JPH05185733A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH05185733A JPH05185733A JP4001489A JP148992A JPH05185733A JP H05185733 A JPH05185733 A JP H05185733A JP 4001489 A JP4001489 A JP 4001489A JP 148992 A JP148992 A JP 148992A JP H05185733 A JPH05185733 A JP H05185733A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective layer
- recording
- layer
- recording medium
- resin
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来の情報記録媒体に比較して繰返し性能の
優れた記録媒体を提供すること。 【構成】 基板１上に下部保護層２、記録層３、上部保
護層４、反射層５を有する情報記録媒体において、その
記録層がＡｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂを含有し、下部保護層
２がＳｉＮX、上部保護層４がＳｉＣまたはＡｌＮであ
り、更に必要により有機保護層６を有する情報記録媒
体。
優れた記録媒体を提供すること。 【構成】 基板１上に下部保護層２、記録層３、上部保
護層４、反射層５を有する情報記録媒体において、その
記録層がＡｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂを含有し、下部保護層
２がＳｉＮX、上部保護層４がＳｉＣまたはＡｌＮであ
り、更に必要により有機保護層６を有する情報記録媒
体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は情報記録媒体、特に相変
化型情報記録媒体であって、光ビームを照射することに
より記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再生
を行い、かつ書換えが可能である情報記録媒体に関する
ものであり、光メモリー関連機器に応用される。
化型情報記録媒体であって、光ビームを照射することに
より記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再生
を行い、かつ書換えが可能である情報記録媒体に関する
ものであり、光メモリー関連機器に応用される。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生及び消去可能な光メモリー媒体の一
つとして、結晶−非晶質相間あるいは結晶−結晶相間の
転移を利用する、いわゆる相変化型記録媒体が良く知ら
れている。特に相変化記録では光磁気記録では困難な単
一ビームによるオーバーライトが可能であり、ドライブ
側の光学系もより単純であることなどから最近その研究
開発が活発になっている。その代表的な材料例として、
ＵＳＰ３，５３０，４４１に開示されているようにＧｅ
−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓ
ｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ，Ｉｎ−
Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材料
があげられる。また安定性、高速結晶化などの向上を目
的にＧｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９
２）、Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０１９０）、Ｐ
ｂ（特開昭６２−１９４９０）等を添加した材料の提案
や、記録／消去の繰返し性能向上を目的にＧｅ−Ｔｅ−
Ｓｅ−Ｓｂの組成比を特定した材料（特開昭６２−７３
４３８）の提案などもなされている。しかしながら、そ
のいずれもが相変化型書換え可能光メモリー媒体として
要求される諸特性のすべてを満足しうるものとはいえな
い。特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライト時
の消し残りによる消去比低下の防止、並びに記録部、未
記録部の長寿命化繰返し性能の向上が解決すべき最重要
課題となっている。
る情報の記録、再生及び消去可能な光メモリー媒体の一
つとして、結晶−非晶質相間あるいは結晶−結晶相間の
転移を利用する、いわゆる相変化型記録媒体が良く知ら
れている。特に相変化記録では光磁気記録では困難な単
一ビームによるオーバーライトが可能であり、ドライブ
側の光学系もより単純であることなどから最近その研究
開発が活発になっている。その代表的な材料例として、
ＵＳＰ３，５３０，４４１に開示されているようにＧｅ
−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓ
ｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ，Ｉｎ−
Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材料
があげられる。また安定性、高速結晶化などの向上を目
的にＧｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９
２）、Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０１９０）、Ｐ
ｂ（特開昭６２−１９４９０）等を添加した材料の提案
や、記録／消去の繰返し性能向上を目的にＧｅ−Ｔｅ−
Ｓｅ−Ｓｂの組成比を特定した材料（特開昭６２−７３
４３８）の提案などもなされている。しかしながら、そ
のいずれもが相変化型書換え可能光メモリー媒体として
要求される諸特性のすべてを満足しうるものとはいえな
い。特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライト時
の消し残りによる消去比低下の防止、並びに記録部、未
記録部の長寿命化繰返し性能の向上が解決すべき最重要
課題となっている。
【０００３】また特開昭６３−２５１２９０では、結晶
状態が実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録
層を具備した光記録媒体が提案されている。ここで実質
的に三元以上の多元化合物単相とは三元以上の化学量論
組成をもった化合物（例えばＩｎ3−Ｓｂ−Ｔｅ2）を記
録層中に９０原子％以上含むものとされている。このよ
うな記録層を用いることにより記録、消去特性の向上が
図れるとしている。しかしながら、消去比が低い、記
録、消去に要するレーザーパワーがいまだ十分に低減さ
れてはいない等の欠点を有している。これらの事情から
消去比が高く、高感度の記録、消去に適し、かつ繰返し
性能の優れた記録材料の開発が望まれていた。
状態が実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録
層を具備した光記録媒体が提案されている。ここで実質
的に三元以上の多元化合物単相とは三元以上の化学量論
組成をもった化合物（例えばＩｎ3−Ｓｂ−Ｔｅ2）を記
録層中に９０原子％以上含むものとされている。このよ
うな記録層を用いることにより記録、消去特性の向上が
図れるとしている。しかしながら、消去比が低い、記
録、消去に要するレーザーパワーがいまだ十分に低減さ
れてはいない等の欠点を有している。これらの事情から
消去比が高く、高感度の記録、消去に適し、かつ繰返し
性能の優れた記録材料の開発が望まれていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術に比較して消去比の飛躍的向上を達成し、繰返し性能
に優れた特性を持つ情報記録媒体を提供するものであ
る。
術に比較して消去比の飛躍的向上を達成し、繰返し性能
に優れた特性を持つ情報記録媒体を提供するものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、以上の
ような事情に対するものであり、消去比が高く、高速記
録消去時においても低パワーで記録−消去の繰返しが可
能であり、繰返し性能の優れた情報記録媒体を提供する
ものである。そこで本発明者等は鋭意研究を重ねた結
果、前述の目的に合致する記録材料、及び保護層材料を
見出した。即ち、本発明は基板上に設けられた記録層中
に、主成分としてＡｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂを含有するこ
とを特徴とし、更に記録層の下側の保護層に窒化物であ
るＳｉＮXを、また上側の保護層をＳｉＮXよりも熱伝導
率の高い材料すなわち、ＳｉＣまたはＡｌＮを用いるも
のである。
ような事情に対するものであり、消去比が高く、高速記
録消去時においても低パワーで記録−消去の繰返しが可
能であり、繰返し性能の優れた情報記録媒体を提供する
ものである。そこで本発明者等は鋭意研究を重ねた結
果、前述の目的に合致する記録材料、及び保護層材料を
見出した。即ち、本発明は基板上に設けられた記録層中
に、主成分としてＡｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂを含有するこ
とを特徴とし、更に記録層の下側の保護層に窒化物であ
るＳｉＮXを、また上側の保護層をＳｉＮXよりも熱伝導
率の高い材料すなわち、ＳｉＣまたはＡｌＮを用いるも
のである。
【０００６】以下、本発明を添付図面に基づき説明す
る。
る。
【０００７】図１は、本発明の構成例を示すものであ
る。基板１上に保護層２、記録層３、保護層４、反射層
５、有機保護層６が設けられている。有機保護層６は長
期保存性を考えた時に反射層を水分、酸素などから保護
するもので、場合によって無機保護層を使用する場合も
ある。
る。基板１上に保護層２、記録層３、保護層４、反射層
５、有機保護層６が設けられている。有機保護層６は長
期保存性を考えた時に反射層を水分、酸素などから保護
するもので、場合によって無機保護層を使用する場合も
ある。
【０００８】基板の材料は、通常ガラス、あるいは樹脂
であるが、特に樹脂基板が成形性、コスト等の点で好適
である。樹脂の代表例としては、ポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ＡＰＯ樹脂、ＰＭＭ
Ａ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレ
ン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹
脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレ
タン樹脂等があげられるが、加工性、光学特性等の点で
ポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂、ＡＰＯ樹脂が
好ましい。また、基板の形状としてはディスク状、カー
ド状あるいはシート状であってもよい。
であるが、特に樹脂基板が成形性、コスト等の点で好適
である。樹脂の代表例としては、ポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ＡＰＯ樹脂、ＰＭＭ
Ａ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレ
ン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹
脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレ
タン樹脂等があげられるが、加工性、光学特性等の点で
ポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂、ＡＰＯ樹脂が
好ましい。また、基板の形状としてはディスク状、カー
ド状あるいはシート状であってもよい。
【０００９】本発明の記録層としてはＡｇ−Ｉｎ−Ｔｅ
−Ｓｂが用いられるが、この材料を用いることで消去特
性を飛躍的に向上させることができる。同記録層は各種
気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プ
ラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング
法、電子ビーム蒸着法等によって形成できる。気相成長
法以外にゾル−ゲル法のような湿気プロセスも適用可能
である。記録層の膜厚としては２００〜１０００Å、好
適には５００〜３０００Åとするのが良い。２００Åよ
り薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層としての役割
を果たさなくなる。
−Ｓｂが用いられるが、この材料を用いることで消去特
性を飛躍的に向上させることができる。同記録層は各種
気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プ
ラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング
法、電子ビーム蒸着法等によって形成できる。気相成長
法以外にゾル−ゲル法のような湿気プロセスも適用可能
である。記録層の膜厚としては２００〜１０００Å、好
適には５００〜３０００Åとするのが良い。２００Åよ
り薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層としての役割
を果たさなくなる。
【００１０】また、１００００Åより厚いと高速で均一
な相変化が起こりにくくなる。
な相変化が起こりにくくなる。
【００１１】記録層の下部保護層材料としては、窒化物
であるＳｉＮXを用いる。この材料を用いる主な目的と
しては、繰返し記録を行った場合、記録層と下部保護層
の界面において記録層の材料として用いているＡｇが保
護層材料と反応し、他の化合物を作製するのを防止する
ためである。そこでＡｇと化合物を作製しない窒化物で
あるＳｉＮXが好適な材料となる。また、上部保護層に
関しても同様であり、窒化物、炭化物などの材料を用い
る方が良く、特に、Ｃ／Ｎや消去特性が良好で、熱伝導
率の良いＳｉＣ、ＡｌＮが好適な材料となる。この様な
保護層は各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタ
リング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレ
ーティング法、電子ビーム蒸着法等によって形成でき
る。保護層の膜厚としては２００〜５０００Å、好適に
は５００〜３０００Åとするのが良い。２００Åより薄
くなると耐熱性保護層としての機能を果たさなくなり、
逆に５０００Åよりも厚くなると、感度の低下を招いた
り、界面剥離が生じやすくなる。また、必要に応じて保
護層を多層化することもできる。
であるＳｉＮXを用いる。この材料を用いる主な目的と
しては、繰返し記録を行った場合、記録層と下部保護層
の界面において記録層の材料として用いているＡｇが保
護層材料と反応し、他の化合物を作製するのを防止する
ためである。そこでＡｇと化合物を作製しない窒化物で
あるＳｉＮXが好適な材料となる。また、上部保護層に
関しても同様であり、窒化物、炭化物などの材料を用い
る方が良く、特に、Ｃ／Ｎや消去特性が良好で、熱伝導
率の良いＳｉＣ、ＡｌＮが好適な材料となる。この様な
保護層は各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタ
リング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレ
ーティング法、電子ビーム蒸着法等によって形成でき
る。保護層の膜厚としては２００〜５０００Å、好適に
は５００〜３０００Åとするのが良い。２００Åより薄
くなると耐熱性保護層としての機能を果たさなくなり、
逆に５０００Åよりも厚くなると、感度の低下を招いた
り、界面剥離が生じやすくなる。また、必要に応じて保
護層を多層化することもできる。
【００１２】反射層としてはＡｌ，Ａｕなどの金属材
料、またはそれらの合金などを用いることができるが、
必ずしも必要ではない。このような反射層は各種気相成
長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ
ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法等によって形成できる。
料、またはそれらの合金などを用いることができるが、
必ずしも必要ではない。このような反射層は各種気相成
長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ
ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法等によって形成できる。
【００１３】有機保護層としてはアクリル系、エポキシ
系の紫外線硬化樹脂を用いることができるが、窒化物、
酸化物などの無機保護層を用いても良い。有機保護層の
作製方法としてはスピンコートなどを用いることで形成
できる。
系の紫外線硬化樹脂を用いることができるが、窒化物、
酸化物などの無機保護層を用いても良い。有機保護層の
作製方法としてはスピンコートなどを用いることで形成
できる。
【００１４】記録、再生及び消去に用いる電磁波として
はレーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外
線、マイクロ波等、種々のものが採用可能であるが、ド
ライブに取り付ける際、小型でコンパクトな半導体レー
ザーが最適である。
はレーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外
線、マイクロ波等、種々のものが採用可能であるが、ド
ライブに取り付ける際、小型でコンパクトな半導体レー
ザーが最適である。
【００１５】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。但し、これらの実施例は本発明をなんら制限する
ものではない。
する。但し、これらの実施例は本発明をなんら制限する
ものではない。
【００１６】実施例１ ピッチ１．６μｍ、深さ７００Åの溝付き、厚さ１．２
ｍｍ、直径８６ｍｍφのポリカーボネートディスク基板
上に、ｒｆスパッタリング法により下部保護層、記録
層、上部保護層、反射層を順次積層し、評価用光ディス
クを作製した。記録材料としてはＡｇ10Ｉｎ10Ｔｅ20Ｓ
ｂ60を用い、膜厚は１０００Åとした。膜中に含まれる
元素の組成比はオージェ電子分光方法を用いて求めた。
反射層はＡｌを用い、膜厚５００Åとした。下部保護層
はＳｉ3Ｎ4を用い、膜厚は２０００Å、上部保護層はＡ
ｌＮを用い、膜厚は１０００Åとした。
ｍｍ、直径８６ｍｍφのポリカーボネートディスク基板
上に、ｒｆスパッタリング法により下部保護層、記録
層、上部保護層、反射層を順次積層し、評価用光ディス
クを作製した。記録材料としてはＡｇ10Ｉｎ10Ｔｅ20Ｓ
ｂ60を用い、膜厚は１０００Åとした。膜中に含まれる
元素の組成比はオージェ電子分光方法を用いて求めた。
反射層はＡｌを用い、膜厚５００Åとした。下部保護層
はＳｉ3Ｎ4を用い、膜厚は２０００Å、上部保護層はＡ
ｌＮを用い、膜厚は１０００Åとした。
【００１７】ディスクの評価は８３０ｎｍの半導体レー
ザー光をＮＡ＝０．５のレンズを通して媒体面で１μｍ
φのスポット径にしぼり込み基板側から照射することに
より行った。
ザー光をＮＡ＝０．５のレンズを通して媒体面で１μｍ
φのスポット径にしぼり込み基板側から照射することに
より行った。
【００１８】製膜後の記録膜は非晶質である。測定に際
し、まず最初に媒体面で９ｍＷのＤＣ光、線速７ｍ／ｓ
ｅｃでディスク全面を十分に結晶化させ、それを初期
（未記録）状態とした。
し、まず最初に媒体面で９ｍＷのＤＣ光、線速７ｍ／ｓ
ｅｃでディスク全面を十分に結晶化させ、それを初期
（未記録）状態とした。
【００１９】実施例２ 同上のポリカーボネートディスク基板上に、ｒｆスパッ
タリング法により下部保護層、記録層、上部保護層、反
射層を順次積層し、評価用光ディスクを作製した。記録
材料としてはＡｇ10Ｉｎ10Ｔｅ20Ｓｂ60を用い、膜厚は
１０００Åとした。反射層はＡｌを用い、膜厚５００Å
とした。下部保護層はＳｉ3Ｎ4を用い膜厚は２０００
Å、上部保護層はＳｉＣを用い、膜厚は１０００Åとし
た。
タリング法により下部保護層、記録層、上部保護層、反
射層を順次積層し、評価用光ディスクを作製した。記録
材料としてはＡｇ10Ｉｎ10Ｔｅ20Ｓｂ60を用い、膜厚は
１０００Åとした。反射層はＡｌを用い、膜厚５００Å
とした。下部保護層はＳｉ3Ｎ4を用い膜厚は２０００
Å、上部保護層はＳｉＣを用い、膜厚は１０００Åとし
た。
【００２０】製膜後の記録膜は非晶質であるので、この
ディスクについても最初に媒体面で９ｍＷのＤＣ光、線
速７ｍ／ｓｅｃでディスク全面を十分に結晶化させ、そ
れを初期（未記録）状態とした。
ディスクについても最初に媒体面で９ｍＷのＤＣ光、線
速７ｍ／ｓｅｃでディスク全面を十分に結晶化させ、そ
れを初期（未記録）状態とした。
【００２１】比較例 記録層に実施例と同様の材料を、下部保護層、上部保護
層にＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いたディスクを作製した。デ
ィスク構成は実施例と同様である。製膜後の記録膜はや
はり非晶質であるので、ＤＣ光パワー１１ｍＷで初期化
した。
層にＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いたディスクを作製した。デ
ィスク構成は実施例と同様である。製膜後の記録膜はや
はり非晶質であるので、ＤＣ光パワー１１ｍＷで初期化
した。
【００２２】図２に実施例１、２及び比較例の繰返しオ
ーバーライトによる結果を示す。記録条件は、線速度７
ｍ／ｓｅｃで、周波数４ＭＨｚと５ＭＨｚの信号を繰返
し記録して行なった。実施例についてはＰｅａｋ Ｐｏ
ｗｅｒ＝１３ｍＷ、ＢｉａｓＰｏｗｅｒ＝７ｍＷ、比較
例についてはＰｅａｋ Ｐｏｗｅｒ＝１２ｍＷ、Ｂｉａ
ｓ Ｐｏｗｅｒ＝６ｍＷ、またそれぞれＲｅａｄ Ｐｏ
ｗｅｒ＝１ｍＷとした。
ーバーライトによる結果を示す。記録条件は、線速度７
ｍ／ｓｅｃで、周波数４ＭＨｚと５ＭＨｚの信号を繰返
し記録して行なった。実施例についてはＰｅａｋ Ｐｏ
ｗｅｒ＝１３ｍＷ、ＢｉａｓＰｏｗｅｒ＝７ｍＷ、比較
例についてはＰｅａｋ Ｐｏｗｅｒ＝１２ｍＷ、Ｂｉａ
ｓ Ｐｏｗｅｒ＝６ｍＷ、またそれぞれＲｅａｄ Ｐｏ
ｗｅｒ＝１ｍＷとした。
【００２３】この図から判るように、実施例１、２のデ
ィスクは比較例に比べ、繰返し性能が非常に優れてい
る。
ィスクは比較例に比べ、繰返し性能が非常に優れてい
る。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、基板上に下部保護
層／記録層／上部保護層／反射層から成る構成におい
て、その記録層中に、主成分としてＡｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−
Ｓｂを含有し、また、上記記録層の下部保護層に窒化物
であるＳｉＮXを、上部保護層にＳｉＮXよりも熱伝導が
高いＳｉＣ、ＡｌＮを組み合わせて使用することによ
り、従来技術に比較して、繰返し性能に優れた情報記録
媒体を提供することができる。
層／記録層／上部保護層／反射層から成る構成におい
て、その記録層中に、主成分としてＡｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−
Ｓｂを含有し、また、上記記録層の下部保護層に窒化物
であるＳｉＮXを、上部保護層にＳｉＮXよりも熱伝導が
高いＳｉＣ、ＡｌＮを組み合わせて使用することによ
り、従来技術に比較して、繰返し性能に優れた情報記録
媒体を提供することができる。
【図１】本発明の情報記録媒体の構成の一例を示す断面
の模式図。
の模式図。
【図２】本発明の実施例と比較例の情報記録媒体の繰返
し記録回数とＣ／Ｎ比の関係を示すグラフである。
し記録回数とＣ／Ｎ比の関係を示すグラフである。
１ 基板 ２ 下部保護層 ３ 記録層 ４ 上部保護層 ５ 反射層（放熱層） ６ 有機保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に、下部保護層、記録層、上部保
護層、反射層を有する情報記録媒体において、その記録
層がＡｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂを含有し、下部保護層がＳ
ｉＮX、上部保護層がＳｉＣまたはＡｌＮであることを
特徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4001489A JPH05185733A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4001489A JPH05185733A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05185733A true JPH05185733A (ja) | 1993-07-27 |
Family
ID=11502863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4001489A Pending JPH05185733A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05185733A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0735158A3 (en) * | 1995-03-31 | 1999-12-29 | Ricoh Company, Ltd | Sputtering target and its use in the production of an optical recording medium |
| US6319368B1 (en) | 1995-03-31 | 2001-11-20 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target, method of producing the target, optical recording medium fabricated by using the sputtering target, and method of forming recording layer for the optical recording medium |
| US6555196B2 (en) | 1995-03-08 | 2003-04-29 | Ricoh Company, Ltd. | Optical data recording medium and material for heat-resistant protection layer for the same |
| EP1426940A1 (en) * | 2001-09-12 | 2004-06-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and recording method using it |
-
1992
- 1992-01-08 JP JP4001489A patent/JPH05185733A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP0735158A3 (en) * | 1995-03-31 | 1999-12-29 | Ricoh Company, Ltd | Sputtering target and its use in the production of an optical recording medium |
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