JP3299794B2 - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光記録媒体およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は情報記録媒体、特に相変
化形情報記録媒体であって、光ビームを照射することに
より記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再生
を行い、かつ書換が可能である情報記録媒体およびその
製造方法に関するものであり、光メモリー関連機器に応
用される。
化形情報記録媒体であって、光ビームを照射することに
より記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再生
を行い、かつ書換が可能である情報記録媒体およびその
製造方法に関するものであり、光メモリー関連機器に応
用される。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく
知られている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近その研究開発
が活発になっている。その代表的な例として、ＵＳＰ３
５３０４４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ，Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｎ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ，Ｇ
ｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｔｅ，Ｓｅ
−Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材
料があげられる。また安定性、高速結晶化などの向上を
目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９
２）、Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０１９０）、Ｐ
ｄ（特開昭６２−１９４９０）などを添加した材料の提
案や、記録／消去の繰り返し性能向上を目的にＧｅ−Ｔ
ｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比を特定した
材料（特開昭６２−７３４３８、特開昭６３−２２８４
３３）の提案などもなされている。しかしながら、その
いずれもが相変化形書換可能光メモリー媒体として要求
される諸特性のすべてを満足しうるものとはいえない。
特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライト時の消
し残りによる消去比低下の防止、ならびに記録部、未記
録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっている。
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく
知られている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近その研究開発
が活発になっている。その代表的な例として、ＵＳＰ３
５３０４４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ，Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｎ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ，Ｇ
ｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｔｅ，Ｓｅ
−Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材
料があげられる。また安定性、高速結晶化などの向上を
目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９
２）、Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０１９０）、Ｐ
ｄ（特開昭６２−１９４９０）などを添加した材料の提
案や、記録／消去の繰り返し性能向上を目的にＧｅ−Ｔ
ｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比を特定した
材料（特開昭６２−７３４３８、特開昭６３−２２８４
３３）の提案などもなされている。しかしながら、その
いずれもが相変化形書換可能光メモリー媒体として要求
される諸特性のすべてを満足しうるものとはいえない。
特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライト時の消
し残りによる消去比低下の防止、ならびに記録部、未記
録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっている。
【０００３】とくにオーバーライト繰り返し特性に関し
てはＳｂ−ＢｉとＳｉＯ2−ＺｎＳ・ＳｉＯ2の上引き層
を組み合わせた保護層を設けるなどの提案がなされてい
る（第３９回応用物理学関連連合講演会予稿集３０Ｐ−
Ｌ−１）。このような上引き層を設置することによりオ
ーバーライト繰り返し特性の改善が図れるとしている。
しかしながら消去比が低いなどの欠点を有している。こ
れらの事情から、優れたオーバーライト繰り返し特性を
持ち、消去比が高く、高感度の記録、消去が可能な光記
録媒体の開発が望まれていた。
てはＳｂ−ＢｉとＳｉＯ2−ＺｎＳ・ＳｉＯ2の上引き層
を組み合わせた保護層を設けるなどの提案がなされてい
る（第３９回応用物理学関連連合講演会予稿集３０Ｐ−
Ｌ−１）。このような上引き層を設置することによりオ
ーバーライト繰り返し特性の改善が図れるとしている。
しかしながら消去比が低いなどの欠点を有している。こ
れらの事情から、優れたオーバーライト繰り返し特性を
持ち、消去比が高く、高感度の記録、消去が可能な光記
録媒体の開発が望まれていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
に比較してオーバーライト繰り返し特性の向上を達成
し、消去比が高く低パワーで記録・消去の繰り返しが可
能な情報記録媒体を提供するものである。
に比較してオーバーライト繰り返し特性の向上を達成
し、消去比が高く低パワーで記録・消去の繰り返しが可
能な情報記録媒体を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は以上のよ
うな事情に対するものであり、オーバーライト繰り返し
特性に優れ、消去比が高く、記録消去時において低パワ
ーで記録・消去の繰り返しが可能な情報記録媒体を提供
するものである。
うな事情に対するものであり、オーバーライト繰り返し
特性に優れ、消去比が高く、記録消去時において低パワ
ーで記録・消去の繰り返しが可能な情報記録媒体を提供
するものである。
【０００６】そこで本発明者らは改善に鋭意研究を重ね
た結果、前述目的に合致する記録材料を見出した。即ち
本発明は、（１）基板上に少なくとも記録層と保護層を
有する光記録媒体において、保護層が、主成分としてＡ
ｌＮｒを有する第１層と、第１層よりＮ含有量の少ない
第２層と、Ａｌを有する第３層とを隣接して構成される
光記録媒体、（２）保護層の第１層に含まれるＡｌに対
するＮの元素濃度比ｒが ０．８２≦ｒ≦１ （ｒ＝Ｎの元素濃度／Ａｌの元素濃度）である上記
（１）の光記録媒体、（３）保護層のＮ含有量が第３層
の方向に、連続して現象するように変化している第２層
を有する上記（１）または（２）記載の光記録媒体、
（４）保護層の第３層の膜厚ｄが ２００Å≦ｄ≦２５００Å である上記（１）ないし、（３）の何れかに記載の光記
録媒体、（５）保護層の第１層の膜厚ｄ1と第２層の膜
厚ｄ2との合計ｄ1＋ｄ2が １５０Å≦ｄ1＋ｄ2≦２５００Å である上記（１）ないし（４）の何れかに記載の光記録
媒体、（６）保護層の第１層の膜厚ｄ1に対する第２層
の膜厚ｄ2の比ｄ2／ｄ1が ０＜ｄ2／ｄ1≦０．３ である上記（１）ないし（５）の何れかに記載の光記録
媒体、（７）光記録媒体中に設けられる記録消去を担う
記録層として、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを含む４元系の
相変化記録媒体を主成分として含有し、消去時に化学量
論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2微結晶層が存
在する記録材料を有する上記（１）の光記録媒体、
（８）記録層の安定状態における化学構造が主として、
化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2相と、
ＩｎとＳｂからなる相の混相状態をとる記録材料を有す
る上記（１）の光記録媒体、（９）保護層を作製すると
きＡｌターゲットを用い、Ｎ2を含む反応ガス中で反応
性スパッタ法により第１層を作製し、その後反応ガス中
のＮ2量を減ずることにより連続して第２層を設け、さ
らにその後反応ガス中にＮ2量を用いずに第３層を連続
して作製する上記（１）ないし（８）の何れかに記載の
光記録媒体の作製方法、に関するものである。
た結果、前述目的に合致する記録材料を見出した。即ち
本発明は、（１）基板上に少なくとも記録層と保護層を
有する光記録媒体において、保護層が、主成分としてＡ
ｌＮｒを有する第１層と、第１層よりＮ含有量の少ない
第２層と、Ａｌを有する第３層とを隣接して構成される
光記録媒体、（２）保護層の第１層に含まれるＡｌに対
するＮの元素濃度比ｒが ０．８２≦ｒ≦１ （ｒ＝Ｎの元素濃度／Ａｌの元素濃度）である上記
（１）の光記録媒体、（３）保護層のＮ含有量が第３層
の方向に、連続して現象するように変化している第２層
を有する上記（１）または（２）記載の光記録媒体、
（４）保護層の第３層の膜厚ｄが ２００Å≦ｄ≦２５００Å である上記（１）ないし、（３）の何れかに記載の光記
録媒体、（５）保護層の第１層の膜厚ｄ1と第２層の膜
厚ｄ2との合計ｄ1＋ｄ2が １５０Å≦ｄ1＋ｄ2≦２５００Å である上記（１）ないし（４）の何れかに記載の光記録
媒体、（６）保護層の第１層の膜厚ｄ1に対する第２層
の膜厚ｄ2の比ｄ2／ｄ1が ０＜ｄ2／ｄ1≦０．３ である上記（１）ないし（５）の何れかに記載の光記録
媒体、（７）光記録媒体中に設けられる記録消去を担う
記録層として、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを含む４元系の
相変化記録媒体を主成分として含有し、消去時に化学量
論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2微結晶層が存
在する記録材料を有する上記（１）の光記録媒体、
（８）記録層の安定状態における化学構造が主として、
化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2相と、
ＩｎとＳｂからなる相の混相状態をとる記録材料を有す
る上記（１）の光記録媒体、（９）保護層を作製すると
きＡｌターゲットを用い、Ｎ2を含む反応ガス中で反応
性スパッタ法により第１層を作製し、その後反応ガス中
のＮ2量を減ずることにより連続して第２層を設け、さ
らにその後反応ガス中にＮ2量を用いずに第３層を連続
して作製する上記（１）ないし（８）の何れかに記載の
光記録媒体の作製方法、に関するものである。
【０００７】通常、第１層を記録層の上部に設置し耐熱
保護層とした場合、記録消去時に熱膨張、収縮を繰り返
す第１層と、放熱層である第３層との界面で物理的歪が
生じやすいが、第２層を設置することで第１層と第３層
との界面の応力が軽減され、繰り返し回数が向上する。
また、ＡｌＮｒ中のＮの量を連続的に変化させ徐々にＡ
ｌに近付けていくことにより、その効果はより顕著とな
る。
保護層とした場合、記録消去時に熱膨張、収縮を繰り返
す第１層と、放熱層である第３層との界面で物理的歪が
生じやすいが、第２層を設置することで第１層と第３層
との界面の応力が軽減され、繰り返し回数が向上する。
また、ＡｌＮｒ中のＮの量を連続的に変化させ徐々にＡ
ｌに近付けていくことにより、その効果はより顕著とな
る。
【０００８】本発明において第１層、第２層（中間
相）、第３層及び記録層の各層に含まれる元素組成の測
定にはオージェ電子分光法を用いたが、そのほかにもＸ
線マイクロアナリシス、蛍光Ｘ線、ラザフォード後方散
乱などの分析法が考えられる。その際にはオージェ電子
分光法で得られる値との較正をする必要がある。
相）、第３層及び記録層の各層に含まれる元素組成の測
定にはオージェ電子分光法を用いたが、そのほかにもＸ
線マイクロアナリシス、蛍光Ｘ線、ラザフォード後方散
乱などの分析法が考えられる。その際にはオージェ電子
分光法で得られる値との較正をする必要がある。
【０００９】各層の膜厚は触針法により、あらかじめ較
正した製膜速度をもとに制御したが、そのほかにもＳＥ
Ｍ等の直接観察等が考えられる。
正した製膜速度をもとに制御したが、そのほかにもＳＥ
Ｍ等の直接観察等が考えられる。
【００１０】第１層、中間相、第３層及び記録層の各層
中に含まれる物質の観測はＸ線または電子線回折が適し
ている。
中に含まれる物質の観測はＸ線または電子線回折が適し
ている。
【００１１】本発明に用いた第１層を設置する際の反応
ガスにはアルゴンと窒素を流量比約３：１で混合して用
いたが、スパッタ装置、背圧、反応圧等の要件に依存す
るため、その都度適切な流量比を求める必要がある。
ガスにはアルゴンと窒素を流量比約３：１で混合して用
いたが、スパッタ装置、背圧、反応圧等の要件に依存す
るため、その都度適切な流量比を求める必要がある。
【００１２】また、第１層のＡｌＮｒ中のＮ元素濃度比
ｒは０．８４≦ｒ≦０．９２がより好ましい。
ｒは０．８４≦ｒ≦０．９２がより好ましい。
【００１３】また、第３層の膜厚ｄ3は充分な熱伝導率
や反射率を得るために４００Å以上がより好ましく、記
録感度の点から２０００Å以下がより好ましい。
や反射率を得るために４００Å以上がより好ましく、記
録感度の点から２０００Å以下がより好ましい。
【００１４】第１層の膜厚ｄ1と第２層の膜厚ｄ2との合
計ｄ1＋ｄ2はより良好な熱伝導率を得るために２００Å
以上がより好ましく、第３層への熱伝達をより効率よく
行うために２０００Å以下がより好ましい。
計ｄ1＋ｄ2はより良好な熱伝導率を得るために２００Å
以上がより好ましく、第３層への熱伝達をより効率よく
行うために２０００Å以下がより好ましい。
【００１５】第１層の膜厚ｄ1に対する第２層の膜厚ｄ2
の比ｄ2／ｄ1は第１層と第３層との界面の連続性をより
良好にするために０．０５以上がより好ましく、第３層
への放熱効果を保持するためには０．２５以下がより好
ましい。
の比ｄ2／ｄ1は第１層と第３層との界面の連続性をより
良好にするために０．０５以上がより好ましく、第３層
への放熱効果を保持するためには０．２５以下がより好
ましい。
【００１６】以下本発明を添付図面に基づき説明する。
図１は本発明の構成例を示すものである。基板１上に耐
熱性保護層２、記録層３、第１層４及び第２層５、第３
層６が設けられている。耐熱性保護層２はかならずしも
設ける必要はないが、基板がポリカーボネート樹脂のよ
うに耐熱性が低い材料の場合には耐熱性保護層２を設け
ることが望ましい。
図１は本発明の構成例を示すものである。基板１上に耐
熱性保護層２、記録層３、第１層４及び第２層５、第３
層６が設けられている。耐熱性保護層２はかならずしも
設ける必要はないが、基板がポリカーボネート樹脂のよ
うに耐熱性が低い材料の場合には耐熱性保護層２を設け
ることが望ましい。
【００１７】本発明の記録層は各種気相成長法、たとえ
ば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、
光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着
法などによって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル
法のような湿式プロセスも適用可能である。最も好適と
考えられる方法として、ＡｇＩｎＴｅ2とＳｂとを原材
料として用いる方法があり、それらをターゲットとして
ｒｆマグネトロンスパッタ法で設置する。
ば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、
光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着
法などによって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル
法のような湿式プロセスも適用可能である。最も好適と
考えられる方法として、ＡｇＩｎＴｅ2とＳｂとを原材
料として用いる方法があり、それらをターゲットとして
ｒｆマグネトロンスパッタ法で設置する。
【００１８】記録層の膜厚としては１００〜１００００
Å、好適には２００〜３０００Åとするのがよい。１０
０Åより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層として
の役割をはたさなくなる。また１００００Åより厚いと
高速で均一な相変化がおこりにくくなる。
Å、好適には２００〜３０００Åとするのがよい。１０
０Åより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層として
の役割をはたさなくなる。また１００００Åより厚いと
高速で均一な相変化がおこりにくくなる。
【００１９】基板の材料は通常ガラス、セラミックス、
あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で
好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素
系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられる
が、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹
脂、アクリル系樹脂が好ましい。また基板の形状として
はディスク状、カード状あるいはシート状であってもよ
い。
あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で
好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素
系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられる
が、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹
脂、アクリル系樹脂が好ましい。また基板の形状として
はディスク状、カード状あるいはシート状であってもよ
い。
【００２０】耐熱性保護層２の材料としては、ＳｉＯ，
ＳｉＯ2，ＺｎＯ，ＳｎＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，Ｉｎ2
Ｏ3，ＭｇＯ，ＺｒＯ2などの金属酸化物、Ｓｉ3Ｎ4，Ａ
ｌＮ，ＴｉＮ，ＢＮ，ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ，Ｉ
ｎ2Ｓ3，ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ，ＴａＣ，Ｂ
4Ｃ，ＷＣ，ＴｉＣ，ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモン
ド状カーボンあるいはそれらの混合物が挙げられる。こ
れらの材料は単体で保護層とすることもできるが、お互
いの混合物としてもよい。また、必要に応じて不純物を
含んでいてもよい。但し耐熱保護層の融点は記録層の融
点よりも高いことが必要である。このような耐熱性保護
層は各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリ
ング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレー
ティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成でき
る。耐熱性保護層の膜厚としては２００〜５０００Å、
好適には５００〜３０００Åとするのがよい。２００Å
よりも薄くなると耐熱性保護層としての機能を果さなく
なり、逆に５０００Åよりも厚くなると感度の低下をき
たしたり、界面剥離を生じやすくなる。又、必要に応じ
て保護層を多層化することもできる。
ＳｉＯ2，ＺｎＯ，ＳｎＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，Ｉｎ2
Ｏ3，ＭｇＯ，ＺｒＯ2などの金属酸化物、Ｓｉ3Ｎ4，Ａ
ｌＮ，ＴｉＮ，ＢＮ，ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ，Ｉ
ｎ2Ｓ3，ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ，ＴａＣ，Ｂ
4Ｃ，ＷＣ，ＴｉＣ，ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモン
ド状カーボンあるいはそれらの混合物が挙げられる。こ
れらの材料は単体で保護層とすることもできるが、お互
いの混合物としてもよい。また、必要に応じて不純物を
含んでいてもよい。但し耐熱保護層の融点は記録層の融
点よりも高いことが必要である。このような耐熱性保護
層は各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリ
ング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレー
ティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成でき
る。耐熱性保護層の膜厚としては２００〜５０００Å、
好適には５００〜３０００Åとするのがよい。２００Å
よりも薄くなると耐熱性保護層としての機能を果さなく
なり、逆に５０００Åよりも厚くなると感度の低下をき
たしたり、界面剥離を生じやすくなる。又、必要に応じ
て保護層を多層化することもできる。
【００２１】記録、再生および消去に用いる電磁波とし
てはレーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤
外線、マイクロ波など種々のものが採用可能であるが、
ドライブに取付ける際、小型でコンパクトな半導体レー
ザーが最適である。
てはレーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤
外線、マイクロ波など種々のものが採用可能であるが、
ドライブに取付ける際、小型でコンパクトな半導体レー
ザーが最適である。
【００２２】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。但しこれらの実施例は本発明をなんら制限するも
のではない。
する。但しこれらの実施例は本発明をなんら制限するも
のではない。
【００２３】実施例１ ３．５インチグルーヴ付きポリカーボネートディスク基
板上に下部耐熱保護層としてＺｎＳ・ＳｉＯ2（２０ｍ
ｏｌ比混）を２０００Å、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系記
録層を２００Å、第１層を１３００Å、第２層を２００
Å、第３層を９００Å、順次ｒｆマグネトロンスパッタ
法により設置し、ディスクを作製した。第１層中のＡｌ
Ｎｒのｒ値は０．８５であり、第２層中のＡｌＮｒのｒ
値は０．８０であった。記録層はディスク作製時にはア
モルファス状態であり、波長８３０ｎｍの半導体レーザ
ー光により充分結晶化させ初期化状態（未記録状態）と
した。
板上に下部耐熱保護層としてＺｎＳ・ＳｉＯ2（２０ｍ
ｏｌ比混）を２０００Å、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系記
録層を２００Å、第１層を１３００Å、第２層を２００
Å、第３層を９００Å、順次ｒｆマグネトロンスパッタ
法により設置し、ディスクを作製した。第１層中のＡｌ
Ｎｒのｒ値は０．８５であり、第２層中のＡｌＮｒのｒ
値は０．８０であった。記録層はディスク作製時にはア
モルファス状態であり、波長８３０ｎｍの半導体レーザ
ー光により充分結晶化させ初期化状態（未記録状態）と
した。
【００２４】線速度１．３ｍ／ｓ、記録周波数７２０ｋ
Ｈｚ、５０％デューティ比で記録し、記録周波数０．２
ｋＨｚでオーバーライトを行ったときの周波数７２０ｋ
Ｈｚの信号のＣ／Ｎ、消去比、オーバーライト時のパワ
ー、オーバーライト繰り返し回数を測定し記録媒体とし
ての測定を行った。繰り返し回数はＣ／Ｎまたは消去比
が３ｄＢ以上劣化した時点とした。結果を表１に示す。
記録消去特性は非常に優れたものであり、同時に繰り返
し回数も１０4を達成している。
Ｈｚ、５０％デューティ比で記録し、記録周波数０．２
ｋＨｚでオーバーライトを行ったときの周波数７２０ｋ
Ｈｚの信号のＣ／Ｎ、消去比、オーバーライト時のパワ
ー、オーバーライト繰り返し回数を測定し記録媒体とし
ての測定を行った。繰り返し回数はＣ／Ｎまたは消去比
が３ｄＢ以上劣化した時点とした。結果を表１に示す。
記録消去特性は非常に優れたものであり、同時に繰り返
し回数も１０4を達成している。
【００２５】比較例１ 実施例１と同様のディスクを作製した。但し、第２層は
ないものとし、第１層は１５００Åとした。ディスク特
性を表１中に示す。非常に優れたディスク特性が得られ
ているが、繰り返しの回数が５０００回程度となってい
る。
ないものとし、第１層は１５００Åとした。ディスク特
性を表１中に示す。非常に優れたディスク特性が得られ
ているが、繰り返しの回数が５０００回程度となってい
る。
【００２６】実施例２ 実施例１と同様の構成のディスクを作製した。第１層作
製後、第２層作製時にＮ2流量を徐々に下げていき、連
続して第１層、第２層、第３層を設置した。第２層にお
けるｒ値を図２に示す。実施例１と同様のディスク特性
を下記表１中に示す。繰り返し回数が大きく向上してい
ることがわかる。また、記録パワーに変化は見られな
い。
製後、第２層作製時にＮ2流量を徐々に下げていき、連
続して第１層、第２層、第３層を設置した。第２層にお
けるｒ値を図２に示す。実施例１と同様のディスク特性
を下記表１中に示す。繰り返し回数が大きく向上してい
ることがわかる。また、記録パワーに変化は見られな
い。
【００２７】
【表１】
【００２８】実施例３ 実施例２と同様の構成、製膜法でディスクを作製した。
ｒ値を０．９７、０．９２、０．８８、０．８３、０．
８０とし繰り返し回数を測定した。結果を図３に示す。
これからわかるようにｒ≧０．８２で良好な繰り返し特
性が得られる。 実施例４ 実施例２と同様の構成、製膜法でディスクを作製した。
第３層の膜厚ｄを１００、２００、３５０、５００、７
００、９００、１２００、１５００、２０００、３００
０Åと変化させたときのＣ／Ｎと記録パワーを図４に示
す。２００Åから２５００Åの間で良好な特性が得られ
ている。繰り返し回数は２００Åから２５００Åの間で
いずれも１００００回から１０００００回という値が得
られた。 実施例５ 実施例２と同様の構成、製膜法でディスクを作製した。
第１層の膜厚ｄ1と第２層の膜厚ｄ2との膜厚比ｄ2／ｄ1
を一定（０．１５）としたときの第１層と第２層の合計
膜厚ｄ1＋ｄ2を変化させた。繰り返し回数の膜厚変化を
図５に示す。この図から１５０≦ｄ1＋ｄ2≦２５００の
範囲で繰り返し回数に大きな向上が見られた。
ｒ値を０．９７、０．９２、０．８８、０．８３、０．
８０とし繰り返し回数を測定した。結果を図３に示す。
これからわかるようにｒ≧０．８２で良好な繰り返し特
性が得られる。 実施例４ 実施例２と同様の構成、製膜法でディスクを作製した。
第３層の膜厚ｄを１００、２００、３５０、５００、７
００、９００、１２００、１５００、２０００、３００
０Åと変化させたときのＣ／Ｎと記録パワーを図４に示
す。２００Åから２５００Åの間で良好な特性が得られ
ている。繰り返し回数は２００Åから２５００Åの間で
いずれも１００００回から１０００００回という値が得
られた。 実施例５ 実施例２と同様の構成、製膜法でディスクを作製した。
第１層の膜厚ｄ1と第２層の膜厚ｄ2との膜厚比ｄ2／ｄ1
を一定（０．１５）としたときの第１層と第２層の合計
膜厚ｄ1＋ｄ2を変化させた。繰り返し回数の膜厚変化を
図５に示す。この図から１５０≦ｄ1＋ｄ2≦２５００の
範囲で繰り返し回数に大きな向上が見られた。
【００２９】実施例６ 実施例２と同様の構成、製膜法でディスクを作製した。
第１層と第２層の合計膜厚を一定（１５００Å）とした
ときの第１層の膜厚ｄ1と第２層の膜厚ｄ2との膜厚比ｄ
2／ｄ1を変化させた。繰り返し回数の膜厚比変化を図６
に示す。この図から０＜ｄ2／ｄ1≦０．３の範囲で繰り
返し回数に大きな向上が見られた。
第１層と第２層の合計膜厚を一定（１５００Å）とした
ときの第１層の膜厚ｄ1と第２層の膜厚ｄ2との膜厚比ｄ
2／ｄ1を変化させた。繰り返し回数の膜厚比変化を図６
に示す。この図から０＜ｄ2／ｄ1≦０．３の範囲で繰り
返し回数に大きな向上が見られた。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によりオー
バーライト繰り返し特性が良好であり、消去比が高く低
パワーで記録−消去を行うことができる。
バーライト繰り返し特性が良好であり、消去比が高く低
パワーで記録−消去を行うことができる。
【図１】本発明の光記録媒体の構成を示す断面の模式
図、
図、
【図２】実施例２の第２層におけるｒ値の変化を示すグ
ラフ、
ラフ、
【図３】実施例３におけるｒ値と繰り返し回数の関係を
示すグラフ、
示すグラフ、
【図４】実施例４における第３層の膜厚ｄとＣ／Ｎと記
録パワーとの関係を示すグラフ、
録パワーとの関係を示すグラフ、
【図５】実施例５における第１層と第２層の合計膜厚と
繰り返し回数との関係を示すグラフ、
繰り返し回数との関係を示すグラフ、
【図６】実施例６における第１層と第２層の膜厚比と繰
り返し回数との関係を示すグラフ。
り返し回数との関係を示すグラフ。
１ 基板 ２ 耐熱保護層 ３ 記録層 ４ 第１層 ５ 第２層 ６ 第３層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野々山 治 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 平５−144084（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−232779（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 7/24 G11B 7/26
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも記録層と保護層を有
する光記録媒体において、保護層が、主成分としてＡｌ
Ｎｒを有する第１層と、第１層よりＮ含有量の少ない第
２層と、Ａｌを有する第３層とを隣接して構成され、該
第１層のＡｌＮｒ中のＡｌに対するＮの元素濃度比ｒ
（ｒ＝Ｎの元素濃度／Ａｌの元素濃度）が、 ０．８４≦ｒ≦０．９２ であ ることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 保護層のＮ含有量が第３層の方向に、連
続して減少するように変化している第２層を有すること
を特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 保護層の第３層の膜厚ｄが ２００Å≦ｄ≦２５００Å であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の光
記録媒体。 - 【請求項４】 保護層の第１層の膜厚ｄ１と第２層の膜
厚ｄ２との合計ｄ１＋ｄ２が １５０Å≦ｄ１＋ｄ２≦２５００Å であることを特徴とする請求項１ないし請求項３の何れ
かに記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 保護層の第１層の膜厚ｄ１に対する第２
層の膜厚ｄ２の比ｄ２／ｄ１が ０＜ｄ２／ｄ１≦０．３ であることを特徴とする請求項１ないし請求項４の何れ
かに記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 光記録媒体中に設けられる記録消去を担
う記録層として、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを含む４元系
の相変化記録媒体を主成分として含有し、消去時に化学
量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ２微結晶層が
存在する記録材料を有することを特徴とする請求項１記
載の光記録媒体。 - 【請求項７】 記録層の安定状態における化学構造が主
として、化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ
２相と、ＩｎとＳｂからなる相の混相状態をとる記録材
料を有することを特徴とする請求項１記載の光記録媒
体。 - 【請求項８】 保護層を作成するときＡｌターゲットを
用い、Ｎ２を含む反応ガス中で反応性スパッタ法により
第１層を作製し、その後反応ガス中のＮ２量を減ずるこ
とにより連続して第２層を設け、さらにその後反応ガス
中にＮ２量を用いずに第３層を連続して作製することを
特徴とする請求項１ないし請求項７の何れかに記載の光
記録媒体の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33041192A JP3299794B2 (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33041192A JP3299794B2 (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06180860A JPH06180860A (ja) | 1994-06-28 |
| JP3299794B2 true JP3299794B2 (ja) | 2002-07-08 |
Family
ID=18232305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33041192A Expired - Fee Related JP3299794B2 (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3299794B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685441B2 (ja) * | 1986-06-18 | 1994-10-26 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置 |
| JP4279533B2 (ja) * | 2002-09-09 | 2009-06-17 | 日鉱金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び光記録媒体 |
| JP4817137B2 (ja) * | 2002-09-09 | 2011-11-16 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び光記録媒体 |
-
1992
- 1992-12-10 JP JP33041192A patent/JP3299794B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06180860A (ja) | 1994-06-28 |
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