JPH06131663A - 情報記録方式 - Google Patents
情報記録方式Info
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- JPH06131663A JPH06131663A JP3025113A JP2511391A JPH06131663A JP H06131663 A JPH06131663 A JP H06131663A JP 3025113 A JP3025113 A JP 3025113A JP 2511391 A JP2511391 A JP 2511391A JP H06131663 A JPH06131663 A JP H06131663A
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- JP
- Japan
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- recording
- erasing
- information recording
- information
- power
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 (1)記録、消去感度の向上、(2)記録−消去の
繰返し性能の向上、(3)長寿命化の点を改良した情報記
録方式を提供すること。 【構成】 電磁波のエネルギーを利用して記録材料の二
状態間を転移させることにより情報を記録する情報記録
方式において、記録材料の比較的高いエネルギー状態を
記録部に用い、比較的低いエネルギー状態を未記録部に
用いる際、記録パワーＰｗと消去パワーＰｅとの間に Ｐｗ≦Ｐｅ の関係があることを特徴とする情報記録方式。
繰返し性能の向上、(3)長寿命化の点を改良した情報記
録方式を提供すること。 【構成】 電磁波のエネルギーを利用して記録材料の二
状態間を転移させることにより情報を記録する情報記録
方式において、記録材料の比較的高いエネルギー状態を
記録部に用い、比較的低いエネルギー状態を未記録部に
用いる際、記録パワーＰｗと消去パワーＰｅとの間に Ｐｗ≦Ｐｅ の関係があることを特徴とする情報記録方式。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は情報記録媒体、特に相変
化形情報記録媒体であって、光ビームを照射することに
より記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再生
を行い、かつ書換えが可能である情報記録媒体に関する
ものであり、光メモリー関連機器に応用される。
化形情報記録媒体であって、光ビームを照射することに
より記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再生
を行い、かつ書換えが可能である情報記録媒体に関する
ものであり、光メモリー関連機器に応用される。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生及び消去可能な光メモリー媒体の一
つとして、結晶−非晶質層間あるいは結晶−結晶相間の
転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく知ら
れている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビームに
よるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系
もより単純であることなどから最近その研究開発が活発
になっている。その代表的な材料例として、USP 3,530,
441 に開示されているようにGe−Te、Ge−Te−Sb−Ｓ、
Ge−Te−S、Ge−Se−S、Ge−Se−Sb、Ge−As−Se、In−
Te、Se−Te、Se−Asなどのいわゆるカルコゲン系合金材
料があげられる。又、安定性、高速結晶化などの向上を
目的にGe−Te系にＡｕ（特開昭61−219692）、Ｓｎ及び
Ａｕ（特開昭61−270190）、Ｐｄ（特開昭62−19490)等
を添加した材料の提案や、記録／消去の繰返し性能向上
を目的にGe−Te−Se−Sbの組成比を特定した材料（特開
昭62−73438)の提案などもなされている。しかしなが
ら、そのいずれもが相変化型書換え可能光メモリー媒体
として要求される諸特性のすべてを満足しうるものとは
いえない。特に記録感度、消去感度の向上、オーバーラ
イト時の消しのこりによる消去比低下の防止、並びに記
録部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題とな
っている。
る情報の記録、再生及び消去可能な光メモリー媒体の一
つとして、結晶−非晶質層間あるいは結晶−結晶相間の
転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく知ら
れている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビームに
よるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系
もより単純であることなどから最近その研究開発が活発
になっている。その代表的な材料例として、USP 3,530,
441 に開示されているようにGe−Te、Ge−Te−Sb−Ｓ、
Ge−Te−S、Ge−Se−S、Ge−Se−Sb、Ge−As−Se、In−
Te、Se−Te、Se−Asなどのいわゆるカルコゲン系合金材
料があげられる。又、安定性、高速結晶化などの向上を
目的にGe−Te系にＡｕ（特開昭61−219692）、Ｓｎ及び
Ａｕ（特開昭61−270190）、Ｐｄ（特開昭62−19490)等
を添加した材料の提案や、記録／消去の繰返し性能向上
を目的にGe−Te−Se−Sbの組成比を特定した材料（特開
昭62−73438)の提案などもなされている。しかしなが
ら、そのいずれもが相変化型書換え可能光メモリー媒体
として要求される諸特性のすべてを満足しうるものとは
いえない。特に記録感度、消去感度の向上、オーバーラ
イト時の消しのこりによる消去比低下の防止、並びに記
録部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題とな
っている。
【０００３】結晶−非晶質間相転移や結晶−結晶間相転
移を利用した相変化形の記録方式においては、入射電磁
波のエネルギーを記録膜内部で熱エネルギーに変換して
記録材料の記録部と非記録部との間の転移を行う。記
録、消去に必要な時間をできるだけ短くするため、例え
ば記録部には準安定相である非晶質相、非記録部には安
定相である結晶相を用いるのが一般的である。準安定相
である非晶質相形成には、分子間の結合を切るため材料
の温度を融点（Ｔｍ）付近まで上昇させなければならな
い。又、非秩序状態を凍結するための急冷条件が必要で
ある。従って記録時には比較的大きいレーザーパワーを
入射し、かつパルス幅は短くする必要がある。又、安定
相である結晶相形成には、分子間の結合及び秩序化を促
すため材料の温度を結晶化転移点（Ｔｃ）付近まで上昇
させなければならない。又、結晶相形成のための徐冷条
件が必要である。従って消去時には比較的小さいレーザ
ーパワーを入射し、かつパルス幅を長くする必要があ
る。つまりこれらの条件下では記録レーザーパワーＰ
ｗ、消去レーザーパワーＰｅ、記録レーザーパルス幅τ
ｗ、消去レーザーパルス幅τｅの間には Ｐｗ＞Ｐｅ…(1) τｗ＜τｅ…(2) という関係がある。従来の相変化形記録材料に対して
は、いずれの場合もこの関係がなり立っている。
移を利用した相変化形の記録方式においては、入射電磁
波のエネルギーを記録膜内部で熱エネルギーに変換して
記録材料の記録部と非記録部との間の転移を行う。記
録、消去に必要な時間をできるだけ短くするため、例え
ば記録部には準安定相である非晶質相、非記録部には安
定相である結晶相を用いるのが一般的である。準安定相
である非晶質相形成には、分子間の結合を切るため材料
の温度を融点（Ｔｍ）付近まで上昇させなければならな
い。又、非秩序状態を凍結するための急冷条件が必要で
ある。従って記録時には比較的大きいレーザーパワーを
入射し、かつパルス幅は短くする必要がある。又、安定
相である結晶相形成には、分子間の結合及び秩序化を促
すため材料の温度を結晶化転移点（Ｔｃ）付近まで上昇
させなければならない。又、結晶相形成のための徐冷条
件が必要である。従って消去時には比較的小さいレーザ
ーパワーを入射し、かつパルス幅を長くする必要があ
る。つまりこれらの条件下では記録レーザーパワーＰ
ｗ、消去レーザーパワーＰｅ、記録レーザーパルス幅τ
ｗ、消去レーザーパルス幅τｅの間には Ｐｗ＞Ｐｅ…(1) τｗ＜τｅ…(2) という関係がある。従来の相変化形記録材料に対して
は、いずれの場合もこの関係がなり立っている。
【０００４】記録感度、消去感度、寿命といった特性は
非晶質相と結晶相との間の転移のエネルギー壁の大き
さ、すなわち融点（Ｔｍ）と結晶化転移点（Ｔｃ）に大
きく影響される。これらのエネルギー壁が小さいと記録
感度、消去感度は良好だが記録部の寿命が短く、逆に大
きいと記録感度、消去感度は劣るが寿命は長くなる。従
ってこれらの条件が最も良好となるよう、一般には融点
はおよそ600℃、結晶化転移点はおよそ200℃程度の記録
材料が用いられている場合が多い。感度の向上をはかる
ため、熱吸収率の大きな材料を記録膜中に添加したり記
録媒体に熱吸収層などを設けている場合もある。しかし
ながら、記録材料の温度を融点付近まで上昇させること
は熱履歴による記録特性の劣化の原因になる。更に半導
体レーザーの発振出力を考慮すると、高記録パワーを必
要とする記録媒体は記録装置のコスト高につながる。
又、光記録媒体には高速高密度記録が期待されている
が、これらの条件下での記録、消去は更に高パワーを必
要とし、記録・消去感度、Ｃ／Ｎ比、消去率の低下の原
因となる。
非晶質相と結晶相との間の転移のエネルギー壁の大き
さ、すなわち融点（Ｔｍ）と結晶化転移点（Ｔｃ）に大
きく影響される。これらのエネルギー壁が小さいと記録
感度、消去感度は良好だが記録部の寿命が短く、逆に大
きいと記録感度、消去感度は劣るが寿命は長くなる。従
ってこれらの条件が最も良好となるよう、一般には融点
はおよそ600℃、結晶化転移点はおよそ200℃程度の記録
材料が用いられている場合が多い。感度の向上をはかる
ため、熱吸収率の大きな材料を記録膜中に添加したり記
録媒体に熱吸収層などを設けている場合もある。しかし
ながら、記録材料の温度を融点付近まで上昇させること
は熱履歴による記録特性の劣化の原因になる。更に半導
体レーザーの発振出力を考慮すると、高記録パワーを必
要とする記録媒体は記録装置のコスト高につながる。
又、光記録媒体には高速高密度記録が期待されている
が、これらの条件下での記録、消去は更に高パワーを必
要とし、記録・消去感度、Ｃ／Ｎ比、消去率の低下の原
因となる。
【０００５】又、特開昭63−251290では結晶状態が実質
的に三元以上の多元化合物単相からなる記録層を具備し
た光記録媒体が提案されている。ここで実質的に三元以
上の多元化合物単相とは三元以上の化学量論組成をもっ
た化合物（例えばIn3SbTe2）を記録層中に90原子％以上
含むものとされている。このような記録層を用いること
により高速記録、高速消去が可能になるとしている。し
かしながら記録、消去に要するレーザーパワーはいまだ
十分に低減されてはいない。又、消去比が低い、繰返し
特性、長期の信頼性が十分ではない等の欠点を有してい
る。これらの事情から高感度の記録、消去方式及びそれ
に適する記録材料の開発が望まれていた。
的に三元以上の多元化合物単相からなる記録層を具備し
た光記録媒体が提案されている。ここで実質的に三元以
上の多元化合物単相とは三元以上の化学量論組成をもっ
た化合物（例えばIn3SbTe2）を記録層中に90原子％以上
含むものとされている。このような記録層を用いること
により高速記録、高速消去が可能になるとしている。し
かしながら記録、消去に要するレーザーパワーはいまだ
十分に低減されてはいない。又、消去比が低い、繰返し
特性、長期の信頼性が十分ではない等の欠点を有してい
る。これらの事情から高感度の記録、消去方式及びそれ
に適する記録材料の開発が望まれていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術に比較して下記の点を改良した情報記録方式を提供す
るものである。 (1)記録、消去感度の向上 (2)記録−消去の繰返し性能の向上 (3)長寿命化 本発明の目的は、以上のような事情に対するものであ
り、低パワーでの情報記録方式及び記録媒体を提供する
ものである。
術に比較して下記の点を改良した情報記録方式を提供す
るものである。 (1)記録、消去感度の向上 (2)記録−消去の繰返し性能の向上 (3)長寿命化 本発明の目的は、以上のような事情に対するものであ
り、低パワーでの情報記録方式及び記録媒体を提供する
ものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者等は記録
パワー、消去パワーの改善に鋭意研究を重ねた結果、前
述の式(1)の関係を用いずに記録する方法及び記録材料
を見出した。すなわち本発明は主として記録材料の比較
的高いエネルギー状態を記録部に用い、比較的低いエネ
ルギー状態を未記録部に用いる際、記録パワーＰｗと消
去パワーＰｅとの間に Ｐｗ≦Ｐｅ…(3) の関係があることを特徴とするものである。記録方式と
して上記(3)式の関係を用いることにより、記録材料に
かかる熱履歴によるストレスを最小限に押さえ、繰返し
特性、寿命を大幅に改善できる。
パワー、消去パワーの改善に鋭意研究を重ねた結果、前
述の式(1)の関係を用いずに記録する方法及び記録材料
を見出した。すなわち本発明は主として記録材料の比較
的高いエネルギー状態を記録部に用い、比較的低いエネ
ルギー状態を未記録部に用いる際、記録パワーＰｗと消
去パワーＰｅとの間に Ｐｗ≦Ｐｅ…(3) の関係があることを特徴とするものである。記録方式と
して上記(3)式の関係を用いることにより、記録材料に
かかる熱履歴によるストレスを最小限に押さえ、繰返し
特性、寿命を大幅に改善できる。
【０００８】本発明の記録方式及び本発明に用いられる
記録媒体を用いた記録、消去のメカニズムを明確にする
のは非常に困難であるが、およそ次のように考えられ
る。本発明に用いられる記録膜のＸ線回折および電子線
回折によれば、比較的低エネルギー状態にある記録膜
（結晶化後）は数百Å以下の微粒子状結晶相とそれを取
り巻くＸ相との混相から成り立っている。微粒子状結晶
相はＡｇＳｂＴｅ2及び／又はＳｂであり、Ｘ相はＡｇ
ＩｎＴｅ2やＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｉｎ−Ｓｂ系、Ｓｂ
−Ｔｅ系合金などから成り立っているが、Ｘ相中のいず
れのグレインも微粒子状結晶相と比較してあまり大きく
なく、かつ比較的アモルファス状態に近い状態である。
また、比較的高エネルギー状態にある記録膜（アモルフ
ァス化後）では、溶融後の急冷により混相状態であるよ
りもランダムネスの高い状態が凍結され、かなりの部分
をＡｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ系が占めていると思われる。
この様な状態下では、結晶化後の記録膜の融点はサイズ
効果により大幅に降下するため記録感度が高いと同時
に、非常に短距離な秩序状態のため急冷条件が整えば低
パワーでもアモルファス化が可能となる。したがって記
録媒体に入射される記録レーザーと消去レーザーのパル
ス幅の違いだけで記録、消去が可能となる。
記録媒体を用いた記録、消去のメカニズムを明確にする
のは非常に困難であるが、およそ次のように考えられ
る。本発明に用いられる記録膜のＸ線回折および電子線
回折によれば、比較的低エネルギー状態にある記録膜
（結晶化後）は数百Å以下の微粒子状結晶相とそれを取
り巻くＸ相との混相から成り立っている。微粒子状結晶
相はＡｇＳｂＴｅ2及び／又はＳｂであり、Ｘ相はＡｇ
ＩｎＴｅ2やＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｉｎ−Ｓｂ系、Ｓｂ
−Ｔｅ系合金などから成り立っているが、Ｘ相中のいず
れのグレインも微粒子状結晶相と比較してあまり大きく
なく、かつ比較的アモルファス状態に近い状態である。
また、比較的高エネルギー状態にある記録膜（アモルフ
ァス化後）では、溶融後の急冷により混相状態であるよ
りもランダムネスの高い状態が凍結され、かなりの部分
をＡｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ系が占めていると思われる。
この様な状態下では、結晶化後の記録膜の融点はサイズ
効果により大幅に降下するため記録感度が高いと同時
に、非常に短距離な秩序状態のため急冷条件が整えば低
パワーでもアモルファス化が可能となる。したがって記
録媒体に入射される記録レーザーと消去レーザーのパル
ス幅の違いだけで記録、消去が可能となる。
【０００９】以下本発明を添付図面に基づき説明する。
図１は本発明の構成例を示すものである。基板(1)上に
耐熱性保護層(2)、記録層(3)、耐熱性保護層(4)、反射
層(5)が設けられている。耐熱性保護層は必ずしも記録
層の両側に設ける必要はなく、耐熱性保護層(2)のみ、
あるいは耐熱性保護層(4)のみの構造でもよい。基板が
ポリカーボネート樹脂のように耐熱性が低い材料の場合
には耐熱性保護層(2)を設けることが望ましい。本発明
で用いられる基板は通常ガラス、セラミクス、あるいは
樹脂であり、樹脂基板が成形性、コスト等の点で好適で
ある。樹脂の代表例としてはポリカーボネート樹脂、ア
クリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリ
ロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹
脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等があげられるが、加工
性、光学特性等の点でポリカーボネート樹脂、アクリル
系樹脂が好ましい。又、基板の形状としてはディスク
状、カード状あるいはシート状であってもよい。
図１は本発明の構成例を示すものである。基板(1)上に
耐熱性保護層(2)、記録層(3)、耐熱性保護層(4)、反射
層(5)が設けられている。耐熱性保護層は必ずしも記録
層の両側に設ける必要はなく、耐熱性保護層(2)のみ、
あるいは耐熱性保護層(4)のみの構造でもよい。基板が
ポリカーボネート樹脂のように耐熱性が低い材料の場合
には耐熱性保護層(2)を設けることが望ましい。本発明
で用いられる基板は通常ガラス、セラミクス、あるいは
樹脂であり、樹脂基板が成形性、コスト等の点で好適で
ある。樹脂の代表例としてはポリカーボネート樹脂、ア
クリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリ
ロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹
脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等があげられるが、加工
性、光学特性等の点でポリカーボネート樹脂、アクリル
系樹脂が好ましい。又、基板の形状としてはディスク
状、カード状あるいはシート状であってもよい。
【００１０】耐熱性保護層の材料としては、ＳｉＯ、Ｓ
ｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ
3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2等の金属酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ
Ｎ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ
2Ｓ3、ＴａＳ4等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、Ｗ
Ｃ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カー
ボンあるいはそれらの混合物があげられる。これらの材
料は単体で保護層とすることもできるが、お互いの混合
物としてもよい。又、必要に応じて不純物を含んでいて
もよい。又、必要に応じて不純物を含んでいてもよい。
但し、耐熱性保護層の融点は記録層の融点よりも高いこ
とが必要である。このような耐熱性保護層は各種気相成
長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ
ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法等によって形成できる。耐熱性保護層の膜
厚としては200〜5000Å、好適には500〜3000Åとするの
がよい。200Åより薄くなると耐熱性保護層としての機
能を果たさなくなり、逆に5000Åよりも厚くなると、感
度の低下をきたしたり、界面剥離を生じやすくなる。
又、必要に応じて保護層を多層化することもできる。
ｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ
3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2等の金属酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ
Ｎ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ
2Ｓ3、ＴａＳ4等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、Ｗ
Ｃ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カー
ボンあるいはそれらの混合物があげられる。これらの材
料は単体で保護層とすることもできるが、お互いの混合
物としてもよい。又、必要に応じて不純物を含んでいて
もよい。又、必要に応じて不純物を含んでいてもよい。
但し、耐熱性保護層の融点は記録層の融点よりも高いこ
とが必要である。このような耐熱性保護層は各種気相成
長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ
ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法等によって形成できる。耐熱性保護層の膜
厚としては200〜5000Å、好適には500〜3000Åとするの
がよい。200Åより薄くなると耐熱性保護層としての機
能を果たさなくなり、逆に5000Åよりも厚くなると、感
度の低下をきたしたり、界面剥離を生じやすくなる。
又、必要に応じて保護層を多層化することもできる。
【００１１】本記録方式に用いられる記録材料としては
三元以上の化合物とＩｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓ、Ｓ
ｅ、Ｔｅから選ばれる１種以上の元素との混相系等があ
げられる。三元以上の化合物としてAgInTe2、AgInＳ2、
AgInSe2、AgGaSe2、CuInTe2、CuInSe2あるいはZnSnS
b2、ZnSnAs2、ZnSnＰ2、ZnGeAs2、CdSnＰ2、CdSnAs2等
周期律表のＩｂ− IIIｂ−VIｂ2あるいはIｂ−IVｂ−Ｖ
ｂ2で表わされるカルコパイライト型化合物、及び／又
はＩｂ−Ｖｂ−VIｂ2（ｗｏｌｆｓｂｅｒｇｉｔｅ型）
で表わされるＡｇＳｂＴｅ2など、立方晶を有する化合
物が適当である。
三元以上の化合物とＩｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓ、Ｓ
ｅ、Ｔｅから選ばれる１種以上の元素との混相系等があ
げられる。三元以上の化合物としてAgInTe2、AgInＳ2、
AgInSe2、AgGaSe2、CuInTe2、CuInSe2あるいはZnSnS
b2、ZnSnAs2、ZnSnＰ2、ZnGeAs2、CdSnＰ2、CdSnAs2等
周期律表のＩｂ− IIIｂ−VIｂ2あるいはIｂ−IVｂ−Ｖ
ｂ2で表わされるカルコパイライト型化合物、及び／又
はＩｂ−Ｖｂ−VIｂ2（ｗｏｌｆｓｂｅｒｇｉｔｅ型）
で表わされるＡｇＳｂＴｅ2など、立方晶を有する化合
物が適当である。
【００１２】このような記録層は各種気相成長法、例え
ば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、
光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着
法等によって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル法
のような湿式プロセスも適用可能である。記録層の膜厚
としては200〜10000Å、好適には500〜3000Åとするの
がよい。反射層としてはＡｌ、Ａｕなどの金属材料を用
いることができるが、必ずしも必要ではない。このよう
な反射層は各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッ
タリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプ
レーティング法、電子ビーム蒸着法等によって形成でき
る。記録、再生及び消去に用いる電磁波としてはレーザ
ー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、マイ
クロ波等、種々のものが採用可能であるが、ドライブに
取付ける際、小型でコンパクトな半導体レーザーが最適
である。
ば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、
光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着
法等によって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル法
のような湿式プロセスも適用可能である。記録層の膜厚
としては200〜10000Å、好適には500〜3000Åとするの
がよい。反射層としてはＡｌ、Ａｕなどの金属材料を用
いることができるが、必ずしも必要ではない。このよう
な反射層は各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッ
タリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプ
レーティング法、電子ビーム蒸着法等によって形成でき
る。記録、再生及び消去に用いる電磁波としてはレーザ
ー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、マイ
クロ波等、種々のものが採用可能であるが、ドライブに
取付ける際、小型でコンパクトな半導体レーザーが最適
である。
【００１３】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。ただし、これらの実施例は本発明をなんら制限す
るものではない。ピッチ1.6μm、深さ700Åの溝付き、
厚さ1.2mm、直径86mmφのポリカーボネート基板上にｒ
ｆスパッタリング法により耐熱保護層、記録層、耐熱保
護層、反射層を順次積層し、評価用光ディスクを作製し
た。基板上に設ける記録材料としてＡｇ8Ｉｎ8Ｔｅ15Ｓ
ｂ69を用い、膜厚は1000Åとした。反射層はＡｌを用
い、膜厚500Åとした。耐熱保護層はSi3Ｎ4を用い膜厚
は基板側2000Å、反射層側1000Åとした。光ディスクの
評価は８３０ｎｍの半導体レーザー光をNA＝0.5のレン
ズを通して媒体面で1μmφのスポット径にしぼり込み基
板側から照射することにより行った。
する。ただし、これらの実施例は本発明をなんら制限す
るものではない。ピッチ1.6μm、深さ700Åの溝付き、
厚さ1.2mm、直径86mmφのポリカーボネート基板上にｒ
ｆスパッタリング法により耐熱保護層、記録層、耐熱保
護層、反射層を順次積層し、評価用光ディスクを作製し
た。基板上に設ける記録材料としてＡｇ8Ｉｎ8Ｔｅ15Ｓ
ｂ69を用い、膜厚は1000Åとした。反射層はＡｌを用
い、膜厚500Åとした。耐熱保護層はSi3Ｎ4を用い膜厚
は基板側2000Å、反射層側1000Åとした。光ディスクの
評価は８３０ｎｍの半導体レーザー光をNA＝0.5のレン
ズを通して媒体面で1μmφのスポット径にしぼり込み基
板側から照射することにより行った。
【００１４】製膜後の記録膜は非晶質であったが、測定
に際し最初に媒体面で9mＷのＤＣ光でディスク全面を十
分に結晶化させ、それを初期（未記録）状態とした。デ
ィスクの線速度は7m/secとした。記録の書き込み条件
は、線速度7m/sec、周波数3.8MHzとし、記録レーザーパ
ワー（Ｐｗ)を4mＷから19mＷまで変化させた。消去レー
ザーパワー（Ｐｅ)は初期化と同じく9mＷとした。読み
取りパワー（Ｐr)は1mＷとした。図２に初期化後のディ
スクに記録したマークのＣ／Ｎ（キャリア対ノイズ比）
値及びＤＣ光による消去後の消去比と、記録レーザーパ
ワー（Ｐｗ)との関係を示す。図中、●は記録時のＣ／
Ｎ値を示し、矢印の長さはＤＣ光消去により消去された
Ｃ／Ｎ値を示す。Ｐｗ≦Ｐｅ、すなわち記録パワー9mＷ
以下ではＣ／Ｎ値が45dB以上となり、いずれの記録パワ
ーであっても消去率は 100％である。それに対し、記録
パワーが10mＷ以上になると消し残りのＣ／Ｎが増加し
完全消去ができなくなる。
に際し最初に媒体面で9mＷのＤＣ光でディスク全面を十
分に結晶化させ、それを初期（未記録）状態とした。デ
ィスクの線速度は7m/secとした。記録の書き込み条件
は、線速度7m/sec、周波数3.8MHzとし、記録レーザーパ
ワー（Ｐｗ)を4mＷから19mＷまで変化させた。消去レー
ザーパワー（Ｐｅ)は初期化と同じく9mＷとした。読み
取りパワー（Ｐr)は1mＷとした。図２に初期化後のディ
スクに記録したマークのＣ／Ｎ（キャリア対ノイズ比）
値及びＤＣ光による消去後の消去比と、記録レーザーパ
ワー（Ｐｗ)との関係を示す。図中、●は記録時のＣ／
Ｎ値を示し、矢印の長さはＤＣ光消去により消去された
Ｃ／Ｎ値を示す。Ｐｗ≦Ｐｅ、すなわち記録パワー9mＷ
以下ではＣ／Ｎ値が45dB以上となり、いずれの記録パワ
ーであっても消去率は 100％である。それに対し、記録
パワーが10mＷ以上になると消し残りのＣ／Ｎが増加し
完全消去ができなくなる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の記録方式
及び記録材料においては、情報記録パワーＰｗと消去パ
ワーＰｅとの間にＰｗ≦Ｐｅの関係があるため、低パワ
ーでの記録、消去が可能である。熱履歴を最小限に押さ
えるため繰返し性能向上、記録媒体の長寿命化が達成で
きる。
及び記録材料においては、情報記録パワーＰｗと消去パ
ワーＰｅとの間にＰｗ≦Ｐｅの関係があるため、低パワ
ーでの記録、消去が可能である。熱履歴を最小限に押さ
えるため繰返し性能向上、記録媒体の長寿命化が達成で
きる。
【図１】本発明の記録方式に用いる記録媒体の構成例を
示す図、
示す図、
【図２】実施例における初期化後のディスクに記録した
マークのＣ／Ｎ値及びＤＣ光による消去後の消去比と、
記録レーザーパワー（Ｐｗ)との関係を示す図。
マークのＣ／Ｎ値及びＤＣ光による消去後の消去比と、
記録レーザーパワー（Ｐｗ)との関係を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (4)
- 【請求項１】 電磁波のエネルギーを利用して記録材料
の二状態間を転移させることにより情報を記録する情報
記録方式において、記録材料の比較的高いエネルギー状
態を記録部に用い、比較的低いエネルギー状態を未記録
部に用いる際、記録パワーＰｗと消去パワーＰｅとの間
に Ｐｗ≦Ｐｅ の関係があることを特徴とする情報記録方式。 - 【請求項２】 比較的低いエネルギー状態にある記録材
料中に、三元以上の化合物と、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂ
ｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅから選ばれる１種以上の元素又はこ
れらの元素からなる合金との混相を主として有する情報
記録媒体を用いることを特徴とする請求項１記載の情報
記録方式。 - 【請求項３】 三元以上の化合物として周期律表のＩｂ
− IIIｂ−VIｂ2あるいはIIｂ−IVｂ−Ｖｂ2で表わされ
るカルコパイライト型化合物、及び／又は立方晶を有す
る化合物を含有する情報記録媒体を用いることを特徴と
する請求項２記載の記録方式。 - 【請求項４】 主としてＡｇＳｂＴｅ2及び／又はＳｂ
が結晶化することにより比較的低いエネルギー状態とな
る情報記録媒体を用いることを特徴とする請求項１、２
又は３記載の記録方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3025113A JPH06131663A (ja) | 1990-06-01 | 1991-01-28 | 情報記録方式 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-141556 | 1990-06-01 | ||
| JP14155690 | 1990-06-01 | ||
| JP3025113A JPH06131663A (ja) | 1990-06-01 | 1991-01-28 | 情報記録方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06131663A true JPH06131663A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=26362706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3025113A Pending JPH06131663A (ja) | 1990-06-01 | 1991-01-28 | 情報記録方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06131663A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9001632B2 (en) | 2011-10-19 | 2015-04-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Information device and method for performing information processing |
-
1991
- 1991-01-28 JP JP3025113A patent/JPH06131663A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9001632B2 (en) | 2011-10-19 | 2015-04-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Information device and method for performing information processing |
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