり、繰り返し特性
の向上を図っている。
【００１８】この反射放熱層を形成するＡｇＷ合金は、
Ｗの含有量が１５〜３５重量％の範囲にあるのがよい。
Ｗの量が前記範囲にあれば反射放熱層の強度が向上する
と同時に反射率も７５％以上有することが可能となる。
Ｗの含有量が１５〜３５重量％の範囲にあるのがよい。
Ｗの量が前記範囲にあれば反射放熱層の強度が向上する
と同時に反射率も７５％以上有することが可能となる。
【００１９】次に、本発明の具体的構成を図面を参照し
て説明する。図１は本発明の構成例を示すもので、基板
１上に下部耐熱保護層２、記録層３、上部耐熱保護層
４、反射放熱層５が設けられている。耐熱保護層２、４
はかならずしも記録層３の両側に設ける必要はないが、
基板１がポリカーボネート樹脂のように耐熱性が低い材
料の場合には下部耐熱保護層２を設けることが望まし
い。
て説明する。図１は本発明の構成例を示すもので、基板
１上に下部耐熱保護層２、記録層３、上部耐熱保護層
４、反射放熱層５が設けられている。耐熱保護層２、４
はかならずしも記録層３の両側に設ける必要はないが、
基板１がポリカーボネート樹脂のように耐熱性が低い材
料の場合には下部耐熱保護層２を設けることが望まし
い。
【００２０】基板１の材料は通常、ガラス、セラミック
スあるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点
で好適である。樹脂の代表例としては、ポリカーボネー
ト樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリルースチレン共重合体樹脂、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、
フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられ
るが、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹
脂が好ましい。また、基板１の形状はディスク状、カー
ド状あるいはシート状であってもよい。
スあるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点
で好適である。樹脂の代表例としては、ポリカーボネー
ト樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリルースチレン共重合体樹脂、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、
フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられ
るが、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹
脂が好ましい。また、基板１の形状はディスク状、カー
ド状あるいはシート状であってもよい。
【００２１】耐熱保護層２、４は誘電体層としての機能
以外に干渉層としての機能、熱の拡散としての機能も有
することから、これらの機能を最大限に生かすために、
層厚は２００〜３０００Å好ましくは５００〜２０００
Åとするのがよい。２００Å以下の場合は耐熱保護層と
しての機能がなくなり、３０００Å以上になると界面剥
離が生じやすくなる。
以外に干渉層としての機能、熱の拡散としての機能も有
することから、これらの機能を最大限に生かすために、
層厚は２００〜３０００Å好ましくは５００〜２０００
Åとするのがよい。２００Å以下の場合は耐熱保護層と
しての機能がなくなり、３０００Å以上になると界面剥
離が生じやすくなる。
【００２２】記録層３は、一般的にはスパッタ法により
形成され、その膜厚は１００〜１０００Å、好ましくは
２００Å〜５００Åである。１００Åより薄いと光吸収
能が著しく低下し、記録層としての機能を失う。一方、
１０００Åより厚いと透過光が少なくなるので干渉効果
が期待できなくなる。
形成され、その膜厚は１００〜１０００Å、好ましくは
２００Å〜５００Åである。１００Åより薄いと光吸収
能が著しく低下し、記録層としての機能を失う。一方、
１０００Åより厚いと透過光が少なくなるので干渉効果
が期待できなくなる。
【００２３】反射放熱層５は、一般的にはスパッタ法に
より形成され、その膜厚は５００〜３０００Å、好まし
くは７００〜２０００Åである。
より形成され、その膜厚は５００〜３０００Å、好まし
くは７００〜２０００Åである。
【００２４】
【実施例】次に、実施例をあげて本発明をさらに具体的
に説明する。
に説明する。
【００２５】実施例１ ピッチ１．６μｍ、深さ７００Åの溝付き、厚さ１．２
ｍｍ、直径１２０ｍｍφのポリカーボネート基板上に表
１に示す構成により、下部耐熱保護層、記録層、上部耐
熱保護層及び反射放熱層を順次スパッタ法により積層し
た。この時、記録層単独及び耐熱保護層単独の光学定数
を測定するため、５０×５０×１ｍｍのガラス基板をセ
ットしておいた。
ｍｍ、直径１２０ｍｍφのポリカーボネート基板上に表
１に示す構成により、下部耐熱保護層、記録層、上部耐
熱保護層及び反射放熱層を順次スパッタ法により積層し
た。この時、記録層単独及び耐熱保護層単独の光学定数
を測定するため、５０×５０×１ｍｍのガラス基板をセ
ットしておいた。
【００２６】
【表１】
【００２７】また、表２にガラス基板上にスパッタされ
た記録層及び誘電体層の光学定数を示した。記録層はス
パッタ後の状態（アモルファス）と２５０℃処理（クリ
スタル）後のものである。併せて、この光学定数を用い
て記録媒体の光学シュミレーションの結果も示す。
た記録層及び誘電体層の光学定数を示した。記録層はス
パッタ後の状態（アモルファス）と２５０℃処理（クリ
スタル）後のものである。併せて、この光学定数を用い
て記録媒体の光学シュミレーションの結果も示す。
【００２８】
【表２】
【００２９】次にディスク特性を評価した。先ず得られ
たディスク初期化後、波長７８０ｎｍ、線速１．３ｍ／
ｓ、記録周波数ｆ1＝０．４ＭＨｚで記録した後、ｆ2＝
０．７２ＭＨｚでオーバーライトを行なった。その時の
Ｃ／Ｎと消去比を表３に示す。
たディスク初期化後、波長７８０ｎｍ、線速１．３ｍ／
ｓ、記録周波数ｆ1＝０．４ＭＨｚで記録した後、ｆ2＝
０．７２ＭＨｚでオーバーライトを行なった。その時の
Ｃ／Ｎと消去比を表３に示す。
【００３０】
【表３】
【００３１】また、このものの記録後の反射率は２５
％、消去後の反射率は６８％であり、コントラストは
０．６３であった。これより本発明の光記録媒体がＣＤ
完全互換としての可能性を有することがわかった。ま
た、くり返しは５０回までは実用上問題がないことがわ
かった。
％、消去後の反射率は６８％であり、コントラストは
０．６３であった。これより本発明の光記録媒体がＣＤ
完全互換としての可能性を有することがわかった。ま
た、くり返しは５０回までは実用上問題がないことがわ
かった。
【００３２】実施例２ 実施例１と同様な方法で表４に示す構成のディスクを作
製した。そしてこの時記録層単独の光学定数を測定した
値を表５に、そしてディスク特性を表６に示す。ディス
ク評価条件は実施例１と同じである。
製した。そしてこの時記録層単独の光学定数を測定した
値を表５に、そしてディスク特性を表６に示す。ディス
ク評価条件は実施例１と同じである。
【００３３】
【表４】
【００３４】
【表５】
【００３５】
【表６】
【００３６】また、記録後の反射率は２８％、消去後の
反射率は７１％であり、コントラストは０．６１であっ
た。従って、本発明の光記録媒体はＣＤ完全互換として
の可能性を有していることが判った。また、オーバーラ
イト時のくり返しは約４０回程度であった。
反射率は７１％であり、コントラストは０．６１であっ
た。従って、本発明の光記録媒体はＣＤ完全互換として
の可能性を有していることが判った。また、オーバーラ
イト時のくり返しは約４０回程度であった。
【００３７】実施例３ 実施例１、２と同様な方法で表７に示す構成のディスク
を作製した。そしてこの時、記録層単独の光学定数を測
定した値を表８に、ディスク特性を表９に示す。
を作製した。そしてこの時、記録層単独の光学定数を測
定した値を表８に、ディスク特性を表９に示す。
【００３８】
【表７】
【００３９】
【表８】
【００４０】
【表９】
【００４１】また記録後の反射率は２５％、消去後の反
射率は７４％であり、コントラストは０．６６であっ
た。これより本発明の光記録媒体がＣＤ完全互換として
の可能性を有することがわかった。
射率は７４％であり、コントラストは０．６６であっ
た。これより本発明の光記録媒体がＣＤ完全互換として
の可能性を有することがわかった。
【００４２】
【発明の効果】請求項１、２、３及び４の発明によれ
ば、光記録材料としてＣｕ3ＳｂＳｅ4もしくはＣｕ3Ｓ
ｂＳ4を利用し、これに添加物としてＮ、Ｐ、Ａｓの少
なくとも一種の元素を加えることができる。それによ
り、Ｃｕ3ＳｂＳｅ4又はＣｕ3ＳｂＳ4は融点が各々４２
６℃、５５６℃と相変化型光記録材料としては、極めて
低く記録層の反射率が高くて記録時のレーザ光の吸収効
率が悪いにもかかわらず十分にアモルファス化が低パワ
ーのレーザ光で可能となる効果を有する。またＡｓ、
Ｐ、Ｎ等第Ｖ族の添加は、構造的にネットワークを作り
やすくする為に、前記と同様に品質にこだわる必要が少
なくなる効果を持つので、記録が容易になる。
ば、光記録材料としてＣｕ3ＳｂＳｅ4もしくはＣｕ3Ｓ
ｂＳ4を利用し、これに添加物としてＮ、Ｐ、Ａｓの少
なくとも一種の元素を加えることができる。それによ
り、Ｃｕ3ＳｂＳｅ4又はＣｕ3ＳｂＳ4は融点が各々４２
６℃、５５６℃と相変化型光記録材料としては、極めて
低く記録層の反射率が高くて記録時のレーザ光の吸収効
率が悪いにもかかわらず十分にアモルファス化が低パワ
ーのレーザ光で可能となる効果を有する。またＡｓ、
Ｐ、Ｎ等第Ｖ族の添加は、構造的にネットワークを作り
やすくする為に、前記と同様に品質にこだわる必要が少
なくなる効果を持つので、記録が容易になる。
【００４３】請求項５の発明によれば、耐熱保護層とし
てＡｌＮ−Ｙ2Ｏ3を用いたことにより高熱伝導率の耐熱
保護層を提供できる。この場合ＡｌＮ単独であると酸素
がＡｌＮのＮサイトと置換してＡｌサイトに欠陥を生
じ、これがフオノンの散乱源となり熱伝導率を低下させ
るが、Ｙ2Ｏ3は酸素と反応する為、ＡｌＮの欠陥発生を
防止して、熱伝導率の低下を防止する効果をもたらす。
てＡｌＮ−Ｙ2Ｏ3を用いたことにより高熱伝導率の耐熱
保護層を提供できる。この場合ＡｌＮ単独であると酸素
がＡｌＮのＮサイトと置換してＡｌサイトに欠陥を生
じ、これがフオノンの散乱源となり熱伝導率を低下させ
るが、Ｙ2Ｏ3は酸素と反応する為、ＡｌＮの欠陥発生を
防止して、熱伝導率の低下を防止する効果をもたらす。
【００４４】請求項６の発明によれば、酸素の影響をな
くすと同時に高い熱伝導率のＡｌＮ−Ｙ2Ｏ3を提供でき
る。請求項７の発明によれば、焼結法によりＡｌＮ−Ｙ
2Ｏ3スパッタ用ターゲットを作成するため、ＡｌＮ中の
酸素がＹ2Ｏ3と反応し、ＡｌＮ中への酸素の固溶を防止
すると同時に緻密なターゲットが得られる。
くすと同時に高い熱伝導率のＡｌＮ−Ｙ2Ｏ3を提供でき
る。請求項７の発明によれば、焼結法によりＡｌＮ−Ｙ
2Ｏ3スパッタ用ターゲットを作成するため、ＡｌＮ中の
酸素がＹ2Ｏ3と反応し、ＡｌＮ中への酸素の固溶を防止
すると同時に緻密なターゲットが得られる。
【００４５】請求項８の発明によれば、干渉効果が起り
やすくなるため、高反射率、高コントラスト化の設計が
しやすくなる。請求項９及び１０の発明によれば、反射
放熱層にＡｇ−Ｗ含金（Ｗ：１５〜３５ｗｔ％）を用い
たことにより強度の大きい膜が実現でき、高反射率も得
られるようになる。
やすくなるため、高反射率、高コントラスト化の設計が
しやすくなる。請求項９及び１０の発明によれば、反射
放熱層にＡｇ−Ｗ含金（Ｗ：１５〜３５ｗｔ％）を用い
たことにより強度の大きい膜が実現でき、高反射率も得
られるようになる。
【図１】本発明の相変化型光記録媒体の一例の構成を表
わした図。
わした図。
１ 基板 ２ 下部耐熱保護層 ３ 記録層 ４ 上部耐熱保護層 ５ 反射放熱層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 篠塚 道明 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 出口 浩司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (10)
- 【請求項１】 光の照射前後で光学定数が変化する特性
をもつ記録層を有する光記録媒体において、該記録層が
ＣｕとＳｂと、Ｓｅ及びＳのうちから選ばれる少なくと
も一種のカルコゲナイド元素とＡｓ、Ｐ及びＮのうちか
ら選ばれる少なくとも一種の元素とを主成分としてなる
ことを特徴とする相変化型記録媒体。 - 【請求項２】 記録材料の安定相と準安定相との間の相
変化を利用することにより記録及び消去を行う光記録媒
体において、該記録材料の安定状態が化学量論組成かそ
れに近いＣｕ3ＳｂＳｅ4又はＣｕ3ＳｂＳ4であり、この
格子内にＡｓ、ＰもしくはＮが組み込まれていることを
特徴とする相変化型光記録媒体。 - 【請求項３】 記録時は準安定状態としてのアモルファ
ス状態であるが、初期化及び消去時には安定状態として
化学量論組成かそれに近いＣｕ3ＳｂＳｅ4又はＣｕ3Ｓ
ｂＳ4が結晶状態であることを特徴とする請求項２記載
の相変化型光記録媒体。 - 【請求項４】 記録材料の結晶状態とアモルファス状態
との相変化を利用する光記録媒体において、その記録層
の重量組成が下記式（Ｉ） （Ｃｕ3ＳｂＳｅ4）xＭ100-x又は（Ｃｕ3ＳｂＳ4）xＭ100-x （Ｉ） （但し、ＭはＡｓ、Ｐ及びＮから選ばれる少なくとも一
種の元素、８０≦ｘ≦９５である。）で表わされること
を特徴とする相変化型光記録媒体。 - 【請求項５】 前記記録層の上面及び下面に耐熱保護層
としてＡｌＮ−Ｙ2Ｏ3からなる誘電体層を設けたことを
特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の相変化型光
記録媒体。 - 【請求項６】 前記誘電体層のＡｌＮ−Ｙ2Ｏ3におい
て、Ｙ2Ｏ3の量が１〜１０重量％である請求項５記載の
相変化型光記録媒体。 - 【請求項７】 前記誘電体層のＡｌＮ−Ｙ2Ｏ3は焼結法
により作成されたターゲットを用いて形成されたもので
ある請求項５又は６記載の相変化型光記録媒体。 - 【請求項８】 前記誘電体層の振巾減衰係数が４００ｎ
ｍから８５０ｎｍまでの波長範囲で０．２以下である請
求項５記載の相変化型光記録媒体。 - 【請求項９】 最上層にＡｇＷ合金からなる反射放熱層
を有する請求項１〜８のいずれかに記載の相変化型光記
録媒体。 - 【請求項１０】 前記反射放熱層材料のＡｇＷ合金は、
Ｗの量が１５〜３５重量％のものである請求項９記載の
相変化型光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6335764A JPH08175016A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 相変化型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6335764A JPH08175016A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 相変化型光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08175016A true JPH08175016A (ja) | 1996-07-09 |
Family
ID=18292201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6335764A Pending JPH08175016A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 相変化型光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08175016A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103787283A (zh) * | 2014-01-03 | 2014-05-14 | 安徽大学 | 一种Cu3SbSe4三元纳米球的制备方法 |
| CN104047059A (zh) * | 2014-05-26 | 2014-09-17 | 浙江大学 | 制备热电材料用的Cu3SbSe4纳米晶体及其合成方法 |
| CN105923653A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-09-07 | 武汉理工大学 | 纳米Cu3SbS4三元半导体材料的制备方法 |
-
1994
- 1994-12-21 JP JP6335764A patent/JPH08175016A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103787283A (zh) * | 2014-01-03 | 2014-05-14 | 安徽大学 | 一种Cu3SbSe4三元纳米球的制备方法 |
| CN104047059A (zh) * | 2014-05-26 | 2014-09-17 | 浙江大学 | 制备热电材料用的Cu3SbSe4纳米晶体及其合成方法 |
| CN105923653A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-09-07 | 武汉理工大学 | 纳米Cu3SbS4三元半导体材料的制备方法 |
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