JPH05282704A - 光反射放熱用材料及びそれを用いた光記録媒体 - Google Patents
光反射放熱用材料及びそれを用いた光記録媒体Info
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- JPH05282704A JPH05282704A JP4103598A JP10359892A JPH05282704A JP H05282704 A JPH05282704 A JP H05282704A JP 4103598 A JP4103598 A JP 4103598A JP 10359892 A JP10359892 A JP 10359892A JP H05282704 A JPH05282704 A JP H05282704A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 反射特性を損なうことなく記録時に放熱によ
る記録感度の低下を防止するとともに適度な急冷効果を
付与し、高感度化を実現しうる光反射放熱用材料及びそ
れを用いた光記録媒体を提供する。 【構成】 本発明による光記録媒体は、基板１上に、耐
熱保護層２、記録層３、耐熱保護層４及び反射放熱層５
を順次積層した構成を有し、反射放熱層５が特定の組成
のＡｇ−Ｇｅ合金材料又はＡｇ−Ｃｒ合金材料からな
る。これらの合金材料はその組成比を調整することによ
り熱伝導率を制御することが可能であると同時に高い反
射率を保持できるので、反射特性を損なうことなく、高
感度が実現できる。
る記録感度の低下を防止するとともに適度な急冷効果を
付与し、高感度化を実現しうる光反射放熱用材料及びそ
れを用いた光記録媒体を提供する。 【構成】 本発明による光記録媒体は、基板１上に、耐
熱保護層２、記録層３、耐熱保護層４及び反射放熱層５
を順次積層した構成を有し、反射放熱層５が特定の組成
のＡｇ−Ｇｅ合金材料又はＡｇ−Ｃｒ合金材料からな
る。これらの合金材料はその組成比を調整することによ
り熱伝導率を制御することが可能であると同時に高い反
射率を保持できるので、反射特性を損なうことなく、高
感度が実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光反射放熱用材料及び
それを用いた光記録媒体に関する。
それを用いた光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】相変化
形光記録方式は、一般的には、記録層を構成する物質の
熱による相転移に伴う光学定数の変化を利用するもので
ある。具体的には、例えば記録層材料にカルコゲン系化
合物を使用し、その化合物のエネルギーバンドギャップ
に対応した光を照射することにより、記録層に光を吸収
させ、吸収した光を熱に変換し、その熱によって光照射
部の温度を昇温させ、記録材料を溶融させた後、急冷し
て非晶質化し、この非晶質化された部分（ピット）を一
般的に記録とする。次に、この記録を消去する場合は、
この非晶質部分に記録時よりも低パワーで光を照射して
結晶化させる。
形光記録方式は、一般的には、記録層を構成する物質の
熱による相転移に伴う光学定数の変化を利用するもので
ある。具体的には、例えば記録層材料にカルコゲン系化
合物を使用し、その化合物のエネルギーバンドギャップ
に対応した光を照射することにより、記録層に光を吸収
させ、吸収した光を熱に変換し、その熱によって光照射
部の温度を昇温させ、記録材料を溶融させた後、急冷し
て非晶質化し、この非晶質化された部分（ピット）を一
般的に記録とする。次に、この記録を消去する場合は、
この非晶質部分に記録時よりも低パワーで光を照射して
結晶化させる。
【０００３】このように相変化形光記録方式は、入射光
の強度変調による記録材料の結晶−非晶質の２相間の相
変化を利用することが基本である。従って、低エネルギ
ーの光照射でいかにして情報の記録及び消去を信頼性よ
く行うか（即ち高感度化）が重要になってくる。この高
感度化は、記録層に照射された光をいかに有効に吸収す
るか、また、その結果発生する熱を目的に応じていかに
うまく利用するかにかかってくる。
の強度変調による記録材料の結晶−非晶質の２相間の相
変化を利用することが基本である。従って、低エネルギ
ーの光照射でいかにして情報の記録及び消去を信頼性よ
く行うか（即ち高感度化）が重要になってくる。この高
感度化は、記録層に照射された光をいかに有効に吸収す
るか、また、その結果発生する熱を目的に応じていかに
うまく利用するかにかかってくる。
【０００４】このための具体的な方法としては、記録層
の層厚を薄くすることにより熱容量を低下させて情報の
記録、消去に要する光エネルギーを低くすることと併せ
て、反射層を設けることによって記録層を透過した光を
反射（多重反射）させ、照射された光をできるだけ有効
に利用することが考えられる。例えば、特公昭６１−１
８２６２号公報には、記録層にカルコゲン系化合物を用
い、反射層にＡｌ，Ａｇ，Ｒｈ等の金属を用いる方法が
提案されている。このようにすると反射層の熱伝導率が
大きいことから熱の放熱による急冷効果が期待でき、情
報の記録の際の非晶質化に役立つ。
の層厚を薄くすることにより熱容量を低下させて情報の
記録、消去に要する光エネルギーを低くすることと併せ
て、反射層を設けることによって記録層を透過した光を
反射（多重反射）させ、照射された光をできるだけ有効
に利用することが考えられる。例えば、特公昭６１−１
８２６２号公報には、記録層にカルコゲン系化合物を用
い、反射層にＡｌ，Ａｇ，Ｒｈ等の金属を用いる方法が
提案されている。このようにすると反射層の熱伝導率が
大きいことから熱の放熱による急冷効果が期待でき、情
報の記録の際の非晶質化に役立つ。
【０００４】ところが、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ等の金
属を反射層に用いた場合、熱伝導率が大きいため、記録
に際して記録部の温度が十分に上昇する前に、即ち溶融
に必要な温度に達する前に放熱してしまい、媒体設計い
かんによっては記録感度の低下につながり、安定した記
録が行なえなくなってしまう。一方、比較的熱伝導率の
低いＴｉ，Ｃｒ，Ｍｎ等の金属あるいはＳｉ，Ｇｅ等の
半導体を反射層に用いることにより高感度化を実現させ
る方法も提案されている（特開昭６３−５８６３号公報
等）。しかし、この場合も、うまく熱伝導率をコントロ
ールしないと、記録に際して熱伝導率が小さくなり過ぎ
て冷却効果が十分でなくなる結果、非晶質化が困難とな
り安定した記録が行なえなくなるおそれがある上、反射
率が低下するため反射層としての役目を失うことにな
る。
属を反射層に用いた場合、熱伝導率が大きいため、記録
に際して記録部の温度が十分に上昇する前に、即ち溶融
に必要な温度に達する前に放熱してしまい、媒体設計い
かんによっては記録感度の低下につながり、安定した記
録が行なえなくなってしまう。一方、比較的熱伝導率の
低いＴｉ，Ｃｒ，Ｍｎ等の金属あるいはＳｉ，Ｇｅ等の
半導体を反射層に用いることにより高感度化を実現させ
る方法も提案されている（特開昭６３−５８６３号公報
等）。しかし、この場合も、うまく熱伝導率をコントロ
ールしないと、記録に際して熱伝導率が小さくなり過ぎ
て冷却効果が十分でなくなる結果、非晶質化が困難とな
り安定した記録が行なえなくなるおそれがある上、反射
率が低下するため反射層としての役目を失うことにな
る。
【０００５】本発明は、このような従来技術の問題点を
解決し、反射特性を損なうことなく記録時に放熱による
記録感度の低下を防止するとともに適度な急冷効果を付
与し、高感度化を実現しうる光反射放熱用材料及びそれ
を用いた光記録媒体を提供することを目的とする。
解決し、反射特性を損なうことなく記録時に放熱による
記録感度の低下を防止するとともに適度な急冷効果を付
与し、高感度化を実現しうる光反射放熱用材料及びそれ
を用いた光記録媒体を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するた
め、本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、反射率が高く
熱伝導率の大きなＡｇと、熱伝導率の比較的小さな金属
であるＣｒあるいは半金属Ｇｅとを特定の組成比で合金
化した場合、反射率の低下が防止されると同時に、熱伝
導率も情報の記録に際して記録材料の非晶質化に必要な
急冷効果を付与するのに十分な値に調整することが可能
となり、高感度化が達成できることを見出し、本発明を
完成するに至った。
め、本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、反射率が高く
熱伝導率の大きなＡｇと、熱伝導率の比較的小さな金属
であるＣｒあるいは半金属Ｇｅとを特定の組成比で合金
化した場合、反射率の低下が防止されると同時に、熱伝
導率も情報の記録に際して記録材料の非晶質化に必要な
急冷効果を付与するのに十分な値に調整することが可能
となり、高感度化が達成できることを見出し、本発明を
完成するに至った。
【０００７】即ち、本発明によれば、下記一般式化１で
表わされる合金よりなることを特徴とする光反射放熱用
材料が提供される。なお、以下において組成比はアトミ
ックス％で表わすものとする。
表わされる合金よりなることを特徴とする光反射放熱用
材料が提供される。なお、以下において組成比はアトミ
ックス％で表わすものとする。
【化１】
【０００８】また、本発明によれば、下記一般式化２で
表わされる合金よりなることを特徴とする光反射放熱用
材料が提供される。
表わされる合金よりなることを特徴とする光反射放熱用
材料が提供される。
【化２】
【０００９】さらに、本発明によれば、基板上に設けら
れた記録層に電磁波を照射することにより記録層材料の
光学定数を変化させ、これにより情報の記録、再生及び
消去が可能な光記録媒体において、上記一般式化１又は
化２で表わされる合金材料よりなる反射放熱層を有する
ことを特徴とする光記録媒体が提供される。
れた記録層に電磁波を照射することにより記録層材料の
光学定数を変化させ、これにより情報の記録、再生及び
消去が可能な光記録媒体において、上記一般式化１又は
化２で表わされる合金材料よりなる反射放熱層を有する
ことを特徴とする光記録媒体が提供される。
【００１０】前記化１においてｘの範囲は０．８〜０．
９９が好ましく、０．９２〜０．９９がより好ましく、
０．９５〜０．９９が特に好ましい。ｘが０．８未満で
あると反射率が７０％以下となり、０．９９を越えると
ほぼＡｇ単独の特性と同じとなる。
９９が好ましく、０．９２〜０．９９がより好ましく、
０．９５〜０．９９が特に好ましい。ｘが０．８未満で
あると反射率が７０％以下となり、０．９９を越えると
ほぼＡｇ単独の特性と同じとなる。
【００１１】また、前記化２においてｙの範囲は０．６
〜０．９９が好ましく、０．７５〜０．９９がより好ま
しく、０．８５〜０．９９が特に好ましい。ｙが０．６
未満であると反射率が８０％以下となり、０．９９を越
えるとＡｇ単独の特性のほぼ同じとなる。
〜０．９９が好ましく、０．７５〜０．９９がより好ま
しく、０．８５〜０．９９が特に好ましい。ｙが０．６
未満であると反射率が８０％以下となり、０．９９を越
えるとＡｇ単独の特性のほぼ同じとなる。
【００１２】本発明による光反射放熱用材料は光ディス
ク等の光素子に好ましく利用されるが、特に相変化形光
ディスクの反射放熱層に用いた場合、合金組成の調整に
より熱伝導率を８×１０-2Ｗ／ｃｍ・Ｋ〜３．２Ｗ／ｃ
ｍ・Ｋと幅広く変化させることができる上、反射率も６
８％以上の値を得ることができるので、光ディスクの線
速度に対応した媒体提供が可能となる。例えば、コンピ
ューターメモリのように高速な情報の入出の場合は光デ
ィスクの線速度を早くする必要があり、その場合には、
記録レーザーパワーを一定としたときに単位時間、単位
面積当たりの照射エネルギーが低線速の場合より小さい
ので、蓄熱効果を向上すべく、熱伝導率が８×１０-2Ｗ
／ｃｍ・Ｋ〜９．５×１０-1Ｗ／ｃｍ・Ｋになるように
組成を調整することにより、線速度７ｍ／ｓｅｃ以上の
媒体に対応可能となる。また、音声や画像メモリ用ＣＤ
のばあいは線速度が遅いので放熱効果を高める必要があ
るが、その場合には熱伝導率が１．８Ｗ／ｃｍ・Ｋ〜
３．２Ｗ／ｃｍ・Ｋになるように組成を調整することに
より、放熱効果を高めることができ、記録（非晶質化）
に必要な急冷効果が得られ、線速度２ｍ／ｓｅｃ以下の
比較的低速度用の媒体に対応可能となる。
ク等の光素子に好ましく利用されるが、特に相変化形光
ディスクの反射放熱層に用いた場合、合金組成の調整に
より熱伝導率を８×１０-2Ｗ／ｃｍ・Ｋ〜３．２Ｗ／ｃ
ｍ・Ｋと幅広く変化させることができる上、反射率も６
８％以上の値を得ることができるので、光ディスクの線
速度に対応した媒体提供が可能となる。例えば、コンピ
ューターメモリのように高速な情報の入出の場合は光デ
ィスクの線速度を早くする必要があり、その場合には、
記録レーザーパワーを一定としたときに単位時間、単位
面積当たりの照射エネルギーが低線速の場合より小さい
ので、蓄熱効果を向上すべく、熱伝導率が８×１０-2Ｗ
／ｃｍ・Ｋ〜９．５×１０-1Ｗ／ｃｍ・Ｋになるように
組成を調整することにより、線速度７ｍ／ｓｅｃ以上の
媒体に対応可能となる。また、音声や画像メモリ用ＣＤ
のばあいは線速度が遅いので放熱効果を高める必要があ
るが、その場合には熱伝導率が１．８Ｗ／ｃｍ・Ｋ〜
３．２Ｗ／ｃｍ・Ｋになるように組成を調整することに
より、放熱効果を高めることができ、記録（非晶質化）
に必要な急冷効果が得られ、線速度２ｍ／ｓｅｃ以下の
比較的低速度用の媒体に対応可能となる。
【００１３】本発明による光記録媒体の一構成例を図１
に示す。図１に示す媒体は基板１上に、耐熱性保護層
２、記録層３、耐熱性保護層４及び反射放熱層５を順次
積層した構成を有する。もちろん、本発明はこの構成例
に限定されるものではなく、種々の変形、変更が可能で
ある。
に示す。図１に示す媒体は基板１上に、耐熱性保護層
２、記録層３、耐熱性保護層４及び反射放熱層５を順次
積層した構成を有する。もちろん、本発明はこの構成例
に限定されるものではなく、種々の変形、変更が可能で
ある。
【００１４】本発明で用いられる基板１は通常、ガラ
ス、セラミックスあるいは樹脂からなり、樹脂基板が成
型性、コスト等の点で好適である。樹脂の代表例として
はポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹
脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共
重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、
シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタ
ン樹脂等が挙げられるが、加工性、光学特性等の点でポ
リカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。ま
た、基板の形状としてはディスク状、カード状あるいは
シート状であってもよい。
ス、セラミックスあるいは樹脂からなり、樹脂基板が成
型性、コスト等の点で好適である。樹脂の代表例として
はポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹
脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共
重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、
シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタ
ン樹脂等が挙げられるが、加工性、光学特性等の点でポ
リカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。ま
た、基板の形状としてはディスク状、カード状あるいは
シート状であってもよい。
【００１５】耐熱性保護層２、４の材料としては、Ｓｉ
Ｏ，ＳｉＯ2 ，ＺｎＯ，ＳｎＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ
2 、Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ，ＺｒＯ2 等の金属酸化物、Ｓ
ｉ3Ｎ4 ，ＡｌＮ，ＴｉＮ，ＢＮ，ＺｒＮ等の窒化物、
ＺｎＳ，Ｉｎ2 Ｓ3 ，ＴａＳ4 等の硫化物、ＳｉＣ，Ｔ
ａＣ，Ｂ4 Ｃ，ＷＣ，ＴｉＣ，ＺｒＣ等の炭化物やタイ
ヤモンド状カーボン或いはそれらの混合物が挙げられ
る。また、必要に応じて不純物を含んでいても良い。こ
のような耐熱性保護層２、４は各種気相成膜法、例え
ば、真空蒸着法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、光Ｃ
ＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法等
によって形成できる。耐熱性保護層２、４の膜厚として
は２００〜５０００Å、好適には５００〜３０００Åと
するのがよい。２００Åより薄くなると耐熱性保護層と
しての機能を果たさなくなり、逆に５０００Åより厚く
なると感度低下を来したり、界面剥離を生じ易くなる。
また、必要に応じて保護層を多面化することもできる。
Ｏ，ＳｉＯ2 ，ＺｎＯ，ＳｎＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ
2 、Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ，ＺｒＯ2 等の金属酸化物、Ｓ
ｉ3Ｎ4 ，ＡｌＮ，ＴｉＮ，ＢＮ，ＺｒＮ等の窒化物、
ＺｎＳ，Ｉｎ2 Ｓ3 ，ＴａＳ4 等の硫化物、ＳｉＣ，Ｔ
ａＣ，Ｂ4 Ｃ，ＷＣ，ＴｉＣ，ＺｒＣ等の炭化物やタイ
ヤモンド状カーボン或いはそれらの混合物が挙げられ
る。また、必要に応じて不純物を含んでいても良い。こ
のような耐熱性保護層２、４は各種気相成膜法、例え
ば、真空蒸着法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、光Ｃ
ＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法等
によって形成できる。耐熱性保護層２、４の膜厚として
は２００〜５０００Å、好適には５００〜３０００Åと
するのがよい。２００Åより薄くなると耐熱性保護層と
しての機能を果たさなくなり、逆に５０００Åより厚く
なると感度低下を来したり、界面剥離を生じ易くなる。
また、必要に応じて保護層を多面化することもできる。
【００１６】記録層３は電磁波の照射により光学定数が
変化し、これにより情報の記録、再生及び消去が可能な
相変化形記録材料であれば適宜のものが使用可能であ
る。膜の形成はスパッタ法を用いて行なうのが好まし
い。この時の膜厚は１００〜２０００Å、好ましくは２
００〜１０００Åが好適である。１００Åより薄くなる
と記録層材料の特性が阻害されることとなり、逆に２０
００Åより厚くなると記録及び消去感度が低下すること
となる。
変化し、これにより情報の記録、再生及び消去が可能な
相変化形記録材料であれば適宜のものが使用可能であ
る。膜の形成はスパッタ法を用いて行なうのが好まし
い。この時の膜厚は１００〜２０００Å、好ましくは２
００〜１０００Åが好適である。１００Åより薄くなる
と記録層材料の特性が阻害されることとなり、逆に２０
００Åより厚くなると記録及び消去感度が低下すること
となる。
【００１７】反射放熱層５は本発明の特徴となるもの
で、前述の一般式化１又は化２で表わされる合金材料が
使用される。膜の形成は真空蒸着法、スパッタ法を用い
て行なうのが好ましく、この時の膜厚は使用する合金材
料の熱容量、屈折率にもよるが、３００〜２０００Å、
好ましくは５００〜１０００Åが好適である。３００Å
より薄くなると熱伝導率が低下することとなり、逆に２
０００Åより厚くなると熱容量が大きくなり、記録及び
消去感度が低下することとなる。
で、前述の一般式化１又は化２で表わされる合金材料が
使用される。膜の形成は真空蒸着法、スパッタ法を用い
て行なうのが好ましく、この時の膜厚は使用する合金材
料の熱容量、屈折率にもよるが、３００〜２０００Å、
好ましくは５００〜１０００Åが好適である。３００Å
より薄くなると熱伝導率が低下することとなり、逆に２
０００Åより厚くなると熱容量が大きくなり、記録及び
消去感度が低下することとなる。
【００１８】記録、再生及び消去に用いる電磁はとして
はレーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外
線、マイクロ波等、種々のものが採用可能であるが、ド
ライブに取付ける際、小型でコンパクトな半導体レーザ
ーのビームが最適である。
はレーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外
線、マイクロ波等、種々のものが採用可能であるが、ド
ライブに取付ける際、小型でコンパクトな半導体レーザ
ーのビームが最適である。
【００１９】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳しく説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。
【００２０】実施例１〜６及び比較例 ピッチ１．６μｍ、深さ７００Åの溝付きポリカーボネ
ート基板（厚さ１．２ｍｍ、直径８６ｍｍ）上にｒｆス
パッタ法により耐熱性保護層、記録層、耐熱性保護層及
び反射放熱層を順次積層し、評価用光ディスクを作製し
た。また、反射素を成膜する際、熱伝導率測定のために
２０ｍｍ×２０ｍｍ×１ｍｍのカバーグラスを取付け
た。各層に用いた材料と膜厚を表１に示す。また、反射
放熱層の熱伝導率と反射率の測定値を表２に示す。な
お、反射放熱層の熱伝導率の測定は膜厚が薄い場合は非
常に困難なため、４端子法により膜の電気伝導率を測定
し、ウィーデマン・フランツの法則にしたがい計算によ
り求めた。
ート基板（厚さ１．２ｍｍ、直径８６ｍｍ）上にｒｆス
パッタ法により耐熱性保護層、記録層、耐熱性保護層及
び反射放熱層を順次積層し、評価用光ディスクを作製し
た。また、反射素を成膜する際、熱伝導率測定のために
２０ｍｍ×２０ｍｍ×１ｍｍのカバーグラスを取付け
た。各層に用いた材料と膜厚を表１に示す。また、反射
放熱層の熱伝導率と反射率の測定値を表２に示す。な
お、反射放熱層の熱伝導率の測定は膜厚が薄い場合は非
常に困難なため、４端子法により膜の電気伝導率を測定
し、ウィーデマン・フランツの法則にしたがい計算によ
り求めた。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表２】
【００２３】以上のようにして作製した各光ディスクの
評価を、８３０ｎｍの半導体レーザー光をＮＡ０．５の
レンズを通して媒体面で直径１μｍのスポット径に絞り
込み基板から照射することにより行った。成膜後の記録
層は非晶質であったが、測定に際し、最初に媒体面で４
〜１０ｍＷのＤＣ光でディスク全面を十分に結晶化さ
せ、それを初期（未記録）状態とした。光ディスクの線
速度は、２ｍ／ｓ，７ｍ／ｓ，９ｍ／ｓ，１１ｍ／ｓ，
１５ｍ／ｓとし、記録の書込条件は各々の線速度に対し
て１．１４ＭＨｚ，３．９８ＭＨｚ，４．８ＭＨｚ，
５．８ＭＨｚ，７．９ＭＨｚとし、レーザーパワー（Ｐ
ｗ）を６〜１７ｍＷまで変化させた。読取パワーＰｒは
１．０ｍＷとした。Ｃ／Ｎ（キャリア対ノイズ比）値が
飽和もしくは最大となった時の書込レーザーパワーＰｗ
と最適消去パワーＰｅ、並びに得られたＣ／Ｎ値及び消
去比を各線速度ごとにそれぞれ表３〜７に示す。消去は
ＤＣ光で行った。
評価を、８３０ｎｍの半導体レーザー光をＮＡ０．５の
レンズを通して媒体面で直径１μｍのスポット径に絞り
込み基板から照射することにより行った。成膜後の記録
層は非晶質であったが、測定に際し、最初に媒体面で４
〜１０ｍＷのＤＣ光でディスク全面を十分に結晶化さ
せ、それを初期（未記録）状態とした。光ディスクの線
速度は、２ｍ／ｓ，７ｍ／ｓ，９ｍ／ｓ，１１ｍ／ｓ，
１５ｍ／ｓとし、記録の書込条件は各々の線速度に対し
て１．１４ＭＨｚ，３．９８ＭＨｚ，４．８ＭＨｚ，
５．８ＭＨｚ，７．９ＭＨｚとし、レーザーパワー（Ｐ
ｗ）を６〜１７ｍＷまで変化させた。読取パワーＰｒは
１．０ｍＷとした。Ｃ／Ｎ（キャリア対ノイズ比）値が
飽和もしくは最大となった時の書込レーザーパワーＰｗ
と最適消去パワーＰｅ、並びに得られたＣ／Ｎ値及び消
去比を各線速度ごとにそれぞれ表３〜７に示す。消去は
ＤＣ光で行った。
【００２４】
【表３】
【００２５】
【表４】
【００２６】
【表５】
【００２７】
【表６】
【００２８】
【表７】
【００２９】以上表１〜７から明らかなように、ＡｇＧ
ｅあるいはＡｇＣｒ合金を用いた反射放熱層はその合金
組成比を調整することにより熱伝導率を制御することが
可能であると同時に、反射率も反射層としての機能を有
していることが分かる。そしてこの反射放熱層を相変化
形光ディスクに用いるとき、その熱伝導率を制御すれ
ば、線速度を低速（２ｍ／ｓ以下）から中高速（７ｍ／
ｓ以上）に変化させてもそのディスク特性を低下させる
ことなく使用でき、目的に応じたシステムに対応可能な
相変化形光ディスクを提供することができる。
ｅあるいはＡｇＣｒ合金を用いた反射放熱層はその合金
組成比を調整することにより熱伝導率を制御することが
可能であると同時に、反射率も反射層としての機能を有
していることが分かる。そしてこの反射放熱層を相変化
形光ディスクに用いるとき、その熱伝導率を制御すれ
ば、線速度を低速（２ｍ／ｓ以下）から中高速（７ｍ／
ｓ以上）に変化させてもそのディスク特性を低下させる
ことなく使用でき、目的に応じたシステムに対応可能な
相変化形光ディスクを提供することができる。
【００３０】
【発明の効果】請求項１及び２の発明によれば、Ａｇ−
Ｇｅ合金材料及びＡｇ−Ｃｒ合金材料は、その合金組成
比を調整することにより熱伝導率を制御することが可能
であると同時に高い反射率を保持できるので、光素子特
に相変化形光記録媒体用の反射放熱用材料として好適で
ある。請求項３の発明によれば、反射放熱層に使用した
Ａｇ−Ｇｅ合金材料及びＡｇ−Ｃｒ合金材料は、その合
金組成比を調整すれば熱伝導率を幅広く調整することが
できるので、記録媒体をディスク状等にしたときには、
線速に対応した高感度な光記録媒体を提供することがで
きる。
Ｇｅ合金材料及びＡｇ−Ｃｒ合金材料は、その合金組成
比を調整することにより熱伝導率を制御することが可能
であると同時に高い反射率を保持できるので、光素子特
に相変化形光記録媒体用の反射放熱用材料として好適で
ある。請求項３の発明によれば、反射放熱層に使用した
Ａｇ−Ｇｅ合金材料及びＡｇ−Ｃｒ合金材料は、その合
金組成比を調整すれば熱伝導率を幅広く調整することが
できるので、記録媒体をディスク状等にしたときには、
線速に対応した高感度な光記録媒体を提供することがで
きる。
【図１】本発明による相変化形光記録媒体の一構成例を
模式的に示す断面図である。
模式的に示す断面図である。
【符号の説明】 １ 基板 ２、４ 耐熱性保護層 ３ 記録層 ５ 反射放熱層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (3)
- 【請求項１】 下記一般式化１で表わされる合金よりな
ることを特徴とする光反射放熱用材料。 【化１】 - 【請求項２】 下記一般式化２で表わされる合金よりな
ることを特徴とする光反射放熱用材料。 【化２】 - 【請求項３】 基板上に設けられた記録層に電磁波を照
射することにより記録層材料の光学定数を変化させ、こ
れにより情報の記録、再生及び消去が可能な光記録媒体
において、請求項１又は２に記載の材料よりなる反射放
熱層を有することを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4103598A JPH05282704A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 光反射放熱用材料及びそれを用いた光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4103598A JPH05282704A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 光反射放熱用材料及びそれを用いた光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05282704A true JPH05282704A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=14358207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4103598A Pending JPH05282704A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 光反射放熱用材料及びそれを用いた光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05282704A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1047056A1 (en) * | 1998-09-09 | 2000-10-25 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium and optical recording method |
-
1992
- 1992-03-30 JP JP4103598A patent/JPH05282704A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1047056A1 (en) * | 1998-09-09 | 2000-10-25 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium and optical recording method |
| US6996052B1 (en) | 1998-09-09 | 2006-02-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium and optical recording method |
| EP1047056A4 (en) * | 1998-09-09 | 2007-07-18 | Mitsubishi Kagaku Media Co Ltd | OPTICAL RECORDING MEDIUM AND OPTICAL RECORDING METHOD |
| US7539110B2 (en) | 1998-09-09 | 2009-05-26 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical information recording medium and optical recording method |
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