JPH07120867A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH07120867A JPH07120867A JP5285855A JP28585593A JPH07120867A JP H07120867 A JPH07120867 A JP H07120867A JP 5285855 A JP5285855 A JP 5285855A JP 28585593 A JP28585593 A JP 28585593A JP H07120867 A JPH07120867 A JP H07120867A
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- optical
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- recording
- optical recording
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザ光照射前後において極めて大きな光学
定数の変化が得られ、記録感度、消去感度を向上させる
ことができる相変化形光記録媒体を提供する。 【構成】 光の照射前後で光学定数が変化する特性を持
つ記録層を有する光記録媒体において、前記記録層が、
Ｇａと、Ｓｅ及びＴｅの中から選ばれる少なくとも一種
のカルコゲナイド元素と、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｂ、Ｔｍ、Ｔｂ及びＣｅの中
から選ばれた少なくとも一種の金属元素からなることを
特徴とする光記録媒体。
定数の変化が得られ、記録感度、消去感度を向上させる
ことができる相変化形光記録媒体を提供する。 【構成】 光の照射前後で光学定数が変化する特性を持
つ記録層を有する光記録媒体において、前記記録層が、
Ｇａと、Ｓｅ及びＴｅの中から選ばれる少なくとも一種
のカルコゲナイド元素と、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｂ、Ｔｍ、Ｔｂ及びＣｅの中
から選ばれた少なくとも一種の金属元素からなることを
特徴とする光記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、相変化形記録材料から
なる記録層を有する光記録媒体に関するものである。
なる記録層を有する光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】レーザ
ビームの照射による情報の記録、再生、消去が可能な光
メモリーとして相変化形記録媒体の開発が活発化してい
る。その代表的な例としてはＵＳＰ３５３０４４１に開
示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ、
Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ
−Ｔｅ等のカルコゲン系材料を記録層に用いたものが挙
げられる。また、記録／消去の繰り返し性能向上を目的
としてＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組
成比を特定した材料の提案もなされている（特開昭６２
−７３４３８号、特開昭６３−２２８４３３号）。しか
しながら、上記のいずれの媒体も、相変化形光記録媒体
として要求される諸特性のすべて満足しているものとは
いえない。特に記録感度、消去感度、そして消去比等は
解決すべき課題であるといえる。
ビームの照射による情報の記録、再生、消去が可能な光
メモリーとして相変化形記録媒体の開発が活発化してい
る。その代表的な例としてはＵＳＰ３５３０４４１に開
示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ、
Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ
−Ｔｅ等のカルコゲン系材料を記録層に用いたものが挙
げられる。また、記録／消去の繰り返し性能向上を目的
としてＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組
成比を特定した材料の提案もなされている（特開昭６２
−７３４３８号、特開昭６３−２２８４３３号）。しか
しながら、上記のいずれの媒体も、相変化形光記録媒体
として要求される諸特性のすべて満足しているものとは
いえない。特に記録感度、消去感度、そして消去比等は
解決すべき課題であるといえる。
【０００３】一方、コンパクトディスクの完全互換をめ
ざした相変化形記録媒体もいくつか提案されており、そ
の一つとして、Ｉｎ−Ｓｅを記録層に、ＳｉＯ2を誘電
体層に、そしてＣｕを反射放熱層に用いた構成（第４回
相変化記録研究会シンポジウム予稿集）のものがある。
また、ＧｅＳｂＴｅを記録材料として誘電体干渉膜を利
用したものも提案されている（第４０回応用物理学会予
稿集）。しかし、このタイプのいずれの媒体も記録感度
やオーバーライト特性において解決すべき課題を有して
いる。
ざした相変化形記録媒体もいくつか提案されており、そ
の一つとして、Ｉｎ−Ｓｅを記録層に、ＳｉＯ2を誘電
体層に、そしてＣｕを反射放熱層に用いた構成（第４回
相変化記録研究会シンポジウム予稿集）のものがある。
また、ＧｅＳｂＴｅを記録材料として誘電体干渉膜を利
用したものも提案されている（第４０回応用物理学会予
稿集）。しかし、このタイプのいずれの媒体も記録感度
やオーバーライト特性において解決すべき課題を有して
いる。
【０００４】本発明は、このような従来技術の実情に鑑
みてなされたもので、レーザ光照射前後において極めて
大きな光学定数の変化が得られ、記録感度、消去感度を
向上させることができる相変化形光記録媒体を提供する
ことを目的とする。
みてなされたもので、レーザ光照射前後において極めて
大きな光学定数の変化が得られ、記録感度、消去感度を
向上させることができる相変化形光記録媒体を提供する
ことを目的とする。
【０００５】上記目的を達成するため、本発明によれ
ば、光の照射前後で光学定数が変化する特性を持つ記録
層を有する光記録媒体において、前記記録層が、Ｇａ
と、Ｓｅ及びＴｅの中から選ばれる少なくとも一種のカ
ルコゲナイド元素と、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｂ、Ｔｍ，Ｔｂ及びＣｅの中から
選ばれた少なくとも一種の金属元素からなることを特徴
とする光記録媒体が提供される。また、本発明によれ
ば、上記構成において、Ｇａ、カルコゲナイド元素及び
金属元素の組成比をそれぞれα、β及びγ（原子％）と
したとき、下記条件を満足することを特徴とする光記録
媒体が提供される。 ４１≦α≦６８ ３１≦β≦５８ ０．１≦γ≦２ α＋β＋γ＝１００ また、本発明によれば、上記構成において、記録層の上
面及び下面に、無機酸化物、無機硫化物及び無機窒化物
の中から選ばれる少なくとも一種の材料からなる耐熱保
護層を有することを特徴とする光記録媒体が提供され
る。また、本発明によれば、上記構成において、無機酸
化物、無機硫化物又は無機窒化物の光学定数の振幅減衰
係数が３５０ｎｍから８５０ｎｍの波長範囲で０．３以
下であることを特徴とする光記録媒体が提供される。さ
らに、本発明によれば、上記構成において、最上層にＡ
ｇ−Ｐｄ合金からなる反射放熱層を有することを特徴と
する光記録媒体が提供される。
ば、光の照射前後で光学定数が変化する特性を持つ記録
層を有する光記録媒体において、前記記録層が、Ｇａ
と、Ｓｅ及びＴｅの中から選ばれる少なくとも一種のカ
ルコゲナイド元素と、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｂ、Ｔｍ，Ｔｂ及びＣｅの中から
選ばれた少なくとも一種の金属元素からなることを特徴
とする光記録媒体が提供される。また、本発明によれ
ば、上記構成において、Ｇａ、カルコゲナイド元素及び
金属元素の組成比をそれぞれα、β及びγ（原子％）と
したとき、下記条件を満足することを特徴とする光記録
媒体が提供される。 ４１≦α≦６８ ３１≦β≦５８ ０．１≦γ≦２ α＋β＋γ＝１００ また、本発明によれば、上記構成において、記録層の上
面及び下面に、無機酸化物、無機硫化物及び無機窒化物
の中から選ばれる少なくとも一種の材料からなる耐熱保
護層を有することを特徴とする光記録媒体が提供され
る。また、本発明によれば、上記構成において、無機酸
化物、無機硫化物又は無機窒化物の光学定数の振幅減衰
係数が３５０ｎｍから８５０ｎｍの波長範囲で０．３以
下であることを特徴とする光記録媒体が提供される。さ
らに、本発明によれば、上記構成において、最上層にＡ
ｇ−Ｐｄ合金からなる反射放熱層を有することを特徴と
する光記録媒体が提供される。
【０００６】以下、具体的に本発明を説明する。本発明
は相変化形光記録媒体に係り、その記録層が、Ｇａとカ
ルコゲナイド元素Ｋ（ＫはＳｅ及びＴｅの中から選ばれ
た少なくとも一種の元素）とＭ（ＭはＡｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｂ、Ｔｍ、Ｔｂ
及びＣｅの中から選ばれた少なくとも一種の元素）から
なることを特徴とする。このような材料からなる記録層
を有する光記録媒体は、記録層における組成比及び膜厚
を調整することにより、レーザ照射前後に極めて大きな
光学定数の変化を得ることができ、しかも誘電体層との
組合せによって光学的な干渉が利用しやすくなるため、
高い反射率と大きなコントラスト（記録の前後）を得る
ことが可能となる。上記効果は、記録層の組成をＧａα
ＫβＭγで表したとき、４１≦α≦６８、３１≦β≦５
８、０．１≦γ≦２（原子％）となる場合に特に顕著と
なる。
は相変化形光記録媒体に係り、その記録層が、Ｇａとカ
ルコゲナイド元素Ｋ（ＫはＳｅ及びＴｅの中から選ばれ
た少なくとも一種の元素）とＭ（ＭはＡｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｂ、Ｔｍ、Ｔｂ
及びＣｅの中から選ばれた少なくとも一種の元素）から
なることを特徴とする。このような材料からなる記録層
を有する光記録媒体は、記録層における組成比及び膜厚
を調整することにより、レーザ照射前後に極めて大きな
光学定数の変化を得ることができ、しかも誘電体層との
組合せによって光学的な干渉が利用しやすくなるため、
高い反射率と大きなコントラスト（記録の前後）を得る
ことが可能となる。上記効果は、記録層の組成をＧａα
ＫβＭγで表したとき、４１≦α≦６８、３１≦β≦５
８、０．１≦γ≦２（原子％）となる場合に特に顕著と
なる。
【０００７】上記記録材料において、元素Ｍはその組成
比を制御することにより結晶成長をコントロールするこ
とができるため（この理由は明らかでないが、Ｍが結晶
核として働いたり、カルコゲナイド元素に対してターミ
ネータとして機能することが考えられる。）消去同度を
向上させることができる。また、Ｇａとカルコゲナイド
元素は、例えばＧａとＳｅを考えた場合、相図によれば
ＧａとＳｅの１：１の組成比でＧａＳｅを形成するが、
この時Ｇａ又はＳｅの組成比を１：１から小さい方にず
らしても、大きい方向にずらしても共晶の方向に進行す
るため、融点は低下する方向に動く。但し、この時は単
一なＧａＳｅの相が得られず、Ｇａ相、ＧａＳｅ相、Ｇ
ａ2Ｓｅ3相、Ｓｅ相が混在して形となってくるが、この
ことは記録材料としての特性に大きな影響を与えること
はなく、このようにしてＧａとカルコゲン元素の組成比
を調整することにより融点を下げて記録感度を向上させ
ることができる。この効果は記録材料の相状態が３相以
下の場合にすぐれている。
比を制御することにより結晶成長をコントロールするこ
とができるため（この理由は明らかでないが、Ｍが結晶
核として働いたり、カルコゲナイド元素に対してターミ
ネータとして機能することが考えられる。）消去同度を
向上させることができる。また、Ｇａとカルコゲナイド
元素は、例えばＧａとＳｅを考えた場合、相図によれば
ＧａとＳｅの１：１の組成比でＧａＳｅを形成するが、
この時Ｇａ又はＳｅの組成比を１：１から小さい方にず
らしても、大きい方向にずらしても共晶の方向に進行す
るため、融点は低下する方向に動く。但し、この時は単
一なＧａＳｅの相が得られず、Ｇａ相、ＧａＳｅ相、Ｇ
ａ2Ｓｅ3相、Ｓｅ相が混在して形となってくるが、この
ことは記録材料としての特性に大きな影響を与えること
はなく、このようにしてＧａとカルコゲン元素の組成比
を調整することにより融点を下げて記録感度を向上させ
ることができる。この効果は記録材料の相状態が３相以
下の場合にすぐれている。
【０００８】また、上記記録材料は前述したように、光
の照射の前後において極めて大きな光学定数の変化を示
す。即ち、通常の真空蒸着法、スパッタ法等により得ら
れた膜は、非晶質状態であり、屈折率ｎは組成比、膜厚
により２．１６から４．９１の範囲内で、また振幅減衰
係数ｋは０．１１から１．６２の広い範囲内で調整でき
る。そしてこれを結晶化させると屈折率ｎは１．４４か
ら４．０７まで振幅減衰係数ｋは０．２６から１．４４
の範囲内で調整できる。複素屈折率がこのような広い範
囲で変化する理由は今のところ明確でないが、ＧａＳｅ
及びＧａＴｅの構造が層状構造を有していることに関係
していることも考えられる。また、層状構造を有する系
は構造相転移しやすいという特徴を持つ。以上のように
本材料系は大きな光学定数の変化を示すので記録材料と
して使用するのに好都合である。即ち、他の耐熱保護層
として使用する誘電体層等との併用により、膜厚を調整
することで多重干渉効果が利用しやすく、反射率及びコ
ントラストが制御しやすいという特徴を有する。この時
の誘電体層に使用される材料としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ
2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、
ＺｒＯ2等の無機酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、
ＢＮ、ＺｒＮ等の無機窒化物、ＺｎＳ等の無機硫化物等
を用いることができる。これらの材料を用いた誘電体層
は耐熱保護層の役目と同時に多重干渉層としての役目も
はたす。干渉層としての重要な必要特性の１つに、でき
るだけ透明であることが挙げられる。即ち、与えられた
波長域内でできるだけ光を吸収しないで透過する能力が
大きいことが要求される。この能力は材料のバンドギャ
ップで決定されるが、光学的な目安としては複素屈折率
の虚数部の振幅減衰係数で示される。ある波長域で振幅
減衰係数が大きい材料は、吸収が大きいか又は反射が大
きい。従って、対象としている波長域で、できるだけ振
幅減衰係数ｋが小さいことが望ましい。本発明の記録材
料においては、３５０ｎｍ〜８５０ｎｍの波長域におい
て、誘電体層の振幅減衰係数ｋが０．３以下であれば十
分に干渉効果を利用できる。
の照射の前後において極めて大きな光学定数の変化を示
す。即ち、通常の真空蒸着法、スパッタ法等により得ら
れた膜は、非晶質状態であり、屈折率ｎは組成比、膜厚
により２．１６から４．９１の範囲内で、また振幅減衰
係数ｋは０．１１から１．６２の広い範囲内で調整でき
る。そしてこれを結晶化させると屈折率ｎは１．４４か
ら４．０７まで振幅減衰係数ｋは０．２６から１．４４
の範囲内で調整できる。複素屈折率がこのような広い範
囲で変化する理由は今のところ明確でないが、ＧａＳｅ
及びＧａＴｅの構造が層状構造を有していることに関係
していることも考えられる。また、層状構造を有する系
は構造相転移しやすいという特徴を持つ。以上のように
本材料系は大きな光学定数の変化を示すので記録材料と
して使用するのに好都合である。即ち、他の耐熱保護層
として使用する誘電体層等との併用により、膜厚を調整
することで多重干渉効果が利用しやすく、反射率及びコ
ントラストが制御しやすいという特徴を有する。この時
の誘電体層に使用される材料としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ
2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、
ＺｒＯ2等の無機酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、
ＢＮ、ＺｒＮ等の無機窒化物、ＺｎＳ等の無機硫化物等
を用いることができる。これらの材料を用いた誘電体層
は耐熱保護層の役目と同時に多重干渉層としての役目も
はたす。干渉層としての重要な必要特性の１つに、でき
るだけ透明であることが挙げられる。即ち、与えられた
波長域内でできるだけ光を吸収しないで透過する能力が
大きいことが要求される。この能力は材料のバンドギャ
ップで決定されるが、光学的な目安としては複素屈折率
の虚数部の振幅減衰係数で示される。ある波長域で振幅
減衰係数が大きい材料は、吸収が大きいか又は反射が大
きい。従って、対象としている波長域で、できるだけ振
幅減衰係数ｋが小さいことが望ましい。本発明の記録材
料においては、３５０ｎｍ〜８５０ｎｍの波長域におい
て、誘電体層の振幅減衰係数ｋが０．３以下であれば十
分に干渉効果を利用できる。
【０００９】さらに本発明の記録媒体は反射放熱層を有
することも可能である。これは入射するレーザ光を熱的
に制御する働きと記録層、誘電体層を透過した光を反射
させ干渉を向上させる働き及び記録層に再吸収させる機
能を持つ。反射放熱層材料としては、各種金属、合金材
料が使用可能であるが、熱伝導率が高く、反射率が青色
から赤色の波長範囲で８０％以上を有する銀が特に好適
である。また、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｎｉ、Ａｇ−Ｔｉ、
Ａｇ−Ｍｎ、Ａｇ−Ａｌ、Ａｇ−Ａｕ等も好適であり、
この中でもＡｇ−Ｐｄ合金は特に耐環境性にもすぐれて
いる。
することも可能である。これは入射するレーザ光を熱的
に制御する働きと記録層、誘電体層を透過した光を反射
させ干渉を向上させる働き及び記録層に再吸収させる機
能を持つ。反射放熱層材料としては、各種金属、合金材
料が使用可能であるが、熱伝導率が高く、反射率が青色
から赤色の波長範囲で８０％以上を有する銀が特に好適
である。また、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｎｉ、Ａｇ−Ｔｉ、
Ａｇ−Ｍｎ、Ａｇ−Ａｌ、Ａｇ−Ａｕ等も好適であり、
この中でもＡｇ−Ｐｄ合金は特に耐環境性にもすぐれて
いる。
【００１０】次に、本発明の具体的構成を図面を参照し
て説明する。図１は本発明の構成例を示すもので、基板
１上に下部耐熱保護層２、記録層３、上部耐熱保護層
４、反射放熱層５が設けられている。耐熱保護層はかな
らずしも記録層の両側に設ける必要はないが、基板がポ
リカーボネート樹脂のように耐熱性が低い材料の場合に
は下部耐熱保護層２を設けることが望ましい。
て説明する。図１は本発明の構成例を示すもので、基板
１上に下部耐熱保護層２、記録層３、上部耐熱保護層
４、反射放熱層５が設けられている。耐熱保護層はかな
らずしも記録層の両側に設ける必要はないが、基板がポ
リカーボネート樹脂のように耐熱性が低い材料の場合に
は下部耐熱保護層２を設けることが望ましい。
【００１１】基板の材料は、通常、ガラス、セラミック
スあるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点
で好適である。樹脂の代表例としては、ポリカーボネー
ト樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、
フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげら
れるが、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート
樹脂が好ましい。また、基板の形状はディスク状、カー
ド状あるいはシート状であってもよい。
スあるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点
で好適である。樹脂の代表例としては、ポリカーボネー
ト樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、
フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげら
れるが、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート
樹脂が好ましい。また、基板の形状はディスク状、カー
ド状あるいはシート状であってもよい。
【００１２】耐熱保護層としては、前述したような無機
酸化物、無機窒素化物、無機硫黄化物を用いることがで
きるが、その他ＳｉＣ、ＴａＣ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ
等の炭化物やダイヤモンド状カーボンあるいはそれらの
混合物がを用いることもできる。これらの層は真空蒸着
法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法、イオン
プレーティング法、電子ビーム法等により形成される。
これらの層の膜厚は、その機能即ち耐熱保護層、多重干
渉層によっても異なるが耐熱保護層として考えた時は２
００〜５０００Å、好適には５００〜３０００Åとする
のがよい。２００Å以下の場合は耐熱保護層としての機
能がなくなり、また、５０００Åより厚くなると感度の
低下や界面剥離が生じやすくなる。
酸化物、無機窒素化物、無機硫黄化物を用いることがで
きるが、その他ＳｉＣ、ＴａＣ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ
等の炭化物やダイヤモンド状カーボンあるいはそれらの
混合物がを用いることもできる。これらの層は真空蒸着
法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法、イオン
プレーティング法、電子ビーム法等により形成される。
これらの層の膜厚は、その機能即ち耐熱保護層、多重干
渉層によっても異なるが耐熱保護層として考えた時は２
００〜５０００Å、好適には５００〜３０００Åとする
のがよい。２００Å以下の場合は耐熱保護層としての機
能がなくなり、また、５０００Åより厚くなると感度の
低下や界面剥離が生じやすくなる。
【００１３】反射放熱層としては、前述したような金
属、合金材料を用いることができる。これらの層は、真
空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、イオ
ンプレーティング法、電子ビーム法等により形成でき
る。また、膜厚は２００〜３０００Å、好適には５００
Å〜２０００Åがよい。
属、合金材料を用いることができる。これらの層は、真
空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、イオ
ンプレーティング法、電子ビーム法等により形成でき
る。また、膜厚は２００〜３０００Å、好適には５００
Å〜２０００Åがよい。
【００１４】また、本発明の記録層は各種気相成長法、
例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ
法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法等によ
り形成できる。この時の膜厚としては、１００〜１００
００Å、好適には２００〜３０００Åがよい。１００Å
より薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層としての機
能を失う。一方、１００００Åより厚いと感度が低下す
る。
例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ
法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法等によ
り形成できる。この時の膜厚としては、１００〜１００
００Å、好適には２００〜３０００Åがよい。１００Å
より薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層としての機
能を失う。一方、１００００Åより厚いと感度が低下す
る。
【００１５】
【実施例】以下、実施例によって本発明を更に具体的に
説明する。
説明する。
【００１６】実施例１ ピッチ１．６μｍ、深さ７００Åの溝付き、厚さ１．２
ｍｍ、直径１２０ｍｍφのポリカーボネート基板上に表
１に示す構成により、下部耐熱保護層、記録層、上部耐
熱保護層及び反射放熱層を順次スパッタ法により積層し
た。この時、記録層単独の光学定数を測定するため、５
０×５０×１ｍｍのガラス基板をセットしておいた。
ｍｍ、直径１２０ｍｍφのポリカーボネート基板上に表
１に示す構成により、下部耐熱保護層、記録層、上部耐
熱保護層及び反射放熱層を順次スパッタ法により積層し
た。この時、記録層単独の光学定数を測定するため、５
０×５０×１ｍｍのガラス基板をセットしておいた。
【００１７】
【表１】
【００１８】５０×５０×１ｍｍのガラス基板にスパッ
タされた記録層の光学定数を測定した結果を表２に示
す。この測定値は、スパッタ後の状態（非晶質）と２５
０℃で３０分熱処理後のものである。これらの光学定数
はエリプソメーターで測定した。測定波長は６３３ｎｍ
である。
タされた記録層の光学定数を測定した結果を表２に示
す。この測定値は、スパッタ後の状態（非晶質）と２５
０℃で３０分熱処理後のものである。これらの光学定数
はエリプソメーターで測定した。測定波長は６３３ｎｍ
である。
【００１９】
【表２】 表１より非晶質と結晶質の間で光学定数が大きく変化し
ていることがわかる。
ていることがわかる。
【００２０】次にディスク特性を評価した。先ず得られ
たディスクを初期化した後、波長８３０ｎｍ、線速度７
ｍ／ｓ、周波数４ＭＨｚ、５０％デューティー比で記録
した後、周波数５ＭＨｚ、５０％デューティー比でオー
バーライトを行なった。この時、周波数４ＭＨｚの信号
のＣ／Ｎ、消去比を測定した。この時の結果を表３に示
す。ただし、Ｐｗ：記録パワー、Ｐｅ：消去パワーであ
る。
たディスクを初期化した後、波長８３０ｎｍ、線速度７
ｍ／ｓ、周波数４ＭＨｚ、５０％デューティー比で記録
した後、周波数５ＭＨｚ、５０％デューティー比でオー
バーライトを行なった。この時、周波数４ＭＨｚの信号
のＣ／Ｎ、消去比を測定した。この時の結果を表３に示
す。ただし、Ｐｗ：記録パワー、Ｐｅ：消去パワーであ
る。
【００２１】
【表３】
【００２２】実施例２ 実施例１と同様な方法で表４に示す構成のディスクを作
製した。そしてこの時記録層単独の光学定数を測定した
値を表５に、そして、ディスク特性を表６に示す。ディ
スク評価条件は実施例１と同じである。
製した。そしてこの時記録層単独の光学定数を測定した
値を表５に、そして、ディスク特性を表６に示す。ディ
スク評価条件は実施例１と同じである。
【００２３】
【表４】
【００２４】
【表５】
【００２５】
【表６】
【００２６】実施例３ 実施例１、２と同様な方法で表７に示す構成のディスク
を作製した。そしてこの時の記録層の単独の光学定数を
測定した値を表８に、そしてディスク特性を表９に示
す。
を作製した。そしてこの時の記録層の単独の光学定数を
測定した値を表８に、そしてディスク特性を表９に示
す。
【００２７】
【表７】
【００２８】
【表８】
【００２９】
【表９】
【００３０】実施例４ 実施例１、２、３と同様な方法な方法で表１０に示す構
成のディスクを作成した。そしてこの時の記録層単独の
光学定数を測定した値を表１１に、そしてディスク特性
を表１２に示す。
成のディスクを作成した。そしてこの時の記録層単独の
光学定数を測定した値を表１１に、そしてディスク特性
を表１２に示す。
【００３１】
【表１０】
【００３２】
【表１１】
【００３３】
【表１２】
【００３４】以上、実施例１〜４より、本発明の相変化
形記録材料は、レーザ照射前後における光学定数の変化
が極めて大きく、記録感度、消去感度がすぐれているこ
とが確認された。さらに、上記各光ディスクを１０ｐｐ
ｍ、Ｈ2Ｓ雰囲気下、５０℃、８０％環境内で１０００
時間保存した後においてＡｇ−Ｐｄ膜の変色及びディス
ク特性の変化は認められなかった。但し、この場合に
は、Ａｇ−Ｐｄ反射放熱層の上に有機樹脂の環境保護層
を設けた。
形記録材料は、レーザ照射前後における光学定数の変化
が極めて大きく、記録感度、消去感度がすぐれているこ
とが確認された。さらに、上記各光ディスクを１０ｐｐ
ｍ、Ｈ2Ｓ雰囲気下、５０℃、８０％環境内で１０００
時間保存した後においてＡｇ−Ｐｄ膜の変色及びディス
ク特性の変化は認められなかった。但し、この場合に
は、Ａｇ−Ｐｄ反射放熱層の上に有機樹脂の環境保護層
を設けた。
【００３５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の光
記録媒体の記録層に用いる相変化形記録材料は記録前後
において極めて大きな光学的変化を有するので、光記録
に好適である。また、記録層の上面及び下面に、無機酸
化物、無機硫化物あるいは無機窒化物からなる耐熱保護
層を設けると、熱ダメージを防止できるのみならず、光
学的な多重干渉層としての機能を発揮することが可能と
なる。この場合、特定の波長域において振幅減衰係数が
０．３以下の無機材料を用いると光のロスを少なくする
ことができる。さらに、最上層に反射放熱層を設けた構
造とすると、入射光を有効に利用でき、しかも放熱効果
を上げることができるので好ましい。この時の反射放熱
層材料は短波長の光源にも対応できるＡｇ合金が望まし
く、特にＡｇ−Ｐｄ合金は耐硫化特性にもすぐれるため
大きな効果が期待できる。
記録媒体の記録層に用いる相変化形記録材料は記録前後
において極めて大きな光学的変化を有するので、光記録
に好適である。また、記録層の上面及び下面に、無機酸
化物、無機硫化物あるいは無機窒化物からなる耐熱保護
層を設けると、熱ダメージを防止できるのみならず、光
学的な多重干渉層としての機能を発揮することが可能と
なる。この場合、特定の波長域において振幅減衰係数が
０．３以下の無機材料を用いると光のロスを少なくする
ことができる。さらに、最上層に反射放熱層を設けた構
造とすると、入射光を有効に利用でき、しかも放熱効果
を上げることができるので好ましい。この時の反射放熱
層材料は短波長の光源にも対応できるＡｇ合金が望まし
く、特にＡｇ−Ｐｄ合金は耐硫化特性にもすぐれるため
大きな効果が期待できる。
【図１】本発明の光記録媒体の構成例を示すための断面
の模式図である。
の模式図である。
１ 基板 ２ 耐熱保護層 ３ 記録層 ４ 耐熱保護層 ５ 反射放熱層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８ Ｄ 7215−5Ｄ Ｎ 7215−5Ｄ Ｌ 7215−5Ｄ (72)発明者 出口 浩司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 山田 勝幸 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 林 嘉隆 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 井手 由紀雄 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (5)
- 【請求項１】 光の照射前後で光学定数が変化する特性
を持つ記録層を有する光記録媒体において、前記記録層
が、Ｇａと、Ｓｅ及びＴｅの中から選ばれる少なくとも
一種のカルコゲナイド元素と、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｂ、Ｔｍ、Ｔｂ及びＣ
ｅの中から選ばれた少なくとも一種の金属元素からなる
ことを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 Ｇａ、カルコゲナイド元素及び金属元素
の組成比をそれぞれα、β及びγ（原子％）としたと
き、下記条件を満足することを特徴とする請求項１に記
載の光記録媒体。 ４１≦α≦６８ ３１≦β≦５８ ０．１≦γ≦２ α＋β＋γ＝１００ - 【請求項３】 記録層の上面及び下面に、無機酸化物、
無機硫化物及び無機窒化物の中から選ばれる少なくとも
一種の材料からなる耐熱保護層を有することを特徴とす
る請求項１又は２に記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 無機酸化物、無機硫化物又は無機窒化物
の光学定数の振幅減衰係数が３５０ｎｍから８５０ｎｍ
の波長範囲で０．３以下であることを特徴とする請求項
３に記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 最上層にＡｇ−Ｐｄ合金からなる反射放
熱層を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか
一項に記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28585593A JP3463077B2 (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28585593A JP3463077B2 (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07120867A true JPH07120867A (ja) | 1995-05-12 |
| JP3463077B2 JP3463077B2 (ja) | 2003-11-05 |
Family
ID=17696931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28585593A Expired - Fee Related JP3463077B2 (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3463077B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006215574A (ja) * | 1997-04-02 | 2006-08-17 | Gentex Corp | 第三表面金属反射体が組込まれているエレクトロクロミックバックミラー |
-
1993
- 1993-10-20 JP JP28585593A patent/JP3463077B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006215574A (ja) * | 1997-04-02 | 2006-08-17 | Gentex Corp | 第三表面金属反射体が組込まれているエレクトロクロミックバックミラー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3463077B2 (ja) | 2003-11-05 |
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