JP3222909B2 - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
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- JP3222909B2 JP3222909B2 JP00090092A JP90092A JP3222909B2 JP 3222909 B2 JP3222909 B2 JP 3222909B2 JP 00090092 A JP00090092 A JP 00090092A JP 90092 A JP90092 A JP 90092A JP 3222909 B2 JP3222909 B2 JP 3222909B2
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- Japan
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- erasing
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- protective layer
- resin
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は情報記録媒体、特に相変
化型情報記録媒体であって、光ビームを照射することに
より記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再生
を行い、かつ書換えが可能である情報記録媒体に関する
ものであり、光メモリー関連機器に応用される。
化型情報記録媒体であって、光ビームを照射することに
より記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再生
を行い、かつ書換えが可能である情報記録媒体に関する
ものであり、光メモリー関連機器に応用される。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生及び消去可能な光メモリーの一つと
して、結晶−非晶質相間あるいは結晶−結晶相間の転移
を利用する、いわゆる相変化型記録媒体が良く知られて
いる。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビームによる
オーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系もよ
り単純であることなどから最近その研究開発が活発にな
っている。その代表的な材料例として、ＵＰＳ３，５３
０，４４１に開示されているようにＧｅ−Ｔｅ，Ｇｅ−
Ｔｅ−Ｓｎ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ，Ｇｅ−
Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ｔ
ｅ，Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材料が
あげられる。また安定性、高速結晶化などの向上を目的
にＧｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２）、
Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０１９０）、Ｐｄ（特
開昭６２−１９４９０）等を添加した材料の提案や、記
録／消去の繰返し性能向上を目的にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−
Ｓｂの組成比を特定した材料（特開昭６２−７３４３
８）の提案などもなされている。しかしながら、そのい
ずれもが相変化型書換え可能光メモリー媒体として要求
される諸特性のすべてを満足しうるものとはいえない。
特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライト時の消
しのこりによる消去比低下の防止、並びに記録部、未記
録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっている。
る情報の記録、再生及び消去可能な光メモリーの一つと
して、結晶−非晶質相間あるいは結晶−結晶相間の転移
を利用する、いわゆる相変化型記録媒体が良く知られて
いる。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビームによる
オーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系もよ
り単純であることなどから最近その研究開発が活発にな
っている。その代表的な材料例として、ＵＰＳ３，５３
０，４４１に開示されているようにＧｅ−Ｔｅ，Ｇｅ−
Ｔｅ−Ｓｎ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ，Ｇｅ−
Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ｔ
ｅ，Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材料が
あげられる。また安定性、高速結晶化などの向上を目的
にＧｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２）、
Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０１９０）、Ｐｄ（特
開昭６２−１９４９０）等を添加した材料の提案や、記
録／消去の繰返し性能向上を目的にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−
Ｓｂの組成比を特定した材料（特開昭６２−７３４３
８）の提案などもなされている。しかしながら、そのい
ずれもが相変化型書換え可能光メモリー媒体として要求
される諸特性のすべてを満足しうるものとはいえない。
特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライト時の消
しのこりによる消去比低下の防止、並びに記録部、未記
録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっている。
【０００３】また特開昭６３−２５１２９０では、結晶
状態が実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録
層を具備した光記録媒体が提案されている。ここで実質
的に三元以上の多元化合物単相とは三元以上の化学量論
組成をもった化合物（例えばＩｎ3ＳｂＴｅ2）を記録層
中に９０原子％以上含むものとされている。このような
記録層を用いることにより記録、消去特性の向上が図れ
るとしている。しかしながら消去比が低い、記録、消去
に要するレーザーパワーがいまだ十分に低減されていな
い等の欠点を有している。これらの事情から消去比が高
く、高感度の記録、消去に適する記録材料の開発が望ま
れていた。
状態が実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録
層を具備した光記録媒体が提案されている。ここで実質
的に三元以上の多元化合物単相とは三元以上の化学量論
組成をもった化合物（例えばＩｎ3ＳｂＴｅ2）を記録層
中に９０原子％以上含むものとされている。このような
記録層を用いることにより記録、消去特性の向上が図れ
るとしている。しかしながら消去比が低い、記録、消去
に要するレーザーパワーがいまだ十分に低減されていな
い等の欠点を有している。これらの事情から消去比が高
く、高感度の記録、消去に適する記録材料の開発が望ま
れていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術に比較して消去比の飛躍的向上を達成する情報記録媒
体を提供するものである。
術に比較して消去比の飛躍的向上を達成する情報記録媒
体を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、以上の
ような事情に対するものであり、消去比が高く、高速記
録消去時においても低パワーで記録−消去の繰返しが可
能な情報記録媒体を提供するものである。
ような事情に対するものであり、消去比が高く、高速記
録消去時においても低パワーで記録−消去の繰返しが可
能な情報記録媒体を提供するものである。
【０００６】そこで本発明者等は改善に鋭意研究を重ね
た結果、前述目的に合致する記録材料を見出した。即ち
本発明は基板上に設けられた記録層中に、主成分として
下記一般式で表わされる物質を有することを特徴とする
ものである。
た結果、前述目的に合致する記録材料を見出した。即ち
本発明は基板上に設けられた記録層中に、主成分として
下記一般式で表わされる物質を有することを特徴とする
ものである。
【０００７】ＡｇαＩｎβＳｅγＳｂδ ただし、 ３ ≦ α ≦１９ （ａｔ．％） ４ ≦ β ≦２０ （ａｔ．％） ８ ≦ γ ≦３８ （ａｔ．％） ２３≦ δ ≦８５ （ａｔ．％） α＋β＋γ＋δ＝１ ここでα、β、γ、δは記録膜中に含まれる各元素の平
均組成を表す。これらの値は、例えばオージェ電子分光
法、Ｘ線光電子分光法、２次イオン質量分析、ラザフォ
ード後方散乱分析等で測定される量である。また、製膜
過程中で自然に混入するＯ、Ｎ、Ｃなどの微量成分が膜
中に存在しても記録材としての性能に影響はない。好適
には６≦α≦１６、６≦β≦１８、１５≦γ≦３８、３
０≦δ≦７０の範囲がよい。Ａｇが３％より少くなると
消去比が低くなり、１９％より多くなると、保存性が悪
化する。Ｉｎが４％より少なくなると感度が低下し、２
０％より多くなるとやはり保存安定性が悪化する。Ｓｅ
が３％より少なくなるとＣ／Ｎが低下し、３８％より多
くなると耐環境性が劣化する。Ｓｂが２３％より少なく
なると感度、消去比が低下し、８５％より多くなるとＣ
／Ｎの低下をまねく。以下本発明を添付図面に基づき説
明する。図１は、本発明の構成例を示すものである。基
板（１）上に耐熱性保護層（２）、記録層（３）、耐熱
性保護層（４）、反射層（５）が設けられている。耐熱
性保護層は必ずしも記録層の両側に設ける必要はなく、
耐熱性保護層（２）のみ、あるいは耐熱性保護層（４）
のみの構造でもよい、基板がポリカーボネート樹脂のよ
うに耐熱性が低い材料の場合には耐熱性保護層（２）を
設けることが望ましい。
均組成を表す。これらの値は、例えばオージェ電子分光
法、Ｘ線光電子分光法、２次イオン質量分析、ラザフォ
ード後方散乱分析等で測定される量である。また、製膜
過程中で自然に混入するＯ、Ｎ、Ｃなどの微量成分が膜
中に存在しても記録材としての性能に影響はない。好適
には６≦α≦１６、６≦β≦１８、１５≦γ≦３８、３
０≦δ≦７０の範囲がよい。Ａｇが３％より少くなると
消去比が低くなり、１９％より多くなると、保存性が悪
化する。Ｉｎが４％より少なくなると感度が低下し、２
０％より多くなるとやはり保存安定性が悪化する。Ｓｅ
が３％より少なくなるとＣ／Ｎが低下し、３８％より多
くなると耐環境性が劣化する。Ｓｂが２３％より少なく
なると感度、消去比が低下し、８５％より多くなるとＣ
／Ｎの低下をまねく。以下本発明を添付図面に基づき説
明する。図１は、本発明の構成例を示すものである。基
板（１）上に耐熱性保護層（２）、記録層（３）、耐熱
性保護層（４）、反射層（５）が設けられている。耐熱
性保護層は必ずしも記録層の両側に設ける必要はなく、
耐熱性保護層（２）のみ、あるいは耐熱性保護層（４）
のみの構造でもよい、基板がポリカーボネート樹脂のよ
うに耐熱性が低い材料の場合には耐熱性保護層（２）を
設けることが望ましい。
【０００８】本発明の記録層は各種気相成長法、例えば
真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光
ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法
等によって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル法の
ような湿式プロセスも適用可能である。原材料の調整は
各々４元素を目的の組成に混合してもよいし、又２元以
上の化合物の組み合わせを目的の組成に合わせて混合し
てもよい。記録層の膜厚としては２００〜１００００
Å、好適には５００〜３０００Åとするのが良い。２０
０Åより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層として
の役割を果たさなくなる。また１００００Åより厚いと
高速で均一な相変化が起こりにくくなる。基板の材料は
通常ガラス、セラミックス、あるいは樹脂であり、樹脂
基板が成形性、コスト等の点で好適である。樹脂の代表
例としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチ
レン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン
樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウ
レタン樹脂等があげられるが、加工性、光学特性等の点
でポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。
また基板の形状としてはディスク状、カード状あるいは
シート状であってもよい。耐熱性保護層の材料として
は、ＳｉＯ，ＳｉＯ2，ＺｎＯ，ＳｎＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔ
ｉＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＺｒＯ2等の金属酸化物、Ｓ
ｉ3Ｎ4，ＡｌＮ，ＴｉＮ，ＢＮ，ＺｒＮなどの窒化物、
ＺｎＳ，Ｉｎ2Ｓ3，ＴａＳ4等の硫化物、ＳｉＣ，Ｔａ
Ｃ，Ｂ4Ｃ，ＷＣ，ＴｉＣ，ＺｒＣなどの炭化物やダイ
ヤモンド状カーボンあるいはそれらの混合物があげられ
る。これらの材料は単体で保護層とすることもできる
が、お互いの混合物としてもよい。また、必要に応じて
不純物を含んでいてもよい。
真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光
ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法
等によって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル法の
ような湿式プロセスも適用可能である。原材料の調整は
各々４元素を目的の組成に混合してもよいし、又２元以
上の化合物の組み合わせを目的の組成に合わせて混合し
てもよい。記録層の膜厚としては２００〜１００００
Å、好適には５００〜３０００Åとするのが良い。２０
０Åより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層として
の役割を果たさなくなる。また１００００Åより厚いと
高速で均一な相変化が起こりにくくなる。基板の材料は
通常ガラス、セラミックス、あるいは樹脂であり、樹脂
基板が成形性、コスト等の点で好適である。樹脂の代表
例としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチ
レン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン
樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウ
レタン樹脂等があげられるが、加工性、光学特性等の点
でポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。
また基板の形状としてはディスク状、カード状あるいは
シート状であってもよい。耐熱性保護層の材料として
は、ＳｉＯ，ＳｉＯ2，ＺｎＯ，ＳｎＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔ
ｉＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＺｒＯ2等の金属酸化物、Ｓ
ｉ3Ｎ4，ＡｌＮ，ＴｉＮ，ＢＮ，ＺｒＮなどの窒化物、
ＺｎＳ，Ｉｎ2Ｓ3，ＴａＳ4等の硫化物、ＳｉＣ，Ｔａ
Ｃ，Ｂ4Ｃ，ＷＣ，ＴｉＣ，ＺｒＣなどの炭化物やダイ
ヤモンド状カーボンあるいはそれらの混合物があげられ
る。これらの材料は単体で保護層とすることもできる
が、お互いの混合物としてもよい。また、必要に応じて
不純物を含んでいてもよい。
【０００９】但し耐熱保護層の融点は記録層の融点より
も高いことが必要である。このような耐熱性保護層は各
種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、
プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング
法、電子ビーム蒸着法等によって形成できる。耐熱性保
護層の膜厚としては２００〜５０００Å、好適には５０
０〜３０００Åとするのが良い。２００Åより薄くなる
と耐熱性保護層としての機能を果たさなくなり、逆に５
００Åよりも厚くなると、感度の低下を来したり、界面
剥離を生じやすくなる。また必要に応じて保護層を多層
化することもできる。
も高いことが必要である。このような耐熱性保護層は各
種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、
プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング
法、電子ビーム蒸着法等によって形成できる。耐熱性保
護層の膜厚としては２００〜５０００Å、好適には５０
０〜３０００Åとするのが良い。２００Åより薄くなる
と耐熱性保護層としての機能を果たさなくなり、逆に５
００Åよりも厚くなると、感度の低下を来したり、界面
剥離を生じやすくなる。また必要に応じて保護層を多層
化することもできる。
【００１０】反射層としてはＡｌ，Ａｕなどの金属材
料、またはそれらの合金などを用いることができるが、
必ずしも必要ではない。このような反射層は各種気相成
長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ
ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法等によって形成できる。
料、またはそれらの合金などを用いることができるが、
必ずしも必要ではない。このような反射層は各種気相成
長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ
ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法等によって形成できる。
【００１１】記録、再生及び消去に用いる電磁波として
はレーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外
線、マイクロ波等、種々のものが採用可能であるが、ド
ライブに取り付ける際、小型でコンパクトな半導体レー
ザーが最適である。
はレーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外
線、マイクロ波等、種々のものが採用可能であるが、ド
ライブに取り付ける際、小型でコンパクトな半導体レー
ザーが最適である。
【００１２】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。但し、これらの実施例は本発明をなんら制限する
ものではない。
する。但し、これらの実施例は本発明をなんら制限する
ものではない。
【００１３】実施例１ ピッチ１．６μｍ、深さ７００Åの溝付き、厚さ１．２
ｍｍ、直径８６ｍｍφのポリカーボネートディスク基板
上に、ｒｆスパッタリング法により耐熱保護層、記録
層、耐熱保護層、反射層を順次積層し、評価用光ディス
クを作製した。基板上に設ける記録材料としてＡｇ10Ｉ
ｎ10Ｓｅ20Ｓｂ60を用い、膜厚は１０００Åとした。膜
中に含まれる元素の組成比はオージェ電子分光方法を用
いて求めた。反射層はＡｌを用い、膜厚５００Åとし
た。耐熱保護層はＳｉ3Ｎ4を用い膜厚は基板側２０００
Å、反射層側１０００Åとした。
ｍｍ、直径８６ｍｍφのポリカーボネートディスク基板
上に、ｒｆスパッタリング法により耐熱保護層、記録
層、耐熱保護層、反射層を順次積層し、評価用光ディス
クを作製した。基板上に設ける記録材料としてＡｇ10Ｉ
ｎ10Ｓｅ20Ｓｂ60を用い、膜厚は１０００Åとした。膜
中に含まれる元素の組成比はオージェ電子分光方法を用
いて求めた。反射層はＡｌを用い、膜厚５００Åとし
た。耐熱保護層はＳｉ3Ｎ4を用い膜厚は基板側２０００
Å、反射層側１０００Åとした。
【００１４】光ディスクの評価は８３０ｎｍの半導体レ
ーザー光をＮＡ＝０．５のレンズを通して媒体面で１μ
ｍφのスポット径にしぼり込み基板側から照射すること
により行った。
ーザー光をＮＡ＝０．５のレンズを通して媒体面で１μ
ｍφのスポット径にしぼり込み基板側から照射すること
により行った。
【００１５】製膜後の記録膜は非晶質である。測定に際
し最初に媒体面で９ｍＷのＤＣ光でディスク全面を十分
に結晶化させ、それを初期（未記録）状態とした。この
時のディスクの線速度は７ｍ／ｓｅｃとした。
し最初に媒体面で９ｍＷのＤＣ光でディスク全面を十分
に結晶化させ、それを初期（未記録）状態とした。この
時のディスクの線速度は７ｍ／ｓｅｃとした。
【００１６】記録条件は、線速度７ｍ／ｓｅｃにおいて
は周波数４ＭＨｚとした。この条件のもとではマーク長
は０．８８μｍで一定である。記録レーザーパワー（Ｐ
ｗ）は４ｍＷから１９ｍＷまで変化させた。消去レーザ
ーパワー（Ｐｅ）は初期化に要するパワーと同じく９ｍ
Ｗとした。読み取りパワー（Ｐｒ）は１ｍＷとした。図
２に初期化後のディスクに記録したマークのＣ／Ｎ（キ
ャリア対ノズル比）値及びＤＣ光による消去後の消去比
と、記録レーザーパワー（Ｐｗ）との関係を示す。図
中、●は記録時のＣ／Ｎ値を示し、矢印の長さはＤＣ光
消去により消去されたＣ／Ｎを示す。この図からわかる
ようにＡｇ10Ｉｎ10Ｓｅ20Ｓｂ60を用いたディスクでは
非常に高い消去比が得られ、Ｃ／Ｎを１００％消去でき
る記録パワー領域がある。
は周波数４ＭＨｚとした。この条件のもとではマーク長
は０．８８μｍで一定である。記録レーザーパワー（Ｐ
ｗ）は４ｍＷから１９ｍＷまで変化させた。消去レーザ
ーパワー（Ｐｅ）は初期化に要するパワーと同じく９ｍ
Ｗとした。読み取りパワー（Ｐｒ）は１ｍＷとした。図
２に初期化後のディスクに記録したマークのＣ／Ｎ（キ
ャリア対ノズル比）値及びＤＣ光による消去後の消去比
と、記録レーザーパワー（Ｐｗ）との関係を示す。図
中、●は記録時のＣ／Ｎ値を示し、矢印の長さはＤＣ光
消去により消去されたＣ／Ｎを示す。この図からわかる
ようにＡｇ10Ｉｎ10Ｓｅ20Ｓｂ60を用いたディスクでは
非常に高い消去比が得られ、Ｃ／Ｎを１００％消去でき
る記録パワー領域がある。
【００１７】実施例２ 記録層としてＡｇ15Ｉｎ18Ｓｅ37Ｓｂ30を用いたディス
クを作製した。ディスク層構成、記録条件は実施例１と
同様である。製膜後の記録膜はやはり非晶質である。初
期化に要したパワー１１ｍＷである。図３に初期化後の
ディスクに記録したマークのＣ／Ｎ（キャリア対ノイズ
比）値及びＤＣ光による消去後の消去比と、記録レーザ
ーパワー（Ｐｗ）との関係を示す。この図からわかるよ
うに、Ａｇ15Ｉｎ18Ｓｅ37Ｓｂ30を記録層として用いた
ディスクも記録されたＣ／Ｎの１００％消去が可能であ
る。
クを作製した。ディスク層構成、記録条件は実施例１と
同様である。製膜後の記録膜はやはり非晶質である。初
期化に要したパワー１１ｍＷである。図３に初期化後の
ディスクに記録したマークのＣ／Ｎ（キャリア対ノイズ
比）値及びＤＣ光による消去後の消去比と、記録レーザ
ーパワー（Ｐｗ）との関係を示す。この図からわかるよ
うに、Ａｇ15Ｉｎ18Ｓｅ37Ｓｂ30を記録層として用いた
ディスクも記録されたＣ／Ｎの１００％消去が可能であ
る。
【００１８】比較例 比較例として、記録層としてＡｇ24Ｉｎ25Ｓｅ41Ｓｂ10
を用いたディスクを作製した。ディスク層構成、記録条
件は実施例１、２と同様である。製膜後の記録膜はやは
り非晶質である。測定は線速度７ｍ／ｓｅｃで行なっ
た。初期化に要したＤＣ光パワーはどちらの線速度にお
いても１３ｍＷであった。図４に初期化後のディスクに
記載したマークのＣ／Ｎ（キャリア対ノイズ比）値及び
ＤＣ光による消去後の消去比と、記録レーザーパワー
（Ｐｗ）との関係を示す。これらの図からわかるよう
に、Ａｇ24Ｉｎ25Ｓｅ41Ｓｂ10記録層を用いたディスク
では、実施例１，２のような１００％消去は非常に困難
であり、記録感度も劣っている。
を用いたディスクを作製した。ディスク層構成、記録条
件は実施例１、２と同様である。製膜後の記録膜はやは
り非晶質である。測定は線速度７ｍ／ｓｅｃで行なっ
た。初期化に要したＤＣ光パワーはどちらの線速度にお
いても１３ｍＷであった。図４に初期化後のディスクに
記載したマークのＣ／Ｎ（キャリア対ノイズ比）値及び
ＤＣ光による消去後の消去比と、記録レーザーパワー
（Ｐｗ）との関係を示す。これらの図からわかるよう
に、Ａｇ24Ｉｎ25Ｓｅ41Ｓｂ10記録層を用いたディスク
では、実施例１，２のような１００％消去は非常に困難
であり、記録感度も劣っている。
【００１９】
【発明の効果】基板上に設けられた記録層中に、主成分
として下記一般式 ＡｇαＩｎβＳｅγＳｂδ ただし、 ３ ≦ α ≦１９ （ａｔ．％） ４ ≦ β ≦２０ （ａｔ．％） ８ ≦ γ ≦３８ （ａｔ．％） ２３≦ δ ≦８５ （ａｔ．％） α＋β＋γ＋δ＝１００ で表わされる物質を有することにより、消去率の飛躍的
向上（１００％消去）が達成できる。
として下記一般式 ＡｇαＩｎβＳｅγＳｂδ ただし、 ３ ≦ α ≦１９ （ａｔ．％） ４ ≦ β ≦２０ （ａｔ．％） ８ ≦ γ ≦３８ （ａｔ．％） ２３≦ δ ≦８５ （ａｔ．％） α＋β＋γ＋δ＝１００ で表わされる物質を有することにより、消去率の飛躍的
向上（１００％消去）が達成できる。
【図１】情報記録媒体の構成例の説明図。
【図２】初期化後のディスクに記録したマークのＣ／Ｎ
値及びＤＣ光による消去後の消去比と、記録レーザーパ
ワー（Ｐｗ）との関係を示す図（実施例１）。
値及びＤＣ光による消去後の消去比と、記録レーザーパ
ワー（Ｐｗ）との関係を示す図（実施例１）。
【図３】同（実施例２）。
【図４】同（比較例）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 平３−9880（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−181189（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−261552（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−304439（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−197173（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−58048（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41M 5/26
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に設けられた記録層中に、主成分
として下記一般式で表わされる物質を有することを特徴
とする情報記録媒体。 ＡｇαＩｎβＳｅγＳｂδ ただし、 ３ ≦ α ≦１９ （ａｔ．％） ４ ≦ β ≦２０ （ａｔ．％） ８ ≦ γ ≦３８ （ａｔ．％） ２３≦ δ ≦８５ （ａｔ．％） α＋β＋γ＋δ＝１００
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00090092A JP3222909B2 (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00090092A JP3222909B2 (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | 情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05177945A JPH05177945A (ja) | 1993-07-20 |
| JP3222909B2 true JP3222909B2 (ja) | 2001-10-29 |
Family
ID=11486562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00090092A Expired - Fee Related JP3222909B2 (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3222909B2 (ja) |
-
1992
- 1992-01-07 JP JP00090092A patent/JP3222909B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05177945A (ja) | 1993-07-20 |
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