JPH11240252A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPH11240252A JPH11240252A JP10341132A JP34113298A JPH11240252A JP H11240252 A JPH11240252 A JP H11240252A JP 10341132 A JP10341132 A JP 10341132A JP 34113298 A JP34113298 A JP 34113298A JP H11240252 A JPH11240252 A JP H11240252A
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- layer
- recording
- silicon oxide
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化型光記録媒体に
おいて、オーバーライト可能回数を増大させる。 【解決手段】 基体上に相変化型の記録層を有し、この
記録層が、Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅを主成分とし、Ａｇお
よびＡｕの少なくとも１種を合計で０．２〜２．５原子
％（２．５原子％を含まず）含有する光記録媒体。
おいて、オーバーライト可能回数を増大させる。 【解決手段】 基体上に相変化型の記録層を有し、この
記録層が、Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅを主成分とし、Ａｇお
よびＡｕの少なくとも１種を合計で０．２〜２．５原子
％（２．５原子％を含まず）含有する光記録媒体。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型の光記録
媒体に関する。
媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。相変化型の光記録媒体は、駆動装
置の光学系が光磁気記録媒体のそれに比べて単純である
ため、注目されている。
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。相変化型の光記録媒体は、駆動装
置の光学系が光磁気記録媒体のそれに比べて単純である
ため、注目されている。
【０００３】相変化型の記録層には、結晶質状態と非晶
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の
カルコゲナイト系材料が用いられることが多い。
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の
カルコゲナイト系材料が用いられることが多い。
【０００４】相変化型光記録媒体において情報を記録す
る際には、記録層が融点以上まで昇温されるような高パ
ワー（記録パワー）のレーザー光を照射する。記録パワ
ーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷さ
れ、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マー
クを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であ
ってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低
パワー（消去パワー）のレーザー光を照射する。消去パ
ワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上まで加
熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に戻
る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一の光ビ
ームの強度を変調することにより、オーバーライトが可
能である。
る際には、記録層が融点以上まで昇温されるような高パ
ワー（記録パワー）のレーザー光を照射する。記録パワ
ーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷さ
れ、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マー
クを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であ
ってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低
パワー（消去パワー）のレーザー光を照射する。消去パ
ワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上まで加
熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に戻
る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一の光ビ
ームの強度を変調することにより、オーバーライトが可
能である。
【０００５】相変化型光記録媒体では、通常、記録層の
両側に誘電体層が形成されている。これらの誘電体層に
は、 １）レーザー光照射による熱履歴に対し、記録層や基板
などを保護できること、 ２）各層の界面で反射してくる光の干渉効果を利用して
再生信号を増幅できること、 ３）各誘電体層の熱伝導率等を適当に調整することによ
り、記録・消去特性を調整できることなどが求められ
る。
両側に誘電体層が形成されている。これらの誘電体層に
は、 １）レーザー光照射による熱履歴に対し、記録層や基板
などを保護できること、 ２）各層の界面で反射してくる光の干渉効果を利用して
再生信号を増幅できること、 ３）各誘電体層の熱伝導率等を適当に調整することによ
り、記録・消去特性を調整できることなどが求められ
る。
【０００６】このような条件を満足する誘電体層とし
て、屈折率の高いＺｎＳを主成分とするものが用いられ
ることが多い。例えば、特開昭６３−１０３４５３号公
報には、ＺｎＳとＳｉＯ2との混合物からなる誘電体層
を有する光学式情報記録部材が記載されている。同公報
では、記録時の照射パワーに対する感度の上昇と、誘電
体材料の記録消去の繰り返し回数の増大とを効果として
おり、感度の上昇は誘電体層の熱定数の最適化によるも
ので、記録消去の繰り返し回数の増大は、記録および消
去に要するレーザーパワーの低下によるものとしてい
る。同公報では、ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）が１０
〜３０モル％のときに、記録および消去に要するレーザ
ーエネルギーが最も少なくてすむので好ましいとしてい
る。
て、屈折率の高いＺｎＳを主成分とするものが用いられ
ることが多い。例えば、特開昭６３−１０３４５３号公
報には、ＺｎＳとＳｉＯ2との混合物からなる誘電体層
を有する光学式情報記録部材が記載されている。同公報
では、記録時の照射パワーに対する感度の上昇と、誘電
体材料の記録消去の繰り返し回数の増大とを効果として
おり、感度の上昇は誘電体層の熱定数の最適化によるも
ので、記録消去の繰り返し回数の増大は、記録および消
去に要するレーザーパワーの低下によるものとしてい
る。同公報では、ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）が１０
〜３０モル％のときに、記録および消去に要するレーザ
ーエネルギーが最も少なくてすむので好ましいとしてい
る。
【０００７】Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の記録層を有する相
変化型光記録媒体では、オーバーライトの繰り返しによ
り、消去率の低下やジッターの上昇などが生じてＣ／Ｎ
が低下するため、数千回程度以上のオーバーライトは不
可能である。オーバーライトによるＣ／Ｎ劣化の原因と
しては、 ａ）記録層構成材料の記録トラック方向への流動による
記録層厚さの変化、 ｂ）隣接する誘電体層との間での元素拡散による記録層
の組成変化、 ｃ）誘電体層の歪みや破損、 ｄ）記録層−誘電体層界面や誘電体層−反射層界面にお
ける剥離などが挙げられる。
変化型光記録媒体では、オーバーライトの繰り返しによ
り、消去率の低下やジッターの上昇などが生じてＣ／Ｎ
が低下するため、数千回程度以上のオーバーライトは不
可能である。オーバーライトによるＣ／Ｎ劣化の原因と
しては、 ａ）記録層構成材料の記録トラック方向への流動による
記録層厚さの変化、 ｂ）隣接する誘電体層との間での元素拡散による記録層
の組成変化、 ｃ）誘電体層の歪みや破損、 ｄ）記録層−誘電体層界面や誘電体層−反射層界面にお
ける剥離などが挙げられる。
【０００８】誘電体層の歪みや破損を防ぐための提案
は、例えば特開平２−６４９３７号公報に記載されてい
る。同公報には、記録層の片面または両面に耐熱保護層
を設け、さらに、耐熱保護層の少なくとも片面に、耐熱
保護層よりも体積弾性率の小さい保護層を設けること
で、耐熱保護層の歪みや破れを抑えて繰り返し記録特性
を向上させることが記載されている。同公報では、体積
弾性率の小さい保護層を構成する材料としてＭｏＳ2、
ＺｎＳ、ＺｎＳｅ等が、耐熱保護層を構成する材料とし
て炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウムが挙げら
れている。同公報の実施例２では、記録層の両側にＳｉ
Ｎx層を２０nmの厚さに設け、さらにこの両側に、Ｚｎ
Ｓをレーザー入射側に１００nm、反対側に２００nmの厚
さに設けている。そして、この構成により、数万回の良
好な繰り返し記録特性が得られた旨の記載がある。な
お、この実施例では、ＳｉＮx層により、ＺｎＳからな
る保護層から記録層への元素拡散が抑えられることにな
ると考えられる。
は、例えば特開平２−６４９３７号公報に記載されてい
る。同公報には、記録層の片面または両面に耐熱保護層
を設け、さらに、耐熱保護層の少なくとも片面に、耐熱
保護層よりも体積弾性率の小さい保護層を設けること
で、耐熱保護層の歪みや破れを抑えて繰り返し記録特性
を向上させることが記載されている。同公報では、体積
弾性率の小さい保護層を構成する材料としてＭｏＳ2、
ＺｎＳ、ＺｎＳｅ等が、耐熱保護層を構成する材料とし
て炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウムが挙げら
れている。同公報の実施例２では、記録層の両側にＳｉ
Ｎx層を２０nmの厚さに設け、さらにこの両側に、Ｚｎ
Ｓをレーザー入射側に１００nm、反対側に２００nmの厚
さに設けている。そして、この構成により、数万回の良
好な繰り返し記録特性が得られた旨の記載がある。な
お、この実施例では、ＳｉＮx層により、ＺｎＳからな
る保護層から記録層への元素拡散が抑えられることにな
ると考えられる。
【０００９】しかし、本発明者らが同公報の実施例と同
様な膜構成で追試を行ったところ、オーバーライト可能
回数は１万回程度にすぎなかった。
様な膜構成で追試を行ったところ、オーバーライト可能
回数は１万回程度にすぎなかった。
【００１０】記録層の流動や偏析を抑えるための提案
は、例えば特開平８−１２７１７６号公報に記載されて
いる。同公報には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化型の記
録膜に、Ｃｒ、Ａｇ、Ｂａ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＰｔＳｉ、Ｓ
ｒ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｌｉ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ａ
ｌ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｃｓ、Ｇａ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｓ
ｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｉｎおよびランタノイド元素からなる群
から選ばれた少なくとも一つの元素Ｘを添加し、記録膜
中に、相変化成分よりも高い融点をもつ高融点成分を析
出させることにより、記録・消去時の記録膜の流動・偏
析を防止でき、１０5回を超えるオーバーライトが可能
となる旨の記載がある。同公報の実施例では、元素Ｘと
してＣｒ、Ｃｕ、Ｃｒ＋Ｔｌ、Ｃｒ＋ＮまたはＣｒ＋Ｓ
ｅを用いており、元素Ｘの添加量はすべて３原子％以上
となっている。そして、流動・偏析を防ぐための高融点
金属相を析出させるために、初期化を数百回行ってい
る。
は、例えば特開平８−１２７１７６号公報に記載されて
いる。同公報には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化型の記
録膜に、Ｃｒ、Ａｇ、Ｂａ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＰｔＳｉ、Ｓ
ｒ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｌｉ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ａ
ｌ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｃｓ、Ｇａ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｓ
ｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｉｎおよびランタノイド元素からなる群
から選ばれた少なくとも一つの元素Ｘを添加し、記録膜
中に、相変化成分よりも高い融点をもつ高融点成分を析
出させることにより、記録・消去時の記録膜の流動・偏
析を防止でき、１０5回を超えるオーバーライトが可能
となる旨の記載がある。同公報の実施例では、元素Ｘと
してＣｒ、Ｃｕ、Ｃｒ＋Ｔｌ、Ｃｒ＋ＮまたはＣｒ＋Ｓ
ｅを用いており、元素Ｘの添加量はすべて３原子％以上
となっている。そして、流動・偏析を防ぐための高融点
金属相を析出させるために、初期化を数百回行ってい
る。
【００１１】しかし、同公報に記載されているように数
百回の初期化が必要であると、製造に際してコストアッ
プを招くため、好ましくない。
百回の初期化が必要であると、製造に際してコストアッ
プを招くため、好ましくない。
【００１２】なお、上記特開平８−１２７１７６号公報
には、Ａｇを添加した例も記載されているが、この例に
おいてＡｇが添加されているのは記録膜ではなく、超解
像再生のためのマスク層である。
には、Ａｇを添加した例も記載されているが、この例に
おいてＡｇが添加されているのは記録膜ではなく、超解
像再生のためのマスク層である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化型光記録媒体において、オーバ
ーライト可能回数を増大させることである。
−Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化型光記録媒体において、オーバ
ーライト可能回数を増大させることである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１３）の本発明により達成される。 （１） 基体上に相変化型の記録層を有し、この記録層
が、Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅを主成分とし、ＡｇおよびＡ
ｕの少なくとも１種を合計で０．２〜２．５原子％
（２．５原子％を含まず）含有する光記録媒体。 （２） 記録層の下側および上側にそれぞれ記録層と接
する第１誘電体層および第２誘電体層を有し、第２誘電
体層上に金属からなる反射層を有し、第１誘電体層が、
基体側に誘電体層１ａを、記録層側に誘電体層１ｂをそ
れぞれ含み、誘電体層１ａが硫化亜鉛および酸化ケイ素
を主成分とし、誘電体層１ｂが窒化ケイ素および／また
は窒化ゲルマニウムを主成分とするか、酸化ケイ素を主
成分とするか、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分とす
るか、酸化クロムを主成分とするものであり、誘電体層
１ｂが硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分とするとき、
これらをそれぞれＺｎＳおよびＳｉＯ2に換算して求め
た酸化ケイ素含有率［ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）］
が４０モル％以上であり、第２誘電体層が、硫化亜鉛お
よび酸化ケイ素を主成分とするか、酸化ケイ素を主成分
とするか、希土類酸化物を主成分とするか、窒化ゲルマ
ニウムを主成分とする上記（１）の光記録媒体。 （３） 記録層の下側および上側にそれぞれ記録層と接
する第１誘電体層および第２誘電体層を有し、第２誘電
体層上に金属からなる反射層を有し、第１誘電体層が、
基体側に誘電体層１ａを、記録層側に誘電体層１ｂをそ
れぞれ含み、誘電体層１ａが硫化亜鉛および酸化ケイ素
を主成分とし、誘電体層１ｂが窒化ケイ素および／また
は窒化ゲルマニウムを主成分とするか、酸化ケイ素を主
成分とするか、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分とす
るか、酸化クロムを主成分とするものであり、誘電体層
１ｂが硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分とするとき、
これらをそれぞれＺｎＳおよびＳｉＯ2に換算して求め
た酸化ケイ素含有率［ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）］
が４０モル％以上であり、第２誘電体層が、記録層側に
誘電体層２ａを、反射層側に誘電体層２ｂをそれぞれ含
み、誘電体層２ａが、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成
分し、かつ、誘電体層２ｂが、酸化ケイ素または希土類
酸化物を主成分とするか、誘電体層２ａが、窒化ケイ素
および／または窒化ゲルマニウムを主成分とするか、酸
化クロムを主成分とし、かつ、誘電体層２ｂが、誘電体
層２ａよりも熱伝導率の低い誘電体材料を主成分とする
上記（１）の光記録媒体。 （４） 誘電体層１ｂの厚さが０．５〜４０nmである上
記（２）または（３）の光記録媒体。 （５） 誘電体層１ｂが、窒化ケイ素を主成分とし、か
つ、厚さが０．５〜５nm（ただし５nmを含まず）である
上記（３）の光記録媒体。 （６） 硫化亜鉛および酸化ケイ素をそれぞれＺｎＳお
よびＳｉＯ2に換算して酸化ケイ素含有率［ＳｉＯ2／
（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）］を求めたとき、誘電体層１ａの
酸化ケイ素含有率が２〜４０モル％（４０モル％を含ま
ず）である上記（２）〜（５）のいずれかの光記録媒
体。 （７） 記録層の下側および上側にそれぞれ記録層と接
する第１誘電体層および第２誘電体層を有し、記録再生
光波長における媒体の光吸収率を、記録層の結晶質部で
Ａｃとし、非結晶質部でＡａとしたとき、 Ａｃ／Ａａ≧０．９ であり、第１誘電体層が、基体側に誘電体層１ａを、記
録層側に誘電体層１ｂをそれぞれ含み、誘電体層１ｂ
が、窒化ゲルマニウムおよび／または窒化ケイ素を主成
分とし、誘電体層１ａが、硫化亜鉛および酸化ケイ素を
主成分とし、第２誘電体層のうち少なくとも記録層に接
して存在する領域が、窒化ゲルマニウムおよび／または
窒化ケイ素を主成分とするか、希土類酸化物を主成分と
するか、酸化ケイ素を主成分とするか、硫化亜鉛および
酸化ケイ素を主成分とするものであり、前記領域が硫化
亜鉛および酸化ケイ素を主成分とするものである場合、
硫化亜鉛および酸化ケイ素をそれぞれＺｎＳおよびＳｉ
Ｏ2に換算して求めた酸化ケイ素含有率［ＳｉＯ2／（Ｚ
ｎＳ＋ＳｉＯ2）］が４０モル％以上である上記（１）
の光記録媒体。 （８） 誘電体層１ｂの厚さが０．５〜４０nmである上
記（７）の光記録媒体。 （９） 誘電体層１ｂが、窒化ケイ素を主成分とし、か
つ、厚さが０．５〜５nm（ただし５nmを含まず）である
上記（７）の光記録媒体。 （１０） 硫化亜鉛および酸化ケイ素をそれぞれＺｎＳ
およびＳｉＯ2に換算して酸化ケイ素含有率［ＳｉＯ2／
（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）］を求めたとき、誘電体層１ａの
酸化ケイ素含有率が２〜４０モル％（４０モル％を含ま
ず）である上記（７）〜（９）のいずれかの光記録媒
体。 （１１） 第２誘電体層上に反射層を有し、この反射層
が、金属から構成された厚さ４０nm以下のものである
か、ＳｉまたはＧｅから構成された厚さ８０nm以下のも
のである上記（７）〜（１０）のいずれかの光記録媒
体。 （１２） 反射層上に第３誘電体層を有する上記（１
１）の光記録媒体。 （１３） 記録層の平均結晶粒径が２０〜１５０nmであ
る上記（１）〜（１２）のいずれかの光記録媒体。
（１）〜（１３）の本発明により達成される。 （１） 基体上に相変化型の記録層を有し、この記録層
が、Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅを主成分とし、ＡｇおよびＡ
ｕの少なくとも１種を合計で０．２〜２．５原子％
（２．５原子％を含まず）含有する光記録媒体。 （２） 記録層の下側および上側にそれぞれ記録層と接
する第１誘電体層および第２誘電体層を有し、第２誘電
体層上に金属からなる反射層を有し、第１誘電体層が、
基体側に誘電体層１ａを、記録層側に誘電体層１ｂをそ
れぞれ含み、誘電体層１ａが硫化亜鉛および酸化ケイ素
を主成分とし、誘電体層１ｂが窒化ケイ素および／また
は窒化ゲルマニウムを主成分とするか、酸化ケイ素を主
成分とするか、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分とす
るか、酸化クロムを主成分とするものであり、誘電体層
１ｂが硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分とするとき、
これらをそれぞれＺｎＳおよびＳｉＯ2に換算して求め
た酸化ケイ素含有率［ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）］
が４０モル％以上であり、第２誘電体層が、硫化亜鉛お
よび酸化ケイ素を主成分とするか、酸化ケイ素を主成分
とするか、希土類酸化物を主成分とするか、窒化ゲルマ
ニウムを主成分とする上記（１）の光記録媒体。 （３） 記録層の下側および上側にそれぞれ記録層と接
する第１誘電体層および第２誘電体層を有し、第２誘電
体層上に金属からなる反射層を有し、第１誘電体層が、
基体側に誘電体層１ａを、記録層側に誘電体層１ｂをそ
れぞれ含み、誘電体層１ａが硫化亜鉛および酸化ケイ素
を主成分とし、誘電体層１ｂが窒化ケイ素および／また
は窒化ゲルマニウムを主成分とするか、酸化ケイ素を主
成分とするか、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分とす
るか、酸化クロムを主成分とするものであり、誘電体層
１ｂが硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分とするとき、
これらをそれぞれＺｎＳおよびＳｉＯ2に換算して求め
た酸化ケイ素含有率［ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）］
が４０モル％以上であり、第２誘電体層が、記録層側に
誘電体層２ａを、反射層側に誘電体層２ｂをそれぞれ含
み、誘電体層２ａが、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成
分し、かつ、誘電体層２ｂが、酸化ケイ素または希土類
酸化物を主成分とするか、誘電体層２ａが、窒化ケイ素
および／または窒化ゲルマニウムを主成分とするか、酸
化クロムを主成分とし、かつ、誘電体層２ｂが、誘電体
層２ａよりも熱伝導率の低い誘電体材料を主成分とする
上記（１）の光記録媒体。 （４） 誘電体層１ｂの厚さが０．５〜４０nmである上
記（２）または（３）の光記録媒体。 （５） 誘電体層１ｂが、窒化ケイ素を主成分とし、か
つ、厚さが０．５〜５nm（ただし５nmを含まず）である
上記（３）の光記録媒体。 （６） 硫化亜鉛および酸化ケイ素をそれぞれＺｎＳお
よびＳｉＯ2に換算して酸化ケイ素含有率［ＳｉＯ2／
（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）］を求めたとき、誘電体層１ａの
酸化ケイ素含有率が２〜４０モル％（４０モル％を含ま
ず）である上記（２）〜（５）のいずれかの光記録媒
体。 （７） 記録層の下側および上側にそれぞれ記録層と接
する第１誘電体層および第２誘電体層を有し、記録再生
光波長における媒体の光吸収率を、記録層の結晶質部で
Ａｃとし、非結晶質部でＡａとしたとき、 Ａｃ／Ａａ≧０．９ であり、第１誘電体層が、基体側に誘電体層１ａを、記
録層側に誘電体層１ｂをそれぞれ含み、誘電体層１ｂ
が、窒化ゲルマニウムおよび／または窒化ケイ素を主成
分とし、誘電体層１ａが、硫化亜鉛および酸化ケイ素を
主成分とし、第２誘電体層のうち少なくとも記録層に接
して存在する領域が、窒化ゲルマニウムおよび／または
窒化ケイ素を主成分とするか、希土類酸化物を主成分と
するか、酸化ケイ素を主成分とするか、硫化亜鉛および
酸化ケイ素を主成分とするものであり、前記領域が硫化
亜鉛および酸化ケイ素を主成分とするものである場合、
硫化亜鉛および酸化ケイ素をそれぞれＺｎＳおよびＳｉ
Ｏ2に換算して求めた酸化ケイ素含有率［ＳｉＯ2／（Ｚ
ｎＳ＋ＳｉＯ2）］が４０モル％以上である上記（１）
の光記録媒体。 （８） 誘電体層１ｂの厚さが０．５〜４０nmである上
記（７）の光記録媒体。 （９） 誘電体層１ｂが、窒化ケイ素を主成分とし、か
つ、厚さが０．５〜５nm（ただし５nmを含まず）である
上記（７）の光記録媒体。 （１０） 硫化亜鉛および酸化ケイ素をそれぞれＺｎＳ
およびＳｉＯ2に換算して酸化ケイ素含有率［ＳｉＯ2／
（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）］を求めたとき、誘電体層１ａの
酸化ケイ素含有率が２〜４０モル％（４０モル％を含ま
ず）である上記（７）〜（９）のいずれかの光記録媒
体。 （１１） 第２誘電体層上に反射層を有し、この反射層
が、金属から構成された厚さ４０nm以下のものである
か、ＳｉまたはＧｅから構成された厚さ８０nm以下のも
のである上記（７）〜（１０）のいずれかの光記録媒
体。 （１２） 反射層上に第３誘電体層を有する上記（１
１）の光記録媒体。 （１３） 記録層の平均結晶粒径が２０〜１５０nmであ
る上記（１）〜（１２）のいずれかの光記録媒体。
【００１５】
【作用および効果】本発明では、上記したようにＧｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化型記録層にＡｇおよび／またはＡ
ｕを所定量添加することにより、オーバーライト可能回
数を増大させる。具体的には、通常のオーバーライトを
１０万回以上行っても、十分なＣ／Ｎを維持することが
可能となる。この場合の通常のオーバーライトとは、光
記録媒体評価装置を用いた通常の条件でのオーバーライ
トであり、記録マークが完全に重なるとは限らない比較
的ランダムなものである。また、本発明では、実際の光
ディスク駆動装置でのオーバーライトにより近く、より
厳しい条件での評価試験、すなわち、同一の信号を記録
マークが完全に重なるようにオーバーライトする試験に
おいても、１００回以上のオーバーライトが特性劣化な
く可能である。さらに本発明では、前記特開平８−１２
７１７６号公報に記載された提案と異なり、初期化を数
百回行う必要はなく、通常の相変化型光記録媒体と同様
に初期化は１回だけで済む。
Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化型記録層にＡｇおよび／またはＡ
ｕを所定量添加することにより、オーバーライト可能回
数を増大させる。具体的には、通常のオーバーライトを
１０万回以上行っても、十分なＣ／Ｎを維持することが
可能となる。この場合の通常のオーバーライトとは、光
記録媒体評価装置を用いた通常の条件でのオーバーライ
トであり、記録マークが完全に重なるとは限らない比較
的ランダムなものである。また、本発明では、実際の光
ディスク駆動装置でのオーバーライトにより近く、より
厳しい条件での評価試験、すなわち、同一の信号を記録
マークが完全に重なるようにオーバーライトする試験に
おいても、１００回以上のオーバーライトが特性劣化な
く可能である。さらに本発明では、前記特開平８−１２
７１７６号公報に記載された提案と異なり、初期化を数
百回行う必要はなく、通常の相変化型光記録媒体と同様
に初期化は１回だけで済む。
【００１６】次に、記録層の下側および上側にそれぞれ
設ける第１誘電体層および第２誘電体層の好ましい構成
の作用効果について説明する。本発明の光記録媒体は、
通常、後述する反射型構造の媒体または後述する吸収率
補正構造の媒体に適用される。
設ける第１誘電体層および第２誘電体層の好ましい構成
の作用効果について説明する。本発明の光記録媒体は、
通常、後述する反射型構造の媒体または後述する吸収率
補正構造の媒体に適用される。
【００１７】図１に、反射型構造における好ましい態様
の構成例を示す。この光記録媒体は、基体２上に、第１
誘電体層３１、相変化型の記録層４、第２誘電体層３
２、金属からなる反射層５を有し、第１誘電体層３１
が、基体２側に誘電体層１ａを、記録層４側に誘電体層
１ｂをそれぞれ含むものである。
の構成例を示す。この光記録媒体は、基体２上に、第１
誘電体層３１、相変化型の記録層４、第２誘電体層３
２、金属からなる反射層５を有し、第１誘電体層３１
が、基体２側に誘電体層１ａを、記録層４側に誘電体層
１ｂをそれぞれ含むものである。
【００１８】誘電体層１ａは、硫化亜鉛と酸化ケイ素と
の混合物を主成分とするものであり、誘電体層１ｂは、
この混合物以外の誘電体材料を主成分とするか、主成分
がこの混合物ではあるが、硫化亜鉛の含有率が相対的に
低いものである。このような構成とすることにより、オ
ーバーライトの繰り返しによるジッターの増大が小さく
なるので、オーバーライト可能回数は十分に多くなる。
オーバーライト可能回数が増大する理由は明らかではな
いが、誘電体層１ａと記録層４との間に誘電体層１ｂを
設けたことで、誘電体層１ａからのＺｎやＳの拡散によ
る記録層４の組成変化が抑制されたことなどによると考
えられる。
の混合物を主成分とするものであり、誘電体層１ｂは、
この混合物以外の誘電体材料を主成分とするか、主成分
がこの混合物ではあるが、硫化亜鉛の含有率が相対的に
低いものである。このような構成とすることにより、オ
ーバーライトの繰り返しによるジッターの増大が小さく
なるので、オーバーライト可能回数は十分に多くなる。
オーバーライト可能回数が増大する理由は明らかではな
いが、誘電体層１ａと記録層４との間に誘電体層１ｂを
設けたことで、誘電体層１ａからのＺｎやＳの拡散によ
る記録層４の組成変化が抑制されたことなどによると考
えられる。
【００１９】図１に示す構造において、第２誘電体層３
２は記録層４からの熱流出の経路となっている。第２誘
電体層３２を通過する熱は反射層５により速やかに放散
されるため、第２誘電体層３２の温度上昇は第１誘電体
層３１よりも小さくなる。このため、第２誘電体層３２
からのＺｎやＳの拡散は第１誘電体層３１に比べ少な
い。また、第２誘電体層３２には、反射層５との界面お
よび記録層４との界面における剥離のしにくさや熱伝導
のよさが要求される。このような理由から、本発明の好
ましい態様では第２誘電体層３２の主成分を硫化亜鉛と
酸化ケイ素との混合物から構成する。この混合物は体積
弾性率が低いため、剥離が生じにくい。また、前記混合
物は熱伝導性が低いため、第２誘電体層を薄くできると
いう利点もある。しかし、高パワーで記録する必要があ
る場合には第２誘電体層も高温となるため、記録層への
ＺｎやＳの拡散が生じやすい。そこで、この態様では、
必要に応じ、第２誘電体層の主成分を酸化ケイ素、希土
類酸化物または窒化ゲルマニウムとし、第２誘電体層３
２によるＺｎやＳの影響を防ぐ。
２は記録層４からの熱流出の経路となっている。第２誘
電体層３２を通過する熱は反射層５により速やかに放散
されるため、第２誘電体層３２の温度上昇は第１誘電体
層３１よりも小さくなる。このため、第２誘電体層３２
からのＺｎやＳの拡散は第１誘電体層３１に比べ少な
い。また、第２誘電体層３２には、反射層５との界面お
よび記録層４との界面における剥離のしにくさや熱伝導
のよさが要求される。このような理由から、本発明の好
ましい態様では第２誘電体層３２の主成分を硫化亜鉛と
酸化ケイ素との混合物から構成する。この混合物は体積
弾性率が低いため、剥離が生じにくい。また、前記混合
物は熱伝導性が低いため、第２誘電体層を薄くできると
いう利点もある。しかし、高パワーで記録する必要があ
る場合には第２誘電体層も高温となるため、記録層への
ＺｎやＳの拡散が生じやすい。そこで、この態様では、
必要に応じ、第２誘電体層の主成分を酸化ケイ素、希土
類酸化物または窒化ゲルマニウムとし、第２誘電体層３
２によるＺｎやＳの影響を防ぐ。
【００２０】ただし、記録層に接して酸化ケイ素層また
は希土類酸化物層を設けると、記録層の結晶化速度が速
くなるので、結晶化速度を抑える必要のある場合には、
図２に示すように第２誘電体層を２層構造とし、酸化ケ
イ素または希土類酸化物からなる誘電体層２ｂと記録層
４との間に、硫化亜鉛と酸化ケイ素との混合物からなる
誘電体層２ａを設ける構成とすればよい。この構成とす
ることにより、記録層の結晶化速度を抑制することがで
きる。また、この構成の場合、誘電体層２ａは薄くても
十分な効果を発揮するので、誘電体層２ａを設けること
による記録層への悪影響（ＺｎやＳの拡散）は、ほとん
どない。なお、後述するように、記録層にＡｇおよび／
またはＡｕを添加すると結晶化速度が低下するので、誘
電体層の組成選択による結晶化速度の上昇を、記録層へ
のＡｇおよび／またはＡｕの添加量を制御することによ
り抑えることもできる。
は希土類酸化物層を設けると、記録層の結晶化速度が速
くなるので、結晶化速度を抑える必要のある場合には、
図２に示すように第２誘電体層を２層構造とし、酸化ケ
イ素または希土類酸化物からなる誘電体層２ｂと記録層
４との間に、硫化亜鉛と酸化ケイ素との混合物からなる
誘電体層２ａを設ける構成とすればよい。この構成とす
ることにより、記録層の結晶化速度を抑制することがで
きる。また、この構成の場合、誘電体層２ａは薄くても
十分な効果を発揮するので、誘電体層２ａを設けること
による記録層への悪影響（ＺｎやＳの拡散）は、ほとん
どない。なお、後述するように、記録層にＡｇおよび／
またはＡｕを添加すると結晶化速度が低下するので、誘
電体層の組成選択による結晶化速度の上昇を、記録層へ
のＡｇおよび／またはＡｕの添加量を制御することによ
り抑えることもできる。
【００２１】また、図２に示す構造において、誘電体層
２ａの主成分を窒化ケイ素および／もしくは窒化ゲルマ
ニウムまたは酸化クロムとする構成も本発明に包含され
る。この場合、誘電体層２ｂの主成分を、誘電体層２ａ
よりも熱伝導率の低い誘電体材料とする。窒化ケイ素、
窒化ゲルマニウムおよび酸化クロム、特に窒化ケイ素お
よび酸化クロムは熱伝導率が高いため、これらの化合物
からなる誘電体層を記録層に接して設ければ、記録層面
内方向への熱の拡散が良好となり、記録マーク拡大によ
る記録マーク検出感度の向上が可能となる。しかし、第
２誘電体層全体をこれらの化合物から構成した場合、記
録層から第２誘電体層を介した反射層への放熱が進みす
ぎてしまう。この場合、第２誘電体層を著しく厚くすれ
ば、反射層への放熱を抑制することができるが、その場
合には媒体全体としての光学的設計が困難になってしま
う。そのため、これらの化合物を第２誘電体層に用いる
場合には、図２に示すように第２誘電体層３２を２層構
造とし、記録層４に接する誘電体層２ａの主成分を、熱
伝導率の高い上記化合物から構成し、反射層５側の誘電
体層２ｂの主成分を、誘電体層２ａよりも熱伝導率の低
い化合物から構成する。
２ａの主成分を窒化ケイ素および／もしくは窒化ゲルマ
ニウムまたは酸化クロムとする構成も本発明に包含され
る。この場合、誘電体層２ｂの主成分を、誘電体層２ａ
よりも熱伝導率の低い誘電体材料とする。窒化ケイ素、
窒化ゲルマニウムおよび酸化クロム、特に窒化ケイ素お
よび酸化クロムは熱伝導率が高いため、これらの化合物
からなる誘電体層を記録層に接して設ければ、記録層面
内方向への熱の拡散が良好となり、記録マーク拡大によ
る記録マーク検出感度の向上が可能となる。しかし、第
２誘電体層全体をこれらの化合物から構成した場合、記
録層から第２誘電体層を介した反射層への放熱が進みす
ぎてしまう。この場合、第２誘電体層を著しく厚くすれ
ば、反射層への放熱を抑制することができるが、その場
合には媒体全体としての光学的設計が困難になってしま
う。そのため、これらの化合物を第２誘電体層に用いる
場合には、図２に示すように第２誘電体層３２を２層構
造とし、記録層４に接する誘電体層２ａの主成分を、熱
伝導率の高い上記化合物から構成し、反射層５側の誘電
体層２ｂの主成分を、誘電体層２ａよりも熱伝導率の低
い化合物から構成する。
【００２２】図３および図４に、吸収率補正構造におけ
る好ましい態様の構成例を示す。この構成における第１
誘電体層３１は、図１に示す第１誘電体層３１と同じ構
成であるため、図１に示す構成例と同様に、記録層４に
悪影響を与えるＺｎやＳの拡散が抑えられる。また、図
３における第２誘電体層３２および図４における誘電体
層２ａは、主成分が、窒化ゲルマニウムおよび／または
窒化ケイ素であるか、希土類酸化物であるか、酸化ケイ
素であるか、酸化ケイ素含有率の高いＺｎＳ−ＳｉＯ2
であるため、ＺｎやＳが第２誘電体層３２から記録層４
に拡散することがないか、拡散を抑えることができる。
る好ましい態様の構成例を示す。この構成における第１
誘電体層３１は、図１に示す第１誘電体層３１と同じ構
成であるため、図１に示す構成例と同様に、記録層４に
悪影響を与えるＺｎやＳの拡散が抑えられる。また、図
３における第２誘電体層３２および図４における誘電体
層２ａは、主成分が、窒化ゲルマニウムおよび／または
窒化ケイ素であるか、希土類酸化物であるか、酸化ケイ
素であるか、酸化ケイ素含有率の高いＺｎＳ−ＳｉＯ2
であるため、ＺｎやＳが第２誘電体層３２から記録層４
に拡散することがないか、拡散を抑えることができる。
【００２３】ところで、前記特開平２−６４９３７号公
報の実施例にしたがい、記録層の両側にＳｉＮx層を設
けて追試を行った結果、前述したようにオーバーライト
可能回数は１万回程度にすぎず、本発明の効果に比べ劣
るものとなった。この理由は明らかではないが、記録層
の両側のＳｉＮx層に発生する大きな応力が隣接する層
との界面の機械的特性を悪化させ、剥離を生じさせるた
めと考えられる。また、本発明者らの研究では、基体と
記録層との間に存在するＳｉＮx層が厚すぎると、高温
・高湿環境下で保存したときにＳｉＮx層が剥離してし
まうことがわかった。
報の実施例にしたがい、記録層の両側にＳｉＮx層を設
けて追試を行った結果、前述したようにオーバーライト
可能回数は１万回程度にすぎず、本発明の効果に比べ劣
るものとなった。この理由は明らかではないが、記録層
の両側のＳｉＮx層に発生する大きな応力が隣接する層
との界面の機械的特性を悪化させ、剥離を生じさせるた
めと考えられる。また、本発明者らの研究では、基体と
記録層との間に存在するＳｉＮx層が厚すぎると、高温
・高湿環境下で保存したときにＳｉＮx層が剥離してし
まうことがわかった。
【００２４】また、特開平６−１９５７４７号公報に
は、基板上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2層、Ｓｉ3Ｎ4層、記録
層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2層、反射層が順に積層された光デ
ィスクが記載されている。この光ディスクは、記録層と
基板側のＺｎＳ−ＳｉＯ2層との間にＳｉ3Ｎ4層を有す
る点については、本発明の光記録媒体の好ましい態様と
同じである。
は、基板上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2層、Ｓｉ3Ｎ4層、記録
層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2層、反射層が順に積層された光デ
ィスクが記載されている。この光ディスクは、記録層と
基板側のＺｎＳ−ＳｉＯ2層との間にＳｉ3Ｎ4層を有す
る点については、本発明の光記録媒体の好ましい態様と
同じである。
【００２５】しかし、同公報には、記録層にＡｇおよび
／またはＡｕを添加する旨の記載はない。また、同公報
記載の発明の目的は、短波長光源の使用下、あるいはデ
ィスク高速回転下でも消去率を低下させない、というも
のであり、本発明の目的とは異なる。同公報では前記目
的を達成するために、Ｓｉ3Ｎ4層を記録層の結晶化を促
進する層として利用しているが、本発明者らの研究によ
れば、Ｓｉ3Ｎ4層を結晶化促進のために利用する場合の
好ましい厚さは、本発明の好ましい態様において限定す
る誘電体層１ｂの厚さ範囲を上回る。したがって、Ｓｉ
3Ｎ4層を同公報記載の目的を達成し得る厚さにすると、
本発明の効果であるオーバーライト可能回数の向上が不
十分となる。また、本発明における誘電体層１ｂに相当
するＳｉ3Ｎ4層が厚すぎると、Ｓｉ3Ｎ4層と基板との間
に存在するＺｎＳ−ＳｉＯ2層が相対的に薄くなって高
Ｃ／Ｎが得られなくなる。また、本発明における誘電体
層１ｂに相当するＳｉ3Ｎ4層が厚すぎると、高温・高湿
環境下で保存した場合に、層間で剥離が生じてしまうと
いう問題も生じる。なお、同公報にはＳｉ3Ｎ4層の厚さ
についてはいっさい記載されていない。また、同公報に
は、Ｓｉ3Ｎ4に替えて窒化ゲルマニウムを用いてもよい
旨の記載もない。
／またはＡｕを添加する旨の記載はない。また、同公報
記載の発明の目的は、短波長光源の使用下、あるいはデ
ィスク高速回転下でも消去率を低下させない、というも
のであり、本発明の目的とは異なる。同公報では前記目
的を達成するために、Ｓｉ3Ｎ4層を記録層の結晶化を促
進する層として利用しているが、本発明者らの研究によ
れば、Ｓｉ3Ｎ4層を結晶化促進のために利用する場合の
好ましい厚さは、本発明の好ましい態様において限定す
る誘電体層１ｂの厚さ範囲を上回る。したがって、Ｓｉ
3Ｎ4層を同公報記載の目的を達成し得る厚さにすると、
本発明の効果であるオーバーライト可能回数の向上が不
十分となる。また、本発明における誘電体層１ｂに相当
するＳｉ3Ｎ4層が厚すぎると、Ｓｉ3Ｎ4層と基板との間
に存在するＺｎＳ−ＳｉＯ2層が相対的に薄くなって高
Ｃ／Ｎが得られなくなる。また、本発明における誘電体
層１ｂに相当するＳｉ3Ｎ4層が厚すぎると、高温・高湿
環境下で保存した場合に、層間で剥離が生じてしまうと
いう問題も生じる。なお、同公報にはＳｉ3Ｎ4層の厚さ
についてはいっさい記載されていない。また、同公報に
は、Ｓｉ3Ｎ4に替えて窒化ゲルマニウムを用いてもよい
旨の記載もない。
【００２６】また、特開平４−５２１８８号公報には、
透明基板、第１保護層、記録薄膜、第２保護層、反射層
が順次形成された相変化型光記録媒体が記載されてい
る。この媒体は、記録薄膜がＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂからな
り、記録薄膜の少なくとも一方の面にＧｅＮからなる窒
化物層が形成され、第１保護層および第２保護層がＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2からなる点については、本発明の好ましい
態様と同じである。
透明基板、第１保護層、記録薄膜、第２保護層、反射層
が順次形成された相変化型光記録媒体が記載されてい
る。この媒体は、記録薄膜がＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂからな
り、記録薄膜の少なくとも一方の面にＧｅＮからなる窒
化物層が形成され、第１保護層および第２保護層がＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2からなる点については、本発明の好ましい
態様と同じである。
【００２７】しかし、同公報には、記録層にＡｇおよび
／またはＡｕを添加する旨の記載はない。また、同公報
記載の発明は、記録薄膜の全面を結晶化させるための初
期化の際に、窒化物層を溶融させて記録薄膜と混合さ
せ、記録薄膜中に窒素を含有させることを目的とする。
記録薄膜中に窒素を含有させるのは、記録・消去の繰り
返しに伴う保護層の脈動によって記録薄膜材料が基板の
案内溝に沿って移動することを防ぐためである。したが
って、初期化後、同公報記載の媒体に記録・消去を行う
際には、窒化物層は存在しないか、例え存在しても組成
が著しく変化していることになるので、本発明における
誘電体層１ｂと同等の効果、すなわち、ＺｎやＳの拡散
に対するバリア層としての効果は得られない。また、溶
融させることにより初期化した記録薄膜は、粒径１５０
nmを超える粗大な結晶粒からなり、その後の記録・消去
の繰り返しにより結晶粒が徐々に微細化していくことに
なる。すなわち、記録・消去の繰り返しによって原子移
動が生じる。したがって、記録・消去を繰り返したとき
に記録薄膜内で偏析が生じ、安定した特性が得られない
という問題がある。これに対し本発明では、初期化の際
に記録層を固相で結晶化するため、誘電体層１ｂがバリ
ア層としての働きを失わない。また、固相初期化後の記
録層の平均結晶粒径は２０〜１５０nm程度であり、記録
・消去を繰り返した後の結晶粒径に近いため、安定した
記録・消去が可能である。しかも、同公報の実施例にお
いて実際に作製されている光記録媒体は、本発明の好ま
しい態様とは異なり、記録薄膜と第１保護層との間では
なく記録薄膜と第２保護層との間に窒化物層を設けたも
のなので、例え溶融初期化後に窒化物層が存在していた
としても、本発明の好ましい態様による効果は実現しな
い。
／またはＡｕを添加する旨の記載はない。また、同公報
記載の発明は、記録薄膜の全面を結晶化させるための初
期化の際に、窒化物層を溶融させて記録薄膜と混合さ
せ、記録薄膜中に窒素を含有させることを目的とする。
記録薄膜中に窒素を含有させるのは、記録・消去の繰り
返しに伴う保護層の脈動によって記録薄膜材料が基板の
案内溝に沿って移動することを防ぐためである。したが
って、初期化後、同公報記載の媒体に記録・消去を行う
際には、窒化物層は存在しないか、例え存在しても組成
が著しく変化していることになるので、本発明における
誘電体層１ｂと同等の効果、すなわち、ＺｎやＳの拡散
に対するバリア層としての効果は得られない。また、溶
融させることにより初期化した記録薄膜は、粒径１５０
nmを超える粗大な結晶粒からなり、その後の記録・消去
の繰り返しにより結晶粒が徐々に微細化していくことに
なる。すなわち、記録・消去の繰り返しによって原子移
動が生じる。したがって、記録・消去を繰り返したとき
に記録薄膜内で偏析が生じ、安定した特性が得られない
という問題がある。これに対し本発明では、初期化の際
に記録層を固相で結晶化するため、誘電体層１ｂがバリ
ア層としての働きを失わない。また、固相初期化後の記
録層の平均結晶粒径は２０〜１５０nm程度であり、記録
・消去を繰り返した後の結晶粒径に近いため、安定した
記録・消去が可能である。しかも、同公報の実施例にお
いて実際に作製されている光記録媒体は、本発明の好ま
しい態様とは異なり、記録薄膜と第１保護層との間では
なく記録薄膜と第２保護層との間に窒化物層を設けたも
のなので、例え溶融初期化後に窒化物層が存在していた
としても、本発明の好ましい態様による効果は実現しな
い。
【００２８】ところで、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化型
記録層にＡｇまたはＡｕを添加することは、前記した特
開平８−１２７１７６号公報に記載されているように、
既に知られている。
記録層にＡｇまたはＡｕを添加することは、前記した特
開平８−１２７１７６号公報に記載されているように、
既に知られている。
【００２９】しかし、前記特開平８−１２７１７６号公
報では、前述したように数百回の初期化が必要である点
で実用的ではない。また、同公報には、Ｃｒを添加した
実施例しか記載されていない。実際に本発明者らが、同
公報の記載に基づいてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化型記録
層にＣｒを３原子％添加し、ただし、初期化は１回だけ
として記録を試みたところ、結晶化速度が著しく低いた
めにオーバーライトが不可能であった。また、Ｃｒ含有
率を本発明で限定するＡｇおよびＡｕの合計含有率であ
る２．５原子％未満とした場合でも、初期化が１回だけ
では結晶化速度が著しく低く、オーバーライトは不可能
であった。
報では、前述したように数百回の初期化が必要である点
で実用的ではない。また、同公報には、Ｃｒを添加した
実施例しか記載されていない。実際に本発明者らが、同
公報の記載に基づいてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化型記録
層にＣｒを３原子％添加し、ただし、初期化は１回だけ
として記録を試みたところ、結晶化速度が著しく低いた
めにオーバーライトが不可能であった。また、Ｃｒ含有
率を本発明で限定するＡｇおよびＡｕの合計含有率であ
る２．５原子％未満とした場合でも、初期化が１回だけ
では結晶化速度が著しく低く、オーバーライトは不可能
であった。
【００３０】前記特開平８−１２７１７６号公報のほか
にも、例えば、特開平１−１１２５３８号公報には、Ｇ
ｅＴｅ−Ａｇ2Ｔｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3擬三元系合金からなる
記録層を有する光学式情報記録媒体が記載されている。
同公報に記載された効果は、結晶化温度が高く、結晶化
速度が大きく、かつ、記録感度のよい光ディスクを提供
できる、というものである。同公報の実施例では、記録
層の両側にＺｎＳからなる耐熱保護層を設けている。
にも、例えば、特開平１−１１２５３８号公報には、Ｇ
ｅＴｅ−Ａｇ2Ｔｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3擬三元系合金からなる
記録層を有する光学式情報記録媒体が記載されている。
同公報に記載された効果は、結晶化温度が高く、結晶化
速度が大きく、かつ、記録感度のよい光ディスクを提供
できる、というものである。同公報の実施例では、記録
層の両側にＺｎＳからなる耐熱保護層を設けている。
【００３１】しかし、同公報にはオーバーライトに関す
る効果については記載されておらず、本発明の好ましい
態様における誘電体層の構成についての記載もない。ま
た、同公報には、記録層中のＡｇ含有率が２．５原子％
以上のとき、高い結晶化温度、大きな結晶化速度、良好
な記録感度を同時に満たす旨の記載があるが、本発明者
らの実験によれば、Ａｇ含有率が高くなるほど結晶化速
度が低下して消去しにくくなる。実際、同公報の図５に
は、Ａｇの含有率が２．５原子％である場合、十分な結
晶化（消去）を行うためにはレーザーパワーを１０mWと
高くし、かつ０．１マイクロ秒を上回る長時間のレーザ
ー照射を行う必要があることが示されている。これに対
し本発明では、高転送レート媒体への適用を考慮して、
同公報における限定範囲を下回るＡｇ含有率を選択し
た。
る効果については記載されておらず、本発明の好ましい
態様における誘電体層の構成についての記載もない。ま
た、同公報には、記録層中のＡｇ含有率が２．５原子％
以上のとき、高い結晶化温度、大きな結晶化速度、良好
な記録感度を同時に満たす旨の記載があるが、本発明者
らの実験によれば、Ａｇ含有率が高くなるほど結晶化速
度が低下して消去しにくくなる。実際、同公報の図５に
は、Ａｇの含有率が２．５原子％である場合、十分な結
晶化（消去）を行うためにはレーザーパワーを１０mWと
高くし、かつ０．１マイクロ秒を上回る長時間のレーザ
ー照射を行う必要があることが示されている。これに対
し本発明では、高転送レート媒体への適用を考慮して、
同公報における限定範囲を下回るＡｇ含有率を選択し
た。
【００３２】また、特開平１−２１１２４９号公報に
は、一般式 ［（ＴｅxＳｂ1-x）1-yＧｅy］1-zＭz で示される光学記録膜を有する光学記録媒体が記載され
ている。前記一般式において、Ｍは、Ａｕ、Ｐｄ、Ｎ
ｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏ、ＰｂおよびＢｉの少なく
とも１種であり、 ０．３≦ｘ≦０．９、 ０＜ｙ≦０．２、 ０＜ｚ≦０．２ である。すなわち、同公報には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組
成にＡｕおよび／またはＡｇを添加する旨が記載されて
いる。同公報に記載された効果は、記録膜の結晶化速度
が速く、情報を高速、高密度に記録することができ、か
つ記録、消去感度に優れる上、非晶質の安定性がよい光
記録媒体が提供できる、というものである。
は、一般式 ［（ＴｅxＳｂ1-x）1-yＧｅy］1-zＭz で示される光学記録膜を有する光学記録媒体が記載され
ている。前記一般式において、Ｍは、Ａｕ、Ｐｄ、Ｎ
ｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏ、ＰｂおよびＢｉの少なく
とも１種であり、 ０．３≦ｘ≦０．９、 ０＜ｙ≦０．２、 ０＜ｚ≦０．２ である。すなわち、同公報には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組
成にＡｕおよび／またはＡｇを添加する旨が記載されて
いる。同公報に記載された効果は、記録膜の結晶化速度
が速く、情報を高速、高密度に記録することができ、か
つ記録、消去感度に優れる上、非晶質の安定性がよい光
記録媒体が提供できる、というものである。
【００３３】しかし、同公報の実施例で用いている元素
ＭはＡｕおよびＰｄだけであり、Ａｇの実施例はない。
また、実施例における元素Ｍの添加量は１０原子％以上
となっている。同公報に記載された効果は結晶化速度の
向上であるが、本発明者らの実験によれば、Ａｕを１０
原子％以上添加すると結晶化速度が遅くなりすぎ、オー
バーライトが不可能となってしまう。また、同公報の実
施例には、記録膜に接して誘電体層を設けた旨の記載も
ない。
ＭはＡｕおよびＰｄだけであり、Ａｇの実施例はない。
また、実施例における元素Ｍの添加量は１０原子％以上
となっている。同公報に記載された効果は結晶化速度の
向上であるが、本発明者らの実験によれば、Ａｕを１０
原子％以上添加すると結晶化速度が遅くなりすぎ、オー
バーライトが不可能となってしまう。また、同公報の実
施例には、記録膜に接して誘電体層を設けた旨の記載も
ない。
【００３４】また、特開平１−２４５４４０号公報に
は、一般式 ＧｅXＴｅYＳｂZＡaＢb で示される情報記録用薄膜が記載されている。前記一般
式において、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ａ、ｂはそれぞれ原子百分率
であって、 ０≦Ｘ≦１８、 ４５≦Ｙ≦７０、 １１≦Ｚ≦５４、 ０≦ａ≦２０、 ０≦ｂ≦２０、 １≦ａ＋ｂ≦２０ であり、Ａは、Ｔｌ、ハロゲン元素およびアルカリ金属
元素の少なくとも１種、Ｂは、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓ
ｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕの少なくとも１
種である。すなわち、同公報には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系
組成にＡｕおよび／またはＡｇを添加する旨が記載され
ている。同公報に記載された効果は、製造プロセスが簡
単で、再現性がよく、記録・再生特性がよく、かつ長期
間安定な情報記録用部材を得ることができ、記録の書き
換えも多数回（実施例では３×１０5回以上）可能であ
る、というものである。
は、一般式 ＧｅXＴｅYＳｂZＡaＢb で示される情報記録用薄膜が記載されている。前記一般
式において、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ａ、ｂはそれぞれ原子百分率
であって、 ０≦Ｘ≦１８、 ４５≦Ｙ≦７０、 １１≦Ｚ≦５４、 ０≦ａ≦２０、 ０≦ｂ≦２０、 １≦ａ＋ｂ≦２０ であり、Ａは、Ｔｌ、ハロゲン元素およびアルカリ金属
元素の少なくとも１種、Ｂは、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓ
ｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕの少なくとも１
種である。すなわち、同公報には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系
組成にＡｕおよび／またはＡｇを添加する旨が記載され
ている。同公報に記載された効果は、製造プロセスが簡
単で、再現性がよく、記録・再生特性がよく、かつ長期
間安定な情報記録用部材を得ることができ、記録の書き
換えも多数回（実施例では３×１０5回以上）可能であ
る、というものである。
【００３５】しかし、同公報の実施例で使用している添
加元素は、ＴｌおよびＣｏだけであり、ＡｇやＡｕは用
いていない。本発明では、Ａｇおよび／またはＡｕを用
いることにより、前述したような記録マークが完全に重
なるオーバーライトを繰り返した場合にも十分な耐久性
が得られるが、同公報における評価基準の詳細は不明で
ある。また、同公報では、情報用記録薄膜の両側にＺｎ
Ｓ層を設けており、この点は本発明の好ましい態様とは
異なる。
加元素は、ＴｌおよびＣｏだけであり、ＡｇやＡｕは用
いていない。本発明では、Ａｇおよび／またはＡｕを用
いることにより、前述したような記録マークが完全に重
なるオーバーライトを繰り返した場合にも十分な耐久性
が得られるが、同公報における評価基準の詳細は不明で
ある。また、同公報では、情報用記録薄膜の両側にＺｎ
Ｓ層を設けており、この点は本発明の好ましい態様とは
異なる。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００３７】図１、図２の構成（反射型構造） 本発明の光記録媒体の好ましい構成例を、図１および図
２にそれぞれ示す。これらの光記録媒体は、基体２表面
側に、第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３
２、反射層５および保護層６をこの順に設けた片面記録
型（単板型）媒体である。なお、この片面記録型媒体を
２枚用い、保護層６が内側になるように接着層により接
着した両面記録型の媒体にも、本発明は適用できる。ま
た、上記片面記録型媒体と保護基体とを接着層により接
着した媒体にも、本発明は適用できる。
２にそれぞれ示す。これらの光記録媒体は、基体２表面
側に、第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３
２、反射層５および保護層６をこの順に設けた片面記録
型（単板型）媒体である。なお、この片面記録型媒体を
２枚用い、保護層６が内側になるように接着層により接
着した両面記録型の媒体にも、本発明は適用できる。ま
た、上記片面記録型媒体と保護基体とを接着層により接
着した媒体にも、本発明は適用できる。
【００３８】図１および図２にそれぞれ示す光記録媒体
は、反射層５が比較的厚い金属層であり、後述する吸収
率補正構造の媒体とは異なるものである。本明細書で
は、このような媒体を反射型構造の媒体という。なお、
反射型構造の媒体は、後述するＡｃ／Ａａが０．９未満
のものである。
は、反射層５が比較的厚い金属層であり、後述する吸収
率補正構造の媒体とは異なるものである。本明細書で
は、このような媒体を反射型構造の媒体という。なお、
反射型構造の媒体は、後述するＡｃ／Ａａが０．９未満
のものである。
【００３９】基体 本発明の光記録媒体では基体２を通して記録層４に光ビ
ームが照射されるので、基体２は、用いる光ビームに対
して実質的に透明である材質、例えば、樹脂やガラスな
どから構成されることが好ましい。樹脂としては、アク
リル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリオレ
フィン等を用いればよい。基体の形状および寸法は特に
限定されないが、通常、ディスク状とし、厚さは０．５
〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm程度とする。基体の
表面には、トラッキング用やアドレス用等のために、グ
ルーブ等の所定のパターンが必要に応じて設けられる。
ームが照射されるので、基体２は、用いる光ビームに対
して実質的に透明である材質、例えば、樹脂やガラスな
どから構成されることが好ましい。樹脂としては、アク
リル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリオレ
フィン等を用いればよい。基体の形状および寸法は特に
限定されないが、通常、ディスク状とし、厚さは０．５
〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm程度とする。基体の
表面には、トラッキング用やアドレス用等のために、グ
ルーブ等の所定のパターンが必要に応じて設けられる。
【００４０】本発明の光記録媒体は、特に高密度記録に
適し、特に、グルーブとランドとの両方を記録トラック
とする構成（ランド・グルーブ記録）に適する。この場
合の記録トラックピッチは、通常、０．３〜１．０μm
程度とすることが好ましい。
適し、特に、グルーブとランドとの両方を記録トラック
とする構成（ランド・グルーブ記録）に適する。この場
合の記録トラックピッチは、通常、０．３〜１．０μm
程度とすることが好ましい。
【００４１】第１誘電体層３１、第２誘電体層３２ 第１誘電体層３１は、記録層の酸化を防ぎ、また、記録
時に記録層から基体に伝わる熱を遮断して基体を保護す
る。第２誘電体層３２は、記録層を保護すると共に、記
録後、記録層に残った熱の放出を調整するために設けら
れる。また、両誘電体層を設けることにより、変調度を
向上させることができる。
時に記録層から基体に伝わる熱を遮断して基体を保護す
る。第２誘電体層３２は、記録層を保護すると共に、記
録後、記録層に残った熱の放出を調整するために設けら
れる。また、両誘電体層を設けることにより、変調度を
向上させることができる。
【００４２】第１誘電体層３１の構成は特に限定されな
いが、オーバーライト可能回数をさらに多くするために
は、好ましくは図示するような２層構造とする。
いが、オーバーライト可能回数をさらに多くするために
は、好ましくは図示するような２層構造とする。
【００４３】図１および図２にそれぞれ示す第１誘電体
層３１中には、基体２側に誘電体層１ａが存在し、記録
層４側に誘電体層１ｂが存在する。誘電体層１ａは、硫
化亜鉛および酸化ケイ素を主成分とする。誘電体層１ａ
の酸化ケイ素含有率は、２〜４０モル％（４０モル％を
含まず）、好ましくは１０〜３０モル％である。誘電体
層１ａの酸化ケイ素含有率が高すぎると、屈折率が小さ
くなりすぎて高Ｃ／Ｎが得られにくくなる。一方、酸化
ケイ素含有率が低すぎると、オーバーライト可能回数が
少なくなってしまう。誘電体層１ａは均質であってもよ
く、酸化ケイ素含有率が段階的または連続的に変化する
傾斜組成構造であってもよい。
層３１中には、基体２側に誘電体層１ａが存在し、記録
層４側に誘電体層１ｂが存在する。誘電体層１ａは、硫
化亜鉛および酸化ケイ素を主成分とする。誘電体層１ａ
の酸化ケイ素含有率は、２〜４０モル％（４０モル％を
含まず）、好ましくは１０〜３０モル％である。誘電体
層１ａの酸化ケイ素含有率が高すぎると、屈折率が小さ
くなりすぎて高Ｃ／Ｎが得られにくくなる。一方、酸化
ケイ素含有率が低すぎると、オーバーライト可能回数が
少なくなってしまう。誘電体層１ａは均質であってもよ
く、酸化ケイ素含有率が段階的または連続的に変化する
傾斜組成構造であってもよい。
【００４４】誘電体層１ｂは、窒化ケイ素および／また
は窒化ゲルマニウムを主成分とするか、酸化ケイ素を主
成分とするか、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分とす
るか、酸化クロムを主成分とし、好ましくは、窒化ケイ
素および／または窒化ゲルマニウムを主成分とするか、
酸化クロムを主成分とし、より好ましくは、窒化ケイ
素、窒化ゲルマニウムまたは酸化クロムだけから構成さ
れ、さらに好ましくは、窒化ゲルマニウムまたは酸化ク
ロムだけから構成される。窒化ケイ素の組成は特に限定
されず、例えばＳｉxＮ1-x（ｘ＝０．３５〜０．５５）
とすればよい。また、窒化ゲルマニウムの組成も特に限
定されず、例えばＧｅxＮ1-x（ｘ＝０．３５〜０．５
５）とすればよい。また、酸化クロムの組成も特に限定
されず、例えばＣｒxＯ1-x（ｘ＝０．３０〜０．５０）
とすればよい。一方、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成
分とする場合、酸化ケイ素含有率は４０モル％以上、好
ましくは４５モル％以上である。誘電体層１ｂの酸化ケ
イ素含有率が低すぎると、ＺｎやＳの拡散を十分に抑え
ることができなくなり、オーバーライト可能回数が少な
くなってしまう。
は窒化ゲルマニウムを主成分とするか、酸化ケイ素を主
成分とするか、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分とす
るか、酸化クロムを主成分とし、好ましくは、窒化ケイ
素および／または窒化ゲルマニウムを主成分とするか、
酸化クロムを主成分とし、より好ましくは、窒化ケイ
素、窒化ゲルマニウムまたは酸化クロムだけから構成さ
れ、さらに好ましくは、窒化ゲルマニウムまたは酸化ク
ロムだけから構成される。窒化ケイ素の組成は特に限定
されず、例えばＳｉxＮ1-x（ｘ＝０．３５〜０．５５）
とすればよい。また、窒化ゲルマニウムの組成も特に限
定されず、例えばＧｅxＮ1-x（ｘ＝０．３５〜０．５
５）とすればよい。また、酸化クロムの組成も特に限定
されず、例えばＣｒxＯ1-x（ｘ＝０．３０〜０．５０）
とすればよい。一方、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成
分とする場合、酸化ケイ素含有率は４０モル％以上、好
ましくは４５モル％以上である。誘電体層１ｂの酸化ケ
イ素含有率が低すぎると、ＺｎやＳの拡散を十分に抑え
ることができなくなり、オーバーライト可能回数が少な
くなってしまう。
【００４５】第２誘電体層３２は、単層構造（図１参
照）としてもよく、前述したように、必要に応じて積層
構造（図２参照）としてもよい。単層構造とする場合、
第２誘電体層は、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分と
するか、酸化ケイ素を主成分とするか、希土類酸化物を
主成分とするか、窒化ゲルマニウムを主成分とすること
が好ましい。また、積層構造とする場合、誘電体層２ａ
が、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分し、かつ、誘電
体層２ｂが、酸化ケイ素または希土類酸化物を主成分と
する組み合わせとするか、誘電体層２ａが、窒化ケイ素
および／または窒化ゲルマニウムを主成分とするか、酸
化クロムを主成分とし、かつ、誘電体層２ｂが、誘電体
層２ａよりも熱伝導率の低い誘電体材料を主成分とする
組み合わせとすることが好ましい。この場合の熱伝導率
の低い誘電体材料としては、硫化亜鉛と酸化ケイ素との
混合物が好ましい。この混合物中における酸化ケイ素含
有率は、好ましくは２モル％以上、より好ましくは２〜
６０モル％である。
照）としてもよく、前述したように、必要に応じて積層
構造（図２参照）としてもよい。単層構造とする場合、
第２誘電体層は、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分と
するか、酸化ケイ素を主成分とするか、希土類酸化物を
主成分とするか、窒化ゲルマニウムを主成分とすること
が好ましい。また、積層構造とする場合、誘電体層２ａ
が、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分し、かつ、誘電
体層２ｂが、酸化ケイ素または希土類酸化物を主成分と
する組み合わせとするか、誘電体層２ａが、窒化ケイ素
および／または窒化ゲルマニウムを主成分とするか、酸
化クロムを主成分とし、かつ、誘電体層２ｂが、誘電体
層２ａよりも熱伝導率の低い誘電体材料を主成分とする
組み合わせとすることが好ましい。この場合の熱伝導率
の低い誘電体材料としては、硫化亜鉛と酸化ケイ素との
混合物が好ましい。この混合物中における酸化ケイ素含
有率は、好ましくは２モル％以上、より好ましくは２〜
６０モル％である。
【００４６】第２誘電体層３２が硫化亜鉛および酸化ケ
イ素を主成分とする単層構造である場合、酸化ケイ素含
有率は、好ましくは２モル％以上、より好ましくは４０
モル％以上である。第２誘電体層３２の酸化ケイ素含有
率が低すぎると、第２誘電体層３２から記録層へのＺｎ
やＳの拡散の影響が大きくなる。
イ素を主成分とする単層構造である場合、酸化ケイ素含
有率は、好ましくは２モル％以上、より好ましくは４０
モル％以上である。第２誘電体層３２の酸化ケイ素含有
率が低すぎると、第２誘電体層３２から記録層へのＺｎ
やＳの拡散の影響が大きくなる。
【００４７】第２誘電体層を２層構造とし、硫化亜鉛お
よび酸化ケイ素を主成分とする誘電体層２ａを設ける場
合、誘電体層２ａの酸化ケイ素含有率は５〜６０モル％
とすることが好ましい。誘電体層２ａの酸化ケイ素含有
率が低すぎると、誘電体層２ａから記録層へのＺｎやＳ
の拡散の影響が大きくなり、酸化ケイ素含有率が高すぎ
ると、誘電体層２ａを設けることによる効果が不十分と
なる。
よび酸化ケイ素を主成分とする誘電体層２ａを設ける場
合、誘電体層２ａの酸化ケイ素含有率は５〜６０モル％
とすることが好ましい。誘電体層２ａの酸化ケイ素含有
率が低すぎると、誘電体層２ａから記録層へのＺｎやＳ
の拡散の影響が大きくなり、酸化ケイ素含有率が高すぎ
ると、誘電体層２ａを設けることによる効果が不十分と
なる。
【００４８】第２誘電体層３２に用いる希土類元素は特
に限定されず、例えばＣｅ、Ｌａ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ
ｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の少なくとも１種を用いればよいが、
好ましくはＣｅ、Ｌａ、Ｙの少なくとも１種を用いる。
に限定されず、例えばＣｅ、Ｌａ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ
ｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の少なくとも１種を用いればよいが、
好ましくはＣｅ、Ｌａ、Ｙの少なくとも１種を用いる。
【００４９】なお、酸化ケイ素を含有する各誘電体層が
それぞれ満足すべき、あるいは満足することが好ましい
上記酸化ケイ素含有率は、層の平均値としてだけでな
く、層全体を通して満足される必要がある。
それぞれ満足すべき、あるいは満足することが好ましい
上記酸化ケイ素含有率は、層の平均値としてだけでな
く、層全体を通して満足される必要がある。
【００５０】本明細書における酸化ケイ素含有率は、硫
化亜鉛および酸化ケイ素をそれぞれＺｎＳおよびＳｉＯ
2に換算して、ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）により求
めた値である。すなわち、蛍光Ｘ線分析などにより求め
たＳ量、Ｚｎ量、Ｓｉ量に基づいて決定する。なお、例
えばＳに対しＺｎが過剰であった場合や、Ｚｎに対しＳ
が過剰であった場合には、過剰なＺｎやＳは、他の化合
物（ＺｎＯ等）として含有されているか、遊離状態で存
在しているものと考え、ＺｎＳ含有率算出の際にはＺｎ
およびＳのうち少ないほうに合わせる。
化亜鉛および酸化ケイ素をそれぞれＺｎＳおよびＳｉＯ
2に換算して、ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）により求
めた値である。すなわち、蛍光Ｘ線分析などにより求め
たＳ量、Ｚｎ量、Ｓｉ量に基づいて決定する。なお、例
えばＳに対しＺｎが過剰であった場合や、Ｚｎに対しＳ
が過剰であった場合には、過剰なＺｎやＳは、他の化合
物（ＺｎＯ等）として含有されているか、遊離状態で存
在しているものと考え、ＺｎＳ含有率算出の際にはＺｎ
およびＳのうち少ないほうに合わせる。
【００５１】第１誘電体層３１の厚さは、好ましくは３
０〜３００nm、より好ましくは５０〜２５０nmである。
第１誘電体層をこのような厚さとすることにより、記録
に際しての基体損傷を効果的に防ぐことができ、変調度
も高くなる。
０〜３００nm、より好ましくは５０〜２５０nmである。
第１誘電体層をこのような厚さとすることにより、記録
に際しての基体損傷を効果的に防ぐことができ、変調度
も高くなる。
【００５２】誘電体層１ｂの厚さは、好ましくは０．５
〜４０nm、より好ましくは０．８〜３０nmである。ただ
し、誘電体層１ｂを窒化ケイ素から構成する場合には、
高温・高湿環境下で保存したときの剥離を防ぐために、
５nm未満、特に４nm以下とすることが好ましい。また、
誘電体層１ｂを窒化ゲルマニウムやＺｎＳ−ＳｉＯ2か
ら構成する場合には、高温・高湿環境下で保存しても剥
離は生じないので、バリア性を高くするために、５〜４
０nm、特に５〜３０nmとすることが好ましい。また、誘
電体層１ｂを酸化クロムから構成する場合には、厚さを
１０nm以下とすることが好ましい。誘電体層１ｂが薄す
ぎても厚すぎても、オーバーライト可能回数の向上が不
十分となる。
〜４０nm、より好ましくは０．８〜３０nmである。ただ
し、誘電体層１ｂを窒化ケイ素から構成する場合には、
高温・高湿環境下で保存したときの剥離を防ぐために、
５nm未満、特に４nm以下とすることが好ましい。また、
誘電体層１ｂを窒化ゲルマニウムやＺｎＳ−ＳｉＯ2か
ら構成する場合には、高温・高湿環境下で保存しても剥
離は生じないので、バリア性を高くするために、５〜４
０nm、特に５〜３０nmとすることが好ましい。また、誘
電体層１ｂを酸化クロムから構成する場合には、厚さを
１０nm以下とすることが好ましい。誘電体層１ｂが薄す
ぎても厚すぎても、オーバーライト可能回数の向上が不
十分となる。
【００５３】また、第１誘電体層の厚さ（ｔ1）に対す
る誘電体層１ｂの厚さ（ｔ1b）の比（ｔ1b／ｔ1）は、
好ましくは０．５以下、より好ましくは０．４以下であ
る。誘電体層１ｂの厚さが上記した好ましい範囲内であ
っても、ｔ1b／ｔ1が大きすぎるとオーバーライト可能
回数の向上が不十分となる。
る誘電体層１ｂの厚さ（ｔ1b）の比（ｔ1b／ｔ1）は、
好ましくは０．５以下、より好ましくは０．４以下であ
る。誘電体層１ｂの厚さが上記した好ましい範囲内であ
っても、ｔ1b／ｔ1が大きすぎるとオーバーライト可能
回数の向上が不十分となる。
【００５４】第２誘電体層３２の厚さは、１０〜５０n
m、好ましくは１３〜３５nmである。第２誘電体層をこ
のような厚さとすることにより冷却速度が速くなるの
で、記録マークのエッジが明瞭となってジッターが小さ
くなる。また、このような厚さとすることにより、変調
度を高くすることができる。
m、好ましくは１３〜３５nmである。第２誘電体層をこ
のような厚さとすることにより冷却速度が速くなるの
で、記録マークのエッジが明瞭となってジッターが小さ
くなる。また、このような厚さとすることにより、変調
度を高くすることができる。
【００５５】第２誘電体層３２を２層構造とする場合、
誘電体層２ａの厚さは好ましくは２〜１５nm、より好ま
しくは３〜１０nmである。誘電体層２ａが薄すぎると、
誘電体層２ａを設けることによる効果が不十分となる。
一方、誘電体層２ａが厚すぎると、高パワーで記録する
場合に、誘電体層２ａから記録層４へのＺｎやＳの拡散
の影響が大きくなる。なお、第２誘電体層の厚さ
（ｔ2）に対する誘電体層２ａの厚さ（ｔ2a）の比（ｔ
2a／ｔ2）は、通常、０．５程度以下とすることが好ま
しい。
誘電体層２ａの厚さは好ましくは２〜１５nm、より好ま
しくは３〜１０nmである。誘電体層２ａが薄すぎると、
誘電体層２ａを設けることによる効果が不十分となる。
一方、誘電体層２ａが厚すぎると、高パワーで記録する
場合に、誘電体層２ａから記録層４へのＺｎやＳの拡散
の影響が大きくなる。なお、第２誘電体層の厚さ
（ｔ2）に対する誘電体層２ａの厚さ（ｔ2a）の比（ｔ
2a／ｔ2）は、通常、０．５程度以下とすることが好ま
しい。
【００５６】硫化亜鉛を含有する誘電体層には、０〜１
０００℃においてその硫化物生成標準自由エネルギーが
ＺｎＳ生成標準自由エネルギーより低い元素（以下、金
属元素Ａという）を含有させることが好ましい。誘電体
層中に金属元素Ａを含有させることにより、繰り返しオ
ーバーライトの際に誘電体層からのＳやＺｎの遊離を抑
制することができ、これによりジッター増大を防ぐこと
ができるので、オーバーライト可能回数を増やすことが
できる。
０００℃においてその硫化物生成標準自由エネルギーが
ＺｎＳ生成標準自由エネルギーより低い元素（以下、金
属元素Ａという）を含有させることが好ましい。誘電体
層中に金属元素Ａを含有させることにより、繰り返しオ
ーバーライトの際に誘電体層からのＳやＺｎの遊離を抑
制することができ、これによりジッター増大を防ぐこと
ができるので、オーバーライト可能回数を増やすことが
できる。
【００５７】金属元素Ａとしては、Ｃｅ、Ｃａ、Ｍｇ、
Ｓｒ、ＢａおよびＮａの少なくとも１種を用いることが
好ましく、硫化物生成標準自由エネルギーが小さいこと
から、Ｃｅを用いることが特に好ましい。例えば３００
Ｋでは、ＺｎＳ生成標準自由エネルギーは約−２３０kJ
/mol、ＣｅＳ生成標準自由エネルギーは約−５４０kJ/m
ol、ＣａＳ生成標準自由エネルギーは約−５１０kJ/mo
l、ＭｇＳ生成標準自由エネルギーは約−３９０kJ/mo
l、ＳｒＳ生成標準自由エネルギーは約−５００kJ/mo
l、ＢａＳ生成標準自由エネルギーは約−４６０kJ/mo
l、Ｎａ2Ｓ生成標準自由エネルギーは約−４００kJ/mol
である。
Ｓｒ、ＢａおよびＮａの少なくとも１種を用いることが
好ましく、硫化物生成標準自由エネルギーが小さいこと
から、Ｃｅを用いることが特に好ましい。例えば３００
Ｋでは、ＺｎＳ生成標準自由エネルギーは約−２３０kJ
/mol、ＣｅＳ生成標準自由エネルギーは約−５４０kJ/m
ol、ＣａＳ生成標準自由エネルギーは約−５１０kJ/mo
l、ＭｇＳ生成標準自由エネルギーは約−３９０kJ/mo
l、ＳｒＳ生成標準自由エネルギーは約−５００kJ/mo
l、ＢａＳ生成標準自由エネルギーは約−４６０kJ/mo
l、Ｎａ2Ｓ生成標準自由エネルギーは約−４００kJ/mol
である。
【００５８】誘電体層中において、全金属元素に対する
金属元素Ａの比率は、２原子％未満、好ましくは１．５
原子％以下、より好ましくは１．３原子％以下である。
金属元素Ａの比率が高すぎると、繰り返しオーバーライ
ト時のジッター増大抑制効果が実現しない。なお、金属
元素Ａの添加による効果を十分に実現するためには、金
属元素Ａの比率を好ましくは０．０１原子％以上、より
好ましくは０．０３原子％以上とする。全金属元素中の
金属元素Ａの比率は、蛍光Ｘ線分析やＥＰＭＡ（電子線
プローブＸ線マイクロアナリシス）などにより測定する
ことができる。なお、誘電体層中における全金属量を求
める際には、Ｓｉ等の半金属も加えるものとする。
金属元素Ａの比率は、２原子％未満、好ましくは１．５
原子％以下、より好ましくは１．３原子％以下である。
金属元素Ａの比率が高すぎると、繰り返しオーバーライ
ト時のジッター増大抑制効果が実現しない。なお、金属
元素Ａの添加による効果を十分に実現するためには、金
属元素Ａの比率を好ましくは０．０１原子％以上、より
好ましくは０．０３原子％以上とする。全金属元素中の
金属元素Ａの比率は、蛍光Ｘ線分析やＥＰＭＡ（電子線
プローブＸ線マイクロアナリシス）などにより測定する
ことができる。なお、誘電体層中における全金属量を求
める際には、Ｓｉ等の半金属も加えるものとする。
【００５９】誘電体層中において、金属元素Ａは、単
体、硫化物、酸化物、フッ化物等のいずれの形態で存在
していてもよい。
体、硫化物、酸化物、フッ化物等のいずれの形態で存在
していてもよい。
【００６０】各誘電体層は、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成することが好ましく、特にスパッタ
法により形成することが好ましい。誘電体層１ｂを形成
する場合には、例えば窒化ケイ素および／または窒化ゲ
ルマニウムをターゲットするスパッタ法を用いてもよ
く、Ｓｉおよび／またはＧｅをターゲットとして窒素含
有雰囲気中でスパッタを行う反応性スパッタ法を用いて
もよい。
相成長法により形成することが好ましく、特にスパッタ
法により形成することが好ましい。誘電体層１ｂを形成
する場合には、例えば窒化ケイ素および／または窒化ゲ
ルマニウムをターゲットするスパッタ法を用いてもよ
く、Ｓｉおよび／またはＧｅをターゲットとして窒素含
有雰囲気中でスパッタを行う反応性スパッタ法を用いて
もよい。
【００６１】なお、スパッタ法を用いて傾斜組成構造の
誘電体層を形成する場合、例えば、複数のターゲットを
用いる多元スパッタ法を利用し、成膜初期から終期にか
けて、各ターゲットへ投入するパワーの比を段階的また
は連続的に変化させればよい。
誘電体層を形成する場合、例えば、複数のターゲットを
用いる多元スパッタ法を利用し、成膜初期から終期にか
けて、各ターゲットへ投入するパワーの比を段階的また
は連続的に変化させればよい。
【００６２】誘電体層中に上記金属元素Ａを含有させる
ためには、様々な方法を利用することができる。例え
ば、金属元素ＡがＣｅである場合には、Ｃｅ単体やＣｅ
Ｏ2からなるチップを、誘電体層の主成分となる主ター
ゲット上に載せたものをターゲットとして用いてもよ
く、主ターゲット中にＣｅＯ2やその他のＣｅ化合物と
して含有させてもよい。また、金属元素ＡとしてＣａや
Ｍｇを用いる場合、上記主ターゲット上にＣａＯやＭｇ
Ｏからなるチップを載せてターゲットとしてもよいが、
これらには潮解性があるので、好ましくない。したがっ
て、この場合には、ＣａＦ2やＭｇＦ2からなるチップを
主ターゲット上に載せてターゲットとすることが好まし
い。金属元素ＡとしてＳｒ、Ｂａ、Ｎａなどを用いる場
合も、潮解性の点で、酸化物チップよりもフッ化物チッ
プを用いるほうが好ましい。また、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、
Ｂａ、Ｎａは、酸化物やこれ以外の化合物として主ター
ゲット中に含有させて用いてもよい。なお、主ターゲッ
トには、ＺｎＳ−ＳｉＯ2などのような複合ターゲット
を用いてもよく、主ターゲットとしてＺｎＳとＳｉＯ2
とをそれぞれ単独で用いるような多元スパッタ法を利用
してもよい。
ためには、様々な方法を利用することができる。例え
ば、金属元素ＡがＣｅである場合には、Ｃｅ単体やＣｅ
Ｏ2からなるチップを、誘電体層の主成分となる主ター
ゲット上に載せたものをターゲットとして用いてもよ
く、主ターゲット中にＣｅＯ2やその他のＣｅ化合物と
して含有させてもよい。また、金属元素ＡとしてＣａや
Ｍｇを用いる場合、上記主ターゲット上にＣａＯやＭｇ
Ｏからなるチップを載せてターゲットとしてもよいが、
これらには潮解性があるので、好ましくない。したがっ
て、この場合には、ＣａＦ2やＭｇＦ2からなるチップを
主ターゲット上に載せてターゲットとすることが好まし
い。金属元素ＡとしてＳｒ、Ｂａ、Ｎａなどを用いる場
合も、潮解性の点で、酸化物チップよりもフッ化物チッ
プを用いるほうが好ましい。また、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、
Ｂａ、Ｎａは、酸化物やこれ以外の化合物として主ター
ゲット中に含有させて用いてもよい。なお、主ターゲッ
トには、ＺｎＳ−ＳｉＯ2などのような複合ターゲット
を用いてもよく、主ターゲットとしてＺｎＳとＳｉＯ2
とをそれぞれ単独で用いるような多元スパッタ法を利用
してもよい。
【００６３】ところで、記録層にＡｇおよび／またはＡ
ｕを添加すると結晶化速度が遅くなり、これらを添加し
ない場合に比べ消去しにくくなる。媒体の熱的設計を変
更することなく結晶化速度の低下を抑えるためには、第
２誘電体層に窒素および／または酸素を導入することが
好ましい。窒素および／または酸素は、少なくとも記録
層との界面付近に導入すればよいが、第２誘電体全体に
導入してもよい。なお、導入による悪影響が少ないこと
から、窒素を導入することがより好ましい。
ｕを添加すると結晶化速度が遅くなり、これらを添加し
ない場合に比べ消去しにくくなる。媒体の熱的設計を変
更することなく結晶化速度の低下を抑えるためには、第
２誘電体層に窒素および／または酸素を導入することが
好ましい。窒素および／または酸素は、少なくとも記録
層との界面付近に導入すればよいが、第２誘電体全体に
導入してもよい。なお、導入による悪影響が少ないこと
から、窒素を導入することがより好ましい。
【００６４】第２誘電体層に窒素および／または酸素を
導入する方法は特に限定されず、例えば、第２誘電体層
をスパッタ法により形成する際に、形成開始前または形
成開始と同時に雰囲気中にＮ2および／またはＯ2を導入
し、形成開始直後に、これらのガスの導入を中止する方
法、形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中にＮ2
および／またはＯ2を導入し、形成開始直後に、これら
のガスの濃度を低下させる方法、形成しているあいだ、
連続してＮ2および／またはＯ2を導入する方法、などを
利用することが好ましい。また、これらの方法のほか、
記録層をスパッタ法により形成する際に、雰囲気中にＮ
2および／またはＯ2を導入しながら形成し、形成終了直
前にこれらのガスの濃度を高くする方法、記録層形成
後、Ｎ2および／またはＯ2を含む雰囲気中で放電処理を
施してから第２誘電体層を形成する方法、などを用いて
もよい。また、上記方法の２種以上を併用してもよい。
導入する方法は特に限定されず、例えば、第２誘電体層
をスパッタ法により形成する際に、形成開始前または形
成開始と同時に雰囲気中にＮ2および／またはＯ2を導入
し、形成開始直後に、これらのガスの導入を中止する方
法、形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中にＮ2
および／またはＯ2を導入し、形成開始直後に、これら
のガスの濃度を低下させる方法、形成しているあいだ、
連続してＮ2および／またはＯ2を導入する方法、などを
利用することが好ましい。また、これらの方法のほか、
記録層をスパッタ法により形成する際に、雰囲気中にＮ
2および／またはＯ2を導入しながら形成し、形成終了直
前にこれらのガスの濃度を高くする方法、記録層形成
後、Ｎ2および／またはＯ2を含む雰囲気中で放電処理を
施してから第２誘電体層を形成する方法、などを用いて
もよい。また、上記方法の２種以上を併用してもよい。
【００６５】第２誘電体層に窒素および／または酸素を
導入する際に用いるガス（以下、導入ガスという）は特
に限定されない。例えば、Ｏ2以外の酸化性ガス、具体
的には、ＮＯ2等のＮＯxで表される化合物のガスなども
用いることができる。
導入する際に用いるガス（以下、導入ガスという）は特
に限定されない。例えば、Ｏ2以外の酸化性ガス、具体
的には、ＮＯ2等のＮＯxで表される化合物のガスなども
用いることができる。
【００６６】第２誘電体層をスパッタ法により形成する
場合に、Ａｒ等の不活性ガスと導入ガスとの混合ガスを
導入する際の流量比［導入ガス／（Ａｒ＋導入ガス）］
は、５〜４０％とすることが好ましい。
場合に、Ａｒ等の不活性ガスと導入ガスとの混合ガスを
導入する際の流量比［導入ガス／（Ａｒ＋導入ガス）］
は、５〜４０％とすることが好ましい。
【００６７】また、誘電体層に上記金属元素Ａを含有さ
せる場合にも、好ましくはＡｒとＯ2との混合雰囲気中
でスパッタを行う。スパッタ時のＯ2導入は、金属元素
Ａ単体からなるチップを上記主ターゲット上に載せてス
パッタを行う場合に特に有効であるが、金属元素Ａの化
合物からなるチップを主ターゲットに載せたり、主ター
ゲットに金属元素Ａの化合物を含有させたりする場合に
も有効である。この場合のスパッタ雰囲気中へのＯ2の
導入量を、Ａｒ等の不活性ガスとＯ2との流量比［Ｏ2／
（Ａｒ＋Ｏ2）］で表すと、この流量比は５〜４０％で
あることが好ましい。Ｏ2導入量が多すぎると、記録パ
ワーは低下するが消去パワーは変化しないため、消去パ
ワーマージンが極度に狭くなってしまい、好ましくな
い。
せる場合にも、好ましくはＡｒとＯ2との混合雰囲気中
でスパッタを行う。スパッタ時のＯ2導入は、金属元素
Ａ単体からなるチップを上記主ターゲット上に載せてス
パッタを行う場合に特に有効であるが、金属元素Ａの化
合物からなるチップを主ターゲットに載せたり、主ター
ゲットに金属元素Ａの化合物を含有させたりする場合に
も有効である。この場合のスパッタ雰囲気中へのＯ2の
導入量を、Ａｒ等の不活性ガスとＯ2との流量比［Ｏ2／
（Ａｒ＋Ｏ2）］で表すと、この流量比は５〜４０％で
あることが好ましい。Ｏ2導入量が多すぎると、記録パ
ワーは低下するが消去パワーは変化しないため、消去パ
ワーマージンが極度に狭くなってしまい、好ましくな
い。
【００６８】記録層４ 本発明では、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成の記録層に、Ａｇ
および／またはＡｕ、好ましくはＡｇまたはＡｕを添加
する。Ａｇ＋Ａｕの含有率は、０．２〜２．５原子％
（２．５原子％を含まず）、好ましくは０．５〜２．０
原子％である。Ａｇ単独の場合の好ましい含有率も同様
であるが、Ａｕ単独の場合には、好ましくは０．２〜
１．０原子％である。添加元素の含有率が低すぎると、
記録層の偏析を抑制する効果が不十分となり、本発明の
効果が実現しない。一方、添加元素の含有率が高すぎる
と、結晶化速度が低くなりすぎて、オーバーライトが不
可能となる。
および／またはＡｕ、好ましくはＡｇまたはＡｕを添加
する。Ａｇ＋Ａｕの含有率は、０．２〜２．５原子％
（２．５原子％を含まず）、好ましくは０．５〜２．０
原子％である。Ａｇ単独の場合の好ましい含有率も同様
であるが、Ａｕ単独の場合には、好ましくは０．２〜
１．０原子％である。添加元素の含有率が低すぎると、
記録層の偏析を抑制する効果が不十分となり、本発明の
効果が実現しない。一方、添加元素の含有率が高すぎる
と、結晶化速度が低くなりすぎて、オーバーライトが不
可能となる。
【００６９】記録層の組成（原子比）を 式Ｉ （ＧｅaＳｂbＴｅ1-a-b）1-cＭc で表わしたとき、好ましくは ０．０８≦ａ≦０．２５、 ０．２０≦ｂ≦０．４０、 ０．００２≦ｃ＜０．０２５ である。なお、Ｍは、ＡｇおよびＡｕの少なくとも１種
である。
である。
【００７０】上記式Ｉにおいてａが小さすぎると、記録
マークが結晶化しにくくなり、消去率が低くなってしま
う。ａが大きすぎると、多量のＴｅがＧｅと結合するこ
とになり、その結果、Ｓｂが析出して記録マークが形成
しにくくなる。
マークが結晶化しにくくなり、消去率が低くなってしま
う。ａが大きすぎると、多量のＴｅがＧｅと結合するこ
とになり、その結果、Ｓｂが析出して記録マークが形成
しにくくなる。
【００７１】式Ｉにおいてｂが小さすぎると、Ｔｅが多
くなりすぎるために高温での保存時に記録マークが結晶
化しやすくなって、信頼性が低くなってしまう。ｂが大
きすぎると、Ｓｂが析出して記録マークが形成しにくく
なる。
くなりすぎるために高温での保存時に記録マークが結晶
化しやすくなって、信頼性が低くなってしまう。ｂが大
きすぎると、Ｓｂが析出して記録マークが形成しにくく
なる。
【００７２】式Ｉにおけるｃの限定理由、すなわちＡｇ
＋Ａｕの比率の限定理由は、前述したとおりである。
＋Ａｕの比率の限定理由は、前述したとおりである。
【００７３】記録層の組成は、ＥＰＭＡやＸ線マイクロ
アナリシス、ＩＣＰなどにより測定することができる。
アナリシス、ＩＣＰなどにより測定することができる。
【００７４】記録層の厚さは、１４〜５０nmであること
が好ましい。記録層が薄すぎると結晶相の成長が困難と
なり、相変化に伴なう反射率変化が不十分となる。一
方、記録層が厚すぎると、反射率および変調度が低くな
ってしまう。
が好ましい。記録層が薄すぎると結晶相の成長が困難と
なり、相変化に伴なう反射率変化が不十分となる。一
方、記録層が厚すぎると、反射率および変調度が低くな
ってしまう。
【００７５】記録層の形成は、スパッタ法により行うこ
とが好ましい。スパッタ条件は特に限定されず、例え
ば、複数の元素を含む材料をスパッタする際には、合金
ターゲットを用いてもよく、ターゲットを複数個用いる
多元スパッタ法を用いてもよい。
とが好ましい。スパッタ条件は特に限定されず、例え
ば、複数の元素を含む材料をスパッタする際には、合金
ターゲットを用いてもよく、ターゲットを複数個用いる
多元スパッタ法を用いてもよい。
【００７６】反射層５ 反射層の材質は特に限定されないが、通常、Ａｌ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の単体ある
いはこれらの１種以上を含む合金などの高反射率金属か
ら構成すればよい。反射層の厚さは、３０〜３００nmと
することが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分
な反射率が得られにくくなる。また、前記範囲を超えて
も反射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反射
層は、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成す
ることが好ましい。
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の単体ある
いはこれらの１種以上を含む合金などの高反射率金属か
ら構成すればよい。反射層の厚さは、３０〜３００nmと
することが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分
な反射率が得られにくくなる。また、前記範囲を超えて
も反射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反射
層は、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成す
ることが好ましい。
【００７７】保護層６ 保護層は、耐擦傷性や耐食性の向上のために設けられ
る。この保護層は種々の有機系の物質から構成されるこ
とが好ましいが、特に、放射線硬化型化合物やその組成
物を、電子線、紫外線等の放射線により硬化させた物質
から構成されることが好ましい。保護層の厚さは、通
常、０．１〜１００μm程度であり、スピンコート、グ
ラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、通常の
方法により形成すればよい。
る。この保護層は種々の有機系の物質から構成されるこ
とが好ましいが、特に、放射線硬化型化合物やその組成
物を、電子線、紫外線等の放射線により硬化させた物質
から構成されることが好ましい。保護層の厚さは、通
常、０．１〜１００μm程度であり、スピンコート、グ
ラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、通常の
方法により形成すればよい。
【００７８】接着層 接着層を構成する接着剤は特に限定されず、例えば、ホ
ットメルト型接着剤、紫外線硬化型接着剤、常温硬化型
接着剤等のいずれであってもよく、粘着剤であってもよ
い。
ットメルト型接着剤、紫外線硬化型接着剤、常温硬化型
接着剤等のいずれであってもよく、粘着剤であってもよ
い。
【００７９】図３、図４の構成（吸収率補正構造） 図３および図４に、本発明が適用される光記録媒体の他
の構成例を示す。本明細書では、これらの光記録媒体を
吸収率補正構造の媒体という。以下、吸収率補正構造を
選択する理由を説明する。
の構成例を示す。本明細書では、これらの光記録媒体を
吸収率補正構造の媒体という。以下、吸収率補正構造を
選択する理由を説明する。
【００８０】相変化型光記録媒体では、結晶−非結晶間
の反射率の違いを利用するため、記録マーク以外の領域
（結晶状態）における光吸収率（Ａｃ）と記録マーク
（非結晶状態）における光吸収率（Ａａ）とが異なるこ
とが多く、一般にＡｃ＜Ａａとなっている。なお、Ａｃ
およびＡａは、いずれも記録再生用レーザー光の波長に
おける値である。このため、オーバーライト領域が結晶
であったか非結晶であったかによって記録感度および消
去率が異なることになる。この結果、オーバーライトに
よって形成される記録マークに長さおよび幅のばらつき
が生じて、ジッターが大きくなり、エラーとなることも
ある。高密度化のために記録マークの両端に情報を担持
させるマークエッジ記録を行っている場合には、記録マ
ークの長さの変動の影響を受けやすいため、エラーがさ
らに多くなってしまう。
の反射率の違いを利用するため、記録マーク以外の領域
（結晶状態）における光吸収率（Ａｃ）と記録マーク
（非結晶状態）における光吸収率（Ａａ）とが異なるこ
とが多く、一般にＡｃ＜Ａａとなっている。なお、Ａｃ
およびＡａは、いずれも記録再生用レーザー光の波長に
おける値である。このため、オーバーライト領域が結晶
であったか非結晶であったかによって記録感度および消
去率が異なることになる。この結果、オーバーライトに
よって形成される記録マークに長さおよび幅のばらつき
が生じて、ジッターが大きくなり、エラーとなることも
ある。高密度化のために記録マークの両端に情報を担持
させるマークエッジ記録を行っている場合には、記録マ
ークの長さの変動の影響を受けやすいため、エラーがさ
らに多くなってしまう。
【００８１】この問題を解決するためには、ＡｃをＡａ
に近づけることが好ましい。具体的には、好ましくはＡ
ｃ／Ａａ≧０．９とし、さらに好ましくはＡｃ／Ａａ≧
１とし、最も好ましくは、潜熱の影響を考慮してＡｃ／
Ａａ＞１とすることが望ましい。このためには、記録層
やそれを挟んで設けられる誘電体層の厚さを制御すれば
よいが、通常の構造の媒体では、Ａｃ／Ａａを大きくし
ていくと記録マーク以外の領域における媒体からの反射
率（Ｒｃ）と記録マークにおける媒体からの反射率（Ｒ
ａ）との差が小さくなって、Ｃ／Ｎが低くなるという問
題が生じてしまう。
に近づけることが好ましい。具体的には、好ましくはＡ
ｃ／Ａａ≧０．９とし、さらに好ましくはＡｃ／Ａａ≧
１とし、最も好ましくは、潜熱の影響を考慮してＡｃ／
Ａａ＞１とすることが望ましい。このためには、記録層
やそれを挟んで設けられる誘電体層の厚さを制御すれば
よいが、通常の構造の媒体では、Ａｃ／Ａａを大きくし
ていくと記録マーク以外の領域における媒体からの反射
率（Ｒｃ）と記録マークにおける媒体からの反射率（Ｒ
ａ）との差が小さくなって、Ｃ／Ｎが低くなるという問
題が生じてしまう。
【００８２】このような事情から、例えば特開平８−１
２４２１８号公報では、基体上に第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層、反射層、第３誘電体層、紫外線硬化
樹脂層を順に積層した構成の光学情報記録媒体におい
て、Ａｃ＞Ａａとし、反射層として透過性の極薄金属
膜、ＳｉまたはＧｅを用い、第３誘電体層として屈折率
が１．５より大きな誘電体を用いる旨の提案がなされて
いる。光透過性の反射層と高屈折率の第３誘電体層とを
設けることにより、Ｒｃ−Ｒａを大きく保ったままＡｃ
／Ａａを上記範囲とすることが可能となる。
２４２１８号公報では、基体上に第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層、反射層、第３誘電体層、紫外線硬化
樹脂層を順に積層した構成の光学情報記録媒体におい
て、Ａｃ＞Ａａとし、反射層として透過性の極薄金属
膜、ＳｉまたはＧｅを用い、第３誘電体層として屈折率
が１．５より大きな誘電体を用いる旨の提案がなされて
いる。光透過性の反射層と高屈折率の第３誘電体層とを
設けることにより、Ｒｃ−Ｒａを大きく保ったままＡｃ
／Ａａを上記範囲とすることが可能となる。
【００８３】なお、ＡｃおよびＡａは、記録層、誘電体
層、反射層等の各層の光学定数と記録再生用レーザー光
の波長とから、算出することができる。
層、反射層等の各層の光学定数と記録再生用レーザー光
の波長とから、算出することができる。
【００８４】図３および図４にそれぞれ示す光記録媒体
は、反射層５を上記特開平８−１２４２１８号公報に記
載された反射層と同様な構成とし、反射層５と保護層６
との間に第３誘電体層３３を設けた片面記録型媒体であ
る。この構成においても、図１に示す片面記録型媒体と
同様に、２枚を接着して両面記録型媒体としたり、保護
基体を接着したりしてもよい。
は、反射層５を上記特開平８−１２４２１８号公報に記
載された反射層と同様な構成とし、反射層５と保護層６
との間に第３誘電体層３３を設けた片面記録型媒体であ
る。この構成においても、図１に示す片面記録型媒体と
同様に、２枚を接着して両面記録型媒体としたり、保護
基体を接着したりしてもよい。
【００８５】図３および図４において反射層５は、光透
過率が高い極薄の金属層から構成されるか、記録・再生
波長が含まれる近赤外から赤外域にかけての透過性が高
いＳｉやＧｅ等から構成されることが好ましい。反射層
の厚さは、記録層の記録マーク以外の領域と記録マーク
との間での吸収率差を補正できるように適宜決定すれば
よい。反射層の好ましい厚さ範囲は構成材料によって大
きく異なるので、構成材料に応じて厚さを適宜決定すれ
ばよい。例えばＡｕ等の金属を用いる場合には、反射層
の厚さを好ましくは４０nm以下、より好ましくは１０〜
３０nmとし、ＳｉまたはＧｅを用いる場合には、反射層
の厚さを好ましくは８０nm以下、より好ましくは３０〜
７０nmとする。反射層が薄すぎるとＣ／Ｎの低下を招
き、反射層が厚すぎると前述した吸収率補正効果が不十
分となる。
過率が高い極薄の金属層から構成されるか、記録・再生
波長が含まれる近赤外から赤外域にかけての透過性が高
いＳｉやＧｅ等から構成されることが好ましい。反射層
の厚さは、記録層の記録マーク以外の領域と記録マーク
との間での吸収率差を補正できるように適宜決定すれば
よい。反射層の好ましい厚さ範囲は構成材料によって大
きく異なるので、構成材料に応じて厚さを適宜決定すれ
ばよい。例えばＡｕ等の金属を用いる場合には、反射層
の厚さを好ましくは４０nm以下、より好ましくは１０〜
３０nmとし、ＳｉまたはＧｅを用いる場合には、反射層
の厚さを好ましくは８０nm以下、より好ましくは３０〜
７０nmとする。反射層が薄すぎるとＣ／Ｎの低下を招
き、反射層が厚すぎると前述した吸収率補正効果が不十
分となる。
【００８６】反射層を金属から構成する場合、Ａｕまた
はＡｕ合金が好ましい。Ａｕ合金としては、Ａｕを主成
分とし、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、
Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｔｉ、ＢｉおよびＳｂの少な
くとも１種を含むものが好ましい。
はＡｕ合金が好ましい。Ａｕ合金としては、Ａｕを主成
分とし、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、
Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｔｉ、ＢｉおよびＳｂの少な
くとも１種を含むものが好ましい。
【００８７】この反射層も、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成することが好ましい。
相成長法により形成することが好ましい。
【００８８】反射層５上に必要に応じて設けられる第３
誘電体層３３は、好ましくは保護層６よりも屈折率の高
い材料から構成する。このような第３誘電体層を設ける
ことにより、前記特開平８−１２４２１８号公報記載の
発明と同様に、記録マークとそれ以外の領域との間の反
射率差を大きく保ったまま、前記Ａｃ／Ａａを大きくす
ることができる。
誘電体層３３は、好ましくは保護層６よりも屈折率の高
い材料から構成する。このような第３誘電体層を設ける
ことにより、前記特開平８−１２４２１８号公報記載の
発明と同様に、記録マークとそれ以外の領域との間の反
射率差を大きく保ったまま、前記Ａｃ／Ａａを大きくす
ることができる。
【００８９】第３誘電体層の構成材料は特に限定され
ず、他の誘電体層の説明において挙げた各種誘電体から
選択すればよいが、好ましくは硫化亜鉛および酸化ケイ
素を主成分にする。
ず、他の誘電体層の説明において挙げた各種誘電体から
選択すればよいが、好ましくは硫化亜鉛および酸化ケイ
素を主成分にする。
【００９０】第３誘電体層の厚さは、好ましくは３０〜
１２０nm、より好ましくは４０〜９０nmである。第３誘
電体層が薄すぎると信号出力が低くなってしまい、厚す
ぎると、隣接トラックの信号が消去される現象（クロス
イレーズ）が生じてしまう。
１２０nm、より好ましくは４０〜９０nmである。第３誘
電体層が薄すぎると信号出力が低くなってしまい、厚す
ぎると、隣接トラックの信号が消去される現象（クロス
イレーズ）が生じてしまう。
【００９１】上記したようにＡｃとＡａとを制御する構
造では、通常、透明基板の下側から照射される記録再生
用レーザー光は透過し、反射層側から出射される。この
ときの透過率、すなわち入射光に対する透過光の比率
は、通常、１％程度以上、特に３％程度以上である。な
お、この透過率は、透明基板上に無機層だけが存在する
状態で測定した値である。すなわち、図３および図４の
構成では保護層６を除いた状態であり、記録層、誘電体
層、反射層等の無機層間での多重反射の結果としての透
過率を意味する。なお、この透過率は、分光光度計で測
定することができる。測定する領域は特に限定されず、
結晶質部であっても非晶質部であってもよいが、通常
は、グルーブの存在しない結晶質領域（ミラー部）で測
定すればよい。
造では、通常、透明基板の下側から照射される記録再生
用レーザー光は透過し、反射層側から出射される。この
ときの透過率、すなわち入射光に対する透過光の比率
は、通常、１％程度以上、特に３％程度以上である。な
お、この透過率は、透明基板上に無機層だけが存在する
状態で測定した値である。すなわち、図３および図４の
構成では保護層６を除いた状態であり、記録層、誘電体
層、反射層等の無機層間での多重反射の結果としての透
過率を意味する。なお、この透過率は、分光光度計で測
定することができる。測定する領域は特に限定されず、
結晶質部であっても非晶質部であってもよいが、通常
は、グルーブの存在しない結晶質領域（ミラー部）で測
定すればよい。
【００９２】図３および図４にそれぞれ示す光記録媒体
において、基体２、記録層４および保護層６は、図１お
よび図２にそれぞれ示す光記録媒体と同様な構成とすれ
ばよい。ただし、記録層４の好ましい厚さは、１０〜５
０nmである。
において、基体２、記録層４および保護層６は、図１お
よび図２にそれぞれ示す光記録媒体と同様な構成とすれ
ばよい。ただし、記録層４の好ましい厚さは、１０〜５
０nmである。
【００９３】吸収率補正構造の媒体における第１誘電体
層３１の構成および第２誘電体層３２の構成は特に限定
されないが、オーバーライト可能回数をさらに多くする
ためには、各誘電体層を以下に説明する構成とすること
が好ましい。
層３１の構成および第２誘電体層３２の構成は特に限定
されないが、オーバーライト可能回数をさらに多くする
ためには、各誘電体層を以下に説明する構成とすること
が好ましい。
【００９４】第１誘電体層３１は、前述した反射型構造
の媒体の説明における第１誘電体層と同じ構成とするこ
とが好ましい。
の媒体の説明における第１誘電体層と同じ構成とするこ
とが好ましい。
【００９５】第２誘電体層３２は、単層構造（図３参
照）としてもよく、必要に応じて積層構造（図４参照）
としてもよい。いずれの場合でも、第２誘電体層３２の
記録層４に接して存在する領域、すなわち、図３では第
２誘電体層３２全体、図４では誘電体層２ａを、好まし
くは、窒化ゲルマニウムおよび／または窒化ケイ素を主
成分とするか、希土類酸化物を主成分とするか、酸化ケ
イ素を主成分とするか、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主
成分とするものとし、より好ましくは、窒化ゲルマニウ
ムおよび／または窒化ケイ素を主成分とするか、硫化亜
鉛および酸化ケイ素を主成分とするものとし、さらに好
ましくは、窒化ゲルマニウムまたは窒化ケイ素から構成
する。ただし、上記領域の主成分を硫化亜鉛および酸化
ケイ素とする場合には、酸化ケイ素含有率を好ましくは
４０モル％以上、より好ましくは４０〜８０モル％、さ
らに好ましくは４０〜６０モル％とする。酸化ケイ素含
有率が低すぎると、記録層へのＺｎやＳの拡散の影響が
大きくなる。一方、酸化ケイ素含有率が高すぎると、初
期化やオーバーライトの際に第２誘電体層に剥離が生じ
やすくなる。
照）としてもよく、必要に応じて積層構造（図４参照）
としてもよい。いずれの場合でも、第２誘電体層３２の
記録層４に接して存在する領域、すなわち、図３では第
２誘電体層３２全体、図４では誘電体層２ａを、好まし
くは、窒化ゲルマニウムおよび／または窒化ケイ素を主
成分とするか、希土類酸化物を主成分とするか、酸化ケ
イ素を主成分とするか、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主
成分とするものとし、より好ましくは、窒化ゲルマニウ
ムおよび／または窒化ケイ素を主成分とするか、硫化亜
鉛および酸化ケイ素を主成分とするものとし、さらに好
ましくは、窒化ゲルマニウムまたは窒化ケイ素から構成
する。ただし、上記領域の主成分を硫化亜鉛および酸化
ケイ素とする場合には、酸化ケイ素含有率を好ましくは
４０モル％以上、より好ましくは４０〜８０モル％、さ
らに好ましくは４０〜６０モル％とする。酸化ケイ素含
有率が低すぎると、記録層へのＺｎやＳの拡散の影響が
大きくなる。一方、酸化ケイ素含有率が高すぎると、初
期化やオーバーライトの際に第２誘電体層に剥離が生じ
やすくなる。
【００９６】第２誘電体層３２に用いる希土類元素は特
に限定されず、例えばＣｅ、Ｌａ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ
ｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の少なくとも１種を用いればよいが、
好ましくはＣｅ、Ｌａ、Ｙの少なくとも１種を用いる。
に限定されず、例えばＣｅ、Ｌａ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ
ｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の少なくとも１種を用いればよいが、
好ましくはＣｅ、Ｌａ、Ｙの少なくとも１種を用いる。
【００９７】図４において誘電体層２ａ上に設けられる
誘電体層２ｂの組成は特に限定されないが、通常、硫化
亜鉛および酸化ケイ素を主成分とするものとすればよ
い。その場合の酸化ケイ素含有率は特に限定されない
が、好ましくは２〜４０モル％（４０モル％を含まず）
とする。
誘電体層２ｂの組成は特に限定されないが、通常、硫化
亜鉛および酸化ケイ素を主成分とするものとすればよ
い。その場合の酸化ケイ素含有率は特に限定されない
が、好ましくは２〜４０モル％（４０モル％を含まず）
とする。
【００９８】第２誘電体層３２の厚さは、１０〜５０n
m、好ましくは１３〜３５nmである。第２誘電体層をこ
のような厚さとすることにより冷却速度が速くなるの
で、記録マークのエッジが明瞭となってジッターが小さ
くなる。また、このような厚さとすることにより、変調
度を高くすることができる。なお、第２誘電体層中にお
いて記録層に接して存在する前記領域（例えば図４にお
ける誘電体層２ａ）の厚さは、好ましくは１nm以上、よ
り好ましくは５nm以上である。前記領域が薄すぎると、
バリア層としての効果が不十分となる。
m、好ましくは１３〜３５nmである。第２誘電体層をこ
のような厚さとすることにより冷却速度が速くなるの
で、記録マークのエッジが明瞭となってジッターが小さ
くなる。また、このような厚さとすることにより、変調
度を高くすることができる。なお、第２誘電体層中にお
いて記録層に接して存在する前記領域（例えば図４にお
ける誘電体層２ａ）の厚さは、好ましくは１nm以上、よ
り好ましくは５nm以上である。前記領域が薄すぎると、
バリア層としての効果が不十分となる。
【００９９】記録再生方法 本発明の光記録媒体へのオーバーライトは、従来の相変
化型光記録媒体へのオーバーライトと同様にして行うこ
とができる。ただし、前述した反射型構造の媒体におい
ては、好ましくは、オーバーライトに使用するレーザー
ビームの変調パターンを次に説明するものとする。
化型光記録媒体へのオーバーライトと同様にして行うこ
とができる。ただし、前述した反射型構造の媒体におい
ては、好ましくは、オーバーライトに使用するレーザー
ビームの変調パターンを次に説明するものとする。
【０１００】反射型構造の媒体に対し好ましく使用され
るレーザービームの変調パターンを、図５（ａ）および
図５（ｂ）に示す。図５（ａ）は、３Ｔ信号記録用の変
調パターン（記録パルスパターン）であり、図５（ｂ）
は、１１Ｔ信号記録用の変調パターンである。各図にお
いて、横方向は時間、縦方向はレーザービームのパワー
レベルである。なお、各図には、３Ｔおよび１１ＴのＮ
ＲＺＩ信号パターンを併記してある。
るレーザービームの変調パターンを、図５（ａ）および
図５（ｂ）に示す。図５（ａ）は、３Ｔ信号記録用の変
調パターン（記録パルスパターン）であり、図５（ｂ）
は、１１Ｔ信号記録用の変調パターンである。各図にお
いて、横方向は時間、縦方向はレーザービームのパワー
レベルである。なお、各図には、３Ｔおよび１１ＴのＮ
ＲＺＩ信号パターンを併記してある。
【０１０１】これらの変調パターンにおけるパワーレベ
ルは、ＰP（ピークパワー）と、ＰPよりも低いＰB1（バ
イアスパワー１）と、ＰB1よりも低いＰB2（バイアスパ
ワー２）との３段階である。記録パワーをパルス変調す
ることは従来も行われているが、その場合には、記録パ
ルスのボトム値は消去パワーであるＰB1となっていた。
これに対し、このパターンの特徴は、記録パルスを、ピ
ーク値ＰP、ボトム値ＰB 2とし、かつ最終パルス照射後
に、パワーレベルをいったんボトム値ＰB2まで低下させ
た後、消去パワーレベルであるＰB1に戻すことである。
記録パルスをこのようなパターンとすることにより、記
録密度を高くした場合でも記録マークの形状が歪みにく
くなり、ジッターの増大を抑えることができる。
ルは、ＰP（ピークパワー）と、ＰPよりも低いＰB1（バ
イアスパワー１）と、ＰB1よりも低いＰB2（バイアスパ
ワー２）との３段階である。記録パワーをパルス変調す
ることは従来も行われているが、その場合には、記録パ
ルスのボトム値は消去パワーであるＰB1となっていた。
これに対し、このパターンの特徴は、記録パルスを、ピ
ーク値ＰP、ボトム値ＰB 2とし、かつ最終パルス照射後
に、パワーレベルをいったんボトム値ＰB2まで低下させ
た後、消去パワーレベルであるＰB1に戻すことである。
記録パルスをこのようなパターンとすることにより、記
録密度を高くした場合でも記録マークの形状が歪みにく
くなり、ジッターの増大を抑えることができる。
【０１０２】ＰP、ＰB1およびＰB2は、記録層の組成や
媒体の線速度などによっても異なるが、通常、それぞれ
９〜１２mW、４〜６mWおよび０〜２mWの範囲内から選択
される。なお、吸収率補正構造の媒体における記録パワ
ーおよび消去パワーも、通常、それぞれ９〜１２mWおよ
び４〜６mWの範囲から選択される。
媒体の線速度などによっても異なるが、通常、それぞれ
９〜１２mW、４〜６mWおよび０〜２mWの範囲内から選択
される。なお、吸収率補正構造の媒体における記録パワ
ーおよび消去パワーも、通常、それぞれ９〜１２mWおよ
び４〜６mWの範囲から選択される。
【０１０３】本発明の光記録媒体にオーバーライトを行
う際に、レーザービームに対する記録層の線速度は特に
限定されないが、記録層を上記組成とした場合には、線
速度は、通常、０．８〜２０m/s程度、好ましくは１．
２〜１６m/sである。
う際に、レーザービームに対する記録層の線速度は特に
限定されないが、記録層を上記組成とした場合には、線
速度は、通常、０．８〜２０m/s程度、好ましくは１．
２〜１６m/sである。
【０１０４】上記組成の記録層を有する光記録媒体で
は、書き換えおよび再生に用いる光を、広い波長域、例
えば１００〜５０００nmの範囲から自在に選択できる。
は、書き換えおよび再生に用いる光を、広い波長域、例
えば１００〜５０００nmの範囲から自在に選択できる。
【０１０５】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【０１０６】実施例１（反射型構造） 射出成形によりグルーブ（幅０．７４μm、深さ６５n
m、ピッチ１．４８μm）を同時形成した直径１２０mm、
厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネート基体２の表
面に、第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３
２、反射層５および保護層６を以下に示す手順で形成
し、図１または図２に示す構成を有する光記録ディスク
サンプルとした。
m、ピッチ１．４８μm）を同時形成した直径１２０mm、
厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネート基体２の表
面に、第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３
２、反射層５および保護層６を以下に示す手順で形成
し、図１または図２に示す構成を有する光記録ディスク
サンプルとした。
【０１０７】第１誘電体層３１を構成する各誘電体層の
組成および厚さを、表１に示す。なお、単層構成の第１
誘電体層の組成および厚さについては、表１の誘電体層
１ａの欄に示してある。各誘電体層のうち、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2からなるものは、Ａｒ雰囲気中においてスパッタ
法により形成し、Ｓｉ3Ｎ4またはＧｅ3Ｎ4からなるもの
は、それぞれＳｉまたはＧｅのターゲットを用い、窒素
を含有するＡｒ雰囲気中において反応性スパッタ法によ
り形成した。
組成および厚さを、表１に示す。なお、単層構成の第１
誘電体層の組成および厚さについては、表１の誘電体層
１ａの欄に示してある。各誘電体層のうち、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2からなるものは、Ａｒ雰囲気中においてスパッタ
法により形成し、Ｓｉ3Ｎ4またはＧｅ3Ｎ4からなるもの
は、それぞれＳｉまたはＧｅのターゲットを用い、窒素
を含有するＡｒ雰囲気中において反応性スパッタ法によ
り形成した。
【０１０８】記録層４は、Ａｒ雰囲気中において、ター
ゲットにＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5（原子比）とＡｇまたはＡｕ
とを用い、スパッタ法により形成した。なお、比較のた
めに、ＡｇおよびＡｕのいずれも添加しない記録層も形
成した。記録層中のＡｇまたはＡｕの含有率および記録
層の厚さを、表１に示す。
ゲットにＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5（原子比）とＡｇまたはＡｕ
とを用い、スパッタ法により形成した。なお、比較のた
めに、ＡｇおよびＡｕのいずれも添加しない記録層も形
成した。記録層中のＡｇまたはＡｕの含有率および記録
層の厚さを、表１に示す。
【０１０９】第２誘電体層３２を構成する各誘電体層の
組成および厚さを、表１に示す。なお、単層構成の第２
誘電体の組成および厚さについては、表１の誘電体層２
ａの欄に示してある。誘電体層２ａの欄に示したもの
は、ターゲットにＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いてＡｒ＋Ｎ2雰
囲気中でスパッタ法により形成した。流量比［Ｎ2／
（Ａｒ＋Ｎ2）］は、１８％とした。ただし、記録層に
ＡｇおよびＡｕのいずれも添加しなかった場合には、ス
パッタの際の雰囲気を純Ａｒとした。誘電体層２ｂは、
Ａｒ雰囲気中でスパッタ法により形成した。
組成および厚さを、表１に示す。なお、単層構成の第２
誘電体の組成および厚さについては、表１の誘電体層２
ａの欄に示してある。誘電体層２ａの欄に示したもの
は、ターゲットにＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いてＡｒ＋Ｎ2雰
囲気中でスパッタ法により形成した。流量比［Ｎ2／
（Ａｒ＋Ｎ2）］は、１８％とした。ただし、記録層に
ＡｇおよびＡｕのいずれも添加しなかった場合には、ス
パッタの際の雰囲気を純Ａｒとした。誘電体層２ｂは、
Ａｒ雰囲気中でスパッタ法により形成した。
【０１１０】反射層５は、Ａｒ雰囲気中においてスパッ
タ法により形成した。ターゲットにはＡｌ−１．７原子
％Ｃｒを用いた。反射層の厚さは１５０nmとした。
タ法により形成した。ターゲットにはＡｌ−１．７原子
％Ｃｒを用いた。反射層の厚さは１５０nmとした。
【０１１１】保護層６は、紫外線硬化型樹脂をスピンコ
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の保護層厚さは５μm であった。
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の保護層厚さは５μm であった。
【０１１２】このようにして作製した各サンプルの記録
層を、バルクイレーザーを用いて固相で初期化した。初
期化後の記録層の結晶粒径は、約１００nmであった。次
いで、各サンプルを光記録媒体評価装置（波長６３８n
m、開口率ＮＡ＝０．６、線速度６m/s）に載せ、以下の
記録パルスを用いて、繰り返しオーバーライトにおける
特性評価を行った。
層を、バルクイレーザーを用いて固相で初期化した。初
期化後の記録層の結晶粒径は、約１００nmであった。次
いで、各サンプルを光記録媒体評価装置（波長６３８n
m、開口率ＮＡ＝０．６、線速度６m/s）に載せ、以下の
記録パルスを用いて、繰り返しオーバーライトにおける
特性評価を行った。
【０１１３】記録パルス パルスパターン：図５（ａ）、図５（ｂ）に例示される
パターン、 記録パワー（ピークパワー）：１１．０mW、 消去パワー（バイアスパワー１）：５．０mW、 ボトムパワー（バイアスパワー２）：０．５mW
パターン、 記録パワー（ピークパワー）：１１．０mW、 消去パワー（バイアスパワー１）：５．０mW、 ボトムパワー（バイアスパワー２）：０．５mW
【０１１４】なお、オーバーライトは、以下の２方法で
行った。第１の方法は、光記録媒体評価装置における通
常のオーバーライト方法であり、記録マークを完全に重
ねるための書き込みタイミング制御を行わなかったもの
である。第２の方法は、第１の方法に比べ、実際の光デ
ィスク駆動装置におけるオーバーライトパターンに近
く、かつ、より厳しい評価が可能な方法であり、記録マ
ークが完全に重なるようにタイミングを制御しながら、
同一の信号パターンをオーバーライトする方法である。
行った。第１の方法は、光記録媒体評価装置における通
常のオーバーライト方法であり、記録マークを完全に重
ねるための書き込みタイミング制御を行わなかったもの
である。第２の方法は、第１の方法に比べ、実際の光デ
ィスク駆動装置におけるオーバーライトパターンに近
く、かつ、より厳しい評価が可能な方法であり、記録マ
ークが完全に重なるようにタイミングを制御しながら、
同一の信号パターンをオーバーライトする方法である。
【０１１５】第１の方法および第２の方法のそれぞれに
おけるオーバーライト可能回数を、表１に示す。なお、
この実施例におけるオーバーライト可能回数は、ジッタ
ーが１３％以下に収まる最大のオーバーライト回数であ
る。
おけるオーバーライト可能回数を、表１に示す。なお、
この実施例におけるオーバーライト可能回数は、ジッタ
ーが１３％以下に収まる最大のオーバーライト回数であ
る。
【０１１６】
【表１】
【０１１７】表１から、本発明の効果が明らかである。
すなわち、ＡｇまたはＡｕを所定量添加した本発明のサ
ンプルでは、第１の方法においても第２の方法において
もオーバーライト可能回数は十分な値となっている。こ
れに対し、記録層にＡｇまたはＡｕを添加せず、かつ誘
電体層が本発明における好ましい構成となっていないサ
ンプルNo.１７では、第１の方法においてもオーバーラ
イト可能回数は約１０００回にすぎない。また、誘電体
層は本発明における好ましい構成としたが記録層にＡｇ
またはＡｕを添加しなかったサンプルNo.１８は、第１
の方法ではオーバーライトが１０万回以上可能であった
が、第２の方法では約６０回と少なくなっている。な
お、記録層のＡｇ含有率が高すぎるサンプルNo.１９で
は、消去が不可能であった。
すなわち、ＡｇまたはＡｕを所定量添加した本発明のサ
ンプルでは、第１の方法においても第２の方法において
もオーバーライト可能回数は十分な値となっている。こ
れに対し、記録層にＡｇまたはＡｕを添加せず、かつ誘
電体層が本発明における好ましい構成となっていないサ
ンプルNo.１７では、第１の方法においてもオーバーラ
イト可能回数は約１０００回にすぎない。また、誘電体
層は本発明における好ましい構成としたが記録層にＡｇ
またはＡｕを添加しなかったサンプルNo.１８は、第１
の方法ではオーバーライトが１０万回以上可能であった
が、第２の方法では約６０回と少なくなっている。な
お、記録層のＡｇ含有率が高すぎるサンプルNo.１９で
は、消去が不可能であった。
【０１１８】実施例２（反射型構造） 各層を表２に示す構成としたほかは実施例１のサンプル
と同様にして、光記録ディスクサンプルを作製した。な
お、Ｃｒ2Ｏ3からなる誘電体層は、Ｃｒ2Ｏ3をターゲッ
トしてＡｒ雰囲気中でスパッタ法により形成した。ま
た、サンプルNo.２０の第２誘電体層３２は、ターゲッ
トにＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いてＡｒ＋Ｎ2雰囲気中でスパ
ッタ法により形成した。流量比［Ｎ2／（Ａｒ＋Ｎ2）］
は、１８％とした。
と同様にして、光記録ディスクサンプルを作製した。な
お、Ｃｒ2Ｏ3からなる誘電体層は、Ｃｒ2Ｏ3をターゲッ
トしてＡｒ雰囲気中でスパッタ法により形成した。ま
た、サンプルNo.２０の第２誘電体層３２は、ターゲッ
トにＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いてＡｒ＋Ｎ2雰囲気中でスパ
ッタ法により形成した。流量比［Ｎ2／（Ａｒ＋Ｎ2）］
は、１８％とした。
【０１１９】なお、Ｓｉ3Ｎ4からなる誘電体層の熱伝導
率は１０W/mK、ＺｎＳ（８５モル％）−ＳｉＯ2（１５
モル％）からなる誘電体層の熱伝導率は０．６W/mKであ
った。この熱伝導率は、各誘電体層形成の際と同じ条件
で基板表面に形成した厚さ１μmの誘電体膜について、
迅速熱伝導率計（Kemtherm QTM-500）により測定した結
果である。この迅速熱伝導率計による計測方法は、ＱＴ
Ｍ法と呼ばれるもので、熱伝導率が既知である基材の表
面に加熱線と熱電対とを配置したプローブを用い、この
プローブの前記表面に測定対象を密着させて測定する方
法である。具体的には、厚さ１μmの前記誘電体膜を形
成した基板と、前記誘電体膜を形成しない基板とについ
てそれぞれ測定を行い、これらの結果から前記誘電体膜
の熱伝導率を求めた。
率は１０W/mK、ＺｎＳ（８５モル％）−ＳｉＯ2（１５
モル％）からなる誘電体層の熱伝導率は０．６W/mKであ
った。この熱伝導率は、各誘電体層形成の際と同じ条件
で基板表面に形成した厚さ１μmの誘電体膜について、
迅速熱伝導率計（Kemtherm QTM-500）により測定した結
果である。この迅速熱伝導率計による計測方法は、ＱＴ
Ｍ法と呼ばれるもので、熱伝導率が既知である基材の表
面に加熱線と熱電対とを配置したプローブを用い、この
プローブの前記表面に測定対象を密着させて測定する方
法である。具体的には、厚さ１μmの前記誘電体膜を形
成した基板と、前記誘電体膜を形成しない基板とについ
てそれぞれ測定を行い、これらの結果から前記誘電体膜
の熱伝導率を求めた。
【０１２０】これらのサンプルを実施例１と同様にして
初期化した後、特性評価を行った。結果を表２に示す。
初期化した後、特性評価を行った。結果を表２に示す。
【０１２１】
【表２】
【０１２２】表２の各サンプルでは、表１のサンプルと
同様に優れた特性が得られていることがわかる。
同様に優れた特性が得られていることがわかる。
【０１２３】実施例３（吸収率補正構造） 射出成形によりグルーブ（幅０．６０μm、深さ５０n
m、ピッチ１．２０μm）を同時形成した直径１２０mm、
厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネート基体２の表
面に、第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３
２、反射層５、第３誘電体層３３および保護層６を以下
に示す手順で形成し、図３に示す構成を有する光記録デ
ィスクサンプルとした。
m、ピッチ１．２０μm）を同時形成した直径１２０mm、
厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネート基体２の表
面に、第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３
２、反射層５、第３誘電体層３３および保護層６を以下
に示す手順で形成し、図３に示す構成を有する光記録デ
ィスクサンプルとした。
【０１２４】第１誘電体層３１および第２誘電体層３２
を構成する各誘電体層の組成および厚さを、表３に示
す。なお、第１誘電体層を単層構成とした場合の組成お
よび厚さについては、表３の誘電体層１ａの欄に示して
あり、第２誘電体層を単層構成とした場合の組成および
厚さについては、表３の誘電体層２ａの欄に示してあ
る。各誘電体層の形成方法は、実施例１と同様とした。
を構成する各誘電体層の組成および厚さを、表３に示
す。なお、第１誘電体層を単層構成とした場合の組成お
よび厚さについては、表３の誘電体層１ａの欄に示して
あり、第２誘電体層を単層構成とした場合の組成および
厚さについては、表３の誘電体層２ａの欄に示してあ
る。各誘電体層の形成方法は、実施例１と同様とした。
【０１２５】記録層４は、Ａｒ雰囲気中において、ター
ゲットにＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5（原子比）とＡｇとを用いた
スパッタ法により形成した。記録層中のＡｇの含有率お
よび記録層の厚さを、表３に示す。なお、比較のため
に、Ａｇを添加しない記録層も形成した。
ゲットにＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5（原子比）とＡｇとを用いた
スパッタ法により形成した。記録層中のＡｇの含有率お
よび記録層の厚さを、表３に示す。なお、比較のため
に、Ａｇを添加しない記録層も形成した。
【０１２６】反射層５は、Ａｒ雰囲気中においてスパッ
タ法により形成した。ターゲットにはＳｉを用いた。反
射層の厚さは５０nmとした。
タ法により形成した。ターゲットにはＳｉを用いた。反
射層の厚さは５０nmとした。
【０１２７】第３誘電体層３３は、Ａｒ雰囲気中におい
てスパッタ法により形成した。ターゲットには、ＺｎＳ
（８５モル％）−ＳｉＯ2（１５モル％）を用いた。第
３誘電体層の厚さは６０nmとした。
てスパッタ法により形成した。ターゲットには、ＺｎＳ
（８５モル％）−ＳｉＯ2（１５モル％）を用いた。第
３誘電体層の厚さは６０nmとした。
【０１２８】保護層６は、実施例１と同様にして形成し
た。
た。
【０１２９】このようにして作製した各サンプルの記録
層を、バルクイレーザーを用いて固相で初期化した。初
期化後の記録層の結晶粒径は、約１００nmであった。初
期化後、保護層６を除いた状態で基体２側から波長６８
０nmのレーザー光を照射し、ミラー部（結晶質）におけ
る透過率を分光光度計で測定したところ、５％以上であ
った。なお、各サンプルの波長６８０nmにおけるＡｃ／
Ａａは、０．９以上となる。次いで、各サンプルを光記
録媒体評価装置（波長６８０nm、開口率ＮＡ＝０．６）
に載せ、１−７ＲＬＬ信号を繰り返しオーバーライト
し、特性評価を行った。線速度は、表３のサンプルNo.
２５では１２m/sとし、サンプルNo.２６では１４m/sと
した。記録パワーは１０mW、消去パワーは５mWとした。
なお、オーバーライトに際しては、実施例１で用いた第
１の方法と同様に、記録マークを完全に重ねるための書
き込みタイミング制御は行わなかった。各サンプルのオ
ーバーライト可能回数を、表３に示す。この実施例にお
けるオーバーライト可能回数は、ビットエラーレート
（ＢＥＲ）が５．０×１０-7以下に収まる最大のオーバ
ーライト回数である。
層を、バルクイレーザーを用いて固相で初期化した。初
期化後の記録層の結晶粒径は、約１００nmであった。初
期化後、保護層６を除いた状態で基体２側から波長６８
０nmのレーザー光を照射し、ミラー部（結晶質）におけ
る透過率を分光光度計で測定したところ、５％以上であ
った。なお、各サンプルの波長６８０nmにおけるＡｃ／
Ａａは、０．９以上となる。次いで、各サンプルを光記
録媒体評価装置（波長６８０nm、開口率ＮＡ＝０．６）
に載せ、１−７ＲＬＬ信号を繰り返しオーバーライト
し、特性評価を行った。線速度は、表３のサンプルNo.
２５では１２m/sとし、サンプルNo.２６では１４m/sと
した。記録パワーは１０mW、消去パワーは５mWとした。
なお、オーバーライトに際しては、実施例１で用いた第
１の方法と同様に、記録マークを完全に重ねるための書
き込みタイミング制御は行わなかった。各サンプルのオ
ーバーライト可能回数を、表３に示す。この実施例にお
けるオーバーライト可能回数は、ビットエラーレート
（ＢＥＲ）が５．０×１０-7以下に収まる最大のオーバ
ーライト回数である。
【０１３０】
【表３】
【０１３１】表３に示される結果から、吸収率補正構造
の媒体においても本発明の効果が実現することがわか
る。
の媒体においても本発明の効果が実現することがわか
る。
【図１】本発明の光記録媒体（反射型構造）の構成例を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図２】本発明の光記録媒体（反射型構造）の構成例を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図３】本発明の光記録媒体（吸収率補正構造）の構成
例を示す部分断面図である。
例を示す部分断面図である。
【図４】本発明の光記録媒体（吸収率補正構造）の構成
例を示す部分断面図である。
例を示す部分断面図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、本発明の光記録媒体
（反射型構造）のオーバーライトに使用されるレーザー
ビームの変調パターンを示すグラフである。
（反射型構造）のオーバーライトに使用されるレーザー
ビームの変調パターンを示すグラフである。
２ 基体 ３１ 第１誘電体層 ３２ 第２誘電体層 ３３ 第３誘電体層 ４ 記録層 ５ 反射層 ６ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５Ｈ
Claims (13)
- 【請求項１】 基体上に相変化型の記録層を有し、この
記録層が、Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅを主成分とし、Ａｇお
よびＡｕの少なくとも１種を合計で０．２〜２．５原子
％（２．５原子％を含まず）含有する光記録媒体。 - 【請求項２】 記録層の下側および上側にそれぞれ記録
層と接する第１誘電体層および第２誘電体層を有し、第
２誘電体層上に金属からなる反射層を有し、 第１誘電体層が、基体側に誘電体層１ａを、記録層側に
誘電体層１ｂをそれぞれ含み、 誘電体層１ａが硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分と
し、 誘電体層１ｂが窒化ケイ素および／または窒化ゲルマニ
ウムを主成分とするか、酸化ケイ素を主成分とするか、
硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分とするか、酸化クロ
ムを主成分とするものであり、 誘電体層１ｂが硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分とす
るとき、これらをそれぞれＺｎＳおよびＳｉＯ2に換算
して求めた酸化ケイ素含有率［ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋Ｓ
ｉＯ2）］が４０モル％以上であり、 第２誘電体層が、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分と
するか、酸化ケイ素を主成分とするか、希土類酸化物を
主成分とするか、窒化ゲルマニウムを主成分とする請求
項１の光記録媒体。 - 【請求項３】 記録層の下側および上側にそれぞれ記録
層と接する第１誘電体層および第２誘電体層を有し、第
２誘電体層上に金属からなる反射層を有し、 第１誘電体層が、基体側に誘電体層１ａを、記録層側に
誘電体層１ｂをそれぞれ含み、 誘電体層１ａが硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分と
し、 誘電体層１ｂが窒化ケイ素および／または窒化ゲルマニ
ウムを主成分とするか、酸化ケイ素を主成分とするか、
硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分とするか、酸化クロ
ムを主成分とするものであり、 誘電体層１ｂが硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分とす
るとき、これらをそれぞれＺｎＳおよびＳｉＯ2に換算
して求めた酸化ケイ素含有率［ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋Ｓ
ｉＯ2）］が４０モル％以上であり、 第２誘電体層が、記録層側に誘電体層２ａを、反射層側
に誘電体層２ｂをそれぞれ含み、 誘電体層２ａが、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分
し、かつ、誘電体層２ｂが、酸化ケイ素または希土類酸
化物を主成分とするか、 誘電体層２ａが、窒化ケイ素および／または窒化ゲルマ
ニウムを主成分とするか、酸化クロムを主成分とし、か
つ、誘電体層２ｂが、誘電体層２ａよりも熱伝導率の低
い誘電体材料を主成分とする請求項１の光記録媒体。 - 【請求項４】 誘電体層１ｂの厚さが０．５〜４０nmで
ある請求項２または３の光記録媒体。 - 【請求項５】 誘電体層１ｂが、窒化ケイ素を主成分と
し、かつ、厚さが０．５〜５nm（ただし５nmを含まず）
である請求項３の光記録媒体。 - 【請求項６】 硫化亜鉛および酸化ケイ素をそれぞれＺ
ｎＳおよびＳｉＯ2に換算して酸化ケイ素含有率［Ｓｉ
Ｏ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）］を求めたとき、誘電体層１
ａの酸化ケイ素含有率が２〜４０モル％（４０モル％を
含まず）である請求項２〜５のいずれかの光記録媒体。 - 【請求項７】 記録層の下側および上側にそれぞれ記録
層と接する第１誘電体層および第２誘電体層を有し、 記録再生光波長における媒体の光吸収率を、記録層の結
晶質部でＡｃとし、非結晶質部でＡａとしたとき、 Ａｃ／Ａａ≧０．９ であり、 第１誘電体層が、基体側に誘電体層１ａを、記録層側に
誘電体層１ｂをそれぞれ含み、 誘電体層１ｂが、窒化ゲルマニウムおよび／または窒化
ケイ素を主成分とし、 誘電体層１ａが、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分と
し、 第２誘電体層のうち少なくとも記録層に接して存在する
領域が、窒化ゲルマニウムおよび／または窒化ケイ素を
主成分とするか、希土類酸化物を主成分とするか、酸化
ケイ素を主成分とするか、硫化亜鉛および酸化ケイ素を
主成分とするものであり、前記領域が硫化亜鉛および酸
化ケイ素を主成分とするものである場合、硫化亜鉛およ
び酸化ケイ素をそれぞれＺｎＳおよびＳｉＯ2に換算し
て求めた酸化ケイ素含有率［ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋Ｓｉ
Ｏ2）］が４０モル％以上である請求項１の光記録媒
体。 - 【請求項８】 誘電体層１ｂの厚さが０．５〜４０nmで
ある請求項７の光記録媒体。 - 【請求項９】 誘電体層１ｂが、窒化ケイ素を主成分と
し、かつ、厚さが０．５〜５nm（ただし５nmを含まず）
である請求項７の光記録媒体。 - 【請求項１０】 硫化亜鉛および酸化ケイ素をそれぞれ
ＺｎＳおよびＳｉＯ2に換算して酸化ケイ素含有率［Ｓ
ｉＯ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）］を求めたとき、誘電体層
１ａの酸化ケイ素含有率が２〜４０モル％（４０モル％
を含まず）である請求項７〜９のいずれかの光記録媒
体。 - 【請求項１１】 第２誘電体層上に反射層を有し、この
反射層が、金属から構成された厚さ４０nm以下のもので
あるか、ＳｉまたはＧｅから構成された厚さ８０nm以下
のものである請求項７〜１０のいずれかの光記録媒体。 - 【請求項１２】 反射層上に第３誘電体層を有する請求
項１１の光記録媒体。 - 【請求項１３】 記録層の平均結晶粒径が２０〜１５０
nmである請求項１〜１２のいずれかの光記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10341132A JPH11240252A (ja) | 1997-12-22 | 1998-11-13 | 光記録媒体 |
| US09/217,578 US6096399A (en) | 1997-12-22 | 1998-12-21 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-365706 | 1997-12-22 | ||
| JP36570697 | 1997-12-22 | ||
| JP10341132A JPH11240252A (ja) | 1997-12-22 | 1998-11-13 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11240252A true JPH11240252A (ja) | 1999-09-07 |
Family
ID=26576885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10341132A Pending JPH11240252A (ja) | 1997-12-22 | 1998-11-13 | 光記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6096399A (ja) |
| JP (1) | JPH11240252A (ja) |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6821707B2 (en) | 1996-03-11 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US6503690B1 (en) | 1997-08-12 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for producing the same, and method for recording and reproducing optical information |
| JPH11134720A (ja) | 1997-08-28 | 1999-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体及びその記録再生方法 |
| US6343062B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals |
| US5994409A (en) | 1997-12-09 | 1999-11-30 | U.S. Bioscience, Inc. | Methods for treatment of neuro--and nephro--disorders and therapeutic toxicities using aminothiol compounds |
| TW448443B (en) * | 1998-08-05 | 2001-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical information storage media and production method as well as the storage reproducing method and device |
| US6511788B1 (en) * | 1999-02-12 | 2003-01-28 | Sony Corporation | Multi-layered optical disc |
| JP2000322770A (ja) * | 1999-05-12 | 2000-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録媒体 |
| US6489312B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-12-03 | Medimmune Oncology, Inc. | Pharmaceutical formulations comprising aminoalkyl phosphorothioates |
| US6660451B1 (en) * | 1999-06-18 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| JP2001023245A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Sony Corp | 光記録媒体および光記録装置 |
| JP2002117576A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-19 | Tdk Corp | 光記録媒体および光学的情報記録方法 |
| JP2002117577A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-19 | Tdk Corp | 光記録媒体および光学的情報記録方法 |
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